KR102002475B1 - 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법 및 흡착부재를 제조하기 위한 기반부재 셋트 - Google Patents

반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법 및 흡착부재를 제조하기 위한 기반부재 셋트 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 칩을 흡착하기 위한 흡착부를 갖는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법은, 각각 다른 형상을 갖는 여러 타입의 기반부재를 준비하는 단계; 상기 기반부재의 여러 타입 중 이송하고자 하는 반도체 칩에 대응되는 타입의 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계;를 포함한다.

Description

반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법 및 흡착부재를 제조하기 위한 기반부재 셋트{MAUNFACTURING METHOD OF PADS IN SEMICONDUCTOR CHIP MOVER AND RAW PADS SETS FOR MANUFACTURING THE PADS}
본 발명은 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법 및 흡착부재를 제조하기 위한 기반부재 셋트에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 칩과 직접 접촉하여 칩을 흡착 픽업할 수 있도록 이송장치의 말단에 설치되는 흡착부재를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 칩을 생산하는 공정은 전공정과 후공정으로 나눌 수 있다. 전공정은 노광, 식각, 증착 등을 포함하며 웨이퍼에 회로를 형성하는 과정이다. 후공정은 웨이퍼를 개별 다이로 절단하는 쏘잉 공정, 다이를 리드프레임, PCB 또는 세라믹 기판 등에 부착하는 다이본딩 공정, 칩과 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어본딩 공정, 칩과 리드프레임을 합성수지로 밀봉하는 몰딩 공정 등을 포함한다. 즉, 웨이퍼를 개별칩으로 만드는 과정이다.
위의 공정은 각 공정에 대응되는 다수의 기계장비들에 의해 수행된다. 원재료가 각각의 장비를 거치면서 점차 반도체 칩이 형성된다. 반도체 칩 이송장치는 한 공정에 위치한 반도체 칩을 픽업하여 다음 공정으로 이동시켜준다.
한국공개특허 제2005-0095101호(2005.09.29출원공개)에는 반도체 칩 픽업장치가 개시된다. 이 선행문헌에 개시된 것처럼 통상적으로 반도체 칩을 픽업할 때, 저압에 의한 흡입력을 이용한다. 반도체 칩과 직접 맞닿는 픽업장치의 하단까지 저압을 부가하는 통로를 연장시켜놓는다. 그러면 음압에 의해 반도체 칩과 픽업장치가 밀착된다. 따라서 픽업장치가 이동하더라도 반도체 칩이 픽업장치의 하단에서 이탈되지 않는다. 한편, 반도체 칩과 직접 맞닿는 픽업장치의 하단부에는 흡착패드가 부착된다. 흡착패드는 픽업장치가 반도체 칩을 픽업할 때 반도체 칩에 가하는 충격을 감소시켜준다.
한국등록특허 제0760001호(2007.09.27등록공고)에는 흡착패드의 가공장치 및 가공방법이 개시된다. 이 선행문헌에 개시된 가공장치는 레이저발생장치를 포함한다. 흡착패드 가공방법으로서 피가공물에 수회 레이저를 조사하여 원하는 패턴을 형성하는 방식이 개시된다.
선행기술문헌에 개시된 흡착패드 가공방법을 활용하면 동일한 형상을 갖는 다수의 흡착부재(흡착패드)를 용이하게 제조할 수 있다. 그러나, 일반적으로 이송하려는 칩의 형상이나 크기에 대응하여 여러가지 다른 형상과 크기를 갖는 흡착부재가 필요할 수 있다. 여러 종류의 모양이나 크기를 갖는 흡착부재를 제조할 수 있는 제조방법이 필요하다.
한국공개특허 제2005-0095101호(2005.09.29출원공개) 한국등록특허 제0760001호(2007.09.27등록공고)
본 발명의 실시예들은 다양한 종류의 흡착부재를 저비용, 고효율로 생산할 수 있도록 개선된 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법 및 흡착부재를 제조하기 위한 기반부재 셋트를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 반도체 칩을 흡착하기 위한 흡착부를 갖는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법은, 각각 다른 형상을 갖는 여러 타입의 기반부재를 준비하는 단계; 상기 기반부재의 여러 타입 중 이송하고자 하는 반도체 칩에 대응되는 타입의 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계;를 포함한다.
상기 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는, 상기 반도체 칩의 크기 범위에 따라 대응하는 기반부재타입을 준비하여 이루어진다.
상기 반도체 칩 이송장치는, 저압을 발생시켜 상기 흡착부재에 공급하는 저압발생장치;를 더 포함하며, 상기 흡착부재에는, 저압발생장치에 연결되는 흡착공간이 형성되어 상기 반도체 칩을 상기 흡착부재로 이송할 때, 흡착공간에 형성되는 저압에 의해 상기 반도체 칩과 상기 흡착부재가 밀착되며, 상기 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는, 상기 기반부재에 흡착공간을 형성하여 상기 기반부재를 흡착부재로 가공하는 것을 특징으로 한다.
상기 기반 부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는, 상기 흡착공간의 크기 범위에 따라 대응하는 기반부재타입을 준비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기반부재의 내부에는, 상기 저압발생장치와 연결될 수 있는 진공인가관이 형성되며, 상기 진공인가관은 상기 기반부재의 한 쪽 끝으로부터 상기 기반부재의 다른 쪽과 일정 간격을 갖는 위치까지 연장되는 것을 특징으로 한다.
상기 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는, 상기 기반부재의 한쪽 면을 일부 제거하여 상기 진공인가관이 상기 흡착부재를 완전히 관통하도록 가공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기반부재는 몸체; 상기 몸체보다 단면적이 작으며 후가공이 이루어지는 접촉면; 상기 몸체와 상기 접촉면 사이의 경사부;를 포함하며, 상기 몸체는 상기 기반부재의 타입에 관계없이 실질적으로 동일한 형상을 가지며, 상기 경사부는 상기 기반부재의 타입에 따라 경사의 기울기가 달라서, 상기 기반부재의 타입에 따라 상기 접촉면의 면적이 차별되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 측면에 따른 기반부재 셋트는, 반도체 칩 이송장치의 흡착부재를 제조하기 위한 중간부재인 기반부재 셋트로서, 상기 흡착부재는 반도체 칩을 흡착하기 위한 흡착부를 가지며, 상기 기반부재는 상기 흡착부가 형성될 접촉면을 가지며, 상기 기반부재는 다양한 크기의 흡착부로 가공될 수 있도록 미리 정해진 복수의 타입을 가지며, 상기 기반부재는, 몸체; 상기 몸체보다 단면적이 작으며 후가공이 이루어지는 접촉면; 상기 몸체와 상기 접촉면 사이의 경사부;를 포함하며, 상기 몸체는 상기 기반부재의 타입에 관계없이 실질적으로 동일한 형상을 가지며, 상기 경사부는 상기 기반부재의 타입에 따라 경사의 기울기가 달라서, 상기 기반부재의 타입에 따라 상기 접촉면의 면적이 차별되는 것을 특징으로 한다.
이상과 같은 본 실시예에 따르면, 다양한 고객요구에 맞춰 다양한 흡착부재를 효율적으로 생산할 수 있다. 즉, 흡착부재를 다품종 소량생산할 때 요구되는 비용을 저감할 수 있고 다양한 흡착부재를 빠르게 생산할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재가 탑재된 반도체 칩 이송장치를 보인 부분단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재를 보인 사시도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재를 보인 단면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재의 기반부재를 보인 정면도,
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재의 다양한 기반부재를 보인 정면도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법을 보인 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 설명하도록 한다. 첨부된 도면은 본 발명의 예시적인 형태 를 도시한 것으로, 이는 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적 인 범위가 한정되는 것은 아니다.
또한, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응되는 구성요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복 설명 은 생략하기로 하며, 설명의 편의를 위하여 도시된 각 구성 부재의 크기 및 형상은 과장되거나 축소될 수 있다.
한편, 제1 또는 제2등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들이 상기 용어들에 의해 한정되지 않으며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별시키는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재(1)가 탑재된 반도체 칩 이송장치(60)를 보인 부분단면도, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재(1)를 보인 사시도, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재(1)를 보인 단면도, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재(1)의 기반부재(3)를 보인 정면도, 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재(1)의 다양한 기반부재(3), 즉 기반부재 셋트를 보인 정면도, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩 이송장치(60)의 흡착부재(1) 제조방법을 보인 순서도이다.
도 1 내지 도3에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 흡착부재(1)가 탑재된 반도체 칩 이송장치(60)는 다이(61)를 픽업하여 이송하는 데 활용될 수 있다. 통상적으로 반도체 웨이퍼는 원반형으로 제조된다. 원반형의 웨이퍼를 직사각형 모양의 칩으로 자르면 복수의 다이(61)가 형성된다.
반도체 칩 이송장치(60)는 섕크(63)와 흡착부재(1)를 포함한다. 섕크(63)와 흡착부재(1)는 반도체 칩 이송장치(60)의 말단에 상하좌우로 이동가능하게 설치된다. 흡착부재(1)는 섕크(63)의 하단에 형성된 탑재부(69)에 삽입설치될 수 있다. 따라서 흡착부재(1)가 섕크(63)에 의해 밀착지지되어 섕크(63)와 함께 이동할 수 있다.
섕크(63)는 반도체 칩 이송장치(60)의 소정 부위에서 하부로 연장되어 설치된다. 섕크(63)는 원통형으로 형성될 수도 있고 단면이 사각형인 직육면체로 형성될 수 있다. 섕크(63)는 알루미늄 등의 금속으로 이루어질 수 있다. 섕크(63)의 내부 중앙에는 제2저압인가관(65)이 형성된다. 제2저압인가관(65)은 원통형상을 가질 수 있다. 제2저압인가관(65)의 한 쪽 끝은 공기펌프와 같은 저압발생장치(미도시)에 연결되고 다른 쪽 끝은 흡착부재(1)에 연결될 수 있다.
흡착부재(1)는 원통형의 몸체(20)를 포함할 수 있다. 몸체(20)는 섕크(63)에 삽입되는 부위이다. 몸체(20)의 한쪽 끝에는 경사부(24)가 형성된다. 경사부(24)는 몸체(20)에서 멀어져 반대쪽으로 갈수록 단면의 직경이 감소한다.
경사부(24)의 끝에는 흡착부(10)가 형성된다. 흡착부(10)는 다이(61)와 직접 접촉하여 다이(61)를 흡착하는 부위이다. 흡착부(10)는 링 형상의 돌출부(17)를 포함한다. 돌출부(17)는 경사부(24)의 평평한 상면(25)에서 바깥쪽으로 돌출된다. 돌출부(17)의 바깥쪽 면은 다이(61)와 접촉하는 면으로서 평평하게 형성된다. 돌출부(17)의 내부에는 빈 공간으로서 원통형의 흡착공간(15)이 형성된다.
흡착부재(1)의 내부 중앙에는 제1저압인가관(22)이 형성된다. 제1저압인가관(22)은 흡착부재(1)의 한쪽끝과 다른 쪽 끝을 연결하는 관 형태의 빈공간이다. 따라서, 제1저압인가관(22)은 흡착부재(1)의 몸체(20)와 경사부(24)를 관통하여 흡착공간(15)과 연통된다. 흡착부재(1)가 섕크(63)에 탑재된 상태에서 제1저압인가관(22)과 제2저압인가관(65)이 연결될 수 있다. 저압펌프를 구동하면 제2저압인가관(65), 제1저압인가관(22), 흡착공간(15)에 저압이 형성된다.
흡착공간(15)에 저압(대기압보다 낮은 압력)이 형성된 상태에서 흡착부재(1)의 돌출부(17)와 다이(61)가 맞닿으면 다이(61)와 흡착부재(1)가 밀착된다. 이렇게 밀착된 상태에서 이송장치(60)가 다이(61)를 픽업한다. 이송장치(60)는 다이(61) 픽업 후 빠른 속도로 다음 공정으로 다이(61)를 이송할 수 있다. 이송장치(60)는 다이(61)를 다음 공정에 위치시킨 후 저압을 해제하여 다이(61)와 흡착부재(1) 사이의 밀착력을 해제할 수 있다.
한편, 흡착부재(1)는 NBR(Acrylonitrile-butadiene rubber)과 같은 합성고무, 규소수지(Silicone) 등을 소재로 선택할 수 있다. 흡착부재(1)의 소재로서 연질의 수지를 선택함으로써, 얇고 손상되기 쉬운 다이(61)에 가해지는 충격을 최소화할 수 있다.
흡착공간(15)과 돌출부(17)의 크기와 형상은 다이(61)의 크기와 모양, 음압의 정도를 고려하여 최적화할 수 있다. 일반적으로 다이(61)가 클수록 돌출부(17) 및 흡착공간(15)의 직경도 크게 형성하는 편이 좋다. 다이(61)에 비해 흡착부재(1)의 흡착공간(15)이 너무 크면 다이(61)가 흡착공간(15) 안으로 들어가 버릴 수도 있고 바로 옆의 다이(61)와 흡착부재(1)의 돌출부(17)가 간섭될 수도 있다. 다이(61)에 비해 흡착부재(1)의 흡착공간(15)이 너무 작으면 충분한 흡착력을 얻지 못해 다이(61)가 흡착부재(1)로부터 이탈될 수 있다. 또는 다이(61)의 작은 부위에만 집중되어 힘이 가해지므로 다이(61)가 충격에 의해 손상될 수도 있다.
음압을 크게 할 수 없으면 흡착공간(15)의 크기를 키워 다이(61)와 흡착부재(1) 사이의 밀착력을 키울 수도 있다. 흡착공간(15)이 직경이 넓을수록 밀착력이 강해질 수 있기 때문이다. 한편, 흡착부재(1)의 형상으로서 원통형의 몸체(20) 링형의 돌출부(17) 외에도 사각형의 몸체(20) 사각형의 돌출부(17)도 고려할 수 있다.
전체적인 픽업 시스템 환경, 다이(61)의 상태에 따라 위에서 제시한 형상 외에도 최적의 형상과 크기를 갖는 흡착부재(1)를 제공할 수 있다. 이렇게 반도체 칩의 상태나 시스템 환경에 맞춰 흡착부재(1)의 흡착부(10) 구조를 다양하게 선택하여 대응할 수 있으면 좋다.
이 때 몸체(20)의 크기와 모양은 동일하되 흡착부(10)의 구조만 다른 여러가지 흡착부재(1)를 만들 필요가 있을 수 있다. 여러 다른 시스템에서 동종의 섕크(63)를 활용하여 다양한 종류의 다이(61)를 이송하는 경우가 있을 수 있기 때문이다. 즉, 섕크(63)의 탑재부(69)는 동일하되 다이(61)는 다른 여러가지 이송장치(60)에 대응되는 다양한 흡착부재(1)가 요구될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩 이송장치(60)의 흡착부재(1) 제조방법은 이런 요구에 대응할 수 있다. 물론 섕크(63)의 탑재부(69)가 다른 여러 가지 시스템에도 활용될 수 있다.
도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩 이송장치(60)의 흡착부재(1)를 제조하기 위해 기반부재(3)를 활용한다. 기반부재(3)는 아직 가공이 완결되지 않은 중간부재이다. 이런 기반부재(3)를 다양한 형상을 갖도록 여러 종류 구비해두고 수요에 따라 후가공을 할 수 있다.
기반부재(3)는 가공이 완성된 흡착부재(1)와 형상이 거의 비슷하다. 몸체(20), 경사부(24)를 가지며, 제1저압인가관(22)이 형성된다. 차이점은 흡착부(10)의 형상이다. 기반부재(3)에는 흡착부(10)에 돌출부(17)와 흡착공간(15)이 형성되지 않는다. 흡착부(10)에 밋밋한 접촉면(11)만 형성된다. 그리고, 제1저압인가관(22)은 기반부재(3)를 완전히 관통하지 않고 접촉면(11)과 일정 간격(c)을 갖는 위치까지만 연장될 수 있다.
기반부재(3)를 이용해 다양한 크기의 다이(61)에 맞춰 다양한 크기의 흡착공간(15) 및 돌출부(17)를 갖는 흡착부재(1)를 만들 수 있다. 기반부재(3)의 흡착부(10)를 깎아내는 후가공을 실시할 때 도 5a내지 도 5c에 도시된 바와 같이 흡착공간(15)의 크기를 다양한 직경(w1, w2, w3)을 갖도록 형성할 수 있다.
그런데, 도 5b에 도시한 흡착부재(1)처럼 기반부재(3) 접촉면(11)의 직경(d1)에 비해 흡착공간(15)의 직경(w2)이 너무 작은 경우 재료를 너무 많이 깎아내므로 재료가 낭비되고 가공비용이 증가할 수 있다. 때로는 돌출부(17) 바깥쪽의 경사부 상면(25)이 너무 커서 완성된 흡착부재(1)가 다른 다이(61)를 건드리게 될 가능성이 높아질 수 있다. 따라서, 이런 경우 도 5d에 도시된 바와 같은 접촉면(11)의 직경(d2)이 더 작은 기반부재(3)를 선택하는 편이 효과적이다.
한편, 현재 선택한 기반부재(3) 접촉면(11)의 직경(d1)보다 더 큰 직경을 갖는 흡착공간(15)을 형성할 수는 없다. 이 때는 도 5e에 도시된 바와 같은 접촉면(11)의 직경(d3)이 더 큰 기반부재(3)를 선택해야 한다.
기반부재(3)를 가공하여 흡착부재(1)로 만들 때, 도 5a에 도시된 바와 같이, 돌출부(17)만 남기고 돌출부(17) 안 쪽의 흡착공간(15)을 제거할 수 있다. 그리고 돌출부(17) 바깥 쪽의 외주부(18)도 제거하여 흡착부(10)를 형성할 수 있다. 돌출부(17)가 원하는 두께(w)를 갖도록 가공하기 위해 깎아내는 외주부(18)의 크기를 조절할 수 있다. 기반부재(3)를 기계적으로 절삭가공할 수도 있고 레이저를 이용해 가공할 수도 있다. 흡착부재(1)의 다른 부위에 비해 흡착공간(15) 형성 시 정밀도가 요구되며, 가공부위가 크지 않으므로 레이저 가공을 적용하는 편이 좋다.
이상에서 본 바와 같이, 여러 가지 기반부재(3)를 준비해 두고 있다가, 원하는 흡착공간(15)의 크기에 따라 여러 기반 부재 중 최적의 크기를 갖는 기반부재(3)를 선택하여 후가공할 수 있다. 기반부재(3)의 종류가 많으면 많을수록 다양한 흡착공간(15) 크기에 최적화하여 대응할 수 있다. 그러나, 모든 경우를 대비하기 위해 너무 많은 종류의 기반부재(3)를 준비하는 것도 낭비이다. 기반부재(3)를 만드는 금형비용, 가공비용을 무시할 수 없다.
따라서, 미리 한정된 갯수의 타입을 정해놓고 그 중에서 선택하는 방법이 효율적이다. 예를 들어, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 기반부재(3)를 B 타입, 도 5d에 도시된 기반부재(3)를 A타입, 도 5e에 도시된 기반부재(3)를 C타입으로 정할 수 있다. 그리고, 필요한 흡착공간(15) 직경이 소정 범위 내에 해당할 경우 그에 대응하는 타입의 기반부재(3)를 사용하도록 정해놓을 수 있다. 경우에 따라, 다이(61) 크기 및 형상에 따라 직접 그에 대응하는 타입의 기반부재(3)를 대응시킬 수 있다.
본 실시예에서는 A타입, B타입, C타입 모두 몸체(20)의 크기는 같다. 그러나 타입에 따라 기반부재(3)의 접촉면(11)의 크기가 다르다. 따라서, 경사부(24)의 기울기가 타입에 따라 다르다. 즉, 몸체(20) 외면과 경사부(24)의 외면이 이루는 각도(a, a1, a2)가 타입에 따라 다르다.
본 발명의 실시예에 의한 기반부재(3)는 몸체(20)가 모두 동일한 경우로 상정하였으나 몸체(20)의 크기가 다른 기반부재(3)도 다종 구비하여 정밀가공하는 방법도 본 발명에서 배제하지 않는다.
흡착공간(15)이 형성되는 흡착부(10) 상부공간의 크기를 다르게 만들 수만 있다면 실시예에 명시한 방법과 다른 방법도 활용될 수 있다. 예를 들어, 몸체(20)에 비해 경사부(24)를 길게하거나 짧게 하거나 하는 방법으로도 동일한 각도(a)를 갖는 경사부(24)를 갖고 흡착부(10) 상부공간, 즉 접촉면(11)의 크기를 타입별로 다양하게 만들 수 있다.
이하에서는, 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩 이송장치(60)의 흡착부재(1) 제조방법을 설명한다.
먼저 기반부재(3)를 타입별로 준비한다(s1). 각 타입의 기반부재(3)는 서로 다른 크기와 형상의 접촉면(11)을 갖는다. 기반부재(3)는 합성수지를 소재로 활용한다. 합성수지를 성형하여 제조할 수 있다. 필요한 경우 성형 후 절삭가공할 수도 있다.
이송대상 다이(61)의 크기와 형상에 최적인 흡착공간(15)의 형상과 크기를 계산하여 결정할 수 있다. 각 타입의 기반부재(3)는 제조하려는 흡착부재(1)의 흡착공간(15) 형상과 크기범위에 대응되도록 설정되어 있다.
원하는 흡착공간(15)에 대응되는 타입의 기반부재(3)를 준비한다(s2). 이 기반부재(3)에 후가공을 실시한다. 후가공으로서 레이저가공을 선택할 수 있다. 레이저가공으로 접촉면(11)에 오목하게 흡착공간(15)을 형성한다(s3). 기반부재(3) 표면 중앙을 원통형상만큼 제거하여 흡착공간(15)을 형성한다. 마지막으로 외주부(18)를 제거한다(s4). 이로서 링형상의 돌출부(17)가 형성된다.
앞에서 도 4에 도시한 바와 같이 기반부재(3)의 제1저압인가관(22)이 간격(c)을 가질 수 있다고 했다. 이 간격(c)에 의해 제1저압인가관(22)이 기반부재(3)를 완전히 관통하지 못했다. 그러나, 도 5a에 도시된 바와 같이 흡착공간(15)을 형성하면서 이 간격(c)이 사라지고 제1저압인가관(22)이 흡착부재(1)를 관통하게 된다. 이를 위해 간격(c)은 흡착공간(15)의 깊이보다 작은 미세한 간극이 되도록 형성해야 한다. 흡착공간(15)을 정밀하게 후가공하면서 흡착공간(15)과 제1저압인가관(22)을 연통하는 작업을 간소화시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범 위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등 에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
1; 흡착부재 3; 기반부재
10; 흡착부 15; 흡착공간
20; 몸체 24; 경사부
22; 제1저압인가관

Claims (8)

  1. 반도체 칩을 흡착하기 위한 흡착부를 갖는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법으로서,
    각각 다른 형상을 갖는 여러 타입의 기반부재를 준비하는 단계;
    상기 기반부재의 여러 타입 중 이송하고자 하는 반도체 칩에 대응되는 타입의 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계;를 포함하고,
    상기 기반부재는,
    몸체;
    상기 몸체보다 단면적이 작으며 후가공이 이루어지는 접촉면;
    상기 몸체와 상기 접촉면 사이의 경사부;를 포함하며,
    상기 몸체는 상기 기반부재의 타입에 관계없이 실질적으로 동일한 형상을 가지며,
    상기 경사부는 상기 기반부재의 타입에 따라 경사의 기울기가 달라서, 상기 기반부재의 타입에 따라 상기 접촉면의 면적이 차별되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는,
    상기 반도체 칩의 크기 범위에 따라 대응하는 기반부재타입을 준비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 칩 이송장치는, 저압을 발생시켜 상기 흡착부재에 공급하는 저압발생장치;를 더 포함하며,
    상기 흡착부재에는, 저압발생장치에 연결되는 흡착공간이 형성되어 상기 반도체 칩을 상기 흡착부재로 이송할 때, 흡착공간에 형성되는 저압에 의해 상기 반도체 칩과 상기 흡착부재가 밀착되며,
    상기 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는, 상기 기반부재에 흡착공간을 형성하여 상기 기반부재를 흡착부재로 가공하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기반 부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는,
    상기 흡착공간의 크기 범위에 따라 대응하는 기반부재타입을 준비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 기반부재의 내부에는, 상기 저압발생장치와 연결될 수 있는 진공인가관이 형성되며,
    상기 진공인가관은 상기 기반부재의 한 쪽 끝으로부터 상기 기반부재의 다른 쪽과 일정 간격을 갖는 위치까지 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기반부재에 상기 흡착부를 형성하여 후가공하는 단계는,
    상기 기반부재의 한쪽 면을 일부 제거하여 상기 진공인가관이 상기 흡착부재를 완전히 관통하도록 가공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 이송장치의 흡착부재 제조방법.
  7. 삭제
  8. 반도체 칩 이송장치의 흡착부재를 제조하기 위한 중간부재인 기반부재 셋트로서,
    상기 흡착부재는 반도체 칩을 흡착하기 위한 흡착부를 가지며,
    상기 기반부재는 상기 흡착부가 형성될 접촉면을 가지며,
    상기 기반부재는 다양한 크기의 흡착부로 가공될 수 있도록 미리 정해진 복수의 타입을 가지며,
    상기 기반부재는,
    몸체;
    상기 몸체보다 단면적이 작으며 후가공이 이루어지는 접촉면;
    상기 몸체와 상기 접촉면 사이의 경사부;를 포함하며,
    상기 몸체는 상기 기반부재의 타입에 관계없이 실질적으로 동일한 형상을 가지며,
    상기 경사부는 상기 기반부재의 타입에 따라 경사의 기울기가 달라서, 상기 기반부재의 타입에 따라 상기 접촉면의 면적이 차별되는 것을 특징으로 하는 기반부재 셋트.
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