KR102016401B1 - temporature correction system for sensor mounted wafer - Google Patents

temporature correction system for sensor mounted wafer Download PDF

Info

Publication number
KR102016401B1
KR102016401B1 KR1020170169836A KR20170169836A KR102016401B1 KR 102016401 B1 KR102016401 B1 KR 102016401B1 KR 1020170169836 A KR1020170169836 A KR 1020170169836A KR 20170169836 A KR20170169836 A KR 20170169836A KR 102016401 B1 KR102016401 B1 KR 102016401B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
sensor
value
mounted wafer
heater
Prior art date
Application number
KR1020170169836A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190069678A (en
Inventor
이동석
조승래
Original Assignee
(주)제이디
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)제이디 filed Critical (주)제이디
Priority to KR1020170169836A priority Critical patent/KR102016401B1/en
Publication of KR20190069678A publication Critical patent/KR20190069678A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102016401B1 publication Critical patent/KR102016401B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체공정 모니터링에 사용되는 센서 장착 웨이퍼 기술에 있어서, 특히 센서 장착 웨이퍼의 센싱 정보에 대한 신뢰성을 보장해 주는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템에 관한 것으로, 온도센서가 구비된 센서 장착 웨이퍼를 보관하기 위한 보관 장치와, 상기 보관 장치와 연동하여 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하는 제어스테이션으로 구성되되, 상기 보관 장치는 상기 센서 장착 웨이퍼가 보관 중인 내부로 열을 발생시키는 히터와, 상기 히터의 발열 온도를 가변 제어하기 위한 제어명령을 상기 제어스테이션으로부터 수신하고 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제어스테이션에 전달하는 제1통신모듈을 구비하고, 상기 제어스테이션은 상기 제1통신모듈과 통신하는 제2통신모듈을 구비하고, 상기 히터의 발열 온도를 제어함에 따라 설정되는 기준 온도 값과 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도센서의 온도 보정 값으로 설정하고, 상기 설정된 온도 보정 값을 사용하여 상기 온도센서가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하는 것이 특징이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor-mounted wafer technology used for semiconductor process monitoring, and more particularly to a temperature compensation system of a sensor-mounted wafer that ensures reliability of sensing information of a sensor-mounted wafer. And a control station configured to correct a temperature value sensed by the temperature sensor of the sensor-mounted wafer in the chamber during the process in association with the storage device, wherein the storage device is being stored by the sensor-mounted wafer. Receiving a heater generating heat therein and a control command for variably controlling the heating temperature of the heater from the control station and receiving a temperature value sensed by the temperature sensor of the sensor-mounted wafer from the sensor-mounted wafer; Establish a first communication module to transmit to the control station The control station includes a second communication module configured to communicate with the first communication module, wherein the reference temperature value and the temperature sensor of the sensor-mounted wafer are generated from the heater by setting a reference temperature value by controlling the heating temperature of the heater. It is characterized in that the error of the temperature value of the sensed heat is set to the temperature correction value of the temperature sensor, and using the set temperature correction value to correct the temperature value sensed by the temperature sensor in the chamber during the process.

Description

센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템{temporature correction system for sensor mounted wafer}Temperature correction system for sensor mounted wafers

본 발명은 반도체공정 모니터링에 사용되는 센서 장착 웨이퍼 기술에 관한 것으로, 특히 센서 장착 웨이퍼의 센싱 정보에 대한 신뢰성을 보장해 주는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor-mounted wafer technology used for semiconductor process monitoring, and more particularly, to a temperature compensation system of a sensor-mounted wafer that ensures reliability of sensing information of a sensor-mounted wafer.

반도체 제조에는 일반적으로 광학, 증착과 성장, 식각 공정 등 다수의 공정을 거친다.Semiconductor manufacturing typically goes through a number of processes, including optics, deposition and growth, and etching.

반도체 제조 공정에는 각 공정에서 공정 조건과 장비의 작동 상태를 주의 깊게 모니터링해야 한다. 예를 들면, 챔버나 웨이퍼의 온도, 가스 주입 상태, 압력 상태 또는 플라스마 밀도나 노출 거리 등을 제어하면서 최적의 반도체 수율을 위해 정밀한 모니터링이 필수적이다.The semiconductor manufacturing process requires careful monitoring of the operating conditions and equipment operating conditions in each process. For example, precise monitoring is essential for optimum semiconductor yield while controlling the temperature of the chamber or wafer, gas injection, pressure, plasma density or exposure distance.

온도, 플라즈마, 압력, 유량 및 가스 등과 관련된 공정 조건에 오차가 발생하거나 장비가 오동작 하는 경우에는 불량이 다수 발생하여 전체 수율에 치명적이다. In the case of errors in the process conditions related to temperature, plasma, pressure, flow rate and gas, or equipment malfunction, many defects occur and are fatal to the overall yield.

한편, 종래 기술에서는 반도체 제조에서 챔버 내의 공정 조건을 간접적으로 측정하였으나 반도체 수율 향상을 위해 챔버의 내부 조건이나 그 챔버에 로딩된 웨이퍼의 상태 등을 직접 측정하기 위한 연구가 계속되었다. 그 중 하나가 웨이퍼의 온도 센싱 기술로 SOW(Sensor On Wafer)가 소개되었다.Meanwhile, in the prior art, in the semiconductor manufacturing, the process conditions in the chamber were indirectly measured. However, researches for directly measuring the internal conditions of the chamber and the state of the wafer loaded in the chamber have continued to improve semiconductor yield. One of them is SOW (Sensor On Wafer), which is a technology for wafer temperature sensing.

SOW(Sensor On Wafer)는 테스트용 웨이퍼 상에 온도센서를 장착하고, 각각의 온도센서를 이용하여 반도체 제조 공정에서의 온도를 챔버 내에서 직접 센싱하였다.SOW (Sensor On Wafer) mounted a temperature sensor on the test wafer, and sensed the temperature in the semiconductor manufacturing process directly in the chamber using each temperature sensor.

SOW를 이용함에 있어서 정밀한 모니터링이 필수적인데, 온도센서에 의해 센싱된 온도 값이 정확한지에 대한 문제가 제기된다. 온도센서에 의해 센싱된 온도 값에 오차가 발생한다면 반도체 제조 공정에 치명적인 악영향을 줄 수 있다. 따라서, 센서 장착 웨이퍼에 이미 장착된 온도센서가 센싱 능력이 저하된 경우라도 보정을 통해 정확성을 보장해 주는 것이 필수적이다.Precise monitoring is essential in using SOW, which raises the question of whether the temperature value sensed by the temperature sensor is accurate. If an error occurs in the temperature value sensed by the temperature sensor, it can have a fatal adverse effect on the semiconductor manufacturing process. Therefore, it is essential to ensure accuracy through correction even when the sensing capability of the temperature sensor already mounted on the sensor-mounted wafer is degraded.

한편, 종래 기술에서는 한번 장착된 온도센서는 교체가 불가능하기 때문에 온도센서에 의해 센싱된 온도 값에 오차가 발생하는 것으로 확인되면, 온도센서만 불량임에도 불구하고 센서 장착 웨이퍼 전체를 사용할 수 없게 되어 경제적인 손실이 발생하였다. On the other hand, in the prior art, once the mounted temperature sensor is impossible to replace, if it is confirmed that an error occurs in the temperature value sensed by the temperature sensor, the entire sensor-mounted wafer cannot be used even though only the temperature sensor is defective. Phosphorus loss occurred.

본 발명의 목적은 상기한 점을 감안하여 안출한 것으로, 특히 SOW(Sensor On Wafer)와 같은 센서 장착 웨이퍼에 장착된 온도센서의 불량 시에도 센싱 온도의 보정을 통해 센서 장착 웨이퍼의 센싱 능력을 보장해 주는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템을 제공하는 데 있다.The object of the present invention has been made in view of the above point, and in particular, in the event of a failure of a temperature sensor mounted on a sensor-mounted wafer such as a sensor on wafer (SOW), the sensing temperature of the sensor-mounted wafer is ensured by correcting the sensing temperature. The main objective is to provide a temperature compensation system for a sensor-mounted wafer.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템의 특징은, 온도센서가 구비된 센서 장착 웨이퍼를 보관하기 위한 보관 장치와, 상기 보관 장치와 연동하여 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하는 제어스테이션으로 구성되되,A feature of the temperature correction system of a sensor-mounted wafer according to the present invention for achieving the above object is a storage device for storing a sensor-mounted wafer equipped with a temperature sensor, and in conjunction with the storage device the The temperature sensor consists of a control station that compensates for temperature values sensed in the chamber during the process.

상기 보관 장치는 상기 센서 장착 웨이퍼가 보관 중인 내부로 열을 발생시키는 히터와, 상기 히터의 발열 온도를 가변 제어하기 위한 제어명령을 상기 제어스테이션으로부터 수신하고 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제어스테이션에 전달하는 제1통신모듈을 구비하고,The storage device receives a heater for generating heat into the inside of the sensor-mounted wafer and a control command for variably controlling the heating temperature of the heater from the control station and sensed by the temperature sensor of the sensor-mounted wafer. And a first communication module for receiving a temperature value from the sensor-mounted wafer and transferring it to the control station.

