KR102041970B1 - 디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 디지타이저는 절연층, 상기 절연층 상에 형성되는 열확산 자성층 및 상기 열확산 자성층 상에 형성되는 금속 박막을 포함하고, 상기 열확산 자성층은 CNT, 그래핀 및 세라믹 입자 중 하나 이상의 방열 입자 및 Fe, Al, Si, Mn, Cr 중 하나 이상의 자성 입자를 포함한다.

Description

디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치{HEAT RADIATING SHEET INTEGRATED DIGITIZER AND DISPLAY DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 발명은 디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
최근 디스플레이 장치에 디지타이저를 적용하는 기술이 각광받고 있으며, 이러한 디지타이저는 디스플레이면과 인접하여 있는 구조로 방열 특성이 중요한 인자이다.
지금까지는 그라파이트를 점착층 사이에 개재하는 방법으로 방열 특성을 확보하고 있지만, 그라파이트는 유연성 및 가요성이 낮아 곡면이나, 말단 커브 처리되는 디스플레이 장치에서는 그라파이트가 깨지거나, 박리가 발생하는 등 불량의 원인이 된다.
따라서, 유연하면서도 방열 효과가 우수하고, 박리를 방지할 수 있어 내구성 및 신뢰성이 우수한 디지타이저가 필요하다.
또한, 다층 구조의 층 수를 줄여 공정성의 개선뿐만 아니라 디스플레이 장치의 박형화도 요구된다.
본 발명의 목적은 유연하면서도, 방열 효과, 박리 방지 효과가 우수한 디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 내구성 및 신뢰성이 우수한 디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 다층 구조의 층 수를 줄여 공정성의 개선뿐만 아니라 디스플레이 장치를 박형화할 수 있는 디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 디지타이저에 관한 것이다.
일 구체예에서, 상기 디지타이저는 절연층, 상기 절연층 상에 형성되는 열확산 자성층 및 상기 열확산 자성층 상에 형성되는 금속 박막을 포함하고, 상기 열확산 자성층은 CNT, 그래핀 및 세라믹 입자 중 하나 이상의 방열 입자 및 Fe, Al, Si, Mn, Cr 중 하나 이상의 자성 입자를 포함한다.
상기 세라믹 입자는 수산화알루미늄(Al(OH)3), 산화네오디뮴(Nd2O3), 탈크, 알루미나(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 보론 나이트라이드(BN) 및 실리카(SiO2) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 열확산 자성층은 열전도도가 0.5 W/m·K 내지 20 W/m·K일 수 있다.
상기 열확산 자성층은 접착력이 500gf/cm 내지 2,500gf/cm일 수 있다.
상기 열확산 자성층은 투자율이 100 μ' 내지 200 μ'이고, 성능계수가 4,000 내지 8,500일 수 있다.
상기 열확산 자성층은 두께가 10㎛ 내지 80㎛일 수 있다.
상기 금속 박막은 구리, 니켈, 은, 알루미늄, 금, 주석, 아연 및 망간 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속 박막은 두께가 5㎛ 내지 36㎛일 수 있다.
상기 디지타이저는 25℃ 에서의 굴곡탄성이 10mg 내지 40mg일 수 있다.
상기 열확산 자성층은 열확산 자성층 형성용 조성물로 형성되고, 상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 방열 입자 2 내지 20 중량% 및 자성 입자 50 내지 90 중량%를 포함할 수 있다.
상기 열확산 자성층은 방열 입자 및 자성 입자의 중량비가 1:45 내지 1:4일 수 있다.
상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 우레탄계 접착제 중 하나 이상을 열확산 자성층 조성물 중 10 내지 40 중량%로 포함할 수 있다.
상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 우레탄계 접착제를 포함하고, 상기 우레탄계 접착제는 열확산 자성층 조성물 중 우레탄 수지 5 내지 30 중량%, 에폭시 수지 1 내지 10 중량% 및 아크릴계 접착력 증진제 1 내지 10중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일 구체예에서, 상기 디스플레이 장치는 인쇄회로기판, 상기 인쇄회로기판 상에 형성되는 제1항의 디지타이저, 상기 디지타이저 상에 형성되는 디스플레이 패널 및 상기 디스플레이 패널 상에 형성되는 터치스크린 패널을 포함할 수 있다.
본 발명은 유연하면서도, 방열 효과, 박리 방지 효과, 내구성 및 신뢰성이 우수하고, 다층 구조의 층 수를 줄여 공정성의 개선뿐만 아니라 디스플레이 장치를 박형화할 수 있는 디지타이저 및 이를 포함하는 디스플레이 장치를 제공하는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 디지타이저의 단면을 간단히 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 디스플레이 장치의 단면을 간단히 도시한 것이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 구체예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 구체예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
단지, 여기서 소개되는 구체예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해 질 줄 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다.
전체적으로 도면 설명 시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 상부에 또는 하부에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 상부에 또는 하부에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다.
한편, 본 출원에서 서술되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, '포함하다' 또는 '가지다'등의 용어는 기술되는 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들의 조합한 것에 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들의 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 범위를 나타내는 'X 내지 Y'는 'X 이상 Y 이하'를 의미한다.
본 명세서에서, 성능 계수는 단위 면적내에서 자화되는 특성을 결정하는 상수로 투자율 값에서 두께를 1로 치환하여 두께 변수를 제거한 값이다. 단위 면적내 자화 성능 구현 정도를 확인하는데 사용된다.
디지타이저
도 1을 참고하여 본 발명의 일 구체예에 따른 디지타이저를 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 구체예에 따른 디지타이저의 단면을 간단히 도시한 것이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 구체예에 따른 디지타이저(100)는 절연층(10), 상기 절연층(10) 상에 형성되는 열확산 자성층(20) 및 상기 열확산 자성층(20) 상에 형성되는 금속 박막(30)을 포함하고, 상기 열확산 자성층(20)은 CNT, 그래핀 및 세라믹 입자 중 하나 이상의 방열 입자 및 Fe, Al, Si, Mn, Cr 중 하나 이상의 자성 입자를 포함한다.
상기 방열 입자는 CNT, 그래핀 및 세라믹 입자 중 하나 이상을 포함한다.
상기 CNT 및 그래핀은 방열에 효과가 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다.
상기 세라믹 입자는 수산화알루미늄(Al(OH)3), 산화네오디뮴(Nd2O3), 탈크, 알루미나(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 보론 나이트라이드(BN) 및 실리카(SiO2) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 세라믹 입자는 입경(D50)이 0.1㎛ 내지 20㎛, 구체적으로 3㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 상기 입경 범위에서, 접착력과 방열 효과의 밸런스가 우수하다.
상기 자성 입자는 Fe, Al, Si, Mn, Cr 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
절연층(10)은 하부에 배치될 수 있는 회로기판과 절연성을 유지하는 역할을 할 수 있다.
상기 절연층(40)은 고분자 수지일 수 있으며, 당업계에서 통상적으로 사용되는 고분자 수지라면 제한하지 않고 사용할 수 있다. 구체적으로, 아크릴계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지, 셀룰로오스계 수지, 에폭시계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 실리콘계 수지, 페놀 수지, 알키드 수지, 멜라민 수지 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 이때, 고분자 수지의 수평균 분자량은 10,000 내지 300,000일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 절연층(300)은 내화학성, 내전압 특성, 내스크래치성 및 내마모성 면에서 폴리이미드계 수지를 사용할 수 있다.
열확산 자성층(20)은 디지타이저 패널의 역할을 하는 것과 동시에, 장치 내에서 발생하는 열을 방열하는 역할을 할 수 있다. 기존에는 금속층(또는 자성층), 방열층 및 이들 사이의 접착층이 별도로 형성되어 있어, 박형화를 구현하기 어려운 점이 있었고, 공정이 복잡한 문제가 있었으나, 본 발명의 열확산 자성층(20)은 이를 단일층으로 구성함으로써, 상기 문제점을 해결하였다.
구체적으로, 열확산 자성층(20)은 자성 입자를 포함하여 외부 자기장이 발생하면 얇은 전자기장이 만들어지고, 외부의 펜(미도시, 예를 들어 교류 자기장을 발생하는 초소형 안테나 코일을 구비함)과 특정 주파수를 이용하여 무선 통신을 주고 받을 수 있다. 상기 펜이 상기 열확산 자성층(10)에 근접하면 전자기 유도현상이 일어나면서 열확산 자성층(20)에 이미 형성된 전자기장에 변형이 발생하며, 이러한 자기장의 변형을 일측 모서리에 배치된 센서를 통해 감지함으로써 X, Y 좌표를 인식하고 펜의 동작을 인식할 수 있다.
또한, 열확산 자성층(20)은 열전도도가 우수한 방열 입자를 포함하여, 장치 내 부품에서 발생하는 열을 효율적으로 방열함으로써, 디스플레이 장치의 정확도, 내구성 및 신뢰성을 높일 수 있다.
상기 열확산 자성층(20)은 열전도도가 0.5 W/m·K 내지 20 W/m·K, 구체적으로 3 W/m·K 내지 5 W/m·K일 수 있다. 상기 열전도도 범위에서 디지타이저의 방열 효과가 우수하다.
상기 열확산 자성층(20)은 접착력(또는 박리강도)이 500gf/cm 내지 2,500gf/cm, 구체적으로 700gf/cm 내지 1,500gf/cm일 수 있다. 상기 범위에서, 열확산 자성층은 점착제 또는 접착제 필요 없이 절연층 및 금속 박막에 안정적으로 부착될 수 있고, 디스플레이 장치의 내구성 및 신뢰성이 우수하다.
상기 열확산 자성층(20)은 투자율이 100 μ' 내지 200 μ' 이고, 성능계수가 4,000 내지 8,500일 수 있다. 상기 범위에서, 디지타이저의 정확도가 높은 장점이 있다.
상기 열확산 자성층(20)은 열확산 자성층 형성용 조성물로 형성되고, 상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 방열 입자 2 내지 20 중량%, 구체적으로 5 내지 12 중량% 및 자성 입자 50 내지 90 중량%, 구체적으로 65 내지 84 중량%를 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 디지타이저의 정확도 및 방열 효과가 우수하다.
상기 열확산 자성층은 방열 입자 및 자성 입자의 중량비가 1:45 내지 1:4, 구체적으로 1:5 내지 1:30일 수 있다. 상기 중량비 범위에서, 디지타이저의 정확도 및 방열 효과가 모두 우수하다.
상기 열확산 자성층 조성물은 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 우레탄계 접착제 중 하나 이상을 열확산 자성층 조성물 중 10 내지 40 중량%로 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 디지타이저는 방열 효과와 접착력의 밸런스가 우수하다.
상기 열확산 자성층 조성물은 우레탄계 접착제를 포함하고, 상기 우레탄계 접착제는 열확산 자성층 조성물 중 우레탄 수지(폴리올 + TDI) 5 내지 30 중량%, 에폭시 수지 1 내지 10 중량% 및 아크릴계 접착력 증진제 1 내지 10중량%를 포함할 수 있다. 상기 범위에서, 열확산 자성층은 방열 효과와 점착력의 밸런스가 우수하다.
상기 에폭시 수지는 YD-128, YD-134, YD014, 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 열확산 자성층(20)은 두께가 10㎛ 내지 80㎛, 구체적으로 25㎛ 내지 60㎛일 수 있다. 상기 범위에서, 디지타이저의 방열 특성 저하 없이 박형화를 구현할 수 있다.
상기 금속 박막(30)은 구리, 니켈, 은, 알루미늄, 금, 주석, 아연 및 망간 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 금속 박막은 포일 형태로써 열확산 필름 상에 부착될 수 있다. 또는, 상기 금속 박막은 열확산 필름 상에 스퍼터링 방법으로 형성할 수 있다.
상기 금속 박막(30)은 우수한 열전도 및 전자파 차폐 특성면에서, 구리 박막을 적용할 수 있다.
상기 금속 박막(30)은 두께가 5㎛ 내지 36㎛, 구체적으로 8㎛ 내지 25㎛, 더욱 구체적으로 12㎛ 내지 20㎛일 수 있다. 이 경우, 디지타이저의 방열 효과와 박형화의 균형이 우수하다.
상기 디지타이저는 25℃ 에서의 굴곡탄성이 10mg 내지 40mg, 구체적으로 20mg 내지 30mg일 수 있다. 상기 범위에서, 디지타이저를 곡면 또는 말단이 커브 처리된 디스플레이 장치에 사용하더라도 깨짐 또는 박리 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 디지타이저는 절연층 상에 열확산 자성층 형성용 조성물을 도포하고, 110℃ 내지 150℃에서 1분 내지 3분 동안 건조 및/또는 경화하여 열확산 자성층을 형성하고, 금속 박막을 접착하는 방법으로 제조할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
디스플레이 장치
본 발명의 다른 관점은 디스플레이 장치에 관한 것이다. 도 2를 참고하여 본 발명의 일 구체예에 따른 디스플레이 장치를 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 구체예에 따른 디스플레이 장치의 단면을 간단히 도시한 것이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 일 구체예에 따른 디스플레이 장치(1000)는 인쇄회로기판(200), 상기 인쇄회로기판(200) 상에 형성되는 상기 디지타이저(100), 상기 디지타이저(100) 상에 형성되는 디스플레이 패널(300) 및 상기 디스플레이 패널(300) 상에 형성되는 터치스크린 패널(400)을 포함할 수 있다.
상기 인쇄회로기판(200)은 디스플레이 장치를 구동할 수 있는 메인 회로기판이며, 접착층을 매개로 디지타이저(100)에 적층될 수 있다.
상기 디스플레이 패널(300)은 디스플레이 장치 사용자와 인터페이스 역할을 하도록 LCD, LED, OLED 또는 AMOLED 타입을 적용할 수 있고, 상기 디스플레이 패널(300) 상에 터치스크린 패널(400)이 배치될 수 있다. 상기 터치스크린 패널(400)은 상기 디스플레이 패널(300) 상에 온셀(On-Cell) 방식으로 구현될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
실시예 1
절연층(두께: 12.5㎛) 상에 열확산 자성층 형성용 조성물을 도포 후, B-stage 상태로 건조 및/또는 경화하여 열확산 자성층(두께: 40㎛)을 형성한 후 금속 박막(Cu, 12㎛) 포일을 접착하는 방법으로 디지타이저를 제조하였다. 상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 자성입자(Fe-Al-Si, D-90 100㎛)가 65중량%, 방열입자(SiO2, 3㎛, BN, 10㎛)가 10 중량%, 우례탄 수지(폴리올 + TDI 한화첨단소재)가 18 중량%, 에폭시 수지(YD128, 국도화학) 5 중량%, 아크릴계 접착력 증진제(CS-60, CSC) 2중량% 포함하는 조성물을 사용하였다.
비교예 1
절연층 상에 25㎛ 두께의 Fe합금(성분)의 금속층을 형성하고, 에폭시계 점착제를 매개로 그라파이트(두께: 17㎛)를 적층한 후, 에폭시계 점착제를 매개로 금속 박막(Cu, 12㎛) 포일을 접착하여 디지타이저를 제조하였다. 금속층, 그라파이트 및 두 점착층의 총 두께는 37㎛ 였다.
물성 평가 방법
(1) 25℃에서의 굴곡탄성(단위: mg): 실시예 1 및 비교예 1의 디지타이저를 1cm x 15cm로 제단한 후 루푸형상으로 벤딩하여 반탄성 측정기에 10mm 거리에서의 굴곡탄성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(2) 최고 온도(℃): 디지타이저 제작 후 열원을 동일 포인트에 위치 후 10분 후 디지타이저 표면의 온도 변화를 열화상 카메라로 측정하였다.
(3) 접착력(kgf/cm): 실시예 1에서 금속층 및 금속 박막에 대한 열확산 점착필름의 접착력 및 비교예 1에서 금속층 및 금속 박막에 대한 그라파이트의 접착력을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 측정 방법은 FCCL Cu면에 Hot Press(160℃, 45kgf/cm2, 60분)후 1cm x 15cm로 제단하여 90° 각도 50mm/min 속도로 당겨 접착력을 측정하였다.
굴곡탄성(25℃) 최고 온도 접착력
실시예 1 25mg 66.8℃ 금속층에 대한 접착력:
0.7kgf/cm
금속 박막에 대한 접착력:
1.2kgf/cm
비교예 1 36mg 68.1℃ 금속층에 대한 접착력:
0.7kgf/cm
금속 박막에 대한 접착력:
2.0 kgf/cm
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명의 열확산 자성층을 적용한 실시예 1은 방열 효과 및 접착력의 저하 없이 25℃에서의 굴곡탄성률이 낮으므로 곡면이나, 말단 커브 처리되는 디스플레이 장치에 적용하여도, 박리가 발생하지 않고 내구성 및 신뢰성이 우수하고, 박형화를 구현할 수 있으며 공정도 단순한 것을 알 수 있다.
반면에 금속층 및 그라파이트를 두 층의 점착제와 함께 적층한 비교예 1은 굴곡탄성률이 높아 곡면 또는 말단 커브 처리된 디스플레이에 적용하는 경우, 그라파이트가 깨지거나 박리가 발생하는 문제가 있고, 두께도 두꺼운 단점이 있다.
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.
10: 절연층 20: 열확산 자성층
30: 금속 박막 100: 디지타이저
200: 인쇄회로기판 300: 디스플레이 패널
400: 터치스크린 패널 1000: 디스플레이 장치

Claims (14)

  1. 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되는 열확산 자성층; 및
    상기 열확산 자성층 상에 형성되는 금속 박막;을 포함하고,
    상기 열확산 자성층은 수산화알루미늄(Al(OH)3), 산화네오디뮴(Nd2O3), 탈크, 알루미나(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 보론 나이트라이드(BN) 및 실리카(SiO2) 중 하나 이상을 포함한 세라믹 입자를 포함하는 방열 입자; 및 Fe, Al, Si, Mn 및 Cr 중 하나 이상의 자성 입자를 포함하는 디지타이저.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방열 입자는 CNT 및 그래핀 중 하나 이상을 더 포함하는 디지타이저.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열확산 자성층은 열전도도가 0.5 W/m·K 내지 20 W/m·K인 디지타이저.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 열확산 자성층은 접착력이 500gf/cm 내지 2,500gf/cm인 디지타이저.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 열확산 자성층은 투자율이 100 μ' 내지 200 μ'이고, 성능계수가 4,000 내지 8,500인 디지타이저.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 열확산 자성층은 두께가 10㎛ 내지 80㎛인 디지타이저.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 금속 박막은 구리, 니켈, 은, 알루미늄, 금, 주석, 아연 및 망간 중 하나 이상을 포함하는 디지타이저.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속 박막은 두께가 5㎛ 내지 36㎛인 디지타이저.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 디지타이저는 25℃ 에서의 굴곡탄성이 10mg 내지 40mg인 디지타이저.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 열확산 자성층은 열확산 자성층 형성용 조성물로 형성되고,
    상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 방열 입자 2 내지 20 중량% 및 자성 입자 50 내지 90 중량%를 포함하는 디지타이저.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 열확산 자성층은 방열 입자 및 자성 입자의 중량비가 1:45 내지 1:4인 디지타이저.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 에폭시계 접착제, 아크릴계 접착제 및 우레탄계 접착제 중 하나 이상을 열확산 자성층 조성물 중 10 내지 40 중량%로 포함하는 디지타이저.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 열확산 자성층 형성용 조성물은 우레탄계 접착제를 포함하고, 상기 우레탄계 접착제는 열확산 자성층 조성물 중 우레탄 수지 5 내지 30 중량%, 에폭시 수지 1 내지 10 중량% 및 아크릴계 접착력 증진제 1 내지 10중량%를 포함하는 디지타이저.
  14. 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판 상에 형성되는 제1항의 디지타이저;
    상기 디지타이저 상에 형성되는 디스플레이 패널; 및
    상기 디스플레이 패널 상에 형성되는 터치스크린 패널;을 포함하는 디스플레이 장치.

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