CN105132868A - 蒸发源及其制作方法、蒸镀方法 - Google Patents

蒸发源及其制作方法、蒸镀方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种蒸发源及其制作方法、蒸镀方法，该蒸发源包括衬底基板，所述衬底基板上设置有多个相互分隔的凹槽，每一个凹槽内设置有加热源。本发明提供的蒸发源，衬底基板上的每一个凹槽可以盛放一种有机电致发光材料，在进行蒸镀工艺时，可以将蒸发源与待蒸镀基板紧密贴合，并通过加热源对各凹槽中的有机电致发光材料进行不同温度加热，能够在每一个凹槽正对的子像素单元上形成对应的发光层，从而能够在不使用金属掩膜的情况下制作出OLED显示面板中各子像素单元的发光层，减少Tact？time，提高蒸镀效率。

Description

蒸发源及其制作方法、蒸镀方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种蒸发源及其制作方法、蒸镀方法。
背景技术
OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)显示面板具有自发光、反应快、亮度高、轻薄等诸多优点，已经逐渐成为显示领域的主流。
OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素单元，每一个子像素单元包括阳极、发光层和阴极，其中，发光层采用有机电致发光材料形成，目前主要采用金属掩膜(MetalMask)并通过蒸镀工艺制作在各子像素单元中，通过金属掩膜能够在不同的子像素单元中制作出不同颜色的发光层，然而，金属掩膜的使用同样会带来一些问题，例如，对于大尺寸产品，由于金属掩膜的重力作用容易导致掩膜版薄片(Maskstrap)下垂，在蒸镀过程中会存在明显阴影效应(ShadowEffect)，影响每个子像素单元的发光效率与颜色，而对于小尺寸产品，目前主要采用高精细金属掩模(FMM)，但由于FMM的制作精度限制，无法实现高分辨率产品的制作。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：提供一种蒸发源及其制作方法、蒸镀方法，能够在不使用金属掩膜的情况下制作出OLED显示面板中各子像素单元的发光层。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种蒸发源，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有多个相互分隔的凹槽，每一个凹槽内设置有加热源。
优选地，所述衬底基板上设置有隔离墙结构，通过所述隔离墙结构在所述衬底基板上形成所述多个相互分隔的凹槽。
优选地，所述加热源为设置在凹槽底部的加热电阻层，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述第一凹槽的加热电阻层、所述第二凹槽的加热电阻层、所述第三凹槽的加热电阻层三者之间相互电绝缘。
优选地，所述蒸发源还包括向所述加热电阻层输送电脉冲的脉冲发生装置。
优选地，还包括冷却装置。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种蒸镀方法，包括：
在上述的蒸发源的凹槽中添加有机电致发光材料；
将所述蒸发源与待蒸镀基板对位贴合；
通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热，从而在所述待蒸镀基板上与每一个凹槽对应的位置上形成发光层。
优选地，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述添加有机电致发光材料包括：
在第一凹槽中添加第一有机电致发光材料；
在第二凹槽中添加第二有机电致发光材料；
在第三凹槽中添加第三有机电致发光材料。
优选地，所述待蒸镀基板包括呈阵列排布的多个子像素单元，所述对位贴合后，所述加热源的每一个凹槽对应所述待蒸镀基板中一个或一行或一列子像素单元。
优选地，在通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热时还对所述待蒸镀基板进行冷却。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种蒸发源的制作方法，包括：
在衬底基板上形成多个相互分隔的凹槽，且每一个凹槽内设置有加热源。
优选地，所述在衬底基板上形成多个相互分隔的凹槽，且每一个凹槽内设置有加热源包括：
在所述衬底基板上形成每一个凹槽的加热源；
在形成有所述加热源的所述衬底基板上形成隔离墙结构，从而形成所述多个相互分隔的凹槽。
优选地，所述加热源为设置在凹槽底部的加热电阻层，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述第一凹槽的加热电阻层、所述第二凹槽的加热电阻层、所述第三凹槽的加热电阻层三者之间相互电绝缘。
(三)有益效果
本发明提供的蒸发源，衬底基板上的每一个凹槽可以盛放一种有机电致发光材料，在进行蒸镀工艺时，可以将蒸发源与待蒸镀基板紧密贴合，并通过加热源对各凹槽中的有机电致发光材料进行不同温度加热，能够在每一个凹槽正对的子像素单元上形成对应的发光层，从而能够在不使用金属掩膜的情况下制作出OLED显示面板中各子像素单元的发光层。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种蒸发源的示意图；
图2是本发明实施方式提供的一种蒸发源上凹槽的示意图；
图3是本发明实施方式提供的另一种蒸发源上凹槽的示意图；
图4是本发明实施方式提供的一种在OLED阵列基板上制作发光层的示意图；
图5是本发明实施方式提供的另一种在OLED阵列基板上制作发光层的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施方式提供到了一种蒸发源，该蒸发源包括衬底基板，所述衬底基板上设置有多个相互分隔的凹槽，每一个凹槽内设置有加热源。
本发明实施方式提供的蒸发源，衬底基板上的每一个凹槽可以盛放一种有机电致发光材料，在进行蒸镀工艺时，可以将蒸发源与待蒸镀基板紧密贴合，并通过加热源对凹槽中的有机电致发光材料进行加热，能够在每一个凹槽正对的子像素单元上形成对应的发光层，从而能够在不使用金属掩膜的情况下制作出OLED显示面板中各子像素单元的发光层。
图1是本发明实施方式提供的一种蒸发源的示意图，该蒸发源包括衬底基板10，所述衬底基板10上设置有隔离墙结构30，通过所述隔离墙结构30在所述衬底基板10上形成所述多个相互分隔的凹槽40，每一个凹槽的凹槽底部设置有作为加热源的加热电阻层20，例如，该加热电阻层可以为由钼(Mo)材料形成的金属层；在一个实施例中，隔离墙可以为正梯形结构，如此可以保证凹槽中的有机电致发光材料有足够的蒸发空间。
本实施方式中的蒸发源可以用于制作OLED阵列基板中的发光层，蒸发源中的凹槽形状以及排布方式可以根据所制作OLED阵列基板中子像素单元的形状及排布方式进行设置，例如，可以在蒸发源中设置与OLED阵列基板中的子像素单元数量相同的凹槽，并使凹槽的形状及排布方式分别与OLED阵列基板中子像素单元的形状与排布方式相同，在两者对位贴合后，使OLED阵列基板中每一个子像素单元都能够与蒸发源中的一个凹槽正对设置，由于OLED阵列基板中子像素单元通常呈阵列排布，在此情况下，相应地，蒸发源中的凹槽可以如图2所示在衬底基板上也呈阵列排布；
在本实施方式提供的加热源中，每一个凹槽用于盛放一种有机电致发光材料，通过加热电阻层的加热从而能够在OLED阵列基板上对应的子像素单元上形成发光层，优选地，由于不同的有机电致发光材料具有不同的物理性质，具有不同的蒸发温度，为了能够对蒸镀工艺进行精确控制，提高蒸镀效果，可以对盛放不同有机电致发光材料的凹槽的加热源分别进行控制，实现不同的加热温度，例如，对于如图2所示的蒸发源，其上的凹槽包括：
第一凹槽41，用于盛放第一有机电致发光材料，例如，该第一有机电致发光材料可以在OLED阵列基板上形成用于发红(R)光的发光层；
第二凹槽42，用于盛放第二有机电致发光材料，例如，该第二有机电致发光材料可以在OLED阵列基板上形成用于发绿(G)光的发光层；
第三凹槽43，用于盛放第三有机电致发光材料，例如，该第三有机电致发光材料可以在OLED阵列基板上形成用于发蓝(B)光的发光层；
为能够对不同的有机电致发光材料实现不同的加热，所述第一凹槽41的加热电阻层、所述第二凹槽42的加热电阻层、所述第三凹槽43的加热电阻层三者之间相互电绝缘，从而可以通过向三者的加热电阻层施加不同的信号实现不同的加热温度，此外，由于通常OLED阵列基板中一行或一列子像素单元的发光颜色相同，对于图2所示的凹槽设置方式，可以相应的将盛放相同有机电致发光材料的一行或一列凹槽的加热电阻层电连接，实现加热电路的简化。
优选地，所述蒸发源还包括向所述加热电阻层输送电脉冲的脉冲发生装置，具体地，首先可以根据各有机电致发光材料性质确定其蒸发温度，再通过脉冲发生装置分别调节施加至各加热电阻层的电脉冲信号来改变加热电阻层的温度，从而可以实现多种有机发光电致材料同时进行真空蒸镀，例如，可以同时实现RGB三种有机电致发光材料的蒸镀。
优选地，为保证有机电致发光材料顺利从蒸发源蒸发至OLED阵列基板上，本发明实施方式中的蒸发源还可以包括冷却装置，用于在通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热时对待蒸镀基板进行冷却，具体地，在进行蒸镀时，可以将该冷却装置设置在OLED阵列基板远离蒸发源的表面上，从而使得有机电致发光材料蒸发至OLED阵列基板的表面区域时，能够更好的发生相变，提高蒸镀的效率。
优选地，由于通常OLED阵列基板中一行或一列子像素单元的发光颜色相同，为减少蒸发源上凹槽的数量，可以使蒸发源上的一个凹槽对应OLED阵列基板中相同颜色的一行或一列子像素单元，即在该蒸发源与OLED阵列基板对位贴合后，该蒸发源中的每一个凹槽都能够与OLED阵列基板的一行或一列子像素单元正对设置，从而实现一个凹槽能够同时制作一行或一列子像素单元的发光层，例如，蒸发源上凹槽的设置方式可以如图3所示，其上每一个凹槽分别对应OLED阵列基板上相同颜色的一列子像素单元，凹槽的数量与OLED阵列基板上子像素单元的列数相同。
本发明实施方式提供的蒸发源，能够在不使用金属掩膜的情况下同时制作出OLED显示面板上各个子像素单元的发光层，相比现有技术中的蒸镀方法，可以减少工艺流程，缩短工艺时间(Tacttime)，减少设备投入，并可以应用于大尺寸产品的制作。
本发明实施方式还提供了一种蒸镀方法，包括：
S1：在上述的蒸发源的凹槽中添加有机电致发光材料，具体地，首先通过采用填充(DropFilling)工艺在每一个凹槽内添加有机电致发光材料，例如，该填充(DropFilling)工艺可以采用喷墨印刷(Ink-JetPrinting)技术；
S2：将所述蒸发源与待蒸镀基板对位贴合，例如，所述待蒸镀基板包括呈阵列排布的多个子像素单元，所述对位贴合后，所述加热源的每一个凹槽对应所述待蒸镀基板中一个或一行或一列子像素单元；
S3：通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热，从而在所述待蒸镀基板上与每一个凹槽对应的位置上形成发光层。
例如，如图4所示，待蒸镀的OLED阵列基板包括衬底60、设置在衬底60上的TFT层70和像素界定层80，通过该像素界定层80将该OLED阵列基板划分为呈阵列排布的多个子像素单元，为实现在该OLED阵列基板上同时实现RGB三种颜色发光层的制作，蒸发源上的凹槽包括第一凹槽41、第二凹槽42、第三凹槽43，在进行喷墨印刷(Ink-JetPrinting)工艺时，在第一凹槽41中添加第一有机电致发光材料51(如用于发红光的材料)，在第二凹槽42中添加第二有机电致发光材料52(如用于发绿光的材料)，在第三凹槽43中添加第三有机电致发光材料53(如用于发蓝光的材料)，而后将蒸发源与OLED阵列基板紧密贴合，再通过脉冲发生装置分别对第一凹槽、第二凹槽、第一凹槽的加热源施加不同的电脉冲信号，从而在OLED阵列基板的各子像素单元上制作出对应的发光层90(EL电致发光层)。
优选地，在通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热时还可以对待蒸镀基板进行冷却。具体地，参见图5，可以将冷却装置100设置在衬底60远离衬底基板10的表面上，在进行加热蒸镀时，通过冷却装置100对OLED阵列基板进行冷却，使得有机电致发光材料蒸发至OLED阵列基板表面区域时，能够更好的发生相变，提高蒸镀的效率。
本发明实施方式提供的蒸发源，能够在不使用金属掩膜的情况下同时制作出OLED显示面板上各个子像素单元的发光层，相比现有技术中的蒸镀方法，可以减少工艺流程，缩短工艺时间(Tacttime)，减少设备投入，并可以应用于大尺寸产品的制作，此外，相比现有技术中直接采用喷墨印刷(Ink-JetPrinting)技术在OLED阵列基板上制作发光层的工艺会造成喷墨不均的问题，本发明首先采用喷墨印刷技术进行蒸发源的制作，由于不是直接制作在OLED阵列基板上，喷墨印刷技术带来的显示不均的问题能够被解决，并且后续采用蒸镀的方法将有机电致发光材料蒸镀至各子像素单元上，从而能够提高工艺精度，还便于对所制作发光层的厚度进行控制提高蒸镀效率。
本发明实施方式还提供了一种蒸发源的制作方法，包括：
在衬底基板上形成多个相互分隔的凹槽，且每一个凹槽内设置有加热源。
优选地，所述在衬底基板上形成多个相互分隔的凹槽，且每一个凹槽内设置有加热源包括：
在所述衬底基板上形成每一个凹槽的加热源；
在形成有所述加热源的所述衬底基板上形成隔离墙结构，从而形成所述多个相互分隔的凹槽，例如，该隔离墙结构可以采用隔热较好的材料，将该材料涂覆在衬底基板上后，再通过曝光、显影等工艺制作出该隔离墙结构。
在一个实施例中，隔离墙可以为正梯形结构，如此可以保证凹槽中的有机电致发光材料有足够的蒸发空间。
优选地，所述加热源为设置在凹槽底部的加热电阻层，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述第一凹槽的加热电阻层、所述第二凹槽的加热电阻层、所述第三凹槽的加热电阻层三者之间相互电绝缘。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (12)

1.一种蒸发源，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有多个相互分隔的凹槽，每一个凹槽内设置有加热源。
2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述衬底基板上设置有隔离墙结构，通过所述隔离墙结构在所述衬底基板上形成所述多个相互分隔的凹槽。
3.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述加热源为设置在凹槽底部的加热电阻层，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述第一凹槽的加热电阻层、所述第二凹槽的加热电阻层、所述第三凹槽的加热电阻层三者之间相互电绝缘。
4.根据权利要求3所述的蒸发源，其特征在于，所述蒸发源还包括向所述加热电阻层输送电脉冲的脉冲发生装置。
5.根据权利要求1-4任一所述的蒸发源，其特征在于，还包括冷却装置。
6.一种蒸镀方法，其特征在于，包括：
在权利要求1-5任一所述的蒸发源的凹槽中添加有机电致发光材料；
将所述蒸发源与待蒸镀基板对位贴合；
通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热，从而在所述待蒸镀基板上与每一个凹槽对应的位置上形成发光层。
7.根据权利要求6所述的蒸镀方法，其特征在于，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述添加有机电致发光材料包括：
在第一凹槽中添加第一有机电致发光材料；
在第二凹槽中添加第二有机电致发光材料；
在第三凹槽中添加第三有机电致发光材料。
8.根据权利要求6所述的蒸镀方法，其特征在于，所述待蒸镀基板包括呈阵列排布的多个子像素单元，所述对位贴合后，所述加热源的每一个凹槽对应所述待蒸镀基板中一个或一行或一列子像素单元。
9.根据权利要求6-8任一所述的蒸镀方法，其特征在于，在通过加热源对每一个凹槽中的有机电致发光材料加热时还对所述待蒸镀基板进行冷却。
10.一种蒸发源的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成多个相互分隔的凹槽，且每一个凹槽内设置有加热源。
11.根据权利要求10所述的蒸发源的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成多个相互分隔的凹槽，且每一个凹槽内设置有加热源包括：
在所述衬底基板上形成每一个凹槽的加热源；
在形成有所述加热源的所述衬底基板上形成隔离墙结构，从而形成所述多个相互分隔的凹槽。
12.根据权利要求10所述的蒸发源的制作方法，其特征在于，所述加热源为设置在凹槽底部的加热电阻层，所述多个相互分隔的凹槽包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽，所述第一凹槽的加热电阻层、所述第二凹槽的加热电阻层、所述第三凹槽的加热电阻层三者之间相互电绝缘。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106119779A (zh) * 2016-07-15 2016-11-16 信利（惠州）智能显示有限公司 一种oled有机薄膜成膜方法
CN106784403A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 广东工业大学 一种有机电致发光器件的制备方法
CN107425144A (zh) * 2017-08-21 2017-12-01 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 Oled蒸发源、蒸镀设备及oled面板像素阵列的制备方法
CN109059436A (zh) * 2018-06-14 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 干燥箱及其控制方法、有机电致发光器件的制备方法
CN109722628A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 超精细图案沉积设备、使用其的超精细图案沉积方法以及通过该方法制造的发光显示装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110021715B (zh) * 2018-01-09 2021-12-28 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀源及有机发光二极管显示面板的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101619442A (zh) * 2009-07-30 2010-01-06 丁海峰 电子束蒸发源装置
CN101845610A (zh) * 2010-06-07 2010-09-29 崔铮 一种连续垂直热蒸发的金属镀膜方法
CN203411600U (zh) * 2013-06-21 2014-01-29 苏州方昇光电装备技术有限公司 一种线性蒸发源

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101169001B1 (ko) * 2009-07-10 2012-07-26 주식회사 엔씰텍 증착장치의 증착용 기판, 상기 증착용 기판을 사용한 성막 방법 및 유기전계발광표시장치의 제조방법
US20110104398A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 General Electric Company Method and system for depositing multiple materials on a substrate
KR102080008B1 (ko) * 2013-07-12 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101619442A (zh) * 2009-07-30 2010-01-06 丁海峰 电子束蒸发源装置
CN101845610A (zh) * 2010-06-07 2010-09-29 崔铮 一种连续垂直热蒸发的金属镀膜方法
CN203411600U (zh) * 2013-06-21 2014-01-29 苏州方昇光电装备技术有限公司 一种线性蒸发源

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106119779A (zh) * 2016-07-15 2016-11-16 信利（惠州）智能显示有限公司 一种oled有机薄膜成膜方法
CN106784403A (zh) * 2016-12-21 2017-05-31 广东工业大学 一种有机电致发光器件的制备方法
CN107425144A (zh) * 2017-08-21 2017-12-01 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 Oled蒸发源、蒸镀设备及oled面板像素阵列的制备方法
CN107425144B (zh) * 2017-08-21 2020-06-05 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 Oled蒸发源、蒸镀设备及oled面板像素阵列的制备方法
CN109722628A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 超精细图案沉积设备、使用其的超精细图案沉积方法以及通过该方法制造的发光显示装置
US11104985B2 (en) 2017-10-31 2021-08-31 Lg Display Co., Ltd. Ultra-fine pattern deposition apparatus, ultra-fine pattern deposition method using the same, and light-emitting display device manufactured by ultra-fine pattern deposition method
CN109722628B (zh) * 2017-10-31 2022-01-25 乐金显示有限公司 超精细图案沉积设备、使用其的超精细图案沉积方法以及通过该方法制造的发光显示装置
CN109059436A (zh) * 2018-06-14 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 干燥箱及其控制方法、有机电致发光器件的制备方法
WO2019237802A1 (zh) * 2018-06-14 2019-12-19 京东方科技集团股份有限公司 干燥箱及其控制方法、有机电致发光器件的制备方法
US11530874B2 (en) 2018-06-14 2022-12-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Dry box and control method thereof, and preparation method of organic electroluminescent device

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