상기 제어스테이션은 상기 제1통신모듈과 통신하는 제2통신모듈을 구비하고, 상기 히터의 발열 온도를 제어함에 따라 설정되는 기준 온도 값과 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도센서의 온도 보정 값으로 설정하고, 상기 설정된 온도 보정 값을 사용하여 상기 온도센서가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하는 것이다.The control station includes a second communication module communicating with the first communication module, wherein a reference temperature value set by controlling the heating temperature of the heater and heat generated by the temperature sensor of the sensor-mounted wafer from the heater. The error of the temperature value sensed by setting the temperature correction value of the temperature sensor, and using the set temperature correction value to correct the temperature value sensed by the temperature sensor in the chamber during the process.

바람직하게, 상기 온도 보정 값을 설정하는 제1모드와, 상기 온도 보정 값을 사용하여 상기 온도센서가 공정 중에 센싱한 온도 값을 보정하는 제2모드로 동작할 수 있다.Preferably, the first mode may be configured to set the temperature correction value, and the second mode may be used to correct the temperature value sensed by the temperature sensor during the process by using the temperature correction value.

바람직하게, 상기 제1통신모듈은 상기 온도센서가 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제2통신모듈로 전달하거나, 상기 온도센서가 공정 중에 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제2통신모듈로 전달할 수 있다.Preferably, the first communication module receives a temperature value from which the temperature sensor senses heat generated from the heater from the sensor-mounted wafer and transfers it to the second communication module, or a temperature sensed by the temperature sensor during the process. A value may be received from the sensor-mounted wafer and transferred to the second communication module.

바람직하게, 상기 보관장치는 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱하는 복수 개의 검증용 온도센서를 더 포함할 수 있다.Preferably, the storage device may further include a plurality of verification temperature sensors for sensing the heat generated from the heater.

보다 바람직하게, 상기 제어스테이션은 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값을 상기 기준 온도 값으로 설정할 수 있다.More preferably, the control station may set a temperature value commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors as the reference temperature value.

보다 바람직하게, 상기 제어스테이션은 상기 히터의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어하되, 상기 히터의 발열 온도가 제k(1≤k≤n)온도일 때, 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값과 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도 보정 값으로 설정할 수 있다.More preferably, the control station controls the heating temperature of the heater to vary from the first temperature to the nth temperature, when the heating temperature of the heater is k (1≤k≤n) temperature, the temperature sensor is An error between a temperature value sensed and a temperature value sensed in common by the plurality of verification temperature sensors may be set as the temperature correction value.

보다 바람직하게, 상기 제어스테이션은 상기 히터의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어하되, 상기 발열 온도의 변화에 따른 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값의 기울기(a)와 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 기울기(b)를 비교하고, 그 비교 결과에 따른 오차와 기울기 편차 중 적어도 하나를 사용하여 상기 온도 보정 값을 설정할 수 있다.More preferably, the control station controls the heating temperature of the heater to vary from the first temperature to the nth temperature, the slope (a) and the plurality of temperature values sensed by the temperature sensor according to the change in the heating temperature The temperature verification values may be set by comparing the slopes b of the temperature values sensed by the two verification temperature sensors in common, and using at least one of an error and a slope deviation according to the comparison result.

보다 바람직하게, 상기 제어스테이션은 상기 기울기(a)와 상기 기울기(b)가 동일한 경우에, 상기 히터의 발열 온도가 제k(1≤k≤n)온도일 때 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값과 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도 보정 값으로 설정할 수 있다.More preferably, the control station is a temperature value sensed by the temperature sensor when the heat generated temperature of the heater is k (1≤k≤n) when the slope (a) and the slope (b) is the same And an error of a temperature value commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors may be set as the temperature correction value.

보다 바람직하게, 상기 제어스테이션은 상기 기울기(a)와 상기 기울기(b)가 상이한 경우에, 상기 히터의 발열 온도가 제k(1≤k<m≤n)온도일 때 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값과 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도 보정 값으로 설정하되, 상기 히터의 발열 온도가 제m(1≤k<m≤n)온도일 때는 상기 온도 보정 값에 상기 기울기(a)와 상기 기울기(b)의 편차를 이득 값으로 가산하여 설정할 수 있다.More preferably, when the inclination (a) and the inclination (b) are different, the control station senses that the temperature sensor senses when the heating temperature of the heater is k (1 ≦ k <m ≦ n) temperature. An error between a temperature value and a temperature value commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors is set as the temperature correction value, and when the heating temperature of the heater is m (1≤k <m≤n), the temperature The deviation between the slope a and the slope b may be added to the correction value as a gain value.

바람직하게, 상기 제어스테이션은 상기 히터의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어하되, 상기 발열 온도를 제k(1≤k≤n)온도로 설정하기 위한 제어명령을 상기 보관장치로 송신함에 따라 상기 제k온도를 상기 기준 온도 값으로 설정할 수 있다.Preferably, the control station controls the heating temperature of the heater to vary from the first temperature to the n-th temperature, the control device for setting the heating temperature to the k (1≤k≤n) temperature storage device The k-th temperature may be set to the reference temperature value as transmitted.

본 발명에 따르면, 센서 장착 웨이퍼를 안정되게 보관될 수 있는 보관 장치와 그를 제어하는 제어스테이션이 연동하여 미리 온도센서의 센싱 능력 저하에 따른 오차를 기준으로 보정 값을 설정한 후에 실제 공정 중에 센싱한 온도 값을 보정해 줄 수 있다. 그에 따라, 센서 장착 웨이퍼에 이미 장착된 온도센서의 센싱 능력이 저하된 경우라도 별도의 보정을 통해 공정 모니터링의 정확성을 보장해 준다.According to the present invention, a storage device capable of stably storing a sensor-mounted wafer and a control station controlling the same interlock with each other to set a correction value based on an error caused by a decrease in sensing capability of a temperature sensor before sensing the actual wafer. The temperature value can be corrected. As a result, even if the sensing capability of the temperature sensor already mounted on the sensor-mounted wafer is degraded, a separate correction ensures the accuracy of process monitoring.

이러한 본 발명에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템을 사용함으로써, 온도센서만의 불량 시에도 센서 장착 웨이퍼를 그대로 사용할 수 있다. 따라서, 센서 장착 웨이퍼를 교체해야 하는 경제적인 손실이 발생하지 않는다.By using the temperature correction system of the sensor-mounted wafer according to the present invention, the sensor-mounted wafer can be used as it is even when the temperature sensor is defective. Therefore, there is no economic loss of having to replace the sensor-mounted wafer.

도 1은 본 발명을 설명하기 위한 센서 장착 웨이퍼의 구성을 도시한 다이어그램이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템의 구성을 도시한 다이어그램이고,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템이 제1모드로 동작 시에 온도 보정 값을 설정하는 절차를 도시한 다이어그램이고,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템이 제2모드로 동작 시에 공정 중 센싱한 온도를 보정하는 절차를 도시한 다이어그램이고,
도 5 및 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템에서 온도 보정 값을 설정하는 예들을 설명하기 위한 그래프들이다.
1 is a diagram showing the configuration of a sensor-mounted wafer for explaining the present invention,
2 is a diagram illustrating a configuration of a temperature correction system of a sensor-mounted wafer according to an embodiment of the present invention;
3 is a diagram illustrating a procedure of setting a temperature correction value when a temperature correction system of a sensor-mounted wafer operates in a first mode according to an embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a diagram illustrating a procedure of correcting a temperature sensed during a process when a temperature correction system of a sensor-mounted wafer operates in a second mode according to an embodiment of the present disclosure.
5 and 6 are graphs for explaining examples of setting a temperature correction value in a temperature correction system of a sensor-mounted wafer according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시 예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the detailed description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시 예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings illustrating the configuration and operation of the embodiment of the present invention, the configuration and operation of the present invention shown in the drawings and described by it will be described by at least one embodiment, By the technical spirit of the present invention described above and its core configuration and operation is not limited.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 온도보정기능을 가지는 센서 장착 웨이퍼 보관 장치의 바람직한 실시 예를 자세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of a sensor-mounted wafer storage device having a temperature correction function according to the present invention.

도 1은 본 발명을 설명하기 위한 센서 장착 웨이퍼의 구성을 도시한 다이어그램이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템의 구성을 도시한 다이어그램이다.1 is a diagram showing the configuration of a sensor-mounted wafer for explaining the present invention, Figure 2 is a diagram showing the configuration of a temperature correction system of a sensor-mounted wafer according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 2를 참조하면, 본 발명에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템은 보관 장치(2)와 제어스테이션(3)으로 구성된다.1 and 2, the temperature compensation system of the sensor-mounted wafer according to the present invention consists of a storage device 2 and a control station 3.

보관 장치(2)는 센서 장착 웨이퍼(1)를 안정적으로 보관하기 위한 것이며, 제어스테이션(3)은 보관 장치(2)와 연동하여 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 온도센서(10)가 센싱한 온도 값을 보정하기 위한 것이다.The storage device 2 is for stably storing the sensor-mounted wafer 1, and the control station 3 senses the temperature sensor 10 provided in the sensor-mounted wafer 1 in cooperation with the storage device 2. To calibrate one temperature value.

센서 장착 웨이퍼(1)는 온도센서(10)와 통신유닛(20)을 구비하는 것이 바람직하며, 그 센서 장착 웨이퍼(1)는 그밖에 제어유닛(30)과 배터리(40)와 충전회로(41)와 메모리(50)를 더 포함할 수 있다.The sensor-mounted wafer 1 preferably includes a temperature sensor 10 and a communication unit 20, and the sensor-mounted wafer 1 further includes the control unit 30, the battery 40, and the charging circuit 41. And a memory 50 may be further included.

온도센서(10)는 센서 장착 웨이퍼(1)에 복수 개가 구비되며, 센서 장착 웨이퍼(1)의 정해진 센싱 위치에 내장되어 해당 위치에서 공정 중에 공정 모니터링을 위한 온도 센싱을 담당한다. 즉, 온도센서(10)는 센서 장착 웨이퍼(1)가 로딩된 챔버 내부 온도나 챔버에 로딩된 웨이퍼의 자체 온도를 센싱할 수 있다.The temperature sensor 10 is provided in plural on the sensor-mounted wafer 1 and is embedded in a predetermined sensing position of the sensor-mounted wafer 1 to be responsible for temperature sensing for process monitoring during the process at the corresponding position. That is, the temperature sensor 10 may sense the temperature inside the chamber in which the sensor-mounted wafer 1 is loaded or the temperature of the wafer loaded in the chamber.

또한, 온도센서(10)는 센서 장착 웨이퍼(1)가 보관 장치(2)에 로딩되어 보관 상태가 될 때, 그 보관 장치(2)의 내부에서 온도를 센싱할 수도 있다.In addition, the temperature sensor 10 may sense the temperature inside the storage device 2 when the sensor-mounted wafer 1 is loaded into the storage device 2 to be in a storage state.

통신유닛(20)은 외부와의 무선 통신을 위한 것으로 온도센서(10)에 의해 센싱된 온도 값을 무선으로 송신하고, 또한 온도센서(10)의 동작을 제어하기 위한 제어정보를 무선으로 수신한다. 여기서, 제어정보는 센서 장착 웨이퍼(1)가 사용될 공정과 그 공정에 요구되는 조건을 포함할 수 있는데, 예로써 센서 장착 웨이퍼(1)가 어느 공정에 사용되는지를 정의하고. 그 정의된 공정에서의 센싱온도, 센싱시간, 센싱방식 등에 대한 설정 값을 포함할 수 있다.The communication unit 20 is for wireless communication with the outside and wirelessly transmits a temperature value sensed by the temperature sensor 10, and wirelessly receives control information for controlling the operation of the temperature sensor 10. . Here, the control information may include the process in which the sensor-mounted wafer 1 is to be used and the conditions required for the process, for example, defining which process the sensor-mounted wafer 1 is used in. It may include a set value for the sensing temperature, sensing time, sensing method and the like in the defined process.

제어유닛(30)은 제어정보를 사용하여 온도센서(10)의 동작을 제어한다. 즉, 제어유닛(30)은 제어정보에 포함된 설정 값에 기반하여 온도센서(10)가 동작하도록 제어한다.The control unit 30 controls the operation of the temperature sensor 10 using the control information. That is, the control unit 30 controls the temperature sensor 10 to operate based on the set value included in the control information.

배터리(40)는 온도센서(10)와 통신유닛(20)과 제어유닛(30)을 포함하여 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 구성요소들의 구동을 위한 전원을 공급한다.The battery 40 includes a temperature sensor 10, a communication unit 20, and a control unit 30 to supply power for driving components included in the sensor-mounted wafer 1.

배터리(40)에 대한 충전 제어는 제어유닛(30)이 담당하며, 제어유닛(30)은 센서 장착 웨이퍼(1)가 공정에 사용될 때를 제외하고는 최소한의 전원이 소모되도록 전원 공급을 제어할 수 있다.The control unit 30 is responsible for charge control of the battery 40, and the control unit 30 controls the power supply so that the minimum power is consumed except when the sensor-mounted wafer 1 is used in the process. Can be.

메모리(50)는 온도센서(10)의 동작을 제어하기 위한 제어정보를 저장할 수 있으며, 온도센서(10)에 의해 센싱된 온도 값을 저장할 수 있다. 또한, 메모리(50)는 센서 장착 웨이퍼(1)가 사용된 공정을 기록한 로그데이터를 저장할 수 있다. 로그데이터는 센서 장착 웨이퍼(1)가 어떤 공정에서 어떤 조건으로 사용되었는지에 대한 정보를 포함한다.The memory 50 may store control information for controlling the operation of the temperature sensor 10, and may store a temperature value sensed by the temperature sensor 10. In addition, the memory 50 may store log data that records a process in which the sensor-mounted wafer 1 is used. The log data includes information on in what process and under what conditions the sensor-mounted wafer 1 is used.

한편, 본 발명에서는 센서 장착 웨이퍼 별로 온도 보정 값을 각각 설정할 수 있도록, 센서 장착 웨이퍼 별로 고유한 식별번호를 부여할 수 있다. 또한, 온도센서 별로 센싱한 온도 값을 구분하고 온도센서 별로 온도 보정 값을 각각 설정할 수 있도록 온도센서 별로 고유한 식별번호를 더 부여할 수도 있다. Meanwhile, in the present invention, a unique identification number may be assigned to each sensor-mounted wafer so that a temperature correction value may be set for each sensor-mounted wafer. In addition, a unique identification number may be further assigned to each temperature sensor so as to distinguish the sensed temperature value for each temperature sensor and set the temperature correction value for each temperature sensor.

보관 장치(2)는 웨이퍼 홀더(WAFER HOLDER)를 구비하여 안정적으로 센서 장착 웨이퍼(1)를 내부에 보관할 수 있다.The storage device 2 is equipped with a wafer holder WAFER HOLDER to stably store the sensor-mounted wafer 1 therein.

보관 장치(2)는 배터리(40)를 충전시키고, 또한 센서 장착 웨이퍼(1)의 공정 모니터링을 위한 제어정보를 설정할 수 있다.The storage device 2 may charge the battery 40 and set control information for process monitoring of the sensor-mounted wafer 1.

보관 장치(2)는 제1통신모듈(110)과 제1제어기(120)와 배터리(130)와 무선충전회로(140)와 LED 표시부(150)와 히터(160)와 검증용 온도센서(170)를 포함하여 구성되며, 배터리(130)로의 전원 충전을 위한 전원라인으로 POWER USB나 ADAPTER, 센싱정보와 제어정보를 저장할 수 있는 메모리, 외부와의 유선 통신을 위한 통신라인으로 USB 단자나 LAN 단자 등을 더 포함할 수 있다. 검증용 온도센서(170)는 복수 개를 구비할 수 있다.The storage device 2 includes a first communication module 110, a first controller 120, a battery 130, a wireless charging circuit 140, an LED display unit 150, a heater 160, and a verification temperature sensor 170. ) Is a power line for charging power to the battery 130, a power USB or adapter, a memory for storing sensing information and control information, and a communication line for wired communication with the outside. And the like may be further included. The verification temperature sensor 170 may be provided in plurality.

제1통신모듈(110)은 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 통신유닛(20)과 무선으로 통신한다. 특히, 제1통신모듈(110)은 센서 장착 웨이퍼(1)가 내부에 탑재 즉, 웨이퍼 홀더에 보관됨에 따라 통신유닛(20)과 무선으로 통신한다. The first communication module 110 communicates wirelessly with the communication unit 20 provided in the sensor-mounted wafer 1. In particular, the first communication module 110 wirelessly communicates with the communication unit 20 as the sensor-mounted wafer 1 is mounted therein, that is, stored in the wafer holder.

제1제어기(120)는 제1통신모듈(110)과 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 통신유닛(20)의 통신 연결에 기준하여 센서 장착 웨이퍼(1)가 내부에 탑재된 상태인지를 판단하고, 센서 장착 웨이퍼(1)의 식별번호를 제1통신모듈(110)을 통해 수신하여 제어스테이션(3)에 전달한다. 그에 따라 제어스테이션(3)이 센서 장착 웨이퍼(1)를 식별할 수 있다.The first controller 120 determines whether the sensor-mounted wafer 1 is mounted on the basis of the communication connection between the first communication module 110 and the communication unit 20 provided in the sensor-mounted wafer 1. In addition, the identification number of the sensor-mounted wafer 1 is received through the first communication module 110 and transmitted to the control station 3. The control station 3 can thus identify the sensored wafer 1.

