JP2007039708A - コレットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体チップを粘着シートから吸着剥離する際に半導体チップに吸着反りを生じさせることのないコレットの製造方法を提供する。
【解決手段】コレットの製造方法は、コレット本体60及び治具を夫々準備する工程と、治具の軸部をコレット本体の他端から吸引孔61に挿入する工程と、コレット本体の一端の孔64に金属粉末を装填する工程と、金属粉末を押圧ピンにより押圧して圧粉体を形成する工程と、圧粉体を焼結させて孔64においてコレット本体に拡散接合した多孔質焼結金属体100を形成する工程と、コレット本体及び多孔質焼結金属体を機械加工してコレット本体の一端面側で露呈する露呈面を多孔質焼結金属体に形成する工程とを具備している。
【選択図】図1
【解決手段】コレットの製造方法は、コレット本体60及び治具を夫々準備する工程と、治具の軸部をコレット本体の他端から吸引孔61に挿入する工程と、コレット本体の一端の孔64に金属粉末を装填する工程と、金属粉末を押圧ピンにより押圧して圧粉体を形成する工程と、圧粉体を焼結させて孔64においてコレット本体に拡散接合した多孔質焼結金属体100を形成する工程と、コレット本体及び多孔質焼結金属体を機械加工してコレット本体の一端面側で露呈する露呈面を多孔質焼結金属体に形成する工程とを具備している。
【選択図】図1
Description
本発明は、ダイシング済みであって粘着性テープに貼着保持された半導体チップを該粘着テープからピックアップするピックアップ装置に用いられるコレットの製造方法に関する。
高密度実装対応の半導体パッケージにおいては、厚さ100μm以下の半導体チップの積層が行われており、今後は厚さ50μm程度の半導体チップが多用されると見込まれている。また、ICタグについては、低価格化を達成するために半導体チップの微小化が図られており、半導体チップサイズも1mm角以下となってきている。薄形半導体チップ又は微小薄形半導体チップの組立て方法においては、半導体チップを搭載する前に半導体チップを確実にかつ損傷を与えることなくピックアップすることが重要となる。
ダイシングにより個々に分割された半導体チップをダイシングフィルム(粘着シート)からピックアップする方法としては、図11及び図12に示すニードル突き上げ方式が、ダイボンダ、フリップチップボンダといったチップ搭載装置やチップをチップトレイに収納するトレイ詰め機に広く採用されている。図11及び図12において、半導体チップ1は、ダイシングによって個々に分割されて粘着シート2上に等間隔で貼着されている。この半導体チップ1は伸縮性を有する粘着シート2上に貼着された状態でピックアップ装置3のピックアップ本体4上に順次搬送される。
ピックアップ本体4は、内部に負圧部5を有して円筒状に形成されており、負圧部5の上面6は、粘着シート2の下面を支持するための平坦な案内面7を有する天壁部8によって閉塞されており、天壁部8の中央部には、半導体チップ1の底面寸法よりも若干大きく、粘着シート2の幅寸法よりも小さい貫通孔9が形成されており、ピックアップ本体4内には貫通孔9を通って粘着シート2の下面に当接されるピックアップニードル10が上下方向移動自在に設けられており、ピックアップニードル10の先端は鋭く尖った形状を呈している。
ピックアップ本体4の上方には、貫通孔9と対応した位置にコレット11が配置されている。コレット11は、真空吸引機(図示せず)につながる吸引孔12を有しており、吸引孔12の開口部周縁のコレット11の先端部には半導体チップ1を吸着するためのチャック部13が形成されている。コレット11は、チャック部13で吸着した半導体チップ1を粘着シート2から剥離してピックアップし、これをリードフレーム(図示せず)上のダイボンドする所定位置まで搬送できる構造となっている。
このように構成されたピックアップ装置3の動作について説明すると、半導体チップ1が貼着された粘着シート2は、ピックアップ本体4の案内面7上を滑りながら移送されるように配設されており、半導体チップ1は貫通孔9の中央部に移送される状態に間欠的に搬送される。案内面7に配置されている粘着シート2は、負圧部5が負圧にされた際に貫通孔9を通して吸着され、この吸着力で案内面7に拘束される。粘着シート2の裏面が案内面7に密着して拘束されると、これが負圧センサ(図示せず)で確認されると共に画像位置検出手段(図示せず)によって半導体チップ1の位置が検出される。
次いで、コレット11が下降し、チャック部13で半導体チップ1を真空吸着すると同時にピックアップニードル10が上昇され、先端が粘着シート2を突き破って半導体チップ1を押し上げ、半導体チップ1を粘着シート2より剥離する。コレット11は半導体チップ1を吸着したまま上昇し、半導体チップ1はピックアップされる。
ピックアップ装置3においては、上昇したピックアップニードル10の先端が粘着シート2を突き破って半導体チップ1を押す構造となっているため、粘着シート2が突き破られる際に塵(粘着シートダスト)が発生し、この塵が周辺の半導体チップ1の上面に飛散されるという不具合があり、半導体チップ1の不良の原因を惹起することになる。また、ピックアップニードル10の先端が粘着シート2を突き破ると、この先端が半導体チップ1の裏面に接触し、半導体チップ1の塵(シリコンダスト)を発生させ、粘着シートダストの場合と同様に半導体チップ1の不良の原因となる。
ピックアップ装置3の粘着シートダスト、シリコンダストの発生という問題点を解決するべく、特許文献1においては、内部に負圧部を有するとともに、上面で粘着シートの下面をガイドする多孔質材で形成されたシートガイド面を設け、シートガイド面を通して作用する負圧部の負圧によって粘着シートを吸着するピックアップ本体と、シートガイド面と対向した位置に配置されているとともにシートガイド面上に搬送された半導体チップを保持して粘着シートから剥離するためのピックアップ・チャック手段と、ピックアップ・チャック手段と対向してピックアップ本体内に設けられ、先端形状が平面または曲面として作られているとともに、先端をシートガイド面に形成されているガイド孔を通って粘着シートの下面に当接させて半導体チップを突き上げるピックアップニードルとを備えた半導体チップのピックアップ装置が提案されている。
また、特許文献2においては、ダイシング後の半導体チップを吸着部で吸着して保持するチップ保持部と、吸着部に設けられた多孔質材料の複数の微小な孔と、この微小な孔を真空排気する真空ポンプとを具備するピックアップ装置が提案されている。
ところで、斯かる特許文献1及び2におけるピックアップ装置は、いずれも従来のピックアップ装置の粘着シートダスト、シリコンダストの発生という問題点を解決するものであるが、コレットにより半導体チップを粘着シートから吸着剥離する際、コレットに設けられた真空吸着孔(吸引孔)の大きさの如何によってはコレットの半導体チップに対する吸着力との関係で半導体チップの吸着反りによる変形が生じる虞があり、とくに、半導体チップの厚さが例えば50μm程度以下の微少薄さになると、この吸着反りの問題は一層顕著となり得る。また、真空吸着孔では、半導体チップの大きさに応じてその寸法に適した大きさの真空吸着孔を具備したコレットを製作しなければならないという問題がある。
本発明は上記諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体チップを粘着シートから吸着剥離する際に半導体チップに吸着反りを生じさせることなく、また、種々の寸法の半導体チップに用いることができるコレットの製造方法を提供することにある。
本発明のコレットの製造方法は、一端に配された孔及びこの孔に連通した吸引孔を有しているコレット本体並びにコレット本体の吸引孔に隙間なしに挿入できる程度の径の軸部を有した治具を夫々準備する工程と、治具の軸部をコレット本体の他端から吸引孔に挿入する工程と、軸部が吸引孔に挿入されたコレット本体において当該コレット本体の一端の孔に金属粉末を装填する工程と、この金属粉末をコレット本体の一端から当該コレット本体の一端の孔に挿入された押圧ピンにより押圧して圧粉体を形成する工程と、この圧粉体を焼結させてコレット本体の一端の孔においてコレット本体に拡散接合した多孔質焼結金属体を形成する工程と、コレット本体及び多孔質焼結金属体を機械加工してコレット本体の一端面側で露呈する露呈面を多孔質焼結金属体に形成する工程とを具備している。
本発明のコレットの製造方法によれば、治具の軸部が吸引孔に挿入されたコレット本体の一端の孔に圧粉体を形成して焼結させるために、当該孔においてしっかりとコレット本体に固着された多孔質焼結金属体を簡単に得ることができ、しかも、半導体チップを粘着シートから吸着剥離する際に半導体チップに吸着反りを生じさせることなく、また、種々の寸法の半導体チップに用いることができるコレットを得ることができる。
治具の軸部の長さは、コレット本体の長さよりも短く、孔が吸引孔よりも大きな径を有している場合には、治具の軸部の長さは、吸引孔の長さと等しいのがよい。斯かる軸部は、圧粉体の焼結後において吸引孔から容易に抜き出せるように、圧粉体の焼結において多孔質焼結金属体が拡散接合されないような材料からなるのが好ましい。コレット本体の一端の孔に形成した圧粉体は、還元性雰囲気に調整した加熱炉内で800〜1150℃、好ましくは850〜1000℃の温度で20〜120分間、好ましくは30〜90分間焼結させるとよい。半導体チップに対する吸引面となる多孔質焼結金属体の露呈面は、コレット本体の一端面と面一になるようにコレット本体及び多孔質焼結金属体への機械加工で形成されるが、場合により、コレット本体の一端面よりも突出するようにコレット本体及び多孔質焼結金属体への機械加工で形成されてもよい。
本コレットの製造方法は、孔の径が0.5〜1.0mmであるコレットを得る場合に用いられるのが好ましい。
本発明の他のコレットの製造方法は、一端に配された孔及びこの孔に連通した吸引孔を有しているコレット本体を準備する工程と、金属粉末をコレット本体の一端の孔に対して相補的な形状となるように圧縮成形して圧粉体を形成する工程と、この圧粉体をコレット本体の一端から当該コレット本体の一端の孔に圧入する工程と、コレット本体の一端の孔に圧入された圧粉体を焼結させて当該孔においてコレット本体に拡散接合した多孔質焼結金属体を形成する工程と、コレット本体及び多孔質焼結金属体を機械加工してコレット本体の一端面側で露呈する露呈面を多孔質焼結金属体に形成する工程とを具備している。
斯かる他のコレットの製造方法によれば、金属粉末を圧縮成形した圧粉体をコレット本体の一端の孔に圧入して焼結させるために、当該孔においてしっかりとコレット本体に固着された多孔質焼結金属体を簡単に得ることができ、しかも、半導体チップを粘着シートから吸着剥離する際に該半導体チップに吸着反りを生じさせることなく、また、種々の寸法の半導体チップに用いることができるコレットを得ることができる。
本他のコレットの製造方法においても、上記と同様に、コレット本体の一端の孔に圧入した圧粉体は、還元性雰囲気に調整した加熱炉内で800〜1150℃、好ましくは850〜1000℃の温度で20〜120分間、好ましくは30〜90分間焼結させるとよい。
他のコレットの製造方法は、孔の径が1.0mm以上である場合に用いられるのが好ましい。
本発明において、孔は、コレット本体の内部において金属粉末を装填する部位又は圧粉体を圧入する部位をいい、斯かる孔は、吸引孔と同径であってもよいが、好ましい例では、吸引孔よりも大きな径を有している。コレット本体は、機械構造用炭素鋼、無酸素銅及びタフピッチ銅から選択された材料からなっているとよく、具体的には、コレット本体には、JIS−G−4501に規定されている機械構造用炭素鋼、例えばS45Cなど、JIS−H−2123で規定されている無酸素銅及び同じくJIS−H−2123で規定されているタフピッチ銅が使用されるとよく、斯かる例によれば、多孔質焼結金属体のコレット本体への拡散接合をより効果的に行うことができる。
好ましい例では、金属粉末は、4重量%以上10重量%以下の錫、10重量%以上40重量%以下のニッケル及び0.1重量%以上0.75重量%以下の燐を含有しており、残部が銅からなる。本例によれば、焼結時に圧粉体にNi3Pの液相を発生させ、この液相の発生により多孔質焼結金属体をコレット本体に効果的に拡散接合させて一体化させることができる。
金属粉末は、黒鉛、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、フッ化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素及び炭化ケイ素のうちの少なくとも一つの無機物質粉末を含有していてもよく、斯かる無機物質粉末は、1重量%以上5重量%以下の割合で金属粉末に混合されているとよい。この例によれば、金属粉末からなる圧粉体を焼結させた多孔質焼結金属体に無機物質粒子を分散含有させることができる結果、斯かる無機物質粒子が多孔質焼結金属体の素地の金属部分の塑性変形を分断して軽減する働きを示すために、機械加工における多孔質焼結金属体の露呈面の細孔の目詰まりが抑制されて細孔開口端が絞り構造となり、半導体チップを吸着保持する際により均等な吸着力が半導体チップに作用して半導体チップに吸着反りなどの不具合を生じさせない。
多孔質焼結金属体に形成される露呈面は、吸引孔に適用される吸引力の損失を少なくするためには、コレット本体の一端面と面一することが好ましいのであるが、多少の吸引力の損失を許容する場合には、一端面よりも突出した位置にあってもよく、突出量は、許容できる吸引力の損失から決定すればよい。
本発明によれば、コレット本体の一端の孔において多孔質焼結金属体をしっかりとコレット本体に固着でき、半導体チップを粘着シートから吸着剥離する際に該半導体チップに吸着反りを生じさせることなく、また、種々の寸法の半導体チップに用いることができるコレットの製造方法を提供し得る。
次に、本発明の実施の形態の例を、図に示す例に基づいて更に詳細に説明する。尚、本発明はこれらの例に何等限定されないのである。
図1及び図2は、本発明の実施の形態の例のコレットの製造方法によって製造されたコレット50を具備したピックアップ装置Aの縦断面説明図であり、図3は、コレット50の縦断面説明図であり、図4から図7は、本例のコレットの製造方法に関する説明図であり、図8及び図9は、本発明の実施の形態の他の例のコレットの製造方法に関する説明図であり、図10は、本発明の実施の形態の更に他の例のコレットの製造方法に関する説明図である。
図1及び図2において、半導体チップ1は、ダイシングによって個々に分離され、粘着シート2上に等間隔で貼着されている。半導体チップ1は、粘着シート2上に貼着された状態で、ピックアップ装置Aのピックアップ本体4上に順次搬送される。ピックアップ本体4は、内部に負圧部5が設けられて円筒状に形成されており、負圧部5の上面6は、粘着シート2の下面を支持するための平坦な案内面7を有する天壁部8によって閉塞されている。
天壁部8の中央部には、半導体チップ1の底面寸法よりも若干大きく、粘着シート2の幅寸法よりも小さい貫通孔9が形成されている。ピックアップ本体4内には貫通孔9を通って粘着シート2の下面に当接されるピックアップニードル10が上下方向移動自在に設けられており、ピックアップニードル10の先端は半球状の曲面形状を呈している。
ピックアップ本体4の上方には、貫通孔9と対応した位置にコレット50が配置されている。コレット50は、特に図3に示すように、一端83に配された孔64及び孔64に連通した上下方向に伸びた横断面円形の吸引孔61を有している金属製であって筒状のコレット本体60と、コレット本体60の平坦面からなる一端面66と面一であって平坦面からなる露呈面101を有した多孔質焼結金属体100とを具備している。吸引孔61は、孔64の吸引孔61側の端面81の中央部である一部62で当該孔64に連通しており、端面81の一部62を除く環状の残部63は、多孔質焼結金属体100に接している。コレット本体60の一端83の孔64は、横断面円形であって吸引孔61の径よりも大きな径を有している。孔64に設けられている多孔質焼結金属体100は、孔64においてコレット本体60に一体的に拡散接合している。
多孔質焼結金属体100は、好ましくは、4重量%以上10重量%以下の錫、10重量%以上40重量%以下のニッケル及び0.1重量%以上0.75重量%以下の燐を含有しており、残部が銅からなっている。多孔質焼結金属体100は、より好ましくは、1重量%以上5重量%以下の割合で無機物質粒子を分散含有しており、斯かる無機物質粒子は、黒鉛、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、フッ化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素及び炭化ケイ素のうちの少なくとも一つからなっていてもよい。
多孔質焼結金属体100に分散含有された無機物質粒子は、多孔質焼結金属体100の素地の金属部分の塑性変形を分断して軽減する働きを示すため、機械加工における多孔質焼結金属体100の露呈面101の細孔の目詰まりが抑制されて細孔開口端が絞り構造となる結果、半導体チップ1を吸着保持する際により均等にかつ強力な吸着力が半導体チップ1に作用することになり、半導体チップ1に吸着反りなどの不具合が生じなく、容易に半導体チップ1を粘着シート2から剥離することができる。
コレット50の吸引孔61は、真空吸引機(図示せず)に連結されており、コレット50の多孔質焼結金属体100の露呈面101が半導体チップ1を吸着するためのチャック部となる。
次に、上記構成からなるピックアップ装置Aの動作を説明する。半導体チップ1が貼着された粘着シート2は、ピックアップ本体4の案内面7上を滑りながら移送され、半導体チップ1はピックアップ本体4の貫通孔9の中央部に間欠的に搬送される。粘着シート2が所定位置まで搬送されたことが検出されると負圧部5内が負圧とされる。負圧部5内が負圧とされると、この負圧によって粘着シート2は貫通孔9を通して案内面7側に吸着され、この吸着力によって案内面7に拘束される。
粘着シート2の裏面が案内面7に密着して拘束されると、これが負圧センサ(図示せず)で確認され、画像位置検出手段(図示せず)によって半導体チップ1の位置が検出される。次いで、コレット50が下降し、多孔質焼結金属体100の露呈面101で半導体チップ1を真空吸着すると同時にピックアップニードル10が上昇され、ピックアップニードル10の先端が粘着シート2の裏面に当接して半導体チップ1を押し上げると共に一旦コレット50をも持ち上げ、これにより半導体チップ1は粘着シート2から剥される。その後、コレット50自体は半導体チップ1を吸着保持した状態で上昇し、而して、コレット50によって半導体チップ1はピックアップされる。本例のピックアップニードル10は、その先端が半球状の曲面形状を呈しているので、半導体チップ1の押し上げの際において粘着シート2に孔を開けないようになっている結果、粘着シートダスト等の発生が防止されて好ましいが、半導体チップ1の押し上げの際に粘着シート2に孔を開けるピックアップニードルと本例のコレット50とを組み合わせたピックアップ装置としてもよい。
半導体チップ1のピックアップ動作においては、半導体チップ1は、孔64においてコレット本体60に拡散接合した多孔質焼結金属体100の露呈面101で吸着保持されるので、半導体チップ1にはその全面にわたって均等な吸着力が作用し、半導体チップ1には吸着反りなどの不都合は生じることがない。半導体チップ1は、多孔質焼結金属体100の露呈面101で吸着保持されるので、例えば多孔質焼結金属体100の露呈面101の寸法(径)よりも小さな寸法の半導体チップ1をも吸着保持することができ、種々の寸法の半導体チップ1に応じたコレットを製作する必要がないという経済性の面での利点も有する。
以下、上記のコレット50の製造方法について、特に図1及び図4から図7を参照して詳細に説明する。
<第一の製造方法>
まず、図4に示すように、一端83に設けられた孔64及び孔64に連通した吸引孔61を有しているコレット本体60と、コレット本体60の吸引孔61に隙間なしに挿入できる程度の径の横断面円形の軸部73及び軸部73のコレット本体60の他端84側の端部85に一体的に設けられていると共にコレット本体60の他端84に当接する円板状の当接部71を有した治具70とを夫々準備する。コレット本体60としては、JIS−G−4501に規定されている機械構造用炭素鋼、例えばS45Cなど、JIS−H−2123で規定されている無酸素銅又は同じくJIS−H−2123で規定されているタフピッチ銅が使用されて好適である。軸部73は、当接部71の一方の面72から突出して上下方向に伸びていると共に吸引孔61の長さと等しい長さを有している。
まず、図4に示すように、一端83に設けられた孔64及び孔64に連通した吸引孔61を有しているコレット本体60と、コレット本体60の吸引孔61に隙間なしに挿入できる程度の径の横断面円形の軸部73及び軸部73のコレット本体60の他端84側の端部85に一体的に設けられていると共にコレット本体60の他端84に当接する円板状の当接部71を有した治具70とを夫々準備する。コレット本体60としては、JIS−G−4501に規定されている機械構造用炭素鋼、例えばS45Cなど、JIS−H−2123で規定されている無酸素銅又は同じくJIS−H−2123で規定されているタフピッチ銅が使用されて好適である。軸部73は、当接部71の一方の面72から突出して上下方向に伸びていると共に吸引孔61の長さと等しい長さを有している。
次に、図5に示すように、治具70の軸部73をコレット本体60の他端84から吸引孔61に嵌合挿入し、当接部71の面72をコレット本体60の他端84に当接させる。このとき、軸部73の先端面74は、孔64の端面81と面一となっており、孔64の吸引孔61に対する開口端である端面81の一部62は、軸部73の先端面74で閉塞される。
次に、4重量%以上10重量%以下の錫、10重量%以上40重量%以下のニッケル及び0.1重量%以上0.75重量%以下の燐を含有しており、残部が銅からなる金属粉末又はこの金属粉末に黒鉛、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、フッ化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素及び炭化ケイ素のうちの少なくとも一つからなる無機物質粒子を1重量%以上5重量%以下の割合で配合した金属粉末に少量のケロシン(白灯油)を添加して湿潤性を有した金属粉末90を準備し、金属粉末90を図6に示すようにコレット本体60の一端83から孔64に装填する。金属粉末に少量のケロシンを添加するのは、金属粉末の構成成分又は無機物質粒子の金属粉末中での偏析を防止するためである。
次に、図7に示すように、コレット本体60の一端83から孔64に押圧ピン80を嵌合挿入し、挿入した押圧ピン80に軸方向の圧力を加えることにより孔64の金属粉末90を押圧して圧縮された圧粉体91を形成する。金属粉末90から圧粉体91を形成する際の金属粉末90の圧縮比は2〜3であるのが好ましい。
次に、コレット本体60の孔64に形成された圧粉体91を還元性雰囲気に調整した加熱炉内で800〜1150℃、好ましくは850〜1000℃の温度で20〜120分間、好ましくは30〜90分間焼結させる。
この焼結過程において、圧粉体91中のニッケル(Ni)成分と燐(P)成分とが液相のNi3Pを発生し、焼結温度の上昇とともに次第に活発となる固相−液相間での相互拡散でもって圧粉体91の多孔質焼結金属体100への合金化が行われ、コレット本体60の孔64の周面65及び端面81の環状の残部63への液相のNi3Pの良好なぬれ性(湿潤性)で多孔質焼結金属体100のコレット本体60への拡散接合による一体化が行われる。
焼結後、コレット本体60を加熱炉から取り出すと共に治具70の軸部73をコレット本体60の吸引孔61から抜き出し、コレット本体60及びコレット本体60に一体的に拡散接合された多孔質焼結金属体100に切削、研削、研磨などの機械加工を施し、コレット本体60の一端面66側で露呈すると共に当該一端面66と面一である多孔質焼結金属体100の露呈面101を形成し、このようにして図3に示すようなコレット50を製造する。露呈面101が一端面66と面一にされる場合には、多孔質焼結金属体100の周面全体がコレット本体60に覆われるために、吸引孔61に付与される吸引力の全てを露呈面101に伝達でき、吸着面としての露呈面101における半導体チップ1の確実な半導体チップ1の吸着を行うことができる。露呈面101を一端面66と面一にする代わりに、機械加工により例えば一端面66よりも突出した露呈面101としてもよい。
以上の製造方法は、コレット本体60の孔64の径が例えば0.5〜1.0mmであるコレット50を得る場合に推奨される。
以下、コレット50の他の製造方法について特に図8及び図9を参照して詳細に説明する。
<第二の製造方法>
まず、図8に示すように、一端83に配された孔64及び孔64に連通していると共に当該孔64よりも小径の吸引孔61を有しているコレット本体60を準備する。コレット本体60の材質は、上記と同様である。
まず、図8に示すように、一端83に配された孔64及び孔64に連通していると共に当該孔64よりも小径の吸引孔61を有しているコレット本体60を準備する。コレット本体60の材質は、上記と同様である。
次に、前記した第一の製造方法と同様の湿潤性を有した金属粉末90を準備し、金属粉末90をコレット本体60の一端83の孔64に対して相補的な形状となるように金型(図示せず)内に装填して圧縮成形し、円柱状の圧粉体91を形成する。圧粉体91の外径寸法は、孔64の径に対して締め代が与えられる寸法とされる。
次に、図9に示すように、圧粉体91をコレット本体60の一端83から孔64に圧入し、圧粉体91の周面を孔64の周面65に当接させると共に圧粉体91の上面を孔64の端面81の環状の残部63に当接させる。
次に、コレット本体60の一端83の孔64に圧入された圧粉体91を還元性雰囲気に調整した加熱炉内で800〜1150℃、好ましくは850〜1000℃の温度で20〜120分間、好ましくは30〜90分間焼結させる。
この焼結過程において、圧粉体91中のニッケル(Ni)成分と燐(P)成分とが液相のNi3Pを発生し、焼結温度の上昇とともに次第に活発となる固相−液相間での相互拡散でもって圧粉体91の多孔質焼結金属体100への合金化が行われ、コレット本体60の孔64の周面65及び残部63への液相のNi3Pの良好なぬれ性で多孔質焼結金属体100のコレット本体60への拡散接合による一体化が行われる。
焼結後、コレット本体60を加熱炉から取り出し、コレット本体60及びコレット本体60に一体的に拡散接合された多孔質焼結金属体100に機械加工を施し、コレット本体60の一端面66側で露呈すると共に当該一端面66と面一である多孔質焼結金属体100の露呈面101を形成し、このようにして図3に示すようなコレット50を製造する。露呈面101が一端面66と面一にされる場合には、多孔質焼結金属体100の周面全体がコレット本体60に覆われるために、吸引孔61に付与される吸引力の全てを露呈面101に伝達でき、吸着面としての露呈面101における半導体チップ1の確実な半導体チップ1の吸着を行うことができる。上記と同様に、露呈面101を一端面66と面一にする代わりに、機械加工により例えば一端面66よりも突出した露呈面101としてもよい。
以上の第二の製造方法は、コレット本体60の孔64の径が例えば1.0mm以上のコレット50を得る場合に推奨される。
上述の第一又は第二の製造方法により製造されたコレット50によれば、半導体チップ1を吸着保持する多孔質焼結金属体100は、圧粉体91の焼結時にコレット本体60に拡散接合により一体化されるのでコレット本体60に脱落しないようにしっかりと保持され、多孔質焼結金属体100の露呈面101の全面が吸着面となって半導体チップ1にはその全面にわたって均等な吸着力が作用するために、半導体チップ1に吸着反りなどを生じさせることなく半導体チップ1をピックアップすることができる。
半導体チップ1は、多孔質焼結金属体100の露呈面101で吸着保持されるので、露呈面101の寸法(径)よりも小さな寸法の半導体チップ1を吸着保持することができ、種々の寸法の半導体チップ1に応じた寸法のコレットを製作する必要がないという経済性の面での利点も有する。
第一又は第二の製造方法により得られたコレット50のコレット本体60の一端83をかしめて、孔64の開口縁82においてコレット本体60にかしめ部(図示せず)を形成してもよく、このかしめ部によれば、多孔質焼結金属体100の露呈面101の周縁部に機械的固定を加えることができ、斯かる多孔質焼結金属体100は、端面81の環状の残部63にも当接しているために、多孔質焼結金属体100を孔64に強固に位置決め固定することができ、多孔質焼結金属体100の孔64からの抜け出し等の不具合を生じることをなくすことができる。
上述のようにして製造されたコレット50は、前述したニードル突き上げ方式においても、また近年開発されているニードルレスピックアップ方式(特許文献2参照)、同低粘着フィルム方式(特許文献3参照)、同多段突き上げピックアップ方式(特許文献4参照)にも使用可能であり、厚さが50μm程度の微小薄形半導体チップにおいても吸着反りを発生させることがない。
上記の製造方法では、吸引孔61と、吸引孔61の径よりも大きな径の孔64とを有したコレット本体60を用いたが、これに代えて、図10に示すように、吸引孔61と、吸引孔61に連通すると共に吸引孔61と同径の孔64とを有したコレット本体60を準備し、斯かるコレット本体60に、治具70の軸部73をコレット本体60の他端84から吸引孔61に嵌合挿入し、軸部73の先端面74で孔64の端面81を閉塞すると共に金属粉末90をコレット本体60の一端83から孔64に装填し、孔64に装填された金属粉末90をコレット本体60の一端83から孔64に挿入された押圧ピン80により押圧して圧粉体91を形成し、以後、前記と同様にして、露呈面101を有した多孔質焼結金属体100を具備したコレット50を製造するようにしてもよい。また、吸引孔61と同径の孔64とを有したコレット本体60と上記の第二の製造方法とを用いてコレット50を得るようにしてもよい。このように上記のいずれの方法においても、コレット50の一端83の孔64は吸引孔61と同径であってもよい。
以上のように、一端83に配された孔64及び孔64に連通した吸引孔61を有しているコレット本体60並びにコレット本体60の吸引孔61に隙間なしに挿入できる程度の径の軸部73を有した治具70を夫々準備する工程と、治具70の軸部73をコレット本体60の他端84から吸引孔61に挿入する工程と、軸部73が吸引孔61に挿入されたコレット本体60において当該コレット本体60の一端83の孔64に金属粉末90を装填する工程と、孔64に装填された金属粉末90をコレット本体60の一端83から孔64に挿入された押圧ピン80により押圧して圧粉体91を形成する工程と、圧粉体91を焼結させて孔64においてコレット本体60に拡散接合した多孔質焼結金属体100を形成する工程と、コレット本体60及び多孔質焼結金属体100を機械加工してコレット本体60の一端面101側で露呈する露呈面101を多孔質焼結金属体100に形成する工程とを具備している製造方法によれば、孔64においてコレット本体60にしっかりと固定された多孔質焼結金属体100を簡単に形成することができ、しかも、半導体チップ1を粘着シート2から吸着剥離する際に半導体チップ1に吸着反りを生じさせることなく、また、種々の寸法の半導体チップ1に用いることができるコレット50を得ることができる。
また、一端83に配された孔64及び孔64に連通している吸引孔61を有しているコレット本体60を準備する工程と、金属粉末90をコレット本体60の一端83の孔64に対して相補的な形状となるように圧縮成形して圧粉体91を形成する工程と、圧粉体91をコレット本体60の一端83から孔64に圧入する工程と、孔64に圧入された圧粉体91を焼結させて孔64においてコレット本体60に拡散接合した多孔質焼結金属体100を形成する工程と、コレット本体60及び多孔質焼結金属体100を機械加工してコレット本体60の一端面66側で露呈する露呈面101を多孔質焼結金属体100に形成する工程とを具備している製造方法によれば、コレット本体60の一端83の孔64においてしっかりとコレット本体60に固着された多孔質焼結金属体100を簡単に形成することができ、しかも、半導体チップ1を粘着シート2から吸着剥離する際に該半導体チップ1に吸着反りを生じさせることなく、また、種々の寸法の半導体チップ1に用いることができるコレット50を得ることができる。
50 コレット
60 コレット本体
61 吸引孔
64 孔
100 多孔質焼結金属体
60 コレット本体
61 吸引孔
64 孔
100 多孔質焼結金属体
Claims (6)
- 一端に配された孔及びこの孔に連通した吸引孔を有しているコレット本体並びにコレット本体の吸引孔に隙間なしに挿入できる程度の径の軸部を有した治具を夫々準備する工程と、
治具の軸部をコレット本体の他端から吸引孔に挿入する工程と、
軸部が吸引孔に挿入されたコレット本体において当該コレット本体の一端の孔に金属粉末を装填する工程と、
この金属粉末をコレット本体の一端から当該コレット本体の一端の孔に挿入された押圧ピンにより押圧して圧粉体を形成する工程と、
この圧粉体を焼結させてコレット本体の一端の孔においてコレット本体に拡散接合した多孔質焼結金属体を形成する工程と、
コレット本体及び多孔質焼結金属体を機械加工してコレット本体の一端面側で露呈する露呈面を多孔質焼結金属体に形成する工程と、
を具備しているコレットの製造方法。 - 治具の軸部の長さは、コレット本体の長さよりも短い請求項1に記載のコレットの製造方法。
- 一端に配された孔及びこの孔に連通した吸引孔を有しているコレット本体を準備する工程と、
金属粉末をコレット本体の一端の孔に対して相補的な形状となるように圧縮成形して圧粉体を形成する工程と、
この圧粉体をコレット本体の一端から当該コレット本体の一端の孔に圧入する工程と、 コレット本体の一端の孔に圧入された圧粉体を焼結させて当該孔においてコレット本体に拡散接合した多孔質焼結金属体を形成する工程と、
コレット本体及び多孔質焼結金属体を機械加工してコレット本体の一端面側で露呈する露呈面を多孔質焼結金属体に形成する工程と、
を具備しているコレットの製造方法。 - コレット本体は、機械構造用炭素鋼、無酸素銅及びタフピッチ銅から選択された材料からなる請求項1から3のいずれか一項に記載のコレットの製造方法。
- 金属粉末は、4重量%以上10重量%以下の錫、10重量%以上40重量%以下のニッケル及び0.1重量%以上0.75重量%以下の燐を含有しており、残部が銅からなる請求項1から4のいずれか一項に記載のコレットの製造方法。
- 金属粉末は、黒鉛、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、フッ化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素及び炭化ケイ素のうちの少なくとも一つの無機物質粉末を含有している請求項1から5のいずれか一項に記載のコレットの製造方法。
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JP2005222166A JP2007039708A (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | コレットの製造方法 |
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JP2007042684A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Oiles Ind Co Ltd | コレット |
WO2018068854A1 (en) * | 2016-10-13 | 2018-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Pick-up tool |
-
2005
- 2005-07-29 JP JP2005222166A patent/JP2007039708A/ja active Pending
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