KR101919179B1 - 선형 주 연장 방향을 갖는 양극 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양극체(20)와 양극체(20)의 초점 트랙 층 용적 섹션(22)에서 양극체(20)와 일체로 접합되는 초점 트랙 층(30)을 포함하는, x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극(10)으로서, 양극체(20) 및 초점 트랙 층(30)을 냉각시키기 위한 적어도 하나의 냉각 채널(40)이 양극체(20)의 내부에 배치되고, 적어도 초점 트랙 층 용적 섹션(22)이 고 융점 금속의 적어도 하나의 주 매트릭스를 갖는 재료로 구성되며, 초점 트랙 층 용적 섹션(22)이 냉각 채널(40)까지 연장되는 것을 특징으로 하는 양극(10)에 관한 것이다.

Description

선형 주 연장 방향을 갖는 양극{ANODE HAVING A LINEAR MAIN EXTENSION DIRECTION}
본 발명은 x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극과 x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
x-선 장치를 위한 양극은 원칙적으로 알려져 있다. 그것들은 음극과 상호 작용하여 전자 충격에 의해 x-방사선을 방출시키기 위해 사용된다. 이를 위해, 알려진 양극이 예를 들어 컴퓨터 토모그래피 스캐너(computed tomography scanner) 또는 수하물 x-선 기기(baggage x-ray machine) 내의 음극과 상호 작용하여 사용된다. 그러한 x-선 장치의 알려진 양극은 보통 초점(focal spot)을 갖는 고정된 고정 양극으로서 또는 초점 트랙(focal track)을 갖는 회전 양극으로서 구성된다. 고정 양극은 고정된 구성요소로서 전자 빔에 의한 충격을 받아 원하는 x-방사선을 방출시키는 목적에 유용하다. 회전 양극의 경우에, 디스크 상에 회전 방식으로 배치되는 초점 트랙 층(focal track layer)이 제공된다. 디스크의 회전의 결과로서, 초점 트랙 층의 일부만이 전자 빔과 충돌하여, 초점 트랙 층의 나머지 영역이 냉각될 수 있다.
x-선 장치를 위한 알려진 양극의 단점은 그것들이 고 에너지 준위에서 고 해상도가 달성되도록 의도되는 경우에 비교적 복잡한 구성을 필요로 하는 것이다. 이때, 고정 양극 또는 회전과 함께 또한 일정 범위에 걸쳐 기계적으로 이동가능한 회전 양극이 필요하다. 컴퓨터 토모그래피 스캐너의 경우에, 특히 x-선 이미지의 3차원 기록이 요망되며, 따라서 회전 양극 그 자체가 회전 방식으로 이동할 뿐만 아니라, x-선 장치 전체가 또한 이동가능하여야 한다. 이를 위해 필요한, 상대 운동에 필요한 기계적 구성요소는 한편으로는 작동 중 매우 시끄럽고, 다른 한편으로는 고장나기 쉽다.
x-선 장치를 위한 양극으로서 이른바 양극을 위한 선형 연장부(linear extent)를 사용하는 것이 이미 제시되었다. 이는 기계적 이동 부품의 감소가 달성될 수 있게 한다. 그러나, 선형 연장부의 경우에도, 알려진 양극은 그것들이 매우 짧은 초점 트랙 또는 단지 짧은 초점 트랙 세그먼트를 허용하는 단점을 갖는다. 그렇지 않으면, 즉 보다 긴 초점 트랙의 경우에, 양극에 대한 초점 트랙 층의 연결부가 구부러지거나 잔금이 생길 위험이 있을 것이다. 특히 최대 3000 ℃에 이르는, 컴퓨터 토모그래피 스캐너 또는 수하물 스캐너의 경우에 예상될 높은 작동 온도에서, 구부러지거나 잔금이 생길 위험이 높다. 따라서, 그러한 경우에 보다 낮은 기계적 복잡도가 달성될 수 있지만, 다수의 짧은 초점 트랙 세그먼트가 필요할 것이다. 초점 트랙의 많은 개별 세그먼트에 대해 있을 제조 복잡성의 증가 외에도, 이 방식으로 또한 원칙적으로 초점 트랙 스폿(focal track spot)의 구속받지 않는 위치 설정과는 대조적인, 개별 초점 트랙 세그먼트의 중첩의 문제가 있을 것이다.
본 발명의 목적은 알려진 양극의 전술된 단점을 적어도 부분적으로 제거하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 고도의 기계적 안정성을 갖고서 긴 초점 트랙도 달성할 수 있는 x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극과 그러한 양극을 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다. 특히, 이러한 목적은 저-비용으로 그리고 쉬운 방식으로 달성되어야 한다.
전술한 목적은 독립항인 특허청구범위 제1항의 특징을 갖는 선형 주 연장 방향을 갖는 양극에 의해 그리고 독립항인 특허청구범위 제15항의 특징을 갖는 양극을 제조하기 위한 방법에 의해 달성된다. 본 발명의 추가의 특징 및 세부 사항이 종속항, 설명 및 도면에 의해 제공된다. 여기에서, 본 발명에 따른 양극과 관련하여 기술되는 특징 및 세부 사항이 또한 본 발명에 따른 방법과 관련하여 그리고 그 역으로 적용됨은 당연하며, 따라서 본 발명의 개별 태양의 개시에 관하여, 항상 하나가 다른 하나를 참조하거나 참조할 수 있다.
x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 본 발명에 따른 양극은 양극체와 양극체의 초점 트랙 층 용적 부분(focal track layer volume portion) 상에서 재료-접합 방식으로 양극체에 연결되는 초점 트랙 층(focal track layer)을 구비한다. 본 발명에 따른 그러한 양극은 선형 주 연장 방향을 갖는 x-선 양극으로도 불리울 수 있다. 본 발명에 따른 양극은 양극체와 초점 트랙 층의 냉각을 위한 적어도 하나의 냉각 채널이 양극체의 내부에 배치되고, 적어도 초점 트랙 층 용적 부분이 내화 금속의 적어도 하나의 기저 매트릭스(basic matrix)를 갖는 재료로 구성된다는 사실에 의해 구별된다. 또한, 본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층 용적 부분이 냉각 채널까지 연장되는 것이 제공된다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 선형 주 연장 방향은 직선을 따라 또는 곡선을 따라 연장되는 연장 방향을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 바꾸어 말하면, 양극은 예를 들어 본질적으로 바의 형태로 형성될 수 있으며, 이때 이러한 바는 입방체 형태를 갖는다. 그 프로파일의 적어도 일부에 걸쳐 곡률을 갖는 입방체도 또한 본 발명의 범위 내에서 선형 주 연장 방향을 갖는 양극으로 간주된다. 양극은 이 경우에 특히 회전하는 것으로 구성되진 않지만 가능하게는 이동할 수 있는 고정 양극이다. 따라서, 그것은 알려진 회전 양극과 명백히 상이하다. 그것은 또한 초점을 갖는 순전한 고정 양극과 상이한데, 왜냐하면 다수의 초점을 생성하는 초점 트랙 층이 양극 상에 제공되기 때문이다. 그러한 양극은 예를 들어 가령 이른바 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube: CNT)에 의해 제공될 수 있는 바와 같은 다수의 음극과 함께 사용될 수 있다. 양극의 이동가능한 구성은 특히 소규모이며, 따라서 양극의 작은 보상 변위 또는 각도 변화가 그러한 이동성에 의해 생성될 수 있다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 재료 접합은 다양한 방식으로 달성될 수 있다. 원칙적으로, 초점 트랙 층이 초점 트랙 층 용적 부분의 재료와 직접 접합되는 것으로 구성되는 것이 가능하다. 이는 예를 들어 초점 트랙 층의 용융 및 융합에 의해 달성될 것이다. 하나 이상의 층이 원하는 재료 접합을 달성하는 것도 또한 가능함은 당연하다. 예를 들어, 브레이징된 연결부가 하나 이상의 그러한 층을 재료 접합부로서 생성할 것이다. 하나 초과의 층이 재료 접합에 사용되면, 이들 층 각각이 이웃한 층 또는 초점 트랙 층 및/또는 초점 트랙 층 용적 부분과 재료-접합 연결되는 것이 중요하다. 따라서, 그러한 경우에, 재료 접합 캐스케이드(cascade)가 있을 것이다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층이 특히 단일 초점 트랙 층으로서 구성되는 것이 가능하다. 본 발명에 따르면, 초점 층은 이 경우에 바람직하게는 비분절(unsegmented) 방식으로 형성되어, 본질적으로 원하는 만큼 긴 초점 트랙 층이 생성될 수 있다. 선형 주 연장 방향을 갖는 알려진 양극의 경우에 직면하는 문제와는 대조적으로, 여기에서는 원칙적으로 초점 트랙 층의 길이의 제한이 없다. 이는 내화 금속의 기저 매트릭스가 초점 트랙 층 용적 부분의 재료를 위해 제공됨으로써 달성된다. 이는 초점 트랙 층 용적 부분의 높은 용융점이 초점 트랙 층 그 자체의 높은 용융점을 동반하는 효과를 갖는다. 재료에 대한 높은 용융점이 또한 낮은 열 팽창, 즉 낮은 열 팽창 계수를 동반하기 때문에, 초점 트랙 층 용적 부분 및 초점 트랙 층의 열 팽창 계수가 본 발명에 따라 형성됨으로써 더욱 근사해진다. 바꾸어 말하면, 두 열 팽창 계수는 특히 백분율로 아주 조금 상이하다.
따라서, 본 발명에 따라 형성되는 양극이 사용되면, 초점 트랙 층은 전자에 의한 충격으로 인해 가열된다. 이러한 가열은 열의 하향 제거로 인해, 그것 아래에 놓인 초점 트랙 층 용적 부분도 또한 가열되는 효과를 갖는다. 이러한 가열은 초점 트랙 층 및 초점 트랙 층 용적 부분의 열 팽창을 동반한다. 그러나, 본 발명에 따른 구성으로 인해, 이러한 각각의 열 팽창이 서로에 관해 유사하거나 단지 약간만 상이하다.
내화 금속의 적어도 하나의 기저 매트릭스를 갖는 재료를 초점 트랙 층 용적 부분에 제공하는 것은 초점 트랙 층과 초점 트랙 층 용적 부분 사이의 열 팽창의 차이가 아주 작은 양극을 생성하는 효과를 갖는다. 열 팽창의 작은 차이로 인해, 그 결과로 발생하는 층간 응력도 또한 감소된다. 그러한 층간 응력을 양극의 구부러짐 및 초점 트랙 층과 초점 트랙 층 용적 부분 사이의 연결 영역의 잔금 생김(crazing)의 한가지 원인으로 볼 수 있기 때문에, 이러한 위험이 본 발명에 의해 감소되거나 최소화된다. 이러한 잔금 생김과 구부러짐의 위험의 감소는 본 발명에 따른 양극의 경우에 초점 트랙 층이 훨씬 더 긴 길이로 구성되도록 허용한다. 알려진 양극에 비해, 본 발명에 따른 양극의 경우에 1 미터 긴 또는 심지어 수 미터 긴 개별 초점 트랙 층이 또한 달성될 수 있다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층의 재료와 초점 트랙 층 용적 부분의 재료에 관해 열 팽창의 차이는 5 × 10-6 1/K 미만, 특히 2 × 10-6 1/K 미만이다. 열 팽창의 이들 특히 작은 차이는 초점 트랙 층과 초점 트랙 층 용적 부분 사이의 재료-접합 연결로 인해 특히 작은 층간 응력으로 이어진다.
초점 트랙의 재료는 예를 들어 적어도 주로 몰리브덴 또는 텅스텐을 포함할 수 있다. 특히, 그것은 텅스텐계 합금이다. 예를 들어, 이는 50 중량 퍼센트 이상의 텅스텐을 포함하는 합금을 의미하는 것으로 이해될 수 있다. 그러한 합금의 추가의 성분은 예를 들어 레늄일 수 있다.
본 발명의 범위 내에서, 용어 "내화 금속"은 특히 용융점이 2000 ℃보다 위에 놓인 금속을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 초점 트랙 층 및 초점 트랙 층 용적 부분, 특히 그 적어도 하나의 기저 매트릭스 둘 모두를 위한 재료는 바람직하게는 재결정화된 재료이다.
본 발명의 범위 내에서, 냉각 채널은 단순한 구멍일 수 있지만, 또한 더욱 복잡한 구성일 수 있다. 따라서, 예를 들어, 냉각 채널이 양극체에 맞대어져 놓이는 별개의 벽에 의해 경계지어지는 것이 가능하다. 벽을 형성하기 위한 그러한 관이 예를 들어 가능하게는 구리 또는 강재와 같은 상이한 재료로부터 제조되는 것도 또한 가능하다. 양극체, 특히 초점 트랙 층 용적 부분의 재료와 일치하는 재료의 관도 또한 고려될 수 있음은 당연하다. 벽 그 자체가 양극체 및/또는 초점 트랙 층 용적 부분과 일체로 형성되면 또한 유리하다.
본 발명에 따른 양극은 양극체가 단일체로 형성되는 방식으로 개발될 수 있다. 단일체 형태는 하나의 단일 재료로부터의 제조를 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이에 의해, 특히 냉각 채널에 관하여, 특히 소형의 그리고 특히 밀봉 제조가 달성될 수 있다. 또한, 양극체에 대해 개별 구성요소를 연결하는 추가의 단계가 수행될 필요가 없다. 이는 또한 초점 트랙 층 용적 부분이 양극체의 단일체 구성요소 부품임을 의미한다. 이 경우에, 단일체 실시 형태에도 불구하고, 양극체의 나머지에 비해 초점 트랙 층 용적 부분의 재료의 상이한 구성이 제공될 수 있다.
다부품 양극체의 경우에, 특히 초점 트랙 층 용적 부분을 구비하는 그리고 내부에서 냉각 채널이 연장되는 부품은 단일체 부품이다. 개별 제조 단계 및 가능한 기계 가공 작업에 관한 극히 낮은 제조 복잡도 외에도, 이 방식으로 특히 낮은 층간 응력을 생성하는 복합물을 생성하는 것이 가능하다. 또한, 단일체 형태는 그렇지 않을 경우 필요한 개별 구성요소 사이의 연결의 가능한 유형에 관한 품질 관리를 필요 없게 하는 것을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층 용적 부분과 초점 트랙 층이 동일한 재료로 구성되면 또한 유리하다. 초점 트랙 층 및 초점 트랙 층 용적 부분 둘 모두를 위한 동일한 재료는 두 재료의 열 팽창 계수에 관해 더 이상 어떠한 차이도 또는 본질적으로 어떠한 차이도 없는 이점을 동반한다. 서로 재료-접합 연결되는, 서로 인접한 두 구성요소가 결과적으로 그 열 팽창에 관해 어떠한 차이도 없다. 따라서, 이들 구성요소 사이에서 발생할 수 있는 층간 응력이 단지 있을 수 있는 온도 차이에 기인하지만, 이는 상이한 재료의 상이한 열 팽창 계수의 경우에 서보다 훨씬 작은 것으로 판명된다. 또한, 온도가 상이한 구성요소에 걸쳐 본질적으로 연속적인 분포로 변한다. 이 방식으로 개별 구성요소 사이의 온도의 급격한 변화와 따라서 팽창의 급격한 변화가 회피된다. 그러한 실시 형태는 특히 유리한 상태로, 특히 이상적인 상태로 기술될 수 있다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 양극체가 본질적으로 단일 재료, 즉 초점 트랙 층 용적 부분의 재료로 구성되면 또한 유리하다. 바꾸어 말하면, 단일체일 뿐만 아니라 하나의 동일한 재료로부터 제조되는 양극체의 실시 형태가 여기에서 이 실시 형태의 경우에 요구된다. 이는 제조를 더욱 간단하게 하는데, 왜냐하면 양극체 전체가 하나의 단일 재료로부터 제조될 수 있기 때문이다. 본 발명에 따른 양극, 특히 양극체는 조립됨으로써 그리고/또는 밀링 및/또는 드릴링에 의해 기계 가공됨으로써 제조될 수 있다. 제조 외에도, 작동 중 이점이 또한 달성된다. 이 방식으로, 양극체의 재료 내에서 어떠한 층간 응력도 가능하지 않은데, 왜냐하면 그것이 하나의 동일한 재료로부터 형성되기 때문이다. 여기에서 특히 단일 재료로부터 형성됨에도 불구하고, 그것이 또한 다부품 형태를 취할 수 있는 것이 지적되어야 한다. 단일 재료의 경우에 역시 가능한 단일체 실시 형태와는 대조적으로, 특히 재료-접합 방식으로 후속하여 서로 연결되는 양극체를 위한 다수의 개별 구성요소가 또한 단일 재료로부터 제조될 수 있다. 개별 구성요소의 재료-접합 연결은 이 경우에 예를 들어 개별 구성요소의 용접 또는 브레이징에 의해 수행된다. 특히, 예를 들어 종단 플러그 또는 연결 부시와 같은 추가의 연결 부품이 이 경우에 바람직하게는 단일체로 형성되지 않지만 양극체의 일부이다. 그것들도 초점 트랙 층 용적 부분과 동일한 재료로 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층과 양극체가 단일체로 형성되면 마찬가지로 유리할 수 있다. 예를 들어, 초점 트랙 층 및 양극체의 모든 재료가 텅스텐으로부터 형성되며, 예를 들어 기저 매트릭스로서 텅스텐계 합금을 포함한다. 이 실시 형태는 초점 트랙 층과 양극체가 단일체 실시 형태에 의해 원하는 재료 접합을 생성하고, 또한 하나의 동일한 재료가 바람직하게는 모두에 사용되는 효과를 동반한다. 훨씬 더 간단해진 제조 외에도, 이는 개별 구성요소, 즉 초점 트랙 층 용적 부분, 양극체의 나머지 및 초점 트랙 층 그 자체 사이에서 발생하는 층간 응력에 관해 이상적인 상태를 제공한다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 양극체가 적어도 2개의 부품으로서 구성되고, 이때 개별 부품이 초점 트랙 층의 주 연장 방향을 따라 연장되고 재료-접합 방식으로 서로 연결되면 또한 유리하다. 이 구성 변형예의 경우에, 만곡된 양극, 즉 그 선형 주 연장 방향을 따라 곡선으로 배향되는 양극이 특히 저 비용으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 2개의 반쪽-쉘이 제조될 수 있으며, 이때 냉각 채널을 형성하기 위해 밀링된 요홈이 그 각각의 대향 접촉 영역에 제조된다. 양극체의 개별 구성요소를 서로 연결하기 위해, 개별 구성요소의 서로에 대한 정렬 가능성도 또한 가능하다. 연결은 바람직하게는 재료-접합 방법, 예를 들어 브레이징 또는 용접 작업에 의해 수행된다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 냉각 채널이 양극체의 적어도 2개의 부품에 의해 형성되면 마찬가지로 유리하다. 이 방식으로, 채널의 훨씬 더 자유로운 기하학적 구조가 가능하다. 특히, 양극체 내에서의 채널의 명확한 위치와 또한 냉각 채널의 코스 및 냉각 채널의 단면의 있을 수 있는 변화가 냉각 채널의 제조 중 밀링 작업의 대응하는 제어에 의해 이 실시 형태로 인해 가능하다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 냉각 채널이 진공-밀봉(vacuum-tight) 방식으로 양극체 내에 형성되면 또한 유리할 수 있다. 그러한 실시 형태의 경우에, 냉각 채널은 이를테면 직접 형성된다. 예를 들어 별개의 관 또는 파이프에 의한 것과 같은 추가의 밀봉이 요구되지 않는다. 따라서, 진공 밀봉을 생성하기 위한 후속 작업이 필요 없다. 본 발명의 범위 내에서, "진공-밀봉"은 DIN EN 13185에 의해 규정된 측정 방법에 기초하여, 군 A의 측정 절차에 따라 1 × 10-8 mbar/s 이하인 헬륨 누출률을 갖는 냉각 채널을 생성하여야 한다. 이 방식으로, 냉각 채널은 냉각 유체를 운반하기 위해 저 비용으로 그리고 직접 형성될 수 있다. 예를 들어 냉각제를 원하는 방식으로 냉각 채널 내로 도입하거나 그것을 다시 이러한 냉각 채널로부터 제거하기 위해 예를 들어 연결 부시와 같은 추가의 연결 가능성이 또한 제공될 수 있음은 당연하다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 양극체가 적어도 초점 트랙 층 용적 부분의 영역에서 초점 트랙 층이 그것 상에 적어도 부분적으로 배치되는, 예각으로 조절되는 측면을 구비하면 마찬가지로 유리하다. 이러한 예각 조절은 x-선 장치 내에서의 훨씬 더 우수한 배치를 허용한다. 특히, 이 방식으로, x-선 장치 내에서의 부착이 자유롭게 선택될 수 있는데, 왜냐하면 측면의 예각 조절이 초점 트랙 층의 정렬을 허용하기 때문이다. 이 경우에, 예각의 정렬은 바람직하게는 양극이 x-선 장치 내에 원하는 방향으로 배치될 때, x-선이 최고 강도로 방출되도록 한다. 이는 특히 초점 트랙 층으로부터 취해지는 7 내지 15°의 범위 내에서 그러하다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층 용적 부분이 하기의 재료 중 하나로 구성되면 또한 유리할 수 있다:
- 텅스텐,
- 몰리브덴,
- 50 중량% 초과의 텅스텐을 함유한 텅스텐계 합금,
- 50 중량% 초과의 몰리브덴을 함유한 몰리브덴계 합금,
- 50 중량% 초과의 텅스텐을 함유한 텅스텐계 복합물,
- 50 중량% 초과의 몰리브덴을 함유한 몰리브덴계 복합물.
텅스텐계 또는 몰리브덴계 형태를 갖는 복합물은 특히 다른 금속과의 복합물을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 다른 금속은 예를 들어 가령 구리와 같은, 높은 열 전도율을 갖는 금속일 수 있다. 바꾸어 말하면, 기저 텅스텐 매트릭스 또는 기저 몰리브덴 매트릭스, 또는 기저 매트릭스로서의 상이한 유형의 내화 금속 내의 구멍이 다른 금속으로의 충전을 위해 사용된다. 바꾸어 말하면, 이 방식으로, 초점 트랙 층으로부터 냉각 채널로의 개선된 열 제거를 허용하는 전도성 채널이 생성될 수 있다. 그러나, 동시에, 내화 금속의 기저 매트릭스에는 초점 트랙 층 용적 부분과 초점 트랙 층 사이의 재료-접합 연결부의 보다 덜한 구부러짐 및 잔금 생김의 위험의 감소에 관하여 본 발명의 도입부에 이미 기술되었던 것과 같은 이점이 주어진다. 복합물의 경우에 구멍 크기는 바람직하게는 2와 100 ㎛ 사이에, 특히 2와 50 ㎛ 사이에 놓인다. 그러한 구멍 크기는 상응하게 통합된 금속을 통해 적절한 열의 제거가 가능하고, 동시에 용융점 및 열 팽창 계수에 관하여 필요한 열 저항이 달성되는 목적에 유용하다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층과 초점 트랙 층 용적 부분 사이의 재료-접합 연결을 생성하기 위해 많아야 하나의 중간층이 배치되면 또한 유리하다. 이러한 중간층은 재료-접합 방식으로 초점 트랙 층에 연결될 뿐만 아니라, 재료-접합 방식으로 초점 트랙 층 용적 부분에도 또한 연결된다. 재료-접합 방식으로 연결되는 중간층의 일례는 브레이징 금속이다. 이는 브레이징 방법에 의해 초점 트랙 층과의 재료 접합 및 초점 트랙 층 용적 부분과의 재료 접합을 확립할 수 있다.
많아야 하나의 중간층을 구비함으로써, 그러한 중간층에 의한 있을 수 있는 단열이 감소된다. 재료-접합 연결을 위한 이러한 중간층의 배치에도 불구하고, 전자 충격에 의해 생성된 열의 초점 트랙 층으로부터의 제거가 최대한 신속하고 효과적으로 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 양극의 복잡성이 감소되는데, 왜냐하면 단지 단일 중간층의 적용만이 필요하기 때문이다. 내화 금속이 적어도 초점 트랙 층 용적 부분을 위한 기저 매트릭스로서 사용되기 때문에, 회전 양극의 경우에 발생되는 고 비용과는 대조적으로, 다수의 중간층에 걸친 온도의 단계적 적응이 더 이상 필요 없다. 낮은 복잡도 외에도, 여기에서 용적, 중량 및 특히 제조시 소비되는 시간을 절약하는 것이 또한 가능하다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 냉각 채널의 벽의 적어도 일부분이 초점 트랙 층에 평행하게 또는 본질적으로 평행하게 정렬되면 마찬가지로 유리하다. 이는 적어도 일정 섹션에서, 냉각 채널의 벽의 일부분이 양극의 주 연장 방향을 따라 연장됨을 의미한다. 그 결과, 초점 트랙 층 부분으로부터 적어도 냉각 채널의 벽의 이러한 부분의 거리가 초점 트랙 층의 폭과 길이에 걸쳐 본질적으로 일정하게 유지된다. 이는 초점 트랙 층의 전체 코스에 걸쳐 초점 트랙 층으로부터 열의 본질적으로 일정한 제거가 가능해지는 것을 보장한다. 이는 초점 트랙 층이 초점 트랙 층의 전체 코스에 걸쳐 사용 중 일정한 그리고 본질적으로 연속적인 에이징(aging)을 허용하는 것을 보장하기 위해 개별 열점(hot spot)을 회피하는 목적에 유용하다.
이와 관련하여 냉각 채널이 상이한 실시 형태를 가질 수 있는 것이 지적되어야 한다. 특히, 그 자유 유동 단면에 관하여, 그것은 이 경우에 냉각 유체의 유체 유동의 필요성에 맞추어져야 한다. 냉각 채널에 대해 원형, 반원형 및 직사각형과 정사각형 또는 상이하게 형상화된 개구 단면이 고려될 수 있다. 냉각 채널 내부의 필요한 유동 조건 외에도, 바람직하게는 상응하게 사용되도록 의도되는 제조 방법이 또한 고려되어야 한다.
채널의 완전히 평행한 형태에 대한 대안으로서, 채널이 지속적으로 감소하는 거리를 두고 초점 트랙 층의 길이를 따라 연장되는 것도 또한 가능하다. 냉각 채널 내부의 냉각 유체가 냉각 채널의 코스에 걸쳐 열을 흡수하기 때문에, 초점 트랙 층에 대한 열의 차이가 냉각 채널의 코스에 걸쳐 감소할 것이다. 따라서, 그럼에도 불구하고 초점 트랙 층에 대한 본질적으로 일정한 냉각 또는 본질적으로 일정한 온도를 달성하기 위해, 냉각 채널과 초점 트랙 층 사이의 거리의 변화는 초점 트랙 층의 본질적으로 일정한 온도가 변화하는 세기의 열 제거에 의해 달성되도록 허용한다.
본 발명의 범위 내에서, 양극의 냉각 채널이 냉각 유체를 직접 운반하기 위해 형성되면 또한 유리하다. 냉각 유체는 이 경우에 바람직하게는 액체이다. 따라서, 채널은 상응하게 밀봉 방식으로, 특히 액밀(liquid-tight) 방식으로 형성되어, 추가의 밀봉이 더 이상 필요 없다. 특히, 내관 또는 내측 파이프가 이 방식으로 회피될 수 있다. 복잡성의 감소는 제조 및 재료 선택시 비용 이점을 동반한다. 또한, 그렇지 않을 경우 추가로 필요한 시일의 추가로 필요한 재료 사이의 있을 수 있는 층간 응력이 이 실시 형태의 경우에 회피된다. 따라서, 냉각 채널의 벽은 이미 양극체의 구성 부품 또는 초점 트랙 층 용적 부분의 구성 부품이다.
본 발명에 따른 양극의 경우에, 초점 트랙 층이 초점 트랙 층의 폭의 2배보다 긴 길이를 가지면 마찬가지로 유리하다. 특히, 여기에서 20 내지 1500 mm의 길이가 유리하다. 특히, 초점 트랙 층에 대해 1 미터 이상의 긴 길이가 유리한데, 왜냐하면 제조 복잡성에도 불구하고, 특히 큰 양극이 본 발명에 따라 제조될 수 있기 때문이다.
그 결과, 본 발명에 따르면, 단지 소수의 양극도 x-선 모니터링 또는 x-선 이미지의 생성에 가능한 특히 광범위한 영역을 형성할 수 있다. 3차원 이미지 형성 과정으로 360° x-선 이미지를 생성하도록 의도되는 컴퓨터 토모그래피 스캐너의 경우에, 예를 들어 각각 90°의 곡률을 갖는 본 발명에 따른 4개의 그러한 양극이 그러한 컴퓨터 토모그래피 스캐너의 주변 범위를 커버하면 충분하다. 이에 의해, 개별 양극 사이의 연결부 사이에서의 필요한 중첩이 최소화되어, 더욱 높은 해상도와 동시에 양극의 저-비용 제조가 달성가능하다. 본 발명에 따른 초점 트랙 층의 폭은 예를 들어 10 내지 20 mm이다. 초점 트랙 층의 길이에 관한 비율(factor)은 바람직하게는 초점 트랙 층의 폭의 2배보다 크고, 특히 폭의 5배보다 크며, 바람직하게는 폭의 10배보다 크다. 본 발명의 주된 이점은 특히 초점 트랙 층의 길이가 초점 트랙 층의 폭의 100배 또는 심지어 150배이면 달성된다.
본 발명은 또한 x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극을 제조하기 위한 방법으로서,
·양극체 내에 냉각 채널을 형성하는 단계,
·내화 금속의 적어도 하나의 기저 매트릭스를 갖는 재료로 구성되는 그리고 냉각 채널까지 연장되는 양극체의 초점 트랙 층 용적 부분의 측면 상에 초점 트랙 층을 배치하는 단계, 및
·적어도 초점 트랙 층을 초점 트랙 층 용적 부분에 재료-접합 방식으로 연결하는 단계
를 갖는 방법에 관한 것이다.
위의 방법은 특히 본 발명에 따른 양극을 생성하기 위해 사용된다. 재료-접합 연결 후에, 또는 이미 그 전에, 본 발명에 따른 냉각 채널을 형성할 때 곡률이 생성될 수 있어, 본 발명에 따른 방법으로 직선을 따라 또는 선형 만곡 경로를 따라 연장되는 선형 주 연장 방향을 갖는 양극을 달성하는 것이 또한 가능하다. 추가의 연결 부품이 예를 들어 재료-접합 방법에 의해 후속하여 또는 적어도 초점 트랙 층의 재료-접합 연결 중 동시에 구현될 수 있다. 그러한 연결 부품의 예는 냉각 유체를 위한 연결 부시 또는 양극체 내의 개구를 위한 연결 플러그이다. 본 발명에 따른 방법은 본 발명에 따른 양극을 생성하여, 본 발명에 따른 방법에 의해, 본 발명에 따른 양극에 관하여 상세히 설명되었던 것과 같은 이점을 달성하는 것이 또한 가능하다.
본 발명은 첨부 도면에 기초하여 더욱 상세히 설명된다. 사용되는 용어 "좌측", "우측", "위" 및 "아래"는 그것들이 통상적으로 읽혀질 수 있을 때 도면과 도면 부호의 정렬과 관련된다.
본 발명에 의하면, 알려진 양극의 전술된 단점이 적어도 부분적으로 제거된다. 특히, 본 발명에 의하면, 고도의 기계적 안정성을 갖고서 긴 초점 트랙도 달성할 수 있는 x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극과 그러한 양극을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 특히, 이것이 저-비용으로 그리고 쉬운 방식으로 달성된다.
도 1은 본 발명에 따른 제1 실시 형태를 개략적인 단면도로 도시한다.
도 2a는 본 발명에 따른 양극의 일 실시 형태를 개략적인 단면도로 도시한다.
도 2b는 본 발명에 따른 양극의 다른 실시 형태를 개략적인 단면도로 도시한다.
도 2c는 본 발명에 따른 양극의 다른 실시 형태를 개략적인 단면도로 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 양극의 다른 실시 형태를 개략적인 단면도로 도시한다.
도 4a는 제1 제조 단계 중 본 발명에 따른 양극을 도시한다.
도 4b는 제2 제조 단계 중 도 4a에 따른 본 발명에 따른 양극을 도시한다.
도 4c는 제3 제조 단계 중 도 4a에 따른 본 발명에 따른 양극을 도시한다.
도 4d는 제4 제조 단계 중 도 4a에 따른 본 발명에 따른 양극을 도시한다.
도 5a는 제1 제조 단계 중 본 발명에 따른 양극의 다른 실시 형태를 도시한다.
도 5b는 제2 제조 단계 중 도 5a에 따른 양극의 실시 형태를 도시한다.
도 5c는 제3 제조 단계 중 도 5a에 따른 양극의 실시 형태를 도시한다.
도 1에 본 발명에 따른 양극(10)의 제1 실시 형태가 개략적인 단면도로 도시된다. 여기에서, 이 실시 형태가 2개의 부품(20a, 20b)을 갖춘 양극체(20)에 관한 것임을 명확하게 볼 수 있다. 양극체(20)의 제1 부품(20a)은 이 경우에 초점 트랙 층 용적 부분(22)을 구비한다. 이러한 초점 트랙 층 용적 부분(22)에 초점 트랙 층(30)이 재료-접합 방식으로 연결된다. 초점 트랙 층(30)과 초점 트랙 층 용적 부분(22) 사이에, 단일 중간층(50)이 제공된다. 이러한 단일 중간층(50)은 브레이징된 층으로서 구성되고, 초점 트랙 층(30) 및 초점 트랙 층 용적 부분(22) 둘 모두에 재료-접합 방식으로 연결된다.
또한 도 1에서 중간층(50) 및 초점 트랙 층(30) 둘 모두가 양극체(30), 특히 양극체(20)의 제1 부품(20a) 내에 매입되는 것을 볼 수 있다. 초점 트랙 층(30)이 매우 높은 전압 하에 있기 때문에, 이러한 매입된 배열은 초점 트랙 층(30)의 에지에서의 전압 섬락(voltage flashover), 즉 아크를 방지한다.
도 1의 실시 형태의 경우에, 냉각 채널(40)이 양극체(20)의 두 부품(20a, 20b) 사이에 형성된다. 그러한 형태는 추후에 도 2a, 도 2b 및 도 2c를 참조하여 더욱 상세히 설명된다. 또한, 냉각 채널(40)은 외부 냉각제 공급원에 연결하기 위한 연결부(60)를 구비한다. 이러한 연결부(60)는 예를 들어 재료-접합 연결 방법에 의해 양극체(20)의 부품(20a, 20b) 중 적어도 하나 또는 둘 모두에 연결되는 삽입된 부시이다. 이러한 재료-접합 연결은 특히 마찬가지로 브레이징 방법에 의해 달성된다. 다른 기하학적 구조에서, 연결부(60)가 또한 다른 방향으로 돌출될 수 있으며, 예를 들어 아래로부터 냉각 채널(40) 내로 이어질 수 있음은 당연하다. 여기에서 특히 응용-특정 정렬이 수행되어, 연결부(60)가 본 발명에 따른 양극(10)의 작동 중 공간 요건에 관하여 맞추어진다.
도 2a 내지 도 2c는 냉각 채널(40)을 형성하기 위해 양극체(20)가 조립될 수 있는 방법의 3가지 상이한 변형예를 도시한다. 이들 변형예 모두의 공통적인 특징은 도 1의 실시 형태의 경우에서와 같이, 초점 트랙 층(30)이 단일 중간층(50)에 의해 재료-접합 방식으로 초점 트랙 층 용적 부분(22)에 연결되는 것이다. 이들 모든 3가지 변형예의 경우에, 양극체(20)는 각각 제1 부품(20a) 및 제2 부품(20b)으로부터 다부품 방식, 특히 2부품 방식으로 형성된다.
도 2a의 경우에, 냉각 채널은 양극체(20)의 양 부품(20a, 20b)에 의해 형성된다. 이 실시 형태의 경우에, 냉각 채널(40)은 원형 유동 단면을 가져, 각각의 경우에 양극체(20)의 각각의 부품(20a, 20b) 내에 반원형 자유 단면이 형성된다. 이 실시 형태의 경우에, 제1 부품(20a)은 바람직하게는 완전히 초점 트랙 층 용적 부분의 재료, 즉 특히 텅스텐계 또는 몰리브덴계 합금으로부터 제조된다. 냉각 채널 아래를 경계짓는 양극체(20)의 제2 부품(20b)은 또한 저-비용 재료, 예를 들어 고급 강재 또는 구리로부터 제조될 수 있다.
또한 도 2b에 양극체(20)의 2-부품 실시 형태가 도시된다. 그러나, 여기에서, 냉각 채널(40)은 양극체(20)의 하부 부품(20b) 내에만 형성된다. 이는 냉각 채널(40)의 기계 가공 또는 다른 형성이 단지 양극체(20)의 두 부품(20a, 20b) 중 하나에 수행되기만 하면 되는 이점을 갖는다. 이는 본 발명에 따른 그러한 양극(10)에 대한 제조 깊이를 감소시킨다. 냉각 채널(40)을 덮기 위해, 제1 부품(20a)이 제2 부품(20b) 상에 배치된다. 또한 도 2a의 실시 형태의 경우에서와 같이, 양극체(20)의 두 부품(20a, 20b)이 예를 들어 브레이징 방법에 의해 재료-접합 방식으로 서로 연결된다. 이 방식으로, 냉각 채널(40)이 본질적으로 완전히 진공-밀봉 형태로 구성되어, 그것이 특히 냉각 유체의 수송을 위해 직접, 즉 벽으로서의 추가의 관의 추가 도입 없이 사용될 수 있다.
도 2c는 냉각 채널(40)이 반원형 단면을 갖는, 본 발명에 따른 양극체(10)의 일 실시 형태를 도시한다. 이 실시 형태의 경우에, 초점 트랙 층 용적 부분(22)은 양극체(20)의 제1 부품(20a)과 본질적으로 동일하다. 여기에서도, 두 부품(20a, 20b)은 재료-접합 방식으로 서로 연결되어, 냉각 채널(40)의 진공-밀봉 종단이 달성된다. 이 실시 형태의 경우에, 내화 금속이 용적에 따른 크기에 관하여 적어도 초점 트랙 층 용적 부분(22)을 위한 기저 매트릭스로서 최소로 감소된다. 이는 따라서 또한 양극(10)을 위한 상응하게 필요한 비용을 전체적으로 감소시키는데, 왜냐하면 예를 들어 보다 저-비용의 재료가 제2 부품(20b)에 사용될 수 있기 때문이다.
도 3에 본 발명에 따른 양극(10)의 다른 실시 형태가 도시된다. 이 실시 형태는 냉각 채널(40)이 더욱 좁게 형성될 뿐만 아니라 초점 트랙 층(30)에 대해 그것이 이러한 초점 트랙 층(30)에 더욱 근접해지도록 형성된다는 점에서 도 1과 상이하다. 따라서, 연결부(60)를 통해 냉각 채널(40)로 들어가는 냉각 유체가 그것이 냉각 채널(40)의 코스를 통과할 때 냉각될 초점 트랙 층(30)으로부터의 거리를 최소화시킬 것이다. 따라서, 처음에는 보다 약한 열의 제거가 일어날 것이고, 냉각 채널(40)의 단부에서는 개선된 열의 제거가 일어날 것이다. 냉각 유체가 냉각 채널(40)의 코스에 걸쳐 가열되기 때문에, 이러한 형태에 의해 초점 트랙 층(30)의 일정한 또는 본질적으로 일정한 온도가 달성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4d와 도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 양극의 제조의 2가지 변형예를 묘사한다. 양쪽 경우에, 각각의 초점 트랙 층(30)과 중간층(50)이 양극체(20)의 측면에 적용되었다. 보다 나은 전체적인 명확함을 위해, 여기에서는 중간층(50) 및 초점 트랙 층(30) 둘 모두가 요홈 내에 있는 것이 도시되지 않으며, 실제 제품의 경우에, 초점 트랙 층(30) 및 중간층(50)의 에지는 원하지 않는 아크를 회피하기 위해 보이지 않는다.
도 4a 내지 도 4d는 본질적으로 단일체 실시 형태를 갖는 양극체(20)의 제조의 변형예를 도시한다. 양극체(20)는 본질적으로 바 형태의 하나의 내화 금속으로부터 제조된다. 제1 단계에서, 해당 측면이 기계 가공되고, 또한 적어도 부분적으로 초점 트랙 층 용적 부분(22)을 형성하는 일 측면이 밀링에 의해 예각으로 조절된다. 다음 단계에서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 예를 들어 드릴링 방법의 사용 형태의 기계 가공에 의해 냉각 채널(40)이 생성된다. 이어서, 브레이징 금속 형태의 중간층(50)과 초점 트랙 층(30)이 초점 트랙 층 용적 부분(22) 상에 배치될 수 있어, 재료-접합 연결이 재료-접합 연결 방법, 예를 들어 브레이징 방법에 의해 본 발명에 따른 방식으로 확립된다. 작동 상황에 따라, 이어서 만곡부가 추가로 생성될 수 있다. 결과적으로, 초점 트랙 층(30) 및 중간층(50)의 만곡된 실시 형태의 결과로서 양극체(20)의 만곡된 측면을 볼 수 있다. 그 결과, 예를 들어 컴퓨터 토모그래피 스캐너(computed tomography scanner) 또는 수하물 스캐닝 관(baggage scanning tube)의 경우에서와 같은, x-선 장치의 전체 원주 방향 이미지의 형성도 본 발명에 따른 양극(10)에 의해 가능해질 수 있다.
도 5a 내지 도 5c는 양극체(20)의 다부품 실시 형태가 양극(10)의 제조에 사용되는 변형예를 도시한다. 여기에서, 양극체(20)의 각각의 부품(20a, 20b)이 별도로 사전제조될 수 있어, 냉각 채널(40)이 예를 들어 기계 가공 작업으로서의 밀링에 의해 양극체(20)의 개별 부품(20a, 20b) 내에 형성될 수 있다. 이어서, 개별 부품이 조립되어, 양극체(20)가 부품(20a, 20b)의 재료-접합 연결에 의해 제조된다. 이 변형예의 경우에, 또한 내관을 냉각 채널(40) 내로 특히 쉽게 도입할 수 있는데, 왜냐하면 두 부품(20a, 20b)이 서로 연결되기 전에 그것이 삽입되기만 하면 되기 때문이다. 도 5c는 도 4c와 유사한 방식으로, 초점 트랙 층(30)과 중간층(50)이 배치되고 재료-접합 연결을 위해 형성되는 최종 단계를 도시한다.
개별 실시 형태의 전술한 설명은 단지 실시예의 범위 내에서 본 발명을 설명할 뿐이다. 그것이 기술적으로 의미 있는 한, 개별 실시 형태의 특징들이 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고서 서로 자유로이 조합될 수 있음은 당연하다.
10: 양극 20: 양극체
20a: 양극체의 제1 부품 20b: 양극체의 제2 부품
22: 초점 트랙 층 용적 부분 30: 초점 트랙 층
40: 냉각 채널 50: 중간층
60: 연결부

Claims (15)

  1. x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극(10)으로서, 양극체(20)와 양극체(20)의 초점 트랙 층 용적 부분(22) 상에서 재료-접합 방식으로 양극체(20)에 연결되는 초점 트랙 층(30)을 구비하는 양극(10)에 있어서,
    양극체(20) 및 초점 트랙 층(30)의 냉각을 위한 적어도 하나의 냉각 채널(40)이 양극체(20)의 내부에 배치되고, 적어도 초점 트랙 층 용적 부분(22)은 내화 금속의 적어도 하나의 기저 매트릭스를 갖는 재료로 구성되며, 초점 트랙 층 용적 부분(22)은 냉각 채널(40)까지 연장되며,
    초점 트랙 층(30)은 초점 트랙 층(30)의 폭의 5배보다 긴 길이를 갖고,
    초점 트랙 층 용적 부분(22)은,
    ·텅스텐,
    ·몰리브덴,
    ·50 중량% 초과의 텅스텐을 갖는 텅스텐계 합금,
    ·50 중량% 초과의 몰리브덴을 갖는 몰리브덴계 합금,
    ·50 중량% 초과의 텅스텐을 갖는 텅스텐계 복합물,
    ·50 중량% 초과의 몰리브덴을 갖는 몰리브덴계 복합물
    중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  2. 제1항에 있어서,
    양극체(20)는 단일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    초점 트랙 층(30)과 초점 트랙 층 용적 부분(22)은 동일한 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    양극체(20)는 본질적으로 단일 재료, 즉 초점 트랙 층 용적 부분(22)의 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    초점 트랙 층(30)과 양극체(20)는 단일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    양극체(20)는 적어도 2개의 부품으로서 구성되고, 개별 부품(20a, 20b)은 초점 트랙 층(30)의 주 연장 방향을 따라 연장되고 재료-접합 방식으로 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  7. 제6항에 있어서,
    냉각 채널(40)은 양극체(20)의 적어도 2개의 부품(20a, 20b)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    냉각 채널(40)은 진공-밀봉 방식으로 양극체(20) 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    양극체(20)는 적어도 초점 트랙 층 용적 부분(22)의 영역에서 예각으로 조절되는 측면을 구비하며, 상기 측면 상에 초점 트랙 층(30)이 적어도 부분적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    초점 트랙 층(30)과 초점 트랙 층 용적 부분(22) 사이의 재료-접합 연결을 생성하기 위해 최대 하나의 중간층(50)이 배치되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    냉각 채널(40)의 벽의 적어도 일부분이 초점 트랙 층(30)에 평행하게 또는 본질적으로 평행하게 정렬되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    냉각 채널(40)은 냉각 유체를 직접 운반하기 위해 형성되는 것을 특징으로 하는 양극(10).
  13. x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극(10)을 제조하기 위한 방법으로서, 상기 방법은
    ·양극체(20) 내에 냉각 채널(40)을 형성하는 단계,
    ·내화 금속의 적어도 하나의 기저 매트릭스를 갖는 재료로 구성되는 그리고 냉각 채널(40)까지 연장되는 양극체(20)의 초점 트랙 층 용적 부분(22)의 측면 상에 초점 트랙 층(30)을 배치하는 단계, 및
    ·적어도 초점 트랙 층(30)을 초점 트랙 층 용적 부분(22)에 재료-접합 방식으로 연결하는 단계
    를 갖고,
    초점 트랙 층(30)은 초점 트랙 층(30)의 폭의 5배보다 긴 길이를 갖고,
    초점 트랙 층 용적 부분(22)은,
    ·텅스텐,
    ·몰리브덴,
    ·50 중량% 초과의 텅스텐을 갖는 텅스텐계 합금,
    ·50 중량% 초과의 몰리브덴을 갖는 몰리브덴계 합금,
    ·50 중량% 초과의 텅스텐을 갖는 텅스텐계 복합물,
    ·50 중량% 초과의 몰리브덴을 갖는 몰리브덴계 복합물
    중 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 x-선 장치를 위한 선형 주 연장 방향을 갖는 양극(10)을 제조하기 위한 방법.
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