제1제어기(120)는 제1통신모듈(110)과 통신유닛(20) 간의 무선 통신이 연결됨에 따라 무선충전회로(140)의 온오프 동작을 제어하여 배터리(130)에서 배터리(40)로 충전이 진행되도록 제어한다.The first controller 120 controls the on / off operation of the wireless charging circuit 140 as the wireless communication between the first communication module 110 and the communication unit 20 is connected to the battery 40 from the battery 130. Control charging to proceed.

LED 표시부(150)는 제1제어기(120)의 제어에 따라 무선충전회로(140)의 온오프 동작상태와 배터리(40)의 충전상태와 배터리(130)의 충전상태를 표시할 수 있다. LED 표시부(150)는 복수 개의 검증용 온도센서(170) 중 교체가 필요한 센서가 존재함을 표시할 수 있다. The LED display unit 150 may display the on-off operation state of the wireless charging circuit 140, the charging state of the battery 40, and the charging state of the battery 130 under the control of the first controller 120. The LED display unit 150 may indicate that there is a sensor that needs to be replaced among the plurality of verification temperature sensors 170.

히터(160)는 센서 장착 웨이퍼(1)가 보관 중인 내부로 열을 발생시킨다. 히터(160)는 후술될 제1모드 시에 동작하여 온도센서(10)의 센싱 에러를 보정하기 위한 구성이며, 센서 장착 웨이퍼(1)가 보관되는 내부로 열을 발생시킨다.The heater 160 generates heat to the inside where the sensor-mounted wafer 1 is being stored. The heater 160 is configured to correct a sensing error of the temperature sensor 10 by operating in the first mode to be described later, and generates heat to the inside in which the sensor-mounted wafer 1 is stored.

검증용 온도센서(170)는 복수 개 구비될 수 있으며, 그 검증용 온도센서(170)는 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한다. 검증용 온도센서(170)는 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 온도센서(10)와 동일한 스펙을 가지는 제품인 것이 바람직하다. The verification temperature sensor 170 may be provided in plural, and the verification temperature sensor 170 senses heat generated from the heater 160. The temperature sensor 170 for verification is preferably a product having the same specifications as the temperature sensor 10 provided in the sensor-mounted wafer 1.

제1통신모듈(11)은 히터(160)와 검증용 온도센서(170)를 온 동작시키기 위한 제어명령과 히터(160)의 발열 온도를 가변 제어하기 위한 제어명령을 제어스테이션(3)으로부터 수신하고, 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 센싱한 온도 값을 센서 장착 웨이퍼(1)로부터 수신하여 제어스테이션(3)에 전달한다. 상세하게, 제1통신모듈(110)은 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 센서 장착 웨이퍼(1)로부터 수신하여 제어스테이션(3)으로 전달하거나, 온도센서(10)가 공정 중에 센싱한 온도 값을 센서 장착 웨이퍼(1)로부터 수신하여 제어스테이션(3)으로 전달한다.The first communication module 11 receives a control command for turning on the heater 160 and the verification temperature sensor 170 and a control command for variably controlling the heating temperature of the heater 160 from the control station 3. The temperature value sensed by the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 is received from the sensor-mounted wafer 1 and transferred to the control station 3. In detail, the first communication module 110 receives the temperature value from which the temperature sensor 10 senses the heat generated from the heater 160 from the sensor-mounted wafer 1 and transmits the temperature value to the control station 3 or the temperature. The sensor 10 receives the temperature value sensed during the process from the sensor-mounted wafer 1 and transfers it to the control station 3.

보다 상세하게, 제1통신모듈(110)은 후술될 제1모드 시에 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 센서 장착 웨이퍼(1)로부터 수신하여 제어스테이션(3)으로 전달하고, 후술될 제2모드 시에는 온도센서(10)가 공정 중에 센싱한 온도 값을 센서 장착 웨이퍼(1)로부터 수신하여 제어스테이션(3)으로 전달한다.In more detail, the first communication module 110 receives a temperature value from the sensor-mounted wafer 1 in which the temperature sensor 10 senses heat generated from the heater 160 in the first mode, which will be described later. In the second mode, which will be described later, the temperature sensor 10 receives the temperature value sensed during the process from the sensor-mounted wafer 1 and transmits it to the control station 3.

제어스테이션(3)은 사용자 인터페이스(UI)(210)와 제2통신모듈(220)과 제2제어기(230)를 포함하여 구성된다.The control station 3 includes a user interface (UI) 210, a second communication module 220, and a second controller 230.

제어스테이션(3)은 보관 장치(2)를 통신 연결을 통해 원격에서 제어하기 위한 퍼스널 컴퓨터나 랩탑 컴퓨터나 이동성이 보장되는 통신단말기일 수 있다.The control station 3 may be a personal computer or a laptop computer for controlling the storage device 2 remotely via a communication connection, or a mobile communication terminal.

제어스테이션(3)은 보관 장치(2)와 연동하여 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하기 위한 것으로, 그 제어스테이션(3)은 센서 장착 웨이퍼(1)가 웨이퍼 홀더에 보관되는 동안에 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 센싱한 온도 값과 검증용 온도센서(170)가 센싱한 온도 값을 사용하여 온도 보정 값을 설정하고, 또한 온도센서(10)가 챔버 내에서 공정 중에 센싱한 온도 값을 보정할 수 있다.The control station 3 is used to correct the temperature value sensed in the chamber by the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 in process with the storage device 2, and the control station 3 is a sensor While the mounting wafer 1 is stored in the wafer holder, the temperature correction value is set using the temperature value sensed by the temperature sensor 10 of the sensor mounting wafer 1 and the temperature value sensed by the verification temperature sensor 170. In addition, the temperature sensor 10 may correct the temperature value sensed during the process in the chamber.

본 발명에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템은 온도보정 기능을 실현하기 위해, 온도 보정 값을 설정하는 제1모드와, 온도 보정 값을 사용하여 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도 센서(10)가 공정 중에 챔버 내부에서 센싱한 온도 값을 보정하는 제2모드로 동작한다. 그에 따라, 보관 장치(2)는 온도 보정 값을 설정하는 제1모드와 온도 보정 값을 사용하여 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 공정 중 센싱한 온도 값을 보정하는 제2모드 중 어느 하나로 동작한다.In the temperature correction system of a sensor-mounted wafer according to the present invention, in order to realize a temperature correction function, the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 uses a first mode for setting a temperature correction value and a temperature correction value. It operates in a second mode for correcting the temperature value sensed in the chamber during the process. Accordingly, the storage device 2 uses the first mode for setting the temperature correction value and the second mode for correcting the temperature value sensed during the process by the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 using the temperature correction value. It works with either.

사용자 인터페이스(UI)(210)는 디스플레이(Display)나 키보드와 같은 입출력디바이스를 포함하는 것으로, 센서 장착 웨이퍼(1)가 사용될 공정과 그 공정에 요구되는 조건을 포함하는 제어정보를 설정하기 위한 것이다. 예로써 사용자 인터페이스(210)를 통해 센서 장착 웨이퍼(1)가 사용될 공정을 설정하고, 그 설정된 공정에서의 센싱온도, 센싱시간, 센싱방식 등에 대한 값을 설정할 수 있다. 또한, 사용자 인터페이스(210)는 온도보정 기능을 위한 제1모드와 제2모드의 선택과 제1모드에서 발생하는 센서 장착 웨이퍼 별 오차나 기울기 편차 또는 온도센서 별 오차나 기울기 편차를 출력하고, 제2모드에서 공정 중 온도센서 별로 센싱된 온도 값과 특정 온도 값에 대한 보정 상태를 출력할 수 있다.The user interface (UI) 210 includes an input / output device such as a display or a keyboard, for setting control information including a process in which the sensor-mounted wafer 1 is to be used and conditions required for the process. . For example, a process in which the sensor-mounted wafer 1 is to be used through the user interface 210 may be set, and values for a sensing temperature, a sensing time, and a sensing method in the set process may be set. In addition, the user interface 210 outputs an error or tilt deviation for each sensor-mounted wafer or an error or tilt deviation for each temperature sensor generated in the first mode and the selection of the first mode and the second mode for the temperature compensation function. In the 2 mode, a temperature value sensed by each temperature sensor and a compensation state of a specific temperature value can be output.

그리고 사용자 인터페이스(UI)(210)는 보관 장치(2) LED 표시부(150)와 연동하여 복수 개의 검증용 온도센서(170)와 상이한 온도를 센싱한 검증용 온도센서가 어떤 센서인지를 출력하고 해당하는 센서가 교체되어야 함을 알리는 메시지를 출력할 수 있다.In addition, the user interface (UI) 210 outputs which sensor is a verification temperature sensor which senses a different temperature from the plurality of verification temperature sensors 170 in association with the storage device 2 LED display unit 150. It may output a message indicating that the sensor to be replaced.

제2통신모듈(220)은 보관 장치(2)에 구비된 제1통신모듈(110)과 통신한다.The second communication module 220 communicates with the first communication module 110 provided in the storage device 2.

제2통신모듈(220)은 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 제1통신모듈로부터 수신하거나, 온도센서(10)가 공정 중에 센싱한 온도 값을 제1통신모듈로부터 수신한다.The second communication module 220 receives a temperature value from which the temperature sensor 10 senses heat generated from the heater 160 from the first communication module or provides a temperature value sensed by the temperature sensor 10 during the process. 1 Receive from communication module.

보다 상세하게, 제2통신모듈(220)은 제1모드 시에 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 제1통신모듈(110)로부터 수신하고, 제2모드 시에는 온도센서(10)가 공정 중에 센싱한 온도 값을 제1통신모듈(110)로부터 수신한다.In more detail, the second communication module 220 receives a temperature value from the first communication module 110 in which the temperature sensor 10 senses heat generated from the heater 160 in the first mode, and receives the second communication module 110 from the first communication module 110. In the mode, the temperature sensor 10 receives a temperature value sensed during the process from the first communication module 110.

다른 예로, 제1통신모듈을 경유하지 않고 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 통신유닛(20)이 제2통신모듈(220)과 통신할 수도 있다. 그에 따라, 제2통신모듈(220)은 제1모드 시에 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 통신유닛(20)으로부터 수신하고, 제2모드 시에는 온도센서(10)가 공정 중에 센싱한 온도 값을 통신유닛(20)으로부터 수신할 수 있다. As another example, the communication unit 20 provided in the sensor-mounted wafer 1 may communicate with the second communication module 220 without passing through the first communication module. Accordingly, the second communication module 220 receives a temperature value from the communication unit 20 in which the temperature sensor 10 senses heat generated from the heater 160 in the first mode, and in the second mode. The temperature sensor 10 may receive the temperature value sensed during the process from the communication unit 20.

제2제어기(230)는 온도 보정 값을 설정하는 제1모드와 온도 보정 값을 사용하여 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 공정 중 센싱한 온도 값을 보정하는 제2모드로 동작하도록 제어한다. 그에 따라 보관 장치(2)도 제1모드와 제2모드 중 어느 하나로 동작한다.The second controller 230 operates in a first mode in which the temperature correction value is set and in a second mode in which the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 corrects the temperature value sensed during the process by using the temperature correction value. To control. Accordingly, the storage device 2 also operates in either the first mode or the second mode.

제1모드 시에는 히터(160)와 검증용 온도센서(170)가 온 동작하며, 제2모드 시에는 히터(160)와 검증용 온도센서(170)가 오프된다.In the first mode, the heater 160 and the verification temperature sensor 170 are turned on, and in the second mode, the heater 160 and the verification temperature sensor 170 are turned off.

제2제어기(230)는 히터(160)의 발열 온도를 가변 제어하기 위한 제어명령을 생성하며, 제2통신모듈(220)은 그 생성된 제어명령을 보관 장치(2)로 송신한다.The second controller 230 generates a control command for variably controlling the heating temperature of the heater 160, and the second communication module 220 transmits the generated control command to the storage device 2.

제2제어기(230)는 히터(160)의 발열 온도를 제어함에 따라 설정되는 기준 온도 값과 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값의 오차를 그 온도센서(10)의 온도 보정 값으로 설정한다. 이어, 그 설정된 온도 보정 값을 사용하여 해당 온도센서(10)가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정한다.The second controller 230 controls the heat generation temperature of the heater 160 and a temperature value at which the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 senses heat generated from the heater 160. Is set to the temperature correction value of the temperature sensor 10. Subsequently, the temperature sensor 10 corrects the temperature value sensed in the chamber during the process by using the set temperature correction value.

그 제1모드 시에, 제2제어기(230)는 센서 장착 웨이퍼(1)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값과 미리 설정된 기준 온도 값을 비교한다. 제2제어기(230)는 온도 값의 비교를 통해 오차를 산출하고, 그 산출된 오차를 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도 보정 값으로 설정한다. 특히, 제2제어기(230)는 센서 장착 웨이퍼 별 또는 센서 장착 웨이퍼에 구비되는 온도센서 별로 고유한 식별번호를 부여하고, 각각 독립적인 온도 보정 값을 설정할 수도 있다. In the first mode, the second controller 230 compares a temperature value at which the sensor-mounted wafer 1 senses heat generated from the heater 160 with a preset reference temperature value. The second controller 230 calculates an error by comparing the temperature values, and sets the calculated error as the temperature correction value of the sensor-mounted wafer 1. In particular, the second controller 230 may assign a unique identification number for each sensor-mounted wafer or for each temperature sensor included in the sensor-mounted wafer, and may set independent temperature correction values.

제1모드 시에 사용되는 기준 온도 값은 제2제어기(230)가 온도 보정 이전에 설정하는 것으로, 제2제어기(230)는 제1모드 시에 검증용 온도센서(170)가 센싱한 온도 값을 기준 온도 값으로 설정할 수 있다.The reference temperature value used in the first mode is set by the second controller 230 before temperature correction, and the second controller 230 senses the temperature value sensed by the verification temperature sensor 170 in the first mode. Can be set as the reference temperature value.

검증용 온도센서(170)는 센싱한 온도 값의 신뢰성을 보장하기 위해 복수 개 구비되는 것이 바람직하며, 그에 따라 복수 개의 검증용 온도센서(170)가 센싱한 다수 개의 온도 값들이 동일한 값일 경우에 그 센싱한 온도 값을 기준 온도 값으로 설정한다. 즉, 복수 개의 검증용 온도센서(170)가 공통적으로 센싱한 온도 값을 기준 온도 값으로 설정할 수 있다.The verification temperature sensor 170 is preferably provided in plurality in order to ensure the reliability of the sensed temperature value, accordingly, when the plurality of temperature values sensed by the plurality of verification temperature sensor 170 are the same value Set the sensed temperature value as the reference temperature value. That is, the temperature values commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors 170 may be set as reference temperature values.

만약, 복수 개의 검증용 온도센서(170)가 센싱한 다수 개의 온도 값들 중에서 상이한 값의 온도를 센싱한 검증용 온도센서가 검출되면, 해당하는 검증용 온도센서는 그 이후부터 기준 온도 값의 설정 시에 적용하지 않는다. 그리고, 본 발명에 따른 시스템은 다른 복수 개의 검증용 온도센서와 상이한 온도를 센싱한 검증용 온도센서가 교체되어야 함을 알리는 메시지를 사용자 인터페이스(UI)(210)를 통해 출력할 수 있다. If a verification temperature sensor that senses a different temperature among the plurality of temperature values sensed by the plurality of verification temperature sensors 170 is detected, the corresponding verification temperature sensor is then set when the reference temperature value is set. Does not apply to In addition, the system according to the present invention may output a message indicating that the verification temperature sensor which senses a different temperature from the plurality of verification temperature sensors to be replaced through the user interface (UI) 210.

다른 예로, 제2제어기(230)는 히터(160)의 발열 온도 제어에 따라 기준 온도 값을 설정할 수도 있다. 보다 상세하게, 제2제어기(230)는 제1모드 시에 히터(160)가 열을 발생시키기 위한 발열 온도를 제어할 수 있으며, 그 히터(160)의 발열 온도를 기준 온도 값으로 설정할 수 있다. 여기서, 제2제어기(230)는 센서 장착 웨이퍼(1)가 사용될 챔버에 설정된 공정온도에 상응하는 발열 온도로 히터(160)가 열을 발생시키도록 제어할 수 있다.As another example, the second controller 230 may set a reference temperature value according to the heating temperature control of the heater 160. More specifically, the second controller 230 may control a heat generation temperature for the heater 160 to generate heat in the first mode, and set the heat generation temperature of the heater 160 as a reference temperature value. . Here, the second controller 230 may control the heater 160 to generate heat at an exothermic temperature corresponding to the process temperature set in the chamber in which the sensor-mounted wafer 1 is to be used.

상기 언급된 챔버의 공정온도는 챔버 자체에 구비되는 제어수단에 의해 설정될 수도 있고, 본 발명에 따른 시스템의 제2제어기(230)에 의해 설정될 수도 있다. The process temperature of the above-mentioned chamber may be set by the control means provided in the chamber itself, or may be set by the second controller 230 of the system according to the present invention.

전자의 경우는 챔버에 설정된 공정온도에 대한 정보를 챔버에 구비되는 통신수단이 송신함에 따라 제1통신모듈(110)이나 제2통신모듈(220)이 그를 수신할 수 있다. 또는, 센서 장착 웨이퍼(1)가 챔버 내부에 장착될 시에 챔버에 구비되는 통신수단이 센서 장착 웨이퍼(1)의 통신유닛(20)으로 공정온도에 대한 정보를 송신하고 그에 따라 센서 장착 웨이퍼(1)에 구비되는 메모리(50)에 그에 대한 정보를 저장하며, 이후에 센서 장착 웨이퍼(1)가 보관 장치(2)에 로딩되면 제1통신모듈(110) 또는 제2통신모듈(220)이 메모리(50)에 저장된 공정온도에 대한 정보를 센서 장착 웨이퍼(1)의 통신유닛(20)으로부터 수신할 수 있다. In the former case, the first communication module 110 or the second communication module 220 may receive the information about the process temperature set in the chamber as the communication means provided in the chamber transmits the information. Alternatively, when the sensor-mounted wafer 1 is mounted inside the chamber, the communication means provided in the chamber transmits information on the process temperature to the communication unit 20 of the sensor-mounted wafer 1 and accordingly the sensor-mounted wafer ( 1) stores information about the same in the memory 50 provided in the memory device 1. When the sensor-mounted wafer 1 is loaded into the storage device 2, the first communication module 110 or the second communication module 220 is stored. Information about the process temperature stored in the memory 50 may be received from the communication unit 20 of the sensor-mounted wafer 1.

후자의 경우는 제2제어기(230)가 챔버의 공정온도를 미리 알고 있으므로, 별도로 해당 정보를 수신할 필요가 없다. In the latter case, since the second controller 230 knows the process temperature of the chamber in advance, it is not necessary to separately receive the corresponding information.

제2모드 시에는 히터(160)와 검증용 온도센서(170)는 오프된다.In the second mode, the heater 160 and the verification temperature sensor 170 are turned off.

제2모드 시에, 제2제어기(230)는 제1모드에서 설정된 온도 보정 값을 사용하여 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정한다.In the second mode, the second controller 230 corrects the temperature value sensed in the chamber by the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 during the process by using the temperature correction value set in the first mode.

제2통신모듈(220)은 제1모드와 제2모드 시에 제1통신모듈(110)로부터 온도 값을 수신한다. 즉, 제2통신모듈(220)은 제1모드 시에 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 히터(160)로부터 인가된 열을 센싱한 온도 값을 수신하고, 제2모드 시에 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 챔버 내에서 공정 중에 센싱한 온도 값을 수신한다. 온도센서(10)가 챔버 내에서 공정 중에 센싱한 온도 값은 센서 장착 웨이퍼(1)의 메모리(50)에 저장된 정보이며, 제2모드 시에 통신유닛(20)과의 통신을 통해 제1통신모듈(110) 또는 제2통신모듈(220)이 수신한다.The second communication module 220 receives a temperature value from the first communication module 110 in the first mode and the second mode. That is, the second communication module 220 receives a temperature value in which the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 senses heat applied from the heater 160 in the first mode, and in the second mode. The temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 receives the temperature value sensed during the process in the chamber. The temperature value sensed by the temperature sensor 10 in the chamber during the process is information stored in the memory 50 of the sensor-mounted wafer 1, and the first communication is performed through communication with the communication unit 20 in the second mode. The module 110 or the second communication module 220 receives.

제2제어기(230)는 제1모드에서는 제2통신모듈(220)을 통해 수신된 온도 값을 사용하여 온도 보정 값을 설정하고 제2모드에서는 제1모드에서 설정된 온도 보정 값을 사용하여 제2통신모듈(220)을 통해 수신된 온도 값을 보정한다.In the first mode, the second controller 230 sets the temperature correction value using the temperature value received through the second communication module 220, and in the second mode, the second controller 230 uses the temperature correction value set in the first mode. Correct the temperature value received through the communication module 220.

이하 설명에서는 제1모드 시에 히터(160)의 발열 온도를 센싱한 값을 제1 온도 값으로, 제2모드 시에 보정 대상에 해당하는 온도 값(공정 중에 챔버 내부에서 센싱한 온도 값)을 제2 온도 값으로 설명한다.In the following description, a value obtained by sensing the heat generation temperature of the heater 160 in the first mode is a first temperature value, and a temperature value (temperature value sensed inside the chamber during the process) corresponding to a correction target in the second mode. It demonstrates with a 2nd temperature value.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템이 제1모드로 동작 시에 온도 보정 값을 설정하는 절차를 도시한 다이어그램이고, 도 5 및 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템에서 온도 보정 값을 설정하는 예들을 설명하기 위한 그래프들이다.3 is a diagram illustrating a procedure of setting a temperature correction value when a temperature correction system of a sensor-mounted wafer operates in a first mode according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are embodiments of the present invention. Are graphs for explaining examples of setting a temperature correction value in a temperature correction system of a sensor-mounted wafer according to the present invention.

도 3, 5 및 6을 참조하면, 제1 모드 시에 제어스테이션(3)의 제2제어기(230)는 히터(160)의 발열 온도를 가변 제어하기 위한 제어명령을 생성하고, 그 제어명령을 제2통신모듈(220)을 통해 보관 장치(2)로 송신한다(S100). 제1모드 시에는 제2제어기(230)의 제어에 따라 히터(160)와 검증용 온도센서(170)가 온 동작한다.3, 5, and 6, in the first mode, the second controller 230 of the control station 3 generates a control command for variably controlling the heating temperature of the heater 160, and generates the control command. It transmits to the storage device 2 via the second communication module 220 (S100). In the first mode, the heater 160 and the verification temperature sensor 170 are turned on under the control of the second controller 230.

제어스테이션(3)이 보관 장치(2)로 송신하는 제어명령은 히터(160)의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어하기 위한 것이다.The control command transmitted from the control station 3 to the storage device 2 is for controlling the heat generation temperature of the heater 160 to vary from the first temperature to the nth temperature.

히터(160)는 제2제어기(230)의 제어에 따라 설정된 온도에 해당하는 열을 보관 장치(2)의 내부로 발생시킨다(S110). 그에 따라, 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱하며, 검증용 온도센서(170)도 히터(160)로부터 발생된 열을 센싱한다(S120).The heater 160 generates heat corresponding to the set temperature under the control of the second controller 230 into the storage device 2 (S110). Accordingly, the temperature sensor 10 of the sensor-mounted wafer 1 senses heat generated from the heater 160, and the verification temperature sensor 170 also senses heat generated from the heater 160 (S120). .

제2통신모듈(220)은 보관 장치(2)의 제1통신모듈(110) 또는 센서 장착 웨이퍼(1)의 통신유닛(20)으로부터 제1 온도 값을 수신한다(S130).The second communication module 220 receives a first temperature value from the first communication module 110 of the storage device 2 or the communication unit 20 of the sensor-mounted wafer 1 (S130).

제2제어기(230)는 제1모드 시에 제2통신모듈(220)이 수신한 제1 온도 값을 기준 온도 값과 비교한다. 또는 제2제어기(230)는 제1모드 시에 제2통신모듈(220)이 수신한 제1 온도 값의 기울기(a)를 기준 온도 값의 기울기(b)와 비교한다(S140).The second controller 230 compares the first temperature value received by the second communication module 220 with the reference temperature value in the first mode. Alternatively, the second controller 230 compares the slope a of the first temperature value received by the second communication module 220 with the slope b of the reference temperature value in the first mode (S140).

상기에서 비교 대상으로 사용되는 기준 온도 값이나 기준 온도 값의 기울기(b)에 대해 설명하면, 일예로, 제2제어기(230)는 히터(160)의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어할 수 있으며, 특히 발열 온도를 제k(1≤k≤n)온도로 설정하기 위한 제어명령을 보관장치(2)로 송신함에 따라 그 제어명령에 따르는 제k온도를 기준 온도 값으로 설정할 수 있다. 다른 예로, 제2제어기(230)는 제k(1≤k≤n)온도의 발열 온도로 히터(160)가 열을 발생시킬 때 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값을 기준 온도 값으로 설정할 수 있다.Referring to the slope (b) of the reference temperature value or the reference temperature value used as a comparison object, as an example, the second controller 230 is a heat generating temperature of the heater 160 from the first temperature to the nth temperature It can be controlled to vary, in particular, by sending a control command for setting the heating temperature to the k (1≤k≤n) temperature to the storage device 2, the k-th temperature according to the control command to the reference temperature value Can be set. As another example, the second controller 230 may refer to a temperature value commonly sensed by a plurality of verification temperature sensors when the heater 160 generates heat at an exothermic temperature of k (1 ≦ k ≦ n) temperature. Can be set to a value.

제2제어기(230)는 온도 값 또는 온도 값의 기울기를 비교한 결과에 따라 오차 또는 기울기 편차가 발생하는 경우에, 그 오차를 센서 장착 웨이퍼(1) 또는 온도센서(10)의 온도 보정 값으로 설정하거나 오차에 기울기 편차를 더 가산하여 온도 보정 값을 설정한다(S150,S160).When an error or tilt deviation occurs according to a result of comparing the temperature value or the slope of the temperature value, the second controller 230 converts the error to the temperature correction value of the sensor-mounted wafer 1 or the temperature sensor 10. A temperature correction value is set by setting or adding a slope deviation to the error (S150 and S160).

도 5와 6은 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값을 기준 온도 값으로 설정하여 온도 보정 값을 설정하는 예들을 설명하기 위한 것이다.5 and 6 illustrate examples of setting a temperature correction value by setting a temperature value commonly sensed by a plurality of verification temperature sensors as a reference temperature value.

제어스테이션(3)은 히터(160)의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어한다.The control station 3 controls the heating temperature of the heater 160 to vary from the first temperature to the nth temperature.

히터(160)의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변함에 따라 검증용 온도센서(170)가 센싱한 온도 값(A)도 그에 상응하게 변화하며, 센서 장착 웨이퍼(1)의 온도센서(10)가 센싱한 온도 값(B)도 그에 상응하게 변화한다.As the heating temperature of the heater 160 varies from the first temperature to the nth temperature, the temperature value A sensed by the verification temperature sensor 170 also changes correspondingly, and the temperature sensor of the sensor-mounted wafer 1 changes. The temperature value B sensed by (10) also changes correspondingly.

도 5는 전체 온도 값 구간에서 온도센서(10)가 센싱하는 온도 값(B)과 복수 개의 검증용 온도센서(170)가 공통적으로 센싱한 온도 값(A)의 오차가 동일한 예이다.5 is an example in which an error between a temperature value B sensed by the temperature sensor 10 and a temperature value A sensed in common by the plurality of verification temperature sensors 170 is the same in the entire temperature value section.

따라서, 히터(160)의 발열 온도가 제k(1≤k≤n)온도일 때, 온도센서가 센싱하는 온도 값(B)과 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값(A)의 오차(e)를 온도 보정 값으로 설정한다.Therefore, when the heat generation temperature of the heater 160 is k (1 ≦ k ≦ n), the temperature value B sensed by the temperature sensor and the temperature value A commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors Set error (e) to the temperature correction value.

도 6은 발열 온도의 변화에 따라 온도센서(10)가 센싱하는 온도 값(B)의 기울기(a)와 복수 개의 검증용 온도센서(170)가 공통적으로 센싱한 온도 값(A)의 기울기(b)가 상이한 예이다.FIG. 6 illustrates a slope (a) of a temperature value (B) sensed by the temperature sensor 10 and a slope (a) of a temperature value (A) commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors 170 according to a change in the heating temperature. b) is a different example.

따라서, 발열 온도의 변화에 따른 온도센서가 센싱하는 온도 값의 기울기(a)와 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 기울기(b)를 비교하고, 그 비교 결과에 따른 오차(e1,e2)와 기울기 편차(e3) 중 적어도 하나를 사용하여 온도 보정 값을 설정한다.Therefore, the slope (a) of the temperature value sensed by the temperature sensor according to the change in the heating temperature and the slope (b) of the temperature value commonly sensed by the plurality of verification temperature sensors are compared, and the error ( The temperature correction value is set using at least one of e1, e2) and the slope deviation e3.

만약, 기울기(a)와 기울기(b)가 동일한 경우라면, 도 5에서 설명된 바와 같이, 히터의 발열 온도가 제k(1≤k≤n)온도일 때 온도센서가 센싱하는 온도 값(B)과 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값(A)의 오차를 온도 보정 값으로 설정한다.If the slope (a) and the slope (b) is the same, as described in Figure 5, the temperature value (B) sensed by the temperature sensor when the heating temperature of the heater is k (1≤k≤n) temperature (B) ) And the error of the temperature value A sensed in common by the plurality of verification temperature sensors are set as the temperature correction value.

반면에, 기울기(a)와 기울기(b)가 상이한 경우라면, 히터의 발열 온도가 제k(1≤k<m≤n)온도일 때는 온도센서가 센싱하는 온도 값(B)과 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값(A)의 오차(e1)를 온도 보정 값(A)으로 설정하되, 히터의 발열 온도가 제m(1≤k<m≤n)온도일 때는 온도 보정 값(A=e2)에 기울기(a)와 기울기(b)의 편차(e3)를 이득 값으로 가산하여 최종적으로 온도 보정 값을 설정할 수 있다. On the other hand, if the slope (a) and the slope (b) is different, when the heating temperature of the heater is k (1≤k <m≤n) temperature, the temperature value (B) sensed by the temperature sensor and a plurality of verification The error e1 of the temperature value A commonly sensed by the temperature sensor is set to the temperature correction value A. When the heating temperature of the heater is m (1≤k <m≤n), temperature correction is performed. The temperature correction value can finally be set by adding the deviation e3 between the slope a and the slope b as a gain value to the value A = e2.

한편, 제2제어기(230)는 센서 장착 웨이퍼 별 또는 센서 장착 웨이퍼에 구비되는 온도센서 별로 고유한 식별번호에 연계시켜 각각 독립적인 온도 보정 값을 저장하는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the second controller 230 stores independent temperature correction values in association with a unique identification number for each sensor-mounted wafer or temperature sensor provided in the sensor-mounted wafer.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템이 제2모드로 동작 시에 공정 중 센싱한 온도를 보정하는 절차를 도시한 다이어그램이다.4 is a diagram illustrating a procedure of correcting a temperature sensed during a process when the temperature correction system of the sensor-mounted wafer is operated in the second mode according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 챔버 내에서 공정 중에 온도를 센싱한 센서 장착 웨이퍼(1)가 보관 장치(2)에 로딩되면, 시스템은 제2모드로 동작한다.Referring to FIG. 4, when the sensor-mounted wafer 1, which senses temperature during processing in the chamber, is loaded into the storage device 2, the system operates in the second mode.

제2모드 시에 제2제어기(230)는 히터(160)와 검증용 온도센서(170)를 오프시킨다(S210).In the second mode, the second controller 230 turns off the heater 160 and the verification temperature sensor 170 (S210).

제2통신모듈(220)은 센서 장착 웨이퍼(1)의 통신유닛(20) 또는 보관 장치(2)의 제1통신모듈(110)로부터 제2 온도 값을 수신한다(S220). 이때, 제2통신모듈(220)은 센서 장착 웨이퍼(1) 및/또는 온도센서(10)의 식별번호를 더 수신할 수 있으며, 그 식별번호를 통해 센서 장착 웨이퍼(1)와 온도센서(10)가 온도 보정이 요구되는지의 여부를 검사할 수 있다. The second communication module 220 receives a second temperature value from the communication unit 20 of the sensor-mounted wafer 1 or the first communication module 110 of the storage device 2 (S220). In this case, the second communication module 220 may further receive identification numbers of the sensor-mounted wafer 1 and / or the temperature sensor 10, and the sensor-mounted wafer 1 and the temperature sensor 10 through the identification numbers. ) Can check whether temperature correction is required.

센서 장착 웨이퍼(1)와 온도센서(10)가 온도 보정이 요구되는 경우라면, 제2제어기(230)는 제1모드에서 설정된 온도 보정 값을 사용하여 제2통신모듈(220)이 수신한 제2 온도 값을 보정한다(S230,S240). 제1모드에서 설정된 온도 보정 값은 센서 장착 웨이퍼(1) 및/또는 온도센서(10)의 식별번호에 연계되어 미리 저장되므로, 해당하는 식별번호에 연계된 온도 보정 값을 사용하여 온도 보정을 실시한다. If the sensor-mounted wafer 1 and the temperature sensor 10 require temperature correction, the second controller 230 uses the temperature correction value set in the first mode to receive the second received by the second communication module 220. 2 Correct the temperature value (S230, S240). Since the temperature correction value set in the first mode is stored in advance in association with the identification number of the sensor-mounted wafer 1 and / or the temperature sensor 10, temperature correction is performed using the temperature correction value associated with the corresponding identification number. do.

지금까지 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다. While the preferred embodiments of the present invention have been described so far, those skilled in the art may implement the present invention in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.

그러므로 여기서 설명한 본 발명의 실시 예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 상술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Therefore, the embodiments of the present invention described herein are to be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation, and the scope of the present invention is shown in the appended claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope are equivalent to the present invention. Should be interpreted as being included in.

