KR101939523B1 - 지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 지문 센서의 검출 기술분야에 관한 것으로, 특히 지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템에 관한 것이다. 상기 지문 센서 보호층의 두께 검출방법은, 단계(a): 지문 센서를 통해 지문 데이터를 수집하는 단계; 단계(b): 상기 지문 데이터의 도함수를 계산하고, 지문 데이터의 도함수를 정규화하고, 정규화된 지문 데이터의 도함수에 따라 지문 센서의 적분을 계산하는 단계; 단계(c): 지문 센서 적분에 따라 지문 센서의 보호층 두께를 계산하여 얻는 단계;를 포함한다.

Description

지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템
본 발명은 지문 센서 검출기술 분야에 관한 것으로, 특히 지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템에 관한 것이다.
지문은 손가락 표면 피부가 울퉁불퉁하게 형성된 무늬를 가리킨다. 지문의 무늬 특징은 유일성, 안정성을 갖는 것으로, 종종 신분을 식별하는 근거로 사용된다. 지문 센서란 바로 지문을 통해 신분을 식별하는 센서이다.
도 1은 종래 지문 센서의 구조 개략도이다. 여기서, 지문 센서는 커버층(11), 바인더(12) 및 지문 센서 칩(13)을 포함하고, 커버층(11)의 재질은 유리, 사파이어 또는 코팅층 등 일 수 있고, 주요 작용은 지문 센서 칩(13)을 보호하는 것이고, 바인더(12)는 고정 작용을 일으키고, 지문 센서 칩(13)상에는 수천 수만 개의 Pixel(14)(칩 감지부)로 구성된 매트릭스가 있고, 손가락으로 지문 센서를 누르면, Pixel(14)은 해당 Pixel 상부의 손가락(15)의 지문 무늬 깊이를 감지하고, 모든 Pixel(14)이 출력하는 지문 무늬의 깊이 데이터로 구성된 매트릭스가 곧바로 손가락(15)의 지문 무늬 정보이다.
지문 센서 보호층(커버층(11) 및 바인더(12) 포함)은 손가락(15)과 지문 센서 칩(13) 사이에 있으므로, 보호층의 두께는 지문 센서가 수집한 지문 무늬의 깊이 데이터의 신호 대 잡음 비(signal to noise ratio)에 영향을 줄 뿐만 아니라, 또한 지문 센서가 획득한 지문 무늬의 깊이 데이터에 직접 영향을 주고, 지문 센서 보호층이 너무 두껍거나 너무 얇아도 모두 제품의 성능 및 사용자 체험에 직접 영향을 주므로, 지문 센서의 보호층 두께는 엄격한 제어가 필요하다.
지문 센서의 테두리는 일반적으로 모두 보호성 또는 장식성 재료로 포장되어 있으므로, 지문 센서 측면에서 보호층의 두께를 직접 측정할 수 없다. 종래의 보호층 두께의 측정방법은 지문 센서를 직접 절개한 후, 현미경으로 보호층의 두께를 측정하는 것이다. 종래 기술은, 측정 시 지문 센서를 파손해야 하므로, 양산 시, 샘플링 검출만 가능하여, 각각의 지문 센서를 모두 측정할 수 없고, 측정비용이 비교적 높은 단점이 있다.
본 발명은 종래의 지문 센서 보호층의 두께 검출방법의 경우 측정 시 샘플링 검출만 가능하여, 각각의 지문 센서를 모두 측정할 수 없고, 측정 비용이 높은 기술문제를 해결하기 위한, 지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템을 제공하는 것이다.
상술한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음과 같다.
지문 센서 보호층의 두께 검출방법에 있어서,
단계(a): 어레이식으로 배열된 다수의 칩 감지부를 포함하는 지문 센서로 지문 데이터를 수집하는 단계;
단계(b): 상기 지문 데이터의 도함수를 계산하고, 지문 데이터의 도함수를 정규화하고, 정규화된 지문 데이터 도함수에 따라 지문 센서의 적분을 계산하는 단계;
단계(c): 지문 센서 적분에 따라 지문 센서의 보호층 두께를 계산하여 얻는 단계;를 포함한다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 단계(a)는 전자기기 특성을 갖거나 손가락과 유사한 물체를 포함하는 가짜 손가락인 지문 모방 장치로 지문 센서를 누르는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 단계(b)에서, 상기 지문 데이터 도함수의 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00001
상기 공식에서,
Figure 112017079070005-pct00002
는 제i행 j열의 칩 감지부의 도함수이고,
Figure 112017079070005-pct00003
는 제i행 j열의 칩 감지 부의 지문 데이터이다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 단계(b)에서, 상기 지문 데이터 도함수의 정규화 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00004
,
상기 공식에서,
Figure 112017079070005-pct00005
는 제i행 j열의 칩 감지부 도함수의 정규화 결과이고,
Figure 112017079070005-pct00006
은 현재 프레임(Current Frame) 도함수의 최대치이고,
Figure 112017079070005-pct00007
은 현재 프레임 도함수의 최소치이다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 단계(b)에서, 상기 지문 센서의 적분을 계산하는 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00008
상기 공식에서, I는 적분 결과이고, row는 칩 감지부의 총 행수이고, col은 칩 감지부의 총 열수이다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 단계(c)에서, 상기 지문 센서의 보호층 두께의 계산방식은 1차 선형 피팅공식을 사용하여 보호층 두께를 계산하는 것이고, 구체적인 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00009
상기 공식에서, T는 계산된 보호층 두께이고, K와 B는 피팅 파라미터이다.
본 발명의 실시예에서 사용한 다른 기술방안은 다음과 같다.
지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템에 있어서, 지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부 및 보호층 두께 계산부를 포함하고, 상기 지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부 및 보호층 두께 계산부는 순차적으로 연결되고, 상기 지문 수집부는 지문 데이터를 수집하고, 다수의 칩 감지부를 포함하고, 상기 다수의 칩 감지부는 어레이식으로 배열되고, 상기 도함수 계산부는 상기 지문 데이터의 도함수를 계산하고, 상기 도함수 정규화부는 지문 데이터의 도함수를 정규화하고, 상기 적분 계산부는 정규화된 지문 데이터 도함수에 따라 지문 센서의 적분을 계산하고, 상기 보호층 두께 계산부는 적분 결과에 따라 센서 보호층의 두께를 계산하여 얻는다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템은 지문 수집부와 연결되어, 손가락을 모방하여 지문 센서를 누르는 지문 모방 장치를 더 포함하고, 상기 지문 모방 장치는 가짜 손가락이고, 상기 가짜 손가락은 전자기기 특성을 갖거나 손가락과 유사한 물체를 포함한다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 도함수 계산부가 지문 데이터의 도함수를 계산하는 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00010
상기 공식에서,
Figure 112017079070005-pct00011
는 제i행 j열의 칩 감지부의 도함수이고,
Figure 112017079070005-pct00012
은 제i행 j열의 칩 감지부의 지문 데이터이고,
상기 도함수 정규화부가 지문 데이터의 도함수를 정규화하는 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00013
상기 공식에서,
Figure 112017079070005-pct00014
는 제i행 j열의 칩 감지부 도함수의 정규화 결과이고,
Figure 112017079070005-pct00015
은 현재 프레임 도함수의 최대치이고,
Figure 112017079070005-pct00016
은 현재 프레임 도함수의 최소치이다.
본 발명의 실시예에서 사용한 기술방안은 다음 내용을 더 포함한다.
상기 적분 계산부가 지문 센서의 적분을 계산하는 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00017
상기 공식에서, I는 적분 결과이고, row는 칩 감지부의 총 행수이고, col은칩 감지부의 총 열수이고,
상기 보호층 두께 계산부가 센서 보호층의 두께를 계산하는 계산방식은, 1차 선형 피팅공식으로 보호층 두께를 계산하는 것이고, 구체적인 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00018
상기 공식에서, T는 계산된 보호층 두께이고, K와 B는 피팅 파라미터이다.
종래 기술과 비교했을 때, 본 발명의 실시예의 지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템은 지문 센서가 자체적으로 수집한 지문 데이터를 통해 센서의 보호층 두께를 계산하므로, 지문 센서를 파손하지 않는 전제하에 센서 보호층의 두께를 측정할 수 있고, 양산 시 각각의 센서를 모두 측정할 수 있어, 보다 나은 제품의 품질 관리에 도움이 되고, 측정 비용이 낮다.
도 1은 종래 지문 센서의 구조 개략도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 지문 센서 보호층의 두께 검출방법의 흐름도이다.
도 3은 지문 센서의 신호 산포도(scatter plot)이다.
도 4는 칩 감지부의 출력신호 강도 개략도이다.
도 5는 두께가 다른 보호층의 칩 감지부 출력신호 강도 비교도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템의 구조 개략도이다.
본 발명의 이해를 돕기 위하여, 이하에서는 관련 도면을 참조하여 본 발명을 보다 전면적으로 설명한다. 도면에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 보여줬다. 그러나, 본 발명은 수많은 다양한 형식으로 구현될 수 있고, 본문에서 설명한 실시예에 의해 한정되지 않는다. 반면, 이러한 실시예를 제공하는 목적은 본 발명에서 공개한 내용을 보다 투철하고 전면적으로 이해하도록 하기 위한 것이다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용한 모든 기술 및 과학적 용어는 본 발명의 기술분야에 속하는 기술자가 통상적으로 이해하는 의미와 동일하다. 본 명세서에서 사용한 용어는 구체적인 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 지문 센서 보호층의 두께 검출방법의 흐름도이다. 본 발명의 실시예에 따른 지문 센서 보호층의 두께 검출방법은 아래의 단계들을 포함한다.
단계(S100): 지문 센서의 보호층 상에 하나의 특정 무늬의 지문 모방 장치를 누르는 단계.
단계(S100)에서, 도 3을 함께 참조하면, 지문 센서의 신호 산포도이다. 지문 센서는 다수의 칩 감지부(Pixel)를 포함하고, 어레이식으로 배열된다. 칩 감지부가 출력한 지문무늬의 깊이 데이터는 지문무늬 정보를 반영할 수 있고, 지문 모방 장치(31)가 지문 센서를 누르면, 지문 모방 장치(31)와 지문 센서가 접촉하는 부분에 누름 신호가 발생하여 접촉 위치 하부의 칩 감지부에 의해 수신된다. 지문 모방 장치와 칩 감지부 사이는 커버층과 바인더에 의해 이격되므로, 누름신호는 도 3의 화살표(32)가 표시하는 방식으로 칩 감지부으로 산란된다. 비록 일부 칩 감지부의 바로 위는 지문 모방 장치에 의해 눌리지 않았으나, 여전히 경사 상부로부터 산란되는 지문 모방 장치 누름 신호를 수신할 수 있으므로, 이러한 칩 감지부는 여전히 신호가 출력되고, 다만 바로 위가 직접 눌리는 칩 감지부에 의해 출력되는 신호에 비해 작다. 예컨대 도 3의 Pixel(12)은 직접 눌리는 칩 감지부이고, Pixel(16), Pixel(17) 및 Pixel(14)은 지문 모방 장치에 의해 눌리지 않지만 경사 상부로부터의 산란 신호를 수신할 수 있는 칩 감지부이고, Pixel(10)과 같은 직접 눌리지도 않고, 산란 신호도 수신하지 못하는 칩 감지부는 신호가 출력되지 않는다(노이즈만 출력된다). 구체적으로 도 4에 도시된 바와 같이, 도 4는 모든 칩 감지부의 출력신호 강도 개략도이다.
실험을 통해, 지문 모방 장치 누름 신호가 산란되는 범위 및 강도와 보호층 두께는 관련성이 존재함을 발견했다. 도 5에 도시된 바와 같이, 도 5는 두께가 다른 보호층의 칩 감지부 출력신호 강도 비교도이다. 보호층 두께가 두꺼울수록 누름 신호가 산란되는 범위가 더 크고, 칩 감지부 출력신호의 곡선 기울기도 더 작다. 본 발명에서 제시한 지문 센서 보호층의 두께 검출방법은 상기 누름 신호의 산란 특성을 토대로 검출하는 것이다. 본 발명의 실시방식에서, 상기 지문 모방 장치는 가짜 손가락이고, 상기 가짜 손가락은 전자기기 특성을 갖거나 손가락과 유사한 물체(예컨대 금속 블록 또는 도전성 고무 등)를 포함하고, 가짜 손가락의 특정 무늬에 대해 특별한 요구가 없으나, 동일한 계산공식을 사용하는 가짜 손가락의 무늬는 동일할 것이 요구된다.
단계(S200): 지문 센서를 통해 지문 모방 장치의 보호층 상의 지문 데이터를 수집하여, 한 프레임의 수집된 지문 데이터를 얻는 단계.
단계(S300): 상기 지문 데이터의 도함수를 계산하는 단계, 지문 데이터 도함수의 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00019
(1)
공식(1)에서,
Figure 112017079070005-pct00020
는 제i행 j열의 도함수이고,
Figure 112017079070005-pct00021
은 제i행 j열의 지문 데이터이다.
단계(S400): 지문 데이터의 도함수를 정규화하는 단계, 지문 데이터의 도함수를 정규화하는 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00022
(2)
공식(2)에서,
Figure 112017079070005-pct00023
는 제i행 j열의 도함수의 정규화 결과이고,
Figure 112017079070005-pct00024
는 현재 프레임 도함수의 최대치이고,
Figure 112017079070005-pct00025
는 현재 프레임 도함수의 최소치이다.
단계(S500): 정규화된 지문 데이터 도함수에 따라 지문 센서의 적분을 계산하는 단계, 지문 센서의 적분을 계산하는 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00026
(3)
공식(3)에서, I는 적분 결과이고, row는 Pixel의 총 행수이고, col은 Pixel의 총 열수이다.
단계(S600): 적분 결과를 피팅공식에 대입시켜 지문 센서의 보호층 두께를 계산하여 얻는 단계.
단계(S600)에서, 구체적인 관계에 따라 상이한 피팅공식을 사용할 수 있고, 본 발명의 실시예는1차 선형 피팅공식을 사용하여 보호층 두께를 계산하고, 구체적인 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00027
(4)
공식(4)에서, T는 계산된 보호층 두께이고, K와 B는 피팅 파라미터이다. 피팅 파라미터의 계산방법은 최소 제곱법 등을 포함하고, 먼저 단계(200) 내지 단계(500)를 통해 다수의 지문 센서의 적분 결과(I)를 수집하여 계산한 후, 이들 지문 센서의 보호층 두께를 계산한 다음, 적분 결과(I)와 보호층 두께(T)를 통해 피팅 파라미터K와 B를 계산한다.
도 6을 참조하면, 도 6은 본 발명의 실시예의 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템의 구조 개략도이다. 본 발명의 실시예의 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템은 지문 모방 장치, 지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부 및 보호층 두께 계산부를 포함하고, 지문 모방 장치, 지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부 및 보호층 두께 계산부는 순차적으로 연결되고, 구체적으로:
지문 모방 장치는 손가락을 모방하여 지문 센서의 보호층을 누르고;
본 발명의 실시방식에서, 상기 지문 모방 장치는 가짜 손가락이고, 상기 가짜 손가락은 금속 블록 또는 도전성 고무 등의 전자기기 특성을 갖거나 손가락과 유사한 물체를 포함하고, 가짜 손가락의 특정 무늬에 대해 특별한 요구가 없으나, 동일한 계산공식을 사용하는 가짜 손가락의 무늬는 동일할 것이 요구된다.
지문 수집부는 지문 모방 장치의 보호층 상의 지문 데이터를 수집하여, 한 프레임의 수집된 지문 데이터를 얻고, 여기서, 지문 수집부는 칩 감지부이고,
도함수 계산부는 상기 지문 데이터의 도함수를 계산하고, 지문 데이터 도함수의 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00028
(1)
공식(1)에서,
Figure 112017079070005-pct00029
는 제i행 j열의 도함수이고,
Figure 112017079070005-pct00030
은 제i행 j열의 지문 데이터다.
도함수 정규화부는 지문 데이터의 도함수를 정규화하고, 지문 데이터의 도함수 정규화 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00031
(2)
공식(2)에서,
Figure 112017079070005-pct00032
는 제i행 j열의 도함수의 정규화 결과이고,
Figure 112017079070005-pct00033
는 현재 프레임 도함수의 최대치이고,
Figure 112017079070005-pct00034
는 현재 프레임 도함수의 최소치이다.
적분 계산부는 정규화된 지문 데이터의 도함수에 따라 지문 센서의 적분을 계산하고, 지문 센서의 적분을 계산하는 계산공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00035
(3)
공식(3)에서, I는 적분 결과이고, row는 Pixel의 총 행수이고, col은 Pixel의 총 열수이다.
보호층 두께 계산부는 적분 결과를 피팅공식에 대입시켜 보호층의 두께를 계산하여 얻고, 여기서, 구체적인 관계에 따라 상이한 피팅공식을 사용할 수 있고, 본 발명의 실시예는 1차 선형 피팅공식을 사용하여 보호층 두께를 계산했고, 구체적인 공식은 다음과 같다.
Figure 112017079070005-pct00036
(4)
공식(4)에서, T는 계산된 보호층 두께이고, K와 B는 피팅 파라미터이다. 피팅 파라미터의 계산방법은 최소 제곱법 등을 포함하고, 순차적으로 지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부를 통해 다수의 지문 센서의 적분 결과(I)를 수집하여 계산한 후, 이들 지문 센서의 보호층 두께를 계산한 다음, 적분 결과(I)와 보호층 두께(T)를 통해 피팅 파라미터K와 B를 계산한다.
본 발명의 실시예의 지문 센서 보호층의 두께 검출방법 및 시스템은 지문 센서가 자체적으로 수집한 지문 데이터를 통해 센서의 보호층 두께를 계산하므로, 지문 센서를 파손하지 않는 전제하에 센서 보호층의 두께를 측정할 수 있고, 양산 시 각각의 센서를 모두 측정할 수 있어, 보다 나은 제품의 품질 관리에 도움이 되고, 측정 비용이 낮다.
상기 실시예는 본 발명의 바람직한 실시방식이지만, 본 발명의 실시방식은 상기 실시예에 의해 한정되지 않고, 본 발명의 정신과 원리를 벗어나지 않으면서 진행한 다른 임의의 모든 변경, 수정, 대체, 조합, 간소화는 모두 등가 치환방식이어야 하고, 본 발명의 보호범위 내에 포함된다.

Claims (12)

  1. 어레이식으로 배열된 다수의 칩 감지부를 포함하는 정전용량 지문 센서를 통해 지문 무늬의 깊이 데이터를 수집하는 단계(a);
    상기 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수를 계산하고, 상기 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수를 정규화하고, 정규화된 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수에 따라 적분을 계산하는 단계(b);
    적분 결과에 따라 상기 정전용량 지문 센서의 보호층 두께를 계산하여 얻는 단계(c)
    를 포함하는 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단계(a)는, 전자기기 특성을 갖거나 손가락과 유사한 물체를 포함하는 가짜 손가락인 지문 모방 장치를 통해 상기 정전용량 지문 센서를 누르는 단계를 더 포함하는, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단계(b)에서,
    상기 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수의 계산 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00037

    상기 공식에서,
    Figure 112018094307017-pct00038
    는 제i행 j열의 칩 감지부의 도함수이고,
    Figure 112018094307017-pct00039
    은 제i행 j열의 칩 감지부의 지문 무늬의 깊이 데이터인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 단계(b)에서, 상기 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수의 정규화 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00040

    상기 공식에서,
    Figure 112018094307017-pct00041
    는 제i행 j열의 칩 감지부 도함수의 정규화 결과이고,
    Figure 112018094307017-pct00042
    는 현재 프레임 도함수의 최대치이고,
    Figure 112018094307017-pct00043
    는 현재 프레임 도함수의 최소치인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 단계(b)에서, 상기 적분을 계산하는 계산 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00044

    상기 공식에서, I는 적분 결과이고, row는 칩 감지부의 총 행수이고, col은 칩 감지부의 총 열수인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 단계(c)에서, 상기 정전용량 지문 센서의 보호층 두께의 계산방식은 1차 선형 피팅 공식을 사용하여 보호층 두께를 계산하는 것이고, 구체적인 공식은 다음과 같ㅇ으며,
    Figure 112018094307017-pct00045

    상기 공식에서, T는 계산된 보호층 두께이고, K와 B는 피팅 파라미터인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출방법.
  7. 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템에 있어서,
    지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부 및 보호층 두께 계산부를 포함하고;
    상기 지문 수집부, 도함수 계산부, 도함수 정규화부, 적분 계산부 및 보호층 두께 계산부는 순차적으로 연결되고;
    상기 지문 수집부는 지문 무늬의 깊이 데이터를 수집하고, 다수의 칩 감지부를 포함하고, 상기 다수의 칩 감지부는 어레이식으로 배열되고;
    상기 도함수 계산부는 상기 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수를 계산하고, 상기 도함수 정규화부는 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수를 정규화하고, 상기 적분 계산부는 정규화된 지문 무늬의 깊이 데이터 도함수에 따라 적분을 계산하고, 상기 보호층 두께 계산부는 적분 결과에 따라 정전용량 지문 센서 보호층의 두께를 계산하여 얻는,
    정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    지문 모방 장치를 더 포함하고, 상기 지문 모방 장치는 지문 수집부와 연결되고, 상기 지문 모방 장치는 손가락을 모방하여 상기 정전용량 지문 센서를 누르고; 상기 지문 모방 장치는 가짜 손가락이고, 상기 가짜 손가락은 전자기기 특성을 갖거나 손가락과 유사한 물체를 포함하는, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 도함수 계산부가 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수를 계산하는 계산 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00046

    상기 공식에서,
    Figure 112018094307017-pct00047
    는 제i행 j열의 칩 감지부의 도함수이고,
    Figure 112018094307017-pct00048
    는 제i행 j열의 칩 감지부의 지문 무늬의 깊이 데이터인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 도함수 정규화부가 지문 무늬의 깊이 데이터의 도함수를 정규화하는 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00049

    상기 공식에서,
    Figure 112018094307017-pct00050
    는 제i행 j열의 칩 감지부 도함수의 정규화 결과이고,
    Figure 112018094307017-pct00051
    는 현재 프레임 도함수의 최대치이고,
    Figure 112018094307017-pct00052
    는 현재 프레임 도함수의 최소치인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 적분 계산부가 상기 적분을 계산하는 계산 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00053

    상기 공식에서, I는 적분 결과이고, row는 칩 감지부의 총 행수이고, col은 칩 감지부의 총 열수인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 보호층 두께 계산부가 센서 보호층의 두께를 계산하는 계산방식은 1차 선형 피팅 공식을 사용하여 보호층 두께를 계산하는 것이고, 구체적인 공식은 다음과 같으며,
    Figure 112018094307017-pct00054

    상기 공식에서, T는 계산된 보호층 두께이고, K와 B는 피팅 파라미터인, 정전용량 지문 센서 보호층의 두께 검출 시스템.
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