KR101935337B1 - 유연 기판 - Google Patents
유연 기판 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101935337B1 KR101935337B1 KR1020157020532A KR20157020532A KR101935337B1 KR 101935337 B1 KR101935337 B1 KR 101935337B1 KR 1020157020532 A KR1020157020532 A KR 1020157020532A KR 20157020532 A KR20157020532 A KR 20157020532A KR 101935337 B1 KR101935337 B1 KR 101935337B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- planarization
- layer
- planarization layer
- moisture
- oxygen barrier
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 57
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims abstract description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/0097—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/14—Layered products comprising a layer of synthetic resin next to a particulate layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/10—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material
-
- H01L51/5253—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/102—Oxide or hydroxide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
- B32B2307/7242—Non-permeable
- B32B2307/7244—Oxygen barrier
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/726—Permeability to liquids, absorption
- B32B2307/7265—Non-permeable
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
- H01L2251/5338—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24521—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness with component conforming to contour of nonplanar surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
유연 기판이 제공된다. 유연 기판은 폴리머 기재 및 상기 폴리머 기재 상에 제공되는 복수의 수분 및 산소 배리어 레이어를 포함하고, 평탄화 레이어가 인접하는 수분 및 산소 배리어 레이어들 사이에 제공되며, 상기 평탄화 레이어는 제1 방향 및 제2 방향으로 분리되는 복수의 평탄화 유닛을 포함하며, 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 상기 평탄화 레이어 내 상기 평탄화 유닛의 돌출부는 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 인접 평탄화 레이어 내 인접 평탄화 유닛의 돌출부들 사이의 갭(gap)을 커버하며, 돌출 영역이 부분적으로 겹쳐진다. 이러한 방법으로, 인접 평탄화 레이어는 평탄화 유닛들 간의 갭을 커버할 수 있으므로 수분 및 산소가 수평으로 침투하는 것을 방지하며, 유연 기판이 평탄화 유닛의 사이즈보다 큰 범위 내의 어떠한 사이즈로도 절단될 수 있도록 보장한다.
Description
본 발명은 유기 광전자 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 OLED, OPV 및 OTFT와 같은 유기 광전자 장치를 제조하기 위한 수분 및 산소 배리어(water and oxygen barrier)인 유연 기판에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(OLED), 유기 광전지(OPV), 유기 박막 트랜지스터(OTFT) 및 유기 반도체 레이저(OSL)과 같은 유기 광전자 장치의 유리한 특성은 이들이 유연하다는 것이다. 유기 광전자 장치는 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스티렌(PS), 폴리에테르설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 및 폴리이미드(PI)와 같은 유연한 폴리머 기재로 만들어질 수 있다. 폴리머 기재는 유기 광전자 장치가 연성이며 임의의 형상으로 감겨질 수 있도록 한다.
유기 광전자 장치는 수분 및 산소 부식에 매우 민감하며, 미량의 수분 및 산소는 장치 내 유기 물질의 산화, 결정화 및 전극 열화를 유발하고, 장치의 수명에 영향을 미치거나 장치의 고장을 직접적으로 유발한다. 글래스 기재와 비교하면, 대부분의 폴리머 기재의 수분 및 산소 투과율이 비교적 높으므로, 장치가 오랜 기간 동안 신뢰성 있게 동작하는 것을 보장하기 어렵다. 일반적인 폴리머 기재의 수분 투과율과 산소 투과율은 아래 표에서 도시된다.
종래 기술에서, 폴리머 기재는 일반적으로 폴리머 기재의 수분 및 산소 배리어 용량을 증가시키기 위하여 수분 및 산소 배리어 레이어 및 평탄화 레이어와 함께 제공된다. 도 1에서 도시된 바와 같이, 수분 및 산소 배리어 레이어 103는 폴리머 기재 101 상에 제공되며 평탄화 레이어 102에 의하여 분리된다. 수분 및 산소 배리어 레이어 103는 수증기 및 산소를 분리시키는데 사용되며, 평탄화 레이어 102는 인접하는 수분 및 산소 배리어 레이어들 103 사이에 제공되어 필름 내 결함의 성장을 막으며 필름 형성의 조밀도 및 평활도를 보장한다. 일반적으로, 3 내지 5 개 이상의 수분 및 산소 배리어 레이어들 103이 폴리머 기재 상에 마련되어야 유기 광전자 장치에 적합한 수분 및 산소 배리어 용량을 가진다. 그러나, 평탄화 레이어 102는 일반적으로 폴리머 물질 레이어이고, 낮은 수분 및 산소 배리어 용량을 가지며, 폴리머 기재가 절단되는 경우 절단 후 옆 표면은 화살촉에 의하여 지시되는 경로를 따라 장치 내로 스며드는 수증기 및 산소인 외부 공기에 노출될 것이다. 이에 따라, 배리어 역할을 하는 산소 배리어 레이어 103가 오직 하나 있는 경우, 장치의 성능에 심각한 영향을 미칠 수 있다.
기존의 유연 기판에서는, 이러한 문제를 해결하기 위하여 먼저 기판의 크기를 정의한 후, 이에 기초하여 평탄화 레이어의 커버리지 영역을 수분 및 산소 배리어 레이어보다 작게 만들도록 수분 및 산소 배리어 레이어와 평탄화 레이어의 커버리지 영역을 정의한다. 이에 따라, 복수의 수분 및 산소 배리어 레이어는 유연 기판의 가장자리에서 서로 연결되어 측면으로부터 수증기 및 산소가 스며드는 것을 방지할 수 있다. 그러나, 이 방법은 준비된 유연 기판이 다양한 제품 사이즈에 대한 요구를 만족시키도록 절단될 수 없으며, 다양한 사이즈를 가지는 제품은 평탄화 레이어와 수분 및 산소 배리어 레이어의 사이즈를 정의하기 위하여 그 사이즈에 알맞은 마스크 세트를 필요로 하는 문제를 가진다. 이에 따라, 생산 코스트가 의심할 여지 없이 증가하게 된다.
또한, 롤대롤(roll to roll) 코팅은 수분 및 산소 배리어 필름을 가지는 유연 기판의 생산 용량을 늘리고 생산 코스트를 줄이기 위한 효과적인 수단으로 알려져 있으나, 이 기술은 커팅 공정이 반드시 포함되어야 하며, 롤대롤은 수분 및 산소 배리어 필름에 대한 상기 제조 방법에서 적절하지 않으므로, 생산 비용이 효율적으로 절감될 수 없다.
상기에 기초하여, 낮은 생산 비용의 절단 가능한 새로운 유연 기판이 제공될 필요가 있다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 유연 기판은 폴리머 기재 및 상기 폴리머 기재 상에 제공되는 복수의 수분 및 산소 배리어 레이어를 포함하며, 평탄화 레이어는 인접하는 수분 및 산소 배리어 레이어들 사이에 제공되고, 상기 평탄화 레이어는 제1 방향 및 제2 방향으로 분리되는 복수의 평탄화 유닛을 포함하며, 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 상기 평탄화 레이어 내 상기 평탄화 유닛의 돌출부는 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 인접 평탄화 레이어 내 인접 평탄화 유닛의 돌출부들 사이의 갭(gap)을 커버하며, 돌출 영역이 부분적으로 겹쳐진다.
바람직하게는, 상기 수분 및 산소 배리어 레이어는 평탄화 유닛들 간의 갭을 커버할 수 있다.
바람직하게는, 상기 평탄화 레이어의 홀수 번째 레이어 또는 짝수 번째 레이어의 두께는 각각 상기 폴리머 기재로부터 멀어지는 방향으로 연속적으로 감소할 수 있다.
바람직하게는, 제1 방향 및 제2 방향 간의 각도는 0˚보다 크고 180˚보다 작을 수 있다.
바람직하게는, 상기 평탄화 레이어 내 상기 평탄화 유닛은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 주기적으로 배열될 수 있다.
바람직하게는, 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들 간의 위치 차이는 반 사이클(a half cycle)일 수 있다.
바람직하게는, 상기 평탄화 레이어의 두께는 100~5000nm의 범위일 수 있다.
바람직하게는, 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 평탄화 유닛의 돌출부의 너비는 임의의 방향으로 10 ~ 2000㎛의 범위일 수 있다.
바람직하게는, 상기 폴리머 기재 상에 돌출된 동일한 평탄화 레이어 내 인접 평탄화 유닛의 돌출부들 간의 이격 거리는 10~2000㎛의 범위일 수 있다.
상기 폴리머 기재 상에 돌출된 동일한 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들의 형상은 동일할 수 있다.
또한, 상기 폴리머 기재 상에 돌출된 다른 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들의 형상은 동일하거나 다를 수 있다.
바람직하게는, 상기 평탄화 레이어는 잉크젯 프린팅-자외선 경화, 플래시 증발-자외선 경화, 화학 기상 증착, 기상 폴리머화 또는 플라즈마 폴리머화에 의하여 제작될 수 있다.
상기 평탄화 레이어는 폴리머로 만들어질 수 있다. 다른 평탄화 레이어에 의하여 사용되는 폴리머는 동일하거나 다를 수 있다. 폴리머는 폴리아크릴레이트, 파릴렌, 폴리우레아, 폴리에틸렌 글리콜 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 및 폴리스티렌으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나일 수 있다.
바람직하게는, 상기 수분 및 산소 배리어 레이어의 두께는 20~200nm의 범위일 수 있다. 다른 수분 및 산소 배리어 레이어들의 두께는 동일하거나 다를 수 있다.
바람직하게는, 상기 수분 및 산소 배리어 레이어는 직류 스퍼터링, 무선 주파수 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 또는 원자층 증착에 의하여 제작될 수 있다.
바람직하게는, 상기 수분 및 산소 배리어 레이어의 재료는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 티타늄 옥사이드, 지르코니움 옥사이드, 알루미늄 옥시니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드 및 무정형 카본으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나일 수 있다. 다른 수분 및 산소 배리어 레이어의 재료는 동일하거나 다를 수 있다.
종래 기술과 비교하면, 본 명세서의 상기 기술적 해결은 다음의 장점을 가진다.
1. 본 명세서의 유연 기판 내 평탄화 레이어는 제1 방향 및 제2 방향으로 분리된 복수의 평탄화 유닛에 의하여 구성된다. 폴리머 기재 상에 돌출된 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부는 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들 간의 갭을 커버하며, 돌출 영역이 부분적으로 중첩된다. 그러므로, 인접 평탄화 레이어는 평탄화 유닛들 간의 갭을 커버할 수 있으므로, 수분 및 산소가 수평 방향으로 침투하는 것을 방지한다. 이에 따라, 유연 기판은 평탄화 유닛의 사이즈보다 큰 범위 내라면 어떠한 사이즈로의 절단도 가능하며, 유연 기판을 대규모로 생산할 수 있고, 생산 비용을 줄이기 위하여 프로세스를 간략화할 수 있다.
2. 평탄화 레이어의 홀수 번째 레이어 또는 짝수 번째 레이어의 두께는 폴리머 기재로부터 멀어지는 방향으로 연속적으로 줄어들어, 유연 기판의 상부 면의 거칠기는 줄어들 수 있으며, 장치의 제조에 적합하다.
3. 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛은 제1 방향 및 제2 방향으로 주기적으로 배열되며, 폴리머 기재 상에 돌출된 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들 간의 상이한 위치는 반 사이클이다. 평탄화 유닛의 설정의 룰은 기술 분야에서 실현되기 쉬우며, 수분 및 산소의 수평 침투를 방지하기 위하여 평탄화 레이어가 유닛들 간의 갭을 커버할 수 있도록 한다.
4. 평탄화 레이어 및 평탄화 유닛의 사이즈가 클수록, 가공의 정밀성에 대한 요구가 낮아진다. 이에 따라 기술적으로 현실화되기 용이하다.
5. 본 발명의 유연 기판의 평탄화 레이어와 수분 및 산소 배리어 레이어의 두께가 낮다. 이에 따라, 유연 기판을 사용하는 장치의 두께를 효율적으로 줄일 수 있다.
첨부되는 도면은 본 명세서의 하나 이상의 실시예를 나타낸다; 발명의 상세한 설명과 함께, 도면은 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다. 가능한 한 어느 곳에서나, 실시예의 동일 또는 유사 유닛을 나타내기 위하여 도면 전체를 통하여 동일한 참조 번호가 사용된다.
도 1은 종래 기술에 따른 수분 및 산소 배리어 필름과 유연 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유연 기판을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 유연 기판의 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부의 위치를 나타내는 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 유연 기판의 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부의 위치를 나타내는 다이어그램이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 유연 기판의 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부의 위치를 나타내는 다이어그램이다.
참조 번호는 다음과 같다: 101 폴리머 기재, 102 평탄화 레이어, 103 수분 및 산소 배리어 레이어, 201 폴리이미드 기재, 202 제1 수분 및 산소 배리어 레이어, 203 제1 평탄화 레이어, 204 제2 수분 및 산소 배리어 레이어, 205 제2 평탄화 레이어, 206 제3 수분 및 산소 배리어 레이어, 207 제3 평탄화 레이어, 208 제4 수분 및 산소 배리어 레이어, 209 제4 평탄화 레이어, 210 제5 수분 및 산소 배리어 레이어, 301 홀수 번째 평탄화 레이어, 및 302 짝수 번째 평탄화 레이어.
도 1은 종래 기술에 따른 수분 및 산소 배리어 필름과 유연 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유연 기판을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 유연 기판의 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부의 위치를 나타내는 다이어그램이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 유연 기판의 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부의 위치를 나타내는 다이어그램이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 유연 기판의 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부의 위치를 나타내는 다이어그램이다.
참조 번호는 다음과 같다: 101 폴리머 기재, 102 평탄화 레이어, 103 수분 및 산소 배리어 레이어, 201 폴리이미드 기재, 202 제1 수분 및 산소 배리어 레이어, 203 제1 평탄화 레이어, 204 제2 수분 및 산소 배리어 레이어, 205 제2 평탄화 레이어, 206 제3 수분 및 산소 배리어 레이어, 207 제3 평탄화 레이어, 208 제4 수분 및 산소 배리어 레이어, 209 제4 평탄화 레이어, 210 제5 수분 및 산소 배리어 레이어, 301 홀수 번째 평탄화 레이어, 및 302 짝수 번째 평탄화 레이어.
다음의 발명의 상세한 설명에서, 그 일부를 형성하는 첨부 도면을 이용하여 참조되며, 본 발명의 실시될 수 있는 특정 실시예를 기술하는 방법으로 나타내어 진다. 개시된 실시예의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다른 실시예가 사용될 수 있으며 구조적인 변경이 가해질 수 있는 것으로 이해된다.
실시예 1
도 2에서 도시된 바와 같이, 실시예의 유연 기판은 폴리이미드 기재 201(이하, PI 기재라 한다)를 포함하며, PI 기재 상에 제1 수분 및 산소 배리어 레이어 202, 제1 평탄화 레이어 203, 제2 수분 및 산소 배리어 레이어 204, 제2 평탄화 레이어 205, 제3 수분 및 산소 배리어 레이어 206, 제3 평탄화 레이어 207, 제4 수분 및 산소 배리어 레이어 208, 제4 평탄화 레이어 209 및 제5 수분 및 산소 배리어 레이어 210가 순차적으로 적층된다.
실시예에서, 제1 평탄화 레이어 203, 제2 평탄화 레이어 205, 제3 평탄화 레이어 207 및 제4 평탄화 레이어 209는 제1 방향 및 제2 방향으로 주기적으로 배열된 분리된 평탄화 유닛에 의하여 구성된다. 수분 및 산소 배리어 레이어는 수분 및 산소가 수평으로 침투하는 것을 방지하기 위하여 평탄화 유닛들 사이의 갭을 커버한다.
도 3을 참조하면, 제1 방향은 쇄선(chain dotted line)의 화살표 방향으로 나타내어지고, 제2 방향은 파선(dashed line)의 화살표 방향으로 나타내어진다. 한 실시예에서, 제1 방향과 제2 방향 간의 각은 90˚이다. 또한, 홀수 번째 평탄화 레이어 301와 짝수 번째 평탄화 레이어 302에서, PI 기재 201 상에 돌출된 모든 평탄화 유닛의 돌출부의 형상은 동일하다. 각 돌출부는 500㎛의 길이 및 400㎛의 너비를 가진 동일한 사이즈의 직사각형의 형상을 가진다. 인접 직사각형 간의 이격 거리는 제1 방향 및 제2 방향에서 동일하며, 100㎛이다. PI 기재 201 상에 돌출된 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부는 반 사이클 위치 차로 배열된다.
이 실시예에서, 제1 평탄화 레이어 203의 두께 d1는 3,000nm이고, 제2 평탄화 레이어 205의 두께 d2는 3,000nm이며, 제3 평탄화 레이어 207의 두께 d3는 1,500nm이고, 제4 평탄화 레이어 209의 두께 d4는 400nm이다. 제3 평탄화 레이어 207의 두께 d3는 제1 평탄화 레이어 203의 두께 d1보다 작다. 제4 평탄화 레이어 209의 두께 d4는 제2 평탄화 레이어 205의 두께 d2보다 작다.
선택적으로, 유연 기판이 더 많은 평탄화 레이어를 가진다면, 다음의 조건을 만족시켜야 한다. nth 평탄화 레이어의 두께가 (n-2)th 평탄화 레이어의 두께보다 작다(n은 자연수이며 n>2).
제2 평탄화 레이어 205 및 제1 평탄화 레이어 203, 제3 평탄화 레이어 207 및 제2 평탄화 레이어 205, 그리고 제4 평탄화 레이어 209 및 제3 평탄화 레이어 207 내 평탄화 유닛 간 위치 차는 각각 반 사이클이다. 이에 따라, 두 개의 인접 평탄화 레이어 중 한 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 중심은 두 개의 인접 평탄화 레이어 중 다른 평탄화 레이어 내 두 평탄화 유닛 간의 갭 상에 위치하며, 이에 따라 수분 및 산소가 수평으로 침투하는 것을 방지한다. 또한, 평탄화 유닛은 제1 방향 및 제2 방향에서 서로 완전히 분리되며, 유연 기판은 평탄화 유닛의 사이즈보다 큰 범위 내에서 어떠한 사이즈로도 절단될 수 있다. 이에 따라, 롤대롤 기술과 같은, 유연 기판의 대규모 제작이 실현 가능해 진다. 평탄화 유닛의 사이즈가 크기 때문에, 제작의 정교함에 대한 요구는 낮으며, 기술적으로 실현되기 쉽다.
선택적으로, PI 기재는 PET, PEN, PES, PE, PP 및 PS와 같은 다른 폴리머 유연 기판으로부터 선택될 수 있다.
평탄화 레이어는 폴리아크릴레이트, 파릴렌, 폴리우레아, 폴리에틸렌 글리콜 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌 등과 같은 폴리머로 이루어진다. 이 실시예에서, 제1 평탄화 레이어 203, 제2 평탄화 레이어 205, 제3 평탄화 레이어 207 및 제4 평탄화 레이어 209는 동일한 물질, 바람직하게는 폴리아크릴레이트로 만들어지며, 잉크젯 프린팅-자외선 경화 기술에 의하여 제작된다.
선택적으로, 평탄화 레이어의 제조 방법은 플래시 증발-자외선 경화, 화학 기상 증착, 기상 폴리머화 또는 플라즈마 폴리머화일 수도 있다. 제1 평탄화 레이어 203, 제2 평탄화 레이어 205, 제3 평탄화 레이어 207 및 제4 평탄화 레이어 209는 폴리아크릴레이트, 파릴렌, 폴리우레아, 폴리에틸렌 글리콜 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 및 폴리스티렌 등으로 구성된 그룹으로부터 각각 선택된 다른 물질로 만들어질 수도 있다.
이 실시예에서, 제1 수분 및 산소 배리어 레이어 202, 제2 수분 및 산소 배리어 레이어 204, 제3 수분 및 산소 배리어 레이어, 제4 수분 및 산소 배리어 레이어 208 및 제5 수분 및 산소 배리어 레이어 210의 두께는 동일하며 50nm이다. 상기 수분 및 산소 배리어 레이어는 실리콘 니트라이드로 만들어지며, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 기술에 의하여 제조된다.
선택적으로, 수분 및 산소 배리어 레이어의 두께는 20-200nm이다. 수분 및 산소 배리어 레이어의 제조 방법은 또한 마그네트론 스퍼터링, 무선 주파수 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 및 원자층 증착으로 이루어진 그룹에서 선택될 수도 있다. 상이한 수분 및 산소 배리어 레이어는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 티타늄 옥사이드, 지르코니움 옥사이드, 알루미늄 옥시니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드 및 무정형 카본으로 이루어진 그룹에서 선택된 다른 물질로 이루어질 수 있다.
실시예 2
도 2를 참조하면, 이 실시예에서 유연 기판은 실시예 1과 유사하다. PI 기재 201 상의 제1 평탄화 레이어 203, 제2 평탄화 레이어 205, 제3 평탄화 레이어 207 및 제4 평탄화 레이어 209의 돌출부의 형상이 실시예 1과 다른 점에서 차이가 있다.
이 실시예에서, 도 4에 도시된 바와 같이, PI 기재 201 상의 제1 평탄화 레이어 203 및 제3 평탄화 레이어 207의 평탄화 유닛의 돌출부들은 동일한 반경을 가지는 원형이며 돌출부가 중첩된다. 원의 반경은 800㎛이다. 도 4에서 도시된 바와 같이, 제1 방향은 쇄선의 화살 방향에 의하여 나타내어 지고, 제2 방향은 파선의 화살 방향에 의하여 나타내어 진다. 인접 원 사이의 이격 거리는 제1 방향 및 제2 방향과 동일하며 200㎛이다. PI 기재 201 상의 제2 평탄화 레이어 205와 제4 평탄화 레이어 209의 평탄화 유닛의 돌출부는 500㎛의 반경을 가지는 원이며, PI 기재 201의 돌출부가 중첩된다.
이 실시예에서, 제1 평탄화 레이어의 두께 d1은 2,000nm이고, 제2 평탄화 레이어의 두께 d2는 1,800nm이며, 제3 평탄화 레이어의 두께 d3는 500nm이고, 제4 평탄화 레이어의 두께 d4는 600nm이다.
하나의 평탄화 레이어의 평탄화 유닛의 중심은 두 인접 평탄화 레이어 중 다른 평탄화 레이어의 평탄화 유닛들 간 갭 상에 위치하여, 수분 및 산소가 수평으로 침투하는 것을 방지하며, 유연 기판이 평탄화 유닛의 사이즈보다 큰 범위 내 어떠한 사이즈로도 절단될 수 있도록 한다. 이에 따라, 유연 기판의 대규모 생산이 가능해지며, 프로세스를 간략화하여 생산 비용을 절감할 수 있다. 평탄화 레이어의 홀수 번째 레이어 또는 짝수 번째 레이어의 두께는 폴리머 기재로부터 멀어지는 방향으로 연속적으로 감소하므로, 유연 기판의 상부 면의 거칠기는 줄어들 수 있으며, 장치의 제작에 적합해진다.
실시예 3
도 2를 참조하면, 유연 기판은 실시예 2와 유사하다. PI 기재 201 상의 제1 평탄화 레이어 203, 제2 평탄화 레이어 205, 제3 평탄화 레이어 207 및 제4 평탄화 레이어 209의 평탄화 유닛의 돌출부의 배열이 실시예 1 및 2와 다른 점에서 차이가 있다. 실시예 1 및 실시예 2에서, 평탄화 유닛은 제1 방향 및 제2 방향으로 주기적으로 배열되며, 두 방향 간의 각도는 90˚이다. 그러나, 이 실시예에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 방향은 쇄선의 화살 방향으로 그려지고, 제2 방향은 파선의 화살 방향으로 그려지며, 평탄화 유닛은 제1 방향과 제2 방향으로 주기적으로 배열되고, 두 방향 간의 각도는 60˚이다.
PI 기재 201 상의 제1 평탄화 레이어 203 및 제3 평탄화 레이어 207의 평탄화 유닛의 돌출부는 동일한 반경을 가지는 원이다. PI 기재 201 상의 제1 평탄화 레이어 203 및 제3 평탄화 레이어 207의 평탄화 유닛의 돌출부들은 중첩되며, 돌출된 원의 반경은 800㎛이다. 인접 원 간의 이격 거리는 제1 방향 및 제2 방향에서 동일하며 200㎛이다. PI 기재 201 상의 제2 평탄화 레이어 205 및 제4 평탄화 레이어 209의 평탄화 유닛의 돌출부도 동일한 반경을 가지는 원이며, 각 원의 반경은 500㎛이다. PI 기재 201 상의 제2 평탄화 레이어 205 및 제4 평탄화 레이어 209의 평탄화 유닛의 돌출부들은 중첩된다.
본 실시예에서, 제1 평탄화 레이어의 두께 d1는 2,000nm이며, 제2 평탄화 레이어의 두께 d2는 1,800nm이고, 제3 평탄화 레이어의 두께 d3는 500nm이며, 제4 평탄화 레이어의 두께 d4는 600nm이다.
인접 평탄화 레이어에서, PI 기재 상의 평탄화 유닛의 돌출부 간의 위치 차는 반 사이클이며, 두 인접 평탄화 레이어 중 한 평탄화 레이어의 평탄화 유닛의 중심은 다른 평탄화 레이어의 평탄화 유닛들 간의 갭에 위치해 있어, 수분 및 산소가 수평으로 침투하는 것을 방지하며, 유연 기판이 평탄화 유닛의 사이즈보다 큰 범위 내에서라면 어떠한 사이즈로도 절단될 수 있는 것을 보장한다. 이에 따라, 유연 기판의 대규모 생산을 실현 가능하게 하며, 프로세스를 단순화하여 제조 비용을 절감한다. 평탄화 레이어의 홀수 번째 레이어 또는 짝수 번째 레이어의 두께는 폴리머 기재로부터 멀어지는 방향으로 연속적으로 줄어들어, 유연 기판의 상부 면의 거칠기가 줄어들 수 있으며, 장치의 제조에 적합하다.
본 발명의 실시예에서, 수분 및 산소 배리어 레이어와 평탄화 레이어의 레이어 수는 제한되지 않으며, 그 수는 유연 기판의 필요 및 사용 목적에 따라 증가하거나 감소될 수 있다.
선택적으로, 평탄화 유닛은 임의의 형상일 수 있으며, 동일한 평탄화 레이어 상의 평탄화 유닛의 형상은 동일하거나 다를 수 있고, 다른 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 형상은 동일하거나 다를 수 있고, 폴리머 기재 상에 돌출된 평탄화 레이어의 평탄화 유닛의 돌출부는 인접 평탄화 레이어의 평탄화 유닛의 돌출부 간의 갭을 커버하고, 돌출 영역은 부분적으로 중첩되어 인접 평탄화 레이어가 평탄화 유닛들 간의 갭을 커버할 수 있도록 하며, 수분 및 산소가 수평으로 침투하는 것을 방지한다. 도 3에서 도시된 바와 같이, 폴리머 기재 상에 돌출된 인접하는 짝수 번째 및 홀수 번째 평탄화 레이어의 상대적인 위치는 중첩되며, 기재 상에 돌출되는 홀수 번째 및 짝수 번째 레이어의 평탄화 유닛의 돌출부는 중첩된다. 평탄화 레이어의 두께는 100~5000nm의 범위 내이며, 폴리머 기재 상에 돌출된 평탄화 유닛의 돌출부의 폭은 임의의 방향으로 10-2000㎛의 범위 내에 있다. 동일한 평탄화 레이어 내 인접 평탄화 유닛 간의 이격 거리는 제1 방향 또는 제2 방향을 따라 10-2000㎛의 범위 내에 있으며, 평탄화 레이어의 홀수 번째 레이어 또는 짝수 번째 레이어의 두께는 폴리머 기재로부터 멀어지는 방향으로 연속적으로 줄어 들어, 결국 표면을 평탄하게 만든다.
상기 실시예는 본 발명의 원리 및 실제 애플리케이션을 설명하기 위하여 선택되고 기술되며, 이에 따라 당업자가 본 발명 및 다양한 실시예를 이용하고, 고려되는 특정 용도에 적합하게 다양한 변형을 가할 수 있다. 대안의 실시예는 본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한 당업자에게 명백하다. 이에 따라, 본 발명의 범위는 상세한 설명 및 예시적인 실시예보다 첨부된 청구항에 의하여 정의된다.
Claims (15)
- 폴리머 기재;
상기 폴리머 기재 상에 제공되는 복수의 수분 및 산소 배리어 레이어; 그리고
인접하는 수분 및 산소 배리어 레이어 사이에 제공되는 복수의 평탄화 레이어를 포함하며,
각 평탄화 레이어는 제1 방향 및 제2 방향으로 분리되는 복수의 평탄화 유닛을 포함하며, 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 상기 평탄화 레이어 내 상기 평탄화 유닛의 돌출부는 상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 인접 평탄화 레이어 내 인접 평탄화 유닛의 돌출부 사이의 갭(gap)을 커버하며, 돌출 영역이 부분적으로 겹쳐지고,
상기 평탄화 레이어의 홀수 번째 레이어의 두께 또는 짝수 번째 레이어의 두께는 각각 상기 폴리머 기재로부터 멀어지는 방향으로 연속적으로 감소하며,
상기 홀수 번째 레이어의 평탄화 유닛들의 돌출부들은 동일한 너비를 가지고 중첩되며, 상기 짝수 번째 레이어의 평탄화 유닛들의 돌출부들은 동일한 너비를 가지고 중첩되고, 상기 홀수 번째 레이어의 평탄화 유닛들의 돌출부들의 너비는 상기 짝수 번째 레이어의 평탄화 유닛들의 돌출부들의 너비보다 큰 유연 기판. - 제1항에 있어서,
상기 수분 및 산소 배리어 레이어는 인접 평탄화 유닛들 간의 갭을 커버하는 유연 기판. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 평탄화 레이어 내 상기 평탄화 유닛은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 주기적으로 배열되는 유연 기판. - 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 인접 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들 간의 위치 차이는 반 사이클(a half cycle)인 유연 기판. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화 레이어의 두께는 100~5000nm의 범위인 유연 기판. - 제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 폴리머 기재 상에 돌출되는 평탄화 유닛의 돌출부의 너비는 임의의 방향으로 10 ~ 2000㎛의 범위인 유연 기판. - 제1항 또는 제6항에 있어서,
상기 폴리머 기재 상에 돌출된 동일한 평탄화 레이어 내 인접 평탄화 유닛의 돌출부들 간의 이격 거리는 10~2000㎛의 범위인 유연 기판. - 제1항에 있어서,
상기 폴리머 기재 상에 돌출된 동일한 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들의 형상은 동일한 유연 기판. - 제1항 또는 제9항에 있어서,
상기 폴리머 기재 상에 돌출된 다른 평탄화 레이어 내 평탄화 유닛의 돌출부들의 형상은 동일한 유연 기판. - 제1항에 있어서,
상기 평탄화 레이어는 잉크젯 프린팅-자외선 경화, 플래시 증발-자외선 경화, 화학 기상 증착, 기상 폴리머화 또는 플라즈마 폴리머화에 의하여 제작되는 유연 기판. - 제1항 또는 제11항에 있어서,
상기 평탄화 레이어는 폴리아크릴레이트, 파릴렌, 폴리우레아, 폴리에틸렌 글리콜 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 및 폴리스티렌으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 폴리머로 만들어지는 유연 기판. - 제1항에 있어서,
상기 수분 및 산소 배리어 레이어의 두께는 20~200nm의 범위인 유연 기판. - 제1항에 있어서,
상기 수분 및 산소 배리어 레이어는 마그네트론 스퍼터링, 직류 스퍼터링, 무선 주파수 스퍼터링, 반응성 스퍼터링, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 또는 원자층 증착에 의하여 제작되는 유연 기판. - 제1항 또는 제14항에 있어서,
상기 수분 및 산소 배리어 레이어의 재료는 알루미늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드, 실리콘 니트라이드, 티타늄 옥사이드, 지르코니움 옥사이드, 알루미늄 옥시니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드 및 무정형 카본으로 이루어진 그룹에서 선택되는 적어도 하나인 유연 기판.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210584605.0A CN103022354B (zh) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 一种柔性衬底 |
| CN201210584605.0 | 2012-12-28 | ||
| PCT/CN2013/090642 WO2014101814A1 (zh) | 2012-12-28 | 2013-12-27 | 一种柔性衬底 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150099862A KR20150099862A (ko) | 2015-09-01 |
| KR101935337B1 true KR101935337B1 (ko) | 2019-01-04 |
Family
ID=47970698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157020532A KR101935337B1 (ko) | 2012-12-28 | 2013-12-27 | 유연 기판 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10109809B2 (ko) |
| EP (1) | EP2940750B1 (ko) |
| JP (1) | JP6091654B2 (ko) |
| KR (1) | KR101935337B1 (ko) |
| CN (1) | CN103022354B (ko) |
| ES (1) | ES2668143T3 (ko) |
| PL (1) | PL2940750T3 (ko) |
| TW (1) | TWI521760B (ko) |
| WO (1) | WO2014101814A1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021108278A1 (en) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Applied Materials, Inc. | Encapsulation having polymer and dielectric layers for electronic display |
| WO2021108277A3 (en) * | 2019-11-27 | 2021-07-08 | Applied Materials, Inc. | Stretchable polymer and dielectric layers for electronic displays |
| WO2021108325A3 (en) * | 2019-11-27 | 2021-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of forming stretchable encapsulation for electronic displays |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103022354B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-05-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性衬底 |
| KR102271586B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2021-07-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9293730B2 (en) | 2013-10-15 | 2016-03-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
| CN111081734A (zh) * | 2014-03-17 | 2020-04-28 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机el显示装置 |
| US20150351167A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Encapsulated device having edge seal and methods of making the same |
| CN103996629B (zh) * | 2014-06-12 | 2015-09-30 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种柔性半导体薄膜电子器件的封装方法 |
| CN105789473B (zh) * | 2014-12-22 | 2018-11-09 | 昆山国显光电有限公司 | 柔性衬底及其制备方法 |
| CN104795424B (zh) * | 2015-03-26 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底基板和显示基板及其制作方法、显示装置 |
| US20160289458A1 (en) * | 2015-04-03 | 2016-10-06 | Moxtek, Inc. | Hydrophobic Phosphonate and Silane Chemistry |
| CN105244366B (zh) * | 2015-11-23 | 2018-03-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法 |
| JP6792950B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2020-12-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| EP3449517A1 (en) * | 2016-04-29 | 2019-03-06 | SABIC Global Technologies B.V. | Extraction substrate and method for fabrication thereof |
| CN108447988B (zh) * | 2018-01-19 | 2022-03-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种柔性衬底及其制备方法、显示器件 |
| CN110391345A (zh) * | 2018-04-19 | 2019-10-29 | 上海简户仪器设备有限公司 | 一种用于oled柔性面板封装的水氧阻隔膜及其封装工艺 |
| CN109791999B (zh) * | 2018-11-01 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示设备 |
| CN111261033A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-06-09 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
| CN111416063B (zh) * | 2020-04-29 | 2022-05-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282239A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
| US20070196682A1 (en) * | 1999-10-25 | 2007-08-23 | Visser Robert J | Three dimensional multilayer barrier and method of making |
| JP2010528417A (ja) * | 2007-05-24 | 2010-08-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子薄膜素子のための封入部 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW439308B (en) | 1998-12-16 | 2001-06-07 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6949389B2 (en) * | 2002-05-02 | 2005-09-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation for organic light emitting diodes devices |
| US9073287B2 (en) | 2008-12-15 | 2015-07-07 | Industrial Technology Research Insititute | Organic/inorganic multi-layered gas barrier film |
| TWI452553B (zh) * | 2011-12-30 | 2014-09-11 | Au Optronics Corp | 製作可撓式顯示裝置之方法 |
| CN103022354B (zh) | 2012-12-28 | 2016-05-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性衬底 |
-
2012
- 2012-12-28 CN CN201210584605.0A patent/CN103022354B/zh active Active
-
2013
- 2013-12-26 TW TW102148352A patent/TWI521760B/zh active
- 2013-12-27 EP EP13869184.5A patent/EP2940750B1/en active Active
- 2013-12-27 WO PCT/CN2013/090642 patent/WO2014101814A1/zh active Application Filing
- 2013-12-27 PL PL13869184T patent/PL2940750T3/pl unknown
- 2013-12-27 JP JP2015549975A patent/JP6091654B2/ja active Active
- 2013-12-27 US US14/758,388 patent/US10109809B2/en active Active
- 2013-12-27 ES ES13869184.5T patent/ES2668143T3/es active Active
- 2013-12-27 KR KR1020157020532A patent/KR101935337B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070196682A1 (en) * | 1999-10-25 | 2007-08-23 | Visser Robert J | Three dimensional multilayer barrier and method of making |
| JP2003282239A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
| JP2010528417A (ja) * | 2007-05-24 | 2010-08-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電子薄膜素子のための封入部 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021108278A1 (en) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Applied Materials, Inc. | Encapsulation having polymer and dielectric layers for electronic display |
| WO2021108277A3 (en) * | 2019-11-27 | 2021-07-08 | Applied Materials, Inc. | Stretchable polymer and dielectric layers for electronic displays |
| WO2021108325A3 (en) * | 2019-11-27 | 2021-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of forming stretchable encapsulation for electronic displays |
| US11211439B2 (en) | 2019-11-27 | 2021-12-28 | Applied Materials, Inc. | Stretchable polymer and dielectric layers for electronic displays |
| US11258045B2 (en) | 2019-11-27 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming stretchable encapsulation for electronic displays |
| US11362307B2 (en) | 2019-11-27 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Encapsulation having polymer and dielectric layers for electronic displays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103022354B (zh) | 2016-05-11 |
| US10109809B2 (en) | 2018-10-23 |
| JP2016502943A (ja) | 2016-02-01 |
| WO2014101814A1 (zh) | 2014-07-03 |
| EP2940750A4 (en) | 2016-08-24 |
| EP2940750A1 (en) | 2015-11-04 |
| US20150357589A1 (en) | 2015-12-10 |
| KR20150099862A (ko) | 2015-09-01 |
| JP6091654B2 (ja) | 2017-03-08 |
| PL2940750T3 (pl) | 2018-06-29 |
| EP2940750B1 (en) | 2018-02-21 |
| TWI521760B (zh) | 2016-02-11 |
| TW201427127A (zh) | 2014-07-01 |
| CN103022354A (zh) | 2013-04-03 |
| ES2668143T3 (es) | 2018-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101935337B1 (ko) | 유연 기판 | |
| EP3086381B1 (en) | Thin-film encapsulation structure for oled, oled device and display device | |
| KR101635126B1 (ko) | 기밀 밀봉식 캐비티를 제조하는 장치 및 방법 | |
| US9054345B2 (en) | Pixel defining layer, preparation method thereof, organic light-emitting diode substrate and display | |
| JP5496745B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
| US20200365830A1 (en) | Composite film and manufacturing method thereof, and encapsulation structure including the composite film | |
| US8419494B2 (en) | Flat panel display device and method of manufacturing the same | |
| US20140190565A1 (en) | Polymer/inorganic multi-layer encapsulation film | |
| US20130126915A1 (en) | Flexible active device array substrate and organic electroluminescent device having the same | |
| CN105514298B (zh) | 一种薄膜封装结构及薄膜封装方法 | |
| JP2010515828A (ja) | 薄膜電子デバイス及び電子回路の製造装置及び製造方法 | |
| WO2014134861A1 (zh) | Oled器件封装薄膜、制备方法以及oled器件、封装方法 | |
| EP3002800B1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20180003724A (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| CN205452362U (zh) | 一种薄膜封装结构 | |
| US20120114910A1 (en) | Flexible gas barrier film, method for preparing the same, and flexible display device using the same | |
| CN107958879B (zh) | 柔性电子装置 | |
| KR20160140157A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160053241A (ko) | 증착용 마스크, 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 제조 방법 | |
| KR101491779B1 (ko) | 자기 치유성을 갖는 배리어 기판 및 이의 제조 방법 | |
| KR20170041339A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| US10275062B2 (en) | Flexible electronic device having barrier planarization layer including nitrogen-rich region and oxygen-rich region | |
| KR20170113756A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR20160103806A (ko) | 투명 가스 배리어성 필름 및 이를 제조하는 방법 | |
| TWM644579U (zh) | 光伏電池結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL NUMBER: 2017101002409; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20170518 Effective date: 20181204 |
|
| S901 | Examination by remand of revocation | ||
| GRNO | Decision to grant (after opposition) |