KR102026655B1 - 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법 - Google Patents

일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102026655B1
KR102026655B1 KR1020170094022A KR20170094022A KR102026655B1 KR 102026655 B1 KR102026655 B1 KR 102026655B1 KR 1020170094022 A KR1020170094022 A KR 1020170094022A KR 20170094022 A KR20170094022 A KR 20170094022A KR 102026655 B1 KR102026655 B1 KR 102026655B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
base film
chip scale
emitting chip
vertical frame
Prior art date
Application number
KR1020170094022A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190011457A (ko
Inventor
민재식
이재엽
조병구
Original Assignee
(주)라이타이저
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)라이타이저 filed Critical (주)라이타이저
Priority to KR1020170094022A priority Critical patent/KR102026655B1/ko
Publication of KR20190011457A publication Critical patent/KR20190011457A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102026655B1 publication Critical patent/KR102026655B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐이 형성되어 있는 와이드 수직 프레임을 이용하는 일면 발광 칩 스케일 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 와이드 수직 프레임의 하면에 제 1 베이스 필름을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임의 공정 댐 내부의 상기 제 1 베이스 필름 위에 다수의 발광 다이오드를 배열하는 단계, 상기 다수의 발광 다이오드가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임의 상면에 제 2 베이스 필름을 배치하는 단계, 상기 제 2 베이스 필름의 일 측면으로 상기 공정 댐 내에 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 도팅하고, 상기 제 2 베이스 필름의 다른 측면으로 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 흡입하여 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 평탄화하는 단계, 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 베이킹하여 상기 다수의 발광 다이오드 각각의 상면과 측면에 형광층을 형성하는 단계, 상기 제 1 베이스 필름과 상기 제 2 베이스 필름을 제거하고, 상기 다수의 발광 다이오드와 형광층을 상기 와이드 수직 프레임에서 분리하는 단계, 상기 다수의 발광 다이오드의 측면에 형성된 형광층의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지를 형성하는 단계, 상기 와이드 수직 프레임의 하면에 제 3 베이스 필름을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임의 공정 댐 내부의 상기 제 3 베이스 필름 위에 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지를 배열하는 단계, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임의 상면에 제 4 베이스 필름을 배치하는 단계, 상기 제 4 베이스 필름의 일 측면으로 상기 공정 댐 내에 액상의 광차단제를 도팅하고, 상기 제 4 베이스 필름의 다른 측면으로 상기 액상의 광차단제를 흡입하여 상기 액상의 광차단제를 평탄화하는 단계, 상기 액상의 광차단제를 베이킹하여 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지 각각의 측면에 광차단층을 형성하는 단계, 상기 제 3 베이스 필름과 상기 제 4 베이스 필름을 제거하고, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지와 광차단층을 상기 와이드 수직 프레임에서 분리하는 단계 및 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지의 측면에 형성된 광차단층의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 일면 발광 칩 스케일 패키지를 형성하는 단계를 포함하는 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법을 제공한다.

Description

일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법{Method for manufacturing chip scale package of one plane light emitting}
본 발명은 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐이 형성되어 있는 와이드 수직 프레임을 이용하여 다수의 5면 발광 칩 스케일 패키지를 제조한 후에 상기 와이드 수직 프레임을 이용하여 다수의 일변 발광 칩 스케일 패키지를 제조함으로써, 효과적으로 일변 발광 칩 스케일을 제조할 수 있는 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
요즘 GaN에 Al 또는 In을 첨가한 발광 다이오드는 종래의 백열등에 비해 긴 수명, 낮은 전력 소비, 우수한 밝기, 인체에 유해하지 않은 환경 친화적 요소 등으로 인하여 주목받고 있으며, 특히 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)를 채용하여 백색광을 제공하는 발광 다이오드 칩이 더욱 더 각광받고 있다.
이러한 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)에 채용되는 발광 다이오드는 측면과 상면에서 청색이 발광되며, 발광된 청색광을 백색광을 변환하기 위해서 발광 다이오드의 측면과 상면에 형광층을 배치시키는 오면 발광 칩 스케일 패키지가 널리 사용되지만, 필요에 따라서 발광 다이오드의 상면에서만 발광되는 빛만을 이용하는 일면 발광 칩 스케일 패키지의 수요도 계속해서 증가되고 있다.
종래의 일면 발광 칩 스케일 패지지의 공정이 너무 복잡하여 양산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 10-2008-0070193에 게시되어 있다.
따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐이 형성되어 있는 와이드 수직 프레임을 이용하여 다수의 5면 발광 칩 스케일 패키지를 제조한 후에 상기 와이드 수직 프레임을 이용하여 다수의 일변 발광 칩 스케일 패키지를 제조함으로써, 효과적으로 일변 발광 칩 스케일을 제조할 수 있는 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐이 형성되어 있는 와이드 수직 프레임을 이용하는 일면 발광 칩 스케일 패키지 제조 방법에 있어서, 상기 와이드 수직 프레임의 하면에 제 1 베이스 필름을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임의 공정 댐 내부의 상기 제 1 베이스 필름 위에 다수의 발광 다이오드를 배열하는 단계, 상기 다수의 발광 다이오드가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임의 상면에 제 2 베이스 필름을 배치하되, 상기 다수의 발광 다이오드와 이격되도록 상기 제 2 베이스 필름을 배치하는 단계, 상기 제 2 베이스 필름의 일 측면으로 상기 공정 댐 내에 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 도팅하고, 상기 제 2 베이스 필름의 다른 측면으로 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 흡입하여 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 평탄화하는 단계, 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 베이킹하여 상기 다수의 발광 다이오드 각각의 상면과 측면에 형광층을 형성하는 단계, 상기 제 1 베이스 필름과 상기 제 2 베이스 필름을 제거하고, 상기 다수의 발광 다이오드와 형광층을 상기 와이드 수직 프레임에서 분리하는 단계, 상기 다수의 발광 다이오드의 측면에 형성된 형광층의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지를 형성하는 단계, 상기 와이드 수직 프레임의 하면에 제 3 베이스 필름을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임의 공정 댐 내부의 상기 제 3 베이스 필름 위에 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지를 배열하는 단계, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임의 상면에 제 4 베이스 필름을 배치하되, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지와 맞닿도록 상기 제 4 베이스 필름을 배치하는 단계, 상기 제 4 베이스 필름의 일 측면으로 상기 공정 댐 내에 액상의 광차단제를 도팅하고, 상기 제 4 베이스 필름의 다른 측면으로 상기 액상의 광차단제를 흡입하여 상기 액상의 광차단제를 평탄화하는 단계, 상기 액상의 광차단제를 베이킹하여 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지 각각의 측면에 광차단층을 형성하는 단계, 상기 제 3 베이스 필름과 상기 제 4 베이스 필름을 제거하고, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지와 광차단층을 상기 와이드 수직 프레임에서 분리하는 단계 및 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지의 측면에 형성된 광차단층의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 일면 발광 칩 스케일 패키지를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은, 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액의 점도가 2,000 ~ 20,000cps일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은, 상기 액상의 광차단제의 점도가 2,000 ~ 20,000cps일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은, 상기 액상의 광차단제가 화이트 실리콘일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은, 상기 제 1 베이스 필름, 상기 제 2 베이스 필름, 상기 제 3 베이스 필름 또는 상기 제 4 베이스 필름이 PE(Polyethylene) 필름, PC(Polycarbonate) 필름, UV(Ultraviolet) 필름, 또는 Blue 필름일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐이 형성되어 있는 와이드 수직 프레임을 이용하여 다수의 5면 발광 칩 스케일 패키지를 제조한 후에 상기 와이드 수직 프레임을 이용하여 다수의 일변 발광 칩 스케일 패키지를 제조함으로써, 효과적으로 일변 발광 칩 스케일을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 이용되는 와이드 수직 프레임의 사시도.
도 2는 도 1의 와이드 수직 프레임의 단면도.
도 3 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법의 세부 공정을 도시한 도면.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법에 이용되는 와이드 수직 프레임(100)에는 도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐(101)이 형성되어 있다. 여기에서, 상기 와이드 수직 프레임(100)에는 다수의 공정 댐(101, 102, 203, 104, 105)이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법은 먼저, 도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 와이드 수직 프레임(100)의 하면에 제 1 베이스 필름(201)을 배치한 후에, 도 5 및 도 6에 도시된 것처럼, 상기 와이드 수직 프레임(100)의 공정 댐(101) 내부의 상기 제 1 베이스 필름(201) 위에 다수의 발광 다이오드(311, 312, 313)를 배열한다. 여기에서, 제 1 베이스 필름(201)은 PE(Polyethylene) 필름, PC(Polycarbonate) 필름, UV(Ultraviolet) 필름, 또는 Blue 필름일 수 있다.
다음으로, 도 7 및 도 8에 도시된 것처럼, 상기 다수의 발광 다이오드(311, 312, 313)가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임(100)의 상면에 제 2 베이스 필름(202)을 배치한 후에, 상기 제 2 베이스 필름(202)의 일 측면으로 상기 공정 댐(101) 내에 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액(401)을 도팅하고, 상기 제 2 베이스 필름(202)의 다른 측면으로 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액(401)을 흡입하여 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액(401)을 평탄화한다. 여기에서, 제 2 베이스 필름(202)은 PE(Polyethylene) 필름, PC(Polycarbonate) 필름, UV(Ultraviolet) 필름, 또는 Blue 필름일 수 있으며, 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액(401)의 점도는 2,000 ~ 20,000cps일 수 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 것처럼, 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액(401)을 베이킹하여 상기 다수의 발광 다이오드(311, 312, 313) 각각의 상면과 측면에 형광층(410)을 형성한다.
다음으로, 도 10에 도시된 것처럼, 상기 제 1 베이스 필름(201)과 상기 제 2 베이스 필름(202)을 제거하고, 상기 다수의 발광 다이오드(311, 312, 313)와 형광층을 상기 와이드 수직 프레임(100)에서 분리한 후에, 상기 다수의 발광 다이오드(311, 312, 313)의 측면에 형성된 형광층(410)의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 312, 412, 313, 413)를 형성한다.
다음으로, 도 11 및 도 12에 도시된 것처럼, 상기 와이드 수직 프레임(100)의 하면에 제 3 베이스 필름(203)을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임(100)의 공정 댐(101) 내부의 상기 제 3 베이스 필름(203) 위에 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 312, 412, 313, 413)를 배열한다. 여기에서, 제 3 베이스 필름(203)은 PE(Polyethylene) 필름, PC(Polycarbonate) 필름, UV(Ultraviolet) 필름, 또는 Blue 필름일 수 있다.
다음으로, 도 13 및 도 14에 도시된 것처럼, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 312, 412, 313, 413)가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임(100)의 상면에 제 4 베이스 필름(204)을 배치한 후에, 상기 제 4 베이스 필름(204)의 일 측면으로 상기 공정 댐(101) 내에 액상의 광차단제(501)를 도팅하고, 상기 제 4 베이스 필름(204)의 다른 측면으로 상기 액상의 광차단제(501)를 흡입하여 상기 액상의 광차단제(501)를 평탄화한다. 여기에서, 제 4 베이스 필름(204)은 PE(Polyethylene) 필름, PC(Polycarbonate) 필름, UV(Ultraviolet) 필름, 또는 Blue 필름일 수 있다.
한편, 상기 액상의 광차단제(501)의 점도는 2,000 ~ 20,000cps일 수 있으며, 상기 액상의 광차단제(501)는 화이트 실리콘일 수 있다.
다음으로, 도 15에 도시된 것처럼, 상기 액상의 광차단제(501)를 베이킹하여 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 312, 412, 313, 413) 각각의 측면에 광차단층(510)을 형성한다.
다음으로, 도 16에 도시된 것처럼, 상기 제 3 베이스 필름(203)과 상기 제 4 베이스 필름(204)을 제거하고, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 312, 412, 313, 413)와 광차단층(510)을 상기 와이드 수직 프레임(100)에서 분리한 후에, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 312, 412, 313, 413)의 측면에 형성된 광차단층(510)의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 일면 발광 칩 스케일 패키지(311, 411, 511, 312, 412, 512, 313, 413, 513)를 형성한다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
100 : 와이드 수직 프레임
101, 102, 103, 104, 105 : 공정 댐
201 : 제 1 베이스 필름
202 : 제 2 베이스 필름
203 : 제 3 베이스 필름
204 : 제 4 베이스 필름
311, 312, 313 : 발광 다이오드
401 : 혼합액
410 : 형광층
501 : 광차단제
510 : 광차단층

Claims (5)

  1. 수직 방향으로 관통된 직사각형 형상의 공정 댐이 형성되어 있는 와이드 수직 프레임을 이용하는 일면 발광 칩 스케일 패키지 제조 방법에 있어서,
    상기 와이드 수직 프레임의 하면에 제 1 베이스 필름을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임의 공정 댐 내부의 상기 제 1 베이스 필름 위에 다수의 발광 다이오드를 배열하는 단계;
    상기 다수의 발광 다이오드가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임의 상면에 제 2 베이스 필름을 배치하되, 상기 다수의 발광 다이오드와 이격되도록 상기 제 2 베이스 필름을 배치하는 단계;
    상기 제 2 베이스 필름의 일 측면으로 상기 공정 댐 내에 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 도팅하고, 상기 제 2 베이스 필름의 다른 측면으로 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 흡입하여 상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 평탄화하는 단계;
    상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액을 베이킹하여 상기 다수의 발광 다이오드 각각의 상면과 측면에 형광층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 베이스 필름과 상기 제 2 베이스 필름을 제거하고, 상기 다수의 발광 다이오드와 형광층을 상기 와이드 수직 프레임에서 분리하는 단계;
    상기 다수의 발광 다이오드의 측면에 형성된 형광층의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지를 형성하는 단계;
    상기 와이드 수직 프레임의 하면에 제 3 베이스 필름을 배치하고, 상기 와이드 수직 프레임의 공정 댐 내부의 상기 제 3 베이스 필름 위에 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지를 배열하는 단계;
    상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지가 덮이도록 상기 와이드 수직 프레임의 상면에 제 4 베이스 필름을 배치하되, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지와 맞닿도록 상기 제 4 베이스 필름을 배치하는 단계;
    상기 제 4 베이스 필름의 일 측면으로 상기 공정 댐 내에 액상의 광차단제를 도팅하고, 상기 제 4 베이스 필름의 다른 측면으로 상기 액상의 광차단제를 흡입하여 상기 액상의 광차단제를 평탄화하는 단계;
    상기 액상의 광차단제를 베이킹하여 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지 각각의 측면에 광차단층을 형성하는 단계;
    상기 제 3 베이스 필름과 상기 제 4 베이스 필름을 제거하고, 상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지와 광차단층을 상기 와이드 수직 프레임에서 분리하는 단계; 및
    상기 다수의 오면 발광 칩 스케일 패키지의 측면에 형성된 광차단층의 일부를 Cutting 방법으로 제거함으로써 다수의 일면 발광 칩 스케일 패키지를 형성하는 단계를 포함하는 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체, 실리콘 및 필러의 혼합액의 점도는 2,000 ~ 20,000cps인 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 액상의 광차단제의 점도는 2,000 ~ 20,000cps인 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 액상의 광차단제는 화이트 실리콘인 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 베이스 필름, 상기 제 2 베이스 필름, 상기 제 3 베이스 필름 또는 상기 제 4 베이스 필름이 PE(Polyethylene) 필름, PC(Polycarbonate) 필름, UV(Ultraviolet) 필름, 또는 Blue 필름인 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법.
KR1020170094022A 2017-07-25 2017-07-25 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법 KR102026655B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170094022A KR102026655B1 (ko) 2017-07-25 2017-07-25 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170094022A KR102026655B1 (ko) 2017-07-25 2017-07-25 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190011457A KR20190011457A (ko) 2019-02-07
KR102026655B1 true KR102026655B1 (ko) 2019-09-30

Family

ID=65367043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170094022A KR102026655B1 (ko) 2017-07-25 2017-07-25 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102026655B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305328A (ja) * 2001-04-09 2002-10-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子
JP6008940B2 (ja) * 2012-03-13 2016-10-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100990637B1 (ko) * 2007-04-23 2010-10-29 삼성엘이디 주식회사 발광장치 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305328A (ja) * 2001-04-09 2002-10-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子
JP6008940B2 (ja) * 2012-03-13 2016-10-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190011457A (ko) 2019-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9691945B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5178623B2 (ja) 照明装置の製造方法
JP6673410B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
TWI573295B (zh) 具有形成於溝槽中之反射壁之發光二極體混合室
JP4386789B2 (ja) 発光ダイオード素子の製造方法
KR20100058779A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법
JP6421952B2 (ja) 発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法
CN103681731B (zh) 有机发光二极管光源装置
JP2013157397A (ja) 発光装置
KR20140134038A (ko) 발광 디바이스 및 이의 제조방법
KR102026655B1 (ko) 일면 발광 칩 스케일 패키지의 제조 방법
TW201543713A (zh) 用於發光二極體之顏色轉換基板及其製造方法
CN105789416B (zh) 一种多层立体栅格发光层制备工艺及led发光器件
JP6427816B2 (ja) 発光ダイオードの色変換用基板及びその製造方法
JP5278175B2 (ja) 発光装置
JP2013135082A (ja) 発光装置
JP2012109291A (ja) Ｌｅｄ照明装置
JP2006295215A (ja) 半導体発光装置
TWM544123U (zh) 發光二極體封裝結構
TWI619269B (zh) 發光二極體封裝結構
KR102163978B1 (ko) 발광소자 및 이를 구비하는 조명 시스템
KR20090000853A (ko) 요철이 형성된 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR102035043B1 (ko) 삼면 발광 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법
KR100721962B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102424726B1 (ko) 발광 소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant