KR101952840B1 - System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot - Google Patents

System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot Download PDF

Info

Publication number
KR101952840B1
KR101952840B1 KR1020160148073A KR20160148073A KR101952840B1 KR 101952840 B1 KR101952840 B1 KR 101952840B1 KR 1020160148073 A KR1020160148073 A KR 1020160148073A KR 20160148073 A KR20160148073 A KR 20160148073A KR 101952840 B1 KR101952840 B1 KR 101952840B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
value
section
interval
actual
measured value
Prior art date
Application number
KR1020160148073A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180051731A (en
Inventor
손영만
Original Assignee
주식회사 에스알티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에스알티 filed Critical 주식회사 에스알티
Priority to KR1020160148073A priority Critical patent/KR101952840B1/en
Publication of KR20180051731A publication Critical patent/KR20180051731A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101952840B1 publication Critical patent/KR101952840B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/026Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring distance between sensor and object
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/16Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. optical strain gauge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271Sorting devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은, 웨이퍼를 이송하는 암블레이드와의 이격거리를 측정하는 레이저변위센서와, 암블레이드의 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 미리 설정하고, 레이저변위센서로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 각 동작패턴을 식별하고, 각 구간에서의 평균값을 산출하는 제어부와, 제어부로부터 전송된 상기 평균값을 분석하여 암블레이드의 각 구간에서의 열화추세를 모니터링하도록 제공하는 서버로 이루어져서, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 각 해당구간에서의 처짐 또는 들뜸 열화추세를 실시간으로 판단하도록 하여서, 이송되는 웨이퍼의 파손을 사전에 예방하여 웨이퍼의 불량률을 줄일 수 있는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 방법을 개시한다.The present invention relates to a laser displacement sensor comprising a laser displacement sensor for measuring a separation distance from a female blade for transferring a wafer and a start and end section of a load and unload operation pattern of the arm blade, A controller for calculating an effective measured value to identify each operation pattern and calculating an average value in each section, and a server for analyzing the average value transmitted from the controller and monitoring the deterioration trend in each section of the arm blade , Deterioration of the arm blade of the wafer transfer device in each of the corresponding sections is determined in real time so that the failure rate of the transferred wafer can be prevented in advance to reduce the defect rate of the wafer. A trend detection system and method are disclosed.

Description

웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법{System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a detection system for detecting deterioration of an arm blade of a wafer transfer apparatus,

본 발명은 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 열화추세를 검출하는 시스템 및 그 검출 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 암블레이드의 일측에 이격되어 설치된 레이저변위센서에 의해 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하여 암블레이드의 각 동작패턴별 시작구간 및 종료구간에서의 산출된 평균값의 변화추세로 암블레이드의 각 구간에서의 처짐 또는 들뜸 추세를 검출하고 모니터링하여 파악할 수 있도록 하는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a system for detecting a deterioration trend of an arm blade of a wafer transfer apparatus and a method for detecting the deterioration trend of the arm blade of a wafer transfer apparatus. More particularly, Which is periodically received by the arm blade, and detects the sagging or sagging trend in each section of the arm blade by the trend of the calculated average value in the start section and the end section of each operation pattern of the arm blade, And more particularly, to a system and method for detecting deterioration of an arm blade of an apparatus.

주지하는 바와 같이, 반도체, 예컨대 웨이퍼(wafer)를 이송하는 이송장비 내의 암블레이드(Arm blade)는 사용함에 따라 열화되어서(degradation) 미세하게 처지거나 들뜨게 된다.As will be appreciated, an arm blade in a transporting device that transports a semiconductor, such as a wafer, is degraded and micro-sagged or excited as it is used.

이러한 열화 추세는 육안으로는 식별이 거의 불가능하고, 웨이퍼에 스크래치가 발생하거나 깨져서 불량이 발생하여야만 해당 암블레이드의 허용범위 이상의 열화를 인지할 수 있었다.This deterioration tendency was recognized by the naked eye, and it was recognized that deterioration beyond the allowable range of the cancer blade could be recognized only when the wafer was scratched or broken and the defect occurred.

따라서, 암블레이드의 열화추세를 실시간으로 검출하고 그 검출 정보를 제공하여서 이에 적절히 대응할 수 있도록 하는, 암블레이드의 열화추세 검출 기술이 요구된다.
Therefore, there is a need for a deterioration detection technique for detecting a deterioration trend of a cancer blade, which detects deterioration trend of a cancer blade in real time and provides detection information thereof so that it can cope with it appropriately.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 암블레이드의 열화에 따른 처짐 또는 들뜸 진행 상황을 실시간으로 검출하고 그 검출 정보를 제공하여 이에 적절히 대응할 수 있도록 하는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 열화추세 검출 시스템 및 그 검출 방법을 제공하는 것을 그 과제로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for detecting deterioration of an arm blade of a wafer transfer apparatus, A detection system and a method for detecting the same are provided.

전술한 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예는, 웨이퍼를 이송하는 암블레이드의 상측 또는 하측에 설치되며, 상기 암블레이드와의 이격거리를 측정하고, 외부로부터의 물리적 간섭을 차단하는 센서커버에 의해 커버되는, 레이저변위센서와, 상기 암블레이드의 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 미리 설정하고, 상기 레이저변위센서로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 상기 각 동작패턴을 식별하고, 상기 각 구간에서의 평균값을 산출하는 제어부와, 상기 제어부로부터 전송된 상기 평균값을 분석하여 상기 암블레이드의 상기 각 구간에서의 열화추세를 모니터링하도록 제공하는 서버로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템을 제공한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for measuring a distance between an arm blade and an arm blade, the arm blade being disposed above or below the arm blade for transferring the wafer, A laser displacement sensor which is covered by a cover and a start section and an end section of a load and unload operation pattern of the arm blade are set in advance and a predetermined number of effective measured values received from the laser displacement sensor are calculated, And a server for analyzing the average value transmitted from the control unit and monitoring the deterioration trend in each of the sections of the arm blade, Thereby providing a cancer blade deterioration trend detection system.

