KR101985763B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하며, 제1방향을 따라 순차적으로 배열되는 제1처리 유닛, 제2처리 유닛, 그리고 제3처리 유닛, 제1처리 유닛 및 제2처리 유닛에 제1유체를 공급하는 제1노즐, 제2처리 유닛 및 제3처리 유닛에 제2유체를 공급하는 제2노즐, 상기 제1노즐이 대기하는 제1대기 포트, 상기 제2노즐이 대기하는 제2대기 포트, 상기 제1노즐이 상기 제1대기 포트, 상기 제1처리 유닛, 그리고 상기 제2처리 유닛 간에 이동되도록 상기 제1노즐을 회전시키는 제1회전축, 그리고 상기 제2노즐이 상기 제2대기 포트, 상기 제2처리 유닛, 그리고 상기 제3처리 유닛 간에 이동되도록 상기 제2노즐을 회전시키는 제2회전축을 포함하되, 상기 제1회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고, 상기 제2회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치된다. 이로 인해 단일의 액 공급 유닛이 2 이상의 처리 유닛들로 액을 공급 가능하다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus processes a substrate and supplies a first fluid to the first processing unit, the second processing unit, and the third processing unit, the first processing unit, and the second processing unit which are sequentially arranged along the first direction. A second nozzle for supplying a second fluid to the first nozzle, the second processing unit and the third processing unit, a first standby port in which the first nozzle waits, a second standby port in which the second nozzle waits, and the second nozzle A first rotating shaft for rotating the first nozzle so that a first nozzle moves between the first standby port, the first processing unit, and the second processing unit, and the second nozzle is the second standby port, the second nozzle; And a second rotary shaft for rotating the second nozzle to move between the processing unit and the third processing unit, wherein the first rotary shaft is positioned at one side of the first direction, and the second rotary shaft is It is located on the other side with respect to the first direction. This allows a single liquid supply unit to supply liquid to two or more processing units.

Figure R1020160157467
Figure R1020160157467

Description

기판 처리 장치{Apparatus for treating substrate}Apparatus for treating substrate

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자 및 평판표시패널의 제조를 위해 사진, 식각, 애싱, 박막 증착, 그리고 세정 공정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다. Various processes such as photography, etching, ashing, thin film deposition, and cleaning processes are performed to manufacture semiconductor devices and flat panel displays. Among these processes, a photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The coating step is a step of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. An exposure process is a process of exposing a circuit pattern on the board | substrate with which the photosensitive film was formed. The developing step is a step of selectively developing an exposed region of the substrate.

일반적으로 액 처리 공정은 스피너(spinner) 장치에서 진행된다. 스피너 장치는 기판을 회전시키고, 회전되는 기판 상에는 공정에 대응되는 액을 공급한다. 특히 도포 공정 및 현상 공정과 같은 액 처리 공정은 기판을 액 처리하는 과정에서 공정 부산물의 발생량이 적은 공정으로, 다량의 스피너 장치를 하나의 액 처리 설비에서 수행 가능하다. 도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 평면도이고, 도 2는 도 1의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면. 스피너 장치들은 일 방향을 따라 배열된다. 각 스피너 장치는 처리 유닛(6) 및 액 공급 유닛을 포함한다. 처리 유닛(6)은 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지고, 액 공급 유닛은 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)을 가진다. 제1노즐(2) 및 제2노즐(4)은 서로의 이동 경로에 간섭되지 않도록 처리 유닛(6)의 일측 및 타측에 각각 설치된다. Generally, the liquid treatment process is carried out in a spinner apparatus. The spinner device rotates the substrate and supplies a liquid corresponding to the process onto the rotated substrate. In particular, a liquid treatment process such as an application process and a development process is a process in which the amount of by-products generated in the process of liquid treatment of the substrate is small, and a large amount of spinner apparatus can be performed in one liquid treatment facility. 1 is a plan view showing a general liquid processing apparatus, Figure 2 is a cross-sectional view showing a liquid processing apparatus of FIG. 1 and 2. The spinner devices are arranged along one direction. Each spinner device includes a processing unit 6 and a liquid supply unit. The processing unit 6 has a processing space for processing a substrate therein, and the liquid supply unit has a first nozzle 2 and a second nozzle 4. The first nozzle 2 and the second nozzle 4 are respectively provided on one side and the other side of the processing unit 6 so as not to interfere with each other's movement path.

그러나 액 처리 설비에는 복수 개의 노즐들(2,4)의 이동 경로를 확보하기 위해 많은 공간을 필요로 한다. 이에 따라 하나의 액 처리 설비에 설치 가능한 스피너 장치는 매우 제한된다. However, the liquid treatment facility requires a lot of space to secure the movement path of the plurality of nozzles (2, 4). Thereby, the spinner apparatus which can be installed in one liquid treatment facility is very limited.

본 발명은 처리 설비의 내부 공간 효율을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.The present invention seeks to provide a device that can improve the internal space efficiency of a treatment plant.

본 발명은 제한된 공간 내에 설치 가능한 스피너 장치의 개수를 늘릴 수 있는 장치를 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a device capable of increasing the number of spinner devices that can be installed in a limited space.

또한 본 발명은 풋프린트(Footprint)를 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.In addition, the present invention is to provide a device that can minimize the footprint (Footprint).

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하며, 제1방향을 따라 순차적으로 배열되는 제1처리 유닛, 제2처리 유닛, 그리고 제3처리 유닛, 제1처리 유닛 및 제2처리 유닛에 제1유체를 공급하는 제1노즐, 제2처리 유닛 및 제3처리 유닛에 제2유체를 공급하는 제2노즐, 상기 제1노즐이 대기하는 제1대기 포트, 상기 제2노즐이 대기하는 제2대기 포트, 상기 제1노즐이 상기 제1대기 포트, 상기 제1처리 유닛, 그리고 상기 제2처리 유닛 간에 이동되도록 상기 제1노즐을 회전시키는 제1회전축, 그리고 상기 제2노즐이 상기 제2대기 포트, 상기 제2처리 유닛, 그리고 상기 제3처리 유닛 간에 이동되도록 상기 제2노즐을 회전시키는 제2회전축을 포함하되, 상기 제1회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고, 상기 제2회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치된다. Embodiments of the present invention provide an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus processes a substrate and supplies a first fluid to the first processing unit, the second processing unit, and the third processing unit, the first processing unit, and the second processing unit which are sequentially arranged along the first direction. A second nozzle for supplying a second fluid to the first nozzle, the second processing unit and the third processing unit, a first standby port in which the first nozzle waits, a second standby port in which the second nozzle waits, and the second nozzle A first rotating shaft for rotating the first nozzle so that a first nozzle moves between the first standby port, the first processing unit, and the second processing unit, and the second nozzle is the second standby port, the second nozzle; And a second rotary shaft for rotating the second nozzle to move between the processing unit and the third processing unit, wherein the first rotary shaft is positioned at one side of the first direction, and the second rotary shaft is It is located on the other side with respect to the first direction.

상기 제1회전축은 상기 제1처리 유닛 및 상기 제2처리 유닛 사이에 위치되고, 상기 제2회전축은 상기 제2처리 유닛 및 상기 제3처리 유닛 사이에 위치될 수 있다. 상기 제1대기 포트는 상기 제1처리 유닛으로부터 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 이격되게 상기 일측에 위치되고, 상기 제2대기 포트는 상기 제2처리 유닛으로부터 상기 제2방향의 반대 방향으로 이격되게 상기 타측에 위치될 수 있다. The first rotating shaft may be located between the first processing unit and the second processing unit, and the second rotating shaft may be located between the second processing unit and the third processing unit. The first standby port is located at one side to be spaced apart from the first processing unit in a second direction perpendicular to the first direction, and the second standby port is opposite to the second direction from the second processing unit. It may be located on the other side to be spaced apart.

또한 상기 제1대기 포트는 상기 제1처리 유닛과 상기 제2처리 유닛의 사이 공간에 위치되고, 상기 제2대기 포트는 상기 제2처리 유닛과 상기 제3처리 유닛의 사이 공간에 위치될 수 있다. In addition, the first standby port may be located in a space between the first processing unit and the second processing unit, and the second standby port may be located in a space between the second processing unit and the third processing unit. .

상기 제1노즐로부터 공급되는 제1유체와 상기 제2노즐로부터 공급되는 제2유체는 서로 상이한 종류의 유체일 수 있다. 상기 제1노즐로부터 공급되는 제1유체는 현상액을 포함하고, 상기 제2노즐로부터 공급되는 제2유체는 린스액을 포함할 수 있다. The first fluid supplied from the first nozzle and the second fluid supplied from the second nozzle may be different kinds of fluids. The first fluid supplied from the first nozzle may include a developer, and the second fluid supplied from the second nozzle may include a rinse solution.

상기 장치는 상기 제3처리 유닛에 제3유체를 공급하는 제3노즐, 상기 제3노즐을 회전 이동시키는 제3회전축, 상기 제1처리 유닛에 제4유체를 공급하는 제4노즐, 그리고 상기 제4노즐을 회전 이동시키는 제4회전축을 더 포함하되, 상기 제3회전축은 상기 제3처리 유닛을 중심으로 상기 제2처리 유닛의 반대편에서 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고, 상기 제4회전축은 상기 제1처리 유닛을 중심으로 상기 제2처리 유닛의 반대편에서 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치될 수 있다. The apparatus includes a third nozzle for supplying a third fluid to the third processing unit, a third rotary shaft for rotationally moving the third nozzle, a fourth nozzle for supplying a fourth fluid to the first processing unit, and the third nozzle. And a fourth rotating shaft for rotating the four nozzles, wherein the third rotating shaft is positioned on one side of the second processing unit with respect to the first direction on the opposite side of the second processing unit. Four rotation shafts may be located on the other side of the first processing unit with respect to the first direction on the opposite side of the second processing unit.

상기 장치는 기판을 처리하는 제4처리 유닛을 더 포함하되, 상기 제1방향을 따라 상기 제1처리 유닛, 상기 제2처리 유닛, 상기 제3처리 유닛, 그리고 상기 제4처리 유닛은 순차적으로 배열되고, 상기 제3노즐은 상기 제3회전축의 회전에 의해 상기 제3처리 유닛 및 상기 제4처리 유닛 간에 이동될 수 있다. The apparatus further includes a fourth processing unit for processing a substrate, wherein the first processing unit, the second processing unit, the third processing unit, and the fourth processing unit are sequentially arranged along the first direction. The third nozzle may be moved between the third processing unit and the fourth processing unit by the rotation of the third rotating shaft.

상기 장치는 상기 제1처리 유닛에 제5유체를 공급하는 제5노즐 및 상기 제5노즐을 회전 이동시키는 제5회전축을 더 포함하되, 상기 제5회전축은 상기 제4처리 유닛을 중심으로 상기 제3처리 유닛의 반대편에서 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치될 수 있다. 상기 제3노즐로부터 공급되는 제3유체는 상기 제1노즐로부터 공급되는 제1유체와 동일한 종류의 유체로 제공되고, 상기 제4노즐로부터 공급되는 제4유체 및 상기 제5노즐로부터 공급되는 제5유체는 각각 상기 제2노즐로부터 공급되는 제2유체와 동일한 종류의 유체로 제공될 수 있다. The apparatus further includes a fifth nozzle for supplying a fifth fluid to the first processing unit and a fifth rotation shaft for rotationally moving the fifth nozzle, wherein the fifth rotation shaft is configured to be positioned around the fourth processing unit. 3 may be located on the other side of the processing unit relative to the first direction. The third fluid supplied from the third nozzle is provided with the same kind of fluid as the first fluid supplied from the first nozzle, and the fourth fluid supplied from the fourth nozzle and the fifth fluid supplied from the fifth nozzle are supplied. The fluid may be provided in the same kind of fluid as the second fluid supplied from the second nozzle, respectively.

또한 기판 처리 장치는 제1방향을 따라 일렬로 배열되며, 기판을 처리하는 3 개 또는 그 이상의 처리 유닛들, 상기 처리 유닛들에 제1처리 유체를 공급하는 복수 개의 제1처리 노즐들, 그리고 상기 처리 유닛들에 제2처리 유체를 공급하는 복수 개의 제2처리 노즐들을 포함하되, 상기 제1처리 노즐은 이에 인접한 2 개의 처리 유닛들 각각에 제1처리 유체를 공급하고, 상기 제2처리 노즐들 중 어느 하나는 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 중 어느 하나에 제2처리 유체를 공급하고, 상기 제2처리 노즐들 중 다른 하나는 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 중 다른 하나에 제2처리 유체를 공급한다. In addition, the substrate processing apparatus is arranged in a line along the first direction, three or more processing units for processing a substrate, a plurality of first processing nozzles for supplying a first processing fluid to the processing units, and the A plurality of second processing nozzles for supplying a second processing fluid to the processing units, wherein the first processing nozzle supplies a first processing fluid to each of the two processing units adjacent to the second processing nozzles; Either one supplies a second processing fluid to one of the two adjacent processing units, and another one of the second processing nozzles supplies a second processing fluid to the other one of the two adjacent processing units. do.

상기 제1처리 노즐이 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 간에 이동되도록 상기 제1처리 노즐을 회전시키는 제1회전축 및 상기 제2처리 노즐이 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 중 어느 하나 또는 다른 하나에 이동되도록 상기 제2처리 노즐을 회전시키는 제2회전축을 포함하되, 상기 제1회전축 및 상기 제2회전축 각각은 상기 처리 유닛들 사이에 위치되고, 상기 제1방향을 따라 교대로 위치될 수 있다. 상기 제1회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고, 상기 제2회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치될 수 있다. 상기 장치는 상기 제1처리 노즐이 대기하는 제1대기 포트 및 상기 제2처리 노즐이 대기하는 제2대기 포트를 더 포함하되, 상기 제1대기 포트는 상기 처리 유닛으로부터 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 이격되게 상기 일측에 위치되고, 상기 제2대기 포트는 상기 처리 유닛으로부터 상기 제2방향의 반대 방향으로 이격되게 상기 타측에 위치될 수 있다, A first rotary shaft for rotating the first processing nozzle so that the first processing nozzle is moved between the two adjacent processing units and the second processing nozzle is moved to any one or the other of the two adjacent processing units And a second rotating shaft for rotating the second processing nozzle, wherein each of the first rotating shaft and the second rotating shaft is positioned between the processing units and alternately positioned along the first direction. The first rotation shaft may be located at one side of the first direction, and the second rotation shaft may be located at the other side of the first direction. The apparatus further comprises a first standby port on which the first processing nozzle waits and a second standby port on which the second processing nozzle waits, wherein the first standby port is perpendicular to the first direction from the processing unit. The second standby port may be located on the other side spaced apart in a second direction, and the second standby port may be located on the other side spaced apart from the processing unit in a direction opposite to the second direction.

또한 상기 장치는 상기 제1처리 노즐이 대기하는 제1대기 포트 및 상기 제2처리 노즐이 대기하는 제2대기 포트를 더 포함하되, 상기 제1대기 포트는 서로 인접한 어느 2 개의 처리 유닛들의 사이 공간에 위치되고, 상기 제2대기 포트는 서로 인접한 다른 2 개의 처리 유닛들의 사이 공간에 위치될 수 있다. The apparatus further includes a first standby port on which the first processing nozzle waits and a second standby port on which the second processing nozzle waits, wherein the first standby port is a space between any two processing units adjacent to each other. The second standby port may be located in a space between two other processing units adjacent to each other.

상기 제1처리 노즐로부터 공급되는 제1처리 유체와 상기 제2처리 노즐로부터 공급되는 제2처리 유체는 서로 상이한 종류의 유체일 수 있다. The first processing fluid supplied from the first processing nozzle and the second processing fluid supplied from the second processing nozzle may be different kinds of fluids.

본 발명의 실시예에 의하면, 액 공급 유닛은 인접한 처리 유닛 간에 공유 가능하다. 이로 인해 단일의 액 공급 유닛이 2 이상의 처리 유닛들로 액을 공급 가능하다.According to an embodiment of the present invention, the liquid supply unit can be shared between adjacent processing units. This allows a single liquid supply unit to supply liquid to two or more processing units.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 단일의 액 공급 유닛이 2 이상의 처리 유닛들로 액을 공급하므로, 액 공급 유닛의 개수를 최소화할 수 있고, 제한된 공간 내에 설치 가능한 처리 유닛의 개수를 증가시킬 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since a single liquid supply unit supplies liquid to two or more processing units, the number of liquid supply units can be minimized and the number of processing units that can be installed in a limited space can be increased. have.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 설치 가능한 처리 유닛의 개수가 증가되므로, 생산성을 향상시킬 수 있다. In addition, according to the embodiment of the present invention, since the number of processing units that can be installed is increased, productivity can be improved.

도 1은 일반적인 액 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 현상 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 측면도이다.
도 8은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 6의 현상 챔버의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 6의 현상 챔버의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.1 is a plan view showing a general liquid treatment apparatus.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the liquid processing apparatus of FIG. 1. FIG.
3 is a view of the substrate processing equipment from above.
4 is a view of the substrate processing equipment of FIG. 3 as viewed from the AA direction.
FIG. 5 is a view of the substrate processing equipment of FIG. 3 as viewed in the BB direction. FIG.
6 is a plan view illustrating the developing chamber of FIG. 3.
7 is a side view showing a part of the developing chamber of FIG. 6.
8 is a plan view illustrating a part of the developing chamber of FIG. 6.
9 is a plan view illustrating another embodiment of the developing chamber of FIG. 6.
FIG. 10 is a plan view illustrating another embodiment of the developing chamber of FIG. 6.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시 예의 기판 처리 장치는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용된다. 특히 본 실시 예의 기판 처리 장치는 기판에 대해 도포 공정, 현상 공정을 수행하는 데 사용된다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 복수개의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 처리 유닛이 복수개가 서로 배열되어 제공되는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.The substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the substrate processing apparatus of this embodiment is used to perform an application process and a development process on a substrate. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described. However, the present invention is not limited thereto, and the processing unit for processing the substrate using the plurality of processing liquids can be applied to various kinds of apparatuses in which a plurality of processing units are provided in an array.

다음은 도 3 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 기판 처리 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.3 to 10 are schematic views showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. 3 is a view of the substrate processing equipment from above, FIG. 4 is a view of the substrate processing equipment of FIG. 3 viewed from the A-A direction, and FIG. 5 is a view of the substrate processing equipment of FIG. 3 viewed from the B-B direction.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.3 to 5, the substrate processing apparatus 1 includes a load port 100, an index module 200, a buffer module 300, an application and development module 400, and an interface module 700. . The load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the application and development module 400, and the interface module 700 are sequentially arranged in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다. Hereinafter, the direction in which the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the coating and developing module 400, and the interface module 700 are disposed is referred to as a first direction 12. When viewed from the top, the direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as the second direction 14, and the direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14, respectively, is referred to as the third direction 16. This is called.

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in the state accommodated in the cassette 20. The cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, a front open unified pod (FOUP) having a front door may be used as the cassette 20.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the buffer module 300, the coating and developing module 400, and the interface module 700 will be described.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 3에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다. The load port 100 has a mounting table 120 on which a cassette 20 containing substrates W is placed. The mounting table 120 may be provided in plural, and the mounting tables 120 may be arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 3 four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the buffer module 300. The index module 200 includes a frame 210, an index robot 220, and a guide rail 230. The frame 210 is generally provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300. The frame 210 of the index module 200 may be provided at a height lower than that of the frame 310 of the buffer module 300, which will be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210. The index robot 220 drives four axes so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12, the second direction 14, and the third direction 16. This is a possible structure. The index robot 220 includes a hand 221, an arm 222, a support 223, and a pedestal 224. The hand 221 is fixed to the arm 222. Arm 222 is provided in a stretchable and rotatable structure. The support 223 is disposed in the longitudinal direction along the third direction 16. Arm 222 is coupled to support 223 to be movable along support 223. The support 223 is fixedly coupled to the pedestal 224. The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14. The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 to be linearly movable along the guide rail 230. In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20.

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 includes a frame 310, a first buffer 320, a second buffer 330, a cooling chamber 350, and a buffer robot 360. The frame 310 is provided in the shape of an empty rectangular parallelepiped, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400. The first buffer 320, the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the buffer robot 360 are located in the frame 310. The cooling chamber 350, the second buffer 330, and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from below. The first buffer 320 is located at a height corresponding to the coating module 401 of the coating and developing module 400 described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are the coating and developing modules (described later). And a height corresponding to the developing module 402 of 400. The buffer robot 360 is positioned at a predetermined distance from the second buffer 330, the cooling chamber 350, and the first buffer 320 in the second direction 14.

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332. The supports 332 are disposed in the housing 331 and are spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 332. The housing 331 has a direction and a buffer robot provided with the index robot 220 so that the index robot 220 and the buffer robot 360 may load or unload the substrate W to the support 332 in the housing 331. 360 has an opening (not shown) in the direction provided. The first buffer 320 has a structure generally similar to that of the second buffer 330. However, the housing 321 of the first buffer 320 has openings in the direction in which the buffer robot 360 is provided and in the direction in which the applicator robot 432 located in the application module 401 is provided. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320.

버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330. The buffer robot 360 includes a hand 361, an arm 362, and a support 363. The hand 361 is fixed to the arm 362. The arm 362 is provided in a stretchable structure, allowing the hand 361 to move along the second direction 14. Arm 362 is coupled to support 363 so as to be linearly movable in a third direction 16 along support 363. The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320. The support 363 may be provided longer in the upper or lower direction than this. The buffer robot 360 may be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16.

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.The cooling chambers 350 respectively cool the substrate W. The cooling chamber 350 includes a housing 351 and a cooling plate 352. The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As shown in FIG. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with a lift pin assembly that positions the substrate W on the cooling plate 352. The housing 351 is a direction and a developer in which the index robot 220 is provided so that the developer robot provided in the index robot 220 and the developing module 402 can bring in or take out the substrate W from the cooling plate 352. The robot has an opening in the direction provided. In addition, the cooling chamber 350 may be provided with doors to open and close the above-described opening.

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410, a bake chamber 420, and a transfer chamber 430. The resist application chamber 410, the bake chamber 420, and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers 410 are provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively. A plurality of baking chambers 420 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned side by side in the first direction 12 with the first buffer 320 of the first buffer module 300. An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430. The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between the bake chambers 420, the resist application chambers 410, and the first buffer 320 of the first buffer module 300. The guide rail 433 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12. The applicator robot 432 has a hand 434, an arm 435, a support 436, and a pedestal 437. The hand 434 is fixed to the arm 435. Arm 435 is provided in a flexible structure to allow hand 434 to move in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. Arm 435 is coupled to support 436 so as to be linearly movable in third direction 16 along support 436. The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437, and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 so as to be movable along the guide rail 433.

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 기판 지지 유닛(412), 그리고 액 공급 유닛(413)을 가진다. 또한, 레지스트 도포 챔버(410)는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)을 더 포함할 수 있다.The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresist used in each resist coating chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies a photo resist on the substrate W. As shown in FIG. The resist application chamber 410 has a housing 411, a substrate support unit 412, and a liquid supply unit 413. In addition, the resist coating chamber 410 may further include a nozzle 414 for supplying a cleaning liquid such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the photoresist is applied.

하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 하우징(411)은 그 내부에 처리 공간을 가진다. The housing 411 has a cup shape with an open top. The housing 411 has a processing space therein.

기판 지지 유닛(412)은 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(412)은 회전 가능하게 제공된다. The substrate support unit 412 is located in the housing 411 and supports the substrate W. As shown in FIG. The substrate support unit 412 is provided to be rotatable.

액 공급 유닛(413)은 기판 지지 유닛의 상부에서 기판 지지 유닛(412)에 놓인 기판(W) 상으로 처리액을 공급한다. 예를 들면, 처리액은 극성 물질을 포함하는 포토 레지스트로 제공된다. 극성 물질은 솔벤트(Solvent)로 제공될 수 있다. The liquid supply unit 413 supplies the processing liquid onto the substrate W placed on the substrate support unit 412 at the top of the substrate support unit. For example, the treatment liquid is provided with a photoresist comprising a polar material. The polar material may be provided as a solvent.

베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. 선택적으로 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다.The bake chamber 420 heat-treats the substrate (W). For example, the bake chambers 420 may be a prebake process or a photoresist that heats the substrate W to a predetermined temperature and removes organic matter or moisture from the surface of the substrate W before applying the photoresist. A soft bake process or the like performed after coating on W) is performed, and a cooling process for cooling the substrate W after each heating process is performed. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422. The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or thermoelectric elements. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as hot wires or thermoelectric elements. Some of the baking chambers 420 may have only a cooling plate 421 and others may have only a heating plate 422. Optionally, the cooling plate 421 and the heating plate 422 may each be provided in one bake chamber 420.

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(500), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(500)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(500)는 길이 방향이 제 1 방향(12)으로 제공된다. 현상 챔버(500)는 제 3 방향(16)을 따라 복수 개가 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.The developing module 402 is a developing process of removing a part of the photoresist by supplying a developing solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. It includes. The developing module 402 has a developing chamber 500, a baking chamber 470, and a conveying chamber 480. The developing chamber 500, the baking chamber 470, and the conveying chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14. Therefore, the developing chamber 500 and the baking chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 therebetween. The developing chamber 500 has a longitudinal direction in the first direction 12. The developing chamber 500 is provided in plural along the third direction 16. A plurality of baking chambers 470 may be provided in the first direction 12 and the third direction 16, respectively.

반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(500), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned side by side in the first direction 12 with the second buffer 330 of the first buffer module 300. The developer robot 482 and the guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480. The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 transfers the substrate W between the bake chambers 470, the developing chambers 500, and the second buffer 330 of the first buffer module 300 and the cooling chamber 350. . The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to linearly move in the first direction 12. The developing unit robot 482 has a hand 484, an arm 485, a support 486, and a base 487. The hand 484 is fixedly mounted to the arm 485. Arm 485 is provided in a flexible structure to allow hand 484 to move in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16. Arm 485 is coupled to support 486 such that it is linearly movable in third direction 16 along support 486. The support 486 is fixedly coupled to the pedestal 487. The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483.

현상 챔버들(500)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(500)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(500)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The developing chambers 500 all have the same structure. However, the types of the developer used in each of the developing chambers 500 may be different from each other. The developing chamber 500 removes the light irradiated region of the photoresist on the substrate W. At this time, the area irradiated with light in the protective film is also removed. Depending on the kind of photoresist that is optionally used, only the regions of the photoresist and the protective film to which light is not irradiated may be removed.

현상 챔버(500)는 유체를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치(500)로 제공된다. 도 6은 도 3의 현상 챔버를 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 측면도이며, 도 8은 도 6의 현상 챔버의 일부를 보여주는 평면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 기판 처리 장치(500)는 하우징(510), 처리 유닛(1500), 액 공급 유닛(2000), 팬필터유닛(560), 그리고 승강 유닛(미도시)을 포함한다.The developing chamber 500 is provided to a substrate processing apparatus 500 that supplies a fluid to process the substrate. FIG. 6 is a plan view showing the developing chamber of FIG. 3, FIG. 7 is a side view showing a part of the developing chamber of FIG. 6, and FIG. 8 is a plan view showing a part of the developing chamber of FIG. 6. 5 and 6, the substrate processing apparatus 500 includes a housing 510, a processing unit 1500, a liquid supply unit 2000, a fan filter unit 560, and a lifting unit (not shown). do.

하우징(510)은 밀폐된 처리 공간을 제공하며, 상부에는 팬필터유닛(560)이 설치된다. 팬필터유닛(560)은 처리 공간에 수직기류를 발생시킨다. 하우징(510)은 일면(511)에 기판 출입구(512)가 형성된다.The housing 510 provides a closed processing space, and a fan filter unit 560 is installed at an upper portion thereof. The fan filter unit 560 generates vertical airflow in the processing space. The housing 510 has a substrate entrance 512 formed on one surface 511.

팬필터유닛(560)은 필터와 공기 공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 하우징(510) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터유닛(560)을 통과하여 하우징(510) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 된다. 처리 공간내에서 처리 공정에 의해 발생된 기체 부산물은 수직 기류에 의해 배기 라인(525)을 통해 용이하게 배출된다.The fan filter unit 560 is a module in which a filter and an air supply fan are modularized into a unit, and filters the clean air to supply the inside of the housing 510. The clean air passes through the fan filter unit 560 and is supplied into the housing 510 to form vertical airflow. This vertical airflow provides a uniform airflow over the substrate. Gas by-products generated by the treatment process in the treatment space are easily discharged through the exhaust line 525 by vertical airflow.

도 7에 도시된 바와 같이, 하우징(510)은 베이스(900)에 의해 공정 영역(PA)과 유틸리티 영역(UA)으로 구획된다. 베이스(900)에는 처리 용기(520)와 액 공급 유닛(2000)이 설치된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유틸리티 영역(UA)에는 처리 용기(520)와 연결되는 배출라인(524), 배기라인(525) 이외에도 승강 유닛의 구동기 및 액 공급 유닛(2000)과 연결되는 각종 배관들이 위치되는 공간으로, 공정 영역(PA)은 높은 청정도를 유지하기 위해 유틸리티 영역(UA)으로부터 격리되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 7, the housing 510 is partitioned into a process area PA and a utility area UA by the base 900. The base 900 is provided with a processing container 520 and a liquid supply unit 2000. Although only a part is shown in the drawing, in addition to the discharge line 524 and the exhaust line 525 connected to the processing container 520, the utility area UA includes various pipes connected to the driver and the liquid supply unit 2000 of the elevating unit. The process area PA is preferably isolated from the utility area UA in order to maintain high cleanliness.

처리 유닛(1500)은 내부에서 기판이 처리된다. 처리 유닛(1500)은 적어도 3개가 하우징(510)의 내부에 일렬로 배치된다. 본 실시예는 5 개의 처리 유닛(1500)이 하우징(510) 내부에서 제1방향을 따라 일렬로 배치되는 것으로 설명한다. 처리 유닛(1500)은 제1처리 유닛(1510), 제2처리 유닛(1520), 제3처리 유닛(1530), 제4처리 유닛(1540) 및 제5처리 유닛(1550)으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 하나의 하우징(510)에 제공되는 처리 유닛(1500)의 수는 선택적으로 다양하게 제공될 수 있다. 각각의 처리 유닛(1510, 1520, 1530, 1540, 1550)은 처리 용기(520) 및 기판 지지 유닛(530)을 포함한다.In the processing unit 1500, a substrate is processed. At least three processing units 1500 are arranged in a line inside the housing 510. This embodiment describes that five processing units 1500 are arranged in a line along the first direction inside the housing 510. The processing unit 1500 may be provided to the first processing unit 1510, the second processing unit 1520, the third processing unit 1530, the fourth processing unit 1540, and the fifth processing unit 1550. . Alternatively, the number of processing units 1500 provided in one housing 510 may be provided in various ways. Each processing unit 1510, 1520, 1530, 1540, 1550 includes a processing vessel 520 and a substrate support unit 530.

처리 용기(520)는 베이스(900)에 설치된다. 처리 용기(520)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(520)의 개구된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 용기(520)는 기판 지지 유닛(530) 주위를 둘러싸도록 설치된다. 처리 용기(520)는 기판(W)의 현상 및 세정 그리고 건조 공정이 진행되는 동안 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 유체(현상액, 세정액, 건조가스 등)를 유입 및 모으기 위한 것이다. 이것에 의해 외부의 다른 장치나 주위가 오염되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 현상액 회수 및 기판 상부의 균일한 기류 흐름을 제공한다.The processing container 520 is installed in the base 900. The processing container 520 has a cylindrical shape with an open upper portion, and provides a process space for processing the substrate W. FIG. The opened upper surface of the processing container 520 serves as a carrying-out and carrying-in passage of the substrate W. The processing container 520 is installed to surround the substrate support unit 530. The processing container 520 is for introducing and collecting fluid (developing liquid, cleaning liquid, dry gas, etc.) scattered on the substrate W which is rotated during the development and cleaning of the substrate W and the drying process. This not only prevents contamination of other external devices or surroundings, but also provides developer recovery and a uniform flow of air over the substrate.

처리 용기(520)는 외측 공간(a), 내측 공간(b), 커버(526), 외측 벽(521) 및 차단 부재(527)를 포함한다. 외측 공간(a)은 기판(W)로부터 비산되는 현상액과 기체가 유입되는 공간으로 외측벽(521)과 수직격벽(522)에 의해 정의되며, 그 바닥면(523)에는 현상액을 드레인하기 위한 배출라인(524)이 연결된다. 그리고 처리 용기(520)의 내측 공간(b) 바닥면에는 기체 배기를 위한 배기 라인(525)이 연결된다.The processing container 520 includes an outer space a, an inner space b, a cover 526, an outer wall 521, and a blocking member 527. The outer space a is a space into which the developer and gas scattered from the substrate W are defined by the outer wall 521 and the vertical partition wall 522, and a discharge line for draining the developer on the bottom surface 523. 524 is connected. In addition, an exhaust line 525 for exhausting gas is connected to the bottom surface of the inner space b of the processing container 520.

커버(526)는 기판 지지 유닛(530)의 측면을 둘러싸도록 제공된다. 커버(526)는 상부에서 바라볼 때 환형으로 제공된다. 커버(526)는 기판 지지 유닛(530)의 측면을 둘러쌈으로써, 기판(W) 상에서 비산되는 유체가 처리 용기(520)의 외부로 비산되는 것을 방지한다. 커버(526)는 외측벽(521)의 내측 면을 따라 승강 가능하게 제공된다. 커버(526)는 기판(W)을 스핀 헤드(531) 상으로 반입하거나, 처리가 끝난 기판을 반출할 수 있도록 승강 유닛(600)에 의해 승강된다. 커버(526)는 승강 유닛(600)에 의해 기판보다 높은 업 위치와, 기판보다 낮은 다운 위치로 승강된다. The cover 526 is provided to surround the side of the substrate support unit 530. The cover 526 is provided annularly when viewed from the top. The cover 526 surrounds the side of the substrate support unit 530, thereby preventing fluid splashing on the substrate W from scattering outside of the processing container 520. The cover 526 is provided to be movable up and down along the inner side of the outer wall 521. The cover 526 is lifted up and down by the lifting unit 600 to carry the substrate W onto the spin head 531 or to carry out the processed substrate. The cover 526 is elevated by the elevating unit 600 to an up position higher than the substrate and a down position lower than the substrate.

외측벽(521)은 커버(526)의 하부 외측면을 둘러싸도록 제공된다. 외측벽(521)은 하우징(510)의 하부에 고정되게 제공된다. 외측벽(521)은 수직격벽(522)과 함께 외측 공간(a)을 정의한다.The outer wall 521 is provided to surround the lower outer surface of the cover 526. The outer wall 521 is provided to be fixed to the lower portion of the housing 510. The outer wall 521 defines the outer space a together with the vertical partition wall 522.

승강 유닛(미도시)은 커버(526)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 커버(526)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(531)에 대한 처리 용기(520)의 상대 높이가 변경된다. 기판(W)이 스핀 헤드(531)에 로딩 또는 스핀 헤드(531)로부터 언로딩될 때 스핀 헤드(531)가 처리 용기(520)의 상부로 돌출되도록 커버(526)는 하강한다.The lifting unit (not shown) linearly moves the cover 526 in the vertical direction. As the cover 526 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 520 relative to the spin head 531 changes. The cover 526 is lowered so that the spin head 531 protrudes above the processing vessel 520 when the substrate W is loaded into or unloaded from the spin head 531.

기판 지지 유닛(530)은 처리 용기(520)의 처리 공간에 위치된다. 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 필요에 따라 후술할 구동기(532)에 의해 회전될 수 있다. 기판 지지 유닛(530)은 기판(W)이 놓여지는 평평한 상부면을 가지는 지지판(531)를 가진다. 지지판(531)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 필요에 따라 후술할 구동기(532)에 의해 기판을 회전시키는 스핀 헤드(531)로 제공될 수 있다. 스핀 헤드(531)는 기판이 원심력에 의해 스핀 헤드(531)로부터 이탈되지 않도록 내부에 형성된 진공라인(미도시됨)을 통해 기판을 직접 진공 흡착할 수 있다. 상술한 구조와 달리 기판 지지 유닛(530)은 스핀 헤드(531)에 설치되는 척킹핀들을 통해 기판의 측면으로부터 기판의 가장자리(edge)를 기계적으로 고정할 수 있다. 스핀 헤드(531)의 하부면에는 스핀들(533)이 고정 결합되며, 스핀들(533)은 구동기(532)에 의해 회전 가능하게 제공된다. 도시하지 않았지만, 구동기(532)는 회전력을 제공하기 위한 모터, 벨트 및 풀리 등을 구비한다.The substrate support unit 530 is located in the processing space of the processing container 520. The substrate W may be supported during the process, and may be rotated by the driver 532 to be described later as needed during the process. The substrate support unit 530 has a support plate 531 having a flat top surface on which the substrate W is placed. The support plate 531 supports the substrate W during the process, and may be provided to the spin head 531 for rotating the substrate by the driver 532 which will be described later as needed during the process. The spin head 531 may directly suck the substrate through a vacuum line (not shown) formed therein so that the substrate is not separated from the spin head 531 by centrifugal force. Unlike the above-described structure, the substrate support unit 530 may mechanically fix the edge of the substrate from the side of the substrate through the chucking pins installed in the spin head 531. The spindle 533 is fixedly coupled to the lower surface of the spin head 531, and the spindle 533 is rotatably provided by the driver 532. Although not shown, the driver 532 includes a motor, a belt, a pulley, and the like for providing rotational force.

액 공급 유닛(2000)은 기판(W)의 처리를 위해 처리 유닛(1500)으로 액을 공급한다. 일 실시 예에 따르면, 액 공급 유닛(2000)은 제1처리 유닛(1510), 제2처리 유닛(1520), 제3처리 유닛(1530), 제4처리 유닛(1540) 및 제5처리 유닛(1550)으로 액을 공급한다. 액 공급 유닛(2000)은 처리액 공급 유닛(2200)과 린스액 공급 유닛(2400)을 포함한다.The liquid supply unit 2000 supplies the liquid to the processing unit 1500 for the processing of the substrate W. As shown in FIG. According to an embodiment, the liquid supply unit 2000 may include a first processing unit 1510, a second processing unit 1520, a third processing unit 1530, a fourth processing unit 1540, and a fifth processing unit ( 1550). The liquid supply unit 2000 includes a processing liquid supply unit 2200 and a rinse liquid supply unit 2400.

처리액 공급 유닛(2200)은 처리 유닛(1500)에 처리액을 공급한다. 린스액 공급 유닛(2400)은 처리 유닛(1500)에 린스액을 공급한다. 처리액은 현상액이고, 린스액은 기판(W)을 린싱하는 순수일 수 있다. 인접하는 처리 유닛(1500)들 사이에는 처리액 공급 유닛(2200)과 린스액 공급 유닛(2400) 중 어느 하나만 배치된다. 처리액 공급 유닛(2200)과 린스액 공급 유닛(2400)은 처리 유닛(1500)이 배열된 방향을 따라 번갈아 제공된다. 처리액 공급 유닛(2200)과 린스액 공급 유닛(2400)은 각각 이에 인접한 처리 유닛들(1500)로 처리액 또는 린스액를 공급한다. 처리 유닛(1510, 1520, 1530, 1540, 1550) 중 가장 외측에 위치되는 처리 유닛(1510, 1550)의 외측에는 처리액 공급 유닛(2200)과 린스액 공급 유닛(2400) 중 어느 하나가 배치된다. The processing liquid supply unit 2200 supplies the processing liquid to the processing unit 1500. The rinse liquid supply unit 2400 supplies a rinse liquid to the processing unit 1500. The treatment liquid is a developer, and the rinse liquid may be pure water for rinsing the substrate (W). Only one of the processing liquid supply unit 2200 and the rinse liquid supply unit 2400 is disposed between adjacent processing units 1500. The processing liquid supply unit 2200 and the rinse liquid supply unit 2400 are alternately provided along the direction in which the processing unit 1500 is arranged. The processing liquid supply unit 2200 and the rinse liquid supply unit 2400 respectively supply the processing liquid or the rinse liquid to the processing units 1500 adjacent thereto. One of the processing liquid supply unit 2200 and the rinse liquid supply unit 2400 is disposed outside the processing units 1510 and 1550 which are located at the outermost side among the processing units 1510, 1520, 1530, 1540, and 1550. .

본 실시예에는 처리액 공급 유닛(2200)은 제1처리 유닛(1510) 및 제2처리 유닛(1520)의 사이 공간, 제3처리 유닛(1530) 및 제4처리 유닛(1540)의 사이 공간, 그리고 제5처리 유닛(1550)의 외측 각각에 위치되고, 린스액 공급 유닛(2400)은 제2처리 유닛(1520) 및 제3처리 유닛(1530)의 사이 공간, 제4처리 유닛(1540) 및 제5처리 유닛(1550) 사이 공간, 그리고 제1처리 유닛(1510)의 외측 각각에 위치되는 것으로 설명한다.In this embodiment, the processing liquid supply unit 2200 may include a space between the first processing unit 1510 and the second processing unit 1520, a space between the third processing unit 1530 and the fourth processing unit 1540, And a rinse liquid supply unit 2400 located at an outer side of the fifth processing unit 1550, and the rinse liquid supply unit 2400 may include a space between the second processing unit 1520 and the third processing unit 1530, a fourth processing unit 1540, and The spaces between the fifth processing units 1550 and the outside of the first processing unit 1510 will be described.

선택적으로 처리액 공급 유닛(2200)과 린스액 공급 유닛(2400)은 그 위치가 서로 반대되게 배치될 수 있다.Optionally, the processing liquid supply unit 2200 and the rinse liquid supply unit 2400 may be disposed opposite to each other.

처리액 공급 유닛(2200)은 처리 노즐(2202), 처리 대기 포트(2214,2234,2264), 그리고 처리 아암(2206), 그리고 처리 회전축(2208)을 포함한다. 처리 노즐(2202)은 처리액을 토출한다. 처리 대기 포트(2214,2234,2264)는 처리 노즐(2202)이 대기되는 장소를 제공한다. 처리 회전축(2208)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 처리 회전축(2208)은 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 처리 아암(2206)은 처리 회전축(2208)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 처리 아암(2206)은 처리 노즐(2202)을 지지한다. 처리 회전축(2208)의 회전으로 인해 처리 노즐(2202)은 회전 가능하다. 처리 회전축(2208)의 회전으로 인해 처리 노즐(2202)을 처리 대기 포트(2214,2234,2264) 및 인접한 2 개의 처리 유닛으로 이동시킨다. 처리 회전축(2208)은 처리 유닛들(1510 내지 1550)이 배열되는 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 일측에 위치된다. 처리 회전축(2208)은 서로 인접한 어느 2 개의 처리 유닛들 사이 공간으로부터 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다. 처리 대기 포트(2214,2234,2264)는 서로 인접한 어느 2 개의 처리 유닛들 중 어느 하나로부터 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다.The processing liquid supply unit 2200 includes a processing nozzle 2202, processing waiting ports 2214, 2234, and 2264, a processing arm 2206, and a processing rotating shaft 2208. The processing nozzle 2202 discharges the processing liquid. Process waiting ports 2214, 2234, and 2264 provide locations where processing nozzles 2202 are waiting. The processing axis of rotation 2208 is provided so that the longitudinal direction faces the vertical direction. The processing rotation shaft 2208 is rotatable about the magnetic center axis. The processing arm 2206 extends in the vertical direction from the top of the processing axis of rotation 2208. The processing arm 2206 supports the processing nozzle 2202. Due to the rotation of the processing axis 2208, the processing nozzle 2202 is rotatable. Rotation of the processing axis 2208 causes the processing nozzle 2202 to move to the processing standby ports 2214, 2234, 2264 and two adjacent processing units. The processing axis of rotation 2208 is located on one side of the first direction 22 with respect to the first direction 22 in which the processing units 1510 to 1550 are arranged. The processing axis of rotation 2208 is positioned spaced apart in the second direction 24 from the space between any two processing units adjacent to each other. The processing standby ports 2214, 2234, and 2264 are located spaced apart from any one of two adjacent processing units in the second direction 24.

린스액 공급 유닛(2400)은 린스 노즐(2402), 린스 대기 포트(2424,2444,2454), 린스 아암(2606), 그리고 린스 회전축(2408)을 포함한다. 린스 노즐(2402)은 린스액을 토출한다. 린스 대기 포트(2424,2444,2454)는 린스 노즐(2402)이 대기되는 장소를 제공한다. 린스 회전축(2408)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 린스 회전축(2408)은 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 린스 아암(2606)은 린스 회전축(2408)의 상단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 린스 아암(2606)은 린스 노즐(2402)을 지지한다. 린스 회전축(2408)의 회전으로 인해 린스 노즐(2402)은 회전 가능하다. 린스 회전축(2408)의 회전으로 인해 린스 노즐(2402)을 린스 대기 포트(2424,2444,2454) 및 인접한 2 개의 처리 유닛으로 이동시킨다. 린스 회전축(2408)은 처리 유닛들(1510 내지 1550)이 배열되는 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 타측에 위치된다. 린스 회전축(2408)은 서로 인접한 다른 2 개의 처리 유닛들 사이 공간으로부터 제2방향(24)과 반대되는 방향으로 이격되게 위치된다. 린스 대기 포트(2424,2444,2454)는 서로 인접한 다른 2 개의 처리 유닛들 중 하나로부터 제2방향(24)과 반대되는 방향으로 이격되게 위치된다. The rinse liquid supply unit 2400 includes a rinse nozzle 2402, a rinse waiting port 2424, 2444, and 2454, a rinse arm 2606, and a rinse shaft 2408. The rinse nozzle 2402 discharges the rinse liquid. Rinse wait ports 2424, 2444, and 2454 provide a place where the rinse nozzle 2402 is waiting. The rinse axis of rotation 2408 is provided such that the longitudinal direction is directed in the vertical direction. The rinse axis of rotation 2408 is rotatable about a magnetic center axis. Rinse arm 2606 extends in a direction perpendicular to the top of rinse axis of rotation 2408. Rinse arm 2606 supports rinse nozzle 2402. The rinse nozzle 2402 is rotatable due to the rotation of the rinse axis of rotation 2408. Rotation of the rinse axis of rotation 2408 causes the rinse nozzle 2402 to move to the rinse wait ports 2424, 2444, 2454 and two adjacent processing units. The rinse axis of rotation 2408 is located on the other side of the first direction 22 with respect to the first direction 22 in which the processing units 1510 to 1550 are arranged. The rinse axis of rotation 2408 is positioned spaced apart from the space between two other processing units adjacent to each other in a direction opposite to the second direction 24. Rinse wait ports 2424, 2444, and 2454 are located spaced apart from one of the other two processing units adjacent to each other in a direction opposite to the second direction 24.

예컨대, 린스 회전축(2408)은 상단과 하단 간에 거리가 조절되도록 길이가 변경될 수 있다. 린스 대기 포트(2424,2444,2454)는 기판 지지 유닛(530)보다 낮게 위치될 수 있다. 이로 인해 린스 대기 포트(2424,2444,2454)에 대기되는 노즐이 하우징(510)에 반출입되는 기판(W)과 간섭되는 것을 방지할 수 있다.For example, the rinse axis of rotation 2408 can be changed in length so that the distance between the top and bottom is adjusted. The rinse wait ports 2424, 2444, and 2454 may be located lower than the substrate support unit 530. This prevents the nozzles waiting at the rinse waiting ports 2424, 2444, and 2454 from interfering with the substrate W carried in and out of the housing 510.

다음은 상술한 처리액 공급 유닛(2200) 및 린스액 공급 유닛(2400)을 보다 상세히 설명한다. Next, the processing liquid supply unit 2200 and the rinse liquid supply unit 2400 will be described in more detail.

제1처리 유닛(1510) 및 제2처리 유닛(1520)의 사이 공간에 위치되는 처리액 공급 유닛(2200)을 제1액 공급 유닛(2210)으로 정의한다. 제1액 공급 유닛(2210)은 제1처리 유닛(1510) 또는 제2처리 유닛(1520)으로 처리액을 공급 가능하다. 제1액 공급 유닛(2210)은 제1노즐(2210), 제1회전축(2218), 그리고 제1대기 포트(2214)를 포함한다. 제1노즐(2210)은 제1회전축(2218)에 의해 제1처리 유닛(1510), 제2처리 유닛(1520), 그리고 제1대기 포트(2214)로 회전 이동 가능하다.The processing liquid supply unit 2200 located in the space between the first processing unit 1510 and the second processing unit 1520 is defined as the first liquid supply unit 2210. The first liquid supply unit 2210 may supply the processing liquid to the first processing unit 1510 or the second processing unit 1520. The first liquid supply unit 2210 includes a first nozzle 2210, a first rotating shaft 2218, and a first standby port 2214. The first nozzle 2210 is rotatable to the first processing unit 1510, the second processing unit 1520, and the first standby port 2214 by the first rotation shaft 2218.

제2처리 유닛(1520) 및 제3처리 유닛(1530)의 사이 공간에 위치되는 린스액 공급 유닛(2400)을 제2액 공급 유닛(2420)으로 정의한다. 제2액 공급 유닛(2420)은 제2처리 유닛(1520) 또는 제3처리 유닛(1530)으로 린스액을 공급 가능하다. 제2액 공급 유닛(2420)은 제2노즐(2422), 제2회전축(2428), 그리고 제2대기 포트를 포함한다. 제2노즐(2422)은 제2회전축(2428)에 의해 제2처리 유닛(1520), 제3처리 유닛(1530), 그리고 제2대기 포트로 회전 이동 가능하다.A rinse liquid supply unit 2400 positioned in a space between the second processing unit 1520 and the third processing unit 1530 is defined as a second liquid supply unit 2420. The second liquid supply unit 2420 may supply the rinse liquid to the second processing unit 1520 or the third processing unit 1530. The second liquid supply unit 2420 includes a second nozzle 2422, a second rotary shaft 2428, and a second standby port. The second nozzle 2422 is rotatable to the second processing unit 1520, the third processing unit 1530, and the second standby port by the second rotation shaft 2428.

제3처리 유닛(1530) 및 제4처리 유닛(1540)(1540)의 사이 공간에 위치되는 처리액 공급 유닛(2200)을 제3액 공급 유닛(2230)으로 정의한다. 제3액 공급 유닛(2230)은 제3처리 유닛(1530) 또는 제4처리 유닛(1540)(1540)으로 처리액을 공급 가능하다. 제3액 공급 유닛(2230)은 제3노즐(2232), 제3회전축(2238), 그리고 제3대기 포트(2234)를 포함한다. 제3노즐(2232)은 제3회전축(2238)에 의해 제3처리 유닛(1530), 제4처리 유닛(1540), 그리고 제3대기 포트(2234)로 회전 이동 가능하다.The processing liquid supply unit 2200 positioned in the space between the third processing unit 1530 and the fourth processing unit 1540 and 1540 is defined as the third liquid supply unit 2230. The third liquid supply unit 2230 may supply the processing liquid to the third processing unit 1530 or the fourth processing unit 1540 and 1540. The third liquid supply unit 2230 includes a third nozzle 2232, a third rotation shaft 2238, and a third standby port 2234. The third nozzle 2232 is rotatable to the third processing unit 1530, the fourth processing unit 1540, and the third standby port 2234 by the third rotation shaft 2238.

제1처리 유닛(1510)의 외측에 위치되는 린스액 공급 유닛(2400)을 제4액 공급 유닛(2440)으로 정의한다. 제4액 공급 유닛(2440)은 제1처리 유닛(1510)으로 린스액을 공급 가능하다. 제4액 공급 유닛(2440)은 제4노즐(2442), 제4회전축(2448), 그리고 제4대기 포트(2444)를 포함한다. 제4노즐(2442)은 제4회전축(2448)에 의해 제1처리 유닛(1510) 및 제4대기 포트(2444)로 회전 이동 가능하다.The rinse liquid supply unit 2400 positioned outside the first processing unit 1510 is defined as a fourth liquid supply unit 2440. The fourth liquid supply unit 2440 may supply the rinse liquid to the first processing unit 1510. The fourth liquid supply unit 2440 includes a fourth nozzle 2442, a fourth rotary shaft 2448, and a fourth standby port 2444. The fourth nozzle 2442 is rotatable to the first processing unit 1510 and the fourth standby port 2444 by the fourth rotation shaft 2448.

제4처리 유닛(1540)(1540) 및 제5처리 유닛(1550) 사이 공간에 위치되는 처리액 공급 유닛(2200)을 제5액 공급 유닛(2450)으로 정의한다. 제5액 공급 유닛(2450)은 제4처리 유닛(1540)(1540) 또는 제5처리 유닛(1550)으로 처리액을 공급 가능하다. 제5액 공급 유닛(2450)은 제5노즐(2452), 제5회전축(2458), 그리고 제5대기 포트(2454)를 포함한다. 제5노즐(2452)은 제5회전축(2458)에 의해 제4처리 유닛(1540), 제5처리 유닛(1550), 그리고 제5대기 포트(2454)로 회전 이동 가능하다.A processing liquid supply unit 2200 positioned in a space between the fourth processing unit 1540 and 1540 and the fifth processing unit 1550 is defined as a fifth liquid supply unit 2450. The fifth liquid supply unit 2450 may supply the processing liquid to the fourth processing unit 1540 or 1540 or the fifth processing unit 1550. The fifth liquid supply unit 2450 includes a fifth nozzle 2452, a fifth rotating shaft 2458, and a fifth standby port 2454. The fifth nozzle 2452 is rotatable to the fourth processing unit 1540, the fifth processing unit 1550, and the fifth standby port 2454 by the fifth rotation shaft 2458.

제5처리 유닛(1550)의 외측에 위치되는 처리액 공급 유닛(2200)을 제6액 공급 유닛(2260)으로 정의한다. 제6액 공급 유닛(2260)은 제5처리 유닛(1550)으로 처리액을 공급 가능하다. 제6액 공급 유닛(2260)은 제6노즐(2262), 제6회전축(2268), 그리고 제6대기 포트(2264)를 포함한다. 제6노즐(2262)은 제6회전축(2268)에 의해 제5처리 유닛(1550) 및 제6대기 포트(2264)로 회전 이동 가능하다.The processing liquid supply unit 2200 located outside the fifth processing unit 1550 is defined as a sixth liquid supply unit 2260. The sixth liquid supply unit 2260 may supply the processing liquid to the fifth processing unit 1550. The sixth liquid supply unit 2260 includes a sixth nozzle 2262, a sixth rotation shaft 2268, and a sixth atmospheric port 2264. The sixth nozzle 2262 is rotatable to the fifth processing unit 1550 and the sixth standby port 2264 by the sixth rotation shaft 2268.

각각의 제1회전축(2218), 제3회전축(2238), 그리고 제6회전축(2268) (이하, 일측 회전축들)는 일 방향을 기준으로 제1방향(22)의 일측에 위치된다. 일측 회전축들은 제1방향(22)과 평행한 방향으로 서로 대향되게 위치된다. 일측 회전축들은 서로 인접한 어느 2 개의 처리 유닛들의 사이 공간으로부터 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다. 제1액 공급 유닛(2210), 제3액 공급 유닛(2230), 그리고 제6액 공급 유닛(2260) 각각의 대기 포트들(이하, 일측 대기 포트들)은 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 일측에 위치된다. 일측 대기 포트들은 제1처리 유닛(1510), 제3처리 유닛(1530), 그리고 제5처리 유닛(1550)으로부터 제2방향(24)으로 이격되게 위치된다.Each of the first rotating shaft 2218, the third rotating shaft 2238, and the sixth rotating shaft 2268 (hereinafter, referred to as one rotating shaft) is positioned at one side of the first direction 22 based on one direction. One side of the rotation axis is positioned to face each other in a direction parallel to the first direction (22). One axis of rotation is spaced apart in the second direction 24 from the space between any two processing units adjacent to each other. Standby ports (hereinafter, referred to as one side standby ports) of each of the first liquid supply unit 2210, the third liquid supply unit 2230, and the sixth liquid supply unit 2260 are based on the first direction 22. It is located on one side of the first direction 22. One standby port may be spaced apart from the first processing unit 1510, the third processing unit 1530, and the fifth processing unit 1550 in the second direction 24.

제2액 공급 유닛(2420), 제4액 공급 유닛(2440), 그리고 제5액 공급 유닛(2450) 각각의 회전축들(이하, 타측 회전축들)는 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 타측에 위치된다. 타측 회전축들은 제1방향(22)과 평행한 방향으로 서로 대향되게 위치된다. 타측 회전축들은 서로 인접한 다른 2 개의 처리 유닛들의 사이 공간으로부터 제2방향(24)과 반대되는 방향으로 이격되게 위치된다. 제2액 공급 유닛(2420), 제4액 공급 유닛(2440), 그리고 제5액 공급 유닛(2450) 각각의 대기 포트들(이하, 타측 대기 포트들)은 제1방향(22)을 기준으로 제1방향(22)의 타측에 위치된다. 타측 대기 포트들은 제1처리 유닛(1510), 제3처리 유닛(1530), 그리고 제5처리 유닛(1550)으로부터 제2방향(24)과 반대되는 방향으로 이격되게 위치된다. The rotation axes (hereinafter, the other rotation axes) of each of the second liquid supply unit 2420, the fourth liquid supply unit 2440, and the fifth liquid supply unit 2450 may be formed in a first direction with respect to the first direction 22. It is located on the other side of the direction 22. The other rotating shafts are positioned to face each other in a direction parallel to the first direction 22. The other axis of rotation is spaced apart in a direction opposite to the second direction 24 from the space between two other processing units adjacent to each other. The standby ports (hereinafter, the other standby ports) of each of the second liquid supply unit 2420, the fourth liquid supply unit 2440, and the fifth liquid supply unit 2450 are based on the first direction 22. It is located on the other side of the first direction 22. The other standby ports are spaced apart from the first processing unit 1510, the third processing unit 1530, and the fifth processing unit 1550 in a direction opposite to the second direction 24.

각 처리 유닛(1510 내지 1550)은 기판(W) 상에 처리액을 공급하고, 이후에 린스액이 공급된다. 기판(W)의 노광 처리 영역은 처리액에 의해 현상 처리된다. 현상 처리된 후, 기판(W) 상에 잔류되는 공정 부산물은 린스액에 의해 린스 처리된다.Each processing unit 1510 to 1550 supplies a processing liquid onto the substrate W, and then a rinse liquid is supplied thereto. The exposure treatment region of the substrate W is developed by the treatment liquid. After development, the process by-products remaining on the substrate W are rinsed with a rinse liquid.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치는 서로 상이한 액을 공급하는 2개의 액 공급 유닛이 이에 인접한 처리 유닛 간에 공유할 수 있도록 제공된다. 이로 인해 동일한 공간에 처리 유닛들이 제공되는 경우, 하나의 장치에서 제한된 공간에 설치되는 처리 유닛의 수를 증가시켜 공간 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention is provided so that two liquid supply units supplying different liquids can be shared between processing units adjacent thereto. As a result, when processing units are provided in the same space, space efficiency may be improved by increasing the number of processing units installed in a limited space in one apparatus.

또한 처리 유닛의 일측에서 처리 노즐(2202)이 회전 이동이 가능하고, 처리 유닛의 타측에서 린스 노즐(2402)이 회전 이동이 가능하다. 이에 따라 처리 노즐(2202)과 린스 노즐(2402) 간에 이동 경로가 서로 간섭되지 않는다. 또한 처리 노즐들(2202) 간, 그리고 린스 노즐들(2402) 간에 이동 경로가 간섭되지 않을 수 있다.In addition, the processing nozzle 2202 may be rotatable on one side of the processing unit, and the rinse nozzle 2402 may be rotatable on the other side of the processing unit. As a result, the movement paths between the processing nozzles 2202 and the rinse nozzles 2402 do not interfere with each other. Also, the movement path between the processing nozzles 2202 and the rinse nozzles 2402 may not interfere.

상술한 실시예와 달리, 도 9와 같이 처리액 공급 유닛(2200)의 대기 포트들(2214,2234,2264) 및 린스액 공급 유닛(2400)의 대기 포트들(2424,2444,2454) 각각은 제1방향(22)을 따라 배치될 수 있다. 각각의 대기 포트들은 처리 유닛들(1510 내지 1550)의 사이 공간 및 처리 유닛(1510,1550)의 외측에 위치될 수 있다. Unlike the above-described embodiment, as shown in FIG. 9, the standby ports 2214, 2234 and 2264 of the treatment liquid supply unit 2200 and the standby ports 2424, 2444 and 2454 of the rinse liquid supply unit 2400 are respectively. It may be disposed along the first direction 22. Respective standby ports may be located between the processing units 1510-1550 and outside of the processing units 1510, 1550.

또한 도 10과 같이, 처리 노즐(2202) 및 린스 노즐(2402)은 제1방향(22)의 일측에 위치될 수 있다. In addition, as illustrated in FIG. 10, the processing nozzle 2202 and the rinse nozzle 2402 may be located at one side of the first direction 22.

다시 도 2 내지 도 5를 참조하면, 현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다. 2 to 5 again, the baking chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate (W). For example, the bake chambers 470 are heated after each bake process and a hard bake process for heating the substrate W after the developing process is performed and a post bake process for heating the substrate W before the developing process is performed. A cooling process for cooling the finished substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472. The cooling plate 471 is provided with cooling means 473, such as cooling water or thermoelectric elements. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474, such as a hot wire or a thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may each be provided in one bake chamber 470. Optionally, some of the baking chambers 470 may have only a cooling plate 471 and others may have only a heating plate 472.

상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다. As described above, in the application and development module 400, the application module 401 and the development module 402 are provided to be separated from each other. In addition, the application module 401 and the developing module 402 may have the same chamber arrangement when viewed from the top.

인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 현상 모듈(402)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)의 반송 챔버(330)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 현상 모듈(402)의 반송 챔버(330)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the coating and developing module 400 and the exposure apparatus 900. The interface module 700 has a frame 710, a first buffer 720, a second buffer 730, and an interface robot 740. The first buffer 720, the second buffer 730, and the interface robot 740 are located in the frame 710. The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance and disposed to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730. The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the application module 401, and the second buffer 730 is disposed at a height corresponding to the developing module 402. As viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the conveyance chamber 330 of the application module 401 and the first direction 12, and the second buffer 730 is formed of the developing module 402. The transfer chamber 330 and the first direction 12 are arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14. The interface robot 740 transports the substrate W between the first buffer 720, the second buffer 730, and the exposure apparatus 900.

제 1 버퍼(720)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 현상 모듈(402)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 도포부 로봇(432)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W processed in the coating module 401 before they are moved to the exposure apparatus 900. The second buffer 730 temporarily stores the substrates W processed in the exposure apparatus 900 before moving to the developing module 402. The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722. The supports 722 are disposed in the housing 721 and are provided spaced apart from each other along the third direction 16. One support W is placed on each support 722. The housing 721 has a direction and an applicator provided with an interface robot 740 so that the interface robot 740 and the applicator robot 432 can bring the substrate W into or out of the support 722 into the housing 721. The robot 432 has an opening (not shown) in the direction provided. The second buffer 730 has a structure generally similar to that of the first buffer 720. However, the housing 731 of the second buffer 730 has openings (not shown) in the direction in which the interface robot 740 is provided and in the direction in which the developing unit robot 482 is provided. The interface module may be provided with only the buffers and the robot as described above without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate W.

1510: 제1처리 유닛 1520: 제2처리 유닛
1530: 제3처리 유닛 1540: 제4처리 유닛
1550: 제5처리 유닛 2212: 제1노즐
2214: 제1대기 포트 2232: 제3노즐
2234: 제3대기 포트 2262: 제6노즐
2264: 제6대기 포트 2422: 제2노즐
2424: 제2대기 포트 2442: 제4노즐
2444: 제4대기 포트 2452: 제5노즐
2454: 제5대기 포트1510: first processing unit 1520: second processing unit
1530: third processing unit 1540: fourth processing unit
1550: fifth processing unit 2212: first nozzle
2214: first standby port 2232: third nozzle
2234: 3rd standby port 2262: 6th nozzle
2264: 6th standby port 2422: second nozzle
2424: second standby port 2442: fourth nozzle
2444: 4th standby port 2452: 5th nozzle
2454: fifth standby port

Claims (16)

기판을 처리하며, 제1방향을 따라 순차적으로 배열되는 제1처리 유닛, 제2처리 유닛, 그리고 제3처리 유닛과;
상기 제1처리 유닛 및 상기 제2처리 유닛에 제1유체를 공급하는 제1노즐과;
상기 제2처리 유닛 및 상기 제3처리 유닛에 제2유체를 공급하는 제2노즐과;
상기 제1노즐이 대기하는 제1대기 포트와;
상기 제2노즐이 대기하는 제2대기 포트와;
상기 제1노즐이 상기 제1대기 포트, 상기 제1처리 유닛, 그리고 상기 제2처리 유닛 간에 이동되도록 상기 제1노즐을 회전시키는 제1회전축과;
상기 제2노즐이 상기 제2대기 포트, 상기 제2처리 유닛, 그리고 상기 제3처리 유닛 간에 이동되도록 상기 제2노즐을 회전시키는 제2회전축을 포함하되,
상기 제1회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고, 상기 제2회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치되며
상기 제1회전축은 상기 제1처리 유닛 및 상기 제2처리 유닛 사이에 위치되고
상기 제2회전축은 상기 제2처리 유닛 및 상기 제3처리 유닛 사이에 위치되며,
상기 제1노즐로부터 공급되는 제1유체와 상기 제2노즐로부터 공급되는 제2유체는 서로 상이한 종류의 유체이며,
상기 제1대기 포트는 상기 제1처리 유닛으로부터 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 이격되게 상기 일측에 위치되고,
상기 제2대기 포트는 상기 제2처리 유닛으로부터 상기 제2방향의 반대 방향으로 이격되게 상기 타측에 위치되는 기판 처리 장치.A first processing unit, a second processing unit, and a third processing unit which process a substrate and are sequentially arranged in a first direction;
A first nozzle for supplying a first fluid to the first processing unit and the second processing unit;
A second nozzle for supplying a second fluid to the second processing unit and the third processing unit;
A first standby port on which the first nozzle waits;
A second standby port on which the second nozzle waits;
A first rotating shaft rotating the first nozzle such that the first nozzle is moved between the first standby port, the first processing unit, and the second processing unit;
A second rotary shaft configured to rotate the second nozzle such that the second nozzle is moved between the second standby port, the second processing unit, and the third processing unit,
The first rotary shaft is located on one side of the first direction, the second rotary shaft is located on the other side of the first direction.
The first axis of rotation is located between the first processing unit and the second processing unit
The second rotary shaft is located between the second processing unit and the third processing unit,
The first fluid supplied from the first nozzle and the second fluid supplied from the second nozzle are fluids of different types from each other.
The first standby port is located at one side to be spaced apart from the first processing unit in a second direction perpendicular to the first direction,
And the second standby port is positioned at the other side of the second standby port to be spaced apart from the second processing unit in a direction opposite to the second direction. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1노즐로부터 공급되는 제1유체는 현상액을 포함하고,
상기 제2노즐로부터 공급되는 제2유체는 린스액을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The first fluid supplied from the first nozzle includes a developer,
The second fluid supplied from the second nozzle comprises a rinse liquid. 제1항에 있어서,
상기 장치는,
상기 제3처리 유닛에 제3유체를 공급하는 제3노즐과;
상기 제3노즐을 회전 이동시키는 제3회전축과;
상기 제1처리 유닛에 제4유체를 공급하는 제4노즐과;
상기 제4노즐을 회전 이동시키는 제4회전축을 더 포함하되,
상기 제3회전축은 상기 제3처리 유닛을 중심으로 상기 제2처리 유닛의 반대편에서 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고,
상기 제4회전축은 상기 제1처리 유닛을 중심으로 상기 제2처리 유닛의 반대편에서 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The device,
A third nozzle for supplying a third fluid to the third processing unit;
A third rotating shaft for rotating the third nozzle;
A fourth nozzle for supplying a fourth fluid to the first processing unit;
Further comprising a fourth rotating shaft for rotating the fourth nozzle,
The third rotary shaft is located on one side of the third processing unit with respect to the first direction on the opposite side of the second processing unit,
And the fourth rotary shaft is positioned on the other side of the second processing unit from the opposite side of the second processing unit with respect to the first processing unit. 제7항에 있어서,
상기 장치는,
기판을 처리하는 제4처리 유닛을 더 포함하되,
상기 제1방향을 따라 상기 제1처리 유닛, 상기 제2처리 유닛, 상기 제3처리 유닛, 그리고 상기 제4처리 유닛은 순차적으로 배열되고,
상기 제3노즐은 상기 제3회전축의 회전에 의해 상기 제3처리 유닛 및 상기 제4처리 유닛 간에 이동되는 기판 처리 장치.The method of claim 7, wherein
The device,
Further comprising a fourth processing unit for processing the substrate,
The first processing unit, the second processing unit, the third processing unit, and the fourth processing unit are sequentially arranged along the first direction,
And the third nozzle is moved between the third processing unit and the fourth processing unit by the rotation of the third rotary shaft. 제8항에 있어서,
상기 장치는
상기 제1처리 유닛에 제5유체를 공급하는 제5노즐과;
상기 제5노즐을 회전 이동시키는 제5회전축을 더 포함하되,
상기 제5회전축은 상기 제4처리 유닛을 중심으로 상기 제3처리 유닛의 반대편에서 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 8,
The device is
A fifth nozzle for supplying a fifth fluid to the first processing unit;
Further comprising a fifth rotating shaft for rotating the fifth nozzle,
And the fifth rotating shaft is positioned on the other side of the fourth processing unit from the opposite side of the third processing unit with respect to the first direction. 제9항에 있어서,
상기 제3노즐로부터 공급되는 제3유체는 상기 제1노즐로부터 공급되는 제1유체와 동일한 종류의 유체로 제공되고,
상기 제4노즐로부터 공급되는 제4유체 및 상기 제5노즐로부터 공급되는 제5유체는 각각 상기 제2노즐로부터 공급되는 제2유체와 동일한 종류의 유체로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 9,
The third fluid supplied from the third nozzle is provided with the same kind of fluid as the first fluid supplied from the first nozzle,
The fourth fluid supplied from the fourth nozzle and the fifth fluid supplied from the fifth nozzle are each provided with the same type of fluid as the second fluid supplied from the second nozzle. 제1방향을 따라 일렬로 배열되며, 기판을 처리하는 3 개 또는 그 이상의 처리 유닛들과;
상기 처리 유닛들에 제1처리 유체를 공급하는 복수 개의 제1처리 노즐들과;
상기 처리 유닛들에 제2처리 유체를 공급하는 복수 개의 제2처리 노즐들을 포함하되,
상기 제1처리 노즐은 이에 인접한 2 개의 처리 유닛들 각각에 제1처리 유체를 공급하고,
상기 제2처리 노즐들 중 어느 하나는 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 중 어느 하나에 제2처리 유체를 공급하고, 상기 제2처리 노즐들 중 다른 하나는 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 중 다른 하나에 제2처리 유체를 공급하며
상기 제1처리 노즐이 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 간에 이동되도록 상기 제1처리 노즐을 회전시키는 제1회전축과;
상기 제2처리 노즐이 상기 인접한 2 개의 처리 유닛들 중 어느 하나 또는 다른 하나에 이동되도록 상기 제2처리 노즐을 회전시키는 제2회전축을 포함하되,
상기 제1회전축 및 상기 제2회전축 각각은 상기 처리 유닛들 사이에 위치되고, 상기 제1방향을 따라 교대로 위치되고,
상기 제1처리 노즐로부터 공급되는 제1처리 유체와 상기 제2처리 노즐로부터 공급되는 제2처리 유체는 서로 상이한 종류의 유체이며,
상기 제1처리 노즐이 대기하는 제1대기 포트와;
상기 제2처리 노즐이 대기하는 제2대기 포트를 포함하되,
상기 제1대기 포트는 상기 처리 유닛으로부터 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 이격되게 일측에 위치되고,
상기 제2대기 포트는 상기 처리 유닛으로부터 상기 제2방향의 반대 방향으로 이격되게 타측에 위치되는 기판 처리 장치.Three or more processing units arranged in a line along the first direction and processing the substrate;
A plurality of first processing nozzles for supplying a first processing fluid to the processing units;
A plurality of second processing nozzles for supplying a second processing fluid to the processing units,
The first processing nozzle supplies a first processing fluid to each of two processing units adjacent thereto,
One of the second processing nozzles supplies a second processing fluid to one of the two adjacent processing units, and the other of the second processing nozzles is to the other of the two adjacent processing units. To supply a second treatment fluid
A first rotating shaft for rotating the first processing nozzle such that the first processing nozzle is moved between two adjacent processing units;
A second rotating shaft for rotating the second processing nozzle such that the second processing nozzle is moved to any one or the other of the two adjacent processing units,
Each of the first and second rotational shafts is located between the processing units, alternately located along the first direction,
The first processing fluid supplied from the first processing nozzle and the second processing fluid supplied from the second processing nozzle are fluids of different types from each other,
A first standby port on which the first processing nozzle stands;
A second standby port on which the second processing nozzle waits;
The first standby port is located on one side spaced apart from the processing unit in a second direction perpendicular to the first direction,
The second standby port is located on the other side spaced apart from the processing unit in the opposite direction of the second direction. 삭제delete 제11항에 있어서,
상기 제1회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 일측에 위치되고, 상기 제2회전축은 상기 제1방향을 기준으로 그 타측에 위치되는 기판 처리 장치.The method of claim 11,
And the first rotary shaft is positioned at one side of the first direction, and the second rotary shaft is positioned at the other side of the first direction. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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