KR101950838B1 - Method of fabricating the organic light emitting diode display device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 표시소자의 제조방법은 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 OLED 화소를 패터닝함으로써 대면적 패터닝 및 고정세화에 대응하는 한편, 감광성 수지(photoresist)의 형성 전에 불소(fluorine) 포함하는 유기막을 형성하여 현상(develop) 시 감광성 수지의 잔막이 남지 않도록 함으로써 소자 효율을 향상시키기 위한 것으로, 기판 위에 양극을 형성하는 단계; 상기 양극이 형성된 기판 위에 제 1 유기막을 증착하는 단계; 상기 제 1 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액(developer)에 현상되는 제 1 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 1 감광성 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 1 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 1 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 1 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 1 보호층패턴 및 제 1 감광성 수지패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 1 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 1 유기막으로 이루어진 제 1 발광층을 형성하는 단계; 상기 제 1 발광층이 형성된 기판 위에 제 2 발광층 및 제 3 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1, 제 2, 제 3 발광층 위에 음극을 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing an organic light emitting diode (OLED) display device according to the present invention can cope with large area patterning and high definition by patterning OLED pixels through a photolithography process, Forming an organic film on the substrate by forming an organic film containing fluorine before the formation of the organic film to prevent the residual film of the photosensitive resin from being left during development, thereby forming an anode on the substrate; Depositing a first organic film on the substrate having the anode formed thereon; Forming a first protective layer to be developed on a developer on the entire surface of the substrate on which the first organic film is deposited, and forming a first photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the first protective layer; The first photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developing solution to form a first protective layer pattern and a first photosensitive resin pattern made of the first protective layer and the photosensitive resin at the positions where the first emitting layer is formed ; Selectively etching the first organic layer under the first photosensitive resin pattern as a mask to form a first light emitting layer comprising the first organic layer; Forming a second light emitting layer and a third light emitting layer on the substrate on which the first light emitting layer is formed; And forming a cathode on the first, second, and third light emitting layers.
Description
본 발명은 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; OLED) 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토리소그래피 공정을 통해 OLED 화소를 패터닝한 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to a method of manufacturing an organic light emitting diode display device in which OLED pixels are patterned through a photolithography process.
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시소자인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시소자(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.In recent years, there has been a growing interest in information display and a demand for a portable information medium has increased, and a lightweight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out.
이러한 평판표시소자 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시소자(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 소자였지만, 상기 액정표시소자는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다.In the field of flat panel display devices, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes little power, has been attracting the most attention, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, ratio and viewing angle. Therefore, a new display device which can overcome such disadvantages is being actively developed.
새로운 디스플레이 소자 중 하나인 유기발광다이오드 표시소자는 자체발광형이기 때문에 상기 액정표시소자에 비해 시야각과 명암비 등이 우수하며 백라이트(backlight)가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. 그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르다는 장점이 있으며, 특히 제조비용 측면에서도 유리한 장점을 가지고 있다.Since the organic light emitting diode display device, which is one of the new display devices, is self-emitting type, it has a better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device and does not require a backlight. Do. In addition, it has the advantage of being able to drive a DC low voltage and has a high response speed, and is particularly advantageous in terms of manufacturing cost.
상기의 유기발광다이오드 표시소자의 제조공정에는 액정표시소자나 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel; PDP)과는 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 공정이 공정의 전부라고 할 수 있기 때문에 제조공정이 매우 단순하다. 또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 가지는 액티브 매트릭스(active matrix)방식으로 유기발광다이오드 표시소자를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세 및 대형화가 가능한 장점을 가진다.Unlike a liquid crystal display device or a plasma display panel (PDP), the manufacturing process of the organic light emitting diode display device is very simple because the deposition and encapsulation processes are all processes . Further, if the organic light emitting diode display device is driven by an active matrix method having a thin film transistor (TFT) as a switching element for each pixel, even if a low current is applied, the same luminance is exhibited, It has advantages of fixed tax and large size.
이하, 상기 유기발광다이오드 표시소자의 기본적인 구조 및 동작 특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the basic structure and operational characteristics of the organic light emitting diode display device will be described in detail with reference to the drawings.
도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시소자의 발광원리를 설명하는 다이어그램이다.1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting diode display device.
일반적인 유기발광다이오드 표시소자는 상기 도 1과 같이, 유기발광다이오드를 구비한다. 상기 유기발광다이오드는 화소전극인 양극(anode)(18)과 공통전극인 음극(cathode)(28) 사이에 형성된 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)을 구비한다.A general organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode includes
이때, 상기 유기 화합물층(30a, 30b, 30c, 30d, 30e)은 정공주입층(hole injection layer)(30a), 정공수송층(hole transport layer)(30b), 발광층(emission layer)(30c), 전자수송층(electron transport layer)(30d) 및 전자주입층(electron injection layer)(30e)을 포함한다.The
상기 양극(18)과 음극(28)에 구동전압이 인가되면 상기 정공수송층(30b)을 통과한 정공과 상기 전자수송층(30d)을 통과한 전자가 발광층(30c)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(30c)이 가시광선을 발산하게 된다.When a driving voltage is applied to the
유기발광다이오드 표시소자는 전술한 구조의 유기발광다이오드를 가지는 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 그 화소들을 데이터전압과 스캔전압으로 선택적으로 제어함으로써 화상을 표시한다.The organic light emitting diode display device displays an image by arranging pixels having organic light emitting diodes of the above-described structure in a matrix form and selectively controlling the pixels with a data voltage and a scan voltage.
이와 같은 상기 유기발광다이오드 표시소자는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식 또는 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 능동 매트릭스(active matrix) 방식의 표시소자로 나뉘어진다. 이 중 상기 능동 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온(turn on)시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(storage capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.The organic light emitting diode display device is divided into an active matrix display device using a passive matrix or a switching device using a TFT. The active matrix method selectively turns on the TFT, which is an active element, to select a pixel and maintain the light emission of the pixel at a voltage held in a storage capacitor.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시소자에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도로써, 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시소자에 있어, 일반적인 2T1C(2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터를 포함)의 화소에 대한 등가 회로도를 예를 들어 나타내고 있다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram for one pixel in a general organic light emitting diode display device. In FIG. 2, in an organic light emitting diode display device of an active matrix type, a typical 2T1C (including two transistors and one capacitor) An equivalent circuit diagram is shown by way of example.
상기 도 2를 참조하면, 능동 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시소자의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(DL)과 게이트라인(GL), 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다.2, the pixels of the active matrix type organic light emitting diode display device include an organic light emitting diode OLED, a data line DL and a gate line GL intersecting with each other, a switching TFT SW, a driving TFT DR and a storage capacitor Cst.
이때, 상기 스위칭 TFT(SW)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔펄스에 응답하여 턴-온됨으로써 자신의 소오스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다. 상기 스위칭 TFT(SW)의 온-타임기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소오스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.At this time, the switching TFT SW is turned on in response to a scan pulse from the gate line GL, thereby conducting a current path between the source electrode and the drain electrode. The data voltage from the data line DL during the on-time period of the switching TFT SW is supplied to the gate electrode of the driving TFT DR and the storage capacitor Cst through the source electrode and the drain electrode of the switching TFT SW, .
이때, 상기 구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극에 인가되는 데이터전압에 따라 상기 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 그리고, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터전압과 저전위 전원전압(VSS) 사이의 전압을 저장한 후, 한 프레임기간동안 일정하게 유지시킨다.At this time, the driving TFT DR controls a current flowing in the organic light emitting diode OLED according to a data voltage applied to its gate electrode. Then, the storage capacitor Cst stores the voltage between the data voltage and the low potential power supply voltage VSS, and keeps it constant for one frame period.
이러한 유기발광다이오드 표시소자를 구성하는 여러 층의 유기 화합물층을 형성하기 위해 주로 진공증착 방법이 이용되고 있다.A vacuum deposition method is mainly used for forming organic compound layers constituting the organic light emitting diode display device.
이때, 상기 진공증착 방법을 위해 다수의 화소 영역에 대응하는 다수의 개구부를 가진 마스크(섀도우 마스크(shadow mask)) 또는 미세 금속 마스크(Fine Metal Mask; FMM)를 이용하게 되는데, 기판 사이즈(size)의 대형화 및 고해상도 디스플레이 구현을 위한 패턴의 고정세화(高精細化)에 대응하는 것이 용이하지 않다는 한계를 가지고 있다.In this case, a mask (shadow mask) or a fine metal mask (FMM) having a plurality of openings corresponding to a plurality of pixel regions is used for the vacuum deposition method, And it is not easy to cope with high definition of a pattern for implementing a high resolution display.
즉, 상기 FMM을 이용한 증착 방식은 주로 저분자 재료를 이용하여 고진공 하에서 금속 마스크를 밀착시켜서 원하는 위치에만 OLED 재료를 증착하여 화소를 패터닝하게 되는데, 기판이 대형화됨에 따라서 인장, 용접된 금속 마스크에서의 처짐 현상과 증착기 내에서의 기판 처짐 현상이 심화되게 되어 대면적에서는 제약을 받게 되며, 금속 마스크 제작에 있어서도 한계가 존재하여 해상도에서도 제약을 받게 된다.That is, in the deposition method using the FMM, the OLED material is deposited only at a desired position by closely contacting the metal mask under a high vacuum using a low-molecular material, and the pixel is patterned. As the substrate becomes larger, The phenomenon of substrate deflection in a developing apparatus and a deposition apparatus becomes worsened, so that it is restricted in a large area, and there is also a limitation in the manufacture of a metal mask, thereby being limited in resolution.
본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 포토리소그래피 공정을 통해 OLED 화소를 패터닝하여 대면적 패터닝 및 고정세화에 대응하도록 한 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device in which OLED pixels are patterned through a photolithography process to cope with large area patterning and high definition.
본 발명의 다른 목적은 상기 포토리소그래피 공정을 통한 패터닝 과정에서 발광층 위에 감광성 수지의 잔막이 남지 않도록 한 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device in which a residual film of a photosensitive resin is not left on a light emitting layer in a patterning process through the photolithography process.
본 발명의 또 다른 목적은 공정을 단순화하는 동시에 효율을 증가시키도록 한 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a method of manufacturing an organic light emitting diode display device that simplifies a process and increases efficiency.
기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and the claims.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법은 기판 위에 양극을 형성하는 단계; 상기 양극이 형성된 기판 위에 제 1 유기막을 증착하는 단계; 상기 제 1 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액(developer)에 현상되는 제 1 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 1 감광성 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 1 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 1 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 1 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 1 보호층패턴 및 제 1 감광성 수지패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 1 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 1 유기막으로 이루어진 제 1 발광층을 형성하는 단계; 상기 제 1 발광층이 형성된 기판 위에 제 2 발광층 및 제 3 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1, 제 2, 제 3 발광층 위에 음극을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic light emitting diode display device, including: forming an anode on a substrate; Depositing a first organic film on the substrate having the anode formed thereon; Forming a first protective layer to be developed on a developer on the entire surface of the substrate on which the first organic film is deposited, and forming a first photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the first protective layer; The first photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developing solution to form a first protective layer pattern and a first photosensitive resin pattern made of the first protective layer and the photosensitive resin at the positions where the first emitting layer is formed ; Selectively etching the first organic layer under the first photosensitive resin pattern as a mask to form a first light emitting layer comprising the first organic layer; Forming a second light emitting layer and a third light emitting layer on the substrate on which the first light emitting layer is formed; And forming a cathode on the first, second, and third light emitting layers.
이때, 상기 제 2 발광층을 형성하는 단계는 상기 제 1 보호층패턴 및 제 1 감광성 수지패턴이 남아있는 상태에서 그 위에 제 2 유기막을 증착하는 단계; 상기 제 2 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액에 현상되는 제 2 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 2 감광성 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 2 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 2 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 2 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 2 보호층패턴 및 제 2 감광성 수지패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 2 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 2 유기막으로 이루어진 제 2 발광층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.The forming of the second light emitting layer may include depositing a second organic layer on the first protective layer pattern and the first photosensitive resin pattern. Forming a second protective layer on the entire surface of the substrate on which the second organic film is deposited, the second protective layer being developed with a developing solution, and forming a second photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the second protective layer; The second photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developer to form a second protective layer pattern and a second photosensitive resin pattern each composed of the second protective layer and the photosensitive resin at positions where the second light emitting layer is formed ; And selectively etching the second organic layer under the second photosensitive resin pattern as a mask to form a second light emitting layer made of the second organic film.
이때, 상기 제 3 발광층을 형성하는 단계는 상기 제 1 보호층패턴과 제 1 감광성 수지패턴 및 제 2 보호층패턴과 제 2 감광성 수지패턴이 남아있는 상태에서 그 위에 제 3 유기막을 증착하는 단계; 상기 제 3 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액에 현상되는 제 3 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 3 감광성 수지층을 형성하는 단계; 상기 제 3 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 3 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 3 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 3 보호층패턴 및 제 3 감광성 수지패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제 3 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 3 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 3 유기막으로 이루어진 제 3 발광층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.The forming of the third light emitting layer may include depositing a third organic layer on the first protective layer pattern, the first photosensitive resin pattern, the second protective layer pattern, and the second photosensitive resin pattern. Forming a third protective layer on the entire surface of the substrate on which the third organic film is deposited and developing the developer, and forming a third photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the third protective layer; The third photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developing solution to form a third protective layer pattern and a third photosensitive resin pattern composed of the third protective layer and the photosensitive resin at the positions where the third emitting layer is formed ; And selectively etching the third organic layer under the third photosensitive resin pattern as a mask to form a third light emitting layer made of the third organic film.
이때, 상기 제 3 발광층을 형성한 후에 상기 남아있는 제 1, 제 2, 제 3 보호층패턴 및 제 1, 제 2, 제 3 감광성 수지패턴을 스트립(strip)하여 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.At this time, the method further comprises stripping the first, second and third protective layer patterns and the first, second and third photosensitive resin patterns after forming the third light emitting layer, .
상기 제 3 발광층을 형성하는 단계는 상기 제 2 발광층을 형성한 후에 상기 남아있는 제 1, 제 2 보호층패턴 및 제 1, 제 2 감광성 수지패턴을 스트립 하여 제거하는 단계; 및 상기 제 1 발광층과 제 2 발광층이 형성된 기판 위에 제 3 유기막을 증착하여 제 3 발광층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.The forming of the third light emitting layer may include stripping and removing the remaining first and second protective layer patterns and the first and second photosensitive resin patterns after forming the second light emitting layer. And depositing a third organic layer on the substrate on which the first and second light emitting layers are formed to form a third light emitting layer.
상기 제 1, 제 2, 제 3 보호층은 불소(fluorine)를 포함하는 유기물질로 형성하는 것을 특징으로 한다.The first, second, and third protective layers may be formed of an organic material including fluorine.
이때, 상기 제 1, 제 2, 제 3 보호층은 상기 감광성 수지층을 구성하는 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 큰 불소를 포함하는 유기물질로 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the first, second, and third protective layers are formed of an organic material containing fluorine, which has a higher solubility with respect to the developer than the photosensitive resin constituting the photosensitive resin layer.
상기 제 1, 제 2, 제 3 보호층은 0.1㎛ ~ 5㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.The first, second and third protective layers are formed to a thickness of 0.1 탆 to 5 탆.
상기 제 1 감광성 수지층이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 1 보호층은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되며, 이때 상기 제 1 보호층의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거되는 것을 특징으로 한다.As the first photosensitive resin layer is developed and removed, the first protective layer exposed to the outside is dissolved and removed in response to the developer. At this time, the photosensitive resin remaining on the first protective layer is completely removed .
상기 제 2 감광성 수지층이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 2 보호층은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되며, 이때 상기 제 2 보호층의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거되는 것을 특징으로 한다.As the second photosensitive resin layer is developed and removed, the second protective layer exposed to the outside is dissolved and removed in response to the developer. At this time, the photosensitive resin remaining on the second protective layer is completely removed .
상기 제 3 감광성 수지층이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 3 보호층은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되며, 이때 상기 제 3 보호층의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거되는 것을 특징으로 한다.As the third photosensitive resin layer is developed and removed, the third protective layer exposed to the outside is dissolved and removed in response to the developer. At this time, the photosensitive resin remaining on the third protective layer is completely removed .
상기 제 3 발광층은 상기 제 1 발광층과 제 2 발광층 사이에 형성되는 것을 특징으로 한다.And the third light emitting layer is formed between the first light emitting layer and the second light emitting layer.
상기 제 3 발광층은 상기 제 1 발광층과 제 2 발광층 사이뿐만 아니라 상기 제 1 발광층과 제 2 발광층 상부에도 형성되는 것을 특징으로 한다.The third light emitting layer is formed not only between the first light emitting layer and the second light emitting layer, but also on the first light emitting layer and the second light emitting layer.
상기 양극이 형성된 기판 위에 정공주입층 및 정공수송층을 형성한 후, 그 위에 상기 제 1 발광층을 형성하는 것을 특징으로 한다.A hole injecting layer and a hole transporting layer are formed on the substrate on which the anode is formed, and then the first light emitting layer is formed thereon.
이때, 상기 제 1 발광층은 적, 녹 및 청색 발광층 중 어느 하나의 발광층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the first light emitting layer is formed of any one of red, green and blue light emitting layers.
이때, 상기 제 2 발광층은 상기 적, 녹 및 청색 발광층 중 다른 하나의 발광층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the second light emitting layer is formed as the other light emitting layer of the red, green and blue light emitting layers.
이때, 상기 제 3 발광층은 상기 적, 녹 및 청색 발광층 중 나머지 하나의 발광층으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In this case, the third light emitting layer is formed as the other light emitting layer of the red, green, and blue light emitting layers.
상기 제 1, 제 2, 제 3 발광층이 형성된 기판 위에 전자수송층 및 전자주입층을 형성한 후, 그 위에 상기 음극을 형성하는 것을 특징으로 한다.The electron transport layer and the electron injection layer are formed on the substrate on which the first, second and third light emitting layers are formed, and then the cathode is formed thereon.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법은 포토리소그래피 공정을 통해 OLED 화소를 패터닝함으로써 대면적 패터닝 및 고정세화에 대응하는 한편, 감광성 수지(photoresist)의 형성 전에 불소를 포함하는 유기막을 형성하여 현상(develop) 시 감광성 수지의 잔막이 남지 않도록 함으로써 소자 효율을 향상시키는 효과를 제공한다. 이때, 상기 포토리소그래피 공정을 통한 패터닝은 용액 공정(solution process)이 가능하며, 패터닝 과정에서 발광층 위에 감광성 수지의 잔막이 남지 않게 됨에 따라 제조된 소자의 구동전압 및 소비전력이 감소되고 효율이 향상되는 효과를 제공한다.As described above, the method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention is capable of coping with large-area patterning and high definition by patterning OLED pixels through a photolithography process, and also includes fluorine before formation of a photoresist The organic film is formed to prevent the residual film of the photosensitive resin from being left upon development, thereby improving the device efficiency. At this time, the patterning through the photolithography process can be a solution process, and as the remaining film of the photosensitive resin is not left on the light emitting layer in the patterning process, the driving voltage and power consumption of the manufactured device are reduced and the efficiency is improved Effect.
또한, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법은 적, 녹 및 청색의 화소 중 2개의 화소는 전술한 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하고 나머지 하나의 화소는 패터닝 없이 증착하여 형성함으로써 공정을 단순화하는 동시에 효율을 증가시키는 효과를 제공한다.In the method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention, two pixels among red, green and blue pixels are patterned through the photolithography process and the remaining one pixel is formed by patterning without patterning, thereby simplifying the process And provides an effect of increasing the efficiency.
도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시소자의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 일반적인 유기발광다이오드 표시소자에 있어, 하나의 화소에 대한 등가 회로도.
도 3a 내지 도 3o는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 4a 내지 도 4l은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제조된 유기발광다이오드 표시소자의 다른 예를 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제조된 유기발광다이오드 표시소자의 또 다른 예를 나타내는 단면도.
도 7a 및 도 7b는 유기발광다이오드 표시소자에 있어, 하나의 화소에 대한 발광특성을 보여주는 사진.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting diode display element. FIG.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram for one pixel in a general organic light emitting diode display device. FIG.
FIGS. 3A to 3O are cross-sectional views sequentially showing a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention; FIGS.
4A to 4L are sectional views sequentially showing a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
5 is a sectional view showing another example of the organic light emitting diode display device manufactured according to the second embodiment of the present invention.
6 is a sectional view showing still another example of an organic light emitting diode display device manufactured according to the second embodiment of the present invention.
7A and 7B are photographs showing the luminescence characteristics of one pixel in the organic light emitting diode display device.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
유기발광다이오드 표시소자의 유기 화합물층에 대한 대면적 패터닝은 기존 미세 금속 마스크를 이용한 방법으로는 기판 및 마스크 처짐 문제로 대응이 불가능하기 때문에 다양한 대면적 패터닝 방법이 연구되고 있다. 그 중에 포토리소그래피(photolithography) 공정(이하, 포토 공정이라 함)을 통한 패터닝 방법을 제안하고자 하며, 포토 공정은 대면적 패터닝 및 고정세화가 가능하고 용액 공정(solution process)을 적용할 수 있는 장점이 있다. 다만, 상기 포토 공정은 유기발광다이오드 표시소자의 발광층에 손상이 없는 감광성 수지(photoresist)를 선택하여야 하기 때문에 재료 선택 폭이 좁으며, 패터닝 후에 감광성 수지의 잔막이 남는 경우 구동전압이 상승하며 효율이 저하되는 단점이 있다.Large area patterning of an organic compound layer of an organic light emitting diode display device can not be performed due to the problem of deflection of a substrate and a mask in a conventional method using a fine metal mask. Among them, a patterning method using a photolithography process (hereinafter referred to as a photolithography process) is proposed. The photolithography process is advantageous in that a large area patterning process and a high resolution process can be applied and a solution process can be applied have. However, since the photolithography process needs to select a photoresist free from damage to the light emitting layer of the organic light emitting diode display device, the material selection range is narrow. When the remaining film of the photosensitive resin is left after patterning, .
이에 본 발명에서는 발광층 위에 직접 감광성 수지를 형성하는 대신에 상기 발광층 위에 보호층을 형성한 후에 감광성 수지를 형성하는 한편, 현상(develop) 시 상기 보호층과 함께 감광성 수지를 제거하는 방식을 제안하고자 한다.In the present invention, instead of forming a photosensitive resin directly on the light emitting layer, a method of forming a photosensitive resin layer on the light emitting layer and then removing the photosensitive resin together with the protective layer upon development .
도 3a 내지 도 3o는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도로써, 일부의 화소에 대한 유기발광다이오드의 제조방법을 개략적으로 나타내고 있다.FIGS. 3A to 3O are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention, and schematically show a method of manufacturing an organic light emitting diode for a part of pixels.
우선, 도면에는 도시하지 않았지만, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(110) 위에 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극(storage electrode)이 형성될 수 있다.First, an organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention includes a gate line including a first gate electrode on a
상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극 위에는 질화규소(SiNx) 또는 이산화규소(SiO2) 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성될 수 있다.A gate insulating layer made of silicon nitride (SiNx), silicon dioxide (SiO 2 ), or the like may be formed over the sustain electrode including the gate line including the first gate electrode and the second gate electrode.
그리고, 상기 게이트절연막 위에는 반도체로 이루어진 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층이 형성될 수 있다. 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층은 각각 상기 제 1 게이트전극 및 제 2 게이트전극 위에 위치할 수 있다.A first active layer and a second active layer made of a semiconductor may be formed on the gate insulating layer. The first active layer and the second active layer may be located above the first gate electrode and the second gate electrode, respectively.
상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층 상부에는 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.A data line, a driving voltage line, a first source / drain electrode, and a second source / drain electrode may be formed on the first active layer and the second active layer.
상기 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극이 형성된 기판(110) 위에는 소정의 보호막(passivation layer)이 형성될 수 있다.A passivation layer may be formed on the
그리고, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 보호막이 형성된 기판(110) 위에는 화소전극(pixel electrode)(120)과 연결전극(connecting electrode)(미도시)이 형성될 수 있다. 이들은 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO) 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.As shown in FIG. 3A, a
이때, 양극인 상기 화소전극(120)은 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 2 드레인전극과 전기적으로 접속하는 한편, 상기 연결전극은 제 1 콘택홀과 제 3 콘택홀을 통해 상기 제 1 드레인전극과 제 2 게이트전극 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.At this time, the
상기 화소전극(120)이 형성된 기판(110) 위에는 격벽(partition)(미도시)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 격벽은 화소전극(120) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어질 수 있다.A partition (not shown) may be formed on the
그리고, 상기 기판(110) 위에는 유기 화합물층이 형성될 수 있다.An organic compound layer may be formed on the
이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층과 정공수송층 및 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층과 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic compound layer may have a multi-layer structure including an auxiliary layer for improving light emission efficiency of the light emitting layer in addition to the light emitting layer. The sub-layer includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, and an electron injection layer and a hole injection layer for enhancing injection of electrons and holes.
이러한 유기 화합물층은 포토 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이를 위해 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110) 위에 제 1 유기막(151)을 증착한다.The organic compound layer may be formed through a photolithography process. For this purpose, as shown in FIG. 3B, a first
이때, 상기 기판(110) 위에 정공주입층 및 정공수송층을 형성한 후 전술한 제 1 유기막(151)을 증착할 수 있으며, 상기 제 1 유기막(151)은 적, 녹 또는 청색의 발광층을 형성하기 위해 증착되게 된다.Here, the hole injection layer and the hole transport layer may be formed on the
상기 정공주입층은 화소전극(120)으로부터 홀의 주입(injection)을 용이하게 하며, 상기 정공수송층은 발광층으로의 홀의 이동(transporting) 역할을 한다.The hole injection layer facilitates injection of holes from the
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 유기막(151)이 증착된 기판(110) 전면에 제 1 보호층(131)을 형성한 후, 감광성 수지(photoresist)를 도포하여 제 1 감광성 수지층(191)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3C, a first
이때, 상기 제 1 보호층(131)은 불소(fluorine)를 포함하는 유기막으로 이루어지며, 상기 감광성 수지와 제 1 유기막(151)이 직접 접촉하여 상기 제 1 유기막(151)에 손상(damage)이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.At this time, the
상기 제 1 보호층(131)은 상기 제 1 감광성 수지층(191)과 동일한 코팅 방식으로 형성할 수 있으며, 0.1㎛ ~ 5㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다.The
상기 제 1 보호층(131)은 불소를 포함하기 때문에 후술할 현상(develop) 시 현상액(developer)과 반응하여 쉽게 용해되는 특징을 가지며, 이와 같이 본 발명은 상기 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도(solubility)가 큰 불소를 포함하는 유기막을 이용하게 된다.Since the first
그리고, 소정의 마스크(미도시)를 통해 상기 제 1 감광성 수지층(191)에 선택적으로 자외선을 조사(exposure)한다.Then, ultraviolet rays are selectively exposed to the first
이후, 상기 마스크를 통해 노광된 상기 제 1 감광성 수지층(191)을 현상하고 나면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제 1 발광층이 형성되는 위치에만 각각 상기 제 1 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 1 보호층패턴(130a) 및 제 1 감광성 수지패턴(190a)이 남는다.Then, after the first
이때, 상기 제 1 감광성 수지층(191)이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 1 보호층(131)은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되는데, 전술한 바와 같이 상기 제 1 보호층(131)이 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 더 크기 때문에 상기 제 1 보호층(131)의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거될 수 있다.The first
상기 현상에는 감광성 수지 현상액이 사용되는데, 상기 발광층을 구성하는 재료를 용해하는 것이 아니라면 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 일반적으로 사용되는 유기 알칼리(alkali)계 현상액을 사용할 수 있지만, 그 밖에 무기 알칼리 또는 레지스트의 현상이 가능한 수용액을 사용할 수 있다.A photosensitive resin developing solution is used for the above development, and is not particularly limited as long as it does not dissolve the material constituting the light emitting layer. For example, an organic alkali developing solution generally used can be used, but an aqueous solution capable of developing an inorganic alkali or a resist can be used.
다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 감광성 수지패턴(190a)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 1 유기막의 일부영역을 선택적으로 식각(etching)하게 되면, 상기 기판(110)에 상기 제 1 유기막으로 이루어진 제 1 발광층(150a)이 형성되게 된다(제 1 포토 공정).Next, as shown in FIG. 3E, using the first
이때, 일 예로 상기 제 1 발광층(150a)은 적색 발광층일 수 있으며, 상기 식각에는 건식각(dry etching)뿐만 아니라 습식각(wet etching)도 포함될 수 있다. 다만, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 발광층(150a)은 녹색 또는 청색 발광층일 수 있다.For example, the first
이후, 도 3f에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 보호층패턴(130a) 및 제 1 감광성 수지패턴(190a)이 남아있는 상태에서 그 위에 제 2 유기막(152)을 증착한다.Then, as shown in FIG. 3F, the second
이후 공정은 상기 제 1 발광층(150a)을 형성하기 위한 제 1 포토 공정과 실질적으로 동일한데, 도 3g에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 유기막(152)이 형성된 기판(110) 전면에 제 2 보호층(132)을 형성한 후, 감광성 수지를 도포하여 제 2 감광성 수지층(192)을 형성한다.3G, the second
이때, 상기 제 2 보호층(132)은 전술한 제 1 보호층과 동일하게 상기 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 큰 불소를 포함하는 유기막으로 이루어지며, 0.1㎛ ~ 5㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다.At this time, the second
그리고, 소정의 마스크(미도시)를 통해 상기 제 2 감광성 수지층(192)에 선택적으로 자외선을 조사한다.Then, the second
이후, 상기 마스크를 통해 노광된 상기 제 2 감광성 수지층(192)을 현상하고 나면, 도 3h에 도시된 바와 같이, 제 2 발광층이 형성되는 위치에만 각각 상기 제 2 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 2 보호층패턴(130b) 및 제 2 감광성 수지패턴(190b)이 남는다.Then, the second
이때, 상기 제 2 감광성 수지층(192)이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 2 보호층(132)은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되는데, 전술한 바와 같이 상기 제 2 보호층(132)이 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 더 크기 때문에 상기 제 2 보호층(132)의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거될 수 있다.In this case, the second
다음으로, 도 3i에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 2 감광성 수지패턴(190b)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 2 유기막의 일부영역을 선택적으로 식각하게 되면, 상기 기판(110)에 상기 제 2 유기막으로 이루어진 제 2 발광층(150b)이 형성되게 된다(제 2 포토 공정).Next, as shown in FIG. 3 (i), if the second
이때, 일 예로 상기 제 2 발광층(150b)은 녹색 발광층일 수 있으며, 상기 식각에는 건식각뿐만 아니라 습식각도 포함될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 발광층(150a)이 적색 발광층인 경우 상기 제 2 발광층(150b)은 녹색 발광층 이외에 청색 발광층일 수 있다.In this case, the second
이후, 도 3j에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 보호층패턴(130a)과 제 1 감광성 수지패턴(190a) 및 제 2 보호층패턴(130b)과 제 2 감광성 수지패턴(190b)이 남아있는 상태에서 그 위에 제 3 유기막(153)을 증착한다.3J, the first
이후 공정은 전술한 제 1 발광층(150a) 및 제 2 발광층(150b)을 형성하기 위한 제 1 포토 공정 및 제 2 포토 공정과 실질적으로 동일하다. 즉, 도 3k에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 유기막(153)이 형성된 기판(110) 전면에 제 3 보호층(133)을 형성한 후, 감광성 수지를 도포하여 제 3 감광성 수지층(193)을 형성한다.The subsequent process is substantially the same as the first photo process and the second photo process for forming the first
이때, 상기 제 3 보호층(133)은 전술한 제 1, 제 2 보호층과 동일하게 상기 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 큰 불소를 포함하는 유기막으로 이루어지며, 0.1㎛ ~ 5㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다.At this time, the third
그리고, 소정의 마스크(미도시)를 통해 상기 제 3 감광성 수지층(193)에 선택적으로 자외선을 조사한다.Then, the third
이후, 상기 마스크를 통해 노광된 상기 제 3 감광성 수지층(193)을 현상하고 나면, 도 3l에 도시된 바와 같이, 제 3 발광층이 형성되는 위치에만 각각 상기 제 3 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 3 보호층패턴(130c) 및 제 3 감광성 수지패턴(190c)이 남는다.Then, the third
이때, 상기 제 3 감광성 수지층(193)이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 3 보호층(133)은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되는데, 전술한 바와 같이 상기 제 3 보호층(133)이 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 더 크기 때문에 상기 제 3 보호층(133)의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거될 수 있다.In this case, the third
다음으로, 도 3m에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 3 감광성 수지패턴(190c)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 3 유기막의 일부영역을 선택적으로 식각하게 되면, 상기 기판(110)에 상기 제 3 유기막으로 이루어진 제 3 발광층(150c)이 형성되게 된다(제 3 포토 공정).Next, as shown in FIG. 3M, if the third
이때, 일 예로 상기 제 1 발광층(150a)이 적색 발광층이고 상기 제 2 발광층(150b)이 녹색 발광층인 경우 상기 제 3 발광층(150c)은 청색 발광층일 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광층(150a)이 적색 발광층이고 상기 제 2 발광층(150b)이 청색 발광층인 경우 상기 제 3 발광층(150c)은 녹색 발광층일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 발광층(150a), 제 2 발광층(150b) 및 제 3 발광층(150c)은 그 순서에 관계없이 적, 녹 및 청색의 발광층으로 구성할 수 있다.In this case, for example, when the first
다음으로, 도 3n에 도시된 바와 같이, 상기 남아있는 제 1, 제 2, 제 3 보호층패턴(130a, 130b, 130c) 및 제 1, 제 2, 제 3 감광성 수지패턴(190a, 190b, 190c)을 스트립(strip)하여 제거한다.Next, as shown in FIG. 3N, the remaining first, second and third
그리고, 도 3o에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 발광층(150a), 제 2 발광층(150b) 및 제 3 발광층(150c) 위에는 음극인 공통전극(common electrode)(180)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극(180)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.3O, a
이때, 상기 제 1 발광층(150a), 제 2 발광층(150b) 및 제 3 발광층(150c)이 형성된 기판(110) 위에 전자수송층 및 전자주입층을 형성한 후 전술한 공통전극(180)을 형성할 수 있다.At this time, an electron transport layer and an electron injection layer are formed on the
상기 전자주입층은 공통전극(180)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하며, 상기 전자수송층은 상기 제 1 발광층(150a), 제 2 발광층(150b) 및 제 3 발광층(150c)으로의 전자 이동 역할을 한다.The electron injection layer facilitates the injection of electrons from the
이와 같이 본 발명의 제 1 실시예의 경우에는 포토 공정을 통해 OLED 화소를 패터닝함으로써 대면적 패터닝 및 고정세화에 대응하는 한편, 용액 공정이 가능한 이점이 있다.As described above, in the first embodiment of the present invention, OLED pixels are patterned through a photolithography process to cope with large-area patterning and high definition, and a solution process can be performed.
또한, 감광성 수지의 형성 전에 불소를 포함하는 유기막을 형성하여 현상 시 감광성 수지의 잔막이 남지 않도록 함으로써 제조된 소자의 구동전압 및 소비전력이 감소되고 효율이 향상되게 된다.Further, by forming an organic film containing fluorine before the formation of the photosensitive resin, the residual voltage of the photosensitive resin is not left at the time of development, so that the driving voltage and power consumption of the manufactured device are reduced and the efficiency is improved.
이와 같이 구성되는 유기발광다이오드 표시소자에서, 상기 게이트라인에 연결되어 있는 제 1 게이트전극 및 상기 데이터라인에 연결되어 있는 제 1 소오스전극과 제 1 드레인전극은 제 1 액티브층과 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)를 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제 1 드레인전극에 연결되어 있는 제 2 게이트전극과 상기 구동 전압라인에 연결되어 있는 제 2 소오스전극 및 상기 화소전극(120)에 연결되어 있는 제 2 드레인전극은 제 2 액티브층과 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)를 구성할 수 있다.In the organic light emitting diode display device thus constructed, the first gate electrode connected to the gate line, the first source electrode connected to the data line and the first drain electrode are connected to the first thin film transistor switching TFT). A second source electrode coupled to the first drain electrode, a second source electrode coupled to the driving voltage line, and a second drain electrode coupled to the
또한, 상기 화소전극(120)과 발광층(150a, 150b, 150c) 및 공통전극(180)은 유기발광다이오드를 구성하며, 서로 중첩하는 유지전극과 구동 전압라인은 유지 축전기(storage capacitor)를 구성할 수 있다.The
한편, 적, 녹 및 청색의 화소 중 2개의 화소는 전술한 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하고 나머지 하나의 화소는 패터닝 없이 증착하여 형성함으로써 공정을 단순화할 수 있는데, 이를 다음의 본 발명의 제 2 실시예를 통해 상세히 설명한다.On the other hand, two pixels among the red, green and blue pixels are patterned through the photolithography process and the remaining one pixel is formed by deposition without patterning, thereby simplifying the process. An example will be described in detail.
도 4a 내지 도 4l은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법을 순차적으로 나타내는 단면도로써, 일부의 화소에 대한 유기발광다이오드의 제조방법을 개략적으로 나타내고 있다.4A to 4L are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention, and schematically show a method of manufacturing an organic light emitting diode for a part of pixels.
도면에는 도시하지 않았지만, 전술한 바와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시소자는 투명한 유리 또는 플라스틱 등의 절연물질로 이루어진 기판(210) 위에 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극이 형성될 수 있다.Although not shown in the drawing, the organic light emitting diode display device according to the second embodiment of the present invention includes a gate line including a first gate electrode on a
상기 제 1 게이트전극을 포함하는 게이트라인 및 제 2 게이트전극을 포함하는 유지전극 위에는 질화규소 또는 이산화규소 등으로 이루어진 게이트절연막이 형성될 수 있다.A gate insulating layer made of silicon nitride, silicon dioxide, or the like may be formed on the sustain electrode including the gate line including the first gate electrode and the second gate electrode.
그리고, 상기 게이트절연막 위에는 반도체로 이루어진 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층이 형성될 수 있다. 상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층은 각각 상기 제 1 게이트전극 및 제 2 게이트전극 위에 위치할 수 있다.A first active layer and a second active layer made of a semiconductor may be formed on the gate insulating layer. The first active layer and the second active layer may be located above the first gate electrode and the second gate electrode, respectively.
상기 제 1 액티브층 및 제 2 액티브층 상부에는 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극이 형성될 수 있다.A data line, a driving voltage line, a first source / drain electrode, and a second source / drain electrode may be formed on the first active layer and the second active layer.
상기 데이터라인과 구동 전압라인과 제 1 소오스/드레인전극 및 제 2 소오스/드레인전극이 형성된 기판(210) 위에는 소정의 보호막이 형성될 수 있다.A predetermined protective layer may be formed on the
그리고, 도 4a에 도시된 바와 같이, 상기 보호막이 형성된 기판(210) 위에는 화소전극(220)과 연결전극(미도시)이 형성될 수 있다. 이들은 인듐-틴-옥사이드 또는 인듐-징크-옥사이드 등의 투명한 도전물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 도전물질로 이루어질 수 있다.4A, a
이때, 양극인 상기 화소전극(220)은 제 2 콘택홀을 통해 상기 제 2 드레인전극과 전기적으로 접속하는 한편, 상기 연결전극은 제 1 콘택홀과 제 3 콘택홀을 통해 상기 제 1 드레인전극과 제 2 게이트전극 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.At this time, the
상기 화소전극(220)이 형성된 기판(210) 위에는 격벽(미도시)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 격벽은 화소전극(220) 가장자리 주변을 둑처럼 둘러싸서 개구부를 정의하며 유기 절연물질 또는 무기 절연물질로 만들어질 수 있다.A barrier rib (not shown) may be formed on the
그리고, 상기 기판(210) 위에는 유기 화합물층이 형성될 수 있다.An organic compound layer may be formed on the
이때, 상기 유기 화합물층은 빛을 내는 발광층 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자수송층과 정공수송층 및 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자주입층과 정공주입층 등이 있다.At this time, the organic compound layer may have a multi-layer structure including a light-emitting layer and a sub-layer for improving the light-emitting efficiency of the light-emitting layer. The sub-layer includes an electron transport layer and a hole transport layer for balancing electrons and holes, and an electron injection layer and a hole injection layer for enhancing injection of electrons and holes.
이러한 유기 화합물층은 포토 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이를 위해 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 화소전극(220)이 형성된 기판(210) 위에 제 1 유기막(251)을 증착한다.4B, a first
이때, 상기 기판(210) 위에 정공주입층 및 정공수송층을 형성한 후 전술한 제 1 유기막(251)을 증착할 수 있으며, 상기 제 1 유기막(251)은 적, 녹 또는 청색의 발광층을 형성하기 위해 증착되게 된다.In this case, the first
다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 유기막(251)이 증착된 기판(210) 전면에 제 1 보호층(231)을 형성한 후, 감광성 수지를 도포하여 제 1 감광성 수지층(291)을 형성한다.4C, a first
이때, 상기 제 1 보호층(231)은 상기 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 큰 불소를 포함하는 유기막으로 이루어지며, 0.1㎛ ~ 5㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다.Here, the first
그리고, 소정의 마스크(미도시)를 통해 상기 제 1 감광성 수지층(291)에 선택적으로 자외선을 조사한다.Then, the first
이후, 상기 마스크를 통해 노광된 상기 제 1 감광성 수지층(291)을 현상하고 나면, 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 1 발광층이 형성되는 위치에만 각각 상기 제 1 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 1 보호층패턴(230a) 및 제 1 감광성 수지패턴(290a)이 남는다.After the first
이때, 상기 제 1 감광성 수지층(191)이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 1 보호층(131)은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되는데, 전술한 바와 같이 상기 제 1 보호층(131)이 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 더 크기 때문에 상기 제 1 보호층(131)의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거될 수 있다.The first
다음으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 1 감광성 수지패턴(290a)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 1 유기막의 일부영역을 선택적으로 식각하게 되면, 상기 기판(210)에 상기 제 1 유기막으로 이루어진 제 1 발광층(250a)이 형성되게 된다(제 1 포토 공정).4E, if the first
이때, 일 예로 상기 제 1 발광층(250a)은 적색 발광층일 수 있으며, 상기 식각에는 건식각뿐만 아니라 습식각도 포함될 수 있다. 다만, 본 발명에 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 발광층(250a)은 녹색 또는 청색 발광층일 수 있다.For example, the first
이후, 도 4f에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 보호층패턴(230a) 및 제 1 감광성 수지패턴(290a)이 남아있는 상태에서 그 위에 제 2 유기막(252)을 증착한다.Then, as shown in FIG. 4F, the second
이후 공정은 상기 제 1 발광층(250a)을 형성하기 위한 제 1 포토 공정과 실질적으로 동일한데, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 유기막(152)이 형성된 기판(210) 전면에 제 2 보호층(232)을 형성한 후, 감광성 수지를 도포하여 제 2 감광성 수지층(292)을 형성한다.4G, the second
이때, 상기 제 2 보호층(232)은 전술한 제 1 보호층과 동일하게 상기 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 큰 불소를 포함하는 유기막으로 이루어지며, 0.1㎛ ~ 5㎛ 정도의 두께로 형성할 수 있다.At this time, the second
그리고, 소정의 마스크(미도시)를 통해 상기 제 2 감광성 수지층(292)에 선택적으로 자외선을 조사한다.Then, the second
이후, 상기 마스크를 통해 노광된 상기 제 2 감광성 수지층(292)을 현상하고 나면, 도 3h에 도시된 바와 같이, 제 2 발광층이 형성되는 위치에만 각각 상기 제 2 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 2 보호층패턴(230b) 및 제 2 감광성 수지패턴(290b)이 남는다.Then, the second
이때, 상기 제 2 감광성 수지층(192)이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 2 보호층(132)은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되는데, 전술한 바와 같이 상기 제 2 보호층(132)이 감광성 수지에 비해 현상액에 대한 용해도가 더 크기 때문에 상기 제 2 보호층(132)의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거될 수 있다.In this case, the second
다음으로, 도 4i에 도시된 바와 같이, 상기와 같이 형성된 제 2 감광성 수지패턴(290b)을 마스크로 하여, 그 하부에 형성된 제 2 유기막의 일부영역을 선택적으로 식각하게 되면, 상기 기판(210)에 상기 제 2 유기막으로 이루어진 제 2 발광층(250b)이 형성되게 된다(제 2 포토 공정).Next, as shown in FIG. 4I, if the second
이때, 일 예로 상기 제 2 발광층(250b)은 녹색 발광층일 수 있으며, 상기 식각에는 건식각뿐만 아니라 습식각도 포함될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 발광층(250a)이 적색 발광층인 경우 상기 제 2 발광층(250b)은 녹색 발광층 이외에 청색 발광층일 수 있다.For example, the second
이후, 도 4j에 도시된 바와 같이, 상기 남아있는 제 1, 제 2 보호층패턴(230a, 230b) 및 제 1, 제 2 감광성 수지패턴(290a, 290b)을 스트립 하여 제거한다.Then, as shown in FIG. 4J, the remaining first and second
그리고, 도 4k에 도시된 바와 같이, 그 위에 제 3 유기막을 증착하여 제 3 발광층(250c)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 4K, a third organic layer is deposited thereon to form a third
이때, 상기 제 3 발광층(250c)은 상기 제 1 발광층(250a)과 제 2 발광층(250b) 사이뿐만 아니라 상기 제 1 발광층(250a)과 제 2 발광층(250b) 상부에도 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.The third
이때, 일 예로 상기 제 1 발광층(250a)이 적색 발광층이고 상기 제 2 발광층(250b)이 녹색 발광층인 경우 상기 제 3 발광층(250c)은 청색 발광층일 수 있다. 또한, 상기 제 1 발광층(250a)이 적색 발광층이고 상기 제 2 발광층(250b)이 청색 발광층인 경우 상기 제 3 발광층(250c)은 녹색 발광층일 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제 1 발광층(250a), 제 2 발광층(250b) 및 제 3 발광층(250c)은 그 순서에 관계없이 적, 녹 및 청색의 발광층으로 구성할 수 있다.In this case, for example, when the first
다음으로, 도 4l에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 발광층(250a), 제 2 발광층(250b) 및 제 3 발광층(250c) 위에는 음극인 공통전극(280)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 공통전극(280)은 공통 전압을 인가 받으며, 칼슘, 바륨, 마그네슘, 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 도전물질 또는 ITO, IZO 등의 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다.Next, as shown in FIG. 4L, a
이때, 상기 제 1 발광층(250a), 제 2 발광층(250b) 및 제 3 발광층(250c)이 형성된 기판(210) 위에 전자수송층 및 전자주입층을 형성한 후 전술한 공통전극(280)을 형성할 수 있다.At this time, an electron transport layer and an electron injection layer are formed on the
이와 같이 구성되는 유기발광다이오드 표시소자에서, 상기 게이트라인에 연결되어 있는 제 1 게이트전극 및 상기 데이터라인에 연결되어 있는 제 1 소오스전극과 제 1 드레인전극은 제 1 액티브층과 함께 스위칭 박막 트랜지스터를 구성할 수 있다. 그리고, 상기 제 1 드레인전극에 연결되어 있는 제 2 게이트전극과 상기 구동 전압라인에 연결되어 있는 제 2 소오스전극 및 상기 화소전극(220)에 연결되어 있는 제 2 드레인전극은 제 2 액티브층과 함께 구동 박막 트랜지스터를 구성할 수 있다.In the organic light emitting diode display device thus configured, the first gate electrode connected to the gate line, the first source electrode connected to the data line and the first drain electrode are connected to the first active layer and the switching thin film transistor Can be configured. A second source electrode coupled to the first drain electrode, a second source electrode coupled to the driving voltage line, and a second drain electrode coupled to the
또한, 상기 화소전극(220)과 발광층(250a, 250b, 250c) 및 공통전극(280)은 유기발광다이오드를 구성하며, 서로 중첩하는 유지전극과 구동 전압라인은 유지 축전기를 구성할 수 있다.The
이와 같이 일 예로, 상기 제 1 발광층(250a)과 제 2 발광층(250b) 및 제 3 발광층(250c)이 각각 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층일 경우에는 상기 적색 발광층 및 녹색 발광층은 포토 공정으로 패터닝하고, 상기 청색 발광층은 공통으로 전면에 형성할 수 있다. 이 경우 패터닝 없이 형성된 상기 청색 발광층의 손상을 근본적으로 방지할 수 있으며, 공정 수를 줄일 수 있는 장점이 있다.When the first
다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 녹색 발광층 및 청색 발광층은 포토 공정으로 패터닝하고 적색 발광층은 공통으로 전면에 형성하거나, 적색 발광층 및 청색 발광층은 포토 공정으로 패터닝하고 녹색 발광층은 공통으로 전면에 형성할 수 있다.However, the present invention is not limited thereto. The green light emitting layer and the blue light emitting layer may be patterned by a photolithography process, the red light emitting layer may be formed on the entire surface, the red light emitting layer and the blue light emitting layer may be patterned by a photo process, .
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제조된 유기발광다이오드 표시소자의 다른 예를 나타내는 단면도로써, 적색의 제 1 발광층(350a) 및 청색의 제 3 발광층(350c)이 형성된 기판(310) 전면에 제 2 유기막을 증착하여 녹색의 제 2 발광층(350b)을 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있다.5 is a cross-sectional view showing another example of the organic light emitting diode display device manufactured according to the second embodiment of the present invention. The
이때, 상기 제 2 발광층(350b)은 상기 제 1 발광층(350a)과 제 3 발광층(350c) 사이뿐만 아니라 상기 제 1 발광층(350a)과 제 3 발광층(350c) 상부에도 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.The second
또한, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제조된 유기발광다이오드 표시소자의 다른 예를 나타내는 단면도로써, 녹색의 제 2 발광층(450b) 및 청색의 제 3 발광층(450c)이 형성된 기판(410) 전면에 제 1 유기막을 증착하여 적색의 제 1 발광층(450a)을 형성한 경우를 예를 들어 나타내고 있다.6 is a cross-sectional view showing another example of the organic light emitting diode display device manufactured according to the second embodiment of the present invention. The substrate includes a green second light emitting
이때, 상기 제 1 발광층(450a)은 상기 제 2 발광층(450b)과 제 3 발광층(450c) 사이뿐만 아니라 상기 제 2 발광층(450b)과 제 3 발광층(450c) 상부에도 소정 두께로 형성되는 것을 특징으로 한다.The first
이와 같이 제조된 본 발명의 유기발광다이오드 표시소자의 특성을 기존 방식에 따라 제조한 유기발광다이오드 표시소자와 비교하면 다음과 같다.The characteristics of the organic light emitting diode display device of the present invention thus manufactured are compared with the organic light emitting diode display device manufactured according to the conventional method as follows.
도 7a 및 도 7b는 유기발광다이오드 표시소자에 있어, 하나의 화소에 대한 발광특성을 예를 들어 보여주는 사진으로써, 가로와 세로의 폭이 각각 3mm인 적색의 화소에 대해서 5000니트(nit)의 밝기를 구현하는 조건에서 측정이 진행되었다.FIGS. 7A and 7B are photographs showing, for example, a light emitting characteristic for one pixel in an organic light emitting diode display device. FIG. 7A and FIG. 7B are graphs showing brightness of 5,000 nits for red pixels having widths of 3 mm and width, The measurement was carried out under the condition of implementing.
이때, 상기 도 7a는 기존 방식에 따라 제조된 유기발광다이오드 표시소자의 발광특성을 보여주고 있으며, 상기 도 7b는 본 발명에 따라 제조된 유기발광다이오드 표시소자의 발광특성을 보여주고 있다.Here, FIG. 7A shows the light emitting characteristics of the organic light emitting diode display device manufactured according to the conventional method, and FIG. 7B shows the light emitting characteristics of the organic light emitting diode display device manufactured according to the present invention.
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이, 보호층 없이 감광성 수지를 형성한 경우에는 감광성 수지의 잔막이 남아있어 밝기가 저하되기 때문에 5000nit의 밝기를 구현하는데 6.7V의 전압이 필요한 것을 알 수 있다. 이때, 전류 효율 및 전압 효율이 각각 22.9cd/A 및 10.8lm/A로 측정되었다.First, as shown in FIG. 7A, when a photosensitive resin is formed without a protective layer, a residual film of a photosensitive resin remains and brightness is lowered. Therefore, it is understood that a voltage of 6.7 V is required to realize brightness of 5000 nits. At this time, the current efficiency and the voltage efficiency were measured as 22.9 cd / A and 10.8 lm / A, respectively.
다음으로, 도 7b에 도시된 바와 같이, 보호층을 포함하여 감광성 수지를 형성한 경우에는 감광성 수지의 잔막이 존재하지 않아 동일한 5000nit의 밝기를 구현하는데 4.9V의 전압만이 필요한 것을 알 수 있다.Next, as shown in FIG. 7B, when the photosensitive resin including the protective layer is formed, it can be seen that only a voltage of 4.9 V is required to realize the same brightness of 5000 nits without the residual film of the photosensitive resin.
이때, 전류 효율 및 전압 효율이 각각 39.7.9cd/A 및 25.6lm/A로 측정되어 보호층을 포함하지 않은 경우에 비해 효율이 향상된 것을 알 수 있었다.At this time, the current efficiency and the voltage efficiency were measured to be 39.7.9 cd / A and 25.6 lm / A, respectively, and it was found that the efficiency was improved compared with the case where the protective layer was not included.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.
110,210,310,410 : 기판 120,220,320,420 : 화소전극
131,231, 132,232, 133 : 보호층 150a,250a,350a,450a : 제 1 발광층
150b,250b,350b,450b : 제 2 발광층
150c,250c,350c,450c : 제 3 발광층
180,280,380,480 : 공통전극110, 210, 310, 410:
131, 231, 132, 232, 133:
150b, 250b, 350b, and 450b:
150c, 250c, 350c, and 450c:
180, 280,
Claims (18)
상기 양극이 형성된 기판 위에 제 1 유기막을 증착하는 단계;
상기 제 1 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액(developer)에 현상되는 제 1 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 1 감광성 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 1 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 1 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 1 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 1 보호층패턴 및 제 1 감광성 수지패턴을 형성하는 단계;
상기 제 1 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 1 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 1 유기막으로 이루어진 제 1 발광층을 형성하는 단계;
상기 제 1 발광층이 형성된 기판 위에 제 2 발광층 및 제 3 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 제 1, 제 2, 제 3 발광층 위에 음극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 제 1 감광성 수지층이 현상, 제거됨에 따라 외부로 노출된 제 1 보호층은 현상액에 반응하여 용해되어 제거되며, 이때 상기 제 1 보호층의 현상과 함께 그 위에 남아있는 감광성 수지가 완전히 제거되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.Forming an anode on the substrate;
Depositing a first organic film on the substrate having the anode formed thereon;
Forming a first protective layer to be developed on a developer on the entire surface of the substrate on which the first organic film is deposited, and forming a first photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the first protective layer;
The first photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developing solution to form a first protective layer pattern and a first photosensitive resin pattern made of the first protective layer and the photosensitive resin at the positions where the first emitting layer is formed ;
Selectively etching the first organic layer under the first photosensitive resin pattern as a mask to form a first light emitting layer comprising the first organic layer;
Forming a second light emitting layer and a third light emitting layer on the substrate on which the first light emitting layer is formed; And
And forming a cathode on the first, second, and third light emitting layers,
As the first photosensitive resin layer is developed and removed, the first protective layer exposed to the outside is dissolved and removed in response to the developer. At this time, the photosensitive resin remaining on the first protective layer is completely removed Wherein the organic light emitting diode display element is formed by a method comprising the steps of:
상기 제 1 보호층패턴 및 제 1 감광성 수지패턴이 남아있는 상태에서 그 위에 제 2 유기막을 증착하는 단계;
상기 제 2 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액에 현상되는 제 2 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 2 감광성 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 2 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 2 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 2 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 2 보호층패턴 및 제 2 감광성 수지패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 2 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 2 유기막으로 이루어진 제 2 발광층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.The method of claim 1, wherein forming the second light emitting layer comprises:
Depositing a second organic layer on the first protective layer pattern and the first photosensitive resin pattern;
Forming a second protective layer on the entire surface of the substrate on which the second organic film is deposited, the second protective layer being developed with a developing solution, and forming a second photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the second protective layer;
The second photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developer to form a second protective layer pattern and a second photosensitive resin pattern each composed of the second protective layer and the photosensitive resin at positions where the second light emitting layer is formed ; And
And selectively etching the second organic layer under the second photosensitive resin pattern as a mask to form a second light emitting layer made of the second organic film.
상기 제 1 보호층패턴과 제 1 감광성 수지패턴 및 제 2 보호층패턴과 제 2 감광성 수지패턴이 남아있는 상태에서 그 위에 제 3 유기막을 증착하는 단계;
상기 제 3 유기막이 증착된 기판 전면에 현상액에 현상되는 제 3 보호층을 형성하고, 그 위에 감광성 수지로 이루어진 제 3 감광성 수지층을 형성하는 단계;
상기 제 3 감광성 수지층에 선택적으로 자외선을 조사하고, 현상액에 현상하여 제 3 발광층이 형성되는 위치에 각각 상기 제 3 보호층 및 감광성 수지로 이루어진 제 3 보호층패턴 및 제 3 감광성 수지패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제 3 감광성 수지패턴을 마스크로 그 하부의 제 3 유기막을 선택적으로 식각하여 상기 제 3 유기막으로 이루어진 제 3 발광층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.The method of claim 2, wherein forming the third light emitting layer comprises:
Depositing a third organic film on the first protective layer pattern, the first photosensitive resin pattern, the second protective layer pattern and the second photosensitive resin pattern remaining thereon;
Forming a third protective layer on the entire surface of the substrate on which the third organic film is deposited and developing the developer, and forming a third photosensitive resin layer made of a photosensitive resin on the third protective layer;
The third photosensitive resin layer is selectively irradiated with ultraviolet light and developed into a developing solution to form a third protective layer pattern and a third photosensitive resin pattern composed of the third protective layer and the photosensitive resin at the positions where the third emitting layer is formed ; And
And etching the third organic film under the third photosensitive resin pattern as a mask to form a third light emitting layer made of the third organic film.
상기 제 2 발광층을 형성한 후에 상기 남아있는 제 1, 제 2 보호층패턴 및 제 1, 제 2 감광성 수지패턴을 스트립 하여 제거하는 단계; 및
상기 제 1 발광층과 제 2 발광층이 형성된 기판 위에 제 3 유기막을 증착하여 제 3 발광층을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시소자의 제조방법.The method of claim 2, wherein forming the third light emitting layer comprises:
Stripping and removing the remaining first and second protective layer patterns and the first and second photosensitive resin patterns after forming the second light emitting layer; And
And depositing a third organic layer on the substrate on which the first and second light emitting layers are formed to form a third light emitting layer.
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