KR102048553B1 - 전자기 오염 중화 조성물, 디바이스, 및 방법 - Google Patents

전자기 오염 중화 조성물, 디바이스, 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디바이스에 새겨진 적어도 하나의 와플러를 포함하는 신용 카트 형상의 디바이스와 같은 유형의 디바이스에 관한 것이다. 필름 또는 시트 형상의 하부 안정화 물질은 와플러 내에 배치된다. 이후에, 금과 같은, 나노스케일에서 강자성인 분말화된 형태의 나노스케일의 금속은 하부 안정화 필름 위에 첨가된다. 나노스케일의 강자성 분말은 나노스케일의 금속에 첨가되며, 상부 안정화 필름이 그 위에 배치된다. 이후에, 세라믹 분말은 조성물을 추가로 안정화시키기 위해 사용되며, 마지막으로, 모든 성분들은 와플러 내에서 시일링된다. 나노스케일의 금속은 원자층 증착을 이용하여 안정화 필름에 고정될 수 있다. 본 발명은 이의 방사선 내에 기본 입자의 스핀의 극성을 구성함으로써 복수의 전자 디바이스로부터 방출된 전자기 오염을 중화시키기 위해 사용된다.

Description

전자기 오염 중화 조성물, 디바이스, 및 방법
본 발명은 제공된 구역에 전자기 오염(electromagnetic contamination)의 효과를 중화시키는 조성물, 방법 및 디바이스에 관한 것으로서, 보다 특히, 인공 소스(artificial source)로부터 비-이온화 방사선(non-ionizing radiation)의 유해한 효과를 중화시키는 디바이스에 관한 것이다.
전자기 오염을 감소시키는 디바이스에 대한 여러 디자인이 과거에 설계되었다. 그러나, 이러한 디자인들이 단지 이러한 효과를 감소시키는 대신 전자기 오염의 효과를 완전히 중화시키는 능력을 포함하는 것은 아니다.
본 출원인은 관련된 문헌이 전자기 오염과 관련된 휴대전환 블루투스 쉴드(cell phone bluetooth shield), 개인 신체 쉴드(personal body shield), 하우스 쉴드(house shield), 및 노트북/전자레인지 쉴드(laptop/microwave shield)와 관련하여 www.swiftfire.org/rid-electromagnetic-radiation에서 확인되는 비-특허 간행물에 해당하는 것이라고 여긴다. 이러한 쉴드 및 당해 분야에 공지된 유사한 디바이스는 전자기 오염의 해로운 영향을 단지 감소시킬 수 있을 뿐, 완전히 중화시킬 수는 없다.
본 발명은 전자기 오염물(electromagnetic contaminant)의 입자를 제거하고 이의 조화로운 배열(harmonious arrangement)을 생성시켜, 이의 유해한 효과를 중화시키기 위한, 나노스케일에서의 강자성 물질의 신규하고 명백하지 않은 조합을 사용한다.
중화는 전자를 포함하는 기본 입자(element particle)의 스핀(spin)의 분극화(polarization)를 구성함(organizing)으로써 달성된다. 이의 궤도(trajectory)에 영향을 미치지 않으면서 기본 입자의 스핀을 구성하는 데 주의를 기울인다.
가장 밀접한 대상(subject matter)을 기술하는 다른 문헌들은 효율적이고 경제적인 방식으로 문제를 해결하지 못하는 다수의 다소 복잡한 특성을 제공한다. 이러한 간행물에는 본 발명의 신규한 특성이 제안되어 있지 않다.
본 발명의 주요 목적들 중 하나는 제공된 공간에서 전자기 오염의 효과를 중화시키는 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 정자기 또는 정전기 둘 모두의 존재를 감소시키고 이에 의해 전자 장비의 수명을 보존하고 인간 및 동물에 대한 전기적 충격 노출을 방지하는 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전기 소비를 최적화하는 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 요망되는 용도에 따라 복수의 디바이스와 협력하도록 조정될 수 있는 조성물을 포함하는 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 디바이스의 효율성을 유지하면서, 실행하고 유지하는 데 저가인 이러한 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 추가 목적은 본 명세서의 하기 부분에서 밝혀질 것이며, 여기서, 상세한 설명은 본 발명을 제한하지 않으면서 본 발명을 충분히 개시할 목적을 위한 것이다.
상기 및 다른 관련된 목적을 고려하여, 본 발명은 첨부된 도면과 함께 읽을 때, 하기 설명으로부터 더욱 충분히 이해되는 바와 같이, 부분의 구성 및 조합의 세부사항으로 이루어진다:
도 1은 3개의 와플러(waffler)(20)가 디바이스에 생성되고, 본 발명의 강자성 조성물 대상으로 균일하게 충전되어 있는, 본 발명의 상부 평면도(top plan view)를 도시한 것이다.
도 1a는 와플러에서 확인된 다양한 성분들을 도시한 와플러의 내측의 투시 전면 정면도(see-through front elevational view)를 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 충전된 와플러(20)가 라미네이팅 물질(90)을 사용하여 시일링된, 본 발명의 상부 평면도를 도시한 것이다.
도 3은 시일링 이전에 액체 형태의 분자 안정화 첨가제(100)가 각 와플러에 첨가된, 대안적인 실시형태를 예시한 것이다.
도 4는 더 많은 강자성 물질(60) 및 나노-스케일 금속(40;50)이 더 큰 용도와 협력하기 위한 디바이스에 첨가될 수 있도록 추가 와플러(20)가 사용된, 대안적인 실시형태의 예시이다.
도 5는 더 많은 강자성 물질(60) 및 나노-스케일 금속(40;50)이 더 큰 용도와 협력하기 위한 디바이스에 첨가될 수 있도록 추가 와플러(20)가 사용된, 대안적인 실시형태의 예시이다.
도 6은 더 많은 강자성 물질(60) 및 나노-스케일 금속(40;50)이 산업적 적용과 같은, 더 큰 용도와 협력하기 위한 디바이스에 첨가될 수 있도록 추가적인 와플러(20)가 사용된, 대안적인 실시형태의 예시이다.
도 7은 더 많은 강자성 물질(60) 및 나노-스케일 금속(40;50)이 산업적 적용과 같은, 더 큰 용도와 협력하기 위한 디바이스에 첨가될 수 있도록 추가적인 와플러(20)가 사용된, 대안적인 실시형태의 예시이다.
도 8은 전자기 오염을 방출시키는 복수의 디바이스를 도시한 이의 작동 환경에서의 본 발명(10)을 도시한 것이다.
본 발명이 일반적으로 부호(10)로 지칭되는, 도면을 참조하여, 기본적으로, 티탄, 세라믹 분말, 팔라듐 또는 유사한 물질과 같은 안정화 물질(30;70)과 조합할 때 강자성으로 안정한 성질을 갖는 조성물을 생성시키는 나노-스케일의 금속(40;50)을 포함하는 조성물을 포함하는 것이 관찰될 수 있다. 안정화 물질(30;70)과 조합되는 나노-스케일로 사용되는 금속(40;50)은 분말 형태의 금, 팔라듐, 및 티탄을 포함한다.
안정화 물질(30;70)은 필름/시트 형태의, 강화 실리콘 카르바이드를 갖는 알루미늄/리튬 조합물; 고밀도 폴리에탈린; 폴리프로펠린, 폴리카르보네이트; 또는 석영을 추가로 포함할 수 있다. 본 발명은 사전결정된 양의 나노-스케일의 상기 금속을 사용하여 서로에 대해 평행하고 이격된 2개의 안정화 물질(30;70) 시트를 포함한다.
본 발명을 형성시키기 위한 본 방법은 한 유형의 디바이스(tangible device) 내에 사전결정된 양의 와플러(waffler)(20)를 압입시키는(indenting) 것을 포함한다. 티탄과 같은 안정화 물질의 하부 시트(30)는 이후에, 와플러(20)들 중 하나 이상 내에 정위된다. 티탄과 같은 분말화된 형태의 나노스케일의 금속(40)들 중 하나는 하부 시트(30)를 가로질러 확산될 수 있다. 금과 같은 분말화된 형태의 제2 나노스케일의 금속(50)은 제1 나노스케일의 금속(40)과 혼합될 수 있다. 강자성 분말(60)은 디바이스의 효율성을 증가시키기 위해 분말화된 형태의 두 나노스케일의 금속(40;50) 모두와 유사하게 조합될 수 있다. 이후에, 안정화 필름의 상부 시트(70)는 분말화된 금속 위에 배치되어, 여기에서 이러한 금속들을 샌드위칭시킨다.
세라믹 분말(80)은 이후에, 안정화 물질로 제조된 상부 시트(70) 위에 확산된다. 상부 및 하부 시트(30;70)는 동일한 또는 상이한 안정화 물질로 제조될 수 있다. 마지막으로, 플라스틱 라미네이션 층은 유형의 디바이스(10) 내에 압입된 와플러(20) 내에 있는, 상부 시트, 분말화된 형태의 나노스케일의 금속(40;50) 및 하부 시트(30)에서 시일링하기 위해 사용된다.
바람직한 실시형태에서, 분말화된 형태의 나노스케일의 금속(40;50)의 각 입자는 40 내지 100 나노미터 범위의 직경을 갖는다. 최적의 직경은 97 나노미터이다.
나머지 와플러(20)는 이후에, 상술된 바와 동일한 방식으로 충전되며, 유형의 디바이스(10)는 이후에, 인공 소스로부터의 비-이온화 방사선을 포함하는 전자기 오염을 방출하는 품목(item)에 인접하여 배치된다. 일 실시형태에서, 각 와플러(20)는 사전결정된 직경을 갖는 실질적으로 원형 형상을 갖는다. 사전선택된 양의 조성물은 각 와플러 표면 1 밀리미터에 대해 0.0009 그램의 비율로 각 와플러(20)를 가로질러 균일하게 확산된다.
선택적으로, 액체 형태의 분자 보호 첨가제(100)는 도 3에 도시된 바와 같이 그 안에 조성물을 갖는 각 와플러(20)에 적용된다. 첨가제는 알칸티올 또는 테트라알킬 암모늄을 포함한다.
본 발명은 장비 와플러(20)와 함께 사용되는 나노스케일 금속(40;50)이 나노스케일일 때 강자성일 필요가 있다. 이의 본래 상태에서 강자성인 물질은, 이러한 것이 너무 강력하고 전자 디바이스로부터 방출된 기본 입자의 궤도를 변화시키는 자기장을 갖기 때문에, 안정화 물질(30;70)과 조합하여 사용된 금속으로서 작용하지 않을 것이다.
기본 입자는 광자, 양성자, 쿼크, 전자, 등을 포함한다. 전자 디바이스가 방사선(이러한 기본 입자의 전파로 알려짐)을 방출할 때, 이러한 방사선은 무질서화된 스핀(disorganized spin)을 갖는 기본 입자를 갖는다. 이러한 무질서화된 스핀은 살아 있는 유기체 및 전자 디바이스를 손상시키는 것이다.
이의 본래 상태에서 강자성인 물질은 이러한 기본 입자의 스핀을 구성할 수 있지만, 이의 본래 상태에서, 이러한 물질은 너무 강한 자기장을 가져서 방사선의 전체 궤도의 변화를 야기시키고, 이에 신호 손실, 통신 실패, 또는 이러한 방사선을 방출하는 전자 디바이스의 기능이 달성하려고 시도되는 것의 실패를 야기시킨다.
그러나, 물질이 나노스케일에서 강자성이고 본 발명의 신규하고 명백하지 않은 방식 대상으로 구성될 때, 물질은 방사선의 궤도, 및 이에 따라 방사선의 기능에 영향을 미치지 않으면서 기본 입자의 손상된 무질서화된 스핀을 여전히 구성할 수 있다. 나노스케일에서 강자성 성질을 갖도록 사용되는 분말화된 형태의 물질(40;50)은 나노스케일일 때 또한, 자발적으로 안정한 강자성 형태를 가져야 한다.
또한, 사용되는 물질은 높은 퀴리 온도(Courie temperature)를 견뎌내면서도 나노스케일일 때 이의 강자성 성질을 유지시킬 수 있어야 한다. 예를 들어, 금, 팔라듐, 및 티탄은 최대 대략 섭씨 544도의 퀴리 온도에서 나노스케일에서 이의 강자성 성질을 유지시킨다. 이러한 물질은 정전기(static)를 흡수하는 것이어야 한다. 스핀의 분극화를 구성하여 정전기를 감소시킨다.
바람직한 실시형태에서, 세라믹 분말(80)은 적어도 150 나노미터의 입자 직경을 갖는다. 강자성 분말(60)은 적어도 100 나노미터의 입자 직경을 갖는다. 상기에 개시된 나머지 안정화 물질 필름(30;70)은 적어도 1.5 마이크론의 두께를 갖는다. 필름 또는 시트의 두께는 의도된 용도에 따라 구성된다. 보다 큰 적용을 위하여, 더 두꺼운 안정화 필름 층들이 사용된다. 필름(30;70)에 분말화된 형태의 나노스케일 물질을 적용하기 위하여, 하기 방법들이 사용될 수 있다: 전착, 원자층 증착, 또는 물리적 증기 증착. 바람직한 방법은 원자층 증착이다.
상기 설명은 본 발명의 목적 및 장점의 최상의 이해를 제공한다. 상이한 실시형태는 본 발명의 혁신적인 개념으로 이루어질 수 있다. 본원에 개시된 모든 사항은 단지 예시적인 것으로서 해석되어야 하고 제한적인 의미로 해석되어서는 안되는 것으로 이해되어야 한다.
개시된 본 발명은 휴대 전화, 전자 레인지, 컴퓨터, 진단 디바이스, 제조 장비, 등을 포함하는, 전자기 오염을 방출시키는 디바이스와 관련된 전자기 오염을 감소시키고/시키거나 잠재적으로 제거하기 위해 산업에서 사용된다.

Claims (16)

  1. 표면을 갖는 유형의 디바이스(tangible device)로서,
    각각 상기 표면에 압입(indentation)을 만듦으로써 생성된 적어도 하나의 와플러(waffler);
    상기 적어도 하나의 와플러 각각에서의 안정화 필름;
    나노스케일 형태일 때 강자성 성질을 갖는 제1 나노스케일 물질로서, 상기 제1 나노스케일 물질은 상기 디바이스의 상기 표면 상의 상기 적어도 하나의 와플러에 적용되고, 상기 제1 나노스케일 물질은 분말화된 형태이고, 상기 제1 나노스케일 물질의 사전결정된 양이 상기 안정화 필름을 가로질러 확산되고, 상기 제1 나노스케일 물질이 금속인, 제1 나노스케일 물질;
    상기 제1 나노스케일 물질과 혼합된 강자성 분말; 및
    라미네이팅 물질을 포함하며,
    상기 제1 나노스케일 물질, 및 상기 강자성 분말은 상기 적어도 하나의 와플러 내에 있는, 유형의 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 복수의 와플러가 상기 유형의 디바이스 내에서 사용되는, 유형의 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 제2 나노스케일 물질이 상기 제1 나노스케일 물질 및 상기 강자성 분말과 혼합된, 유형의 디바이스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질 또는 제2 나노스케일 물질이 분말화된 형태의 금인, 유형의 디바이스.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질 또는 제2 나노스케일 물질이 분말화된 형태의 팔라듐인, 유형의 디바이스.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질 또는 제2 나노스케일 물질이 분말화된 형태의 티탄인, 유형의 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질이 40 내지 100 나노미터의 입자 직경을 갖는, 유형의 디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질이 97 나노미터의 입자 직경을 갖는, 유형의 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 안정화 필름이 강화 실리콘 카르바이드와 조합된 알루미늄/리튬, 고밀도 폴리에탈린, 폴리프로펠린, 폴리카르보네이트, 또는 석영으로부터의 물질로부터 제조된, 유형의 디바이스.
  10. 삭제
  11. 표면을 갖는 유형의 디바이스를 제작하는 방법으로서,
    a) 상기 유형의 디바이스를 사전결정된 치수로 절단하는 단계;
    b) 상기 유형의 디바이스 내에 압입을 만듦으로써 상기 유형의 디바이스의 표면 내에 사전결정된 직경 및 깊이의 적어도 하나의 와플러를 생성시키는 단계;
    c) 상기 적어도 하나의 와플러 내에 제1 안정화 필름을 배치시키는 단계;
    d) 상기 제1 안정화 필름의 상부 상에 나노스케일에서 강자성 성질을 갖는 사전결정된 양의 제1 나노스케일 물질을 적용하는 단계;
    e) 상기 제1 나노스케일 물질에 사전결정된 양의 강자성 물질을 적용하는 단계;
    f) 상기 제1 나노스케일 물질 및 상기 강자성 물질 위에 제2 안정화 필름을 정위시키는 단계;
    g) 상기 제2 안정화 필름 위에 사전결정된 양의 세라믹 분말을 적용하는 단계;
    h) 상기 제1 안정화 필름 및 제2 안정화 필름에서, 상기 제1 나노스케일 물질, 상기 세라믹 분말, 및 상기 강자성 물질을 각 와플러 내로 라미네이팅 물질을 사용하여 시일링하는 단계; 및
    i) 상기 유형의 디바이스를 전가기 오염의 중화가 요망되는 사용자 선택 구역(user selected area)에 배치시키는 단계를 포함하는, 유형의 디바이스를 제작하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 제2 나노스케일이 상기 제1 나노스케일 물질과 혼합된, 유형의 디바이스를 제작하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질 또는 제2 나노스케일 물질이 팔라듐인, 유형의 디바이스를 제작하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질 또는 제2 나노스케일 물질이 티탄인, 유형의 디바이스를 제작하는 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 제1 나노스케일 물질 또는 제2 나노스케일 물질이 금인, 유형의 디바이스를 제작하는 방법.
  16. 제11항에 있어서, 복수의 와플러가 상기 유형의 디바이스 내에서 사용되는, 유형의 디바이스를 제작하는 방법.
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