KR102008883B1 - 전자재료용 세정액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 1,2-디메틸이미다졸, 1-이소프로필-2-메틸이미다졸 및 1-벤질-2-메틸이미다졸으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 이미다졸 유도체 화합물, 산성 화합물 및 물을 포함함으로써, 금속막질 또는 금속배선에 대한 부식 방지 효과가 우수한 전자재료용 세정액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 전자재료용 세정액 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자재료 제조 중에 발생하는 오염물의 제거 및 포토레지스트의 박리에 사용될 수 있는 조성물에 관한 것이다.
반도체 디바이스, FPD와 같은 액정디스플레이 등에 사용되는 전자재료는 다양한 공정을 거쳐 제작되며, 구체적인 예로서, 성막, 노광, 배선 에칭 등의 공정을 거쳐 제조되며, 이러한 공정 중, 기판 표면에 각종의 유기물이나 무기물 등의 크기가 1㎛ 이하인 파티클(Particle)이 부착되어 기판의 오염을 야기한다. 이러한 오염물이 부착한 채로, 다음의 공정 처리를 실시했을 경우, 막의 핀홀이나 피트, 배선의 단선이나 브릿지(Bridge)가 발생하여, 제품의 제조 수율을 크게 저하시킨다. 따라서 이러한 오염물을 제거하기 위한 세정이 각 공정간에 행해지고 있으며, 이를 위한 다양한 세정액이 소개되고 있다.
일본공개특허 제2002-184743호는 하나 이상의 다가 알콜, 물, 하나 이상의 수혼화성 아민 및 하나 이상의 극성 용매를 포함하는, 기판으로부터 중합체 물질을 제거하기 위한 조성물을 개시하고 있다. 하지만, 상기 조성물은 금속배선의 부식을 야기하는 단점이 있다.
힌국출원특허 제10-2001-0015565호는 폴리올 화합물, 글리콜 에테르, 5 중량% 이상의 물, 플루오라이드 염, 및 첨가제를 포함하는, 기판으로부터 중합체 물질을 제거하기 위한 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 조성물은 다량의 폴리올을 사용하기 때문에 세정액 사용 후 물로 린스할 때 린스성이 떨어지고, 조성물에 포함되는 플루오라이드 염은 장기 사용시 석출의 문제를 야기하며, 금속배선을 부식시키는 문제도 야기한다.
힌국출원특허 제10-2006-0076073호는 1종 이상의 폴리올 화합물, 1종 이상의 글리콜 에테르 용매, N-메틸피롤 리돈 및 1종 이상의 부식 억제제를 포함하고, 실질적으로 워터-프리(water-free)인, 기판으로부터 중합체 재료를 제거하기 위한 조성물을 개시하고 있다. 그러나, 상기 조성물은 다량의 유기용매를 사용함으로써 환경적으로 바람직하지 않을 뿐만 아니라, 금속배선의 부식 방지성능이 충분치 못한 단점이 있다.
본 발명은 전자재료 등을 제작하는 공정에서 유리기판 또는 금속막질을 오염시키는 유기 오염물이나 파티클의 제거력 및 유리기판 또는 금속막에 존재하는 포토레지스트의 박리능이 우수할 뿐만 아니라, 금속 배선의 부식 방지 성능이 우수한 전자재료용 세정액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 1,2-디메틸이미다졸, 1-이소프로필-2-메틸이미다졸 및 1-벤질-2-메틸이미다졸으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 이미다졸 유도체 화합물, 산성 화합물 및 물을 포함하는 전자재료용 세정액 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 산성 화합물은 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물인, 전자재료용 세정액 조성물.
3. 위 2에 있어서, 상기 무기산은 인산, 질산, 황산 및 염산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
4. 위 2에 있어서, 상기 유기산은 포름산, 아세트산, 프로판산, 낙산, 길초산, 벤조산, 아니스산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 프탈산, 살리실산, 글리콜산, 젖산, 말산, 시트르산, 메탄술폰산 및 파라톨루엔술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
5. 위 1에 있어서, 상기 이미다졸 유도체 화합물 0.01 내지 10중량%, 상기 산성 화합물 5 내지 30중량% 및 잔량의 물을 포함하는, 전자재료용 세정액 조성물.
6. 위 5에 있어서, 함불소 화합물 0.01 내지 10중량%를 더 포함하는, 전자재료용 세정액 조성물.
7. 위 6에 있어서, 상기 함불소 화합물은 불산, 암모늄 플루오라이드, 암모늄바이플루오라이드, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 데트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드 및 벤질트리메틸암모늄플루오라이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
8. 위 5 내지 7 중 어느 한 항에 있어서, 수용성 유기용매 1 내지 50중량% 를 더 포함하는, 전자재료용 세정액 조성물.
9. 위 8에 있어서, 상기 수용성 유기용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논, γ-부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
본 발명의 전자재료용 세정액 조성물은 전자재료 등의 유리기판 또는 금속막질 표면에 존재하는 유기 오염물 및 파티클의 제거력이 우수하며, 유리기판 또는 금속막질 표면에 존재하는 포토레지스트의 박리에도 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 전자재료용 세정액 조성물은 기판상에 형성되어 있는 금속막질 및 금속배선 등에 대한 부식 방지 효과가 우수하다. 특히, Cu, Co, Ru, Pd, W, Ti 등의 전이금속, 전이금속을 포함하는 합금, 금속산화물, 금속질화물, 규소화합물, 규소산화물에 대한 부식 방지 효과가 탁월하다.
본 발명은 1,2-디메틸이미다졸, 1-이소프로필-2-메틸이미다졸 및 1-벤질-2-메틸이미다졸으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 이미다졸 유도체 화합물, 산성 화합물 및 물을 포함함으로써, 금속막질 또는 금속배선에 대한 부식 방지 효과가 우수한 전자재료용 세정액 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명의 전자재료용 세정액 조성물은 이미다졸 유도체 화합물, 산성 화합물 및 물을 포함한다.
본 발명에 따른 이미다졸 유도체 화합물은 1,2-디메틸이미다졸, 1-이소프로필-2-메틸이미다졸 및 1-벤질-2-메틸이미다졸으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 상기 특정한 이미다졸 유도체 화합물은 반도체 공정 등에 사용되는 금속막, 금속배선 등에 사용되는 금속에 대한 부식 방지 효과가 탁월하다.
상기 이미다졸 유도체 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위에서 금속의 부식 방지 효과가 가장 우수하게 나타날 수 있다. 상기 범위보다 과량으로 포함되는 경우 세정력 및 박리능이 감소할 수도 있으며, 일부 금속의 식각량이 증가할 가능성이 있을 수도 있다.
본 발명에 따른 산성 화합물은 세정 대상 물품의 표면에 잔류하는 불순물들을 분해 또는 용해하는 기능을 한다. 산성화합물은 산성이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
무기산의 보다 구체적인 예로는 인산, 질산, 황산 및 염산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 들 수 있다.
유기산의 보다 구체적인 예로는 카르복실산, 술폰산 등을 들 수 있으며, 카르복실산은 포름산, 아세트산, 프로판산, 낙산, 길초산, 벤조산, 아니스산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 프탈산, 살리실산, 글리콜산, 젖산, 말산, 시트르산 등을 예로 들 수 있고, 술폰산으로는 메탄술폰산 및 파라톨루엔술폰산 등을 예로 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합되어 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 산성 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 30중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위에서 세정력 및 박리능이 가장 우수하게 나타날 수 있다. 상기 범위보다 과량으로 포함되는 경우 세정력 및 박리능이 감소할 수도 있으며, 일부 금속의 식각량이 증가할 가능성이 있을 수도 있다.
본 발명에 따른 물은 각 성분을 용해하고 전체 조성을 조절하며, 전체 조성물의 잔량은 물이 차지한다. 바람직하게는 상기 성분들이 전술한 함량 범위를 갖도록 조절한다.
물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 반도체 공정용의 물로서, 비저항값이 18㏁·cm이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
선택적으로, 본 발명의 세정액 조성물은 함불소 화합물을 더 포함할 수도 있다. 함불소 화합물은 산성 화합물과 함께 세정 대상 물품의 표면에 잔류하는 불순물들을 분해하는 기능을 한다.
함불소 화합물의 구체적인 예를 들면 불산, 암모늄 플루오라이드, 암모늄바이플루오라이드, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 데트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드, 벤질트리메틸암모늄플루오라이드 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
함불소 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 10중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 세정력 및 박리능이 가장 우수하게 나타날 수 있다. 상기 범위보다 과량으로 포함되는 경우 세정력 및 박리능이 감소할 수도 있으며, 일부 금속의 식각량이 증가할 가능성이 있을 수도 있다.
선택적으로, 본 발명의 세정액 조성물은 수용성 유기용매를 더 포함할 수도 있다. 수용성 유기용매는 물과 함께 불순물들을 용해 또는 분산시키는 기능을 한다.
수용성 유기용매의 구체적인 예를 들면, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논, γ-부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
수용성 유기용매는 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 50중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 세정력 및 박리능이 가장 우수하게 나타날 수 있으며, 상기 범위보다 과량으로 포함되는 경우 세정력 및 박리능이 감소할 수도 있으며, 일부 성분의 석출이 발생할 가능성이 있을 수도 있다.
본 발명의 전자재료용 세정액 조성물은 필요에 따라 당분야에 공지된 첨가제를 더 포함할 수도 있다. 이러한 첨가제로는 예를 들면 계면활성제, 킬레이트제 등을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예
하기 표 1에 기재된 조성으로 세정액 조성물을 제조하였다(단위 중량%).
| 산성화합물 | 함불소화합물 | 물 (H2O) |
유기용매 | 부식방지제 | ||||||||
| MSA | H3PO4 | HF | AF | DMSO | IZ | MPIZ | MBIZ | DMIZ | IPMIZ | BMIZ | ||
| 실시예-1 | 12 | - | - | - | 86 | - | - | - | - | 2 | - | - |
| 실시예-2 | - | 15 | - | - | 83 | - | - | - | - | - | 2 | - |
| 실시예-3 | - | - | 0.8 | - | 95.2 | - | - | - | - | - | 4 | - |
| 실시예-4 | 10 | - | - | - | 51 | 35 | - | - | - | - | 4 | - |
| 실시예-5 | - | 12 | 46 | 40 | - | - | - | 2 | - | - | ||
| 실시예-6 | - | - | 0.5 | - | 59.5 | 38 | - | - | - | - | - | 2 |
| 실시예-7 | 8 | - | - | 5 | 83 | - | - | - | - | - | - | 4 |
| 실시예-8 | - | 12 | - | 4 | 82 | - | - | - | - | - | 2 | - |
| 실시예-9 | - | - | 0.7 | 2 | 95.3 | - | - | - | - | - | 2 | - |
| 실시예-10 | 2 | 5 | - | 4 | 87 | - | - | - | - | - | 2 | - |
| 실시예-11 | 4 | 4 | - | 3 | 47 | 38 | - | - | - | 4 | - | - |
| 실시예-12 | 4 | - | 0.5 | - | 58.5 | 35 | - | - | - | - | 2 | - |
| 실시예-13 | 3 | 3 | - | 5 | 65 | 20 | - | - | - | - | 4 | - |
| 실시예-14 | 2 | 2 | - | 4 | 60 | 20 | - | - | - | - | - | 12 |
| 비교예-1 | 15 | - | - | - | 83 | - | 2 | - | - | - | - | - |
| 비교예-2 | 1 | 17 | - | - | 79 | - | - | 4 | - | - | - | - |
| 비교예-3 | 8 | - | - | - | 51 | 40 | - | - | 1 | - | - | - |
| 비교예-4 | - | 8 | 0.5 | - | 55.5 | 35 | - | - | 1 | - | - | - |
| 비교예-5 | - | 10 | 6 | 45 | 35 | 4 | - | - | - | - | ||
| 비교예-6 | - | - | 0.5 | 2 | 55.5 | 40 | - | - | 2 | - | - | - |
| 비교예-7 | - | - | 0.5 | 2 | 93.5 | - | 4 | - | - | - | - | - |
| 비교예-8 | 2 | 2 | - | 4 | 90 | - | - | 2 | - | - | - | - |
| - MSA: 메탄술폰산 - AF: 암모늄플루오라이드 - DMSO: 디메틸술폭사이드 - IZ: 이미다졸 - MPIZ: 2-메르캅토벤즈이미다졸 - MBIZ: 4-메틸-2-페닐이미다졸 - IPMIZ: 1-이소프로필-2-메틸이미다졸 - BMIZ: 1-벤질-2-메틸이미다졸 |
||||||||||||
시험예
1. 세정력 평가
유기/무기 잔류물이 존재하는 wafer 기판을 2cmX2cm 크기로 절단한 후, 상기 제조된 실시예 및 비교예들의 세정액 조성물에 2분간 침지하였다. 상기 세정액의 온도는 25℃이고, 침지 후, 탈이온수를 사용하여 1분 동안 린스를 실시하고, 기판을 완전히 건조시켰다.
이후, 세정 전 잔류물 대비 세정 후 잔존하는 잔류물의 비율로 하기 평가 기준에 따라 SEM을 사용하여 평가한 후, 그 결과를 하기 표 2 및 표 3에 나타내었다.
[평가기준]
◎: 0 ~ 5% 미만
○: 5% 이상 ~ 10% 미만
△: 10% 이상 ~ 30% 미만
×: 30% 이상 ~ 100% 이하
2.
부식방지성
평가
평가대상 금속막이 500Å 두께로 도포된 실리콘 wafer 기판을 2cmX2cm 크기로 절단한 후, 상기 제조된 실시예 및 비교예의 세정액에 각각 10분간 침지하였다. 이때, 상기 세정액의 온도는 25℃이고, 침지 후, 상기와 탈이온수를 사용하여 1분 동안 린스를 실시하고, 기판을 완전히 건조시켰다.
상기 wafer 기판에 도포된 평가대상 금속막의 두께를 침지 전후로 SEM을 사용하여 측정하고, 각각의 식각속도를 두께 변화로부터 계산하여 측정하고, 그에 대한 평가를 하기 표 2 및 표 3에 나타내었다.
| 세정력 | 식각 속도(Å/min) | ||||
| Co | CoSix | SiOx | SiN | ||
| 실시예-1 | ○ | 1.8 | 2.8 | 0.0 | 0.0 |
| 실시예-2 | ○ | 1.0 | 1.3 | 0.0 | 0.0 |
| 실시예-3 | ○ | 0.0 | 1.0 | 13.5 | 0.0 |
| 실시예-4 | ◎ | 0.0 | 1.5 | 12.0 | 1.0 |
| 실시예-5 | ◎ | 4.0 | 5.5 | 42.0 | 5.1 |
| 실시예-6 | ◎ | 5.8 | 7.5 | 35.4 | 3.5 |
| 실시예-7 | ◎ | 3.5 | 4.0 | 24.3 | 2.2 |
| 실시예-8 | ◎ | 2.8 | 4.3 | 25.5 | 2.0 |
| 실시예-9 | ○ | 2.5 | 3.0 | 23.5 | 2.6 |
| 실시예-10 | ◎ | 6.2 | 8.0 | 20.5 | 1.8 |
| 실시예-11 | ◎ | 3.8 | 4.5 | 28.7 | 2.5 |
| 실시예-12 | ◎ | 3.0 | 5.4 | 25.5 | 2.0 |
| 실시예-13 | ◎ | 0.0 | 2.0 | 18.2 | 1.5 |
| 실시예-14 | ○ | 10.5 | 12.5 | 10.2 | 1.0 |
| 세정력 | 식각 속도(Å/min) | ||||
| Co | CoSix | SiOx | SiN | ||
| 비교예-1 | ○ | 45.5 | 63.3 | 0.0 | 0.0 |
| 비교예-2 | ○ | 38.0 | 54.0 | 0.0 | 0.0 |
| 비교예-3 | ◎ | 37.0 | 51.5 | 0.0 | 0.0 |
| 비교예-4 | ◎ | 63.4 | 58.0 | 109.5 | 20.8 |
| 비교예-5 | ◎ | 35.5 | 49.2 | 115.0 | 25.2 |
| 비교예-6 | ◎ | 75.2 | 79.5 | 125.0 | 21.3 |
| 비교예-7 | ○ | 62.5 | 75.0 | 158.0 | 32.5 |
| 비교예-8 | ◎ | 42.0 | 53.0 | 112.5 | 22.5 |
표 2 및 표 3을 참고하면, 실시예들의 경우에는 비교예들에 비하여 금속막의 식각량이 현저하게 낮음을 확인할 수 있다. 특히 비교예들의 경우 세정력은 충분히 발휘하는 것들이 있었으나, 금속막에 대한 식각 정도가 큰 문제가 있음을 확인하였다.
한편, 1-벤질-2-메틸이미다졸이 다소 과량으로 첨가된 실시예 14의 경우에는 코발트계 금속막의 부식방지성이 다소 저하되는 것을 확인하였다.
Claims (9)
1,2-디메틸이미다졸, 1-이소프로필-2-메틸이미다졸 및 1-벤질-2-메틸이미다졸으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 이미다졸 유도체 화합물, 산성 화합물 및 물을 포함하며,
상기 이미다졸 유도체 화합물 0.01 내지 10중량%, 상기 산성 화합물 5 내지 30중량% 및 잔량의 물을 포함하는 전자재료용 세정액 조성물.
상기 이미다졸 유도체 화합물 0.01 내지 10중량%, 상기 산성 화합물 5 내지 30중량% 및 잔량의 물을 포함하는 전자재료용 세정액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 산성 화합물은 무기산, 유기산 또는 이들의 혼합물인, 전자재료용 세정액 조성물.
청구항 2에 있어서, 상기 무기산은 인산, 질산, 황산 및 염산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
청구항 2에 있어서, 상기 유기산은 포름산, 아세트산, 프로판산, 낙산, 길초산, 벤조산, 아니스산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레산, 푸마르산, 프탈산, 살리실산, 글리콜산, 젖산, 말산, 시트르산, 메탄술폰산 및 파라톨루엔술폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
삭제
청구항 1에 있어서, 함불소 화합물 0.01 내지 10중량%를 더 포함하는, 전자재료용 세정액 조성물.
청구항 6에 있어서, 상기 함불소 화합물은 불산, 암모늄플루오라이드, 암모늄바이플루오라이드, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 데트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드 및 벤질트리메틸암모늄플루오라이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
청구항 6 내지 7 중 어느 한 항에 있어서, 수용성 유기용매 1 내지 50중량% 를 더 포함하는, 전자재료용 세정액 조성물.
청구항 8에 있어서, 상기 수용성 유기용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-2-이미다졸리디논, γ-부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인, 전자재료용 세정액 조성물.
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