KR102033909B1 - 다중 발라스터 모듈을 포함하는 플라즈마 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
챔버, 상기 챔버 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트, 상기 방전 전극 세트로 전력을 공급하기 위한 전원부 및 상기 방전 전극 세트 및 전원부 사이에 구비되는 발라스터 모듈을 포함하며, 상기 방전 전극 세트는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극 및 상기 제 1 방전 전극과 다른 극성을 가지며 y축 방향으로 이격되어 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극을 포함하며, 상기 복수개의 방전 전극 세트 각각은 x축 방향으로 서로 이격되어 마주보는 형태로 배치되며, 서로 마주보는 위치에 구비되는 방전 전극은 서로 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 금속이나 고분자의 표면을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마 이온을 이용하여 금속이나 고분자의 표면을 처리하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
기체 분자에 에너지가 가해지면 상기 기체 분자의 최외각 전자가 이탈하여 상기 기체 분자는 양전하를 갖는 이온과 자유전자로 나뉘어 진다. 상기 양전하를 갖는 이온과 자유전자들이 일정 밀도 이상으로 모여 있는 상태로서, 전체적으로 중성을 갖으며 높은 반응성을 갖는 상태를 플라즈마(Plasma)라고 한다.
이러한 높은 반응 에너지를 가진 플라즈마가 어떤 재료의 표면에 충돌하는 경우 상기 플라즈마가 가진 에너지가 충돌되는 재료의 표면에 전달될 수 있으며, 이를 이용하여 금속(Metal)이나 고분자(Polymer)의 세정 또는 표면 처리 등에 플라즈마가 적용될 수 있다.
이러한 플라즈마를 이용한 표면처리 장치에서는 아크(Arc) 방전이 발생하지 않고 글로우(Glow) 방전 영역에서 방전 공정이 이루어져야 한다. 플라즈마 처리 장치에서 아크가 발생되면 장치의 손상을 초래하고, 플라즈마 피처리 대상물이 손상될 수 있기 때문이다. 그러나 상기 플라즈마 처리 장치가 점차 대면적화 되어감에 따라, 방전 전류가 증가하여 아크 방전이 발생할 가능성이 높아지는 문제가 있다.
이에 본 발명에서는 대면적 플라즈마 처리 장치의 방전 전극들을 복수개의 방전 전극 세트로 분할하고, 상기 방전 전극 세트 각각에 발라스터 모듈을 구비하여 아크 방전 발생을 감소시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하고자 한다.
챔버, 상기 챔버 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트, 상기 방전 전극 세트로 전력을 공급하기 위한 전원부 및 상기 방전 전극 세트 및 전원부 사이에 구비되는 발라스터 모듈을 포함하며, 상기 방전 전극 세트는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극 및 상기 제 1 방전 전극과 다른 극성을 가지며 y축 방향으로 이격되어 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극을 포함하며, 상기 복수개의 방전 전극 세트 각각은 x축 방향으로 서로 이격되어 마주보는 형태로 배치되며, 서로 마주보는 위치에 구비되는 방전 전극은 서로 동일한 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
상기 발라스터 모듈은 발라스터 유닛을 포함할 수 있다.
상기 발라스터 유닛은 저항, 리액터 및 전자식 저항 소자 중 어느 하나로 구비될 수 있다.
상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부를 더 포함할 수 있다.
상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극은 길이, 폭 및 두께를 가지는 플레이트(plate)형태로 형성될 수 있다.
상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극에는 복수개의 홀(hole)이 구비될 수 있다.
상기 복수개의 방전 전극 세트 사이에는 피처리 대상물이 배치되는 공간이 구비될 수 있다.
상기 전원부는 직류 전원, 교류 전원 및 펄스 전원 중 어느 하나의 전원을 인가할 수 있다.
상기 발라스터 모듈은 상기 방전 전극 세트 사이에 흐르는 전류 밀도를 조절하는 발라스터 유닛, 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부, 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 대면적 플라즈마 처리 장치는 방전 처리 면적을 복수개의 방전 전극 세트로 분할하여, 상기 각각의 방전 전극 세트에 발라스터 모듈을 구비하여 아크 방전이 발생하는 것을 방지하고, 방전의 안정성 및 균일도를 유지시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 DC 방전 특성 곡선을 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발라스터 모듈의 구성을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 DC 방전 특성 곡선을 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발라스터 모듈의 구성을 나타낸 도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만을 도면에 예시하고 본문에는 이를 중심으로 설명한다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 상기 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어" 있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "집적 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)를 나타낸 도이며, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 개략적인 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)는 챔버(110), 상기 챔버(110) 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트(200), 상기 방전 전극 세트(200)로 전력을 공급하기 위한 전원부(300) 및 상기 방전 전극 세트(200) 사이에 흐르는 전류 밀도를 조절하기 위한 발라스터 모듈(400)을 포함할 수 있다.
도 1에서는 상기 챔버(110) 내부에 4개의 방전 전극 세트(200)가 구비된 것으로 도시하였으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 챔버 내에는 적어도 2개 이상의 방전 전극 세트(200)가 구비될 수 있다.
상기 각각의 방전 전극 세트(200)는 플라즈마를 유도하기 위한 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극(210) 및 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극(220)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)은 소정의 길이, 폭 및 두께를 가지는 플레이트(plate) 형태를 갖는다. 또한, 상기 플레이트(plate) 형태의 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)에는 복수개의 홀(hole)이 형성될 수 있다. 이하에서, 설명의 편의를 위하여 상기 제 1 방전 전극(210)의 두께 방향을 x축 방향, 상기 방전 전극의 폭 방향을 y축 방향, 상기 방전 전극의 길이 방향을 z축 방향이라 한다.
상기 방전 전극 세트(200) 내에서 상기 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)은 상기 y축 방향으로 서로 교대로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 각각의 방전 전극 세트(200) 내에 구비된 제 1 방전 전극(210)은 인접한 제 2 방전 전극(220)과 용량 결합된 플라즈마 방전을 유도할 수 있다.
상기 각각의 방전 전극 세트(200)는 상기 x축 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있으며, 상기 각각의 방전 전극 세트(200) 사이에는 플라즈마 피처리 대상물(500)이 각각 배치될 수 있다.
상기 챔버(110) 내부에는 플라즈마 방전을 위한 공간이 형성될 수 있다. 상기 챔버(110)는 상기 복수개의 방전 전극 세트(200)를 고정할 수 있는 고정 프레임(120), 상기 플라즈마 피처리 대상물(500)을 고정할 수 있는 지그(130), 상기 챔버(110) 내부로 플라즈마 공정에 필요한 불활성 기체 등을 주입할 수 있는 가스 주입부(140) 및 플라즈마 처리 후 잔여물을 외부로 배출하기 위한 가스 배출부(150)을 포함할 수 있다.
한편, 도 1에는 상기 챔버(110)가 육면체 구조로 도시되었으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 챔버(110)의 형태는 플라즈마 피처리 대상물(500)의 형태에 따라 변형이 가능하다.
상기 챔버(110) 내부에는 복수개의 방전 전극 세트(200)를 고정하기 위한 복수개의 고정 프레임(120)이 구비될 수 있다. 즉, 동일한 고정 프레임(120) 내에 구비된 각각의 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)들이 하나의 방전 전극 세트(200)를 구성한다고 볼 수 있다.
상기 고정 프레임(120)은 카세트 매거진 형태를 갖기 때문에, 사용자는 상기 복수개의 방전 전극들을 상기 고정 프레임(120)에 용이하게 탑재 또는 분리할 수 있다.
상기 각각의 고정 프레임(120) 사이에는 플라즈마 피처리 대상물(500)을 고정하기 위한 지그(130)가 구비될 수 있다.
도 2를 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 방전 전극 세트(200)와 전원부(300)의 연결 관계를 설명하도록 한다.
상기 전원부(300)는 상기 복수개의 방전 전극 세트(200)로 직류 전원, 교류 전원 또는 펄스 전원 등의 전력을 공급할 수 있다.
상기 방전 전극 세트(200)는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극(210) 및 상기 제 1 방전 전극(210)과 다른 극성을 갖는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극(220)을 포함할 수 있다.
상기 전원부(300)에서 공급되는 전력이 직류 전원인 경우, 상기 제 1 방전 전극(210) 및 제 2 방전 전극(220)에는 서로 다른 극성을 갖는 전원이 인가될 수 있다.
즉, 하나의 방전 전극 세트(200) 내에 존재하는 제 1 방전 전극(210) 및 상기 제 1 방전 전극(210)과 인접한 제 2 방전 전극(220) 사이에서 용량 결합된 플라즈마가 발생한다.
상기 각각의 방전 전극 세트(200)와 전원부(300) 사이에는 발라스터 모듈(400)이 구비될 수 있다. 상기 발라스터 모듈(400)은 각각의 방전 전극 세트(200) 당 하나의 발라스터 모듈(400)이 구비될 수 있다.
상기 발라스터 모듈(400)은 발라스터 유닛(410)으로 구성될 수 있다. 상기 발라스터 유닛(410)은 저항형 발라스터, 리액터형 발라스터 및 전자식 저항 발라스터 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 발라스터 유닛(410)은 방전 중 이상 현상을 억제시켜서, 방전이 안정적인 동작점에서 유지되도록 하는 기능을 할 수 있다. 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 상기 발라스터 유닛(410)을 상기 방전 전극 세트(200) 당 하나씩 구비함으로써 상기 방전 전극 세트(200) 각각을 개별적으로 제어할 수 있다.
즉, 단일 발라스터 유닛을 사용하는 경우 어느 하나의 방전 영역에 이상 형상이 발생하면 모든 방전 영역에 영향을 주지만, 방전 영역을 방전 전극 세트(200)로 나누고 각각 별개의 발라스터 유닛(410)을 사용하면 어느 하나의 방전 전극 세트(200)에서 이상 현상이 발생하더라도 나머지 방전 전극 세트(200)에서 발생하는 방전에 영향을 주지 않을 수 있다.
또한, 상기 발라스터 유닛(410)을 통하여 방전 영역을 각각의 방전 전극 세트(200)로 세분화하여 이상 현상에 대응하게 함으로써 방전 면적 증가에 의한 부담을 줄일 수 있다.
또한, 상기 발라스터 유닛(410)은 일단 방전이 시작되면 상기 방전 전극 세트(200)에 과전류가 흐르지 않도록 조절하는 역할을 할 수 있다.
상기 발라스터 모듈(400)은 상기 발라스터 유닛(410)만으로 구비될 수 있으며, 후술할 스위치부(420), 검출부(430) 및 제어부(430)를 더 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 DC 방전 특성 곡선을 나타낸 도이다.
상기 DC 방전 특성 곡선이란 상기 전원부에서 상기 방전 전극에 인가하는 전압(V)에 대한 방전 전류(I)의 변화를 나타낸 그래프이다. 즉, 상기 전원부(300)에서 인가하는 직류 전압(V)에 따라 상기 방전 전극 세트(200) 사이에 흐르는 방전 전류(I)의 변화를 나타낸 그래프이다.
상기 DC 방전 특성 곡선은 크게 타운젠트 영역(A~B), 글로우 방전 영역(B~E), 아크 방전 영역(E~F)으로 나뉠 수 있다.
상기 타운젠트 영역(A~B)은 상기 전원부(300)에서 상기 방전 전극 세트(200)에 인가하는 전압이 방전 개시 전압(Vf)보다 낮은 영역을 말하며, 이 영역에서 방전은 일어나지 않는다.
상기 전원부(300)에서 방전 개시 전압(Vf)보다 높은 전압을 인가하는 경우, 글로우 방전 영역(B~E)으로 진입하게 되는데, 글로우 방전 영역(B~E)은 방전이 일어나기 시작하고 전류(I)는 증가하나 전압은 급격히 떨어지는 영역(B~C), 실제로 방전이 일어나는 정상 글로우(normal glow)(C~D) 영역 및 전류(I)가 정상 방전 전류(In) 이상 증가하여 전압도 함께 증가하게 되는 비정상 글로우(abnormal glow)(D~E) 영역으로 나뉠 수 있다.
상기 비정상 글로우(abnormal glow)(D~E)영역에 진입하게 되면, 상기 방전 전극 세트(200)가 가열되어 열전자가 방출되기 시작한다. 그 결과 전압은 감소하고, 아크 방전 영역(E~F)으로 넘어가게 된다.
따라서 방전의 안정성을 위해서는 방전이 상기 정상 글로우(C~D) 영역에서만 일어나도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 비정상 글로우(D~E) 영역에 진입하지 않도록 하는 것이 중요한데, 이는 상기 방전 전극 세트(200)의 면적 및 발라스터 모듈(400)의 용량 등에 의해 결정될 수 있다.
종래 플라즈마 처리 장치의 경우, 방전 전극과 전원 공급 장치 사이에 안정기를 구비하여 아크 방전이 일어나는 것을 방지하였다. 그러나 플라즈마 처리 장치의 방전 면적이 점차 증가함에 따라 아크 방전 등의 이상 현상이 발생할 가능성이 점차 증가하는 문제가 발생하였다.
이에 본 발명에서는 플라즈마 처리 장치의 전체 방전 면적을 각각의 방전 전극 세트(200)로 분할하고, 상기 각각의 방전 전극 세트(200) 당 하나의 발라스터 모듈(400)을 구비하여 아크 방전 등의 이상 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 플라즈마 처리 장치(100)를 제공하고자 한다.
따라서 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(100)가 처리하는 면적은 종래 플라즈마 처리 장치와 동일하면서도, 종래 플라즈마 처리 장치에 비하여 안정된 방전이 일어날 수 있도록 한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발라스터 모듈(400)을 나타낸 도이다.
상기 발라스터 모듈(400)은 방전 중 이상 현상을 억제시켜서, 방전이 안정적인 동작점에서 유지되도록 하는 기능을 하는 발라스터 유닛(410)으로 구성되는 것을 포함하며, 바람직하게는 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부(300)를 연결하는 스위치부(420), 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부(430) 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부(440)를 각각 더 포함할 수 있다.
상기 스위치부(420)는 상기 제어부(440)의 제어 신호에 따라 상기 방전 전극 세트(200)와 전원부(300) 사이를 연결하는 역할을 할 수 있다.
상기 검출부(430)는 상기 발라스터 유닛(410)에 흐르는 전류 또는 전압과 같은 전기적 특성값을 측정하는 역할을 할 수 있다.
상기 제어부(440)는 상기 검출부(430)에서 측정한 상기 발라스터 유닛(410)에 흐르는 전류값과 기준 전류값을 비교하여, 측정된 전류값이 기준 전류값보다 큰 경우 상기 스위치부(420)에 off-신호를 인가하는 역할을 할 수 있다.
마찬가지로 상기 제어부(440)는 상기 검출부(430)에서 측정한 상기 발라스터 유닛(410)의 전압값과 기준 전압값을 비교하여, 측정된 전압값이 기준 전압값보다 큰 경우 상기 스위치부(420)에 off-신호를 인가하는 역할을 할 수도 있다.
즉, 상기 제어부(440)는 상기 발라스터 유닛(410)에 기준치보다 높은 전류가 흐르거나 높은 전압이 걸리는 경우, 전원부(300)의 전원 공급을 차단하여 장치의 손상을 미리 방지할 수 있다.
상기 기준 전류값 또는 기준 전압값은 사용자가 임의로 설정할 수 있다.
이상에서 설명된 다중 발라스터 모듈을 포함하는 플라즈마 처리 장치는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
100 : 플라즈마 처리 장치 110 : 챔버
200 : 방전 전극 세트 210 : 제 1 방전 전극
220 : 제 2 방전 전극 300 : 전원부
400 : 발라스터 모듈 410 : 발라스터 유닛
420 : 스위치부 430 : 검출부
440 : 제어부 500 : 피처리 대상물
200 : 방전 전극 세트 210 : 제 1 방전 전극
220 : 제 2 방전 전극 300 : 전원부
400 : 발라스터 모듈 410 : 발라스터 유닛
420 : 스위치부 430 : 검출부
440 : 제어부 500 : 피처리 대상물
Claims (10)
- 챔버;
상기 챔버 내에 구비되는 복수개의 방전 전극 세트;
상기 방전 전극 세트로 전력을 공급하기 위한 전원부; 및
상기 방전 전극 세트 및 전원부 사이에 구비되는 발라스터 모듈;을 포함하며,
상기 방전 전극 세트는 적어도 하나 이상의 제 1 방전 전극 및 상기 제 1 방전 전극과 다른 극성을 가지며 y축 방향으로 이격되어 배치되는 적어도 하나 이상의 제 2 방전 전극을 포함하며, 상기 복수개의 방전 전극 세트 각각은 x축 방향으로 서로 이격되어 마주보는 형태로 배치되며, 서로 마주보는 위치에 구비되는 방전 전극은 서로 동일한 극성을 갖고,
상기 제 1 방전 전극 및 상기 제 2 방전 전극에는 복수개의 홀(hole)이 형성되고,
상기 제1방전 전극 및 상기 제2방전 전극을 각각 고정하는 복수개의 고정 프레임을 포함하고,
각각의 상기 제1방전 전극 및 상기 제2방전 전극은 상기 고정 프레임에 슬라이딩 방식으로 탈착 가능하게 결합되고,
상기 복수개의 고정 프레임 각각은 상기 제1방전 전극 및 상기 제2방전 전극의 상기 홀이 형성되지 않은 테두리 영역에 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은 발라스터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 발라스터 유닛은 저항, 리액터 및 전자식 저항 소자 중 어느 하나로 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은 상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부 및 상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방전 전극 및 제 2 방전 전극은 길이, 폭 및 두께를 가지는 플레이트(plate)형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 방전 전극 세트 사이에는 피처리 대상물이 배치되는 공간이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전원부는 직류 전원, 교류 전원 및 펄스 전원 중 어느 하나의 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 발라스터 모듈은,
상기 방전 전극 세트 사이에 흐르는 전류 밀도를 조절하는 발라스터 유닛;
상기 발라스터 유닛과 상기 전원부를 연결하는 스위치부;
상기 발라스터 유닛에 흐르는 전력의 전기적 특성값을 측정하는 검출부; 및
상기 검출부에서 측정한 값과 기준값을 비교하여 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2013/010408 WO2014077623A1 (ko) | 2012-11-16 | 2013-11-15 | 다중 발라스터 모듈을 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120130252 | 2012-11-16 | ||
KR1020120130252 | 2012-11-16 | ||
KR20120140986 | 2012-12-06 | ||
KR1020120140986 | 2012-12-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140063354A KR20140063354A (ko) | 2014-05-27 |
KR102033909B1 true KR102033909B1 (ko) | 2019-10-18 |
Family
ID=50891381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130003580A KR102033909B1 (ko) | 2012-11-16 | 2013-01-11 | 다중 발라스터 모듈을 포함하는 플라즈마 처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102033909B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102295258B1 (ko) * | 2019-11-22 | 2021-08-31 | 주식회사 다원시스 | 대기압 플라즈마용 멀티형 전극 장치 |
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JP4895685B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-03-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4219705A (en) * | 1978-04-05 | 1980-08-26 | Hill Alan E | Sound production using large volume plasmas |
KR20040034262A (ko) * | 2002-10-21 | 2004-04-28 | 주식회사 다원시스 | 플라즈마 처리 장치에 사용되는 전류 제한기 |
-
2013
- 2013-01-11 KR KR1020130003580A patent/KR102033909B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140063354A (ko) | 2014-05-27 |
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