JP6949679B2 - Processing equipment, inspection equipment and processing method - Google Patents

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  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

本発明は、測定対象のQ値を算出する算出処理を実行する処理装置、Q値に基づいて測定対象を検査する検査方法、および測定対象のQ値を算出する算出処理を実行する処理方法に関するものである。 The present invention relates to a processing device that executes a calculation process for calculating the Q value of a measurement target, an inspection method for inspecting the measurement target based on the Q value, and a processing method for executing the calculation process for calculating the Q value of the measurement target. It is a thing.

この種の処理装置として、下記特許文献1において出願人が開示したインピーダンス測定装置が知られている。このインピーダンス測定装置は、コントローラ、第1測定手段および第2測定手段を備え、インダクタ素子のQ値を算出すると共にQ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定可能に構成されている。この場合、第1測定手段は、直流信号を用いた4端子測定法でインダクタ素子の直流抵抗値Rdc4を測定する。また、第2測定手段は、直流信号を用いた2端子測定法でインダクタ素子の直流抵抗値Rdc2を測定すると共に、高周波信号を用いた2端子測定法でインダクタ素子の実効抵抗値Rsおよびインダクタンス値Lを測定する。また、コントローラは、第1測定手段および第2測定手段を制御すると共に、各測定値Rdc4,Rdc2,Rs,Lを用いて算出したQ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定する。このインピーダンス測定装置では、第2測定手段が2端子測定法で測定を行う際の測定用のプローブの接触抵抗値Rcの影響を低減させるため、Rdc2とRdc4との差分値を接触抵抗値Rc(Rc=Rdc2−Rdc4)として求め、実効抵抗値Rsを接触抵抗値Rcで補正し、その補正値Rs’(Rs’=Rs−Rc)を用いてQ値を算出している。 As a processing device of this type, an impedance measuring device disclosed by the applicant in Patent Document 1 below is known. This impedance measuring device includes a controller, a first measuring means, and a second measuring means, and is configured to be able to calculate the Q value of the inductor element and determine the quality of the inductor element based on the Q value. In this case, the first measuring means measures the DC resistance value Rdc4 of the inductor element by a four-terminal measuring method using a DC signal. The second measuring means measures the DC resistance value Rdc2 of the inductor element by a two-terminal measuring method using a DC signal, and also measures the effective resistance value Rs and the inductance value of the inductor element by a two-terminal measuring method using a high-frequency signal. Measure L. Further, the controller controls the first measuring means and the second measuring means, and determines the quality of the inductor element based on the Q value calculated using each measured value Rdc4, Rdc2, Rs, L. In this impedance measuring device, in order to reduce the influence of the contact resistance value Rc of the measuring probe when the second measuring means performs the measurement by the two-terminal measuring method, the difference value between Rdc2 and Rdc4 is set as the contact resistance value Rc ( Rc = Rdc2-Rdc4), the effective resistance value Rs is corrected by the contact resistance value Rc, and the Q value is calculated using the correction value Rs'(Rs' = Rs-Rc).

特開2015−125135号公報(第5−8頁、第1−2図)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-125135 (Page 5-8, Fig. 1-2)

ところが、上記のインピーダンス測定装置には、改善すべき以下の課題がある。具体的には、上記のインピーダンス測定装置では、第2測定手段が、実効抵抗値Rsの測定前および測定後のいずれか一方において直流抵抗値Rdc2の測定を1回だけ実行し、その直流抵抗値Rdc2から求めた接触抵抗値Rcで実効抵抗値Rsを補正している。この場合、直流抵抗値Rdc2の測定時刻における接触抵抗値Rcと実効抵抗値Rsの測定時刻における接触抵抗値Rcとが異なるとき、つまり、両測定時刻の間に接触抵抗値Rcが変化したときには、実際の接触抵抗値Rcとは異なる接触抵抗値Rcで実効抵抗値Rsを補正したこととなり、このときには、Q値を正確に算出することが困難となる。特に、実効抵抗値Rsの測定時刻における接触抵抗値Rcの方が直流抵抗値Rdc2の測定時刻における接触抵抗値Rcよりも小さいときには、接触抵抗値Rcを含まない実際の実効抵抗値Rsよりも補正値Rs’(補正後の実効抵抗値Rs)の方が小さくなり、Q値(ωL/Rs’)が実際の値よりも大きくなる結果、Q値に基づくインダクタ素子の検査の際に、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子を良品と判定するおそれがある。 However, the above impedance measuring device has the following problems to be improved. Specifically, in the above impedance measuring device, the second measuring means executes the measurement of the DC resistance value Rdc2 only once before or after the measurement of the effective resistance value Rs, and the DC resistance value is measured. The effective resistance value Rs is corrected by the contact resistance value Rc obtained from Rdc2. In this case, when the contact resistance value Rc at the measurement time of the DC resistance value Rdc2 and the contact resistance value Rc at the measurement time of the effective resistance value Rs are different, that is, when the contact resistance value Rc changes between the two measurement times. The effective resistance value Rs is corrected with a contact resistance value Rc different from the actual contact resistance value Rc, and at this time, it becomes difficult to accurately calculate the Q value. In particular, when the contact resistance value Rc at the measurement time of the effective resistance value Rs is smaller than the contact resistance value Rc at the measurement time of the DC resistance value Rdc2, the correction is made more than the actual effective resistance value Rs not including the contact resistance value Rc. As a result, the value Rs'(effective resistance value Rs after correction) becomes smaller and the Q value (ωL / Rs') becomes larger than the actual value, and as a result, when inspecting the inductor element based on the Q value, it is actually May determine a defective inductor element with a small Q value as a good product.

本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、Q値を用いた測定対象の良否検査における検査精度の向上が可能なQ値を算出し得る処理装置、検査装置および処理方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the problem to be improved, and is a processing device, an inspection device, and a processing method capable of calculating a Q value capable of improving the inspection accuracy in the quality inspection of the measurement target using the Q value. The main purpose is to provide.

上記目的を達成すべく請求項1記載の処理装置は、測定対象の直流抵抗値を第1直流抵抗値として4端子法で測定する第1測定処理を実行する第1測定部と、前記測定対象の直流抵抗値を第2直流抵抗値として2端子法で測定する第2測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行する第2測定部と、前記第1直流抵抗値、前記第2直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のQ値を算出する処理を実行可能な処理部とを備えた処理装置であって、前記第2測定部は、前記第2測定処理を複数回実行し、前記処理部は、前記各第2測定処理によって測定された前記各第2直流抵抗値の変化状態を特定すると共に、前記第2直流抵抗値に基づいて規定した第3直流抵抗値と前記第1直流抵抗値との差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行して得た補正抵抗値を用いて前記Q値を算出する第1処理、前記交流抵抗値を用いて前記Q値を算出する第2処理、および前記Q値を算出することなく当該Q値を算出しない旨を報知する第3処理のいずれか1つを前記変化状態に応じて実行する。 In order to achieve the above object, the processing apparatus according to claim 1 includes a first measuring unit that executes a first measurement process in which the DC resistance value of the measurement target is set as the first DC resistance value and is measured by the 4-terminal method, and the measurement target. The second measurement process of measuring the DC resistance value of the above as the second DC resistance value by the two-terminal method, and the second measurement process of measuring the AC resistance value and the inductance value of the measurement target by the two-terminal method, respectively. A process including a measuring unit and a processing unit capable of performing a process of calculating the Q value of the measurement target based on the first DC resistance value, the second DC resistance value, the AC resistance value, and the inductance value. In the device, the second measurement unit executes the second measurement process a plurality of times, and the processing unit identifies the change state of each of the second DC resistance values measured by each of the second measurement processes. At the same time, the correction resistance obtained by executing the correction processing for correcting the AC resistance value using the difference value between the third DC resistance value and the first DC resistance value defined based on the second DC resistance value. The first process of calculating the Q value using the value, the second process of calculating the Q value using the AC resistance value, and notifying that the Q value is not calculated without calculating the Q value. Any one of the third processes is executed according to the change state.

また、請求項2記載の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第1変動幅が予め設定された第1閾値以下である第1状態のときに当該各第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第1変動幅が前記閾値よりも大きいときに前記第2処理を実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 2 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is the difference between the maximum value and the minimum value of each of the second DC resistance values as the changed state. When the fluctuation range is equal to or less than the preset first threshold value, the first process is executed by defining the third DC resistance value based on each of the second DC resistance values, and the first process is executed. The second process is executed when the fluctuation range is larger than the threshold value.

また、請求項3記載の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第1変動幅が予め設定された第1閾値以下である第1状態のときに当該各第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第1変動幅が前記閾値よりも大きいときに前記第3処理を実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 3 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is the difference between the maximum value and the minimum value of each of the second DC resistance values as the changed state. When the fluctuation range is equal to or less than the preset first threshold value, the first process is executed by defining the third DC resistance value based on each of the second DC resistance values, and the first process is executed. The third process is executed when the fluctuation range is larger than the threshold value.

また、請求項4記載の処理装置は、請求項1から3のいずれかに記載の処理装置において、前記処理部は、前記各第2直流抵抗値の最小値を前記第3直流抵抗値として規定する。 Further, the processing apparatus according to claim 4 is the processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the processing unit defines the minimum value of each of the second DC resistance values as the third DC resistance value. do.

また、請求項5記載の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の一部であって時間的に互いに隣接する複数の第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第2変動幅が予め設定された第2閾値以下である第2状態となったとき以降に測定された前記第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第2測定部による前記複数回の第2測定処理が終了するまでに前記第2状態とならなかったときに前記第2処理を実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 5 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is a part of each of the second DC resistance values as the changed state and is adjacent to each other in time. The second DC resistance value measured after the second state in which the second fluctuation width, which is the difference between the maximum value and the minimum value of the second DC resistance value, is equal to or less than the preset second threshold value. When the first process is executed by defining the third DC resistance value based on the above, and the second state is not reached by the end of the plurality of second measurement processes by the second measurement unit. The second process is executed.

また、請求項6記載の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の一部であって時間的に互いに隣接する複数の第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第2変動幅が予め設定された第2閾値以下である第2状態となったとき以降に測定された前記第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第2測定部による前記複数回の第2測定処理が終了するまでに前記第2状態とならなかったときに前記第3処理を実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 6 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the processing unit is a part of each of the second DC resistance values as the changed state and is adjacent to each other in time. The second DC resistance value measured after the second state in which the second fluctuation width, which is the difference between the maximum value and the minimum value of the second DC resistance value, is equal to or less than the preset second threshold value. When the first process is executed by defining the third DC resistance value based on the above, and the second state is not reached by the end of the plurality of second measurement processes by the second measurement unit. The third process is executed.

また、請求項7記載の処理装置は、請求項5または6記載の処理装置において、前記処理部は、前記第2状態となったとき以降に測定された前記第2直流抵抗値の最小値を前記第3直流抵抗値として規定する。 Further, the processing apparatus according to claim 7 is the processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the processing unit sets the minimum value of the second DC resistance value measured after the second state is reached. It is defined as the third DC resistance value.

また、請求項8記載の処理装置は、請求項1から7のいずれかに記載の処理装置において、前記処理部は、前記補正処理において、前記差分値に予め規定された0以上1以下の係数を乗じて得た値を前記交流抵抗値から差し引いて当該交流抵抗値を補正する。 The processing apparatus according to claim 8 is the processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the processing unit has a coefficient of 0 or more and 1 or less predetermined for the difference value in the correction processing. The value obtained by multiplying by is subtracted from the AC resistance value to correct the AC resistance value.

また、請求項9記載の処理装置は、請求項1から8のいずれかに記載の処理装置において、前記処理部は、前記差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに前記第1処理を実行し、前記差分値が前記設定値以下のときには前記第2処理および前記第3処理のいずれか一方を実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 9 is the processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the processing unit performs the first processing when the difference value is larger than a preset set value. Is executed, and when the difference value is equal to or less than the set value, either the second process or the third process is executed.

また、請求項10記載の検査装置は、請求項1から9のいずれかに記載の処理装置と、当該処理装置によって算出された前記Q値に基づいて前記測定対象の良否を検査する検査部とを備えた。 The inspection device according to claim 10 includes the processing device according to any one of claims 1 to 9, and an inspection unit that inspects the quality of the measurement target based on the Q value calculated by the processing device. Equipped with.

また、請求項11記載の処理方法は、測定対象の直流抵抗値を第1直流抵抗値として4端子法で測定する第1測定処理、前記測定対象の直流抵抗値を第2直流抵抗値として2端子法で測定する第2測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行し、前記第1直流抵抗値、前記第2直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のQ値を算出する処理を実行する処理方法であって、前記第2測定処理を複数回実行し、前記各第2測定処理によって測定された前記各第2直流抵抗値の変化状態を特定すると共に、前記第2直流抵抗値に基づいて規定した第3直流抵抗値と前記第1直流抵抗値との差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行して得た補正抵抗値を用いて前記Q値を算出する第1処理、前記交流抵抗値を用いて前記Q値を算出する第2処理、および前記Q値を算出することなく当該Q値を算出しない旨を報知する第3処理のいずれか1つを前記変化状態に応じて実行する。 The processing method according to claim 11 is a first measurement process in which the DC resistance value of the measurement target is set as the first DC resistance value by the 4-terminal method, and the DC resistance value of the measurement target is set as the second DC resistance value. The second measurement process for measuring by the terminal method and the third measurement process for measuring the AC resistance value and the inductance value of the measurement target by the two-terminal method are executed, and the first DC resistance value and the second DC resistance value are executed. , A processing method for executing a process of calculating the Q value of the measurement target based on the AC resistance value and the inductance value, the second measurement process is executed a plurality of times, and the measurement is performed by each of the second measurement processes. The change state of each of the second DC resistance values is specified, and the AC resistance is used by using the difference value between the third DC resistance value and the first DC resistance value defined based on the second DC resistance value. The first process of calculating the Q value using the corrected resistance value obtained by executing the correction process of correcting the value, the second process of calculating the Q value using the AC resistance value, and the Q value. One of the third processes for notifying that the Q value is not calculated without calculating is executed according to the change state.

請求項1記載の処理装置、請求項10記載の検査装置、および請求項11記載の処理方法では、複数回の第2測定処理によって測定された各第2直流抵抗値の変化状態を特定し、交流抵抗値を補正した補正抵抗値を用いてQ値を算出する第1処理、交流抵抗値を用いてQ値を算出する第2処理、およびQ値を算出することなくQ値を算出しない旨を報知する第3処理のいずれか1つを各第2直流抵抗値の変化状態に応じて実行する。この場合、測定対象に対する測定用のプローブの接触状態が不良で、接触抵抗値が時間経過に伴って変化する場合において、第2直流抵抗値に含まれる接触抵抗値が交流抵抗値に含まれる接触抵抗値よりも大きいときには、その第2直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値が、測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さい値となることがあり、この補正抵抗値を用いて算出したQ値の算出値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となる結果、実際にはQ値が小さい不良の測定対象を良品と誤判定するおそれがある。これに対して、この処理装置、検査装置および処理方法では、各第2直流抵抗値の変化状態応じて第1処理、第2処理および第3処理を使い分けるため、補正した補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さい値となる可能性が低いときだけ補正抵抗値を用いてQ値を算出する第1処理を実行することで、算出したQ値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、Q値を用いた測定対象の良否検査における検査精度を十分に向上させることが可能なQ値を算出することができる。 In the processing apparatus according to claim 1, the inspection apparatus according to claim 10, and the processing method according to claim 11, the change state of each second DC resistance value measured by a plurality of second measurement processes is specified. The first process of calculating the Q value using the corrected resistance value corrected for the AC resistance value, the second process of calculating the Q value using the AC resistance value, and the fact that the Q value is not calculated without calculating the Q value. Any one of the third processes for notifying the above is executed according to the change state of each second DC resistance value. In this case, when the contact state of the measurement probe with respect to the measurement target is poor and the contact resistance value changes with the passage of time, the contact resistance value included in the second DC resistance value is included in the AC resistance value. When it is larger than the resistance value, the corrected resistance value corrected by using the second DC resistance value may be smaller than the actual AC resistance value of the measurement target, and it is calculated using this corrected resistance value. As a result of the calculated value of the Q value being larger than the actual Q value of the measurement target, there is a possibility that a defective measurement target having a small Q value is erroneously determined as a non-defective product. On the other hand, in this processing device, inspection device and processing method, the first processing, the second processing and the third processing are used properly according to the change state of each second DC resistance value, so that the corrected correction resistance value is the measurement target. By executing the first process of calculating the Q value using the corrected resistance value only when it is unlikely that the value will be smaller than the actual AC resistance value of, the calculated Q value will be the actual Q value of the measurement target. In fact, it is possible to prevent a situation in which a defective measurement target having a small Q value is erroneously determined as a non-defective product. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, it is possible to calculate a Q value that can sufficiently improve the inspection accuracy in the quality inspection of the measurement target using the Q value.

また、請求項2記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置では、各第2直流抵抗値の第1変動幅が第1閾値以下のときに第1処理を実行し、第1変動幅が第1閾値よりも大きいときに第2処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、第2直流抵抗値の第1変動幅が第1閾値以下で接触抵抗値の時間的な変化が小さく、補正処理を実行することによって補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さい値となる可能性が低いときだけ、第1処理を実行するため、補正抵抗値を用いて算出したQ値の算出値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 2 and the inspection apparatus according to claim 10, the first processing is executed when the first fluctuation width of each second DC resistance value is equal to or less than the first threshold value, and the first fluctuation width is executed. Is greater than the first threshold value, the second process is executed. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, the first fluctuation range of the second DC resistance value is equal to or less than the first threshold value, and the change in contact resistance value with time is small. Since the first process is executed only when the resistance value is unlikely to be smaller than the actual AC resistance value of the measurement target, the calculated Q value calculated using the corrected resistance value is the actual measurement target. It becomes a value larger than the Q value of, and it is possible to more reliably prevent a situation in which a defective measurement target having a small Q value is erroneously determined as a non-defective product.

また、請求項3記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置では、各第2直流抵抗値の第1変動幅が第1閾値以下のときに第1処理を実行し、第1変動幅が第1閾値よりも大きいときに第3処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、第2直流抵抗値の第1変動幅が第1閾値以下で接触抵抗値の時間的な変化が小さく、補正処理を実行することによって補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さい値となる可能性が低いときだけ、第1処理を実行するため、補正抵抗値を用いて算出したQ値の算出値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。また、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、第1変動幅が第1閾値よりも大きいときには、第3測定処理、Q値を算出する処理および測定対象の良否判定の処理を実行することなく第3処理を実行するため、測定対象の実際のQ値よりも大きなQ値が算出されたり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定されたりするような不要な処理のための時間の浪費を防止して、その分の処理時間を短縮することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 3 and the inspection apparatus according to claim 10, the first processing is executed when the first fluctuation width of each second DC resistance value is equal to or less than the first threshold value, and the first fluctuation width is executed. Is greater than the first threshold value, the third process is executed. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, the first fluctuation range of the second DC resistance value is equal to or less than the first threshold value, and the change in contact resistance value with time is small. Since the first process is executed only when the resistance value is unlikely to be smaller than the actual AC resistance value of the measurement target, the calculated Q value calculated using the corrected resistance value is the actual measurement target. It becomes a value larger than the Q value of, and it is possible to more reliably prevent a situation in which a defective measurement target having a small Q value is erroneously determined as a non-defective product. Further, according to the processing device, the inspection device, and the processing method, when the first fluctuation range is larger than the first threshold value, the third measurement process, the process of calculating the Q value, and the process of determining the quality of the measurement target are executed. Since the third process is executed without any need, it is unnecessary that a Q value larger than the actual Q value of the measurement target is calculated, or a defective measurement target having a small Q value is erroneously judged as a good product. It is possible to prevent wasting time for processing and shorten the processing time accordingly.

また、請求項4記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置によれば、各第2直流抵抗値の最小値を第3直流抵抗値として用いて第1処理を実行することにより、第3直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることをより確実に防止することができる。 Further, according to the processing apparatus according to claim 4 and the inspection apparatus according to claim 10, the first processing is executed by using the minimum value of each second DC resistance value as the third DC resistance value. 3 It is possible to more reliably prevent the corrected resistance value corrected by using the DC resistance value from becoming smaller than the actual AC resistance value to be measured.

また、請求項5記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置では、時間的に互いに隣接する複数の第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第2変動幅が第2閾値以下となったとき以降に測定された第2直流抵抗値を用いて第1処理を実行し、第2変動幅が第2閾値以下とならなかったときに第2処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、測定対象と測定用のプローブとの接触状態が良好な状態で安定したとき以降に測定された第2直流抵抗値を用いて補正処理を実行するため、補正抵抗値を用いて算出したQ値の算出値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 5 and the inspection apparatus according to claim 10, the second fluctuation range, which is the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of second DC resistance values that are adjacent to each other in time, is the second. The first process is executed using the second DC resistance value measured after the time when the value becomes 2 threshold values or less, and the second process is executed when the second fluctuation width does not become the second threshold value or less. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, the correction process is performed using the second DC resistance value measured after the contact state between the measurement target and the measurement probe is stable in a good state. In order to execute, the calculated value of the Q value calculated using the correction resistance value becomes a value larger than the actual Q value of the measurement target, and the defective measurement target with a small Q value is actually erroneously judged as a good product. Can be prevented more reliably.

また、請求項6記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置では、時間的に互いに隣接する複数の第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第2変動幅が第2閾値以下となったとき以降に測定された第2直流抵抗値を用いて第1処理を実行し、第2変動幅が第2閾値以下とならなかったときに第3処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、測定対象と測定用のプローブとの接触状態が良好な状態で安定したとき以降に測定された第2直流抵抗値を用いて補正処理を実行するため、補正抵抗値を用いて算出したQ値の算出値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。また、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、第2変動幅が第2閾値以下とならなかったときには、第3測定処理、Q値を算出する処理および測定対象の良否判定の処理を実行することなく第3処理を実行するため、測定対象の実際のQ値よりも大きなQ値が算出されたり、実際にはQ値が小さい不良の測定対象が良品と誤判定されたりするような不要な処理のための時間の浪費を防止して、その分の処理時間を短縮することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 6 and the inspection apparatus according to claim 10, the second fluctuation range, which is the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of second DC resistance values that are adjacent to each other in time, is the second. The first process is executed using the second DC resistance value measured after the time when the value becomes 2 threshold values or less, and the third process is executed when the second fluctuation width does not become the second threshold value or less. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, the correction process is performed using the second DC resistance value measured after the contact state between the measurement target and the measurement probe is stable in a good state. In order to execute, the calculated value of the Q value calculated using the correction resistance value becomes a value larger than the actual Q value of the measurement target, and the defective measurement target with a small Q value is actually erroneously judged as a good product. Can be prevented more reliably. Further, according to this processing device, inspection device, and processing method, when the second fluctuation width does not fall below the second threshold value, the third measurement process, the process of calculating the Q value, and the process of determining the quality of the measurement target are performed. Since the third process is executed without being executed, a Q value larger than the actual Q value of the measurement target is calculated, or a defective measurement target having a small Q value is erroneously determined as a good product. It is possible to prevent wasting time for unnecessary processing and shorten the processing time accordingly.

また、請求項7記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置によれば、第2変動幅が第2閾値以下となったとき以降に測定された第2直流抵抗値の最小値を第3直流抵抗値として用いて第1処理を実行することにより、第3直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることをより確実に防止することができる。 Further, according to the processing apparatus according to claim 7 and the inspection apparatus according to claim 10, the minimum value of the second DC resistance value measured after the time when the second fluctuation width becomes equal to or less than the second threshold value is the second. 3 By executing the first process using the DC resistance value, it is more reliable to prevent the corrected resistance value corrected using the third DC resistance value from becoming smaller than the actual AC resistance value to be measured. can do.

また、請求項8記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置では、補正処理において、差分値に0以上1以下の係数を乗じて得た値を交流抵抗値から差し引いて交流抵抗値を補正する。この場合、係数を乗じて得た値で補正した補正抵抗値は、差分値で補正した補正抵抗値よりも小さな値となることがない。このため、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることを確実に回避することができる結果、Q値の算出値が実際のQ値よりも大きな値となる事態をさらに確実に防止することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 8 and the inspection apparatus according to claim 10, in the correction processing, the value obtained by multiplying the difference value by a coefficient of 0 or more and 1 or less is subtracted from the AC resistance value to obtain the AC resistance value. to correct. In this case, the corrected resistance value corrected by the value obtained by multiplying the coefficient does not become smaller than the corrected resistance value corrected by the difference value. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, it is possible to surely prevent the corrected resistance value from becoming smaller than the actual AC resistance value of the measurement target, and as a result, the calculated value of the Q value. Can be more reliably prevented from becoming a value larger than the actual Q value.

また、請求項9記載の処理装置、および請求項10記載の検査装置では、差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに第1処理を実行し、差分値が設定値以下のときには第2処理および第3処理のいずれか一方を実行する。このため、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、例えば、良好な状態の測定用のプローブを使用したときに通常生じる接触抵抗値の上限値を設定値として設定することで、差分値が設定値よりも大きく、交流抵抗値を補正する必要性が高いときだけ補正処理を実行し、差分値が設定値以下で、交流抵抗値を補正する必要性が低いときには、補正処理を実行しない、またはQ値の算出自体を行わないようにすることができる。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、必要性が低い補正処理の実行によって実際のQ値よりも大きなQ値が算出され、実際にはQ値が小さい不良の測定対象を良品と誤判定される事態を確実に防止することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 9 and the inspection apparatus according to claim 10, the first process is executed when the difference value is larger than the preset set value, and when the difference value is equal to or less than the set value, the first process is executed. Either the 2nd process or the 3rd process is executed. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, for example, by setting the upper limit value of the contact resistance value that normally occurs when a probe for measurement in a good state is used as a set value, a difference value is obtained. Is larger than the set value and the correction process is executed only when there is a high need to correct the AC resistance value, and when the difference value is less than or equal to the set value and the need to correct the AC resistance value is low, the correction process is not executed. , Or the calculation of the Q value itself can be prevented. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, a Q value larger than the actual Q value is calculated by executing a correction process that is less necessary, and a defective measurement target having a small Q value is actually a good product. It is possible to surely prevent the situation where it is erroneously determined.

検査装置1の構成を示す構成図である。It is a block diagram which shows the structure of inspection apparatus 1. 第1測定処理を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the 1st measurement process. 第2測定処理および第3測定処理を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the 2nd measurement process and the 3rd measurement process. 検査処理50のフローチャートである。It is a flowchart of inspection process 50. 算出処理70のフローチャートである。It is a flowchart of the calculation process 70. 検査処理50Aのフローチャートである。It is a flowchart of inspection process 50A. 算出処理70Aのフローチャートである。It is a flowchart of the calculation process 70A. 検査処理50Bのフローチャートである。It is a flowchart of inspection process 50B. 算出処理70Bのフローチャートである。It is a flowchart of calculation process 70B. 検査処理50Cのフローチャートである。It is a flowchart of inspection process 50C. 算出処理70Cのフローチャートである。It is a flowchart of the calculation process 70C.

以下、処理装置、検査装置および処理方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of a processing apparatus, an inspection apparatus, and a processing method will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、図1に示す検査装置1の構成について説明する。検査装置1は、検査装置の一例であって、測定対象の一例としてのインダクタ素子100のQ値を算出すると共に、Q値の算出値Qcに基づいてインダクタ素子100の良否を検査可能に構成されている。具体的には、検査装置1は、同図に示すように、第1測定部11、第2測定部12、操作部13、記憶部14、表示部15、搬送機構16および処理部17を備えて構成されている。この場合、検査装置1のうちの後述する検査機能を除く部分によって処理装置が構成される。 First, the configuration of the inspection device 1 shown in FIG. 1 will be described. The inspection device 1 is an example of an inspection device, and is configured to be able to calculate the Q value of the inductor element 100 as an example of the measurement target and to inspect the quality of the inductor element 100 based on the calculated Q value Qc. ing. Specifically, as shown in the figure, the inspection device 1 includes a first measurement unit 11, a second measurement unit 12, an operation unit 13, a storage unit 14, a display unit 15, a transport mechanism 16, and a processing unit 17. It is composed of. In this case, the processing device is configured by a portion of the inspection device 1 excluding the inspection function described later.

第1測定部11は、プローブ31a〜31dを移動させる図外の移動機構と、電流出力部11aおよび電圧検出部11b(図2参照)とを備えて構成され、処理部17の制御に従い、インダクタ素子100の直流抵抗値Rd1(第1直流抵抗値に相当する)を4端子法で測定する第1測定処理を実行する。具体的には、第1測定処理において、第1測定部11の移動機構が、同図に示すように、測定位置P1に搬送されたインダクタ素子100の端子101aにプローブ31a,31cを接触させると共に、インダクタ素子100の端子101bにプローブ31b,31dを接触させ、電流出力部11aが、直流電流を出力してプローブ31a,31bを介してインダクタ素子100に供給し、電圧検出部11bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ31c,31dを介して検出する。また、第1測定部11は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいて直流抵抗値Rd1を測定する。 The first measuring unit 11 includes a moving mechanism (not shown) for moving the probes 31a to 31d, a current output unit 11a, and a voltage detecting unit 11b (see FIG. 2), and is an inductor under the control of the processing unit 17. The first measurement process of measuring the DC resistance value Rd1 (corresponding to the first DC resistance value) of the element 100 by the four-terminal method is executed. Specifically, in the first measurement process, as shown in the figure, the moving mechanism of the first measurement unit 11 brings the probes 31a and 31c into contact with the terminals 101a of the inductor element 100 conveyed to the measurement position P1. The probes 31b and 31d are brought into contact with the terminal 101b of the inductor element 100, the current output unit 11a outputs a direct current and supplies it to the inductor element 100 via the probes 31a and 31b, and the voltage detection unit 11b is the terminal 101a. , The voltage value between 101b is detected via the probes 31c and 31d. Further, the first measuring unit 11 measures the DC resistance value Rd1 based on the detected voltage value and the current value of the supplied DC current.

第2測定部12は、プローブ32a,32bを移動させる図外の移動機構と、電流出力部12aおよび電圧検出部12b(図3参照)とを備えて構成され、処理部17の制御に従い、インダクタ素子100の直流抵抗値Rd2(第2直流抵抗値に相当する)を2端子法で測定する第2測定処理、およびインダクタ素子100の交流抵抗値Ra(実効抵抗値)およびインダクタンス値Lをそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行する。具体的には、第2測定処理において、第2測定部12の移動機構が、同図に示すように、測定位置P2に搬送されたインダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bをそれぞれ接触させ、電流出力部12aが、直流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給し、電圧検出部11bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。また、第2測定部12は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいて直流抵抗値Rd2を測定する。 The second measuring unit 12 includes a moving mechanism (not shown) for moving the probes 32a and 32b, a current output unit 12a and a voltage detecting unit 12b (see FIG. 3), and is an inductor under the control of the processing unit 17. The second measurement process for measuring the DC resistance value Rd2 (corresponding to the second DC resistance value) of the element 100 by the two-terminal method, and the AC resistance value Ra (effective resistance value) and the inductance value L of the inductor element 100 are 2 respectively. The third measurement process of measuring by the terminal method is executed. Specifically, in the second measurement process, the moving mechanism of the second measurement unit 12 connects the probes 32a and 32b to the terminals 101a and 101b of the inductor element 100 conveyed to the measurement position P2, respectively, as shown in the figure. Upon contact, the current output unit 12a outputs a direct current and supplies it to the inductor element 100 via the probes 32a and 32b, and the voltage detection unit 11b transfers the voltage value between the terminals 101a and 101b via the probes 32a and 32b. To detect. Further, the second measuring unit 12 measures the DC resistance value Rd2 based on the detected voltage value and the current value of the supplied DC current.

また、第3測定処理において、第2測定部12の移動機構が、インダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bをそれぞれ接触させた状態を維持し(図3参照)、電流出力部12aが、交流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給し、電圧検出部12bが、端子101a,101b間の交流電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。また、第2測定部12は、交流電圧値(電圧実効値)、供給している交流電流の交流電流値(電流実効値)、および交流電圧と交流電流との位相差に基づいて交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを測定する。 Further, in the third measurement process, the moving mechanism of the second measurement unit 12 maintains a state in which the probes 32a and 32b are in contact with the terminals 101a and 101b of the inductor element 100, respectively (see FIG. 3), and the current output unit 12a Outputs an AC current and supplies it to the inductor element 100 via the probes 32a and 32b, and the voltage detection unit 12b detects the AC voltage value between the terminals 101a and 101b via the probes 32a and 32b. Further, the second measuring unit 12 sets the AC resistance value based on the AC voltage value (effective voltage value), the AC current value of the supplied AC current (effective current value), and the phase difference between the AC voltage and the AC current. Ra and the inductance value L are measured.

操作部13は、各種のボタンやキーを備えて構成され、これらが操作されたときに操作信号を出力する。 The operation unit 13 is configured to include various buttons and keys, and outputs an operation signal when these are operated.

記憶部14は、第1測定部11によって測定された直流抵抗値Rd1を記憶すると共に、第2測定部12によって測定された直流抵抗値Rd2、交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを記憶する。また、記憶部14は、処理部17によって実行される後述する検査処理50において算出されるQ値の算出値Qcを記憶する。また、記憶部14は、検査処理50において用いる閾値Rt1(第1閾値に相当する),Q値の基準値Qr、並びに検査処理50において実行される算出処理70において用いる設定値Rrおよび係数Kcを記憶する。 The storage unit 14 stores the DC resistance value Rd1 measured by the first measuring unit 11, and also stores the DC resistance value Rd2, the AC resistance value Ra, and the inductance value L measured by the second measuring unit 12. Further, the storage unit 14 stores the calculated Q value Qc of the Q value calculated in the inspection process 50, which will be described later, which is executed by the processing unit 17. Further, the storage unit 14 stores the threshold value Rt1 (corresponding to the first threshold value) used in the inspection process 50, the reference value Qr of the Q value, and the set value Rr and the coefficient Kc used in the calculation process 70 executed in the inspection process 50. Remember.

表示部15は、処理部17の制御に従い、処理部17によって実行される検査処理50において算出されるQ値の算出値Qcや、検査処理50において検査されるインダクタ素子100の良否の検査結果を表示する。 The display unit 15 displays the calculated Q value Qc calculated in the inspection process 50 executed by the processing unit 17 and the inspection result of the quality of the inductor element 100 inspected in the inspection process 50 under the control of the processing unit 17. indicate.

搬送機構16は、処理部17の制御に従い、図外の供給装置によってインダクタ素子100が供給される供給位置、第1測定部11によって第1測定処理が実行される測定位置P1(図2参照)、第2測定部12によって第2測定処理および第3測定処理が実行される測定位置P2(図3参照)、並びに各測定処理および検査が終了したインダクタ素子100が図外の搬出装置によって搬出される搬出位置にインダクタ素子100を搬送する。 The transport mechanism 16 is a supply position where the inductor element 100 is supplied by a supply device (not shown) under the control of the processing unit 17, and a measurement position P1 where the first measurement process is executed by the first measurement unit 11 (see FIG. 2). , The measurement position P2 (see FIG. 3) where the second measurement process and the third measurement process are executed by the second measurement unit 12, and the inductor element 100 for which each measurement process and inspection have been completed are carried out by an carry-out device (not shown). The inductor element 100 is conveyed to the carry-out position.

処理部17は、操作部13から出力される操作信号に従って検査装置1を構成する各構成要素を制御する。また、処理部17は、図5に示す算出処理70を実行して、直流抵抗値Rd1,Rd2、交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lに基づいてインダクタ素子100のQ値を算出する。また、処理部17は、検査部として機能し、図4に示す検査処理50を実行して、Q値の算出値Qcに基づいてインダクタ素子100の良否を検査する検査機能を有している。 The processing unit 17 controls each component constituting the inspection device 1 according to an operation signal output from the operation unit 13. Further, the processing unit 17 executes the calculation process 70 shown in FIG. 5 to calculate the Q value of the inductor element 100 based on the DC resistance values Rd1 and Rd2, the AC resistance value Ra, and the inductance value L. Further, the processing unit 17 functions as an inspection unit, executes the inspection process 50 shown in FIG. 4, and has an inspection function of inspecting the quality of the inductor element 100 based on the calculated Q value Qc.

次に、検査装置1を用いて測定対象としてのインダクタ素子100のQ値を算出する処理方法、およびQ値の算出値Qcに基づいてインダクタ素子100の良否を検査する検査方法について図面を参照して説明する。 Next, refer to the drawings for a processing method for calculating the Q value of the inductor element 100 as a measurement target using the inspection device 1 and an inspection method for inspecting the quality of the inductor element 100 based on the calculated value Qc of the Q value. I will explain.

まず、操作部13を操作して、検査の開始を指示する。この際に、操作部13が操作信号を出力し、処理部17が操作信号に従って図4に示す検査処理50を実行する。この検査処理50では、処理部17は、搬送機構16を制御して、図外の供給装置によって供給位置に供給されたインダクタ素子100を図2に示す測定位置P1に搬送させる(ステップ51)。 First, the operation unit 13 is operated to instruct the start of the inspection. At this time, the operation unit 13 outputs an operation signal, and the processing unit 17 executes the inspection process 50 shown in FIG. 4 according to the operation signal. In this inspection process 50, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 supplied to the supply position by the supply device (not shown) to the measurement position P1 shown in FIG. 2 (step 51).

次いで、処理部17は、第1測定部11を制御して、第1測定処理を実行させる(ステップ52)。この第1測定処理では、第1測定部11は、図外の移動機構を作動させてプローブ31a〜31dを移動させ、図2に示すように、測定位置P1に搬送されたインダクタ素子100の端子101aにプローブ31a,31cを接触させると共に、インダクタ素子100の端子101bにプローブ31b,31dを接触させる。 Next, the processing unit 17 controls the first measurement unit 11 to execute the first measurement process (step 52). In this first measurement process, the first measurement unit 11 operates a movement mechanism (not shown) to move the probes 31a to 31d, and as shown in FIG. 2, the terminal of the inductor element 100 conveyed to the measurement position P1. The probes 31a and 31c are brought into contact with 101a, and the probes 31b and 31d are brought into contact with the terminal 101b of the inductor element 100.

続いて、第1測定部11の電流出力部11aが、直流電流を出力してプローブ31a,31bを介してインダクタ素子100に供給する。次いで、第1測定部11の電圧検出部11bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ31c,31dを介して検出する。続いて、第1測定部11は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいてインダクタ素子100の直流抵抗値Rd1を測定する。次いで、処理部17は、測定された直流抵抗値Rd1を記憶部14に記憶させる。 Subsequently, the current output unit 11a of the first measurement unit 11 outputs a direct current and supplies it to the inductor element 100 via the probes 31a and 31b. Next, the voltage detection unit 11b of the first measurement unit 11 detects the voltage value between the terminals 101a and 101b via the probes 31c and 31d. Subsequently, the first measuring unit 11 measures the DC resistance value Rd1 of the inductor element 100 based on the detected voltage value and the current value of the supplied DC current. Next, the processing unit 17 stores the measured DC resistance value Rd1 in the storage unit 14.

この場合、上記したように4つのプローブ31a〜31dを用いる4端子法による抵抗測定では、プローブ31a〜31dと端子101a,101bとの接触部分に生じる接触抵抗の影響が十分に低く抑えられるため、接触抵抗の値(以下「接触抵抗値Rc」ともいう)が含まれていない(または、ほぼ含まれていない)直流抵抗値Rd1を測定することが可能となっている。 In this case, in the resistance measurement by the four-terminal method using the four probes 31a to 31d as described above, the influence of the contact resistance generated at the contact portion between the probes 31a to 31d and the terminals 101a and 101b can be sufficiently suppressed. It is possible to measure the DC resistance value Rd1 in which the contact resistance value (hereinafter, also referred to as “contact resistance value Rc”) is not included (or is almost not included).

続いて、処理部17は、搬送機構16を制御して、インダクタ素子100を測定位置P1から図3に示す測定位置P2に搬送させる(ステップ53)。 Subsequently, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 from the measurement position P1 to the measurement position P2 shown in FIG. 3 (step 53).

次いで、処理部17は、第2測定部12を制御して、第2測定処理を予め規定された時間間隔で複数回(例えば、10回)実行させる(ステップ54)。この第2測定処理では、第2測定部12は、図外の移動機構を作動させてプローブ32a,32bを移動させ、図3に示すように、測定位置P2に搬送されたインダクタ素子100の端子101a,101bに、プローブ32a,32bをそれぞれ接触させる。 Next, the processing unit 17 controls the second measurement unit 12 to execute the second measurement process a plurality of times (for example, 10 times) at predetermined time intervals (step 54). In this second measurement process, the second measurement unit 12 operates a movement mechanism (not shown) to move the probes 32a and 32b, and as shown in FIG. 3, the terminal of the inductor element 100 conveyed to the measurement position P2. The probes 32a and 32b are brought into contact with the 101a and 101b, respectively.

続いて、第2測定部12の電流出力部12aが、直流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給する。次いで、電流出力部12aの電圧検出部12bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。続いて、第2測定部12は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいてインダクタ素子100の直流抵抗値Rd2を測定する。また、処理部17は、測定された直流抵抗値Rd2を記憶部14に記憶させる。 Subsequently, the current output unit 12a of the second measurement unit 12 outputs a direct current and supplies it to the inductor element 100 via the probes 32a and 32b. Next, the voltage detection unit 12b of the current output unit 12a detects the voltage value between the terminals 101a and 101b via the probes 32a and 32b. Subsequently, the second measuring unit 12 measures the DC resistance value Rd2 of the inductor element 100 based on the detected voltage value and the current value of the supplied DC current. Further, the processing unit 17 stores the measured DC resistance value Rd2 in the storage unit 14.

この場合、上記したように2つのプローブ32a,32bを用いる2端子法による抵抗測定では、プローブ32a,32bと端子101a,101bとの接触部分に生じる接触抵抗の影響を抑えることができないため、直流抵抗値Rd2には接触抵抗値Rcが含まれている。 In this case, as described above, in the resistance measurement by the two-terminal method using the two probes 32a and 32b, the influence of the contact resistance generated at the contact portion between the probes 32a and 32b and the terminals 101a and 101b cannot be suppressed, so that direct current is used. The resistance value Rd2 includes a contact resistance value Rc.

次いで、処理部17は、第2測定部12を制御して、第3測定処理を実行させる(ステップ55)。この第3測定処理では、第2測定部12は、図3に示すように、インダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bをそれぞれ接触させた状態で、電流出力部12aが、交流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給する。続いて、電圧検出部12bが、端子101a,101b間の交流電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。次いで、第2測定部12は、交流電圧値(電圧実効値)、供給している交流電流の交流電流値(電流実効値)、および交流電圧と交流電流との位相差に基づいてインダクタ素子100の交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを測定する。続いて、処理部17は、測定された交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを記憶部14に記憶させる。 Next, the processing unit 17 controls the second measurement unit 12 to execute the third measurement process (step 55). In this third measurement process, as shown in FIG. 3, the second measurement unit 12 causes the current output unit 12a to make an alternating current in a state where the probes 32a and 32b are in contact with the terminals 101a and 101b of the inductor element 100, respectively. Is output and supplied to the inductor element 100 via the probes 32a and 32b. Subsequently, the voltage detection unit 12b detects the AC voltage value between the terminals 101a and 101b via the probes 32a and 32b. Next, the second measuring unit 12 determines the inductor element 100 based on the AC voltage value (effective voltage value), the AC current value of the supplied AC current (effective current value), and the phase difference between the AC voltage and the AC current. The AC resistance value Ra and the inductance value L are measured. Subsequently, the processing unit 17 stores the measured AC resistance value Ra and the inductance value L in the storage unit 14.

次いで、処理部17は、算出処理70を実行する(ステップ56)。この算出処理70では、処理部17は、図5に示すように、記憶部14に記憶されている直流抵抗値Rd2を読み出して、各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1(第1変動幅に相当する)、具体的には、各直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差分値を特定する(ステップ71)。 Next, the processing unit 17 executes the calculation process 70 (step 56). In this calculation process 70, as shown in FIG. 5, the processing unit 17 reads out the DC resistance value Rd2 stored in the storage unit 14, and the fluctuation width Rw1 of each DC resistance value Rd2 (corresponding to the first fluctuation width). ), Specifically, the difference value between the maximum value and the minimum value of each DC resistance value Rd2 is specified (step 71).

続いて、処理部17は、記憶部14に記憶されている閾値Rt1を読み出して、変動幅Rw1が閾値Rt1以下であるか否かを判別する(ステップ72)。この場合、良品のインダクタ素子100における端子101a,101bにプローブ32a,32bが確実に接触している状態において第2測定処理を十分な回数実行して測定した各直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差分値(各直流抵抗値Rd2の変動幅)が閾値Rt1として予め設定されている。 Subsequently, the processing unit 17 reads the threshold value Rt1 stored in the storage unit 14 and determines whether or not the fluctuation width Rw1 is equal to or less than the threshold value Rt1 (step 72). In this case, the maximum value and the minimum value of each DC resistance value Rd2 measured by executing the second measurement process a sufficient number of times in a state where the probes 32a and 32b are surely in contact with the terminals 101a and 101b of the good inductor element 100. The difference value from the value (the fluctuation range of each DC resistance value Rd2) is preset as the threshold value Rt1.

処理部17は、ステップ72において、変動幅Rw1が閾値Rt1以下(第1状態に相当する)であると判別したときには、上記したステップ71で読み出した各直流抵抗値Rd2の最小値(第3直流抵抗値に相当し、以下「直流抵抗値Rd2s」ともいう)を特定する(ステップ73)。 When the processing unit 17 determines in step 72 that the fluctuation width Rw1 is equal to or less than the threshold value Rt1 (corresponding to the first state), the processing unit 17 determines that the minimum value (third DC) of each DC resistance value Rd2 read in step 71 is described above. Corresponding to the resistance value, hereinafter also referred to as “DC resistance value Rd2s”) is specified (step 73).

次いで、処理部17は、記憶部14に記憶されている直流抵抗値Rd1を読み出して、直流抵抗値Rd2sと直流抵抗値Rd1との差分値Rm(Rd2s−Rd1)を算出する(ステップ74)。この場合、上記したように、直流抵抗値Rd2sには接触抵抗値Rcが含まれ、直流抵抗値Rd1には接触抵抗値Rcが含まれていないため、差分値Rmは、接触抵抗値Rcに相当する。 Next, the processing unit 17 reads out the DC resistance value Rd1 stored in the storage unit 14 and calculates the difference value Rm (Rd2s-Rd1) between the DC resistance value Rd2s and the DC resistance value Rd1 (step 74). In this case, as described above, since the DC resistance value Rd2s includes the contact resistance value Rc and the DC resistance value Rd1 does not include the contact resistance value Rc, the difference value Rm corresponds to the contact resistance value Rc. do.

続いて、処理部17は、記憶部14に記憶されている設定値Rrを読み出して、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいか否かを判別する(ステップ75)。この場合、先端部が摩耗したり酸化したりしていない良好な状態のプローブ32a,32bを使用したときに通常生じる接触抵抗値Rcの上限値が設定値Rrとして予め設定されている。 Subsequently, the processing unit 17 reads the set value Rr stored in the storage unit 14 and determines whether or not the difference value Rm is larger than the set value Rr (step 75). In this case, the upper limit of the contact resistance value Rc that normally occurs when the probes 32a and 32b in a good state in which the tip portion is not worn or oxidized is used is preset as the set value Rr.

処理部17は、ステップ75において、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいと判別したときには、記憶部14に記憶されている係数Kcを読み出して、差分値Rmに係数Kcを乗算した補正値Rm’(Rm×Kc)を算出する(ステップ76)。この場合、係数Kcは、0以上1以下の範囲で任意に規定される。なお、係数Kcを1に規定する(つまり、補正値Rm’を差分値Rmとする)ことで、差分値Rmをそのまま用いて後述する交流抵抗値Raの補正を行うことができ、係数Kcを0に規定する(つまり、補正値Rm’を0とする)ことで、交流抵抗値Raの補正を行わないことができる。 When the processing unit 17 determines in step 75 that the difference value Rm is larger than the set value Rr, the processing unit 17 reads out the coefficient Kc stored in the storage unit 14 and multiplies the difference value Rm by the coefficient Kc to obtain the correction value Rm. '(Rm × Kc) is calculated (step 76). In this case, the coefficient Kc is arbitrarily defined in the range of 0 or more and 1 or less. By defining the coefficient Kc to 1 (that is, letting the correction value Rm'be the difference value Rm), the AC resistance value Ra described later can be corrected by using the difference value Rm as it is, and the coefficient Kc can be set. By defining it as 0 (that is, setting the correction value Rm'to 0), it is possible not to correct the AC resistance value Ra.

次いで、処理部17は、記憶部14に記憶されている交流抵抗値Raを読み出して、交流抵抗値Raから補正値Rm’を減算して補正した補正抵抗値Ra’を算出する補正処理を実行する(ステップ77)。この場合、補正値Rm’は、上記したように、接触抵抗値Rcに相当する差分値Rmに係数Kcを乗算した値であるため、交流抵抗値Raから補正値Rm’を減算することで、交流抵抗値Raから接触抵抗値Rcに相当する抵抗値、または接触抵抗値Rcよりも小さい抵抗値を除外することができる。 Next, the processing unit 17 reads the AC resistance value Ra stored in the storage unit 14 and executes a correction process of subtracting the correction value Rm'from the AC resistance value Ra to calculate the corrected correction resistance value Ra'. (Step 77). In this case, since the correction value Rm'is a value obtained by multiplying the difference value Rm corresponding to the contact resistance value Rc by the coefficient Kc as described above, the correction value Rm'is subtracted from the AC resistance value Ra. The resistance value corresponding to the contact resistance value Rc or the resistance value smaller than the contact resistance value Rc can be excluded from the AC resistance value Ra.

続いて、処理部17は、補正抵抗値Ra’を用いてインダクタ素子100のQ値を算出する第1処理を実行する(ステップ78)。この場合、Q値の算出値をQcとし、第3測定処理における交流電流の角周波数をωとし、インダクタ素子100のインダクタンス値をLとすると、Qc=ωL/Ra’となる。 Subsequently, the processing unit 17 executes the first process of calculating the Q value of the inductor element 100 using the correction resistance value Ra'(step 78). In this case, if the calculated value of the Q value is Qc, the angular frequency of the alternating current in the third measurement process is ω, and the inductance value of the inductor element 100 is L, then Qc = ωL / Ra'.

ここで、例えば、インダクタ素子100の端子101a,101bに対するプローブ32a,32bの接触状態が不良(不安定)で、接触抵抗値Rcが時間経過に伴って変化するときには、交流抵抗値Raを測定した時刻(第3測定処理を実行した時刻)と、直流抵抗値Rd2を測定した時刻(第2測定処理を実行した時刻)とが異なるため、直流抵抗値Rd2に含まれる接触抵抗値Rcと交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcとが異なることとなる。この場合、交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcよりも大きい接触抵抗値Rcを含んだ直流抵抗値Rd2と直流抵抗値Rd1との差分値Rmに基づく補正値Rm’で交流抵抗値Raを補正したときには、補正処理の実行による補正後の補正抵抗値Ra’が、接触抵抗値Rcを含まないインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となることがあり、このような補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcは、インダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となる。このため、第2測定処理を1回だけ実行して測定した直流抵抗値Rd2を用いる構成および方法では、その直流抵抗値Rd2に含まれる接触抵抗値Rcが交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcよりも大きいときには、Q値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100を良品と誤判定するおそれがある。 Here, for example, when the contact state of the probes 32a and 32b with respect to the terminals 101a and 101b of the inductor element 100 is poor (unstable) and the contact resistance value Rc changes with the passage of time, the AC resistance value Ra is measured. Since the time (the time when the third measurement process is executed) and the time when the DC resistance value Rd2 is measured (the time when the second measurement process is executed) are different, the contact resistance value Rc and the AC resistance included in the DC resistance value Rd2 are different. The contact resistance value Rc included in the value Ra will be different. In this case, the AC resistance value Ra is set as the correction value Rm'based on the difference value Rm between the DC resistance value Rd2 including the contact resistance value Rc larger than the contact resistance value Rc included in the AC resistance value Ra and the DC resistance value Rd1. When corrected, the corrected resistance value Ra'after correction by executing the correction process may be smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100 that does not include the contact resistance value Rc, and such correction The calculated Q value Qc of the Q value calculated using the resistance value Ra'is larger than the actual Q value of the inductor element 100. Therefore, in the configuration and method using the DC resistance value Rd2 measured by executing the second measurement process only once, the contact resistance value Rc included in the DC resistance value Rd2 is included in the AC resistance value Ra. When it is larger than Rc, the calculated value Qc of the Q value becomes a value larger than the actual Q value of the inductor element 100, and there is a possibility that the defective inductor element 100 having a small Q value is erroneously determined as a good product.

これに対して、この検査装置1では、上記したように、直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下で接触抵抗値Rcの時間的な変化が小さいとき、つまり補正処理を実行することによって補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となる可能性が低いときに補正処理を実行する。このため、この検査装置1では、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。 On the other hand, in this inspection device 1, as described above, when the fluctuation range Rw1 of the DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1 and the temporal change of the contact resistance value Rc is small, that is, by executing the correction process. The correction process is executed when the correction resistance value Ra'is unlikely to be smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100. Therefore, in this inspection device 1, the calculated value Qc of the Q value calculated by using the correction resistance value Ra'is larger than the actual Q value of the inductor element 100, and the defective inductor whose Q value is actually small. It is possible to reliably prevent a situation in which the element 100 is erroneously determined as a non-defective product.

一方、処理部17は、上記したステップ72において、変動幅Rw1が閾値Rt1よりも大きいと判別したときには、ステップ73〜77を実行することなく、補正処理前の交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出する第2処理を実行する(ステップ78)。つまり、この検査装置1では、良品のインダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bが確実に接触している状態における各直流抵抗値Rd2の変動幅に相当する閾値Rt1よりも変動幅Rw1が大きく、補正処理を実行することによって補正抵抗値Ra’が実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となるおそれがあるときには、補正処理を実行することなく交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出する構成および方法が採用されている。 On the other hand, when the processing unit 17 determines in step 72 that the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold value Rt1, the inductor element uses the AC resistance value Ra before the correction processing without executing steps 73 to 77. The second process of calculating the Q value of 100 is executed (step 78). That is, in this inspection device 1, the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold Rt1 corresponding to the fluctuation width of each DC resistance value Rd2 in a state where the probes 32a and 32b are surely in contact with the terminals 101a and 101b of the good inductor element 100. Is large, and when there is a possibility that the correction resistance value Ra'will become smaller than the actual AC resistance value Ra by executing the correction processing, the inductor element 100 uses the AC resistance value Ra without executing the correction processing. The configuration and method for calculating the Q value of the above are adopted.

また、処理部17は、上記したステップ75において、差分値Rmが設定値Rr以下であると判別したときには、ステップ76,77を実行することなく、補正処理前の交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出する第2処理を実行する(ステップ78)。つまり、この検査装置1では、各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下で、かつ良好な状態のプローブ32a,32bを使用したときの接触抵抗値Rcである設定値Rrよりも差分値Rmの方が大きく交流抵抗値Raを補正する必要性が高いときだけ補正処理を実行し、変動幅Rw1が閾値Rt1以下であっても、差分値Rmが設定値Rr以下で交流抵抗値Raを補正する必要性が低いときには補正処理を実行しない構成および方法が採用されている。 Further, when the processing unit 17 determines in step 75 described above that the difference value Rm is equal to or less than the set value Rr, the inductor uses the AC resistance value Ra before the correction processing without executing steps 76 and 77. The second process of calculating the Q value of the element 100 is executed (step 78). That is, in this inspection device 1, the fluctuation range Rw1 of each DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1, and the difference value is larger than the set value Rr which is the contact resistance value Rc when the probes 32a and 32b in good condition are used. The correction process is executed only when Rm is larger and it is highly necessary to correct the AC resistance value Ra, and even if the fluctuation width Rw1 is equal to or less than the threshold Rt1, the difference value Rm is equal to or less than the set value Rr and the AC resistance value Ra is calculated. A configuration and method in which the correction process is not executed when the need for correction is low is adopted.

次いで、処理部17は、Q値の算出値Qcを記憶部14に記憶させると共に、表示部15に表示させて算出処理70を終了し、続いて、図4に示す検査処理50のステップ57を実行する。このステップ57では、処理部17は、記憶部14に記憶されている算出値Qcおよび基準値Qrを読み出して、算出値Qcと基準値Qrとを比較する。この場合、処理部17は、算出値Qcが基準値Qr以上のときには、インダクタ素子100を良品と判定し、算出値Qcが基準値Qr未満のときには、インダクタ素子100を不良品と判定する。次いで、処理部17は、検査結果(判定結果)を表示部15に表示させる。 Next, the processing unit 17 stores the calculated Q value Qc in the storage unit 14, displays it on the display unit 15, ends the calculation process 70, and then performs step 57 of the inspection process 50 shown in FIG. Run. In this step 57, the processing unit 17 reads out the calculated value Qc and the reference value Qr stored in the storage unit 14, and compares the calculated value Qc with the reference value Qr. In this case, the processing unit 17 determines that the inductor element 100 is a non-defective product when the calculated value Qc is equal to or greater than the reference value Qr, and determines that the inductor element 100 is a defective product when the calculated value Qc is less than the reference value Qr. Next, the processing unit 17 causes the display unit 15 to display the inspection result (determination result).

続いて、処理部17は、搬送機構16を制御して、インダクタ素子100を測定位置P2から搬出位置に搬送させて(ステップ58)、検査処理50を終了する。 Subsequently, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 from the measurement position P2 to the carry-out position (step 58), and ends the inspection process 50.

次に、処理部17が、上記した検査処理50および算出処理70に代えて、図6,7にそれぞれ示す検査処理50Aおよび算出処理70Aを実行する構成および方法について説明する。なお、検査処理50Aおよび算出処理70Aにおいて、検査処理50および算出処理70のステップと同様の処理を行うステップについては、重複する説明を省略する。 Next, a configuration and a method in which the processing unit 17 executes the inspection process 50A and the calculation process 70A shown in FIGS. 6 and 7, respectively, instead of the inspection process 50 and the calculation process 70 described above will be described. In the inspection process 50A and the calculation process 70A, duplicate description will be omitted for the steps of performing the same processing as the steps of the inspection process 50 and the calculation process 70.

この検査処理50Aでは、処理部17は、検査処理50におけるステップ51〜54と同様のステップ51A〜54A(図6参照)を実行した後に、上記した算出処理70のステップ71と同様に各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1を特定し(ステップ55A)、次いで算出処理70のステップ72と同様に変動幅Rw1が閾値Rt1以下であるか否かを判別する(ステップ56A)。 In the inspection process 50A, after executing the same steps 51A to 54A (see FIG. 6) as in steps 51 to 54 in the inspection process 50, each DC resistance is the same as in step 71 of the calculation process 70 described above. The fluctuation width Rw1 of the value Rd2 is specified (step 55A), and then it is determined whether or not the fluctuation width Rw1 is equal to or less than the threshold value Rt1 in the same manner as in step 72 of the calculation process 70 (step 56A).

処理部17は、ステップ56Aにおいて、変動幅Rw1が閾値Rt1以下であると判別したときには、検査処理50のステップ55と同様に第2測定部12を制御して、第3測定処理を実行させ(ステップ57A)、続いて、図7に示す算出処理70Aを実行する(ステップ58A)。この算出処理70Aでは、処理部17は、記憶部14に記憶されている直流抵抗値Rd2を読み出し、次いで、算出処理70のステップ73と同様に各直流抵抗値Rd2の最小値(第3直流抵抗値に相当する)を特定する(ステップ71A)。続いて、算出処理70のステップ74〜78と同様のステップ72A〜76Aを実行してQ値を算出する(第1処理の実行)。 When the processing unit 17 determines in step 56A that the fluctuation width Rw1 is equal to or less than the threshold value Rt1, the processing unit 17 controls the second measurement unit 12 in the same manner as in step 55 of the inspection process 50 to execute the third measurement process ( Step 57A), and subsequently, the calculation process 70A shown in FIG. 7 is executed (step 58A). In the calculation process 70A, the processing unit 17 reads out the DC resistance value Rd2 stored in the storage unit 14, and then, as in step 73 of the calculation process 70, the minimum value of each DC resistance value Rd2 (third DC resistance). (Corresponding to the value) is specified (step 71A). Subsequently, steps 72A to 76A similar to steps 74 to 78 of the calculation process 70 are executed to calculate the Q value (execution of the first process).

次いで、処理部17は、Q値の算出値Qcを記憶部14に記憶させると共に、表示部15に表示させて算出処理70Aを終了し、続いて、図6に示す検査処理50Aのステップ59Aを実行する。このステップ59Aでは、処理部17は、上記した検査処理50のステップ57と同様に算出値Qcと基準値Qrとを比較してインダクタ素子100の良否判定の処理を実行し、検査結果(判定結果)を表示部15に表示させる。次いで、処理部17は、搬送機構16を制御して、インダクタ素子100を測定位置P2から搬出位置に搬送させて(ステップ60A)、検査処理50Aを終了する。 Next, the processing unit 17 stores the calculated Q value Qc in the storage unit 14, displays it on the display unit 15, ends the calculation process 70A, and then performs step 59A of the inspection process 50A shown in FIG. Run. In this step 59A, the processing unit 17 compares the calculated value Qc with the reference value Qr and executes a process of determining the quality of the inductor element 100 in the same manner as in step 57 of the inspection process 50 described above, and executes an inspection result (determination result). ) Is displayed on the display unit 15. Next, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 from the measurement position P2 to the carry-out position (step 60A), and ends the inspection process 50A.

一方、処理部17は、上記したステップ56Aにおいて、変動幅Rw1が閾値Rt1よりも大きいと判別したときには、ステップ57A〜59Aを実行することなく、つまり第3測定処理(ステップ57A)、算出処理70Aおよびインダクタ素子100の良否判定の処理(ステップ59A)を実行することなく、Q値を算出しない旨、およびインダクタ素子100の良否判定の処理を実行しない旨を表示部15に表示(報知)させる第3処理を実行する(ステップ61A)。続いて、処理部17は、搬送機構16を制御してインダクタ素子100を測定位置P2から搬出位置に搬送させて(ステップ60A)、検査処理50Aを終了する。 On the other hand, when the processing unit 17 determines in step 56A described above that the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold value Rt1, the processing unit 17 does not execute steps 57A to 59A, that is, the third measurement process (step 57A) and the calculation process 70A. The display unit 15 displays (notifies) that the Q value is not calculated and that the pass / fail determination process of the inductor element 100 is not executed without executing the pass / fail determination process (step 59A) of the inductor element 100. 3 Process is executed (step 61A). Subsequently, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 from the measurement position P2 to the carry-out position (step 60A), and ends the inspection process 50A.

検査処理50Aを実行する構成および方法では、直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下で接触抵抗値Rcの時間的な変化が小さいとき、つまり補正処理を実行することによって補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となる可能性が低いときに補正処理を実行する。このため、この構成および方法においても、検査処理50を実行する構成および方法と同様に、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。 In the configuration and method for executing the inspection process 50A, when the fluctuation range Rw1 of the DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1 and the temporal change of the contact resistance value Rc is small, that is, the correction resistance value Ra'is executed. Is unlikely to be smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100, the correction process is executed. Therefore, also in this configuration and method, the calculated Q value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra'is larger than the actual Q value of the inductor element 100, as in the configuration and method of executing the inspection process 50. It is possible to reliably prevent a situation in which a defective inductor element 100 having a large value and a small Q value is actually erroneously determined to be a good product.

また、検査処理50Aを実行する構成および方法では、変動幅Rw1が閾値Rt1よりも大きいときには、第3測定処理(ステップ57A)、算出処理70Aおよびインダクタ素子100の良否判定の処理(ステップ59A)を実行することなく、その旨を報知する。したがって、インダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな算出値Qcが算出されたり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定されたりするような不要な処理のための時間の浪費が防止されて、その分の処理時間を短縮することが可能となっている。 Further, in the configuration and method for executing the inspection process 50A, when the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold value Rt1, the third measurement process (step 57A), the calculation process 70A, and the pass / fail determination process of the inductor element 100 (step 59A) are performed. Notify that fact without executing it. Therefore, time for unnecessary processing such that a calculated value Qc larger than the actual Q value of the inductor element 100 is calculated, or a defective inductor element 100 having a small Q value is actually erroneously determined as a non-defective product. Waste is prevented, and the processing time can be shortened accordingly.

次に、処理部17が、上記した検査処理50および算出処理70に代えて、図8,9にそれぞれ示す検査処理50Bおよび算出処理70Bを実行する構成および方法について説明する。なお、検査処理50Bおよび算出処理70Bにおいて、検査処理50および算出処理70のステップと同様の処理を行うステップについては、重複する説明を省略する。 Next, a configuration and a method in which the processing unit 17 executes the inspection process 50B and the calculation process 70B shown in FIGS. 8 and 9, respectively, instead of the inspection process 50 and the calculation process 70 described above will be described. In the inspection process 50B and the calculation process 70B, duplicate description will be omitted for the steps of performing the same processing as the steps of the inspection process 50 and the calculation process 70.

この検査処理50Bでは、処理部17は、検査処理50におけるステップ51〜55と同様のステップ51B〜55B(図8参照)を実行した後に、図9に示す算出処理70Bを実行する(ステップ56B)。この算出処理70Bでは、処理部17は、同図に示すように、記憶部14に記憶されている各直流抵抗値Rd2を読み出して、各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw2(第2変動幅に相当する)を特定する(ステップ71B)。この場合、処理部17は、一例として、各直流抵抗値Rd2の一部であって時間的に互いに隣接する複数(一例として、2つ)の直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差を変動幅Rw2として特定する処理を2つの直流抵抗値Rd2の組み合わせを変更して実行する。 In the inspection process 50B, the processing unit 17 executes the calculation process 70B shown in FIG. 9 after executing steps 51B to 55B (see FIG. 8) similar to steps 51 to 55 in the inspection process 50 (step 56B). .. In this calculation process 70B, as shown in the figure, the processing unit 17 reads out each DC resistance value Rd2 stored in the storage unit 14, and the fluctuation width Rw2 of each DC resistance value Rd2 (to the second fluctuation width). (Equivalent) is identified (step 71B). In this case, as an example, the processing unit 17 is the difference between the maximum value and the minimum value of a plurality of (for example, two) DC resistance values Rd2 that are a part of each DC resistance value Rd2 and are adjacent to each other in time. Is executed by changing the combination of the two DC resistance values Rd2.

次いで、処理部17は、記憶部14から閾値Rt2(第2閾値に相当する)を読み出して、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在するか否かを判別する(ステップ72B)。この場合、一例として、良品のインダクタ素子100における端子101a,101bにプローブ32a,32bを確実に接触させた直後から直流抵抗値Rd2を一定の周期で測定したときの最初に測定した直流抵抗値Rd2とその次に測定した直流抵抗値Rd2との差の20%の値が閾値Rt2として設定されている。つまり、端子101a,101bとプローブ32a,32bとが確実に接触して、時間経過伴ってその状態が安定したとき(プローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給される直流電流の供給状態が安定したとき)における変動幅Rw2の上限値が閾値Rt2として設定されている。 Next, the processing unit 17 reads the threshold value Rt2 (corresponding to the second threshold value) from the storage unit 14 and determines whether or not the fluctuation range Rw2 equal to or less than the threshold value Rt2 exists (step 72B). In this case, as an example, the DC resistance value Rd2 measured first when the DC resistance value Rd2 is measured at a constant cycle immediately after the probes 32a and 32b are surely brought into contact with the terminals 101a and 101b of the good inductor element 100. A value of 20% of the difference between the DC resistance value Rd2 and the DC resistance value Rd2 measured next is set as the threshold value Rt2. That is, when the terminals 101a and 101b and the probes 32a and 32b are surely in contact with each other and the state stabilizes with the passage of time (the supply state of the direct current supplied to the inductor element 100 via the probes 32a and 32b is changed. The upper limit of the fluctuation range Rw2 in (when stable) is set as the threshold value Rt2.

処理部17は、ステップ72Bにおいて、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在する(第2状態に相当する)と判別したときには、変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降に測定された直流抵抗値Rd2の最小値(第3直流抵抗値に相当する)を特定する(ステップ73B)。続いて、処理部17は、算出処理70のステップ74〜78と同様のステップ74B〜78B(図9参照)を実行してQ値を算出する(第1処理の実行)。 When the processing unit 17 determines in step 72B that a fluctuation width Rw2 of the threshold value Rt2 or less exists (corresponds to the second state), the DC resistance measured after the fluctuation width Rw2 becomes the threshold value Rt2 or less. The minimum value of the value Rd2 (corresponding to the third DC resistance value) is specified (step 73B). Subsequently, the processing unit 17 executes steps 74B to 78B (see FIG. 9) similar to steps 74 to 78 of the calculation process 70 to calculate the Q value (execution of the first process).

次いで、処理部17は、Q値の算出値Qcを記憶部14に記憶させると共に、表示部15に表示させて算出処理70Bを終了し、続いて、図8に示す検査処理50Bのステップ57Bを実行する。このステップ57Bでは、処理部17は、上記した検査処理50のステップ57と同様に算出値Qcと基準値Qrとを比較してインダクタ素子100の良否判定の処理を実行し、検査結果(判定結果)を表示部15に表示させる。次いで、処理部17は、搬送機構16を制御して、インダクタ素子100を測定位置P2から搬出位置に搬送させて(ステップ58B)、検査処理50Bを終了する。 Next, the processing unit 17 stores the calculated Q value Qc in the storage unit 14, displays it on the display unit 15, ends the calculation process 70B, and then performs step 57B of the inspection process 50B shown in FIG. Run. In this step 57B, the processing unit 17 compares the calculated value Qc with the reference value Qr and executes a process of determining the quality of the inductor element 100 in the same manner as in step 57 of the inspection process 50 described above, and executes an inspection result (determination result). ) Is displayed on the display unit 15. Next, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 from the measurement position P2 to the carry-out position (step 58B), and ends the inspection process 50B.

一方、処理部17は、上記した算出処理70Bのステップ72Bにおいて、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在しないと判別したときには、ステップ73B〜77Bを実行することなく、補正処理前の交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出する第2処理を実行する(ステップ78B)。続いて、処理部17は、Q値の算出値Qcを記憶部14に記憶させると共に、表示部15に表示させて算出処理70Bを終了し、次いで、上記した検査処理50のステップ57,58と同様の図8に示す検査処理50Bのステップ57B,58Bを実行して検査処理50Bを終了する。 On the other hand, when the processing unit 17 determines in step 72B of the above calculation process 70B that the fluctuation width Rw2 equal to or less than the threshold value Rt2 does not exist, the AC resistance value Ra before the correction process is not executed without executing steps 73B to 77B. The second process of calculating the Q value of the inductor element 100 is executed using the above (step 78B). Subsequently, the processing unit 17 stores the calculated Q value Qc in the storage unit 14 and displays it on the display unit 15 to end the calculation process 70B. Similarly, steps 57B and 58B of the inspection process 50B shown in FIG. 8 are executed to end the inspection process 50B.

検査処理50Bを実行する構成および方法では、直流抵抗値Rd2の変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降、つまり端子101a,101bとプローブ32a,32bとの接触状態が良好な状態で安定したとき以降に測定された直流抵抗値Rd2を用いて補正処理を実行する。このため、この構成および方法においても、検査処理50,50Aを実行する構成および方法と同様に、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。 In the configuration and method for executing the inspection process 50B, after the fluctuation width Rw2 of the DC resistance value Rd2 becomes equal to or less than the threshold value Rt2, that is, the contact state between the terminals 101a and 101b and the probes 32a and 32b is stable. The correction process is executed using the DC resistance value Rd2 measured after that time. Therefore, also in this configuration and method, the calculated Q value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra'is the actual Q value of the inductor element 100, as in the configuration and method of executing the inspection processes 50 and 50A. It is possible to reliably prevent a situation in which a defective inductor element 100 having a larger Q value and a smaller Q value is erroneously determined to be a non-defective product.

また、検査処理50Bを実行する構成および方法では、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在しないときには、補正処理前の交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出する第2処理を実行する。このため、この構成および方法では、端子101a,101bとプローブ32a,32bとの接触状態が不安定な状態においては、補正処理を実行することなく交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出するため、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態をより確実に防止することが可能となっている。 Further, in the configuration and method of executing the inspection process 50B, when the fluctuation width Rw2 equal to or less than the threshold value Rt2 does not exist, the second process of calculating the Q value of the inductor element 100 using the AC resistance value Ra before the correction process is executed. do. Therefore, in this configuration and method, when the contact state between the terminals 101a and 101b and the probes 32a and 32b is unstable, the Q value of the inductor element 100 is used by using the AC resistance value Ra without executing the correction process. The calculated value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra'is larger than the actual Q value of the inductor element 100, and the defective inductor element 100 having a small Q value is actually a good product. It is possible to more reliably prevent a situation in which a misjudgment is made.

次に、処理部17が、上記した検査処理50および算出処理70に代えて、図10,11にそれぞれ示す検査処理50Cおよび算出処理70Cを実行する構成および方法について説明する。なお、検査処理50Cおよび算出処理70Cにおいて、検査処理50および算出処理70のステップと同様の処理を行うステップについては、重複する説明を省略する。 Next, a configuration and a method in which the processing unit 17 executes the inspection process 50C and the calculation process 70C shown in FIGS. 10 and 11, respectively, instead of the inspection process 50 and the calculation process 70 described above will be described. In the inspection process 50C and the calculation process 70C, duplicate description will be omitted for the steps of performing the same processing as the steps of the inspection process 50 and the calculation process 70.

この検査処理50Cでは、処理部17は、検査処理50におけるステップ51〜54と同様のステップ51C〜54C(図10参照)を実行した後に、上記した算出処理70Bのステップ71Bと同様に各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1を特定し(ステップ55C)、続いて算出処理70Bのステップ72Bと同様に閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在するか否かを判別する(ステップ56C)。 In the inspection process 50C, the processing unit 17 executes the same steps 51C to 54C (see FIG. 10) as in steps 51 to 54 in the inspection process 50, and then, in the same manner as in step 71B of the calculation process 70B described above, each DC resistance. The fluctuation width Rw1 of the value Rd2 is specified (step 55C), and then it is determined whether or not the fluctuation width Rw2 of the threshold value Rt2 or less exists in the same manner as in step 72B of the calculation process 70B (step 56C).

処理部17は、ステップ56Cにおいて、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在すると判別したときには、検査処理50のステップ55と同様に第2測定部12を制御して、第3測定処理を実行させ(ステップ57C)、次いで、図11に示す算出処理70Cを実行する(ステップ58C)。この算出処理70Cでは、処理部17は、記憶部14に記憶されている直流抵抗値Rd2を読み出し、続いて、算出処理70Bのステップ73Bと同様に変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降に測定された直流抵抗値Rd2の最小値(第3直流抵抗値に相当する)を特定する(ステップ71C)。次いで、算出処理70のステップ74〜78と同様のステップ72C〜76Cを実行してQ値を算出する(第1処理の実行)。 When the processing unit 17 determines in step 56C that a fluctuation width Rw2 equal to or less than the threshold value Rt2 exists, the processing unit 17 controls the second measurement unit 12 in the same manner as in step 55 of the inspection process 50 to execute the third measurement process ( Step 57C), then the calculation process 70C shown in FIG. 11 is executed (step 58C). In this calculation process 70C, the processing unit 17 reads out the DC resistance value Rd2 stored in the storage unit 14, and subsequently, after the time when the fluctuation width Rw2 becomes equal to or less than the threshold value Rt2 in the same manner as in step 73B of the calculation process 70B. The minimum value (corresponding to the third DC resistance value) of the DC resistance value Rd2 measured in 1) is specified (step 71C). Next, steps 72C to 76C similar to steps 74 to 78 of the calculation process 70 are executed to calculate the Q value (execution of the first process).

続いて、処理部17は、Q値の算出値Qcを記憶部14に記憶させると共に、表示部15に表示させて算出処理70Cを終了し、次いで、上記した検査処理50のステップ57,58と同様の図10に示す検査処理50Cのステップ59C,60Cを実行し、検査処理50Cを終了する。 Subsequently, the processing unit 17 stores the calculated Q value Qc in the storage unit 14 and displays it on the display unit 15 to end the calculation process 70C. Similarly, steps 59C and 60C of the inspection process 50C shown in FIG. 10 are executed, and the inspection process 50C is completed.

一方、処理部17は、上記したステップ56Cにおいて、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在しないと判別したときには、ステップ57C〜59Cを実行することなく、つまり第3測定処理(ステップ57C)、算出処理70Cおよびインダクタ素子100の良否判定の処理(ステップ59C)を実行することなく、Q値を算出しない旨、およびインダクタ素子100の良否判定の処理を実行しない旨を表示部15に表示(報知)させる第3処理を実行する(ステップ61C)。続いて、処理部17は、検査処理50のステップ58と同様に、搬送機構16を制御してインダクタ素子100を測定位置P2から搬出位置に搬送させて(ステップ60C)、検査処理50Cを終了する。 On the other hand, when the processing unit 17 determines in step 56C described above that the fluctuation width Rw2 equal to or less than the threshold value Rt2 does not exist, the processing unit 17 does not execute steps 57C to 59C, that is, the third measurement process (step 57C), the calculation process. The display unit 15 displays (notifies) that the Q value is not calculated and that the pass / fail determination process of the inductor element 100 is not executed without executing the pass / fail determination process (step 59C) of the 70C and the inductor element 100. The third process is executed (step 61C). Subsequently, the processing unit 17 controls the transport mechanism 16 to transport the inductor element 100 from the measurement position P2 to the carry-out position (step 60C) in the same manner as in step 58 of the inspection process 50, and ends the inspection process 50C. ..

検査処理50Cを実行する構成および方法では、直流抵抗値Rd2の変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降、つまり端子101a,101bとプローブ32a,32bとの接触状態が良好な状態で安定したとき以降に測定された直流抵抗値Rd2を用いて補正処理を実行する。このため、この構成および方法においても、検査処理50,50A,50Bを実行する構成および方法と同様に、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。 In the configuration and method for executing the inspection process 50C, after the fluctuation width Rw2 of the DC resistance value Rd2 becomes equal to or less than the threshold value Rt2, that is, the contact state between the terminals 101a and 101b and the probes 32a and 32b is stable. The correction process is executed using the DC resistance value Rd2 measured after that time. Therefore, also in this configuration and method, the calculated value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra'is the actual value Qc of the inductor element 100, as in the configuration and method of executing the inspection processes 50, 50A, 50B. It is possible to reliably prevent a situation in which a defective inductor element 100, which has a value larger than the Q value and actually has a small Q value, is erroneously determined as a non-defective product.

また、検査処理50Cを実行する構成および方法では、閾値Rt2以下の変動幅Rw2が存在しないときには、第3測定処理(ステップ57C)、算出処理70Cおよびインダクタ素子100の良否判定の処理(ステップ59C)を実行することなくその旨を報知するため、インダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな算出値Qcが算出されたり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定されたりするような不要な処理のための時間の浪費が防止されて、その分の処理時間を短縮することが可能となっている。 Further, in the configuration and method for executing the inspection process 50C, when the fluctuation width Rw2 equal to or less than the threshold value Rt2 does not exist, the third measurement process (step 57C), the calculation process 70C, and the pass / fail determination process of the inductor element 100 (step 59C). In order to notify the fact without executing, a calculated value Qc larger than the actual Q value of the inductor element 100 may be calculated, or a defective inductor element 100 having a small Q value may be erroneously determined as a non-defective product. It is possible to prevent wasting time for unnecessary processing such as the above, and to shorten the processing time accordingly.

このように、この処理装置、検査装置1および処理方法では、複数回の第2測定処理によって測定された各直流抵抗値Rd2の変化状態を特定し、交流抵抗値Raを補正した補正抵抗値Ra’を用いてQ値を算出する第1処理、交流抵抗値Raを用いてQ値を算出する第2処理、およびQ値を算出することなくQ値を算出しない旨を報知する第3処理のいずれか1つを各直流抵抗値Rd2の変化状態に応じて実行する。この場合、インダクタ素子100の端子101a,101bに対するプローブ32a,32bの接触状態が不良で、接触抵抗値Rcが時間経過に伴って変化する場合において、直流抵抗値Rd2に含まれる接触抵抗値Rcが交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcよりも大きいときには、その直流抵抗値Rd2を用いて補正した補正抵抗値Ra’が、インダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となることがあり、この補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となる結果、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100を良品と誤判定するおそれがある。これに対して、この処理装置、検査装置1および処理方法では、各直流抵抗値Rd2の変化状態応じて第1処理、第2処理および第3処理を使い分けるため、補正した補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となる可能性が低いときだけ補正抵抗値Ra’を用いてQ値を算出する第1処理を実行することで、算出した算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、Q値を用いたインダクタ素子100の良否検査における検査精度を十分に向上させることが可能なQ値を算出することができる。 As described above, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the change state of each DC resistance value Rd2 measured by the second measurement processing a plurality of times is specified, and the corrected resistance value Ra corrected for the AC resistance value Ra. The first process of calculating the Q value using', the second process of calculating the Q value using the AC resistance value Ra, and the third process of notifying that the Q value is not calculated without calculating the Q value. Any one of them is executed according to the change state of each DC resistance value Rd2. In this case, when the contact state of the probes 32a and 32b with respect to the terminals 101a and 101b of the inductor element 100 is poor and the contact resistance value Rc changes with the passage of time, the contact resistance value Rc included in the DC resistance value Rd2 becomes. When it is larger than the contact resistance value Rc included in the AC resistance value Ra, the corrected resistance value Ra'corrected by using the DC resistance value Rd2 becomes a value smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100. As a result of the calculated value Qc of the Q value calculated using this correction resistance value Ra'being larger than the actual Q value of the inductor element 100, the defective inductor element 100 having a small Q value is actually used. There is a risk of erroneous judgment as a non-defective product. On the other hand, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, since the first processing, the second processing, and the third processing are used properly according to the change state of each DC resistance value Rd2, the corrected correction resistance value Ra'is set. The calculated value Qc calculated by executing the first process of calculating the Q value using the correction resistance value Ra'only when it is unlikely that the value will be smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100 The value is larger than the actual Q value of the inductor element 100, and it is possible to reliably prevent a situation in which a defective inductor element 100, which actually has a small Q value, is erroneously determined as a good product. Therefore, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, it is possible to calculate the Q value that can sufficiently improve the inspection accuracy in the quality inspection of the inductor element 100 using the Q value.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下のときに第1処理を実行し、変動幅Rw1が閾値Rt1よりも大きいときに第2処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下で接触抵抗値Rcの時間的な変化が小さく補正処理を実行することによって補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となる可能性が低いときだけ、第1処理を実行するため、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。 Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the first processing is executed when the fluctuation width Rw1 of each DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1, and the second processing is executed when the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold value Rt1. Execute the process. Therefore, according to this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the fluctuation range Rw1 of the DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1, and the temporal change of the contact resistance value Rc is small, so that the correction resistance value is corrected by executing the correction processing. Since the first process is executed only when Ra'is unlikely to be smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100, the calculated value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra' Is a value larger than the actual Q value of the inductor element 100, and it is possible to more reliably prevent a situation in which a defective inductor element 100 having a small Q value is actually determined to be a good product.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、各直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下のときに第1処理を実行し、変動幅Rw1が閾値Rt1よりも大きいときに第3処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、直流抵抗値Rd2の変動幅Rw1が閾値Rt1以下で接触抵抗値Rcの時間的な変化が小さく補正処理を実行することによって補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となる可能性が低いときだけ、第1処理を実行するため、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。また、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、変動幅Rw1が閾値Rt1よりも大きいときには、第3測定処理、Q値を算出する処理およびインダクタ素子100の良否判定の処理を実行することなく第3処理を実行するため、インダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな算出値Qcが算出されたり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定されたりするような不要な処理のための時間の浪費を防止して、その分の処理時間を短縮することができる。 Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the first processing is executed when the fluctuation width Rw1 of each DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1, and the third processing is executed when the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold value Rt1. Execute the process. Therefore, according to this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the fluctuation range Rw1 of the DC resistance value Rd2 is equal to or less than the threshold value Rt1, and the temporal change of the contact resistance value Rc is small, so that the correction resistance value is corrected by executing the correction processing. Since the first process is executed only when Ra'is unlikely to be smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100, the calculated value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra' Is a value larger than the actual Q value of the inductor element 100, and it is possible to more reliably prevent a situation in which a defective inductor element 100 having a small Q value is actually determined to be a good product. Further, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, when the fluctuation width Rw1 is larger than the threshold value Rt1, the third measurement process, the process of calculating the Q value, and the process of determining the quality of the inductor element 100 are executed. Since the third process is executed without any problem, a calculated value Qc larger than the actual Q value of the inductor element 100 is calculated, or a defective inductor element 100 having a small Q value is erroneously determined as a non-defective product. It is possible to prevent wasting time for unnecessary processing and shorten the processing time accordingly.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、各直流抵抗値Rd2の最小値を用いて第1処理を実行することにより、第3直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さな値となることをより確実に防止することができる。 Further, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, the corrected resistance value Ra corrected by using the third DC resistance value by executing the first processing using the minimum value of each DC resistance value Rd2. It is possible to more reliably prevent that'is smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、時間的に互いに隣接する複数の直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差である変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降に測定された直流抵抗値Rd2を用いて第1処理を実行し、変動幅Rw2が閾値Rt2以下とならなかったときに第2処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、インダクタ素子100の端子101a,101bとプローブ32a,32bとの接触状態が良好な状態で安定したとき以降に測定された直流抵抗値Rd2を用いて補正処理を実行するため、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。 Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, after the fluctuation width Rw2, which is the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of DC resistance values Rd2 adjacent to each other in time, becomes the threshold value Rt2 or less. The first process is executed using the measured DC resistance value Rd2, and the second process is executed when the fluctuation width Rw2 does not become equal to or less than the threshold value Rt2. Therefore, according to this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the DC resistance value Rd2 measured after the contact state between the terminals 101a and 101b of the inductor element 100 and the probes 32a and 32b is stable in a good state. Since the correction process is executed using the above, the calculated value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra'is larger than the actual Q value of the inductor element 100, and the Q value is actually small. It is possible to more reliably prevent the situation where the inductor element 100 is erroneously determined as a non-defective product.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、時間的に互いに隣接する複数の直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差である変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降に測定された直流抵抗値Rd2を用いて第1処理を実行し、変動幅Rw2が閾値Rt2以下とならなかったときに第3処理を実行する。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、インダクタ素子100の端子101a,101bとプローブ32a,32bとの接触状態が良好な状態で安定したとき以降に測定された直流抵抗値Rd2を用いて補正処理を実行するため、補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態をより確実に防止することができる。また、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、変動幅Rw2が閾値Rt2以下とならなかったときには、第3測定処理、Q値を算出する処理およびインダクタ素子100の良否判定の処理を実行することなく第3処理を実行するため、インダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな算出値Qcが算出されたり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定されたりするような不要な処理のための時間の浪費を防止して、その分の処理時間を短縮することができる。 Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, after the fluctuation width Rw2, which is the difference between the maximum value and the minimum value of the plurality of DC resistance values Rd2 adjacent to each other in time, becomes the threshold value Rt2 or less. The first process is executed using the measured DC resistance value Rd2, and the third process is executed when the fluctuation width Rw2 does not become equal to or less than the threshold value Rt2. Therefore, according to this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the DC resistance value Rd2 measured after the contact state between the terminals 101a and 101b of the inductor element 100 and the probes 32a and 32b is stable in a good state. Since the correction process is executed using the above, the calculated value Qc of the Q value calculated using the correction resistance value Ra'is larger than the actual Q value of the inductor element 100, and the Q value is actually small. It is possible to more reliably prevent the situation where the inductor element 100 is erroneously determined as a non-defective product. Further, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, when the fluctuation width Rw2 does not become equal to or less than the threshold value Rt2, the third measurement process, the process of calculating the Q value, and the process of determining the quality of the inductor element 100 are performed. Since the third process is executed without being executed, a calculated value Qc larger than the actual Q value of the inductor element 100 may be calculated, or a defective inductor element 100 having a small Q value may be erroneously determined as a good product. It is possible to prevent wasting time for unnecessary processing such as the above, and to shorten the processing time accordingly.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、変動幅Rw2が閾値Rt2以下となったとき以降に測定された直流抵抗値Rd2の最小値を用いて第1処理を実行することにより、第3直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さな値となることをより確実に防止することができる。 Further, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, the first processing is executed by using the minimum value of the DC resistance value Rd2 measured after the fluctuation width Rw2 becomes the threshold value Rt2 or less. It is possible to more reliably prevent the corrected resistance value Ra'corrected by using the third DC resistance value from becoming smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、補正処理において、差分値Rmに0以上1以下の係数Kcを乗じて得た補正値Rm’を交流抵抗値Raから差し引いて交流抵抗値Raを補正する。この場合、補正値Rm’で補正した補正抵抗値Ra’は、差分値Rmで補正した補正抵抗値Ra’よりも小さな値となることがない。このため、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さな値となることを確実に回避することができる結果、Q値の算出値Qcが実際のQ値よりも大きな値となる事態をさらに確実に防止することができる。 Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, in the correction processing, the correction value Rm'obtained by multiplying the difference value Rm by a coefficient Kc of 0 or more and 1 or less is subtracted from the AC resistance value Ra to obtain the AC resistance value Ra. To correct. In this case, the correction resistance value Ra'corrected by the correction value Rm'is not smaller than the correction resistance value Ra'corrected by the difference value Rm. Therefore, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, it is possible to surely prevent the correction resistance value Ra'being smaller than the actual AC resistance value Ra of the inductor element 100. It is possible to more reliably prevent a situation in which the calculated value Qc of the Q value becomes a value larger than the actual Q value.

また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、差分値Rmが予め設定された設定値Rrよりも大きいときに第1処理を実行し、差分値Rmが設定値Rr以下のときには第2処理を実行する(または、後述するように、第2処理に代えて第3処理を実行する。つまり、第2処理および第3処理のいずれか一方を実行する)。このため、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、例えば、良好な状態のプローブ32a,32bを使用したときに通常生じる接触抵抗値Rcの上限値を設定値Rrとして設定することで、差分値Rmが設定値Rrよりも大きく、交流抵抗値Raを補正する必要性が高いときだけ補正処理を実行し、差分値Rmが設定値Rr以下で、交流抵抗値Raを補正する必要性が低いときには、補正処理を実行しない、またはQ値の算出自体を行わないようにすることができる。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、必要性が低い補正処理の実行によって実際のQ値よりも大きな算出値Qcが算出され、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100を良品と誤判定される事態を確実に防止することができる。 Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the first process is executed when the difference value Rm is larger than the preset set value Rr, and the second process is executed when the difference value Rm is equal to or less than the set value Rr. (Or, as will be described later, the third process is executed instead of the second process. That is, either the second process or the third process is executed). Therefore, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, for example, by setting the upper limit value of the contact resistance value Rc that normally occurs when the probes 32a and 32b in good condition are used as the set value Rr. , It is necessary to execute the correction process only when the difference value Rm is larger than the set value Rr and it is highly necessary to correct the AC resistance value Ra, and to correct the AC resistance value Ra when the difference value Rm is equal to or less than the set value Rr. When is low, it is possible not to execute the correction process or to calculate the Q value itself. Therefore, according to this processing device, the inspection device 1, and the processing method, a calculated value Qc larger than the actual Q value is calculated by executing the correction processing that is less necessary, and the defective inductor element having a small Q value is actually calculated. It is possible to reliably prevent a situation in which 100 is erroneously determined as a non-defective product.

なお、処理装置、検査装置1および処理方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、対象の直流抵抗値Rd2の最小値を第3直流抵抗値として用いる例について上記したが、対象の直流抵抗値Rd2の平均値を第3直流抵抗値として用いる構成および方法を採用することもできる。 The processing device, the inspection device 1, and the processing method are not limited to the above configurations and methods. For example, the example in which the minimum value of the target DC resistance value Rd2 is used as the third DC resistance value has been described above, but it is also possible to adopt a configuration and method in which the average value of the target DC resistance value Rd2 is used as the third DC resistance value. can.

また、時間的に互いに隣接する2つの直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差を変動幅Rw2とする例について上記したが、時間的に互いに隣接する3つ以上の直流抵抗値Rd2の最大値と最小値との差を変動幅Rw2とする構成および方法を採用することもできる。 Further, although the example in which the difference between the maximum value and the minimum value of the two DC resistance values Rd2 adjacent to each other in time is set to the fluctuation width Rw2 is described above, the three or more DC resistance values Rd2 adjacent to each other in time It is also possible to adopt a configuration and method in which the difference between the maximum value and the minimum value is the fluctuation range Rw2.

また、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいときに第1処理を実行し、差分値Rmが設定値Rr以下のときに第2処理を実行する例について上記したが、差分値Rmが設定値Rr以下のときに第2処理に代えて第3処理を実行する構成および方法を採用することもできる。 Further, the example described above in which the first process is executed when the difference value Rm is larger than the set value Rr and the second process is executed when the difference value Rm is equal to or less than the set value Rr has been described above, but the difference value Rm is the set value. It is also possible to adopt a configuration and method in which the third process is executed instead of the second process when the value is Rr or less.

また、算出処理70において、差分値Rmに係数Kcを乗算して補正値Rm’を算出し、補正値Rm’で交流抵抗値Raを補正する例について上記したが、係数Kcを乗算する処理を行わずに、差分値Rmをそのまま用いて交流抵抗値Raを補正する構成および方法を採用することもできる。 Further, in the calculation process 70, the correction value Rm'is calculated by multiplying the difference value Rm by the coefficient Kc, and the AC resistance value Ra is corrected by the correction value Rm'. It is also possible to adopt a configuration and a method of correcting the AC resistance value Ra by using the difference value Rm as it is.

また、算出処理70〜70Cにおいて、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいか否かを判別し、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいときにのみ補正処理を実行する構成および方法について上記したが、この判別処理を行わずに、常に補正処理を実行する構成および方法を採用することもできる。 Further, in the calculation processes 70 to 70C, the configuration and method of determining whether or not the difference value Rm is larger than the set value Rr and executing the correction process only when the difference value Rm is larger than the set value Rr are described above. However, it is also possible to adopt a configuration and method in which the correction process is always executed without performing the determination process.

また、搬送機構16を備えてインダクタ素子100を自動的に搬送する検査装置1に適用した例について上記したが、搬送機構16を備えずに、手動で搬送したインダクタ素子100を検査する検査装置に適用することもできる。また、第1測定部11および第2測定部12が移動機構を備えて、移動機構によってプローブ31a〜31dやプローブ32a,32bをインダクタ素子100の端子101a,101bに接触させる例について上記したが、プローブ31a〜31dやプローブ32a,32bを端子101a,101bに手動で接触させる構成および方法を採用することもできる。 Further, although the example applied to the inspection device 1 provided with the conveying mechanism 16 and automatically conveying the inductor element 100 has been described above, the inspection device for inspecting the inductor element 100 manually conveyed without the conveying mechanism 16 It can also be applied. Further, an example in which the first measuring unit 11 and the second measuring unit 12 are provided with a moving mechanism and the probes 31a to 31d and the probes 32a and 32b are brought into contact with the terminals 101a and 101b of the inductor element 100 by the moving mechanism has been described above. It is also possible to adopt a configuration and method in which the probes 31a to 31d and the probes 32a and 32b are manually brought into contact with the terminals 101a and 101b.

また、Q値に基づいてインダクタ素子100を検査する検査装置1に適用した例について上記したが、検査機能を有していない(Q値を算出する機能のみを有する)処理装置に適用することもできる。 Further, although the example applied to the inspection device 1 that inspects the inductor element 100 based on the Q value has been described above, it can also be applied to a processing device that does not have an inspection function (has only a function of calculating the Q value). can.

また、測定対象は、上記したインダクタ素子100に限定されず、良否検査にQ値を用いる各種の電子部品を測定対象とすることができる。 Further, the measurement target is not limited to the above-mentioned inductor element 100, and various electronic components that use the Q value for the quality inspection can be the measurement target.

1 検査装置
11 第1測定部
12 第2測定部
17 処理部
100 インダクタ素子
Kc 係数
L インダクタンス値
Qc 算出値
Ra 交流抵抗値
Ra’ 補正抵抗値
Rd1 直流抵抗値
Rd2 直流抵抗値
Rd2s 直流抵抗値
Rm 差分値
Rr 設定値
Rt1 閾値
Rt2 閾値
Rw1 変動幅
Rw2 変動幅
1 Inspection device 11 1st measurement unit 12 2nd measurement unit 17 Processing unit 100 Inductor element Kc coefficient L Inductance value Qc Calculated value Ra AC resistance value Ra'Correction resistance value Rd1 DC resistance value Rd2 DC resistance value Rd2s DC resistance value Rm Difference Value Rr Set value Rt1 Threshold Rt2 Threshold Rw1 Fluctuation width Rw2 Fluctuation width

Claims (11)

測定対象の直流抵抗値を第1直流抵抗値として4端子法で測定する第1測定処理を実行する第1測定部と、前記測定対象の直流抵抗値を第2直流抵抗値として2端子法で測定する第2測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行する第2測定部と、前記第1直流抵抗値、前記第2直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のQ値を算出する処理を実行可能な処理部とを備えた処理装置であって、
前記第2測定部は、前記第2測定処理を複数回実行し、
前記処理部は、前記各第2測定処理によって測定された前記各第2直流抵抗値の変化状態を特定すると共に、前記第2直流抵抗値に基づいて規定した第3直流抵抗値と前記第1直流抵抗値との差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行して得た補正抵抗値を用いて前記Q値を算出する第1処理、前記交流抵抗値を用いて前記Q値を算出する第2処理、および前記Q値を算出することなく当該Q値を算出しない旨を報知する第3処理のいずれか1つを前記変化状態に応じて実行する処理装置。
The first measuring unit that executes the first measurement process that measures the DC resistance value of the measurement target as the first DC resistance value by the 4-terminal method, and the DC resistance value of the measurement target as the second DC resistance value by the 2-terminal method. The second measurement unit that executes the second measurement process to be measured and the third measurement process to measure the AC resistance value and the inductance value of the measurement target by the two-terminal method, the first DC resistance value, and the second DC A processing device including a processing unit capable of executing a process of calculating the Q value of the measurement target based on the resistance value, the AC resistance value, and the inductance value.
The second measurement unit executes the second measurement process a plurality of times.
The processing unit identifies the change state of each of the second DC resistance values measured by each of the second measurement processes, and also defines the third DC resistance value and the first DC resistance value defined based on the second DC resistance value. The first process of calculating the Q value using the corrected resistance value obtained by executing the correction process of correcting the AC resistance value using the difference value from the DC resistance value, and the Q using the AC resistance value. A processing device that executes any one of a second process of calculating a value and a third process of notifying that the Q value is not calculated without calculating the Q value according to the change state.
前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第1変動幅が予め設定された第1閾値以下である第1状態のときに当該各第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第1変動幅が前記閾値よりも大きいときに前記第2処理を実行する請求項1記載の処理装置。 The processing unit is in the first state where the first fluctuation width, which is the difference between the maximum value and the minimum value of each of the second DC resistance values as the change state, is equal to or less than a preset first threshold value. Claim 1 that defines the third DC resistance value based on each second DC resistance value, executes the first process, and executes the second process when the first fluctuation range is larger than the threshold value. The processing device described. 前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第1変動幅が予め設定された第1閾値以下である第1状態のときに当該各第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第1変動幅が前記閾値よりも大きいときに前記第3処理を実行する請求項1記載の処理装置。 The processing unit is in the first state where the first fluctuation width, which is the difference between the maximum value and the minimum value of each of the second DC resistance values as the change state, is equal to or less than a preset first threshold value. Claim 1 that defines the third DC resistance value based on each second DC resistance value, executes the first process, and executes the third process when the first fluctuation range is larger than the threshold value. The processing device described. 前記処理部は、前記各第2直流抵抗値の最小値を前記第3直流抵抗値として規定する請求項1から3のいずれかに記載の処理装置。 The processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the processing unit defines the minimum value of each of the second DC resistance values as the third DC resistance value. 前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の一部であって時間的に互いに隣接する複数の第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第2変動幅が予め設定された第2閾値以下である第2状態となったとき以降に測定された前記第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第2測定部による前記複数回の第2測定処理が終了するまでに前記第2状態とならなかったときに前記第2処理を実行する請求項1記載の処理装置。 The processing unit is a part of each of the second DC resistance values as the changed state, and is a second variation which is a difference between the maximum value and the minimum value of a plurality of second DC resistance values adjacent to each other in time. The first process is executed by defining the third DC resistance value based on the second DC resistance value measured after the second state in which the width is equal to or less than the preset second threshold value. The processing apparatus according to claim 1, wherein the second processing is executed when the second state is not reached by the end of the plurality of second measurement processes by the second measuring unit. 前記処理部は、前記変化状態としての前記各第2直流抵抗値の一部であって時間的に互いに隣接する複数の第2直流抵抗値の最大値と最小値との差である第2変動幅が予め設定された第2閾値以下である第2状態となったとき以降に測定された前記第2直流抵抗値に基づいて前記第3直流抵抗値を規定して前記第1処理を実行し、前記第2測定部による前記複数回の第2測定処理が終了するまでに前記第2状態とならなかったときに前記第3処理を実行する請求項1記載の処理装置。 The processing unit is a part of each of the second DC resistance values as the changed state, and is a second variation which is a difference between the maximum value and the minimum value of a plurality of second DC resistance values adjacent to each other in time. The first process is executed by defining the third DC resistance value based on the second DC resistance value measured after the second state in which the width is equal to or less than the preset second threshold value. The processing apparatus according to claim 1, wherein the third processing is executed when the second state is not reached by the end of the plurality of second measurement processes by the second measuring unit. 前記処理部は、前記第2状態となったとき以降に測定された前記第2直流抵抗値の最小値を前記第3直流抵抗値として規定する請求項5または6記載の処理装置。 The processing apparatus according to claim 5 or 6, wherein the processing unit defines the minimum value of the second DC resistance value measured after the second state is reached as the third DC resistance value. 前記処理部は、前記補正処理において、前記差分値に予め規定された0以上1以下の係数を乗じて得た値を前記交流抵抗値から差し引いて当該交流抵抗値を補正する請求項1から7のいずれかに記載の処理装置。 The processing unit corrects the AC resistance value by subtracting a value obtained by multiplying the difference value by a predetermined coefficient of 0 or more and 1 or less from the AC resistance value in the correction processing. The processing apparatus according to any one of. 前記処理部は、前記差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに前記第1処理を実行し、前記差分値が前記設定値以下のときには前記第2処理および前記第3処理のいずれか一方を実行する請求項1から8のいずれかに記載の処理装置。 The processing unit executes the first process when the difference value is larger than a preset set value, and when the difference value is equal to or less than the set value, either the second process or the third process. The processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein one is executed. 請求項1から9のいずれかに記載の処理装置と、当該処理装置によって算出された前記Q値に基づいて前記測定対象の良否を検査する検査部とを備えた検査装置。 An inspection device including the processing device according to any one of claims 1 to 9 and an inspection unit that inspects the quality of the measurement target based on the Q value calculated by the processing device. 測定対象の直流抵抗値を第1直流抵抗値として4端子法で測定する第1測定処理、前記測定対象の直流抵抗値を第2直流抵抗値として2端子法で測定する第2測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行し、前記第1直流抵抗値、前記第2直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のQ値を算出する処理を実行する処理方法であって、
前記第2測定処理を複数回実行し、
前記各第2測定処理によって測定された前記各第2直流抵抗値の変化状態を特定すると共に、前記第2直流抵抗値に基づいて規定した第3直流抵抗値と前記第1直流抵抗値との差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行して得た補正抵抗値を用いて前記Q値を算出する第1処理、前記交流抵抗値を用いて前記Q値を算出する第2処理、および前記Q値を算出することなく当該Q値を算出しない旨を報知する第3処理のいずれか1つを前記変化状態に応じて実行する処理方法。
The first measurement process of measuring the DC resistance value of the measurement target as the first DC resistance value by the 4-terminal method, the second measurement process of measuring the DC resistance value of the measurement target as the second DC resistance value by the 2-terminal method, and A third measurement process is executed in which the AC resistance value and the inductance value of the measurement target are measured by the two-terminal method, respectively, and based on the first DC resistance value, the second DC resistance value, the AC resistance value, and the inductance value. This is a processing method for executing the process of calculating the Q value of the measurement target.
The second measurement process is executed a plurality of times,
The change state of each of the second DC resistance values measured by each of the second measurement processes is specified, and the third DC resistance value and the first DC resistance value defined based on the second DC resistance value are The first process of calculating the Q value using the corrected resistance value obtained by executing the correction process of correcting the AC resistance value using the difference value, and the calculation of the Q value using the AC resistance value. A processing method in which any one of two processes and a third process for notifying that the Q value is not calculated without calculating the Q value is executed according to the change state.
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