JP6949675B2 - Processing equipment, inspection equipment and processing method - Google Patents
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Description
本発明は、測定対象のQ値を算出する算出処理を実行する処理装置、Q値に基づいて測定対象を検査する検査方法、および測定対象のQ値を算出する算出処理を実行する処理方法に関するものである。 The present invention relates to a processing device that executes a calculation process for calculating the Q value of a measurement target, an inspection method for inspecting the measurement target based on the Q value, and a processing method for executing the calculation process for calculating the Q value of the measurement target. It is a thing.
この種の処理装置として、下記特許文献1において出願人が開示したインピーダンス測定装置が知られている。このインピーダンス測定装置は、コントローラ、第1測定手段および第2測定手段を備え、インダクタ素子のQ値を算出すると共にQ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定可能に構成されている。この場合、第1測定手段は、直流信号を用いた4端子測定法でインダクタ素子の直流抵抗値Rdc4を測定する。また、第2測定手段は、直流信号を用いた2端子測定法でインダクタ素子の直流抵抗値Rdc2を測定すると共に、高周波信号を用いた2端子測定法でインダクタ素子の実効抵抗値Rsおよびインダクタンス値Lを測定する。また、コントローラは、第1測定手段および第2測定手段を制御すると共に、各測定値Rdc4,Rdc2,Rs,Lを用いて算出したQ値に基づいてインダクタ素子の良否を判定する。このインピーダンス測定装置では、第2測定手段が2端子測定法で測定を行う際の測定用のプローブの接触抵抗値Rcの影響を低減させるため、Rdc2とRdc4との差分値を接触抵抗値Rc(Rc=Rdc2−Rdc4)として求め、実効抵抗値Rsを接触抵抗値Rcで補正し、その補正値Rs’(Rs’=Rs−Rc)を用いてQ値を算出している。 As a processing device of this type, an impedance measuring device disclosed by the applicant in Patent Document 1 below is known. This impedance measuring device includes a controller, a first measuring means, and a second measuring means, and is configured to be able to calculate the Q value of the inductor element and determine the quality of the inductor element based on the Q value. In this case, the first measuring means measures the DC resistance value Rdc4 of the inductor element by a four-terminal measuring method using a DC signal. The second measuring means measures the DC resistance value Rdc2 of the inductor element by a two-terminal measuring method using a DC signal, and also measures the effective resistance value Rs and the inductance value of the inductor element by a two-terminal measuring method using a high-frequency signal. Measure L. Further, the controller controls the first measuring means and the second measuring means, and determines the quality of the inductor element based on the Q value calculated using each measured value Rdc4, Rdc2, Rs, L. In this impedance measuring device, in order to reduce the influence of the contact resistance value Rc of the measuring probe when the second measuring means performs the measurement by the two-terminal measuring method, the difference value between Rdc2 and Rdc4 is set as the contact resistance value Rc ( Rc = Rdc2-Rdc4), the effective resistance value Rs is corrected by the contact resistance value Rc, and the Q value is calculated using the correction value Rs'(Rs' = Rs-Rc).
ところが、上記のインピーダンス測定装置には、改善すべき以下の課題がある。具体的には、上記のインピーダンス測定装置では、第2測定手段が、実効抵抗値Rsの測定前および測定後のいずれか一方において直流抵抗値Rdc2の測定を1回だけ実行し、その直流抵抗値Rdc2から求めた接触抵抗値Rcで実効抵抗値Rsを補正している。この場合、直流抵抗値Rdc2の測定時刻における接触抵抗値Rcと実効抵抗値Rsの測定時刻における接触抵抗値Rcとが異なるとき、つまり、両測定時刻の間に接触抵抗値Rcが変化したときには、実際の接触抵抗値Rcとは異なる接触抵抗値Rcで実効抵抗値Rsを補正したこととなり、このときには、Q値を正確に算出することが困難となる。特に、実効抵抗値Rsの測定時刻における接触抵抗値Rcの方が直流抵抗値Rdc2の測定時刻における接触抵抗値Rcよりも小さいときには、接触抵抗値Rcを含まない実際の実効抵抗値Rsよりも補正値Rs’(補正後の実効抵抗値Rs)の方が小さくなり、Q値(ωL/Rs’)が実際の値よりも大きくなる結果、Q値に基づくインダクタ素子の検査の際に、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子を良品と判定するおそれがある。 However, the above impedance measuring device has the following problems to be improved. Specifically, in the above impedance measuring device, the second measuring means executes the measurement of the DC resistance value Rdc2 only once before or after the measurement of the effective resistance value Rs, and the DC resistance value is measured. The effective resistance value Rs is corrected by the contact resistance value Rc obtained from Rdc2. In this case, when the contact resistance value Rc at the measurement time of the DC resistance value Rdc2 and the contact resistance value Rc at the measurement time of the effective resistance value Rs are different, that is, when the contact resistance value Rc changes between the two measurement times. The effective resistance value Rs is corrected with a contact resistance value Rc different from the actual contact resistance value Rc, and at this time, it becomes difficult to accurately calculate the Q value. In particular, when the contact resistance value Rc at the measurement time of the effective resistance value Rs is smaller than the contact resistance value Rc at the measurement time of the DC resistance value Rdc2, the correction is made more than the actual effective resistance value Rs not including the contact resistance value Rc. As a result, the value Rs'(effective resistance value Rs after correction) becomes smaller and the Q value (ωL / Rs') becomes larger than the actual value, and as a result, when inspecting the inductor element based on the Q value, it is actually May determine a defective inductor element with a small Q value as a good product.
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、Q値を用いた測定対象の良否検査における検査精度の向上が可能なQ値を算出し得る処理装置、検査装置および処理方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the problem to be improved, and is a processing device, an inspection device, and a processing method capable of calculating a Q value capable of improving the inspection accuracy in the quality inspection of the measurement target using the Q value. The main purpose is to provide.
上記目的を達成すべく請求項1記載の処理装置は、測定対象の直流抵抗値を4端子法で測定する第1測定処理を実行する第1測定部と、前記測定対象の直流抵抗値を2端子法で測定する第2測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行する第2測定部と、前記各直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のQ値を算出する算出処理を実行する処理部とを備えた処理装置であって、前記第2測定部は、前記第2測定処理を前記第3測定処理の実行前後に実行し、前記処理部は、前記各第2測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第1測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する。 In order to achieve the above object, the processing apparatus according to claim 1 has a first measuring unit that executes a first measurement process for measuring a DC resistance value of a measurement target by a four-terminal method, and a DC resistance value of the measurement target of 2. A second measuring unit that executes a second measurement process for measuring by the terminal method and a third measurement process for measuring the AC resistance value and the inductance value of the measurement target by the two-terminal method, and each of the DC resistance values and the AC. A processing device including a processing unit that executes a calculation process for calculating the Q value of the measurement target based on the resistance value and the inductance value, and the second measurement unit performs the second measurement process. 3 Execution before and after the execution of the measurement process, the processing unit performs the minimum DC resistance value among the DC resistance values measured by each of the second measurement processes and the DC measured by the first measurement process. A difference value from the resistance value is obtained, a correction process for correcting the AC resistance value is executed using the difference value, and the calculation process is executed using the correction resistance value corrected by the correction process.
また、請求項2記載の処理装置は、請求項1記載の処理装置において、前記第2測定部は、前記第3測定処理の実行前および当該第3測定処理の実行後の少なくとも一方において前記第2測定処理を複数回実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 2 is the processing apparatus according to claim 1, wherein the second measuring unit is at least one of before the execution of the third measurement process and after the execution of the third measurement process. 2 Execute the measurement process multiple times.
また、請求項3記載の処理装置は、請求項1または2記載の処理装置において、前記処理部は、前記補正処理において、前記差分値に予め規定された0以上1以下の係数を乗じて得た値を前記交流抵抗値から差し引いて当該交流抵抗値を補正する。 Further, the processing apparatus according to claim 3 is the processing apparatus according to claim 1 or 2, and the processing unit obtains the difference value by multiplying the difference value by a predetermined coefficient of 0 or more and 1 or less in the correction processing. The value is subtracted from the AC resistance value to correct the AC resistance value.
また、請求項4記載の処理装置は、請求項1から3のいずれかに記載の処理装置において、前記処理部は、前記差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに前記補正処理を実行して補正した前記補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行し、前記差分値が前記設定値以下のときには前記補正処理前の前記交流抵抗値を用いて前記算出処理を実行する。 Further, the processing apparatus according to claim 4 is the processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the processing unit performs the correction process when the difference value is larger than a preset set value. The calculation process is executed using the corrected resistance value that has been executed and corrected, and when the difference value is equal to or less than the set value, the calculation process is executed using the AC resistance value before the correction process.
また、請求項5記載の検査装置は、請求項1から4のいずれかに記載の処理装置と、当該処理装置によって算出された前記Q値に基づいて前記測定対象の良否を検査する検査部とを備えている。 The inspection device according to claim 5 includes the processing device according to any one of claims 1 to 4, and an inspection unit that inspects the quality of the measurement target based on the Q value calculated by the processing device. It has.
また、請求項6記載の処理方法は、測定対象の直流抵抗値を4端子法で測定する第1測定処理、前記測定対象の直流抵抗値を2端子法で測定する第2測定処理、並びに当該測定対象の交流抵抗値およびインダクタンス値をそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行し、前記各直流抵抗値、前記交流抵抗値および前記インダクタンス値に基づいて前記測定対象のQ値を算出する算出処理を実行する処理方法であって、前記第2測定処理を前記第3測定処理の実行前後に実行し、前記各第2測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第1測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する。 The processing method according to claim 6 includes a first measurement process for measuring the DC resistance value of the measurement target by the 4-terminal method, a second measurement process for measuring the DC resistance value of the measurement target by the 2-terminal method, and the like. The third measurement process of measuring the AC resistance value and the inductance value of the measurement target by the two-terminal method is executed, and the Q value of the measurement target is calculated based on the DC resistance value, the AC resistance value, and the inductance value. This is a processing method for executing the calculation process, in which the second measurement process is executed before and after the execution of the third measurement process, and the smallest of the DC resistance values measured by each of the second measurement processes. The difference value between the DC resistance value and the DC resistance value measured by the first measurement process is obtained, a correction process for correcting the AC resistance value is executed using the difference value, and the correction corrected by the correction process is performed. The calculation process is executed using the resistance value.
