KR101924639B1 - 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로 - Google Patents

고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR101924639B1
KR101924639B1 KR1020160045743A KR20160045743A KR101924639B1 KR 101924639 B1 KR101924639 B1 KR 101924639B1 KR 1020160045743 A KR1020160045743 A KR 1020160045743A KR 20160045743 A KR20160045743 A KR 20160045743A KR 101924639 B1 KR101924639 B1 KR 101924639B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inductor
gate
transformer
drain
amplifier circuit
Prior art date
Application number
KR1020160045743A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170117822A (ko
Inventor
공선우
박봉혁
이문식
이희동
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020160045743A priority Critical patent/KR101924639B1/ko
Priority to US15/487,905 priority patent/US10079579B2/en
Publication of KR20170117822A publication Critical patent/KR20170117822A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101924639B1 publication Critical patent/KR101924639B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • H03F1/347—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback using transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/265—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/318—A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/391—Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/399—A parallel resonance being added in shunt in the output circuit, e.g. base, gate, of an amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411—Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/534—Transformer coupled at the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로가 개시된다. 고주파 증폭기 회로는 드레인, 게이트 및 소스를 포함하는 트랜지스터, 상기 드레인에 연결된 LC 탱크 및 상기 게이트 및 상기 소스에 연결된 변압기를 포함할 수 있다.

Description

고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로{CIRCUIT FOR AMPLIFYING RADIO SIGNAL USING HIGH FREQUENCY}
아래의 실시예들은 무선 통신 장치에 관한 것으로, 발진 현상을 완화할 수 있는 고주파 증폭기 회로에 관한 것이다.
고주파 증폭기 회로는 트랜지스터와 공진 로드를 포함할 수 있다. 하지만 높은 주파수인 무선 신호(RF)의 특성상 트랜지스터의 기생 성분에 의한 피드팩 효과로 인하여 안정도가 감소할 수 있다.
안정도 감소 문제를 해결하기 위하여, 몇 가지 방법이 제시되었다. 입력단과 LC 탱크(LC-tank)의 격리도를 높이는 방법, 추가적인 부귀환(negative feedback)을 적용하는 방법 및 귀환 인자를 보상하는 방법이 제시되었다.
그러나, 격리도를 높이는 방법은 추가적인 트랜지스터를 원래의 트랜지스터 위에 쌓기 때문에 전원 전압이 추가적인 트랜지스터의 동작 조건만큼 높아져야 한다. 이것은 소모 전력의 증가를 야기할 수 있다. 또한 트랜지스터들 간의 연결 지점에서의 증가된 기생 성분에 의한 신호 누설이 생겨 이득이 낮아질 수 있다.
추가적인 부귀환(negative feedback)을 적용하는 방법은 이득이 낮아지는 단점이 존재한다. 결과적으로 복수의 증폭 단계가 필요해지고, 이는 전력소모의 증가를 가져올 수 있다. 또한 입력단의 정합 회로를 제외한 추가적인 인덕터가 필요하게 된다. 증가된 인덕터의 면적은 경제성을 감소시킬 수 있다.
귀환 인자를 보상하는 방법은 안정도를 낮추어 발진을 발생시키는 주된 요인인 피드백 캐패시터 CF와 피드백 인덕터 LF를 사용하여 공진 주파수에서 그 영향을 제거하는 방식이다. 하지만 귀환 인자를 보상하는 방법은 CF와 LF의 공진 점에서만 동작할 수 있기 때문에, 동작 대역폭이 좁다. 또한 귀환 인자 CF의 크기가 작기 때문에 이를 보상하기 위한 LF는 타겟 주파수에 따라 크기가 매우 커질 수 있다. IC 제조 측면에서, 이것은 증가된 경제성 감소의 문제와 IC 내에 인덕터를 실장하기 어려운 문제를 야기할 수 있다.
본 발명은 변압기를 이용하여 발진 현상을 완화하고 고주파 증폭기 회로의 안정성과 성능을 동시에 높일 수 있는 방법 및 장치를 제공한다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로는 드레인, 게이트 및 소스를 포함하는 트랜지스터, 상기 드레인에 연결된 LC 탱크 및 상기 게이트 및 상기 소스에 연결된 변압기를 포함할 수 있다.
상기 변압기는, 상기 게이트에 연결된 제2 인덕터 및 상기 고주파 증폭기 회로의 입력단에 연결된 제3 인덕터를 포함하는 제1 변압기 및 상기 제3 인덕터 및 상기 소스에 연결된 제4 인덕터를 포함하는 제2 변압기를 포함하고, 상기 제2 인덕터와 상기 제4 인덕터는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
상기 제2 인덕터의 일 단자는 기준 전압과 연결되고, 상기 제2 인덕터의 다른 단자는 상기 게이트에 연결될 수 있다.
상기 제3 인덕터의 일 단자는 상기 고주파 증폭기 회로의 입력단에 연결되고, 상기 제3 인덕터의 다른 단자는 그라운드(ground)에 연결될 수 있다.
상기 제4 인덕터의 일 단자는 상기 소스에 연결되고, 상기 제4 인덕터의 다른 단자는 그라운드에 연결될 수 있다.
상기 고주파 증폭기 회로는, 제1 레이어 및 제2 레이어로 구성된 수직 구조를 포함하고, 상기 제2 인덕터와 상기 제3 인덕터는 상기 제1 레이어에 포함되고, 상기 제4 인덕터는 상기 제2 레이어에 포함될 수 있다.
상기 LC 탱크는 제1 인덕터 및 제1 캐패시터를 포함할 수 있다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로는 제1 드레인, 제1 게이트 및 제1 소스를 포함하는 제1 트랜지스터 및 제2 드레인, 제2 게이트 및 제2 소스를 포함하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 드레인 및 제1 출력단에 연결된 제1 LC 탱크 및 상기 제2 드레인 및 제2 출력단에 연결된 제2 LC 탱크, 상기 제1 게이트, 상기 제1 소스, 제1 입력단, 상기 제2 게이트, 상기 제2 소스 또는 제2 입력단에 연결된 제1 변압기 및 제2 변압기를 포함하고, 상기 제1 입력단과 상기 제2 입력단은 차동 입력단을 구성할 수 있다.
상기 제1 LC 탱크는 제1 인덕터 및 제1 캐패시터를 포함하고, 상기 제2 LC 탱크는 제2 인덕터 및 제2 캐패시터를 포함할 수 있다.
상기 제1 변압기는 상기 제1 게이트와 상기 제2 게이트에 연결된 제3 인덕터 및 상기 제1 입력단과 상기 제2 입력단에 연결된 제4 인덕터를 포함하고, 상기 제2 변압기는 상기 제4 인덕터 및 상기 제1 소스와 상기 제2 소스에 연결된 제5 인덕터를 포함하고, 상기 제3 인덕터와 상기 제5 인덕터는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
상기 고주파 증폭기는 제1 레이어 및 제2 레이어로 구성된 수직 구조를 포함하고, 상기 제3 인덕터와 상기 제4 인덕터는 상기 제1 레이어에 포함되고, 상기 제5 인덕터는 상기 제2 레이어에 포함될 수 있다.
일실시예에 따르면, 정합회로는 제1 트랜지스터 및 상기 제1 트랜지스터의 제1 드레인에 연결된 고주파 증폭기 회로를 포함하고, 상기 고주파 증폭기 회로는, 제2 드레인, 게이트 및 소스를 포함하는 제2 트랜지스터, 상기 제2 드레인 및 출력단에 연결된 LC 탱크, 상기 게이트, 상기 소스 또는 상기 제1 드레인에 연결된 제1 변압기 및 제2 변압기를 포함할 수 있다.
상기 제1 변압기는 상기 게이트에 연결된 제2 인덕터 및 상기 제1 드레인에 연결된 제3 인덕터를 포함하고, 상기 제2 변압기는 상기 제3 인덕터 및 상기 소스에 연결된 제4 인덕터를 포함하고, 상기 제2 인덕터와 상기 제4 인덕터는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
일실시예에 따르면, 상기 제3 인덕터는 전압 전원에 연결될 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 상기 제3 인덕터와 상기 제4 인덕터는 바이패스 캐패시터에 연결될 수 있다.
일실시예에 따르면, 변압기를 이용하여 발진 현상을 완화하고 고주파 증폭기 회로의 안정성과 성능을 동시에 높일 수 있다.
도 1은 일실시예에 따른 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 일실시예에 따른 고주파 증폭기 회로의 수직 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 차동 증폭기 회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 일실시예에 따른 차동 증폭기 회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 수직 구조를 도시한 도면이다.
도 5a는 다른 실시예에 따른 정합회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
도 5b는 다른 실시예에 따른 정합회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
아래의 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 특허출원의 범위가 본 명세서에 설명된 내용에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 설명한 분야에 속하는 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 본 명세서에서 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급은 그 실시예와 관련하여 설명되는 특정한 특징, 구조 또는 특성이 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미하며, "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 언급이 모두 동일한 실시예를 지칭하는 것이라고 이해되어서는 안된다.
본 명세서에 개시되어 있는 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 개시되어 있는 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 명세서의 사상 및 기술 범위에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들어 본원의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들어 "~사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 권리범위를 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서 설명될 실시예들은 동영상 안에 포함된 객체의 움직임을 식별하고 그 유형을 결정하는데 적용될 수 있다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일실시예에 따른 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로는 고주파로 동작하면서 무선 신호를 증폭하여 송신하거나 수신한 무선 신호를 증폭할 수 있다. 구체적으로, 고주파 증폭기 회로는 고주파 증폭기 회로의 입력단으로 입력 신호를 인가할 수 있다. 입력 신호는 트랜지스터의 게이트에 인가되고, 트랜지스터의 드레인에 연결된 LC 탱크의 공진 포인트가 고주파 신호에 맞춰짐으로써 증폭 이득이 도출될 수 있다.
여기서, 고주파로 인해 트랜지스터의 기생 성분에 의한 피드백으로 인하여 고주파 증폭기 회로의 안정성이 감소할 수 있다. 이처럼, 피드백 현상에 의해 입력 신호가 없는 경우에도 출력 신호가 발생하는 발진 현상이 생길 수 있다. 일실시예에 따른 고주파 증폭기 회로는 입력단과 게이트 사이에 변압기를 이용함으로써 안정성을 높일 수 있다.
일실시예에 따른 고주파 증폭기 회로는 고주파로 동작함으로써 안정성과 고성능을 동시에 달성할 수 있다. 여기서 고성능이라는 것은 입출력 정합특성, 잡음 특성, 이득, 출력 전력, 선형성 및 전력 소모량 등에서 좋은 성능을 보이는 것을 말한다. 안정성이란 발진 현상 등을 완화하는 정도를 의미할 수 있다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로(100)는 트랜지스터(110), LC 탱크(120) 및 변압기(130)를 포함할 수 있다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로(100)는 고주파 증폭기 회로의 입력단(140)으로 입력 신호를 인가할 수 있다. LC 탱크(120)는 트랜지스터(110)(M1)의 드레인에 연결되어 공진 포인트를 고주파 신호에 맞출 수 있다. 트랜지스터(110)(M1)는 게이트에 인가된 입력 신호를 LC 탱크(120)에 의해 형성된 공진 포인트를 이용하여 증폭 이득을 도출할 수 있다. 변압기(130)는 게이트와 소스 사이에 연결되어, 고주파 증폭기 회로(100)의 안정성을 높일 수 있다.
일실시예에 따르면, 트랜지스터(110)(M1)는 드레인, 게이트 및 소스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터(110)(M1)는 MOSFET를 포함할 수 있다. LC 탱크(120)는 드레인에 연결될 수 있다. LC 탱크(120)는 제1 인덕터(L1) 및 제1 캐패시터(C1)를 포함함으로써 일종의 공진 로드를 형성할 수 있다. 제1 인덕터(L1), 제1 캐패시터(C1) 및 드레인은 출력단(150)에 연결될 수 있다. 변압기(130)는 게이트 및 소스에 연결될 수 있다.
일실시예에 따르면, 변압기(130)는 게이트에 연결된 제2 인덕터(Ls1) 및 고주파 증폭기 회로(100)의 입력단(140)에 연결된 제3 인덕터(Lp)를 포함하는 제1 변압기(T1)를 포함할 수 있다. 제2 인덕터(Ls1)와 제3 인덕터(Lp)는 상호 인덕턴스에 의해 커플링될 수 있다. 제3 인덕터(Lp) 및 소스에 연결된 제4 인덕터(Ls2)를 포함하는 제2 변압기(T2)를 포함할 수 있다. 제3 인덕터(Lp)와 제4 인덕터(Ls2)는 상호 인덕턴스에 의해 커플링될 수 있다. 여기서, 제2 인덕터(Ls1)와 제4 인덕터(Ls2)는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
제4 인덕터(Ls2)는 트랜지스터(110)(M1)의 소스에 연결되어 트랜지스터(110) (M1)에 부귀환을 적용할 수 있다. 이에 따라 안정도가 높아져 발진의 확률이 줄어들 수 있다. 이것은 입력 임피던스의 실수(real) 값이 양이라는 것을 의미할 수 있다.
입력단(140)과 연결된 제3 인덕터(Lp)는 동시에 두 개의 변압기를 형성할 수 있다. 이처럼, 제1 변압기(T1)과 제2 변압기(T2)가 형성될 수 있다. 제1 변압기(T1)는 제3 인덕터(Lp)-제2 인덕터(Ls1)로 구성될 수 있다. 제2 변압기(T2)는 제3 인덕터(Lp)-제4 인덕터(Ls2)로 구성될 수 있다. 제3 인덕터(Lp)와 제2 인덕터(Ls1) 그리고 제3 인덕터(Lp)와 제4 인덕터(Ls2)는 각각 상호 인덕턴스를 가질 수 있다.
이때 제3 인덕터(Lp)와 연결된 제2 인덕터(Ls1)과 제4 인덕터(Ls2)는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다. 따라서 제1 변압기(T1)의 1차측인 제3 인덕터(Lp)로부터 커플링되어 제1 변압기(T1)의 2차측인 제2 인덕터(Ls1)와 연결된 게이트의 신호의 위상과 제2 변압기(T2)의 1차측인 제3 인덕터(Lp)로부터 커플링되어 제2 변압기(T2)의 2차측인 제4 인덕터(Ls2)와 연결된 소스의 신호의 위상은 서로 180도 차이가 날 수 있다.
트랜지스터(110)(M1)의 게이트와 소스 사이의 유효한 신호의 진폭은 이러한 위상 차이에 의한 진폭의 차이로 인하여 증가할 수 있다. 이를 통하여, 고주파 증폭기 회로(100)는 추가적인 전력의 소모 없이 수동 소자만으로 이득을 높일 수 있다. 고주파 증폭기 회로(100)는 180도 위상 차이에서 최대의 이득을 얻을 수 있고, 한 주기 내에서는 위상의 차이가 값에서 멀어질수록 트랜지스터(110)(M1)의 게이트와 소스 사이의 유효한 신호의 진폭은 줄어들 수 있다.
도 2는 일실시예에 따른 고주파 증폭기 회로의 수직 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 변압기(130)의 평면도와 단면도를 나타낸다. IC 공정에서 금속 라인을 꼼으로써 평면(planar) 인덕터가 구현될 수 있다. 이러한 인덕터가 동일한 레이어에서 옆으로 배치되거나, 다른 레이어에서 위 또는 아래에 배치됨으로써, 변압기가 구성될 수 있다.
일실시예에 따르면, 변압기(130)는 제1 레이어 및 제2 레이어로 구성된 수직 구조를 포함할 수 있다. 제2 인덕터(Ls1)와 제3 인덕터(Lp)는 제1 레이어에 포함될 수 있다. 제4 인덕터(Ls2)는 제2 레이어에 포함될 수 있다. 이처럼, 제2 인덕터(Ls1) 및 제3 인덕터(Lp)는 제4 인덕터(Ls2)와 다른 레이어에 포함될 수 있다.
구체적으로, 도 2에서 도 1의 제3 인덕터(Lp) 및 제2 인덕터(Ls1)는 같은 레이어에 배치됨으로써 edge side 커플링이 사용될 수 있다. 도 2의 제3 인덕터(Lp) 및 제4 인덕터(Ls2)는 다른 레이어에 배치됨으로써 broad side 커플링이 사용될 수 있다. 여기서, 제2 인덕터(Ls1)과 제4 인덕터(Ls2)는 edge side와 broad side 커플링의 영향을 최소화할 수 있도록 배치될 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 차동 증폭기 회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로(300)는 도 1의 고주파 증폭기 회로(100)의 대칭 구조로 구성될 수 있다. 이를 통해, 고주파 증폭기 회로(300)는 입력 신호의 공통 모드 부분을 제거하고 차동 모드 부분 만을 증폭하는 동시에 높은 안정성과 성능을 구현할 수 있다.
제1 변압기(T1)는 제4 인덕터(Lp) 및 제3 인덕터(Ls1)를 포함할 수 있다. 제2 변압기(T2)는 제4 인덕터(Lp) 및 제5 인덕터(Ls2)를 포함할 수 있다. 고주파 증폭기 회로(300)는 차동 증폭기 회로의 형태로서 단일 증폭기 회로의 그라운드 단자가 아니라 음과 양의 단자(각각 제2 입력단과 제1 입력단)가 함께 그 역할을 대신할 수 있다. 제4 인덕터(Lp)와 제3 인덕터(Ls1) 그리고 제4 인덕터(Lp)와 제5 인덕터(Ls2)는 각각 상호 인덕턴스를 형성할 수 있다. 여기서, 제4 인덕터(Lp)와 연결된 제3 인덕터(Ls1)와 제5 인덕터(Ls2)는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로(300)는 제1 트랜지스터(311), 제2 트랜지스터(312), 제1 LC 탱크(321), 제2 LC 탱크(322), 변압기(330), 차동 입력단(340) 및 출력단(350)을 포함할 수 있다. 차동 입력단(340)은 제1 입력단과 제2 입력단으로 구성될 수 있다. 출력단(350)은 제1 출력단 및 제2 출력단으로 구성될 수 있다.
일실시예에 따르면, 제1 트랜지스터(311)는 제1 드레인, 제1 게이트 및 제1 소스를 포함하고, 제2 트랜지스터(312)는 제2 드레인, 제2 게이트 및 제2 소스를 포함할 수 있다.
일실시예에 따르면, 제1 LC 탱크(321)는 제1 드레인 및 제1 출력단에 연결될 수 있다. 제2 LC 탱크(322)는 제2 드레인 및 제2 출력단에 연결될 수 있다. 제1 LC 탱크(321)는 제1 인덕터(L1) 및 제1 캐패시터(C1)를 포함하고, 제2 LC 탱크(322)는 제2 인덕터(L2) 및 제2 캐패시터(C2)를 포함할 수 있다.
일실시예에 따르면, 변압기(330)는 제1 변압기(T1) 및 제2 변압기(T2)를 포함할 수 있다. 제1 변압기(T1) 및 제2 변압기(T2)는 제1 게이트, 제1 소스, 제1 입력단, 제2 게이트, 제2 소스 또는 제2 입력단에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 변압기(T1)는 제1 게이트와 제2 게이트에 연결된 제3 인덕터(Ls1) 및 제1 입력단과 제2 입력단에 연결된 제4 인덕터(Lp)를 포함할 수 있다. 제2 변압기(T2)는 제4 인덕터(Lp) 및 제1 소스와 제2 소스에 연결된 제5 인덕터(Ls2)를 포함할 수 있다. 여기서, 제3 인덕터(Ls1)와 제5 인덕터(Ls2)는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
도 4는 일실시예에 따른 차동 증폭기 회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 수직 구조를 도시한 도면이다.
도 4는 변압기(330)의 평면도와 단면도를 나타낸다. IC 공정에서 금속 라인을 꼼으로써 평면(planar) 인덕터가 구현될 수 있다. 이러한 인덕터가 동일한 레이어에서 옆으로 배치되거나, 다른 레이어에서 위 또는 아래에 배치됨으로써, 변압기가 구성될 수 있다. 이것은 도 2에서 설명한 바와 동일하다. 다만 차동 구조에 적용하기 위하여 대칭적인 레이아웃이 사용될 수 있다.
일실시예에 따르면, 변압기(330)는 제1 레이어 및 제2 레이어로 구성된 수직 구조를 포함할 수 있다. 제3 인덕터(Ls1)와 제4 인덕터(Lp)는 제1 레이어에 포함되고, 제5 인덕터(Ls2)는 제2 레이어에 포함될 수 있다. 이처럼, 제3 인덕터(Ls1) 및 제4 인덕터(Lp)는 제5 인덕터(Ls2)와 다른 레이어에 포함될 수 있다.
구체적으로, 도 4에서 도 3의 제4 인덕터(Lp) 및 제3 인덕터(Ls1)는 같은 레이어에 배치됨으로써 edge side 커플링이 사용될 수 있다. 도 3의 제4 인덕터(Lp) 및 제5 인덕터(Ls2)는 다른 레이어에 배치됨으로써 broad side 커플링이 사용될 수 있다. 여기서, 제3 인덕터(Ls1)과 제5 인덕터(Ls2)는 edge side와 broad side 커플링의 영향을 최소화할 수 있도록 배치될 수 있다.
도 5a는 다른 실시예에 따른 정합회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다. 도 5b는 다른 실시예에 따른 정합회로에 적용된 고주파 증폭기 회로의 구성을 도시한 도면이다.
일실시예에 따르면, 고주파 증폭기 회로(100)는 스테이지 간(inter stage) 정합회로로 활용될 수 있다. 도 5a와 도 5b는 스테이지 간(inter stage) 정합회로로 활용되는 두 가지 실시예를 나타낸다.
제3 인덕터(Lp)와 제2 인덕터(Ls1), 제4 인덕터(Ls2)로 이루어진 변압기가 사용되면 1차측과 2차측의 전류변환이나 전압 변환이 조절될 수 있기 때문에, 제1 트랜지스터(110)(M1)의 신호는 효율적으로 제2 트랜지스터(550)(M2)에 전달 될 수 있다. 일반적인 공통 소스(Common source) 구조에서 트랜지스터의 드레인에 연결된 인덕터 로드의 무선 신호(RF)로부터 야기될 수 있는 발진은 제1 변압기(T1) 또는 제2 변압기(T2)의 조절을 통하여 완화될 수 있다. 제3 인덕터(Lp)와 제2 인덕터(Ls1), 제4 인덕터(Ls2)는 서로 겹쳐진 구조로 하나의 인덕터에 비하여 면적의 증가가 크지 않을 수 있다.
일실시예에 따른, 스테이지 간(inter stage) 정합회로는 제1 트랜지스터(550) (M1)의 제1 드레인에 연결된 고주파 증폭기 회로를 포함할 수 있다. 고주파 증폭기 회로는 제2 드레인, 게이트 및 소스를 포함하는 제2 트랜지스터(110)(M2)와 제2 드레인 및 출력단(140)에 연결된 LC 탱크(120)를 포함할 수 있다.
고주파 증폭기 회로는 제1 트랜지스터(110)(M1)의 게이트, 소스 또는 제2 트랜지스터(550)(M2)의 제1 드레인에 연결된 제1 변압기(T1) 및 제2 변압기(T2)를 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 변압기(T1)는 게이트에 연결된 제2 인덕터 및 제1 드레인에 연결된 제3 인덕터를 포함하고, 제2 변압기(T2)는 제3 인덕터 및 소스에 연결된 제4 인덕터를 포함할 수 있다. 여기서, 제2 인덕터와 제4 인덕터는 서로 반대의 극성을 가질 수 있다.
제3 인덕터(Lp)는 첫 번째 단을 구성하는 제1 트랜지스터(550)(M1)의 제1 드레인에 연결되어 제1 트랜지스터(550)(M1)의 로드 역할을 수행할 수 있다. 동시에 제2 인덕터(Ls1), 제4 인덕터(Ls2)와 함께 구성된 제1 변압기(T1)와 제2 변압기(T2)의 역할을 수행하여 제1 트랜지스터(550)(M1) 으로부터의 신호를 제2 트랜지스터(110) (M2)로 구성된 두 번째 단으로 전달할 수 있다.
일실시예에 따르면, 도 5a와 같이 스테이지 간(inter stage) 정합회로의 제3 인덕터는 전압 전원에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제3 인덕터(Lp)의 단자는 전압 전원(VDD)에 연결될 수 있고, 제1 트랜지스터(550)(M1)과 제2 트랜지스터(110)(M2)는 서로 구분된 전류 경로를 가질 수 있다. 도 5a의 경우, 정합회로는 소모하는 전력은 크지만 전압이 스윙할 수 있는 공간이 충분하여 높은 선형성을 가질 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 도 5b와 같이 스테이지 간(inter stage) 정합회로의 제3 인덕터와 제4 인덕터는 바이패스 캐패시터에 연결될 수 있다. 구체적으로, 제3 인덕터(Lp)의 한쪽 단자는 제4 인덕터(Ls2)와 연결될 수 있고, 이 연결 부위가 다시 바이패스 캐패시터(562)(Cs)로 연결되는 경우, 제2 트랜지스터(110)(M2)에서 사용한 전류는 제1 트랜지스터(550)(M1)에 의해 재사용될 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
100: 고주파 증폭기 회로
110: 트랜지스터
120: LC 탱크
130: 변압기
140: 입력단
150: 출력단

Claims (15)

  1. 고주파 증폭기 회로에 있어서,
    드레인, 게이트 및 소스를 포함하는 트랜지스터;
    상기 드레인에 연결된 LC 탱크; 및
    상기 게이트 및 상기 소스에 연결된 변압기
    를 포함하고,
    상기 LC 탱크는 제1 인덕터 및 제1 캐패시터를 포함하고,
    상기 제1 인덕터, 상기 제1 캐패시터 및 상기 드레인은 출력단에 연결되고,
    상기 LC 탱크의 공진 포인트를 고주파 신호의 주파수로 조정함으로써 상기 게이트에 인가된 입력 신호를 증폭하여 상기 출력단에서 출력하고,
    상기 변압기는,
    상기 게이트에 연결된 제2 인덕터 및 상기 고주파 증폭기 회로의 입력단에 연결된 제3 인덕터를 포함하는 제1 변압기; 및
    상기 제3 인덕터 및 상기 소스에 연결된 제4 인덕터를 포함하는 제2 변압기를 포함하고,
    상기 제2 인덕터와 상기 제4 인덕터는 서로 반대의 극성을 가지는
    고주파 증폭기 회로.




  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 인덕터의 일 단자는 기준 전압과 연결되고, 상기 제2 인덕터의 다른 단자는 상기 게이트에 연결되는, 고주파 증폭기 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제3 인덕터의 일 단자는 상기 고주파 증폭기 회로의 입력단에 연결되고, 상기 제3 인덕터의 다른 단자는 그라운드(ground)에 연결되는, 고주파 증폭기 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제4 인덕터의 일 단자는 상기 소스에 연결되고, 상기 제4 인덕터의 다른 단자는 그라운드에 연결되는, 고주파 증폭기 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 고주파 증폭기 회로는,
    제1 레이어 및 제2 레이어로 구성된 수직 구조를 포함하고,
    상기 제2 인덕터와 상기 제3 인덕터는 상기 제1 레이어에 포함되고, 상기 제4 인덕터는 상기 제2 레이어에 포함되는
    고주파 증폭기 회로.
  7. 삭제
  8. 제1 드레인, 제1 게이트 및 제1 소스를 포함하는 제1 트랜지스터 및 제2 드레인, 제2 게이트 및 제2 소스를 포함하는 제2 트랜지스터;
    상기 제1 드레인 및 제1 출력단에 연결된 제1 LC 탱크 및 상기 제2 드레인 및 제2 출력단에 연결된 제2 LC 탱크; 및
    상기 제1 게이트, 상기 제1 소스, 제1 입력단, 상기 제2 게이트, 상기 제2 소스 또는 제2 입력단에 연결된 제1 변압기 및 제2 변압기를 포함하고,
    상기 제1 입력단과 상기 제2 입력단은 차동 입력단을 구성하고,
    상기 제1 LC 탱크는 제1 인덕터 및 제1 캐패시터를 포함하고, 상기 제1 인덕터, 상기 제1 캐패시터 및 상기 제1 드레인은 출력단의 일측에 연결되고, 상기 제2 LC 탱크는 제2 인덕터 및 제2 캐패시터를 포함하고, 상기 제2 인덕터, 상기 제2 캐패시터 및 상기 제2 드레인은 출력단의 타측에 연결되고,
    상기 제1 LC 탱크 및 상기 제2 LC 탱크의 공진 포인트를 고주파 신호의 주파수로 조정함으로써 상기 차동 입력단에 인가된 입력 신호를 증폭하여 상기 출력단에서 출력하고,
    상기 제1 변압기는 상기 제1 게이트와 상기 제2 게이트에 연결된 제3 인덕터 및 상기 제1 입력단과 상기 제2 입력단에 연결된 제4 인덕터를 포함하고,
    상기 제2 변압기는 상기 제4 인덕터 및 상기 제1 소스와 상기 제2 소스에 연결된 제5 인덕터를 포함하고,
    상기 제3 인덕터와 상기 제5 인덕터는 서로 반대의 극성을 가지는
    고주파 증폭기 회로.

  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 LC 탱크는 제1 인덕터 및 제1 캐패시터를 포함하고, 상기 제2 LC 탱크는 제2 인덕터 및 제2 캐패시터를 포함하는 고주파 증폭기 회로.
  10. 삭제
  11. 제8항에 있어서,
    상기 고주파 증폭기는 제1 레이어 및 제2 레이어로 구성된 수직 구조를 포함하고,
    상기 제3 인덕터와 상기 제4 인덕터는 상기 제1 레이어에 포함되고, 상기 제5 인덕터는 상기 제2 레이어에 포함되는
    고주파 증폭기 회로.
  12. 제1 트랜지스터; 및
    상기 제1 트랜지스터의 제1 드레인에 연결된 고주파 증폭기 회로를 포함하고,
    상기 고주파 증폭기 회로는,
    제2 드레인, 게이트 및 소스를 포함하는 제2 트랜지스터;
    상기 제2 드레인 및 출력단에 연결된 LC 탱크; 및
    상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트, 상기 제2 트랜지스터의 상기 소스 또는 상기 제1 드레인에 연결된 제1 변압기 및 제2 변압기
    를 포함하고,
    상기 LC 탱크는 제1 인덕터 및 제1 캐패시터를 포함하고,
    상기 제1 인덕터, 상기 제1 캐패시터 및 상기 드레인은 상기 출력단에 연결되고,
    상기 LC 탱크의 공진 포인트를 고주파 신호의 주파수로 조정함으로써 상기 게이트에 인가된 입력 신호를 증폭하여 상기 출력단에서 출력하고,
    상기 제1 변압기는 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 인덕터 및 상기 제1 드레인에 연결된 제3 인덕터를 포함하고,
    상기 제2 변압기는 상기 제3 인덕터 및 상기 제2 트랜지스터의 상기 소스에 연결된 제4 인덕터를 포함하고,
    상기 제2 인덕터와 상기 제4 인덕터는 서로 반대의 극성을 가지는 정합회로.




  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제3 인덕터는 전압 전원에 연결된 정합회로.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제3 인덕터와 상기 제4 인덕터는 바이패스 캐패시터에 연결된 정합회로.
KR1020160045743A 2016-04-14 2016-04-14 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로 KR101924639B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045743A KR101924639B1 (ko) 2016-04-14 2016-04-14 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로
US15/487,905 US10079579B2 (en) 2016-04-14 2017-04-14 Circuit for amplifying radio signal using high frequency

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045743A KR101924639B1 (ko) 2016-04-14 2016-04-14 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170117822A KR20170117822A (ko) 2017-10-24
KR101924639B1 true KR101924639B1 (ko) 2018-12-03

Family

ID=60038529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160045743A KR101924639B1 (ko) 2016-04-14 2016-04-14 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10079579B2 (ko)
KR (1) KR101924639B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10298182B1 (en) * 2017-12-19 2019-05-21 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Radio frequency amplifier and integrated circuit using the radio frequency amplifier
US10277170B1 (en) 2017-12-19 2019-04-30 National Chung Shan Institute Of Science And Technology Radio frequency amplifier and integrated circuit using the radio frequency amplifier
EP3503386B1 (en) * 2017-12-21 2022-06-22 National Chung Shan Institute of Science and Technology Radio frequency amplifier and integrated circuit using the radio frequency amplifier
KR102657358B1 (ko) 2019-02-15 2024-04-15 한국전자통신연구원 변압기를 이용하여 전류를 재사용하기 위한 증폭기 및 그의 동작 방법
CN113574797B (zh) * 2019-03-25 2023-10-10 三菱电机株式会社 高频半导体放大器
CN117978109A (zh) * 2024-01-23 2024-05-03 华南理工大学 一种双频跨导提升技术、放大器、电子设备及控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007026572A1 (ja) * 2005-08-30 2007-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 低雑音増幅回路、および受信システム
US20130009704A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Mediatek Inc. Transceiver and integrated circuit

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4686487B2 (ja) * 2002-05-31 2011-05-25 株式会社東芝 可変インダクタを含む増幅器及びこの増幅器を備えた無線端末
US7113045B2 (en) * 2003-12-22 2006-09-26 Silicon Laboratories Inc. Power amplifier input structure having a differential output
US8022776B2 (en) * 2005-08-04 2011-09-20 The Regents Of The University Of California Origami cascaded topology for analog and mixed-signal applications
US7414481B2 (en) * 2006-01-30 2008-08-19 University Of Washington Receiver with colpitts differential oscillator, colpitts quadrature oscillator, and common-gate low noise amplifier
US7489192B2 (en) 2006-05-22 2009-02-10 Theta Microelectronics, Inc. Low-noise amplifiers
KR100801570B1 (ko) 2006-12-05 2008-02-11 한국전자통신연구원 초고주파 증폭기
US7728672B2 (en) 2007-12-21 2010-06-01 Electronics And Telecommunications Research Institute RF amplifier
KR20110058053A (ko) 2009-11-25 2011-06-01 한국전자통신연구원 고주파 변압기 및 그를 이용한 전력 증폭기
KR20110060735A (ko) 2009-11-30 2011-06-08 한국전자통신연구원 고주파 변압기를 이용한 다중 대역 전력증폭기
US8264276B2 (en) 2010-12-13 2012-09-11 Texas Instruments Incorporated Low-noise amplifier
KR101326442B1 (ko) * 2011-10-06 2013-11-08 중앙대학교 산학협력단 저잡음 증폭기
KR101496004B1 (ko) 2013-05-27 2015-02-26 숭실대학교산학협력단 피드백 신호를 이용한 전력 증폭기
US9337183B2 (en) 2013-11-01 2016-05-10 Infineon Technologies Ag Transformer input matched transistor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007026572A1 (ja) * 2005-08-30 2007-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 低雑音増幅回路、および受信システム
US20130009704A1 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 Mediatek Inc. Transceiver and integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
US10079579B2 (en) 2018-09-18
KR20170117822A (ko) 2017-10-24
US20170302234A1 (en) 2017-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101924639B1 (ko) 고주파를 이용하여 무선 신호를 증폭하기 위한 회로
US8093950B2 (en) Power amplifier having transformer
US8717102B2 (en) RF device with compensatory resonator matching topology
US8779855B2 (en) Power amplification circuit having transformer
US20160336903A1 (en) Phase correction in a doherty power amplifier
US20050062533A1 (en) Coupled-inductance differential amplifier
US10749469B2 (en) Transformer based shielded oscillator
KR101326442B1 (ko) 저잡음 증폭기
KR102624600B1 (ko) 스케일러블 ｒｆ 튜닝 저잡음 증폭기
US9450545B2 (en) Dual-band semiconductor RF amplifier device
US8604873B2 (en) Ground partitioned power amplifier for stable operation
TWI404085B (zh) 變壓器及其結構與功率放大裝置
US9246451B2 (en) Power amplifiers with push-pull transistors, capacitive coupling for harmonic cancellation, and inductive coupling to provide differential output signals
KR101899922B1 (ko) 저전력 고주파 증폭기
US10236841B2 (en) Differential amplifier
US11121676B1 (en) Methods and circuits for harmonic suppression
US9356564B1 (en) Broadband linear amplifier architecture by combining two distributed amplifiers
Guo et al. 54 GHz CMOS LNAs with 3.6 dB NF and 28.2 dB gain using transformer feedback Gm-boosting technique
US9543902B2 (en) Power amplifier
JPWO2008114311A1 (ja) 低雑音増幅器
US9755584B2 (en) Amplifier
KR101627790B1 (ko) 트랜스포머 기반 기생 캐패시터 보상 증폭기
Im et al. A 1.9‐GHz silicon‐on‐insulator CMOS stacked‐FET power amplifier with uniformly distributed voltage stresses
JP5541135B2 (ja) 増幅回路
Tired et al. A 1V SiGe power amplifier for 81–86 GHz E-band

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant