KR102065869B1 - 백라이트 모듈 - Google Patents

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우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드
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Abstract

본 발명에서 제공한 백라이트 모듈은, 청색 광원(20)을 이용하여 적색, 녹색 양자점 박막(31, 41)을 여기시켜 적색, 녹색 형광을 얻는다. 또한, 녹색 양자점 박막(41) 양측에 두 개의 금속선 격자(50)를 설치하여, 파브리-페로 공동을 구성한다. 상기 파브리-페로 공동은 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색 광에 대하여 특정파장을 선택하고, 상기 특정파장의 녹색 광의 휘도를 증가하여, 녹색 광의 색 순도와 휘도를 증가한다. 이에 따라 백라이트 모듈의 색역 표현을 증가시키고, 동시에 녹색 광 양자점 박막(41)의 발광효율을 향상시킴으로써, 양자점 박막 형광 효율이 상대적으로 낮은 문제를 현저하게 개선한다. 또한, 금속선 격자(50)는 백라이트 모듈의 반사층(70)과 휘도 증가 구조를 형성하므로, 휘도 증가구조를 위한 설치를 절약하게 되어 백라이트 모듈의 두께를 줄일 수 있다.

Description

백라이트 모듈
본 발명은 디스플레이 기술분야에 관한 것이며, 특히 백라이트 모듈에 관한 것이다.
디스플레이 기술의 발전에 따라 액정 디스플레이어（Liquid Crystal Display, LCD）등의 평면 디스플레이 장치는 고화질, 저소비전력, 박형 몸체 및 광범위한 사용 등의 장점에 의해, 휴대폰, TV, PDA, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 데스크톱 컴퓨터 등 다양한 소비성 전자제품에 광범위하게 사용되어, 디스플레이 장치의 주류가 되고 있다.
현재 시중의 액정 디스플레이 장치는 대부분이 백라이트형 액정 디스플레이 장치이다. 이는 액정 디스플레이 패널 및 백라이트 모듈(Backlight Module)을 포함한다. 액정 디스플레이 패널의 작동원리는 두 개의 평행 유리 기판 사이에 액정분자를 배치하되, 그 두 개의 유리 기판 사이에 다수의 수직 및 수평 미세 와이어가 있으며, 전류 도통 여부에 의해 액정분자의 방향전환을 제어하여, 백라이트 모듈의 광선을 굴절시켜 화면을 생성한다.
고색역 패널은 자연계보다 더 많은 컬러를 표현할 수 있기 때문에 컬러 포화도와 컬러 재현성을 높일 수 있다. 현재 패널 업체들은 소비자의 컬러 재현에 대한 수요를 충족시키자 패널 색역 값의 향상을 끊임없이 추구하고 있다. 또한, 유기발광 다이오드(OLED, Organic Light-Emitting Diode)기술 고유의 고색역 특성은 종래의 액정 디스플레이 패널에 있어서 큰 도전이다. 색역 증진 방식은 백라이트 소스 피크의 위치의 조절, 형광분 사용, 양자점 (Quantum Dot, QD) 백라이트의 사용 및 컬러 필터(CF)의 통과 대역 위치 및 반치폭 조절 등이 포함된다.
도 1은 불화물 형광분과 양자점의 발광 스펙트럼을 비교하는 것을 도시하는 개략도이다. 현재로서, 작은 사이즈 디스플레이어에서 응용전망이 있는 것은 청색 광 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)을 이용하여 적색 광, 녹색 광 양자점 박막(QD film)을 여기시키는 것이다. 여기서 양자점의 발광폭은 약 30nm이고, 좁은 선폭은 백라이트의 색 순도를 보증하였으며, 이는 색역의 증진에 있어서 매우 중요하다. 도 1에서 도시된 바와 같이, 불화문 형광분은 적색 스펙트럼에서 분리된 멀티 피크 신호로 나타냈으며, 선폭은 약 20nm밖에 안 되며, 종래의 적색 양자점에 비해 장점이 더욱 현저하였으나, 녹색 광 스펙트럼에서 넓은 스펙트럼 분포 특징을 나타냈다. 도 2는 3종류의 색역 기준이 색 좌표 체계 중의 분포되는 것을 도시하는 개략도이다. 도 2을 통해 DCI P3, Adobe RGB, 및 sRGB인 3종류의 색역 기준은 적(R), 청(B)색점의 색좌표에서 전반적으로 차이가 작으며, 녹색(G)점의 색좌표에서 차이가 크게 나타냄을 알 수 있다. 따라서, 백라이트 녹색점의 색 순도를 높이는 것이 색역을 높이는 간단하고 효율적인 방식인 것을 알 수 있다.
본 발명의 목적은, 녹색 광의 색 순도 및 휘도를 높이어, 백라이트 모듈의 색역 표현을 향상시키는 백라이트 모듈을 제공하고자 하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
도광판, 상기 도광판 일 측에 설치된 청색 광원, 및 상기 도광판 위쪽 출광 측에 설치하되 적층으로 설치된 적색 광 전환층과 녹색 광 전환층을 포함하되, 여기서, 상기 적색 광 전환층과 녹색 광 전환층의 상하위치는 제한되지 않으며;
상기 적색 광 전환층은 적색 양자점 박막을 포함하며;
상기 녹색 광 전환층은 녹색 양자점 박막, 및 상기 녹색 양자점 박막 양측에 각각 설치된 두 개의 금속선 격자를 포함하며;
상기 금속선 격자는 유전층 및 유전층 상에 설치하되 순차적으로 배열된 복수의 금속선 격자유닛을 포함하고, 상기 금속선 격자유닛은 금속 스트립 및 상기 금속 스트립 일 측에 설치된 스트립형 공간을 포함하며;
상기 녹색 양자점 박막 양측에 설치된 두 개의 금속선 격자의 금속선 격자유닛은 동일한 방향으로 배열되어 있으며;
상기 녹색 양자점 박막 양측의 두 개의 금속선 격자 사이의 이격 거리는 특정한 녹색 광의 파장의 정수배이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 상기 녹색 양자점 박막에서 방사된 녹색 광의 파장 중의 어느 하나의 파장인 백라이트 모듈을 제공한다.
상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장은 500-600nm이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 500-600nm 사이의 어느 하나의 파장이다.
상기 금속선 격자는 유전층이 설치된 일 측 또는 복수의 금속선 격자유닛이 설치된 일 측으로 향하여 상기 녹색 양자점 박막을 설치한다.
상기 금속선 격자유닛에서, 상기 금속 스트립과 스트립형 공간은 모두 직선 모양이며 서로 평행한다.
P형태를 금속선 격자유닛의 배열방향과 수직된 편광방향으로 정의하고, S형태를 금속선 격자유닛의 배열방향과 수평된 편광방향으로 정의하며, 상기 금속선 격자는 S형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광 파장에만 반사특성을 구비하고, P형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광 파장에만 투과특성을 구비한다.
상기 금속 스트립의 재료는 알루미늄, 은, 및 금 중의 1종 또는 다종을 포함한다.
상기 유전층은 아래에서부터 위로 순차적으로 적층하여 설치된 제1 유전층, 제2 유전층, 및 제3 유전층을 포함하며, 여기서, 상기 제2 유전층의 굴절률은 상기 제1 유전층과 제3 유전층의 굴절률보다 높다.
상기 제1 유전층과 제3 유전층의 재료는 모두 이산화규소(Silicon Dioxide), 산화규소(Silicon Oxide), 및 산화마그네슘(Magnesium Oxide) 중의 1종 또는 다종을 포함하며, 상기 제2 유전층의 재료는 진화규소(Silicon Nitride), 이산화티탄(Titanium Dioxide), 및 오산화 탄탈럼(Tantalum Pentoxide) 중의 1종 또는 다종을 포함한다.
상기 금속선 격자유닛의 너비는 200-500nm이고, 여기서, 상기 금속 스트립의 너비는 상기 금속선 격자유닛의 너비의 0.4-0.9 비율을 차지하고, 상기 금속 스트립의 높이는 20-200nm이다.
상기 백라이트 모듈은 상기 도광판 아래 쪽에 설치된 반사층을 더 포함한다.
또한, 본 발명은 도광판, 상기 도광판 일 측에 설치된 청색 광원, 및 상기 도광판 위쪽 출광 측에 설치하되 적층으로 설치된 적색 광 전환층과 녹색 광 전환층을 포함하며;
상기 적색 광 전환층은 적색 양자점 박막을 포함하며;
상기 녹색 광 전환층은 녹색 양자점 박막, 및 상기 녹색 양자점 박막 양측에 각각 설치된 두 개의 금속선 격자를 포함하며;
상기 금속선 격자는 유전층 및 유전층 상에 설치하되 순차적으로 배열된 복수의 금속선 격자유닛을 포함하고, 상기 금속선 격자유닛은 금속 스트립 및 상기 금속 스트립 일 측에 설치된 스트립형 공간을 포함하며;
상기 녹색 양자점 박막 양측에 설치된 두 개의 금속선 격자의 금속선 격자유닛은 동일한 방향으로 배열되어 있으며;
상기 녹색 양자점 박막 양측의 두 개의 금속선 격자 사이의 이격 거리는 특정한 녹색 광의 파장의 정수배이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 상기 녹색 양자점 박막에서 방사된 녹색 광의 파장 중의 어느 하나의 파장이며;
여기서, 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장은 500-600nm이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 500-600nm 사이의 어느 하나의 파장이며;
여기서, 상기 금속선 격자는 유전층이 설치된 일 측 또는 복수의 금속선 격자유닛이 설치된 일 측으로 향하여 상기 녹색 양자점 박막을 설치하며;
여기서, 상기 금속선 격자유닛에서, 상기 금속 스트립과 스트립형 공간은 모두 직선 모양이며 서로 평행한다.
상기 내용을 종합하면, 본 발명에서 제공한 백라이트 모듈은, 청색 광원)를 이용하여 적색, 녹색 양자점 박막을 여기시켜 적색, 녹색 형광을 얻는다. 또한 녹색 양자점 박막 양측에 두 개의 금속선 격자를 설치하여, 파브리-페로 공동을 구성한다. 상기 파브리-페로 공동은 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광에 대하여 특정파장을 선택하고, 상기 특정파장의 녹색 광의 휘도를 증가하여, 녹색 광의 색 순도와 휘도를 증가한다. 이에 따라 백라이트 모듈의 색역 표현을 증가시키고, 동시에 녹색 광 양자점 박막의 발광효율을 증가함으로써, 양자점 박막 형광 효율이 상대적으로 낮은 문제를 현저하게 개선한다. 또한 금속선 격자는 백라이트 모듈의 반사층과 휘도 증가 구조를 형성하므로, 휘도 증가구조를 위한 설치를 절약하게 되어 백라이트 모듈의 두께를 줄일 수 있다.
본 발명의 특징 및 기술 내용을 진일보로 이해하기 위하여, 본 발명과 관련된 상세설명과 첨부도면을 참조하길 바란다. 그러나 첨부 도면은 참고용과 설명용으로만 사용될 것이며 본 발명에 대하여 제한하는 것으로 사용되지는 않는다.
이하, 첨부 도면을 결합하여 본 발명의 구체적인 실시방식에 대하여 상세하게 설명하며, 이를 통해 본 발명의 기술방안 및 기타 유익한 효과는 명백하게 된다.
첨부 도면에서,
도 1은 불화물 형광분과 양자점의 발광 스펙트럼을 비교하는 것을 도시하는 개략도이다.
도 2는 3종류의 색역 기준이 색 좌표체계 중에서 분포되는 것을 도시하는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 백라이트 모듈의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 백라이트 모듈 중의 금속선 격자의 구조를 도시하는 개략도이다.
도 5a는 본 발명의 백라이트 모듈 중의 금속선 격자가 P형태에 대한 광 반사율과 투과율을 도시하는 개략도이다.
도 5b는 본 발명의 백라이트 모듈 중의 금속선 격자가 S형태에 대한 광반사율과 투과율을 도시하는 개략도이다.
도 6a는 본 발명의 백라이트 모듈과 종래의 양자점 백라이트 모듈의 발광 스펙트럼을 비교하는 것을 도시하는 개략도이다.
도 6b는 본 발명의 백라이트 모듈과 종래의 양자점 백라이트 모듈의 색역을 비교하는 것을 도시하는 개략도이다.
이하, 본 발명에서 사용된 기술수단 및 그 효과에 대하여 진일보로 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예 및 그의 첨부 도면을 결합하여 상세히 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명은 백라이트 모듈을 제공하였으며, 이는 도광판(10), 상기 도광판(10) 일 측에 설치된 청색 광원(20), 및 상기 도광판(10) 위쪽 설치하되 적층으로 설치된 적색 광 전환층(30)과 녹색 광 전환층(40)을 포함하며, 여기서, 상기 적색 광 전환층(30)과 녹색 광 전환층(40)의 상하위치는 제한되지 않는다.
상기 적색 광 전환층(30)은 적색 양자점 박막(31)을 포함한다;
상기 녹색 광 전환층(40)은 녹색 양자점 박막(41), 및 상기 녹색 양자점 박막(41) 양측에 각각 설치된 두 개의 금속선 격자(50)을 포함한다;
상기 금속선 격자(50)는 유전층(90) 및 유전층(90) 상에 설치하되 순차적으로 배열된 복수의 금속선 격자유닛(60)을 포함하고, 상기 금속선 격자유닛(60)은 금속 스트립(61) 및 상기 금속 스트립(61) 일 측에 설치된 스트립형 공간(62)을 포함한다; 상기 녹색 양자점 박막(41) 양측에 설치된 두 개의 금속선 격자(50)의 금속선 격자유닛(60)은 동일한 방향으로 배열된다;
상기 녹색 양자점 박막(41) 양측의 두 개의 금속선 격자(50) 사이의 이격 거리는 특정한 녹색 광의 파장의 정수배이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 상기 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색 광의 파장 중의 어느 하나의 파장이다.
구체적으로, 상기 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색 광의 파장은 500-600nm이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 500-600nm 사이의 어느 하나의 파장이다.
구체적으로, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 백라이트 모듈의 색역 수요에 의해 선정된다.
구체적으로, 상기 청색 광원(20)에서 발사된 상기 도광판(10)을 통해 출력된 청색 광은 적색 광 전환층(30), 및 녹색 광 전환층(40)에서 각각 발사된 적색 광, 녹색 광과 혼합된 후, 흰색 광이 형성되어 출력되며, 즉, 본 발명의 백라이트 모듈에서 발사된 광은 흰색 광이다.
구체적으로, 상기 금속선 격자(50)은 유전층(90)이 설치된 일 측 또는 복수의 금속선 격자유닛(60)이 설치된 일 측으로 향하여 상기 녹색 양자점 박막(41)을 설치한다.
구체적으로, 상기 금속선 격자유닛(60)에서, 상기 금속 스트립(61)과 스트립형 공간(62)은 모두 직선 모양이고, 또한 서로 평행한다.
본 발명에서, 상기 녹색 양자점 박막(41) 양측에 위치한 두 개의 금속선 격자(50)은 파브리-페로(Fabry-Perot) 공동을 구성하며, 특정한 파장의 녹색 광을 선택하여, 상기 특정한 파장의 녹색 광의 휘도를 현저하게 증가시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 금속선 격자(50)은 편광 선택성, 파장선택적 투과특성, 및 파장선택적 반사특성을 구비하며, P형태를 금속선 격자유닛(60)의 배열방향과 수직된 편광방향으로 정의하고, S형태를 금속선 격자유닛(60)의 배열방향과 수평된 편광방향으로 정의하며, 상기 금속선 격자(50)는 S형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색 광의 파장에만 반사특성을 구비하고, P형태에 해하여 상기 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색 광의 파장에만 투과특성을 구비한다. 도 5a는 상기 금속선 격자(50)가 P형태에 있어서의 광 투과율과 반사율을 도시하는 개략도이다. 도 5a에서, 상기 금속선 격자(50)은 P형태에서 녹색 광의 투과만 허용하는 것을 확인할 수 있다. 도 5b는 상기 금속선 격자(50)가 S형태에서의 광의 투과율과 반사율을 도시하는 개략도이다. 도 5b에서, 상기 금속선 격자(50)가 S형태에서 녹색 광만 반사하는 것을 확인할 수 있다.
도 3에서 도시된 구체적인 실시예에서, 상기 적색 광 전환층(30)은 상기 녹색 광 전환층(40)의 위쪽에 설치되고, 상기 녹색 광 전환층(40)은 도광판(10)의 위쪽에 설치되고, 상기 도광판(10)에서 발사된 청색 백라이트는 비 편광특성을 구비하며, 따라서 S형태의 청색 광은 상기 녹색 양자점 박막(41) 아래쪽에 위치한 금속선 격자(50)을 완전히 투과하여 녹색 양자점 박막(41)을 여기시켜 녹색 광을 형성하여 출력한다. 여기서, S형태의 녹색 광은 금속선 격자(50)의 반사특성 때문에 상기 파브리-페로 공동에서 공진을 형성하고, 그 기간에 S형태의 녹색 광은 공진으로 여기시키는 모드를 통해 녹색 양자점 박막(41)를 더 여기하여 발광시켜, 최종적으로 밴드 갭을 통해 마이크로-캐비지 자연방출 밀도를 증강하는 효과를 제한하여 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색광에서 S형태에 속하고 또한 파장은 상기 파브리-페로 공동과 어울리는 특정한 파장의 녹색 광의 신호를 증가하여, 최종적으로 상기 파브리-페로 공동에서의 광 누설이 녹색 광의 출력신호로 형성된다.
간략하게 설명하면, 상기 녹색 양자점 박막(41) 양측의 두 개의 금속선 격자(50)로 구성된 파브리-페로 공동은 간격의 넓이, 편광 선택특성, 파장선택적 투과특성, 및 파장 선택적 반사특성을 통해 특정한 파장의 녹색 광을 선택하여, 공진과 Purcell효과를 통해 상기 특정한 파장의 녹색 광의 휘도를 증강시켜 녹색 광의 색 순도와 휘도를 높이는 효과를 실현한다.
구체적으로, 상기 금속 스트립(61)의 재료는 높은 굴절률 허수부를 구비한 금속 재료이며, 예를 들면, 알루미늄(Al), 은(Ag), 및 금(Au) 중의 1종 또는 다종이 될 수 있다.
구체적으로, 도 4에서 도시된 바와 같이, 상기 유전층(90)은 굴절률 변조된 다층 구조이며, 이는 아래에서부터 위로 순차적으로 적층으로 설치된 제1 유전층(91), 제2 유전층(92), 및 제3 유전층(93)을 포함하며, 여기서, 상기 제2 유전층(92)의 굴절률은 상기 제1 유전층(91)과 제3 유전층(93)의 굴절률보다 높으므로, 저 굴절률-고 굴절률-저 굴절률과 같은 샌드위치 구조를 형성한다. 구체적으로, 상기 제1 유전층(91)과 제3 유전층(93)의 재료는 모두 이산화규소(Silicon Dioxide, SiO2), 산화규소(Silicon Oxide, SiO), 및 산화마그네슘(Magnesium Oxide, MgO) 중의 1종 또는 다종을 포함하고, 상기 제2 유전층(92)의 재료는 진화규소(Silicon Nitride, Si3N4), 이산화티탄(Titanium Dioxide, TiO2), 및 오산화 탄탈럼(Tantalum Pentoxide, Ta2O5) 중의 1종 또는 다종을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 유전층(91), 제2 유전층(92), 및 제3 유전층(93)의 두께는 각각 30-200nm이며, 상기 제1 유전층(91), 제2 유전층(92), 및 제3 유전층(93)의 두께는 같거나 다들 수 있다.
구체적으로, 상기 유전층(90)은 고 투과율 구조층이며, 상기 유전층(90)은 투명 구조층인 것이 바람직하다.
구체적으로, 상기 금속선 격자유닛(60)의 너비는 200-500nm이고, 여기서, 상기 금속 스트립(61)의 너비는 상기 금속선 격자유닛(60)의 너비의 0.4-0.9 비율을 차지하며, 상기 금속 스트립(61)의 높이는 20-200nm이다.
구체적으로, 상기 금속선 격자(50)은 녹색 광만 통과시키는 컬러 광필터로 사용할 수도 있으며, 컬러 광필터로 사용될 경우, 그의 통과 대역의 반치폭은 20-50nm이고, 센터 피크 값의 투과율은 70％보다 크다.
구체적으로, 상기 적색 양자점 박막(31)과 녹색 양자점 박막(41)의 재료는 모두 CdS와 CdSe 중의 1종 또는 다종을 포함한다.
구체적으로, 본 발명의 적색 양자점 박막(31)의 여기모드는 일반모드를 사용하였으며, 여기서 중복되어 설명을 생략한다.
바람직하게는, 본 발명의 백라이트 모듈은 상기 도광판(10) 아래쪽에 설치된 반사층(70)을 더 포함하며, 금속선 격자(50)은 P형태에 있어서 상기 녹색 양자점 박막(41)에서 발사된 녹색 광의 파장에만 투과특성을 구비하므로, P형태의 청색 광은 반사되어 다시 도광판(10)에 진입된다. 또한 반사층(70)의 반사를 경과한 후 휘도 증가하는 효과를 형성하며, 즉, 상기 녹색 양자점 박막(41) 아래쪽에 위치한 금속선 격자(50)과 반사층(70)이 휘도 증가하는 구조를 형성하는 것에 해당되어, 휘도 증가 구조를 위한 한차례 설치를 절약하게 되어 백라이트 모듈의 두께를 줄일 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 백라이트 모듈은 도광판(10)의 출광 균일성을 높이기 위해 상기 도광판(10)과 적색 광 전환층 (30) 또는 녹색 광 전환층(40) 사이에 위치한 확산기(80)을 더 포함할 수 있다.
도 6a는 본 발명의 백라이트 모듈과 종래의 양자점 백라이트 모듈의 발광 스펙트럼을 비교하는 것을 도시하는 개략도이다. 도 6a을 통해 종래의 양자점 백라이트 모듈에 비해 본 발명의 백라이트 모듈의 녹색 광의 파장은 좁은 선폭과 높은 색 순도의 장점을 갖고 있음을 확인할 수 있다. 도 6b는 본 발명의 백라이트 모듈과 종래의 양자점 백라이트 모듈의 색역을 비교하는 것을 도시하는 개략도이다. 도 6b을 통해 종래의 양자점 백라이트 모듈에 비해, 본 발명의 백라이트 모듈의 녹색 광의 파장은 높은 색 순도의 장점을 구비하고, 또한 본 발명의 백라이트 모듈은 더욱 넓은 색역 범위를 갖고 있음을 확인할 수 있다.
상기 내용을 종합하면, 본 발명에서 제공한 백라이트 모듈은, 청색 광원을 이용하여 적색, 녹색 양자점 박막을 여기시켜 적색, 녹색 형광을 얻는다. 또한, 녹색 양자점 박막 양측에 두 개의 금속선 격자를 설치하여, 파브리-페로 공동을 구성한다. 상기 파브리-페로 공동은 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광에 대하여 특정파장을 선택하고, 상기 특정파장의 녹색 광의 휘도를 증가하여, 녹색 광의 색 순도와 휘도를 증가한다. 이에 따라 백라이트 모듈의 색역 표현을 증가시키고, 동시에 녹색 광 양자점 박막의 발광효율을 향상시킴으로써, 양자점 박막 형광 효율이 상대적으로 낮은 문제를 현저하게 개선한다. 또한, 금속선 격자는 백라이트 모듈의 반사층과 휘도 증가 구조를 형성하므로, 휘도 증가구조를 위한 설치를 절약하게 되어 백라이트 모듈의 두께를 줄일 수 있다.
본 기술분야의 일반기술자는, 본 발명의 기술방안과 기술사상에 의해 이상 설명한 것을 기타 상응된 변경 및 변형으로 수행이 가능하며, 이러한 변경과 변형은 모두 본 발명 청구항의 보호범위에 속하게 된다.

Claims (17)

  1. 도광판, 상기 도광판 일 측에 설치된 청색 광원, 및 상기 도광판 위쪽 출광 측에 설치하되 적층으로 설치된 적색 광 전환층과 녹색 광 전환층을 포함하며;
    상기 적색 광 전환층은 적색 양자점 박막을 포함하며;
    상기 녹색 광 전환층은 녹색 양자점 박막, 및 상기 녹색 양자점 박막 양측에 각각 설치된 두 개의 금속선 격자를 포함하며;
    상기 금속선 격자는 유전층 및 유전층 상에 설치하되 순차적으로 배열된 복수의 금속선 격자유닛을 포함하고, 상기 금속선 격자유닛은 금속 스트립 및 상기 금속 스트립 일 측에 설치된 스트립형 공간을 포함하며;
    상기 녹색 양자점 박막 양측에 설치된 두 개의 금속선 격자의 금속선 격자유닛은 동일한 방향으로 배열되었으며;
    상기 녹색 양자점 박막 양측의 두 개의 금속선 격자 사이의 이격 거리는 특정한 녹색 광의 파장의 정수배이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 상기 녹색 양자점 박막에서 방사된 녹색 광의 파장 중의 어느 하나의 파장이며;
    P형태를 금속선 격자유닛의 배열방향과 수직된 편광방향으로 정의하고, S형태를 금속선 격자유닛의 배열방향과 수평된 편광방향으로 정의하며, 상기 금속선 격자는 S형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장에만 반사특성을 구비하고, P형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장에만 투과특성을 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  2. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장은 500-600nm이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 500-600nm 사이의 어느 한 파장인 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  3. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 금속선 격자는 유전층이 설치된 일 측 또는 복수의 금속선 격자유닛이 설치된 일 측으로 향하여 상기 녹색 양자점 박막을 설치하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  4. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 금속선 격자유닛에서, 상기 금속 스트립과 스트립형 공간은 모두 직선 모양이며 서로 평행되는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  5. 삭제
  6. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 금속 스트립의 재료는 알루미늄, 은, 및 금 중의 1종 또는 다종을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  7. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 유전층은 아래에서부터 위로 순차적으로 적층하여 설치된 제1 유전층, 제2 유전층, 및 제3 유전층을 포함하며, 여기서, 상기 제2 유전층의 굴절률은 상기 제1 유전층과 제3 유전층의 굴절률보다 높은 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  8. 청구항 제7항에 있어서,
    상기 제1 유전층과 제3 유전층의 재료는 모두 이산화규소(Silicon Dioxide), 산화규소(Silicon Oxide), 및 산화마그네슘(Magnesium Oxide) 중의 1종 또는 다종을 포함하며, 상기 제2 유전층의 재료는 진화규소(Silicon Nitride), 이산화티탄(Titanium Dioxide), 및 오산화 탄탈럼(Tantalum Pentoxide) 중의 1종 또는 다종을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  9. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 금속선 격자유닛의 너비는 200-500nm이고, 여기서, 상기 금속 스트립의 너비는 상기 금속선 격자유닛의 너비의 0.4-0.9 비율을 차지하고, 상기 금속 스트립의 높이는 20-200nm인 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  10. 청구항 제1항에 있어서,
    상기 도광판 아래쪽에 설치된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  11. 도광판, 상기 도광판 일 측에 설치된 청색 광원, 및 상기 도광판 위쪽 출광 측에 설치하되 적층으로 설치된 적색 광 전환층과 녹색 광 전환층을 포함하며;
    상기 적색 광 전환층은 적색 양자점 박막을 포함하며;
    상기 녹색 광 전환층은 녹색 양자점 박막, 및 상기 녹색 양자점 박막 양측에 각각 설치된 두 개의 금속선 격자를 포함하며;
    상기 금속선 격자는 유전층 및 유전층 상에 설치하되 순차적으로 배열된 복수의 금속선 격자유닛을 포함하고, 상기 금속선 격자유닛은 금속 스트립 및 상기 금속 스트립 일 측에 설치된 스트립형 공간을 포함하며;
    상기 녹색 양자점 박막 양측에 설치된 두 개의 금속선 격자의 금속선 격자유닛은 동일한 방향으로 배열되어 있으며;
    상기 녹색 양자점 박막 양측의 두 개의 금속선 격자 사이의 이격 거리는 특정한 녹색 광 파장의 정수배이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 상기 녹색 양자점 박막에서 방사된 녹색 광의 파장 중의 어느 하나의 파장이며;
    여기서, 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장은 500-600nm이고, 상기 특정한 녹색 광의 파장은 500-600nm 사이의 어느 하나의 파장이며;
    여기서, 상기 금속선 격자는 유전층이 설치된 일 측 또는 복수의 금속선 격자유닛이 설치된 일 측으로 향하여 상기 녹색 양자점 박막을 설치하며;
    여기서, 상기 금속선 격자유닛에서, 상기 금속 스트립과 스트립형 공간은 모두 직선 모양이며 서로 평행되며;
    P형태를 금속선 격자유닛의 배열방향과 수직된 편광방향으로 정의하고, S형태를 금속선 격자유닛의 배열방향과 수평된 편광방향으로 정의하며, 상기 금속선 격자는 S형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장에만 반사특성을 구비하고, P형태에 대하여 상기 녹색 양자점 박막에서 발사된 녹색 광의 파장에만 투과특성을 구비하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  12. 삭제
  13. 청구항 제11항에 있어서,
    상기 금속 스트립의 재료는 알루미늄, 은, 및 금 중의 1종 또는 다종인 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  14. 청구항 제11항에 있어서,
    상기 유전층은 아래서부터 위로 순차적으로 적층하여 설치된 제1 유전층, 제2 유전층, 및 제3 유전층을 포함하며, 여기서, 상기 제2 유전층의 굴절률은 상기 제1 유전층과 제3 유전층의 굴절률보다 높은 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  15. 청구항 제14항에 있어서,
    상기 제1 유전층과 제3 유전층의 재료는 모두 이산화규소(Silicon Dioxide), 산화규소(Silicon Oxide), 및 산화마그네슘(Magnesium Oxide) 중의 1종 또는 다종을 포함하며, 상기 제2 유전층의 재료는 진화규소(Silicon Nitride), 이산화티탄(Titanium Dioxide), 및 오산화 탄탈럼(Tantalum Pentoxide) 중의 1종 또는 다종을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  16. 청구항 제11항에 있어서,
    상기 금속선 격자유닛의 너비는 200-500nm이고, 여기서, 상기 금속 스트립의 넓이는 상기 금속선 격자유닛의 너비의 0.4-0.9 비율을 차지하고, 상기 금속 스트립의 높이는 20-200nm인 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  17. 청구항 제11항에 있어서,
    상기 도광판 아래쪽에 설치된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
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