KR101973826B1 - Laminate, method for producing laminate, and method for producing glass substrate having member for electronic devices attached thereto - Google Patents

Laminate, method for producing laminate, and method for producing glass substrate having member for electronic devices attached thereto Download PDF

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Abstract

본 발명은, 지지판의 층과 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비하고, 상기 지지판의 층과 상기 수지층의 계면의 박리 강도 (y) 가, 상기 수지층과 상기 유리 기판의 계면의 박리 강도 (x) 또는 상기 수지층의 응집 파괴 강도 (z) 보다 높고, 상기 수지층의 수지가 가교 실리콘 수지이고, 상기 가교 실리콘 수지가, 식 (1) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-1) 과, 식 (2) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 포함하고, 전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) + (B-1) 의 비율이 70 ∼ 100 몰% 이고, 또한 (A-1) 과 (B-1) 의 합계에 대한 (A-1) 의 비율이 15 ∼ 50 몰% 인 가교 실리콘 수지인 적층체에 관한 것이다 :

Figure 112014036261018-pct00011

(상기 식 (1) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. 상기 식 (2) 중, R6 및 R7 은, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)This invention is equipped with the layer of a support plate, the layer of a resin layer, and a glass substrate in this order, and the peeling strength (y) of the interface of the layer of the said support plate and the said resin layer is the interface of the said resin layer and the said glass substrate. Organosiloxy unit (A) which is higher than the peel strength (x) or the cohesive failure strength (z) of the resin layer, the resin of the resin layer is a crosslinked silicone resin, and the crosslinked silicone resin is represented by formula (1) -1) and the organosiloxy unit (B-1) represented by Formula (2), and the ratio of (A-1) + (B-1) with respect to all organo siloxy units is 70- It is related with the laminated body which is 100 mol% and is a crosslinked silicone resin whose ratio of (A-1) with respect to the sum total of (A-1) and (B-1) is 15-50 mol%:
Figure 112014036261018-pct00011

(In Formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. In Formula (2), R 6 and R 7 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Is displayed.)

Description

적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법{LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE HAVING MEMBER FOR ELECTRONIC DEVICES ATTACHED THERETO}The manufacturing method of a laminated body, a manufacturing method of a laminated body, and a glass substrate with a member for electronic devices {LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE HAVING MEMBER FOR ELECTRONIC DEVICES ATTACHED THERETO}

본 발명은, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of a laminated body, the manufacturing method of a laminated body, and the glass substrate with a member for electronic devices.

최근, 태양 전지 (PV), 액정 패널 (LCD), 유기 EL 패널 (OLED) 등의 디바이스 (전자 기기) 의 박형화, 경량화가 진행되고 있어, 이들 디바이스에 이용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족해지면, 디바이스의 제조 공정에 있어서 유리 기판의 취급성이 저하된다. In recent years, thinning and weight reduction of devices (electronic devices), such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED), are progressing, and the thinning of the glass substrate used for these devices is progressing. When the strength of the glass substrate becomes insufficient by thinning, the handleability of the glass substrate falls in the manufacturing process of a device.

따라서, 종래부터, 최종 두께보다 두꺼운 유리 기판 상에 디바이스용 부재 (예컨대, 박막 트랜지스터) 를 형성한 후, 유리 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채택되고 있다. 그러나, 이 방법에서는, 예컨대, 1 장의 유리 기판의 두께를 0.7 ㎜ 로부터 0.2 ㎜ 나 0.1 ㎜ 로 박판화하는 경우, 원래의 유리 기판의 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게 되기 때문에, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다. Therefore, conventionally, after forming a device member (for example, a thin film transistor) on the glass substrate thicker than a final thickness, the method of thinly thinning a glass substrate by a chemical etching process is adopted. However, in this method, for example, when the thickness of one glass substrate is thinned from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the material of the original glass substrate is scraped off with an etchant, thus improving productivity and use efficiency of raw materials. It is not preferable from the viewpoint.

또, 상기 화학 에칭에 의한 유리 기판의 박판화 방법에 있어서는, 유리 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해서 흠집을 기점으로 하여 미세한 패임 (에치 피트) 가 형성되어, 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다. In addition, in the thinning method of the glass substrate by the said chemical etching, when a fine flaw exists on the surface of a glass substrate, fine flaws (etch pits) are formed by an etching process as a starting point, and it becomes an optical defect. There was a case.

최근에는 상기 과제에 대응하기 위해, 박판 유리 기판과 보강판을 적층한 적층체를 준비하여, 적층체의 박판 유리 기판 상에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 박판 유리 기판으로부터 지지판을 분리하는 방법이 제안되어 있다 (예컨대, 특허문헌 1 참조). 보강판은, 지지판과, 그 지지판 상에 고정된 수지층을 가지며, 수지층과 박판 유리 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 적층체의 수지층과 박판 유리 기판의 계면이 박리되어, 박판 유리 기판으로부터 분리된 보강판은, 새로운 박판 유리 기판과 적층되어, 적층체로서 재이용하는 것이 가능하다.Recently, in order to cope with the above problem, a laminate obtained by laminating a thin glass substrate and a reinforcement plate is prepared, and after forming a member for an electronic device such as a display device on the thin glass substrate of the laminate, a supporting plate is formed from the thin glass substrate. A method of separating these is proposed (for example, refer patent document 1). The reinforcement plate has a support plate and a resin layer fixed on the support plate, and the resin layer and the thin glass substrate are in close contact with each other so as to be peelable. The interface of the resin layer of a laminated body and a thin glass substrate peels, and the reinforcement board isolate | separated from the thin glass substrate can be laminated | stacked with a new thin glass substrate, and can be reused as a laminated body.

한편, 내열성의 수지층으로서, 특허문헌 2 에 기재된 열경화성 수지를 이용하여 얻어지는 수지층이 알려져 있다.On the other hand, the resin layer obtained using the thermosetting resin of patent document 2 is known as a heat resistant resin layer.

국제 공개 제07/018028 호International Publication No. 07/018028 일본 공개특허공보 2009-215343호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-215343

특허문헌 1 에 기재된 적층체에 관해, 최근 더욱 높은 내열성이 요구되게 되었다. 적층체의 유리 기판 상에 형성되는 전자 디바이스용 부재의 고기능화나 복잡화에 따라서, 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 온도가 더욱 고온이 됨과 함께, 그 고온에 노출되는 시간도 장시간을 요하는 경우가 적지 않다. Regarding the laminate described in Patent Literature 1, higher heat resistance has recently been demanded. In accordance with the high functionalization and complexity of the electronic device member formed on the glass substrate of the laminated body, the temperature at the time of forming the electronic device member becomes further high, and the time exposed to the high temperature also requires a long time. Not a lot.

특허문헌 1 에 기재된 적층체는 대기중 300 ℃, 1 시간의 처리에 견딜 수 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허문헌 1 에 기재된 적층체에 있어서의 수지층의 실리콘 수지는, 400 ℃ 에 있어서는 단시간내에 분해가 일어나 다량의 아웃가스가 발생한다. 이러한 아웃가스의 발생은, 유리 기판 상에 형성되는 전자 디바이스용 부재를 오염시켜, 결과적으로 전자 디바이스의 생산성을 저하시키는 원인이 된다. The laminated body of patent document 1 can withstand the process of 300 degreeC in air | atmosphere for 1 hour. However, according to the examination of the present inventors, the silicone resin of the resin layer in the laminated body of patent document 1 decomposes in 400 degreeC in a short time, and a large amount of outgas is generated. The generation of such outgas contaminates the electronic device member formed on the glass substrate, resulting in lowering the productivity of the electronic device.

또, 수지층의 분해에 의해 수지층 자체에 크랙 등이 생기고, 그 위에 적층되는 유리 기판과의 밀착성이 저하되어, 고온 처리가 실시되는 전자 디바이스용 부재의 제조시에 유리 기판의 위치 어긋남 등이 생기기 쉬워, 결과적으로 전자 디바이스의 생산성을 저하시킬 우려도 있다. Moreover, a crack etc. generate | occur | produce in the resin layer itself by decomposition | disassembly of a resin layer, adhesiveness with the glass substrate laminated | stacked on it falls, and the position shift of a glass substrate at the time of manufacture of the member for electronic devices by which high temperature processing is performed, etc. It is easy to produce, and there exists a possibility of reducing productivity of an electronic device as a result.

또한, 적층체로부터 유리 기판을 분리할 때, 열 열화된 수지층의 일부가 제품측인 유리 기판의 박리면에 부착되어 버리는 경우가 있어, 그 제거가 매우 어려웠다. In addition, when separating a glass substrate from a laminated body, a part of heat-deteriorated resin layer may adhere to the peeling surface of the glass substrate which is a product side, and the removal was very difficult.

본 발명자는 특허문헌 1 에 기재된 수지층의 내열성 향상에 관해 검토하였다. 내열성이 높은 실리콘 수지로서, 축합 반응에 의해 가교된 실리콘 수지가 알려져 있다. 또한, 특허문헌 1 에 기재된 실리콘 수지는, 하이드로실릴레이션 반응에 의해 가교된 실리콘 수지이다. 축합 반응에 의해 가교된 실리콘 수지 중, 페닐기 등의 아릴기가 규소 원자에 결합한 단위를 갖는 실리콘 수지가 특히 내열성이 높다. 이러한 실리콘 수지로서 특허문헌 2 등에 기재된 실리콘 수지가 알려져 있다. 그러나, 특허문헌 2 에 기재된 실리콘 수지를 특허문헌 1 에 기재된 수지층의 재료로서 사용한 결과, 수지층의 유리 기판과 적층하는 표면의 면상이 거칠고, 유리 기판의 수지층에 대한 밀착성이 반드시 충분하지 않고, 특허문헌 1 에 기재된 적층체로서 사용할 수 없었다. This inventor examined about the heat resistance improvement of the resin layer of patent document 1. As a silicone resin with high heat resistance, a silicone resin crosslinked by a condensation reaction is known. In addition, the silicone resin of patent document 1 is a silicone resin bridge | crosslinked by the hydrosilylation reaction. Of the silicone resins crosslinked by the condensation reaction, silicone resins having units in which aryl groups such as phenyl groups are bonded to silicon atoms are particularly high in heat resistance. The silicone resin described in patent document 2 etc. is known as such a silicone resin. However, as a result of using the silicone resin of patent document 2 as a material of the resin layer of patent document 1, the surface shape of the surface laminated | stacked with the glass substrate of a resin layer is rough, and adhesiveness with respect to the resin layer of a glass substrate is not necessarily enough. It could not be used as a laminated body of patent document 1.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 고온 가열 처리 조건하에서도 사용할 수 있고, 청정화 처리를 실시함으로써 분리된 유리 기판의 박리면의 청정성을 유지할 수 있는 적층체 및 그 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of the said subject, The laminated body which can be used also in high temperature heat processing conditions, and can maintain the cleanliness of the peeling surface of the separated glass substrate by performing a cleaning process, and the manufacturing method of the laminated body are It aims to provide.

또, 본 발명은, 그 적층체를 사용한 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.Moreover, this invention also makes it the objective to provide the manufacturing method of the glass substrate with a member for electronic devices using the laminated body.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 본 발명을 완성하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors completed this invention, as a result of earnestly examining in order to solve the said subject.

즉, 본 발명의 제 1 양태는, 지지판의 층과 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비하고, 상기 지지판의 층과 상기 수지층의 계면의 박리 강도 (y) 가, 상기 수지층과 상기 유리 기판의 계면의 박리 강도 (x) 또는 상기 수지층의 응집 파괴 강도 (z) 보다 높고, 상기 수지층의 수지가 가교 실리콘 수지이고, 상기 가교 실리콘 수지가, 후술하는 식 (1) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-1) 과, 후술하는 식 (2) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 포함하고, 전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) + (B-1) 의 비율이 70 ∼ 100 몰% 이고, 또한 (A-1) 과 (B-1) 의 합계에 대한 (A-1) 의 비율이 15 ∼ 50 몰% 인 가교 실리콘 수지인 적층체이다.That is, the 1st aspect of this invention is equipped with the layer of a support plate, the layer of a resin layer, and a glass substrate in this order, The peeling strength (y) of the interface of the layer of the said support plate, and the said resin layer is the said resin layer, It is higher than the peeling strength (x) of the interface of the said glass substrate or the cohesive fracture strength (z) of the said resin layer, resin of the said resin layer is crosslinked silicone resin, and the said crosslinked silicone resin is represented by Formula (1) mentioned later. (A-1) + to all organosiloxy units, including the organosiloxy unit (A-1) to be mentioned and the organosiloxy unit (B-1) represented by Formula (2) described later Lamination | stacking of the crosslinked silicone resin whose ratio of (B-1) is 70-100 mol%, and the ratio of (A-1) with respect to the sum total of (A-1) and (B-1) is 15-50 mol%. It is a sieve.

제 1 양태에 있어서, 가교 실리콘 수지가, 추가로 후술하는 식 (3) 으로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-2) 및 후술하는 식 (4) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-2) 중 적어도 어느 한쪽을 포함하고, [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 에 대한 [(A-1) + (B-2)] 의 비율이 15 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하다. In a 1st aspect, the crosslinked silicone resin is further represented by the organosiloxy unit (A-2) represented by Formula (3) mentioned later, and the organo siloxy unit represented by Formula (4) mentioned later (B- [(A-1) + (B-2)] for [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)], including at least one of 2) It is preferable that the ratio of is 15-50 mol%.

또, 식 (1) 및 식 (3) 에 있어서 후술하는 식 (9) 로 표시되는 페닐기 (X) 와, 식 (2) 및 (4) 에 있어서 R6 및/또는 R7 로 표시되는 알킬기 (Y) 의 비가, [(X)]/[(X) + (Y)] = 10 ∼ 40 몰% 인 것이 바람직하다. Moreover, the phenyl group (X) represented by Formula (9) mentioned later in Formula (1) and Formula (3), and the alkyl group represented by R <6> and / or R <7> in Formula (2) and (4) ( It is preferable that ratio of Y) is [(X)] / [(X) + (Y)] = 10-40 mol%.

또한, 전체 오르가노실록시 단위에 대한 [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 의 비율이 95 ∼ 100 몰% 인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that the ratio of [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)]] with respect to all organo siloxy units is 95-100 mol%.

또, 후술하는 식 (1) ∼ (4) 로 표시되는 오르가노실록시 단위는 모두 오르가노알콕시실란 화합물에서 유래하는 단위인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that all the organo siloxy units represented by Formula (1)-(4) mentioned later are units derived from an organoalkoxysilane compound.

또한, 제 1 양태에 있어서, 박리 강도 (x) 는 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 것이 바람직하다. 또, 상기 수지층의 두께는 1 ∼ 5 ㎛ 인 것이 바람직하고, 상기 지지판은 유리판인 것이 바람직하다. 또한, 상기 지지판과 상기 유리 기판의 25 ∼ 300 ℃ 에 있어서의 평균 선팽창 계수의 차가 0 ∼ 500 × 10-7/℃ 인 것이 바람직하다. In addition, in 1st aspect, it is preferable that peeling strength (x) is higher than cohesive failure strength (z). Moreover, it is preferable that the thickness of the said resin layer is 1-5 micrometers, and it is preferable that the said support plate is a glass plate. Moreover, it is preferable that the difference of the average linear expansion coefficient in 25-300 degreeC of the said support plate and the said glass substrate is 0-500 * 10 <-7> / degreeC .

본 발명의 제 2 양태는, 본 발명의 제 1 양태의 적층체의 제조 방법으로서, 가교 경화하여 후술하는 가교 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘 수지의 막을 지지판의 표면에 형성하고, 상기 지지판의 표면 상에서 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 가교 실리콘 수지의 막을 형성하고, 이어서, 상기 가교 실리콘 수지의 막의 표면에 유리 기판을 적층하는 적층체의 제조 방법이다. The 2nd aspect of this invention is a manufacturing method of the laminated body of 1st aspect of this invention, Comprising: The film | membrane of curable silicone resin used as a crosslinking silicone resin mentioned later by crosslinking hardening is formed on the surface of a support plate, and is curable on the surface of the said support plate It is a manufacturing method of the laminated body which crosslinks-cures a silicone resin, forms the film of crosslinked silicone resin, and then laminates a glass substrate on the surface of the film of the said crosslinked silicone resin.

제 2 양태에 있어서, 경화성 실리콘 수지가 오르가노알콕시실란 화합물의 혼합물의 부분 가수분해 축합물로 이루어짐과 함께, 그 경화성 실리콘 수지 및 용매를 포함하는 용액을 지지판의 표면에 도포하여, 용매를 제거함으로써 경화성 실리콘 수지의 막을 형성하는 것이 바람직하다. 또, 상기 부분 가수분해 축합물의 중량 평균 분자량은 1만 ∼ 20만인 것이 바람직하다. 또한, 상기 부분 가수분해 축합물의 중량 평균 분자량은 1만 ∼ 10만인 것이 보다 바람직하다. In the second aspect, the curable silicone resin consists of a partial hydrolysis condensate of a mixture of an organoalkoxysilane compound, and a solution containing the curable silicone resin and a solvent is applied to the surface of the support plate to remove the solvent. It is preferable to form the film of curable silicone resin. Moreover, it is preferable that the weight average molecular weights of the said partial hydrolysis-condensation products are 10,000-200,000. Moreover, as for the weight average molecular weight of the said partial hydrolysis-condensation thing, it is more preferable that it is 10,000-100,000.

본 발명의 제 3 양태는, 본 발명의 제 1 양태의 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체를 제조하고, 그 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체로부터, 수지층의 유리 기판측 계면 또는 수지층 내부를 박리면으로 하여, 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판과 수지층이 부착된 지지판으로 분리하고, 이어서, 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 박리면을 청정화하는 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법이다. The 3rd aspect of this invention forms the member for electronic devices on the glass substrate in the laminated body of the 1st aspect of this invention, manufactures the laminated body with a member for electronic devices, and attaches the member for electronic devices. The glass substrate with an electronic device member and the support plate with a resin layer were isolate | separated from the laminated body which made the glass substrate side interface of the resin layer, or the inside of a resin layer into a peeling surface, and the member for electronic devices then adheres It is a manufacturing method of the glass substrate with an electronic device member which cleans the peeling surface of the made glass substrate.

또, 상기 청정화는 용매를 이용한 세정인 것이 바람직하고, 세정은, 용해도 파라미터가 7 ∼ 15 인 용매를 사용한 세정인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that the said cleaning is washing | cleaning using a solvent, and it is preferable that washing | cleaning is washing | cleaning using the solvent whose solubility parameter is 7-15.

또한, 상기 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판을 이하 「부재가 부착된 유리 기판」 이라고 한다.In addition, the glass substrate with a member for said electronic device is called "the glass substrate with a member" hereafter.

본 발명에 의하면, 고온 가열 처리 조건하에서도 사용할 수 있고, 청정화 처리를 실시함으로써 분리된 유리 기판의 박리면의 청정성을 유지할 수 있는 적층체 및 그 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다. According to this invention, it can use even under high temperature heat processing conditions, and can provide the laminated body which can maintain the cleanliness of the peeling surface of the separated glass substrate by performing a cleaning process, and the manufacturing method of this laminated body can be provided.

또, 본 발명에 의하면, 그 적층체를 사용한 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법을 제공할 수도 있다.Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the glass substrate with a member using this laminated body can also be provided.

도 1 은, 본 발명에 따른 적층체의 일 실시형태의 모식적 단면도이다.
도 2 는, 본 발명에 따른 전자 디바이스의 제조 방법의 일 실시형태를 공정순으로 나타내는 모식적 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is typical sectional drawing of one Embodiment of the laminated body which concerns on this invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a method for manufacturing an electronic device according to the present invention in the order of steps.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관해 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 이하의 실시형태에 여러가지 변형 및 치환을 부가할 수 있다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings, this invention is not limited to the following embodiment, A various deformation | transformation and substitution are given to the following embodiment, without deviating from the range of this invention. Can be added.

본 발명의 적층체는, 지지판의 층과 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비한다. 즉, 지지판의 층과 유리 기판의 층 사이에 수지층을 가지며, 따라서, 수지층은 일방 측이 지지판의 층에 접하고, 타방 측이 유리 기판의 층에 접하고 있다. The laminated body of this invention is equipped with the layer of a support plate, the resin layer, and the layer of a glass substrate in this order. That is, the resin layer is provided between the layer of a support plate and the layer of a glass substrate. Therefore, one side of a resin layer is in contact with the layer of a support plate, and the other side is in contact with the layer of a glass substrate.

수지층과 유리 기판의 계면은 박리 강도 (x) 를 가지며, 수지층과 유리 기판의 계면에 박리 강도 (x) 를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 수지층과 유리 기판의 계면이 박리된다. 수지층과 지지판의 계면은 박리 강도 (y) 를 가지며, 수지층과 지지판의 계면에 박리 강도 (y) 를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 수지층과 지지판의 계면이 박리된다. 한편, 수지층의 수지는 그 자체의 파괴에 대항하는 강도를 가지며, 수지층에 유리 기판과 지지판을 박리하는 방향의 응력이 가해지면 어느 정도의 응력까지는 파괴되지 않고 그 응력에 견딘다. 그러나, 수지 자체의 강도를 초과하는 응력이 가해지면 수지층이 파괴되며, 이 수지층이 견디는 한도의 강도를 응집 파괴 강도 (z) 라고 한다. The interface between the resin layer and the glass substrate has a peel strength (x), and when the stress in the peeling direction exceeding the peel strength (x) is applied to the interface between the resin layer and the glass substrate, the interface between the resin layer and the glass substrate is peeled off. . The interface of a resin layer and a support plate has peeling strength y, and when the stress of the peeling direction exceeding peeling strength y is applied to the interface of a resin layer and a support plate, the interface of a resin layer and a support plate will peel. On the other hand, the resin of the resin layer has strength against its own destruction, and when a stress in the direction in which the glass substrate and the support plate are peeled off is applied to the resin layer, it does not break up to a certain degree of stress and withstands the stress. However, when a stress exceeding the strength of the resin itself is applied, the resin layer is broken, and the strength of the limit that the resin layer endures is referred to as the cohesive failure strength (z).

본 발명의 적층체 (후술하는 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체도 의미함) 에 있어서는, 상기 박리 강도 (y) 는, 상기 박리 강도 (x) 또는 상기 응집 파괴 강도 (z) 보다 높다. 따라서, 본 발명의 적층체에 유리 기판과 지지판을 박리하는 방향의 응력이 가해지면, 본 발명의 적층체는, 수지층과 유리 기판의 계면에서 박리되어 유리 기판과 수지층이 부착된 지지판으로 분리되거나, 또는 수지층의 응집 파괴에 의해 수지가 부착된 유리 기판과 수지가 부착된 지지판으로 분리된다. 두 양태 중 어느 쪽이 될지는 박리 강도 (x) 와 응집 파괴 강도 (z) 의 크기에 따르며, 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 경우에는 수지층의 응집 파괴가 일어나고, 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 보다 낮은 경우에는 계면 박리가 일어난다고 생각된다.In the laminated body of this invention (it also means the laminated body with an electronic device member mentioned later), the said peeling strength (y) is higher than the said peeling strength (x) or the said cohesive fracture strength (z). Therefore, when the stress of the direction which peels a glass substrate and a support plate is applied to the laminated body of this invention, the laminated body of this invention peels at the interface of a resin layer and a glass substrate, and isolate | separates into the support plate with a glass substrate and a resin layer. Or by the cohesive failure of a resin layer, it isolate | separates into the glass substrate with resin and the support plate with resin. Either of these aspects depends on the size of the peel strength (x) and the cohesive failure strength (z). When the peel strength (x) is higher than the cohesive failure strength (z), cohesive failure of the resin layer occurs, and the peel strength When (x) is lower than the cohesive failure strength z, it is thought that interface peeling occurs.

상기와 같이, 본 발명의 적층체에 있어서의 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 경우, 적층체의 유리 기판과 지지판을 박리하면, 수지가 부착된 유리 기판과 수지가 부착된 지지판이 생긴다. 후술하는 바와 같이, 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성한 후의 적층체에서는, 분리된 유리 기판은 부재가 부착된 유리 기판이다. 부재가 부착된 유리 기판의 박리면 (유리 기판의 전자 디바이스용 부재가 형성되지 않은 면) 에 수지가 부착되어 있는 것은 바람직하지 않기 때문에, 박리면에 부착된 수지를 제거하는 것이 바람직하다.As described above, when the peeling strength (x) in the laminate of the present invention is higher than the cohesive failure strength (z), when the glass substrate and the supporting plate of the laminate are peeled off, the glass substrate with resin and the resin are attached. A support plate is created. As mentioned later, in the laminated body after forming the member for electronic devices on the glass substrate in a laminated body, the separated glass substrate is a glass substrate with a member. Since it is not preferable that resin adheres to the peeling surface (surface in which the member for electronic devices of a glass substrate is not formed) of a glass substrate with a member, it is preferable to remove resin adhered to a peeling surface.

또한, 부착된 수지를 제거한다 하더라도, 그 양이 적을수록 제거가 용이하다는 점에서, 분리한 직후의 박리면에 부착된 수지는 적은 편이 바람직하다. 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 에 가까울수록 부분적으로 계면 박리가 생길 가능성이 높아지고, 유리 기판의 박리면에 부착된 수지의 양은 지지판에 부착된 수지량과 비교하여 적어진다고 생각된다. In addition, even if the attached resin is removed, the smaller the amount thereof, the easier it is to remove, so that the smaller the resin attached to the peeling surface immediately after separation is preferable. The closer the peeling strength (x) to the cohesive failure strength (z), the higher the possibility of partial interfacial peeling, and the amount of resin attached to the peeling surface of the glass substrate is considered to be smaller than the amount of resin attached to the supporting plate.

또한, 하기와 같이 박리 강도 (x) 와 응집 파괴 강도 (z) 가 거의 동일한 경우는 박리면에 수지가 부착된 유리 기판이 생기기 쉽다고 생각되기 때문에, 본 발명에 있어서는 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 경우에 포함시키는 것으로 한다. In addition, since peeling strength (x) and the cohesive fracture strength (z) are substantially the same as below, since it is thought that the glass substrate with resin adhered to a peeling surface, it is easy to produce, and in this invention, peeling strength (x) is cohesive failure. It shall be included when it is higher than intensity | strength (z).

상기와 같이, 본 발명의 적층체에 있어서의 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 보다 낮은 경우, 적층체의 유리 기판과 지지판을 박리하면, 유리 기판과 수지층이 부착된 지지판이 생긴다. 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 에 가까울수록 수지층의 응집 파괴가 생기기 쉬워져, 박리면에 수지가 부착된 유리 기판이 생기기 쉽다. 박리 강도 (x) 와 응집 파괴 강도 (z) 가 근접해 있는 경우, 개개의 적층체마다 수지가 부착된 유리 기판과 수지가 부착되지 않은 유리 기판이 생길 가능성이 있다. 따라서, 가령 수지의 부착이 없다고 생각되는 경우라 하더라도, 분리한 후의 유리 기판의 박리면에 미량의 수지의 부착 가능성을 고려하여, 수지를 제거하는 조작을 행하는 것이 바람직하다. As mentioned above, when the peeling strength (x) in the laminated body of this invention is lower than the cohesive fracture strength (z), when the glass substrate and support plate of a laminated body are peeled off, the support plate with a glass substrate and a resin layer will arise. . The closer the peeling strength (x) is to the cohesive failure strength (z), the more easily the cohesive failure of the resin layer occurs, and the glass substrate with the resin is likely to be formed on the peeling surface. When the peeling strength (x) and the cohesive failure strength (z) are close to each other, there is a possibility that a glass substrate with a resin and a glass substrate without a resin are formed for each laminate. Therefore, even if it is considered that there is no adhesion of resin, it is preferable to consider the possibility of adhering a trace amount of resin to the peeling surface of the glass substrate after separation, and to perform operation which removes resin.

박리 강도 (y) 는, 박리 강도 (x) 와 응집 파괴 강도 (z) 와 비교하여, 양자보다 충분히 높은 것이 바람직하다. 이에 따라, 분리후에 있어서의 지지판에 부착된 수지량을 유리 기판에 비교하여 상대적으로 많게 할 수 있다. 박리 강도 (y) 를 높이는 것은, 지지판에 대한 수지층의 부착력을 높이고, 또한 가열 처리후에 있어서 유리 기판에 대해서보다 상대적으로 높은 부착력을 유지할 수 있는 것을 의미한다.It is preferable that peeling strength (y) is sufficiently higher than both compared with peeling strength (x) and cohesive failure strength (z). Thereby, the amount of resin adhering to the support plate after separation can be made relatively large compared with a glass substrate. Increasing the peel strength (y) means that the adhesive force of the resin layer to the support plate can be increased, and the adhesive force relatively higher than that of the glass substrate can be maintained after the heat treatment.

지지판에 대한 수지층의 부착력을 높이기 위해서는, 경화성 실리콘 수지를 지지판 상에서 가교 경화시켜 수지층을 형성하는 것이 바람직하다. 가교 경화시의 접착력에 의해, 지지판에 대하여 높은 결합력으로 결합한 수지층을 형성할 수 있다.In order to raise the adhesive force of the resin layer with respect to a support plate, it is preferable to crosslink-cure hardenable silicone resin on a support plate, and to form a resin layer. By the adhesive force at the time of crosslinking hardening, the resin layer couple | bonded with the high bonding force with respect to the support plate can be formed.

한편, 가교 경화후의 가교 실리콘 수지의 유리 기판에 대한 결합력은, 상기 가교 경화시에 생기는 결합력보다 낮은 것이 통례이다. 따라서, 지지판 상에서 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 수지층을 형성하고, 그 후 가교 경화한 실리콘 수지로 이루어진 수지층의 면에 유리 기판을 적층하여, 적층체를 제조하는 것이 바람직하다. On the other hand, it is usual for the bonding force of the crosslinked silicone resin after crosslinking hardening to a glass substrate to be lower than the bonding force which arises at the time of the said crosslinking hardening. Therefore, it is preferable to crosslink-cure hardenable silicone resin on a support plate, to form a resin layer, and to laminate | stack a glass substrate on the surface of the resin layer which consists of crosslinking-hardened silicone resin, and to manufacture a laminated body.

축합 반응에 의해 가교된 가교 실리콘 수지의 층표면의 부착성은, 특허문헌 1 에 기재된 하이드로실릴레이션 반응에 의해 가교된 가교 실리콘 수지의 층표면보다 높다. 따라서, 본 발명에 있어서, 지지판 상에서 충분히 가교 경화시킨 실리콘 수지층의 표면에 유리 기판을 적층한 경우, 수지층 표면과 유리 기판 표면의 부착성은 특허문헌 1 에 기재된 적층체에 있어서의 경우보다 높다고 생각된다. 따라서, 본 발명의 적층체의 박리 강도 (x) 는, 특허문헌 1 에 기재된 적층체에 있어서의 수지층과 유리 기판층의 계면의 박리 강도에 비교하여 높아진다고 생각된다.The adhesion of the layer surface of the crosslinked silicone resin crosslinked by the condensation reaction is higher than the layer surface of the crosslinked silicone resin crosslinked by the hydrosilylation reaction described in Patent Document 1. Therefore, in this invention, when the glass substrate is laminated | stacked on the surface of the silicone resin layer fully crosslinked and hardened on the support plate, it is thought that the adhesiveness of the resin layer surface and the glass substrate surface is higher than the case in the laminated body of patent document 1 do. Therefore, it is thought that the peeling strength (x) of the laminated body of this invention becomes high compared with the peeling strength of the interface of the resin layer and glass substrate layer in the laminated body of patent document 1.

또한, 축합 반응에 의해 가교 경화하는 경화성 실리콘 수지의 반응성은, 하이드로실릴레이션 반응에 의해 가교 경화하는 경화성 실리콘 수지의 반응성보다 낮다고 생각된다. 따라서, 지지판 상에 형성한 수지층의 수지의 가교 반응을 유리 기판과 적층하기 전에 충분히 종료시켜 두는 것은 용이하지 않다. 미반응의 가교점이 잔존한 가교 실리콘으로 이루어진 수지층에 유리 기판을 적층하면, 적층후에 미반응의 가교점이 가교하여 수지가 유리 기판에 접착되어, 박리 강도 (x) 가 높아지는 것으로 생각된다. 특히, 적층체의 유리 기판 표면 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에는 가열 처리가 행해지는 경우가 많기 때문에, 이에 따라 유리 기판과 수지층의 계면의 결합이 진행되어, 전자 디바이스용 부재 형성 후의 적층체 (전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체) 에 있어서의 박리 강도 (x) 는 보다 높아지기 쉽다. Moreover, it is thought that the reactivity of the curable silicone resin crosslinking-curing by condensation reaction is lower than the reactivity of the curable silicone resin crosslinking-curing by hydrosilylation reaction. Therefore, it is not easy to complete | finish the crosslinking reaction of resin of the resin layer formed on the support plate before laminating | stacking with a glass substrate. When a glass substrate is laminated | stacked on the resin layer which consists of crosslinked silicone which the unreacted crosslinking point remained, after completion | finish, it is thought that an unreacted crosslinking point bridge | crosslinks and resin adheres to a glass substrate, and peeling strength (x) becomes high. In particular, when forming a member for an electronic device on the glass substrate surface of the laminate, heat treatment is often performed. Therefore, bonding of the interface between the glass substrate and the resin layer proceeds, thereby laminating the electronic device member after formation. The peeling strength (x) in a sieve (laminated body with a member for electronic devices) tends to be higher.

따라서, 본 발명에 있어서는, 박리시에 있어서는, 박리 강도 (x) 가 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 경우가 많다고 생각된다. Therefore, in the present invention, at the time of peeling, it is considered that the peeling strength (x) is often higher than the cohesive failure strength (z).

또, 축합 반응에 의해 가교 경화하는 경화성 실리콘 수지는, 경화 촉매를 사용하지 않고 가열에 의해 가교 반응을 충분히 진행시킬 수 있다. 경화 촉매가 잔존한 가교 실리콘 수지에서는 경화 촉매의 작용에 의해 가교 실리콘 수지의 해(解)중합에 의한 저분자량 실리콘 발생의 우려가 있고, 따라서 경화 촉매를 사용하지 않는 것에 의해 저분자량 실리콘의 생성을 적게 할 수 있다. Moreover, curable silicone resin crosslinked and hardened by condensation reaction can fully advance a crosslinking reaction by heating, without using a curing catalyst. In the crosslinked silicone resin in which the curing catalyst remains, there is a possibility that low molecular weight silicon is generated by the depolymerization of the crosslinked silicone resin by the action of the curing catalyst. Therefore, the production of low molecular weight silicone is prevented by not using the curing catalyst. You can do less.

저분자량 실리콘이 적은 것에 의해, 적층체의 유리 기판 표면 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 고온 조건하에 있어서 저분자량 실리콘에서 기인하는 가스 발생이 적어, 가스의 발생에 의한 전자 디바이스용 부재의 오염의 우려가 적다는 특징이 발휘된다. When the low molecular weight silicon is small, there is little gas generation resulting from low molecular weight silicon under the high temperature conditions at the time of forming a member for electronic devices on the glass substrate surface of a laminated body, It is characterized by a low risk of contamination.

또한, 가스 발생의 허용량 이하의 범위에 있어서, 박리 강도를 조정할 목적으로, 규소 화합물이나 불소 화합물 등을 이용한 적층하고자 하는 계면에 대한 박리 용이 처리를 적층전에 실시해도 된다. Moreover, in the range below the allowable amount of gas generation, you may perform the easy peeling process with respect to the interface to laminate | stack using a silicon compound, a fluorine compound, etc. before lamination for the purpose of adjusting peeling strength.

본 발명에 있어서, 유리 기판과 지지판의 분리는 전자 디바이스용 부재 형성후의 적층체 (전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체) 에 대하여 행해지는 것이 통례이기 때문에, 분리된 유리 기판 (부재가 부착된 유리 기판) 의 박리면에는 수지가 부착되어 있다고 생각된다. 상기와 같이, 부재가 부착된 유리 기판의 박리면에 수지가 부착되어 있는 것은 바람직하지 않아, 부재가 부착된 유리 기판의 박리면에 부착된 수지는 통상 그 제거를 필요로 한다. 본 발명에 있어서의 수지는 용제 용해성을 가지며, 따라서, 용제를 사용한 제거 조작으로 수지를 제거하는 것이 바람직하다. In the present invention, since the separation of the glass substrate and the supporting plate is conventionally performed on the laminate after forming the electronic device member (the laminate with the electronic device member attached), the separated glass substrate (glass with the member attached) It is thought that resin adheres to the peeling surface of the board | substrate). As mentioned above, it is not preferable that resin adheres to the peeling surface of the glass substrate with a member, and resin attached to the peeling surface of the glass substrate with a member normally requires the removal. Resin in this invention has solvent solubility, Therefore, it is preferable to remove resin by the removal operation using a solvent.

도 1 은, 본 발명에 관련된 적층체의 일례의 모식적 단면도이다. 1 is a schematic sectional view of an example of a laminate according to the present invention.

도 1 에 나타낸 바와 같이, 적층체 (10) 는, 지지판 (12) 의 층과 유리 기판 (16) 의 층과 그것들 사이에 수지층 (14) 이 존재하는 적층체이다. 수지층 (14) 은, 그 한쪽 면이 지지판 (12) 의 층에 접함과 함께, 그 다른쪽 면이 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 에 접하고 있다. 바꾸어 말하면, 수지층 (14) 은 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 에 접하고 있다. As shown in FIG. 1, the laminated body 10 is a laminated body in which the resin layer 14 exists between the layer of the support plate 12, the layer of the glass substrate 16, and them. One side of the resin layer 14 is in contact with the layer of the support plate 12, and the other side thereof is in contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16. In other words, the resin layer 14 is in contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16.

지지판 (12) 의 층 및 수지층 (14) 으로 이루어진 2 층 부분은, 액정 패널 등의 전자 디바이스용 부재를 제조하는 부재 형성 공정에 있어서, 유리 기판 (16) 을 보강한다. 또한, 적층체 (10) 제조를 위해 미리 제조되는 지지판 (12) 의 층 및 수지층 (14) 으로 이루어진 2 층 부분을 수지층이 부착된 지지판 (18) 이라고 한다. The two-layer part which consists of the layer of the support plate 12 and the resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in the member formation process which manufactures components for electronic devices, such as a liquid crystal panel. In addition, the two-layer part which consists of the layer of the support plate 12 previously manufactured for manufacture of the laminated body 10, and the resin layer 14 is called the support plate 18 with a resin layer.

이 적층체 (10) 는 부재 형성 공정까지 사용된다. 즉, 이 적층체 (10) 는, 그 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 표면 상에 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 전자 디바이스용 부재가 형성된 적층체는, 지지판 (12) 과 부재가 부착된 유리 기판으로 분리되고, 부재가 부착된 유리 기판의 박리면에 수지가 부착되어 있는 경우에는 그 부착된 수지가 제거된다. 수지가 부착된 지지판 (12) (또는 수지층 (14) 을 갖는 지지판 (12)) 은 전자 디바이스를 구성하는 부분은 되지 않는다. 분리된 지지판 (12) 은, 필요에 따라 부착된 수지나 수지층 (14) 을 제거한 후 새로운 유리 기판 (16) 과 적층되어, 적층체 (10) 로서 재이용할 수 있다. This laminated body 10 is used up to a member formation process. That is, this laminated body 10 is used until the member for electronic devices, such as a liquid crystal display device, is formed on the surface of the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16. FIG. Then, the laminated body in which the electronic device member was formed is isolate | separated into the support plate 12 and the glass substrate with a member, and when the resin is affixed to the peeling surface of the glass substrate with a member, the attached resin is Removed. The support plate 12 with resin (or the support plate 12 having the resin layer 14) does not become a part constituting the electronic device. The separated support plate 12 is laminated with a new glass substrate 16 after removing the attached resin and the resin layer 14 as needed, and can be reused as the laminate 10.

이하에, 우선, 적층체를 구성하는 각 층 (유리 기판, 지지판, 수지층) 및 수지 재료에 관해서 상세하게 서술하고, 그 후 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법에 관해서 상세하게 서술한다. Below, each layer (glass substrate, support plate, resin layer) and resin material which comprise a laminated body are explained in full detail first, and the laminated body and the manufacturing method of an electronic device are explained in full detail after that.

(유리 기판) (Glass substrate)

유리 기판 (16) 은, 제 1 주면 (16a) 이 수지층 (14) 과 접하고, 수지층 (14) 측과는 반대측의 제 2 주면 (16b) 에 전자 디바이스용 부재가 설치된다. In the glass substrate 16, the 1st main surface 16a is in contact with the resin layer 14, and the member for electronic devices is provided in the 2nd main surface 16b on the opposite side to the resin layer 14 side.

유리 기판 (16) 의 종류는, 일반적인 것이면 되며, 예컨대, LCD, OLED 와 같은 표시 장치용의 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판 (16) 은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축률이 낮다. 열수축률의 지표로는, JIS R 3102 (1995 년 개정) 에 규정되어 있는 선팽창 계수가 이용된다. The kind of glass substrate 16 should just be a general thing, For example, the glass substrate for display apparatuses, such as LCD and OLED, etc. are mentioned. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance, moisture permeability, and low in heat shrinkage. As an index of thermal contraction rate, the linear expansion coefficient prescribed | regulated to JISR3102 (Rev. 1995) is used.

유리 기판 (16) 의 선팽창 계수가 크면, 부재 형성 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많기 때문에, 여러가지 문제점이 생기기 쉽다. 예컨대, 유리 기판 (16) 상에 TFT 를 형성하는 경우, 가열하에서 TFT 가 형성된 유리 기판 (16) 을 냉각시키면, 유리 기판 (16) 의 열수축에 의해 TFT 의 위치 어긋남이 지나치게 커질 우려가 있다.When the coefficient of linear expansion of the glass substrate 16 is large, since a member formation process often involves heat processing, various problems tend to arise. For example, when forming a TFT on the glass substrate 16, when the glass substrate 16 in which TFT was formed was cooled under heating, there exists a possibility that the position shift of TFT may become large largely by the heat shrink of the glass substrate 16. FIG.

유리 기판 (16) 은, 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이면 되며, 예컨대, 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운 드로우법, 풀콜법, 라버스법 등이 이용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판 (16) 은, 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아 늘려 얇게 하는 방법 (리드로우법) 으로 성형하여 얻어진다. The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and shaping molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a laverse method and the like are used. Moreover, especially the glass substrate 16 with a thin thickness is obtained by shape | molding the glass once shape | molded at plate shape by the method (stretch method) which stretches and thins by means, such as extending | stretching, by means of extending | stretching temperature.

유리 기판 (16) 의 유리는, 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다라임 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주요 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 ∼ 90 질량% 인 유리가 바람직하다. Although the glass of the glass substrate 16 is not specifically limited, Oxide type glass which has alkali-borosilicate glass, borosilicate glass, soda-lime glass, high silica glass, and other silicon oxide as a main component is preferable. As oxide type glass, glass with a content of 40-90 mass% of the silicon oxide by oxide conversion is preferable.

유리 기판 (16) 의 유리로는, 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채택된다. 예컨대, 액정 패널용의 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 미치기 쉽다는 점에서, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리 (무알칼리 유리) 로 이루어진다 (단, 통상 알칼리 토금속 성분은 포함됨). 이와 같이, 유리 기판 (16) 의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절하게 선택된다. As glass of the glass substrate 16, the glass suitable for the kind of electronic device member or its manufacturing process is employ | adopted. For example, the glass substrate for a liquid crystal panel consists of glass (alkali free glass) which does not substantially contain an alkali metal component, since the elution of an alkali metal component tends to affect a liquid crystal (however, an alkali earth metal component is normally Is included). Thus, the glass of the glass substrate 16 is suitably selected based on the kind of device applied, and its manufacturing process.

유리 기판 (16) 의 두께는, 유리 기판 (16) 의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 0.3 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15 ㎜ 이하이다. 0.3 ㎜ 이하인 경우, 유리 기판 (16) 에 양호한 플렉시블성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15 ㎜ 이하인 경우, 유리 기판 (16) 을 롤형으로 권취하는 것이 가능하다. It is preferable that the thickness of the glass substrate 16 is 0.3 mm or less from a viewpoint of thinning and / or lightening of the glass substrate 16, More preferably, it is 0.15 mm or less. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give favorable flexibility to the glass substrate 16. When it is 0.15 mm or less, it is possible to wind up the glass substrate 16 in roll shape.

또, 유리 기판 (16) 의 두께는, 유리 기판 (16) 의 제조가 용이한 것, 유리 기판 (16) 의 취급이 용이한 것 등의 이유에서 0.03 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness of the glass substrate 16 is 0.03 mm or more for the reason that manufacture of the glass substrate 16 is easy, and the handling of the glass substrate 16 is easy.

또한, 유리 기판 (16) 은 2 층 이상으로 이루어져 있어도 되고, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료여도 되고, 이종 재료여도 된다. 또, 이 경우, 「유리 기판 (16) 의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, the glass substrate 16 may consist of two or more layers, In this case, the material which forms each layer may be a homogeneous material, or a heterogeneous material may be sufficient as it. In this case, "thickness of the glass substrate 16" shall mean the thickness of the sum total of all the layers.

[지지판][Support plate]

지지판 (12) 은, 유리 기판 (16) 을 지지하여 보강하며, 후술하는 부재 형성 공정 (전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정) 에 있어서 전자 디바이스용 부재의 제조시에 유리 기판의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.The support plate 12 supports and reinforces the glass substrate 16, and in the member formation process (step of manufacturing a member for an electronic device) which will be described later, deformation of the glass substrate and generation of scratches, Prevent damage.

지지판 (12) 으로는, 예컨대, 유리판, 플라스틱판, SUS 판 등의 금속판 등이 이용된다. 통상, 부재 형성 공정이 열처리를 수반하기 때문에, 지지판 (12) 은 유리 기판 (16) 과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판 (16) 과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하고, 지지판 (12) 은 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 지지판 (12) 은, 유리 기판 (16) 과 동일한 유리 재료로 이루어진 유리판인 것이 바람직하다.As the support plate 12, metal plates, such as a glass plate, a plastic plate, and a SUS board, etc. are used, for example. Usually, since the member formation process involves heat treatment, the support plate 12 is preferably formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion with the glass substrate 16, and more preferably formed of the same material as the glass substrate 16. It is preferable that the support plate 12 is a glass plate. In particular, the support plate 12 is preferably a glass plate made of the same glass material as that of the glass substrate 16.

지지판 (12) 의 두께는, 유리 기판 (16) 보다 두꺼워도 되고 얇아도 된다. 바람직하게는, 유리 기판 (16) 의 두께, 수지층 (14) 의 두께 및 적층체 (10) 의 두께에 기초하여, 지지판 (12) 의 두께가 선택된다. 예컨대, 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5 ㎜ 의 기판을 처리하도록 설계된 것이며, 유리 기판 (16) 의 두께와 수지층 (14) 의 두께의 합이 0.1 ㎜ 인 경우, 지지판 (12) 의 두께를 0.4 ㎜ 로 한다. 지지판 (12) 의 두께는, 통상의 경우 0.2 ∼ 5.0 ㎜ 인 것이 바람직하다.The thickness of the support plate 12 may be thicker or thinner than the glass substrate 16. Preferably, the thickness of the support plate 12 is selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the resin layer 14, and the thickness of the laminated body 10. For example, the current member formation process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and when the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the resin layer 14 is 0.1 mm, the thickness of the support plate 12 is 0.4. Let it be mm. It is preferable that the thickness of the support plate 12 is 0.2-5.0 mm normally.

지지판 (12) 이 유리판인 경우, 유리판의 두께는, 취급이 쉽고 깨어지기 어려운 등의 이유에서, 0.08 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또, 유리판의 두께는, 전자 디바이스용 부재 형성후에 박리할 때, 깨어지지 않고 적당히 휘어지는 강성이 요구되는 이유에서, 1.0 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. When the support plate 12 is a glass plate, it is preferable that the thickness of a glass plate is 0.08 mm or more for the reason of being easy to handle and hard to break. Moreover, when the thickness of a glass plate peels after formation of the member for electronic devices, it is preferable that it is 1.0 mm or less, for the reason that rigidity which is bent moderately without breaking is calculated | required.

지지판 (12) 과 유리 기판 (16) 의 25 ∼ 300 ℃ 에 있어서의 평균 선팽창 계수 (이하, 간단히 「평균 선팽창 계수」 라고 함) 의 차는, 바람직하게는 500 × 10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300 × 10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200 × 10-7/℃ 이하이다. 차가 지나치게 크면, 부재 형성 공정에서의 가열 냉각시에, 적층체 (10) 가 심하게 휘어지거나, 지지판 (12) 과 유리 기판 (16) 이 박리되거나 할 가능성이 있다. 지지판 (12) 의 재료가 유리 기판 (16) 의 재료와 동일한 경우, 이러한 문제가 생기는 것을 억제할 수 있다. The difference between the average linear expansion coefficient (hereinafter, simply referred to as "average linear expansion coefficient") at 25 to 300 ° C of the support plate 12 and the glass substrate 16 is preferably 500 × 10 -7 / ° C or less, and more Preferably it is 300x10 <-7> / degrees C or less, More preferably, it is 200x10 <-7> / degrees C or less. When the difference is too large, there is a possibility that the laminate 10 is severely warped or the support plate 12 and the glass substrate 16 are peeled off at the time of heating and cooling in the member forming step. When the material of the support plate 12 is the same as the material of the glass substrate 16, it can suppress that this problem arises.

[수지층][Resin layer]

수지층 (14) 은, 유리 기판 (16) 과 지지판 (12) 을 분리하는 조작이 행해질 때까지 유리 기판 (16) 의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 유리 기판 (16) 등이 분리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다. 수지층 (14) 의 유리 기판 (16) 과 접하는 표면 (14a) 은, 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 에 밀착된다. 수지층 (14) 은 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 에 약한 결합력으로 결합되어 있고, 그 계면의 박리 강도 (x) 는, 수지층 (14) 과 지지판 (12) 사이의 계면의 박리 강도 (y) 보다 낮은 경우가 많다. 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 계면의 결합력은, 적층체 (10) 의 유리 기판 (16) 의 면 (제 2 주면 (16b)) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 전후에 변화해도 된다 (즉, 박리 강도 (x) 가 변화해도 된다). 그러나, 전자 디바이스용 부재를 형성한 후에도, 박리 강도 (x) 는 박리 강도 (y) 보다 낮은 것이 바람직하다. While the resin layer 14 prevents the position shift of the glass substrate 16 until the operation which isolate | separates the glass substrate 16 and the support plate 12 is performed, the glass substrate 16 etc. are removed by a separation operation. To prevent breakage. The surface 14a in contact with the glass substrate 16 of the resin layer 14 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16. The resin layer 14 is bonded by the weak bond force to the 1st main surface 16a of the glass substrate 16, and the peeling strength (x) of the interface is a thing of the interface between the resin layer 14 and the support plate 12. It is often lower than peel strength (y). The bonding force of the interface of the resin layer 14 and the glass substrate 16 changes before and after forming the member for electronic devices on the surface (second main surface 16b) of the glass substrate 16 of the laminated body 10. You may change (that is, peeling strength (x) may change). However, even after forming the member for electronic devices, it is preferable that peeling strength (x) is lower than peeling strength (y).

수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 층은 약한 접착력이나 반데르발스력에서 기인하는 결합력으로 결합되어 있다고 생각된다. 수지층 (14) 을 형성한 후 그 표면에 유리 기판 (16) 을 적층하는 경우, 수지층 (14) 의 가교 실리콘 수지가 접착력을 나타내지 않을 정도로 충분히 가교되어 있는 경우에는 반데르발스력에서 기인하는 결합력으로 결합되어 있다고 생각된다. 그러나, 상기와 같이, 수지층 (14) 의 가교 실리콘 수지는, 어느 정도의 약한 접착력을 갖는 경우가 적지 않다. 가령 접착성이 매우 낮은 경우라 하더라도, 적층체 제조 후 그 적층체 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에는, 가열 조작 등에 의해 수지층 (14) 의 가교 실리콘 수지는 유리 기판면에 접착하고, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 층 사이의 결합력은 상승한다고 생각된다. It is thought that the layers of the resin layer 14 and the glass substrate 16 are bonded by the bonding force resulting from a weak adhesive force and van der Waals force. In the case where the glass substrate 16 is laminated on the surface after the resin layer 14 is formed, when the crosslinked silicone resin of the resin layer 14 is sufficiently crosslinked so as not to exhibit adhesive force, it is caused by van der Waals force. It is thought that it is combined by the bonding force. However, as mentioned above, the crosslinked silicone resin of the resin layer 14 does not have some weak adhesive force in some cases. For example, even when the adhesiveness is very low, when forming a member for an electronic device on the laminate after manufacture of the laminate, the crosslinked silicone resin of the resin layer 14 adheres to the glass substrate surface by heating operation or the like. It is thought that the bonding force between the layer 14 and the layer of the glass substrate 16 rises.

경우에 따라서, 적층전의 수지층 (14) 의 표면이나 적층전의 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 에 양자간의 결합력을 약하게 하는 처리를 행하여 적층할 수도 있다. 적층하는 면에 비접착성 처리 등을 행하고, 그 후 적층함으로써, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 층의 계면의 결합력을 약하게 하여, 박리 강도 (x) 를 낮게 할 수 있다. In some cases, a treatment may be applied to the surface of the resin layer 14 before lamination or the first main surface 16a of the glass substrate 16 before lamination to weaken the bonding force between the two. By carrying out non-adhesive treatment or the like on the surface to be laminated, and laminating thereafter, the bonding strength of the interface between the resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 can be weakened, and the peeling strength (x) can be made low.

수지층 (14) 은, 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지판 (12) 표면에 결합되어 있다. 예를 들면, 후술하는 경화성 실리콘 수지를 지지판 (12) 표면에서 가교 경화시킴으로써, 가교한 수지를 지지판 (12) 표면에 접착하여 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또, 지지판 (12) 표면과 수지층 (14) 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리 (예컨대, 커플링제를 사용한 처리) 를 실시하여 지지판 (12) 표면과 수지층 (14) 사이의 결합력을 높일 수 있다. The resin layer 14 is bonded to the surface of the support plate 12 with strong bonding force such as adhesive force and adhesive force. For example, by crosslinking-curing the curable silicone resin mentioned later on the support plate 12 surface, the crosslinked resin can be adhered to the support plate 12 surface to obtain a high bonding force. In addition, a treatment for generating a strong bonding force between the surface of the support plate 12 and the resin layer 14 (for example, a treatment using a coupling agent) may be performed to increase the bonding force between the surface of the support plate 12 and the resin layer 14. have.

수지층 (14) 과 지지판 (12) 의 층이 높은 결합력으로 결합되어 있는 것은, 양자의 계면의 박리 강도 (y) 가 높은 것을 의미한다. The bonding of the layers of the resin layer 14 and the support plate 12 with high bonding force means that the peeling strength (y) of both interfaces is high.

수지층 (14) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1 ∼ 5 ㎛ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 4 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 1 ∼ 3 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 수지층 (14) 의 두께가 이와 같은 범위이면, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 사이에 기포나 이물질이 개재하는 경우가 있더라도, 유리 기판 (16) 의 변형 결함의 발생을 억제할 수 있다. 또, 수지층 (14) 의 두께가 지나치게 두꺼우면, 형성하는 데 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 않다. Although the thickness of the resin layer 14 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-5 micrometers, It is more preferable that it is 1-4 micrometers, It is further more preferable that it is 1-3 micrometers. If the thickness of the resin layer 14 is such a range, even if air bubbles or foreign substances may intervene between the resin layer 14 and the glass substrate 16, generation | occurrence | production of the deformation | transformation defect of the glass substrate 16 can be suppressed. have. Moreover, when the thickness of the resin layer 14 is too thick, since it requires time and a material to form, it is not economical.

또한, 수지층 (14) 은 2 층 이상으로 이루어져 있어도 된다. 이 경우 「수지층 (14) 의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다. In addition, the resin layer 14 may consist of two or more layers. In this case, "thickness of the resin layer 14" shall mean the thickness of the sum total of all the layers.

또, 수지층 (14) 이 2 층 이상으로 이루어진 경우는, 각각의 층을 형성하는 수지가 상이한 가교 실리콘 수지로 이루어져도 된다. Moreover, when the resin layer 14 consists of two or more layers, resin which forms each layer may consist of different crosslinked silicone resins.

수지층 (14) 의 수지는, 그 재료의 특성으로서 그 자체의 강도를 가지며, 응집 파괴 강도 (z) 이상의 응력을 받으면 수지가 파괴된다. 따라서, 수지층 (14) 에 그 두께 방향이며 또한 잡아 늘리는 방향의 응력을 받아, 그 응력이 응집 파괴 강도 (z) 이상이 되면 수지층 (14) 이 층의 내부에서 파괴된다. 그 결과, 파괴면으로부터 유리 기판측의 수지층은 유리 기판 표면에 부착되고, 파괴면으로부터 지지판 (12) 측의 수지층 (14) 은 지지판 (12) 표면에 부착된다. 따라서, 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체에 있어서 수지층 (14) 의 수지가 응집 파괴되면, 한쪽은 제 1 주면 (16a) 에 수지가 부착된 부재가 부착된 유리 기판이 되고, 다른쪽은 표면에 수지가 부착된 지지판 (12) 이 된다. The resin of the resin layer 14 has its own strength as a property of the material, and the resin is destroyed when a stress equal to or higher than the cohesive failure strength z is received. Therefore, when the resin layer 14 is subjected to a stress in the thickness direction and the stretching direction thereof, and the stress is equal to or higher than the cohesive failure strength z, the resin layer 14 is destroyed inside the layer. As a result, the resin layer on the glass substrate side is attached to the glass substrate surface from the fracture surface, and the resin layer 14 on the support plate 12 side is attached to the support plate 12 surface from the fracture surface. Therefore, when the resin of the resin layer 14 agglomerates and breaks in the laminated body with an electronic device member, one side will become the glass substrate with a member with resin attached to the 1st main surface 16a, and the other It becomes the support plate 12 with resin on the surface.

가교 실리콘 수지의 응집 파괴 강도 (z) 는, 그 재료로서의 특성으로서, 수지층 (14) 과 지지판 (12) 의 층 사이의 결합력을 특별히 낮게 하지 않는 한, 상기 박리 강도 (y) 보다 높아지는 경우는 적다. 한편, 상기 박리 강도 (x) 와 비교하면, 응집 파괴 강도 (z) 는, 박리 강도 (x) 보다 낮아지는 경우도 있고 높아지는 경우도 있다. 상기와 같이, 박리 강도 (x) 는 조정할 수 있으며, 또 변화하는 경우도 있다. 특히, 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에 박리 강도 (x) 가 상승하기 쉽고, 이에 따라, 응집 파괴 강도 (z) 는 박리 강도 (x) 보다 낮아지기 쉽다. The cohesive failure strength (z) of the crosslinked silicone resin is higher than the peel strength (y) unless the bond strength between the resin layer 14 and the layer of the support plate 12 is particularly low as a property thereof. little. On the other hand, compared with the said peeling strength (x), the cohesive failure strength (z) may become lower than peeling strength (x), and may increase. As mentioned above, peeling strength (x) can be adjusted and may change. In particular, when the member for an electronic device is formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16, the peel strength x easily rises, whereby the cohesive failure strength z is higher than the peel strength x. Easy to be lowered

수지층 (14) 이 응집 파괴된 경우, 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 의 전체면에 수지가 꼭 부착된다고는 할 수 없다. 응집 파괴 강도 (z) 와 박리 강도 (x) 의 차가 작은 경우, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 층이 부분적으로 계면 박리되고, 유리 기판 표면의 제 1 주면 (16a) 의 일부에 수지가 부착되지 않은 면이 생기는 경우도 있다. When the resin layer 14 is cohesive-broken, resin may not necessarily adhere to the whole surface of the 1st main surface 16a of the glass substrate 16. As shown in FIG. When the difference between the cohesive failure strength z and the peeling strength x is small, the layer of the resin layer 14 and the glass substrate 16 is partially interfacially peeled off, and a part of the first main surface 16a on the surface of the glass substrate is The surface on which resin does not adhere may arise.

[가교 실리콘 수지][Crosslinked Silicone Resin]

수지층 (14) 은 가교 실리콘 수지로 이루어진다. 가교 실리콘 수지는, 경화성 실리콘 수지를 가교 경화하여 얻어진다. 본 발명에 있어서의 경화성 실리콘 수지는, 모노머인 가수분해성 오르가노실란 화합물의 혼합물 (모노머 혼합물) 이거나, 또는 모노머 혼합물을 부분 가수분해 축합 반응시켜 얻어지는 부분 가수분해 축합물이다. 또, 부분 가수분해 축합물과 모노머의 혼합물이어도 된다. 본 발명에 있어서의 경화성 실리콘 수지로는 모노머 혼합물의 부분 가수분해 축합물이 바람직하다. The resin layer 14 consists of crosslinked silicone resin. Crosslinked silicone resin is obtained by crosslinking-hardening curable silicone resin. Curable silicone resin in this invention is a mixture (monomer mixture) of the hydrolyzable organosilane compound which is a monomer, or the partial hydrolysis-condensation product obtained by carrying out partial hydrolysis condensation reaction of a monomer mixture. Moreover, the mixture of a partial hydrolysis-condensation product and a monomer may be sufficient. As curable silicone resin in this invention, the partial hydrolysis-condensation product of a monomer mixture is preferable.

경화성 실리콘 수지를 가교 경화시키기 위해서는, 통상 가열에 의해 가교 반응을 진행시켜 경화시킨다 (즉, 열경화시킨다). 경화성 실리콘 수지를 열경화시킴으로써 가교 실리콘 수지가 얻어진다. 단, 경화에 반드시 가열을 필요로 하지 않는 경우도 있어, 실온 경화시킬 수도 있다.In order to crosslink and harden curable silicone resin, a crosslinking reaction is normally advanced by hardening, and it hardens | cures (that is, thermosets). A crosslinked silicone resin is obtained by thermosetting curable silicone resin. However, hardening does not necessarily require heating, and it can also harden at room temperature.

통상, 가교 실리콘 수지는, T 단위라고 불리는 3 관능 오르가노실록시 단위와 D 단위라고 불리는 2 관능 오르가노실록시 단위로 이루어진다. 경우에 따라서, M 단위라고 불리는 1 관능 오르가노실록시 단위나 Q 단위라고 불리는 4 관능 오르가노실록시 단위를 포함하는 경우도 있다. 또한, Q 단위는 규소 원자에 결합한 유기기 (규소 원자에 결합한 탄소 원자를 갖는 유기기) 를 갖지 않는 단위이지만, 본 발명에 있어서는 오르가노실록시 단위로 간주한다. 본 발명에 있어서의 후술하는 오르가노실록시 단위 (A-1) 이나 후술하는 오르가노실록시 단위 (B-2) 는 T 단위이며, 후술하는 오르가노실록시 단위 (B-1) 이나 후술하는 오르가노실록시 단위 (A-2) 는 D 단위이다. 또한, 이하, 오르가노실록시 단위 (A-1) 을 간단히 (A-1) 단위, 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 간단히 (B-1) 단위라고도 한다. 다른 오르가노실록시 단위에 관해서도 마찬가지이다. Usually, a crosslinked silicone resin consists of a trifunctional organo siloxy unit called a T unit, and a bifunctional organo siloxy unit called a D unit. In some cases, a monofunctional organosiloxy unit called an M unit or a tetrafunctional organosiloxy unit called a Q unit may be included. In addition, although a Q unit is a unit which does not have the organic group (organic group which has the carbon atom couple | bonded with the silicon atom) couple | bonded with the silicon atom, it considers as organo siloxy unit in this invention. The organosiloxy unit (A-1) mentioned later and the organosiloxy unit (B-2) mentioned later in this invention are T units, and the organosiloxy unit (B-1) mentioned later and later mentioned The organosiloxy unit (A-2) is a D unit. In addition, hereinafter, the organosiloxy unit (A-1) is simply referred to as the (A-1) unit, and the organosiloxy unit (B-1) is also referred to simply as the (B-1) unit. The same applies to other organosiloxy units.

통상, 가교 실리콘 수지에 있어서의 M 단위는 가교 실리콘 수지나 경화성 실리콘 수지의 분자량을 조절하기 위해 사용되며, Q 단위는 가교점을 증대시키기 위해 사용된다. 본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지는 M 단위도 Q 단위도 필요로 하지 않으며, M 단위도 Q 단위도 포함하지 않는 것이 바람직하고, 포함하는 경우가 있다 하더라도 그 수는 적은 것이 바람직하다. Usually, M unit in crosslinked silicone resin is used in order to adjust the molecular weight of crosslinked silicone resin or curable silicone resin, and Q unit is used in order to increase a crosslinking point. The crosslinked silicone resin in the present invention does not require neither M unit nor Q unit, preferably contains neither M unit nor Q unit, and even if it is included, the number thereof is preferably small.

본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지의 전체 오르가노실록시 단위에 대한 T 단위와 D 단위의 합계의 비율은, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 90 ∼ 100 몰% 가 바람직하고, 95 ∼ 100 몰% 가 보다 바람직하다. 본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지가 M 단위 및/또는 Q 단위를 포함하는 경우, M 단위와 Q 단위의 비율은 각각 10 몰% 미만 (단, 양자의 합계는 10 몰% 미만) 이 바람직하고, 각각 5 몰% 미만 (단, 양자의 합계는 5 몰% 미만) 이 바람직하다. 본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지는 M 단위와 Q 단위 모두 포함하지 않는 것이 특히 바람직하다. 90-100 mol% is preferable and, as for the ratio of the sum total of T unit and D unit with respect to the total organosiloxy unit of the crosslinked silicone resin in this invention, the effect of this invention is more preferable, 95- 100 mol% is more preferable. In the case where the crosslinked silicone resin in the present invention contains M units and / or Q units, the ratio of the M units and the Q units is preferably less than 10 mol% (but the sum of both is less than 10 mol%), Less than 5 mol% each (but the sum total is less than 5 mol%) is preferable. It is especially preferable that the crosslinked silicone resin in this invention does not contain both M unit and Q unit.

가교 실리콘 수지가 M 단위를 많이 포함하는 경우에는 수지의 내열성이 저하되기 쉽고, Q 단위를 많이 포함하는 경우에는 수지의 취성이 커지기 쉬워, 모두 본 발명에 있어서의 수지층의 재료로서 적합하지 않을 우려가 생긴다. When crosslinked silicone resin contains many M units, the heat resistance of resin will fall easily, and when it contains many Q units, the brittleness of resin will become large easily, and all are not suitable as a material of the resin layer in this invention. Occurs.

본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지는, 후술하는 식 (1) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-1) 과, 후술하는 식 (2) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 포함한다. 전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) 단위와 (B-1) 단위의 합계량 ((A-1) + (B-1) 으로 나타냄) 의 비율은 70 ∼ 100 몰% 이고, 30 몰% 미만은 (A-1) 단위 이외의 T 단위, (B-1) 단위 이외의 D 단위, M 단위 및 Q 단위의 합계량이다. M 단위와 Q 단위는 포함하지 않는 것이 바람직하고, 그 경우 30 몰% 미만은 (A-1) 단위 이외의 T 단위와 (B-1) 단위 이외의 D 단위의 합계량이다. 전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) + (B-1) 의 비율은 85 ∼ 100 몰% 인 것이 바람직하고, 90 ∼ 100 몰% 인 것이 보다 바람직하다. 나머지 단위는 (A-1) 단위 이외의 T 단위 (특히 후술하는 오르가노실록시 단위 (B-2) 가 바람직함) 및/또는 (B-1) 단위 이외의 D 단위 (특히 후술하는 오르가노실록시 단위 (A-2) 가 바람직함) 인 것이 바람직하다. The crosslinked silicone resin in the present invention is an organosiloxy unit (A-1) represented by formula (1) described later and an organosiloxy unit (B-1) represented by formula (2) described later. It includes. The ratio of the total amount (represented by (A-1) + (B-1)) of the (A-1) unit and the (B-1) unit to all the organosiloxy units is 70 to 100 mol%, 30 mol Less than% is the total amount of T units other than (A-1) units, D units other than (B-1) units, M units, and Q units. It is preferable not to include M unit and Q unit, and in that case, less than 30 mol% is the total amount of T unit other than (A-1) unit, and D unit other than (B-1) unit. It is preferable that it is 85-100 mol%, and, as for the ratio of (A-1) + (B-1) with respect to all organo siloxy units, it is more preferable that it is 90-100 mol%. The remaining units are T units (particularly preferred organosiloxy unit (B-2) described later) other than the (A-1) unit and / or D units other than the (B-1) unit (organo described in particular later) Siloxy unit (A-2) is preferred).

본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지에 있어서, (A-1) 단위와 (B-1) 단위의 합계에 대한 (A-1) 단위의 비율, 즉 (A-1)/[(A-1) + (B-1)] 은 15 ∼ 50 몰% 이다. 보다 바람직한 이 비율은 20 ∼ 40 몰% 이다. In the crosslinked silicone resin in the present invention, the ratio of the (A-1) unit to the total of the (A-1) unit and the (B-1) unit, that is, (A-1) / [(A-1) + (B-1)] is 15-50 mol%. More preferably, this ratio is 20-40 mol%.

(A-1) 단위가 15 몰% 미만인 경우, 가교 실리콘 수지의 내열성이 떨어지고 수지층에 보이드 등이 생기기 쉽고, 한편, (A-1) 단위가 50 몰% 초과인 경우, 수지의 취성이 커져 수지층에 크랙 등이 생기기 쉽고, 모두 수지층 형성시에 표면의 평탄성이 저하되기 쉬워 그 수지층 표면에 유리 기판을 적층하는 것이 어려워지기 쉽다.In the case where the unit (A-1) is less than 15 mol%, the heat resistance of the crosslinked silicone resin is poor and voids are likely to occur in the resin layer, while in the case where the unit (A-1) is more than 50 mol%, the brittleness of the resin becomes large. A crack etc. tend to arise in a resin layer, and the flatness of a surface falls easily at the time of resin layer formation, and it is easy to laminate | stack a glass substrate on the resin layer surface.

가교 실리콘 수지가 (A-1) 단위 이외의 T 단위나 (B-1) 단위 이외의 D 단위를 포함하는 경우, (A-1) 단위를 포함한 전체 T 단위와 (B-1) 단위를 포함한 전체 D 단위의 합계량에 대한 전체 T 단위의 비율, 즉 T/[T + D] 는 15 ∼ 50 몰% 인 것이 바람직하고, 20 ∼ 40 몰% 인 것이 보다 바람직하다. T 단위의 비율이 15 몰% 미만이 되면 가교 실리콘 수지의 내열성이 저하되기 쉽고, T 단위의 비율이 50 몰% 초과가 되면 가교 실리콘 수지의 취성이 커지기 쉽다. When the crosslinked silicone resin contains T units other than the (A-1) unit or D units other than the (B-1) unit, the total T units including the (A-1) unit and the (B-1) unit are included. It is preferable that it is 15-50 mol%, and, as for the ratio of all T units, ie T / [T + D], with respect to the total amount of all D units, it is more preferable that it is 20-40 mol%. When the ratio of the T unit is less than 15 mol%, the heat resistance of the crosslinked silicone resin tends to be lowered. When the ratio of the T unit is more than 50 mol%, the brittleness of the crosslinked silicone resin tends to increase.

본 발명에 있어서의 오르가노실록시 단위 (A-1) 은 하기 식 (1) 로 표시되는 단위이며, 오르가노실록시 단위 (B-1) 은 하기 식 (2) 로 표시되는 단위이다. 단, 하기 식 (1) 및 식 (2) 에 있어서, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. R6, R7 은, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. The organosiloxy unit (A-1) in this invention is a unit represented by following formula (1), and an organo siloxy unit (B-1) is a unit represented by following formula (2). However, in following formula (1) and formula (2), R <1> represents a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group. R 6 and R 7 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112014036261018-pct00001
Figure 112014036261018-pct00001

식 (1) 로 나타낸 바와 같이, (A-1) 단위는 페닐기를 갖는 T 단위이며, 그 페닐기는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 갖고 있어도 된다. R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 또는 2 의 알킬기가 바람직하고, 특히 수소 원자가 바람직하다. 식 (2) 로 나타낸 바와 같이, (B-1) 단위는 2 개의 알킬기를 갖는 D 단위이다. 2 개의 알킬기는 각각 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하고, 모두 메틸기인 것이 보다 바람직하다. As represented by Formula (1), the unit (A-1) is a T unit having a phenyl group, and the phenyl group may have an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 1 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms, particularly preferably a hydrogen atom. As represented by Formula (2), the unit (B-1) is a D unit having two alkyl groups. It is preferable that it is a methyl group or an ethyl group, respectively, and, as for two alkyl groups, it is more preferable that all are methyl groups.

방향 고리가 규소 원자에 결합한 오르가노실록시 단위를 갖는 가교 실리콘 수지는, 알킬기가 규소 원자에 결합한 오르가노실록시 단위를 갖는 가교 실리콘 수지와 비교하여 내열성이 높다. T 단위의 비율이 큰 가교 실리콘 수지는 내열성이 양호하더라도 취성이 커지기 쉽지만, 본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지는 방향 고리를 갖는 T 단위를 가짐으로써, T 단위의 비율이 어느 정도 적은 것이라 하더라도, 내열성이 높고 취성이 낮은 가교 실리콘 수지가 된다. The crosslinked silicone resin having an organosiloxy unit in which the aromatic ring is bonded to the silicon atom has a higher heat resistance than the crosslinked silicone resin having an organosiloxy unit in which the alkyl group is bonded to the silicon atom. Although the crosslinked silicone resin having a large ratio of T units has a good heat resistance, brittleness tends to increase, but the crosslinked silicone resin in the present invention has a T unit having an aromatic ring, so that even if the ratio of the T units is somewhat small, This high crosslinking silicone resin is low.

(A-1) 단위 이외의 방향 고리가 규소 원자에 결합한 오르가노실록시 단위로는 하기 식 (3) 으로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-2) 가 바람직하고, 오르가노실록시 단위 (B-1) 이외의 알킬기가 규소 원자에 결합한 오르가노실록시 단위로는 하기 식 (4) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-2) 가 바람직하다. (A-2) 단위는 D 단위이며, (B-2) 단위는 T 단위이다. 하기 식 (3) 및 식 (4) 에 있어서, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. R6 은 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. As an organo siloxy unit which the aromatic ring other than the (A-1) unit couple | bonded with the silicon atom, the organo siloxy unit (A-2) represented by following formula (3) is preferable, and the organo siloxy unit ( As an organo siloxy unit which alkyl group other than B-1) couple | bonded with the silicon atom, the organo siloxy unit (B-2) represented by following formula (4) is preferable. The unit (A-2) is a D unit, and the unit (B-2) is a T unit. In following formula (3) and formula (4), R <1> represents a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and R <2> represents a C1-C4 alkyl group. R 6 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

[화학식 2] [Formula 2]

Figure 112014036261018-pct00002
Figure 112014036261018-pct00002

(A-1) 단위나 (A-2) 단위 이외의 방향 고리가 규소 원자에 결합한 오르가노실록시 단위로는, 2 개의 방향 고리를 갖는 D 단위가 있다. 또, (B-1) 단위나 (B-2) 단위 이외의 알킬기가 규소 원자에 결합한 오르가노실록시 단위로는, 탄소수가 5 이상인 알킬기를 갖는 D 단위나 T 단위가 있다. 그러나 이들 단위를 갖는 가교 실리콘 수지는 기계적 물성 등의 특성이 불충분해질 우려가 있어, 본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지로는 이와 같은 오르가노실록시 단위를 포함하지 않는 것이 바람직하다. As an organosiloxy unit which the aromatic ring other than the (A-1) unit and the (A-2) unit couple | bonded with the silicon atom, there exists a D unit which has two aromatic rings. Moreover, as an organo siloxy unit which alkyl groups other than (B-1) unit and (B-2) unit couple | bonded with the silicon atom, there exist a D unit and T unit which has a C5 or more alkyl group. However, the crosslinked silicone resin having these units may have insufficient properties such as mechanical properties, and the crosslinked silicone resin in the present invention preferably does not include such organosiloxy units.

본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지는, (A-2) 단위 및 (B-2) 단위 중 적어도 어느 한쪽을 포함하고 있어도 된다. 본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지가 (A-1) 단위, (B-1) 단위, 및 (A-2) 단위와 (B-2) 단위 중 적어도 어느 한쪽으로 이루어진 경우, 상기 T 단위와 D 단위의 합계에 대한 T 단위의 비율은 [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 에 대한 [(A-1) + (B-2)] 의 비율이며, 15 ∼ 50 몰% 가 바람직하고, 20 ∼ 40 몰% 인 것이 보다 바람직하다. The crosslinked silicone resin in the present invention may include at least either one of the (A-2) unit and the (B-2) unit. When the crosslinked silicone resin in the present invention is composed of at least one of (A-1) units, (B-1) units, and (A-2) units and (B-2) units, the T units and D The ratio of T units to the sum of units is [(A-1) + (B-2)] for [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] It is a ratio of 15-50 mol% is preferable, and it is more preferable that it is 20-40 mol%.

또, 전체 오르가노실록시 단위에 대한 방향 고리를 갖는 오르가노실록시 단위의 비율, 즉 [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 에 대한 [(A-1) + (A-2)] 의 비율은 20 ∼ 40 몰% 가 바람직하다. 보다 바람직한 이 비율은 20 ∼ 30 몰% 이다.Moreover, the ratio of the organosiloxy unit which has an aromatic ring with respect to all organo siloxy units, ie, with respect to [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] As for the ratio of [(A-1) + (A-2)], 20-40 mol% is preferable. More preferably, this ratio is 20-30 mol%.

또한, 상기와 같이 전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) 단위와 (B-1) 단위의 합계의 비율, 즉 [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 에 대한 [(A-1) + (B-1)] 의 비율은 70 ∼ 100 몰% 이고, 85 ∼ 100 몰% 인 것이 바람직하고, 95 ∼ 100 몰% 인 것이 보다 바람직하다. In addition, as described above, the ratio of the sum of the (A-1) units and the (B-1) units to the total organosiloxy units, that is, [(A-1) + (A-2) + (B-1) The ratio of [(A-1) + (B-1)] to + (B-2)] is 70 to 100 mol%, preferably 85 to 100 mol%, more preferably 95 to 100 mol%. desirable.

본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지는, 상기 식 (1) 및 식 (3) 에 있어서 하기 식 (9) 로 표시되는 페닐기 (X) 와, 상기 식 (2) 및 (4) 에 있어서의 R6 및/또는 R7 로 표시되는 알킬기 (Y) 의 비가 [(X)]/[(X) + (Y)] = 10 ∼ 40 (몰%) 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 20 (몰%) 인 것이 보다 바람직하다. 10 (몰%) 이상이면 내열성이 양호하고, 형성한 수지층의 평활성이 유지되기 때문에 양호하게 적층할 수 있다. 40 (몰%) 이하이면 양호하게 적층할 수 있을 정도의 점착성을 갖는다. The crosslinked silicone resin in the present invention is a phenyl group (X) represented by the following formula (9) in the formulas (1) and (3), and R 6 in the formulas (2) and (4). And / or the ratio of the alkyl group (Y) represented by R 7 is [(X)] / [(X) + (Y)] = 10-40 (mol%), and it is 10-20 (mol%) It is more preferable. If it is 10 (mol%) or more, heat resistance is favorable and since the smoothness of the formed resin layer is maintained, it can laminate | stack favorably. If it is 40 (mol%) or less, it has the adhesiveness of the grade which can be laminated | stacked favorably.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112014036261018-pct00003
Figure 112014036261018-pct00003

식 (9) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.In formula (9), R <1> represents a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group.

[경화성 실리콘 수지]Curable Silicone Resin

본 발명에 있어서의 가교 실리콘 수지에 있어서의 각 오르가노실록시 단위는 모노머인 가수분해성 오르가노실란 화합물로부터 생긴다. 가수분해성 오르가노실란 화합물에 있어서의 가수분해성기는, 알콕시기가 바람직하지만 이것에 한정되지 않고, 염소 원자 등의 할로겐 원자, 아실기, 아미노기, 알콕시알콕시기 등이어도 된다.Each organosiloxy unit in the crosslinked silicone resin in the present invention is formed from a hydrolyzable organosilane compound which is a monomer. Although an alkoxy group is preferable, the hydrolyzable group in a hydrolyzable organosilane compound is not limited to this, Halogen atoms, such as a chlorine atom, an acyl group, an amino group, an alkoxyalkoxy group, etc. may be sufficient.

가교 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘 수지로는, 모노머인 가수분해성 오르가노실란 화합물의 혼합물이어도 되지만, 가수분해성 오르가노실란 화합물의 혼합물로부터 얻어지는 부분 가수분해 축합물이 바람직하다. 부분 가수분해 축합물은 실라놀기를 가지며, 실라놀기끼리의 탈수 축합에 의해 가교하여 가교 실리콘 수지가 된다. 부분 가수분해 축합물은 가수분해성기를 포함하는 경우도 있고, 가수분해성기와 실라놀기의 축합 반응이나 가수분해성기끼리의 축합 반응에 의해 가교 경화하는 경우도 있다.As curable silicone resin used as a crosslinked silicone resin, although the mixture of the hydrolyzable organosilane compound which is a monomer may be sufficient, the partial hydrolysis-condensation product obtained from the mixture of a hydrolyzable organosilane compound is preferable. The partially hydrolyzed condensate has a silanol group and crosslinks by dehydration condensation of the silanol groups to form a crosslinked silicone resin. The partially hydrolyzed condensate may include a hydrolyzable group, or may be crosslinked and cured by a condensation reaction of a hydrolyzable group and a silanol group or a condensation reaction between hydrolyzable groups.

모노머인 가수분해성 오르가노실란 화합물로는, 가수분해성기로서 알콕시기를 갖는 알콕시실란 화합물이 바람직하다. (A-1) 단위가 되는 알콕시실란 화합물로는 하기 식 (5) 로 표시되는 화합물이 바람직하고, (B-1) 단위가 되는 알콕시실란 화합물로는 하기 식 (6) 으로 표시되는 화합물이 바람직하다. As a hydrolyzable organosilane compound which is a monomer, the alkoxysilane compound which has an alkoxy group as a hydrolyzable group is preferable. As an alkoxysilane compound used as a (A-1) unit, the compound represented by following formula (5) is preferable, and as an alkoxysilane compound used as a (B-1) unit, the compound represented by following formula (6) is preferable. Do.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112014036261018-pct00004
Figure 112014036261018-pct00004

상기 식 (5), 식 (6) 에 있어서, R1, R6, R7 은 각각 상기 식 (1), 식 (2) 에 있어서의 R1, R6, R7 과 동일하다. R3, R4, R5, R8 및 R9 는 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. In the formula (5), equation (6), R 1, R 6, R 7 is as defined in the formula (1), formula (2) R 1, R 6, R 7 in each. R 3 , R 4 , R 5 , R 8 and R 9 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3, R4, R5, R8, R9 는, 각각 독립적으로 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하고, 특히 R3, R4, R5 는 모두 메틸기인 것이 바람직하고, R8, R9 는 모두 에틸기인 것이 바람직하다. R 3, R 4, R 5 , R 8, R 9 are each independently preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly R 3, R 4, R 5 are both a methyl group is preferred, R 8, R 9 is It is preferable that all are ethyl groups.

(A-2) 단위가 되는 알콕시실란 화합물로는 하기 식 (7) 로 표시되는 화합물이 바람직하고, (B-2) 단위가 되는 알콕시실란 화합물로는 하기 식 (8) 로 표시되는 화합물이 바람직하다. As an alkoxysilane compound used as a (A-2) unit, the compound represented by following formula (7) is preferable, and as an alkoxysilane compound used as a (B-2) unit, the compound represented by following formula (8) is preferable. Do.

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112014036261018-pct00005
Figure 112014036261018-pct00005

상기 식 (7), 식 (8) 에 있어서, R1, R2, R6 은 각각 상기 식 (3), 식 (4) 에 있어서의 R1, R2, R6 과 동일하다. R3, R4, R8, R9, R10 은 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. In the formula (7), equation (8), R 1, R 2, R 6 is as defined in the formula (3), R 1, R 2, R 6 in the formula (4), respectively. R 3 , R 4 , R 8 , R 9 and R 10 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3, R4, R8, R9, R10 은, 각각 독립적으로 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하고, 특히 R3, R4 는 모두 메틸기인 것이 바람직하고, R8, R9, R10 은 모두 에틸기인 것이 바람직하다. R 3, R 4, R 8, R 9, R 10 are each independently preferably a methyl group or an ethyl group, and particularly R 3, R 4 are both a methyl group is preferred, R 8, R 9, R 10 is It is preferable that all are ethyl groups.

상기 식 (5) ∼ (8) 과 상기 식 (1) ∼ (4) 가 나타낸 바와 같이, 각 가수분해성 오르가노실란 화합물 1 분자와 각 오르가노실록시 단위 1 개는 1 대 1 로 대응한다. 즉, 가교 실리콘 수지에 있어서의 상기 각 오르가노실록시 단위의 비율은, 상기 각 가수분해성 오르가노실란 화합물 (모노머) 의 비율에 대응한다. 따라서, 상기 각 오르가노실록시 단위의 비율과 동일한 비율로 혼합한 모노머 혼합물이나 그 모노머 혼합물로부터 얻어지는 부분 가수분해 축합물을 경화성 실리콘 수지로서 사용함으로써, 상기 비율의 오르가노실록시 단위를 갖는 가교 실리콘 수지가 얻어진다. As shown in said Formula (5)-(8) and said Formula (1)-(4), each molecule | numerator of each hydrolysable organosilane compound and each organosiloxy unit correspond to one to one. That is, the ratio of each said organosiloxy unit in a crosslinked silicone resin corresponds to the ratio of said each hydrolysable organosilane compound (monomer). Therefore, by using as a curable silicone resin the monomer mixture mixed in the ratio same as the ratio of each said organo siloxy unit, or the partial hydrolysis-condensation product obtained from this monomer mixture, crosslinked silicone which has the organo siloxy unit of the said ratio Resin is obtained.

또한, M 단위가 되는 가수분해성 오르가노실란 화합물로는 트리메틸에톡시실란 등의 트리알킬알콕시실란 화합물이 바람직하고, Q 단위가 되는 가수분해성 실란 화합물 (단, 본 명세서에서는 가수분해성 오르가노실란 화합물로 간주함) 로는 테트라에톡시실란 등의 테트라알콕시실란 화합물이 바람직하다. Moreover, as a hydrolysable organosilane compound used as M unit, trialkyl alkoxysilane compounds, such as trimethylethoxysilane, are preferable, and the hydrolyzable silane compound used as Q unit (However, in this specification, as a hydrolyzable organosilane compound, Considered), tetraalkoxysilane compounds such as tetraethoxysilane are preferable.

경화성 실리콘 수지로는, 상기 가수분해성 오르가노실란 화합물을 상기 각 오르가노실록시 단위의 비율이 되도록 혼합한 모노머 혼합물이어도 된다. 그러나, 반응의 제어나 취급 등의 면에서, 부분 가수분해 축합물인 것이 바람직하다. 이하, 부분 가수분해 축합물을 경화성 올리고머라고도 한다. As curable silicone resin, the monomer mixture which mixed the said hydrolyzable organosilane compound so that it may become the ratio of each said organo siloxy unit may be sufficient. However, it is preferable that it is a partial hydrolysis-condensation thing from the viewpoint of control, handling, etc. of reaction. Hereinafter, the partial hydrolysis-condensation product is also called curable oligomer.

부분 가수분해 축합물은, 가수분해성 오르가노실란 화합물을 상기 각 오르가노실록시 단위의 비율이 되도록 혼합한 모노머 혼합물을 부분적으로 가수분해 축합시켜 얻어진다. 부분적으로 가수분해 축합시키는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 통상은 가수분해성 오르가노실란 화합물의 혼합물을 용매 중, 촉매 존재하에서 반응시켜 제조된다. 촉매로는, 산 촉매나 알칼리 촉매를 사용할 수 있지만, 반응을 제어하여 적절한 분자량의 부분 가수분해 축합물을 얻기 위해서는 알칼리 촉매의 사용이 바람직하다. 또, 가수분해 반응에는 통상 물을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 사용하는 부분 가수분해 축합물은, 용매 중에서 가수분해성 오르가노실란 화합물의 혼합물을 알칼리 수용액의 존재하에서 반응시켜 제조된 것이 바람직하다. 구체적인 부분 가수분해 축합물의 제조 방법으로는, 상기 특허문헌 2 에 기재된 방법 (특히 그 실시예에 기재된 방법) 이 바람직하다.The partially hydrolyzed condensate is obtained by partially hydrolyzing and condensing a monomer mixture obtained by mixing a hydrolyzable organosilane compound so as to be a ratio of the respective organosiloxy units. The method of partially hydrolytic condensation is not particularly limited. Usually, a mixture of hydrolyzable organosilane compounds is prepared by reacting in the presence of a catalyst in a solvent. As the catalyst, an acid catalyst or an alkali catalyst can be used. However, in order to control the reaction to obtain a partial hydrolysis condensate having an appropriate molecular weight, the use of an alkali catalyst is preferable. Moreover, it is preferable to use water normally for a hydrolysis reaction. It is preferable that the partial hydrolysis-condensation product used for this invention was manufactured by making the mixture of a hydrolysable organosilane compound react in presence of aqueous alkali solution in a solvent. As a manufacturing method of a specific partial hydrolysis-condensation product, the method of the said patent document 2 (in particular, the method of the Example) is preferable.

본 발명에 있어서의 경화성 실리콘 수지가 상기 경화성 올리고머 (즉, 부분 가수분해 축합물) 인 경우, 그 GPC (겔퍼미에이션 크로마토그래피) 측정에 의한, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 5 천 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직한 그 중량 평균 분자량은 1만 이상이다. 이 분자량이 지나치게 낮으면 가교 반응에 있어서 부생되는 물이나 알칸올의 양이 많아져, 가교 실리콘 수지 중에 보이드가 생길 우려가 커진다. 또, 중량 평균 분자량이 지나치게 높아지면 점도가 지나치게 높아지거나 용매 용해성이 저하되는 등의 문제점을 초래할 우려가 있기 때문에, 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량은 20만 이하가 바람직하고, 10만 이하가 보다 바람직하다. In the case where the curable silicone resin in the present invention is the curable oligomer (that is, partially hydrolyzed condensate), the weight average molecular weight of polystyrene in terms of GPC (gel permeation chromatography) measurement is preferably 5,000 or more. . More preferable weight average molecular weight is 10,000 or more. When this molecular weight is too low, the quantity of water and alkanol by-produced in a crosslinking reaction will increase, and there exists a possibility that a void may arise in a crosslinked silicone resin. In addition, when the weight average molecular weight is too high, the viscosity may be too high or the solvent solubility may be deteriorated. Therefore, the weight average molecular weight of the curable oligomer is preferably 200,000 or less, more preferably 100,000 or less. .

경화성 올리고머의 분자량의 조절은, 반응 조건을 제어함으로써 행할 수 있다. 예컨대, 경화성 올리고머를 제조할 때의 용매량을 조절하여, 가수분해성 오르가노실란 화합물의 농도를 높게 하면 고분자량물이 얻어지고, 농도를 낮게 하면 저분자량물이 얻어진다. Adjustment of the molecular weight of a curable oligomer can be performed by controlling reaction conditions. For example, by adjusting the amount of solvent when preparing the curable oligomer, increasing the concentration of the hydrolyzable organosilane compound yields a high molecular weight product, while lowering the concentration yields a low molecular weight product.

상기와 같이 경화성 올리고머는 반응성기로서 주로 실라놀기를 가지며, 실라놀기끼리의 반응에 의해 가교하여 가교 실리콘 수지가 된다. 이 가교 반응을 행하기 위해서는, 경화성 실리콘 수지를 가열하는 것이 바람직하다. 실라놀기의 가교 반응은 탈수 축합 반응이며 물이 부생되지만, 본 발명의 적층체의 수지층이 얇다는 것에 의해, 예를 들면 지지판 상에서 경화성 올리고머의 막을 경화시킬 때에 부생되는 물을 충분히 제거할 수 있다. As mentioned above, a curable oligomer has a silanol group mainly as a reactive group, crosslinks by reaction of silanol groups, and it becomes a crosslinked silicone resin. In order to perform this crosslinking reaction, it is preferable to heat curable silicone resin. Although the crosslinking reaction of a silanol group is a dehydration condensation reaction, water is a by-product, but by the thin resin layer of the laminated body of this invention, the water by-produced when hardening the film of a curable oligomer on a support plate can be fully removed, for example. .

가교를 위한 온도 조건은 가교 실리콘 수지의 내열성이나 지지판과의 접착성을 유지하는 범위내에서 특별히 제한되지 않지만, 300 ∼ 475 ℃ 가 바람직하고, 350 ∼ 450 ℃ 가 보다 바람직하다. 또, 가열 시간은 통상 30 ∼ 300 분이 바람직하고, 60 ∼ 120 분이 보다 바람직하다. 온도가 지나치게 낮으면, 가교가 충분하지 않은 수지가 되어 수지의 내열성이 저하되거나 수지층의 평탄성이 저하되기 쉬워지고, 한편, 온도가 지나치게 높으면 수지층의 지지판과의 접착력이 저하되기 쉽다. The temperature conditions for crosslinking are not particularly limited within the range of maintaining the heat resistance of the crosslinked silicone resin and the adhesiveness with the support plate, but are preferably from 300 to 475 ° C, more preferably from 350 to 450 ° C. Moreover, 30 to 300 minutes are preferable normally, and 60 to 120 minutes are more preferable. When the temperature is too low, the crosslinking is insufficient, and the heat resistance of the resin decreases or the flatness of the resin layer tends to decrease. On the other hand, when the temperature is too high, the adhesive force with the supporting plate of the resin layer tends to decrease.

상기 경화성 올리고머 이외의 경화성 실리콘 수지의 가교 경화에 있어서는, 가교 반응에 의해 물 이외에 알칸올 등도 부생되는 경우가 있지만, 물과 마찬가지로 수지 중으로부터 용이하게 제거가 가능하다. 이에 따라, 적층체의 수지층에 있어서의 물 등의 휘발 성분의 양을 매우 소량으로 할 수 있고, 적층체의 유리 기판 표면 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 고온 조건하에 있어서 물 등의 저분자 화합물에서 기인하는 가스 발생을 적게 할 수 있다. In crosslinking hardening of curable silicone resins other than the said curable oligomer, alkanol etc. may also be by-produced besides water by a crosslinking reaction, but it can remove easily from resin similarly to water. Thereby, the quantity of volatile components, such as water, in the resin layer of a laminated body can be made into a very small quantity, and water, such as water, under the high temperature conditions at the time of forming an electronic device member on the glass substrate surface of a laminated body. The gas generation resulting from a low molecular weight compound can be reduced.

지지판 (12) 상에 수지층 (14) 을 형성하기 위해, 지지판 (12) 상에 경화성 실리콘 수지의 층을 형성하고, 그 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 수지층 (14) 으로 하는 것이 바람직하다. 지지판 (12) 상에 경화성 실리콘 수지의 층을 형성하기 위해서는, 경화성 실리콘 수지를 용매에 용해시킨 용액을 사용하고, 이 용액을 지지판 (12) 상에 도포하여 용액의 층을 형성하고, 이어서 용매를 제거하여 경화성 실리콘 수지의 층으로 하는 것이 바람직하다. 용액의 농도를 조정하거나 함으로써 경화성 실리콘 수지의 층의 두께를 제어할 수 있다.In order to form the resin layer 14 on the support plate 12, it is preferable to form the layer of curable silicone resin on the support plate 12, and to make the resin layer 14 crosslink-harden this curable silicone resin. In order to form the layer of curable silicone resin on the support plate 12, the solution which melt | dissolved curable silicone resin in the solvent is used, this solution is apply | coated on the support plate 12, and a layer of a solution is formed, and then a solvent is It is preferable to remove and set it as the layer of curable silicone resin. The thickness of the layer of curable silicone resin can be controlled by adjusting the density | concentration of a solution.

용매로는, 작업 환경하에서 경화성 실리콘 수지를 용이하게 용해할 수 있고, 또한, 용이하게 휘발 제거시킬 수 있는 용매라면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는, 예컨대, 아세트산부틸, 2-헵타논, 1-메톡시-2-프로판올아세테이트 등을 예시할 수 있다. 가교 반응에 의해 얻어지는 수지층이 평탄해지기 쉽다는 점에서, 1-메톡시-2-프로판올아세테이트가 바람직하다. It will not specifically limit, if it is a solvent which can melt | dissolve curable silicone resin easily in a working environment, and can volatilize easily under a working environment. Specifically, butyl acetate, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate, etc. can be illustrated, for example. 1-methoxy-2-propanol acetate is preferable at the point which the resin layer obtained by a crosslinking reaction becomes flat easily.

경화성 실리콘 수지와 경화성 올리고머를 포함하는 용액의 고형분 농도로는, 30 ∼ 70 질량% 가 바람직하고, 40 ∼ 60 질량% 가 보다 바람직하다. As solid content concentration of the solution containing curable silicone resin and curable oligomer, 30-70 mass% is preferable, and 40-60 mass% is more preferable.

[적층체 및 그 제조 방법]Laminated Body and Manufacturing Method Thereof

본 발명의 적층체 (10) 는, 전술한 바와 같이, 지지판 (12) 과 유리 기판 (16) 과 이들의 사이에 수지층 (14) 이 존재하는 적층체이다. As mentioned above, the laminated body 10 of this invention is a laminated body in which the resin layer 14 exists between the support plate 12 and the glass substrate 16, and these.

본 발명의 적층체 (10) 의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 박리 강도 (y) 가 박리 강도 (x) 또는 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 적층체를 얻기 위해, 지지판 표면 상에서 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 수지층을 형성하는 방법이 바람직하다. 즉, 경화성 실리콘 수지의 막을 지지판의 표면에 형성하고, 지지판 표면 상에서 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 가교 실리콘 수지의 막을 형성하고, 이어서, 가교 실리콘 수지의 막의 표면에 유리 기판을 적층하여 적층체를 제조하는 방법이다. Although the manufacturing method of the laminated body 10 of this invention is not specifically limited, In order to obtain a laminated body whose peeling strength (y) is higher than peeling strength (x) or cohesive fracture strength (z), curable silicone resin is used on the support plate surface. The method of crosslinking hardening and forming a resin layer is preferable. That is, a film of curable silicone resin is formed on the surface of the support plate, the curable silicone resin is crosslinked and cured to form a film of crosslinked silicone resin on the surface of the support plate, and then a glass substrate is laminated on the surface of the film of crosslinked silicone resin to produce a laminate. That's how.

이하, 경화성 실리콘 수지의 막을 지지판의 표면에 형성하고, 지지판 표면 상에서 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 가교 실리콘 수지의 막을 형성하는 공정을 수지층 형성 공정, 가교 실리콘 수지의 막의 표면에 유리 기판을 적층하여 적층체로 하는 공정을 적층 공정이라고 하며, 각 공정의 순서에 관해 상세하게 서술한다. Hereinafter, a step of forming a film of the curable silicone resin on the surface of the support plate, crosslinking and curing the curable silicone resin on the support plate surface to form a film of the crosslinked silicone resin, and laminating a glass substrate on the surface of the resin layer forming step and the film of the crosslinked silicone resin The process made into a laminated body is called lamination process, and the procedure of each process is explained in full detail.

(수지층 형성 공정)  (Resin layer forming step)

수지층 형성 공정에서는, 전술한 경화성 실리콘 수지 및 용매를 포함하는 용액을 지지판 (12) 의 표면 상에 도포하고, 용매를 제거하여 지지판 (12) 의 표면 상에 경화성 실리콘 수지의 막을 형성한다. 이어서, 지지판 (12) 상의 경화성 실리콘 수지의 막을 열경화시켜 수지층 (14) 을 형성한다. 보다 구체적으로는, 도 2(A) 에 나타낸 바와 같이, 상기 공정에서는 지지판 (12) 의 적어도 편면의 표면 상에 수지층 (14) 이 형성된다. In the resin layer formation process, the solution containing the above-mentioned curable silicone resin and a solvent is apply | coated on the surface of the support plate 12, a solvent is removed, and the film of curable silicone resin is formed on the surface of the support plate 12. Next, the film of curable silicone resin on the support plate 12 is thermosetted, and the resin layer 14 is formed. More specifically, as shown to FIG. 2 (A), in the said process, the resin layer 14 is formed on the surface of the at least single side | surface of the support plate 12. FIG.

지지판 (12) 표면 상에 경화성 실리콘 수지의 용액을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예컨대, 스프레이코트법, 다이코트법, 스핀코트법, 딥코트법, 롤코트법, 바코트법, 스크린인쇄법, 그라비아코트법 등을 들 수 있다. The method of apply | coating the solution of curable silicone resin on the support plate 12 surface is not specifically limited, A well-known method can be used. For example, a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method, a gravure coating method, etc. are mentioned.

경화성 실리콘 수지는 프리 큐어 (예비 경화) 를 행한 후 경화 (본 경화) 를 행하여 경화시키는 것이 바람직하다. 프리 큐어를 행함으로써 내열성이 우수한 수지층을 얻을 수 있다. 프리 큐어는 용매의 제거에 이어서 행하는 것이 바람직하고, 그 경우, 용액의 막으로부터 용매를 제거하여 경화성 실리콘 수지의 막을 형성하는 공정과 프리 큐어를 행하는 공정은 특별히 구별되지 않는다. 용매의 제거는 100 ℃ 이상으로 가열하여 행하는 것이 바람직하고, 150 ℃ 이상으로 가열함으로써 이어서 프리 큐어를 행할 수 있다. 용매의 제거와 프리 큐어를 행하는 온도 및 가열 시간은 100 ∼ 300 ℃, 5 ∼ 60 분이 바람직하고, 150 ∼ 250 ℃, 10 ∼ 30 분이 보다 바람직하다. It is preferable to perform hardening (main hardening), and to harden curable silicone resin after performing precure (preliminary hardening). The resin layer excellent in heat resistance can be obtained by performing precure. It is preferable to perform a precure following removal of a solvent, In that case, the process of removing a solvent from the film | membrane of a solution and forming a film of curable silicone resin, and the process of performing a precure are not specifically distinguished. It is preferable to carry out by heating at 100 degreeC or more, and the removal of a solvent can perform precure subsequently by heating to 150 degreeC or more. 100-300 degreeC and 5-60 minutes are preferable, and, as for the temperature and heating time which remove a solvent and precure, 150-250 degreeC and 10-30 minutes are more preferable.

경화성 실리콘 수지를 열경화시키는 온도 조건은, 수지층의 내열성을 향상시키고, 유리 기판과 적층후의 박리 강도 (x) 를 상기와 같이 제어할 수 있는 범위내에서 특별히 제한되지 않지만, 300 ∼ 475 ℃ 가 바람직하고, 350 ∼ 450 ℃ 가 보다 바람직하다. 또, 가열 시간은, 통상 30 ∼ 300 분이 바람직하고, 60 ∼ 120 분이 보다 바람직하다. 열경화의 온도가 지나치게 낮으면, 내열성이나 수지층의 평탄성이 저하되고, 한편, 온도가 지나치게 높으면 박리 강도 (x) 가 지나치게 낮아져, 모두 유리 기판의 적층이 어려워지는 경우가 있다.The temperature condition for thermosetting the curable silicone resin is not particularly limited within the range in which the heat resistance of the resin layer can be improved and the peel strength (x) after lamination with the glass substrate can be controlled as described above, but preferably 300 to 475 ° C. And 350-450 degreeC is more preferable. Moreover, 30-300 minutes are preferable normally and, as for heat time, 60-120 minutes are more preferable. When the temperature of thermosetting is too low, heat resistance and flatness of a resin layer will fall, while when temperature is too high, peeling strength (x) will become low too much and it may become difficult to laminate a glass substrate in all.

(적층 공정) (Lamination process)

적층 공정은, 상기 수지층 형성 공정에서 얻어진 수지층 (14) 의 층 상에 유리 기판 (16) 을 적층하여, 지지판 (12) 의 층과 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 층을 이 순서로 구비하는 적층체를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2(B) 에 나타낸 바와 같이, 수지층 (14) 의 지지판 (12) 측과는 반대측의 표면 (14a) 과, 제 1 주면 (16a) 및 제 2 주면 (16b) 을 갖는 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 을 적층면으로 하고, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 을 적층하여 적층체 (10) 를 얻는다. Lamination | stacking process laminate | stacks the glass substrate 16 on the layer of the resin layer 14 obtained by the said resin layer formation process, and forms the layer of the support plate 12, the resin layer 14, and the layer of the glass substrate 16. It is a process of obtaining the laminated body provided in this order. More specifically, as shown in FIG. 2 (B), the surface 14a on the side opposite to the support plate 12 side of the resin layer 14, the first main surface 16a and the second main surface 16b are separated. The 1st main surface 16a of the glass substrate 16 which has is made into a laminated surface, the resin layer 14 and the glass substrate 16 are laminated | stacked, and the laminated body 10 is obtained.

유리 기판 (16) 을 수지층 (14) 상에 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채택할 수 있다. The method of laminating the glass substrate 16 on the resin layer 14 is not particularly limited, and a known method can be adopted.

예컨대, 상압 환경하에서 수지층 (14) 의 표면 상에 유리 기판 (16) 을 겹치는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 수지층 (14) 의 표면 상에 유리 기판 (16) 을 겹친 후, 롤이나 프레스를 이용하여 수지층 (14) 에 유리 기판 (16) 을 압착시켜도 된다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 층 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되기 때문에 바람직하다. For example, the method of overlapping the glass substrate 16 on the surface of the resin layer 14 in an atmospheric pressure environment is mentioned. In addition, after laminating | stacking the glass substrate 16 on the surface of the resin layer 14 as needed, you may crimp the glass substrate 16 to the resin layer 14 using a roll or a press. Since the bubble mixed in between the resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 is removed comparatively easily by the press of a roll or a press, it is preferable.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 행해지기 때문에 보다 바람직하다. 진공하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우라도, 가열에 의해 기포가 성장하지 않아, 유리 기판 (16) 의 변형 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다. Pressing by the vacuum lamination method or the vacuum press method is more preferable because suppression of mixing of bubbles and securing of good adhesion are performed. By pressing under vacuum, even when a minute bubble remains, there is also an advantage that the bubble does not grow due to heating and is hard to lead to deformation defects of the glass substrate 16.

유리 기판 (16) 을 적층할 때에는, 수지층 (14) 에 접촉하는 유리 기판 (16) 의 표면을 충분히 세정하여, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록 유리 기판 (16) 의 평탄성은 양호해지기 때문에 바람직하다.When laminating | stacking the glass substrate 16, it is preferable to fully wash | clean the surface of the glass substrate 16 which contacts the resin layer 14, and to laminate | stack in the environment with high cleanness. The higher the cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16 is, which is preferable.

또한, 유리 기판 (16) 을 적층한 후, 필요에 따라서 프리 어닐링 처리 (가열 처리) 를 행해도 된다. 상기 프리 어닐링 처리를 행함으로써, 적층된 유리 기판 (16) 의 수지층 (14) 에 대한 접착성이 향상되고, 적절한 박리 강도 (x) 로 할 수 있어, 후술하는 부재 형성 공정시에 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 생기기 어려워져, 전자 디바이스의 생산성이 향상된다. In addition, after laminating | stacking the glass substrate 16, you may perform a pre-annealing process (heating process) as needed. By performing the said pre-annealing process, the adhesiveness with respect to the resin layer 14 of the laminated glass substrate 16 improves, it can be set as appropriate peeling strength (x), and is used for an electronic device at the time of the member formation process mentioned later. Position shift of a member becomes hard to occur, and productivity of an electronic device improves.

프리 어닐링 처리의 조건은 사용되는 수지층의 종류에 따라서 적절하게 최적의 조건이 선택되지만, 유리 기판 (16) 과 수지층 (14) 사이의 박리 강도 (x) 를 보다 적절한 것으로 하는 점에서, 300 ℃ 이상 (바람직하게는 300 ∼ 400 ℃) 에서 5 분간 이상 (바람직하게 5 ∼ 30 분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.Although the conditions of a pre-annealing process are selected suitably according to the kind of resin layer used, 300 is preferable from the point which makes peeling strength (x) between the glass substrate 16 and the resin layer 14 more suitable. It is preferable to heat-process at least 5 degreeC (preferably 300-400 degreeC) for 5 minutes or more (preferably 5 to 30 minutes).

(적층체) (Laminated body)

본 발명의 적층체 (10) 는 여러가지 용도로 사용할 수 있으며, 예컨대, 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2 차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한, 상기 용도에서는, 적층체 (10) 가 고온 조건 (예컨대 400 ℃ 이상) 에서 노출되는 (예컨대 1 시간 이상) 경우가 많다. The laminated body 10 of this invention can be used for various uses, For example, the manufacture of electronic components, such as a panel for display apparatuses mentioned later, PV, a thin film secondary battery, and a semiconductor wafer with a circuit formed in the surface, etc. are mentioned. Can be. In addition, in the said use, the laminated body 10 is exposed (for example, 1 hour or more) in high temperature conditions (for example, 400 degreeC or more) in many cases.

여기서, 표시 장치용 패널이란, LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS (MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) 셔터 패널 등이 포함된다. Here, the panel for a display device includes an LCD, an OLED, an electronic paper, a plasma display panel, a field emission panel, a quantum dot LED panel, a MEMS (MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEMS) shutter panel, and the like.

[부재가 부착된 유리 기판 및 그 제조 방법][Glass Substrate with Member and Manufacturing Method Thereof]

본 발명에 있어서는, 상기 서술한 적층체를 이용하여, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판 (부재가 부착된 유리 기판) 이 제조된다. In this invention, the glass substrate (glass substrate with a member) with which the electronic device member containing a glass substrate and the electronic device member is manufactured using the laminated body mentioned above.

상기 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 전자 디바이스의 생산성이 우수하다는 점에서, 상기 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체를 제조하고, 얻어진 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체로부터 수지층의 유리 기판측 계면 또는 수지층 내부를 박리면으로 하여 부재가 부착된 유리 기판과 수지층이 부착된 지지판으로 분리하고, 이어서, 부재가 부착된 유리 기판의 박리면을 청정화하는 방법이 바람직하다. Although the manufacturing method of the glass substrate with a said member is not specifically limited, From the point which is excellent in the productivity of an electronic device, the laminated body with which the electronic device member was formed by forming the member for electronic devices on the glass substrate in the said laminated body is attached. Was prepared, and the glass substrate with the member and the support plate with the resin layer were separated from the obtained laminate with an electronic device member with the glass substrate side interface of the resin layer or the inside of the resin layer as a peeling surface, and then, The method of cleaning the peeling surface of the glass substrate with a member is preferable.

이하, 상기 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체를 제조하는 공정을 부재 형성 공정, 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체로부터 수지층의 유리 기판측 계면 또는 수지층 내부를 박리면으로 하여 부재가 부착된 유리 기판과 수지층이 부착된 지지판으로 분리하는 공정을 분리 공정, 부재가 부착된 유리 기판의 박리면을 청정화하는 공정을 청정화 처리 공정이라고 한다. Hereinafter, the process of forming the electronic device member on the glass substrate in the said laminated body, and manufacturing the laminated body with an electronic device member is carried out from the member formation process and the laminated body with an electronic device member glass substrate of a resin layer. The process of separating the glass substrate with the member and the support plate with the resin layer with the side interface or the inside of the resin layer as the peeling surface is called a separation process, and the process of cleaning the peeling surface of the glass substrate with the member is called a cleaning process. do.

이하에, 각 공정에서 사용되는 재료 및 순서에 관해 상세하게 서술한다. Below, the material and procedure used in each process are explained in full detail.

(부재 형성 공정) (Member formation process)

부재 형성 공정은, 상기 적층 공정에 있어서 얻어진 적층체 (10) 중의 유리 기판 (16) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2(C) 에 나타낸 바와 같이, 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) (노출 표면) 상에 전자 디바이스용 부재 (20) 를 형성하여, 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체 (22) 를 얻는다. A member formation process is a process of forming the member for electronic devices on the glass substrate 16 in the laminated body 10 obtained by the said lamination process. More specifically, as shown to FIG. 2 (C), the electronic device member 20 is formed on the 2nd main surface 16b (exposure surface) of the glass substrate 16, and the electronic device member adheres. The obtained laminated body 22 is obtained.

우선, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재 (20) 에 관해 상세하게 서술하고, 그 후 공정의 순서에 관해 상세하게 서술한다. First, the electronic device member 20 used at this process is explained in full detail, and the procedure of a process is explained in full detail after that.

(전자 디바이스용 부재 (기능성 소자)) (Member for electronic device (functional element))

전자 디바이스용 부재 (20) 는, 적층체 (10) 중의 유리 기판 (16) 상에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재 (20) 로는, 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2 차 전지, 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 이용되는 부재 (예컨대, 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2 차 전지용 부재, 전자 부품용 회로) 를 들 수 있다. The member 20 for electronic devices is a member formed on the glass substrate 16 in the laminated body 10, and comprises at least one part of an electronic device. More specifically, the electronic device member 20 is a member (for example, a display device member) used for an electronic component such as a display device panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface. , A member for a solar cell, a member for a thin film secondary battery, and a circuit for an electronic component).

예컨대, 태양 전지용 부재로는, 실리콘형에서는, 정극의 산화주석 등 투명 전극, p 층/i 층/n 층으로 표시되는 실리콘층, 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그 밖에, 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다. For example, as a solar cell member, in a silicon type | mold, a transparent electrode, such as a tin oxide of a positive electrode, the silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, the metal of a negative electrode, etc. are mentioned, In addition, a compound type, Various members etc. corresponding to a dye sensitization type, a quantum dot type, etc. are mentioned.

또, 박막 2 차 전지용 부재로는, 리튬 이온형에서는, 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 밖에, 니켈수소형, 폴리머형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다. Moreover, in a lithium ion type | mold, as a member for thin film secondary batteries, transparent electrodes, such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, the lithium compound of an electrolyte layer, the metal of a current collector layer, resin as a sealing layer, etc. are mentioned, In addition, various members etc. which correspond to nickel-hydrogen type | mold, a polymer type, a ceramic electrolyte type, etc. are mentioned.

또, 전자 부품용 회로로는, CCD 나 CMOS 에서는, 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그 밖에 압력 센서ㆍ가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다. Examples of circuits for electronic components include metals in the conductive portion, silicon oxide and silicon nitride in the insulating portion, and various sensors such as pressure sensors and acceleration sensors, rigid printed circuit boards, flexible printed circuit boards, and rigid circuits. Various members etc. corresponding to a flexible printed board etc. are mentioned.

(공정의 순서) (Order of process)

상기 서술한 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체 (22) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라서 종래 공지의 방법으로, 적층체 (10) 의 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 표면 상에 전자 디바이스용 부재 (20) 를 형성한다. The manufacturing method of the laminated body 22 with a member for electronic devices mentioned above is not specifically limited, The glass substrate of the laminated body 10 is conventionally well-known according to the kind of structural member of the member for electronic devices. The member 20 for electronic devices is formed on the surface of the 2nd main surface 16b of 16).

또한, 전자 디바이스용 부재 (20) 는, 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 에 최종적으로 형성되는 부재의 전부 (이하, 「전체 부재」 라고 함) 가 아니라, 전체 부재의 일부 (이하, 「부분 부재」 라고 함) 여도 된다. 수지층 (14) 으로부터 박리된 부분 부재가 부착된 유리 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재가 부착된 유리 기판 (후술하는 전자 디바이스에 상당) 으로 할 수도 있다.In addition, the member 20 for electronic devices is not all of the member finally formed in the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 (henceforth a "whole member"), but a part of the whole member (following) , "Partial member"). The glass substrate with the partial member peeled off from the resin layer 14 can also be made into the glass substrate with the whole member (corresponding to the electronic device mentioned later) in the subsequent process.

또, 수지층 (14) 으로부터 박리된, 전체 부재가 부착된 유리 기판에는, 그 박리면 (제 1 주면 (16a)) 에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또, 전체 부재가 부착된 적층체를 조립하고, 그 후, 전체 부재가 부착된 적층체로부터 지지판 (12) 을 박리하여 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재가 부착된 적층체를 2 장 이용하여 조립하고, 그 후, 전체 부재가 부착된 적층체로부터 2 장의 지지판 (12) 을 박리하여, 2 장의 유리 기판을 갖는 부재가 부착된 유리 기판을 제조할 수도 있다. Moreover, the other electronic device member may be formed in the peeling surface (1st main surface 16a) in the glass substrate with a whole member peeled from the resin layer 14. Moreover, the laminated body with a whole member is assembled, and after that, the support plate 12 can be peeled from the laminated body with a whole member, and an electronic device can be manufactured. In addition, it assembles using the laminated body with two whole members, and after that, the two support plates 12 are peeled from the laminated body with all the members, and the glass substrate with a member which has two glass substrates was attached. It may also be prepared.

예컨대, OLED 를 제조하는 경우를 예를 들면, 적층체 (10) 의 유리 기판 (16) 의 수지층 (14) 측과는 반대측의 표면 상 (유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 에 해당) 에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해, 투명 전극을 형성하고, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층ㆍ홀 수송층ㆍ발광층ㆍ전자 수송층 등을 증착하고, 이면 전극을 형성하고, 밀봉판을 이용하여 밀봉하는, 등의 각종 층형성이나 처리가 행해진다. 이들 층형성이나 처리로서, 구체적으로는, 예컨대 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다. For example, when manufacturing OLED, for example, on the surface on the opposite side to the resin layer 14 side of the glass substrate 16 of the laminated body 10 (on the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16). In order to form an organic EL structure in the above), a transparent electrode is formed, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed, a back electrode is formed, and a sealing plate is formed. Various layer formation and processing, such as sealing using, are performed. As these layer formation and processing, a film-forming process, vapor deposition process, the adhesion process of a sealing plate, etc. are mentioned specifically ,.

또, 예컨대, TFT-LCD 를 제조하는 경우는, 적층체 (10) 의 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 상에, 레지스트액을 이용하여, CVD 법 및 스퍼터법 등 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터 (TFT) 를 형성하는 TFT 형성 공정과, 별도의 적층체 (10) 의 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 상에, 레지스트액을 패턴 형성에 이용하여 컬러 필터 (CF) 를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT 가 부착된 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF 가 부착된 적층체를 적층하는 첩합 (貼合) 공정 등의 각종 공정을 갖는다. For example, when manufacturing a TFT-LCD, it uses the resist liquid on the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 of the laminated body 10 for general film-forming methods, such as a CVD method and a sputtering method. A TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by patterning a metal film, a metal oxide film, or the like formed thereon, and a resist liquid on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the other laminate 10. Is used to form a color filter (CF) using pattern formation, and a laminate is formed by laminating the laminate with TFT obtained in the TFT forming step and the laminate with CF obtained in the CF forming step. It has various processes, such as a process.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지된 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 이용하여, 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 에 TFT 나 CF 를 형성한다. 이 때, 패턴 형성용의 코팅액으로서 레지스트액이 이용된다. In a TFT formation process and a CF formation process, TFT and CF are formed in the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 using well-known photolithography technique, an etching technique, etc. At this time, a resist liquid is used as the coating liquid for pattern formation.

또한, TFT 나 CF 를 형성하기 전에, 필요에 따라서, 유리 기판 (16) 의 제 2 주면 (16b) 을 세정해도 된다. 세정 방법으로는, 주지된 드라이 세정이나 웨트 세정을 이용할 수 있다. In addition, before forming TFT or CF, you may wash the 2nd main surface 16b of the glass substrate 16 as needed. As a washing method, well-known dry washing and wet washing can be used.

첩합 공정에서는, TFT 가 부착된 적층체의 박막 트랜지스터 형성면과, CF 가 부착된 적층체의 컬러 필터 형성면을 대향시켜, 시일제 (예컨대, 셀 형성용 자외선 경화형 시일제) 를 이용하여 첩합시킨다. 그 후, TFT 가 부착된 적층체와 CF 가 부착된 적층체로 형성된 셀 내에 액정재를 주입한다. 액정재를 주입하는 방법으로는, 예컨대 감압 주입법, 적하 주입법이 있다. In the bonding step, the thin film transistor formation surface of the laminate with TFT and the color filter formation surface of the laminate with CF are faced to each other and bonded using a sealing agent (for example, an ultraviolet curable sealing agent for cell formation). . Thereafter, the liquid crystal material is injected into the cell formed of the laminate with TFT and the laminate with CF. As a method of inject | pouring a liquid crystal material, there exist a vacuum injection method and the dropping injection method, for example.

[분리 공정]Separation Process

분리 공정은, 상기 부재 형성 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체 (22) 로부터, 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 계면 또는 수지층 (14) 을 박리면으로 하여, 전자 디바이스용 부재 (20) 가 적층된 유리 기판 (16) (부재가 부착된 유리 기판) 과 지지판 (12) 으로 분리하여, 전자 디바이스용 부재 (20) 및 유리 기판 (16) 을 포함하는 부재가 부착된 유리 기판 (24) 을 얻는 공정이다.Separation process makes the interface of the resin layer 14 and the glass substrate 16 or the resin layer 14 into a peeling surface from the laminated body 22 with an electronic device member obtained by the said member formation process, A member including the electronic device member 20 and the glass substrate 16 is attached to the glass substrate 16 (the glass substrate with the member) and the support plate 12 on which the device member 20 is laminated. It is a process of obtaining the obtained glass substrate 24.

박리시의 유리 기판 (16) 상의 전자 디바이스용 부재 (20) 가 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부인 경우에는, 분리후 나머지 구성 부재를 유리 기판 (16) 상에 형성할 수도 있다. When the member 20 for electronic devices on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of formation of the required whole structural member, the remaining structural member may be formed on the glass substrate 16 after separation.

분리된 부재가 부착된 유리 기판 (24) 의 제 1 주면 (16a) 에는, 수지가 부착되어 있는 경우도, 부착되지 않는 경우도 있다. 상기와 같이, 박리면이 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 과 수지층 (14) 의 계면인 경우에는, 부재가 부착된 유리 기판 (24) 의 제 1 주면 (16a) 에는 수지가 부착되지 않는다. 박리면이 수지층 (14) 의 내부인 경우 (즉, 수지층의 응집 파괴에 의해 박리가 생긴 경우), 부재가 부착된 유리 기판 (24) 의 제 1 주면 (16a) 에는 수지가 부착되어 있다. 부분적으로 계면 박리와 응집 파괴 박리가 생긴 경우에는, 부재가 부착된 유리 기판 (24) 의 제 1 주면 (16a) 에 수지가 부착되어 있는 부분과 수지가 부착되지 않은 부분이 생긴다. The resin may or may not be attached to the first main surface 16a of the glass substrate 24 with the separated member. As mentioned above, when a peeling surface is an interface of the 1st main surface 16a of the glass substrate 16 and the resin layer 14, resin is in the 1st main surface 16a of the glass substrate 24 with a member. It is not attached. When the peeling surface is inside of the resin layer 14 (that is, when peeling has arisen by cohesive failure of the resin layer), resin is affixed to the 1st main surface 16a of the glass substrate 24 with a member. . In the case where the interfacial peeling and the cohesive fracture peeling occur in part, a portion where the resin is attached to the first main surface 16a of the glass substrate 24 with the member and a portion where the resin is not attached are generated.

분리된 지지판 (12) 의 수지층 (14) 이 존재했던 표면에는 수지가 부착되어 있다. 박리면이 유리 기판 (16) 의 제 1 주면 (16a) 과 수지층 (14) 의 계면인 경우에는, 상기 수지층이 부착된 지지판 (18) 과 거의 동일한 구성의 수지가 부착된 지지판 (12) 이 된다. 수지층 (14) 의 응집 파괴에 의해 생긴 수지 부착 지지판의 경우에는, 수지층 (14) 과 접해 있던 표면의 거의 전체면에 수지가 부착된 지지판이 되고, 수지가 부착되지 않은 면은 적다. Resin is affixed on the surface where the resin layer 14 of the separated support plate 12 existed. When the peeling surface is an interface of the 1st main surface 16a of the glass substrate 16 and the resin layer 14, the support plate 12 with resin of substantially the same structure as the support plate 18 with the said resin layer was affixed. Becomes In the case of the support plate with resin produced by the cohesive failure of the resin layer 14, it becomes a support plate with resin on almost the entire surface of the surface which contacted the resin layer 14, and there are few surfaces with no resin.

또한, 도 2(D) 는 수지층 (14) 이 응집 파괴된 경우를 나타내며, 유리 기판 (16) 의 수지층 (14) 과 접한 표면에는 수지층 (14) 의 일부의 수지가 부착되어 있다. 2 (D) shows a case where the resin layer 14 is cohesively broken, and a part of the resin of the resin layer 14 is attached to the surface in contact with the resin layer 14 of the glass substrate 16.

유리 기판 (16) 과 지지판 (12) 을 박리하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예컨대 유리 기판 (16) 과 수지층 (14) 의 계면에 예리한 날붙이형의 것을 삽입하여 박리의 계기를 부여한 다음, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분무하거나 하여 박리할 수 있다. 바람직하게는, 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체 (22) 의 지지판 (12) 이 상측, 전자 디바이스용 부재 (20) 측이 하측이 되도록 정반 상에 설치하고, 전자 디바이스용 부재 (20) 측을 정반 상에 진공 흡착하여 (양면에 지지판이 적층되어 있는 경우는 순차적으로 행함), 이 상태로 우선 날붙이를 유리 기판 (16)-수지층 (14) 계면에 날붙이를 침입시킨다. 그리고, 그 후에 지지판 (12) 측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하고, 날붙이를 삽입한 지점 부근으로부터 순서로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그렇게 하면 수지층 (14) 과 유리 기판 (16) 의 계면이나 수지층 (14) 의 응집 파괴면에 공기층이 형성되고, 그 공기층이 계면이나 응집 파괴면의 전체면으로 퍼져, 지지판 (12) 을 용이하게 박리할 수 있다. The method of peeling the glass substrate 16 and the support plate 12 is not specifically limited. Specifically, for example, a sharp blade-shaped object is inserted into the interface between the glass substrate 16 and the resin layer 14 to give a trigger for peeling, and then sprayed or sprayed with a mixed fluid of water and compressed air. Preferably, it is provided on the surface plate so that the support plate 12 of the laminated body 22 with an electronic device member attached may be an upper side, and the electronic device member 20 side may become a lower side, and the electronic device member 20 side Is vacuum adsorbed on the surface plate (sequentially performed when the supporting plates are stacked on both surfaces), and the blade is first introduced into the glass substrate 16-resin layer 14 interface in this state. Then, the support plate 12 side is adsorbed with a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are raised in order from the vicinity of the point where the blade is inserted. Then, an air layer is formed in the interface of the resin layer 14 and the glass substrate 16, and the cohesive failure surface of the resin layer 14, and the air layer spreads to the whole surface of an interface or the cohesive failure surface, and the support plate 12 It can peel easily.

또, 지지판 (12) 은, 새로운 유리 기판과 적층하여 본 발명의 적층체 (10) 를 제조할 수 있다. 분리된 지지판 (12) 의 표면에 수지층 (14) 이 파괴되지 않고 부착되어 있는 경우에는, 이 수지층이 부착되어 있는 지지판 (12) 을 상기 수지층이 부착된 지지판 (18) 으로서 사용하여, 새롭게 적층체 (10) 를 상기와 동일하게 제조할 수 있다. 또, 수지층의 응집 파괴에 의해 분리된 지지판 (12) 의 경우에는, 부착된 수지를 제거하여 수지가 부착되지 않은 지지판 (12) 으로 하고, 이 수지가 부착되지 않은 지지판 (12) 을 사용하여 상기와 동일하게 새롭게 적층체 (10) 를 제조할 수 있다. 이 새로운 적층체 (10) 의 제조 방법으로는, 전술한 본 발명의 제조 방법이 바람직하다. Moreover, the support plate 12 can be laminated | stacked with the new glass substrate, and the laminated body 10 of this invention can be manufactured. When the resin layer 14 adheres to the surface of the separated support plate 12 without being destroyed, the support plate 12 to which the resin layer is attached is used as the support plate 18 with the resin layer, The laminated body 10 can be manufactured similarly to the above. Moreover, in the case of the support plate 12 separated by the cohesive failure of the resin layer, the attached resin is removed and the support plate 12 to which the resin is not attached is used, and the support plate 12 to which this resin is not attached is used. In the same manner as above, the laminate 10 can be manufactured. As a manufacturing method of this new laminated body 10, the manufacturing method of this invention mentioned above is preferable.

또한, 적층체로부터 부재가 부착된 유리 기판을 분리할 때에 있어서는, 이오나이저에 의한 분무나 습도를 제어함으로써, 수지층의 결편 (缺片) 이 부재가 부착된 유리 기판에 정전 흡착하는 것을 더욱 억제할 수 있다. In addition, when separating the glass substrate with a member from a laminated body, by controlling the spraying and humidity by an ionizer, it is further suppressed that electrostatic adsorption | suction of the fragment of a resin layer to the glass substrate with a member is carried out. can do.

[청정화 처리 공정][Cleaning Process]

청정화 처리 공정은, 상기 분리 공정에서 얻어진 부재가 부착된 유리 기판 (24) 중의 유리 기판 (16) 의 박리면 (제 1 주면 (16a)) 에 청정화 처리를 실시하는 공정이다. 그 공정을 실시함으로써, 박리면에 부착된 수지나 수지층, 박리면에 부착된 상기 부재 형성 공정에서 발생하는 금속편이나 먼지 등의 불순물을 제거할 수 있어, 박리면의 청정성을 유지할 수 있다. 결과적으로, 유리 기판 (16) 의 박리면에 첩부되는 위상차 필름이나 편광 필름 등의 점착성이 향상된다.A cleaning process is a process of performing a cleaning process to the peeling surface (1st main surface 16a) of the glass substrate 16 in the glass substrate 24 with a member obtained by the said separation process. By performing this process, impurities, such as a resin and a resin layer adhering to a peeling surface, the metal piece and dust generate | occur | produced in the said member formation process attached to a peeling surface, can be removed, and the cleanliness of a peeling surface can be maintained. As a result, the adhesiveness of retardation film, polarizing film, etc. affixed on the peeling surface of the glass substrate 16 improves.

보다 구체적으로는, 본 공정을 실시함으로써, 도 2(E) 에 나타낸 바와 같이, 도 2(D) 에서 유리 기판 (16) 의 표면 상에 부착되어 있던 수지층의 일부가 제거된다. More specifically, by performing this process, as shown to FIG. 2 (E), a part of resin layer adhering on the surface of the glass substrate 16 in FIG. 2 (D) is removed.

청정화 처리의 방법은, 박리면에 부착된 수지나 먼지 등을 제거할 수 있으면, 특별히 그 방법은 제한되지 않는다. 예컨대, 부착물을 열적으로 분해하는 방법이나, 플라즈마 조사 또는 광조사 (예컨대 UV 조사 처리) 에 의해서 박리면 상의 불순물을 제거하는 방법이나, 용매를 이용하여 세정 처리하는 방법 등을 들 수 있다. 특히, 불순물의 제거성이 보다 우수하다는 점에서, 용매를 이용한 세정 처리 방법이 바람직하다. The method of the cleaning treatment is not particularly limited as long as the resin, dust or the like attached to the peeling surface can be removed. For example, the method of thermally decomposing a deposit, the method of removing the impurity on a peeling surface by plasma irradiation or light irradiation (for example, UV irradiation process), the method of wash | cleaning process using a solvent, etc. are mentioned. In particular, the washing | cleaning process method using a solvent is preferable at the point which is excellent in the removal property of an impurity.

용매를 이용한 세정 처리 방법에 있어서 사용되는 용매의 종류는, 사용되는 수지층을 구성하는 수지의 종류에 따라 적절하게 최적의 용매가 선택된다. The kind of solvent used in the washing process method using a solvent is suitably selected according to the kind of resin which comprises the resin layer used.

예컨대, sp 값, 즉 용해도 파라미터가 7 ∼ 15 (단위 : cal1/2cm-3/2) 인 용제를 포함하는 약액을 이용하여 세정 처리를 행하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아세톤, 자일렌, 헥산, 이소파라핀 등을 포함하는 약액을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 환경 부하의 관점에서 알코올계 세정액 (예컨대, 메탄올, 에탄올, 프로판올) 을 함유하는 세정액을 이용하는 것이 바람직하다. 이들 용매는 단독으로 또는 조합하여 이용된다. For example, sp value, namely the solubility parameter is 7-15: it is preferable to perform a cleaning process using a chemical solution containing the solvent (in cal 1/2 cm -3/2). More specifically, it is preferable to use a chemical liquid containing methanol, ethanol, propanol, acetone, xylene, hexane, isoparaffin and the like. Moreover, it is preferable to use the washing | cleaning liquid containing alcohol-type washing | cleaning liquid (for example, methanol, ethanol, propanol) from a viewpoint of environmental load. These solvents are used alone or in combination.

또한, 필요에 따라서, 전자 디바이스용 부재 (20) 가 용매와 접촉하지 않도록, 실링이나 마스킹 처리를 실시해도 된다. 또, 에어 블로우 또는 가열 건조 등 용제 제거 처리를 함께 실시하는 것이 바람직하다. In addition, you may perform a sealing and masking process so that the member for electronic devices 20 may not contact with a solvent as needed. Moreover, it is preferable to perform solvent removal processing, such as air blow or heat drying together.

상기 서술한 부재가 부착된 유리 기판 (24) 의 제조 방법은, 휴대 전화나 PDA 와 같은 모바일 단말에 사용되는 소형 표시 장치의 제조에 바람직하다. 표시 장치는 주로 LCD 또는 OLED 이며, LCD 로는, TN 형, STN 형, FE 형, TFT 형, MIM 형, IPS 형, VA 형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형의 어느 표시 장치의 경우라도 적용할 수 있다. The manufacturing method of the glass substrate 24 with a member mentioned above is suitable for manufacture of the small display apparatus used for mobile terminals, such as a mobile telephone and a PDA. The display device is mainly LCD or OLED, and the LCD includes TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type and the like. Basically, the present invention can be applied to any of a passive driving type and an active driving type display device.

상기 방법으로 제조된 부재가 부착된 유리 기판 (24) 으로는, 유리 기판과 표시 장치용 부재를 갖는 표시 장치용 패널, 유리 기판과 태양 전지용 부재를 갖는 태양 전지, 유리 기판과 박막 2 차 전지용 부재를 갖는 박막 2 차 전지, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 부품 등을 들 수 있다. 표시 장치용 패널로는, 액정 패널, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널 등을 포함한다. As the glass substrate 24 with a member manufactured by the above method, a panel for a display device having a glass substrate and a member for a display device, a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, a member for a glass substrate and a thin film secondary battery The thin film secondary battery which has the thing, the electronic component which has a glass substrate, and the member for electronic devices, etc. are mentioned. The panel for a display device includes a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel and the like.

실시예Example

이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다. Although an Example etc. demonstrate this invention concretely below, this invention is not limited by these examples.

이하의 실시예 1 ∼ 6, 비교예 1 ∼ 3 에서는, 유리 기판으로서, 무알칼리붕규산 유리로 이루어진 유리판 (세로 200 ㎜, 가로 200 ㎜, 판두께 0.3 ㎜, 선팽창 계수 38 × 10-7/℃, 아사히 가라스사 제조 상품명 「AN100」) 을 사용하였다. 또, 지지판으로는, 마찬가지로 무알칼리붕규산 유리로 이루어진 유리판 (세로 240 ㎜, 가로 240 ㎜, 판두께 0.4 ㎜, 선팽창 계수 38 × 10-7/℃, 아사히 가라스사 제조 상품명 「AN100」) 을 사용하였다. In the following Examples 1-6 and Comparative Examples 1-3, the glass board which consists of alkali-free borosilicate glass (200 mm in length, 200 mm in width, 0.3 mm in thickness, linear expansion coefficient 38x10 <-7> / degreeC), Asahi Glass Co., Ltd. brand name "AN100") was used. As the support plate, a glass plate made of alkali-free borosilicate glass (240 mm long, 240 mm wide, 0.4 mm thick, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., and Asahi Glass Co., Ltd. product name “AN100”) was used. .

<제조예 1> 경화성 실리콘 수지 (S1) 을 포함하는 액상물의 제조Production Example 1 Preparation of Liquids Containing Curable Silicone Resin (S1)

오르가노실록시 단위 (A-1) 을 구성하는 화합물로서 페닐트리메톡시실란 100 질량부와, 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 구성하는 화합물로서 디메틸디에톡시실란 225 질량부에 대하여, 톨루엔 230 질량부를 첨가하였다. 이어서 10 ℃ 이하로 유지하면서, 이 혼합물 중에 0.5 질량% 의 수산화나트륨 수용액 140 질량부를 적하하여 첨가하고, 10 ℃ 에서 3 시간, 50 ℃ 에서 3 시간 교반하였다. 그 후 70 ℃ 에서 2 시간 유지하여 알코올을 제거한 후, 75 ℃ 에서 10 시간 교반하였다. 100 parts by mass of phenyltrimethoxysilane as the compound constituting the organosiloxy unit (A-1) and 225 parts by mass of dimethyldiethoxysilane as the compound constituting the organosiloxy unit (B-1), 230 parts by mass of toluene was added. Subsequently, 140 mass parts of 0.5 mass% sodium hydroxide aqueous solution was dripped and added to this mixture, maintaining at 10 degrees C or less, and it stirred at 10 degreeC for 3 hours, and 50 degreeC for 3 hours. Thereafter, the mixture was kept at 70 ° C for 2 hours to remove alcohol, and then stirred at 75 ° C for 10 hours.

얻어진 반응액에 톨루엔 150 질량부를 첨가하여 희석한 결과, 2 층으로 분리되었다. 하층인 수산화나트륨 수용액층을 분액 깔때기로 제거하였다. 상층인 톨루엔층의 pH 가 7 이하가 될 때까지 수세한 후, 구멍 직경 0.5 마이크로미터의 멤브레인 필터로 여과하였다. 얻어진 액을 70 ℃ 에서 가열 감압에 의해 유기 용매를 제거하여, 경화성 실리콘 수지 (S1) 을 얻었다. 150 mass parts of toluene was added and diluted to the obtained reaction liquid, and it isolate | separated into two layers. The lower sodium hydroxide aqueous solution layer was removed with a separating funnel. After washing with water until pH of the toluene layer which is an upper layer became 7 or less, it filtered with the membrane filter of 0.5 micrometer of pore diameters. The organic solvent was removed by heating and depressurizing the obtained liquid at 70 degreeC, and curable silicone resin (S1) was obtained.

얻어진 경화성 실리콘 수지 (S1) 은, GPC (겔퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 중량 평균 분자량 (폴리스티렌 환산) 이 55000 이었다. 또 FT-IR (적외 분광 광도계) 에 의해, Si-OH 기 유래의 3200 ∼ 3600 cm-1 의 흡수가 확인되었다.As for obtained curable silicone resin (S1), the weight average molecular weight (polystyrene conversion) by GPC (gel permeation chromatography) was 55000. Moreover, absorption of 3200-3600 cm <-1> derived from Si-OH group was confirmed by FT-IR (infrared spectrophotometer).

다음으로, 경화성 실리콘 수지 (S1) 100 질량부를 1-메톡시-2-프로판올아세테이트 200 질량부에 용해시켜 경화성 실리콘 수지 (S1) 을 포함하는 액상물을 제조하였다.Next, 100 mass parts of curable silicone resin (S1) was dissolved in 200 mass parts of 1-methoxy-2-propanol acetate, and the liquid substance containing curable silicone resin (S1) was manufactured.

<제조예 2 ∼ 5> 경화성 실리콘 수지 (S2) ∼ (S5) 와 각 액상물의 제조<Manufacture example 2-5> Preparation of curable silicone resin (S2)-(S5) and each liquid substance

경화성 실리콘 수지 (S2) ∼ (S5) 에 관해, 제조예 1 과 동일하게 하여 표 1 에 나타내는 조성비로 제조하였다. 이어서 얻어진 경화성 실리콘 수지 (S2) ∼ (S5) 를 1-메톡시-2-프로판올아세테이트에 용해시켜 경화성 실리콘 수지 (S2) ∼ (S5) 를 각각 포함하는 액상물을 제조하였다. About curable silicone resin (S2)-(S5), it carried out similarly to manufacture example 1, and manufactured by the composition ratio shown in Table 1. Subsequently, the obtained curable silicone resin (S2)-(S5) was dissolved in 1-methoxy-2-propanol acetate, and the liquid substance containing curable silicone resin (S2)-(S5), respectively was manufactured.

또한, 이하의 표 1 중 「실라놀기」 란은, 경화성 실리콘 수지 (S1) ∼ (S5) 중에 실라놀기가 포함되는지의 여부를 의미한다. 또, 표 1 중 (B-2) 단위의 몰% 는 「0」 으로 하여 계산하였다.In addition, the "silanol group" column of the following Table 1 means whether a silanol group is contained in curable silicone resin (S1)-(S5). In addition, in Table 1, mol% of the unit (B-2) was calculated as "0".

Figure 112014036261018-pct00006
Figure 112014036261018-pct00006

<실시예 1><Example 1>

처음에 판두께 0.4 ㎜ 의 지지판을 순수 세정한 후, 추가로 UV 세정하여 청정화하였다.Initially, the support plate of 0.4 mm of plate | board thickness was wash | cleaned purely, and also UV wash | cleaned and it cleaned.

다음으로, 지지판의 제 1 주면 상에, 경화성 실리콘 수지 (S1) 을 포함하는 액상물을 스핀코터로 도공하였다 (도공량 30 g/㎡).Next, the liquid substance containing curable silicone resin (S1) was coated by the spin coater on the 1st main surface of a support plate (coating amount 30g / m <2>).

다음으로, 이것을 180 ℃ 에서 10 분간 대기 중에서 가열 경화하여, 지지판 상의 조성물의 층 중의 용제를 제거하였다. 그 후, 추가로 450 ℃ 에서 60 분간 대기 중에서 가열 경화하여, 지지판의 제 1 주면에 두께 2 ㎛ 의 수지층을 형성하였다.Next, this was heat-hardened in air | atmosphere for 10 minutes at 180 degreeC, and the solvent in the layer of the composition on a support plate was removed. Then, it heat-hardened in air | atmosphere for 60 minutes at 450 degreeC, and the resin layer of thickness 2micrometer was formed in the 1st main surface of a support plate.

그 후, 유리 기판과 지지판의 수지층면을 실온하에서 진공 프레스에 의해 첩합하고, 그 후 350 ℃ 에서 10 분간 가열 처리를 행하고, 지지판의 단부를 유리 기판과 동일한 치수로 절단 제거하여 모따기하여 적층체 A 를 얻었다. Then, the resin layer surface of a glass substrate and a support plate is bonded together by vacuum press at room temperature, and then heat-processed at 350 degreeC for 10 minutes, the edge part of a support plate is cut and removed to the same dimension as a glass substrate, and the laminated body A is carried out. Got.

얻어진 적층체 A 에 있어서는, 지지판과 유리 기판은, 수지층과 기포를 발생시키지 않고 밀착되어 있어, 변형상 결점도 없고, 평활성도 양호했다. In the obtained laminated body A, the support plate and the glass substrate were closely_contact | adhered without generating a resin layer and foam | bubble, there was no deformation | transformation fault and the smoothness was also favorable.

다음으로, 적층체 A 를 대기하에서 450 ℃ 60 분간 가열 처리를 행하고 실온까지 냉각시킨 결과, 적층체 A 의 지지판과 유리 기판의 분리나 수지층의 발포나 백화 등 외관상의 변화는 확인되지 않았다.Next, when the laminated body A was heat-processed for 450 degreeC for 60 minutes in air | atmosphere, and cooled to room temperature, the external appearance change, such as the separation of the support plate and glass substrate of laminated body A, foaming and whitening of the resin layer, was not confirmed.

그리고, 적층체 A 의 4 개 지점 중 1 개 지점의 코너부에 있어서의 유리 기판과 지지판의 수지층의 계면에 두께 0.1 ㎜ 의 스테인리스제 날붙이를 삽입시켜 박리의 절결부를 형성하면서, 유리 기판과 지지판 각각의 박리면이 아닌 면에 진공 흡착 패드를 흡착시켜, 서로 유리 기판과 지지판이 분리되는 방향으로 외력을 가하여, 유리 기판과 지지판을 파손하지 않고 분리하였다. 여기서 날붙이의 삽입은, 이오나이저 (키엔스사 제조) 로부터 제전성 유체를 상기 계면에 분무하면서 행하였다. 구체적으로는, 형성한 공극을 향해서 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분무하면서 진공 흡착 패드를 끌어 올렸다. And a glass substrate and a peeling notch part are formed, inserting the stainless steel cutlery of thickness 0.1mm in the interface of the glass substrate and the resin layer of a support plate in the corner part of four points of laminated body A, and forming a peeling notch. A vacuum suction pad was adsorbed on the surface other than the peeling surface of each support plate, the external force was applied in the direction which isolate | separates a glass substrate and a support plate, and it isolate | separated without damaging a glass substrate and a support plate. Insertion of a cutlery was performed here by spraying an antistatic fluid to the said interface from an ionizer (made by Keyence). Specifically, the vacuum adsorption pad was pulled up while continuously spraying an antistatic fluid from the ionizer toward the formed voids.

또한, 수지층의 주요부는 지지판과 함께 유리 기판으로부터 분리되고, 그 결과로부터, 지지판의 층과 수지층의 계면의 박리 강도 (y) 가, 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (x) 또는 수지층의 응집 파괴 강도 (z) 보다 높은 것이 확인되었다.Moreover, the main part of a resin layer is isolate | separated from a glass substrate with a support plate, and as a result, the peeling strength (y) of the interface of a layer of a support plate and a resin layer is the peeling strength (x) of the interface of a resin layer and a glass substrate, or It was confirmed that it was higher than the cohesive fracture strength (z) of a resin layer.

계속해서, 분리된 유리 기판의 박리면을 알코올 용액 (닛폰 알코올 판매사 제조, 네오콜 R7) 에 의한 브러시 세정을 1 분간 행한 후 에어 블로우하여 청정화하였다. Subsequently, after performing the brush washing | cleaning by alcohol solution (Nipol Alcohol Sales Co., Neo-Call R7) for 1 minute on the peeling surface of the separated glass substrate, it air-cleaned and cleaned.

상기 알코올 용액은, 에탄올을 86.6 질량%, 노르말프로필알코올 (NPA) 을 9.5 질량%, 메탄올을 2.6 질량%, 이소프로필알코올 (IPA) 을 1.5 질량% 포함하는 것이다.The alcohol solution contains 86.6% by mass of ethanol, 9.5% by mass of normal propyl alcohol (NPA), 2.6% by mass of methanol and 1.5% by mass of isopropyl alcohol (IPA).

청정화후의 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 결과, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.As a result of observing the surface of the glass plate after cleaning with a microscope, foreign substances, such as an oxide and resin, and a flaw were not seen.

<실시예 2> <Example 2>

실시예 1 과 동일한 방법으로, 지지판의 제 1 주면 상에, 경화성 실리콘 수지 (S2) 의 가열 경화물로 이루어진 두께 1.5 ㎛ 의 수지층을 형성하였다. In the same manner as in Example 1, a resin layer having a thickness of 1.5 μm made of a heat cured product of the curable silicone resin (S2) was formed on the first main surface of the support plate.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 적층체 B 를 얻었다. Then, the laminated body B was obtained by the method similar to Example 1.

얻어진 적층체 B 에 있어서는, 지지판과 유리 기판은, 수지층과 기포를 발생시키지 않고 밀착되어 있어, 변형상 결점도 없고, 평활성도 양호했다. In the obtained laminated body B, the support plate and the glass substrate were closely_contact | adhered without generating a resin layer and foam | bubble, there was no deformation | transformation fault and the smoothness was also favorable.

다음으로, 적층체 B 를 실시예 1 과 동일한 가열 처리를 행한 결과, 적층체 B 의 지지판과 유리 기판의 분리나 수지층의 발포나 백화 등 외관상의 변화는 확인되지 않았다. Next, when the laminated body B was heat-treated similarly to Example 1, the change in external appearance, such as the separation of the support plate and glass substrate of laminated body B, and foaming and whitening of the resin layer, was not confirmed.

그리고, 적층체 B 를 실시예 1 과 동일한 방법으로, 유리 기판과 지지판을 파손하지 않고 분리하였다. And the laminated body B was isolate | separated without damaging a glass substrate and a support plate by the method similar to Example 1.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로, 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하였다.Then, the peeling surface of the separated glass substrate was cleaned by the method similar to Example 1.

청정화후의 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 결과, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.As a result of observing the surface of the glass plate after cleaning with a microscope, foreign substances, such as an oxide and resin, and a flaw were not seen.

<실시예 3> <Example 3>

실시예 1 과 동일한 방법으로, 지지판의 제 1 주면 상에, 경화성 실리콘 수지 (S3) 의 가열 경화물로 이루어진 두께 2 ㎛ 의 수지층을 형성하였다.In the same manner as in Example 1, a resin layer having a thickness of 2 μm made of a heat cured product of the curable silicone resin (S3) was formed on the first main surface of the support plate.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 적층체 C 를 얻었다. Then, the laminated body C was obtained by the method similar to Example 1.

얻어진 적층체 C 에 있어서는, 지지판과 유리 기판은, 수지층과 기포를 발생시키지 않고 밀착되어 있어, 변형상 결점도 없고, 평활성도 양호했다. In the obtained laminated body C, the support plate and the glass substrate were closely_contact | adhered without generating a resin layer and foam | bubble, there was no deformation | transformation fault and the smoothness was also favorable.

다음으로, 적층체 C 를 실시예 1 과 동일한 가열 처리를 행한 결과, 적층체 C 의 지지판과 유리 기판의 분리나 수지층의 발포나 백화 등 외관상의 변화는 확인되지 않았다. Next, when the laminated body C was heat-treated similarly to Example 1, the change in external appearance, such as the separation of the support plate and glass substrate of laminated body C, foaming and whitening of the resin layer, was not confirmed.

그리고, 적층체 C 를 실시예 1 과 동일한 방법으로, 유리 기판과 지지판을 파손하지 않고 분리하였다. And the laminated body C was isolate | separated without damaging a glass substrate and a support plate by the method similar to Example 1.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로, 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하였다. Then, the peeling surface of the separated glass substrate was cleaned by the method similar to Example 1.

청정화후의 유리판의 표면을 현미경으로 관찰한 결과, 산화물이나 수지 등의 이물질 및 흠집은 보이지 않았다.As a result of observing the surface of the glass plate after cleaning with a microscope, foreign substances, such as an oxide and resin, and a flaw were not seen.

<실시예 4> <Example 4>

본 예에서는, 실시예 1 에서 얻은 적층체 A 를 이용하여 OLED 를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the laminate A obtained in Example 1.

우선, 적층체 A 에서의 유리 기판의 제 2 주면 상에, 플라즈마 CVD 법에 의해 질화실리콘, 산화실리콘, 아모르퍼스 실리콘의 순서로 성막한다. 다음으로, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아모르퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기하 450 ℃ 60 분간 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 다음으로, 레이저 어닐링 장치에 의해 아모르퍼스 실리콘층의 결정화를 행한다. 다음으로, 포토리소그래피법을 이용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터, 저농도의 인을 아모르퍼스 실리콘층에 주입하여, N 형 및 P 형의 TFT 에어리어를 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 플라즈마 CVD 법에 의해 산화실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 다음으로, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해, 고농도의 붕소와 인을 N 형, P 형 각각의 원하는 에어리어에 주입하여, 소스 에어리어 및 드레인 에어리어를 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 플라즈마 CVD 법에 의한 산화실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 다음으로, 수소 분위기하 450 ℃ 60 분간 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에, 플라즈마 CVD 법에 의한 질소실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 컨택트홀을 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다. First, a film is formed on the second main surface of the glass substrate in the laminate A in the order of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon by the plasma CVD method. Next, a low concentration of boron is injected into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, followed by heat treatment at 450 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Next, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Next, from the etching and ion doping apparatus using the photolithographic method, low concentration phosphorus is inject | poured into an amorphous silicon layer, and N type and P type TFT area is formed. Next, on the second main surface side of the glass substrate, a silicon oxide film is formed by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by sputtering, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. do. Next, high concentrations of boron and phosphorus are injected into the desired areas of the N type and the P type by the photolithography method and the ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Next, on the second main surface side of the glass substrate, an interlayer insulating film is formed by the deposition of silicon oxide by the plasma CVD method, and a TFT electrode is formed by the deposition of aluminum by the sputtering method and the etching using the photolithography method. Next, after performing a heat treatment by performing heat treatment at 450 ° C. for 60 minutes in a hydrogen atmosphere, a passivation layer is formed by forming nitrogen silicon by plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin is apply | coated to the 2nd main surface side of a glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by the photolithographic method. Next, indium tin oxide is formed into a film by sputtering method, and a pixel electrode is formed by the etching using the photolithographic method.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제 2 주면측에, 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착물 (Alq3) 에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴 (BSN-BCN) 을 40 체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3 을 이 순서로 성막한다. 다음으로, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 다른 1 장의 유리 기판을 첩합시켜 밀봉한다. 상기 순서에 따라서 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 적층체 A (이하, 패널 A 라고 함) 가, 본 발명의 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체 (지지판이 부착된 표시 장치용 패널) 이다. Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and bis [(N-naphthyl) as a hole injection layer were formed on the 2nd main surface side of a glass substrate by the vapor deposition method. ) -N-phenyl] benzidine, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as light emitting layer 40 vol% of -1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) was mixed, and Alq 3 was formed in this order as an electron transporting layer. Next, aluminum was formed by sputtering, and photolithography was performed. The counter electrode is formed by etching Next, another glass substrate is bonded and sealed to the second main surface side of the glass substrate via an ultraviolet curable adhesive layer. A laminate A having an organic EL structure on a glass substrate (hereinafter referred to as panel A). It is a laminated body (panel for display apparatus with a support plate) with which the electronic device member of this invention was attached.

계속해서, 패널 A 의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 다음, 패널 A 의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1 ㎜ 의 스테인리스제 날붙이를 삽입하여, 유리 기판과 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A 의 지지판 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 날붙이의 삽입은, 이오나이저 (키엔스사 제조) 로부터 제전성 유체를 상기 계면에 분무하면서 행한다. 다음으로, 형성한 공극을 향해서 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분무하면서 진공 흡착 패드를 끌어 올린다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 수지층이 부착된 지지판을 박리할 수 있다. Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of panel A to a surface plate, the stainless steel cutlery of thickness 0.1mm is inserted in the interface of the glass substrate and the resin layer of the corner part of panel A, and peeling is carried out at the interface of a glass substrate and the resin layer. Give an opportunity. And the surface of the support plate of panel A is made to adsorb | suck with a vacuum suction pad, and then a suction pad is raised. Insertion of a cutlery is performed here by spraying an antistatic fluid to the said interface from an ionizer (made by Keyence). Next, the vacuum suction pad is pulled up while continuously spraying the antistatic fluid from the ionizer toward the formed voids. As a result, only the glass substrate in which the organic electroluminescent structure was formed on the surface plate can be left, and the support plate with a resin layer can be peeled off.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하고, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 이용하여 절단하여 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED 를 제작한다. 이렇게 하여 얻어지는 OLED 는 특성상 문제는 생기지 않는다. Subsequently, the peeling surface of the glass substrate separated by the method similar to Example 1 was cleaned, the separated glass substrate was cut | disconnected using a laser cutter or the scribe-break method, and it divided | segmented into several cells, and the organic EL structure was formed. The glass substrate and the counter substrate are assembled, and a module forming step is performed to produce an OLED. The OLED obtained in this way does not produce a problem in characteristic.

<실시예 5> Example 5

본 예에서는, 실시예 1 에서 얻은 적층체 A 를 이용하여 LCD 를 제조한다.In this example, an LCD is manufactured using the laminate A obtained in Example 1.

우선, 2 장의 적층체 A 를 준비하여, 한쪽의 적층체 A1 에 있어서의 유리 기판의 제 2 주면 상에, 플라즈마 CVD 법에 의해 질화실리콘, 산화실리콘, 아모르퍼스 실리콘의 순서로 성막한다. 다음으로, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아모르퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기하 450 ℃ 60 분간 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 다음으로, 레이저 어닐 장치에 의해 아모르퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 다음으로, 포토리소그래피법을 이용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터 저농도의 인을 아모르퍼스 실리콘층에 주입하여, N 형 및 P 형의 TFT 에어리어를 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 플라즈마 CVD 법에 의해 산화실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 다음으로, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해, 고농도의 붕소와 인을 N 형, P 형 각각의 원하는 에어리어에 주입하여, 소스 에어리어 및 드레인 에어리어를 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 플라즈마 CVD 법에 의한 산화실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 다음으로, 수소 분위기하 450 ℃ 60 분간 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에, 플라즈마 CVD 법에 의한 질소실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 컨택트홀을 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다. First, two laminates A are prepared and formed on the second main surface of the glass substrate in one laminate A1 in the order of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon by the plasma CVD method. Next, a low concentration of boron is injected into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, followed by heat treatment at 450 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Next, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing device. Next, a low concentration of phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from the etching and ion doping apparatus using the photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Next, on the second main surface side of the glass substrate, a silicon oxide film is formed by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by sputtering, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. do. Next, high concentrations of boron and phosphorus are injected into the desired areas of the N type and the P type by the photolithography method and the ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Next, on the second main surface side of the glass substrate, an interlayer insulating film is formed by the deposition of silicon oxide by the plasma CVD method, and a TFT electrode is formed by the deposition of aluminum by the sputtering method and the etching using the photolithography method. Next, after performing a heat treatment by performing heat treatment at 450 ° C. for 60 minutes in a hydrogen atmosphere, a passivation layer is formed by forming nitrogen silicon by plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin is apply | coated to the 2nd main surface side of a glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by the photolithographic method. Next, indium tin oxide is formed into a film by sputtering method, and a pixel electrode is formed by the etching using the photolithographic method.

다음으로, 다른 한쪽의 적층체 A2 를 대기 분위기하 450 ℃ 60 분간 가열 처리한다. 다음으로, 적층체 A 에 있어서의 유리 기판의 제 2 주면 상에, 스퍼터링법에 의해 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 차광층을 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 다이코트법에 의해 컬러 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 컬러 필터층을 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 대향 전극을 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 다이코트법에 의해 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 주상 (柱狀) 스페이서를 형성한다. 다음으로, 롤코트법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의해 배향층을 형성하여 러빙을 행한다. Next, the other laminated body A2 is heat-processed at 450 degreeC for 60 minutes in air | atmosphere atmosphere. Next, chromium is formed into a film by the sputtering method on the 2nd main surface of the glass substrate in the laminated body A, and a light shielding layer is formed by the etching using the photolithographic method. Next, a color resist is apply | coated to the 2nd main surface side of a glass substrate by the die-coat method, and a color filter layer is formed by the photolithographic method and thermosetting. Next, indium tin oxide is formed into a film by sputtering method, and a counter electrode is formed. Next, the ultraviolet curable resin liquid is apply | coated to the 2nd main surface side of a glass substrate by a diecoat method, and columnar spacer is formed by the photolithographic method and thermosetting. Next, a polyimide resin liquid is apply | coated by the roll coat method, an orientation layer is formed by thermosetting, and rubbing is performed.

다음으로, 디스펜서법에 의해 시일용 수지액을 프레임상으로 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의해 액정을 적하한 후에, 상기에서 화소 전극이 형성된 적층체 A1 을 이용하여, 2 장의 적층체 A 의 유리 기판의 제 2 주면측끼리를 첩합시켜, 자외선 경화 및 열경화에 의해 LCD 패널을 얻는다. Next, after drawing the resin liquid for sealing in a frame shape by the dispenser method, and dropping liquid crystal by the dispenser method in a frame, the glass of two laminated bodies A was used using the laminated body A1 in which the pixel electrode was formed above. The 2nd main surface side of a board | substrate is bonded together, and an LCD panel is obtained by ultraviolet curing and thermosetting.

계속해서, 적층체 A1 의 제 2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 적층체 A2 의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1 ㎜ 의 스테인리스제 날붙이를 삽입하여, 유리 기판의 제 1 주면과 수지층의 박리성 표면의 박리의 계기를 부여한다. 여기서 날붙이의 삽입은, 이오나이저 (키엔스사 제조) 로부터 제전성 유체를 상기 계면에 분무하면서 행한다. 다음으로, 형성한 공극을 향해서 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분무하면서 진공 흡착 패드를 끌어 올린다. 그리고, 적층체 A2 의 지지판의 제 2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에, 적층체 A1 의 지지판이 부착된 LCD 의 빈 셀만을 남기고, 지지판을 박리할 수 있다. Subsequently, the second main surface of the laminated body A1 was vacuum-adsorbed to the surface plate, and a stainless steel cutlery having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer at the corner portion of the laminated body A2, and the first main surface of the glass substrate and the number thereof. It gives an opportunity of peeling of the peelable surface of a strata layer. Insertion of a cutlery is performed here by spraying an antistatic fluid to the said interface from an ionizer (made by Keyence). Next, the vacuum suction pad is pulled up while continuously spraying the antistatic fluid from the ionizer toward the formed voids. And the 2nd main surface of the support plate of laminated body A2 is made to adsorb | suck with a vacuum suction pad, and then a suction pad is raised. As a result, on the surface plate, only the empty cell of the LCD with a support plate of the laminate A1 is left, and the support plate can be peeled off.

다음으로, 제 1 주면에 컬러 필터가 형성된 유리 기판의 제 2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 적층체 A1 의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1 ㎜ 의 스테인리스제 날붙이를 삽입하여, 유리 기판의 제 1 주면과 수지층의 박리성 표면의 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 적층체 A1 의 지지 기판의 제 2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에 LCD 셀만을 남기고, 수지층이 고정된 지지판을 박리할 수 있다. 계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 박리면을 청정화한다. 이렇게 하여, 두께 0.1 ㎜ 의 유리 기판으로 구성되는 복수의 LCD 의 셀이 얻어진다. Next, the 2nd main surface of the glass substrate in which the color filter was formed in the 1st main surface is vacuum-suctioned to a surface plate, the stainless steel cutlery of thickness 0.1mm is inserted in the interface of the glass substrate and the resin layer of the corner part of laminated body A1, and glass The opportunity of peeling of the peelable surface of a 1st main surface of a board | substrate and a resin layer is given. Then, the second main surface of the support substrate of the laminate A1 is adsorbed with the vacuum adsorption pad, and then the adsorption pad is raised. As a result, only the LCD cell is left on the surface plate, and the support plate on which the resin layer is fixed can be peeled off. Subsequently, the peeling surface is cleaned in the same manner as in Example 1. In this way, the cell of several LCD comprised from the glass substrate of thickness 0.1mm is obtained.

계속해서, 절단하는 공정에 의해 복수의 LCD 의 셀로 분단한다. 완성된 각각의 LCD 셀에 편광판을 첩부하는 공정을 실시하고, 계속해서 모듈 형성 공정을 실시하여 LCD 를 얻는다. 이렇게 하여 얻어지는 LCD 는, 특성상 문제는 생기지 않는다. Subsequently, the cell is divided into cells of a plurality of LCDs by a step of cutting. The process of sticking a polarizing plate to each completed LCD cell is performed, and a module formation process is performed subsequently, and an LCD is obtained. LCD obtained in this way does not produce a problem in characteristic.

<실시예 6 > <Example 6>

본 예에서는, 실시예 1 에서 얻은 적층체 A 를 이용하여 OLED 를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the laminate A obtained in Example 1.

우선, 적층체 A 에 있어서의 유리 기판의 제 2 주면 상에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 다음으로, 플라즈마 CVD 법에 의해, 유리 기판의 제 2 주면측에 추가로 질화규소를 성막하여 게이트 절연막을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화인듐갈륨아연을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 산화물 반도체층을 형성한다. 다음으로, 플라즈마 CVD 법에 의해, 유리 기판의 제 2 주면측에 추가로 질화규소를 성막하여 채널 보호층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 다음으로, 대기중에서 450 ℃ 에서 60 분간 가열 처리를 행한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에 추가로 플라즈마 CVD 법에 의해 질화규소를 성막하여 패시베이션층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다. First, molybdenum is formed into a film by the sputtering method on the 2nd main surface of the glass substrate in the laminated body A, and a gate electrode is formed by the etching using the photolithographic method. Next, silicon nitride is further formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method to form a gate insulating film, and then indium gallium zinc oxide is formed by the sputtering method, followed by etching using a photolithography method. An oxide semiconductor layer is formed. Next, silicon nitride is further formed on the second main surface side of the glass substrate by plasma CVD to form a channel protective layer, and then molybdenum is formed by sputtering, followed by etching using a photolithography method. And a drain electrode. Next, heat processing is performed for 60 minutes at 450 degreeC in air | atmosphere. Next, on the second main surface side of the glass substrate, silicon nitride is further formed by plasma CVD to form a passivation layer. Subsequently, indium tin oxide is deposited by sputtering to form a pixel electrode by etching using photolithography. To form.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제 2 주면측에, 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착물 (Alq3) 에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴 (BSN-BCN) 을 40 체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3 을 이 순서로 성막한다. 다음으로, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 다음으로, 유리 기판의 제 2 주면측에, 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 다른 1 장의 유리 기판을 첩합시켜 밀봉한다. 상기 순서에 따라서 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 적층체 A (이하, 패널 A 라고 함) 가, 본 발명의 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체 (지지판이 부착된 표시 장치용 패널) 이다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as a hole injection layer and bis [(N-naphthyl) as a hole injection layer were formed on the 2nd main surface side of a glass substrate by the vapor deposition method. ) -N-phenyl] benzidine, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as light emitting layer 40 vol% of -1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) was mixed, and Alq 3 was formed in this order as an electron transporting layer. Next, aluminum was formed by sputtering, and photolithography was performed. The counter electrode is formed by etching Next, another glass substrate is bonded and sealed to the second main surface side of the glass substrate via an ultraviolet curable adhesive layer. A laminate A having an organic EL structure on a glass substrate (hereinafter referred to as panel A). It is a laminated body (panel for display apparatus with a support plate) with which the electronic device member of this invention was attached.

계속해서, 패널 A 의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 다음, 패널 A 의 코너부의 유리 기판과 수지층의 계면에 두께 0.1 ㎜ 의 스테인리스제 날붙이를 삽입하여, 유리 기판과 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A 의 지지판 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 날붙이의 삽입은, 이오나이저 (키엔스사 제조) 로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분무하면서 행한다. 다음으로, 형성한 공극을 향해서 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분무하면서 진공 흡착 패드를 끌어 올린다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 수지층이 부착된 지지판을 박리할 수 있다. Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of panel A to a surface plate, the stainless steel cutlery of thickness 0.1mm is inserted in the interface of the glass substrate and the resin layer of the corner part of panel A, and peeling is carried out at the interface of a glass substrate and the resin layer. Give an opportunity. And the surface of the support plate of panel A is made to adsorb | suck with a vacuum suction pad, and then a suction pad is raised. Insertion of a cutlery is performed here by spraying an antistatic fluid to the said interface from an ionizer (made by Keyence). Next, the vacuum suction pad is pulled up while continuously spraying the antistatic fluid from the ionizer toward the formed voids. As a result, only the glass substrate in which the organic electroluminescent structure was formed on the surface plate can be left, and the support plate with a resin layer can be peeled off.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하고, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 이용하여 절단하여 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED 를 제작한다. 이렇게 하여 얻어지는 OLED 는 특성상 문제는 생기지 않는다. Subsequently, the peeling surface of the glass substrate separated by the method similar to Example 1 was cleaned, the separated glass substrate was cut | disconnected using a laser cutter or the scribe-break method, and it divided | segmented into several cells, and the organic EL structure was formed. The glass substrate and the counter substrate are assembled, and a module forming step is performed to produce an OLED. The OLED obtained in this way does not produce a problem in characteristic.

<비교예 1> Comparative Example 1

실시예 1 과 동일한 방법으로, 지지판의 제 1 주면 상에, 경화성 실리콘 수지 (S4) 의 가열 경화물로 이루어진 두께 1 ㎛ 의 수지층을 형성하였다.In the same manner as in Example 1, a resin layer having a thickness of 1 μm made of a heat cured product of the curable silicone resin (S4) was formed on the first main surface of the support plate.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 유리 기판과 지지판의 수지층면을 실온하에서 진공 프레스한 결과, 수지층이 딱딱하여, 유리 기판과 지지판의 수지층면에서 일부 적층되지 않는 부분이 보였다. 그 후, 350 ℃ 에서 10 분간 가열 처리를 행한 결과, 유리 기판과 지지판의 수지층면 전체면에서 분리되어 적층체가 형성되지 않았다. Subsequently, as a result of vacuum-pressing the resin layer surfaces of the glass substrate and the support plate at room temperature in the same manner as in Example 1, the resin layer was hard and a part of the resin layer surface of the glass substrate and the support plate was not laminated. Then, as a result of heat-processing for 10 minutes at 350 degreeC, it isolate | separated from the resin layer surface whole surface of a glass substrate and a support plate, and the laminated body was not formed.

<비교예 2> Comparative Example 2

실시예 1 과 동일한 방법으로, 지지판의 제 1 주면 상에, 경화성 실리콘 수지 (S5) 의 가열 경화물로 이루어진 두께 1 ㎛ 의 수지층을 형성하였다. 수지층의 표면은 육안에 의한 관찰로 불균일이 확인되는 정도의 평탄도였다. In the same manner as in Example 1, a resin layer having a thickness of 1 μm made of a heat cured product of the curable silicone resin (S5) was formed on the first main surface of the support plate. The surface of the resin layer was the flatness of the degree to which a nonuniformity was confirmed by visual observation.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 유리 기판과 지지판의 수지층면을 실온하에서 진공 프레스한 결과, 유리 기판과 지지판의 수지층면 전체면에서 분리되어 적층체가 형성되지 않았다. Subsequently, as a result of vacuum pressing the resin layer surfaces of the glass substrate and the support plate at room temperature in the same manner as in Example 1, they were separated from the resin layer surface entire surface of the glass substrate and the support plate, whereby no laminate was formed.

<비교예 3> Comparative Example 3

실시예 1 과 동일한 방법으로, 지지판의 제 1 주면 상에, 경화성 실리콘 수지 (S6) 의 가열 경화물로 이루어진 두께 1 ㎛ 의 수지층을 형성하였다.In the same manner as in Example 1, a resin layer having a thickness of 1 μm made of a heat cured product of the curable silicone resin (S6) was formed on the first main surface of the support plate.

계속해서, 실시예 1 과 동일한 방법으로 유리 기판과 지지판의 수지층면을 실온하에서 진공 프레스한 결과, 수지층이 딱딱하여, 유리 기판과 지지판의 수지층면에서 일부 적층되지 않은 부분이 보였다. 그 후, 350 ℃ 에서 10 분간 가열 처리를 행한 결과, 유리 기판과 지지판의 수지층면 전체면에서 분리되어 적층체가 형성되지 않았다. Subsequently, as a result of vacuum-pressing the resin layer surfaces of the glass substrate and the support plate at room temperature in the same manner as in Example 1, the resin layer was hard and a part of the resin layer surface of the glass substrate and the support plate was not laminated. Then, as a result of heat-processing for 10 minutes at 350 degreeC, it isolate | separated from the resin layer surface whole surface of a glass substrate and a support plate, and the laminated body was not formed.

<비교예 4> <Comparative Example 4>

지지판 (세로 200 ㎜, 가로 200 ㎜, 두께 0.4 ㎜) 을 순수 세정, UV 세정 등으로 청정화한 후, 그 지지판 상에, 무용제 부가 반응형 박리지용 실리콘 (신에츠 실리콘 주식회사 제조 KNS-320A) 100 질량부와 백금계 촉매 (신에츠 실리콘 주식회사 제조 CAT-PL-56) 2 질량부의 혼합물을 스핀코터로 도공하고 (도공량 10 g/㎡), 180 ℃ 에서 30 분간 대기중에서 가열 경화하여 막두께 16 ㎛ 의 실리콘 수지층을 얻었다. 100 mass parts of silicone for solvent-free addition reaction type release paper (KNS-320A by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) on the support plate after purifying a support plate (200 mm in length, 200 mm in width, 0.4 mm in thickness) by pure washing | cleaning, UV washing, etc. And a mixture of 2 parts by mass of a platinum-based catalyst (CAT-PL-56 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) with a spin coater (coated amount of 10 g / m 2) and heat-cured at 180 ° C. for 30 minutes in the air to form a silicon having a thickness of 16 μm. The resin layer was obtained.

유리 기판 (세로 200 ㎜, 가로 200 ㎜, 두께 0.3 ㎜) 의 실리콘 수지층과 접촉시키는 측의 면을 순수 세정, UV 세정 등으로 청정화한 후, 지지판의 실리콘 수지층 형성면과 유리 기판을 실온하 진공 프레스로 첩합시켜, 부가 중합형 실리콘 수지층을 갖는 유리 적층체 (P) 를 얻었다. After cleaning the surface on the side of the glass substrate (200 mm long, 200 mm wide, 0.3 mm thick) in contact with the silicon resin layer by pure water cleaning, UV cleaning, or the like, the silicon resin layer forming surface of the support plate and the glass substrate were kept at room temperature. It bonded together by the vacuum press and obtained the glass laminated body (P) which has an addition polymerization type silicone resin layer.

우선, 적층체 (P) 에 있어서의 유리 기판의 제 2 주면 상에, 플라즈마 CVD 법에 의해 질화실리콘, 산화실리콘, 아모르퍼스 실리콘의 순서로 성막하였다. 다음으로, 질소 분위기하 450 ℃ 에서 60 분간 가열 처리하여 탈수소 처리를 행하였다. 탈수소 처리후의 적층체 (P) 를 육안으로 관찰하면, 면내의 일부 및 적층체의 단부에 있어서 수지의 휘발에 의한 발포부가 보이고, 실시예 1 과 동일한 방법으로 적층체 A 의 4 개 지점 중 1 개 지점의 코너부에 있어서의 유리 기판과 지지판의 수지층의 계면에 두께 0.1 ㎜ 의 스테인리스제 날붙이를 삽입시켜 박리의 절결부를 형성하면서, 유리 기판과 지지판 각각의 박리면이 아닌 면에 진공 흡착 패드를 흡착시키고, 서로 유리 기판과 지지판이 분리되는 방향으로 외력을 가하여 유리 기판과 지지판을 분리하면, 유리 기판의 박리면, 즉 제 1 주면 상의 일부에 수지의 부착이 확인되었다.First, the film was formed on the second main surface of the glass substrate in the laminate P in the order of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon by the plasma CVD method. Next, it heat-processed at 450 degreeC for 60 minutes in nitrogen atmosphere, and dehydrogenation was performed. When the laminated body P after dehydrogenation was visually observed, the foam part by volatilization of resin is seen in a part of surface inside, and the edge part of a laminated body, and it is one of four points of laminated body A by the method similar to Example 1. Vacuum adsorption pads on the surface of the glass substrate and the support plate, not the peeling surface of each of the glass substrate and the support plate, while inserting a cutlery of 0.1 mm in thickness into the interface between the glass substrate at the corner portion of the point and the resin layer of the support plate to form a cutout. Was adsorbed, and external force was applied in a direction in which the glass substrate and the support plate were separated from each other to separate the glass substrate and the support plate.

다음으로, 수지가 부착된 유리 기판의 박리면에 대하여, 실시예 1 에서 실시한 알코올 용액 (닛폰 알코올 판매사 제조, 네오콜 R7) 에 의한 브러시 세정을 행했지만, 수지의 부착을 제거할 수는 없었다.Next, although the brush cleaning by the alcohol solution (Nippon Alcohol company make, Neocol R7) performed in Example 1 was performed with respect to the peeling surface of the glass substrate with resin, adhesion of resin was not able to be removed.

실시예 4 ∼ 6 은, 본 발명의 수지층을 갖는 적층체를 위해, 전자 디바이스를 고온에서 형성하더라도 디바이스 특성에 미치는 영향이 보이지 않는다. 이것은 적층체의 수지층에 있어서의 휘발 성분에 의한 영향이 없었기 때문이라고 추찰된다. In Examples 4-6, even if an electronic device is formed at high temperature for the laminated body which has a resin layer of this invention, the influence on a device characteristic is not seen. It is inferred that this is because there was no influence by the volatile component in the resin layer of a laminated body.

한편, 본 발명의 수지층이 아닌 비교예 4 는 전자 디바이스를 고온에서 형성하면 발포가 보여, 휘발 성분이 발생한 것으로 생각된다. 또, 유리 기판에 부착된 수지를 제거할 수 없다. On the other hand, in the comparative example 4 which is not the resin layer of this invention, foaming is seen when an electronic device is formed at high temperature, and it is thought that volatile component generate | occur | produced. Moreover, resin adhered to a glass substrate cannot be removed.

본 출원은, 2011 년 10 월 18 일에 출원된 일본 특허 출원 2011-228792 에 기초하는 것이며, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들인다.This application is based on the JP Patent application 2011-228792 of an application on October 18, 2011, The content is taken in here as a reference.

10 : 적층체
12 : 지지판
14 : 수지층
14a : 수지층의 제 1 주면
16 : 유리 기판
16a : 유리 기판의 제 1 주면
16b : 유리 기판의 제 2 주면
18 : 수지층이 부착된 지지판
20 : 전자 디바이스용 부재
22 : 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체
24 : 부재가 부착된 유리 기판
10: laminate
12: support plate
14: resin layer
14a: first principal plane of resin layer
16: glass substrate
16a: first principal surface of glass substrate
16b: second main surface of the glass substrate
18: support plate with a resin layer
20: member for electronic device
22: laminated body with member for electronic devices
24: glass substrate with member

Claims (15)

지지판의 층과 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비하고,
상기 지지판의 층과 상기 수지층의 계면의 박리 강도 (y) 가, 상기 수지층과 상기 유리 기판의 계면의 박리 강도 (x) 또는 상기 수지층의 응집 파괴 강도 (z) 보다 높고,
상기 수지층의 수지가 가교 실리콘 수지이고,
상기 가교 실리콘 수지가, 식 (1) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-1) 과, 식 (2) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 포함하고,
전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) + (B-1) 의 비율이 70 ∼ 100 몰% 이고, 또한 (A-1) 과 (B-1) 의 합계에 대한 (A-1) 의 비율이 15 ∼ 50 몰% 인 가교 실리콘 수지인, 적층체.
Figure 112019502413841-pct00007

(상기 식 (1) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. 상기 식 (2) 중, R6 및 R7 은, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
The layer of a support plate, the resin layer, and the layer of a glass substrate are provided in this order,
The peeling strength (y) of the interface of the layer of the said support plate and the said resin layer is higher than the peeling strength (x) of the interface of the said resin layer and the said glass substrate, or the cohesive fracture strength (z) of the said resin layer,
The resin of the resin layer is a crosslinked silicone resin,
The crosslinked silicone resin includes an organosiloxy unit (A-1) represented by formula (1) and an organosiloxy unit (B-1) represented by formula (2),
The ratio of (A-1) + (B-1) to all the organosiloxy units is 70 to 100 mol%, and (A-1) to the sum of (A-1) and (B-1) The laminated body which is a crosslinked silicone resin whose ratio is 15-50 mol%.
Figure 112019502413841-pct00007

(In Formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. In Formula (2), R 6 and R 7 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Is displayed.)
제 1 항에 있어서,
상기 가교 실리콘 수지가, 추가로 식 (3) 으로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-2) 및 식 (4) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-2) 중 적어도 어느 한쪽을 포함하고, [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 에 대한 [(A-1) + (B-2)] 의 비율이 15 ∼ 50 몰% 인, 적층체.
Figure 112019502413841-pct00008

(상기 식 (3) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타내고, R2 는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. 상기 식 (4) 중, R6 은 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
The method of claim 1,
The crosslinked silicone resin further contains at least one of an organosiloxy unit (A-2) represented by formula (3) and an organosiloxy unit (B-2) represented by formula (4), And the ratio of [(A-1) + (B-2)] to [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] is from 15 to 50 mol% , Laminate.
Figure 112019502413841-pct00008

(In said formula (3), R <1> represents a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group, and R <2> represents a C1-C4 alkyl group. In said formula (4), R <6> is carbon An alkyl group having 1 to 4 atoms is represented.)
제 2 항에 있어서,
상기 식 (1) 및 식 (3) 에 있어서 식 (9) 로 표시되는 페닐기 (X) 와, 상기 식 (2) 및 (4) 에 있어서 R6 및/또는 R7 로 표시되는 알킬기 (Y) 의 비가, [(X)]/[(X) + (Y)] = 10 ∼ 40 몰% 인, 적층체.
Figure 112019502413841-pct00009

(상기 식 (9) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
The method of claim 2,
In the formulas (1) and (3), the phenyl group (X) represented by formula (9) and the alkyl group (Y) represented by R 6 and / or R 7 in formulas (2) and (4). The laminated body whose ratio is [(X)] / [(X) + (Y)] = 10-40 mol%.
Figure 112019502413841-pct00009

(In formula (9), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
전체 오르가노실록시 단위에 대한 [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)] 의 비율이 95 ∼ 100 몰% 인, 적층체.
The method of claim 2 or 3,
The laminated body whose ratio of [(A-1) + (A-2) + (B-1) + (B-2)]] with respect to all the organo siloxy units is 95-100 mol%.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 식 (1) ∼ (4) 로 표시되는 오르가노실록시 단위가 모두 오르가노알콕시실란 화합물에서 유래하는 단위인, 적층체.
The method of claim 2 or 3,
The laminated body whose all organo siloxy units represented by said formula (1)-(4) are a unit derived from an organoalkoxysilane compound.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지층의 두께가 1 ∼ 5 ㎛ 인, 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The laminated body whose thickness of the said resin layer is 1-5 micrometers.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지판이 유리판인, 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The laminated body whose said support plate is a glass plate.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지판과 상기 유리 기판의 25 ∼ 300 ℃ 에 있어서의 평균 선팽창 계수의 차가 0 ∼ 500 × 10-7/℃ 인, 적층체.
The method according to any one of claims 1 to 3,
The laminated body whose difference of the average linear expansion coefficient in 25-300 degreeC of the said support plate and said glass substrate is 0-500 * 10 <-7> / degreeC.
가교 경화하여 가교 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘 수지의 막을 지지판의 표면에 형성하고,
상기 지지판의 표면 상에서 상기 경화성 실리콘 수지를 가교 경화시켜 가교 실리콘 수지의 막을 형성하고, 이어서,
상기 가교 실리콘 수지의 막의 표면에 유리 기판을 적층하여, 지지판의 층과 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비한 적층체를 제조하는, 적층체의 제조 방법으로서,
상기 가교 실리콘 수지는 식 (1) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (A-1) 과, 식 (2) 로 표시되는 오르가노실록시 단위 (B-1) 을 포함하고, 전체 오르가노실록시 단위에 대한 (A-1) + (B-1) 의 비율이 70 ∼ 100 몰% 이고, 또한 (A-1) 과 (B-1) 의 합계에 대한 (A-1) 의 비율이 15 ∼ 50 몰% 인, 적층체의 제조 방법.
Figure 112019502413841-pct00010

(상기 식 (1) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. 상기 식 (2) 중, R6 및 R7 은, 각각 독립적으로 탄소 원자수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다.)
A film of curable silicone resin, which is crosslinked and cured to become a crosslinked silicone resin, is formed on the surface of the support plate,
The curable silicone resin is crosslinked and cured on the surface of the support plate to form a film of crosslinked silicone resin, and then
As a manufacturing method of a laminated body which laminates a glass substrate on the surface of the film | membrane of the said crosslinked silicone resin, and manufactures the laminated body provided with the layer of a support plate, the resin layer, and the glass substrate in this order,
The said crosslinked silicone resin contains the organo siloxy unit (A-1) represented by Formula (1), and the organo siloxy unit (B-1) represented by Formula (2), and is all organo siloxy The ratio of (A-1) + (B-1) to the unit is 70 to 100 mol%, and the ratio of (A-1) to the total of (A-1) and (B-1) is 15 to 50 mol% of a method for producing a laminate.
Figure 112019502413841-pct00010

(In Formula (1), R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. In Formula (2), R 6 and R 7 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Is displayed.)
제 9 항에 있어서,
상기 경화성 실리콘 수지가 오르가노알콕시실란 화합물의 혼합물의 부분 가수분해 축합물로 이루어지고, 그 경화성 실리콘 수지 및 용매를 포함하는 용액을 상기 지지판의 표면에 도포하여, 상기 용매를 제거함으로써 경화성 실리콘 수지의 막을 형성하는, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 9,
The curable silicone resin comprises a partially hydrolyzed condensate of a mixture of an organoalkoxysilane compound, and a solution containing the curable silicone resin and a solvent is applied to the surface of the support plate to remove the solvent, thereby removing the solvent. The manufacturing method of a laminated body which forms a film | membrane.
제 10 항에 있어서,
상기 부분 가수분해 축합물의 중량 평균 분자량이 1만 ∼ 20만인, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 10,
The manufacturing method of the laminated body whose weight average molecular weights of the said partial hydrolysis-condensation products are 10,000-200,000.
제 10 항에 있어서,
상기 부분 가수분해 축합물의 중량 평균 분자량이 1만 ∼ 10만인, 적층체의 제조 방법.
The method of claim 10,
The manufacturing method of the laminated body whose weight average molecular weights of the said partial hydrolysis-condensation product are 10,000-100,000.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 적층체 중의 상기 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체를 제조하고,
상기 전자 디바이스용 부재가 부착된 적층체로부터, 상기 수지층의 유리 기판측 계면 또는 상기 수지층 내부를 박리면으로 하여, 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판과 수지층이 부착된 지지판으로 분리하고, 이어서,
상기 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 박리면을 청정화하는, 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법.
An electronic device member is formed on the said glass substrate in the laminated body in any one of Claims 1-3, the laminated body with an electronic device member is manufactured,
From the laminated body with an electronic device member, the glass substrate side interface of the said resin layer or the inside of the said resin layer was used as a peeling surface, and it isolate | separates into the glass substrate with an electronic device member, and the support plate with a resin layer, , next,
The manufacturing method of the glass substrate with a member for electronic devices which cleans the peeling surface of the glass substrate with a member for said electronic devices.
제 13 항에 있어서,
상기 청정화가 용매를 이용한 세정인, 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법.
The method of claim 13,
The manufacturing method of the glass substrate with a member for electronic devices whose said cleaning is washing | cleaning using a solvent.
제 14 항에 있어서,
상기 세정이, 용해도 파라미터가 7 ∼ 15 인 용매를 사용한 세정인, 전자 디바이스용 부재가 부착된 유리 기판의 제조 방법.
The method of claim 14,
The manufacturing method of the glass substrate with an electronic device member whose said washing | cleaning is washing | cleaning using the solvent whose solubility parameters are 7-15.
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