請求項1記載の処理装置、請求項5記載の検査装置、および請求項6記載の処理方法では、第2測定処理を第3測定処理の実行前後に実行し、各第2測定処理によって測定された各直流抵抗値の中の最も小さい直流抵抗値と第1測定処理によって測定された直流抵抗値との差分値を用いて交流抵抗値を補正し、補正した補正抵抗値を用いてQ値を算出する。この場合、第2測定処理を1回だけ実行して測定した直流抵抗値を用いてQ値を算出する構成および方法では、接触抵抗値が時間経過に伴って変化する場合において、その1回の第2測定処理によって測定された直流抵抗値に含まれる接触抵抗値が交流抵抗値に含まれる接触抵抗値よりも大きいときには、その直流抵抗値を用いて補正した補正抵抗値が、測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さい値となり、この補正抵抗値を用いて算出したQ値の算出値が測定対象の実際のQ値よりも大きな値となる結果、実際にはQ値が小さい不良の測定対象を良品と誤判定するおそれがある。これに対して、この処理装置、検査装置および処理方法では、第3測定処理の実行前後で実行した各第2測定処理において測定された各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値を用いるため、補正した補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることを回避することができる結果、Q値の算出値が実際のQ値よりも大きな値となる事態を確実に防止することができる。したがって、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、Q値を用いた測定対象の良否検査における検査精度を十分に向上させることが可能なQ値を算出することができる。 In the processing apparatus according to claim 1, the inspection apparatus according to claim 5, and the processing method according to claim 6, the second measurement process is executed before and after the execution of the third measurement process, and the measurement is performed by each of the second measurement processes. The AC resistance value is corrected using the difference between the smallest DC resistance value among the DC resistance values and the DC resistance value measured by the first measurement process, and the Q value is calculated using the corrected corrected resistance value. calculate. In this case, in the configuration and method of calculating the Q value using the DC resistance value measured by executing the second measurement process only once, when the contact resistance value changes with the passage of time, the one time. When the contact resistance value included in the DC resistance value measured by the second measurement process is larger than the contact resistance value included in the AC resistance value, the corrected resistance value corrected using the DC resistance value is the actual measurement target. The value is smaller than the AC resistance value of, and the calculated Q value calculated using this corrected resistance value is larger than the actual Q value of the measurement target. As a result, the Q value is actually small. There is a risk of erroneously determining the target as a non-defective product. On the other hand, in this processing device, inspection device, and processing method, the smallest DC resistance value among the DC resistance values measured in each of the second measurement processes executed before and after the execution of the third measurement process is used. As a result of avoiding that the corrected corrected resistance value becomes smaller than the actual AC resistance value of the measurement target, the situation where the calculated value of the Q value becomes larger than the actual Q value is surely made. Can be prevented. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, it is possible to calculate a Q value that can sufficiently improve the inspection accuracy in the quality inspection of the measurement target using the Q value.
また、請求項2記載の処理装置、および請求項5記載の検査装置によれば、第3測定処理の実行前および第3測定処理の実行後において第2測定処理をそれぞれ複数回実行することにより、接触抵抗値が不規則に変化する場合においても、第2測定処理の実行回数を多くして、各第2測定処理で測定した直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値を用いることで、Q値の算出値が実際のQ値よりも大きな値となる事態をより確実に防止することができる。 Further, according to the processing device according to claim 2 and the inspection device according to claim 5, the second measurement process is executed a plurality of times before the execution of the third measurement process and after the execution of the third measurement process. Even when the contact resistance value changes irregularly, the number of executions of the second measurement process is increased and the smallest DC resistance value among the DC resistance values measured in each second measurement process is used. It is possible to more reliably prevent a situation in which the calculated value of the Q value becomes larger than the actual Q value.
また、請求項3記載の処理装置、および請求項5記載の検査装置では、補正処理において、差分値に0以上1以下の係数を乗じて得た値を交流抵抗値から差し引いて交流抵抗値を補正する。この場合、差分値に係数を乗じて得た値で補正した補正抵抗値は、差分値で補正した補正抵抗値よりも小さな値となることがない。このため、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、補正抵抗値が測定対象の実際の交流抵抗値よりも小さな値となることを確実に回避することができる結果、Q値の算出値が実際のQ値よりも大きな値となる事態をさらに確実に防止することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 3 and the inspection apparatus according to claim 5, in the correction processing, the value obtained by multiplying the difference value by a coefficient of 0 or more and 1 or less is subtracted from the AC resistance value to obtain the AC resistance value. to correct. In this case, the corrected resistance value corrected by the value obtained by multiplying the difference value by the coefficient does not become smaller than the corrected resistance value corrected by the difference value. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, it is possible to surely prevent the corrected resistance value from becoming smaller than the actual AC resistance value of the measurement target, and as a result, the calculated value of the Q value. Can be more reliably prevented from becoming a value larger than the actual Q value.
また、請求項4記載の処理装置、および請求項5記載の検査装置では、差分値が予め設定された設定値よりも大きいときに補正処理を実行して補正した補正抵抗値を用いてQ値を算出し、差分値が設定値以下のときには補正処理前の交流抵抗値を用いてQ値を算出する。このため、この処理装置、検査装置および処理方法によれば、例えば、良好な状態のプローブを使用したときに通常生じる接触抵抗値の上限値を設定値として設定することで、差分値が設定値よりも大きく、交流抵抗値を補正する必要性が高いときだけ補正処理を行い、差分値が設定値以下で、交流抵抗値を補正する必要性が低いときには、補正処理を行わないようにすることができるため、必要性が低い補正によって実際のQ値よりも大きな算出値が算出される事態を一層確実に防止することができる。 Further, in the processing apparatus according to claim 4 and the inspection apparatus according to claim 5, when the difference value is larger than the preset set value, the correction process is executed and the corrected resistance value is used to correct the Q value. Is calculated, and when the difference value is equal to or less than the set value, the Q value is calculated using the AC resistance value before the correction processing. Therefore, according to this processing device, inspection device, and processing method, for example, by setting the upper limit value of the contact resistance value that normally occurs when a probe in a good state is used as a set value, the difference value becomes a set value. The correction process should be performed only when it is larger than the set value and the need to correct the AC resistance value is high, and when the difference value is less than or equal to the set value and the need to correct the AC resistance value is low, the correction process should not be performed. Therefore, it is possible to more reliably prevent a situation in which a calculated value larger than the actual Q value is calculated by a correction that is less necessary.
以下、処理装置、検査装置および処理方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of a processing apparatus, an inspection apparatus, and a processing method will be described with reference to the accompanying drawings.
最初に、図1に示す検査装置1の構成について説明する。検査装置1は、検査装置の一例であって、測定対象の一例としてのインダクタ素子100のQ値を算出すると共に、Q値の算出値Qcに基づいてインダクタ素子100の良否を検査可能に構成されている。具体的には、検査装置1は、同図に示すように、第1測定部11、第2測定部12、操作部13、記憶部14、表示部15、搬送機構16および処理部17を備えて構成されている。この場合、検査装置1のうちの後述する検査機能を除く部分によって処理装置が構成される。
First, the configuration of the inspection device 1 shown in FIG. 1 will be described. The inspection device 1 is an example of an inspection device, and is configured to be able to calculate the Q value of the
第1測定部11は、プローブ31a〜31dを移動させる図外の移動機構と、電流出力部11aおよび電圧検出部11b(図2参照)とを備えて構成され、処理部17の制御に従い、インダクタ素子100の直流抵抗値Rd1を4端子法で測定する第1測定処理を実行する。具体的には、第1測定処理において、第1測定部11の移動機構が、同図に示すように、測定位置P1に搬送されたインダクタ素子100の端子101aにプローブ31a,31cを接触させると共に、インダクタ素子100の端子101bにプローブ31b,31dを接触させ、電流出力部11aが、直流電流を出力してプローブ31a,31bを介してインダクタ素子100に供給し、電圧検出部11bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ31c,31dを介して検出する。また、第1測定部11は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいて直流抵抗値Rd1を測定する。
The first measuring unit 11 includes a moving mechanism (not shown) for moving the
第2測定部12は、プローブ32a,32bを移動させる図外の移動機構と、電流出力部12aおよび電圧検出部12b(図3参照)とを備えて構成され、処理部17の制御に従い、インダクタ素子100の直流抵抗値Rd2を2端子法で測定する第2測定処理、およびインダクタ素子100の交流抵抗値Ra(実効抵抗値)およびインダクタンス値Lをそれぞれ2端子法で測定する第3測定処理を実行する。具体的には、第2測定処理において、第2測定部12の移動機構が、同図に示すように、測定位置P2に搬送されたインダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bをそれぞれ接触させ、電流出力部12aが、直流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給し、電圧検出部11bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。また、第2測定部12は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいて直流抵抗値Rd2を測定する。
The
また、第3測定処理において、第2測定部12の移動機構が、インダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bをそれぞれ接触させた状態を維持し(図3参照)、電流出力部12aが、交流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給し、電圧検出部12bが、端子101a,101b間の交流電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。また、第2測定部12は、交流電圧値(電圧実効値)、供給している交流電流の交流電流値(電流実効値)、および交流電圧と交流電流との位相差に基づいて交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを測定する。
Further, in the third measurement process, the moving mechanism of the
操作部13は、各種のボタンやキーを備えて構成され、これらが操作されたときに操作信号を出力する。
The
記憶部14は、第1測定部11によって測定された直流抵抗値Rd1を記憶すると共に、第2測定部12によって測定された直流抵抗値Rd2、交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを記憶する。また、記憶部14は、処理部17によって実行される後述する検査処理50において算出されるQ値の算出値Qcを記憶する。また、記憶部14は、検査処理50において用いるQ値の基準値Qr、並びに検査処理50において実行される算出処理70において用いる設定値Rrおよび係数Kcを記憶する。
The
表示部15は、処理部17の制御に従い、処理部17によって実行される検査処理50において算出されるQ値の算出値Qcや、検査処理50において検査されるインダクタ素子100の良否の検査結果を表示する。
The
搬送機構16は、処理部17の制御に従い、図外の供給装置によってインダクタ素子100が供給される供給位置、第1測定部11によって第1測定処理が実行される測定位置P1(図2参照)、第2測定部12によって第2測定処理および第3測定処理が実行される測定位置P2(図3参照)、並びに各測定処理および検査が終了したインダクタ素子100が図外の搬出装置によって搬出される搬出位置にインダクタ素子100を搬送する。
The
処理部17は、操作部13から出力される操作信号に従って検査装置1を構成する各構成要素を制御する。また、処理部17は、図5に示す算出処理70を実行して、直流抵抗値Rd1,Rd2、交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lに基づいてインダクタ素子100のQ値を算出する。また、処理部17は、検査部として機能し、図4に示す検査処理50を実行して、Q値の算出値Qcに基づいてインダクタ素子100の良否を検査する検査機能を有している。
The
次に、検査装置1を用いて測定対象としてのインダクタ素子100のQ値を算出する処理方法、およびQ値の算出値Qcに基づいてインダクタ素子100の良否を検査する検査方法について図面を参照して説明する。
Next, refer to the drawings for a processing method for calculating the Q value of the
まず、操作部13を操作して、検査の開始を指示する。この際に、操作部13が操作信号を出力し、処理部17が操作信号に従って図4に示す検査処理50を実行する。この検査処理50では、処理部17は、搬送機構16を制御して、図外の供給装置によって供給位置に供給されたインダクタ素子100を図2に示す測定位置P1に搬送させる(ステップ51)。
First, the
次いで、処理部17は、第1測定部11を制御して、第1測定処理を実行させる(ステップ52)。この第1測定処理では、第1測定部11は、図外の移動機構を作動させてプローブ31a〜31dを移動させ、図2に示すように、測定位置P1に搬送されたインダクタ素子100の端子101aにプローブ31a,31cを接触させると共に、インダクタ素子100の端子101bにプローブ31b,31dを接触させる。
Next, the
続いて、第1測定部11の電流出力部11aが、直流電流を出力してプローブ31a,31bを介してインダクタ素子100に供給する。次いで、第1測定部11の電圧検出部11bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ31c,31dを介して検出する。続いて、第1測定部11は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいてインダクタ素子100の直流抵抗値Rd1を測定する。次いで、処理部17は、測定された直流抵抗値Rd1を記憶部14に記憶させる。
Subsequently, the
この場合、上記したように4つのプローブ31a〜31dを用いる4端子法による抵抗測定では、プローブ31a〜31dと端子101a,101bとの接触部分に生じる接触抵抗の影響が十分に低く抑えられるため、接触抵抗の値(以下「接触抵抗値Rc」ともいう)が含まれていない(または、ほぼ含まれていない)直流抵抗値Rd1を測定することが可能となっている。
In this case, in the resistance measurement by the four-terminal method using the four
続いて、処理部17は、搬送機構16を制御して、インダクタ素子100を測定位置P1から図3に示す測定位置P2に搬送させる(ステップ53)。
Subsequently, the
次いで、処理部17は、第2測定部12を制御して、第2測定処理(第3測定処理の実行前の第2測定処理)を実行させる(ステップ54)。この第2測定処理では、第2測定部12は、図外の移動機構を作動させてプローブ32a,32bを移動させ、図3に示すように、測定位置P2に搬送されたインダクタ素子100の端子101a,101bに、プローブ32a,32bをそれぞれ接触させる。
Next, the
続いて、第2測定部12の電流出力部12aが、直流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給する。次いで、電流出力部12aの電圧検出部12bが、端子101a,101b間の電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。続いて、第2測定部12は、検出した電圧値、および供給している直流電流の電流値に基づいてインダクタ素子100の直流抵抗値Rd2を測定する。次いで、処理部17は、測定された直流抵抗値Rd2を記憶部14に記憶させる。
Subsequently, the
この場合、上記したように2つのプローブ32a,32bを用いる2端子法による抵抗測定では、プローブ32a,32bと端子101a,101bとの接触部分に生じる接触抵抗の影響を抑えることができないため、直流抵抗値Rd2には接触抵抗値Rcが含まれている。
In this case, as described above, in the resistance measurement by the two-terminal method using the two
続いて、処理部17は、第2測定部12を制御して、予め規定された時間間隔で第2測定処理を複数回(例えば、3回)に実行させ、各第2測定処理で測定された各直流抵抗値Rd2を記憶部14に記憶させる。
Subsequently, the
次いで、処理部17は、第2測定部12を制御して、第3測定処理を実行させる(ステップ55)。この第3測定処理では、第2測定部12は、図3に示すように、インダクタ素子100の端子101a,101bにプローブ32a,32bをそれぞれ接触させた状態で、電流出力部12aが、交流電流を出力してプローブ32a,32bを介してインダクタ素子100に供給する。続いて、電圧検出部12bが、端子101a,101b間の交流電圧値をプローブ32a,32bを介して検出する。次いで、第2測定部12は、交流電圧値(電圧実効値)、供給している交流電流の交流電流値(電流実効値)、および交流電圧と交流電流との位相差に基づいてインダクタ素子100の交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを測定する。続いて、処理部17は、測定された交流抵抗値Raおよびインダクタンス値Lを記憶部14に記憶させる。
Next, the
次いで、処理部17は、第2測定部12を制御して、上記した第2測定処理(第3測定処理の実行後の第2測定処理)を実行させる(ステップ56)。この場合、処理部17は、予め規定された時間間隔で第2測定処理を複数回(例えば、3回)に実行させ、各第2測定処理で測定された各直流抵抗値Rd2を記憶部14に記憶させる。
Next, the
続いて、処理部17は、算出処理70を実行する(ステップ57)。この算出処理70では、処理部17は、図5に示すように、記憶部14に記憶されている各直流抵抗値Rd2を読み出し、その中から最小の直流抵抗値Rd2(以下、最小の直流抵抗値Rd2を「直流抵抗値Rd2s」ともいう)を特定する(ステップ71)。
Subsequently, the
次いで、処理部17は、記憶部14に記憶されている直流抵抗値Rd1を読み出して、直流抵抗値Rd2sと直流抵抗値Rd1との差分値Rm(Rd2s−Rd1)を算出する(ステップ72)。この場合、上記したように、直流抵抗値Rd2sには接触抵抗値Rcが含まれ、直流抵抗値Rd1には接触抵抗値Rcが含まれていないため、差分値Rmは、接触抵抗値Rcに相当する。
Next, the
続いて、処理部17は、記憶部14に記憶されている設定値Rrを読み出して、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいか否かを判別する(ステップ73)。この場合、先端部が摩耗したり酸化したりしていない良好な状態のプローブ32a,32bを使用したときに通常生じる接触抵抗値Rcの上限値が設定値Rrとして予め設定されている。
Subsequently, the
処理部17は、ステップ73において、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいと判別したときには、記憶部14に記憶されている係数Kcを読み出して、差分値Rmに係数Kcを乗算した補正値Rm’(Rm×Kc)を算出する(ステップ74)。この場合、係数Kcは、0以上1以下の範囲で任意に規定される。なお、係数Kcを1に規定する(つまり、補正値Rm’を差分値Rmとする)ことで、差分値Rmをそのまま用いて後述する交流抵抗値Raの補正を行うことができ、係数Kcを0に規定する(つまり、補正値Rm’を0とする)ことで、交流抵抗値Raの補正を行わないことができる。
When the
次いで、処理部17は、記憶部14に記憶されている交流抵抗値Raを読み出して、交流抵抗値Raから補正値Rm’を減算して補正した補正抵抗値Ra’を算出する補正処理を実行する(ステップ75)。この場合、補正値Rm’は、上記したように、接触抵抗値Rcに相当する差分値Rmに係数Kcを乗算した値であるため、交流抵抗値Raから補正値Rm’を減算することで、交流抵抗値Raから接触抵抗値Rcに相当する抵抗値、または接触抵抗値Rcよりも小さい抵抗値を除外することができる。
Next, the
続いて、処理部17は、補正抵抗値Ra’を用いてインダクタ素子100のQ値を算出する(ステップ76)。この場合、Q値の算出値をQcとし、第3測定処理における交流電流の角周波数をωとし、インダクタ素子100のインダクタンス値をLとすると、Qc=ωL/Ra’となる。
Subsequently, the
ここで、例えば、図6に示すように、インダクタ素子100や検査装置1の電気的特性、および測定環境等に起因して、接触抵抗値Rcが時間経過に伴って変化(同図の例では、時間経過に伴って減少)するときには、交流抵抗値Raを測定した時刻(第3測定処理を実行した時刻)と、直流抵抗値Rd2を測定した時刻(第2測定処理を実行した時刻)とが異なるため、直流抵抗値Rd2に含まれる接触抵抗値Rcと交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcとが異なることとなる。この場合、交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcよりも大きい接触抵抗値Rcを含んだ直流抵抗値Rd2(同図の例では、第3測定処理以前に実行した第2測定処理で測定した直流抵抗値Rd2)と直流抵抗値Rd1との差分値Rmに基づく補正値Rm’で交流抵抗値Raを補正したときには、補正後の補正抵抗値Ra’が、接触抵抗値Rcを含まないインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となることがあり、このような補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcは、インダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となる。このため、第2測定処理を1回だけ実行して測定した直流抵抗値Rd2を用いる構成および方法では、その直流抵抗値Rd2に含まれる接触抵抗値Rcが交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcよりも大きいときには、Q値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100を良品と誤判定するおそれがある。
Here, for example, as shown in FIG. 6, the contact resistance value Rc changes with the passage of time due to the electrical characteristics of the
これに対して、この検査装置1では、上記したように、第3測定処理の実行前後で第2測定処理を実行し、各第2測定処理で測定した各直流抵抗値Rd2の中の最小の直流抵抗値Rd2と直流抵抗値Rd1との差分値Rmに基づく補正値Rm’で交流抵抗値Raを補正する。このため、この検査装置1では、補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となって、Q値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となり、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100が良品と誤判定される事態を確実に防止することが可能となっている。
On the other hand, in this inspection device 1, as described above, the second measurement process is executed before and after the execution of the third measurement process, and the minimum of the DC resistance values Rd2 measured in each second measurement process is the smallest. The AC resistance value Ra is corrected by the correction value Rm'based on the difference value Rm between the DC resistance value Rd2 and the DC resistance value Rd1. Therefore, in this inspection device 1, the correction resistance value Ra'is smaller than the actual AC resistance value Ra of the
一方、処理部17は、上記したステップ73において差分値Rmが設定値Rr以下であると判別したときには、ステップ74,75を実行することなく、補正処理前の交流抵抗値Raを用いてインダクタ素子100のQ値を算出する(ステップ76)。つまり、この検査装置1では、良好な状態のプローブ32a,32bを使用したときの接触抵抗値Rcである設定値Rrよりも差分値Rmの方が大きく、交流抵抗値Raを補正する必要性が高いときに補正処理を行い、差分値Rmが設定値Rr以下で、交流抵抗値Raを補正する必要性が低いときには補正処理を行わない構成および方法が採用されている。
On the other hand, when the
次いで、処理部17は、Q値の算出値Qcを記憶部14に記憶させると共に、表示部15に表示させて算出処理70を終了し、続いて、図4に示す検査処理50のステップ58を実行する。このステップ58では、処理部17は、記憶部14に記憶されている算出値Qcおよび基準値Qrを読み出して、算出値Qcと基準値Qrとを比較する。この場合、処理部17は、算出値Qcが基準値Qr以上のときには、インダクタ素子100を良品と判定し、算出値Qcが基準値Qr未満のときには、インダクタ素子100を不良品と判定する。次いで、処理部17は、検査結果(判定結果)を表示部15に表示させる。
Next, the
続いて、処理部17は、搬送機構16を制御して、インダクタ素子100を測定位置P2から搬出位置に搬送させて(ステップ59)、検査処理50を終了する。
Subsequently, the
このように、この処理装置、検査装置1および処理方法では、第2測定処理を第3測定処理の実行前後に実行し、各第2測定処理によって測定された各直流抵抗値Rd2の中の最も小さい直流抵抗値Rd2と第1測定処理によって測定された直流抵抗値Rd1との差分値を用いて交流抵抗値Raを補正し、補正した補正抵抗値Ra’を用いてQ値を算出する。この場合、第2測定処理を1回だけ実行して測定した直流抵抗値Rd2を用いてQ値を算出する構成および方法では、接触抵抗値Rcが時間経過に伴って変化する場合において、その直流抵抗値Rd2に含まれる接触抵抗値Rcが交流抵抗値Raに含まれる接触抵抗値Rcよりも大きいときには、その直流抵抗値Rd2を用いて補正した補正抵抗値Ra’が、インダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さい値となり、この補正抵抗値Ra’を用いて算出したQ値の算出値Qcがインダクタ素子100の実際のQ値よりも大きな値となる結果、実際にはQ値が小さい不良のインダクタ素子100を良品と誤判定するおそれがある。これに対して、この処理装置、検査装置1および処理方法では、第3測定処理の実行前後で実行した各第2測定処理において測定した各直流抵抗値Rd2の中の最小の直流抵抗値Rd2を用いるため、補正した補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さな値となることを回避することができる結果、Q値の算出値Qcが実際のQ値よりも大きな値となる事態を確実に防止することができる。したがって、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、Q値を用いたインダクタ素子100の良否検査における検査精度を十分に向上させることが可能なQ値を算出することができる。
As described above, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, the second measurement process is executed before and after the execution of the third measurement process, and the most of the DC resistance values Rd2 measured by each of the second measurement processes. The AC resistance value Ra is corrected by using the difference value between the small DC resistance value Rd2 and the DC resistance value Rd1 measured by the first measurement process, and the Q value is calculated by using the corrected corrected resistance value Ra'. In this case, in the configuration and method of calculating the Q value using the DC resistance value Rd2 measured by executing the second measurement process only once, the DC resistance value Rc changes with the passage of time. When the contact resistance value Rc included in the resistance value Rd2 is larger than the contact resistance value Rc included in the AC resistance value Ra, the corrected resistance value Ra'corrected using the DC resistance value Rd2 is the actual correction resistance value Ra'of the
また、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、第3測定処理の実行前および第3測定処理の実行後において第2測定処理をそれぞれ複数回実行することにより、接触抵抗値Rcが不規則に変化する場合においても、第2測定処理の実行回数を多くして、各第2測定処理で測定した直流抵抗値Rd2の中の最小の直流抵抗値Rd2を用いることで、Q値の算出値Qcが実際のQ値よりも大きな値となる事態をより確実に防止することができる。 Further, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, the contact resistance value Rc is increased by executing the second measurement process a plurality of times before the execution of the third measurement process and after the execution of the third measurement process. Even in the case of irregular changes, the Q value can be calculated by increasing the number of executions of the second measurement process and using the smallest DC resistance value Rd2 among the DC resistance values Rd2 measured in each second measurement process. It is possible to more reliably prevent a situation in which the calculated value Qc becomes a value larger than the actual Q value.
また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、補正処理において、差分値Rmに0以上1以下の係数Kcを乗じて得た補正値Rm’を交流抵抗値Raから差し引いて交流抵抗値Raを補正する。この場合、補正値Rm’で補正した補正抵抗値Ra’は、差分値Rmで補正した補正抵抗値Ra’よりも小さな値となることがない。このため、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、補正抵抗値Ra’がインダクタ素子100の実際の交流抵抗値Raよりも小さな値となることを確実に回避することができる結果、Q値の算出値Qcが実際のQ値よりも大きな値となる事態をさらに確実に防止することができる。
Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, in the correction processing, the correction value Rm'obtained by multiplying the difference value Rm by a coefficient Kc of 0 or more and 1 or less is subtracted from the AC resistance value Ra to obtain the AC resistance value Ra. To correct. In this case, the correction resistance value Ra'corrected by the correction value Rm'is not smaller than the correction resistance value Ra'corrected by the difference value Rm. Therefore, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, it is possible to surely prevent the correction resistance value Ra'being smaller than the actual AC resistance value Ra of the
また、この処理装置、検査装置1および処理方法では、差分値Rmが予め設定された設定値Rrよりも大きいときに補正処理を実行して補正した補正抵抗値Ra’を用いてQ値を算出し、差分値Rmが設定値Rr以下のときには補正処理前の交流抵抗値Raを用いてQ値を算出する。このため、この処理装置、検査装置1および処理方法によれば、例えば、良好な状態のプローブ32a,32bを使用したときに通常生じる接触抵抗値Rcの上限値を設定値Rrとして設定することで、差分値Rmが設定値Rrよりも大きく、交流抵抗値Raを補正する必要性が高いときだけ補正処理を行い、差分値Rmが設定値Rr以下で、交流抵抗値Raを補正する必要性が低いときには、補正処理を行わないようにすることができるため、必要性が低い補正によって実際のQ値よりも大きな算出値Qcが算出される事態を一層確実に防止することができる。
Further, in this processing device, the inspection device 1, and the processing method, when the difference value Rm is larger than the preset set value Rr, the correction process is executed and the corrected resistance value Ra'is used to calculate the Q value. Then, when the difference value Rm is equal to or less than the set value Rr, the Q value is calculated using the AC resistance value Ra before the correction process. Therefore, according to the processing device, the inspection device 1, and the processing method, for example, by setting the upper limit value of the contact resistance value Rc that normally occurs when the
なお、処理装置、検査装置1および処理方法は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、第3測定処理の実行前後において第2測定処理をそれぞれ複数回実行する例について上記したが、第3測定処理の実行前および第3測定処理の実行後のいずれか一方において第2測定処理を複数回実行し、他方において1回実行する構成および方法を採用することもできる。また、第3測定処理の実行前後において第2測定処理をそれぞれ1回だけ回実行する構成および方法を採用することもできる。 The processing device, the inspection device 1, and the processing method are not limited to the above configurations and methods. For example, the example in which the second measurement process is executed a plurality of times before and after the execution of the third measurement process has been described above, but the second measurement process is performed either before the execution of the third measurement process or after the execution of the third measurement process. It is also possible to adopt a configuration and method in which the above is executed a plurality of times and the other is executed once. Further, it is also possible to adopt a configuration and method in which the second measurement process is executed only once before and after the execution of the third measurement process.
また、算出処理70において、差分値Rmに係数Kcを乗算して補正値Rm’を算出し、補正値Rm’で交流抵抗値Raを補正する例について上記したが、係数Kcを乗算する処理を行わずに、差分値Rmをそのまま用いて交流抵抗値Raを補正する構成および方法を採用することもできる。
Further, in the
また、算出処理70において、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいか否かを判別し、差分値Rmが設定値Rrよりも大きいときにのみ補正処理を実行する構成および方法について上記したが、この判別処理を行わずに、常に補正処理を実行する構成および方法を採用することもできる。
Further, in the
また、搬送機構16を備えてインダクタ素子100を自動的に搬送する検査装置1に適用した例について上記したが、搬送機構16を備えずに、手動で搬送したインダクタ素子100を検査する検査装置に適用することもできる。また、第1測定部11および第2測定部12が移動機構を備えて、移動機構によってプローブ31a〜31dやプローブ32a,32bをインダクタ素子100の端子101a,101bに接触させる例について上記したが、プローブ31a〜31dやプローブ32a,32bを端子101a,101bに手動で接触させる構成および方法を採用することもできる。
Further, although the example applied to the inspection device 1 provided with the conveying
また、Q値に基づいてインダクタ素子100を検査する検査装置1に適用した例について上記したが、検査機能を有していない(Q値を算出する機能のみを有する)処理装置に適用することもできる。
Further, although the example applied to the inspection device 1 that inspects the
また、測定対象は、上記したインダクタ素子100に限定されず、良否検査にQ値を用いる各種の電子部品を測定対象とすることができる。
Further, the measurement target is not limited to the above-mentioned
1 検査装置
11 第1測定部
12 第2測定部
17 処理部
100 インダクタ素子
Kc 係数
L インダクタンス値
Qc 算出値
Ra 交流抵抗値
Ra’ 補正抵抗値
Rd1 直流抵抗値
Rd2 直流抵抗値
Rd2s 直流抵抗値
Rm 差分値
Rr 設定値
1 Inspection device 11
Claims (6)
前記第2測定部は、前記第2測定処理を前記第3測定処理の実行前後に実行し、
前記処理部は、前記各第2測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第1測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する処理装置。 The first measuring unit that executes the first measurement process that measures the DC resistance value of the measurement target by the 4-terminal method, the second measurement process that measures the DC resistance value of the measurement target by the 2-terminal method, and the measurement target The second measuring unit that executes the third measurement process that measures the AC resistance value and the inductance value by the two-terminal method, and the Q value of the measurement target based on each of the DC resistance values, the AC resistance value, and the inductance value. It is a processing device provided with a processing unit that executes a calculation process for calculating.
The second measurement unit executes the second measurement process before and after the execution of the third measurement process.
The processing unit obtains a difference value between the minimum DC resistance value among the DC resistance values measured by each of the second measurement processes and the DC resistance value measured by the first measurement process. A processing device that executes a correction process for correcting the AC resistance value using the difference value, and executes the calculation process using the correction resistance value corrected by the correction process.
前記第2測定処理を前記第3測定処理の実行前後に実行し、
前記各第2測定処理によって測定された前記各直流抵抗値の中の最小の直流抵抗値と前記第1測定処理によって測定された前記直流抵抗値との差分値を求め、当該差分値を用いて前記交流抵抗値を補正する補正処理を実行し、当該補正処理によって補正した補正抵抗値を用いて前記算出処理を実行する処理方法。 The first measurement process for measuring the DC resistance value of the measurement target by the 4-terminal method, the second measurement process for measuring the DC resistance value of the measurement target by the 2-terminal method, and the AC resistance value and inductance value of the measurement target, respectively. It is a processing method that executes a third measurement process that measures by the two-terminal method, and executes a calculation process that calculates the Q value of the measurement target based on the DC resistance value, the AC resistance value, and the inductance value. ,
The second measurement process is executed before and after the execution of the third measurement process.
The difference value between the minimum DC resistance value among the DC resistance values measured by each of the second measurement processes and the DC resistance value measured by the first measurement process is obtained, and the difference value is used. A processing method in which a correction process for correcting an AC resistance value is executed, and the calculation process is executed using the correction resistance value corrected by the correction process.
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