KR101983165B1 - 반도체 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제조 과정에서 리드 프레임이 몰드부에서 분리되는 것을 방지할 수 있는 반도체 패키지에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명에 따른 반도체 패키지는, 적어도 하나의 전자 소자; 상기 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임; 적어도 하나의 상기 리드에 결합되는 리드 연결부재; 및 상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부;를 포함할 수 있다.

Description

반도체 패키지{SEMICONDUCTOR PACKAGE}
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제조 과정에서 리드 프레임이 몰드부에서 분리되는 것을 방지할 수 있는 반도체 패키지에 관한 것이다.
전력 트랜지스터, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor; IGBT), 모스 트랜지스터, 실리콘 제어 정류기(silicon-controlled rectifier; SCR), 전력 정류기, 서보 드라이버, 전력 레귤레이터, 인버터, 컨버터와 같은 전력 소자를 사용하는 전력용 전자 산업이 발전함에 따라, 우수한 성능을 가지면서도 경량 및 소형화가 가능한 전력용 제품에 대한 요구가 증대되고 있다.
이와 같은 추세에 따라, 최근에는 다양한 전력 소자들을 하나의 패키지에 집적시킬 뿐만 아니라, 전력 소자들을 제어하기 위한 제어 소자를 전력 소자와 하나의 패키지로 제조하려는 연구가 활발하게 이루어지고 있다
이에 따른 종래의 전력 반도체 패키지는 일반적으로 리드 프레임과, 리드 프레임 상에 실장되는 전력 소자, 제어 소자, 그리고 각 소자들의 외부를 수지 등으로 몰딩하는 몰드부를 포함하여 구성된다. 또한 효과적인 열 방출을 위해 방열 기판이 구비되고 있다.
그런데 이러한 종래의 반도체 패키지는 제조 과정에서 리드 프레임이 몰드부에 견고하게 체결되지 못하여, 외력이 가해지는 경우, 쉽게 몰드부로부터 분리되어 버리는 문제가 발생되고 있다.
따라서 리드 프레임을 몰드부에 보다 견고하게 체결할 수 있는 반도체 패키지와 그 제조 방법이 요구되고 있는 실정이다
한국특허공개공보 제2010-0012628호
본 발명은 리드 프레임을 몰드부에 견고하게 체결할 수 있는 반도체 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 리드 프레임들을 서로 전기적으로 연결할 수 있는 연결 부재를 구비하는 반도체 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는, 적어도 하나의 전자 소자; 상기 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임; 적어도 하나의 상기 리드에 결합되는 리드 연결부재; 및 상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리드 연결부재는, ㄷ 형상으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리드 연결부재는, 상기 리드들에 결합되는 다수의 결합부; 및 상기 다수의 결합부들을 상호 연결하는 연결부;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리드 연결부재의 상기 결합부는, 상기 리드에 형성된 관통 구멍에 삽입되는 삽입부; 및 상기 관통 구멍의 외부에 배치되며 상기 삽입부보다 단면적이 크게 형성되는 는 확장부;를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 하나의 상기 리드 연결부재는 하나의 상기 리드에 결합될 수 있다.
본 실시예에 있어서 하나의 상기 리드 연결부재는, 다수의 상기 리드에 결합될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리드 연결부재는, 도전성의 금속 재질로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리드는, 상기 리드 연결부재가 결합되는 적어도 하나의 관통 구멍을 구비할 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 관통 구멍은, 원통 형태로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 관통 구멍은, 슬릿 형태로 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서 상기 리드 프레임은, 상기 몰드부 내에 배치되는 내부 리드와, 상기 몰드부의 외부에 배치되는 외부 리드를 포함하며, 상기 리드 연결부재는 상기 내부 리드에 결합될 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는, 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임; 적어도 하나의 상기 리드에 결합되어 상기 리드의 돌기를 형성하는 리드 연결부재; 및 상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부;를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는, 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임; 다수의 상기 리드에 결합되어 상기 리드들을 전기적으로 연결하는 리드 연결부재; 및 상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부;를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 패키지는 리드 연결부재에 의해 서로 이격된 리드들이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 전기적으로 연결되어야 하는 두 개의 리드가 서로 이격되어 배치되고 그 사이에 다른 리드들이 배치된 경우, 리드 연결부재를 이용하여 용이하게 해당 리드들을 전기적으로 연결할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 리드 연결부재는 적어도 일부가 리드들에서 외부로 돌출되는 형태로 리드에 결합된다. 따라서 리드 연결부재는 리드로부터 돌출되는 돌기의 역할도 함께 수행한다.
이러한 돌출된 부분은 몰드부 내에서 돌기의 역할을 수행하여 몰드부 내에 매립된 리드들이 몰드부로부터 분리되는 것을 억제한다. 따라서 리드 연결부재는 리드가 몰드부에서 분리되는 것을 방지하는 기능도 갖는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 2는 도 1의 A-A에 따른 단면도.
도 3은 도 2의 내부 리드와 리드 연결부재를 개략적으로 도시한 사시도.
도 4는 도 3의 분해 사시도.
도 5는 도 2의 B 방향에 따른 부분 평면도.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리드 연결부재와 리드 프레임을 개략적으로 도시한 사시도.
도 7은 도 6의 분해 사시도.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 연결부재와 리드 프레임을 개략적으로 도시한 사시도.
도 9는 도 8의 분해 사시도.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 연결부재와 리드 프레임을 개략적으로 도시한 사시도.
도 11은 도 10의 분해 사시도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 더하여 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A에 따른 단면도이며, 도 3은 도 2의 내부 리드와 리드 연결부재를 개략적으로 도시한 사시도이다. 또한 도 4는 도 3의 분해 사시도이고 도 5는 도 2의 B 방향에 따른 부분 평면도이다. 여기서 도 5는 설명의 편의를 위해 몰드부를 생략하고 도시하였다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는 전자 소자(10), 리드 프레임(20), 및 몰드부(80)를 포함하여 구성될 수 있다.
전자 소자(10)는 수동 소자와 능동 소자 등과 같은 다양한 소자들을 포함할 수 있다. 특히 본 실시예에 따른 전자 소자(10)는 적어도 하나의 제1 전자 소자(12, 예컨대 전력 소자)와 적어도 하나의 제2 전자 소자(14, 예컨대 제어 소자)를 포함할 수 있다.
여기서 제1 전자 소자(12)인 전력 소자(12)는 서보 드라이버, 인버터, 전력 레귤레이터 및 컨버터 등과 같은 전력 제어를 위한 전력변환 또는 전력제어를 위한 전력 회로 소자일 수 있다.
예를 들어, 전력 소자(12)는 전력 모스펫(power MOSFET), 바이폴라 졍션 트랜지스터(bipolar junction transistor, BJT), 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistor; IGBT), 다이오드(diode) 이거나 이들의 조합을 포함할 수 있다. 즉, 본 실시예에 있어서 전력 소자(12)는 상술한 소자들을 모두 포함하거나 또는 그 일부를 포함할 수 있다.
또한 도시된 두 개의 전력 소자들(12)은 각각 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 다이오드(diode)일 수 있다. 또한, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(IGBT)와 다이오드(diode)를 한 쌍으로 하여, 총 여섯 쌍을 포함하는 전력 소자 패키지를 구현할 수 있다. 그러나 이는 하나의 예시일 뿐, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
전력 소자들(12)은 접착부재(미도시)를 매개로 후술되는 리드 프레임(20)의 다이패드(22)에 부착될 수 있다. 여기서 접착부재는 도전성이거나 비도전성일 수 있다. 예를 들어, 접착부재로 솔더(solder), 금속 에폭시, 금속 페이스트, 수지계 에폭시(resin-based epoxy) 등의 페이스트를 경화시켜 이용할 수 있다.
제어 소자(14)는 본딩 와이어(90)를 통해 전력 소자(12)와 전기적으로 연결되고, 이에 따라 전력 소자(12)의 동작을 제어할 수 있다. 제어 소자(14)는 예를 들어, 마이크로 프로세서(microprocessor)일 수 있으나, 이에 더하여 저항, 인버터, 또는 콘덴서와 같은 수동 소자, 또는 트랜지스터와 같은 능동 소자들이 더 부가될 수 있다.
한편, 제어 소자(14)는 하나의 전력 소자(12)에 대하여 하나 또는 다수개가 배치될 수 있다. 즉, 제어 소자(14)의 종류 및 개수는 전력 소자(12)의 종류와 개수에 따라서 적절하게 선택될 수 있다.
이처럼 본 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는 전력 소자(12)와, 전력 소자(12)를 제어하는 제어 소자(14)를 포함하는 전력 모듈(Power module)일 수 있다.
또한 본 실시예에 있어서 전력 소자(12)와 제어 소자(14)는 수직하게 적층되는 형태로 배치되지 않고 수평적으로 배치된다. 이에 따라 반도체 패키지(100)는 수직 길이(즉 두께)보다는 수평 길이(즉 폭)이 긴 형상으로 형성된다.
이러한 전력 소자(12)와 제어 소자(14)는 본딩 와이어(90)를 통해 리드 프레임과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따른 본딩 와이어(90)는 금속 재질일 수 있으며, 예를 들어 알루미늄(Al), 금(Au), 또는 이들의 합금이 이용될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 본딩 와이어(90)를 통해 전자 소자(10)들이 리드 프레임(20)과 전기적으로 연결되는 경우를 예로 들고 있으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
즉, 플립 칩 본딩(Flip chip bonding) 방식으로 전자 소자(10)와 리드 프레임(20)을 전기적으로 연결하거나, 솔더볼을 이용하여 연결하는 등 다양한 응용이 가능하다.
리드 프레임(20)은 다수의 리드들을 포함하여 구성되는데, 여기서 각 리드들은 외부 기판(예컨대 마더 보드, 도시되지 않음)과 연결되기 위한 다수개의 외부 리드(20b)와, 전자 소자(10)와 연결되는 다수의 내부 리드(20a)로 구분될 수 있다. 즉, 외부 리드(20b)는 몰드부(80)의 외부로 노출되는 부분을 의미하며, 내부 리드(20a)는 몰드부(80)의 내부에 위치하는 부분을 의미할 수 있다.
또한, 리드 프레임(20)은 적어도 하나의 다이 패드(22)를 포함할 수 있다. 다이 패드는 전자 소자들(10)이 탑재되는 영역으로, 본 실시예에서는 내부 리드(20a)에서 단차지게 절곡되는 다운셋(down set) 형태로 다이 패드(22)가 형성되는 경우를 예를 들고 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 본 실시예에 따른 리드 프레임(20)은 적어도 하나의 리드 연결부재(30)를 포함할 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)는 적어도 2 개의 내부 리드(20a, 이하 리드)을 연결하기 위해 구비될 수 있다. 또한 리드 프레임(20)이 몰드부(80)에서 분리되는 것을 방지하기 위해 구비될 수 있다.
리드 연결부재(30)는 적어도 두 개의 리드(20a)에 결합되어 상호 간을 전기적으로 연결한다. 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)는 ㄷ 형상으로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 리드 연결부재(30)는 리드(20a)에 결합되는 다수의 결합부(32)와, 결합부(32)를 연결하는 연결부(35)를 포함하여 구성될 수 있다.
결합부(32)는 리드 프레임(20)의 내부 리드(20a)를 관통하며 리드 프레임(20)에 결합된다. 따라서 리드(20a)의 수직 두께보다 길거나 대략 유사한 길이로 형성될 수 있다.
또한 연결부(35)는 결합부(32)와 동일한 두께로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며 결합부(32)보다 얇거나 두껍게 형성될 수도 있다.
리드 프레임(20)의 리드(20a)에는 결합부(32)가 삽입되기 위한 적어도 하나의 관통 구멍(21)이 형성될 수 있다. 관통 구멍(21)은 결합부(32)가 용이하게 삽입될 수 있도록 결합부(32)의 단면에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다. 본 실시예의 경우 결합부(32)의 형상에 대응하여 관통 구멍(21)이 원통 형상으로 형성되는 경우를 예로 들고 있다. 그러나 이에 한정되지 않으며 다각 형상이나 타원 형상 등 필요에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
또한 본 실시예에서는 관통 구멍(21)이 리드(20a)의 중심에 형성되는 경우를 예로 들고 있다. 그러나, 리드(20a)의 중심이 아닌 일측으로 치우친 위치에 관통 구멍(21)을 형성하는 것도 가능하며 리드(20a)의 측면을 통해 관통 구멍(21)의 일부가 개방되도록 형성하는 등 다양한 응용이 가능하다.
이러한 리드 연결부재(30)는 리드들(20a)의 상부에서 리드들(20a)에 형성된 관통 구멍(21)에 삽입되며 리드(20a)에 결합될 수 있다. 또한 리드들(20a)의 하부에서 결합되는 것도 가능하다.
한편 본 실시예서는 관통 구멍(21)들이 리드들(20a)을 수직하게 관통하는 형태로 형성되는 경우를 예로 들고 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 비스듬하게 관통 구멍(21)을 형성하는 등 필요에 따라 다양한 응용이 가능하다.
이상과 같이 구성되는 본 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는 리드 연결부재(30)에 의해 서로 이격된 리드들(20a)이 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 전기적으로 연결되어야 하는 두 개의 리드(201a, 202a)가 서로 이격되어 배치되고 그 사이에 다른 리드들(203a)이 배치된 경우, 리드 연결부재(30)를 이용하여 용이하게 해당 리드들(201a, 202a)을 전기적으로 연결할 수 있다.
특히 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)가 없는 경우, 도 5에서 본딩 와이어(90a)를 특정 리드(201a)에 연결하기 위해서는, 해당 본딩 와이어(90a)가 다른 리드(203a)에 연결된 본딩 와이어(90b)와 교차 배치되어야 한다.
그러나 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)를 구비하는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 다른 리드(202a)로 본딩 와이어(90a)를 연결하고, 리드 연결부재(30)를이용하여 해당 리드(201a)와 전기적으로 연결한다. 따라서 본딩 와이어들(90a, 90b)이 교차 배치되고, 이에 따라 상호 간에 단락이 발생하거나 패키지의 전체적인 부피가 커지는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)는 일부분이 리드들(20a)에서 외부로 돌출되는 형태로 리드(20a)에 결합된다. 따라서 리드 연결부재(30)는 리드(20a)로부터 돌출되는 돌기의 역할도 함께 수행한다.
이처럼 돌출된 부분은 몰드부(80) 내에서 돌기의 역할을 수행하여 몰드부(80)내에 매립된 리드들(20a)이 몰드부(80)로부터 분리되는 것을 억제한다. 따라서 리드 연결부재(30)는 리드(20a)가 몰드부(80)에서 분리되는 것을 방지하는 기능도 제공할 수 있다.
한편 본 발명에 따른 반도체 패키지는 전술한 실시예에 한정되지 않으며 다양한 응용이 가능하다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리드 연결부재와 리드 프레임을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 7은 도 6의 분해 사시도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)의 결합부(32)는 리드(20a)의 관통 구멍(21)에 삽입되는 삽입부(32a)와, 관통 구멍(21)의 외부에 배치되는 확장부(32b)를 포함할 수 있다.
삽입부(32a)와 확장부(32b)는 서로 다른 단면적을 갖는다. 구체적으로, 확장부(32b)는 삽입부(32a)에 비해 단면적이 확장되는 형태로 형성될 수 있다. 또한 관통 구멍(21)은 삽입부(32a)의 단면적에 대응하는 크기와 형상으로 형성될 수 있다.
이에 따라, 리드 연결부재(30)가 리드(20a)에 결합되면, 도 7에 도시된 바와 같이 관통 구멍(21)에는 삽입부(32a)만이 삽입되며 확장부(32b)는 관통 구멍(21)의 입구에 걸리는 형태로 결합된다.
이처럼 결합부(32)가 확장부(32b)를 구비하는 경우, 리드 연결부재(30)의 연결부(35)와 리드들(20a) 사이의 간격을 용이하게 이격시킬 수 있다. 따라서 연결부(35)와 다른 리드들(20a) 간에 접촉이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)는 삽입부(32a)가 판 형상으로 형성된다. 따라서 관통 구멍(21)은 판 형상의 삽입부(32a)가 삽입될 수 있도록 슬릿 형상으로 형성된다.
이러한 경우, 리드(20a) 내에 형성되는 관통 구멍(21)의 폭을 최소화할 수 있으므로, 리드(20a)의 폭 또한 최소화할 수 있다는 이점이 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 연결부재와 리드 프레임을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 9는 도 8의 분해 사시도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)는 하나의 리드(20a)에 결합된다.
따라서 하나의 리드(20a)에는 리드 연결부재(30)의 결합부(32)가 결합되기 위한 관통 구멍(21)이 다수 개 형성될 수 있다. 본 실시예에서 리드 연결부재(30)는 전술한 리드 연결부재(30)들과 동일하게 구성될 수 있다.
이처럼 하나의 리드 연결부재(30)를 하나의 리드(20a)에만 결합하는 경우, 리드들(20a)을 서로 전기적으로 연결하는 기능은 수행할 수 없으나, 리드 연결부재(30)에 의해, 리드(20a)가 몰드부에서 분리되는 것을 억제한다.
즉 본 실시예의 경우, 리드들(20a) 상호간에 전기적으로 연결할 필요가 없는 반도체 패키지(100)에서 리드들(20a)이 몰드부에서 분리되는 것을 방지하기 위해 적용될 수 있다.
이러한 경우, 리드 연결부재(30)가 도전성 재질로 한정될 필요는 없다. 즉, 수지 등 절연성 재질로 형성되는 것도 가능하다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 리드 연결부재와 리드 프레임을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 11은 도 10의 분해 사시도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 리드 연결부재(30)는 네 개의 결합부(32)를 포함한다.
이처럼 리드(20a) 연결 부재가 다수의 결합부(32)를 갖는 경우, 리드 연결부재(30)는 세 개 이상의 리드들(20a)을 동시에 전기적으로 연결할 수 있다.
또한 이러한 경우, 필요에 따라 다수의 결합부(32)가 하나의 리드(20a)에 결합되거나, 각각 다른 리드들(20a)에 결합될 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형태로 변형될 수 있다.
한편, 이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100: 반도체 패키지
10: 전자 소자
12: 전력 소자 14: 제어 소자
20: 리드 프레임
20a: 내부 리드 20b: 외부 리드
21: 관통 구멍
22: 다이 패드
30: 리드 연결부재
32: 결합부
35a: 삽입부 32b: 확장부
35: 연결부
80: 몰드부
90: 본딩 와이어

Claims (13)

  1. 적어도 하나의 전자 소자;
    상기 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임;
    적어도 하나의 상기 리드에 결합되는 리드 연결부재; 및
    상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부;
    를 포함하며,
    상기 리드는,
    상기 리드 연결부재가 결합되는 적어도 하나의 관통 구멍을 구비하는 반도체 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리드 연결부재는,
    ㄷ 형상으로 형성되는 반도체 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리드 연결부재는,
    상기 리드들에 결합되는 다수의 결합부; 및
    상기 다수의 결합부들을 상호 연결하는 연결부;
    를 포함하는 반도체 패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 리드 연결부재의 상기 결합부는,
    상기 관통 구멍에 삽입되는 삽입부; 및
    상기 관통 구멍의 외부에 배치되며 상기 삽입부보다 단면적이 크게 형성되는 확장부;
    를 포함하는 반도체 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    하나의 상기 리드 연결부재는 하나의 상기 리드에 결합되는 반도체 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    하나의 상기 리드 연결부재는, 다수의 상기 리드에 결합되는 반도체 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 리드 연결부재는,
    도전성의 금속 재질로 형성되는 반도체 패키지.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서, 상기 관통 구멍은,
    원통 형태로 형성되는 반도체 패키지.
  10. 제1항에 있어서, 상기 관통 구멍은,
    슬릿 형태로 형성되는 반도체 패키지.
  11. 제1항에 있어서, 상기 리드 프레임은,
    상기 몰드부 내에 배치되는 내부 리드와, 상기 몰드부의 외부에 배치되는 외부 리드를 포함하며,
    상기 리드 연결부재는 상기 내부 리드에 결합되는 반도체 패키지.
  12. 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임;
    적어도 하나의 상기 리드에 결합되어 상기 리드의 돌기를 형성하는 리드 연결부재; 및
    상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부; 및
    를 포함하며,
    상기 리드는,
    상기 리드 연결부재가 결합되는 적어도 하나의 관통 구멍을 구비하는 반도체 패키지.
    .
  13. 전자 소자가 전기적으로 연결되는 다수의 리드를 구비하는 리드 프레임;
    다수의 상기 리드에 결합되어 상기 리드들을 전기적으로 연결하는 리드 연결부재; 및
    상기 전자 소자와 상기 리드 연결부재를 봉지하는 몰드부; 및
    를 포함하며,
    상기 리드는,
    상기 리드 연결부재가 결합되는 적어도 하나의 관통 구멍을 구비하는 반도체 패키지.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9947614B2 (en) * 2016-03-09 2018-04-17 Nxp Usa, Inc. Packaged semiconductor device having bent leads and method for forming
EP3659177B1 (en) * 2017-08-25 2023-10-25 Huawei Technologies Co., Ltd. Semiconductor module and method for manufacturing the same
IT202100017207A1 (it) * 2021-06-30 2022-12-30 St Microelectronics Srl Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100052120A1 (en) 2008-09-02 2010-03-04 Linear Technology Corporation Semiconductor device having a suspended isolating interconnect

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5250839A (en) * 1990-09-26 1993-10-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Multi-layer leadframes, electrically conductive plates used therefor and production of such conductive plates
US5647124A (en) * 1994-04-25 1997-07-15 Texas Instruments Incorporated Method of attachment of a semiconductor slotted lead to a substrate
KR970018465A (ko) * 1995-09-14 1997-04-30 김광호 반도체 패키지의 리드 프레임
US6066890A (en) * 1995-11-13 2000-05-23 Siliconix Incorporated Separate circuit devices in an intra-package configuration and assembly techniques
KR100218368B1 (ko) * 1997-04-18 1999-09-01 구본준 리드프레임과 그를 이용한 반도체 패키지 및 그의 제조방법
US6465875B2 (en) * 2000-03-27 2002-10-15 International Rectifier Corporation Semiconductor device package with plural pad lead frame
US6538336B1 (en) * 2000-11-14 2003-03-25 Rambus Inc. Wirebond assembly for high-speed integrated circuits
JP3476442B2 (ja) * 2001-05-15 2003-12-10 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6794738B2 (en) * 2002-09-23 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Leadframe-to-plastic lock for IC package
US7005325B2 (en) * 2004-02-05 2006-02-28 St Assembly Test Services Ltd. Semiconductor package with passive device integration
TWI252572B (en) * 2004-06-30 2006-04-01 Orient Semiconductor Elect Ltd Package structure
US7217995B2 (en) * 2004-11-12 2007-05-15 Macronix International Co., Ltd. Apparatus for stacking electrical components using insulated and interconnecting via
US20070284703A1 (en) * 2006-06-07 2007-12-13 Lite-On Semiconductor Corporation Semiconductor package structure
US8067271B2 (en) * 2006-09-15 2011-11-29 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with encapsulation lock
US20080135991A1 (en) 2006-12-12 2008-06-12 Gem Services, Inc. Semiconductor device package featuring encapsulated leadframe with projecting bumps or balls
US8008132B2 (en) * 2007-12-28 2011-08-30 Sandisk Technologies Inc. Etched surface mount islands in a leadframe package
KR20100012628A (ko) 2008-07-29 2010-02-08 주식회사 아이티엠반도체 리드 프레임의 이너 리드 구조
US20100314728A1 (en) * 2009-06-16 2010-12-16 Tung Lok Li Ic package having an inductor etched into a leadframe thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100052120A1 (en) 2008-09-02 2010-03-04 Linear Technology Corporation Semiconductor device having a suspended isolating interconnect

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