KR101999497B1 - Pattern forming device - Google Patents
Pattern forming device Download PDFInfo
- Publication number
- KR101999497B1 KR101999497B1 KR1020187028577A KR20187028577A KR101999497B1 KR 101999497 B1 KR101999497 B1 KR 101999497B1 KR 1020187028577 A KR1020187028577 A KR 1020187028577A KR 20187028577 A KR20187028577 A KR 20187028577A KR 101999497 B1 KR101999497 B1 KR 101999497B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- light
- pattern
- rotary drum
- exposure
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/24—Curved surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Registering, Tensioning, Guiding Webs, And Rollers Therefor (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
기판의 표면의 광감응층에 자외 파장역의 제1 광을 투사하여, 상기 광감응층에 회로 또는 배선의 패턴을 노광하는 패턴 형성 장치로서, 상기 기판을 만곡한 상태 또는 평탄한 상태로 지지하는 기재와, 상기 기재의 표면에 형성되는 막체와, 상기 막체의 단차에 의해서 형성되는 기준 패턴을 가지는 기판 지지 부재와, 상기 기판 지지 부재의 상기 막체 상에 지지된 상기 기판의 상기 광감응층에 상기 제1 광에 의한 패턴광을 투사하는 패턴 노광부와, 상기 제1 광에 의한 조명광을, 상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면에 투사했을 때에 발생하는 반사광을 검출하는 모니터계와, 상기 기준 패턴 또는 상기 기판 상에 형성된 마크를 광학적으로 검출하기 위해서, 상기 제1 광과 다른 파장역의 제2 광에 의한 조명광을, 상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면에 투사했을 때에 생기는 상기 기준 패턴 또는 상기 마크로부터 발생하는 반사광을 검출하는 광학 검출부를 구비하며, 상기 막체의 두께는, 상기 제1 광에 대한 반사율이 상기 제2 광에 대한 반사율보다도 작아지도록 조정되어 있다. A pattern forming apparatus for projecting a first light in an ultraviolet wavelength region to a photo sensitive layer on a surface of a substrate to expose a pattern of a circuit or wiring on the photo sensitive layer, A substrate support member having a film body formed on a surface of the substrate and a reference pattern formed by a step of the film body; and a light-sensitive layer on the substrate of the substrate supported on the film body, A monitor system for detecting reflected light generated when the illumination light by the first light is projected onto the surface of the substrate or the surface of the substrate support member; Wherein the illumination light is irradiated onto the surface of the substrate or on the surface of the substrate by optically detecting the pattern or a mark formed on the substrate, And an optical detecting section for detecting reflected light generated from the reference pattern or the mark generated when the light is projected onto the surface of the substrate support member, wherein the thickness of the film body is set such that the reflectance for the first light is a reflectance for the second light As shown in FIG.
Description
본 발명은, 가요성의 기판의 일부를 만곡(灣曲)한 상태, 혹은 평탄한 상태로 지지하는 기판 지지 장치와, 그 지지 장치에 의해 지지되는 가요성의 기판을 처리하는 패턴 형성 장치(노광 장치)에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate supporting apparatus for supporting a part of a flexible substrate in a curved or flat state and a pattern forming apparatus (exposure apparatus) for processing a flexible substrate supported by the supporting apparatus .
본원은, 2012년 8월 28일에 출원된 일본특허출원 제2012-188116호에 근거하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다. Priority is claimed on Japanese Patent Application No. 2012-188116, filed on August 28, 2012, the contents of which are incorporated herein by reference.
최근, 플랫 패널 디스플레이로서, 액정 방식이나 플라즈마 방식 외에, 유기 EL방식이 주목되고 있다. 액티브ㆍ매트릭스(activeㆍmatrix) 방식의 유기 EL(AMOLED) 디스플레이의 경우, 각 화소를 구동하는 박막 트랜지스터(TFT), 구동 회로, 각종 신호 라인 등을 포함하는 백ㆍ플레이트(backㆍplate) 상에, 유기 EL에 의한 화소 발광층이나 투명 전극층 등을 포함하는 톱ㆍ플레이트(topㆍplate)가 적층된다. In recent years, as a flat panel display, attention has been paid to an organic EL method in addition to a liquid crystal method and a plasma method. In the case of an active matrix organic EL (AMOLED) display, on a back plate including a thin film transistor (TFT) for driving each pixel, a driving circuit, and various signal lines, , A top plate including a pixel emission layer by a organic EL, a transparent electrode layer, and the like are laminated.
유기 EL에 의한 디스플레이 제조에 있어서, 보다 저비용으로 양산성이 높은 방식의 하나로서, 가요성(플렉시블)의 수지재나 플라스틱, 혹은 금속박을 두께가 200㎛ 이하인 장척(長尺) 모양의 시트(필름)로서 형성하고, 그 위에, 디스플레이의 백ㆍ플레이트나 톱ㆍ플레이트를, 롤ㆍ투ㆍ롤(Roll to Roll) 방식으로 직접 만드는 것이 제안되어 있다(특허 문헌 1).As a method of manufacturing a display using an organic EL, a flexible resin material, plastic, or metal foil is used as a long film (film) having a thickness of 200 mu m or less, And a back plate or a top plate of the display is formed directly on the display plate by a roll-to-roll method (Patent Document 1).
특허 문헌 1에는, 각 화소용의 TFT를 구성하는 전극층, 반도체층, 절연막 등, 및, 화소 발광층, 배선층을 형성하기 위한 유동성 재료를, 잉크젯 방식 등의 인쇄기에 의해 가요성의 장척 시트(PET(Poly-Ethylene Terephthalate) 필름 등) 상에 연속적으로 형성함으로써, 염가로 디스플레이를 제조하는 방법이 개시되어 있다.
또 특허 문헌 1에서는, 절연층을 사이에 두고 상하로 적층되는 TFT의 게이트 전극층과 드레인/소스 전극층과의 상대적인 위치 관계나 각 전극의 형상 등을 정밀하게 완성하기 위해, 자외선의 조사에 의해서 표면의 친발액성(親撥液性)을 개질하는 자기(自己) 조직화 단분자층(SAM)을 형성하고, 자외선에 의한 패턴 노광 장치를 사용하여, 각 전극층의 형상을, 보다 정밀하게 완성하는 고안이 제안되어 있다. Further, in
상기의 특허 문헌 1의 노광 장치는, 평면 마스크의 패턴을 투영 광학계를 매개로 하여, 평탄하게 지지되는 가요성의 장척의 시트 기판 상에 투영 노광한다. In the exposure apparatus of
이것에 대해서, 롤ㆍ투ㆍ롤 방식에 의해, 연속적으로 반송되는 가요성의 시트 기판에 마스크의 패턴을 반복하여 노광하는 경우에는, 시트 기판의 반송 방향을 주사(走査) 방향으로 하고, 마스크를 원통 모양의 회전 마스크로 한 주사형 노광 장치로 하는 것에 의해, 생산성의 비약적인 향상을 기대할 수 있다. On the other hand, when the mask pattern is repeatedly exposed on the flexible sheet substrate which is continuously conveyed by the roll-to-roll system, the conveyance direction of the sheet substrate is set to the scanning direction, Shaped projection exposure apparatus, it is possible to expect a dramatic improvement in productivity.
연속적으로 반송되는 가요성의 시트 기판은, 얇은 기판으로서, 에어 베어링 방식의 평탄, 혹은 만곡한 패드면 등에 의해 지지된다. 혹은, 시트 기판은 회전 드럼(지름이 큰 롤러)의 원통 모양의 외주면의 일부에 감겨져, 만곡한 상태로 지지된다. The flexible sheet substrate that is continuously conveyed is a thin substrate, supported by a flat or curved pad surface of the air bearing type. Alternatively, the sheet substrate is wound on a part of the cylindrical outer circumferential surface of the rotary drum (large diameter roller), and is supported in a curved state.
ITO 등의 투명층이 형성된 투명도가 높은 PET 필름, PEN(Poly-Ethylene Naphthalate) 필름, 매우 얇은 유리 등에, 노광 장치를 이용하여 패터닝하는 경우, 그 기판의 표면에 도포된 광 감응층(感應層)(예를 들면, 포토레지스트, 감광성 실란(silane) 커플링재 등)에 투사(投射)되는 패턴 노광광(露光光)은, 기판의 아래의 패드면이나 회전 드럼의 외주면에까지 도달한다. When patterning is performed using an exposure apparatus such as a highly transparent PET film, a PEN (Poly-Ethylene Naphthalate) film, or a very thin glass having a transparent layer of ITO or the like formed thereon, a light- The pattern exposure light projected to a photoresist, a photosensitive silane coupling material, or the like reaches the pad surface under the substrate or the outer peripheral surface of the rotary drum.
그 때문에, 패드면이나 회전 드럼의 외주면에서 반사한 광 성분(되돌림광)은, 기판의 이면측으로부터 표면측(투영 광학계의 쪽)으로 되돌아와, 광 감응층에 형성되는 패턴의 상질(像質)을 열화(劣化)시키거나 하는 경우가 있다. 기판의 뒤측에 위치하는 패드면이나 회전 드럼의 외주면의 반사율을 낮게 억제할 수 있으면, 그 되돌림광에 의한 영향은 무시할 수 있다. Therefore, the light component (return light) reflected from the pad surface or the outer circumferential surface of the rotary drum returns from the back surface side of the substrate (toward the projection optical system) to the top surface of the pattern formed on the photosensitive layer May be deteriorated in some cases. If the reflectance of the pad surface or the outer circumferential surface of the rotary drum located on the rear side of the substrate can be suppressed to a low level, the influence of the return light can be ignored.
그렇지만, 노광 장치의 캘리브레이션(calibration)이나 기판의 위치 맞춤을 위해, 평탄한 패드면이나 회전 드럼의 외주면의 일부에, 기준 마크나 기준 패턴을 마련하고, 그것을 광학적인 얼라이먼트 현미경 등을 매개로 하여 검출할 때에는, 패드면이나 회전 드럼의 외주면의 반사율이 낮기 때문에, 기준 마크나 기준 패턴을 양호한 콘트라스트로 검출하는 것이 곤란하게 된다고 하는 문제 등도 생긴다. However, in order to calibrate the exposure apparatus or align the substrate, a reference mark or a reference pattern is provided on a flat pad surface or a part of the outer circumferential surface of the rotary drum and is detected by an optical alignment microscope or the like There is a problem that it is difficult to detect the reference mark or the reference pattern with a good contrast because the reflectance of the pad surface or the outer peripheral surface of the rotary drum is low.
본 발명의 형태는, 기판을 지지하는 부재로부터의 반사광(되돌림광)에 의한 영향을 저감한 패턴 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. An aspect of the present invention is to provide a pattern forming apparatus in which the influence of reflected light (return light) from a member for supporting a substrate is reduced.
또, 본 발명의 형태는, 기판을 지지하는 장치의 지지면의 일부에 형성된 기준 마크나 기준 패턴, 또는, 기판에 형성된 마크나 패턴으로부터의 반사광(되돌림광)을, 얼라이먼트 현미경 등에 의한 광학적인 관찰 장치에 의해서 양호하게 검출할 수 있는 패턴 형성 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. It is another feature of the present invention that a reflected light (return light) from a reference mark or a reference pattern formed on a part of a supporting surface of a device for supporting a substrate or a mark or a pattern formed on the substrate is optically observed by an alignment microscope or the like And an object thereof is to provide a pattern forming apparatus capable of satisfactorily detecting by a device.
게다가, 본 발명의 형태는, 그러한 패턴 형성 장치에 의해서 지지되는 기판에, 고정밀한 광 패터닝을 실시하는 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, an aspect of the present invention is to provide an exposure apparatus that performs high-precision optical patterning on a substrate supported by such a pattern forming apparatus.
본 발명의 제1 형태에 따르면, 기판의 표면의 광감응층에 자외 파장역의 제1 광을 투사하여, 상기 광감응층에 회로 또는 배선의 패턴을 노광하는 패턴 형성 장치로서, 상기 기판을 만곡한 상태 또는 평탄한 상태로 지지하는 기재(基材)와, 상기 기재의 표면에 형성되는 막체(膜體)와, 상기 막체의 단차에 의해서 형성되는 기준 패턴을 가지는 기판 지지 부재와, 상기 기판 지지 부재의 상기 막체 상에 지지된 상기 기판의 상기 광감응층에 상기 제1 광에 의한 패턴광을 투사하는 패턴 노광부와, 상기 제1 광에 의한 조명광을, 상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면에 투사했을 때에 발생하는 반사광을 검출하는 모니터계와, 상기 기준 패턴 또는 상기 기판 상에 형성된 마크를 광학적으로 검출하기 위해서, 상기 제1 광과 다른 파장역의 제2 광에 의한 조명광을, 상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면에 투사했을 때에 생기는 상기 기준 패턴 또는 상기 마크로부터 발생하는 반사광을 검출하는 광학 검출부를 구비하며, 상기 막체의 두께는, 상기 제1 광에 대한 반사율이 상기 제2 광에 대한 반사율보다도 작아지도록 조정되어 있는 패턴 형성 장치가 제공된다. According to a first aspect of the present invention, there is provided a pattern forming apparatus for projecting first light in an ultraviolet wavelength region to a photo sensitive layer on a surface of a substrate to expose a pattern of a circuit or wiring on the photo sensitive layer, A substrate supporting member having a reference pattern formed by a step of the film body, a substrate supporting member for supporting the substrate supporting member in a state of being flat or flat, a film body formed on a surface of the substrate, A pattern exposing section for projecting the pattern light by the first light onto the photosensitive layer of the substrate supported on the film body of the substrate, and a pattern exposure section for irradiating the illumination light by the first light onto the surface of the substrate, And a second optical system for detecting the reference pattern or a mark formed on the substrate in order to optically detect the reference pattern or a mark formed on the substrate, And an optical detecting section for detecting reflected light generated from the reference pattern or the mark generated when the one illumination light is projected onto the surface of the substrate or the surface of the substrate support member, The reflectance of the second light is adjusted to be smaller than the reflectance of the second light.
본 발명에 의하면, 투과성이 적은 기판에 패턴을 노광할 때, 노이즈가 되는 불필요한 노광(불필요 패턴의 겹침 현상 등)을 저감할 수 있으며, 정밀한 패턴 노광이 가능한 패턴 형성 장치를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a pattern forming apparatus capable of reducing unnecessary exposure (overlapping phenomenon of unnecessary patterns, etc.) which becomes noises when a pattern is exposed to a substrate having low transparency and capable of precise pattern exposure.
도 1은 제1 실시 형태에 의한 노광 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 노광 장치의 주요부의 배치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1, 도 2의 노광 장치의 투영 광학계의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 조명 영역과 투영 영역의 배치 관계를 나타내는 모식도이다.
도 5는 기판을 지지하는 회전 드럼과 엔코더 헤드의 배치를 나타내는 도면이다.
도 6은 기판 상에서의 얼라이먼트계와 투영 영역과의 배치 관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 회전 드럼 상에 지지되는 기판의 구조를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태에 의한 회전 드럼의 표면 구조를 나타내는 단면도이다.
도 9는 회전 드럼의 표면 재료의 두께에 의한 반사율 특성을 나타내는 도면이다.
도 10은 제2 실시 형태에 의한 회전 드럼의 표면 구조를 나타내는 사시도이다.
도 11은 제2 실시 형태에 의한 회전 드럼의 표면 구조를 나타내는 단면도이다.
도 12는 제3 실시 형태에 의한 패턴 묘화(描畵) 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 13은 도 12의 장치에 의한 기판의 묘화 형태를 설명하는 도면이다.
도 14는 제4 실시 형태에 의한 회전 드럼의 표면 구조를 나타내는 사시도이다.
도 15는 제5 실시 형태에 의한 회전 드럼의 표면 구조의 단면을 나타내는 도면이다.
도 16은 제6 실시 형태에 의한 패턴 노광 장치의 구성을 나타내는 도면이다. Fig. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to the first embodiment.
Fig. 2 is a perspective view showing the arrangement of main parts of the exposure apparatus of Fig. 1;
Fig. 3 is a diagram showing the configuration of the projection optical system of the exposure apparatus of Figs. 1 and 2. Fig.
4 is a schematic diagram showing the arrangement relationship between the illumination area and the projection area.
5 is a view showing the arrangement of a rotary drum and an encoder head for supporting a substrate.
6 is a diagram showing the arrangement relationship between the alignment system and the projection area on the substrate.
7 is a view schematically showing a structure of a substrate supported on a rotary drum.
8 is a sectional view showing the surface structure of a rotary drum according to the first embodiment.
9 is a view showing the reflectance characteristic by the thickness of the surface material of the rotary drum.
10 is a perspective view showing the surface structure of the rotary drum according to the second embodiment.
11 is a cross-sectional view showing the surface structure of a rotary drum according to the second embodiment.
12 is a diagram showing a configuration of a pattern drawing apparatus according to the third embodiment.
13 is a view for explaining a drawing mode of the substrate by the apparatus of Fig.
14 is a perspective view showing the surface structure of a rotary drum according to the fourth embodiment.
15 is a cross-sectional view of the surface structure of a rotary drum according to the fifth embodiment.
16 is a diagram showing a configuration of a pattern exposure apparatus according to the sixth embodiment.
[제1 실시 형태][First Embodiment]
도 1은, 본 실시 형태에 의한 플렉시블 기판용의 투영형 노광 장치(EX)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 노광 장치(EX)는, 전(前)공정의 프로세스 장치로부터 반송되어 오는 가요성의 시트 모양의 기판(P)의 광 감응층(感應層)에 대해서, 디스플레이용의 회로 패턴이나 배선 패턴에 대응한 자외선의 패터닝 광을 조사한다. Fig. 1 is a diagram showing the overall configuration of a projection-type exposure apparatus EX for a flexible substrate according to the present embodiment. The exposure apparatus EX has a function of controlling a light-sensitive layer (a sensitive layer) of a flexible sheet-like substrate P conveyed from a process apparatus of the previous process to a circuit pattern corresponding to a display circuit pattern or a wiring pattern And irradiates ultraviolet patterning light.
자외선은, 예를 들면 수은 방전 등의 휘선인 g선(436nm), h선(405nm), i선(365nm), 혹은 KrF, XeCl, ArF 등의 엑시머 레이저(각각, 파장 248nm, 308nm, 193nm), 또는, 반도체 레이저 광원, LED 광원, 고조파 레이저 광원 등으로부터의 파장 400nm 이하의 광을 포함한다. The ultraviolet rays are irradiated with excimer lasers (wavelengths of 248 nm, 308 nm, and 193 nm, respectively) such as g line (436 nm), h line (405 nm), i line (365 nm) or KrF, XeCl, ArF, , Or light having a wavelength of 400 nm or less from a semiconductor laser light source, an LED light source, a harmonic laser light source, or the like.
도 1의 노광 장치(EX)는, 온도 조절 챔버(EVC) 내에 마련된다. 노광 장치(EX)는, 패시브(passive) 또는 액티브(active)한 방진(防振) 유닛(SU1, SU2)을 매개로 하여 제조 공장의 바닥면에 설치된다. 노광 장치(EX) 내에는, 전공정으로부터 보내져 오는 기판(P)을 후공정으로 소정의 속도로 보내기 위한 반송 기구가 마련된다. The exposure apparatus EX in Fig. 1 is provided in the temperature regulation chamber EVC. The exposure apparatus EX is installed on the bottom surface of the manufacturing factory via passive or active vibration damping units SU1 and SU2. In the exposure apparatus EX, a transport mechanism for transporting the substrate P sent from the previous process at a predetermined speed in a post-process is provided.
반송 기구는, 기판(P)의 Y방향(장척(長尺) 방향과 직교한 폭 방향)의 중심을 일정 위치로 제어하는 엣지 포지션 컨트롤러(EPC), 닙(nip)된 구동 롤러(DR4), 기판(P) 상에서 패턴 노광되는 부분을 원통면 모양으로 지지하면서, 회전 중심선(AX2)의 둘레로 회전하여 기판(P)을 반송하는 회전 드럼(DR), 회전 드럼(DR)에 감기는 기판(P)에 소정의 텐션을 부여하는 텐션 조정 롤러(RT1, RT2), 및, 기판(P)에 소정의 늘어짐(여유)(DL)을 부여하기 위한 2조(組)의 구동 롤러(DR6, DR7) 등으로 구성된다. The transport mechanism includes an edge position controller (EPC) for controlling the center of the substrate P in the Y direction (width direction perpendicular to the long direction) to a constant position, a nip driven drive roller DR4, A rotary drum DR which rotates about the rotation center line AX2 and conveys the substrate P while supporting a pattern exposed portion on the substrate P in the shape of a cylindrical surface, Tension adjustment rollers RT1 and RT2 for applying a predetermined tension to the substrate P and two sets of driving rollers DR6 and DR7 for giving a predetermined slack DL to the substrate P, ) And the like.
게다가, 노광 장치(EX) 내에는, 회전 중심선(AX1)의 둘레로 회전하는 원통 모양의 원통 마스크(DM)와, 원통 마스크(DM)의 외주면에 형성된 투과형의 마스크 패턴의 일부분의 상(像)을, 회전 드럼(DR)에 의해서 지지되는 기판(P)의 일부분에 투영하는 복수의 투영 광학계(PL1, PL2, …)와, 마스크 패턴의 일부분의 투영상(投影像)과 기판(P)을 상대적으로 위치 맞춤(얼라이먼트)하기 위한 얼라이먼트계(AM)가 마련되어 있다. In addition, in the exposure apparatus EX, a cylindrical mask DM rotating around the rotation center line AX1, and an image of a part of a transmissive mask pattern formed on the outer peripheral surface of the cylindrical mask DM, A plurality of projection optical systems PL1 to PL2 for projecting a projection image of a part of the mask pattern and a substrate P onto a part of the substrate P supported by the rotary drum DR, And an alignment system AM for relative alignment (alignment) is provided.
얼라이먼트계(AM)는, 기판(P)에 미리 형성된 얼라이먼트 마크 등을 검출하는 얼라이먼트 현미경을 포함한다. The alignment system AM includes an alignment microscope for detecting alignment marks or the like formed on the substrate P in advance.
이상의 구성에서, 도 1 중에 정한 직교 좌표계 XYZ의 XY평면은 공장의 바닥면과 평행하게 설정되며, 기판(P)의 표면의 폭 방향('TD방향'이라고도 함)은 Y방향에 일치하도록 설정된다. 이 경우, 원통 마스크(DM)의 회전 중심선(AX1)과 회전 드럼(DR)의 회전 중심선(AX2)은, 모두 Y축과 평행하게 설정되고, 또한 Z축 방향으로 이간(離間)하여 배치된다. In the above configuration, the XY plane of the orthogonal coordinate system XYZ defined in Fig. 1 is set parallel to the bottom surface of the factory, and the width direction (also referred to as 'TD direction') of the surface of the substrate P is set to coincide with the Y direction . In this case, the rotational center line AX1 of the cylindrical mask DM and the rotational center line AX2 of the rotary drum DR are all set to be parallel to the Y-axis and are arranged to be spaced apart from each other in the Z-axis direction.
또, 본 실시 형태의 투영 광학계(PL1, PL2, …)는, 상세한 것은 후술하지만, 복수의 투영 시야(투영상(像))가 지그재그로 배치되는 멀티 렌즈 방식으로서 구성되며, 그 투영 배율은 등배(×1)로 설정된다. The projection optical systems PL1, PL2, ... of the present embodiment are configured as a multi-lens system in which a plurality of projection fields (projected images) are arranged in a staggered manner, (X 1).
원통 마스크(DM)의 외주면(패턴면)의 직경(중심(AX1)으로부터의 반경)과, 회전 드럼(DR)의 외주면(지지면)의 직경(중심(AX2)으로부터의 반경)은, 실질적으로 동일하게 할 수 있다. 예를 들면, 원통 마스크(DM)의 직경을 30cm로, 회전 드럼(DR)의 직경을 30cm로 할 수 있다. The diameter of the outer circumferential surface (pattern surface) of the cylindrical mask DM (the radius from the center AX1) and the diameter of the outer circumferential surface (supporting surface) of the rotary drum DR (the radius from the center AX2) The same can be done. For example, the diameter of the cylindrical mask DM may be 30 cm, and the diameter of the rotary drum DR may be 30 cm.
또, 원통 마스크(DM)의 외주면(패턴면)의 직경(중심(AX1)으로부터의 반경)과, 회전 드럼(DR)의 외주면(지지면)의 직경(중심(AX2)으로부터의 반경)은, 반드시 동일하게 해 둘 필요는 없고, 크게 달라도 좋다. 예를 들면, 원통 마스크(DM)의 직경을 30cm로, 회전 드럼(DR)의 직경을 40 ~ 50cm 정도로 해도 괜찮다. The diameter of the outer peripheral surface (pattern surface) of the cylindrical mask DM (radius from the center AX1) and the diameter of the outer peripheral surface (supporting surface) of the rotary drum DR (radius from the center AX2) It is not always necessary to be the same, and it may be largely different. For example, the diameter of the cylindrical mask DM may be 30 cm, and the diameter of the rotary drum DR may be 40 to 50 cm.
또, 상기 수치는 일례로서 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. Note that the above numerical values are by way of example and the present invention is not limited thereto.
또, 회전 드럼(DR)의 직경을 원통 마스크(DM)(패턴면)의 직경과 동일하게 하는 경우, 정확하게는, 회전 드럼(DR)의 외주면에 감겨지는 기판(P)의 두께를 고려한 것이 된다. 예를 들면, 기판(P)의 두께를 100㎛(0.1mm)로 하면, 회전 드럼(DR)의 외주면의 반경은, 원통 마스크(DM)(패턴면)의 반경에 대해서, 0.1mm만큼 작은 것으로 한다. When the diameter of the rotary drum DR is made equal to the diameter of the cylindrical mask DM (pattern surface), the thickness of the substrate P wound on the outer circumferential surface of the rotary drum DR is taken into consideration . For example, when the thickness of the substrate P is 100 mu m (0.1 mm), the radius of the outer peripheral surface of the rotary drum DR is smaller by 0.1 mm with respect to the radius of the cylindrical mask DM (pattern surface) do.
게다가, 회전 드럼(DR)의 외주면의 둘레 방향의 전체 길이(둘레 길이)를, 알맞게 좋은 길이, 예를 들면 100.0cm로 하는 경우는, 회전 드럼(DR)의 외주면의 직경은 원주율 π에 의해서 100/πcm가 되기 때문에, 직경을 수 ㎛ ~ 서브 미크론의 정밀도로 가공하여 둘 필요가 있다.In addition, when the entire circumferential length (circumferential length) of the outer circumferential surface of the rotary drum DR is appropriately long, for example, 100.0 cm, the diameter of the outer circumferential surface of the rotary drum DR is 100 / [pi] cm, it is necessary to process the diameter to several micrometers to submicron accuracy.
본 실시 형태에서는, 투과형의 원통 마스크(DM)를 이용하므로, 원통 마스크(DM)의 내부 공간에는 투영 광학계(PL1, PL2, …)의 각각의 시야 영역에 대응한 노광용의 조명광(자외선)을, 원통 마스크(DM)의 패턴면(외주면)을 향해서 조사하는 조명계(IU)가 마련되어 있다. In this embodiment, since the transmissive cylindrical mask DM is used, illumination light (ultraviolet rays) for exposure corresponding to the respective visual field areas of the projection optical systems PL1, PL2, ... is formed in the inner space of the cylindrical mask DM, And an illumination system IU for irradiating the patterned surface (outer peripheral surface) of the cylindrical mask DM.
또, 원통 마스크(DM)가 반사형인 경우는, 노광용의 조명광을 투영 광학계(PL1, PL2, …)의 일부의 광학 소자를 매개로 하여 원통 마스크(DM)의 외주면(반사형의 패턴면)을 향해서 조사하는 낙사(落斜) 조명 광학계가 마련된다. When the cylindrical mask DM is of a reflection type, the illumination light for exposure is irradiated onto the outer peripheral surface (reflective pattern surface) of the cylindrical mask DM via a part of the optical elements of the projection optical systems PL1, PL2, (Downhill) illumination optical system is provided.
이상의 구성에서, 원통 마스크(DM)와 회전 드럼(DR)을 소정의 회전 속도비로 동기(同期) 회전시키는 것에 의해서, 원통 마스크(DM)의 외주면에 형성된 마스크 패턴의 상(像)이, 회전 드럼(DR)의 외주면의 일부에 감겨진 기판(P)의 표면(원통면을 따라서 만곡한 면)에 연속적으로 반복하여 주사 노광된다. The image of the mask pattern formed on the outer circumferential surface of the cylindrical mask DM is transferred to the rotary drum DM by rotating the cylindrical mask DM and the rotary drum DR at a predetermined rotation rate ratio, (The surface curved along the cylindrical surface) of the substrate P wound on a part of the outer peripheral surface of the substrate DR.
본 실시 형태에서 사용되는 기판(P)은, 예를 들면, 수지 필름, 스테인리스강 등의 금속 또는 합금으로 이루어지는 박(호일) 등이다. The substrate P used in the present embodiment is, for example, a resin film, a foil made of a metal such as stainless steel or an alloy, or the like.
수지 필름의 재질은, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 초산비닐수지 중 하나 또는 둘 이상을 포함한다. The material of the resin film is, for example, polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, And one or more of vinyl acetate resin.
기판(P)은, 각종의 처리 공정에서 받은 열에 의한 변형량을 실질적으로 무시할 수 있도록, 열팽창 계수가 현저하게 크지 않은 것을 선정할 수 있다. 열팽창 계수는, 예를 들면, 무기 필러(filler)를 수지 필름에 혼합하는 것에 의해서 작게 할 수 있다. 무기 필러로서는, 예를 들면, 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등이 사용된다. The substrate P can be selected so that the coefficient of thermal expansion is not remarkably large so that the amount of deformation due to heat received in various processing steps can be substantially ignored. The thermal expansion coefficient can be reduced by, for example, mixing an inorganic filler with a resin film. As the inorganic filler, for example, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide and the like are used.
또, 기판(P)은, 플로트법(float法) 등에 의해 제조된 두께가 예를 들면 100㎛ 정도의 매우 얇은 유리의 단층체라도 좋고, 이 매우 얇은 유리에 상기의 수지 필름, 박 등을 접합시킨 적층체라도 괜찮다. Further, the substrate P may be a very thin glass single layer having a thickness of, for example, about 100 mu m manufactured by a float method or the like, and bonding the above resin film, It is also possible to use a laminated layer.
또, 상기 수치는 일례로서 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. Note that the above numerical values are by way of example and the present invention is not limited thereto.
도 2는, 도 1에 나타낸 노광 장치(EX) 중, 원통 마스크(DM), 복수의 투영 광학계(PL1, PL2, …), 회전 드럼(DR)의 배치 관계를 사시도로 나타낸 것이다.Fig. 2 is a perspective view showing the arrangement relationship of the cylindrical mask DM, the plurality of projection optical systems PL1, PL2, ..., and the rotary drum DR in the exposure apparatus EX shown in Fig.
도 2에서, 원통 마스크(DM)와 회전 드럼(DR)과의 사이에 마련되는 투영 광학계(PL1, PL2, PL3, PL4, …)(여기에서는 4개의 투영 광학계를 도시)의 각각은, 예를 들면, 일본특허공개 평7-57986호 공보에 개시되어 있는 바와 같이, 원형 투영 시야의 절반(하프 필드(half field))을 사용하는 반사 굴절형의 등배 결상 렌즈의 2개를 Z방향으로 텐덤(tandem)으로 연결하여, 마스크 패턴을 정립(正立)의 비반전상(非反轉像)으로 하여 기판측에 등배로 투영한다. 2, the projection optical systems PL1, PL2, PL3, PL4, ... (here, four projection optical systems are shown) provided between the cylindrical mask DM and the rotary drum DR, (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 7-57986), two of the reflection-refraction type equal-ratio imaging lenses using half of the circular projection field (half field) are tandem tandem) to project the mask pattern back to the substrate side as a non-inverted image of erect.
투영 광학계(PL1, PL2, PL3, PL4, …)는, 모두 동일 구성이며, 상세에 대해서는 후술한다. All of the projection optical systems PL1, PL2, PL3, PL4, ... have the same configuration, and the details will be described later.
또, 투영 광학계(PL1, PL2, PL3, PL4, …)는, 각각 강고한 유지 칼럼(column)(PLM)에 장착되고, 일체화되어 있다. 유지 칼럼(PLM)은, 온도 변화에 대한 열팽창 계수가 작은 인바(invar) 등의 금속으로 구성되며, 온도 변화에 의한 각 투영 광학계(PL1, PL2, PL3, PL4, …) 사이의 위치적인 변동을 작게 억제할 수 있다. Further, the projection optical systems PL1, PL2, PL3, PL4, ... are mounted on a rigid holding column PLM and are integrated with each other. The holding column PLM is made of a metal such as invar or the like having a small thermal expansion coefficient with respect to a temperature change and is capable of changing the positional variation between the respective projection optical systems PL1, PL2, PL3, PL4, Can be suppressed to be small.
도 2에 나타내는 바와 같이, 회전 드럼(DR)의 외주면에서, 회전 중심선(AX2)이 연장하는 방향(Y방향)의 양단부에는, 회전 드럼(DR)의 회전 각도 위치(또는 둘레 길이 방향의 위치)를 계측하는 엔코더 시스템을 위한 스케일부(GPa, GPb)가, 둘레 방향의 전체를 따라서 고리 모양으로 각각 마련되어 있다. 2, a rotation angle position (or a position in the circumferential direction) of the rotary drum DR is formed at both ends in the direction (Y direction) in which the rotation center line AX2 extends on the outer peripheral surface of the rotary drum DR, (GPa, GPb) for the encoder system for measuring the angular velocity are provided annularly along the entire circumferential direction.
스케일부(GPa, GPb)는, 회전 드럼(DR)의 외주면의 둘레 방향으로 일정한 피치(예를 들면 20㎛)로 오목 모양 또는 볼록 모양의 격자선을 새긴 회절 격자이며, 인크리멘탈(incremental)형 스케일로서 구성된다. The scale parts GPa and GPb are diffraction gratings engraved with concave or convex grating lines at a constant pitch (for example, 20 占 퐉) in the circumferential direction of the outer peripheral surface of the rotary drum DR, Type scale.
또, 상기 수치는 일례로서 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. Note that the above numerical values are by way of example and the present invention is not limited thereto.
기판(P)은, 회전 드럼(DR)의 양단의 스케일부(GPa, GPb)를 피한 내측에 감겨지도록 구성된다. 엄밀한 배치 관계를 필요로 하는 경우, 스케일부(GPa, GPb)의 외주면과, 회전 드럼(DR)에 감긴 기판(P)의 부분의 외주면이 동일면(중심선(AX2)으로부터 동일 반경)이 되도록 설정한다. 이를 위해서는, 스케일부(GPa, GPb)의 외주면을, 회전 드럼(DR)의 기판 감음용의 외주면에 대해서, 지름 방향으로 기판(P)의 두께분(分)만큼 높게 해 두면 된다. The substrate P is configured so as to be wound inward to avoid the schedules GPa and GPb at both ends of the rotary drum DR. The outer circumferential surface of the part of the schedules GPa and GPb and the outer circumferential surface of the part of the substrate P wound around the rotary drum DR are set to be the same surface (same radius from the center line AX2) . To this end, the outer peripheral surface of the scale parts GPa and GPb may be made as thick as the thickness of the substrate P in the radial direction with respect to the peripheral surface of the rotary drum DR for substrate detection.
회전 드럼(DR)을 회전 중심선(AX2)의 둘레로 회전시키기 위해, 회전 드럼(DR)의 양측에는 중심선(AX2)과 동축의 샤프트부(Sf2)가 마련된다. 이 샤프트부(Sf2)에는, 미도시한 구동원(모터나 감속 기어 기구 등)으로부터의 회전 토크가 부여된다. Shaft portions Sf2 coaxial with the center line AX2 are provided on both sides of the rotary drum DR in order to rotate the rotary drum DR around the rotary center line AX2. The shaft portion Sf2 is provided with a rotational torque from an unillustrated drive source (such as a motor or a reduction gear mechanism).
게다가, 본 실시 형태에서는, 회전 드럼(DR)의 양단부의 스케일부(GPa, GPb)의 각각과 대향함과 아울러, 각 투영 광학계(PL1, PL2, PL3, PL4, …)를 고정하는 칼럼(PLM)에 고정된 엔코더 헤드(EN1, EN2)가 마련된다. 도 2에서는, 스케일부(GPa)에 대향한 2개의 엔코더 헤드(EN1, EN2)만이 나타내어져 있지만, 스케일부(GPb)에도 동일한 엔코더 헤드(EN1, EN2)가 대향하여 배치된다. Further, in the present embodiment, a column (PLM) for fixing each projection optical system PL1, PL2, PL3, PL4, ... is provided opposite to each of the schedules GPa, GPb at both ends of the rotary drum DR The encoder heads EN1 and EN2 are fixed. In Fig. 2, only two encoder heads EN1 and EN2 opposed to the scale part GPa are shown, but the same encoder heads EN1 and EN2 are arranged opposite to the scale part GPb.
이와 같이, 엔코더 헤드(EN1, EN2)를 칼럼(PLM)에 장착하는 것에 의해, 온도 변화의 영향 등에 따라서 생기는 각 투영 광학계와 각 엔코더 헤드(EN1, EN2)와의 상대적인 위치 변동을 작게 억제할 수 있다. By mounting the encoder heads EN1 and EN2 on the column PLM in this way, it is possible to suppress the relative positional fluctuation between the respective projection optical systems and the encoder heads EN1 and EN2 caused by the influence of the temperature change and the like .
각 엔코더 헤드(EN1, EN2)는, 스케일부(GPa, GPb)를 향해서 계측용의 광 빔을 투사하고, 그 반사 광속(회절광)을 광전(光電) 검출하는 것에 의해, 스케일부(GPa, GPb)의 둘레 방향의 위치 변화에 따른 검출 신호(예를 들면, 90도의 위상차를 가진 2상(相) 신호)를 발생한다. Each of the encoder heads EN1 and EN2 projects a measurement light beam toward the scale parts GPa and GPb and photoelectrically detects the reflected light flux (diffracted light) (For example, a two-phase signal having a phase difference of 90 degrees) in accordance with the positional change in the circumferential direction of the electrodes GPb.
그 검출 신호를 미도시한 카운터(counter) 회로에서 내삽(內揷) 보간(補間)하여 디지털 처리하는 것에 의해, 회전 드럼(DR)의 각도 변화, 즉, 그 외주면의 둘레 방향의 위치 변화를 서브 미크론의 분해능으로 계측할 수 있다. The detection signal is digitally processed by interpolation in a counter circuit (not shown) to change the angle of the rotary drum DR, that is, the change in the circumferential direction of the outer peripheral surface thereof, It can be measured by the resolution of micron.
또, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각 엔코더 헤드(EN1, EN2)는 설치 방위선(Le1, Le2) 상에 배치된다. 설치 방위선(Le1, Le2)은, 스케일부(GPa(GPb)) 상의 계측용 광 빔의 투사 영역을 통과하고, 도 2 중의 XZ면과 평행한 면내에 설정되며, 그 연장선이 회전 드럼(DR)의 회전 중심선(AX2)과 교차하도록 정해진 가상적인 선이다.As shown in Fig. 2, each of the encoder heads EN1 and EN2 is disposed on the mounting diagonal lines Le1 and Le2. The mounting diagonal lines Le1 and Le2 pass through the projection area of the measurement light beam on the scale part GPa (GPb) and are set in a plane parallel to the XZ plane in Fig. 2, Is a virtual line defined so as to intersect the rotation center line AX2.
상세한 것은 후술하지만, XZ면내에서 보면, 설치 방위선(Le1)은, 홀수번째의 투영 광학계(PL1, PL3)로부터 기판(P)에 투사되는 결상 광속의 주광선과 평행하게 되도록 정해진다. 또, XZ면내에서 보면, 설치 방위선(Le2)은, 짝수번째의 투영 광학계(PL2, PL4)로부터 기판(P)에 투사되는 결상 광속의 주광선과 평행하게 되도록 정해진다. In detail, as will be described later, in the XZ plane, the mounting diagonal line Le1 is set to be parallel to the principal ray of the imaging light beam projected from the odd-numbered projection optical systems PL1, PL3 onto the substrate P. [ In the XZ plane, the mounting diagonal line Le2 is set to be parallel to the principal ray of the imaging light beam projected onto the substrate P from the even-numbered projection optical systems PL2 and PL4.
한편, 원통 마스크(DM)의 양단측에도, 회전 중심선(AX1)과 동축에 샤프트부(Sf1)가 마련되고, 이 샤프트부(Sf1)를 매개로 하여, 미도시한 구동원(모터등)으로부터의 회전 토크가 원통 마스크(DM)에 부여된다. 원통 마스크(DM)의 회전 중심선(AX1) 방향의 양단부 가장자리에는, 회전 드럼(DR)과 마찬가지로, 엔코더 계측의 스케일부(GPM)가 회전 중심선(AX1)을 중심으로 하는 둘레 방향의 전체에 걸쳐서, 각각 고리 모양으로 마련되어 있다.On the other hand, both ends of the cylindrical mask DM are provided with a shaft portion Sf1 coaxial with the rotational center line AX1, and a rotation from a drive source (motor or the like) not shown through this shaft portion Sf1 Torque is imparted to the cylindrical mask DM. The scale portion GPM of the encoder measurement is formed on the both edge portions of the cylindrical mask DM in the direction of the rotational center line AX1 over the whole circumferential direction around the rotational center line AX1 as in the rotating drum DR, They are each provided in an annular shape.
원통 마스크(DM)의 외주면에 형성되는 투과형의 마스크 패턴은, 양단부의 스케일부(GPM)를 피한 내측에 배치된다. 엄밀한 배치 관계를 필요로 하는 경우, 스케일부(GPM)의 외주면과, 원통 마스크(DM)의 패턴면(원통면)의 외주면이 동일면(중심선(AX1)으로부터 동일 반경)이 되도록 설정된다. The transmissive mask pattern formed on the outer circumferential surface of the cylindrical mask DM is disposed on the inner side avoiding the schedules GPM at both ends. The outer peripheral surface of the scale part GPM and the outer peripheral surface of the pattern surface (cylindrical surface) of the cylindrical mask DM are set to be the same surface (same radius from the center line AX1).
게다가, 원통 마스크(DM)의 스케일부(GPM)의 각각과 대향하는 위치로서, 회전 중심선(AX1)으로부터 보아, 홀수번째의 투영 광학계(PL1, PL3, …)의 각 시야의 방향에는, 엔코더 헤드(EN11)가 배치되고, 회전 중심선(AX1)으로부터 보아, 짝수번째의 투영 광학계(PL2, PL4, …)의 각 시야의 방향에는, 엔코더 헤드(EN12)가 배치된다.In addition, in the direction of each field of view of the odd-numbered projection optical systems PL1, PL3, ..., as viewed from the rotation center line AX1, as positions opposed to the respective schedules GPM of the cylindrical mask DM, And the encoder head EN12 is arranged in the direction of each field of view of the even-numbered projection optical systems PL2, PL4, ... as seen from the rotation center line AX1.
이들 엔코더 헤드(EN11, EN12)도, 투영 광학계(PL1, PL2, PL3, PL4, …)를 고정하는 유지 칼럼(PLM)에 장착된다. These encoder heads EN11 and EN12 are also mounted on a retention column PLM for fixing the projection optical systems PL1, PL2, PL3, PL4, ....
게다가, 엔코더 헤드(EN11, EN12)는, 회전 드럼(DR)측의 엔코더 헤드(EN1, EN2)의 배치 상태와 마찬가지로, 설치 방위선(Le11, Le12) 상에 배치된다.In addition, the encoder heads EN11 and EN12 are arranged on the mounting diagonal lines Le11 and Le12 in the same manner as the arrangement of the encoder heads EN1 and EN2 on the rotary drum DR side.
설치 방위선(Le11, Le12)은, 원통 마스크(DM)의 스케일부(GPM) 상에서 엔코더 헤드의 계측용 광 빔이 투사되는 영역을 통과하고, 도 2 중의 XZ면과 평행한 면내에 설정되며, 그 연장선이 원통 마스크(DM)의 회전 중심선(AX1)과 교차하도록 정해진다. The mounting diagonal lines Le11 and Le12 are set in a plane parallel to the XZ plane in Fig. 2, passing through a region on which the measurement light beam of the encoder head is projected on the scale part (GPM) of the cylindrical mask DM, And the extension line intersects the rotation center line AX1 of the cylindrical mask DM.
원통 마스크(DM)의 경우, 스케일부(GPM)에 새겨진 눈금이나 격자 패턴을, 디바이스(표시 패널의 회로 등)의 마스크 패턴과 함께, 원통 마스크(DM)의 외주면에 묘화(描畵), 형성하는 것이 가능한 것으로, 마스크 패턴과 스케일부(GPM)와의 상대 위치 관계를 정확하게 설정할 수 있다. In the case of the cylindrical mask DM, a scale or a lattice pattern engraved on the scale part GPM is drawn and formed on the outer peripheral surface of the cylindrical mask DM together with a mask pattern of a device (a circuit of a display panel or the like) And it is possible to accurately set the relative positional relationship between the mask pattern and the schedule part (GPM).
본 실시 형태에서는, 원통 마스크(DM)를 투과형으로 예시했지만, 반사형의 원통 마스크에서도 마찬가지로, 스케일부(GPM)(눈금, 격자, 원점(原点) 패턴 등)를 디바이스의 마스크 패턴과 함께 형성하는 것이 가능하다.In the present embodiment, the cylindrical mask DM is exemplified as a transmissive type. However, in the reflective cylindrical mask, the scale part GPM (scale, lattice, origin point pattern, etc.) is formed together with the mask pattern of the device It is possible.
일반적으로, 반사형의 원통 마스크를 제작하는 경우는, 샤프트부(Sf1)를 가지는 금속 원기둥재를, 고정밀한 선반(旋盤)과 연마기에 의해 가공하므로, 그 외주면의 진원도(眞圓度)나 축 흔들림(편심)을 매우 작게 억제할 수 있다. 그 때문에, 외주면에 마스크 패턴의 형성과 동일 공정에 의해서, 스케일부(GPM)도 함께 형성해 두면, 고정밀한 엔코더 계측이 가능해진다. Generally, in the case of manufacturing a reflection-type cylindrical mask, the metal cylindrical member having the shaft portion Sf1 is processed by a high-precision lathe and a polishing machine, so that the roundness of the outer circumferential surface thereof, The eccentricity can be suppressed to be very small. Therefore, if a scale portion (GPM) is also formed by the same process as the formation of the mask pattern on the outer peripheral surface, high-precision encoder measurement becomes possible.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 원통 마스크(DM)에 형성되는 스케일부(GPM)의 외주면을 마스크 패턴면과 거의 동일한 반경으로 설정하고, 회전 드럼(DR)에 형성되는 스케일부(GPa, GPb)의 외주면을, 기판(P)의 외주면과 거의 동일한 반경으로 설정했다. As described above, in the present embodiment, the outer peripheral surface of the scaffold GPM formed on the cylindrical mask DM is set to be substantially the same as the radius of the mask pattern surface, and the scale parts GPa, GPb Was set to be substantially the same as the radius of the outer circumferential surface of the substrate P. [
그 때문에, 엔코더 헤드(EN11, EN12)는, 원통 마스크(DM) 상의 마스크 패턴면(조명계(IU)에 의한 조명 영역)과 동일 지름 방향 위치에서 스케일부(GPM)를 검출하고, 엔코더 헤드(EN1, EN2)는, 회전 드럼(DR)에 감긴 기판(P) 상의 투영 영역(투영상의 결상면)과 동일 지름 방향 위치에서 스케일부(GPa, GPb)를 검출할 수 있다. Therefore, the encoder heads EN11 and EN12 detect the schedule part GPM at the same position in the radial direction as the mask pattern surface (illuminated area by the illumination system IU) on the cylindrical mask DM, And EN2 can detect the schedules GPa and GPb at the same radial position as the projection area (imaging surface of the projection image) on the substrate P wound on the rotary drum DR.
따라서, 계측 위치와 처리 위치가 회전계의 지름 방향으로 다름으로써 생기는 아베(Abbe) 오차를 작게 할 수 있다. Therefore, the Abbe error caused when the measurement position and the processing position are different in the radial direction of the rotation system can be reduced.
다음으로, 도 3을 참조하여, 본 실시 형태의 투영 광학계(PL1 ~ PL4, …)의 구체적인 구성을 설명한다. 각 투영 광학계는 모두 동일 구성이므로, 대표하여 투영 광학계(PL1)의 구성만을 설명한다. 도 3에 나타내는 투영 광학계(PL1)는, 반사 굴절 타입의 텔레센트릭(telecentric)한 제1 결상 광학계(51)와 제2 결상 광학계(58)를 구비한다. Next, with reference to Fig. 3, a specific configuration of the projection optical systems PL1 to PL4, ... of the present embodiment will be described. Since each of the projection optical systems has the same configuration, only the configuration of the projection optical system PL1 will be described as an example. The projection optical system PL1 shown in Fig. 3 includes a telecentric first imaging
제1 결상 광학계(51)는, 복수의 렌즈 소자, 포커스 보정 광학 부재(44), 상(像) 시프트 보정 광학 부재(45), 제1 편향 부재(50), 동면(瞳面)에 배치되는 제1 오목 거울(52) 등으로 구성된다. The first imaging
제1 결상 광학계(51)는, 조명계(IU)로부터의 조명광(D1)(그 주광선은 EL1)에 의해서 원통 마스크(DM)의 패턴면(외주면) 상에 형성되는 조명 영역(IR1) 내에 나타나는 마스크 패턴의 상(像)을, 시야 조리개(43)가 배치되는 중간 상면(像面)에 결상한다. The first imaging
제2 결상 광학계(58)는, 복수의 렌즈 소자, 제2 편향 부재(57), 동면(瞳面)에 배치되는 제2 오목 거울(59), 배율 보정용 광학 부재(47) 등으로 구성된다.The second imaging
제2 결상 광학계(58)는, 제1 결상 광학계(51)에 의해서 만들어진 중간상(像) 중, 시야 조리개(43)의 개구 형상(예를 들면 사다리꼴)으로 제한된 상(像)을, 기판(P)의 투영 영역(PA1) 내에 재결상한다. The second imaging
이상의 투영 광학계(PL1)의 구성에서, 포커스 보정 광학 부재(44)는 기판(P)상에 형성되는 마스크의 패턴상(像)(이하, '투영상'이라고 함)의 포커스 상태를 미세 조정하고, 상(像) 시프트 보정 광학 부재(45)는 투영상을 상면(像面) 내에서 미소하게 횡(橫)시프트시키며, 배율 보정용 광학 부재(47)는 투영상의 배율을 ±수십 ppm 정도의 범위에서 미소(微小) 보정한다.In the above-described configuration of the projection optical system PL1, the focus correction
게다가, 투영 광학계(PL1)에는, 제1 편향 부재(50)를 도 3 중의 Z축과 평행한 축의 둘레로 미소 회전시켜, 기판(P) 상에 결상하는 투영상을 상면(像面) 내에서 미소 회전시키는 로테이션 보정 기구(46)가 마련되어 있다. In addition, the first
원통 마스크(DM) 상의 조명 영역(IR1) 내의 패턴으로부터의 결상 광속(EL2)은, 조명 영역(IR1)으로부터 법선 방향으로 출사하고, 포커스 보정 광학 부재(44), 상(像) 시프트 보정 광학 부재(45)를 통과하여, 제1 편향 부재(50)의 제1 반사면(평면 거울)(p4)에서 반사되고, 복수의 렌즈 소자를 통과하여 제1 오목 거울(52)에서 반사되며, 다시 복수의 렌즈 소자를 통과하여 제1 편향 부재(50)의 제2 반사면(평면 거울)(p5)에서 반사되어, 시야 조리개(43)에 도달한다. The imaging light flux EL2 from the pattern in the illumination area IR1 on the cylindrical mask DM is emitted in the normal direction from the illumination area IR1 and the focus correction
본 실시 형태에서, 도 2(또는 도 1) 중에 나타낸 원통 마스크(DM)의 회전 중심선(AX1)과 회전 드럼(DR)의 회전 중심선(AX2)을 함께 포함하는 평면을 중심면(p3)(YZ면과 평행)으로 한다. 이 경우, 제1 결상 광학계(51)의 광축(AX3)과 제2 결상 광학계(58)의 광축(AX4)은, 모두 중심면(p3)과 직교하도록 배치된다. In the present embodiment, a plane including both the rotational center line AX1 of the cylindrical mask DM and the rotational center line AX2 of the rotary drum DR shown in Fig. 2 (or Fig. 1) is referred to as a center plane p3 Parallel to the plane). In this case, the optical axis AX3 of the first imaging
본 실시 형태에서는, XZ면내에서 보았을 때, 조명 영역(IR1)을 중심면(p3)에 대해서 -X방향으로 소정량만큼 치우치게 하기 때문에, 조명 영역(IR1) 내의 중심을 통과하는 조명광(D1)의 주광선(EL1)의 연장선을, 원통 마스크(DM)의 회전 중심선(AX1)과 교차하도록 설정한다.In the present embodiment, since the illumination area IR1 is inclined in the -X direction with respect to the central plane p3 by a predetermined amount when viewed from the XZ plane, the illumination light IR1 passing through the center in the illumination area IR1 The extension line of the main ray EL1 is set so as to intersect the rotation center line AX1 of the cylindrical mask DM.
그것에 의해, 조명 영역(IR1) 내의 중심점에 위치하는 패턴으로부터의 결상 광속(EL2)의 주광선(EL3)도, 중심면(p3)에 대해서 XZ면내에서 경사진 상태로 진행되고, 제1 편향 부재(50)의 제1 반사면(p4)에 도달한다. Thereby, the principal ray EL3 of the imaging light beam EL2 from the pattern located at the center point in the illumination area IR1 also advances in an inclined state in the XZ plane with respect to the central plane p3, and the
제1 편향 부재(50)는, Y축 방향으로 연장하는 삼각 프리즘이다. 본 실시 형태에서, 제1 반사면(p4)과 제2 반사면(p5)의 각각은, 삼각 프리즘의 표면에 형성된 경면(鏡面)(반사막의 표면)을 포함한다.The
제1 편향 부재(50)는, 조명 영역(IR1)으로부터 제1 반사면(p4)까지의 주광선(EL3)이 XZ면내에서 중심면(p3)에 대해서 경사지도록, 또한 제2 반사면(p5)으로부터 시야 조리개(43)까지의 주광선(EL3)이 중심면(p3)에 평행하게 되도록, 결상 광속(EL2)을 편향한다. The first deflecting
그러한 광로를 형성하기 위해, 본 실시 형태에서는, 제1 편향 부재(50)의 제1 반사면(p4)과 제2 반사면(p5)이 교차하는 능선을 광축(AX3) 상에 배치한다. 그 능선과 광축(AX3)을 포함하여 XY면과 평행한 평면을 p6로 했을 때, 이 평면(p6)에 대해서 제1 반사면(p4)과 제2 반사면(p5)은 비대칭인 각도로 배치된다.In order to form such an optical path, in this embodiment, a ridge line where the first reflecting surface p4 and the second reflecting surface p5 of the first deflecting
구체적으로는, 제1 반사면(p4)의 평면(p6)에 대한 각도를 θ1, 제2 반사면(p5)의 평면(p6)에 대한 각도를 θ2로 하면, 본 실시 형태에서, 각도(θ1+θ2)는 90° 미만으로 설정되고, 각도 θ1은 45° 미만, 각도 θ2는 실질적으로 45°로 설정된다. Specifically, assuming that the angle of the first reflecting surface p4 with respect to the plane p6 is θ1 and the angle of the second reflecting surface p5 with respect to the plane p6 is θ2, in this embodiment, the angle θ1 + θ2 Is set to less than 90 DEG, the angle [theta] 1 is set to less than 45 DEG, and the angle [theta] 2 is set to substantially 45 DEG.
제1 반사면(p4)에서 반사하여 복수의 렌즈 소자에 입사하는 주광선(EL3)을 광축(AX3)과 평행하게 설정하는 것에 의해, 그 주광선(EL3)은 제1 오목 거울(52)의 중심, 즉 동면의 광축(AX3)과의 교점을 통과할 수 있고, 텔레센트릭한 결상 상태를 확보할 수 있다.The principal ray EL3 reflected by the first reflecting surface p4 and incident on the plurality of lens elements is set parallel to the optical axis AX3 so that the principal ray EL3 is incident on the center of the first
이를 위해서는, 도 3에서, 조명 영역(IR1)과 제1 반사면(p4)의 사이의 주광선(EL3)의 중심면(p3)에 대한 XZ면내에서의 경사각을 θd로 하여, 제1 반사면(p4)의 각도 θ1을 이하의 식 (1)과 같이 설정하면 된다.3, assuming that the inclination angle in the XZ plane with respect to the central plane p3 of the principal ray EL3 between the illumination area IR1 and the first reflection plane p4 is? D, the first reflection plane the angle? 1 of the light beam p4 may be set as shown in the following equation (1).
θ1 =45°- (θd/2) … (1)? 1 = 45? -? d / 2 ... (One)
제1 결상 광학계(51)를 통과하고, 시야 조리개(43)를 통과한 결상 광속(EL2)은, 제2 결상 광학계(58)의 요소인 제2 편향 부재(57)의 제3 반사면(평면 거울)(p8)에서 반사되고, 복수의 렌즈 소자를 통과하여, 동면(瞳面)에 배치된 제2 오목 거울(59)에 도달한다.The imaging light flux EL2 that has passed through the first imaging
제2 오목 거울(59)에서 반사된 결상 광속(EL2)은, 다시 복수의 렌즈 소자를 통과하여 제2 편향 부재(57)의 제4 반사면(평면 거울)(p9)에서 반사되고, 배율 보정용 광학 부재(47)를 통과하여, 기판(P) 상의 투영 영역(PA1)에 도달한다.The image forming light beam EL2 reflected by the second
이것에 의해서, 조명 영역(IR1) 내에 나타나는 패턴의 상(像)이 투영 영역(PA1) 내에 등배(×1)로 투영된다. Thereby, an image of a pattern appearing in the illumination area IR1 is projected in the projection area PA1 at an equal magnification (x1).
제2 편향 부재(57)도, Y축 방향으로 연장하는 삼각 프리즘이다. 본 실시 형태에서, 제3 반사면(p8)과 제4 반사면(p9)의 각각은, 삼각 프리즘의 표면에 형성된 경면(반사막의 표면)을 포함한다.The
제2 편향 부재(57)는, 시야 조리개(43)와 제3 반사면(p8)의 사이의 주광선(EL3)이 XZ면내에서 중심면(p3)과 평행하게 되도록, 또한 제4 반사면(p9)과 투영 영역(PA1)의 사이의 주광선(EL3)이 중심면(p3)에 대해서 XZ면내에서 경사지도록, 결상 광속(EL2)을 편향한다. The
본 실시 형태에서는, XZ면내에서 보았을 때, 투영 영역(PA1)도 중심면(p3)에 대해서 -X방향으로 소정량만큼 어긋나 있기 때문에, 투영 영역(PA1) 내에 도달하는 결상 광속의 주광선(EL3)의 연장선을, 회전 드럼(DR)의 회전 중심선(AX2)과 교차하도록 설정한다. 그것에 의해, 투영 영역(PA1)에 형성되는 상평면(像平面)은, 회전 드럼(DR)의 외주면에 지지되는 기판(P)의 표면(만곡면)의 접평면(接平面)이 되고, 분해능을 유지한 충실한 투영 노광이 가능해진다.Since the projection area PA1 also deviates from the center plane p3 by a predetermined amount in the -X direction when viewed from the XZ plane in this embodiment, the main light ray EL3 of the imaging light flux reaching the projection area PA1, Is set so as to intersect the rotation center line AX2 of the rotary drum DR. Thereby, the image plane (image plane) formed in the projection area PA1 becomes a tangent plane of the surface (curved surface) of the substrate P supported on the outer peripheral surface of the rotary drum DR, A faithful projection exposure can be maintained.
그러한 광로를 형성하기 위해, 본 실시 형태에서는, 제2 편향 부재(57)의 제3 반사면(p8)과 제2 반사면(p9)이 교차하는 능선을 광축(AX4) 상에 배치하고, 그 능선과 광축(AX4)을 포함하여 XY면과 평행한 평면을 p7로 했을 때, 이 평면(p7)에 대해서 제3 반사면(p8)과 제4 반사면(p9)을 비대칭인 각도로 배치한다.In order to form such an optical path, in this embodiment, a ridge line where the third reflecting surface p8 and the second reflecting surface p9 of the second deflecting
구체적으로는, 제3 반사면(p8)의 평면(p7)에 대한 각도를 θ3, 제4 반사면(p9)의 평면(p7)에 대한 각도를 θ4로 하면, 각도 θ3+θ4는 90° 미만으로 설정되고, 각도 θ4는 45° 미만, 각도 θ3은 실질적으로 45°로 설정된다. Specifically, assuming that the angle of the third reflecting surface p8 with respect to the plane p7 is θ3 and the angle of the fourth reflecting surface p9 with respect to the plane p7 is θ4, the angle θ3 + θ4 is set to less than 90 ° And the angle [theta] 4 is set to less than 45 [deg.], And the angle [theta] 3 is set to substantially 45 [deg.].
제2 오목 거울(59)에서 반사하여 복수의 렌즈 소자로부터 사출하여 제4 반사면(p9)에 도달하는 주광선(EL3)을, 광축(AX4)과 평행하게 설정하는 것에 의해, 텔레센트릭한 결상 상태를 확보할 수 있다.The principal ray EL3 reflected by the second
이를 위해서는, 도 3에서, 제4 반사면(p9)과 투영 영역(PA1)의 사이의 주광선(EL3)의 중심면(p3)에 대한 XZ면내에서의 경사각을 θs로 하면, 제4 반사면(p9)의 각도 θ4를 이하의 식 (2)와 같이 설정하면 된다. 3, assuming that the inclination angle in the XZ plane with respect to the central plane p3 of the principal ray EL3 between the fourth reflection plane p9 and the projection area PA1 is? S, the fourth reflection plane p9) may be set as shown in the following equation (2).
θ4=45°- (θs/2) … (2)? 4 = 45? - (? s / 2) ... (2)
이상, 투영 광학계(PL1)의 구성을 설명했지만, 홀수번째의 투영 광학계(PL3, …)는, 도 3과 동일하게 구성되며, 짝수번째의 투영 광학계(PL2, PL4, …)는, 도 3의 배치를 중심면(p3)에 관해서 대칭적으로 되접어 꺾은 구성으로 되어 있다.The odd-numbered projection optical systems PL3, ... are configured in the same manner as in Fig. 3, and the even-numbered projection optical systems PL2, PL4, And the arrangement is folded back symmetrically with respect to the center plane p3.
또, 홀수번째, 짝수번째 중 어느 하나의 투영 광학계(PL1 ~ PL4, …)에도, 포커스 보정 광학 부재(44), 상(像) 시프트 보정 광학 부재(45), 로테이션 보정 기구(46) 및 배율 보정용 광학 부재(47)가, 결상 특성 조정 기구로서 마련되어 있다. The focus correction
이것에 의해서, 기판(P) 상에서의 투영상의 투영 조건을 투영 광학계마다 조정할 수 있다. 여기서 말하는 투영 조건은, 기판(P) 상에서의 투영 영역의 병진(竝進) 위치나 회전 위치, 배율, 포커스 중 하나 이상의 항목을 포함한다. 투영 조건은, 동기(同期) 주사시의 기판(P)에 대한 투영 영역의 위치마다 정할 수 있다. 투영상의 투영 조건을 조정하는 것에 의해서, 마스크 패턴과 비교했을 때의 투영상의 왜곡을 보정하는 것이 가능하다. Thus, the projection condition of the projected image on the substrate P can be adjusted for each projection optical system. The projection condition referred to herein includes at least one item of the projection position, the rotation position, the magnification, and the focus of the projection area on the substrate P. [ The projection condition can be determined for each position of the projection area with respect to the substrate P in synchronous (synchronous) scanning. It is possible to correct the distortion of the projected image when compared with the mask pattern by adjusting the projection condition of the projected image.
포커스 보정 광학 부재(44)는, 2매의 쐐기 모양의 프리즘을 역방향(도 3 중에서는 X방향에 대해 역방향)으로 하여, 전체로서 투명한 평행 평판이 되도록 서로 겹치게 한 것이다. 이 1쌍의 프리즘을 서로 대향하는 면 사이의 간격을 변화시키지 않고 경사면 방향으로 슬라이드시키고, 평행 평판으로서의 두께를 변화시킴으로써, 실효적인 광로 길이를 미세 조정하고, 투영 영역(PA1)에 형성되는 패턴상의 초점 상태가 미세 조정된다. The focus correction
상(像) 시프트 보정 광학 부재(45)는, 도 3 중의 XZ면내에서 경사 가능한 투명한 평행 평판 유리와, 그것과 직교하는 방향으로 경사 가능한 투명한 평행 평판 유리로 구성된다. 그 2매의 평행 평판 유리의 각 경사량을 조정함으로써, 투영 영역(PA1)에 형성되는 패턴상을 X방향이나 Y방향으로 미소 시프트시킬 수 있다. The image shift correcting optical member 45 is composed of a transparent parallel plate glass which can be tilted in the XZ plane in Fig. 3 and a transparent parallel plate glass which is tiltable in a direction orthogonal thereto. The pattern image formed in the projection area PA1 can be slightly shifted in the X direction or the Y direction by adjusting the tilt amounts of the two parallel flat glass plates.
배율 보정용 광학 부재(47)는, 오목 렌즈, 볼록 렌즈, 오목 렌즈의 3매를 소정 간격으로 동축에 배치하고, 전후의 오목 렌즈는 고정하여, 사이의 볼록 렌즈를 광축(주광선(EL3)) 방향으로 이동시키도록 구성한 것이다. 이것에 의해서, 투영 영역(PA1)에 형성되는 패턴상은, 텔레센트릭한 결상 상태를 유지하면서, 등방적으로 미소량만큼 확대 또는 축소된다. The
로테이션 보정 기구(46)는, 액추에이터(도시 생략)에 의해서, 제1 편향 부재(50)를 Z축과 평행한 축 둘레로 미소 회전시킨다. 로테이션 보정 기구(46)에 의해서, 투영 영역(PA1)에 형성되는 패턴상을, 그 상면(像面) 내에서 미소 회전시킬 수 있다. The
도 4는, 본 실시 형태에서의 조명 영역(IR) 및 투영 영역(PA)의 배치를 나타내는 도면이다. 또, 도 4에서는, 투영 광학계(PL)로서, 홀수번째의 3개의 투영 광학계(PL1, PL3, PL5)와, 짝수번째의 3개의 투영 광학계(PL2, PL4, PL6)가, Y방향으로 늘어서 있는 것으로 한다.Fig. 4 is a diagram showing the arrangement of the illumination area IR and the projection area PA in the present embodiment. 4, three odd-numbered projection optical systems PL1, PL3, PL5 and three even-numbered projection optical systems PL2, PL4, PL6 are arranged in the Y direction as the projection optical system PL .
도 4 중의 좌측 도면은, 그 6개의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)마다, 원통 마스크(DM) 상에 설정되는 6개의 조명 영역(IR1 ~ IR6)을 -Z측으로부터 본 평면도이다. 도 4 중의 우측 도면은, 6개의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)마다, 회전 드럼(DR)에서 지지되는 기판(P) 상의 6개의 투영 영역(PA1 ~ PA6)을 +Z측으로부터 본 평면도이다. 도 4 중의 부호 Xs는, 원통 마스크(DM), 또는 회전 드럼(DR)의 이동 방향(회전 방향)을 나타낸다. 4 is a plan view of six illumination regions IR1 to IR6 set on the cylindrical mask DM from the -Z side for each of the six projection optical systems PL1 to PL6. 4 is a plan view of six projection areas PA1 to PA6 on the substrate P supported by the rotary drum DR from the + Z side for each of the six projection optical systems PL1 to PL6. Symbol Xs in FIG. 4 indicates the moving direction (rotational direction) of the cylindrical mask DM or the rotary drum DR.
조명계(IU)는, 원통 마스크(DM) 상의 6개의 조명 영역(IR1 ~ IR6)을 개별로 조명한다. 도 4에서, 각 조명 영역(IR1 ~ IR6)은, Y방향으로 가늘고 긴 사다리꼴 모양의 영역으로서 설명한다. 또, 도 3에서 설명한 바와 같이, 시야 조리개(43)의 개구 형상이 사다리꼴인 경우는, 각 조명 영역(IR1 ~ IR6)은, 사다리꼴 영역을 포함하는 장방형의 영역으로 해도 괜찮다.The illumination system IU individually illuminates the six illumination regions IR1 to IR6 on the cylindrical mask DM. In Fig. 4, each of the illumination regions IR1 to IR6 is described as a region of a trapezoidal shape elongated in the Y direction. 3, when the opening shape of the
홀수번째의 조명 영역(IR1, IR3, IR5)은, 동일한 형상(사다리꼴 혹은 장방형)이며, Y축 방향으로 일정 간격을 두고 배치된다. 짝수번째의 조명 영역(IR2, IR4, IR6)도 Y축 방향으로 일정 간격을 두고 배치된다. 짝수번째의 조명 영역(IR2, IR4, IR6)은, 중심면(p3)에 관해서 홀수번째의 조명 영역(IR1, IR3, IR5)과 대칭적인 사다리꼴(또는 장방형)의 형상을 가진다. The odd-numbered illumination regions IR1, IR3, and IR5 have the same shape (trapezoid or rectangular shape) and are arranged at regular intervals in the Y-axis direction. The even-numbered illumination regions IR2, IR4, and IR6 are also arranged at regular intervals in the Y-axis direction. The even-numbered illumination regions IR2, IR4 and IR6 have a trapezoidal (or rectangular) shape symmetrical with the odd-numbered illumination regions IR1, IR3 and IR5 with respect to the center plane p3.
또, 도 4에 나타내는 바와 같이, 6개의 조명 영역(IR1 ~ IR6)의 각각은, Y방향에 관해서, 서로 이웃하는 조명 영역의 주변부가 일부 겹치도록 배치되어 있다. In addition, as shown in Fig. 4, each of the six illumination regions IR1 to IR6 is arranged so that the peripheral portions of neighboring illumination regions partially overlap with each other in the Y direction.
본 실시 형태에서, 원통 마스크(DM)의 외주면은, 패턴이 형성되어 있는 패턴 형성 영역(A3)과, 패턴이 형성되어 있지 않은 패턴 비형성 영역(A4)을 가진다.In the present embodiment, the outer peripheral surface of the cylindrical mask DM has a pattern formation area A3 in which a pattern is formed and a pattern non-formation area A4 in which no pattern is formed.
패턴 비형성 영역(A4)은, 패턴 형성 영역(A3)을 틀 모양으로 둘러싸도록 배치되어 있고, 특히, 각 조명 영역(IR1 ~ IR6)을 조사하는 조명 광속을 차광하는 특성을 가진다.The pattern non-formation area A4 is arranged so as to surround the pattern formation area A3 in a frame shape, and particularly has a characteristic of shielding the illumination luminous flux irradiating each of the illumination areas IR1 to IR6.
패턴 형성 영역(A3)은, 원통 마스크(DM)의 회전에 따라서 방향 Xs로 이동하고, 패턴 형성 영역(A3) 중 Y축 방향의 각 부분 영역이, 6개의 조명 영역(IR1 ~ IR6) 중 어느 하나를 통과한다. 환언하면, 6개의 조명 영역(IR1 ~ IR6)은, 패턴 형성 영역(A3)의 Y축 방향의 전체 폭을 커버하도록 배치된다. The pattern formation area A3 moves in the direction Xs in accordance with the rotation of the cylindrical mask DM and each partial area in the Y axis direction of the pattern formation area A3 corresponds to any one of the six illumination areas IR1 to IR6 One passes. In other words, the six illumination regions IR1 to IR6 are arranged to cover the entire width in the Y-axis direction of the pattern formation region A3.
도 4에서는, 6개의 조명 영역(IR1 ~ IR6)의 각각에 대응하여, 6개의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)가 마련된다. 그 때문에, 각 투영 광학계(PL1 ~ PL6)는, 대응하는 조명 영역(IR1 ~ IR6) 내에 나타나는 마스크 패턴의 부분적인 패턴상을, 도 4 중의 우측 도면에 나타내는 바와 같이, 기판(P) 상의 6개의 투영 영역(PA1 ~ PA6) 내에 투영한다. In Fig. 4, six projection optical systems PL1 to PL6 are provided corresponding to the six illumination regions IR1 to IR6, respectively. Therefore, each of the projection optical systems PL1 to PL6 forms a partial pattern image of the mask pattern appearing in the corresponding illumination area IR1 to IR6, as shown in the right side of Fig. 4, And projected in the projection areas PA1 to PA6.
도 4 중의 우측 도면에 나타내는 바와 같이, 홀수번째의 조명 영역(IR1, IR3, IR5)에서의 패턴의 상(像)은, 각각, Y축 방향으로 일렬로 늘어서는 홀수번째의 투영 영역(PA1, PA3, PA5)에 투영된다. 짝수번째의 조명 영역(IR2, IR4, IR6)에서의 패턴의 상(像)도, 각각, Y축 방향으로 일렬로 늘어서는 짝수번째의 투영 영역(PA2, PA4, PA6)에 투영된다.The images of the patterns in the odd-numbered illumination regions IR1, IR3 and IR5 are arranged in the odd-numbered projection regions PA1, PA3, and PA5. The images of the patterns in the even-numbered illumination regions IR2, IR4 and IR6 are also projected onto the even-numbered projection regions PA2, PA4 and PA6 arranged in a line in the Y-axis direction.
홀수번째의 투영 영역(PA1, PA3, PA5)과 짝수번째의 투영 영역(PA2, PA4, PA6)은, 중심면(p3)에 관해서 대칭적으로 배치된다. The odd-numbered projection areas PA1, PA3, and PA5 and the even-numbered projection areas PA2, PA4, and PA6 are arranged symmetrically with respect to the center plane p3.
6개의 투영 영역(PA1 ~ PA6)의 각각은, 회전 중심선(AX2)에 평행한 방향(Y방향)에서, 서로 이웃하는 투영 영역의 단부(사다리꼴의 삼각 부분)끼리가 서로 겹치도록 배치된다. 이것으로부터, 회전 드럼(DR)의 회전에 따라서 6개의 투영 영역(PA1 ~ PA6)에서 노광되는 기판(P)의 노광 영역(A7)은, 어디에서라도 실질적으로 동일 노광량이 된다. Each of the six projection areas PA1 to PA6 is arranged such that the end portions (triangular portions of the trapezoidal shape) of mutually adjacent projection regions overlap each other in the direction (Y direction) parallel to the rotation center line AX2. Thus, the exposure area A7 of the substrate P exposed in the six projection areas PA1 to PA6 in accordance with the rotation of the rotary drum DR becomes substantially the same exposure amount in every place.
그런데, 앞의 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태의 노광 장치(EX)에는, 기판(P) 상에 형성된 얼라이먼트 마크, 혹은 회전 드럼(DR) 상에 형성된 기준 마크나 기준 패턴을 검출하여, 기판(P)과 마스크 패턴을 위치 맞춤하거나, 베이스 라인이나 투영 광학계를 캘리브레이션 하거나 하기 위한 얼라이먼트계(AM)가 마련되어 있다. 그 얼라이먼트계(AM)에 대해서, 이하, 도 5와 도 6을 참조하여 설명한다. 1, an alignment mark formed on the substrate P or a reference mark or reference pattern formed on the rotary drum DR is detected in the exposure apparatus EX of the present embodiment, There is provided an alignment system AM for aligning the substrate P with the mask pattern or for calibrating the base line or the projection optical system. The alignment system AM will be described below with reference to Figs. 5 and 6. Fig.
도 5는, 회전 드럼(DR), 엔코더 헤드(EN1, EN2), 및 얼라이먼트계(AM1)의 배치를, XZ면내에서 본 도면이다. 도 6은, 회전 드럼(DR), 기판(P) 상에 설정되는 6개의 투영 영역(PA1 ~ PA6), 및 5개의 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 배치를, XY면내에서 본 도면이다. 5 is a view showing the arrangement of the rotary drum DR, the encoder heads EN1 and EN2, and the alignment system AM1 in the XZ plane. 6 is a diagram showing the arrangement of the six projection areas PA1 to PA6 and the five alignment systems AM1 to AM5 set on the rotary drum DR, the substrate P in the XY plane.
도 5에서, 먼저 설명한 바와 같이, 엔코더 헤드(EN1, EN2)가 배치되는 설치 방위선(Le1, Le2)은, 회전 중심선(AX2)을 포함하고 YZ면과 평행한 중심면(p3)에 대해서, 대칭적으로 경사져 설정된다.5, the mounting diagonal lines Le1 and Le2 in which the encoder heads EN1 and EN2 are disposed are symmetrical with respect to the center plane p3 including the rotational center line AX2 and parallel to the YZ plane, As shown in FIG.
설치 방위선(Le1, Le2)의 중심면(p3)에 대한 경사각은, 도 3에서 설명한 투영 영역(PA1)(또는 도 4에서 나타낸 홀수번째의 투영 영역(PA1, PA3, PA5)과 짝수번째의 투영 영역(PA2, PA4, PA6))의 중심에 도달하는 주광선(EL3)의 중심면(p3)으로부터의 경사각 θs와 동일하게 되도록 설정된다. The inclination angles of the mounting diagonal lines Le1 and Le2 with respect to the center plane p3 are set such that the projection area PA1 (or the odd-numbered projection areas PA1, PA3, and PA5 shown in Fig. 4) Is set to be equal to the inclination angle? S from the center plane p3 of the principal ray EL3 reaching the center of the area (PA2, PA4, PA6).
도 5에서, 얼라이먼트계(AM1)는, 기판(P) 또는 회전 드럼(DR) 상의 마크나 패턴에 얼라이먼트용의 조명광을 조사하기 위한 조명 유닛(GC1), 그 조명광을 기판(P) 또는 회전 드럼(DR)으로 안내하는 빔 스플리터(GB1), 조명광을 기판(P) 또는 회전 드럼(DR)에 투사함과 아울러, 마크나 패턴에서 발생한 광을 입사하는 대물 렌즈계(GA1), 대물 렌즈계(GA1)와 빔 스플리터(GB1)를 매개로 하여 수광(受光)한 마크나 패턴의 상(像)(명시야상(明視野像), 암시야상(暗視野像), 형광상(螢光像) 등)을 2차원 CCD, CMOS 등으로 촬상하는 촬상계(GD1) 등으로 구성된다.5, the alignment system AM1 includes an illumination unit GC1 for irradiating a mark or pattern on the substrate P or the rotary drum DR with illumination light for alignment, An objective lens system GA1 for projecting the illumination light onto the substrate P or the rotary drum DR and for introducing light generated from the marks or patterns, an objective lens system GA1, (A bright field image, a dark field image, a fluorescent image, etc.) of a mark or a pattern received via a beam splitter GB1 An image pickup system GD1 for picking up images by a two-dimensional CCD, CMOS, or the like.
또, 조명 유닛(GC1)으로부터의 얼라이먼트용의 조명광은, 기판(P) 상의 광 감응층에 대해서 거의 감도를 가지지 않는 파장역의 광, 예를 들면 파장 500 ~ 800nm 정도의 광이다. The illumination light for alignment from the illumination unit GC1 is light in a wavelength range that has little sensitivity to the photosensitive layer on the substrate P, for example, light having a wavelength of about 500 to 800 nm.
얼라이먼트계(AM1)에 의한 마크나 패턴의 관찰 영역(촬상 영역)은, 기판(P)이나 회전 드럼(DR) 상에서, 예를 들면, 200㎛각(角) 정도의 범위로 설정된다.The observation region (imaging region) of the mark or pattern by the alignment system AM1 is set to a range of, for example, about 200 mu m square on the substrate P or the rotary drum DR.
얼라이먼트계(AM1)의 광축, 즉, 대물 렌즈계(GA1)의 광축은, 회전 중심선(AX1)으로부터 회전 드럼(DR)의 지름 방향으로 연장하는 설치 방위선(La1)과 동일 방향으로 설정된다. 이 설치 방위선(La1)은, 중심면(p3)으로부터 각도 θj만큼 경사져 있고, 홀수번째의 투영 광학계(PL1, PL3, PL5)의 주광선(EL3)의 경사각 θs에 대해서, θj>θs가 되도록 설정된다. The optical axis of the alignment system AM1, that is, the optical axis of the objective lens system GA1 is set in the same direction as the mounting disposition line La1 extending from the rotation center line AX1 in the radial direction of the rotary drum DR. The mounting diagonal line La1 is inclined from the center plane p3 by an angle? J and is set such that? J>? S is satisfied with respect to the inclination angle? S of the main light line EL3 of the odd-numbered projection optical systems PL1, PL3 and PL5 .
게다가, 본 실시 형태에서는, 설치 방위선(La1)의 위에서, 회전 드럼(DR)의 스케일부(GPa, GPb)의 각각과 대향하는 위치에, 엔코더 헤드(EN1, EN2)와 동일한 엔코더 헤드(EN3)가 마련되어 있다. 이것에 의해서, 얼라이먼트계(AM1)가 관찰 영역(촬상 영역) 내에서, 마크나 패턴의 상(像)을 샘플링한 순간의 회전 드럼(DR)의 회전 각도 위치(또는 둘레 방향 위치)를 정밀하게 계측할 수 있다.In this embodiment, the encoder heads EN3 and EN3, which are the same as the encoder heads EN1 and EN2, are provided above the mounting diagonal line La1 at positions opposite to the respective schedules GPa and GPb of the rotary drum DR, Respectively. This allows the alignment system AM1 to precisely determine the rotational angle position (or circumferential position) of the rotary drum DR at the moment when the image of the mark or pattern is sampled in the observation region (imaging region) Can be measured.
또, XZ면내에서 보았을 때, 중심면(p3)과 직교하는 X축의 방향에도, 회전 드럼(DR)의 스케일부(GPa, GPb)의 각각과 대향하는 엔코더 헤드(EN4)가 마련된다. An encoder head EN4 opposing to the respective schedules GPa and GPb of the rotary drum DR is also provided in the direction of the X axis orthogonal to the center plane p3 when viewed in the XZ plane.
얼라이먼트계(AM)는, 도 5의 얼라이먼트계(AM1)와 동일한 구성의 것이, 도 6에 나타내는 바와 같이, 5개 마련되어 있다. 도 6에서는, 알기 쉽게 하기 위해, 5개의 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 각 대물 렌즈계(GA1 ~ GA5)만의 배치를 나타낸다.The alignment system AM has the same configuration as that of the alignment system AM1 shown in FIG. 5, as shown in FIG. 6. In Fig. 6, only the arrangement of each of the objective systems GA1 to GA5 of the five alignment systems AM1 to AM5 is shown for the sake of clarity.
각 대물 렌즈계(GA1 ~ GA5)에 의한 기판(P)(또는 회전 드럼(DR)의 외주면) 상의 관찰 영역(촬상 영역)(Vw)은, 도 6과 같이, Y축(회전 중심선(AX2))과 평행한 방향으로, 소정의 간격으로 배치된다. 각 관찰 영역(촬상 영역)(Vw)의 중심을 통과하는 각 대물 렌즈계(GA1 ~ GA5)의 광축은, 모두 XZ면과 평행하게 배치된다. The imaging region Vw on the substrate P (or the outer peripheral surface of the rotary drum DR) by each of the objective lenses GA1 to GA5 has a Y-axis (rotation center line AX2) At predetermined intervals in a direction parallel to the direction of the arrow. The optical axes of the objective lens systems GA1 to GA5 passing through the center of each observation region (imaging region) Vw are all arranged in parallel with the XZ plane.
앞의 도 2에서 나타낸 바와 같이, 회전 드럼(DR)의 양단측에는, 스케일부(GPa, GPb)가 마련되고, 그들의 내측에는, 오목 모양의 홈, 혹은 볼록 모양의 림(rim)에 의한 좁은 폭의 규제대(規制帶)(CLa, CLb)가 전체 둘레에 걸쳐서 새겨진다.Scale portions GPa and GPb are provided at both ends of the rotary drum DR as shown in Fig. 2, and a narrow groove (ridge) having a concave groove or a convex rim (CLa, CLb) of the rear end portion of the rear end portion are engraved over the entire circumference.
기판(P)의 Y방향의 폭은, 그 2개의 규제대(CLa, CLb)의 Y방향의 간격 보다도 작게 설정된다. 기판(P)은 회전 드럼(DR)의 외주면 중, 규제대(CLa, CLb) 사이에 끼인 내측의 영역에 밀착하여 지지된다. The width of the substrate P in the Y direction is set to be smaller than the interval in the Y direction of the two restraints CLa and CLb. The substrate P is held in close contact with an inner region sandwiched between the regulating bases CLa and CLb in the outer peripheral surface of the rotary drum DR.
기판(P) 상에는, 앞의 도 4 중의 우측 도면에 나타낸 바와 같이, 6개의 투영 영역(PA1 ~ PA6)의 각각에 의해서 노광되는 노광 영역(A7)이, X방향으로 소정의 간격을 두고 배치된다.On the substrate P, exposure regions A7 exposed by each of the six projection regions PA1 through PA6 are arranged at predetermined intervals in the X direction, as shown in the right drawing in Fig. 4 .
기판(P)의 각 노광 영역(A7)에, 이미 패턴이 형성되어 있고, 그 위에 새로운 패턴을 서로 겹쳐 노광하는 경우가 있다. 이 경우, 기판(P) 상의 노광 영역(A7)의 주위에, 위치 맞춤을 위한 복수의 마크(얼라이먼트 마크)(Ks1 ~ Ks5)가, 예를 들면 십자의 형상으로 형성된다. A pattern is already formed in each exposure area A7 of the substrate P and a new pattern is overlaid on the exposure area A7. In this case, a plurality of marks (alignment marks) Ks1 to Ks5 for alignment are formed, for example, in the shape of a cross, around the exposure area A7 on the substrate P. [
도 6에서, 마크(Ks1)는, 노광 영역(A7)의 -Y측의 주변 영역에, X방향으로 일정한 간격으로 마련되고, 마크(Ks5)는, 노광 영역(A7)의 +Y측의 주변 영역에, X방향으로 일정한 간격으로 마련된다. 마크(Ks2, Ks3, Ks4)는, X방향으로 서로 이웃하는 2개의 노광 영역(A7)의 사이의 여백 영역에, Y방향으로 간격을 두고 일렬로 마련된다. 6, the mark Ks1 is provided at regular intervals in the X direction in the peripheral region on the -Y side of the exposure region A7, and the mark Ks5 is provided in the peripheral region on the + Y side in the exposure region A7 At regular intervals in the X direction. The marks Ks2, Ks3, and Ks4 are provided in a line in a space in the Y direction between the two exposure regions A7 adjacent to each other in the X direction.
이들의 얼라이먼트 마크 중, 마크(Ks1)는, 대물 렌즈계(GA1)(얼라이먼트계(AM1))의 촬상 영역(Vw) 내에서, 기판(P)이 보내어지고 있는 동안, 순차 포착되도록 설정된다. 마크(Ks5)는, 대물 렌즈계(GA5)(얼라이먼트계(AM5))의 촬상 영역(Vw) 내에서, 기판(P)이 보내어지고 있는 동안, 순차 포착되도록 설정된다.Of these alignment marks, the mark Ks1 is set to be sequentially picked up while the substrate P is being sent, in the image pickup area Vw of the objective lens system GA1 (alignment system AM1). The mark Ks5 is set to be sequentially captured while the substrate P is being sent in the imaging area Vw of the objective lens system GA5 (alignment system AM5).
마크(Ks2, Ks3, Ks4)는, 각각, 대물 렌즈계(GA2)(얼라이먼트계(AM2)), 대물 렌즈계(GA3)(얼라이먼트계(AM3)), 대물 렌즈계(GA4)(얼라이먼트계(AM4))의 각 촬상 영역(Vw) 내에서 포착되도록, Y방향의 위치가 정해져 있다. The marks Ks2, Ks3 and Ks4 correspond to the objective lens system GA2 (alignment system AM2), the objective lens system GA3 (alignment system AM3) and the objective lens system GA4 (alignment system AM4) The position in the Y direction is determined so as to be captured within each imaging area Vw of the imaging lens.
이상과 같은 구성에서, 기판(P) 상의 노광 영역(A7)과 원통 마스크(DM) 상의 마스크 패턴을 상대적으로 위치 맞춤하여 노광할 때에는, 각 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 촬상 영역(Vw) 내에, 대응하는 마크(Ks1 ~ Ks5)가 들어가는 타이밍으로, 촬상 데이터를 샘플링함과 아울러, 그 때의 회전 드럼(DR)의 각도 위치(둘레 방향 위치)를, 엔코더 헤드(EN3)로부터 읽어내어 기억한다.In the above configuration, when the exposure area A7 on the substrate P and the mask pattern on the cylindrical mask DM are relatively aligned and exposed to light, it is preferable that exposure is carried out in the imaging area Vw of each of the alignment systems AM1 to AM5 , The imaging data is sampled at the timing at which corresponding marks Ks1 to Ks5 are entered and the angular position (circumferential position) of the rotary drum DR at that time is read from the encoder head EN3 and stored .
각 촬상 데이터를 화상 해석하는 것에 의해서, 각 촬상 영역(Vw)을 기준으로 한 각 마크(Ks1 ~ Ks5)의 XY방향의 어긋남량이 구해진다. By performing image analysis of each image pickup data, the displacement amount of each mark (Ks1 to Ks5) with respect to each image pickup area (Vw) in the XY direction is obtained.
각 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 촬상 영역(Vw)과, 각 투영 영역(PA1 ~ PA6)과의 상대적인 위치 관계, 이른바 베이스 라인이, 미리 캘리브레이션 등에 의해서 정확하게 구해지고 있는 경우, 구해진 각 마크(Ks1 ~ Ks5)의 XY방향의 어긋남량과, 엔코더 헤드(EN3)에서 읽어내어 기억된 회전 드럼(DR)의 각도 위치(둘레 방향 위치)에 근거하여, 기판(P) 상의 노광 영역(A7)과 각 투영 영역(PA1 ~ PA6)과의 위치 관계(동적으로 변화하는 위치 관계)를, 노광 위치에 배치된 2개의 엔코더 헤드(EN1, EN2)의 각 계측값으로부터 정확하게 추정할 수 있다.When the relative positional relationship between the imaging area Vw of each of the alignment systems AM1 to AM5 and the respective projection areas PA1 to PA6, that is, the so-called baseline, is precisely obtained by calibration or the like in advance, And the angular position (circumferential position) of the rotary drum DR read from the encoder head EN3 and stored in the encoder head EN3 and the angular position of the rotary drum DR The positional relationship (dynamically changing positional relationship) with the projection areas PA1 to PA6 can be accurately estimated from the measured values of the two encoder heads EN1 and EN2 arranged at the exposure position.
여기서, 2개의 엔코더 헤드(EN1, EN2)의 각 계측값과, 원통 마스크(DM)측의 엔코더 헤드(EN11, EN12)에 의한 계측값을 순차 비교하여, 동기 제어를 행하는 것에 의해, 마스크 패턴을 기판(P)의 노광 영역(A7) 상에 정밀하게 서로 겹쳐 노광할 수 있다.The measured values of the two encoder heads EN1 and EN2 are successively compared with the measured values by the encoder heads EN11 and EN12 on the cylindrical mask DM side to perform synchronous control, It is possible to precisely overlap each other on the exposure area A7 of the substrate P to perform exposure.
이상과 같은 노광에서, 기판(P)이 100㎛ 정도로 얇고, 기초층으로서 ITO 등의 투명막이 형성되어 있는 것이 있다.In the above-described exposure, the substrate P is as thin as about 100 mu m and a transparent film such as ITO is formed as a base layer.
이러한 기판(P)을 이용하는 경우, 그것을 지지하는 회전 드럼(DR)의 외주면의 반사율이 비교적으로 높거나, 그 표면에 수 미크론 폭 정도의 미세한 흠이 다수 있거나 하면, 노광용 조명광이 회전 드럼(DR)의 외주면에서 반사하거나, 산란, 회절하거나 하여, 기판(P)의 이면측으로부터 표측(表側)으로 되돌아와, 광 감응층에, 본래의 마스크 패턴에는 없는 노이즈가 되는 노광을 부여해 버린다.When such a substrate P is used, if the reflectance of the outer circumferential surface of the rotary drum DR supporting the substrate P is relatively high, or if there are many fine scratches on the surface of the rotary drum DR about several microns wide, Scattered and diffracted by the outer peripheral surface of the substrate P to return to the table side from the back side of the substrate P and give exposure to the photosensitive layer to become noise that is not present in the original mask pattern.
그 때문에, 회전 드럼(DR)의 외주면 중, 적어도 기판(P) 상의 노광 영역(A7)과 접촉하는 부분은, 그 표면이 국소적으로 서브 미크론 정도의 평탄성을 가지며, 반사율이 균일하게 낮게 되도록 할 수 있다. 반사율은, 예를 들면, 노광용 조명광에 대해서 50, 45, 40, 35, 30, 25, 20, 15, 10, 또는 5% 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 20% 이하로 할 수 있다.Therefore, at least the portion of the outer circumferential surface of the rotary drum DR, which is in contact with the exposure area A7 on the substrate P, has a flat surface with a sub-micron level locally and has a uniformly low reflectance . The reflectance can be, for example, 50, 45, 40, 35, 30, 25, 20, 15, 10, or 5% or less, preferably 20% or less with respect to the illumination light for exposure.
또, 상기 수치는 일례로서 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. Note that the above numerical values are by way of example and the present invention is not limited thereto.
이하, 도 7, 도 8을 이용하여, 회전 드럼(DR)의 외주면의 구조에 대해 설명한다. 도 7은, 회전 드럼(DR)의 외주면에 밀착하여 지지되는 기판(P)의 구성과, 노광용의 결상 광속(EL2)(조명광(IE0))과, 얼라이먼트용의 조명광(ILa)의 각각에 대한 반사의 모습을 나타내는 도면이다. 도 8은, 회전 드럼(DR)의 외주면의 단면 구조를 나타내는 도면이다. Hereinafter, the structure of the outer peripheral surface of the rotary drum DR will be described with reference to Figs. 7 and 8. Fig. 7 is a diagram showing the configuration of the substrate P supported in close contact with the outer circumferential surface of the rotary drum DR and the configuration of the imaging light flux EL2 (illumination light IE0) for exposure and the illumination light ILa for alignment Fig. 8 is a view showing a sectional structure of the outer peripheral surface of the rotary drum DR.
도 7에서, 주광선(EL3)을 따라서 진행되는 결상 광속(EL2)(조명광(IE0))은, 두께 Tp인 기판(P)의 표면에 형성된 광 감응층(Pb3)에 투사된다. 광 감응층(Pb3)의 기초층(Pb2)이 ITO 등의 광 투과성이 높은 재질이면, 기초층(Pb2)을 투과한 조명광(IE1)은, 원래의 조명광(IE0)에 대해서, 거의 감쇠하지 않고, 그 아래의 기판(P)의 모재(Pb1)를 향한다. 7, the imaging light flux EL2 (illumination light IE0) traveling along the main light line EL3 is projected onto the photosensitive layer Pb3 formed on the surface of the substrate P having the thickness Tp. When the base layer Pb2 of the photosensitive layer Pb3 is made of a material having high light transmittance such as ITO, the illumination light IE1 transmitted through the base layer Pb2 is not substantially attenuated with respect to the original illumination light IE0 , And the base material (Pb1) of the substrate (P) thereunder.
기판(P)의 모재(Pb1)가 PET, PEN 등의 투명 수지 필름으로서, 또한, 두께가 100㎛ 이하로 얇기 때문에, 조명광(IE0)(IE1)의 파장역이 350nm 이상인 경우, 모재(Pb1)는 그 조명광(IE1)에 대해서 비교적으로 큰 투과율(80% 이상)을 가진다.Since the base material Pb1 of the substrate P is a transparent resin film such as PET or PEN and the thickness is thinner than 100 占 퐉 and the wavelength range of the illumination light IE0 Has a relatively high transmittance (80% or more) with respect to the illumination light IE1.
그 때문에, 모재(Pb1)를 투과한 조명광(IE1)은, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)까지 도달한다. 외주 표면(DRs)의 반사율이 제로가 아니라고 하면, 모재(Pb1)를 투과한 조명광(IE1)에 의해서, 외주 표면(DRs)으로부터는 반사광(산란광, 회절광도 포함함)(IE2)이 발생하고, 모재(Pb1), 기초층(Pb2)의 순서로, 광 감응층(Pb3)의 쪽으로 되돌아온다. 반사광(IE2)은, 본래의 패터닝용의 결상 광속(EL2)은 아니기 때문에, 노이즈가 되어 광 감응층(Pb3)에 불필요한 노광을 부여한다. Therefore, the illumination light IE1 transmitted through the base material Pb1 reaches the outer circumferential surface DRs of the rotary drum DR. If the reflectance of the outer peripheral surface DRs is not zero, reflected light (including scattered light and diffracted light) IE2 is generated from the outer peripheral surface DRs by the illumination light IE1 transmitted through the base material Pb1, The base material Pb1 and the base layer Pb2 are returned to the photosensitive layer Pb3 in this order. Since the reflected light IE2 is not the originally formed image forming light beam EL2 for patterning, noise is generated and unnecessary exposure is given to the photosensitive layer Pb3.
그 노이즈 중의 하나는, 예를 들면, 결상 광속(EL2)에 의해서 만들어지는 패턴상의 디포커스상(defocus像)이다.One of the noises is, for example, a defocus image on the pattern formed by the imaging light flux EL2.
앞의 도 3과 같은 투영 광학계(PL1(~PL6))의 경우, 노광용 조명광의 파장(λ)과 개구수(NA)에 의해서, 해상도(R)와 초점 심도(深度)(DOF)가 대체로 정해진다. 예를 들면, 파장 365nm(i선)의 조명광을 사용하고, 해상도(R)로서 선폭 3㎛를 결상 가능한 투영 광학계에서는, k팩터를 0.35 정도로 한 경우, 그 초점 심도(DOF)는 70㎛ 정도가 된다. In the case of the projection optical systems PL1 (PL6) as shown in Fig. 3, the resolution R and the depth of focus DOF are determined by the wavelength lambda of the illumination light for exposure and the numerical aperture NA, All. For example, in a projection optical system in which illumination light having a wavelength of 365 nm (i-line) is used and a resolution of 3 m is used as the resolution R, when the k factor is about 0.35, the depth of focus (DOF) do.
기판(P)의 모재(Pb1)의 두께가 100㎛이라고 하면, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에는, 결상 광속(EL2)이 약간의 디포커스 상태로 투사되며, 외주 표면(DRs)에서 반사한 반사광(IE2)은, 광 감응층(Pb3)의 면에서는, 더 디포커스한 상(像) 광속이 된다.When the thickness of the base material Pb1 of the substrate P is 100 占 퐉, the imaging light flux EL2 is projected in a slightly defocused state on the outer peripheral surface DRs of the rotary drum DR, The reflected light (IE2) reflected on the surface of the photosensitive layer Pb3 becomes a defocused image light flux on the surface of the photosensitive layer Pb3.
따라서, 광 감응층(Pb3)에는, 포커스가 맞는 결상 광속(EL2)에 의한 패턴상과 함께, 그 패턴상 자체의 흐릿한 상(像)도 함께 겹쳐 투사되게 된다. 즉, 원하지 않은 불필요한 패턴상(흐릿한 상 등)이, 광 감응층(Pb3)에 겹쳐진다고 하는 문제가 생길 수 있다. Therefore, a blurred image of the pattern image itself is projected together with the pattern image of the image forming light beam EL2 focused on the photosensitive layer Pb3. That is, an undesired unnecessary pattern image (blurred image or the like) may overlap with the photosensitive layer Pb3.
한편, 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)에 의한 마크 검출에 대해서는, 예를 들면, 기판(P)의 모재(Pb1) 상에 형성되는 얼라이먼트용의 마크(Ks1 ~ Ks5)의 재질로서, 고반사율의 물질, 예를 들면 알루미늄(Al) 등을 사용하는 경우는, 그들의 마크(Ks1 ~ Ks5)에 조사되는 조명광(ILa)에 의한 반사광(ILb)의 강도가 비교적으로 크기 때문에, 양호한 마크 관찰, 검출이 가능하다.On the other hand, as for the mark detection by the alignment systems AM1 to AM5, for example, as the material of the alignment marks Ks1 to Ks5 formed on the base material Pb1 of the substrate P, For example, aluminum (Al) or the like is used, the intensity of the reflected light ILb due to the illumination light ILa irradiated on the marks Ks1 to Ks5 is relatively large, so that good mark observation and detection are possible Do.
그렇지만, 마크(Ks1 ~ Ks5)의 반사율이 별로 높지 않은 경우, 마크(Ks1 ~ Ks5)의 주위의 투명 영역을 통과한 조명광(ILa)이 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 도달하고, 여기서 반사한 광이, 마크(Ks1 ~ Ks5)로부터의 반사광(ILb)과 함께 촬상 소자에서 촬상되기 때문에, 마크(Ks1 ~ Ks5)의 상(像) 콘트라스트가 저하하는 경우가 있다. However, when the reflectance of the marks Ks1 to Ks5 is not very high, the illumination light ILa that has passed through the transparent areas around the marks Ks1 to Ks5 reaches the outer peripheral surfaces DRs of the rotary drum DR, Since the light reflected here is picked up by the image pickup element together with the reflected light ILb from the marks Ks1 to Ks5, the image contrast of the marks Ks1 to Ks5 may be lowered.
이상으로부터, 본 실시 형태에서의 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)은, 노광용의 조명광(IE0)에 대해서 약 50, 45, 40, 35, 30, 25, 20, 15, 10, 또는 5% 이하의 반사율을 가지도록 형성된다.As described above, the outer peripheral surface DRs of the rotary drum DR in the present embodiment has a size of about 50, 45, 40, 35, 30, 25, 20, 15, 10, or 5 % Or less.
그 때문에, 본 실시 형태의 회전 드럼(DR)에서는, 철제(SUS), 또는 알루미늄제(Al)의 원통 모양의 기재(DR1)의 표면에, 크롬(Cr)이나 동(Cu)에 의한 기초층(DR2)(두께 Td2)를 도금한다. 그 기초층(DR2)의 표면을 광학 연마하여, 국소적인 표면 거칠기를 충분히 작게 한 후, 그 위에 산화 크롬(Cr2O3) 또는 다이아몬드 라이크 카본(DLC)에 의한 톱층(DR3)(두께 Td3)을 형성한다.Therefore, in the rotary drum DR of the present embodiment, the surface of the cylindrical base material DR1 made of iron (SUS) or aluminum (Al) is coated with a base layer made of chromium (Cr) (Thickness Td2) is plated. To the optical surface of the base layer (DR2) polishing, after decreasing the local surface roughness sufficient, above chromium oxide (Cr 2 O 3) or topcheung (DR3) by the diamond-like carbon (DLC) (thickness Td3) .
기초층(DR2)의 두께 Td2는, 수백nm ~ 수 ㎛ 정도의 범위에서 임의로 설정할 수 있지만, 톱층(DR3)의 두께 Td3는, 외주 표면(DRs)의 반사율을 조정하기 위해, 어떤 조건 범위가 존재한다.The thickness Td2 of the base layer DR2 can be arbitrarily set within a range of several hundreds of nm to several micrometers. The thickness Td3 of the top layer DR3 is set to satisfy the condition that a certain condition range is present in order to adjust the reflectance of the outer circumferential surface DRs do.
여기서, 기초층(DR2)을 크롬(Cr)으로 하고, 톱층(DR3)을 산화 크롬(Cr2O3)으로 한 경우, 톱층(DR3)의 두께 Td3를 파라미터로 한 외주 표면(DRs)의 반사율의 파장 특성(분광 반사율)을, 도 9를 참조하여 설명한다. Here, when the base layer DR2 is made of chromium (Cr) and the top layer DR3 is made of chromium oxide (Cr2O3), the wavelength characteristics of the reflectance of the outer peripheral surface DRs with the thickness Td3 of the top layer DR3 as a parameter (Spectral reflectance) will be described with reference to Fig.
도 9는, 산화 크롬의 굴절률 n을 2.2, 흡수 계수 k를 0으로 한 경우의 시뮬레이션 결과의 그래프이며, 세로축은 외주 표면(DRs)의 반사율(%), 가로축은 파장(nm)을 나타낸다. 도 9에는, 산화 크롬에 의한 톱층(DR3)의 두께 Td3를, 0 ~ 150nm의 사이에서, 30nm씩 변화시킨 6개의 분광 반사율의 특성이 나타내어져 있다. 9 is a graph showing the simulation results when the refractive index n of the chromium oxide is 2.2 and the absorption coefficient k is 0. The ordinate axis indicates the reflectance (%) of the outer circumferential surface DRs and the abscissa axis indicates the wavelength (nm). 9 shows six spectral reflectance characteristics in which the thickness Td3 of the top layer DR3 by chromium oxide is varied by 30 nm between 0 and 150 nm.
예를 들면, 산화 크롬의 톱층(DR3)의 두께 Td3를 30nm 정도로 하면, 350nm ~ 500nm의 파장 대역의 전체에 걸쳐서, 반사율을 20% 이하(시뮬레이션 상에서는 15% 이하)로 할 수 있다. 이 경우, 파장 436nm(g선 노광광)에 대해서 약 7%의 반사율로, 얼라이먼트용의 조명광(ILa)의 파장을 500nm 정도로 하면, 그것에 대해서도 약 12%의 반사율이 된다.For example, when the thickness Td3 of the top layer DR3 of the chromium oxide is about 30 nm, the reflectance can be 20% or less (15% or less in the simulation) over the entire wavelength band of 350 nm to 500 nm. In this case, when the wavelength of the illumination light ILa for alignment is set to about 500 nm at a reflectance of about 7% with respect to a wavelength of 436 nm (g-line exposure light), the reflectance becomes about 12%.
또, 노광광(조명광(IE0))의 파장을 405nm(h선 근방의 블루레이용의 반도체 레이저 등)로 하면, 산화 크롬의 톱층(DR3)의 두께 Td3를 120nm 정도로 하는 것에 의해, 노광광의 파장으로 극소값을 가지면서 500nm 부근의 얼라이먼트용의 조명광(ILa)에 대해서는, 40% 정도의 반사율로 할 수 있다. When the wavelength of the exposure light (illumination light IE0) is 405 nm (such as a semiconductor laser for blue light), by setting the thickness Td3 of the chromium oxide top layer DR3 to about 120 nm, , The reflectance can be set to about 40% for the illumination light ILa for alignment near 500 nm.
반대로, 산화 크롬의 톱층(DR3)의 두께 Td3를, 60nm, 또는 150nm 정도로 하면, 파장대가 350 ~ 436nm의 노광광(조명광(IE0))에 대한 반사율은 50% 정도로 높게 되고, 파장 500nm의 얼라이먼트용 조명광(ILa)에 대한 반사율은 40% 이하가 된다.On the contrary, when the thickness Td3 of the top layer DR3 of chromium oxide is set to about 60 nm or 150 nm, the reflectance for the exposure light (illumination light IE0) of the wavelength range of 350 to 436 nm becomes as high as about 50% The reflectance for the illumination light ILa is 40% or less.
또, 산화 크롬의 톱층(DR3)의 두께 Td3를 90nm 정도로 하면, 파장 350nm 보다도 짧은 파장대역의 자외광에 대해서는, 외주 표면(DRs)의 반사율은 30% 이하로 감소할 수 있음과 아울러, 파장 500nm의 얼라이먼트용 조명광(ILa)에 대한 외주 표면(DRs)의 반사율은 60% 정도로 증가할 수 있다. When the thickness Td3 of the chromium oxide top layer DR3 is about 90 nm, the reflectance of the outer peripheral surface DRs can be reduced to 30% or less for ultraviolet light having a wavelength band shorter than the
도 9의 시뮬레이션 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 산화 크롬에 의한 톱층(DR3)의 두께 Td3를 컨트롤하는 것에 의해서, 얼라이먼트용 조명광과 노광용 조명광에 대한 외주 표면(DRs)의 반사율을 수% ~ 50% 정도의 사이에서, 임의로 설정 가능하고, 산화 크롬에 의한 톱층(DR3)을 마련하지 않고(Td3=0nm), 순수한 크롬에 의한 기초층(DR2)만의 경우의 반사율 보다도 낮게 설정하는 것이 가능하다.9, by controlling the thickness Td3 of the top layer DR3 by chromium oxide, the reflectance of the outer peripheral surface DRs with respect to the illumination light for aligning and the illumination light for exposure is controlled to be several to 50% (Td3 = 0 nm) and can be set lower than the reflectance in the case of only the base layer DR2 by pure chromium, without providing a top layer DR3 by chromium oxide (Td3 = 0 nm).
앞의 도 7에서 설명한 바와 같이, 노광용 조명광(IE0)이나 얼라이먼트용 조명광(ILa)에 대한 외주 표면(DRs)의 반사율을, 대체로 극력(極力) 낮게 억제하고 싶은 경우는, 예를 들면, 산화 크롬에 의한 톱층(DR3)의 두께 Td3를 30nm로 함으로써, 파장 350nm ~ 500nm의 전역에서, 거의 15% 이하의 반사율을 얻을 수 있다. 7, in the case where it is desired to suppress the reflectance of the outer peripheral surface DRs to the illumination light IEo for alignment or the alignment illumination light ILa to be as low as possible as a minimum, It is possible to obtain a reflectance of approximately 15% or less over the entire wavelength range of 350 nm to 500 nm by setting the thickness Td3 of the top layer DR3 to 30 nm.
도 9의 시뮬레이션은, 회전 드럼(DR)의 기재(DR1) 상에 크롬층을 형성하고, 그 위에 제어된 두께로 산화 크롬층을 형성하여 반사율을 조정하는 예였지만, 이 조합에 한정되는 것은 아니다.9 is an example in which a chrome layer is formed on a base DR1 of a rotary drum DR and a chrome oxide layer is formed thereon with a controlled thickness to adjust the reflectance. However, the present invention is not limited to this combination .
예를 들면, 기초층(DR2)의 재질은, 크롬(Cr) 외에, 알루미늄(Al)이나 동(Cu), 은(Ag), 금(Au) 등이라도 괜찮다.For example, the base layer DR2 may be made of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au) or the like in addition to chromium (Cr).
기초층(DR2) 상의 톱층(DR3)의 재질로서는, 앞의 산화 크롬, 비교적 반사율을 컨트롤할 수 있는 고(高)굴절률의 유전체, 산화 티탄(TiO), 산화 지르코늄, 산화 하프늄(Hafnium), 다이아몬드 라이크 카본(DLC) 등의 산화물이나 질화물 등의 금속계 화합물을 동일하게 이용할 수 있다. As the material of the top layer DR3 on the base layer DR2, chromium oxide, a dielectric material having a high refractive index capable of controlling the reflectivity, titanium oxide (TiO), zirconium oxide, Hafnium oxide, diamond And metal-based compounds such as oxides and nitrides such as silicon carbide (DLC) can be similarly used.
또, 통상, 노광용의 조명광(IE0)은, 파장 436nm(g선) 이하의 자외선이며, 얼라이먼트용의 조명광(ILa)에는, 광 감응층(Pb3)을 감광시키지 않는 가시역 ~ 적외역의 파장대의 광을 사용한다.In general, the illumination light (IE0) for exposure is ultraviolet light having a wavelength of 436 nm (g line) or less, and the illumination light ILa for alignment is irradiated with ultraviolet light having a wavelength range from visible to infrared Light is used.
이 때문에, 동(Cu)과 같이, 자외역의 광에 대해서 반사율이 낮고, 빨강의 파장역의 광에 대해서 반사율이 높게 되는 금속 재료로 기초층(DR2)을 형성함으로써, 얼라이먼트용의 조명광(ILa)과 노광용의 조명광(IE0)의 각각에 대한 반사율에 차이를 내는 것도 가능하다. Therefore, by forming the base layer DR2 with a metal material such as copper (Cu) whose reflectivity is low with respect to the light in the ultraviolet region and whose reflectivity with respect to the light in the red wavelength range is high, the illumination light ILa ) And the illumination light for exposure (IE0), respectively.
기초층(DR2)으로서, 동(Cu)을 도금에 의해 두껍게 퇴적시킨 후에, 톱층(DR3)으로서 다이아몬드 라이크 카본(DLC)을, 0.5㎛ 두께와 2㎛ 두께로 형성하여, 파장 355nm의 자외선(노광광)에 대한 반사율 Re와, 파장 450nm ~ 650nm의 가시역의 광(얼라이먼트 광)에 대한 반사율 Rv를 측정했다. 그 결과는, 표 1과 같았다.Diamond-like carbon (DLC) as a top layer DR3 was formed to have a thickness of 0.5 mu m and a thickness of 2 mu m after copper (Cu) was deposited thickly as a base layer DR2 and ultraviolet rays of wavelength 355 nm And the reflectance Rv for the light in the visible range (alignment light) having a wavelength of 450 nm to 650 nm were measured. The results are shown in Table 1.
[표 1][Table 1]
이와 같이, 적어도, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)의 노광용 조명광(IE0)에 대한 반사율을 억제함으로써, 노광시에 불필요한 패턴상(흐릿한 상)이 겹쳐진다고 하는 문제를 없애는 것이 가능해진다. Thus, by suppressing the reflectance of the outer circumferential surface DRs of the rotary drum DR with respect to the illumination-use illumination light IE0, it is possible to eliminate the problem that unnecessary pattern images (blurred images) overlap at the time of exposure.
[제2 실시 형태][Second Embodiment]
앞의 제1 실시 형태의 노광 장치는, 이른바 멀티 렌즈 방식이기 때문에, 복수의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)의 각 투영 영역(PA1 ~ PA6)에 형성되는 마스크 패턴상이, 결과적으로 Y방향(또는 X방향)으로 양호하게 서로 이어져 있음과 아울러, 기판(P) 상의 기초의 패턴과 양호하게 위치 맞춤(서로 겹침)되어 있을 필요가 있다.The exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention is a so-called multi-lens system, so that the mask pattern images formed in the respective projection areas PA1 to PA6 of the plurality of projection optical systems PL1 to PL6 are consequently shifted in the Y direction Direction) and satisfactorily align (overlap each other) with the pattern of the base on the substrate P. In addition,
그 때문에, 복수의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)에 의한 이음 정밀도를 허용 범위내로 억제하기 위한 캘리브레이션이 필요하게 된다. 또, 각 투영 광학계(PL1 ~ PL6)의 투영 영역(PA1 ~ PA6)에 대한 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 관찰(촬상) 영역(Vw)과의 상대적인 위치 관계는, 베이스 라인 관리에 의해서 정밀하게 구해져 있을 필요가 있다. 그 베이스 라인 관리를 위해서도, 캘리브레이션이 필요하게 된다. Therefore, it is necessary to perform calibration for suppressing the coupling precision by the plurality of projection optical systems PL1 to PL6 within an allowable range. The relative positional relationship with the observation (imaging) area Vw of the alignment systems AM1 to AM5 with respect to the projection areas PA1 to PA6 of the respective projection optical systems PL1 to PL6 can be precisely It needs to be saved. Calibration is also required for the baseline management.
복수의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)에 의한 이음 정밀도를 확인하기 위한 캘리브레이션, 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 베이스 라인 관리를 위한 캘리브레이션에서는, 기판(P)을 지지하는 회전 드럼(DR)의 외주면의 적어도 일부에, 기준 마크나 기준 패턴을 마련할 필요가 있다. Calibration for confirming the connection accuracy by the plurality of projection optical systems PL1 to PL6 and calibration for the baseline management of the alignment systems AM1 to AM5 are performed in the same manner as in the first embodiment except that the outer peripheral surface of the rotary drum DR supporting the substrate P It is necessary to provide a reference mark or reference pattern at least in part.
평면의 유리 플레이트를 평탄한 기판 홀더에 재치(載置)하고, 그 기판 홀더를 2차원적으로 이동시켜, 투영 노광을 행하는 종래의 노광 장치에서는, 기판 홀더의 외주부에서 유리 플레이트에 의해서 덮이지 않는 부분에, 캘리브레이션용의 기준 마크나 기준 패턴을 마련하고, 캘리브레이션시에는, 그 기준 마크나 기준 패턴을 투영 광학계나 얼라이먼트계의 대물 렌즈의 아래로 이동시키고 있다. In a conventional exposure apparatus in which a flat glass plate is placed on a flat substrate holder and the substrate holder is two-dimensionally moved to perform projection exposure, a portion of the periphery of the substrate holder which is not covered with the glass plate A reference mark or a reference pattern for calibration is provided and at the time of calibration the reference mark or reference pattern is moved below the objective lens of the projection optical system or the alignment system.
그렇지만, 앞의 제1 실시 형태의 노광 장치와 같이, 대부분의 가동 시간 중, 회전 드럼(DR)의 외주면의 일부(투영 영역(PA1 ~ PA6)의 위치)에 기판(P)이 감긴 상태에서는, 그러한 기준 마크나 기준 패턴을, 회전 드럼(DR)의 외주면에서 기판(P)과 접촉하는 부분에 마련하지 않을 수 없다.However, in a state in which the substrate P is wound on a part of the outer circumferential surface of the rotary drum DR (the positions of the projection areas PA1 to PA6) during most of the operation time as in the exposure apparatus according to the first embodiment, It is necessary to provide such a reference mark or reference pattern at a portion in contact with the substrate P on the outer circumferential surface of the rotary drum DR.
여기서 본 실시 형태에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 외주면에 기준 마크나 기준 패턴을 마련한 회전 드럼(DR)을 이용하는 경우에 대해 설명한다. Here, in this embodiment, as shown in Fig. 10, a case of using a rotary drum DR provided with a reference mark or reference pattern on the outer circumferential surface will be described.
도 10은, 회전 중심선(AX2)과 동축의 샤프트부(Sf2)와 일체로 선반 가공된 회전 드럼(DR)의 사시도이고, 앞의 도 2, 도 6에서 나타낸 구성과 마찬가지로, 엔코더 계측용의 스케일부(GPa, GPb)와, 규제대(CLa, CLb)가 마련되어 있다.10 is a perspective view of a rotary drum DR which is integrally lathe-machined with a shaft portion Sf2 coaxial with the rotation center line AX2. Like the structure shown in Figs. 2 and 6, A part (GPa, GPb) and a regulating zone (CLa, CLb) are provided.
또 본 실시 형태에서는, 회전 드럼(DR)의 외주면의 규제대(CLa, CLb) 사이에 끼인 전체 둘레에, Y축에 대해 +45도로 경사진 복수의 선 패턴(RL1)과, Y축에 대해 -45도로 경사진 복수의 선 패턴(RL2)을, 일정한 피치(주기)(Pf1, Pf2)로 반복하여 새긴 메쉬(mesh) 모양의 기준 패턴(기준 마크로서도 이용 가능)(RMP)이 마련된다. In the present embodiment, a plurality of line patterns RL1 inclined by +45 degrees with respect to the Y axis and a plurality of line patterns RL1 inclined with respect to the Y axis are formed on the entire circumference sandwiched between the regulating bases CLa and CLb on the outer peripheral surface of the rotary drum DR, There is provided a reference pattern (also usable as a reference mark) RMP in which a plurality of line patterns RL2 inclined at 45 degrees are repeatedly formed at predetermined pitches (periods) Pf1 and Pf2.
회전 드럼(DR)의 회전에 의해서, 그 외주면, 즉 규제대(CLa, CLb) 사이에 끼인 전체 둘레는, 반드시 기판(P)과 접촉하게 되므로, 기준 패턴(RMP)은, 기판(P)과 회전 드럼(DR)의 외주면이 접촉한 장소에 의한 마찰력이나 기판(P)의 장력 등의 변화가 생기지 않도록, 전면(全面) 균일한, 경사 패턴(경사 격자 모양 패턴)으로 했다.The entire periphery sandwiched between the regulating bases CLa and CLb comes into contact with the substrate P by the rotation of the rotary drum DR so that the reference pattern RMP is in contact with the substrate P (Oblique lattice pattern) uniform over the entire surface so as to prevent the frictional force or the tension of the substrate P caused by the contact of the outer circumferential surface of the rotary drum DR with each other.
기판(P)의 반송 방향(X방향)과 기판(P)의 폭 방향(Y방향)의 각각에 대해서, 선 패턴(RL1, RL2)을 경사지게 함으로써, 마찰력이나 장력 등의 방향성을 완화하고 있다.The line patterns RL1 and RL2 are inclined with respect to each of the carrying direction (X direction) of the substrate P and the width direction (Y direction) of the substrate P, thereby alleviating the directionality such as frictional force and tensile force.
그렇지만, 선 패턴(RL1, RL2)은, 반드시 경사 45도일 필요는 없고, 선 패턴(RL1)을 Y축과 평행하게 하고, 선 패턴(RL2)을 X축과 평행하게 한 종횡(縱橫)의 메쉬 형상 패턴으로 해도 괜찮다.However, the line patterns RL1 and RL2 do not necessarily have to be inclined at 45 degrees, and the line patterns RL1 and RL2 may be parallel to the Y-axis and the X- It may be a shape pattern.
게다가, 선 패턴(RL1, RL2)을 90도로 교차시킬 필요는 없고, 인접하는 2개의 선 패턴(RL1)과, 인접하는 2개의 선 패턴(RL2)에 의해 둘러싸인 직사각형 영역이, 정방형(또는 장방형) 이외의 능형(菱形)이 되는 각도로, 선 패턴(RL1, RL2)을 교차시켜도 좋다.It is not necessary to intersect the line patterns RL1 and RL2 at 90 degrees and the rectangular region surrounded by the adjacent two line patterns RL1 and the adjacent two line patterns RL2 is a square (or rectangular) The line patterns RL1 and RL2 may be intersected with each other at an angle of a rhombic shape.
또, 도 10에서 나타낸 선 패턴(RL1, RL2)의 피치(Pf1, Pf2)는, 얼라이먼트계의 베이스 라인(투영 광학계(PL)의 투영 영역(PA)과 촬상 영역(Vw)과의 상대 위치 관계)의 예상되는 변동량, 혹은, 멀티 렌즈 방식의 복수의 투영 광학계(PL1 ~ PL6)사이의 예상되는 변동량을 고려하고, 그 예상되는 변동량의 최저 2배 이상이면 좋다.The pitches Pf1 and Pf2 of the line patterns RL1 and RL2 shown in Fig. 10 are set such that the relative positional relationship between the base line of the alignment system (the projection area PA of the projection optical system PL and the imaging area Vw) , Or an expected variation between the plurality of projection optical systems PL1 to PL6 of the multi-lens type, and at least two times as much as the predicted variation.
예를 들면, 예상되는 변동량의 최대값이 10㎛인 경우, 피치(Pf1, Pf2)는, 선 패턴(RL1, RL2)의 선폭(LW)(5 ~ 20㎛)에 따라 다르지만, 30 ~ 50㎛정도이면, 정확한 캘리브레이션이 가능해진다. For example, when the maximum value of the expected variation is 10 占 퐉, the pitches Pf1 and Pf2 vary depending on the line widths LW (5 to 20 占 퐉) of the line patterns RL1 and RL2, , Accurate calibration can be performed.
각 선 패턴(RL1, RL2)의 선폭(LW)은, 각 선 패턴(RL1, RL2)을 새긴 묘화 장치의 정밀도(분해능)나, 에칭 조건 등에 의해서 가늘게 할 수 있는 한계가 정해지지만, 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)에 의해서 안정적으로 화상 해석할 수 있는 범위로, 가능한 한 가늘게 해 두는 것이 좋다.Although the line width LW of each of the line patterns RL1 and RL2 is limited by the accuracy (resolution) of the drawing apparatus having the line patterns RL1 and RL2 and the etching conditions, AM1 to AM5), it is advisable to make it as thin as possible.
또, 각 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 촬상(관찰) 영역(Vw)에서, 기준 패턴(RMP)을 검출하여, 베이스 라인 계측 등을 행하는 경우, 선 패턴(RL1, RL2)의 피치(Pf1, Pf2)를 50㎛ 정도로 해 둔다. 그러면, 선 패턴(RL1, RL2)의 교점 부분은, Y방향, X방향으로, 70㎛ 정도의 피치로 나타나고, 촬상(관찰) 영역(Vw)이 200㎛각(角)의 범위이면, 특정의 하나의 교점 부분을 양호하게 포착하여, 위치 어긋남의 화상 해석을 행할 수 있다. When baseline measurement or the like is performed by detecting the reference pattern RMP in the imaging (observation) region Vw of each of the alignment systems AM1 to AM5, the pitch Pf1 of the line patterns RL1 and RL2, Pf2) is set to about 50 mu m. Then, the intersection of the line patterns RL1 and RL2 appears at a pitch of about 70 mu m in the Y direction and the X direction, and when the imaging (observation) region Vw is in the range of 200 mu m square, It is possible to capture one intersection portion well and perform image analysis of positional deviation.
도 11은, 도 10 중의 원 내에 나타낸 X축을 따라서, 선 패턴(RL1, RL2)에 의한 기준 패턴(RMP)의 일부를 파단한 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing a part of the reference pattern RMP by the line patterns RL1 and RL2 along the X axis shown in the circle in Fig.
본 실시 형태에서도, 앞의 제1 실시 형태의 도 8과 마찬가지로, 철 또는 알루미늄의 원통 모양의 기재(DR1)의 표면에, 크롬 또는 동의 기초층(DR2)이 도금에 의해 두껍게 퇴적된다. 그 후, 기초층(DR2)의 표면을 광학 연마하여 평탄성을 높이고 나서, 기초층(DR2)의 전체 둘레에 포토레지스트를 도포하여, 묘화 장치에 의해, 기초층(DR2)에 선 패턴(RL1, RL2)에 의한 기준 패턴(RMP)을 노광한다.In this embodiment, chrome or copper foundation layer DR2 is deposited thickly on the surface of a cylindrical base material DR1 of iron or aluminum by plating as in the case of Fig. 8 of the first embodiment. Thereafter, the surface of the base layer DR2 is optically polished to increase the flatness. Then, a photoresist is applied to the entire periphery of the base layer DR2, and the line patterns RL1, RL2 to expose the reference pattern RMP.
이 때, 스케일부(GPa, GPb)의 격자선도 함께 묘화하는 것에 의해, 기준 패턴(RMP)과 스케일부(GPa, GPb)와의 상대적인 위치 관계(특히 둘레 방향의 위치 관계)를 일정하게 할 수 있다. At this time, the relative positional relationship (particularly, the positional relationship in the circumferential direction) between the reference pattern RMP and the schedules GPa and GPb can be made constant by drawing the grid lines of the schedules GPa and GPb together .
그 후, 포토레지스트의 현상(現像)에 의해, 선 패턴(RL1, RL2)에 대응한 부분의 레지스터를 제거하고, 노출된 기초층(DR2)(크롬 또는 동)을 소정의 깊이까지 에칭하고 나서, 그 표면에, 톱층(DR3)(산화 크롬, 또는 DLC)을 소정의 두께로 퇴적한다.Thereafter, resist portions corresponding to the line patterns RL1 and RL2 are removed by the development of the photoresist and the exposed base layer DR2 (chrome or copper) is etched to a predetermined depth , And a top layer DR3 (chromium oxide, or DLC) is deposited to a predetermined thickness on the surface thereof.
톱층(DR3)의 두께는, 산화 크롬의 경우이면, 앞의 도 9의 특성에 기초하여 설정된다. 최종적으로 형성된 톱층(DR3)에 의한 선 패턴(RL1, RL2)(오목부)의 단차량 ΔDP는, 계측에 의해 설계값과 비교되고, 소정의 허용 범위 내인 것이 확인된다. The thickness of the top layer DR3 is set on the basis of the characteristic shown in Fig. 9 in the case of chromium oxide. The stepped portion? DP of the line patterns RL1 and RL2 (concave portions) formed by the finally formed top layer DR3 is compared with a design value by measurement and it is confirmed that it is within a predetermined allowable range.
이러한 선 패턴(RL1, RL2)에 의한 기준 패턴(RMP)은, 그 표면의 노광용 조명광에 대한 반사율을, 앞의 제1 실시 형태와 마찬가지로, 20% 이하로 억제하는 것도 가능하다. 이것으로부터, 기준 패턴(RMP)에서 노광용 조명광이 반사해도, 광 감응층(Pb3)에 불필요한 패턴으로서 노광될 정도의 에너지는 아니기 때문에, 실질적으로 문제가 되지 않는다.The reference pattern RMP based on the line patterns RL1 and RL2 can suppress the reflectance of the surface of the reference pattern RMP with respect to the illumination light for exposure to 20% or less as in the first embodiment. Therefore, even if the illumination light for exposure in the reference pattern RMP is reflected, it is not an energy enough to be exposed as an unnecessary pattern in the photosensitive layer Pb3, so that this is not a substantial problem.
또, 선 패턴(RL1, RL2)은, 도 11과 같이, 에칭에 의해서 오목부로서 형성했지만, 네거티브형 포토레지스트를 사용하여, 선 패턴(RL1, RL2)을 볼록부로서 형성해도 괜찮다. Although the line patterns RL1 and RL2 are formed as recesses by etching as shown in Fig. 11, the line patterns RL1 and RL2 may be formed as convex portions using a negative photoresist.
그런데, 선 패턴(RL1, RL2)에 의한 기준 패턴(RMP)은, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 요철로서 형성되기 때문에, 그 요철의 단차량을 특정의 조건으로 해 두면, 기준 패턴(RMP) 전체가, 노광용의 조명광과 얼라이먼트용의 조명광 쌍방에 대해서, 반사 강도를 억제하는 위상 패턴으로 하는 것이 가능하다.Since the reference pattern RMP by the line patterns RL1 and RL2 is formed as the concave and convex on the outer circumferential surface DRs of the rotary drum DR, The entire pattern RMP can be made to have a phase pattern for suppressing the reflection intensity with respect to both the illumination light for exposure and the illumination light for alignment.
이를 위해서는, 도 11에 나타낸 단차량 ΔDP를, 이하와 같은 조건으로 설정하면 된다. For this purpose, the stepped vehicle DELTA DP shown in Fig. 11 may be set under the following conditions.
여기서, 노광용 조명광(IE0)의 중심 파장을 λ1, 얼라이먼트용의 조명광(ILa)의 중심 파장을 λ2로 하고, m을 제로를 포함하는 임의의 정수(m=0, 1, 2, …)로 하면, 노광용의 조명광(IE0)의 중심 파장 λ1에 관해서는,Assuming that the center wavelength of the illumination light for exposure IE0 is λ1 and the center wavelength of the illumination light ILa for alignment is λ2 and m is an arbitrary integer (m = 0, 1, 2, ...) including zero And the
λ1ㆍ(m+1/8)/2 ≤ΔDP ≤λ1ㆍ(m+7/8)/2 … (3)? 1 (m + 1/8) / 2?? DP?? 1 (m + 7/8) / 2 (3)
의 범위에서, 단차량 ΔDP를 설정하면 된다. 또,, It is sufficient to set the stepped vehicle DELTA DP. In addition,
λ1ㆍ(m+1/4)/2 ≤ΔDP ≤λ1ㆍ(m+3/4)/2 … (4)? 1 (m + 1/4) / 2?? DP?? 1 (m + 3/4) / 2 (4)
의 범위에서, 단차량 ΔDP를 설정할 수 있다. The stepped vehicle DELTA DP can be set.
한편, 얼라이먼트용의 조명광(ILa)의 중심 파장 λ2에 관해서도, 상기의 식 (3), (4)에서의 파장 λ1을 λ2로 치환하여, 단차량 ΔDP의 범위를 결정할 수 있다. On the other hand, the center wavelength? 2 of the illumination light ILa for alignment can also be determined by replacing the wavelength? 1 in the above equations (3) and (4) by? 2.
그 때, 노광용 조명광의 파장 λ1에 관해서 구해지는 단차량 ΔDP의 범위와, 얼라이먼트용 조명광의 파장 λ2에 관해서 구해지는 단차량 ΔDP의 범위를 비교하고, 쌍방의 범위가 겹치는 곳, 혹은 근접하고 있는 곳을, 최적인 단차량 ΔDP로 설정하면, 노광용의 조명광과 얼라이먼트용의 조명광 쌍방에 대해서, 기준 패턴(RMP)으로부터 생기는 반사광의 강도를 저감할 수 있다. At this time, the range of the step vehicle DELTA DP determined with respect to the wavelength? 1 of the illumination light for exposure is compared with the range of the step DELTA DP determined with respect to the wavelength? 2 of the alignment illumination light, and a range where both ranges overlap, The intensity of the reflected light generated from the reference pattern RMP can be reduced with respect to both the illumination light for exposure and the illumination light for alignment.
즉, 노광용 조명광의 중심 파장 λ1과 얼라이먼트용 조명광의 중심 파장 λ2의 쌍방에 대해서, 상기의 식 (3), 식 (4)을 만족하거나, 혹은 근사하는 단차량 ΔDP를 설정하면 좋다. That is, it is sufficient to set the approximate step ΔDP to satisfy the above-described expressions (3) and (4) or to approximate the center wavelength λ1 of the illumination light for exposure and the center wavelength λ2 of the alignment illumination light.
이상, 제1 실시 형태나 제2 실시 형태에서는, 회전 드럼(DR)이 되는 원통 모양의 기재(DR1)의 외주면에, 비교적으로 두꺼운 기초층(DR2)과 톱층(DR3)을 적층하여, 반사율을 조정했지만, 그것 이상의 층수의 적층 구조로 해도 괜찮다.As described above, in the first embodiment and the second embodiment, the relatively thick base layer DR2 and the top layer DR3 are laminated on the outer peripheral surface of the cylindrical base material DR1 to be the rotary drum DR, However, a laminated structure of more than the number of layers may be used.
예를 들면, 회전 드럼(DR)의 경량화를 위해, 기재(DR1)를 Al(알루미늄) 블록으로부터 깎아내고, 그 기재(DR1)의 외주면에, 평면도(진원도나 표면 거칠기) 가공을 위한 비교적으로 단단한 크롬(Cr)을 두껍게 도금한 후, 또, 그 위에, 앞의 도 8이나 도 11에서 나타낸 기초층(DR2)으로서의 동(Cu)의 도금을 실시하며, 그 위에 톱층(DR3)으로서, DLC를 소정의 두께로 적층시켜도 좋다.For example, in order to reduce the weight of the rotary drum DR, the base material DR1 is cut off from the Al (aluminum) block and a relatively rigid material for machining the planar surface (roundness or surface roughness) After chromium (Cr) is plated thickly, copper (Cu) is plated thereon as the base layer DR2 shown in FIG. 8 or FIG. 11, and DLC Or may be laminated to a predetermined thickness.
그 경우, 기준 패턴(RMP)(선 패턴(RL1, RL2))이나 스케일부(GPa, GPb)의 격자선은, 단단한 크롬층, 또는 그 위의 동의 기초층(DR2)에 대해서 새겨진다. In that case, the grating lines of the reference pattern RMP (line patterns RL1, RL2) and the schedules GPa, GPb are engraved with respect to the hard chromium layer or the underlying base layer DR2 thereon.
[제3 실시 형태][Third embodiment]
앞의 실시 형태의 노광 장치는, 원통 마스크(DM)를 사용하여 기판(P)에 마스크 패턴을 주사(走査) 노광하는 것이었지만, 마스크를 이용하지 않는 노광 장치, 이른바 패턴 제너레이터와 같은 노광 장치이라도, 회전 드럼(DR)을 사용하여 기판(P)을 지지하면서, 패턴 노광할 수 있다. 그러한 노광 장치의 예를 도 12, 도 13을 참조하여 설명한다. Although the exposure apparatus of the foregoing embodiment is used to scan and expose a mask pattern on a substrate P using a cylindrical mask DM, even an exposure apparatus that does not use a mask, such as an exposure apparatus such as a so-called pattern generator , And the rotary drum DR can be used to support the substrate P while performing pattern exposure. An example of such an exposure apparatus will be described with reference to Figs. 12 and 13. Fig.
도 12는, 본 실시 형태에 의한 노광 장치(패턴 묘화 장치)의 주요부를, XZ면내에서 본 정면도이며, 도 13은, 도 12의 구성을 XY 면내에서 본 상면도이다. 12 is a front view of the main part of the exposure apparatus (pattern writing apparatus) according to the present embodiment viewed from the XZ plane, and Fig. 13 is a top view of the structure of Fig. 12 seen from the inside of the XY plane.
본 실시 형태에서는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 회전 드럼(DR)의 외주면에 밀착, 지지되는 기판(P) 상의 노광 영역(A7)을, Y방향(회전 중심선(AX2)이 신장하는 방향)으로 고속으로 스캔하는 레이저 스폿광(spot光)(예를 들면, 4㎛ 지름)의 직선적인 주사선(LL1, LL2, LL3, LL4)에 의해서, 패턴 묘화를 행한다. 주사선(LL1 ~ LL4)의 각각은, Y방향의 주사 길이가 비교적으로 짧기 때문에, 중심면(p3)에 대해서 대칭적으로 지그재그 배치된다. The exposure area A7 on the substrate P which is held in contact with and supported by the outer peripheral surface of the rotary drum DR is moved in the Y direction (direction in which the rotation center line AX2 extends) as shown in Fig. 13 Pattern drawing is performed by linear scanning lines LL1, LL2, LL3, and LL4 of laser spot lights (for example, 4 mu m in diameter) scanned at high speed. Each of the scanning lines LL1 to LL4 is symmetrically arranged in a zigzag manner with respect to the center plane p3 because the scanning length in the Y direction is relatively short.
각 주사선(LL1 ~ LL4) 중, 홀수번째의 주사선(LL1, LL3)은, 중심면(p3)에 대해서, -X측에 배치되고, 짝수번째의 주사선(LL2, LL4)은, 중심면(p3)에 대해서, +X측에 배치된다. The odd-numbered scanning lines LL1 and LL3 of the scanning lines LL1 to LL4 are arranged on the -X side with respect to the center plane p3 and the even-numbered scanning lines LL2 and LL4 are arranged on the center plane p3 ) On the + X side.
이것은, 도 12에 나타내는 바와 같이, 각 주사선(LL1 ~ LL4)을 따라서 스폿 광을 주사하는 홀수번째의 묘화 모듈(UW1, UW3)과, 짝수번째의 묘화 모듈(UW2, UW4)을, 공간적인 간섭을 피하여, 중심면(p3)에 대해서 대칭적으로 배치하기 위함이다. This is because, as shown in FIG. 12, the odd-numbered imaging modules UW1 and UW3 for scanning the spot light along the scanning lines LL1 to LL4 and the even-numbered imaging modules UW2 and UW4, And symmetrically arranged with respect to the center plane p3.
본 실시 형태에서는, 회전 드럼(DR)의 샤프트부(Sf2)에, 엔코더 계측용의 스케일 원반(圓盤)(SD)을 개별로 장착한다. 스케일 원반(SD)의 외주면에 새겨지는 스케일부(GPa(및 GPb)는, 설치 방위선(Le1) 상에 배치되는 엔코더 헤드(EN1)와, 설치 방위선(Le2) 상에 배치되는 엔코더 헤드(EN2)에 의해서 계측된다.In this embodiment, a scale disk SD for encoder measurement is individually mounted on the shaft portion Sf2 of the rotary drum DR. The scale parts GPa (and GPb) engraved on the outer circumferential surface of the scale original disk SD include an encoder head EN1 disposed on the mounting diagonal line Le1 and an encoder head EN2 disposed on the mounting diagonal line Le2, .
또, 앞의 도 5, 도 6과 같은 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)가 배치되는 설치 방위선(La1)의 위치에도, 스케일부(GPa(및 GPb)를 읽어내는 엔코더 헤드(EN3)가 배치된다. An encoder head EN3 for reading the schedules GPa (and GPb) is also disposed at the position of the mounting diagonal line La1 where the alignment systems AM1 to AM5 shown in Figs. 5 and 6 are disposed.
도 12에 나타내는 바와 같이, 4개의 묘화 모듈(UW1 ~ UW4)은, 모두 동일 구성이므로, 대표하여 묘화 모듈(UW1)에 대해서, 상세한 구성을 설명한다.As shown in Fig. 12, since all of the four drawing modules UW1 to UW4 have the same configuration, a detailed configuration of the drawing module UW1 will be described as an example.
묘화 모듈(UW1)은, 외부의 자외 레이저 광원(연속 또는 펄스)으로부터의 빔(LB)을 입사하여, 빔(LB)의 기판(P)으로의 투사/비(非)투사를 고속으로 스위칭 하는 AOM(Acousto-Optic Modulator)(80), AOM(80)로부터의 빔(LB)을 기판(P) 상의 주사선(LL1)을 따라서 스캔하기 위한 회전 폴리곤(polygon) 미러(82), 절곡 미러(84), f-θ 렌즈(86), 및, 광전 소자(88) 등을 구비한다. The imaging module UW1 receives the beam LB from an external ultraviolet laser light source (continuous or pulsed) and switches the projection / non-projection of the beam LB to the substrate P at a high speed An AOM (Acousto-Optic Modulator) 80, a
f-θ 렌즈(86)를 매개로 하여 기판(P)에 투사되는 빔(BS1)은, Y방향의 스캔 중, 묘화해야 할 패턴의 CAD 정보에 근거하여 On/Off 되는 AOM(80)에 의해서 변조(變調)되고, 기판(P)의 광 감응층 상에 패턴을 묘화해 간다. 주사선(LL1)을 따른 빔(BS1)의 Y방향 주사와, 회전 드럼(DR)의 회전에 의한 기판(P)의 X방향의 이동을 동기시킴으로써, 노광 영역(A7) 중의 주사선(LL1)에 대응한 부분에 패턴이 노광된다.The beam BS1 projected onto the substrate P via the f-
이러한 묘화 방식이기 때문에, 도 12와 같이, XZ면내에서 보았을 때, 기판(P)에 도달하는 빔(BS1)의 축선은, 설치 방위선(Le1)과 일치한 방향으로 되어 있다. 이것은, 짝수번째의 묘화 모듈(UW2)로부터 투사되는 빔(BS2)에 관해서도 마찬가지로, 기판(P)에 도달하는 빔(BS2)의 축선은, 설치 방위선(Le2)과 일치한 방향으로 되어 있다. As shown in Fig. 12, the axis of the beam BS1 reaching the substrate P is in the direction coinciding with the mounting diagonal line Le1. This is because the axis of the beam BS2 reaching the substrate P is also in the direction coinciding with the mounting diagonal line Le2 with respect to the beam BS2 projected from the even-numbered imaging module UW2.
이와 같이, 4개의 주사선(LL1 ~ LL4)에 의해서, 노광 영역(A7)에 패턴을 묘화하는 경우, 각 주사선(LL1 ~ LL4)의 사이의 이음부의 정밀도가 중요하게 된다. 도 13의 경우, 노광 영역(A7)은, 먼저 처음에, 홀수번째의 주사선(LL1, LL3)에 대응한 영역의 노광이 개시되고, 그 위치로부터 기판(P)이 둘레 길이 방향으로 거리 ΔXu만큼 진행한 위치로부터, 짝수번째의 주사선(LL2, LL4)에 대응한 영역의 노광이 개시된다.In this way, when the pattern is drawn in the exposure area A7 by the four scanning lines LL1 to LL4, the accuracy of the joint between the scanning lines LL1 to LL4 becomes important. In the case of Fig. 13, exposure of the area corresponding to the odd-numbered scanning lines LL1 and LL3 is first started in the exposure area A7 and the substrate P is moved from the position by a distance DELTA Xu in the circumferential length direction The exposure of the area corresponding to the even-numbered scanning lines LL2 and LL4 is started.
따라서, 각 주사선(LL1 ~ LL4)의 스폿광에 의한 묘화 개시점과 묘화 종료점을 정확하게 설정하는 것에 의해, 노광 영역(A7) 내의 전체에 형성되는 패턴을 양호하게 이을 수 있다. Therefore, by precisely setting the drawing start point and the drawing end point by the spot light of each of the scanning lines LL1 to LL4, the pattern formed in the entire exposure area A7 can be satisfactorily obtained.
이상과 같은, 패턴 묘화 장치에서도, 앞의 제1 실시 형태의 도 8에서 나타낸 구조의 회전 드럼(DR), 혹은, 제2 실시 형태의 도 10, 도 11에서 나타낸 구조의 회전 드럼(DR)을 이용하는 것에 의해, 노이즈가 되는 불필요한 패턴의 겹침 현상을 저감하여, 고정밀한 패터닝이 달성된다. In the pattern drawing apparatus as described above, the rotary drum DR having the structure shown in Fig. 8 of the first embodiment or the rotary drum DR having the structure shown in Figs. 10 and 11 of the second embodiment By employing this method, the overlapping phenomenon of unnecessary patterns that become noises can be reduced and high-precision patterning can be achieved.
이상, 각 실시 형태를 설명했지만, 기판(P)의 지지 장치로서는, 원통 모양의 회전 드럼(DR) 이외에도, 평탄한 지지면을 가지는 것, 기판(P)의 반송 방향으로 큰 곡률로 원통 모양으로 만곡한 지지면을 가지는 것이라도 괜찮다. 혹은, 그들의 지지 장치의 지지면에 에어 베어링에 의한 기체층이 형성되고, 그 기체층에 의해서 기판을 미소량 부상시켜 지지하는 지지 장치라도, 발명을 마찬가지로 적용할 수 있다. As described above, the supporting device for the substrate P is not limited to the rotary drum DR of the cylindrical shape but may have a flat supporting surface, a curved surface having a large curvature in the conveying direction of the substrate P, It is also possible to have a supporting surface. Alternatively, a support device in which a gas layer formed by an air bearing is formed on the support surface of the support device and the substrate is floated by the substrate layer is supported by the support device, the invention can be similarly applied.
또, 앞의 각 실시 형태에서는, 기초층(DR2), 톱층(DR3)의 금속계 박막으로서, Cu(동), Cr(크롬), Cr2O3(3가(價)의 산화 크롬)을 들었지만, 이것에 한정되지 않고, CrO(2가의 산화 크롬)이라도 괜찮다. 예를 들면, 기재(DR1)(SUS, Al 등)의 위에 성막(成膜)하는 기초층(DR2)을 Cu로 하고, 기초층(DR2)의 위에 퇴적시키는 톱층(DR3)로서, CrO를 도금, 증착, 스패터로 성막해도 괜찮다.In each of the foregoing embodiments, Cu (copper), Cr (chromium), and Cr 2 O 3 (chrome oxide) are used as the base layer DR2 and the metal layer of the top layer DR3 , But it is not limited to this, and CrO (bivalent chromium oxide) may be used. For example, CrO may be plated as a top layer DR3, which is a base layer DR2 formed on the base material DR1 (SUS, Al, etc.) and deposited on the base layer DR2, , Deposition, or sputtering may be used.
또, 앞의 각 실시 형태의 톱층(DR3)으로서 성막되는 다이아몬드 라이크 카본(DLC)은, 탄소 원자로 구성되고, 비정질 구조, 및 또는 결정질을 포함하는 아모퍼스(amorphous) 구조로서, 탄소 원자간의 결합으로서, 그라파이트의 sp2 결합과 다이아몬드의 sp3 결합이 혼재한 구조이다.The diamond-like carbon (DLC) formed as the top layer DR3 in each of the preceding embodiments is an amorphous structure composed of carbon atoms and containing an amorphous structure and / or a crystalline material, , a structure of sp 2 sp 3 bond of graphite and diamond are bonded in combination.
DLC는 경질막으로서 성막되지만, 수소 함유량의 다소(多少)와, 포함되는 결정질의 전자 궤도가 다이아몬드 근처인지 그라파이트 근처인지에 따라서, 그 성질이 구별된다. DLC is formed as a hard film, but its properties are different depending on whether the hydrogen content is somewhat or not and whether or not the crystalline electronic orbital is contained near diamond or near graphite.
[제4 실시 형태][Fourth Embodiment]
그런데, 앞의 도 10에서 나타낸 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 형성되는 기준 패턴(RMP)의 형태는, 기판(P)을 투과한 노광광의 조사에 의해서, 그 기준 패턴(RMP)으로부터 강한 미광(迷光)(불필요한 반사광)이 발생하지 않는 것이면, 어떤 형상이라도 좋다. The shape of the reference pattern RMP formed on the outer circumferential surface DRs of the rotary drum DR shown in FIG. 10 is the same as that of the reference pattern RMP by irradiation of the exposure light transmitted through the substrate P. [ (Stray light) (unnecessary reflected light) does not occur from the light-receiving surface.
도 14는, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 형성되는 기준 패턴(RMP)의 변형예를 제4 실시 형태로서 나타내는 사시도이고, 도 10 중의 회전 드럼(DR)의 부재와 동일 부재에는, 동일 부호를 붙이고 있다. 14 is a perspective view showing a modified example of the reference pattern RMP formed on the outer circumferential surface DRs of the rotary drum DR as a fourth embodiment. In the same member as the member of the rotary drum DR in Fig. 10 , The same reference numerals are attached.
도 14에서, 회전 드럼(DR)의 샤프트부(Sf2)가 연장하는 방향(Y축 방향)의 양단면(兩端面)에는, 앞의 도 12, 도 13과 마찬가지로, 엔코더 계측용의 스케일 원반(SD)이 복수의 나사(FB)에 의해서 체결되어 있다. 본 실시 형태에서는, 스케일 원반(SD)의 외주면에 형성되는 스케일부(GPa, GPb)의 직경(또는 중심선(AX2)으로부터의 반경)은, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)의 직경(또는 중심선(AX2)으로부터의 반경)과 동일하게 되도록 설정된다. In Fig. 14, on both end faces in the direction in which the shaft portion Sf2 of the rotary drum DR extends (in the Y-axis direction), like the previous Figs. 12 and 13, SD are fastened by a plurality of screws FB. The diameter (or radius from the center line AX2) of the scale parts GPa and GPb formed on the outer circumferential surface of the scale master SD is equal to or smaller than the diameter of the outer peripheral surface DRs of the rotary drum DR Or the radius from the center line AX2).
회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에는, 회전 중심선(AX2)과 평행한 방향(Y축 방향)을 따라서 직선적으로 연장하는 선 패턴(RLa)과, 둘레 방향을 따라서 직선적으로 연장하는(XZ면과 평행한 면내에서 주회(周回)하는) 2개의 선 패턴(RLb, RLc)이, 기준 패턴(RMP)으로서 형성된다.The outer peripheral surface DRs of the rotary drum DR is provided with a line pattern RLa extending linearly along a direction (Y-axis direction) parallel to the rotation center line AX2 and a line pattern RLa extending linearly along the circumferential direction Two line patterns RLb and RLc are formed as reference patterns RMP, which are circulated in a plane parallel to the plane.
선 패턴(RLa)은, 도 14의 경우는, 둘레 방향으로 45° 간격으로 배치된다. 2개의 선 패턴(RLb, RLc)은, 회전 중심선(AX2)과 평행한 방향(Y축 방향)으로, 일정한 간격을 두고 배치된다. 선 패턴(RLa)의 둘레 방향의 각도 간격 η는 45°에 한정되지 않고, 어떠한 각도라도 괜찮다. In the case of FIG. 14, the line patterns RLa are arranged at intervals of 45 degrees in the circumferential direction. The two line patterns RLb and RLc are arranged at regular intervals in a direction (Y-axis direction) parallel to the rotation center line AX2. The angular interval eta in the circumferential direction of the line pattern RLa is not limited to 45 占 and any angle may be used.
그 일정한 간격은, 앞의 도 6에 나타낸 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 각 촬상 영역(Vw)의 Y축 방향의 간격에 대응하고 있다. 즉, 선 패턴(RLa)과 2개의 선 패턴(RLb, RLc)과의 교차부(ALA)가, 회전 드럼(DR)의 회전에 따라서, 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 각 촬상 영역(Vw) 내에 차례차례로 나타나도록, 각 선 패턴(RLa, RLb, RLc)이 배치되고, 교차부(ALA)의 선 패턴부가 기준 패턴(RMP)으로서 검출된다. The constant interval corresponds to the interval in the Y axis direction of each imaging area Vw of the alignment systems AM1 to AM5 shown in Fig. That is to say, the intersection ALA of the line pattern RLa and the two line patterns RLb and RLc corresponds to each imaging region Vw of the alignment systems AM1 to AM5 in accordance with the rotation of the rotary drum DR, The line patterns RLa, RLb, and RLc are arranged so that the line patterns of the intersection ALA are detected as the reference pattern RMP.
앞의 도 6에서 나타내는 바와 같이, 기판(P) 상에는 마크(Ks1 ~ Ks5)가 형성되므로, 2개의 선 패턴(RLb, RLc) 중 적어도 일방은, 마크(Ks1 ~ Ks5)의 Y축 방향의 위치와 겹치지 않도록 어긋나 배치된다.The marks Ks1 to Ks5 are formed on the substrate P as shown in Fig. 6, so that at least one of the two line patterns RLb and RLc is positioned in the Y-axis direction of the marks Ks1 to Ks5 So that they do not overlap with each other.
일례로서, 2개의 선 패턴(RLb, RLc)의 각 선폭(LW)을 15㎛, Y축 방향의 간격 거리를 150㎛로 설정하고, 마크(Ks1 ~ Ks5)의 각각이, 그 2개의 선 패턴(RLb, RLc)의 사이에 위치하도록 설정하면, 각 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)는, 그 촬상 영역(Vw) 내에서, 마크(Ks1 ~ Ks5)와 함께 선 패턴(RLb, RLc)을 검출하는 것이 가능해진다. For example, the line width LW of each of the two line patterns RLb and RLc is set to 15 m and the spacing distance in the Y-axis direction is set to 150 m, and each of the marks Ks1 to Ks5 is set to a position The alignment systems AM1 to AM5 detect the line patterns RLb and RLc together with the marks Ks1 to Ks5 in the image pickup area Vw Lt; / RTI >
게다가, 도 6에서 나타낸 기판(P) 상의 이송 방향으로 서로 이웃하여 배치되는 2개의 노광 영역(A7)의 사이의 여백부(마크(Ks2 ~ Ks4)가 배치되는 투명 영역)를 소정의 치수 이상으로 해 두면, 그 여백부의 아래에, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 형성된 선 패턴(RLa, RLb, RLc)에 의한 교차부(ALA)를 확실히 배치시키는 것도 가능하다. In addition, a margin portion (a transparent region in which the marks Ks2 to Ks4 are arranged) between two exposure regions A7 arranged adjacent to each other in the conveying direction on the substrate P shown in Fig. 6 is set to a predetermined dimension or more It is possible to reliably arrange the intersection ALA formed by the line patterns RLa, RLb and RLc formed on the outer peripheral surfaces DRs of the rotary drum DR under the margin portion.
예를 들면, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)의 직경을 Rdd로 하면, 외주 표면(DRs)을 따른 선 패턴(RLa)의 둘레 방향의 간격 거리 LK는, 먼저 설명한 선 패턴(RLa)의 둘레 방향의 각도 간격 η를 이용하면,For example, if the diameter of the outer circumferential surface DRs of the rotary drum DR is Rdd, the spacing distance LK in the circumferential direction of the line pattern RLa along the outer circumferential surface DRs is equal to or larger than the line pattern RLa, Using the angular interval eta in the circumferential direction,
LK=πㆍRddㆍ(η/360) … (5)LK =?? Rdd? (? / 360) ... (5)
으로 나타내어진다. .
2개의 노광 영역(A7) 사이의 여백부의 기판(P)의 길이 방향(이송 방향)에 관한 치수를 LU로 하면, LU>LK의 조건을 만족하도록 설정하면, 기판(P)의 여백부 내에, 적어도 1개의 선 패턴(RLa)을 배치시킬 수 있다. If the dimension of the margin portion between the two exposure regions A7 in the longitudinal direction (transfer direction) of the substrate P is LU, if the condition of LU > LK is satisfied, It is possible to arrange at least one line pattern RLa.
이상, 본 실시 형태에서는, 기준 패턴(RMP)을, 기판(P)의 긴 길이 방향(이송 방향)과 짧은 길이 방향(Y축 방향)의 각각의 방향으로 직선적으로 연장하는 선 패턴(RLa, RLb, RLc)으로 구성하므로, 얼라이먼트계(AM1 ~ AM5)의 각 촬상 영역(Vw) 내에 나타나는 교차부(ALA)의 이차원적인 위치를, 촬상 소자의 수평 주사선이나 수직 주사선을 따른 방향으로 직접 계측할 수 있고, 화상 처리의 연산 시간이 단축되는 이점이 있다.As described above, in the present embodiment, the line patterns RLa and RLb (which extend linearly in the directions of the long length direction (transfer direction) and the short length direction (Y axis direction) of the substrate P The two-dimensional position of the intersection ALA appearing in each imaging region Vw of the alignment systems AM1 to AM5 can be measured directly in the direction along the horizontal scanning line or the vertical scanning line of the imaging device There is an advantage that the calculation time of image processing is shortened.
[제5 실시 형태][Fifth Embodiment]
그런데, 도 14와 같은 선 패턴(RLa, RLb, RLc)을 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 형성하면, 기판(P) 상의 노광 영역(A7)에 형성되는 배선 패턴이나 화소 패턴의 배열 방향과 일치하고 있다.When the line patterns RLa, RLb and RLc shown in Fig. 14 are formed on the outer peripheral surface DRs of the rotary drum DR, the wiring patterns formed in the exposure area A7 on the substrate P, Aligned direction.
이것으로부터, 예를 들면 외주 표면(DRs)의 노광광에 대한 반사율을 기초층(DR2), 톱층(DR3)(앞의 도 8 참조)에 의해서 작게 해도, 선 패턴(RLa, RLb, RLc)의 단차 엣지부에서 생긴 약간의 산란광 등이 선 패턴(RLa, RLb, RLc)의 방향으로 분포하고, 기판(P) 상의 노광 영역(A7)에 형성되는 배선 패턴이나 화소 패턴의 배열 방향과 일치하여, 문제가 될 가능성도 있다. The reflectance of the outer surface DRs with respect to the exposure light is reduced by the base layer DR2 and the top layer DR3 (refer to FIG. 8), and the reflectance of the line patterns RLa, RLb, RLc Some scattered light or the like generated at the step edge portion is distributed in the direction of the line patterns RLa, RLb and RLc and coincides with the arrangement direction of the wiring pattern or pixel pattern formed in the exposure area A7 on the substrate P, There is also a possibility of a problem.
그래서, 본 실시 형태에서는, 도 15에 나타내는 바와 같이, 선 패턴(RLa, RLb, RLc)의 단차 엣지부에서 생길 수 있는 약간의 산란광 등을 저감하기 위해, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)에 형성되는 선 패턴(RLa, RLb, RLc)을 선폭(LW)의 오목부로 하고, 그 오목부 내에 자외선(노광광)을 흡수하는 재료(PI)를 충전한다. 15, in order to reduce some scattered light that may be generated at the step edge portions of the line patterns RLa, RLb and RLc, the outer peripheral surfaces DRs The line patterns RLa, RLb and RLc formed on the line width LW are filled with a material PI which absorbs ultraviolet rays (exposure light) in the recesses of the line width LW.
재료(PI)는, 자외선 흡수제를 함유한 도료(건조 후에는 경화하는 것)이며, 단차 엣지에서 발생하는 산란광이나 회절광을 흡수하고, 기판(P)의 표측(表側)에 도달하는 산란광이나 회절광의 양을 저하시킨다. 자외선 흡수제는, 일례로서, BASF-SE사(社)로부터 상품명 Uvinul(등록상표), 또는 TINUVIN(등록상표)로서 시판되고 있고, 자외 파장역의 노광광은 흡수하지만, 가시 파장역의 얼라이먼트용 조명광은 거의 흡수하지 않는 특성을 가진다. The material PI is a coating material containing ultraviolet absorber which is cured after drying and absorbs scattered light or diffracted light generated at the step edge so that scattered light reaching the front side of the substrate P, Thereby reducing the amount of light. The ultraviolet absorbent is commercially available, for example, from BASF-SE under the trade name Uvinul (registered trademark) or TINUVIN (registered trademark), and absorbs exposure light in the ultraviolet wavelength range. However, Has almost no absorption property.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 기준 패턴(RMP)을 구성하는 선 패턴을 오목부로 형성하고, 그 오목부에 자외선 흡수 물질을 충전하도록 했으므로, 노광광의 조사에 의해서 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)으로부터 반사하는 미광을, 더 저감시킬 수 있다.As described above, in the present embodiment, the line pattern constituting the reference pattern RMP is formed as a concave portion, and the concave portion is filled with the ultraviolet absorbing material. Therefore, by irradiating the exposure light, It is possible to further reduce the stray light that is reflected from the light receiving elements DRs.
또, 외주 표면(DRs)의 오목부에 자외선 흡수 물질을 충전하는 수법은, 앞의 도 10, 도 11에 나타낸 선 패턴(RL1, RL2)에 대해서도 마찬가지로 적용 가능하다. 또, 그러한 자외선 흡수제를 함유한 도료는, 기판(P)과 접촉하는 외주 표면(DRs)에 생긴 흠이나 리세스(recess) 등의 부정(不整) 부분의 보수에도 이용할 수 있다. The method of filling the concave portion of the outer circumferential surface DRs with the ultraviolet absorbing material is also applicable to the line patterns RL1 and RL2 shown in Figs. The coating material containing such ultraviolet absorber can also be used for repairing irregularities such as blemishes and recesses on the outer peripheral surfaces DRs which are in contact with the substrate P. [
[제6 실시 형태][Sixth Embodiment]
다음으로, 마스크가 없는 방식의 패턴 노광 장치에, 앞의 도 2, 도 7, 도 10, 도 14에서 설명한 기판 지지 장치를 적용하는 경우의 구성을, 도 16에 근거하여 설명한다. Next, a structure in the case of applying the substrate supporting apparatus described in Figs. 2, 7, 10, and 14 to the pattern exposure apparatus of the maskless type will be described with reference to Fig.
도 16에서, 기판 지지 장치는 앞의 각 실시 형태와 마찬가지로, 텐션 조정 롤러(TR1, TR2), 샤프트부(Sf2)에 의해 축 지지됨과 아울러 기판(P)을 감는 회전 드럼(DR), 스케일 원반(SD), 엔코더 헤드(EN1, EN3) 등으로 구성된다. 얼라이먼트계(AM1(및 AM2 ~ AM5))도, 마찬가지로 대물 렌즈계(GA1), 빔 스플리터(GB1), 조명 유닛(GC1), 및 촬상계(GD1)로 구성된다. 16, the substrate supporting apparatus is constituted by tension adjusting rollers TR1 and TR2, a rotary drum DR which is pivotally supported by the shaft portion Sf2 and winds the substrate P, (SD), encoder heads EN1 and EN3, and the like. The alignment system AM1 (and AM2 to AM5) also includes an objective lens system GA1, a beam splitter GB1, an illumination unit GC1, and an image pickup system GD1.
노광 유닛은, 노광용 조명광(노광광)을 발생하는 광원(100), 다수의 가동 마이크로 미러가 2차원으로 배열된 DMD(Digital Micromirror Device, 등록상표)(104)를 균일한 조도로 균일하게 조명하는 조명계(101), 미러(103), DMD(104)의 각 마이크로 미러에서 반사한 노광광을 집광하는 렌즈계(105), 다수의 마이크로 렌즈를 2차원으로 배열한 MLA(Micro-Lens Array)(106), 회전 드럼(DR)에 감겨진 기판(P)의 면과 공역(共役)인 시야 조리개(107), MLA(106)의 각 마이크로 렌즈에 의해서 시야 조리개(107)의 개구 내에 형성되는 광 스폿을 기판(P) 상에 투영하기 위한 렌즈계(108, 109)로 구성되는 투영 광학계(PL)를 구비한다. The exposure unit includes a
또, 본 실시 형태의 투영 광학계(PL) 내의 동면(瞳面)에는, 도 16의 지면과 직교하는 방향(Y축 방향)으로 삽탈 가능한 빔 스플리터(110)가 마련된다.A beam splitter 110 is provided on the pupil plane of the projection optical system PL of this embodiment so as to be movable in a direction (Y-axis direction) orthogonal to the plane of Fig.
이 빔 스플리터(110)가 삽입되면, MLA(106)로부터의 노광광이, 투영 광학계(PL)의 렌즈계(108), 빔 스플리터(110), 렌즈계(109)를 매개로 하여, 기판(P)의 표면, 또는 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs) 상에 투사되었을 때에, 기판(P)의 표면 또는 외주 표면(DRs)에서 반사하여 되돌아오는 반사광의 일부를, 집광 렌즈나 광전 소자 등을 포함하는 모니터계(112)로 안내할 수 있다. When this beam splitter 110 is inserted, the exposure light from the
이 모니터계(112)는, 기판(P)의 표면 또는 외주 표면(DRs)으로부터의 반사광(노광광)의 광량을 계측하여, 기판(P)에 대해서 적정한 노광량(조도)이 부여되고 있는지 아닌지를 판단하기 위한 광량 모니터, 혹은, 반사광(노광광)에 근거하여, 기판(P) 상의 마크(Ks1 ~ Ks5)나 외표면(DRs) 상의 기준 패턴(RMP)에 관한 광 정보(광학상(光學像), 회절광 등)를 수집하는 얼라이먼트 모니터로서 구성된다. The
이와 같이 본 실시 형태에서의 모니터계(112)는 청구범위에 기재된 제1 검출계에 대응하며, 얼라이먼트계(AM1(및 AM2 ~ AM5))는 청구범위에 기재된 제2 검출계에 대응한다.Thus, the
도 16과 같은 마스크가 없는 타입의 패턴 노광 장치에서는, 패턴 묘화 데이터(CAD 데이터), 엔코더 헤드(EN1(또는 EN3))로부터의 계측 신호에 근거하는 기판(P)의 이송 위치의 정보, 혹은 얼라이먼트계(AM1(AM2 ~ AM5))에서 계측되는 기판(P)의 마크(Ks1 ~ Ks5)의 위치 정보에 근거하여, DMD(104)의 각 마이크로 미러의 각도가 고속으로 전환된다.In the maskless type pattern exposure apparatus shown in Fig. 16, the information of the transfer position of the substrate P based on the measurement data from the pattern drawing data (CAD data), the encoder head EN1 (EN3) The angles of the micromirrors of the
이것에 의해서, 각 마이크로 미러에서 반사한 노광광이 MLA(106)의 대응한 마이크로 렌즈에 입사하는 상태와, 입사하지 않은 상태로 전환되므로, 기판(P) 상에는 묘화 데이터를 따른 패턴이 노광(묘화)된다. As a result, the exposure light reflected by each micromirror is converted into a state where the exposure light is incident on the corresponding microlens of the
도 16에 나타낸 본 실시 형태의 패턴 노광 장치도, 앞의 도 2, 도 4에 나타낸 바와 같은 조건으로, 회전 중심선(AX2)과 평행한 방향(Y축 방향)으로, 복수의 노광 유닛을 마련함으로써, Y축 방향의 폭이 큰 기판(P)의 노광 처리에 대응할 수 있다. 그 경우, 도 16 중의 시야 조리개(107)의 개구 형상은, 도 4 중의 각 노광 영역(PA1 ~ PA6)의 형상과 동일한 사다리꼴 모양으로 하고, 그 사다리꼴 모양의 개구 내에, MLA(106)에서 만들어지는 다수의 광 스폿이 일정 피치로 늘어서도록 하는 것이 좋다. The pattern exposure apparatus of this embodiment shown in Fig. 16 can also be provided with a plurality of exposure units in a direction (Y-axis direction) parallel to the rotation center line AX2 under the conditions shown in Figs. 2 and 4 , And can cope with exposure processing of the substrate P having a large width in the Y-axis direction. In this case, the opening shape of the
또, MLA(107)의 사출측에 형성되는 다수의 광 스폿의 집광점에 의해서 규정되는 포커스면이, 회전 드럼(DR)의 외주 표면(DRs)과 마찬가지로 원통 모양으로 만곡하도록, 예를 들면 도 16 중의 MLA(106)의 경우는, 그 각 마이크로 렌즈 중, X방향으로 늘어서는 마이크로 렌즈 사이에서 초점 거리를 약간 다르게 해도 좋다. The focus surface defined by the light-converging points of a plurality of light spots formed on the emission side of the
DM - 원통 마스크 DR - 회전 드럼
DRs - 회전 드럼의 외주 표면 DR1 - 회전 드럼의 기재(基材)
DR2 - 회전 드럼의 기초층 DR3 - 회전 드럼의 톱층
P - 가요성의 기판
PL1, PL2, PL3, PL4 - 투영 광학계
AM1 ~ AM5 - 얼라이먼트계 RMP - 기준 패턴
RL1, RL2, RLa, RLb, RLc - 선 패턴 UW1 ~ UW4 - 묘화 모듈DM - Cylindrical mask DR - Drum drum
DRs - outer peripheral surface of rotary drum DR1 - base material of rotary drum
DR2 - Foundation layer of rotary drum DR3 - Top layer of rotary drum
P - flexible substrate
PL1, PL2, PL3, PL4 - projection optical system
AM1 to AM5 - Alignment system RMP - Reference pattern
RL1, RL2, RLa, RLb, RLc - Line pattern UW1 to UW4 - Drawing module
Claims (10)
상기 기판을 만곡한 상태 또는 평탄한 상태로 지지하는 기재(基材)와, 상기 기재의 표면에 형성되는 막체(膜體)와, 상기 막체의 단차에 의해서 형성되는 기준 패턴을 가지는 기판 지지 부재와,
상기 기판 지지 부재의 상기 막체 상에 지지된 상기 기판의 상기 광감응층에 상기 제1 광에 의한 패턴광을 투사하는 패턴 노광부와,
상기 제1 광에 의한 조명광을, 상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면에 투사했을 때에 발생하는 반사광을 검출하는 모니터계와,
상기 기준 패턴 또는 상기 기판 상에 형성된 마크를 광학적으로 검출하기 위해서, 상기 제1 광과 다른 파장역의 제2 광에 의한 조명광을, 상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면에 투사했을 때에 생기는 상기 기준 패턴 또는 상기 마크로부터 발생하는 반사광을 검출하는 광학 검출부를 구비하며,
상기 막체의 두께는, 상기 제1 광에 대한 반사율이 상기 제2 광에 대한 반사율보다도 작아지도록 조정되어 있는 패턴 형성 장치.1. A pattern forming apparatus for projecting a first light in an ultraviolet wavelength region to a photo sensitive layer on a surface of a substrate to expose a circuit or a wiring pattern to the photo sensitive layer,
A substrate supporting member having a reference pattern formed by a step of the film body; a substrate supporting member for supporting the substrate in a curved or flat state; a substrate body formed on a surface of the substrate;
A pattern exposure unit for projecting pattern light by the first light onto the photosensitive layer of the substrate supported on the film support of the substrate support member;
A monitor system for detecting reflected light generated when the illumination light by the first light is projected onto the surface of the substrate or the surface of the substrate support member,
Wherein the illumination light generated by the second light having a wavelength different from that of the first light is projected onto the surface of the substrate or the surface of the substrate supporting member to optically detect the reference pattern or the mark formed on the substrate And an optical detector for detecting reflected light generated from the reference pattern or the mark,
Wherein the thickness of the film body is adjusted such that the reflectance for the first light is smaller than the reflectance for the second light.
상기 기재는, 철 또는 알루미늄을 포함하는 금속 재료로 만들어지며,
상기 막체는, 상기 기재의 표면에 2층 이상의 다층막으로서 형성되며, 상기 제1 광에 대한 반사율을 20%이하로 한 패턴 형성 장치.The method according to claim 1,
The substrate is made of a metal material comprising iron or aluminum,
Wherein the film body is formed as a multilayer film of two or more layers on the surface of the substrate, and the reflectance for the first light is 20% or less.
상기 다층막은, 상기 기재의 표면에 형성되는 기초층과, 상기 기초층의 위에 형성되는 톱(top)층의 2층 구조이며,
상기 기초층의 두께를 상기 톱층의 두께보다도 크게 한 패턴 형성 장치.The method of claim 2,
The multi-layered film has a two-layer structure of a base layer formed on the surface of the base material and a top layer formed on the base layer,
Wherein a thickness of the base layer is larger than a thickness of the top layer.
상기 기준 패턴은 상기 기초층에 미소 단차로 형성되며, 상기 톱층은 상기 기초층의 미소 단차를 따라서 적층되는 패턴 형성 장치.The method of claim 3,
Wherein the reference pattern is formed on the base layer by a small step, and the top layer is stacked along a minor step of the base layer.
상기 제1 광의 중심 파장을 λ1, m을 제로를 포함하는 임의의 정수(整數), 상기 기준 패턴의 미소 단차의 양을 ΔDP로 했을 때,
λ1ㆍ(m+1/8)/2≤ΔDP≤λ1ㆍ(m+7/8)/2의 범위, 또는
λ1ㆍ(m+1/4)/2≤ΔDP≤λ1ㆍ(m+3/4)/2의 범위로 설정되는 패턴 형성 장치.The method of claim 4,
When the center wavelength of the first light is? 1, m is an arbitrary integer including zero, and the amount of the small step of the reference pattern is? DP,
? 1 (m + 1/8) / 2? DP? 1 (m + 7/8) / 2 or
? 1 (m + 1/4) / 2? DP? 1? (m + 3/4) / 2.
상기 제2 광은 가시역~적외역의 파장대의 광인 패턴 형성 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
And the second light is light in a wavelength range of a visible region to an infrared region.
상기 기판 지지 부재는,
중심선으로부터 일정 반경으로 원통면 모양으로 만곡한 외주면의 일부에서 상기 기판을 지지함과 아울러, 상기 기판을 상기 외주면의 둘레 방향으로 반송하기 위해서 상기 중심선을 중심으로 회전하는 회전 드럼인 패턴 형성 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the substrate support member comprises:
Wherein said rotary drum is a rotary drum that supports said substrate on a part of an outer circumferential surface curved in a cylindrical shape with a predetermined radius from a center line and rotates around said center line to carry said substrate in a circumferential direction of said outer circumferential surface.
상기 모니터계는,
상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면으로부터의 상기 제1 광의 반사광을 검출하여, 상기 패턴의 노광시에 상기 기판에 대해서 적정한 노광량이 부여되고 있는지를 판단하기 위한 광량 모니터인 패턴 형성 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The monitor system includes:
Wherein the light amount monitor is a light amount monitor for detecting reflected light of the first light from the surface of the substrate or the surface of the substrate support member to determine whether an appropriate exposure amount is given to the substrate during exposure of the pattern.
상기 모니터계는,
상기 기판의 표면 또는 상기 기판 지지 부재의 표면으로부터의 상기 제1 광의 반사광에 기초하여, 상기 기판의 상기 마크 또는 상기 기판 지지 부재의 상기 기준 패턴에 관한 광 정보를 수집하기 위한 얼라이먼트 모니터인 패턴 형성 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
The monitor system includes:
Which is an alignment monitor for collecting optical information on the mark of the substrate or the reference pattern of the substrate support member based on the reflected light of the first light from the surface of the substrate or the surface of the substrate support member, .
상기 광학 검출부는,
상기 기판의 상기 마크 또는 상기 기판 지지 부재의 상기 기준 패턴을 향하여 상기 제2 광에 의한 조명광을 조사하는 조명 유닛과,
상기 마크 또는 상기 기준 패턴에 의해 발생한 반사광을 입사하는 대물 렌즈와,
상기 대물 렌즈를 통해서 수광한 상기 마크 또는 상기 기준 패턴의 상(像)을 촬상하는 촬상계를 구비하는 패턴 형성 장치.The method according to any one of claims 1 to 5,
Wherein the optical detection unit comprises:
An illumination unit for irradiating illumination light by the second light toward the reference pattern of the substrate or the substrate support member of the substrate;
An objective lens for entering the mark or the reflected light generated by the reference pattern,
And an image pickup system for picking up an image of the mark or the reference pattern received through the objective lens.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012188116 | 2012-08-28 | ||
JPJP-P-2012-188116 | 2012-08-28 | ||
PCT/JP2013/057062 WO2014034161A1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Substrate support device and exposure device |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187009198A Division KR101907365B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Substrate processing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180112115A KR20180112115A (en) | 2018-10-11 |
KR101999497B1 true KR101999497B1 (en) | 2019-07-11 |
Family
ID=50182989
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157003652A KR101812857B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Substrate support device and exposure device |
KR1020167034212A KR101855612B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Pattern formation device and substrate support device |
KR1020187009198A KR101907365B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Substrate processing device |
KR1020187028577A KR101999497B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Pattern forming device |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157003652A KR101812857B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Substrate support device and exposure device |
KR1020167034212A KR101855612B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Pattern formation device and substrate support device |
KR1020187009198A KR101907365B1 (en) | 2012-08-28 | 2013-03-13 | Substrate processing device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP6245174B2 (en) |
KR (4) | KR101812857B1 (en) |
CN (3) | CN104583874B (en) |
HK (2) | HK1246408A1 (en) |
IN (1) | IN2015DN01909A (en) |
TW (4) | TWI581362B (en) |
WO (1) | WO2014034161A1 (en) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104583874B (en) * | 2012-08-28 | 2017-11-03 | 株式会社尼康 | Substrate supporting arrangement and exposure device |
CN110083018A (en) * | 2014-04-01 | 2019-08-02 | 株式会社尼康 | The method of adjustment of substrate board treatment |
TWI661280B (en) * | 2014-04-01 | 2019-06-01 | 日商尼康股份有限公司 | Substrate processing method and substrate processing device |
CN110451316B (en) * | 2014-09-04 | 2021-01-05 | 株式会社尼康 | Substrate processing apparatus |
KR102345439B1 (en) * | 2015-01-15 | 2021-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | Roll to roll light exposure system |
JP6413784B2 (en) * | 2015-01-19 | 2018-10-31 | 株式会社ニコン | Substrate processing apparatus and device manufacturing method |
TWI720911B (en) * | 2015-02-27 | 2021-03-01 | 日商尼康股份有限公司 | Pattern drawing device |
CN110596888B (en) * | 2015-03-20 | 2022-04-01 | 株式会社尼康 | Pattern drawing device |
JP2017058494A (en) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社ニコン | Pattern drawing device, pattern drawing method, substrate treatment device and device manufacturing method |
CN111781806B (en) * | 2015-10-30 | 2023-06-16 | 株式会社尼康 | Substrate processing apparatus |
JP6551175B2 (en) * | 2015-11-10 | 2019-07-31 | 株式会社ニコン | Rotating cylindrical body measuring apparatus, substrate processing apparatus, and device manufacturing method |
US9918375B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Plasma based light source having a target material coated on a cylindrically-symmetric element |
JP6589607B2 (en) * | 2015-12-04 | 2019-10-16 | 株式会社ニコン | Drawing apparatus and drawing method |
KR102541913B1 (en) | 2016-03-30 | 2023-06-13 | 가부시키가이샤 니콘 | The apparatus for drawing pattern, and the pattern imaging method and device manufacturing method |
WO2017199658A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | 株式会社ニコン | Substrate support device, exposure device, and patterning device |
TWI736621B (en) * | 2016-10-04 | 2021-08-21 | 日商尼康股份有限公司 | Pattern drawing device and pattern drawing method |
JP6680330B2 (en) * | 2018-09-14 | 2020-04-15 | 株式会社ニコン | Pattern forming equipment |
JP6587026B2 (en) * | 2018-10-30 | 2019-10-09 | 株式会社ニコン | Pattern exposure equipment |
CN112114499B (en) * | 2019-06-19 | 2022-02-11 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | Exposure device, photoetching equipment and preparation method of solar cell electrode |
JP6787447B2 (en) * | 2019-06-27 | 2020-11-18 | 株式会社ニコン | Board processing equipment |
JP6996580B2 (en) * | 2020-03-05 | 2022-01-17 | 株式会社ニコン | Board processing method |
US20220244631A1 (en) * | 2021-02-03 | 2022-08-04 | Visera Technologies Company Limited | Exposure mask |
EP4382870A1 (en) * | 2022-12-08 | 2024-06-12 | Kaunas University of Technology | Anti-fogging incremental scales for optical encoders and fabrication method thereof |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353088A (en) | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Canon Inc | Method and apparatus for detecting position |
JP2004317728A (en) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Seiko Epson Corp | Substrate with alignment mark and manufacturing method therefor, and substrate for electrooptic device and electrooptic device |
JP2005086072A (en) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Nikon Corp | Alignment method, aligner, and exposing method |
JP2005347332A (en) | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Nikon Corp | Position measuring device, exposure device, and device manufacturing method |
JP2010098143A (en) | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Canon Inc | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5776179A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-13 | Nippon Piston Ring Co Ltd | Sliding member |
JPS60134422A (en) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Formation of pattern |
JPS61220428A (en) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | Exposure device |
JP3095514B2 (en) * | 1992-01-29 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | Substrate holding board |
JPH08139168A (en) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Toto Ltd | Holding jig for exposure |
JP2000012452A (en) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Nikon Corp | Aligner |
JP2000187428A (en) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Sharp Corp | Image forming device |
JP2003094724A (en) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image recorder |
JP2004128325A (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Toto Ltd | Supporting jig |
US7256811B2 (en) * | 2002-10-25 | 2007-08-14 | Kodak Graphic Communications Canada Company | Method and apparatus for imaging with multiple exposure heads |
CN100382241C (en) * | 2002-12-10 | 2008-04-16 | 株式会社尼康 | Exposure apparatus and method for producing device |
US7121496B2 (en) * | 2003-10-23 | 2006-10-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and system for correcting web deformation during a roll-to-roll process |
JP2005126769A (en) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Yoichi Yamagishi | Black coating and method for forming black coating |
JP2005189366A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Sheet type printing plate material, printing plate, and image recording apparatus |
US7292308B2 (en) * | 2004-03-23 | 2007-11-06 | Asml Holding N.V. | System and method for patterning a flexible substrate in a lithography tool |
JP2005322846A (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Pioneer Electronic Corp | Exposure device and method for manufacturing plane type display device using same |
JP4502746B2 (en) * | 2004-08-26 | 2010-07-14 | 京セラ株式会社 | Liquid crystal substrate holder and manufacturing method thereof |
JP2006098719A (en) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Exposure apparatus |
JP2006330441A (en) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Nikon Corp | Projection exposure apparatus, and method for manufacturing micro device |
JP2007010785A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | Method for forming permanent pattern |
US8383330B2 (en) * | 2005-09-07 | 2013-02-26 | Fujifilm Corporation | Pattern exposure method and pattern exposure apparatus |
JP4861778B2 (en) * | 2005-09-08 | 2012-01-25 | 富士フイルム株式会社 | Pattern exposure method and apparatus |
US20070084368A1 (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Ryan Vest | Dynamic UV-exposure and thermal development of relief image printing elements |
JP4542495B2 (en) * | 2005-10-19 | 2010-09-15 | 株式会社目白プレシジョン | Projection exposure apparatus and projection exposure method |
JP2007114357A (en) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Mejiro Precision:Kk | Projection exposure apparatus |
JP4536033B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-09-01 | 三井金属鉱業株式会社 | Wiring pattern inspection method and inspection apparatus for flexible printed wiring board |
NL1036125A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
JP5294141B2 (en) * | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 株式会社ニコン | Display element manufacturing equipment |
NL1036682A1 (en) * | 2008-04-01 | 2009-10-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and contamination detection method. |
DE102008022792A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Electrostatic holding element with anti-reflection coating, measuring method and use of the holding element |
KR20110028473A (en) | 2008-06-30 | 2011-03-18 | 가부시키가이샤 니콘 | Method and apparatus for manufacturing display element, method and apparatus for manufacturing thin film transistor, and circuit forming apparatus |
NL2003299A (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Asml Netherlands Bv | Spectral purity filter and lithographic apparatus. |
US8899564B2 (en) * | 2009-02-23 | 2014-12-02 | Sodick Co., Ltd. | Colored ceramic vacuum chuck and manufacturing method thereof |
US8541163B2 (en) * | 2009-06-05 | 2013-09-24 | Nikon Corporation | Transporting method, transporting apparatus, exposure method, and exposure apparatus |
JP2011221536A (en) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Nikon Corp | Mask moving device, exposure device, substrate processor and device manufacturing method |
JP5858631B2 (en) | 2011-03-28 | 2016-02-10 | テクノクオーツ株式会社 | Method for manufacturing liquid crystal substrate holder |
CN104583874B (en) * | 2012-08-28 | 2017-11-03 | 株式会社尼康 | Substrate supporting arrangement and exposure device |
-
2013
- 2013-03-13 CN CN201380043800.5A patent/CN104583874B/en active Active
- 2013-03-13 IN IN1909DEN2015 patent/IN2015DN01909A/en unknown
- 2013-03-13 KR KR1020157003652A patent/KR101812857B1/en active IP Right Grant
- 2013-03-13 KR KR1020167034212A patent/KR101855612B1/en active IP Right Grant
- 2013-03-13 WO PCT/JP2013/057062 patent/WO2014034161A1/en active Application Filing
- 2013-03-13 KR KR1020187009198A patent/KR101907365B1/en active IP Right Grant
- 2013-03-13 CN CN201710905028.3A patent/CN107656427B/en active Active
- 2013-03-13 KR KR1020187028577A patent/KR101999497B1/en active IP Right Grant
- 2013-03-13 JP JP2014532821A patent/JP6245174B2/en active Active
- 2013-03-13 CN CN201611044499.1A patent/CN106886133B/en active Active
- 2013-04-12 TW TW102112961A patent/TWI581362B/en active
- 2013-04-12 TW TW108109820A patent/TWI729366B/en active
- 2013-04-12 TW TW107111761A patent/TWI658535B/en active
- 2013-04-12 TW TW106108716A patent/TWI624001B/en active
-
2015
- 2015-08-28 HK HK18105667.1A patent/HK1246408A1/en unknown
- 2015-08-28 HK HK15108377.9A patent/HK1207694A1/en not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-12-01 JP JP2016234202A patent/JP6229785B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-03 JP JP2017193366A patent/JP6414308B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-14 JP JP2018152568A patent/JP6558484B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002353088A (en) | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Canon Inc | Method and apparatus for detecting position |
JP2004317728A (en) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Seiko Epson Corp | Substrate with alignment mark and manufacturing method therefor, and substrate for electrooptic device and electrooptic device |
JP2005086072A (en) | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Nikon Corp | Alignment method, aligner, and exposing method |
JP2005347332A (en) | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Nikon Corp | Position measuring device, exposure device, and device manufacturing method |
JP2010098143A (en) | 2008-10-16 | 2010-04-30 | Canon Inc | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101999497B1 (en) | Pattern forming device | |
US20180267413A1 (en) | Substrate processing apparatus, processing apparatus, and method for manufacturing device | |
KR102204689B1 (en) | Scanning exposure device | |
JP6074898B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP6531622B2 (en) | Cylindrical mask, exposure system | |
JP6680330B2 (en) | Pattern forming equipment | |
JP6705531B2 (en) | Device manufacturing method | |
JP6733778B2 (en) | Substrate processing apparatus and device manufacturing method | |
JP2020126242A (en) | Substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |