KR102051532B1 - 리소그래피 장치 및 기판을 로딩하는 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 기판을 로딩하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102051532B1
KR102051532B1 KR1020177036449A KR20177036449A KR102051532B1 KR 102051532 B1 KR102051532 B1 KR 102051532B1 KR 1020177036449 A KR1020177036449 A KR 1020177036449A KR 20177036449 A KR20177036449 A KR 20177036449A KR 102051532 B1 KR102051532 B1 KR 102051532B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
flow rate
distance
gas outlet
Prior art date
Application number
KR1020177036449A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180008756A (ko
Inventor
아브라함 알렉산더 소타우트
토마스 포이츠
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20180008756A publication Critical patent/KR20180008756A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102051532B1 publication Critical patent/KR102051532B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/346—Controlling the process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/54—Nitrogen compounds
    • B01D53/56—Nitrogen oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/79—Injecting reactants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0278—Arrangement or mounting of spray heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0405—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with reciprocating or oscillating spray heads
    • B05B13/041—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with reciprocating or oscillating spray heads with spray heads reciprocating along a straight line
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/06—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00 specially designed for treating the inside of hollow bodies
    • B05B13/0627—Arrangements of nozzles or spray heads specially adapted for treating the inside of hollow bodies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/60—Arrangements for mounting, supporting or holding spraying apparatus
    • B05B15/65—Mounting arrangements for fluid connection of the spraying apparatus or its outlets to flow conduits
    • B05B15/656—Mounting arrangements for fluid connection of the spraying apparatus or its outlets to flow conduits whereby the flow conduit length is changeable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/60—Arrangements for mounting, supporting or holding spraying apparatus
    • B05B15/68—Arrangements for adjusting the position of spray heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B5/00—Electrostatic spraying apparatus; Spraying apparatus with means for charging the spray electrically; Apparatus for spraying liquids or other fluent materials by other electric means
    • B05B5/08—Plant for applying liquids or other fluent materials to objects
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES 
    • F23J15/00—Arrangements of devices for treating smoke or fumes
    • F23J15/003—Arrangements of devices for treating smoke or fumes for supplying chemicals to fumes, e.g. using injection devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2251/00—Reactants
    • B01D2251/20—Reductants
    • B01D2251/206—Ammonium compounds
    • B01D2251/2062—Ammonia
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2251/00—Reactants
    • B01D2251/20—Reductants
    • B01D2251/206—Ammonium compounds
    • B01D2251/2067—Urea
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/40—Nitrogen compounds
    • B01D2257/402—Dinitrogen oxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2257/00—Components to be removed
    • B01D2257/40—Nitrogen compounds
    • B01D2257/404—Nitrogen oxides other than dinitrogen oxide
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0283—Flue gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/12—Methods and means for introducing reactants
    • B01D2259/124—Liquid reactants
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES 
    • F23J2219/00—Treatment devices
    • F23J2219/20—Non-catalytic reduction devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/10—Capture or disposal of greenhouse gases of nitrous oxide (N2O)

Abstract

리소그래피 장치는 지지 테이블 및 가스 추출 시스템을 포함한다. 가스 추출 시스템은, 기판이 지지 테이블 상에 하강되고 있을 때 지지 테이블의 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 적어도 하나의 가스 추출구를 통해 가스를 추출하도록 구성된다. 리소그래피 장치는, 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 가스가 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출되고, 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스가 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출되도록 구성되는데, 제 2 로딩 유량은 제 1 로딩 유량보다 적다.

Description

리소그래피 장치 및 기판을 로딩하는 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2015 년 6 월 11 일에 출원된 EP 15171545.5 의 우선권을 주장하며, 이것은 그 전체 내용이 원용되어 본원에 통합된다.
본 발명은 리소그래피 장치 및 기판을 특히 리소그래피 장치용 지지 테이블 상에 로딩하기 위한 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟 영역 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 장치는 예컨대 집적회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 집적회로의 개개의 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 마스크 또는 레티클(reticle)로도 지칭되는 패터닝 장치가 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟 영역(예컨대, 하나의 다이(die)의 일부분, 하나의 다이, 또는 여러 개의 다이를 포함) 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟 영역들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스텝퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 장치로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치에서, 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예컨대 물에 기판을 침지시키는 것이 제안되어 왔다. 일 실시예에서, 액체는 증류수이지만, 다른 액체가 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예가 액체에 관하여 설명될 것이다. 그러나, 다른 유체, 특히 적심(wetting) 유체, 비압축성 유체 및/또는 유체 공기보다 더 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 더 높은 굴절률을 가지는 유체가 적절할 수 있다. 기체를 배제한 유체가 특히 바람직하다. 이것은, 노광 방사선이 액체 내에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 더 작은 피쳐의 이미징을 가능하게 하기 위한 것이다. (액체의 효과는 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 초점 깊이도 증가시키는 것으로 간주될 수도 있다.) 내부에 고체 입자(예를 들어 석영)가 현탁된(suspended) 물 또는 나노입자 서스펜션(예를 들어 10 nm에 이르는 최대 치수를 가지는 입자)이 있는 액체를 포함하는 다른 액침이 제안되어 왔다. 현탁된 입자는 그들이 내부에 현탁되는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수도, 가지지 않을 수도 있다. 적절할 수 있는 다른 액체는 탄화수소, 예컨대 방향족, 플루오로카본, 및/또는 수용액을 포함한다.
기판 또는 기판 및 지지 테이블을 액체의 배쓰(bath) 내에 담근다는 것은(예를 들어 미국 특허 번호 제 4,509,852 참조), 스캐닝 노광 중에 가속되어야 하는 대량의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 그러면 추가적인 모터 또는 더 강력한 모터가 필요하고, 액체 내의 난류 때문에 바람직하지 않고 예측할 수 없는 효과가 생길 수 있다.
액침 장치에서, 액침 유체는 유체 처리 시스템, 디바이스 구조체 또는 장치에 의해 처리된다. 일 실시예에서, 유체 처리 시스템은 액침 유체를 공급하고, 따라서 유체 공급 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 처리 시스템은 액침 유체를 적어도 부분적으로 구속하기 때문에 유체 구속 시스템일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 처리 시스템은 액침 유체에 베리어를 제공하기 때문에 베리어 부재, 예컨대 유체 구속 구조체일 수 있다. 일 실시예에서, 유체 처리 시스템은, 예를 들어 액침 유체의 흐름 및/또는 위치를 제어하는 것을 돕기 위해서 가스의 흐름을 생성하거나 사용할 수 있다. 가스의 흐름은 액침 유체를 구속하기 위한 시일을 형성할 수 있고, 따라서 유체 관리 구조체는 시일 부재라고 불릴 수 있다; 이러한 시일 부재는 유체 구속 구조체일 수 있다. 일 실시예에서, 액침액이 액침 유체로서 사용된다. 그 경우에, 유체 처리 시스템은 액체 처리 시스템일 수 있다. 전술된 내용을 참조하여, 이 문단에서 유체에 대해서 규정된 특징을 언급하는 것은 액체에 대해서 규정된 특징을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
액침 장치 또는 건식 장치 양자 모두에서, 기판은 노광 프로세스 동안에 지지 테이블에 클램핑된다. 클램핑은 주변 압력에 비하여 더 낮은 압력인 지역을 기판과 지지 테이블 사이에 가짐으로써 보완될 수 있다. 주변 압력은 기판 및 지지 테이블을 둘러싸는 압력이다. 지지 테이블 및 기판에 의해 밀봉되는 지역은 진공 압력에 가까워서 기판이 지지 테이블에 진공 클램핑되게 할 수 있다.
지지 테이블은 그 안에 형성된 하나 이상의 홀을 포함한다. 홀은 기판이 쉽게 클램핑되게 한다. 가스는 기판 및 지지 테이블에 의해 밀봉되는 지역으로부터 홀을 통해 추출되어, 기판의 클램핑을 위한 이러한 지역 내의 압력을 감소시킨다.
기판은 지지 테이블 상에 로딩된다. 기판을 로딩하는 동안, 기판은 중력 때문에 변형될 수 있다. 기판의 로딩 도중에 가스가 추출되면, 기판은 그 변형된 상태에서 클램핑될 수 있고, 그러면 오버레이가 증가한다. 또는, 웨이퍼의 로딩 중에 가스가 추출되지 않으면, 기판을 지지 테이블에 클램핑하는 데에 더 긴 시간이 걸린다. 그러면 기판의 쓰루풋 시간이 증가된다.
예를 들어, 클램핑된 기판의 변형과 쓰루풋의 조합이 개선되는, 기판을 로딩하는 리소그래피 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치로서, 기판을 지지하도록 구성되는 지지 테이블; 및 가스 추출 시스템을 포함하고, 상기 지지 테이블은, 베이스면; 상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼(burl)로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 기판을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및 상기 가스 추출 시스템에 연결되는 적어도 하나의 가스 추출구를 포함하며, 상기 가스 추출 시스템은, 상기 기판이 상기 지지 테이블 상으로 하강되고 있을 때 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 각각의 가스 추출구를 통해 가스를 추출하도록 구성되고, 상기 리소그래피 장치는, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 길면 가스가 상기 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출되고 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧으면 가스가 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출되도록 구성되고, 상기 제 2 로딩 유량은 상기 제 1 로딩 유량보다 적은, 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치로서, 기판을 지지하도록 구성되는 지지 테이블; 및 가스 추출 시스템을 포함하고, 상기 지지 테이블은, 베이스면; 상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 기판을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및 상기 베이스면 위로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부로서, 각각의 돌출부는 각각의 돌출부 원위 단부를 가지고, 각각의 돌출부 원위 단부는 상기 지지 평면으로부터 로딩 기판 거리만큼 이격되는, 적어도 하나의 돌출부를 포함하며, 각각의 돌출부 원위 단부에는 상기 가스 추출 시스템에 연결되는 가스 추출구가 제공되고, 각각의 가스 추출구는 가스 추출구 직경을 가지며, 상기 로딩 기판 거리는 상기 가스 추출구 직경의 절반보다 짧고, 상기 가스 추출 시스템은, 상기 기판이 지지 테이블 상에 하강되고 있을 때 각각의 가스 추출구를 통해 상기 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는, 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치로서, 기판을 지지하도록 구성되는 지지 테이블; 및 가스 추출 시스템을 포함하고, 상기 지지 테이블은, 베이스면; 상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 기판을 지지하도록 지지 평면 내에 배치되는, 복수 개의 버얼; 상기 가스 추출 시스템에 연결되는 적어도 하나의 가스 추출구의 제 1 그룹; 및 상기 가스 추출 시스템에 연결되는 적어도 하나의 가스 추출구의 제 2 그룹을 포함하며, 상기 가스 추출 시스템은, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 상기 제 1 그룹 및 제 2 그룹을 통해 상기 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 가스를 추출함으로써, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 가스가 상기 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출되게 하도록 구성되고, 상기 가스 추출 시스템은, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 상기 제 1 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단함으로써, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스가 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출되게 하도록 구성되며, 상기 제 2 로딩 유량은 상기 제 1 로딩 유량보다 적은, 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치용 지지 테이블 상에 기판을 로딩하는 방법으로서, 상기 지지 테이블은, 베이스면; 상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 기판을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및 상기 기판이 상기 지지 테이블 상으로 하강되고 있을 때 상기 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는 적어도 하나의 가스 추출구를 포함하며, 상기 방법은, 기판을 상기 지지 테이블을 향해 하강시키는 단계; 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 상기 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 가스를 추출하는 단계; 및 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 가스를 추출하는 단계로서, 상기 제 2 로딩 유량은 제 1 로딩 유량보다 적은, 단계를 포함하는, 기판 로딩 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치용 지지 테이블 상에 기판을 로딩하는 방법으로서, 상기 지지 테이블은, 베이스면; 상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 기판을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및 상기 베이스면 위로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부로서, 각각의 돌출부는 각각의 돌출부 원위 단부를 가지고, 각각의 돌출부 원위 단부는 상기 지지 평면으로부터 로딩 기판 거리만큼 이격되는, 적어도 하나의 돌출부를 포함하고, 각각의 돌출부 원위 단부에는 상기 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는 가스 추출구가 제공되고, 각각의 가스 추출구는 가스 추출구 직경을 가지며, 상기 로딩 기판 거리는 상기 가스 추출구 직경의 절반보다 짧고, 상기 방법은, 기판을 상기 지지 테이블을 향해 하강시키는 단계; 및 상기 기판이 지지 테이블 상에 하강되고 있을 때 각각의 가스 추출구를 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 단계를 포함하는, 기판 로딩 방법이 제공된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 리소그래피 장치용 지지 테이블 상에 기판을 로딩하는 방법으로서, 상기 지지 테이블은, 베이스면; 상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 기판을 지지하도록 지지 평면 내에 배치되는, 복수 개의 버얼; 상기 가스 추출 시스템에 연결되는 적어도 하나의 가스 추출구의 제 1 그룹; 및 상기 가스 추출 시스템에 연결되는 적어도 하나의 가스 추출구의 제 2 그룹을 포함하며, 상기 방법은, 기판을 상기 지지 테이블을 향해 하강시키는 단계; 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 가스가 상기 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출되도록, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 상기 제 1 그룹 및 제 2 그룹을 통해 상기 베이스면과 기판 사이의 갭으로부터 가스를 추출하는 단계; 및 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스가 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출되도록, 상기 기판과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 상기 제 1 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하는 단계로서, 상기 제 2 로딩 유량은 상기 제 1 로딩 유량보다 적은, 단계를 포함하는, 기판 로딩 방법이 제공된다.
본 발명의 실시예가 오직 예시를 통하여, 대응하는 참조 심벌들이 대응하는 부분을 표시하는 첨부된 개략도를 참조하여 이제 설명될 것이다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시한다;
도 2 는 리소그래피 투영 장치 내에 사용되기 위한 액체 공급 시스템을 도시한다;
도 3 은 일 실시예에 따르는 추가적인 공급 시스템을 도시하는 측단면도이다;
도 4 는 리소그래피 장치용 지지 테이블을 평면도로 도시한다;
도 5 내지 도 7 은 각각, 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 테이블을 단면도로 도시한다;
도 8 내지 도 11 은 지지 테이블 상에 로딩되고 있는 기판의 예들을 단면도로 도시한다;
도 12 및 도 14 는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 테이블의 세부 사항을 단면도로 도시한다;
도 15 내지 도 18 은 본 발명의 실시예에 따른 지지 테이블들을 단면도로 도시한다;
도 19 는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 지지 테이블을 개략적인 단면도로 도시한다;
도 20 은 기판의 로딩 시간과 기판과 지지 테이블의 베이스면 사이의 갭으로부터의 가스의 유량 사이의 관련성을 보여주는 그래프이다;
도 21 은 본 발명의 일 실시예에 따른, 기판의 로딩 시간과 버퍼 볼륨 내의 압력 사이의 관련성을 보여주는 그래프이다;
도 22 는 본 발명의 일 실시예에 따른, 기판의 로딩 시간과 버퍼 볼륨 내로 향하는 가스의 유량 사이의 관련성을 보여주는 그래프이다; 그리고
도 23 은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 테이블을 개략적인 단면도로 도시한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 이러한 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는(DUV) 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성되는 조명 시스템(illuminator)(IL);
패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제 1 포지셔너(PM)에 연결되는 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
하나 이상의 센서를 지지하기 위한 지지 테이블, 예를 들어 센서 테이블 또는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 기판)(W)을 홀딩하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라서 테이블, 예를 들어 기판(W)의 표면을 정확하게 포지셔닝하도록 구성되는 제 2 포지셔너(PW)에 연결되는 지지 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함) 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예를 들어, 굴절성 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은 방사선을 디렉팅하고, 성형(shaping)하고, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광 컴포넌트, 예컨대 굴절형, 반사형, 자기적, 전자기, 정전기 또는 다른 유형의 광 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수도 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 홀딩한다. 이것은 패터닝 디바이스(MA)를, 패터닝 디바이스(MA)의 지향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 홀딩한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 장치(MA)를 유지하기 위해 기계식, 진공식, 정전식, 또는 기타 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예컨대 필요에 따라 고정되거나 이동시킬 수 있는 프레임(frame) 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)가 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수도 있다. 본 명세서에서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 장치"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부 내에 패턴을 생성하는 것과 같이, 자신의 단면 내에 패턴을 가지는 방사선 빔을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예컨대 그 패턴이 페이즈 천이 피처(phase shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)를 포함하는 경우, 기판의 타겟부에서의 요구된 패턴과 정확히 일치하지 않을 수 있다는 것에 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 타겟부, 예컨대 집적 회로 내에 생성되는 중인 디바이스 내의 특정한 기능성 층에 대응할 것이다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선(exposure radiation)에 대해 적합하거나 또는 액침액(immersion liquid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학계, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 "투영 렌즈"라는 용어가 임의로 사용되면 더 일반적인 용어인 "투영 시스템"과 같은 의미인 것으로 간주될 수도 있다.
도시된 것처럼, 장치는 투과형이다(예를 들어, 투과형 마스크를 채용). 또는, 장치는 반사형 타입(예를 들어, 위에서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능 미러 어레이를 채용하거나, 반사 마스크를 채용함)일 수도 있다.
리소그래피 장치는 두 개 이상의 테이블(또는 스테이지 또는 지지체), 예를 들어 두 개 이상의 지지 테이블 또는 하나 이상의 지지 테이블 및 하나 이상의 세정, 센서 또는 측정 테이블의 조합을 가지는 타입일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 투영 시스템의 노광측에 위치되는 두 개 이상의 테이블을 포함하는 멀티-스테이지 장치이고, 각각의 테이블은 하나 이상의 대상물을 포함 및/또는 홀딩한다. 일 실시예에서, 테이블 중 하나 이상은 방사선-감응 기판을 홀딩할 수 있다. 일 실시예에서, 테이블 중 하나 이상은 투영 시스템으로부터의 방사선을 측정하기 위한 센서를 홀딩할 수 있다.
일 실시예에서, 멀티-스테이지 장치는 방사선-감응 기판을 홀딩하도록 구성되는 제 1 테이블(즉, 지지 테이블) 및 홀딩 방사선-감응 기판(이하, 일반적으로 측정, 센서 및/또는 세정 테이블이라고 불리지만 이들로 한정되는 것은 아님)을 홀딩하도록 구성되지 않는 제 2 테이블을 포함한다. 제 2 테이블은 방사선-감응 기판이 아닌 하나 이상의 대상물을 포함할 수 있고 및/또는 대상물을 홀딩할 수 있다. 이러한 하나 이상의 대상물은: 투영 시스템으로부터의 방사선을 측정하기 위한 센서, 하나 이상의 정렬 마크, 및/또는 세정 디바이스(, 예를 들어 액체 구속 구조체를 세정하기 위한 것임)에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
그러한 "다중 스테이지"(또는 "멀티-스테이지") 머신에서, 다중 테이블은 평행하게 사용될 수 있으며, 또한 하나 이상의 다른 테이블들이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 준비 단계들이 하나 이상의 테이블 상에 수행될 수 있다. 리소그래피 장치는 기판, 세정, 센서 및/또는 측정 테이블과 유사한 방식으로 병렬적으로 사용될 수 있는 두 개 이상의 패터닝 디바이스 테이블(또는 스테이지 또는 지지체)을 포함할 수 있다.
도 1 을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 빔을 방사원(SO)으로부터 수광한다. 예를 들어, 방사원(SO)이 엑시머 레이저인 경우, 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 엔티티일 수 있다. 이러한 경우들에서, 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않고, 방사선 빔은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사원(SO)이 수은 램프인 경우에, 이러한 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수 있다. 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요할 경우 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하기 위한 조절기(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane)에서의 세기 분포의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 σ-외측 및 σ-내측이라 함)는 조절될 수 있다. 부가적으로, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(confiner)(CO)와 같은 다양한 다른 컴포넌트들을 포함할 수도 있다. 조명기(IL)는 방사선 빔이 자신의 단면에서 원하는 균일성 및 세기기 분포를 가지도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다. 소스(SO)와 유사하게, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 구성한다고 간주될 수도, 간주되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 내장 부품일 수도 있고, 또는 리소그래피 장치와 별개의 엔티티일 수도 있다. 후자의 경우에, 리소그래피 장치는 조명기(IL)가 그 위에 탑재되게 하도록 구성될 수 있다. 또는, 조명기(IL)는 탈부착가능하고, 별개로 제공될 수도 있다(예를 들어, 리소그래피 장치 제조사 또는 다른 공급자에 의하여).
방사선 빔(B)은 지지 구조(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사하고, 그리고 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지르면, 방사선 빔(B)은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 빔을 포커싱하는 투영 시스템(PS)을 통과한다. 제 2 포지셔너(PW) 및 포지션 센서(IF)(예를 들어 간섭측정 측정 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움을 받아, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟부들(C)을 포지셔닝하기 위하여, 지지 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 포지셔너 및 다른 위치 센서(도 1 에는 명확하게 묘사되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 탐색 이후에, 또는 스캔 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 포지셔닝하기 위하여 사용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제 1 포지셔너(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 정밀 위치 설정)을 이용하여 실현될 수도 있다. 마찬가지로, 지지 테이블(WT)의 이동은 제 2 포지셔너(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수도 있다. 스테퍼의 경우(스캐너와 반대로) 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 장치(MA) 및 기판(W)은 패터닝 장치 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용 타겟 영역을 점유하지만, 이들은 타겟 영역들(C) 사이의 공간(이들은 스크라이브 레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려짐)에 위치될 수도 있다. 마찬가지로, 마스크(MA)에 두 개 이상의 다이가 제공되는 경우, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수도 있다.
비록 본문에서(IC)의 제조에서 리소그래피 장치를 사용하는 것에 대해서 특별히 언급하였지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 마이크로스케일 또는 심지어 나노스케일을 가지는 컴포넌트들을 제조하는 데에 있어서 다른 응용 분야, 예컨대 집적 광 시스템의 제조, 자기장 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판-패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등을 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하기 위한 장치는 3 개의 일반적 카테고리로 분류될 수 있다. 이것들은 배쓰(bath) 타입 장치, 소위 국지화된 액침 시스템 및 전습식(all-wet) 액침 시스템이다. 배쓰 타입 장치는 실질적으로는 기판(W)의 전부 그리고 선택적으로는 지지 테이블(WT)의 일부가 액체의 배쓰 내에 담궈진다.
국지화된 액침 시스템은 액체가 기판의 국지화된 영역으로만 제공되는 액체 공급 시스템을 사용한다. 액체가 채워진 공간은 평면에 있어서 기판의 상단면보다 작고, 액체로 채워진 영역은 투영 시스템(PS)에 대해서 실질적으로 정지된 상태를 유지하는 반면에 기판(W)은 해당 영역 아래에서 이동한다. 도 2 및 도 3 은 이러한 시스템에서 사용될 수 있는 상이한 공급 디바이스를 도시한다. 액체를 국지화된 영역에 실링하기 위해서 실링 피쳐가 존재한다. 이를 위해서 제안된 한 가지 방법은 PCT 특허 출원 공개 번호 제 WO 99/49504 에 개시된 것이다.
투영 시스템의 최종 요소와 지지 테이블 사이의 공간의 경계의 적어도 일부를 따라서 연장되는 액체 구속 구조체가 있는 액체 공급 시스템을 제공하기 위한 장치가 제안되었다. 이러한 장치가 도 2 에 도시된다.
도 2 는 국지화된 액체 공급 시스템 또는 유체 처리 시스템을 개략적으로 도시한다. 액체 공급 시스템에는, 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 지지 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간(11)의 경계의 적어도 일부를 따라서 연장되는 유체 관리 구조체(IH) 또는 액체 구속 구조체가 제공된다. (후속하는 설명에서 기판(W)의 표면이라고 언급하면 그렇지 않다고 명시되지 않는 한 추가적으로 또는 대안적으로 지지 테이블(WT)의 표면을 역시 언급한다는 것에 주의해야 한다.) 비록(Z) 방향(광축의 방향)으로 일부 상대적 이동이 존재할 수도 있지만, 액체 처리 구조체(IH)는 XY 평면에서 투영 시스템(PS)에 상대적으로 실질적으로 정지된다. 일 실시예에서, 시일이 유체 관리 구조체(IH)와 기판(W)의 표면 사이에 형성되고, 가스 시일(가스 시일을 가지는 이러한 시스템은 유럽 특허 출원 공개 번호 제 EP-A-1,420,298 에 개시됨)과 같은 무접촉식 시일 또는 액체 시일일 수 있다.
유체 관리 구조체(IH)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11) 내에 적어도 부분적으로 액체를 보유한다. 기판(W)에 대한 무접촉식 시일(16)은 투영 시스템(PS)의 이미지 필드 주위에서 형성되어, 액체가 기판(W) 표면과 투영 시스템(PS)의 최종 요소 사이의 공간(11) 내에 구속되게 한다. 공간(11)은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에 위치되고 이를 둘러싸는 유체 관리 구조체(IH)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 액체는 액체 입구(13) 중 하나에 의해서 투영 시스템(PS) 아래에 있고 유체 관리 구조체(IH) 안에 있는 공간(11) 안으로 들어간다. 액체는 액체 출구(13) 중 다른 것에 의해 제거될 수 있다. 액체는 적어도 두 개의 액체 입구(13)를 통해서 공간(11) 안으로 들어갈 수 있다. 액체를 공급하기 위해서 어떤 액체 개구(13)가 사용되는지 그리고 선택적으로 액체를 제거하기 위해서 어떤 것이 사용되는지는, 지지 테이블(WT)의 모션의 방향에 따라 달라질 수 있다. 유체 관리 구조체(IH)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소 약간 위로 연장할 수 있다. 액체의 버퍼가 제공되도록 액체 수위는 최종 요소 위로 상승한다. 일 실시예에서, 유체 관리 구조체(IH)는 상단부에서 투영 시스템(PS) 또는 그것의 최종 요소의 형상에 가깝게 따라가고, 예를 들어 곡면일 수 있는 내측 주연부를 가진다. 하단에서, 내측 주연부는 이미지 필드의 형상, 예를 들어 직사각형에 가깝게 따라가는데, 하지만 반드시 그래야 하는 것은 아니다.
액체는 가스 시일(16)에 의해 공간(11) 내에 담겨있을 수 있는데, 이것은 사용 시에 유체 관리 구조체(IH)의 하단과 기판(W)의 표면 사이에 형성된다. 가스 시일(16)이 가스에 의해 형성된다. 가스 시일(16) 내의 가스는 압력 하에 입구(15)를 통해서 유체 관리 구조체(IH)와 기판(W) 사이의 갭으로 제공된다. 가스는 출구(14)를 통해 추출된다. 가스 입구(15)에서의 과압력, 출구(14)에서의 진공 레벨 및 갭의 기하학적 구조는, 액체를 구속하는 내향적인 고속 가스 흐름이 존재하도록 구현된다. 유체 관리 구조체(IH)와 기판(W) 사이의 액체에 가해지는 힘이 액체를 공간(11) 내에 포함시킨다. 입구/출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형 홈일 수 있다. 환형 홈은 연속이거나 불연속적일 수 있다. 가스의 흐름은 액체를 공간(11) 내에 포함시키는데 있어서 효과적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 번호 제 2004-0207824 에서 논의되는데, 이것은 본 명세서에서 그 전체가 원용에 의해 포함된다. 일 실시예에서, 유체 관리 구조체(IH)는 가스 시일을 가지지 않는다.
도 3 은 일 실시예에 따른 다른 액체 공급 시스템 또는 유체 처리 시스템을 도시하는 측단면도이다. 도 3 에 도시되고 후술되는 장치는 도 1 에서 전술되고 예시된 리소그래피 장치에 적용될 수 있다. 액체 공급 시스템에는 유체 관리 구조체(IH) 또는 액체 구속 구조체가 제공되는데, 이것은 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 지지 테이블(WT) 또는 기판(W) 사이의 공간(11)의 경계의 적어도 일부를 따라서 연장된다. (후속하는 설명에서 기판(W)의 표면이라고 언급하면 그렇지 않다고 명시되지 않는 한 추가적으로 또는 대안적으로 지지 테이블(WT)의 표면을 역시 언급한다는 것에 주의해야 한다.)
유체 관리 구조체(IH)는 투영 시스템(PS)의 최종 요소와 기판(W) 사이의 공간(11) 내에 적어도 부분적으로 액체를 보유한다. 공간(11)은 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에 위치되고 이를 둘러싸는 유체 관리 구조체(IH)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 일 실시예에서, 유체 관리 구조체(IH)는 메인 보디 부재(53) 및 다공성 부재(33)를 포함한다. 다공성 부재(33)는 판형이고 복수 개의 홀(즉, 개구 또는 구멍)을 가진다. 일 실시예에서, 다공성 부재(33)는 다수의 작은 홀(84)이 메시 내에 형성된 메시 플레이트이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 번호 제 2010/0045949 에서 논의되는데, 이것은 본 명세서에서 그 전체가 원용에 의해 포함된다.
메인 보디 부재(53)는 액체를 공간(11)에 제공할 수 있는 공급 포트(72) 및 공간(11)으로부터 액체를 복원시킬 수 있는 복구 포트(73)를 포함한다. 공급 포트(72)는 통로(74)를 통해 액체 공급 장치(75)에 연결된다. 액체 공급 장치(75)는 액체를 공급 포트(72)에 공급할 수 있다. 액체 공급 장치(75)로부터 공급되는 액체는 대응하는 통로(74)를 통해 공급 포트(72) 각각으로 공급된다. 공급 포트(72)는, 광로를 바라보는 메인 보디 부재(53)의 사전설정된 위치에서 광로 인근에 배치된다. 복구 포트(73)는 공간(11)으로부터 액체를 복원할 수 있다. 공급 포트(73)는 통로(79)를 통해 액체 복구 장치(80)에 연결된다. 액체 복구 장치(80)는 진공 시스템을 포함하고 복구 포트(73)를 통해 액체를 빨아올림으로써 액체를 복원할 수 있다. 액체 복구 장치(80)는 복구 포트(23)를 통해 복원된 액체(LQ)를 통로(29)를 통해 복원한다. 다공성 부재(33)가 복구 포트(73) 내에 배치된다.
일 실시예에서, 투영 시스템(PS)과 일측으로는 유체 관리 구조체(IH) 그리고 타측에서는 기판(W) 사이에 액체가 있는 공간(11)을 형성하기 위하여, 액체가 공급 포트(72)로부터 공간(11)으로 제공되고, 액체를 다공성 부재(33)의 홀(84)(즉, 복구 포트(73))을 통해 복원하기 위해서 유체 관리 구조체(IH) 내의 복구 챔버(31) 내의 압력이 음압으로 조절된다. 공급 포트(72)를 사용하여 액체 공급 동작을 수행하고 다공성 부재(33)를 사용하여 액체 복구 동작을 수행하면, 투영 시스템(PS)과 일측에는 유체 관리 구조체(IH) 그리고 타측에는 기판(W) 사이에 공간(11)이 형성된다.
도시된 바와 같이, 이러한 장치는 액침 타입일 수 있다. 또는, 이러한 장치는 기판이 액체 내에 액침되지 않는 건식 타입일 수 있다.
일 실시예에서, 지지 테이블(WT)은 그 안에 형성된 하나 이상의 홀을 포함한다. 홀은 기판(W)의 클램핑이 쉽게 이루어지게 한다. 가스는 기판(W) 및 지지 테이블(WT), 에 의해 밀봉된 지역으로부터 홀을 통해 추출됨으로써, 기판(W)을 클램핑하기 위한 이러한 지역 내의 압력을 감소시킬 수 있다. 기판(W)을 클램핑하는 것은 우선 기판(W)을 지지 테이블(WT)에 로딩하는 것과, 둘째로는 기판(W)을 클램핑하기 위해서 기판(W) 및 지지 테이블(WT)에 의해 밀봉되는 지역 내의 압력을 감소시키는 것을 수반한다.
로딩이 일어나는 동안 기판(W)은 변형될 수 있다. 기판(W)이 로딩되게 하는 한 가지 방법은 기판(W)을 복수 개의 핀(82)(예를 들어 도 8 및 도 10 참조)에 의해 밑에서부터 지지하고 핀(82)을 하강시킴으로써 기판(W)을 지지 테이블(WT) 상에 하강시키는 것이다. 핀(82)은 지지 테이블(WT) 내의 대응하는 애퍼쳐를 통해서 연장할 수 있다. 기판(W)은 지지 테이블(WT) 상에 하강될 때에 중력 때문에 변형될 수 있다. 예를 들어, 기판(W)은 하강이 일어나는 동안에 핀(82) 위로 휘어질 수 있다(예를 들어 도 8 을 참조한다). 그러면 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 접촉할 때 비-평평한 상태에 있을 수 있다(예를 들어 도 9 를 참조한다).
기판(W)을 클램핑하기 위하여, 가스가 기판(W) 및 지지 테이블(WT)에 의해 밀봉된 지역으로부터 홀을 통해 추출된다. 가스가 기판(W)을 로딩하는 동안 추출되면, 기판(W)은 도 9 에 도시된 바와 같이 그 변형된 상태에서 지지 테이블(WT)에 즉시 부착될 수 있다. 그러면 면내 편차가 생길 수 있다. 지지 테이블(WT)과 기판(W) 사이의 힘은 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 대해서 미끄러지게 하기에 충분할 수 있다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 대해서 미끄러지는 힘의 크기는 지지 테이블(WT)의 특정 상단면과 기판(W)의 특정 하단면에 따라 달라진다. 그러면 클램핑 지문이 지지 테이블(WT) 및 기판(W) 양자 모두에 의존하게 된다. 결과적으로 클램핑 지문을 보상하기가 어려워진다.
가스가 기판(W)의 로딩 중에 추출되지 않으면, 그러면 기판(W)에는 지지 테이블(WT) 위에서 안정화될 시간이 허용될 수 있다. 그러면 기판(W)이 클램핑될 때에 기판의 변형이 감소될 수 있다. 그러나, 이것은 쓰루풋 영향을 가진다. 각각의 기판(W)이 클램핑되려면 더 오래 걸린다.
도 4 는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치에 대한 지지 테이블(WT)의 평면도를 도시한다. 지지 테이블(WT)은 기판(W)을 지지하도록 구성된다. 리소그래피 장치는 지지 테이블(WT)과 상호작용하는 가스 추출 시스템을 더 포함한다.
지지 테이블(WT)은 베이스면(61)을 포함한다. 일 실시예에서, 베이스면(61)은 지지 테이블(WT) 상에 지지되는 기판(W)의 저면과 실질적으로 평행하도록 구성된다. 지지 테이블(WT)은 복수 개의 버얼(62)을 포함한다. 버얼(62)은 베이스면(61) 위로 돌출된다. 복수 개의 버얼(62) 각각은 각각의 버얼 원위 단부(63)를 가진다. 기판(W)을 지지하기 위해서 버얼 원위 단부(63)는 지지 평면(64)(예를 들어 도 5 를 참조한다) 내에 배치된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 의해 지지되면, 기판(W)은 복수 개의 버얼(62) 각각의 각각의 원위 단부(63)에 의해 지지된다.
사용 시에, 기판(W)은 지지 테이블(WT)에 의해 지지된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 의해 지지되면, 기판(W)은 각각의 버얼(62)의 각각의 원위 단부(63)에 의해 지지된다.
도 4 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 지지 테이블(WT)은 적어도 하나의 가스 추출구(65)를 포함한다. 가스 추출구(65)는 가스 추출 시스템에 연결된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 하강되고 있을 때, 가스 추출 시스템은 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 갭으로부터 각각의 가스 추출구(65)를 통해 가스를 추출하도록 구성된다.
도 4 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 지지 테이블(WT)은 적어도 하나의 돌출부(66)를 포함한다. 돌출부(66)는 베이스면(61) 위로 돌출된다. 이것은 도 5 및 도 6 에서 더 명확하게 도시된다. 도 5 는, 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 하강되고 있을 때 도 4 에 도시되는 지지 테이블(WT)의 섹션의 단면도를 도시한다. 도 6 은 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까울 경우에 시간 상 후속하는(도 5 와 비교할 때) 시점의 단면도를 도시한다.
각각의 돌출부(66)는 각각의 돌출부 원위 단부(67)를 가진다. 각각의 돌출부 원위 단부(67)는 지지 평면(64)으로부터 이격된다. 지지 평면(64)과 돌출부 원위 단부(67) 사이의 최단 거리는 로딩 기판 거리(L)이고, 이것은 도 5 에 도시된다. 돌출부 원위 단부(67)는 지지 평면(64)으로부터 로딩 기판 거리(L) 만큼 이격된다. 지지 평면(64)은 로딩 기판 거리(L) 만큼 돌출부 원위 단부(67) 위에 있다.
도 4 및 도 6 에서 도시되는 바와 같이, 가스 추출구(65)는 돌출부 원위 단부(67) 내에 제공된다. 가스 추출구(65)는 도 4 에 도시되는 가스 추출구 직경(D)을 가진다.
도 4 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 가스 추출구(65)는 평면에 있어서 실질적으로 원형이다. 그러나, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 가스 추출구(65)의 형상은 특정하게 제한되지 않는다. 예를 들어, 다른 실시예들에서, 가스 추출구(65)는 정방형, 직사각형 또는 다각형일 수 있다.
돌출부(66)가 가스 추출구(65) 주위에 제공된다. 돌출부(66)는 예를 들어 필라 또는 튜브라고 불릴 수 있다. 가스 추출구(65)는 프리-클램프 홀이라고 불릴 수 있다. 돌출부(66)는 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름을 제한하도록 구성된다. 돌출부(66)에 의해 제공되는 가스 흐름 제한은 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까울 경우에만 중요해진다. 돌출부(66)는 가스 추출구(65) 주위에 댐을 생성한다.
버얼 원위 단부(63)와 베이스면(61) 사이의 거리는 특별하게 제한되지 않는다. 단순히 일 예로서, 일 실시예에서 버얼 원위 단부(63)와 베이스면(61) 사이의 거리는 약 100 μm 내지 약 200 μm의 범위 내에 있으며, 예를 들어 약 150 μm이다.
가스 추출구 직경(D)은 특별하게 제한되지 않는다. 단순히 일 예로서, 일 실시예에서 가스 추출구 직경(D)은 약 200 μm 내지 약 500 μm의 범위 내에 있으며, 예를 들어 약 400 μm이다.
도 5 는 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 상대적으로 멀리 떨어져 있는 경우 기판(W)의 로딩 중의 상황을 도시한다. 도 5 에 도시되는 상황에서, 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름의 주된 제한 요소는 가스 추출구 직경(D)이다. 가스 추출구 직경(D)은 가스 추출구(65)를 통과하는 가스 유량에 대한 제한 인자일 수 있다.
도 6 은 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까워진 경우의 후속 상황을 도시한다. 일 실시예에서, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 절반보다 적다. 따라서, 도 6 에 도시되는 상황에서, 기판(W)과 돌출부 원위 단부(67) 사이의 갭이 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름에 대한 우세한 제한 요소이다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까워지면, 가스 추출구(65)를 통과하는 가스의 유량은 감소된다. 도 6 에 도시되는 상황에서, 가스 추출구 직경(D)은 더 이상 가스 추출구(65)를 통과하는 가스 유량의 제한 인자가 아니다. 그 대신에, 기판(W)과 돌출부 원위 단부(67) 사이의 갭이 가스 추출구(65)를 통과하는 가스 유량에 대한 제한 인자이다. 결과적으로, 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까운 경우, 가스 추출구(65)를 통과하는 가스 유량은 감소된다. 그러면 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 지역 내의 압력에 있어서의 감소율이 감소된다. 그러면 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 안착될 수 있다. 기판(W)은 지지 테이블(WT)에 상대적으로 완화되고 미끄러질 수 있다. 결과적으로, 기판(W)의 로딩 중에 기판(W)의 변형(예를 들어 중력에 기인함)이, 기판(W)이 지지 테이블(WT)과 접촉할 때에 안정화되고 이완되게 함으로써 감소될 수 있다.
돌출부(66)는 수동 흐름 제한기로서의 역할을 한다. 수동 흐름 제한기로서의 돌출부(66)의 영향은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 거리에 따라 달라진다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 멀리 있을 경우 돌출부(66)의 존재는 상대적으로 영향이 거의 없다. 따라서, 본 발명은 기판(W)이 안정화되도록 하는 것이 쓰루풋에 주는 영향을 감소시킬 것으로 기대된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까운 경우, 돌출부(66)는 가스 추출구(65)를 통한 흐름을 제한한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예는 기판(W)의 로딩 중에 가스를 추출하는 것이 오버레이에 미치는 영향을 감소시킬 것으로 기대된다.
돌출부(66)가 흐름 제한기로서 역할을 하게 하기 위해서, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 절반보다 적다. 로딩 기판 거리(L)가 가스 추출구 직경(D)의 절반보다 길면, 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까이 있어도 돌출부(66)는 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름을 충분히 제한하지 않는다.
본 발명의 일 실시예는, 그렇지 않았으면 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름이 감소하기 때문에 야기되었을 쓰루풋 감소를 방지하면서 개선된 오버레이를 획득할 것으로 기대된다.
지지 테이블(WT)에 돌출부(66)를 제공함으로써, 가스 추출구(65)를 통과하는 가스의 유량은 기판(W)의 로딩 중에 변한다. 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 길면 가스는 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출된다. 이러한 상황이 도 5 에 도시된다. 후속하여, 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스는 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출된다. 제 2 로딩 유량은 제 1 로딩 유량보다 적다. 이러한 상황이 도 6 에 도시된다. 돌출부(66)는 기판(W)의 로딩 중에 갭으로부터 추출되는 가스의 유량이 제 1 로딩 유량으로부터 제 2 로딩 유량으로 감소되게 한다. 임계 거리는 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭으로부터의 가스의 유량이 감소되는 거리이다. 예를 들어, 일 실시예에서 임계 거리는 돌출부(66)가 유량에 대한 제한 인자가 되는 거리이다. 임계 거리의 값은 특별하게 제한되지 않는다. 단순히 일 예로서, 일 실시예에서 임계 거리는 약 0.5mm 이하이거나 선택적으로 약 0.2mm 이하이다. 일 실시예에서, 임계 거리는 약 0.05mm 이상이거나 약 0.1mm 이상이다.
일 실시예에서, 가스 추출 시스템은 가스 추출 시스템의 저압 소스에서의 압력이 가스 추출 중에(즉 지지 테이블(WT) 상으로의 기판(W)의 로딩 중에) 실질적으로 일정하게 되도록 구성된다. 그러나, 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭으로부터 추출되는 가스의 유량은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 거리에 따라서 변동한다. 이것은, 돌출부(66)가 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 접근할 때에 유량이 감소되게 하기 때문이다.
그러나, 유량이 제 1 로딩 유량으로부터 제 2 로딩 유량까지 감소되게 하기 위해서 반드시 지지 테이블(WT)에 돌출부(66)가 제공되어야 하는 것은 아니다. 또는, 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 길 경우 제 1 로딩 유량을 구현하고 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 제 2 로딩 유량을 구현하기 위해서 다른 메커니즘이 사용될 수 있다.
예를 들어, 도 16 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 지지 테이블(WT)은 두 개의 그룹의 가스 추출구(65)를 포함한다. 지지 테이블(WT)은 적어도 하나의 가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81)을 포함한다. 지지 테이블(WT)은 적어도 하나의 가스 추출구(65)의 제 2 그룹(86)을 더 포함한다.
기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우, 가스 추출 시스템은 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 갭으로부터 제 1 그룹(81) 및 제 2 그룹(86)을 통해 가스를 추출하도록 구성된다. 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 가스는 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 충분히 멀리 있으면, 가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81) 및 제 2 그룹(86) 양자 모두가 가스를 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 갭으로부터 추출하기 위해서 사용된다.
일 실시예에서, 가스 추출 시스템은, 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 제 1 그룹(81)을 통해서 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하도록 구성된다. 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스는 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출된다. 제 2 로딩 유량은 제 1 로딩 유량보다 적다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까우면, 제 2 그룹(86)만이 갭으로부터 가스를 추출하기 위해 사용된다. 가스 추출구(65)를 통과하는 유량은 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까운 경우 감소된다.
따라서, 본 발명의 일 실시예는 기판(W)이 안정화되도록 하는 것이 쓰루풋에 주는 영향을 감소시킬 것으로 기대된다. 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까운 경우, 가스 추출구(65)를 통과하는 유량은 감소된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예는 기판(W)의 로딩 중에 가스를 추출하는 것이 오버레이에 미치는 영향을 감소시킬 것으로 기대된다.
본 발명의 일 실시예는, 그렇지 않았으면 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름이 영구적으로 감소하기 때문에 야기되었을 쓰루풋 감소를 방지하면서 개선된 오버레이를 획득할 것으로 기대된다.
일 실시예에서, 제 1 그룹(81)은 도 16 에 도시된 바와 같이 제 2 그룹(86)에 대해 반경 방향으로 내측에 있을 수 있다. 그러나, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 대안적인 실시예에서, 제 1 그룹(81)은 제 2 그룹(86)보다 반경 방향으로 외측에 있다. 추가적인 다른 실시예에서, 제 1 그룹(81)의 가스 추출구(65)는 제 2 그룹(86)의 가스 추출구(65) 사이에 있다.
가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81) 및 제 2 그룹(86)을 제공하는 것은 지지 테이블(WT)에 돌출부(65)를 제공하는 것에 대한 대안으로서 제공된다. 그러나, 일 실시예에서 이러한 피쳐들은 결합될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 지지 테이블(WT)은 돌출부(66)의 돌출부 원위 단부(67) 내에 제공되는 적어도 하나의 가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81)을 포함한다. 지지 테이블(WT)은 돌출부(66)의 돌출부 원위 단부(67) 내에 제공되는 적어도 하나의 가스 추출구(65)의 제 2 그룹(86)을 더 포함할 수 있다.
도 7 은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 테이블(WT)의 단면 부분을 도시한다. 도 7 에 도시된 바와 같이, 돌출부에는 가스 추출구(65)가 제공되지 않는다. 도 7 에 도시되는 실시예는 전술된 바와 같이 가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81) 및 제 2 그룹(86)을 제공하는 피쳐와 공동으로 사용될 수 있다. 따라서, 돌출부를 제공하지 않으면서 기판(W)의 로딩 중에 가스를 추출하는 것의 오버레이에 대한 영향을 감소시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예는, 지지 테이블(WT)을 제조하는 것을 더 어렵게 하지 않으면서 기판(W)의 로딩 중에 가스를 추출하는 것의 오버레이에 대한 영향을 감소시킬 것으로 기대된다. 추가적으로 또는 대안적으로, 후술되는 바와 같이, 일 실시예에서 돌출부 내에 제공되지 않는 가스 추출구(65)는 돌출부(66) 내에 제공되는 가스 추출구(65)를 제공하는 것과 결합될 수 있다.
도 8 및 도 9 는 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 로딩되고 있는 경우 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭으로부터 가스를 추출하는 것이 가져오는 가능한 효과를 개략적으로 도시한다. 도 8 에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 핀(82)에 의해 지지될 수 있다. 기판(W)을 지지 테이블(WT) 상으로 하강시키기 위해서, 핀(82)은 후속하여 지지 테이블(WT)을 통과하여 하강된다. 도 8 은 기판(W)이 중력 때문에 핀(82) 위에서 휘어지는 것을 보여준다.
도 9 는 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 클램플링될 때에 구겨지는 것을 보여준다. 기판(W)은 지지 테이블(WT) 상에 하강된 이후에 이완될 수 없기 때문에 구겨진다.
이에 반해, 본 발명의 실시예는 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 클램핑된 후에 기판의 1변경이 감소되게 할 것으로 기대된다. 이것은, 본 발명이, 기판(W)이 지지 테이블(WT)과 접촉한 이후에 안정화 또는 이완되게 하기 때문이다. 이것은, 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까운 경우, 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭으로부터 추출되는 가스의 유량이 크게 감소되기 때문이다.
도 10 및 도 11 은 지지 테이블(WT) 상으로 기판(W)이 로딩되는 동안 가스가 추출되지 않는 상황을 도시한다. 도 10 에 도시된 바와 같이, 기판(W)은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭 내의 가스에 의해 형성되는 에어 베어링 상에서 이완된다.
도 11 에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 지지 테이블(WT)과 접촉하면, 기판(W)은 이완 및 안정화될 수 있고, 따라서 기판(W)의 평평도에 변형이 생기는 것을 감소시킨다. 기판(W)이 이완되게 함으로써, 기판(W)은 평평해진다. 후속하여, 기판(W)은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭으로부터 가스를 추출함으로써 지지 테이블(WT)에 클램핑될 수 있다.
그러나, 도 10 및 도 11 에 도시되는 상황은 각각의 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 클램핑되기 위한 시간을 증가시킨다. 그러면 리소그래피 장치의 쓰루풋이 감소된다. 이에 반해, 본 발명의 일 실시예는 도 10 및 도 11 에 도시되는 상황에 비해서 쓰루풋이 증가되게 할 것으로 기대된다. 특히, 본 발명은 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 하강되고 있는 동안 갭으로부터 가스가 추출되게 한다. 그러면 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 클램핑될 수 있도록 압력을 감소시키는 시간이 감소된다. 본 발명은 갭으로부터 상대적으로 높은 유량으로 가스가 추출되는 동안 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 하강되게 한다. 그러면 기판(W)을 하강시키는 동안 갭으로부터의 감소된 가스 유량(가스 유량이 제로가 아니더라도)을 가지는 것을 수반하는 시스템과 비교할 때 쓰루풋이 향상된다.
가스가 기판(W)을 하강시키는 동안 갭으로부터 매우 낮은 유량으로 추출된다면, 클램핑되기 위해서 기판(W)이 얼마나 평평해야 하는지에 대한 바람직하지 않은 제한이 생길 수 있다. 어떤 기판(W)은 완전히 평평하지 않을 수 있다. 예를 들어, 일부 기판은 뒤틀리고 및/또는 보울(bowl) 형상을 가진다. 보울형 기판은 기판(W)의 로딩 중에 기판(W)의 외주연에서 더 높은 누설 흐름을 가진다. 클램핑 중에, 이러한 누설 흐름은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 갭 내의 압력을 원치 않게 증가시킨다. 적어도 어느 정도까지, 누설 흐름은 가스 추출구(65)를 통해 가스를 추출하는 것을 상쇄시킨다.
누설 유량이 가스 추출구(65)를 통과하는 유량 보다 높으면, 기판(W)은 클램핑될 수 없다. 이것은, 기판(W)이 너무 많이 뒤틀리면, 기판(W)이 클램핑될 수 없다는 것을 의미한다.
이에 반해, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)이 클램핑되려면 얼마나 평평해야 하는지에 대한 제한이 적다. 이것은 가스 추출구(65)를 통과하는 유량이 증가될 수 있기 때문이다. 이것은 여전히 기판(W)이 클램핑될 수 있게 하면서도 허용가능한 기판(W)의 뒤틀림의 정도가 더 커질 수 있다는 것을 의미한다.
전술된 바와 같이, 일 실시예에서 지지 테이블(WT)에는 적어도 하나의 돌출부(66)가 제공되고, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 절반보다 짧다. 일 실시예에서, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 사분의 일보다 짧다. 이것은 기판(W)이 지지 테이블(WT)과 접촉할 때 돌출부 원위 단부(67)와 기판(W) 사이의 면적이 가스 추출구(65)의 단면적보다 적다는 것을 의미한다. 도 12 는 쇄선으로 표시된 가스 추출구(65)의 관련된 단면적을 개략적으로 도시한다. 한편, 도 12 는 돌출부 원위 단부(67) 및 기판(W) 사이의 개략적으로 다른 관련된 영역을 역시 개략적으로 도시한다. 이것은 두 개의 점선으로 도시된다. 기판(W)과 돌출부(66) 사이의 면적은 πDL이라고 계산될 수 있다. 한편, 가스 추출구(65)의 단면적은 πD2/4 로 계산될 수 있다.
기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 압력을 감소시키기 위해서, 가스는 갭으로부터 가스 추출구(65)를 통해 추출된다. 가스는 도 12 에 표시된 영역들 양자 모두를 통과한다. 로딩 기판 거리(L)가 가스 추출구 직경(D)의 사분의 일보다 적게 함으로써, πDL < πD2/4 이 된다. 이것은 돌출부(66)와 기판(W) 사이의 면적이 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 충분히 가까운 경우 제한 인자가 된다는 것을 의미한다.
로딩 기판 거리(L)의 절대 값은 특별하게 제한되지 않는다. 단순히 일 예로서, 일 실시예에서 로딩 기판 거리(L)는 300 μm 미만이다.
로딩 기판 거리(L)가 가스 추출구 직경(D)의 사분의 일보다 짧게 함으로써, 제 2 가스 유량(기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까울 경우)은 제 1 로딩 유량(기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 이격된 경우)의 약 50%가 될 수 있다.
일 실시예에서, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 약 1/10 이하이다. 일 실시예에서, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 약 1/20 미만이다. 로딩 기판 거리(L)가 가스 추출구 직경(D)의 약 1/20 보다 짧게 함으로써, 제 2 로딩 유량(기판(W)이 지지 테이블(WT)에 가까울 경우)은 제 1 로딩 유량(기판(W)이 지지 테이블(WT)로부터 이격된 경우)의 약 10%가 될 수 있다.
도 13 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 각각의 돌출부(66)는 내면(87)을 포함한다. 내면(87)이 가스 추출구(65)를 규정한다. 일 실시예에서 각각의 돌출부(66)는 외면(88)을 포함한다. 외면(88)은 내면(87) 주위에 있다. 일 실시예에서 각각의 돌출부(66)는 상면(89)을 포함한다. 상면(89)은 내면(87)과 외면(88) 사이에서 연장된다. 상면(89)은 돌출부 원위 단부(67)에 있다. 일 실시예에서 내면(87)은 내부 에지(83)에서 상면(89)과 만난다.
도 12 에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 상면(89)은 지지 평면(64)과 실질적으로 평행하도록 구성된다. 그러나, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 도 13 에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 상면(89)은 만곡되거나 각이 져 있다.
도 14 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 상면(89)은 내면(87)으로부터 외면(88)을 향해 하향 방향으로 지지 평면(64)에 대해 경사지도록 구성된다.
일 실시예에서 내부 에지(83)에서의 곡률 반경은 최대가 약 50 μm이다. 내부 에지(83)에서의 곡률 반경이 최대 약 50 μm가 되게 함으로써, 내부 에지(83)는 가스 추출구(65)의 단면 영역의 외부 둘레를 나타내게 된다. 그렇지 않으면, 내부 에지(83)에서의 곡률 반경이 더 크다면, 가스 추출구(65)의 단면 영역의 유효 반경이 증가된다.
일 실시예에서 각각의 돌출부(66)는 버얼들(62) 사이의 피치 보다 적은 전체 폭을 가진다. 일 실시예에서 버얼들(62) 사이의 피치는 약 1.5 mm로부터 약 2.5 mm까지의 범위 내에 속한다. 일 실시예에서 돌출부(66)의 전체 폭은 약 2.5 mm보다 적거나, 약 1.5 mm보다 적다. 돌출부(66)의 전체 폭은 돌출부(66)의 일측에서의 외면(88)으로부터 돌출부(66)의 반대면에 있는 외면(88)까지의 거리에 대응한다. 돌출부(66)의 전체 폭은 가스 추출구 직경(D)과 가스 추출구(65)의 양측 모두에서의 돌출부(66)의 두께의 합에 대응한다.
일 실시예에서 돌출부(66) 중 적어도 하나는 베이스면(61)의 주변 에지보다 베이스면(61)의 중심에 더 가깝게 포지셔닝된다. 일 실시예에서 돌출부(66) 중 적어도 하나는 베이스면(61)의 중심보다 베이스면(61)의 주변 에지에 더 가깝게 포지셔닝된다. 예를 들어, 가스 추출구(65)의 추가 세트가 도 15 에 도시된 바와 같이 베이스면(61)의 에지에 더 가깝게 제공될 수 있다. 도 15 는 베이스면(61)의 중심에 더 가까운 일부 가스 추출구(65) 및 베이스면(61)의 주변 에지에 더 가까운 그 외의 가스 추출구(65)를 보여준다.
가스 추출구(65)가 베이스면(61)의 주변 에지에 더 가까워지게 함으로써, 본 발명의 일 실시예는 높은 뒤틀림 정도를 가지는 기판(W)을 클램핑할 수 있을 것으로 기대된다. 전술된 바와 같이, 기판(W)이 충분히 뒤틀리면(예를 들어 보울형 기판(W)), 기판(W)이 베이스면(61)의 중심에 더 가까운 가스 추출구(65)에 근접할 경우에, 기판(W)이 클램핑되기에는 기판(W)의 주변 에지에서의 누설 흐름이 너무 높아질 수 있다. 베이스면(61)의 주변 에지를 향해 추가적인 가스 추출구(65)를 제공함으로써, 이러한 뒤틀린 기판(W)도 클램핑될 수 있다. 이것은, 기판(W)의 중심부가 베이스면의 중심에서의 가스 추출구(65)에 매우 가까워서 그들을 통과하는 가스 흐름이 낮아지는 경우에도, 기판(W)의 주변 에지는 여전히 추가적인 가스 추출구(65)로부터 멀리 떨어져 있기 때문이다. 이것은 베이스면(61)의 주변 에지에 더 가까운 추가적인 가스 추출구(65)를 통한 가스 흐름이 기판(W)을 클램핑할 만큼 충분히 높아질 수 있다는 것을 의미한다.
도 15 에 도시된 바와 같이, 가스 추출구(65) 각각은 돌출부(66) 내에 제공될 수 있다. 그러나, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 일 실시예에서, 가스 추출구(65)에는 돌출부(66)가 제공되지 않는다. 대안적인 실시예에서, 베이스면(61)의 중심에 더 가까운 가스 추출구(65)에는 돌출부(66)가 제공되는 반면에 베이스면(61)의 주연부에 더 가까운 가스 추출구(65)에는 돌출부(66)가 제공되지 않는다.
전술된 바와 같이, 일 실시예에서, 지지 테이블(WT)에는 가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81) 및 가스 추출구(65)의 제 2 그룹(86)이 제공된다. 가스 추출 시스템은 제 1 그룹(81)을 통해 갭으로부터 제 1 개구 유량으로 가스를 추출하도록 구성된다. 제 1 개구 유량은 제 1 그룹(81) 내의 가스 추출구(65) 전부를 통과하는 가스를 결합한 총유량에 대응한다. 가스 추출 시스템은 제 2 그룹(86)을 통해 갭으로부터 제 2 개구 유량으로 가스를 추출하도록 구성된다. 제 2 개구 유량은 제 2 그룹(86) 내의 가스 추출구(65) 전부를 통과하는 가스를 결합한 총유량이다. 일 실시예에서, 제 1 개구 유량은 제 2 개구 유량보다 크다.
일 실시예에서, 제 1 그룹(81)에 대한 가스 추출 채널은 제 2 그룹(86)에 대한 가스 추출 채널과 상이한 진공 소스에 연결된다. 위에서 언급된 바와 같이, 일 실시예에서, 가스 추출 시스템은, 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 제 1 그룹(81)을 통해서 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하도록 구성된다. 가스 추출구(65)의 제 1 그룹(81)을 통한 흐름을 차단함으로써, 기판(W)이 지지 테이블(WT) 위에 놓인 경우 가스 흐름이 크게 감소될 수 있다. 각각의 개구를 통과하는 가스 유량을 더 높은 값으로부터 더 낮은 값으로 변경시키는 것보다 가스 추출구(65)의 세트를 통해 가스를 추출하는 것을 완전히 중단하는 것이 더 쉽다. 본 발명의 일 실시예는 가스 추출 시스템 및 지지 테이블(WT)을 포함하는 리소그래피 장치를 제조하는 것이 더 쉬워지게 할 것으로 기대된다.
도 17 에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 베이스면(61)에는 가스 추출 시스템에 연결된 적어도 하나의 클램핑 개구(91)가 제공된다. 가스 추출 시스템은 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 의해 지지될 때 적어도 하나의 클램핑 개구(91)를 통해 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성된다. 클램핑 개구(91)가 베이스면(61) 내에 제공된다. 이것은 클램핑 개구가 돌출부(66)에 의해 둘러싸이지 않는다는 것을 의미한다. 따라서, 클램핑 개구(91)를 통과하는 가스 유량은 기판(W)과 지지 테이블(WT) 사이의 거리에 의해 실질적으로 영향받지 않는다.
돌출부(66)의 존재가 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 의해 지지될 때 클램핑 압력을 감소시킬 수 있는 것이 가능하다. 베이스면(61) 내에 클램핑 개구(91)를 제공함으로써, 기판(W)이 지지 테이블(WT)에 의해 지지될 때 클램핑 압력은 높아질 수 있다는 것이 보장될 수 있다.
도 18 에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 지지 테이블(WT)에는 적어도 하나의 가스 공급구(92) 및 기판(W)이 지지 테이블로부터 상승되고 있는 경우 상기 적어도 하나의 가스 공급구(92)를 통해 가스를 갭에 공급하도록 구성되는 가스 공급 시스템이 제공된다. 가스 공급 시스템은 노광 프로세스가 종료된 이후에 기판(W)을 언로딩하는 것을 돕는다. 일 실시예에서 각각의 가스 공급구(92)는 각각의 가스 추출구(65)와 별개이다. 이것은, 가스가 각각의 가스 채널을 통해 두 방향에서 흐를 수 있게 하는 방식으로 리소그래피 장치를 설계할 필요가 없다는 것을 의미한다. 그 대신에, 일부 개구는 가스 추출의 배타적인 용도를 위한 것이다. 이들은 가스 추출구(65)이다. 한편, 다른 개구가 가스의 공급을 위해서 배타적으로, 예를 들어 기판(W)이 언로딩되는 동안에 사용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 리소그래피 장치를 더 쉽게 제조하게 할 것으로 기대된다.
일 실시예에서 리소그래피 장치는 가스 추출 시스템을 제어하도록 구성되는 제어기(500)를 포함한다. 제어기(500)는 전술된 가스 유량에 변화가 생기게 한다. 예를 들어, 일 실시예에서 제어기(500)는, 기판(W)과 지지 평면(64) 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 제 1 그룹(81)을 통해서 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하도록 가스 추출 시스템을 제어하도록 구성된다.
도 19 는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 테이블(WT)의 단면을 도시한다. 도 19 에 도시되는 특징은 전술된 실시예들 중 임의의 것과 결합될 수 있다. 후술되는 설명은 주로 베이스면(61) 위로 돌출되는 돌출부(66)를 가지는 실시예에 관련된다. 그러나, 버퍼 볼륨(2)과 관련된 후술되는 특징은 돌출부(66)를 가지지 않는 실시예에도 적용될 수 있다.
돌출부 원위 단부(67)에는 가스 추출 시스템에 연결되는 가스 추출구(65)가 제공된다. 일 실시예에서 가스 추출 시스템은 버퍼 볼륨(2)을 포함한다. 도 19 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 버퍼 볼륨(2)은 지지 테이블(WT) 내에 하우징되는 챔버로서 형성된다. 그러나, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 도 23 에 도시되는 대안적인 실시예에서, 버퍼 볼륨(2)은 지지 테이블(WT)과 별개인 별개의 컴포넌트로서 형성된다.
버퍼 볼륨(2)은 가스 추출구(65)와 유체 소통 상태에 있다. 전술된 바와 같이, 지지 평면(64)(지지 테이블(WT)에 의해 지지될 때 기판(W)의 하단면이 일치되는 평면)과 돌출부 원위 단부(67) 사이의 거리는 로딩 기판 거리(L)(예를 들어 도 5 에 도시됨)라고 알려져 있다. 각각의 가스 추출구(65)는 가스 추출구 직경(D)이라고 알려진 직경을 가진다. 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 절반보다 짧다. 일 실시예에서, 로딩 기판 거리(L)는 가스 추출구 직경(D)의 사분의 일보다 짧다.
결과적으로, 가스 추출구(65)를 통해 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 갭으로부터 버퍼 볼륨(2) 내로 추출되는 가스의 유량은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉할 경우 감소된다. 이것은, 돌출부 원위 단부(67)와 기판(W) 사이의 갭이 가스 추출구(65)를 통과하는 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량에 대한 제한 인자가 되기 때문이다.
대안적인 실시예에서, 지지 테이블(WT)은 돌출부(66)를 포함하지 않는다. 이러한 실시예에서, 버얼(62)의 높이는 충분히 낮아서, 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉할 때, 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 짧은 거리가 갭으로부터 버퍼 볼륨(2) 내로 가는 유량에 대한 제한 인자가 되게 된다. 돌출부(66)가 제공되는지 제공되지 않는지와 무관하게, 베이스면(61)과 기판(W) 사이의 갭으로부터 버퍼 볼륨(2) 내로 추출된 가스의 유량이 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉할 때에 감소되도록, 지지 테이블(WT)이 크기결정되고 구성된다.
일 실시예에서 가스 추출 시스템은 저압 소스(5)를 포함한다. 저압 소스(5)는 버퍼 볼륨(2)과 유체 소통 상태에 있다. 저압 소스(5)는 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉되기 전후에 버퍼 볼륨(2)으로부터 실질적으로 일정한 유량으로 가스를 추출하도록 구성된다.
저압 소스(5)에서의 압력은 제어된다. 예를 들어, 일 실시예에서 제어기(500)는 저압 소스(5)에서의 압력을 제어하도록 구성된다. 일 실시예에서 저압 소스(5)에서의 압력은 적어도 20kPa(절대 압력)이다. 일 실시예에서 저압 소스(5)에서의 압력은 최대가 50kPa이다. 단순히 일 예로서, 저압 소스(5)에서의 압력은 약 40kPa인데, 이것은 대기압인 주변 압력보다 60kPa 낮다.
일 실시예에서 저압 소스(5)는 쵸크 유동을 통해 버퍼 볼륨(2)로부터 가스를 추출하도록 구성된다. 도 19 에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서 가스 추출 시스템은 버퍼 볼륨(2)과 저압 소스(5) 사이에 오리피스 제한부(4)를 포함한다. 오리피스 제한부(4)에 걸쳐서 쵸크 유동을 제공하는 것이 가능하다. 특히, 오리피스 제한부(4)의 일측에 있는 채널(3) 내의 압력이 저압 소스(5) 내의 압력보다 1적어도 1.92 배 더 크다면, 버퍼 볼륨(2)으로부터 저압 소스(5)까지 쵸크 유동이 존재한다.
저압 소스(5)에서의 압력이 40kPa인 예와 함께 고려하면, 오리피스 제한부(4)에 인접한 채널(3) 내의 압력이 77kPa보다 높으면, 오리피스 제한부(4)를 통과하는 유량은 채널(3) 내의 압력이 77kPa라면 같아 진다. 오리피스 제한부(4)에 인접한 채널(3) 내의 압력이 대기압과 77kPa 사이라면, 오리피스 제한부(4)에 걸쳐서 가스의 유량은 실질적으로 동일하다.
도 20 은 기판(W)의 로딩 시간과 버퍼 볼륨(2) 내로 향하는 가스의 유량(F) 사이의 관련성을 보여준다. 도 20 에서, X 축은 기판(W)의 로딩 시간을 나타낸다. Y 축은 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량을 나타낸다. 시간 t1은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉하는 시간에 대응한다. Y 축 상의 유량은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉하기 이전의 유량에 대한 퍼센티지로서 표시된다. 도 20 에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉하면 유량이 감소된다. 이것은, 돌출부 원위 단부(67)와 기판(W) 사이의 갭이 유량에 대한 제한 인자가 되기 때문이다. 도 20 은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉할 때 유량이 100%에서 50%로 감소되는 일 예를 보여준다.
도 21 은 기판(W)의 로딩 시간과 버퍼 볼륨(2) 내의 압력(P) 사이의 관련성을 보여준다. Y 축은 버퍼 볼륨(2) 내의 압력을 나타낸다. 도 21 에 도시된 바와 같이, 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉하면 압력은 감소하기 시작한다. 이것은, 버퍼 볼륨(2) 밖으로 나오는 유량이 실질적으로 일정하게 유지되는 반면에 버퍼 볼륨(2)으로 들어가는 유량이 감소되기 때문이다(도 20 에 도시된 바와 같이). 버퍼 볼륨(2) 내의 가스의 양이 감소하여, 버퍼 볼륨(2) 내의 압력이 감소된다.
버퍼 볼륨(2) 내의 압력이 감소되면, 버퍼 볼륨(2) 및 기판(W)과 지지 테이블(WT)의 베이스면(61) 사이의 갭 사이의 압력차가 증가한다. 압력차가 증가하면, 결과적으로 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량이 증가하기 시작한다. 이것이 100% 유량으로부터 50% 유량으로 초기에 하강한 이후에 유량이 증가하는 도 20 에 나타난다.
다음으로, 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량이 증가함에 따라, 버퍼 볼륨(2) 내의 압력의 감소 레이트가 감소된다. 이것이 시간이 지남에 따가 감소하는 압력 곡선을 평평하게 함으로써 도 21 에 도시된다. 이제, 버퍼 볼륨(2) 내로 들어가는 유량의 증가의 레이트가 도 20 의 곡선을 평평하게 함으로써 도시되는 것과 같이 시간이 지남에 따라서 감소된다.
일정 시간 후에, 버퍼 볼륨(2)내로의 가스의 유량이 정상 상태 값에 도달한다. 이와 유사하게, 버퍼 볼륨(2) 내의 압력도 정상 상태에 도달한다. 도 20 에 도시된 바와 같이, 시간 t2에서, 유량은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉되기 전과 실질적으로 동일해지도록 증가되었다. 이것은, 이러한 실시예에서 유량에 대한 정상 상태 값이 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉하기 이전의 유량과 실질적으로 동일하다는 것을 의미한다.
본 발명에 따르면, 유량은 정상 상태 값까지 다시 증가하기 전에 일시적으로 감소된다. 도 20 에 도시되는 예에서, 정상 상태 값은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉되기 이전의 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량과 동일하다. 그러나, 반드시 그래야 하는 것은 아니다. 도 22 에 도시된 바와 같이, 정상 상태 유량은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉되기 이전의 유량 보다 적을 수 있다.
도 20 에서, 시간 기간(T)은 유량이 정상 상태 값으로 복귀하는데 걸린 시간의 양을 나타낸다. 일 실시예에서 가스 추출 시스템은, 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉할 경우 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량이 초기 감소된 이후에, 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량이 정상 상태 값으로 복귀하는데 적어도 5ms, 또는 적어도 10ms, 또는 적어도 20ms가 걸리도록 구성된다. 5ms 또는 10ms 또는 20ms는 대략적으로 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 클램핑되기 위해 필요한 시간량일 수 있다. 기판(W)이 지지 테이블(WT) 상에 클램핑되는 중인 경우, 유량을 감소되는 것이 바람직하다. 그러면 기판(W)이 실제로 클램핑된 위치와 기판(W)의 클램핑의 타겟 위치 사이의 편차가 감소된다.
버퍼 볼륨(2)과 함께 돌출부(66)를 제공함으로써, 기판(W) 아래로부터의 가스의 유량은 일반적으로 높지만, 낮을 필요가 있는 경우에는 낮아진다. 본 발명의 일 실시예는 클램핑된 기판(W)의 위치의 편차를 감소시키면서 높은 쓰루풋을 달성할 것으로 기대된다.
일 실시예에서 가스 추출 시스템은, 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉할 경우 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량이 초기 감소된 이후에, 버퍼 볼륨(2) 내로의 가스의 유량이 정상 상태 값으로 복귀하는데 적어도 50ms, 또는 적어도 100ms가 걸리도록 구성된다.
도 20 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 정상 상태 값은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉되기 이전의 유량과 실질적으로 동일하다. 뒤틀린 기판(W)을 클램핑하기 위해서는 높은 정상 상태 값이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 기판(W)의 로딩과 기판(W)의 클램핑 양자 모두를 위하여 오직 하나의 추출 채널만이 필요하다. 본 발명의 일 실시예는 기판 테이블(WT)을 더 저렴하게 제조하게 할 것으로 기대된다.
도 22 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 정상 상태 흐름은 기판(W)이 아래로 지지 테이블(WT) 상에 접촉되기 이전의 유량보다 적다. 이것은, 시작 시의 흐름보다 더 낮은 흐름을 가지는 데에 아무런 문제가 없는 경우에 유용하다. 그러면 돌출부(66)를 설계하는 견실한 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 기판(W)의 존재를 검출하기 위해서 그리고 뒤틀린 기판(W)을 클램핑하기 위해 필요한 더 높은 흐름을 공급하기 위해서 돌출부(66)가 없는 제 2 추출 채널이 제공된다.
도 19 에서 도시되는 바와 같이, 일 실시예에서 버퍼 볼륨(2)과 오리피스 제한부(4) 사이에 채널(3)이 제공된다. 그러나, 채널(3)은 필수적인 것은 아니다. 일 실시예에서 채널(3)이 제공되지 않고, 버퍼 볼륨(2)에 인접하여(즉, 그 일단부에) 오리피스 제한부(4)가 제공된다. 채널(3)을 통과하는 가스의 흐름은 채널(3)이 긴 튜브의 일부인 경우 층류(laminar)일 수 있다. 튜빙의 상이한 조각들 사이에 연결부가 존재하는 경우 채널(3) 내에는 난류 흐름이 존재할 수 있다.
일 실시예에서 버퍼 볼륨(2)은 단일 챔버로서 제공된다. 일 실시예에서 버퍼 볼륨(2)은 튜빙(tubing), 예를 들어 특히 넓은 튜빙에 의해 규정된다. 일 실시예에서 버퍼 볼륨(2)은 적어도 2ml, 선택적으로 적어도 5 ml, 선택적으로 적어도 10 ml, 선택적으로 적어도 20ml, 선택적으로 적어도 50ml 및 선택적으로 적어도 100ml의 볼륨을 가진다. 버퍼 볼륨(2)은 가스 추출구(65)와 저압 소스(5) 사이에 위치된다. 일 실시예에서 버퍼 볼륨(20)은 가스 추출구(65)의 전부에 부착된다. 대안적인 실시예에서, 각각 하나 이상의 가스 추출구(65)에 연결되는 복수 개의 버퍼 볼륨(2)이 존재한다.
전술된 예들 중 많은 것들이 액침 리소그래피 장치의 콘텍스트에서 설명된 바 있다. 그러나, 본 발명은 건식 리소그래피 장치에도 동일하게 적용가능하다. 이해될 수 있는 것처럼, 전술된 특징 중 임의의 것은 임의의 다른 특징과 함께 사용될 수 있고, 본 출원에서 다뤄지는 것은 명백하게 설명된 그러한 조합들에만 한정되는 것이 아니다.
이해될 수 있는 것처럼, 전술된 특징 중 임의의 것은 임의의 다른 특징과 함께 사용될 수 있고, 본 출원에서 다뤄지는 것은 명백하게 설명된 그러한 조합들에만 한정되는 것이 아니다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예는 도 3 의 실시예에도 적용될 수 있다. 더욱이, 비록 본 발명의 실시예가 편의상 액침 리소그래피 장치의 콘텍스트에서 설명된 바 있지만, 본 발명의 일 실시예가 임의의 형태의 리소그래피 장치와 공동으로 사용될 수도 있다는 것이 이해될 것이다.
당업자는, 이러한 다른 응용예의 문맥에서, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 기판은, 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트 층을 기판에 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 계측 툴 및/또는 검사 툴에서, 노광 전 또는 노광 후에 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 본 명세서에서의 개시물은 이러한 기판 처리 툴 및 다른 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수 있다.
본 실시예에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 자외선(UV) 방사선을 포함하는, 예를 들어 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm이거나 거의 그 값인 파장을 가지는 모든 타입의 전자기 방사선을 망라한다. 본 명세서에 사용된 "렌즈"라는 용어는, 문맥이 허용한다면, 굴절형 및 반사형 광학 컴포넌트를 포함하는 다양한 타입의 광학 컴포넌트 중 임의의 것 또는 조합을 가리킬 수 있다.
비록 본 발명의 특정한 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 위의 설명은 한정적인 것이 아니라 예시적인 의도로 제공된다. 따라서, 다음 진술되는 청구항의 범위로부터 벗어나지 않으면서, 설명된 바와 같은 본 발명에 변경이 이루어질 수 있다는 것이 당업자에게는 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 물리적 처리 장치를 위한 테이블로서,
    베이스면;
    상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼(burl)로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 대상물을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및
    상기 대상물이 상기 테이블 상으로 하강되고 있을 때 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는 적어도 하나의 가스 추출구를 포함하며,
    상기 테이블은, 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 길면 상기 갭으로부터의 가스의 추출이 제 1 로딩 유량으로 이루어지고 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 상기 임계 거리보다 짧으면 상기 갭으로부터의 가스의 추출이 제 2 로딩 유량으로 이루어지도록 구성되고, 상기 제 2 로딩 유량은 상기 제 1 로딩 유량보다 적은, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 테이블은,
    상기 베이스면 위로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부를 더 포함하고, 각각의 돌출부는 각각의 돌출부 원위 단부를 가지고, 상기 각각의 원위 단부는 지지 평면으로부터 로딩 대상물 거리(loaded object distance)로 이격되는, 적어도 하나의 돌출부를 포함하고,
    각각의 돌출부 원위 단부에는 상기 적어도 하나의 가스 추출구 중 하나의 가스 추출구가 제공되며, 상기 가스 추출구는 가스 추출구 직경을 가지고, 상기 로딩 대상물 거리는 상기 가스 추출구 직경의 절반보다 짧은, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  3. 물리적 처리 장치를 위한 테이블로서,
    베이스면;
    상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 대상물을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및
    상기 베이스면 위로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부로서, 각각의 돌출부는 상기 지지 평면으로부터 로딩 대상물 거리로 이격되는 각각의 돌출부 원위 단부를 가지는, 적어도 하나의 돌출부를 포함하며,
    각각의 돌출부 원위 단부에는, 상기 대상물이 테이블 상으로 하강되고 있을 때 상기 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는 가스 추출구가 제공되고, 상기 각각의 가스 추출구는 가스 추출구 직경을 가지며, 상기 로딩 대상물 거리는 상기 가스 추출구 직경의 절반보다 짧은, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 로딩 대상물 거리는 상기 가스 추출구 직경의 사분의 일보다 짧은, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 추출구와 유체 소통하는 버퍼 볼륨으로서, 상기 테이블은, 상기 대상물이 아래로 상기 테이블 상에 접촉할 경우, 상기 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 상기 가스 추출구를 통해 상기 버퍼 볼륨 내로 추출되는 가스의 유량이 감소되도록, 크기가 결정되고 배열되는, 버퍼 볼륨; 및
    상기 버퍼 볼륨과 유체 소통하며, 상기 대상물이 아래로 상기 테이블 상에 접촉하기 전후에 상기 버퍼 볼륨으로부터 실질적으로 으로 일정한 유량으로 가스를 추출하도록 구성되는 저압 소스를 더 포함하는, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 저압 소스는 상기 버퍼 볼륨으로부터 쵸크 유동(choked flow)을 통해 가스를 추출하도록 구성되는, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 대상물이 아래로 테이블 상에 접촉할 경우 상기 버퍼 볼륨 내로의 가스의 유량이 초기 감소된 이후에, 상기 버퍼 볼륨 내로의 가스의 유량이 정상 상태 값으로 복귀하는데 적어도 20ms가 걸리도록 구성되는, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 가스 추출구는 적어도 하나의 가스 추출구의 제 1 그룹 및 적어도 하나의 가스 추출구의 제 2 그룹을 포함하고,
    상기 테이블은, 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 상기 제 1 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하도록 구성되는, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  9. 물리적 처리 장치를 위한 테이블로서,
    베이스면;
    상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 대상물을 지지하도록 지지 평면 내에 배치되는, 복수 개의 버얼;
    적어도 하나의 가스 추출구의 제 1 그룹; 및
    적어도 하나의 가스 추출구의 제 2 그룹을 포함하며,
    상기 제 1 그룹과 제 2 그룹은:
    상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 가스가 상기 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출되게 하도록, 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 상기 제 1 그룹 및 제 2 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하고,
    상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스가 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출되게 하도록, 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 상기 제 1 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하도록, 별개로 제어가능하며,
    상기 제 2 로딩 유량은 상기 제 1 로딩 유량보다 적은, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 테이블은, 상기 제 1 그룹을 통해 상기 갭으로부터 제 1 개구 유량으로 가스를 추출하도록, 그리고 상기 제 2 그룹을 통해 상기 갭으로부터 제 2 개구 유량으로 가스를 추출하도록 구성되고,
    상기 제 1 개구 유량은 상기 제 2 개구 유량보다 큰, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  11. 제 1 항 내지 제 4 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 테이블은, 상기 대상물이 상기 테이블로부터 상승되고 있는 경우 가스를 상기 갭으로 공급하도록 구성되는 적어도 하나의 가스 공급구를 더 포함하고,
    각각의 가스 공급구는 각각의 가스 추출구와 별개인, 물리적 처리 장치를 위한 테이블.
  12. 물리적 처리 장치를 위한 테이블 상에 대상물을 로딩하는 방법으로서,
    상기 테이블은,
    베이스면;
    상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 대상물을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및
    상기 대상물이 상기 테이블 상으로 하강되고 있을 때 상기 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는 적어도 하나의 가스 추출구를 포함하며,
    상기 방법은,
    대상물을 상기 테이블을 향해 하강시키는 단계;
    상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 상기 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 가스를 추출하는 단계; 및
    상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 상기 임계 거리보다 짧은 경우 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 가스를 추출하는 단계로서, 상기 제 2 로딩 유량은 제 1 로딩 유량보다 적은, 단계를 포함하는, 대상물 로딩 방법.
  13. 물리적 처리 장치를 위한 테이블 상에 대상물을 로딩하는 방법으로서,
    상기 테이블은,
    베이스면;
    상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 대상물을 지지하도록 지지 평면에 배치되는, 복수 개의 버얼; 및
    상기 베이스면 위로 돌출되는 적어도 하나의 돌출부로서, 각각의 돌출부는 상기 지지 평면으로부터 로딩 대상물 거리로 이격되는 각각의 돌출부 원위 단부를 가지는, 적어도 하나의 돌출부를 포함하고,
    각각의 돌출부 원위 단부에는 상기 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 가스를 추출하도록 구성되는 가스 추출구가 제공되고, 각각의 가스 추출구는 가스 추출구 직경을 가지며, 상기 로딩 대상물 거리는 상기 가스 추출구 직경의 절반보다 짧고,
    상기 방법은,
    대상물을 상기 테이블을 향해 하강시키는 단계; 및
    상기 대상물이 테이블 상에 하강되고 있을 때 각각의 가스 추출구를 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 단계를 포함하는, 대상물 로딩 방법.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 가스 추출구를 통해 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 버퍼 볼륨 내로 추출되는 가스의 유량은 상기 대상물이 아래로 상기 테이블 상에 접촉할 경우 감소하고,
    가스는 상기 대상물이 아래로 상기 테이블 상에 접촉하기 전후에 상기 버퍼 볼륨으로부터 실질적으로 일정한 유량으로 추출되는, 대상물 로딩 방법.
  15. 물리적 처리 장치를 위한 테이블 상에 대상물을 로딩하는 방법으로서,
    상기 테이블은,
    베이스면;
    상기 베이스면 위로 돌출되는 복수 개의 버얼로서, 복수 개의 버얼 각각은 각각의 버얼 원위 단부를 가지고, 상기 버얼 원위 단부는 상기 대상물을 지지하도록 지지 평면 내에 배치되는, 복수 개의 버얼;
    적어도 하나의 가스 추출구의 제 1 그룹; 및
    적어도 하나의 가스 추출구의 제 2 그룹을 포함하며,
    상기 방법은,
    대상물을 상기 테이블을 향해 하강시키는 단계;
    상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 가스가 상기 베이스면과 대상물 사이의 갭으로부터 제 1 로딩 유량으로 추출되도록, 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 긴 경우 상기 제 1 그룹 및 제 2 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 단계; 및
    상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 가스가 상기 갭으로부터 제 2 로딩 유량으로 추출되도록, 상기 대상물과 지지 평면 사이의 거리가 임계 거리보다 짧은 경우 상기 제 1 그룹을 통해 상기 갭으로부터 가스를 추출하는 것을 중단하는 단계를 포함하고,
    상기 제 2 로딩 유량은 상기 제 1 로딩 유량보다 적은, 대상물 로딩 방법.
KR1020177036449A 2015-06-11 2016-05-23 리소그래피 장치 및 기판을 로딩하는 방법 KR102051532B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15171545.5 2015-06-11
EP15171545 2015-06-11
PCT/EP2016/061587 WO2016198255A1 (en) 2015-06-11 2016-05-23 Lithographic apparatus and method for loading a substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180008756A KR20180008756A (ko) 2018-01-24
KR102051532B1 true KR102051532B1 (ko) 2019-12-03

Family

ID=53373351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177036449A KR102051532B1 (ko) 2015-06-11 2016-05-23 리소그래피 장치 및 기판을 로딩하는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US10353303B2 (ko)
JP (1) JP6495484B2 (ko)
KR (1) KR102051532B1 (ko)
CN (2) CN112255893A (ko)
NL (1) NL2016811A (ko)
TW (1) TWI590008B (ko)
WO (1) WO2016198255A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6495484B2 (ja) * 2015-06-11 2019-04-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び基板をロードするための方法
KR102355867B1 (ko) * 2017-06-06 2022-01-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 지지 테이블로부터 대상물을 언로딩하는 방법
JP7269351B2 (ja) * 2019-01-23 2023-05-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置で用いる基板ホルダ及びデバイス製造方法
US20220305601A1 (en) * 2019-06-19 2022-09-29 Lam Research Corporation Use of vacuum during transfer of substrates

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4561688A (en) 1982-09-08 1985-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Method of and apparatus for adsorbingly fixing a body
JP2007214336A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nikon Corp 保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法
WO2007116752A1 (ja) * 2006-04-05 2007-10-18 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、ステージ制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2010530636A (ja) * 2007-06-21 2010-09-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPH03102850A (ja) 1989-09-18 1991-04-30 Fujitsu Ltd ウェハホルダ
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6257564B1 (en) 1998-05-15 2001-07-10 Applied Materials, Inc Vacuum chuck having vacuum-nipples wafer support
JP2004140271A (ja) 2002-10-21 2004-05-13 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420298B1 (en) 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
EP1431825A1 (en) 2002-12-20 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and substrate holder
JP2004281765A (ja) 2003-03-17 2004-10-07 Canon Sales Co Inc 基板搬送具、基板搬送具への基板の着脱装置、基板搬送具への基板の着脱方法及び処理装置
KR101528089B1 (ko) * 2003-06-13 2015-06-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP2007116752A (ja) 2007-02-05 2007-05-10 Koden Electronics Co Ltd 複合化データの正しさを確認する方法
US20080316461A1 (en) 2007-06-21 2008-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
TW201009895A (en) 2008-08-11 2010-03-01 Nikon Corp Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
KR20160013916A (ko) * 2013-05-23 2016-02-05 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치
JP5909218B2 (ja) * 2013-09-13 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
EP3049869B1 (en) 2013-09-27 2017-11-08 ASML Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3210080B1 (en) 2014-10-23 2020-12-09 ASML Netherlands B.V. Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6495484B2 (ja) * 2015-06-11 2019-04-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び基板をロードするための方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4561688A (en) 1982-09-08 1985-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Method of and apparatus for adsorbingly fixing a body
JP2007214336A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nikon Corp 保持装置、保持方法、ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法
WO2007116752A1 (ja) * 2006-04-05 2007-10-18 Nikon Corporation ステージ装置、露光装置、ステージ制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2010530636A (ja) * 2007-06-21 2010-09-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クランプデバイスおよびオブジェクトロード方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190339627A1 (en) 2019-11-07
US10599053B2 (en) 2020-03-24
CN107743597B (zh) 2020-10-27
JP6495484B2 (ja) 2019-04-03
CN112255893A (zh) 2021-01-22
KR20180008756A (ko) 2018-01-24
WO2016198255A1 (en) 2016-12-15
US20180149983A1 (en) 2018-05-31
NL2016811A (en) 2016-12-12
TW201702759A (zh) 2017-01-16
US10353303B2 (en) 2019-07-16
TWI590008B (zh) 2017-07-01
JP2018518701A (ja) 2018-07-12
CN107743597A (zh) 2018-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230260820A1 (en) Lithographic apparatus, method for unloading a substrate and method for loading a substrate
US10599053B2 (en) Lithographic apparatus and method for loading a substrate
JP5286431B2 (ja) リソグラフィ装置
JP6244454B2 (ja) リソグラフィ装置のための支持テーブル、リソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法
CN108292109B (zh) 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
US11898601B2 (en) Support table for a lithographic apparatus, method of loading a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10571810B2 (en) Substrate table, a lithographic apparatus and a method of operating a lithographic apparatus
US11385547B2 (en) Extraction body for lithographic apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant