KR101975290B1 - 유기 발광 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 줄 가열을 이용하여 대상 기판에 유기물을 증착시킬 수 있게 하는 반도체 도너 기판을 이용한 유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 반도체 도너 기판을 준비하는 반도체 도너 기판 준비 단계; 상기 반도체 도너 기판에 유기물을 형성하는 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계; 상기 반도체 도너 기판과 대응되도록 대상 기판을 정렬시키는 대상 기판 정렬 단계; 및 상기 반도체 도너 기판에 전계를 인가하여 상기 유기물을 상기 대상 기판에 증착시키는 대상 기판 유기물 증착 단계;를 포함하고, 상기 반도체 도너 기판 준비 단계는, 반도체 재질로 이루어지는 몸체를 준비하는 몸체 준비 단계; 상기 유기물을 수용할 수 있도록 상기 몸체의 표면부에 홈부를 형성하는 홈부 형성 단계; 및 상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 가열하여 상기 유기물이 상기 대상 기판에 증착될 수 있도록 상기 홈부의 적어도 일부분에 발열 영역을 형성하는 발열 영역 형성 단계;를 포함할 수 있다.

Description

유기 발광 장치의 제조 방법{Manufacturing method for organic light-emitting device}

본 발명은 유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 줄 가열을 이용하여 대상 기판에 유기물을 증착시킬 수 있게 하는 반도체 도너 기판을 이용한 유기 발광 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

유기 발광 장치란 유기 발광 다이오드(OLED)라고 지칭되는 것이 보통으로 평판 디스플레이 기술에서 외부 빛이 있어야 동작하는 수광형의 문제를 극복하여 자체적으로 빛을 낼 수 있는 발광형 제품을 말하는 것이다.

이러한 유기 발광 장치는 자체 발광기능을 가진 적색, 황색, 청색 등 여러 가지의 형광체 유기화합물을 사용하여 조명 장치나 디스플레이 평판의 제조를 이루도록 함으로써 낮은 전압에서도 구동이 가능하고, 제품의 초박형 설계를 이룰 수 있는 것이며, 색감을 떨어뜨리는 백라이트(후광장치)의 구성이 필요 없는 장점이 있는 것이다.

이에 따라, 유기 발광 장치는, 사용 상의 편의성과 생산된 제품의 효율성으로 인하여 전기, 전자 분야는 물론이고 다양한 산업에 적용하여 이용되고 있는 것이며 이러한 유기 발광 장치를 이용한 조명 장치 또는 디스플레이 장치를 생산하기 위한 다양한 방법이 제안되고 있다.

이러한 종래의 유기 발광 장치의 제조 방법은 대상 기판에 유기물의 증착 과정이 손쉽게 이루어지기 어렵고, 원하는 패턴으로 박막을 형성하기 어려워서 최근에는 증착용 도너 기판 전계를 인가하여 발생되는 줄 열을 이용하여 대상 기판에 유기물을 면상으로 편리하게 증착시키는 방법이 제안되었다.

그러나, 이러한 종래의 유기 발광 장치용 도너 기판은 일반적으로 유리 기판이나 세라믹 기판에 발열층을 접착하여 이루어지고, 발열층 상에 도포된 유기물을 대상 기판 방향으로 안내되어 정위치에 전사될 수 있도록 별도의 합성 수지 재질의 격벽 구조물을 형성하는 것으로서, 이러한 접착 공정은 발열층의 미세 패턴이 어렵고, 비록 발열층의 미세 패턴을 형성하더라도 별도의 마스크가 사용되어야 하는 등 미세 패턴이 어렵다는 문제점이 있었다.

또한, 종래의 유기 발광 장치용 도너 기판은, 접착제 도포 및 접착제 경화 등 번거로운 별도의 제조 공정이 많이 소요되어 제조 비용과 제조 시간이 낭비되고, 기판을 이루는 유리 재질과 발열층을 이루는 금속 재질의 열팽창 계수의 차이 및 접착제의 특성상 고온으로 장시간의 줄 가열시 발열층이 쉽게 파손되거나 박리되는 등 제품의 내구성과 신뢰도가 떨어지는 문제점들이 있었다.

또한, 발열층에서 발생되는 줄 열이 합성 수지 재질인 격벽으로 쉽게 전달되어 아웃개싱이 발생하는 등 격벽이 쉽게 손상되고, 이로 인하여 증착 패턴의 정밀도가 떨어지며, 파손된 격벽 성분이 유기물 및 대상 기판을 오염시켜서 발광 효율이 떨어지고, 불량 현상이 발생되는 등 많은 문제점들이 있었다.

본 발명의 사상은, 이러한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 웨이퍼 및 반도체 공정을 이용하여 별도의 마스크나 접착제를 사용하지 않고도 이온 주입 공정을 이용하여 발열 영역을 형성할 수 있어서 미세 패턴 형성을 용이 하게 할 수 있으며, 반영구적인 반도체 재질의 홈부 구조를 이용하여 유기물의 전사 방향을 정확하게 안내할 수 있고, 기존의 접착제나 합성 수지 재질의 격벽을 사용할 필요가 없어서 제조 비용과 제조 시간을 절감할 수 있으며, 실리콘 재질의 특성상 열적, 기계적으로 매우 견고하여 제품의 내구성과 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있고, 종래의 파손된 합성 수지 재질의 격벽 성분으로 인한 오염을 방지하여 발광 효율을 높일 수 있으며, 양질의 제품을 생산할 수 있게 하는 반도체 도너 기판을 이용한 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공함에 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로서, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 사상에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법은, 반도체 도너 기판을 준비하는 반도체 도너 기판 준비 단계; 상기 반도체 도너 기판에 유기물을 형성하는 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계; 상기 반도체 도너 기판과 대응되도록 대상 기판을 정렬시키는 대상 기판 정렬 단계; 및 상기 반도체 도너 기판에 전계를 인가하여 상기 유기물을 상기 대상 기판에 증착시키는 대상 기판 유기물 증착 단계;를 포함하고, 상기 반도체 도너 기판 준비 단계는, 반도체 재질로 이루어지는 몸체를 준비하는 몸체 준비 단계; 상기 유기물을 수용할 수 있도록 상기 몸체의 표면부에 홈부를 형성하는 홈부 형성 단계; 및 상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 가열하여 상기 유기물이 상기 대상 기판에 증착될 수 있도록 상기 홈부의 적어도 일부분에 발열 영역을 형성하는 발열 영역 형성 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는, 상기 반도체 도너 기판에 상기 유기물을 증착시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는, 도가니를 이용하여 상기 반도체 도너 기판에 상기 유기물을 증착시키는 도가니 증착 단계;를 포함할 수 있다

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는, 잉크젯 프린터를 이용하여 상기 반도체 도너 기판에 상기 유기물을 프린팅하는 잉크젯 프린팅 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는, 평면 도너 기판에 상기 유기물을 스프레이 코팅하는 평면 도너 기판 유기물 코팅 단계; 상기 반도체 도너 기판과 대응되도록 상기 평면 도너 기판을 정렬시키는 평면 도너 기판 정렬 단계; 및 상기 평면 도너 기판에 전계를 인가하여 상기 유기물을 상기 반도체 도너 기판에 면상으로 증착시키는 반도체 도너 기판 유기물 증착 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는, 상기 유기물을 상기 반도체 도너 기판의 상면과 홈부에 코팅하는 유기물 코팅 단계; 및 상기 반도체 도너 기판의 상면에 위치되는 상기 유기물을 제거하는 상면 유기물 제거 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체 준비 단계는, 수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 반도체 웨이퍼를 준비하는 반도체 웨이퍼 준비 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 홈부 형성 단계는, 상기 몸체의 상면에 부분적으로 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및 상기 보호막을 식각 마스크로 이용하여 상기 보호막으로부터 노출된 상기 몸체의 상기 표면부를 식각하여 상기 홈부를 형성하는 식각 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 발열 영역 형성 단계는, 상기 보호막을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 홈부의 적어도 바닥면에 이온을 주입하는 이온 주입 단계; 및 상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 이온 주입 단계는, 퓨어 기판, N 타입 도핑 기판, P 타입 도핑 기판 중 어느 하나로 이루어지는 상기 몸체에 N 타입 또는 P 타입 불순물을 이온 주입할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 발열 영역 형성 단계는, 이온이 주입된 이온 주입 영역을 어닐링하는 어닐링 단계;를 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 몸체의 상면, 상기 홈부의 내면, 상기 발열 영역의 상면 중 어느 하나 이상에 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계;를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 어닐링 단계 및 상기 보호층 형성 단계는 산화막 또는 고유전율 절연막이 형성되도록 산소 가스 환경에서 상기 몸체를 고온 가열하여 동시에 이루어질 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 홈부 형성 단계는, 상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 상기 대상 기판 방향으로 안내할 수 있도록 안내 측벽부를 형성하는 안내 측벽부 형성 단계; 및 상기 유기물을 수용하는 수용홈부를 형성하는 수용홈부 형성 단계;를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 발열 영역 형성 단계 이후에, 원판 형상의 상기 몸체를 단위 사각 기판 형태로 형성할 수 있도록 상기 몸체를 절단하는 절단 단계;를 더 포함할 수 있다.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 반도체 웨이퍼 및 반도체 공정을 이용하여 별도의 마스크나 접착제를 사용하지 않고도 이온 주입 공정을 이용하여 발열 영역을 형성할 수 있어서 미세 패턴 형성을 용이 하게 할 수 있으며, 반영구적인 반도체 재질의 홈부 구조를 이용하여 유기물의 전사 방향을 정확하게 안내할 수 있고, 기존의 접착제나 합성 수지 재질의 격벽을 사용할 필요가 없어서 제조 비용과 제조 시간을 절감할 수 있으며, 실리콘 재질의 특성상 열적, 기계적으로 매우 견고하여 제품의 내구성과 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있고, 종래의 파손된 합성 수지 재질의 격벽 성분으로 인한 오염을 방지하여 발광 효율을 높일 수 있으며, 양질의 제품을 생산할 수 있는 효과를 갖는 것이다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 도 1의 반도체 도너 기판의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 7 내지 도 10은 도 6의 반전된 반도체 도너 기판을 이용한 유기 발광 장치의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 12는 도 11의 반도체 도너 기판 준비 단계의 일례를 보다 상세하게 나타내는 순서도이다.
도 13은 도 11의 반도체 도너 기판 준비 단계의 다른 일례를 보다 상세하게 나타내는 순서도이다.
도 14은 도 11의 반도체 도너 기판 준비 단계의 또 다른 일례를 보다 상세하게 나타내는 순서도이다.
도 15는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 17은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 18은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계의 다른 일례를 나타내는 순서도이다.
도 19 내지 도 21은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 또 다른 일례를 나타내는 단면도들이다.
도 22는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계의 또 다른 일례를 나타내는 순서도이다.
도 23 및 도 24는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 또 다른 일례를 나타내는 단면도들이다.
도 25는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계의 또 다른 일례를 나타내는 순서도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.

본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.

이하, 본 발명의 여러 실시예들에 따른 반도체 도너 기판, 반도체 도너 기판의 제조 방법 및 유기 발광 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(100)을 나타내는 단면도이다.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(100)은, 크게 몸체(10)와 홈부(20) 및 발열 영역(30)을 포함할 수 있다.

예컨대, 상기 몸체(10)는 반도체 재질로 이루어지는 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 몸체(10)는, 수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 반도체 웨이퍼의 적어도 일부일 수 있다.

이러한 상기 몸체(10)는 반도체 도너 기판(100)의 대부분을 지칭할 수 있고, 본 발명의 범위는 상기 몸체(10)의 모양이나 형상에 제한되지 않는다.

예컨대, 상기 몸체(10)는 시드의 결정을 성장시킨 잉곳을 절단하여 이루어지는 퓨어 웨이퍼 또는 벌크 웨이퍼일 수 있다. 또한, 상기 홈부(20) 및 상기 발열 영역(30) 역시, 반도체 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 몸체(10)는 불순물이 도핑되지 않은 퓨어 웨이퍼나, 소량의 불순물이 도핑된 벌크 웨이퍼 또는 벌크 실리콘-게르마늄 웨이퍼의 일부 또는 전체일 수 있다.

그러나, 이러한 상기 몸체(10)는 상술된 재질에 반드시 국한되지 않고, 불순물이 도핑되면 전기적 성질을 갖는 반도체 재질로 제조되는 모든 반도체 물질이 모두 적용될 수 있다.

또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(20)는 유기 발광 장치용 유기물(1)을 수용할 수 있도록 상기 몸체(10)의 표면부에 형성되는 것으로서, 예를 들면, 상기 홈부(20)는, 제 1 폭(W1)과 제 1 깊이(D1)를 갖고, 수직으로 형성되는 수직 측벽(21)을 가질 수 있다.

그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 경사 측벽을 형성하는 등 매우 다양한 형태의 상기 홈부(20)가 형성될 수 있다.

이러한 상기 홈부(20)는 예컨대, 반도체 공정의 일종인 식각 과정을 통해서 상기 몸체(10)의 표면부에 형성될 수 있는 것으로서, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 홈부(20)는, 상기 유기물(1)이 수용되는 수용홈부(20-1) 및 상기 수용홈부(20-1)에 수용된 상기 유기물(1)을 상기 대상 기판(S) 방향으로 안내할 수 있도록 상기 수용홈부(20-1)와 연결되는 형상으로 형성되는 안내 측벽부(20-2)를 포함할 수 있다.

따라서, 상기 유기물(1)은 상기 수용홈부(20-1)에 수용될 수 있고, 상기 발열 영역(30)이 발열되면 액체에서 기체 상태로 승화되면서 상기 안내 측벽부(20-2)에 의해 수직 상방으로 안내되어 방향성을 갖는 상태로 수직 상방 또는 수직 하방에 정렬된 도 10의 대상 기판(S)에 증착될 수 있다.

만약, 상술된 상기 안내 측벽부(20-2)가 없다면 기체 상태의 상기 유기물(1)은 좌우 방향으로도 분산되면서 상기 대상 기판(S)에 정확한 패턴으로 증착되기 어렵다. 따라서, 이러한 상기 안내 측벽부(20-2)를 이용하여 상기 대상 기판(S)에 증착되는 상기 유기물(1) 패턴의 정밀도와 정확도를 크게 향상시킬 수 있다.

또한, 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 발열 영역(30)은 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 가열하여 상기 유기물(1)이 대상 기판(S)에 증착될 수 있도록 상기 홈부(20)의 적어도 일부분에 형성되는 영역으로서, 상기 유기물(1)의 줄 가열이 가능하도록 상기 몸체(10)에 불순물을 이온 주입하여 저항을 가진 도전 영역으로 형성되는 부분일 수 있다.

예를 들면, 상기 몸체(10)는 제 1 도전형으로 이루어지고, 상기 발열 영역(30)은, 상기 홈부(20)의 적어도 바닥면 하부에 상기 제 1 도전형과 다른 제 2 도전형으로 불순물을 이온 주입하여 형성될 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 몸체(10)는 퓨어 기판, N 타입 도핑 기판, P 타입 도핑 기판 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 발열 영역(30)은, N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입될 수 있다.

예컨대, 상기 몸체(10)가 도전성이 없는 퓨어 기판일 때, 상기 발열 영역(30)은, N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입되어 도전성이 형성될 수 있다. 즉, 상기 몸체(10)가 N 타입 또는 P 타입으로 도핑된 벌크 웨이퍼인 경우, 상기 발열 영역(30)은, 상기 몸체(10)의 타입과 반대인 P 타입 또는 N 타입으로 이온 주입될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 예컨대, 즉, 상기 몸체(10)가 N 타입 또는 P 타입으로 도핑된 벌크 웨이퍼인 경우, 상기 발열 영역(30)은, 상기 몸체(10)의 타입과 같은 N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입될 수 있다. 이 경우에는 상기 발열 영역(30)에서 상기 몸체(10)로의 전류 누설을 방지할 수 있도록 상기 몸체(10)에 도핑된 불순물의 농도 보다 상기 발열 영역(30)에 도핑된 불순물의 농도가 훨씬 높은 것이 바람직하다.

이러한, 불순물 도핑량은 상기 유기물(1)의 종류나, 사용 환경이나, 상기 몸체(10)의 특성이나, 챔버 환경 등에 따라 매우 다양하게 최적화 설계될 수 있다.

따라서, 상기 발열 영역(30)에 전계가 인가되면 상기 발열 영역(30)이 저항열에 의해 고온으로 줄 가열되면서 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 액체에서 기체 상태로 승화시킬 수 있고, 이렇게 승화된 상기 유기물(1)은 상기 안내 측벽부(20-2)에 의해 수직 상방으로 안내되어 방향성을 갖는 상태로 수직 상방 또는 수직 하방에 정렬된 도 9 및 도 10의 대상 기판(S)에 증착될 수 있다.

또한, 상기 발열 영역(30)은, 상기 홈부(20)의 상기 바닥면에 형성되는 바닥 발열부 이외에도, 도시하지 않았지만, 상기 홈부(20)의 상기 측벽의 적어도 일부에 형성되는 측벽 발열부를 포함할 수 있다.

따라서, 이러한 상기 측벽 발열부를 이용하여 상기 바닥 발열부에 의해 증발되는 상기 유기물(1)이 상기 수직 측벽(21)에 증착되는 것을 방지할 수 있고, 이러한 상기 수직 측벽(21)에 증착되는 상기 유기물(1)을 고온으로 가열하여 제거함으로써 상기 홈부(20)의 폭이 좁아지는 것을 방지할 수 있다.

그러므로, 반도체 웨이퍼 및 반도체 공정을 이용하여 별도의 마스크나 접착제를 사용하지 않고도 이온 주입 공정을 이용하여 상기 발열 영역(30)을 형성할 수 있어서 미세 패턴 형성을 용이 하게 할 수 있으며, 반영구적인 반도체 재질의 상기 홈부(20) 구조를 이용하여 유기물의 전사 방향을 정확하게 안내할 수 있고, 기존의 접착제나 합성 수지 재질의 격벽을 사용할 필요가 없어서 제조 비용과 제조 시간을 절감할 수 있으며, 실리콘 재질의 특성상 열적, 기계적으로 매우 견고하여 제품의 내구성과 신뢰도를 크게 향상시킬 수 있고, 종래의 파손된 합성 수지 재질의 격벽 성분으로 인한 오염을 방지하여 발광 효율을 높일 수 있으며, 양질의 제품을 생산할 수 있다.

도 2 내지 도 6은 도 1의 반도체 도너 기판(100)의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.

도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 도 1의 반도체 도너 기판(100)의 제조 과정을 단계적으로 설명하면, 먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 재질로 이루어지는 몸체(10)를 준비할 수 있다.

이 때, 상기 몸체(10)는 시드의 결정을 성장시킨 잉곳을 절단하여 이루어지는 부도체 성질인 퓨어 웨이퍼 또는 거의 부도체 성질인 벌크 웨이퍼일 수 있는 것으로서, 예컨대, 수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 반도체 웨이퍼(W)를 준비할 수 있다.

이어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 유기 발광 장치용 유기물(1)을 수용할 수 있도록 상기 몸체(10)의 표면부에 홈부(20)를 형성할 수 있도록, 상기 몸체(10)의 상면(F)에 부분적으로 보호막(PR)을 형성할 수 있다.

이 때, 예컨대, 상기 보호막(PR)은 포토레지스트(photoresist)일 수 있고, 상기 몸체(10)의 상면에 스핀 코팅된 후, 포토 마스크를 이용한 노광 과정 및 현상 과정을 거쳐서 형성될 수 있다.

이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(PR)을 식각 마스크로 이용하여 상기 보호막(PR)으로부터 노출된 상기 몸체(10)의 상기 표면부를 식각하여 상기 홈부(20)를 형성할 수 있다.

이 때, 이러한 상기 홈부(20)는 플라즈마를 이용하여 상기 몸체(10)를 건식 식각하거나, 에칭액을 이용하여 상기 몸체(10)를 습식으로 식각할 수 있다. 이 중에서 상기 홈부(20)가 수직 방향으로 이루어지기 위한 이방성 식각을 위해 건식 식각 방식이 유리할 수 있다. 그러나, 반드시 이에 국한되지 않고 매우 다양한 식각 방식이 모두 적용될 수 있다.

여기서, 식각하는 과정에서 먼저, 상기 유기물(1)을 상기 대상 기판(S) 방향으로 안내할 수 있도록 안내 측벽부(20-2)를 형성하고, 마지막으로 상기 유기물(1)을 수용하는 수용홈부(20-1)를 형성할 수 있다.

이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 가열하여 상기 유기물(1)이 대상 기판(S)에 증착될 수 있도록 상기 홈부(20)의 적어도 일부분에 발열 영역을 형성할 수 있다.

예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(PR)을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 홈부(20)의 적어도 바닥면에 이온을 주입할 수 있다.

이 때, 예컨대, 상기 몸체(10)가 도전성이 없는 퓨어 기판일 때, 상기 발열 영역(30)은, N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입되어 도전성이 형성될 수 있다. 즉, 상기 몸체(10)가 N 타입 또는 P 타입으로 도핑된 벌크 웨이퍼인 경우, 상기 발열 영역(30)은, 상기 몸체(10)의 타입과 반대인 P 타입 또는 N 타입으로 이온 주입될 수 있다. 그러나, 이에 반드시 국한되지 않고, 예컨대, 즉, 상기 몸체(10)가 N 타입 또는 P 타입으로 도핑된 벌크 웨이퍼인 경우, 상기 발열 영역(30)은, 상기 몸체(10)의 타입과 같은 N 타입 또는 P 타입으로 이온 주입될 수 있다.

이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 표면에 이온이 주입된 상기 보호막(PR)을 제거하여 본 발명의 일 실시예들에 따른 반도체 도너 기판(100)을 제조할 수 있다.

이어서, 이온이 주입된 이온 주입 영역을 어닐링하여 상기 발열 영역(30)을 활성화시킬 수 있다.

이 때, 도시하지 않았지만, 상기 몸체(10)의 상면(F), 상기 홈부(20)의 내면, 상기 발열 영역(30)의 상면 중 어느 하나 이상에 보호층을 형성할 수 있다. 즉, 어닐링과 동시에 산화막 또는 고유전율 절연막이 형성되도록 산소 가스 환경에서 상기 몸체(10)를 고온 가열하여 상기 보호층을 형성할 수 있다.

더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 보호층은 산화막 또는 고유전율 절연막을 포함할 수 있다.

따라서, 상기 보호층을 이용하여 상기 유기물(1)의 줄 가열시 상기 유기물(1)을 상기 몸체(10)와, 상기 홈부(20) 및 상기 발열 영역(30)으로부터 쉽게 분리되어 증발될 수 있게 하고, 상기 몸체(10)와, 상기 홈부(20) 및 상기 발열 영역(30)의 강도 및 내구성을 향상시킬 수 있다.

이어서, 도시하지 않았지만, 원판 형상의 상기 몸체(10)를 단위 사각 기판 형태로 형성할 수 있도록 상기 몸체(10)를 절단할 수 있다.

이 때, 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판의 홈부(20)는, 상기 몸체(10)의 가로 방향으로 형성되고, 서로 일정한 거리를 갖는 복수개의 줄홈부 및 복수개의 상기 줄홈부들을 전기적으로 서로 연결시킬 수 있도록 상기 몸체(10)의 세로 방향으로 형성되는 전극부를 포함할 수 있다.

이러한 본 발명의 반도체 기술을 이용한 상기 발열 영역(30)을 기존의 금속 발열층과 비교하면, 기존의 금속 발열층은 기판으로부터 분리되는 박리 현상이 쉽게 발생하는 것은 물론이고, 예컨대, 제조 상의 문제 등 다양한 원인으로 금속 발열층의 일부분이 폭이 좁아지거나 얇아지면 그 부분에서 저항이 높아지고, 높아진 저항으로 인하여 발열이 집중되어 결국 금속 발열층이 단선되는 등의 문제점이 있었으나, 본 발명의 반도체 기술을 이용한 상기 발열 영역(30)은 비록 폭이 좁아지더라도 높아진 저항으로 인하여 오히려 주변 전류가 낮아져서 과열을 방지하는 셀프 컴펜세이션, 즉, 자가 보상(self compensation) 현상이 발생되어 실제로 반영구적인 내구성을 가질 수 있다.

도 7 내지 도 10은 도 6의 반전된 반도체 도너 기판(100)을 이용한 유기 발광 장치의 제조 과정을 단계적으로 나타내는 단면도들이다.

도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 반도체 도너 기판(100)을 이용한 유기 발광 장치의 제조 과정을 설명하면, 먼저, 도 7에 도시된 바와 같이, 반전된 도 6의 반도체 도너 기판(100)을 준비할 수 있다.

이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)에 유기물(1)을 형성할 수 있다.

이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)과 대응되도록 대상 기판(S)을 정렬시킬 수 있다.

이어서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)에 전계를 인가하여 상기 유기물(1)을 상기 대상 기판(S)에 증착시킬 수 있다.

여기서, 설명을 위해서 도 6의 반도체 도너 기판(100)을 반전시킨 상태가 도시되었으나, 이외에도, 도 6의 반도체 도너 기판(100)을 반전시키지 않고 상기 반도체 도너 기판(100)의 상방에 정렬된 대상 기판에 증착시키는 것도 가능함은 물론이다.

도 11은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.

도 7 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법은, 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 도너 기판(100)을 준비하는 반도체 도너 기판 준비 단계(S100)와, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)에 유기물(1)을 형성하는 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)와, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)과 대응되도록 대상 기판(S)을 정렬시키는 대상 기판 정렬 단계(S300) 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)에 전계를 인가하여 상기 유기물(1)을 상기 대상 기판(S)에 증착시키는 대상 기판 유기물 증착 단계(S400)를 포함할 수 있다.

도 12는 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판 준비 단계(S100)를 나타내는 순서도이다.

도 1 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따른 반도체 도너 기판 준비 단계(S100)는, 크게 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 재질로 이루어지는 몸체(10)를 준비하는 몸체 준비 단계(S1)와, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광 장치용 유기물(1)을 수용할 수 있도록 상기 몸체(10)의 표면부에 홈부(20)를 형성하는 홈부 형성 단계(S2) 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 가열하여 상기 유기물(1)이 대상 기판(S)에 증착될 수 있도록 상기 홈부(20)의 적어도 일부분에 발열 영역을 형성하는 발열 영역 형성 단계(S3)를 포함할 수 있다.

도 13은 본 발명의 일부 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판 준비 단계(S100)를 나타내는 순서도이다.

도 1 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 몸체 준비 단계(S1)는, 수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 반도체 웨이퍼(W)를 준비하는 반도체 웨이퍼 준비 단계(S11)를 포함할 수 있다.

이어서, 상기 홈부 형성 단계(S2)는, 상기 몸체(10)의 상면(F)에 부분적으로 보호막(PR)을 형성하는 보호막 형성 단계(S21) 및 상기 보호막(PR)을 식각 마스크로 이용하여 상기 보호막(PR)으로부터 노출된 상기 몸체(10)의 상기 표면부를 식각하여 상기 홈부(20)를 형성하는 식각 단계(S22)를 포함할 수 있다.

이어서, 상기 발열 영역 형성 단계(S3)는, 상기 보호막(PR)을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 홈부(20)의 적어도 바닥면에 이온을 주입하는 이온 주입 단계(S31) 및 상기 보호막(PR)을 제거하는 보호막 제거 단계(S32)를 포함할 수 있다.

이 때, 상기 이온 주입 단계(S31)는, 퓨어 기판, N 타입 도핑 기판, P 타입 도핑 기판 중 어느 하나로 이루어지는 상기 몸체(10)에 N 타입 또는 P 타입 불순물을 이온 주입할 수 있다.

도 14는 본 발명의 일부 또 다른 실시예들에 따른 반도체 도너 기판 준비 단계(S100)를 나타내는 순서도이다.

도 1 내지 도 14에 도시된 바와 같이, 더욱 구체적으로 예를 들면, 상기 발열 영역 형성 단계(S3)는, 상기 홈부 형성 단계(S2)는, 상기 홈부(20)에 수용된 상기 유기물(1)을 상기 대상 기판(S) 방향으로 안내할 수 있도록 안내 측벽부(20-2)를 형성하는 안내 측벽부 형성 단계(S23) 및 상기 유기물(1)을 수용하는 수용홈부(20-1)를 형성하는 수용홈부 형성 단계(S24)를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 발열 영역 형성 단계(S3)는, 이온이 주입된 이온 주입 영역을 어닐링하는 어닐링 단계(S33)를 더 포함할 수 있다.

이어서, 상기 반도체 도너 기판 준비 단계(S100)는, 상기 몸체(10)의 상면(F), 상기 홈부(20)의 내면, 상기 발열 영역(30)의 상면 중 어느 하나 이상에 보호층(40)을 형성하는 보호층 형성 단계(S4)를 더 포함할 수 있다.

이 때, 상기 어닐링 단계(S33) 및 상기 보호층 형성 단계(S4)는 산화막 또는 고유전율 절연막이 형성되도록 산소 가스 환경에서 상기 몸체(10)를 고온 가열하여 동시에 이루어질 수 있다.

이어서, 상기 발열 영역 형성 단계(S3) 이후에, 원판 형상의 상기 몸체(10)를 단위 사각 기판 형태로 형성할 수 있도록 상기 몸체(10)를 절단하는 절단 단계(S5)를 더 포함할 수 있다.

도 15는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 일례를 나타내는 단면도이고, 도 16은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 일례를 나타내는 순서도이다.

한편, 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이, 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 일례를 설명하면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)는, 상기 반도체 도너 기판(100)에 상기 유기물(1)을 증착시키는 것으로서, 라인 소스 타입의 도가니(C)를 이용하여 상기 반도체 도너 기판(100)에 상기 유기물(1)을 증착시키는 도가니 증착 단계(S210)를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 도가니(C)는 흑연이나 세라믹이나 티타늄 등 금속 등의 내열성 재질로 이루어지는 실린더나 덕트 형상의 몸체 주변에 가열 수단이 형성되는 것으로서, 라인 소스 타입의 도가니(C)는 넓은 면적에 증착시킬 수 있도록 상기 도가니(C)의 유기물 토출구를 장방형으로 길게 형성하고, 상대적으로 움직일 수 있게 설치하는 것으로서, 이에 반드시 국한되지 않고 포인트 소스 타입 등 매우 다양한 형태의 도가니(C)가 모두 적용될 수 있다.

따라서, 비교적 간단한 방법과 적은 비용으로도 넓은 면적에 유기물을 신속하게 증착시킬 수 있다.

도 17은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 다른 일례를 나타내는 단면도이고, 도 18은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 다른 일례를 나타내는 순서도이다.

도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)는, 잉크젯 프린터(P)를 이용하여 상기 반도체 도너 기판(100)에 상기 유기물(1)을 프린팅하는 잉크젯 프린팅 단계(S220)를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 잉크젯 프린터(P)는 유기물을 원하는 위치에 분사하여 프린팅할 수 있는 장치로서, 잉크젯 노즐을 갖는 헤드나 헤드 이송 장치 등을 갖는 다양한 형태의 프린팅 장치가 적용될 수 있다.

따라서, 비교적 간단한 방법과 적은 비용으로도 넓은 면적에 유기물을 신속하게 프린팅시킬 수 있다. 또한, 이 경우, 원하는 위치, 즉 상기 홈부(20)의 내부에만 잉크젯을 공급할 수 있어서 고가인 유기물을 절감할 수 있고, 보다 해상도가 높은 패턴 형성이 가능할 수 있다.

도 19 내지 도 21은 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 또 다른 일례를 나타내는 단면도들이고, 도 22는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 또 다른 일례를 나타내는 순서도이다.

도 19 내지 도 21에 도시된 바와 같이, 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 또 다른 일례를 설명하면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)는, 먼저, 도 19에 도시된 바와 같이, 분사 노즐(N)을 이용하여 전열층(L)이 형성된 평면 도너 기판(D)에 상기 유기물(1)을 스프레이 코팅하는 평면 도너 기판 유기물 코팅 단계(S230)와, 이어서, 도 20에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)과 대응되도록 상기 평면 도너 기판(D)을 정렬시키는 평면 도너 기판 정렬 단계(S240) 및 이어서, 상기 평면 도너 기판(D)에 전계를 인가하여 상기 유기물(1)을 상기 반도체 도너 기판(100)에 면상으로 증착시키는 반도체 도너 기판 유기물 증착 단계(S250)를 포함할 수 있다.

따라서, 대면적의 상기 유기물(1)을 면상으로 동시에 증착시킬 수 있기 때문에 비교적 신속하게 대화면을 구현할 수 있고, 균일한 막질의 유기물 증착이 가능하여 보다 해상도가 높은 패턴 형성이 가능할 수 있다.

도 23 및 도 24는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 과정의 또 다른 일례를 나타내는 단면도들이고, 도 25는 도 11의 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 또 다른 일례를 나타내는 순서도이다.

도 23 내지 도 25에 도시된 바와 같이, 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)의 또 다른 일례를 설명하면, 상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계(S200)는, 도 23에 도시된 바와 같이, 상기 유기물(1)을 상기 반도체 도너 기판(100)의 상면(F)과 홈부(20)에 코팅하는 유기물 코팅 단계(S260) 및 이어서, 도 24에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 도너 기판(100)의 상기 상면(F)에 위치되는 상기 유기물(1)을 제거하는 상면 유기물 제거 단계(S270)를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 유기물 코팅 단계(S260)는 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅 등의 용액 공정일 수 있고, 상기 상면 유기물 제거 단계(S270)는 전면 식각이나 자연 증발이나 레이저 식각이나 광학적 식각 등 다양한 형태의 유기물 제거 공정이 적용될 수 있다.

그러므로, 상술된 바와 같이, 공정을 최적화하여 생산 비용과 생산 시간을 절감할 수 있고, 대면적의 유기 발광 조명 장치나 유기 발광 디스플레이 장치 등 고품질의 유기 발광 장치를 저렴하게 제조할 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

PR: 보호막
S1: 몸체 준비 단계
S2: 홈부 형성 단계
S3: 발열 영역 형성 단계
S100: 반도체 도너 기판 준비 단계
S200: 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계
S300: 대상 기판 정렬 단계
S400: 대상 기판 유기물 증착 단계
S1: 몸체 준비 단계
S2: 홈부 형성 단계
S3: 발열 영역 형성 단계
1: 유기물
10: 몸체
20: 홈부
21: 수직 측벽
22: 경사 측벽
20-1: 수용홈부
20-2: 안내 측벽부
20a: 줄홈부
20b: 전극부
30: 발열 영역
31: 바닥 발열부
32: 측벽 발열부
S: 대상 기판
W: 웨이퍼
F: 상면
40: 보호층
100: 반도체 도너 기판

Claims (15)

1. 반도체 도너 기판을 준비하는 반도체 도너 기판 준비 단계;
   상기 반도체 도너 기판에 유기물을 형성하는 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계;
   상기 반도체 도너 기판과 대응되도록 대상 기판을 정렬시키는 대상 기판 정렬 단계; 및
   상기 반도체 도너 기판에 전계를 인가하여 상기 유기물을 상기 대상 기판에 증착시키는 대상 기판 유기물 증착 단계;를 포함하고,
   상기 반도체 도너 기판 준비 단계는,
   반도체 재질로 이루어지는 몸체를 준비하는 몸체 준비 단계;
   상기 유기물을 수용할 수 있도록 상기 몸체의 표면부에 홈부를 형성하는 홈부 형성 단계; 및
   상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 가열하여 상기 유기물이 상기 대상 기판에 증착될 수 있도록 상기 홈부의 적어도 일부분에 발열 영역을 형성하는 발열 영역 형성 단계;를 포함하고,
   상기 몸체 준비 단계는,
   수직 방향으로 식각이 용이한 결정 구조를 갖는 반도체 웨이퍼를 준비하는 반도체 웨이퍼 준비 단계;를 포함하고,
   상기 홈부 형성 단계는,
   상기 몸체의 상면에 부분적으로 보호막을 형성하는 보호막 형성 단계; 및
   상기 보호막을 식각 마스크로 이용하여 상기 보호막으로부터 노출된 상기 몸체의 상기 표면부를 식각하여 상기 홈부를 형성하는 식각 단계;
   를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는,
   상기 반도체 도너 기판에 상기 유기물을 증착시키는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는,
   도가니를 이용하여 상기 반도체 도너 기판에 상기 유기물을 증착시키는 도가니 증착 단계;
   를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
4. 제 2 항에 있어서,
   상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는,
   잉크젯 프린터를 이용하여 상기 반도체 도너 기판에 상기 유기물을 프린팅하는 잉크젯 프린팅 단계;
   를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
5. 제 2 항에 있어서,
   상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는,
   평면 도너 기판에 상기 유기물을 스프레이 코팅하는 평면 도너 기판 유기물 코팅 단계;
   상기 반도체 도너 기판과 대응되도록 상기 평면 도너 기판을 정렬시키는 평면 도너 기판 정렬 단계; 및
   상기 평면 도너 기판에 전계를 인가하여 상기 유기물을 상기 반도체 도너 기판에 면상으로 증착시키는 반도체 도너 기판 유기물 증착 단계;
   를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 반도체 도너 기판 유기물 형성 단계는,
   상기 유기물을 상기 반도체 도너 기판의 상면과 홈부에 코팅하는 유기물 코팅 단계; 및
   상기 반도체 도너 기판의 상면에 위치되는 상기 유기물을 제거하는 상면 유기물 제거 단계;
   를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
7. 삭제
8. 삭제
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 발열 영역 형성 단계는,
   상기 보호막을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 홈부의 적어도 바닥면에 이온을 주입하는 이온 주입 단계; 및
   상기 보호막을 제거하는 보호막 제거 단계;
   를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 이온 주입 단계는,
    퓨어 기판, N 타입 도핑 기판, P 타입 도핑 기판 중 어느 하나로 이루어지는 상기 몸체에 N 타입 또는 P 타입 불순물을 이온 주입하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
11. 제 9 항에 있어서,
    상기 발열 영역 형성 단계는,
    이온이 주입된 이온 주입 영역을 어닐링하는 어닐링 단계;
    를 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 몸체의 상면, 상기 홈부의 내면, 상기 발열 영역의 상면 중 어느 하나 이상에 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계;
    를 더 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
13. 제 12 항에 있어서,
    상기 어닐링 단계 및 상기 보호층 형성 단계는 산화막 또는 고유전율 절연막이 형성되도록 산소 가스 환경에서 상기 몸체를 고온 가열하여 동시에 이루어지는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
14. 제 1 항에 있어서,
    상기 홈부 형성 단계는,
    상기 홈부에 수용된 상기 유기물을 상기 대상 기판 방향으로 안내할 수 있도록 안내 측벽부를 형성하는 안내 측벽부 형성 단계; 및
    상기 유기물을 수용하는 수용홈부를 형성하는 수용홈부 형성 단계;
    를 더 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.
15. 제 1 항에 있어서,
    상기 발열 영역 형성 단계 이후에,
    원판 형상의 상기 몸체를 단위 사각 기판 형태로 형성할 수 있도록 상기 몸체를 절단하는 절단 단계;
    를 더 포함하는, 유기 발광 장치의 제조 방법.

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