본 발명의 다른 실시예는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 웨이퍼의 로드와 언로드 동작패턴을 구별하기 위한 상기 동작패턴의 각 구간의 배열의 개수 및 각 구간의 사용자 설정을 적용하는 제1단계와, 상기 암블레이드와 이격되어 상기 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 상기 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하는 제2단계와, 상기 수신된 실측값이 가공여부에 따라 상기 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별하는 제3단계와, 상기 각 구간별로, 소정 개수의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 상기 해당하는 동작패턴을 식별하는 제4단계와, 상기 평균값의 변화추세로 상기 각 구간에서의 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 제공하는 제5단계로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법을 제공한다.
Another embodiment of the present invention is a method of operating a wafer transfer apparatus including a first step of applying the number of arrays of the respective sections of the operation pattern and the user settings of each section for distinguishing the load and unload operation patterns of the wafers of the arm blades of the wafer transfer equipment, A second step of periodically receiving an actually measured value, which is a distance from the arm blade, from a laser displacement sensor provided on one side of the wafer transfer equipment, the actual measured value being a distance from the arm blade; A fourth step of calculating an average value of a predetermined number of array of measured values for each of the sections and identifying the corresponding operation pattern; And a fifth step of providing upward or downward deterioration trend information of the arm blade in each of the sections with a change trend of the wafer transfer equipment arm Provides a method of detecting blade degradation trend.

바람직하게는, 상기 제1단계는, 상기 동작패턴을 구별하기 위한 실측값 가공, 각 구간, 기준편차, 및 배열의 개수(n)를 설정하고, 상기 제3단계는, 상기 실측값이 상기 구간의 값인지 판단하고, 상기 구간의 값이 아니라고 판단되면 상기 실측값에 음수값을 곱하거나 옵셋값을 적용하여 가공하는 제3-1단계와, 상기 실측값이 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 시작구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-2단계와, 그 이외의 구간이라면 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 종료구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-3단계로 이루어지고, 상기 제4단계는, 상기 구간 판별 후, 각 시작구간 및 상기 시작구간과 중첩되는 범위의 상응하는 종료구간별로, 상기 실측값이 상기 시작구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 시작구간 배열에 추가하는 제4-1단계와, 상기 기준편차를 초과하면 상기 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 시작구간 배열을 초기화하고 상기 시작구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4-2단계와, 상기 시작구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 시작구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-3단계와, 상기 제4-2단계, 또는 상기 제4-3단계에서 상기 시작구간 배열의 개수가 n개 미만이거나 상기 제4-3단계 이후에는, 상기 실측값이 상기 상응하는 종료구간인지 판단하는 제4-4단계와, 상기 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4-5단계와, 상기 기준편차를 초과하면 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4-6단계와, 상기 제4-5단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-7단계로 이루어지고, 상기 제5단계는, 상기 시작구간 및 상기 종료구간의 판별로 식별된 동작패턴 및 상기 해당구간에서의 평균값을 기록하고, 상기 해당구간에서의 평균값의 변화추세로 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 기록하여 보관하고 제공할 수 있다.
Preferably, the first step sets actual value processing, each section, a reference deviation, and the number of arrays (n) for distinguishing the operation pattern, and the third step sets the actual value to the section A step 3-1 of multiplying the measured value by a negative value or applying an offset value to the measured value, if the measured value is not the value of the section, A step 3-2 of determining whether the range is a range other than the range or not, and if the range is other than the range, determining whether the range is the ending period of the loading or unloading of the arm blade or not, Step 4 is a step of determining whether the measured value is smaller than the number of corresponding arrays (n) of the start intervals and corresponding to the first actual measured value (n), for each start interval and a corresponding end interval of the range overlapping the start interval, Reference value and phase A fourth step of adding the actual deviation to the starting interval array if the actual deviation is less than the reference deviation; and a fourth step of resetting the actual value to a new reference value when the reference deviation is exceeded, A step 4-2 of calculating a minimum value, a maximum value and an average value in the start interval array if the number of the start interval intervals is n or more; , Wherein the number of the start interval arrays in the step 4-2 or the step 4-3 is less than n, or after the step 4-3, it is determined that the measured value is the corresponding end interval If the measured deviation is less than the reference deviation, which is a difference between the measured value and the measured value, which is less than the number of corresponding arrays (n) of the corresponding arrays in the end section, A step 4-5 of initializing the end interval arrays and adding the actual values to the end interval arrays when the reference deviation is exceeded; and after the step 4-5, And calculating a minimum value, a maximum value, and an average value in the ending interval array if the number of arrays is n or more, and the fifth step is a step of calculating a minimum value, a maximum value, A pattern and an average value in the corresponding section may be recorded and the upward or downward deterioration trend information of the arm blade may be recorded, stored, and provided in a trend of change in the average value in the corresponding section.

바람직하게는, 상기 시작구간과 중첩되는 범위를 갖는 상기 동작패턴의 상기 종료구간별로, 상기 시작구간과 중첩되지 않는 상기 종료구간의 실측값에 대해서, 상기 각 종료구간 판별 후, 상기 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4a-1단계와, 상기 기준편차를 초과하면 상기 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 실측값을 추가하는 제4a-2단계와, 상기 제4a-1단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4a-3단계와, 상기 제4a-1단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 미만이면, 상기 제2단계부터 반복 수행할 수 있다.
Preferably, for each of the end sections of the operation pattern having a range overlapping with the start section, an actual value of the end section that does not overlap with the start section may be determined after the end section is determined, (4a-1) adding, when the measured deviation is less than the reference deviation, which is the difference between the reference value which is the actual measured value and the measured value, A step 4a-2 for resetting the measured value to a new reference value and initializing the ending interval array and adding the actual value to the ending interval array when the reference deviation is exceeded, A minimum value, a maximum value, and an average value in the ending interval array if the number of arrays is n or more; and (4a-3) , It can be repeatedly performed from the second step.

바람직하게는, 상기 로드의 시작구간과 상기 언로드의 종료구간은 동일하거나 중첩되고, 상기 언로드의 시작구간과 상기 로드의 종료구간은 동일하거나 중첩될 수 있다.
Preferably, the start section of the load and the end section of the unload are the same or overlap, and the start section of the unload and the end section of the load may be the same or overlapped.

본 발명에 의하면, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 각 해당구간에서의 처짐 또는 들뜸 열화추세를 실시간으로 검출하고, 이에 적절히 대응할 수 있도록 그 검출 정보를 모니터링할 수 있도록 제공하여서, 이송되는 웨이퍼의 파손을 사전에 예방하여 암블레이드에 의한 웨이퍼의 불량률을 줄일 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, it is possible to detect in real time the sag or buoyancy deterioration trend in each corresponding section of the arm blade of the wafer transfer equipment and to monitor the detection information so as to cope with it appropriately, So that it is possible to reduce the defect rate of the wafer by the arm blade.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 전체적인 흐름을 개략적으로 예시한 것이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 2의 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 흐름도를 각각 순차적으로 도시한 것이다.
도 4는 암블레이드의 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 예시한 것이다.
1 is a schematic block diagram of a deterioration trend detection system for a wafer transfer equipment arm blade according to an embodiment of the present invention.
2 schematically illustrates the overall flow of a deterioration trend detection method of a wafer transfer equipment arm blade according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 3A through 3E sequentially show flowcharts of a deterioration trend detection method of the wafer transfer equipment arm blade of FIG. 2, respectively.
FIG. 4 illustrates the start and end sections of each operation pattern of the arm blade.

이하, 첨부된 도면을 참조로 전술한 특징을 갖는 본 발명의 실시예들을 더욱 상세히 설명하고자 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention having the above-described features will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템의 개략적인 구성도이고, 도 4는 암블레이드의 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 예시한 것이다.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a deterioration trend detection system for an arm blade of a wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates a start period and an end period of each operation pattern of the arm blade.

도 1 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출 시스템은, 웨이퍼를 이송하는 암블레이드(110)와의 이격거리인 실측값을 측정하는 레이저변위센서(120)와, 각 실측값을 수신하여 해당구간에서의 평균값을 산출하는 제어부(130)와, 산출된 평균값을 분석하여 각 구간에서의 암블레이드의 열화추세정보를 제공하는 서버(140)로 구성될 수 있다.
1 and 4, the deterioration trend detection system for the wafer transfer equipment arm blade according to an exemplary embodiment of the present invention includes a laser displacement sensor (not shown) for measuring a measured value, which is a separation distance from the arm blade 110, And a server 140 for analyzing the calculated average value and providing information on degradation trends of the cancer blades in the respective sections. The controller 130 includes a controller 120, a controller 130, .

우선, 암블레이드(Arm Blade)(110)는 웨이퍼를 이송하는데, 암블레이드(110)는 관련 설비로의 진입 위치가 상반되도록 구성될 수 있다. 통상적으로, 암블레이드(110)는 관련 설비의 전면 방향으로 진입하는 EFEM(Equipment Front End Module 블레이드일 수 있고, 관련 설비의 후면 방향으로 진입하는 TC(Transfer chamber) 블레이드일 수 있다.
First, the arm blade 110 transfers the wafer, and the arm blade 110 may be configured such that the entry position to the related facility is opposite. Typically, the arm blade 110 may be an Equipment Front End Module (EFEM) that enters the front of the associated facility and may be a transfer chamber (TC) blade that enters the rear of the associated facility.

다음, 레이저변위센서(120)는 암블레이드(110)와 소정거리 이격된 위치에 설치되어서, 암블레이드(110)와의 이격거리인 실측값을 측정한다.Next, the laser displacement sensor 120 is installed at a position spaced apart from the arm blade 110 by a predetermined distance, and measures an actually measured value, which is a distance from the arm blade 110.

한편, 레이저변위센서(120)는, 허용되는 공간제약에 따라서, 암블레이드(110)의 상측 또는 하측에 선택적으로 설치될 수 있으며, 외부로부터의 물리적 간섭을 차단하는 센서커버(미도시)에 의해 커버될 수 있고, 관련 설비의 기존 볼트를 이용하여 브라켓(미도시)에 의해 견고하게 체결되어 설치될 수 있다.
On the other hand, the laser displacement sensor 120 can be selectively installed on the upper side or the lower side of the arm blade 110 according to allowable space constraints, and is provided with a sensor cover (not shown) And can be firmly fastened by a bracket (not shown) using existing bolts of related equipment.

다음, 제어부(130)는, 암블레이드(110)의 로드(load) 및 언로드(unload) 동작패턴의 시작구간 및 종료구간, 즉 도 4에 예시되어 있는 바와 같이, 로드 및 언로드 동작패턴의 시작구간(LA,UA)과 종료구간(LB,UB)을 미리 설정하고, 레이저변위센서(120)로부터 수신된 소정 개수의 유효한 실측값을 연산하여 전술한 각 동작패턴을 식별하고, 각 구간에서의 특정 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하고 저장한다.Next, the control unit 130 controls the start and end intervals of the load and unload operation patterns of the arm blade 110, that is, the start interval of the load and unload operation patterns (LA, UA) and end intervals (LB, UB) are previously set, and a predetermined number of effective measured values received from the laser displacement sensor 120 are calculated to identify each of the above-mentioned operation patterns, The minimum, maximum, and average values in the array are calculated and stored.

한편, 레이저변위센서(120)는 이격거리를 시리얼 출력신호로 제어부(130)로 전송할 수 있다.
Meanwhile, the laser displacement sensor 120 may transmit the distance to the control unit 130 as a serial output signal.

다음, 서버(140)는, 제어부(130)로부터 전송된 평균값을 분석하여 암블레이드(110)의 각 구간에서의 열화추세(암블레이드의 해당구간에서의 처짐 또는 들뜸)를 모니터링하도록 제공한다. 예컨대, 서버(140)는 제어부(130)와 이더넷으로 연결된 CIM(Computer Integrated Manufacturing)(컴퓨터 통합 생산) PC 또는 FDC일 수 있다.Next, the server 140 analyzes the average value transmitted from the control unit 130 and provides a monitoring of deterioration trends in each section of the arm blade 110 (sagging or lifting in a corresponding section of the arm blade). For example, the server 140 may be a computer integrated manufacturing (CIM) PC or FDC connected to the controller 130 via Ethernet.

