KR101963859B1 - Method and apparatus for manufacturing showerhead for semiconductor etching and method for manufacturing apparatus - Google Patents
Method and apparatus for manufacturing showerhead for semiconductor etching and method for manufacturing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR101963859B1 KR101963859B1 KR1020180004277A KR20180004277A KR101963859B1 KR 101963859 B1 KR101963859 B1 KR 101963859B1 KR 1020180004277 A KR1020180004277 A KR 1020180004277A KR 20180004277 A KR20180004277 A KR 20180004277A KR 101963859 B1 KR101963859 B1 KR 101963859B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- processing
- pin
- groove
- machining
- disk
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 133
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 96
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 39
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 16
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
- F16B2/00—Friction-grip releasable fastenings
- F16B2/02—Clamps, i.e. with gripping action effected by positive means other than the inherent resistance to deformation of the material of the fastening
- F16B2/06—Clamps, i.e. with gripping action effected by positive means other than the inherent resistance to deformation of the material of the fastening external, i.e. with contracting action
- F16B2/08—Clamps, i.e. with gripping action effected by positive means other than the inherent resistance to deformation of the material of the fastening external, i.e. with contracting action using bands
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
- F16D3/00—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive
- F16D3/50—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive with the coupling parts connected by one or more intermediate members
- F16D3/76—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive with the coupling parts connected by one or more intermediate members shaped as an elastic ring centered on the axis, surrounding a portion of one coupling part and surrounded by a sleeve of the other coupling part
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Abstract
Description
본 발명은 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치 및 제조 방법, 및 제조 장치의제조 방법에 관한 것이다. 보다 자세하게는 반도체 에칭용 샤워헤드의 홈을 보다 균일하게 생성할 수 있는 제조 장치 및 제조 방법, 및 제조 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a showerhead for semiconductor etching, and a method for manufacturing the apparatus. And more particularly, to a manufacturing apparatus and a manufacturing method that can more uniformly form the grooves of the shower head for semiconductor etching, and a manufacturing method of the manufacturing apparatus.
반도체 에칭용 샤워헤드는 반도체 제조 챔버에서 실리콘웨이퍼로 플라즈마 상태의 가스를 분사하여 웨이퍼를 식각하는데 사용되는 장비이다. 샤워헤드는 다수의 가스분사용 홀을 구비하며, 가스분사용 홀을 통해 플라즈마 상태의 가스를 통과시킨다. 웨이퍼를 정밀하게 식각하기 위해, 샤워헤드의 홀은 정밀하게 생성되어야 한다. 이를 위해, 선행문헌 1(대한민국 등록특허 제10-0299975호) 및 선행문헌 2(대한민국 등록특허 10-0935418호)과 같이 복수 개의 팁들이 돌출 형성된 드링링 플레이트에 연마제와 실리콘 재질의 원판을 대향시키고, 드릴링 플레이트 및 원판에 연마제를 공급하는 동시에 드링링 플레이트에 초음파를 인가하여 원판을 천공하였다. 하지만, 선행문헌 1 및 선행문헌 2는 두꺼운 샤워헤드 가공 시 드릴링 플레이트에 삽입된 핀의 길이가 길어지게 된다. 이는 초음파 생성 시 핀이 진동하게 되어 샤워헤드의 홀이 균일하게 형성되지 않는 문제점을 유발한다.A showerhead for semiconductor etching is a device used to etch a wafer by spraying a gas in a plasma state from a semiconductor manufacturing chamber to a silicon wafer. The showerhead has a plurality of gas distribution holes, and passes a gas in a plasma state through the gas distribution hole. In order to precisely etch the wafer, holes in the showerhead must be precisely generated. To this end, an abrasive and an original plate made of silicon are opposed to a de-ringing plate in which a plurality of tips are protruded as in Prior Art 1 (Korean Patent No. 10-0299975) and Prior Art Document 2 (Korean Patent No. 10-0935418) , The drilling plate and the abrasive plate were supplied to the disk, and ultrasonic waves were applied to the de-ringing plate to perforate the disk. However, in the
본 발명의 기술적 과제는 샤워헤드에 균일한 홈을 생성할 수 있는 샤워헤드 제조 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a showerhead manufacturing apparatus capable of generating a uniform groove in a showerhead.
또한, 본 발명의 기술적 과제는 상기 샤워헤드 제조 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.The present invention also provides a method for manufacturing the showerhead manufacturing apparatus.
또한, 본 발명의 기술적 과제는 샤워헤드의 상면 및 하면이 서로 다른 직경의 홈을 구비하도록 샤워헤드를 제조하는 제조 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a manufacturing apparatus for manufacturing a showerhead such that the upper and lower surfaces of the showerhead have grooves of different diameters.
이를 위해 본 발명은 슬러리(s)를 가공디스크(d)로 유입시키고 초음파 생성부(110)를 가동시켜 상기 가공디스크(d)에 홈을 제공함으로써 샤워헤드를 제조하는 장치로서, 복수의 기준 홈(131)이 구비되고 가공디스크(d)를 고정하는 고정 지그(130) 및 초음파 생성부(110)의 하단에 구비되고, 저면에 복수의 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 구비하는 공구혼(140)을 포함하고, 복수의 기준 핀(142)이 기준 홈(131)에 삽입되도록 공구혼(140)을 배치하여 가공디스크(d)의 상면에 가공 핀(141)에 대응하는 제 1 가공 홈(h1)을 생성하는 것을 특징으로 한다.To this end, the present invention is an apparatus for manufacturing a showerhead by introducing a slurry (s) into a processing disk (d) and operating the ultrasonic generator (110) to provide a groove in the processing disk (d) A
본 발명에 따르면, 가공디스크(d)의 상면에 제 1 가공 홈(h1)을 생성하고, 가공디스크(d)를 뒤집은 다음 가공디스크(d)의 하면에 제 2 가공 홈(h2)을 생성함으로써, 가공디스크(d)에 균일한 관통 홈(h3)을 생성할 수 있다.According to the present invention, the first machining groove h1 is formed on the upper surface of the machining disk d, the machining disk d is turned over and the second machining groove h2 is formed on the lower surface of the machining disk d , It is possible to create a uniform through hole (h3) in the processing disk (d).
또한, 본 발명은 공구혼(140)에 구비된 기준 핀(142)을 기준 홈(131)에 삽입되도록 공구혼(140)의 위치를 변경함으로써, 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)의 중심이 일치하도록 가공할 수 있다.The present invention is also characterized in that the position of the
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130), 연마액 유입부 및 연마액 유출부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130) 및 가공디스크(d)를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130) 및 기준 홈(131)을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130)를 뒤집는 것ㅇ르 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130), 가공디스크(d) 및 공구혼(140)을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130), 가공디스크(d) 및 공구혼(140)이 배치된 상태에서의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 공구혼(140), 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 공구혼(140)이 가공디스크(d)를 가공하는 것을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 가공 홈(h1)이 생성된 가공디스크(d)를 뒤집어 가공디스크(d)를 가공하는 것을 나타내는 도면이다.
도 11은 또다른 일례의 가공디스크(d)를 나타내는 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드의 제조 방법을 나타내는 도면이다.
도 14 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치에 사용되는 공구혼(140)의 제조 방법을 나타내는 도면이다.1 is a perspective view showing an apparatus for manufacturing a showerhead for semiconductor etching according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view showing the
3 is a view showing a
4 is a view showing the
5 is a view showing the
6 is a view showing a
7 is a cross-sectional view of the
8 is a view showing a
Fig. 9 is a view showing the
FIG. 10 is a view showing a processing disk d processed by turning a processing disk d on which a first processing groove h1 is formed according to an embodiment of the present invention.
Fig. 11 is a view showing another example of the processed disk d.
12 and 13 are views showing a method of manufacturing a showerhead for semiconductor etching according to an embodiment of the present invention.
14 to 16 are views showing a method of manufacturing a
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한 도면에서 본 발명을 명확하게 개시하기 위해서 본 발명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면에서 동일하거나 유사한 부호들은 동일하거나 유사한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Also, in order to clearly illustrate the present invention in the drawings, portions not related to the present invention are omitted, and the same or similar reference numerals denote the same or similar components.
본 발명의 목적 및 효과는 하기의 설명에 의해서 자연스럽게 이해되거나 보다 분명해질 수 있으며, 하기의 기재만으로 본 발명의 목적 및 효과가 제한되는 것은 아니다.The objects and effects of the present invention can be understood or clarified naturally by the following description, and the objects and effects of the present invention are not limited only by the following description.
본 발명의 목적, 특징 및 장점은 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다.The objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
이제부터, 도면을 참고하여 본 발명에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드의 제조 장치 및 제조 방법, 및 제조 장치의 제조 방법을 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a shower head for semiconductor etching according to the present invention and a manufacturing method of the manufacturing apparatus will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing an apparatus for manufacturing a showerhead for semiconductor etching according to an embodiment of the present invention.
반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치는 슬러리(s)를 가공디스크(d)로 유입시키고 초음파 생성부(110)를 가동시켜 가공디스크(d)에 홈을 제공함으로써 샤워헤드를 제조한다. 이를 위해, 샤워헤드 제조 장치는 가공디스크(d)를 가공하기 위한 초음파를 생성하는 초음파 생성부(110), 가공디스크(d)를 파지하여 고정하는 고정 지그(130), 초음파 생성부(110)에 의한 진동을 가공디스크(d)로 전달하는 공구혼(140), 고정 지그(130) 및 가공디스크(d)에 슬러리(s)를 유입하는 슬러리 유입부(121) 및 슬러리(s)를 배출하는 슬러리 배출부(122)를 포함한다.The showerhead manufacturing apparatus for semiconductor etching produces a showerhead by introducing slurry s into a processing disk d and actuating the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130), 슬러리(s) 유입부(121) 및 슬러리(s) 유출부를 나타내는 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130) 및 가공디스크(d)를 나타내는 도면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130) 및 기준 홈(131)을 나타내는 도면이다.FIG. 2 is a perspective view showing a
도 2를 설명하기에 앞서, 고정 지그(130)가 배치되는 작업대(120)는 슬러리(s)를 용이하게 순환시키기 위해 지면으로부터 소정 각도로 경사져 구비되는 것을 일례로 설명한다. 하지만 작업대(120)가 구비되는 각도는 이에 한정되지 않는다. 작업대(120)는 고정 지그(130)가 배치되는 공간이고, 슬러리 유입부(121)를 통해 유입되는 슬러리(s)가 외부로 유출되는 것을 방지한다. 이를 위해 작업대(120)는 상면이 개구되고, 상면의 테두리 부분은 상면의 개구된 부분으로부터 상측으로 돌출되어 구비된다. 이는 슬러리(s)가 외부로 유출되는 것을 방지하기 위함이다.Before describing FIG. 2, the work table 120 on which the
작업대(120)는 슬러리 유입부(121)를 포함한다. 슬러리 유입부(121)는 가공디스크(d)에 슬러리(s)를 유입하는 구성으로서, 관 형상으로 구비된다. 여기서, 슬러리(s)는 물과 금속 재질의 연마재가 혼합된 것으로서, 보다 바람직한 실시예의 슬러리(s)는 물과 다이아몬드 가루로 이루어진 파우터가 혼합되어 구비될 수 있다. 이외에도 물과 교반된 상태로 가공디스크(d)를 연마할 수 있는 재질이라면 어느 재질이라도 슬러리(s)의 재료로 구비될 수 있다. 슬러리(s)는 관 형상의 슬러리(s) 유입부(121)로부터 배출되어 작업대(120)의 개구된 부분을 따라 슬러리(s) 유입부(121)보다 비교적 하측에 구비되는 슬러리 배출부(122)로 흐르게 된다. 슬러리(s) 배출부(122)는 작업대(120)의 개구된 부분을 따라 흐르는 슬러리(s)를 작업대(120)의 외부로 배출하는 구성이다. 슬러리 배출부(122)는 슬러리 유입부(121)보다 비교적 하측에 구비된다. 보다 바람직한 실시예로서, 슬러리 배출부(122)는 작업대(120)의 개구된 부분에 구멍 형상으로 구비되고, 상기 구멍은 작업대(120)의 외부를 향해 관통 형성됨으로써, 슬러리(s)를 작업대(120)의 외부로 배출할 수 있다. 슬러리 배출부(122)를 통해 슬러리(s)는 작업대(120) 내에서 적층되지 않고 배출되어 가공디스크(d)의 가공 효율을 향상시킬 수 있다.The work table 120 includes a
작업대(120)의 개구된 부분에는 고정 지그(130)가 구비된다. 고정 지그(130)는 가공디스크(d)를 파지하여 고정한다. 고정 지그(130)는 한 쌍으로 구비되고, 가공디스크(d)가 고정될 수 있도록 일 측면에 기준 홈(131)을 구비한다. 또한, 고정 지그의 상면(130a) 및 하면(130b)에는 가공디스크(d)를 가공하기 위한 공구혼(140)의 정확한 위치를 제시하는 기준 홈(131a, 131b)이 각각 구비된다. 보다 바람직한 실시예로서, 기준 홈(131a, 131b)은 고정 지그의 상면(130a) 및 하면(130b)의 가운데 부분에 구비될 수 있다. 또한, 기준 홈(131a, 131b)은 후술할 공구혼(140)에 구비된 기준 핀(142)이 삽입되도록 기준 핀(142)과 동일한 직경으로 구비된다. 또한, 고정 지그(130)를 뒤집었을 때 고정 지그의 상면(130a)에 구비된 기준 홈(131a)과 하면(130b)에 구비된 기준 홈(131b)은 서로 동일한 위치에 구비되어야 함이 바람직하다. 여기서, 고정 지그(130)를 “뒤집는” 것은 가공디스크의 상면(d1) 및 하면(d2)의 위치가 바뀌도록 180도 뒤집는 것을 뜻한다. 도 5를 통해 구체적으로 설명하자면, 상측을 향하는 가공디스크의 상면(d1)이 하측을 향하도록 고정 지그(130)를 뒤집는 것이 본 발명에서의 “뒤집는” 것이다. 이에 따라, 고정 지그의 상면(130a) 및 하면(130b)에 각각 구비된 기준 홈(131a, 131b)은 고정 지그(130)를 뒤집었을 때 서로 동일한 위치에 배치되는 것이다. 즉, 고정 지그의 상면(130a)에 구비된 기준 홈(131a)은 뒤집었을 때 하면(130b)에 구비된 기준 홈(131b)의 위치에 배치되고, 고정 지그의 하면(130b)에 구비된 기준 홈(131b)은 뒤집었을 때 상면에 구비된 기준 홈(131a)의 위치에 배치되는 것이다. 이와 같이 고정 지그의 상면(130a) 및 하면(130b)에 구비된 기준 홈(131a, 131b)이 뒤집었을 때 서로 동일한 위치에 배치되는 것은 공구혼(140)에 구비된 기준 핀(142)의 위치를 동일하게 하여 후술할 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)의 중심을 일치시키기 위함이다.A
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130), 가공디스크(d) 및 공구혼(140)을 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 지그(130), 가공디스크(d) 및 공구혼(140)이 배치된 상태에서의 단면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 공구혼(140), 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 나타내는 도면이다.6 is a view showing a fixing
공구혼(140)은 초음파 생성부(110)에 의한 진동을 가공디스크(d)로 전달한다. 공구혼(140)은 소정의 두께를 구비하는 판 형상으로 구비되고, 상면은 초음파를 생성하는 초음파 생성부(110)의 하단과 접촉하도록 구비된다. 보다 바람직한 실시예로서, 공구혼(140)의 측면에는 초음파에 의한 진동을 증폭시킬 수 있도록 별도의 홈이 복수 구비될 수 있다. 공구혼(140)의 하면에는 가공디스크(d)에 홈을 생성하는 가공 핀(141) 및 선술한 기준 홈(131)에 삽입되어 공구혼(140)을 가공디스크(d) 상에서 정확한 위치에 배치시키는 기준 핀(142)이 구비된다.The
가공 핀(141)은 가공디스크(d)에 홈을 생성한다. 상세하게, 가공 핀(141)은 원통 형상으로 구비되고 복수 구비된다. 하지만, 가공 핀(141)의 형상은 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에서는 복수의 가공 핀(141)이 원형으로 배열되어 공구혼(140)의 하면에 구비되는 것을 일례로 하지만, 이는 작업자에 의해 설계 변경이 가능하다. 즉, 작업자는 원하는 샤워헤드의 홈의 배열 상태를 만들기 위해 상기 샤워헤드의 홈의 배열과 대응되는 가공 핀(141)이 복수 구비된 공구혼(140)을 생성할 수 있다. 이는 제조 장치를 별도로 변경하지 않고 가공 핀(141)의 배열만 변경함으로써, 제조 장치의 설계 변경에 따른 금전적인 손실을 방지할 수 있는 효과가 있다. 가공 핀(141)은 작업자가 손으로 도 14 내지 도 16에 후술될 고정 판의 삽입 홈(151)에 삽입하거나, 별도의 삽입 장치를 사용하여 자동으로 삽입 홈(151)에 삽입할 수 있다. 가공 핀(141)이 구비된 공구혼(140)을 제조하는 방법에 대한 보다 상세한 설명은 도 14 내지 도 16에서 설명하도록 한다. 가공 핀(141)의 일단은 가공디스크(d)의 상면과 접촉하도록 구비되고, 초음파 생성부(110)를 통한 진동에 의해 가공디스크(d)의 하측 방향(도 7 및 도 9에서의 하측 방향)으로 가공디스크(d)를 파고들어 제 1 가공 홈(h1)을 생성한다.The
기준 핀(142)은 가공디스크(d)에 균일한 홈을 생성하기 위해 공구혼(140)의 위치를 특정한다. 이를 위해, 기준 핀(142)은 공구혼(140)이 가공디스크(d) 상에 배치될 때 기준 홈(131)에 삽입될 수 있도록 공구혼(140)의 하면에 구비된다. 또한, 기준 핀(142)은 기준 홈(131)의 형상에 대응되고, 기준 홈(131)의 두께보다 작거나 같은 높이로 구비된다. 이는 기준 핀(142)이 가공디스크(d)에 별도의 홈을 생성하는 것을 방지하기 위함이다. 즉, 기준 핀(142)은 공구혼(140)의 위치를 특정할 뿐 가공디스크(d)의 가공에는 관여하지 않도록 구비되어야 함이 바람직하다. 보다 바람직한 실시예로서, 기준 핀(142)의 길이는 가공 핀(141)의 길이보다 작거나 같도록 구비된다. 작업자는 기준 핀(142)이 기준 홈(131)에 삽입되도록 공구혼(140)의 위치를 조정한 후 가공디스크(d)의 가공을 진행할 수 있고, 이에 따라 가공디스크(d)에 보다 균일한 홈을 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에서 기준 핀(142)은 가공 핀(141)이 구비된 배열의 외측에 구비된다. 이는 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 구분하고, 작업자가 육안 또는 별도의 관측 장치를 통해 기준 홈(131) 및 기준 핀(142)을 보면서 기준 홈(131)에 기준 핀(142)을 보다 용이하게 삽입하기 위함이다.The
도 9를 참조하면, 가공디스크(d)의 상면에 복수의 가공 핀(141)이 배치되고, 초음파 생성부(110)에 의해 가공 핀(141)이 진동함에 따라, 가공디스크(d)의 상면에는 가공 핀(141)에 대응하는 제 1 가공 홈(h1)이 생성된다. 여기서, 가공디스크(d)의 상면은 가공디스크(d)의 하면과 구분하기 위해 도면부호를 달리하여 설명하도록 한다. 가공디스크(d)의 상면에는 제 1 가공 홈(h1)이 생성된다. 제 1 가공 홈(h1)의 깊이는 가공디스크(d)의 두께보다 작고, 가공디스크(d)의 두께의 절반보다 큰 깊이로 구비된다. 이는 가공디스크(d)의 두께만큼의 길이의 가공 핀(141)이 구비되어 가공 핀(141)이 초음파 생성부(110)에 의해 과도하게 진동하는 것을 방지하기 위함이다.9, a plurality of machining pins 141 are disposed on the upper surface of the machining disk d, and the
도 14 내지 도 16을 참조하면, 공구혼(140)은 일면에 접착제(g)를 도포하고, 복수의 삽입공이 구비된 고정판(150)의 일면에 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 삽입하며, 고정판(150)의 타면에 자성체(160)를 배치시켜 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 고정판(150)에 고정하고, 고정판(150)을 공구혼(140)의 일면에 배치하며, 접착제(g)를 건조시키고, 자성체(160) 및 고정판(150)을 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)으로부터 제거하는 방법을 사용하여 제조된다. 이에 대한 자세한 설명은 도 14 내지 도 16에서 추가적으로 상세하게 설명하겠다.14 to 16, the
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 가공 홈(h1)이 생성된 가공디스크(d)를 뒤집어 가공디스크(d)를 가공하는 것을 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a view showing a processing disk d processed by turning a processing disk d on which a first processing groove h1 is formed according to an embodiment of the present invention.
제 1 가공 홈(h1) 생성 후 가공디스크(d) 및 고정지그를 뒤집는다. 선술했듯이, “뒤집는”것은 가공디스크(d)의 상면이 하측을 향하도록 하고, 하면이 상측을 향하도록 180도 뒤집는 것을 뜻한다(도 10a 참조). 가공디스크(d) 하면에 가공 핀(141)이 삽입된 공구 혼을 배치시키고, 슬러리(s)를 유입한 상태에서 초음파 생성부(110)의 진동을 이용하여 가공디스크(d)의 하면에 제 2 가공 홈(h2)을 생성한다. 여기서, 제 1 가공 홈(h1)을 생성하던 것과 마찬가지로 공구혼(140)은 기준 핀(142)이 고정 지그(130)의 하면에 구비된 기준 홈(131)에 삽입되도록 위치를 맞추어야 함이 바람직하다. 이로써, 제 2 가공 홈(h2)은 제 1 가공 홈(h1)과 비교하여 그 중심이 서로 일치하도록 형성된다. 제 2 가공 홈(h2)의 깊이는 제 1 가공 홈(h1)의 경우와 동일하게 가공디스크(d)의 두께보다 작고, 가공디스크(d)의 두께의 절반보다 큰 깊이로 구비된다. 이에 따라, 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)이 서로 연결됨으로써 관통홈(h3)이 형성된다. 도 10에서 서술한 것처럼 가공디스크(d)를 뒤집어 제 2 가공 홈(h2)을 생성함에 따라, 가공 핀(141)의 길이로 인해 발생되는 가공 핀(141)의 과도한 진동을 방지할 수 있고, 가공 핀(141)의 과도한 진동으로 인한 불균일한 홈의 형성을 방지하여 양질의 샤워헤드를 제조할 수 있다.After the first machining groove h1 is formed, the machining disk d and the fixing jig are turned upside down. As described above, " turning over " means turning the upper surface of the processing disk d downward and turning the lower side 180 degrees so as to face upward (see Fig. 10A). A tool horn in which the
도 11은 또다른 일례의 가공디스크(d)를 나타내는 도면이다.Fig. 11 is a view showing another example of the processed disk d.
본 발명의 일 실시예에 의한 가공디스크(d)와 비교하여 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)은 서로 다른 직경을 구비한다. 즉, 제 1 가공 홈(h1) 생성 후, 가공디스크(d)를 뒤집어 제 2 가공 홈(h2)을 생성할 때, 다른 직경으로 구비된 복수의 가공 핀(141)을 구비한 공구혼(140)을 가공디스크(d)의 하면에 배치시켜 제 2 가공 홈(h2)을 생성한다. 이에 따라, 관통 홈(h3)은 단차진 형상으로 구비된다. 이는 샤워헤드의 관통 홈(h3) 사이로 플라즈마 유체가 통과할 때 보다 강한 압력을 가지도록 하는 효과를 가질 수 있다. 또한, 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)이 서로 다른 직경을 구비함에 따라, 보다 정밀한 반도체 에칭이 가능하다.The first processing groove h1 and the second processing groove h2 have different diameters in comparison with the processing disk d according to the embodiment of the present invention. That is, when the machining disk d is turned upside down to generate the second machining groove h2 after the first machining groove h1 is generated, a
도 12 및 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드의 제조 방법을 나타내는 도면이다. 도 12 및 도 13을 설명하기에 앞서, 보다 용이한 발명의 설명을 위해, 도 12 및 도 13의 작업대(120), 고정지그 및 가공디스크(d)는 경사를 가지지 않고 지면과 평행하도록 구비되는 것으로 설명한다.12 and 13 are views showing a method of manufacturing a showerhead for semiconductor etching according to an embodiment of the present invention. Prior to describing FIGS. 12 and 13, for easier explanation of the invention, the
반도체 에칭용 샤워헤드를 제조하는 방법은 고정 지그(130) 사이에 가공디스크(d)를 개재하는 단계, 가공디스크(d)에 슬러리(s)를 유입하는 단계, 복수의 가공 핀(141)이 구비된 공구혼(140)을 가공디스크(d) 상면에 배치하는 단계, 초음파 생성부(110)를 통해 공구혼(140)을 진동시켜 가공디스크(d)에 제 1 가공 홈(h1)을 생성하는 단계, 가공디스크(d)를 뒤집는 단계, 공구혼(140)을 가공디스크(d) 하면에 배치하는 단계 및 초음파 생성부(110)를 통해 공구혼(140)을 진동시켜 가공디스크(d)에 제 2 가공 홈(h2)을 생성함으로써 관통홈(h3)을 생성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a showerhead for semiconductor etching includes a step of interposing a processing disk d between fixing
고정 지그(130) 사이에 가공디스크(d)를 개재하는 단계는 가공디스크(d)를 고정하는 단계이다. 상세하게, 작업대(120)의 개구된 부분에 한 쌍의 고정 지그(130)가 구비되고, 가공디스크(d)는 고정 지그(130)의 사이에 개재됨으로써 고정된다.The step of interposing the processing disk d between the fixing
가공디스크(d)에 슬러리(s)를 유입하는 단계는 도 2에서 선술한 슬러리(s) 유입부(121)를 통해 슬러리(s)를 작업대(120)의 개구된 부분에 유입한다. 이 과정에서 가공디스크(d)는 슬러리(s)에 잠기게 된다. 여기서 슬러리(s)는 물과 연마재가 혼합된 것으로서, 보다 자세하게는 물과 다이아몬드 재질의 연마재가 교반된 것일 수 있다.The step of introducing the slurry s into the processing disk d flows the slurry s into the open part of the
복수의 가공 핀(141)이 구비된 공구혼(140)을 가공디스크(d) 상면에 배치하는 단계는 가공디스크(d)의 상면에 제 1 가공 홈(h1)을 생성하기 위해 공구혼(140)에 구비된 가공 핀(141)의 일단을 가공디스크(d)의 상면에 접촉시키는 단계이다. 여기서, 작업자는 기준 핀(142)이 기준 홈(131)에 삽입되도록 공구혼(140)의 위치를 조정한다. 이 과정에서 작업자는 육안 또는 별도의 관측 장치를 통해 기준 핀(142) 및 기준 홈(131)을 보면서 공구혼(140)의 위치를 조정한다. 보다 바람직한 실시예로서, 관측 장치는 소형의 카메라로 구비될 수 있다.The step of disposing the
초음파 생성부(110)를 통해 공구혼(140)을 진동시켜 가공디스크(d)에 제 1 가공 홈(h1)을 생성하는 단계는 기준 핀(142)이 기준 홈(131)에 삽입된 상태에서 초음파 생성부(110)를 통해 공구혼(140)을 진동시킨다. 공구혼(140)의 진동에 따라 복수의 가공 핀(141) 또한 진동하게 되며, 이에 따라 슬러리(s) 및 가공 핀(141)의 진동이 더해져 가공디스크(d)의 상면에 가공 핀(141)의 크기 및 형상에 대응하는 제 1 가공 홈(h1)이 생성된다. 여기서, 제 1 가공 홈(h1)의 깊이는 가공디스크(d)의 두께보다 작고, 가공디스크(d)의 두께의 절반보다 큰 깊이로 구비된다.The step of vibrating the
가공디스크(d)를 뒤집는 단계는 도 12의 A 이후에 진행되는 첫 단계이다. 가공디스크(d)를 뒤집는 단계는 제 1 가공 홈(h1)을 형성한 후, 가공디스크(d) 및 고정지그를 뒤집는다. 선술하였지만, “뒤집는”것은 가공디스크(d)의 상면이 하측을 향하고, 하면이 상측을 향하도록 180도 뒤집는 것이다. 이에 따라, 가공되지 않은 가공디스크(d)의 하면은 상측을 향하게 된다.The step of reversing the processed disk d is the first step after A in Fig. In the step of reversing the processing disk (d), after forming the first processing groove (h1), the processing disk (d) and the fixing jig are reversed. Quot; reverses " is that the upper surface of the processing disk d is turned downward and the lower surface is turned upside down by 180 degrees. Thus, the lower surface of the unprocessed machining disk d faces upward.
공구혼(140)을 가공디스크(d) 하면에 배치하는 단계는 뒤집은 가공디스크(d)의 하면의 위에 공구혼(140)을 배치시키는 단계이다. 상세하게, 공구혼(140)은 기준 핀(142)이 고정 지그(130)의 하면에 생성된 기준 홈(131)에 삽입되도록 위치가 조정된다. 여기서, 선술하였듯이 고정 지그(130)의 상면 및 하면의 동일한 위치에는 기준 홈(131)이 구비되기 때문에 고정 지그(130)를 뒤집어도 기준 홈(131)이 동일한 위치에 구비되어야 함이 바람직하다. 이 과정에서 작업자는 육안 또는 별도의 관측 장치를 통해 기준 핀(142) 및 기준 홈(131)을 보면서 공구혼(140)의 위치를 조정한다. 보다 바람직한 실시예로서, 관측 장치는 소형의 카메라로 구비될 수 있다.The step of disposing the
초음파 생성부(110)를 통해 공구혼(140)을 진동시켜 가공디스크(d)에 제 2 가공 홈(h2)을 생성함으로써 관통홈(h3)을 생성하는 단계는 슬러리(s)가 가공디스크(d)에 유입된 상태에서 초음파 생성부(110)에 의한 진동을 통해 가공디스크(d)의 하면에 제 2 가공 홈(h2)을 생성하는 단계이다. 제 2 가공 홈(h2)의 깊이는 가공디스크(d)의 두께보다 작고, 가공디스크(d)의 두께의 절반보다 큰 깊이로 구비된다. 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)은 각각의 중심이 서로 일치하도록 형성되고, 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)은 서로 연결됨으로써, 하나의 관통홈(h3)이 형성된다.The step of generating the through groove (h3) by vibrating the tool horn (140) through the ultrasonic wave generating part (110) to generate the second machining groove (h2) in the machining disc (d) d to generate a second machining groove h2 on the lower surface of the machining disk d through the vibration of the
서술한 일련의 과정을 통해, 종래의 두꺼운 가공디스크(d)를 가공하고자 할 때 요구되는 가공 핀(141)의 길이가 커지고, 이에 따라 가공 핀(141)이 과도하게 진동하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 가공 핀(141)의 과도한 진동을 방지함으로써, 보다 정밀한 관통 홈(h3)을 생성하여 양질의 샤워헤드를 제조할 수 있다.The length of the
도 14 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치에 사용되는 공구혼(140)의 제조 방법을 나타내는 도면이다.14 to 16 are views showing a method of manufacturing a
반도체 에칭용 샤워헤드를 가공하는 공구혼(140)을 제조하는 방법은 공구혼(140)의 일 면에 접착제(g)를 도포하는 단계 일면에 복수의 삽입공이 구비된 고정 판에 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 삽입하는 단계, 고정판(150)의 타면에 자성체(160)를 배치시켜 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 고정하는 단계, 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 포함한 고정판(150)을 공구혼(140)의 일면에 배치하는 단계, 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 공구혼(140)의 일면에 배치된 상태에서 접착제(g)를 건조시키는 단계, 접착제(g)가 굳은 후 자성체(160)를 상기 고정판(150)으로부터로부터 분리하는 단계 및 고정판(150)을 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)으로부터 분리하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a tool horn (140) for processing a semiconductor etching showerhead includes the steps of applying an adhesive (g) to one surface of a tool horn (140) Inserting the
공구혼(140)의 일 면에 접착제(g)를 도포하는 단계는 복수의 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)이 배치될 공구혼(140)의 일 면에 접착제(g)를 도포하는 단계이다. 여기서, 보다 바람직한 실시예로서, 공구혼(140)의 일 면에는 공구혼(140)의 일 면의 둘레를 따라 형성되는 띠 형상의 접착제 차단부재를 설치될 수 있다. 접착제(g) 차단부재는 공구혼(140)의 일 면보다 상측으로 돌출되도록 구비된다. 접착제(g)는 공구혼(140)의 일 면에 도포되되 상기 접착제 차단부재의 높이보다 작거나 같은 높이로 적층되어 도포된다. 이에 따라 접착제(g)는 공구혼(140)의 일 면 상에서 균일한 높이로 도포되어 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 모두 균일한 접착력으로 고정시킬 수 있다.The step of applying the adhesive agent g to one surface of the
일면에 복수의 삽입 홈(151)이 구비된 고정 판에 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 삽입하는 단계는 공구혼(140)에 고정될 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)의 위치가 변동되지 않도록 고정시키는 단계이다. 상세하게, 고정 판의 일면에는 복수의 삽입 홈(151)이 구비되고, 상기 삽입 홈(151)에 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 삽입한다. 여기서, 기준 핀(142)은 복수의 가공 핀(141)보다 외측에 구비된다. 이는 작업자가 기준 핀(142) 및 기준 홈(131)을 보면서 공구혼(140)의 위치를 조정하기 용이하게 하기 위함이다. 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)은 작업자가 수동으로 삽입 홈(151)에 삽입하거나, 별도의 삽입 장치를 통해 자동으로 삽입홈에 삽입할 수 있다.The step of inserting the
고정판(150)의 타면에 자성체(160)를 배치시켜 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 고정하는 단계는 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 삽입 홈(151)으로부터 이탈되는 것을 방지하기 위한 단계이다. 고정판(150)의 타면에는 자성체(160)가 구비되고, 자성체(160)의 자성에 의해 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)은 삽입 홈(151)에 삽입된 상태로 고정된다. 이를 위해, 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)은 자성을 가지는 재질로 구비되어야 함이 바람직하다. 또한, 자성체(160)는 후술할 자성체(160)를 고정판(150)으로부터 분리하는 단계에서 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 자성체(160)의 자성에 의해 자성체(160)와 같이 분리되는 것을 방지하기 위해 고무자석 또는 전류 주입 시에만 자성을 갖는 전자석으로 구비되어야 함이 바람직하다. 즉, 자성체(160)를 통해 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 고정할 때에는 자성체(160)에 전류가 흐르는 것이 바람직하다.The step of disposing the
기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 포함한 고정판(150)을 공구혼(140)의 일면에 배치하는 단계는 도 14의 B 이후에 진행되는 단계이다. 자성체(160)에 의해 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 삽입 홈(151)에 삽입된 채로 고정된 고정판(150)을 공구혼(140)의 일면에 배치한다. 즉, 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)의 일단은 접착제(g)에 잠기도록 배치된다.The step of disposing the fixing
기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 공구혼(140)의 일면에 배치된 상태에서 접착제(g)를 건조시키는 단계는 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 공구혼(140)의 일면에 견고하게 부착시켜 위치 변형을 방지하기 위한 단계이다.The step of drying the adhesive g with the
접착제(g)가 굳은 후 자성체(160)를 고정판(150)으로부터로부터 분리하는 단계에서는 자성체(160)에 흐르는 전류를 차단하여 자성체(160)의 자성을 제거한다. 자성체(160)의 자성을 제거하고 나서, 자성체(160)를 고정판(150)으로부터 분리하여 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 자성체(160)와 같이 고정판(150)으로부터 분리되는 것을 방지한다.In the step of separating the
고정판(150)을 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)으로부터 분리하는 단계에서는 고정판(150)을 상측으로 가압하여 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)으로부터 분리한다. 여기서, 고정판(150) 분리 후 공구혼(140)의 일 면의 둘레를 따라 구비된 접착제(g) 차단부재를 공구혼(140)으로부터 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 공구혼(140)은 일 면에 기준 핀(142) 및 고정 핀을 구비하게 되고, 상기 공구혼(140)을 뒤집어 가공디스크(d)에 배치함으로써 가공디스크(d)에 제 1 가공 홈(h1) 또는 제 2 가공 홈(h2)을 생성할 수 있다.In the step of separating the fixing
상기한 본 발명의 바람직한 실시 예는 예시의 목적으로 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 상기의 특허청구 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Should be regarded as belonging to the above-mentioned patent claims.
본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서, 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로, 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventive concept as defined by the appended claims. But is not limited thereto.
상술한 예시적인 시스템에서, 방법들은 일련의 단계 또는 블록으로써 순서도를 기초로 설명되고 있지만, 본 발명은 단계들의 순서에 한정되는 것은 아니며, 어떤 단계는 상술한 바와 다른 단계와 다른 순서로 또는 동시에 발생할 수 있다. 또한, 당업자라면 순서도에 나타낸 단계들이 배타적이지 않고, 다른 단계가 포함되거나 순서도의 하나 또는 그 이상의 단계가 본 발명의 범위에 영향을 미치지 않고 삭제될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the above-described exemplary system, the methods are described on the basis of a flowchart as a series of steps or blocks, but the present invention is not limited to the order of the steps, and some steps may occur in different orders . It will also be understood by those skilled in the art that the steps shown in the flowchart are not exclusive and that other steps may be included or that one or more steps in the flowchart may be deleted without affecting the scope of the invention.
Claims (9)
복수의 기준 홈(131)이 구비되고 상기 가공디스크(d)를 고정하는 고정 지그(130); 및
상기 초음파 생성부(110)의 하단에 구비되고, 저면에 복수의 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 구비하는 공구혼(140); 을 포함하고,
상기 복수의 기준 핀(142)이 상기 기준 홈(131)에 삽입되도록 상기 공구혼(140)을 배치하여 상기 가공디스크(d)의 상면에 상기 가공 핀(141)에 대응하는 제 1 가공 홈(h1)을 생성하고,
상기 기준 홈(131)은 상기 고정 지그(130)의 상면 및 하면에 각각 구비되고, 상기 고정 지그(130)를 뒤집었을 때 상면 및 하면에 구비된 기준 홈(131)은 서로 동일한 위치에 구비되고,
상기 제 1 가공 홈(h1)의 깊이는 상기 가공디스크(d)의 두께보다 작고 상기 가공디스크(d) 두께의 절반보다 큰 깊이로 구비되며,
상기 가공디스크(d)의 하면에는 제 2 가공 홈(h2)이 형성되고, 상기 제 1 가공 홈(h1)의 중심 및 제 2 가공 홈(h2)의 중심은 서로 일치하도록 형성되고,
상기 가공디스크(d)의 하면에 생성되는 상기 제 2 가공 홈(h2)은,
상기 가공디스크(d) 및 고정 지그(130)를 뒤집은 후 상기 공구혼(140)을 배치함으로써 생성되고,
상기 가공디스크(d)는 상기 제 1 가공 홈(h1) 및 제 2 가공 홈(h2)이 연결되어 형성된 관통홈(h3)을 구비하며,
상기 공구혼(140)은,
복수의 삽입공이 구비된 고정판(150)의 일면에 접착제(g)를 도포하고, 상기 고정판(150)의 일면에 상기 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 삽입하며, 상기 고정판(150)의 타면에 자성체(160)를 배치시켜 상기 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)을 고정하고, 상기 고정 판을 상기 공구혼(140)의 일면에 배치하며, 상기 접착제(g)를 건조시키고 상기 자성체(160) 및 고정판(150)을 상기 가공 핀(141) 및 기준 핀(142)으로부터 제거함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 에칭용 샤워헤드의 제조 장치.
An apparatus for manufacturing a showerhead by introducing a slurry (s) into a processing disk (d) and operating the ultrasonic generator (110) to provide a groove in the processing disk (d)
A fixing jig (130) having a plurality of reference grooves (131) and fixing the processing disc (d); And
A tool horn 140 provided at a lower end of the ultrasonic wave generator 110 and having a plurality of processing pins 141 and a reference pin 142 on a bottom surface thereof; / RTI >
The tool horn 140 is disposed so that the plurality of reference pins 142 are inserted into the reference groove 131 so that the first machining groove 141 corresponding to the machining pin 141 h1)
The reference grooves 131 are provided on the upper surface and the lower surface of the fixing jig 130 and the reference grooves 131 provided on the upper surface and the lower surface when the fixing jig 130 is turned over are provided at the same positions ,
The depth of the first processing groove h1 is less than the thickness of the working disk d and is greater than half the thickness of the working disk d,
A second processing groove h2 is formed on a lower surface of the processing disk d and the center of the first processing groove h1 and the center of the second processing groove h2 are formed to coincide with each other,
The second machining groove (h2) generated on the lower surface of the working disk (d)
Is formed by reversing the working disk (d) and the fixing jig (130) and arranging the tool horn (140)
The working disk d has a through groove h3 formed by connecting the first machining groove h1 and the second machining groove h2,
The tool horn (140)
The fixing pin 150 is provided with a plurality of insertion holes and the adhesive g is applied to one surface of the fixing plate 150. The fixing pins 150 and the reference pins 142 are inserted into the fixing plate 150, The machining pin 141 and the reference pin 142 are fixed by disposing the magnetic body 160 on the other surface of the tool horn 140 and the fixing plate is disposed on one side of the tool horn 140, Is formed by removing the magnetic body (160) and the fixing plate (150) from the processing pin (141) and the reference pin (142).
상기 공구혼(140)의 일면에 접착제(g)를 도포하는 단계;
일면에 복수의 삽입 홈(151)이 구비된 고정 판에 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 삽입하는 단계;
상기 고정판(150)의 타면에 자성체(160)를 배치시켜 상기 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 고정하는 단계;
상기 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)을 포함한 상기 고정판(150)을 상기 공구혼(140)의 일면에 배치하는 단계;
상기 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)이 상기 공구혼(140)의 일면에 배치된 상태에서 상기 접착제(g)를 건조시키는 단계;
상기 접착제(g)가 굳은 후 상기 자성체(160)를 상기 고정판(150)으로부터 분리하는 단계; 및
상기 고정판(150)을 상기 기준 핀(142) 및 가공 핀(141)으로부터 분리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치의 제조 방법.
A method of manufacturing a tool horn (140) for processing a showerhead for semiconductor etching,
Applying an adhesive (g) to one side of the tool horn (140);
Inserting a reference pin (142) and a machining pin (141) into a fixing plate having a plurality of insertion grooves (151) on one surface thereof;
Fixing the reference pin (142) and the machining pin (141) by disposing a magnetic body (160) on the other surface of the fixing plate (150);
Disposing the fixing plate (150) including the reference pin (142) and the machining pin (141) on one surface of the tool horn (140);
Drying the adhesive (g) in a state where the reference pin (142) and the machining pin (141) are disposed on one side of the tool horn (140);
Separating the magnetic body (160) from the fixing plate (150) after the adhesive (g) is hardened; And
Separating the fixing plate 150 from the reference pin 142 and the processing pin 141; Wherein the step of forming the showerhead comprises the steps of:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180004277A KR101963859B1 (en) | 2018-01-12 | 2018-01-12 | Method and apparatus for manufacturing showerhead for semiconductor etching and method for manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180004277A KR101963859B1 (en) | 2018-01-12 | 2018-01-12 | Method and apparatus for manufacturing showerhead for semiconductor etching and method for manufacturing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101963859B1 true KR101963859B1 (en) | 2019-03-29 |
Family
ID=65899112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180004277A KR101963859B1 (en) | 2018-01-12 | 2018-01-12 | Method and apparatus for manufacturing showerhead for semiconductor etching and method for manufacturing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101963859B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200145096A (en) | 2019-06-20 | 2020-12-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus for supplying process gas and system for treating substrate with the apparatus |
KR20210047841A (en) | 2019-06-20 | 2021-04-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus for supplying process gas and system for treating substrate with the apparatus |
KR20220000571A (en) * | 2020-06-26 | 2022-01-04 | 정성욱 | Oin bonding device and bonding method for processing ultrasonic horn |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100299975B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-10-27 | 이정기 | Method for manufacturing electrodes of plasma chamber |
JP2008311297A (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Materials Corp | Electrode plate for plasma treatment apparatus, manufacturing method thereof, and plasma treatment apparatus |
KR100935418B1 (en) | 2007-10-24 | 2010-01-06 | 이연희 | Processing Device of Shower Head Hole for Semiconductor Wafer Deposition Equipments |
KR101574073B1 (en) * | 2015-06-12 | 2015-12-03 | (주)멀티이엔지 | Processing method for shower head |
-
2018
- 2018-01-12 KR KR1020180004277A patent/KR101963859B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100299975B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-10-27 | 이정기 | Method for manufacturing electrodes of plasma chamber |
JP2008311297A (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Materials Corp | Electrode plate for plasma treatment apparatus, manufacturing method thereof, and plasma treatment apparatus |
KR100935418B1 (en) | 2007-10-24 | 2010-01-06 | 이연희 | Processing Device of Shower Head Hole for Semiconductor Wafer Deposition Equipments |
KR101574073B1 (en) * | 2015-06-12 | 2015-12-03 | (주)멀티이엔지 | Processing method for shower head |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200145096A (en) | 2019-06-20 | 2020-12-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus for supplying process gas and system for treating substrate with the apparatus |
KR20210047841A (en) | 2019-06-20 | 2021-04-30 | 세메스 주식회사 | Apparatus for supplying process gas and system for treating substrate with the apparatus |
US11244837B2 (en) | 2019-06-20 | 2022-02-08 | Semes Co., Ltd. | Process gas supply apparatus and wafer treatment system including the same |
KR20220000571A (en) * | 2020-06-26 | 2022-01-04 | 정성욱 | Oin bonding device and bonding method for processing ultrasonic horn |
KR102392393B1 (en) * | 2020-06-26 | 2022-04-28 | 정성욱 | Oin bonding device and bonding method for processing ultrasonic horn |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101963859B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing showerhead for semiconductor etching and method for manufacturing apparatus | |
US10870176B2 (en) | SiC wafer producing method | |
JP2018156973A (en) | Wafer processing method | |
US11511374B2 (en) | Silicon wafer forming method | |
RU2005112562A (en) | METHODS AND SYSTEMS OF MICROPROCESSING | |
US20180354067A1 (en) | Wafer producing apparatus | |
CN110349837A (en) | The generation method of chip | |
JP2006239833A (en) | Polishing pad | |
JP2010278052A (en) | Chuck table of cutting device | |
KR20170029385A (en) | Wafer machining method | |
JP4755167B2 (en) | Forging apparatus and forging method | |
US4870743A (en) | Quick change tool assembly for ultrasonic machine tool | |
JP6242668B2 (en) | Wafer processing method | |
KR102396234B1 (en) | Wafer etching shower head manufacturing method | |
JP2015170851A (en) | Mems device chip manufacturing method | |
TWI716207B (en) | Multi-vibration source grinding cavity | |
JP2008311297A (en) | Electrode plate for plasma treatment apparatus, manufacturing method thereof, and plasma treatment apparatus | |
JP2006341368A (en) | Producing method of grinding pad and groove-machining method of grinding pad | |
JP7104559B2 (en) | Processing method of work piece | |
JP6148160B2 (en) | Wafer processing method | |
CN110233100A (en) | The method for grinding of machined object | |
JP2007290046A (en) | Cutting tool | |
CN109795044A (en) | Cutting apparatus | |
JP2020188101A (en) | Method for manufacturing circular substrate | |
JP2020055071A (en) | Manufacturing method of grinding wheel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |