KR102023403B1 - 노이즈를 확인할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치 - Google Patents

노이즈를 확인할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치 Download PDF

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Abstract

모바일용 메모리 실장 테스트 장치는, 메모리 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널을 구비하는 모바일 단말기; 상기 응용 프로세서의 주 메모리로 사용됨에 있어서 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 모바일용 메모리; 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하는 메모리 전원공급부; 및 상기 모바일용 메모리의 각 모서리 주변에 배치되어 상기 모바일용 메모리 주변의 삼차원 공간에서의 전자기파 세기를 감지하는 복수의 전자기파 감지용 탐침을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

노이즈를 확인할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치{Mobile memory mounting test device for external noise}
본 발명은 메모리 테스트 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 구동전압의 레벨에 변화에 따른 노이즈까지 확인할 수 있는 호환성 테스트를 위한 모바일용 메모리 실장 테스트 장치에 관한 것이다.
모바일 단말은 종래의 데스크탑 PC와 달리 자원 제약적 특징을 갖고 있다. 최근, 멀티 코어 및 대용량의 플래시 메모리 등과 같은 전자 기술의 발달로 인하여 자원 사용의 제약이 다소 해소되었다. 그러나 보다 빠른 계산능력과 입출력 속도를 지원하기 위해 높은 클럭 주파수(Clock Frequency)를 기반으로 프로세서 및 메모리가 동작되고 있고, 최근 개발되는 애플리케이션들은 빠른 계산속도(Computational Cycle)와 많은 저장 공간(Storage Space)을 요구한다. 이러한 요구들에 의해 모바일 단말기의 전력 소모가 증가하는 문제점이 있다.
종래의 무결성 검증 기법들은 상시 보안 모니터링이 제공하는 장점을 갖고 있으나, 보안의 신뢰성을 높이기 위해서 짧은 주기를 기반으로 동작한다. 짧은 주기의 검증 동작은 모바일 단말기의 성능 하락 및 전력 소모 가속화의 주요 원인으로 작용하기 때문에, 모바일 단말 플랫폼의 신뢰 상태 검증을 위한 검증 방법으로 부적절하다.
한편, 모바일 단말기는 저전력 및 고성능을 모두 달성하는 방향으로 개발되고 있으므로,
모바일 단말기에 적용될 수 있는 응용 프로세서(Application Processor, AP)와, 메모리 장치들도 저전력 및 고성능을 모두 달성하는 방향으로 개발되고 있다.
모바일 단말기에 적용되는 응용 프로세서(Application Processor, AP)가 새로 출시되었을 경우, 메모리 제조회사들은 응용 프로세서(Application Processor, AP)와의 호환성 테스트를 진행하여야 한다. 여기에서 메모리는 SRAM, DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, LPDDR SDRAM, SRAM, PRAM, RRAM, MRAM 등과 같은 랜덤 액세스 메모리 장치들을 지칭한다.
즉, 모바일 단말기에 새로운 응용 프로세서(Application Processor, AP)와, 새로운 메모리가 적용될 경우, 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 메모리 사이에는 호환성 테스트가 진행되어야 한다.
따라서 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 메모리 사이에 신뢰성 있는 호환성 테스트를 진행할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치가 요구되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위해 제안된 것으로,
응용 프로세서(Application Processor, AP)와 메모리 사이에 신뢰성 있는 호환성 테스트를 진행할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치를 제공한다.
또한, 구동전압의 레벨에 변화에 따른 노이즈까지 확인할 수 있는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 메모리 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널을 구비하는 모바일 단말기; 상기 응용 프로세서의 주 메모리로 사용됨에 있어서 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 모바일용 메모리; 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하는 메모리 전원공급부; 및 상기 모바일용 메모리의 각 모서리 주변에 배치되어 상기 모바일용 메모리 주변의 삼차원 공간에서의 전자기파 세기를 감지하는 복수의 전자기파 감지용 탐침;을 포함하는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치가 제공된다.
또한, 상기 모바일용 메모리는, 인터포저(Interposer) 또는 소켓(Socket)을 통해 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 메모리 전원공급부는, 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절함에 있어서, 상기 응용 프로세서와 상기 모바일용 메모리 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서 상기 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 증가하도록 동작하며, 상기 메모리 테스트 애플리케이션은 테스트 동작 중에 상기 복수의 전자기파 감지용 탐침에서 감지된 전자기파 데이터를 저장하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 메모리 전원공급부는, 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절함에 있어서, 상기 응용 프로세서와 상기 모바일용 메모리 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서 상기 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 하강하도록 동작하며, 상기 메모리 테스트 애플리케이션은 테스트 동작 중에 상기 복수의 전자기파 감지용 탐침에서 감지된 전자기파 데이터를 저장하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 메모리 전원공급부는, 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절함에 있어서, 상기 응용 프로세서와 상기 모바일용 메모리 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서 상기 구동전원의 전압레벨을 일정하게 유지하되, 소정의 주기마다 허용되는 최대전압값과 허용되는 최저전압값 사이를 펄싱하는 상기 구동전압을 생성하며, 상기 메모리 테스트 애플리케이션은 테스트 동작 중에 상기 복수의 전자기파 감지용 탐침에서 감지된 전자기파 데이터를 저장하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치는, 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 메모리 사이에 신뢰성 있는 호환성 테스트를 진행할 수 있다.
또한, 구동전압의 레벨에 변화에 따른 노이즈까지 확인하여 테스트 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 블럭도
도 2는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 구성도
도 3은 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 실제 구성도
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)의 블록도
도 5는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)에서 스캔한 영역별 전자기파의 세기를 나타낸 도면
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 블록도이다.
본 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)는 제안하고자 하는 기술적인 사상을 명확하게 설명하기 위한 간략한 구성만을 포함하고 있다.
도 1을 참조하면, 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)는 모바일 단말기(100)와, 모바일용 메모리(130)와, 메모리 전원공급부(210)를 구비한다.
여기에서 모바일 단말기(100)는, 응용 프로세서(110, AP; Application Processor), 보안 장치(120), 스토리지(140), ROM(150), 사용자 인터페이스(160), 주변장치들(170)을 포함하여 구성된다.
즉, 모바일 단말기(100)는 컴퓨터, 휴대용 컴퓨터, UMPC (Ultra Mobile PC), 워크스테이션, 넷북(net-book), PDA, 포터블(portable) 컴퓨터, 웹 태블릿(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 스마트폰(smart phone), 디지털 카메라(digital camera), 디지털 음성 녹음기(digital audio recorder), 디지털 음성 재생기(digital audio player), 디지털 영상 녹화기(digital picture recorder), 디지털 영상 재생기(digital picture player), 디지털 동영상 녹화기(digital video recorder), 디지털 동영상 재생기(digital video player), 정보를 무선 환경에서 송수신할 수 있는 장치, 홈 네트워크를 구성하는 다양한 컴퓨팅 시스템들 중 적어도 하나를 포함할 수 있는데, 본 실시예에서는 스마트폰(smart phone, 모바일 단말기) 형태의 단말기라고 가정하고 설명하기로 한다.
상기와 같이 구성되는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 세부구성과 주요동작을 살펴보면 다음과 같다.
모바일 단말기(100)가 정상적으로 동작하기 위해서는, 모바일용 메모리(130)가 장착되어야 하는데, 본 실시예에서 모바일용 메모리(130)는 모바일 단말기(100)의 외부에서 탈부착 가능하도록 장착되어, 모바일용 메모리(130)가 모바일 단말기(100)와 호환되는 인터페이스에 연결되도록 구성된다.
모바일 단말기(100)의 응용 프로세서(110)는 모바일 단말기(100)의 제반 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 응용 프로세서(110)는 모바일 단말기(100)의 부팅, 무결성 검증, 애플리케이션 실행 등과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행할 수 있다.
예시적으로, 응용 프로세서(110)는 단말기 무결성 검증부(DIV; Device Integrity Verifier)를 포함할 수 있다. 단말기 무결성 검증부(DIV)는 메모리(130)로 적재(load)되거나 또는 메모리(130)로부터 엑세스(access)되는 시스템 컴포넌트들, 응용 프로세서(110)에 의해 실행되는 애플리케이션 파일들, 애플리케이션을 실행하는데 요구되는 시스템 클래스들의 무결성 값을 추출하여 보안 장치(120)로 전송할 수 있다.
더욱 상세한 예로서, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 실행 파일들, 라이브러리 파일들, 시스템 모듈, 시스템 데몬 등의 무결성 값을 추출할 수 있다. 예시적으로, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 검증 대상 파일들의 바이트 값을 해시(hash)하여 무결성 값을 추출할 수 있다. 예시적으로, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 모바일 단말기(100)의 부팅 단계 또는 실행 단계에 따라 또는 검증 대상에 따라 다른 검증 정책을 기반으로 무결성 검증 동작을 수행할 수 있다.
예시적으로, 단말기 무결성 검증부(DIV)는 소프트웨어 형태, 하드웨어 형태, 또는 그것들의 조합의 형태로 구현될 수 있다. 또한, 하드웨어는 전기/전자 회로, 프로세서, 컴퓨터, 집적 회로, 집적회로 코어들, 멤즈((MEMS; microelectromechanical system), 수동 소자들, 또는 그것들의 조합일 수 있다.
소프트웨어는 기계 코드, 프로그램 명령어, 펌웨어, 임베디드 코드, 애플리케이션 소프트웨어, 또는 그것들의 조합일 수 있다. 소프트웨어 형태로 구현되는 단말기 무결성 검증부(DIV)는 응용 프로세서(110) 내의 캐시 메모리에 저장되고, 응용 프로세서(110)에 의해 구동될 수 있다.
보안 장치(120)는 응용 프로세서(110)의 단말기 무결성 검증부(DIV)로부터 무결성 값을 수신하고, 수신된 무결성 값에 대한 무결성 검증을 수행할 수 있다. 예를 들어, 보안 장치(120)는 모바일 단말기(100)에서 사용되는 검증 대상(예를 들어, 시스템 컴포넌트, 애플리케이션, 시스템 클래스 등) 각각에 대한 무결성 관련 데이터 또는 키 값을 포함할 수 있다.
보안 장치(120)는 단말기 무결성 검증부(DIV)의 요청에 따라 무결성 값을 수신하고, 수신된 무결성 값 및 관련 데이터를 기반으로 무결성 검증 동작을 수행한다. 보안 장치(120)는 검증 결과를 단말기 무결성 검증부(DIV)로 전송할 수 있다.
보안 장치(120) 및 응용 프로세서(110)는 신뢰성이 보장되는 통신 채널 또는 보안 채널(Secure Channel)을 기반으로 통신할 수 있다. 예시적으로, 통신 채널은 암호화된 시리얼 통신 채널일 수 있다. 또한, 보안 장치(120)는 시스템-온-칩(SoC; System on Chip) 형태로 제공될 수 있다. 보안 장치(120)는 하나의 집적 회로에 내장되어 하나의 칩, 하나의 모듈, 또는 하나의 카드 형태로 구현될 수 있다. 예시적으로, 보안 장치(120)는 응용 프로세서(110) 내에 포함될 수 있다.
또한, 보안 장치(120)는 무결성 검증에 필요한 최소한의 하드웨어 및 소프트웨어의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 보안 장치(120)는 무결성 검증에 필요한 암호화, 복호화, 키 관리, 해시 등과 같은 알고리즘을 수행하기 위한 계산용 프로세서로 구현될 수 있다.
메모리(130)는 모바일 단말기(100) 또는 응용 프로세서(110)의 동작 메모리, 주 메모리, 버퍼 메모리, 또는 캐시 메모리로써 사용될 수 있다. 메모리(130)는 SRAM, DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, LPDDR SDRAM, SRAM, PRAM, RRAM, MRAM 등과 같은 랜덤 액세스 메모리 장치들을 포함할 수 있다.
응용 프로세서(110)에 의해 사용되는 파일들은 메모리(130)에 로드되고, 메모리(130)에 저장된 파일들은 응용 프로세서(110)에 의해 엑세스될 수 있다. 메모리(130)는 응용 프로세서(110)의 캐시 메모리일 수도 있다.
스토리지(140)는 모바일 단말기(100)에서 사용되는 정보, 데이터, 또는 파일들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 스토리지(140)는 모바일 단말기(100)에서 사용되는 애플리케이션 실행 파일, 부트-로더, 커널 이미지, 운영 체제 구동 파일 등과 같은 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 예시적으로, 스토리지(140)는 하드 디스크, 플래시 메모리와 같은 대용량의 불휘발성 메모리 장치들을 포함할 수 있다.