전술한 바와 같은 구성에 의해서, 각 구간에서의 평균값의 추세 변화로 각 암블레이드의 처짐 또는 들뜸 추세를 실시간으로 파악하여 적절히 대응할 수 있도록 한다.
With the above-described configuration, it is possible to grasp the deflection or unfolding trend of each of the female blades in real time by the change of the average value in each section, and to cope with it appropriately.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 전체적인 흐름을 개략적으로 예시한 것이며, 도 3a 내지 도 3e는 도 2의 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법의 흐름도를 각각 순차적으로 도시한 것이고, 도 4는 암블레이드의 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간을 예시한 것이다.
FIG. 2 schematically illustrates a general flow of a deterioration trend detection method of a wafer transfer equipment arm blade according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 3A to 3E are diagrams showing a deterioration trend detection method of the wafer transfer equipment arm blade of FIG. FIG. 4 illustrates the start and end sections of the respective operation patterns of the arm blade. As shown in FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법은, 전체적으로, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)와, 실측값 수신 제2단계(S120)와, 구간 판별 제3단계(S130)와, 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)와, 열화추세정보 제공 제5단계(S150)로 이루어질 수 있다.Referring to FIG. 2, the deterioration trend detection method of the wafer transfer equipment arm blade according to another embodiment of the present invention may include a user setting application first step S110, a measured value receiving second step S120, A third step S130 of discriminating a zone, a fourth step S140 of calculating an average value and an operation pattern, and a fifth step S150 of providing deterioration trend information.

여기서, 도 2를 참조하여 전술한 제1 내지 제5단계의 전체적인 흐름을 개관한 후, 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 전술한 제1 내지 제5단계의 구체적인 흐름을 상술하고자 한다.
Here, after the overall flow of the first to fifth steps described above with reference to FIG. 2 is outlined, the detailed flow of the first to fifth steps described above with reference to FIGS. 3A to 3E will be described in detail.

우선, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)에서는, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드에 의한 웨이퍼의 로드 및 언로드 동작패턴을 구별하기 위한 동작패턴의 각 구간의 배열의 개수(N) 및 각 구간의 사용자 설정을 적용한다.
First, in the first step (S110) of application of the user setting, the number N of arrays of the respective sections of the operation pattern for distinguishing the load and unload operation patterns of the wafers by the arm blades of the wafer transfer equipment, Is applied.

다음, 실측값 수신 제2단계(S120)에서는, 암블레이드와 이격되어 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신한다.
Next, in the second step (S120) of receiving the measured value, the measured value, which is a distance from the arm blade, is periodically received from the laser displacement sensor provided on one side of the wafer transfer equipment.

다음, 구간 판별 제3단계(S130)에서는, 수신된 실측값이 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별한다.Next, in the third step S130, the received actual value is determined as a start interval and an end interval of each operation pattern.

다음, 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)에서는, 각 구간별로, 소정 개수(N)의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 유효한 실측값의 구간 이동 변위를 통해서 해당하는 동작패턴을 식별한다.
Next, in the average value calculation and operation pattern identification fourth step (S140), an average value of the array of the actual values of the predetermined number N is calculated for each section, and the corresponding operation pattern is calculated through the interval movement displacement of the effective measured value .

다음, 열화추세정보 제공 제5단계(S150)에서는, 평균값의 변화추세로 상기 각 구간에서의 암블레이드의 상향(들뜸) 또는 하향(처짐) 열화추세 정보를 제공한다.
Next, in the deteriorated trend information providing step 5 (S150), the upward trend (uplift) or downward (downward) deterioration trend information of the arm blade in each section is provided as a trend of change in the average value.

도 3a 내지 도 3e, 및 도 4를 참조하여, 각 단계별로 구체적으로 상술하면 다음과 같다. 여기서, 도 3b는 실측값이 LA구간과 UB구간인 경우의 처리 흐름을 도시한 것이고, 도 3c는 실측값이 UA구간과 LB구간인 경우의 처리 흐름을 도시한 것이고, 도 3d는 실측값이 각 동작패턴의 종료구간(LB,UB)인 경우의 처리 흐름을 도시한 것이다.
Referring to FIGS. 3A to 3E and FIG. 4, each step will be described in detail as follows. 3B shows a processing flow when the measured value is the LA section and the UB section, FIG. 3C shows the processing flow when the measured value is the UA section and the LB section, and FIG. And the ending period (LB, UB) of each operation pattern.

도 3a는, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)와, 실측값 수신 제2단계(S120)와, 구간 판별 제3단계(S130)의 순서도를 구체적으로 예시한 것이다.FIG. 3A illustrates a flowchart of the first step S110, the actual value reception second step S120, and the interval determination third step S130.

참고로, 후술하는 바와 같이, LA와 UB(도 3b 참조) 및 UA와 LB(도 3c 참조) 구간에서의 각 평균값 산출 수행 과정은 구간 범위만 상이하고, 구체적인 배열개수판단과 기준편차 초과 여부와 평균값산출과정은 동일하므로, 각 구간별로 별도로 상술하지 않고 포괄하여 상술하고자 한다.
For reference, as will be described later, each average value calculation process in the interval between LA and UB (see FIG. 3B) and UA and LB (see FIG. 3C) differ only in the range of intervals, Since the average value calculation process is the same, it will be described collectively, not separately, for each section.

우선, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)는, 전술한 암블레이드의 각 동작패턴을 구별하기 위한 실측값 가공, 각 동작패턴의 시작구간과 종료구간, 기준편차(m), 및 각 구간의 배열의 개수(유효한 실측값의 개수)(n)를 설정한다.First, the first step (S110) of application of the user setting includes processing of measured value for distinguishing each operation pattern of the above-mentioned arm blade, a start section and an end section, a reference deviation (m) of each operation pattern, (The number of effective measured values) n is set.

즉, 제1단계(S110)에서는, 레이저변위센서와 제어부 사이의 통신 설정, 수신된 실측값을 시각적으로 제공하기 위한 그래프 설정, 실측값에 음수를 곱하거나(예를 들어, 실측값 * (-1)) 옵셋값(off set)을 적용하는(예를 들어, 실측값 + 60) 가공 설정, 각 동작패턴의 시작구간과 종료구간 설정, 기준편차(기준값 - 실측값)(m), 및 각 해당구간에서의 유효한 실측값의 개수인 배열의 개수(n)를 설정한다. 여기서, 기준편차는 실측값의 해당구간에서의 이탈 여부(시작구간 -> 종료구간, 또는 종료구간 -> 시작구간)를 판단하기 위한 설정값이고, 배열의 개수는 해당구간에서의 유효한 실측값들의 평균값을 산출하기 위한 실측값의 개수이다.That is, in the first step S110, the communication setting between the laser displacement sensor and the control unit, the graph setting for visually providing the actual measured value, the actual measurement value multiplied by a negative number (for example, (Reference value-actual value) (m), and the angular position of each operation pattern to which the offset value (off value) is applied (for example, actual value + 60) And sets the number (n) of arrays which is the number of effective measured values in the corresponding section. Here, the reference deviation is a setting value for determining whether or not to depart from the corresponding interval of the measured value (start interval -> end interval, or end interval -> start interval), and the number of the arrays can be calculated from the actual measured values Is the number of measured values for calculating the average value.

부가하여, 도 4를 참조하여, 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간 설정을 예시하면 다음과 같다. 암블레이드의 로드 동작패턴의 시작구간(LA)은 25 ~ 30, 종료구간(LB)은 20 ~ 25로, 언로드 동작패턴의 시작구간(UA)은 20 ~ 25, 종료구간(UB)은 25 ~ 30으로 설정할 수 있다. 한편, LA와 UB가 동일한 구간으로 설정될 수도 있으나, LA는 25 ~ 30으로, UB는 26 ~ 31로 다르게 설정할 수도 있으며, UA와 LB도 동일하게 또는 다르게 설정할 수 있다.
In addition, referring to FIG. 4, setting of a start section and an end section of each operation pattern will be described as follows. The start section LA of the arm blade is in the range of 25 to 30, the end section LB is 20 to 25, the start section UA of the unloading operation pattern is 20 to 25, 30 can be set. On the other hand, LA and UB may be set to the same interval, but LA may be set to 25 to 30, UB may be set to 26 to 31, and UA and LB may be set to be the same or different.

다음, 실측값 수신 제2단계(S120)에서는, 암블레이드와 이격되어 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하여 후술하는 단계를 수행한다.
Next, in the second step (S120) of receiving the measured value, an actual value, which is a distance between the arm blade and the arm blade, is periodically received from the laser displacement sensor provided at one side of the wafer transfer apparatus.

다음, 구간 판별 제3단계(S130)에서는, 수신된 실측값이 전술한 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별한다.Next, in the third step S130, a determination is made as to whether the received measured value is a start interval and an end interval of each of the above-described motion patterns.

구체적으로, 제3단계(S130)는, 수신한 실측값이 전술한 구간들(LA,UA,LB,UB)의 값인지 판단하고(S131a), 실측값이 구간들의 값이 아니라고(EX) 판단되면 전술한 제1단계(S110)에서의 설정에 따라 실측값에 음수값을 곱하거나 옵셋값을 적용하여 가공하여 유효한 실측값으로 보정하는 제3-1단계(S131b)와, 이후, 실측값이 암블레이드의 1차구간, 즉 로드 또는 언로드의 시작구간인지(LA,UA) 그 이외의 범위인지(EX) 판별하는 제3-2단계(S132)와, 전 단계 판별 후, 그 이외의 구간(EX), 즉 1차구간 이외의 구간이라면 암블레이드의 로드 또는 언로드의 종료구간인지(LB,UB) 그 이외의 범위인지(EX') 판별하는 제3-3단계(S133)로 이루어진다.
Specifically, the third step S130 determines whether the received actual value is a value of the above-mentioned intervals LA, UA, LB, and UB (S131a), determines that the measured value is not the value of the intervals A third step (S131b) of multiplying the measured value by a negative value according to the setting in the first step (S110) and correcting it to an effective measured value by applying an offset value to the actual measured value, and thereafter, (Step S132) of discriminating whether the arm blade is in the first section, that is, the start section of the load or unload (LA, UA) or other ranges (EX) (Step S133) of determining whether the arm blade is in a range other than the first period (LB, UB) or the end range (EX ') of loading or unloading the arm blade.

도 3b 내지 도 3d는, 실측값의 구간 판별 후 각 해당구간별로 평균값을 산출하고 암블레이드의 동작 패턴을 식별하는 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)의 순서도를 구체적으로 예시한 것이다.
FIG. 3B to FIG. 3D illustrate the flow chart of the average value calculation and the operation pattern identification step (S140) for calculating an average value for each corresponding interval after determining the interval of the measured value and identifying the operation pattern of the arm blade.

전술한 바와 같이, 평균값 산출 및 동작패턴 식별 제4단계(S140)에서는, 각 구간별로, 소정 개수(N)의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 유효한 실측값의 구간 이동 변위를 통해서 해당하는 동작패턴을 식별하게 된다.As described above, in the average value calculation and operation pattern identification fourth step (S140), the average value of the array of the actual values of the predetermined number N is calculated for each section, and the corresponding The operation pattern is identified.

즉, 제4단계(S140)는, 전체적으로, 구간 판별 후(S132,S133), 각 시작구간 및 해당 시작구간과 중첩되는 범위의 상응하는 종료구간별로(로드의 시작구간(LA) 및 언로드의 종료구간(UB)(도 3b 참조), 및 로드의 시작구간(UA) 및 언로드의 종료구간(LB)(도 3c 참조)), 실측값이 시작구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 이후 수신된 실측값과의 차이인 실측편차(기준값 - 실측값)가 미리 설정한 기준편차 이하이면 시작구간 배열에 추가하는 제4-1단계(S141)와, 실측편차가 기준편차를 초과하면 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 시작구간 배열을 초기화하고 시작구간 배열에 실측값을 추가하는 제4-2단계(S142)와, 제4-1단계(S141) 이후 시작구간 배열의 개수가 n개 이상이면 해당 시작구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-3단계(S143)와, 제4-2단계(S142) 또는 제4-3단계(S143)에서 시작구간 배열의 개수가 n개 미만이거나 제4-3단계(S143) 이후에는, 실측값이 상응하는 종료구간인지 판단하는 제4-4단계(S144)와, 실측값이 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고 최초의 실측값인 기준값과 실측값과의 차이인 실측편차(기준값 - 실측값)가 미리 설정한 기준편차 이하이면 종료구간 배열에 추가하는 제4-5단계(S145)와, 기준편차를 초과하면 종료구간 배열을 초기화하고 종료구간 배열에 실측값을 추가하는 제4-6단계(S146)와, 제4-5단계(S145) 이후, 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-7단계(S147)로 이루어진다.
That is, in the fourth step S140, after the start of the segment (S132, S133), the start time of the load (LA) and the end of the unload The actual value is less than the number n of the corresponding arrays in the start section and the start value of the first part of the first period (Reference value-actual value), which is a difference between a reference value which is an actually measured value of the measured value and a subsequently measured actual value, is less than or equal to a preset reference deviation, a fourth step S141, A fourth step S142 of resetting the measured value to a new reference value and initializing the start interval array and adding the actual value to the start interval array when the reference deviation is exceeded, The maximum value and the average value in the start interval array are calculated, If the number of start interval arrays is less than n in step S143, step 4-2 (S142) or step 4-3 (S143), or after step 4-3 (S143), the measured values correspond to (S144) of judging whether or not the actual value is the end interval, and a fourth step (S144) of judging whether the actual value is less than the number of corresponding arrays (n) (Step S145) of adding the calculated deviation to the ending interval array if it is equal to or less than a predetermined reference deviation, and a fourth step (S145) of adding the measured value to the ending interval array when the reference deviation is exceeded, (Step S146) and Step 4-7 (Step S147) of calculating the minimum value, the maximum value and the average value in the ending interval array if the number of the ending interval arrays is n or more after the step 4-6 (S145).

한편, 도 3d는, 하나의 동작패턴의 시작구간과 다른 동작패턴의 종료구간이 동일하지 않고 중첩되어 설정된 경우, 중첩되지 않는 각 동작패턴의 종료구간(LB,UB)의 평균값 산출 과정을 예시한 추가적인 순서도이다.FIG. 3D illustrates a process of calculating an average value of the end sections LB and UB of the non-overlapping operation patterns when the start section of one operation pattern and the end section of another operation pattern are set to be not overlapped with each other It is an additional flowchart.

예컨대, LA는 25 ~ 30으로, UB는 26 ~ 31로 다르게 설정한 경우라면, 실측값이 30 ~ 31인 경우 그 해당 UB 구간에서의 평균값을 산출하는 과정을 수행하게 되고, UA와 LB도 동일하게 적용될 수 있다.For example, if the LA is set to 25 to 30 and the UB is set to 26 to 31, if the measured value is 30 to 31, the average value in the corresponding UB section is calculated, and UA and LB are also the same Lt; / RTI >

부언하자면, 사용자 설정 적용 제1단계(S110)에서, 필요에 따라서, 로드의 시작구간(LA)과 언로드의 종료구간(UB)은 동일하거나 중첩되며, 언로드의 시작구간(UA)과 로드의 종료구간(LB)은 동일하거나 중첩되도록 설정할 수 있다.In other words, in the first step (S110) of applying the user setting, the load start interval LA and the unload end interval UB are the same or overlap with each other, and the start time UA of the unload and the end The sections LB can be set to be the same or overlap each other.

도 3d를 참조하면, 전술한 바와 같은 시작구간과 중첩되는 범위를 갖는 동작패턴의 종료구간별로, 시작구간과 중첩되지 않는 종료구간의 실측값에 대해서, 각 종료구간(LB 또는 UB) 판별 후, 실측값이 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 실측값과의 차이인 실측편차(기준값 - 실츠값)가 미리 설정된 기준편차 이하이면 종료구간 배열에 추가하는 제4a-1단계(S421)와, 기준편차를 초과하면 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 종료구간 배열을 초기화하고 종료구간 배열에 실측값을 추가하는 제4a-2단계(S422)와, 제4a-1단계(S421) 이후, 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4a-3단계(S423)로 이루어지고, 제4a-1단계(S421) 이후, 종료구간 배열의 개수가 n개 미만이면, 전술한 제2단계(S120)부터 반복 수행한다.
Referring to FIG. 3D, after each end interval (LB or UB) is determined for an actual value of an end interval that does not overlap with a start interval for each end interval of an operation pattern having a range overlapping the start interval as described above, If the measured value is less than the number of corresponding arrays (n) of the ending interval and the measured deviation (reference value-set value), which is the difference between the actual measured value and the actual measured value, is less than a preset reference deviation, (4a-2) (S422) of resetting the measured value to a new reference value and initializing the ending interval array and adding the measured value to the ending interval array when the reference deviation is exceeded, If the number of the ending section arrays is more than or equal to n, the step 4a-3 (S423) of calculating the minimum value, the maximum value and the average value in the ending section array is performed after the step -1 (S421) ), If the number of the ending interval arrays is less than n, It performs a second repeat from step 2 (S120).

도 3e는 열화추세정보 제공 제5단계(S150)의 순서도를 구체적으로 예시한 것이다.FIG. 3E is a flowchart illustrating the fifth step of providing deterioration trend information (S150).

제5단계(S150)는, 시작구간 및 종료구간의 판별에 따른 각 암블레이드의 동작패턴을 충족하면, 전술한 각 구간의 배열을 초기화하고(S151), 해당 식별된 동작패턴 및 해당구간에서의 산출된 평균값, 최소값 및 최대값을 기록하여 보관하고(S152), 각 해당구간에서의 평균값의 변화추세로 각 암블레이드의 해당구간에서의 상향(들뜸) 또는 하향(처짐) 열화추세 정보를 기록하여 보관하고 상위 서버로 업로드하여 제공한다(S153). 여기서, 시작구간 및 종료구간의 판별에 따른 각 암블레이드의 동작패턴을 충족하지 못하면, 전술한 제2단계(S120)부터 반복 수행한다.The fifth step S150 is a step of initializing the arrangement of the above-mentioned sections if the operation patterns of the respective arm blades according to the discrimination of the start section and the end section are satisfied (S151) The calculated average value, the minimum value, and the maximum value are recorded and stored (S152). Upward (excited) or downward (deflected) deteriorated trend information in each section of each arm blade is recorded with a trend of change in the average value in each corresponding section And uploads it to the parent server to provide it (S153). Here, if the operation pattern of each arm blade according to the discrimination of the start section and the end section is not satisfied, the operation is repeated from the second step S120.

한편, 각 해당구간에서의 최소값 및 최대값은, 각 암블레이드의 해당구간에서의 떨림(variation)에 의한 진폭 정보를 제공하고, 그 진폭 정보는 추후 기준편차(m) 설정에 활용될 수 있다.
On the other hand, the minimum value and the maximum value in each corresponding interval provide the amplitude information by the variation in the corresponding section of each arm blade, and the amplitude information can be utilized for setting the reference deviation m later.

따라서, 전술한 바와 구성에 의해, 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 각 해당구간에서의 열화추세를 실시간으로 판단할 수 있어 사전에 적절히 대응할 수 있도록 하여서 웨이퍼의 불량률을 줄일 수 있다.
Therefore, the deterioration trend in each corresponding section of the arm blade of the wafer transfer equipment can be determined in real time, and the wafer defect rate can be reduced by appropriately responding in advance.

본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
The embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention and therefore various equivalents It should be understood that water and variations may be present.

110 : 암블레이드
120 : 레이저변위센서
130 : 제어부
140 : 서버
110: cancer blade
120: Laser displacement sensor
130:
140: Server

Claims (5)

삭제delete 웨이퍼 이송장비의 암블레이드의 웨이퍼의 로드와 언로드 동작패턴을 구별하기 위한 상기 각 동작패턴의 시작구간 또는 종료구간의 배열의 개수 및 상기 시작구간 또는 종료구간의 사용자 설정을 적용하는 제1단계와,
상기 암블레이드와 이격되어 상기 웨이퍼 이송장비의 일측에 설치된 레이저변위센서로부터 상기 암블레이드와의 이격거리인 실측값을 주기적으로 수신하는 제2단계와,
상기 수신된 실측값이 상기 각 동작패턴의 시작구간 및 종료구간인지를 판별하는 제3단계와,
상기 시작구간 또는 종료구간별로, 소정 개수의 실측값의 배열의 평균값을 산출하고, 상기 해당하는 동작패턴을 식별하는 제4단계와,
상기 평균값의 변화추세로 상기 시작구간 또는 종료구간에서의 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 제공하는 제5단계로 이루어지는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
A first step of applying a user setting of a start section or an end section of the start section or end section of each operation pattern and a start section or an end section of the operation pattern to distinguish a load and an unload operation pattern of a wafer of an arm blade of the wafer transfer device,
A second step of periodically receiving an actually measured value, which is a distance from the arm blade, from a laser displacement sensor provided on one side of the wafer transfer equipment,
A third step of determining whether the received measured value is a start interval and an end interval of each operation pattern,
A fourth step of calculating an average value of arrays of a predetermined number of measured values for each of the start section or the end section and identifying the corresponding operation pattern;
And a fifth step of providing upward or downward deterioration trend information of the arm blade in the start section or the end section with a trend of change of the average value.
제2항에 있어서,
상기 제1단계는, 상기 동작패턴을 구별하기 위한 실측값 가공, 시작구간 또는 종료구간, 기준편차, 및 배열의 개수(n)를 설정하고,
상기 제3단계는,
가공된 유효한 실측값이 상기 시작구간 또는 상기 종료구간의 값인지 판단하고, 상기 시작구간 또는 상기 종료구간의 값이 아니라고 판단되면 상기 가공된 유효한 실측값에 음수값을 곱하거나 옵셋값을 적용하여 가공하는 제3-1단계와,
상기 가공된 유효한 실측값이 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 시작구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-2단계와,
그 이외의 범위라면 상기 암블레이드의 로드 또는 언로드의 종료구간인지 그 이외의 범위인지 판별하는 제3-3단계로 이루어지고,
상기 제4단계는,
상기 시작구간 또는 상기 종료구간 판별 후, 각 시작구간 및 상기 시작구간과 중첩되는 범위의 상응하는 종료구간별로, 상기 가공된 유효한 실측값이 상기 시작구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 가공된 유효한 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 시작구간 배열에 추가하는 제4-1단계와,
상기 기준편차를 초과하면 상기 가공된 유효한 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 시작구간 배열을 초기화하고 상기 시작구간 배열에 상기 가공된 유효한 실측값을 추가하는 제4-2단계와,
상기 시작구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 시작구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-3단계와,
상기 제4-2단계, 또는 상기 제4-3단계에서 상기 시작구간 배열의 개수가 n개 미만이거나 상기 제4-3단계 이후에는, 상기 가공된 유효한 실측값이 상기 상응하는 종료구간인지 판단하는 제4-4단계와,
상기 가공된 유효한 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고 최초의 실측값인 기준값과 상기 가공된 유효한 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4-5단계와,
상기 기준편차를 초과하면 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 가공된 유효한 실측값을 추가하는 제4-6단계와,
상기 제4-5단계 이후, 상기 종료구간 배열의 개수가 n개 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4-7단계로 이루어지고,
상기 제5단계는, 상기 시작구간 및 상기 종료구간의 판별로 식별된 동작패턴 및 상기 해당구간에서의 평균값을 기록하고, 상기 해당구간에서의 평균값의 변화추세로 상기 암블레이드의 상향 또는 하향 열화추세 정보를 기록하여 보관하고 제공하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
3. The method of claim 2,
The first step includes setting an actual value processing, a start section or an end section, a reference deviation, and the number of arrays (n) for distinguishing the operation pattern,
In the third step,
Determining whether the processed actual measured value is the value of the start section or the end section and multiplying the processed effective measured value by a negative value or applying an offset value when determining that the processed actual measured value is not the value of the start section or the end section, Step 3-1,
A step 3-2 of discriminating whether the processed actual measured value is a start interval of loading or unloading of the arm blade or other range,
And if the range is other than the range, it is determined whether the range is the ending period of the loading or unloading of the arm blade,
In the fourth step,
The processed actual measured value is less than the number (n) of corresponding arrays of the start section and the start of the start of each of the start and end sections, To the starting section array if the actual deviation, which is the difference between the measured actual value and the processed actual measured value, is equal to or less than the reference deviation,
A step 4-2 of resetting the processed actual measured value to a new reference value and initializing the start interval array and adding the processed effective measured value to the start interval array if the measured deviation exceeds the reference deviation,
A fourth step of calculating a minimum value, a maximum value and an average value in the start interval array if the number of the start interval arrays is n or more;
If the number of the start interval arrays in the step 4-2 or the step 4-3 is less than n, or after the step 4-3, it is determined whether the processed actual measured value is the corresponding end interval Step 4-4,
If the actual measured actual value is less than the number of corresponding arrays (n) of the end interval and the actual deviation, which is the difference between the reference actual value and the processed actual measured value, is less than the reference deviation, Step 4-5,
A step 4 - 6 of initializing the ending interval array and adding the processed effective measured value to the ending interval array if the reference deviation is exceeded,
And calculating a minimum value, a maximum value and an average value in the ending interval array if the number of ending interval arrays is n or more after step 4-5,
The fifth step may include recording the operation pattern identified by the discrimination of the start section and the end section and the average value in the corresponding section and changing the trend of the upward or downward deterioration of the arm blade Storing and providing information on the detected deterioration trend of the arm blade of the wafer transfer equipment.
제3항에 있어서,
상기 시작구간과 중첩되는 범위를 갖는 상기 동작패턴의 상기 종료구간별로, 상기 시작구간과 중첩되지 않는 상기 종료구간의 가공된 유효한 실측값에 대해서,
상기 각 종료구간 판별 후, 상기 가공된 유효한 실측값이 상기 종료구간의 해당 배열의 개수(n) 미만이고, 최초의 실측값인 기준값과 상기 가공된 유효한 실측값과의 차이인 실측편차가 상기 기준편차 이하이면 상기 종료구간 배열에 추가하는 제4a-1단계와,
상기 기준편차를 초과하면 상기 가공된 유효한 실측값을 새로운 기준값으로 재설정하며 상기 종료구간 배열을 초기화하고 상기 종료구간 배열에 상기 가공된 유효한 실측값을 추가하는 제4a-2단계와,
상기 제4a-1단계 이후, 상기 가공된 유효한 실측값의 개수가 상기 종료구간 배열의 개수(n) 이상이면 상기 종료구간 배열 내의 최소값, 최대값 및 평균값을 산출하는 제4a-3단계와,
상기 제4a-1단계 이후, 상기 가공된 유효한 실측값의 개수가 상기 종료구간 배열의 개수(n) 미만이면, 상기 제2단계부터 반복 수행하는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
The method of claim 3,
For each of the end sections of the operation pattern having a range overlapping the start section, with respect to the processed actual measured values of the end section that do not overlap with the start section,
Wherein the processed actual measured value is less than the number (n) of corresponding arrays of the ending interval after the determination of each of the end intervals, and the actual deviation, which is the difference between the reference actual value and the processed effective measured value, A step 4a-1 for adding, if the deviation is equal to or less than the deviation,
A step 4a-2 for resetting the processed actual measured value to a new reference value, initializing the ending interval array and adding the processed effective measured value to the ending interval array if the measured deviation exceeds the reference deviation,
A step 4a-3 for calculating a minimum value, a maximum value and an average value in the ending interval array when the number of the processed actual measured values is not less than the number (n) of the ending interval arrays after the step 4a-1;
Wherein when the number of effective measured actual values after step 4a-1 is less than the number n of the end interval arrays, the deterioration trend of the wafer transfer equipment arm blade is repeatedly performed Detection method.
제4항에 있어서,
상기 로드의 시작구간과 상기 언로드의 종료구간은 동일하거나 중첩되고, 상기 언로드의 시작구간과 상기 로드의 종료구간은 동일하거나 중첩되는 것을 특징으로 하는, 웨이퍼 이송장비 암블레이드의 열화추세 검출방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the start section of the load and the end section of the unload are the same or overlapped and the start section of the unload and the end section of the load are the same or overlapped.
KR1020160148073A 2016-11-08 2016-11-08 System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot KR101952840B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160148073A KR101952840B1 (en) 2016-11-08 2016-11-08 System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160148073A KR101952840B1 (en) 2016-11-08 2016-11-08 System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180051731A KR20180051731A (en) 2018-05-17
KR101952840B1 true KR101952840B1 (en) 2019-03-04

Family

ID=62486186

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160148073A KR101952840B1 (en) 2016-11-08 2016-11-08 System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101952840B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102154239B1 (en) * 2018-07-23 2020-09-09 세메스 주식회사 Apparatus and method for predicting fault of substrate processing apparatus
CN116613094B (en) * 2023-07-20 2023-10-13 合肥晶合集成电路股份有限公司 Wafer carrying control system and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180051731A (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100916190B1 (en) Integration of fault detection with run-to-run control
RU2576588C2 (en) Detection of sensor performance degradation implemented in transmitter
US20210035832A1 (en) Method and apparatus for measuring process kit centering
US20030045009A1 (en) Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor
US20100198556A1 (en) Method and system for semiconductor process control and monitoring by using a data quality metric
JP5624618B2 (en) Method and configuration for in situ process monitoring and control for plasma processing tools
US8892237B2 (en) Systems and methods for fabricating semiconductor device structures using different metrology tools
CN113330463A (en) Chamber matching in semiconductor device tools using neural networks
KR101952840B1 (en) System and Method for Detecting Degradation Trend of Arm Blade for Wafer Transfer Robot
US10281520B2 (en) Diagnosing an abnormal state of a substrate-processing apparatus
US20120283873A1 (en) System for auto-diagnostics of robotic manipulator
WO2016121689A1 (en) Failure diagnostic method and failure diagnostic system
CN114492629A (en) Abnormality detection method, abnormality detection device, electronic apparatus, and storage medium
EP2998814A1 (en) System for predicting abnormality occurrence using plc log data
US20070142949A1 (en) Enhanced state estimation based upon information credibility
KR102333634B1 (en) Wafer lifting apparatus for enhancing machining accuracy
JP2016213400A (en) Defect detection system, defect detection method, semiconductor manufacturing device, and production management system
JP6949679B2 (en) Processing equipment, inspection equipment and processing method
US10513035B2 (en) Robot-defective-part diagnosing device and method
CN111968927A (en) Apparatus for processing wafer and method of operating the same
KR102469634B1 (en) Substrate defect detection system of semiconductor process
KR101045479B1 (en) Measuring system with multi-sensor
KR102007240B1 (en) A self-callibration method and system of vibration sensor
WO2023157380A1 (en) Robot monitoring system, monitoring device, method for controlling monitoring device, and program
KR20040063301A (en) Wafer sensing apparatus and the sensing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right