KR102031552B1 - 박막증착장치 - Google Patents

박막증착장치

Info

Publication number
KR102031552B1
KR102031552B1 KR1020170103584A KR20170103584A KR102031552B1 KR 102031552 B1 KR102031552 B1 KR 102031552B1 KR 1020170103584 A KR1020170103584 A KR 1020170103584A KR 20170103584 A KR20170103584 A KR 20170103584A KR 102031552 B1 KR102031552 B1 KR 102031552B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
substrate support
support
support pin
pin
Prior art date
Application number
KR1020170103584A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190018891A (ko
Inventor
김태윤
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020170103584A priority Critical patent/KR102031552B1/ko
Publication of KR20190018891A publication Critical patent/KR20190018891A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102031552B1 publication Critical patent/KR102031552B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices

Abstract

본 발명은 박막증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 박막증착장치는 기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내측에 구비되어 상기 기판에 대한 공정가스를 공급하는 가스공급부, 상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 미리 정해진 온도로 가열하는 히터를 구비한 기판지지부, 상기 기판지지부의 외곽에서 상기 기판의 가장자리를 지지하는 기판지지링 및 상기 기판지지부의 상면에 구비되어 상기 기판의 처짐을 방지하며, 상기 기판지지부가 열팽창하는 경우에도 상기 기판의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링에서 이격되지 않도록 하는 기판지지핀을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막증착장치 {Thin film deposition apparatus}
본 발명은 박막증착장치에 대한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, '기판'이라 한다) 상에 박막을 형성하기 위한 공정은 화학기상증착법(CVD, chemical vapor deposition), 플라즈마 화학기상증착법(PECVD, plasma enhanced chemical vapor deposition), 원자층증착법(ALD, atomic layer deposition) 등의 기술이 사용되고 있다.
이 경우, 기판을 기판지지부에 안착시키고 미리 결정된 온도로 가열시켜 공정을 진행하게 된다. 이때, 기판을 가열하게 되면 기판에 처짐 현상이 발생하게 되며, 이러한 처짐 현상을 방지하기 위하여 전술한 기판지지부의 상면에 복수개의 기판지지핀을 구비하게 된다.
그런데, 기판지지부에 의해 기판을 가열하게 되면 기판지지부가 열팽창을 하게 되며, 이 경우 기판지지부는 수평방향 및 수직방향으로 열팽창을 하게 된다. 상기 기판지지부가 수직방향으로 열팽창을 하게 되면 상기 기판지지부의 상면에 구비된 기판지지핀의 높이가 상승하게 된다. 상기 기판지지핀의 높이가 상승하게 되면 상기 기판지지핀에 의해 상기 기판을 지지하는 경우에 상기 기판의 가장자리가 기판지지링에서 이격될 수 있다.
이와 같이, 상기 기판의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링에서 이격되면 박막증착공정이 진행되는 중에 공정가스가 상기 기판의 하면과 기판지지부 사이로 유입되어 상기 기판의 하면에 증착이 이루어질 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판에 대한 증착 공정 중에 기판의 하면에 증착이 이루어지는 것을 방지할 수 있는 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 처짐을 방지하기 위하여 기판지지부의 상면에 기판지지핀을 구비하는 경우에 상기 기판지지부의 팽창에 의해 상기 기판지지핀에 의해 상기 기판의 가장자리가 기판지지링에서 떨어지지 않도록 하는 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 챔버 내측에 구비되어 상기 기판에 대한 공정가스를 공급하는 가스공급부, 상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 미리 정해진 온도로 가열하는 히터를 구비한 기판지지부, 상기 기판지지부의 외곽에서 상기 기판의 가장자리를 지지하는 기판지지링 및 상기 기판지지부의 상면에 구비되어 상기 기판의 처짐을 방지하며, 상기 기판지지부가 열팽창하는 경우에도 상기 기판의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링에서 이격되지 않도록 하는 기판지지핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 기판지지부의 상면에 복수개의 지지홀이 형성되고, 상기 기판지지핀은 상기 지지홀의 가장자리에 의해 지지될 수 있다.
또한, 상기 기판지지부의 상면에 복수개의 지지홀이 형성되고, 상기 기판지지핀이 상기 지지홀에 삽입되어 고정되는 경우에 상기 기판지지핀의 하단부와 상기 지지홀의 바닥 사이에는 미리 결정된 거리만큼의 간격이 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 기판지지핀의 하단부와 상기 지지홀의 바닥 사이의 간격은 상기 기판지지부가 열팽창을 하는 경우에도 상기 기판지지핀의 하단부와 상기 지지홀의 바닥이 서로 닿지 않도록 결정될 수 있다.
한편, 상기 기판지지핀은 상기 기판의 하면과 점접촉 또는 선접촉할 수 있다.
이 경우, 상기 기판지지핀은 상기 지지홀의 가장자리에 안착되는 단턱부를 구비할 수 있다.
나아가, 상기 기판지지핀의 상단부와 상기 기판의 하면 사이에 여유간격이 형성되도록 상기 기판지지핀이 배치되며, 상기 여유간격은 상기 기판지지부가 수직방향으로 열팽창을 하는 경우에도 상기 기판지지핀에 의해 상기 기판의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링에서 이격되지 않도록 결정될 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면 기판에 대한 증착 공정 중에 기판의 하면에 증착이 이루어지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 기판의 처짐을 방지하기 위하여 기판지지부의 상면에 기판지지핀을 구비하는 경우에 상기 기판지지부의 팽창에 의해 상기 기판지지핀에 의해 상기 기판의 가장자리가 기판지지링에서 떨어지지 않도록 하여 기판 하면에 증착이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 박막증착장치의 내부 구성을 도시한 단면도,
도 2 및 도 3은 종래 기술에 따른 박막증착장치의 기판지지부의 일부 확대도,
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 기판지지부의 일부 확대도,
도 6은 다양한 실시예에 따른 기판지지핀을 도시한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 박막증착장치(1000)에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 종래 기술에 따른 박막증착장치(1000)의 내부 구성을 도시한 단면도 이다.
도 1을 참조하면, 상기 박막증착장치(1000)는 기판(W)에 대한 처리공간(102)을 제공하는 챔버(100), 상기 챔버(100) 내측에 구비되어 상기 기판(W)에 대한 공정가스를 공급하는 가스공급부(105), 상기 챔버(100) 내부에 구비되어 상기 기판(W)을 지지하며, 상기 기판(W)을 미리 정해진 온도로 가열하는 히터(112)를 구비한 기판지지부(110), 상기 기판지지부(110)의 외곽에서 상기 기판(W)의 가장자리를 지지하는 기판지지링(120) 및 상기 기판지지부(110)의 상면에 구비되어 상기 기판(W)의 처짐을 방지하며, 상기 기판지지부(110)가 열팽창하는 경우에도 상기 기판(W)의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링(120)에서 이격되지 않도록 하는 기판지지핀(130)을 구비할 수 있다.
상기 챔버(100)는 상기 기판(W)에 대한 처리공간(102)을 제공하도록 구성된다. 상기 챔버(100)의 내부 상측에는 상기 기판(W)에 대한 각종 공정가스를 공급하는 가스공급부(105)가 구비될 수 있다. 상기 가스공급부(105)는 상기 처리공간(102)의 하부에 위치한 상기 기판(W)을 향해 각종 공정가스를 공급하게 된다.
상기 처리공간(102)의 하부에는 상기 기판(W)을 지지하는 기판지지부(110)가 구비된다. 상기 기판지지부(110)는 상기 챔버(100)의 내부에서 상하로 소정거리 이동 가능하게 구비될 수 있다.
이때, 상기 기판지지부(110)에는 히터(112)가 내장될 수 있다. 상기 히터(112)는 상기 기판(W)을 미리 결정된 온도로 가열하여 상기 기판(W)에 대한 공정이 보다 원활하게 이루어지도록 한다.
도 1에서는 상기 히터(112)가 상기 기판지지부(110)에 내장된 것으로 도시되지만, 이에 한정되지는 않으며 상기 히터가 상기 기판지지부(110)와 일체형으로 구비되는 것도 물론 가능하다.
상기 기판지지부(110)의 상면 가장자리에는 상기 기판(W)의 가장자리를 지지하는 기판지지링(120)이 구비된다. 상기 기판지지링(120)은 상기 기판지지부(110)의 가장자리를 따라 배치되어, 상기 기판(W)의 가장자리를 지지하게 된다.
상기 기판(W)이 상기 기판지지부(110)에 안착되는 경우에 상기 기판(W)의 가장자리가 상기 기판지지링(120)에 의해 지지된다. 이때, 상기 기판(W)의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링(120)과 접촉하게 되며, 상기 기판(W)의 하면과 상기 기판지지부(110) 사이의 공간(116)(도 2 참조)은 상기 처리공간(102)으로 노출되지 않게 된다. 이 경우, 상기 가스공급부(105)에서 공급되는 공정가스가 상기 기판(W)의 하면과 상기 기판지지부(110) 사이의 공간(116)으로 유입되지 않게 된다. 만약, 상기 공정가스가 상기 기판(W)의 하면과 상기 기판지지부(110) 사이의 공간(116)으로 유입된다면 상기 기판(W)의 하면에 증착이 발생하게 된다.
한편, 전술한 바와 같이 상기 기판지지부(110)에 의해 상기 기판(W)을 가열하게 되면 상기 기판(W)이 가열됨에 따라 상기 기판(W)에 처짐 현상이 발생하게 된다. 이 경우, 상기 기판(W)의 처짐 현상을 방지하기 위하여 상기 기판지지부(110)의 상면에는 복수개의 기판지지핀(130)이 구비될 수 있다.
도 2는 도 1에서 “a” 영역을 확대하여 나타낸 일부 확대도이다.
도 2를 참조하면, 상기 기판(W)의 가장자리는 상기 기판지지링(120)에 의해 지지되고 있다. 한편, 상기 기판지지부(110)의 상면에는 복수개의 기판지지홀(114)이 형성될 수 있으며, 상기 기판지지홀(114)의 내측에 기판지지핀(130)이 삽입 고정될 수 있다.
종래 기술에 따르면 상기 기판지지핀(130)은 도면에 도시된 바와 같이 원형의 형상을 가질 수 있으며, 상기 기판지지홀(114)에 삽입되어 상기 기판지지핀(130)의 하단부가 상기 기판지지홀(114)의 바닥에 닿게 되어 지지된다.
상기 기판지지핀(130)의 상단부는 상기 기판(W)의 하면과 소정거리 이격되어 위치한다. 따라서, 상기 기판(W)이 가열됨에 따라 처짐 현상이 발생하게 되면 상기 기판(W)의 하면이 상기 기판지지핀(130)의 상단부에 의해 지지되어 처짐 현상을 방지 또는 완화하게 된다.
도 3은 종래 기술에 따라 상기 기판(W)이 처지는 경우에 상기 기판지지핀(130)에 의해 지지되는 경우를 도시한다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(W)이 점선과 같이 상기 기판지지부(110)의 상면에 대해 평행한 상태로 있다가, 점차 가열됨에 따라 상기 기판(W)은 실선 형태와 같이 처지게 된다.
이때, 상기 기판(W)의 가장자리 영역은 상기 기판지지링(120)에 의해 지지되므로 상기 기판(W)의 중앙부 영역으로 갈수록 처짐 현상이 심하게 발생하게 된다. 이러한 처짐 현상은 상기 기판지지부(110)의 상면에 구비된 상기 기판지지핀(130)에 의해 방지 또는 완화될 수 있다. 즉, 상기 기판지지핀(130)이 상기 기판(W)의 하면을 지지하여 상기 기판(W)의 처짐 현상을 방지하거나 완화하게 된다.
그런데, 상기 기판지지부(110)에 의해 상기 기판(W)을 가열하는 경우 상기 기판지지부(110)의 온도도 함께 상승하게 되며, 이 경우 상기 기판지지부(110)가 열팽창을 하게 된다. 상기 기판지지부(110)가 열팽창을 하는 경우 상기 기판지지부(110)는 수평방향뿐만 아니라 수직방향으로도 열팽창을 하게 된다.
이와 같이 상기 기판지지부(110)가 수직방향으로 열팽창을 하게 되면 예를 들어 상기 기판지지부(110)의 상면에 구비된 기판지지핀(130)의 높이가 상승할 수 있다. 구체적으로, 상기 기판지지핀(130)이 삽입되어 고정되는 상기 기판지지홀(114)의 깊이가 도 2의 제1 깊이(H1)에서 도 3의 제2 깊이(H2)와 같이 얕아지게 될 수 있다.
이와 같이, 상기 기판지지홀(114)의 깊이가 얕아지 경우에 상기 기판지지홀(114)에 삽입된 상기 기판지지핀(130)의 상단부의 높이는 상승하게 된다. 이는 종래 기술에 따른 기판지지핀(130)의 경우 구형으로 형성되어 기판지지핀(130)의 하단부가 기핀지지홀(114)의 바닥에 닿아서 지지되기 때문이다. 결국, 상기 기판지지핀(130)의 높이가 상승하게 되면 상기 기판지지핀(130)에 의해 상기 기판(W)의 하면을 지지하여 상기 기판(W)의 처짐 현상을 방지할 수 있지만, 도 3과 같이 상기 기판(W)의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링(120)에서 이격될 수 있다.
또한, 상기 기판지지부(110)가 열팽창을 하는 경우에 상기 기판지지부(110)의 모든 영역이 고르게 팽창하는 것이 아니라 부분적으로 열팽창율이 달라질 수 있다. 이 경우, 상기 기판지지부(110)의 상면에 형성된 상기 기판지지홀(114)이 높이 변화율이 상이할 수 있으며, 이에 따라 상기 기판지지홀(114)에 삽입된 상기 기판지지핀(130)의 상단부의 높이도 달라지게 된다.
따라서, 상기 기판지지핀(130)을 복수개 구비하는 경우에 각 기판지지핀(130)의 상단부의 높이가 달라질 수 있으며, 이 경우 상기 기판지지핀(130)의 상단부에 의해 상기 기판(W)이 지지되는 경우에 도 3에 도시된 바와 같이 상기 기판(W)의 가장자리가 상기 기판지지링(120)에서 이격될 수 있다.
이와 같이, 상기 기판(W)의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링(120)에서 이격되어 틈(150)이 발생하게 되면 상기 기판(W)에 대한 박막증착 공정이 진행되는 중에 공정가스가 상기 기판(W)의 하면과 상기 기판지지부(110) 사이의 공간(116)으로 유입되어 상기 기판(W)의 하면에 증착이 이루어질 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 상기 기판지지부(110)의 상면에 구비되어 상기 기판(W)의 처짐을 방지하며, 상기 기판지지부(110)가 열팽창하는 경우에도 상기 기판(W)의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링(120)에서 이격되지 않도록 하는 기판지지핀(30)(도 4 참조)을 구비하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 기판지지핀(30)을 구비한 경우를 도시한 일부 확대단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 기판(W)이 상기 기판지지링(20)에 의해 가장자리가 지지되고, 상기 기판지지부(10)의 상면에 기판지지홀(12)이 형성된다.
이때, 상기 기판(W)의 처짐 현상을 방지 또는 완화시키는 상기 기판지지핀(30)은 상기 지지홀(12)의 가장자리에 의해 지지되도록 구성된다. 또한, 상기 기판지지핀(30)이 상기 지지홀(12)에 삽입되어 고정되는 경우에 상기 기판지지핀(30)의 하단부(33)와 상기 지지홀(12)의 바닥(13) 사이에는 미리 결정된 거리만큼의 간격이 형성될 수 있다.
예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 기판지지핀(30)은 단턱부(32)를 구비하고, 상기 단턱부(32)가 상기 기판지지홀(12)의 가장자리에 안착되어 상기 기판지지핀(30)이 고정될 수 있다.
따라서, 상기 기판지지부(10)가 가열됨에 따라 열팽창을 하여 상기 기판지지홀(12)의 높이가 도 4의 제3 높이(H3)에서 도 5의 제4 높이(H4)로 낮아지는 경우에도 상기 기판지지핀(30)의 상단부의 높이 변화는 거의 없게 된다. 상기 기판지지핀(30)의 하단부가 상기 기판지지홀(12)의 바닥에 닿아서 지지되는 것이 아니라, 상기 기판지지홀(12)의 가장자리에 의해 상기 기판지지핀(30)이 지지되기 때문이다. 또한, 상기 기판지지핀(30)의 하단부(33)와 상기 지지홀(12)의 바닥(13) 사이의 간격은 상기 기판지지부(30)가 열팽창을 하는 경우에도 상기 기판지지핀(30)의 하단부(33)와 상기 지지홀(12)의 바닥(13)이 서로 닿지 않도록 결정되기 때문이다.
이 경우, 상기 기판지지부(10)가 수직방향으로 열팽창을 하게 되므로, 상기 기판지지핀(30)의 상단부와 상기 기판(W)의 하면 사이는 도 4에 도시된 바와 같이 여유간격(D1)이 생기도록 배치될 수 있다.
상기 여유간격(D1)의 크기는 상기 기판지지부(10)가 수직방향으로 열팽창을 하는 경우에도 상기 기판지지핀(30)에 의해 상기 기판(W)의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링(20)에서 이격되지 않도록 않도록 결정될 수 있다. 이러한 여유간격(D1)의 크기는 박막을 증착하는 공정온도, 상기 기판지지핀(30)의 재질, 상기 기판지지부(10)의 재질, 형상 및 크기 등에 따라 적절하게 조절될 수 있다.
본 발명의 경우 도 5와 같이 상기 기판지지부(10)가 열팽창을 하여 상기 기판지지홀(12)의 깊이(H4)가 낮아지는 경우에도 상기 기판지지핀(30)의 상단부의 높이 변화는 거의 없게 된다. 따라서, 상기 기판(W)이 가열되어 처짐 현상이 발생하는 경우에도 상기 기판지지핀(30)에 의해 상기 기판(W)의 하면이 지지되어 상기 기판(W)의 처짐 현상을 방지 또는 완화할 수 있다.
이 경우, 상기 기판(W)의 가장자리 영역은 계속하여 상기 기판지지링(20)과 접촉 상태를 유지하여 상기 기판(W)의 하면과 상기 기판지지부(10) 사이의 공간(116)으로 공정가스가 유입되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 6는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판지지핀(230, 330, 430)의 구성을 도시한다.
도 6의 (a)를 참조하면 상기 기판지지핀(230)은 몸체부(232)와, 상기 몸체부(232)에서 연장 형성되어 상기 기판지지홀(12)의 가장자리에 안착되어 지지되는 단턱부(234)를 구비할 수 있다.
이 경우, 도 6의 (a)에 따른 기판지지핀(230)의 경우 상기 몸체부(232)의 상단부는 상기 기판(W)의 하면과 면접촉을 할 수 있다. 그런데, 상기 기판지지핀(230)이 세라믹 등과 같이 열전도율이 낮은 재질로 제작되는 경우에 상기 기판지지핀(230)과 상기 기판(W)의 접촉면적이 넓어지게 되면 상기 기판지지핀(230)과 접촉하는 상기 기판(W)의 영역의 온도가 상대적으로 낮아질 수 있다.
따라서, 도 6의 (b) 및 (c)와 같이 상기 기판지지핀(330, 430)과 상기 기판(W)의 하면은 접촉면적을 줄이기 위하여 점접촉 또는 선접촉하도록 구성될 수 있다.
도 6의 (b)에 따른 기판지지핀(330)의 경우 몸체부(332)와 상기 몸체부(332)에서 연장형성된 단턱부(334)를 구비한다. 또한, 상기 기판지지핀(330)의 상단부(336)는 원형, 반원형 또는 곡선형으로 형성되어 상기 기판(W)의 하면과 접촉하는 경우에 점접촉 또는 선접촉하도록 구성될 수 있다.
한편, 도 6의 (c)에 따른 기판지지핀(430)의 경우 전술한 실시예들과 유사하게 몸체부(432)와 상기 몸체부(432)에서 연장 형성된 단턱부(434)를 구비한다. 나아가 상기 기판지지핀(430)의 상단부(436)가 상기 기판(W)과 점접촉 또는 선접촉을 하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 상단부(436)가 선 또는 점으로 수렴되도록 구성될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
10, 110..기판지지부
12..기판지지홀
20, 120..기판지지링
30, 130..기판지지핀
100..챔버
105..가스공급부
1000..박막증착장치

Claims (7)

  1. 기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내측에 구비되어 상기 기판에 대한 공정가스를 공급하는 가스공급부;
    상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 미리 정해진 온도로 가열하는 히터를 구비한 기판지지부;
    상기 기판지지부의 외곽에서 상기 기판의 가장자리를 지지하는 기판지지링; 및
    상기 기판지지부의 상면에 구비되어 상기 기판의 처짐을 방지하며, 상기 기판지지부가 열팽창하는 경우에도 상기 기판의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링에서 이격되지 않도록 하는 기판지지핀;을 구비하고,
    상기 기판지지부의 상면에 복수개의 지지홀이 형성되고, 상기 기판지지핀은 상기 지지홀의 가장자리에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판지지부의 상면에 복수개의 지지홀이 형성되고, 상기 기판지지핀이 상기 지지홀에 삽입되어 고정되는 경우에 상기 기판지지핀의 하단부와 상기 지지홀의 바닥 사이에는 미리 결정된 거리만큼의 간격이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기판지지핀의 하단부와 상기 지지홀의 바닥 사이의 간격은 상기 기판지지부가 열팽창을 하는 경우에도 상기 기판지지핀의 하단부와 상기 지지홀의 바닥이 서로 닿지 않도록 결정되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판지지핀은 상기 기판의 하면과 점접촉 또는 선접촉하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 기판지지핀은 상기 지지홀의 가장자리에 안착되는 단턱부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판지지핀의 상단부와 상기 기판의 하면 사이에 여유간격이 형성되도록 상기 기판지지핀이 배치되며,
    상기 여유간격은 상기 기판지지부가 수직방향으로 열팽창을 하는 경우에도 상기 기판지지핀에 의해 상기 기판의 가장자리의 하면이 상기 기판지지링에서 이격되지 않도록 결정되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
KR1020170103584A 2017-08-16 2017-08-16 박막증착장치 KR102031552B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170103584A KR102031552B1 (ko) 2017-08-16 2017-08-16 박막증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170103584A KR102031552B1 (ko) 2017-08-16 2017-08-16 박막증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190018891A KR20190018891A (ko) 2019-02-26
KR102031552B1 true KR102031552B1 (ko) 2019-10-14

Family

ID=65562641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170103584A KR102031552B1 (ko) 2017-08-16 2017-08-16 박막증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102031552B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239694B1 (ko) * 2006-03-02 2013-03-06 주성엔지니어링(주) 가장자리의 처짐 현상을 개선한 기판안치대
KR101445742B1 (ko) * 2014-04-11 2014-10-06 (주)티티에스 기판 지지 유닛

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11272342A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置および基板熱処理方法
KR101615608B1 (ko) * 2013-09-30 2016-04-26 세메스 주식회사 기판처리장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239694B1 (ko) * 2006-03-02 2013-03-06 주성엔지니어링(주) 가장자리의 처짐 현상을 개선한 기판안치대
KR101445742B1 (ko) * 2014-04-11 2014-10-06 (주)티티에스 기판 지지 유닛

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190018891A (ko) 2019-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11795545B2 (en) Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
TWI646214B (zh) 在化學氣相沉積反應器中的基座的設計
KR102417931B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI734668B (zh) 在epi腔室中的基材熱控制
KR102404061B1 (ko) 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치
US8920564B2 (en) Methods and apparatus for thermal based substrate processing with variable temperature capability
JP2012033574A (ja) サセプタおよび半導体製造装置
TWI673396B (zh) 大氣磊晶沈積腔室
TW201909700A (zh) 用以消除在晶圓背側邊緣及凹口處之沉積的晶圓邊緣接觸硬體及方法
KR20170126503A (ko) 서셉터 및 에피택셜 성장 장치
TW201911377A (zh) 加工設備
KR20100129566A (ko) 기판지지유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치
TW201941336A (zh) 具有改進的溫度控制的半導體處理設備
KR102031552B1 (ko) 박막증착장치
TW201943899A (zh) 用於磊晶腔室的襯墊
KR101411385B1 (ko) 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
US10410909B2 (en) Waffer pedestal and support structure thereof
KR102460313B1 (ko) 기판 처리 장치의 서셉터 및 기판 처리 장치
JP5669512B2 (ja) 成膜装置と成膜装置用の支持台
JP2016162958A (ja) サセプタ
JP5104250B2 (ja) 半導体製造装置
KR101918457B1 (ko) 마스크 어셈블리
KR101139215B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102154488B1 (ko) 냉각모듈 및 이를 구비한 기판지지유닛
KR102337411B1 (ko) 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant