KR102069809B1 - Thin film depositing apparatus and the thin film depositing method using the same - Google Patents

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Abstract

박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법이 개시된다. 개시된 박막 증착 장치는 기판에 증착될 증착 증기를 생성하는 증착원과, 증착 증기를 기판이 장착된 증착챔버 내로 분출시키는 분출부 및, 분출부에 적정 압력을 작용시켜서 증착챔버 내로 증착 증기가 분출되거나 멈추도록 조절하는 통제부를 구비한다. 이러한 구성에 의하면 증착챔버 내에서 증착원의 증기 분출을 정확하고 효율적으로 통제할 수 있게 되므로, 이를 채용할 경우 생산 효율이 향상되고 제품의 품질도 안정화되는 효과를 기대할 수 있다. A thin film deposition apparatus and a thin film deposition method using the same are disclosed. The disclosed thin film deposition apparatus includes a deposition source for generating deposition vapor to be deposited on a substrate, an ejection portion for ejecting the deposition vapor into a deposition chamber equipped with a substrate, and an appropriate pressure applied to the ejection portion to eject the deposition vapor into the deposition chamber. It is provided with a control unit which adjusts to stop. According to such a configuration, it is possible to accurately and efficiently control the vapor ejection of the deposition source in the deposition chamber, so that employing it can be expected to improve the production efficiency and stabilize the product quality.

Description

박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 {Thin film depositing apparatus and the thin film depositing method using the same}Thin film depositing apparatus and the thin film depositing method using the same

본 발명은 증착원의 증기를 발생시켜서 기판 표면에 박막을 형성하는 증착 장치에 관한 것으로, 특히 증착 증기의 분출을 통제하는 기능이 개선된 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a deposition apparatus for generating a thin film on the surface of a substrate by generating steam from a deposition source, and more particularly, to a thin film deposition apparatus having an improved function of controlling the ejection of deposition vapor and a thin film deposition method using the same.

예컨대 유기 발광 디스플레이 장치의 박막봉지층 형성과 같은 박막 제조 공정에는 증착원의 증기를 발생시켜서 기판 표면에 달라붙게 하는 증착 공정이 많이 이용된다. For example, in a thin film manufacturing process such as forming a thin film encapsulation layer of an organic light emitting display device, a deposition process that generates vapor from a deposition source and adheres to a substrate surface is used.

즉, 증착 공정을 통해 기판 상에 적정한 두께의 박막이 원하는 패턴에 따라 형성되게 하는 것이다. That is, a thin film having an appropriate thickness is formed on a substrate through a deposition process according to a desired pattern.

그리고, 이러한 증착 공정이 진행되는 증착챔버 내에는 증착원의 증기를 필요 시에 분출시키기 위한 셔터가 구비되어 있다. 즉, 증착원의 증기가 필요한 시점이 아닌데도 분출이 되면 안 되므로, 셔터를 설치하여 증착원의 분출구 앞을 가리고 있다가 필요한 시점에 셔터를 오픈시키는 방식으로 증착을 진행한다.In the deposition chamber in which such a deposition process is performed, a shutter is provided for ejecting the vapor of the vapor deposition source when necessary. In other words, since the vapor of the evaporation source should not be ejected even when the evaporation source is not required, the evaporation is carried out in such a manner that a shutter is installed to cover the front of the evaporation outlet of the evaporation source and the shutter is opened at the necessary time.

그런데, 이러한 셔터를 사용하더라도 증착원의 증기를 완전히 차단하기가 어렵기 때문에, 기판 상에 의도하지 않는 박막의 증착이 진행되는 경우가 빈발하고 있다. However, even when such a shutter is used, it is difficult to completely block the vapor of the evaporation source, so that undesired thin film deposition on the substrate is frequently performed.

이렇게 되면 정밀한 박막을 형성할 수가 없게 되기 때문에, 제품의 품질이 상당히 저하될 수 밖에 없다. In this case, since the precise thin film cannot be formed, the quality of the product is inevitably deteriorated.

따라서, 이러한 문제를 해소하기 위해서는 증착원의 증기가 기판을 향해 분출되는 것을 보다 정확하게 의도한대로 통제할 수 있게 해주는 새로운 방안이 필요하다. Therefore, in order to solve this problem, there is a need for a new way to more accurately and accurately control the evaporation of vapor from the deposition source toward the substrate.

본 발명의 실시예는 증착챔버 내에서 증착원의 증기 분출을 정확하고 효율적으로 통제할 수 있도록 개선된 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an improved thin film deposition apparatus and a thin film deposition method using the same so as to accurately and efficiently control vapor ejection of a deposition source in a deposition chamber.

본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치는, 기판이 장착되는 증착챔버와, 상기 기판에 증착될 증착 증기를 생성하는 증착원과, 상기 증착 증기를 상기 증착챔버 내로 분출시키는 분출부 및, 상기 분출부에 적정 압력을 작용시켜서 상기 증착챔버 내로 상기 증착 증기가 분출되거나 멈추도록 조절하는 통제부를 구비한다.A thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a deposition chamber on which a substrate is mounted, a deposition source for generating deposition vapor to be deposited on the substrate, an ejection unit for ejecting the deposition vapor into the deposition chamber, and And controlling the ejection vapor to be ejected or stopped into the deposition chamber by applying an appropriate pressure to the ejection chamber.

상기 분출부는 상기 증착원과 연결된 본체 및, 상기 기판을 향해 상기 증착 증기를 분출하도록 상기 본체에 마련된 다수의 노즐을 포함할 수 있다.The ejection unit may include a main body connected to the deposition source, and a plurality of nozzles provided in the main body to eject the deposition vapor toward the substrate.

상기 통제부는 상기 분출부와 연결된 연결관 및, 상기 연결관을 통해 상기 분출부에 압력을 작용시키는 진공펌프를 포함할 수 있다. The control unit may include a connection pipe connected to the jet unit, and a vacuum pump for applying pressure to the jet unit through the connection pipe.

상기 연결관은 상기 분출부 본체에 상기 노즐과 일대일 대응하게 연결된 다수의 제1연결관과, 상기 다수의 제1연결관들과 상기 진공펌프 사이를 연결하는 제2연결관을 포함할 수 있으며, 상기 제1연결관 및 제2연결관에는 각각 개폐 가능한 제1밸브와 제2밸브가 설치될 수 있다. The connecting tube may include a plurality of first connecting tubes connected to the nozzle body in a one-to-one correspondence, and a second connecting tube connecting the plurality of first connecting tubes and the vacuum pump. The first connecting pipe and the second connecting pipe may be provided with a first valve and a second valve that can be opened and closed, respectively.

상기 분출부의 압력을 측정하는 압력센서가 더 구비될 수 있다. A pressure sensor for measuring the pressure of the blower may be further provided.

상기 증착원과 상기 분출부를 연결하기 위한 제3연결관이 더 구비될 수 있다. A third connector for connecting the deposition source and the ejection portion may be further provided.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 방법은, 증착 증기를 생성하는 증착원과, 상기 증착 증기를 기판에 장착된 증착챔버 내로 분출시키는 분출부 및, 상기 분출부에 적정 압력을 작용시켜서 상기 증착챔버 내로 상기 증착 증기가 분출되거나 멈추도록 조절하는 통제부를 각각 준비하는 단계; 증착 대기 모드 시, 상기 통제부를 가동하여 상기 증착챔버로 증착 증기가 분출되지 않도록 상기 분출부에 제1압력을 작용시키는 단계; 및, 증착 진행 모드 시, 상기 통제부를 가동하여 상기 증착챔버로 증착 증기가 분출되도록 상기 분출부에 제2압력을 작용시키는 단계;를 포함한다. In addition, the thin film deposition method according to an embodiment of the present invention, the deposition source for generating deposition vapor, the ejection portion for ejecting the deposition vapor into the deposition chamber mounted on the substrate, and by applying an appropriate pressure to the ejection portion Preparing a control unit for adjusting the deposition vapor to be ejected or stopped into the deposition chamber, respectively; In the deposition standby mode, operating the control unit to apply a first pressure to the ejection unit such that the deposition vapor is not ejected to the deposition chamber; And in the deposition progress mode, operating the control unit to apply a second pressure to the ejecting unit to eject the vapor deposition into the deposition chamber.

상기 분출부는 상기 증착원과 연결된 본체 및, 상기 본체에 마련된 다수의 노즐을 포함할 수 있으며, 상기 증착 증기를 상기 다수의 노즐을 통해 상기 기판을 향해 분출시킬 수 있다. The ejection unit may include a main body connected to the deposition source and a plurality of nozzles provided in the main body, and eject the deposition vapor toward the substrate through the plurality of nozzles.

상기 통제부는 상기 분출부와 연결된 연결관 및 상기 연결관과 연결된 진공펌프를 포함할 수 있으며, 상기 진공펌프를 가동하여 상기 연결관으로 연결된 상기 분출부에 압력을 작용시킬 수 있다.The control unit may include a connecting pipe connected to the jetting unit and a vacuum pump connected to the connecting pipe, and may operate the vacuum pump to apply pressure to the jetting unit connected to the connecting pipe.

상기 연결관은 상기 분출부 본체에 상기 노즐과 일대일 대응하게 연결된 다수의 제1연결관과, 상기 다수의 제1연결관들과 상기 진공펌프 사이를 연결하는 제2연결관을 포함할 수 있고, 상기 제1연결관 및 제2연결관에는 각각 개폐 가능한 제1밸브와 제2밸브가 설치될 수 있으며, 상기 증착 대기 모드 시에는 상기 제1밸브를 닫고 상기 제2밸브는 열 수 있고, 상기 증착 진행 모드 시에는 상기 제1밸브를 열고 상기 제2밸브는 닫을 수 있다.The connecting tube may include a plurality of first connecting tubes connected to the nozzle body in a one-to-one correspondence, and a second connecting tube connecting between the plurality of first connecting tubes and the vacuum pump. The first connection pipe and the second connection pipe may be provided with a first valve and a second valve which can be opened and closed, respectively, in the deposition standby mode, the first valve may be closed and the second valve may be opened, and the deposition may be performed. In the progress mode, the first valve may be opened and the second valve may be closed.

상기 분출부의 압력을 측정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
The method may further include measuring the pressure of the ejection unit.

상기와 같은 본 발명에 따른 박막 증착 장치와 박막 증착 방법에 의하면 증착챔버 내에서 증착원의 증기 분출을 정확하고 효율적으로 통제할 수 있게 되므로, 이를 채용할 경우 생산 효율이 향상되고 제품의 품질도 안정화되는 효과를 기대할 수 있다. According to the thin film deposition apparatus and the thin film deposition method according to the present invention as described above it is possible to accurately and efficiently control the vapor ejection of the evaporation source in the deposition chamber, if adopted, the production efficiency is improved and the quality of the product is also stabilized You can expect the effect.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 박막 증착 장치의 증착원과 분출부 및 통제부 구조를 도시한 도면이다.
도 3a는 도 2의 증착 진행 모드를 묘사한 도면이다.
도 3b는 도 2의 증착 대기 모드를 묘사한 도면이다.1 is a view schematically showing the structure of a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a structure of a deposition source, a blower, and a controller of the thin film deposition apparatus illustrated in FIG. 1.
3A is a diagram depicting the deposition progress mode of FIG. 2.
FIG. 3B is a diagram depicting the deposition standby mode of FIG. 2.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 및 도 2를 참조하면서 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치를 설명한다. First, a thin film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 박막 증착 장치는 박막(미도시)이 형성될 기판(200) 및 그 기판(30)을 향해 증착 증기를 분출해주는 증기분출유닛(100)이 각각 설치되는 증착챔버(300)를 구비하고 있다. 즉, 진공이 유지되는 챔버(300) 내에 기판(200)을 설치하고 증기분출유닛(100)을 가동하여 원하는 패턴의 박막을 기판(200) 상에 형성하는 것이다. As shown in FIG. 1, the thin film deposition apparatus according to the present exemplary embodiment is provided with a substrate 200 on which a thin film (not shown) and a vapor blowing unit 100 for ejecting vapor deposition toward the substrate 30 are respectively installed. The deposition chamber 300 is provided. That is, the substrate 200 is installed in the chamber 300 where the vacuum is maintained, and the vapor ejection unit 100 is operated to form a thin film having a desired pattern on the substrate 200.

도 2는 이 증기분출유닛(100)의 세부 구조를 보인 것으로, 기판(200)을 향한 증착 증기의 분출을 효과적으로 통제할 수 있도록 다음과 같이 구성되어 있다. 2 shows a detailed structure of the vapor ejection unit 100, and is configured as follows to effectively control the ejection of the vapor deposition vapor toward the substrate 200.

우선, 증착 증기를 생성하는 증착원(160)와, 이 증착원(160)에서 생성된 증착 증기를 기판(200)을 향해 증착챔버(300) 안으로 분출시키는 분출부 및, 증착 증기의 분출이 필요한 시점에만 이루어질 수 있도록 통제하는 통제부가 각각 구비되어 있다. First, an evaporation source 160 for generating vapor deposition, an evaporation unit for ejecting evaporation vapor generated from the evaporation source 160 into the deposition chamber 300 toward the substrate 200, and ejection of the vapor deposition is necessary. There is a control unit that controls only the point of time.

상기 분출부는 다수의 노즐(111)을 구비하여 상기 증착원(160)과 연결된 본체(110)를 포함한다. 따라서, 상기 증착원(160)에서 증착 증기가 공급되면, 그 증착 증기가 상기 본체(110)로 유입된 후 다수의 노즐(111)을 통해 증착챔버(300) 내로 분출된다. The jet part includes a main body 110 having a plurality of nozzles 111 and connected to the deposition source 160. Therefore, when deposition vapor is supplied from the deposition source 160, the deposition vapor is introduced into the main body 110 and then ejected into the deposition chamber 300 through the plurality of nozzles 111.

그리고, 상기 통제부는 상기 본체(110)와 연결된 제1연결관(121) 및 그 제1연결관(121)에 이어진 제2연결관(122), 그리고 제2연결관(122)에 연결된 진공펌프(130) 등을 구비하고 있으며, 상기 제1,2연결관(121)(122)에는 각각 개폐용 제1밸브(151)와 제2밸브(152)가 설치되어 있다. The control unit includes a first connecting pipe 121 connected to the main body 110, a second connecting pipe 122 connected to the first connecting pipe 121, and a vacuum pump connected to the second connecting pipe 122. 130 and the like, and the first and second connection pipes 121 and 122 are provided with opening and closing first valves 151 and second valves 152, respectively.

상기 제1연결관(121)은 상기 다수의 노즐(111)과 일대일로 대응하도록 동일한 개수가 배치되어 있어서, 각 노즐(111)에 상기 진공펌프(130)에 의한 압력이 균일하게 작용되도록 해준다. The first connecting pipe 121 is arranged in the same number to correspond one-to-one with the plurality of nozzles 111, so that the pressure by the vacuum pump 130 is uniformly applied to each nozzle (111).

또한, 상기 제2연결관(122)은 상기 진공펌프(130)와 제1연결관(121) 사이를 이어주며, 상기 진공펌프(130)는 이들 제1,2연결관(121)(122)을 통해 상기 분출부(110,111)에 적정한 압력을 작용시킨다. In addition, the second connecting pipe 122 is connected between the vacuum pump 130 and the first connecting pipe 121, the vacuum pump 130 is the first, second connecting pipes 121, 122 Proper pressure is applied to the ejection parts 110 and 111 through.

참조부호 123은 증착원(160)과 분출부를 연결해주기 위한 제3연결관을 나타낸다. Reference numeral 123 denotes a third connector for connecting the deposition source 160 and the ejection portion.

그리고, 참조부호 140은 상기 분출부 본체(110) 내부의 압력을 측정하는 압력센서를 나타내며 예컨대 바라트론 게이지(Baratron gauge)가 사용될 수 있다.In addition, reference numeral 140 denotes a pressure sensor for measuring the pressure inside the blower main body 110, and for example, a baratron gauge may be used.

또, 상기 제1,2밸브(151)(152)로는 일반적인 온/오프 밸브가 사용될 수 있으며, 예컨대 진자밸브(pendulum valve)가 사용될 수 있다. In addition, a general on / off valve may be used as the first and second valves 151 and 152. For example, a pendulum valve may be used.

그리고, 상기 진공펌프(130)는 터보분자펌프(turbo molecular pump)가 사용될 수 있으며, 참조부호 170은 이러한 진공펌프(130)와 제1,2,3밸브(151)(152)(153) 등의 조작을 제어하는 컨트롤러를 나타낸다. In addition, a turbo molecular pump may be used as the vacuum pump 130, and reference numeral 170 denotes the vacuum pump 130 and the first, second, and third valves 151, 152, 153, and the like. Indicates a controller that controls the operation of.

이와 같은 구성의 증기분출유닛(100)을 구비한 박막 증착 장치는 다음과 같이 운용될 수 있다. The thin film deposition apparatus having the vapor ejection unit 100 having such a configuration may be operated as follows.

일단, 증착을 진행할 기판(200)을 증착챔버(300) 내에 장착한 후 증착챔버(300) 안을 진공 분위기로 만든다. First, the substrate 200 to be deposited is mounted in the deposition chamber 300 and the inside of the deposition chamber 300 is made into a vacuum atmosphere.

증착챔버(300) 내의 진공 분위기 준비가 완료되면, 곧 이어서 도 3a에 도시된 바와 같이 상기 증기분출유닛(100)을 가동하여 증착을 진행한다. When the vacuum atmosphere preparation in the deposition chamber 300 is completed, as soon as the vapor ejection unit 100 is operated as shown in FIG. 3A, deposition is performed.

이때에는 컨트롤러(170)가 상기 제1밸브(151)를 오픈시켜서, 상기 증착원(160)에서 생성된 증착 증기가 제3연결부(123)와 제1연결부(121)를 통해 분출부의 본체(110)로 원활하게 유입되도록 한다. 대신 제2밸브(152)는 닫아둔다. At this time, the controller 170 opens the first valve 151, and the vapor deposition vapor generated from the deposition source 160 passes through the third connection part 123 and the first connection part 121. To flow smoothly. Instead, the second valve 152 is closed.

이렇게 되면, 상기 본체(110)로 유입된 증착 증기가 다수의 노즐(111)을 통해 진공을 유지하고 있는 증착챔버(300) 내로 원활하게 분출된다. 즉, 이때에는 상기 진공펌프(130)의 흡입력이 본체(110)에 작용하지 않는 상황이므로, 본체(110) 내의 압력보다 증착챔버(300) 내의 압력이 더 낮아서 증착 증기가 증착챔버(300) 쪽으로 순조롭게 분출된다. 다시 말해서, 분출부의 본체(110)에 상기 증착챔버(300) 보다 상대적으로 높은 압력이 작용되게 함으로써 압력차에 의해 증착 증기가 기판(200) 쪽으로 원활하게 분출되도록 하는 것이다. 이때, 상기 본체(110) 내의 압력은 압력센서(140)로 모니터링한다.In this case, the deposition vapor introduced into the main body 110 is smoothly ejected into the deposition chamber 300 maintaining the vacuum through the plurality of nozzles 111. That is, at this time, since the suction force of the vacuum pump 130 does not act on the main body 110, the pressure in the deposition chamber 300 is lower than the pressure in the main body 110, so that the vapor deposition vapor is directed toward the deposition chamber 300. Erupts smoothly. In other words, by applying a pressure relatively higher than that of the deposition chamber 300 to the main body 110 of the ejection portion, the vapor deposition vapor is smoothly ejected toward the substrate 200 by the pressure difference. At this time, the pressure in the main body 110 is monitored by the pressure sensor 140.

한편, 박막의 증착이 완료되어 작업 모드를 증착 대기 모드로 전환하게 되면, 이번에는 컨트롤러(170)가 제2밸브(152)를 개방하여 진공펌프(130)의 흡입력이 분출부 본체(110)에 작용되게 한다. 그러면, 증착원(160)에서 생성된 증착 증기가 분출부 본체(110) 쪽으로 가지 못하고 제2밸브(152)를 통과해 진공펌프(130) 쪽으로 빨려오게 되며, 본체(110) 안에 일부 남아있던 증착 증기도 진공펌프(130) 쪽으로 빨려나가게 된다. 즉, 진공펌프(130)의 흡입력을 분출부에 작용시켜서 내부 압력이 증착챔버(300) 보다 더 낮아지게 함으로써, 증착 증기가 불필요한 시기에도 기판(200) 쪽으로 분출되지 않게 막아주는 것이다. Meanwhile, when the deposition of the thin film is completed and the operation mode is switched to the deposition standby mode, this time, the controller 170 opens the second valve 152 so that the suction force of the vacuum pump 130 is applied to the ejection part main body 110. To work. Then, the vapor deposition vapor generated in the deposition source 160 does not go to the ejection part main body 110 but is sucked through the second valve 152 toward the vacuum pump 130, and the deposition remaining partially in the main body 110. Vapor is also sucked toward the vacuum pump 130. That is, the suction pressure of the vacuum pump 130 acts on the ejecting portion to lower the internal pressure than the deposition chamber 300, thereby preventing the vapor deposition from being ejected toward the substrate 200 even when the vapor deposition is unnecessary.

그리고, 압력센서(140)로 분출부 본체(110)의 압력이 충분히 떨어진 것이 확인되면 상기 제1밸브(151)를 닫아서 증착원(123)의 증착 증기가 아예 분출부 쪽으로 가지 못하게 차단한다. 즉, 모드 전환 초기에는 본체(110) 안에 남아있는 증착증기를 빨아내야 하므로 제1밸브(151)를 잠시 열어두었다가, 본체(110) 내부 압력이 충분히 떨어져서 잔류 증기가 거의 없어진 것으로 감지되면 제1밸브(151)를 닫아서 분출부로의 유출을 완전히 차단시키는 것이다. When the pressure sensor 140 confirms that the pressure of the ejector main body 110 is sufficiently low, the first valve 151 is closed to block the vapor deposition vapor from the deposition source 123 toward the ejector. That is, since the vapor deposition vapor remaining in the main body 110 must be sucked at the beginning of the mode change, the first valve 151 is opened for a while, and when the internal pressure of the main body 110 is sufficiently dropped, it is detected that the residual steam is almost disappeared. 151 is closed to completely block the outflow to the spout.

이렇게 하면 증착 진행 모드에서는 증착 증기가 원활하게 분출되면서 증착이 순조롭게 진행될 수 있고, 증착 대기 모드에서 원하지 않는 증착이 일어나지 않게 증착 증기의 누출을 견고히 막을 수 있게 된다. 그러니까, 증착 대기 모드에서는 분출부에 증착챔버(300)의 내압보다 낮은 제1압력을 작용시켜서 증착 증기의 누출을 억제하고, 증착 진행 모드에서는 분출부에 증착챔버(300)의 내압보다 높은 제2압력을 작용시켜서 증착 증기의 분출이 원활하게 이루어지도록 하는 것이다.In this case, the deposition vapor flows smoothly in the deposition progress mode, and the deposition proceeds smoothly. In the deposition standby mode, the vapor deposition can be firmly prevented so that unwanted vapor deposition does not occur. Therefore, in the deposition standby mode, the first pressure lower than the internal pressure of the deposition chamber 300 is applied to the ejection portion to suppress the leakage of deposition vapor, and in the deposition progress mode, the second higher than the internal pressure of the deposition chamber 300 on the ejection portion. Pressure is applied to facilitate the ejection of the vapor deposition.

따라서, 증착 증기의 분출과 차단을 정확하게 수행할 수 있게 되므로, 증착 작업이 매우 효율적으로 이루어지게 된다. Therefore, since the ejection and blocking of the vapor deposition can be performed accurately, the deposition operation is made very efficiently.

결론적으로, 이상에서 설명한 바와 같은 박막 증착 장치를 이용하면, 증착챔버 내에서 증착원의 증기 분출을 정확하고 효율적으로 통제할 수 있게 되므로, 이를 채용할 경우 생산 효율이 향상되고 제품의 품질도 안정화되는 효과를 기대할 수 있다. In conclusion, using the thin film deposition apparatus as described above, it is possible to accurately and efficiently control the vapor ejection of the vapor deposition source in the deposition chamber, the adoption of this improves the production efficiency and product quality is also stabilized You can expect the effect.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, this is merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

100:증기분출유닛 110:분출부 본체
111:노즐 121,122,123:제1,2,3연결관
130:진공펌프 140:압력센서
151,152:제1,2밸브 60:증착원
170:컨트롤러 200:기판
300:증착챔버100: steam jet unit 110: jet part main body
111: Nozzles 121, 122, 123: 1st, 2nd, 3rd connectors
130: vacuum pump 140: pressure sensor
151,152: 1st, 2nd valve 60: Deposition source
170: controller 200: substrate
300: deposition chamber

Claims (11)

기판이 장착되는 증착챔버와,
상기 기판에 증착될 증착 증기를 생성하는 증착원과,
상기 증착 증기를 상기 증착챔버 내로 분출시키는 분출부 및,
상기 분출부에 연결된 제1연결관과, 상기 제1연결관을 통해 상기 분출부에 압력을 작용시키는 진공펌프와, 상기 제1연결관과 상기 진공펌프 사이를 연결하는 제2연결관 및, 상기 제1연결관과 상기 제2연결관을 각각 개폐시키는 제1밸브와 제2밸브를 포함하여, 상기 분출부에 적정 압력을 작용시켜서 상기 증착챔버 내로 상기 증착 증기가 분출되게 하는 증착 진행 모드나 멈추도록 하는 증착 대기 모드 중 한 모드로 조절하는 통제부를 구비하며,
상기 통제부는 상기 증착 진행 모드에서 상기 진공펌프의 흡입력이 상기 분출부에 작용하지 않도록 상기 제1밸브를 열고 상기 제2밸브는 닫으며, 상기 증착 대기 모드로 전환 시에는, 상기 제2밸브를 열어서 상기 진공펌프의 흡입력에 의해 상기 분출부의 내부 압력이 상기 증착챔버 보다 낮아지게 함으로써 상기 증착 증기가 상기 증착챔버 내로 분출되지 않게 하는 박막 증착 장치. A deposition chamber on which the substrate is mounted;
A deposition source for generating deposition vapor to be deposited on the substrate;
A blowing unit for ejecting the deposition vapor into the deposition chamber;
A first connecting tube connected to the ejecting unit, a vacuum pump for applying pressure to the ejecting unit through the first connecting tube, a second connecting tube connecting the first connecting tube and the vacuum pump, and A first valve and a second valve configured to open and close the first connector and the second connector, respectively, and a deposition progress mode or stop for applying the appropriate pressure to the ejection unit to eject the vapor deposition vapor into the deposition chamber; It has a control to adjust to one of the deposition standby mode to
The control unit opens the first valve and closes the second valve so that the suction force of the vacuum pump does not act on the ejection portion in the deposition progress mode, and when switching to the deposition standby mode, by opening the second valve And a deposition pressure of the ejection part is lower than that of the deposition chamber by the suction force of the vacuum pump so that the deposition vapor is not ejected into the deposition chamber. 제 1 항에 있어서,
상기 분출부는 상기 증착원과 연결된 본체 및, 상기 기판을 향해 상기 증착 증기를 분출하도록 상기 본체에 마련된 다수의 노즐을 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The ejection unit includes a main body connected to the deposition source, and a plurality of nozzles provided in the main body to eject the deposition vapor toward the substrate. 삭제delete 제 2 항에 있어서,
상기 제1연결관은 상기 분출부 본체에 상기 다수의 노즐과 일대일 대응하게 연결된 다수개를 포함하는 박막 증착 장치.The method of claim 2,
The first connection pipe includes a plurality of thin film deposition apparatus comprising a plurality of nozzles connected in one-to-one correspondence with the nozzle body. 제 1 항에 있어서,
상기 분출부의 압력을 측정하는 압력센서가 더 구비된 박막 증착 장치. The method of claim 1,
Thin film deposition apparatus further comprises a pressure sensor for measuring the pressure of the ejection portion. 제 1 항에 있어서,
상기 증착원과 상기 분출부를 연결하기 위한 제3연결관이 더 구비된 박막 증착 장치.The method of claim 1,
The thin film deposition apparatus further comprises a third connector for connecting the deposition source and the blower. 증착 증기를 생성하는 증착원과, 상기 증착 증기를 기판에 장착된 증착챔버 내로 분출시키는 분출부 및, 상기 분출부에 연결된 제1연결관과, 상기 제1연결관을 통해 상기 분출부에 압력을 작용시키는 진공펌프와, 상기 제1연결관과 상기 진공펌프 사이를 연결하는 제2연결관 및, 상기 제1연결관과 상기 제2연결관을 각각 개폐시키는 제1밸브와 제2밸브를 포함하여 상기 분출부에 적정 압력을 작용시켜서 상기 증착챔버 내로 상기 증착 증기가 분출되거나 멈추도록 조절하는 통제부를 각각 준비하는 단계;
증착 대기 모드 시, 상기 통제부를 가동하여 상기 증착챔버로 증착 증기가 분출되지 않도록 상기 분출부에 제1압력을 작용시키는 단계; 및,
증착 진행 모드 시, 상기 통제부를 가동하여 상기 증착챔버로 증착 증기가 분출되도록 상기 분출부에 제2압력을 작용시키는 단계;를 포함하며,
상기 증착 진행 모드에서는 상기 진공펌프의 흡입력이 상기 분출부에 작용하지 않도록 상기 제1밸브를 열고 상기 제2밸브는 닫으며,
상기 증착 대기 모드로 전환 시에는 상기 제2밸브를 열어서 상기 진공펌프의 흡입력에 의해 상기 분출부의 내부 압력이 상기 증착챔버 보다 낮아지게 함으로써 상기 증착 증기가 상기 증착챔버 내로 분출되지 않게 하는 박막 증착 방법.A deposition source for generating vapor deposition, a jet unit for ejecting the vapor deposition vapor into a deposition chamber mounted on a substrate, a first connector connected to the jet unit, and a pressure in the jet unit through the first connector It includes a vacuum pump to operate, a second connecting pipe for connecting between the first connecting pipe and the vacuum pump, and a first valve and a second valve for opening and closing the first connecting pipe and the second connecting pipe respectively; Preparing a control unit for controlling the ejection vapor to be ejected or stopped into the deposition chamber by applying an appropriate pressure to the ejection chamber;
In the deposition standby mode, operating the control unit to apply a first pressure to the ejection unit such that the deposition vapor is not ejected to the deposition chamber; And,
In the deposition progress mode, operating the control unit and applying a second pressure to the ejection unit to eject the vapor deposition into the deposition chamber;
In the deposition progress mode, the first valve is opened and the second valve is closed so that suction force of the vacuum pump does not act on the ejection part.
When the deposition standby mode is switched to the thin film deposition method by opening the second valve so that the internal pressure of the ejection portion lower than the deposition chamber by the suction force of the vacuum pump so that the deposition vapor is not ejected into the deposition chamber. 제 7 항에 있어서,
상기 분출부는 상기 증착원과 연결된 본체 및, 상기 본체에 마련된 다수의 노즐을 포함하며, 상기 증착 증기를 상기 다수의 노즐을 통해 상기 기판을 향해 분출시키는 박막 증착 방법.The method of claim 7, wherein
And the ejection unit includes a main body connected to the deposition source and a plurality of nozzles provided in the main body, and ejects the deposition vapor toward the substrate through the plurality of nozzles. 삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 제1연결관은 상기 분출부 본체에 상기 다수의 노즐과 일대일 대응하게 연결된 다수개를 포함하는 박막 증착 방법.The method of claim 8,
The first connection tube comprises a plurality of thin film deposition method comprising a plurality of nozzles in one-to-one correspondence with the nozzle body. 제 7 항에 있어서,
상기 분출부의 압력을 측정하는 단계를 더 포함하는 박막 증착 방법. The method of claim 7, wherein
The method of claim 1, further comprising measuring the pressure of the ejection portion.
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