1: 웨이퍼 2: 보관 장치
3: 제어스테이션
10: 온도센서 20: 통신유닛
30: 제어유닛 40: 배터리
41: 충전회로 50: 메모리
110: 제1통신모듈 120: 제1제어기
130: 배터리 140: 무선충전회로
150: LED 표시부 160: 히터
170: 검증용 온도센서
210: 사용자 인터페이스(UI) 220: 제2통신모듈
230: 제2제어기
1: wafer 2: storage device
3: control station
10: temperature sensor 20: communication unit
30: control unit 40: battery
41: charging circuit 50: memory
110: first communication module 120: first controller
130: battery 140: wireless charging circuit
150: LED display unit 160: heater
170: temperature sensor for verification
210: user interface (UI) 220: second communication module
230: second controller

Claims (10)

온도센서가 구비된 센서 장착 웨이퍼를 보관하기 위한 보관 장치; 그리고
상기 보관 장치와 연동하여 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하는 제어스테이션으로 구성되되,
상기 보관 장치는,
상기 센서 장착 웨이퍼가 보관 중인 내부로 열을 발생시키는 히터와, 상기 히터의 발열 온도를 가변 제어하기 위한 제어명령을 상기 제어스테이션으로부터 수신하고 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제어스테이션에 전달하는 제1통신모듈과, 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱하는 복수 개의 검증용 온도센서를 구비하고,
상기 제어스테이션은,
상기 제1통신모듈과 통신하는 제2통신모듈을 구비하고, 상기 히터의 발열 온도를 제어함에 따라 설정되는 기준 온도 값과 상기 센서 장착 웨이퍼의 상기 온도센서가 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도센서의 온도 보정 값으로 설정하고, 상기 설정된 온도 보정 값을 사용하여 상기 온도센서가 공정 중에 챔버 내에서 센싱한 온도 값을 보정하고,
상기 제어스테이션은,
상기 히터의 발열 온도가 제1온도에서 제n온도까지 가변하도록 제어하면서 상기 발열 온도의 변화에 따른 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값의 기울기(a)와 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 기울기(b)를 비교하고, 그 비교 결과에 따른 오차와 기울기 편차 중 적어도 하나를 사용하여 상기 온도 보정 값을 설정하는 것을 특징으로 하는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템.
A storage device for storing a sensor-mounted wafer equipped with a temperature sensor; And
Consists of a control station for interfacing with the storage device to correct the temperature value sensed in the chamber by the temperature sensor of the sensor-mounted wafer,
The storage device,
Receives a heater for generating heat into the inside of the sensor-mounted wafer and a control command for variably controlling the heating temperature of the heater from the control station and the temperature value sensed by the temperature sensor of the sensor-mounted wafer; A first communication module for receiving from a sensor-mounted wafer and transferring it to the control station, and a plurality of temperature sensors for verification for sensing heat generated from the heater,
The control station,
A second communication module communicating with the first communication module, the reference temperature value set by controlling the heating temperature of the heater and a temperature at which the temperature sensor of the sensor-mounted wafer senses heat generated from the heater; Set the error of the value to the temperature correction value of the temperature sensor, correct the temperature value sensed by the temperature sensor in the chamber during the process by using the set temperature correction value,
The control station,
While controlling the heating temperature of the heater to vary from the first temperature to the nth temperature, the slope (a) of the temperature value sensed by the temperature sensor according to the change in the heating temperature and the plurality of verification temperature sensors are commonly sensed And comparing the slope (b) of a temperature value and setting the temperature correction value using at least one of an error and a slope deviation according to the comparison result.
제 1 항에 있어서,
상기 온도 보정 값을 설정하는 제1모드와, 상기 온도 보정 값을 사용하여 상기 온도센서가 공정 중에 센싱한 온도 값을 보정하는 제2모드로 동작하는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템.
The method of claim 1,
And a first mode for setting the temperature correction value and a second mode for correcting a temperature value sensed by the temperature sensor during the process using the temperature correction value.
제 1 항에 있어서,
상기 제1통신모듈은,
상기 온도센서가 상기 히터로부터 발생된 열을 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제2통신모듈로 전달하거나,
상기 온도센서가 공정 중에 센싱한 온도 값을 상기 센서 장착 웨이퍼로부터 수신하여 상기 제2통신모듈로 전달하는 것을 특징으로 하는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템.
The method of claim 1,
The first communication module,
The temperature sensor receives a temperature value for sensing the heat generated from the heater from the sensor-mounted wafer to transfer to the second communication module,
And a temperature value sensed by the temperature sensor during the process is received from the sensor-mounted wafer and transferred to the second communication module.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제어스테이션은,
상기 기울기(a)와 상기 기울기(b)가 동일한 경우에, 상기 히터의 발열 온도가 제k(1≤k≤n)온도일 때 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값과 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도 보정 값으로 설정하는 것을 특징으로 하는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템.
The method of claim 1,
The control station,
When the slope (a) and the slope (b) is the same, the temperature value sensed by the temperature sensor and the plurality of verification temperature sensors when the heating temperature of the heater is k (1≤k≤n) temperature The temperature correction system of the sensor-mounted wafer, characterized in that for setting the error of the temperature value sensed in common to the temperature correction value.
제 1 항에 있어서,
상기 제어스테이션은,
상기 기울기(a)와 상기 기울기(b)가 상이한 경우에, 상기 히터의 발열 온도가 제k(1≤k<m≤n)온도일 때 상기 온도센서가 센싱하는 온도 값과 상기 복수 개의 검증용 온도센서가 공통적으로 센싱한 온도 값의 오차를 상기 온도 보정 값으로 설정하되, 상기 히터의 발열 온도가 제m(1≤k<m≤n)온도일 때는 상기 온도 보정 값에 상기 기울기(a)와 상기 기울기(b)의 편차를 이득 값으로 가산하여 설정하는 것을 특징으로 하는 센서 장착 웨이퍼의 온도 보정 시스템.
The method of claim 1,
The control station,
When the slope (a) and the slope (b) is different, the temperature value sensed by the temperature sensor and the plurality of verification values when the heating temperature of the heater is k (1≤k <m≤n) temperature An error of a temperature value sensed in common by a temperature sensor is set to the temperature correction value, and when the heating temperature of the heater is m (1 ≦ k <m ≦ n) temperature, the slope (a) to the temperature correction value And the deviation (b) is added to a gain value and set.
삭제delete
KR1020170169836A 2017-12-12 2017-12-12 temporature correction system for sensor mounted wafer KR102016401B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170169836A KR102016401B1 (en) 2017-12-12 2017-12-12 temporature correction system for sensor mounted wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170169836A KR102016401B1 (en) 2017-12-12 2017-12-12 temporature correction system for sensor mounted wafer

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190083212A Division KR102076291B1 (en) 2019-07-10 2019-07-10 temporature correction system for sensor mounted wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190069678A KR20190069678A (en) 2019-06-20
KR102016401B1 true KR102016401B1 (en) 2019-09-02

Family

ID=67103883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170169836A KR102016401B1 (en) 2017-12-12 2017-12-12 temporature correction system for sensor mounted wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102016401B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001074562A (en) 1999-09-03 2001-03-23 Hayashi Denko Kk Wafer sensor for measuring temperature distribution
JP2007187619A (en) 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd Wafer-type temperature sensor, temperature measuring device, thermal treatment apparatus and temperature measuring method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0676193A (en) * 1992-06-10 1994-03-18 Seiko Epson Corp Method and device for measuring information in vacuum chamber
JP3400692B2 (en) * 1997-11-05 2003-04-28 東京エレクトロン株式会社 Wafer temperature control device and wafer storage room

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001074562A (en) 1999-09-03 2001-03-23 Hayashi Denko Kk Wafer sensor for measuring temperature distribution
JP2007187619A (en) 2006-01-16 2007-07-26 Tokyo Electron Ltd Wafer-type temperature sensor, temperature measuring device, thermal treatment apparatus and temperature measuring method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190069678A (en) 2019-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102056089B1 (en) temporature correction apparatus for sensor mounted wafer
KR102062596B1 (en) Methods for in-situ calibration of a flow controller
CN113165398B (en) Logic circuit system
JP6328556B2 (en) Method for monitoring a flow controller coupled to a process chamber
US7415312B2 (en) Process module tuning
KR20190011617A (en) sensor mounted wafer, and apparatus for storaging thereof
US20080064126A1 (en) In-situ wafer temperature measurement and control
US20140358303A1 (en) Method and Apparatus for Stabilizing Pressure in an Intelligent Regulator Assembly
KR102076290B1 (en) Sensor mounted wafer for detecting launch condition of process, and apparatus therefor
KR102076291B1 (en) temporature correction system for sensor mounted wafer
KR101601460B1 (en) System and method for compensating offset of pressure sensor
KR102016401B1 (en) temporature correction system for sensor mounted wafer
KR101925424B1 (en) Process monitoring circuit being embeded on wafer
US8055368B2 (en) Control device and control method of plasma processing system, and storage medium storing control program
KR102076293B1 (en) apparatus for storaging sensor mounted wafer, which has temporature correction function
KR101285866B1 (en) An monitoring apparatus of manufacture equipment
KR101952840B1 (en) System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot
KR102394037B1 (en) Method for determining the location of the process wafer entering the wafer cassette using the testing wafer
KR20190052993A (en) Apparatus and Method for Calibrating Temperature Measuring Wafer Senser
CN115774249B (en) Laser radar state control device, laser radar and control method thereof
WO2021014494A1 (en) Wireless communication device and wireless communication system
JP3592111B2 (en) Substrate heat treatment equipment
JP5522776B2 (en) Substrate processing apparatus, control method and maintenance method for substrate processing apparatus
KR20240106797A (en) Apparatus and methods for correcting frequency
KR20240081228A (en) sensor mounted wafer for sensing very low temperature

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant