KR101905671B1 - A cleaning device for silicone wafer with excellent inhibiting breakage, and cleaning method using the same - Google Patents

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Abstract

파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 세척 장치는 실리콘 잉곳을 절단하여 복수개의 실리콘 웨이퍼를 생성하는 와이어; 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼가 접착제에 의해 부착된 빔; 상기 빔에 위치하여, 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하는 복수개의 노즐을 포함하는 노즐부; 및 상기 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기;를 포함하고, 상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하며, 상기 공급되는 세척액에 의해, 복수개의 실리콘 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되고, 복수개의 실리콘 웨이퍼가 세척되는 것을 특징으로 한다.A silicon wafer cleaning apparatus and cleaning method excellent in a breakage prevention effect are disclosed.
A silicon wafer cleaning apparatus according to the present invention comprises a wire cutting a silicon ingot to produce a plurality of silicon wafers; A beam attached to the plurality of silicon wafers by an adhesive; A nozzle unit located in the beam and including a plurality of nozzles for supplying a cleaning liquid to the surface of the plurality of silicon wafers; And a plurality of nozzles located in a horizontal direction of the wafer, the plurality of nozzles being located in a space between the plurality of silicon wafers, wherein a plurality of A silicon wafer is separated from the adhesive, and a plurality of silicon wafers are cleaned.

Description

파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법{A CLEANING DEVICE FOR SILICONE WAFER WITH EXCELLENT INHIBITING BREAKAGE, AND CLEANING METHOD USING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a silicon wafer cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning a silicon wafer,

본 발명은 실리콘 웨이퍼 세척 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a silicon wafer cleaning technique, and more particularly, to a silicon wafer cleaning device and a cleaning method which are excellent in a breakage prevention effect.

도 1은 종래, 절단 공정 이후에 생성된 실리콘 웨이퍼 및 와이어의 상태를 나타낸 것이다. 도 2는 종래, 절단 공정 이후에 생성된 실리콘 웨이퍼 표면에 잔존하는 슬러리(a)와 세척 공정 이후에 실리콘 웨이퍼 표면에 잔존하는 오염물(b)을 나타낸 것이다. 도 1 및 도 2에서 도시한 바와 같이, 와이어를 이용하여 실리콘 잉곳을 절단한 후 생성된 실리콘 웨이퍼들 사이에는 고점도의 슬러리가 잔존하므로, 웨이퍼 간의 분리가 어려울 수 있다.FIG. 1 shows the state of a silicon wafer and a wire produced after the cutting process. 2 shows the conventional slurry (a) remaining on the surface of the silicon wafer produced after the cutting process and the contamination (b) remaining on the surface of the silicon wafer after the cleaning process. As shown in FIG. 1 and FIG. 2, since the slurry having a high viscosity remains between the silicon wafers produced after cutting the silicon ingot by using the wire, separation between the wafers may be difficult.

또한, 절단 공정 이후에 빔과 웨이퍼는 접착제에 의해 접착되어 있는데, 도 3에서와 같이, 웨이퍼의 두께가 120㎛ 이하인 경우 접착면적이 감소되면서 접착력 감소로 인해 웨이퍼가 바닥면으로 추락하는 문제가 빈번히 발생한다.In addition, as shown in FIG. 3, when the thickness of the wafer is 120 탆 or less, the bonding area decreases and the problem of the wafer falling to the bottom surface due to the decrease in adhesion is frequently encountered Occurs.

이러한 문제는 단순히 추락한 웨이퍼만 파손되는 것이 아니라, 진동이나 휨과 같은 외력에 의해 인접한 복수개의 웨이퍼들도 파손된다. 이를 해결하기 위해, 접착력이 높은 접착제를 이용하여 빔과 웨이퍼의 부착력을 높일 수 있으나, 절단 공정 이후 분리 공정에서 100℃ 이상으로 가열된 세척조에 의해 접착제와 복수개의 웨이퍼를 분리해야 하므로 이는 합리적이지 못하다.This problem is not solely caused by the failure of the wafer, but by the external force such as vibration or warpage, adjacent wafers are also damaged. In order to solve this problem, it is possible to increase the adhesive force between the beam and the wafer by using an adhesive having a high adhesive strength, but it is not reasonable because the adhesive and the plurality of wafers must be separated by a washing tank heated to 100 ° C or more in the separation process after the cutting process .

이와 관련된 배경기술로는 대한민국 공개특허공보 제 10-2004-0057672호(2004.07.02. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 슬라이스 실리콘웨이퍼의 세정 및 분리 방법이 개시되어 있다. 이 문헌에는 빔에 접착된 실리콘웨이퍼들을 세정액에 침수시킨 후 90℃의 분리액에 방치하여 빔으로부터 실리콘웨이퍼들을 분리하는 단계가 기재되어 있다.A related art is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2004-0057672 (published on Jul. 2, 2004), which discloses a cleaning and separation method of sliced silicon wafers. This document describes the steps of immersing silicon wafers adhered to a beam in a cleaning liquid and then placing the wafers in a 90 DEG C separating liquid to separate silicon wafers from the beam.

이러한 세정 및 분리 방법은 분리액에 의해 실리콘웨이퍼의 분리가 용이할 수 있다. 그러나, 절단 공정에서 바닥면으로 추락하는 실리콘웨이퍼는 표면이 오염되고 파손될 수 있으며, 절단 공정 이후에 별도로 마련된 세척조로 실리콘웨이퍼를 이동시킨 후 가열된 세척조에서 실리콘웨이퍼를 분리시키는 점에서 공정시간이 길어지는 문제점이 있다.Such a cleaning and separation method can easily separate the silicon wafer by the separation liquid. However, since the silicon wafer falling down to the bottom surface in the cutting process may be contaminated and damaged, the silicon wafer may be separated from the heated cleaning tank after the silicon wafer is moved by a separate cleaning tank after the cutting process. .

특히, 150㎛이하의 두께를 갖는 박형 웨이퍼는 절단 공정과 분리 공정에서 추락으로 인한 웨이퍼의 파손율이 25% 이상으로, 평균 180㎛ 두께를 갖는 웨이퍼의 파손율 20% 보다 높다.Particularly, a thin wafer having a thickness of 150 μm or less has a breakage rate of 25% or more due to a fall in the cutting process and a separation process, and is higher than a breakage rate of 20% of a wafer having an average thickness of 180 μm.

따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위해, 절단 공정 및 분리 공정이 간소하고 실리콘 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있는 기술이 필요하다.
Therefore, in order to solve such a problem, there is a need for a technique that can simplify the cutting process and the separation process and can prevent the breakage of the silicon wafer.

본 발명의 목적은 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a silicon wafer cleaning apparatus having an excellent breakage preventing effect.

본 발명의 다른 목적은 상기 세척 장치를 이용한 실리콘 웨이퍼 세척 방법을 제공하는 것이다.
It is another object of the present invention to provide a method of cleaning a silicon wafer using the cleaning apparatus.

상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 세척 장치는 실리콘 잉곳을 절단하여 복수개의 실리콘 웨이퍼를 생성하는 와이어; 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼가 접착제에 의해 부착된 빔; 상기 빔에 위치하여, 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하는 복수개의 노즐을 포함하는 노즐부; 및 상기 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기;를 포함하고, 상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하며, 상기 공급되는 세척액에 의해, 복수개의 실리콘 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되고, 복수개의 실리콘 웨이퍼가 세척되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a silicon wafer cleaning apparatus comprising: a wire cutting a silicon ingot to produce a plurality of silicon wafers; A beam attached to the plurality of silicon wafers by an adhesive; A nozzle unit located in the beam and including a plurality of nozzles for supplying a cleaning liquid to the surface of the plurality of silicon wafers; And a plurality of nozzles located in a horizontal direction of the wafer, the plurality of nozzles being located in a space between the plurality of silicon wafers, wherein a plurality of A silicon wafer is separated from the adhesive, and a plurality of silicon wafers are cleaned.

상기 충격방지용 안착용기의 바닥면은 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼의 하부 끝단으로부터 50mm 이내에 위치하는 것일 수 있다.The bottom surface of the seat container for preventing shock may be located within 50 mm from the lower end of the plurality of silicon wafers.

상기 충격방지용 안착용기의 측면과 안착용기의 바닥면 사이의 각도는 100~150˚일 수 있다.The angle between the side of the anti-shock seat and the bottom of the seat may be 100-150 degrees.

상기 세척액의 온도는 80℃ 이상이고, 상기 세척액은 에틸렌글리콜계 절삭유 및 계면활성제 중 1종 이상을 포함할 수 있다.The temperature of the cleaning solution may be 80 DEG C or higher, and the cleaning solution may include at least one of ethylene glycol-based cutting oil and surfactant.

상기 노즐의 홀 지름은 5~100㎛일 수 있다.
The hole diameter of the nozzle may be 5 to 100 mu m.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 세척 방법은 (a) 접착제에 의해 빔에 부착된 실리콘 잉곳을 와이어로 절단하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계에서 생성된 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에, 빔에 위치한 노즐부에 포함된 복수개의 노즐에서 분사되는 세척액을 공급하는 단계;를 포함하고, 상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하여 복수개의 실리콘 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되도록 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하고, 상기 세척액에 의해 복수개의 실리콘 웨이퍼가 세척되며, 상기 분리된 복수개의 실리콘 웨이퍼가 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기에 안착되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a silicon wafer comprising: (a) cutting a silicon ingot attached to a beam by an adhesive into wires; And (b) supplying a cleaning liquid to be sprayed from a plurality of nozzles included in a nozzle portion located in the beam, onto the surface of the plurality of silicon wafers generated in the step (a) Wherein a plurality of silicon wafers are cleaned by the cleaning liquid while the cleaning liquid is supplied to the wafer surface such that a plurality of silicon wafers are separated from the adhesive by being positioned in a horizontal direction of the plurality of silicon wafers, And a plurality of silicon wafers are seated on the bottom of the wafer.

상기 세척액은 제1평균속도, 제2평균속도 및 제3평균속도로 실리콘 웨이퍼 표면에 공급되며, 상기 제1평균속도는 5L/min 이하이고, 제2평균속도는 5~10L/min이고, 제3평균속도는 10~20L/min일 수 있다.The cleaning liquid is supplied to the surface of the silicon wafer at a first average speed, a second average speed and a third average speed, the first average speed is 5 L / min or less, the second average speed is 5 to 10 L / min, 3 The average speed may be 10 to 20 L / min.

상기 충격방지용 안착용기의 바닥면은 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼의 하부 끝단으로부터 50mm 이내에 위치하는 것일 수 있다.The bottom surface of the seat container for preventing shock may be located within 50 mm from the lower end of the plurality of silicon wafers.

상기 충격방지용 안착용기의 측면과 안착용기의 바닥면 사이의 각도는 100~150˚일 수 있다.The angle between the side of the anti-shock seat and the bottom of the seat may be 100-150 degrees.

상기 세척액의 온도는 80℃ 이상이고, 상기 세척액은 에틸렌글리콜계 절삭유 및 계면활성제 중 1종 이상을 포함할 수 있다.The temperature of the cleaning solution may be 80 DEG C or higher, and the cleaning solution may include at least one of ethylene glycol-based cutting oil and surfactant.

상기 노즐의 홀 지름은 5~100㎛일 수 있다.
The hole diameter of the nozzle may be 5 to 100 mu m.

본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 세척 장치는 복수개의 실리콘 웨이퍼 하부에 충격방지용 안착용기를 구비함에 따라, 절단 공정에서 생성된 실리콘 웨이퍼가 바닥면으로 추락할 때 추락으로 인한 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 실리콘 웨이퍼 세척 장치에 구비된 노즐에서 분사되는 세척액이 웨이퍼 표면에 공급됨에 따라, 잔존하는 슬러리의 점도를 감소시킴으로써, 복수개의 실리콘 웨이퍼를 접착제로부터 분리할 수 있다. The silicon wafer cleaning apparatus according to the present invention includes a plurality of silicon wafers and is provided with an anti-shock mount container, thereby preventing the wafer from being damaged due to a fall when the silicon wafer produced in the cutting process falls to the bottom surface. Further, as the cleaning liquid injected from the nozzle provided in the silicon wafer cleaning apparatus is supplied to the surface of the wafer, a plurality of silicon wafers can be separated from the adhesive by reducing the viscosity of the remaining slurry.

본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼 세척 방법은 복수개의 실리콘 웨이퍼가 빔에 형성된 접착제로부터 분리되도록 웨이퍼 표면에 세척액을 공급함으로써, 웨이퍼와 접착제의 분리를 원활하게 하고 웨이퍼 간에 존재하는 슬러리를 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 분리된 복수개의 실리콘 웨이퍼가 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기에 안착되도록 함으로써, 추락으로 인한 실리콘 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.The method of cleaning a silicon wafer according to the present invention can smooth the separation of the wafer and the adhesive and reduce the slurry present between the wafers by supplying the cleaning liquid to the wafer surface such that a plurality of silicon wafers are separated from the adhesive formed in the beam. In addition, since the separated plurality of silicon wafers are seated on the bottom of the wafer, the damage of the silicon wafers due to the fall can be prevented.

본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치와 세척 방법을 통해, 절단 공정과 분리 공정을 하나의 장치 내에서 수행할 수 있어 웨이퍼의 파손을 방지하고 공정을 간소화할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라, 평균 180㎛ 두께의 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라 150㎛ 이하의 두께의 실리콘 웨이퍼 제조 시, 생산성을 향상시킬 수 있다.
The silicon wafer cleaning apparatus and the cleaning method of the present invention can perform the cutting process and the separation process in one device, thereby preventing the wafer from being damaged and simplifying the process. As a result, productivity can be improved when a silicon wafer having an average thickness of 180 탆 as well as a silicon wafer having a thickness of 150 탆 or less is manufactured.

도 1은 종래, 절단 공정 이후에 생성된 실리콘 웨이퍼 및 와이어의 상태를 나타낸 것이다.
도 2는 종래, 절단 공정 이후에 생성된 실리콘 웨이퍼 표면에 잔존하는 슬러리(a)와 세척 공정 이후에 실리콘 웨이퍼 표면에 잔존하는 오염물(b)을 나타낸 것이다.
도 3은 종래, 절단 공정 이후에 생성된 실리콘 웨이퍼가 바닥면으로 추락하는 것을 나타낸 사진이다.
도 4의 (a)는 직선 형태의 측면을 포함하는 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치를 나타낸 단면도이고, (b)는 곡선 형태의 측면을 포함하는 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치를 나타낸 단면도이다.
도 5는 100×100mm2 크기의 소형 웨이퍼를 이용한 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치의 충격방지용 안착용기(a)와 노즐부(b)를 나타낸 사진이다.
도 6은 156×156mm2 크기의 상용화된 웨이퍼를 이용한 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치를 나타낸 사진이다.
도 7의 (a), (b)는 156×156mm2 크기의 상용화된 웨이퍼가 충격방지용 안착용기에 안착된 것을 보여주는 사진이다.
도 8은 본 발명의 충격방지용 안착용기를 보여주는 사진이다.
도 9는 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 방법을 나타낸 순서도이다.
FIG. 1 shows the state of a silicon wafer and a wire produced after the cutting process.
2 shows the conventional slurry (a) remaining on the surface of the silicon wafer produced after the cutting process and the contamination (b) remaining on the surface of the silicon wafer after the cleaning process.
3 is a photograph showing that the silicon wafer produced after the cutting process falls to the bottom surface.
FIG. 4 (a) is a cross-sectional view showing a silicon wafer cleaning apparatus of the present invention including a linear side surface, and FIG. 4 (b) is a sectional view showing the silicon wafer cleaning apparatus of the present invention including a curved side surface.
Fig. 5 is a photograph showing a nozzle (a) and a nozzle (b) for preventing the silicon wafer cleaning apparatus of the present invention using a small wafer having a size of 100 x 100 mm 2 .
6 is a photograph showing the silicon wafer cleaning apparatus of the present invention using a commercially available wafer of 156 x 156 mm 2 size.
Figs. 7 (a) and 7 (b) are photographs showing that commercialized wafers having a size of 156 x 156 mm 2 are seated on a mounting container for preventing shock.
Fig. 8 is a photograph showing a seat container for preventing shock according to the present invention. Fig.
9 is a flowchart showing a silicon wafer cleaning method of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파손 방지 효과가 우수한 실리콘 웨이퍼 세척 장치 및 세척 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a silicon wafer cleaning apparatus and a cleaning method according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the silicon wafer cleaning apparatus of the present invention.

본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치는 와이어(10), 빔(20), 노즐부(30) 및 상기 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기(40)를 포함한다.
The silicon wafer cleaning apparatus of the present invention includes a wire 10, a beam 20, a nozzle unit 30, and a seat 40 for preventing shocks located under the wafer.

와이어(10)The wire (10)

와이어(10)(미도시)는 실리콘 잉곳의 상하방향으로 이송되어 잉곳을 절단하며, 복수개의 실리콘 웨이퍼를 생성한다. 상기 와이어(10)는 빔(20)의 위치까지 이송된다.
The wire 10 (not shown) is transferred in the vertical direction of the silicon ingot, cutting the ingot, and producing a plurality of silicon wafers. The wire 10 is transported to the position of the beam 20.

빔(20)The beam (20)

빔(20)에는 접착제가 도포되어 있어 복수개의 실리콘 웨이퍼이 부착되는데, 상기 접착제는 실리콘 웨이퍼 표면으로 공급되는 세척액에 의해 접착력이 감소되면서 제거될 수 있다. 상기 접착제는 에폭시계 접착제 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
The beam 20 is coated with an adhesive to attach a plurality of silicon wafers, which can be removed while reducing the adhesive force by a cleaning liquid supplied to the silicon wafer surface. The adhesive may be an epoxy adhesive, but is not limited thereto.

노즐부(30)In the nozzle unit 30,

상기 노즐부(30)는 상기 빔(20)에 위치하여, 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하는 복수개의 노즐을 포함한다. 노즐부(30)는 빔(20) 측면, 즉, 복수개의 실리콘 웨이퍼의 가장자리 부근에 위치하여 접착제와 웨이퍼가 맞닿는 부분에 세척액을 공급할 수 있다. 노즐부(30)의 위치는 접착제와 웨이퍼에 세척액을 공급할 수 있는 위치라면 빔의 어느 위치든 제한되지 않는다. The nozzle unit 30 includes a plurality of nozzles located in the beam 20 and supplying the cleaning liquid to the surface of the plurality of silicon wafers. The nozzle unit 30 can be located on the side of the beam 20, that is, near the edges of the plurality of silicon wafers, and can supply the cleaning liquid to a portion where the adhesive abuts against the wafer. The position of the nozzle unit 30 is not limited to any position of the beam as long as it is capable of supplying the cleaning liquid to the adhesive and the wafer.

노즐부(30)가 웨이퍼 하부에 위치하여 접착제와 웨이퍼가 맞닿는 부분에 세척액을 공급하는 경우, 복수개의 노즐에서 분사되는 세척액의 수압이 높아져 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있으며, 세척액의 공급량도 많아지면서 오염수의 양이 증가하게 된다. 따라서, 노즐부(30)는 빔(20)에 위치하는 것이 바람직하다.When the nozzle unit 30 is positioned below the wafer and the cleaning liquid is supplied to a portion where the adhesive contacts the wafer, the water pressure of the cleaning liquid sprayed from the plurality of nozzles may increase, resulting in damage to the wafer. The amount of water increases. Therefore, it is preferable that the nozzle unit 30 is located in the beam 20.

상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하는 것이 바람직하다. 이는 복수개의 노즐로부터 분사되는 세척액에 의해, 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에 세척액이 공급됨에 따라, 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되는 효과가 있다. 만일, 복수개의 노즐이 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하지 않는 경우, 세척액에 의해 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있으며, 웨이퍼의 세척 효율이 저하될 수 있다.Preferably, the plurality of nozzles are located in a horizontal direction of the wafer, and are located at intervals between a plurality of silicon wafers. This is effective in that, as the cleaning liquid is supplied to the surface of the plurality of silicon wafers by the cleaning liquid jetted from the plurality of nozzles, the wafer is separated from the adhesive. If the plurality of nozzles are not located in the space between the silicon wafers, the wafers may be damaged by the cleaning liquid and the cleaning efficiency of the wafers may be deteriorated.

또한, 접착제로부터 복수개의 실리콘 웨이퍼를 분리하고, 웨이퍼의 효율적인 세척을 위해서, 노즐의 홀 지름이 5~100㎛인 것이 바람직하다.Further, in order to separate a plurality of silicon wafers from the adhesive and clean the wafer efficiently, it is preferable that the hole diameter of the nozzle is 5 to 100 mu m.

홀의 지름이 5㎛ 미만일 경우, 세척액이 노즐의 홀에서 분사되기 어려워 실리콘 웨이퍼의 세척 효율이 감소할 수 있다. 반대로, 홀의 지름이 100㎛를 초과할 경우, 노즐에서 분사되는 세척액의 유량이 많아져 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있다.When the diameter of the hole is less than 5 mu m, the cleaning liquid is difficult to be injected from the holes of the nozzle, so that the cleaning efficiency of the silicon wafer may be reduced. Conversely, when the diameter of the hole exceeds 100 mu m, the flow rate of the cleaning liquid injected from the nozzle increases, and the wafer may be damaged.

전술한 바와 같이, 상기 세척액은 노즐에서 분사되어 하나의 웨이퍼와 다른 하나의 웨이퍼 사이의 틈에 침투되어, 접착제로부터 복수개의 실리콘 웨이퍼를 분리할 수 있으며, 아울러, 웨이퍼 표면의 잔존하는 미립자 및 오염물을 제거할 수 있다. 본 발명에서는 화학적인 용해를 통해, 접착제로부터 복수개의 실리콘 웨이퍼를 분리하는 것이 아닌, 가열된 세척액 또는 세척액을 포함하는 수증기를 노즐을 통해 공급함으로써, 웨이퍼를 분리하는 것이다. 즉, 가열된 세척액 또는 세척액을 포함하는 수증기가 웨이퍼 사이로 침투하여 잔존하는 슬러리의 점도를 감소시킴으로써, 세척 효과를 증진시키고, 오염물을 외부로 배출시킨다.As described above, the cleaning liquid is injected from the nozzles to penetrate into a gap between one wafer and another wafer, thereby separating a plurality of silicon wafers from the adhesive. In addition, the remaining fine particles and contaminants on the wafer surface Can be removed. According to the present invention, the silicon wafer is separated from the silicon wafer by chemical dissolution, not by separating a plurality of silicon wafers from the adhesive, but by supplying water vapor containing a heated cleaning liquid or cleaning liquid through a nozzle. That is, water vapor containing a heated cleaning liquid or cleaning liquid penetrates between the wafers to decrease the viscosity of the remaining slurry, thereby enhancing the cleaning effect and discharging the contaminants to the outside.

이러한 세척액의 온도는 80℃ 이상인 것이 바람직하고, 100~200℃인 것이 보다 바람직하다. 상기 세척액은 에틸렌글리콜계 절삭유 및 계면활성제 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 세척액의 온도가 80℃ 미만인 경우, 접착제로부터 복수개의 실리콘 웨이퍼를 분리하기 어렵고, 웨이퍼의 세척 효율이 다소 저하될 수 있다.The temperature of such a washing liquid is preferably 80 ° C or higher, more preferably 100-200 ° C. The cleaning liquid may include at least one of ethylene glycol-based cutting oil and a surfactant. When the temperature of the cleaning liquid is less than 80 캜, it is difficult to separate a plurality of silicon wafers from the adhesive, and the cleaning efficiency of the wafer may be somewhat lowered.

절삭유는 절삭, 연삭, 연마 등 금속 가공에 사용되는 금속 가공유제로, 가공부위의 표면을 정밀하고 깨끗하게 세척할 수 있는 효과가 있다. 에틸렌글리콜(ethylene glycol)계 절삭유에는 폴리에틸렌글리콜 절삭유, 에틸렌글리콜모노메틸에테르 절삭유, 에틸렌글리콜디페닐에테르 절삭유 등이 있다.The cutting oil is a metal working oil used in metal processing such as cutting, grinding and polishing, and has the effect of cleaning the surface of the machining area precisely and cleanly. Ethylene glycol cutting oil includes polyethylene glycol cutting oil, ethylene glycol monomethyl ether cutting oil, and ethylene glycol diphenyl ether cutting oil.

계면 활성제는 이온성에 따라 분류되는 양이온성, 음이온성, 양쪽성 및 비이온성 계면활성제가 있으며, 세척작용 및 소독작용을 향상시키기 위해, 상기 4가지 계면 활성제 중 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 세정제 기능으로 갖는 계면 활성제 중 소듐 라우릴 설페이트(SLS), 소듐 라우레스 설페이트(SLES), 암모늄 라우릴 설페이트(ALS), 암모늄 라우레스 설페이트(ALES)을 포함하는 LES를 사용하는 것이 바람직하다.Surfactants include cationic, anionic, amphoteric and nonionic surfactants classified according to ionicity, and it is preferable to use at least one of the above four surfactants in order to improve the washing action and the disinfecting action. It is also preferable to use LES including sodium lauryl sulfate (SLS), sodium laureth sulfate (SLES), ammonium lauryl sulfate (ALS), and ammonium laureth sulfate (ALES) among the surfactants having a detergent function .

상기 절삭유 및 계면 활성제 이외에도, 세척효과를 향상시키기 위해 탈이온수를 포함하는 세척수가 더 사용될 수 있다.
In addition to the above cutting oil and surfactant, washing water containing deionized water may be further used to improve the cleaning effect.

충격방지용 안착용기(40)Shockproof container (40)

충격방지용 안착용기(40)는 실리콘 잉곳 절단 시 바닥면으로 추락하는 실리콘 웨이퍼를 담을 수 있는 동시에, 충격방지 기능에 의해 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다. 이러한 안착용기(40)는 복수개의 실리콘 웨이퍼가 절단 및 분리되는 과정에서 추락하는 웨이퍼를 안정적으로 안착시키기 위해, 다음과 같은 조건이 따른다. The anti-shock mount container 40 can hold a silicon wafer falling down to the bottom surface when the silicon ingot is cut, and can prevent the wafer from being damaged by the impact prevention function. In order to stably seat the falling wafer in the process of cutting and separating a plurality of silicon wafers, the mounting container 40 is subjected to the following conditions.

먼저, 충격방지용 안착용기(40)의 바닥면은 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼의 하부 끝단으로부터 50mm 이내에 위치하는 것이 바람직하다. 50mm를 초과하는 경우, 안착용기(40)의 바닥면과 웨이퍼의 하부 끝단이 멀어지게 되고, 웨이퍼가 추락 시 충격이 커지면서 웨이퍼의 파손율이 증가하게 된다. Preferably, the bottom surface of the mounting receptacle 40 is located within 50 mm from the lower end of the plurality of silicon wafers. If the distance exceeds 50 mm, the bottom surface of the mounting container 40 and the lower end of the wafer are separated from each other, and the impact is increased when the wafer falls, thereby increasing the failure rate of the wafer.

또한, 도 4의 (a), (b) 및 도 8을 참조하면, 상기 충격방지용 안착용기(40)의 측면과 안착용기(40)의 바닥면 사이의 각도(θ)는 100~150˚인 것이 바람직하다. 안착용기(40)의 측면과 안착용기(40)의 바닥면 사이의 각도(θ)가 100℃ 미만인 위치에 형성되는 경우, 실리콘 잉곳 절단 시, 추락하는 웨이퍼를 안정적으로 안착시키기 어려울 수 있다. 각도(θ)가 150℃를 초과하는 위치에 형성되는 경우, 빔(20)에 부착된 웨이퍼와 안착용기(40)의 측면 사이의 거리 멀어지기 때문에, 웨이퍼 추락 시 웨이퍼의 파손이 발생할 수 있다. 4, the angle θ between the side surface of the seat 40 and the bottom surface of the seat 40 is 100 to 150 degrees, . When the angle? Between the side surface of the seating vessel 40 and the bottom surface of the seating vessel 40 is formed at a position less than 100 占 폚, it may be difficult to stably place the falling wafer at the time of cutting the silicon ingot. If the angle? Is formed at a position exceeding 150 占 폚, the distance between the wafer attached to the beam 20 and the side surface of the mounting container 40 may be disturbed at the time of wafer fall.

또한, 도 4의 (a), (b)에 도시한 바와 같이, 본 발명의 충격방지용 안착용기(40)의 측면은 직선 형태 또는 곡선 형태일 수 있다. 곡선 형태인 경우, 추락하는 실리콘 웨이퍼가 측면에 대해 슬라이딩(sliding)되면서 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.4 (a) and 4 (b), the side surface of the seat 40 for preventing the impact of the present invention may be in the form of a straight line or a curved line. In the case of the curved shape, the falling silicon wafer is slid against the side surface, thereby preventing the wafer from being damaged.

또한, 본 발명의 충격방지용 안착용기(40)는 추락하는 웨이퍼의 충격을 완화시킬 수 있도록 파손의 위험이 적으면서 충격을 흡수할 수 있는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 안착용기의 탄성률은 10~20GPa일 수 있다. 예를 들어, 쇼어(shore) 경도가 10~20A인 연성의 고무 재질 또는 수축과 팽창이 용이하여 충격을 흡수할 수 있는 열처리된 코탄소강, 카본 화이버(carbon fiber)의 재질로부터 안착용기(40)가 형성될 수 있다. In addition, the anti-shock seat 40 of the present invention is preferably formed of a material capable of absorbing impact while reducing the risk of breakage so as to mitigate the impact of the falling wafer. The elasticity of such a seating container may be 10 to 20 GPa. For example, from the material of a soft rubber material having a shore hardness of 10 to 20 A or a material of heat-treated coarse carbon steel or carbon fiber capable of absorbing shock due to easy shrinkage and expansion, Can be formed.

또한, 상기 고무 재질과 탄소 재질이 혼합된 재질로부터 안착용기가 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the seating container may be formed from a mixture of the rubber material and the carbon material, but is not limited thereto.

복수개의 실리콘 웨이퍼 중 가장 자리에 위치한 웨이퍼는 안착용기(40)의 측면에 추락하고, 안착용기의 중간 지점에 위치한 웨이퍼는 바닥면으로 바로 추락하게 된다. 이 경우에는, 웨이퍼의 충격방지를 위해 안착용기(40)의 바닥면에 쇼어 경도가 10A 이하인 연성의 고무 패드가 더 형성될 수 있다. 상기 연성의 고무는 실리콘 고무, 발포 우레탄 고무 등일 수 있다.
The wafer located at the end of the plurality of silicon wafers falls on the side of the mounting container 40 and the wafer located at the middle point of the mounting container falls directly to the bottom surface. In this case, a soft rubber pad having a Shore hardness of 10 A or less may be further formed on the bottom surface of the seating container 40 to prevent the wafer from being impacted. The soft rubber may be a silicone rubber, a foamed urethane rubber or the like.

이처럼, 본 발명의 충격방지용 안착용기(40)는 도 5의 (a) 및 도 6에서와 같이, 100×100mm2 크기의 소형 실리콘 웨이퍼와 156×156mm2 크기의 상용화된 실리콘 웨이퍼를 파손 없이 안정적으로 안착시킬 수 있다.
5 (a) and FIG. 6, a small-sized silicon wafer having a size of 100 × 100 mm 2 and a commercially available silicon wafer having a size of 156 × 156 mm 2 can be stably Respectively.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치는 복수개의 노즐에서 분사되는 세척액을 접착제와 웨이퍼 표면에 공급함으로써, 접착제로부터 복수개의 실리콘 웨이퍼가 분리될 수 있다. 이는 절단 장치에서 실리콘 웨이퍼의 분리 작업이 가능하므로, 절단된 실리콘을 별도의 가열된 세척조로 이동시킬 필요가 없다. 또한, 본 발명의 세척액에 의해 복수개의 웨이퍼 사이에 잔존하는 미립자들을 제거하면서 외부로 배출시키므로, 실리콘 웨이퍼 표면의 오염을 방지하는 효과가 있다.As described above, in the silicon wafer cleaning apparatus of the present invention, a plurality of silicon wafers can be separated from the adhesive by supplying the cleaning liquid sprayed from the plurality of nozzles to the adhesive and the wafer surface. This makes it possible to separate the silicon wafer from the cutting device, so that it is not necessary to transfer the cut silicon to a separate heated washing tank. In addition, since the fine particles remaining between the plurality of wafers are removed by the cleaning solution of the present invention while being discharged to the outside, contamination of the surface of the silicon wafer is prevented.

또한, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 장치는 실리콘 잉곳 절단 시, 바닥면으로 추락하는 실리콘 웨이퍼를 파손 없이 안정적으로 안착시키기 위한 충격방지용 안착용기를 구비함으로써, 추락으로 인한 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
In addition, the silicon wafer cleaning apparatus of the present invention can prevent breakage of a wafer due to a fall by providing a mounting container for preventing shock when a silicon ingot is cut and stably mounting the silicon wafer falling down to the bottom without breakage.

도 9는 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 방법을 나타낸 순서도이다.9 is a flowchart showing a silicon wafer cleaning method of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 방법은 실리콘 잉곳 절단(S110)하는 단계, 실리콘 잉곳 분리(S120)하는 단계 및 충격방지용 안착용기에 안착(S130)시키는 단계를 포함한다.Referring to FIG. 9, the method of cleaning a silicon wafer of the present invention includes cutting a silicon ingot (S110), separating a silicon ingot (S120), and seating the silicon ingot in an anti-shock seat (S130).

본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 방법은 절단 장치에서 웨이퍼의 분리 공정을 수행할 수 있어, 공정의 단계를 줄일 수 있으면서도 발생하는 웨이퍼의 파손을 급감시킬 수 있는 효과가 있다.
The silicon wafer cleaning method of the present invention can perform a wafer separation process in a cutting apparatus, which can reduce the number of steps of the process, and can reduce the damage of the wafer caused by the wafer.

먼저, 접착제에 의해 빔(20)에 부착된 실리콘 잉곳을 와이어(10)로 절단한다. 절단 후 생성된 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에, 빔(20)에 위치한 노즐부(30)에 포함된 복수개의 노즐에서 분사되는 세척액을 공급한다.First, the silicon ingot attached to the beam 20 is cut with the wire 10 by an adhesive. A cleaning liquid sprayed from a plurality of nozzles included in the nozzle unit 30 located in the beam 20 is supplied to the plurality of silicon wafer surfaces generated after cutting.

상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하여 복수개의 실리콘 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되도록 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하는 것이 바람직하다.The plurality of nozzles are located in the horizontal direction of the wafer and are located at intervals between the plurality of silicon wafers so that the cleaning liquid is supplied to the wafer surface such that a plurality of silicon wafers are separated from the adhesive.

이때, 상기 분리된 복수개의 실리콘 웨이퍼가 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기에 안착되도록 하여, 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.At this time, the separated plurality of silicon wafers can be seated on the bottom of the wafer, so that damage to the wafers can be prevented.

상기 충격방지용 안착용기(40)는 전술한 바와 같다.The above-mentioned seat 40 for preventing shock is as described above.

상기 세척액의 온도는 80℃ 이상이고, 상기 세척액은 에틸렌글리콜계 절삭유 및 계면활성제 중 1종 이상을 포함할 수 있으며, 전술한 바와 같다.
The temperature of the cleaning liquid may be 80 ° C or higher, and the cleaning liquid may include at least one of ethylene glycol-based cutting oil and surfactant, as described above.

웨이퍼의 파손을 방지하면서 웨이퍼 표면의 미립자들을 제거하기 위해서, 상기 세척액은 제1평균속도, 제2평균속도 및 제3평균속도로 실리콘 웨이퍼 표면에 공급되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 제1평균속도는 5L/min 이하이고, 제2평균속도는 5~10L/min이고, 제3평균속도는 10~20L/min일 수 있다.In order to remove fine particles on the wafer surface while preventing wafer breakage, the cleaning liquid is preferably supplied to the silicon wafer surface at a first average speed, a second average speed and a third average speed. At this time, the first average speed may be 5 L / min or less, the second average speed may be 5 to 10 L / min, and the third average speed may be 10 to 20 L / min.

세척액의 주입속도를 점진적으로 증가시키는 경우, 복수개의 웨이퍼들 사이에 잔존하는 슬러리의 점도를 감소시키면서, 웨이퍼의 분리 및 세척 효율을 나타낼 수 있다.When the cleaning rate of the cleaning liquid is gradually increased, the separation and cleaning efficiency of the wafer can be shown while reducing the viscosity of the slurry remaining between the plurality of wafers.

세척액을 공급하는 동안, 초기에는 5L/min 이하의 제1평균속도로 주입하여 웨이퍼 사이의 슬러리의 점도를 감소시킴으로써. 접착제에 부착되어 있는 웨이퍼의 부착력을 감소시킨다. 이 시점에서, 5~10L/min의 제2평균속도로 세척액을 주입하여 웨이퍼 사이의 슬러리를 완전히 외부로 배출시킨다. 그 다음으로, 10~20L/min의 제3평균속도로 세척액을 주입하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 절삭유와 미립자를 세척할 수 있다.During the supply of the wash solution, by initially injecting at a first average speed of less than or equal to 5 L / min to reduce the viscosity of the slurry between the wafers. Thereby reducing the adhesive force of the wafer attached to the adhesive. At this point, the cleaning liquid is injected at a second average speed of 5 to 10 L / min to completely discharge the slurry between the wafers to the outside. Subsequently, the cleaning liquid is injected at a third average speed of 10 to 20 L / min to clean the cutting oil and fine particles remaining on the wafer surface.

따라서, 제1~3평균속도로 순차적으로 세척액을 공급함에 따라, 웨이퍼의 파손을 방지하면서 분리 및 세척 효율을 나타낼 수 있다.Accordingly, by sequentially supplying the cleaning liquid at the first to third average speeds, separation and cleaning efficiency can be exhibited while preventing breakage of the wafer.

이러한 세척액의 평균속도는 세척 장치의 크기, 웨이퍼의 수량 등을 고려하여 조절될 수도 있다.
The average speed of the cleaning liquid may be adjusted in consideration of the size of the cleaning apparatus, the number of wafers, and the like.

이처럼, 본 발명의 실리콘 웨이퍼 세척 방법은 하나의 장치 내에서 실리콘 잉곳을 절단한 후 세척액에 의해 복수개의 웨이퍼를 분리함으로써, 분리 공정을 간소화시키고, 생산성을 극대화시킬 수 있다.As described above, in the silicon wafer cleaning method of the present invention, the silicon ingot is cut in one apparatus, and then the plurality of wafers are separated by the cleaning liquid, thereby simplifying the separation process and maximizing the productivity.

이러한 본 발명의 세척 장치 및 세척 방법은 평균 두께 150㎛ 이하의 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라 평균 두께 180㎛의 상용화된 실리콘 웨이퍼에도 적용할 수 있다.
The cleaning apparatus and cleaning method of the present invention can be applied not only to silicon wafers having an average thickness of 150 탆 or less but also to commercially available silicon wafers having an average thickness of 180 탆.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

10 : 와이어
20 : 빔
30 : 노즐부
40 : 충격방지용 안착용기10: Wire
20: Beam
30:
40: Seal container for shock protection

Claims (11)

실리콘 잉곳을 절단하여 복수개의 실리콘 웨이퍼를 생성하는 와이어;
상기 복수개의 실리콘 웨이퍼가 접착제에 의해 부착된 빔;
상기 빔의 측면에 위치하여, 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하는 복수개의 노즐을 포함하는 노즐부; 및
상기 웨이퍼 하부에 위치하고, 추락하는 복수개의 실리콘 웨이퍼가 안착되는 충격방지용 안착용기;를 포함하고,
상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하며,
상기 공급되는 세척액에 의해, 복수개의 실리콘 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되고, 복수개의 실리콘 웨이퍼가 세척되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 장치.
A wire cutting a silicon ingot to generate a plurality of silicon wafers;
A beam attached to the plurality of silicon wafers by an adhesive;
A nozzle unit located at a side of the beam and including a plurality of nozzles for supplying a cleaning liquid to the surfaces of the plurality of silicon wafers; And
And a plurality of silicon wafers placed under the wafer, wherein the plurality of silicon wafers fall down,
Wherein the plurality of nozzles are positioned in the horizontal direction of the wafer and are located at intervals between the plurality of silicon wafers,
Wherein the plurality of silicon wafers are separated from the adhesive by the supplied cleaning liquid, and the plurality of silicon wafers are cleaned.
◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈ Claim 2 is abandoned due to payment of registration fee. 제1항에 있어서,
상기 충격방지용 안착용기의 바닥면은 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼의 하부 끝단으로부터 50mm 이내에 위치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the bottom surface of the mounting container for shock protection is located within 50 mm from the lower end of the plurality of silicon wafers.
제1항에 있어서,
상기 충격방지용 안착용기의 측면과 안착용기의 바닥면 사이의 각도는 100~150˚인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the angle between the side surface of the seat container and the bottom surface of the seat container is 100 to 150 degrees.
제1항에 있어서,
상기 세척액의 온도는 80℃ 이상이고, 상기 세척액은 에틸렌글리콜계 절삭유 및 계면활성제 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the temperature of the cleaning liquid is 80 DEG C or more, and the cleaning liquid includes at least one of ethylene glycol-based cutting oil and surfactant.
◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈ Claim 5 is abandoned due to the registration fee. 제1항에 있어서,
상기 노즐의 홀 지름은 5~100㎛인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 장치.
The method according to claim 1,
And the hole diameter of the nozzle is 5 to 100 占 퐉.
(a) 접착제에 의해 빔에 부착된 실리콘 잉곳을 와이어로 절단하는 단계; 및
(b) 상기 (a) 단계에서 생성된 복수개의 실리콘 웨이퍼 표면에, 빔의 측면에 위치한 노즐부에 포함된 복수개의 노즐에서 분사되는 세척액을 공급하는 단계;를 포함하고,
상기 복수개의 노즐은 상기 웨이퍼의 수평방향으로 위치하되, 복수개의 실리콘 웨이퍼 사이의 간격에 위치하여 복수개의 실리콘 웨이퍼가 상기 접착제로부터 분리되도록 웨이퍼 표면에 세척액을 공급하고, 상기 세척액에 의해 복수개의 실리콘 웨이퍼가 세척되며,
추락하는 복수개의 실리콘 웨이퍼가 웨이퍼 하부에 위치하는 충격방지용 안착용기에 안착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 방법.
(a) cutting a silicon ingot attached to a beam by an adhesive into a wire; And
(b) supplying a cleaning liquid sprayed from a plurality of nozzles included in a nozzle portion located on a side of the beam to a plurality of silicon wafer surfaces produced in the step (a)
Wherein the plurality of nozzles are located in a horizontal direction of the wafer and are located at a distance between the plurality of silicon wafers so as to supply a cleaning liquid to the wafer surface such that a plurality of silicon wafers are separated from the adhesive, Lt; / RTI >
Wherein a plurality of falling silicon wafers are seated in an anti-shock mounting container located under the wafer.
제6항에 있어서,
상기 세척액은 제1평균속도, 제2평균속도 및 제3평균속도로 실리콘 웨이퍼 표면에 공급되며,
상기 제1평균속도는 5L/min 이하이고, 제2평균속도는 5~10L/min이고, 제3평균속도는 10~20L/min인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 방법.
The method according to claim 6,
The cleaning liquid is supplied to the silicon wafer surface at a first average speed, a second average speed and a third average speed,
Wherein the first average speed is 5 L / min or less, the second average speed is 5 to 10 L / min, and the third average speed is 10 to 20 L / min.
◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈ Claim 8 is abandoned due to the registration fee. 제6항에 있어서,
상기 충격방지용 안착용기의 바닥면은 상기 복수개의 실리콘 웨이퍼의 하부 끝단으로부터 50mm 이내에 위치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the bottom surface of the mounting container for shock protection is located within 50 mm from the lower end of the plurality of silicon wafers.
제6항에 있어서,
상기 충격방지용 안착용기의 측면과 안착용기의 바닥면 사이의 각도는 100~150˚인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the angle between the side surface of the seat container and the bottom surface of the seat container is 100 to 150 degrees.
제6항에 있어서,
상기 세척액의 온도는 80℃ 이상이고, 상기 세척액은 에틸렌글리콜계 절삭유 및 계면활성제 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the temperature of the cleaning solution is 80 DEG C or more, and the cleaning solution includes at least one of ethylene glycol-based cutting oil and a surfactant.
◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈◈ Claim 11 is abandoned due to registration fee. 제6항에 있어서,
상기 노즐의 홀 지름은 5~100㎛인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세척 방법.
The method according to claim 6,
And the hole diameter of the nozzle is 5 to 100 mu m.
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