ROM(150)은 모바일 단말기(100)가 동작하는데 요구되는 다양한 정보 또는 프로그램 코드들을 펌웨어 형태로 저장할 수 있다. 예를 들어, ROM(150)은 모바일 단말기(100)가 부팅하는데 요구되는 부팅 제어 코드를 포함할 수 있다. 예시적으로, ROM(150)에 저장된 데이터 또는 프로그램 코드는 변경 불가능한 데이터 또는 프로그램 코드이며, 무결성이 검증된 데이터 또는 프로그램 코드일 수 있다.
사용자 인터페이스(160)는 응용 프로세서(110)에 데이터 또는 명령어를 입력하거나 또는 외부 장치로 데이터를 출력하는 인터페이스들을 포함할 수 있다. 예시적으로, 사용자 인터페이스(160)는 키보드, 키패드, 버튼, 터치 패널, 터치 스크린, 터치 패드, 터치 볼, 카메라, 마이크, 자이로스코프 센서, 진동 센서, 압전 소자 등과 같은 사용자 입력 인터페이스들을 포함할 수 있다.
사용자 인터페이스(160)는 LCD (Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light Emitting Diode) 표시 장치, AMOLED (Active Matrix OLED) 표시 장치, LED, 스피커, 모터 등과 같은 사용자 출력 인터페이스들을 포함할 수 있다.
주변장치들(170)은 모바일 단말기(100)에서 사용되는 다양한 장치들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 장치들(150)은 그래픽 연산부(GPU), GPS, 심박 센서, 카메라, 통신 모듈 등과 같은 장치들을 포함할 수 있다.
도 2는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 구성도이고, 도 3은 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 실제 구성도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 호환성 테스트를 명령하기 위한 사용자 인터페이스(160)가 터치패널 형태로 구비되고,
모바일용 메모리(130)와, 비휘발성 메모리(플레시 메모리, 130a)가 탈부착될 수 있는 구조로 형성된다.
즉, 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)의 주 목적은,
모바일 단말기(100)에 새로운 응용 프로세서(Application Processor, AP)와, 새로운 모바일용 메모리가 적용될 경우, 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 모바일용 메모리(130) 사이의 호환성 테스트를 진행하기 위해 것이다.
따라서 응용 프로세서(Application Processor, AP)와 모바일용 메모리(130) 사이에 신뢰성 있는 호환성 테스트를 진행할 수 있도록, 모바일용 메모리(130)는 탈부착 가능하도록 구성된다.
즉, 응용 프로세서(110)는 다양한 종류의 모바일용 메모리가 장착될 수 있다.
예를 들어 응용 프로세서(110)가 미디어텍의 "MTK6757"이라고 가정할 경우, 해당 응용 프로세서(110)는 LPDDR4(Low Power DDR4) 규격을 만족하는 모바일 메모리와, LPDDR3(Low Power DDR3) 규격을 만족하는 모바일 메모리를 선택적으로 적용할 수 있다.
모바일용 메모리(130)는 DDR3, DDR4의 규격을 만족하더라도, 제조회사마다의 특성이 존재할 수 있으므로, 새로운 응용 프로세서(110)를 포함하는 모바일 단말기(100)는, 대량 양산 전에 적용하고자 하는 모바일용 메모리(130)의 실장 테스트를 진행하여야 한다.
따라서 본 실시예의 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)에서, 모바일용 메모리(130) 및 비휘발성 메모리(플레시 메모리, 130a)는 인터포저(Interposer, 131) 또는 소켓(Socket, 131)을 통해 응용 프로세서(110)의 인터페이스와 연결되도록 구성된다.
참고적으로 본 실시예에서는 모바일용 메모리(130)의 호환성 테스트를 진행하는 방식을 주로 설명하고 있으나, 동일한 방식으로 다양한 크기, 다양한 규격 및 여러 제조회사의 비휘발성 메모리(플레시 메모리, 130a)의 호환성 테스트를 진행할 수도 있을 것이다.
본 실시예에서 모바일용 메모리(130)는 <표 1>과 같은 규격을 만족하는 LPDDR4 규격의 메모리가 사용된다.
- 메모리 규격
- Power
VDD1 = 1.70??1.95V; 1.8V nominal
VDD2/VDDQ = 1.06??1.17V; 1.10V nominal
- Frequency range
1600??10 MHz (data rate range: 3200??20 Mb/s/pin)
- 16n prefetch DDR architecture
- 2-channel partitioned architecture for low RD/WR energy and low average latency
- 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths (BL =16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- Up to 12.8 GB/s per die (2 channels x 6.4 GB/s)
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR)
- Selectable output drive strength (DS)
- Clock-stop capability
- Programmable VSSQ (ODT) termination
상술한 바와 같이, 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(1)는 모바일 단말기(100)와, 모바일용 메모리(130)와, 메모리 전원공급부(210)를 포함하여 구성된다.
모바일 단말기(100)는 메모리 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서(110)와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널(160)을 구비한다.
모바일용 메모리(130)는 응용 프로세서(110)의 주 메모리로 사용되는데, 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결된다. 예를 들면, 모바일용 메모리(130)는 인터포저(Interposer) 또는 소켓(Socket)을 통해 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결될 수 있다.
메모리 전원공급부(210)는 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절한다.
모바일용 메모리(130)가 테스트 되는 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 전원공급부(210)는 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하도록 동작한다.
메모리 테스트 애플리케이션은 스토리지(140) 또는 ROM(150)에 저장될 수 있으며,
모바일 단말기(100)가 부팅될 때, 모바일용 메모리(130)에 로드된 후 응용 프로세서(110)에 의해 엑세스되면서 테스트 동작이 진행된다.
메모리 테스트 애플리케이션의 동작과정은 터치 패널(160)에 표시되므로, 사용자가 터치 패널(160)을 통해 메모리 테스트 애플리케이션의 테스트 과정을 제어하거나, 테스트 절차를 변경할 수 있다.
- 제1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제1 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 증가하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 상승할 수 있다.
상술한 바와 같은 제1 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제2 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제2 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 하강하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 하강할 수 있다.
상술한 바와 같은 제2 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제3 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제3 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 일정하게 유지한다.
이때, 메모리 전원공급부(210)는 소정의 주기마다, 허용되는 최대전압값과 허용되는 최저전압값 사이를 펄싱하는 구동전압을 생성하여, 모바일용 메모리(130)에 공급할 수 있다. 예를 들어 구동전압은 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱할 수 있다. 즉, 기본적으로 구동전압은 1.1V를 유지하도록 공급되지만, 주기적으로 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱하는 구동전압이 공급된다.
상술한 바와 같은 제3 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제4 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제4 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 클럭 주파수를 상승시키면서 데이터 전송속도를 점점 빠르게 하는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 증가하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 상승할 수 있다.
상술한 바와 같은 제4 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제5 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제5 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 클럭 주파수를 상승시키면서 데이터 전송속도를 점점 빠르게 하는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 하강하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 하강할 수 있다.
상술한 바와 같은 제5 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제6 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제6 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 클럭 주파수를 상승시키면서 데이터 전송속도를 점점 빠르게 하는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 일정하게 유지한다.
이때, 메모리 전원공급부(210)는 소정의 주기마다, 허용되는 최대전압값과 허용되는 최저전압값 사이를 펄싱하는 구동전압을 생성하여, 모바일용 메모리(130)에 공급할 수 있다. 예를 들어 구동전압은 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱할 수 있다. 즉, 기본적으로 구동전압은 1.1V를 유지하도록 공급되지만, 주기적으로 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱하는 구동전압이 공급된다.
상술한 바와 같은 제6 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
상술한 바와 같이 진행되는 제1 내지 제6 테스트 모드의 반복횟수와, 각 테스트 모드가 진행되는 순서는 사용자 설정에 의해 변경될 수 있다.
한편, 도면에 미도시 되었으나, 모바일용 메모리(130)의 상부면에는 열전소자로 구성되는 온도 조절부가 배치될 수 있다.
온도 조절부는 메모리 테스트 애플리케이션 및 응용 프로세서(110)의 제어에 따라 온도를 조절하도록 구성될 수 있다.
즉, 온도 조절부는 단순히 모바일용 메모리(130)를 냉각하는 역할을 수행하는 것이 아닌, 테스트 동작과 연계되어 모바일용 메모리(130)를 과냉각 시키거나, 과열시키는 동작을 진행할 수 있으며, 과냉각 및 과열동작을 반복 진행하도록 동작할 수도 있다. 이때, 온도 조절부 상부에 회전하는 팬이 부착되어 온도차이로 인해 발생할 수 있는 응축수를 제거하도록 구성될 수도 있다.
한편, 모바일용 메모리(130)에 내장된 온도센서의 온도값과, 온도 조절부의 온도값은 차이가 발생한다. 따라서 메모리 테스트 애플리케이션은 내장된 온도센서의 온도값과, 온도 조절부의 온도값이 미리 설정된 값 이내를 유지하도록 온도 조절부를 제어하여 급격한 온도 차이를 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)의 블록도이다.
본 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)는 제안하고자 하는 기술적인 사상을 명확하게 설명하기 위한 간략한 구성만을 포함하고 있다.
도 4를 참조하면, 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)는 모바일 단말기(100)와, 모바일용 메모리(130)와, 메모리 전원공급부(210)와, 복수의 전자기파 감지용 탐침(220)과, 전자기파 스캐너(Near- field scanners, 230)를 구비한다.
여기에서 모바일 단말기(100)는, 응용 프로세서(110, AP; Application Processor), 보안 장치(120), 스토리지(140), ROM(150), 사용자 인터페이스(160), 주변장치들(170)을 포함하여 구성된다.
모바일 단말기(100)가 정상적으로 동작하기 위해서는, 모바일용 메모리(130)가 장착되어야 하는데, 본 실시예에서 모바일용 메모리(130)는 모바일 단말기(100)의 외부에서 탈부착 가능하도록 장착되어, 모바일용 메모리(130)가 모바일 단말기(100)와 호환되는 인터페이스에 연결되도록 구성된다.
모바일 단말기(100)는 메모리 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서(110)와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널(160)을 구비한다.
모바일용 메모리(130)는 응용 프로세서(110)의 주 메모리로 사용되는데, 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결된다. 예를 들면, 모바일용 메모리(130)는 인터포저(Interposer) 또는 소켓(Socket)을 통해 응용 프로세서(110)의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결될 수 있다.
메모리 전원공급부(210)는 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절한다.
모바일용 메모리(130)가 테스트 되는 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 전원공급부(210)는 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하도록 동작한다.
메모리 테스트 애플리케이션은 스토리지(140) 또는 ROM(150)에 저장될 수 있으며,
모바일 단말기(100)가 부팅될 때, 모바일용 메모리(130)에 로드된 후 응용 프로세서(110)에 의해 엑세스되면서 테스트 동작이 진행된다.
메모리 테스트 애플리케이션은 터치 패널(160)에 표시되므로, 사용자가 터치 패널(160)을 통해 메모리 테스트 애플리케이션의 테스트 과정을 제어하거나, 테스트 절차를 변경할 수 있다.
- 제1-1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제1 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 증가하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 상승할 수 있다.
상술한 바와 같은 제1 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제2-1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제2 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 하강하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 하강할 수 있다.
상술한 바와 같은 제2 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제3-1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제3 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 일정하게 유지한다.
이때, 메모리 전원공급부(210)는 소정의 주기마다, 허용되는 최대전압값과 허용되는 최저전압값 사이를 펄싱하는 구동전압을 생성하여, 모바일용 메모리(130)에 공급할 수 있다. 예를 들어 구동전압은 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱할 수 있다. 즉, 기본적으로 구동전압은 1.1V를 유지하도록 공급되지만, 주기적으로 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱하는 구동전압이 공급된다.
상술한 바와 같은 제3 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제4-1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제4 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 클럭 주파수를 상승시키면서 데이터 전송속도를 점점 빠르게 하는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 증가하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 상승할 수 있다.
상술한 바와 같은 제4 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제5-1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제5 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
이때, 응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 클럭 주파수를 상승시키면서 데이터 전송속도를 점점 빠르게 하는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 하강하도록 동작한다. 예를 들어 구동전압은 1.0V ~ 1.2V 사이의 레벨에서 점차적으로 하강할 수 있다.
상술한 바와 같은 제5 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
- 제6-1 테스트 모드
메모리 테스트 애플리케이션의 제6 테스트 모드에 의한 테스트 과정은 다음과 같이 이루어진다.
메모리 테스트 애플리케이션은 응용 프로세서(110)를 제어하여, 모바일용 메모리(130)의 모든 주소영역에 데이터를 기록하고 기록된 데이터를 순차적으로 읽는 동작을 진행한다.
응용 프로세서(110)와 모바일용 메모리(130) 사이의 클럭 주파수를 상승시키면서 데이터 전송속도를 점점 빠르게 하는 상태에서, 메모리 전원공급부(210)는 모바일용 메모리(130)에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 일정하게 유지한다.
이때, 메모리 전원공급부(210)는 소정의 주기마다, 허용되는 최대전압값과 허용되는 최저전압값 사이를 펄싱하는 구동전압을 생성하여, 모바일용 메모리(130)에 공급할 수 있다. 예를 들어 구동전압은 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱할 수 있다. 즉, 기본적으로 구동전압은 1.1V를 유지하도록 공급되지만, 주기적으로 0.8V ~ 1.4V 사이의 레벨에서 주기적으로 펄싱하는 구동전압이 공급된다.
상술한 바와 같은 제6 테스트 모드의 동작은 소정의 횟수동안 반복되며, 테스트 결과 즉, 메모리의 각 주소영역에 정확하게 데이터가 기록되고 읽기 되었는지 여부가 터치 패널(160)에 표시된다.
모바일용 메모리(130)의 내부에는 온도센서가 내장되어 있으므로, 테스트 과정동안의 온도변화도 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
상술한 바와 같이 진행되는 제1-1 내지 제6-1 테스트 모드의 반복횟수와, 테스트 모드가 진행되는 순서는 사용자에 의해 변경될 수 있다.
한편, 도면에 미도시 되었으나, 모바일용 메모리(130)의 상부면에는 열전소자로 구성되는 온도 조절부가 배치될 수 있다.
온도 조절부는 메모리 테스트 애플리케이션 및 응용 프로세서(110)의 제어에 따라 온도를 조절하도록 구성될 수 있다.
즉, 온도 조절부는 단순히 모바일용 메모리(130)를 냉각하는 역할을 수행하는 것이 아닌, 테스트 동작과 연계되어 모바일용 메모리(130)를 과냉각 시키거나, 과열시키는 동작을 진행할 수 있으며, 과냉각 및 과열동작을 반복 진행하도록 동작할 수도 있다. 이때, 온도 조절부 상부에 회전하는 팬이 부착되어 온도차이로 인해 발생할 수 있는 응축수를 제거하도록 구성될 수도 있다.
한편, 모바일용 메모리(130)에 내장된 온도센서의 온도값과, 온도 조절부의 온도값은 차이가 발생한다. 따라서 메모리 테스트 애플리케이션은 내장된 온도센서의 온도값과, 온도 조절부의 온도값이 미리 설정된 값 이내를 유지하도록 온도 조절부를 제어하여 급격한 온도 차이를 방지할 수 있다.
한편, 복수의 전자기파 감지용 탐침(220)은, 모바일용 메모리(130)의 각 모서리 주변에 배치되어 모바일용 메모리(130) 주변의 삼차원 공간에서의 전자기파 세기(E, H)를 감지한다.
즉, 메모리 테스트 애플리케이션은 제1-1 내지 제6-1 테스트 동작 중에 복수의 전자기파 감지용 탐침(220)에서 감지된 전자기파 데이터를 저장한 후, 터치 패널(160)에 표시할 수 있다.
한편, 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)의 하부면에는 전자기파 스캐너(Near- field scanners, 230)가 추가로 배치될 수 있다.
전자기파 스캐너(Near- field scanners, 230)는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)를 구성하는 인쇄회로기판의 하부면에 배치되어 인쇄회로기판에 장착된 응용 프로세서(110), 모바일용 메모리(130) 주변의 전자기파를 감지할 수 있다.
도 5는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)에서 스캔한 영역별 전자기파의 세기를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 모바일용 메모리 실장 테스트 장치(2)를 구성하는 인쇄회로기판의 영역별 전자기파의 세기(E, H)가 표시되며, 이와 같은 색상별 전자기파의 세기는 터치 패널(160)에 표시될 수 있다.
결과적으로 모바일용 메모리(130)의 호환성 테스트를 진행하면서, 응용 프로세서(110) 및 모바일용 메모리(130) 주변의 전자기파(E, H)를 측정하여 메모리 호환성 테스트의 한 인자로써 참고할 수 있다.
특히, 모바일용 메모리(130) 주변의 전자기파(E, H)의 세기를 토대로 데이터 전송속도, 구동전압의 전압레벨 및 클럭 주파수 중 적어도 하나 이상을 변경하면서 테스트를 진행하면서 호환성 테스트를 진행할 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 모바일용 메모리 실장 테스트 장치는,
응용 프로세서(Application Processor, AP)와 메모리 사이에 신뢰성 있는 호환성 테스트를 진행할 수 있다.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
110 : 응용 프로세서
120 : 보안 장치
130 : 모바일용 메모리
140 : 스토리지
150 : ROM
160 : 터치 패널
170 : 주변장치들
210 : 전자기파 감지용 탐침

Claims (5)

  1. 메모리 테스트 애플리케이션 실행과 같은 동작들을 위한 연산 동작을 수행하는 응용 프로세서와, 사용자 인터페이스를 위한 터치 패널을 구비하는 모바일 단말기;
    상기 응용 프로세서의 주 메모리로 사용됨에 있어서 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되는 모바일용 메모리;
    상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절하는 메모리 전원공급부; 및
    상기 모바일용 메모리의 각 모서리 주변에 배치되어 상기 모바일용 메모리 주변의 삼차원 공간에서의 전자기파 세기를 감지하는 복수의 전자기파 감지용 탐침;을 포함하고,
    상기 모바일용 메모리는, 인터포저(Interposer) 또는 소켓(Socket)을 통해 상기 응용 프로세서의 인터페이스에 탈부착 가능하도록 연결되고,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션은 부팅시 상기 모바일용 메모리에 로드된 후 상기 응용 프로세서에 의해 엑세스되면서 테스트 동작이 진행되고, 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 동작과정은 상기 터치 패널에 표시되고 상기 터치 패널의 조작에 의해 테스트 동작이 제어되고,
    상기 모바일용 메모리의 상부면에는 열전소자로 구성되는 온도 조절부가 배치되고, 상기 온도 조절부는 상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 온도를 조절함에 있어서, 테스트 동작과 연계되어 상기 모바일용 메모리를 과냉각 또는 과열시키고,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션은, 상기 모바일용 메모리에 내장된 온도센서의 온도값과, 상기 온도 조절부의 온도값의 차이가 미리 설정된 값 이내로 유지되도록 상기 온도 조절부를 제어하는 것을 특징으로 하는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 전원공급부는,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절함에 있어서,
    상기 응용 프로세서와 상기 모바일용 메모리 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서 상기 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 증가하도록 동작하며, 상기 메모리 테스트 애플리케이션은 테스트 동작 중에 상기 복수의 전자기파 감지용 탐침에서 감지된 전자기파 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 전원공급부는,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절함에 있어서,
    상기 응용 프로세서와 상기 모바일용 메모리 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서 상기 구동전원의 전압레벨이 소정의 범위 내에서 점진적으로 하강하도록 동작하며,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션은 테스트 동작 중에 상기 복수의 전자기파 감지용 탐침에서 감지된 전자기파 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 메모리 전원공급부는,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션의 제어에 따라 상기 모바일용 메모리에 공급되는 구동전원의 전압레벨을 조절함에 있어서,
    상기 응용 프로세서와 상기 모바일용 메모리 사이의 데이터 전송속도가 일정하게 유지되는 상태에서 상기 구동전원의 전압레벨을 일정하게 유지하되, 소정의 주기마다 허용되는 최대전압값과 허용되는 최저전압값 사이를 펄싱하는 전압을 생성하며,
    상기 메모리 테스트 애플리케이션은 테스트 동작 중에 상기 복수의 전자기파 감지용 탐침에서 감지된 전자기파 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 모바일용 메모리 실장 테스트 장치.
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