KR20120086873A - Apparatus and method for removing wafer from ingot - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for separating a wafer and a method thereof are provided to prevent a defective wafer when the wafer is separated from an ingot. CONSTITUTION: A bath(210) receives an ingot(120) which is cut into a wafer shape. The ingot is cut in a state of being attached to a mount(126) with an adhesive(125). A heater(220) heats liquid received to the bath. An air generator(230) generates air bubbles within the liquid. A guide bar(240) is arranged at a lower portion of the bath.

Description

웨이퍼 분리 장치 및 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법 {Apparatus and method for removing wafer from ingot}Wafer Separation Device and Method for Producing Wafer from Ingot {Apparatus and method for removing wafer from ingot}

본 발명은 부착대에 부착된 잉곳으로부터 낱장의 웨이퍼를 분리하기 위한 웨이퍼 분리 장치 및 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer separation apparatus for separating a single wafer from an ingot attached to a mounting table and a method for producing a wafer from an ingot.

반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼는 단결정 실리콘 박판을 지칭한다. 이러한 웨이퍼(wafer)는, 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하는 슬라이싱 공정, 원하는 웨이퍼의 두께로 연마하면서 평탄도를 개선하는 래핑 공정(lapping), 웨이퍼 내부의 손상층 제거를 위한 식각 공정(etching), 표면 경면화 및 평탄도를 향상시키기 위한 폴리싱 공정(polishing), 웨이퍼 표면의 오염물질을 제거하기 위한 세정 공정(cleaning) 등의 단계를 거쳐 웨이퍼로 생산된다. A wafer widely used as a material for manufacturing a semiconductor device refers to a single crystalline silicon thin film. Such wafers include a slicing process for thinly cutting single crystal silicon ingots in the form of a wafer, a lapping process for improving flatness while polishing to a desired wafer thickness, and etching for removing damage layers inside the wafer. It is produced into a wafer through steps such as etching, polishing to improve surface mirroring and flatness, and cleaning to remove contaminants on the wafer surface.

단결정 실리콘 잉곳은 일반적으로 쵸크랄스키법(Czochralski method)에 따라 성장되어 제조된다. 이 방법은 챔버 내의 도가니에서 다결정 실리콘을 용융시키고, 용융된 실리콘에 단결정인 종자 결정(seed crystal)을 담근 후, 이를 서서히 상승시키면서 원하는 지름의 실리콘 단결정 잉곳으로 성장시키는 방법이다. Single crystal silicon ingots are generally grown and manufactured according to the Czochralski method. This method is a method of melting polycrystalline silicon in a crucible in a chamber, immersing the seed crystal as a single crystal in the molten silicon, and growing it into a silicon single crystal ingot of a desired diameter while gradually raising it.

잉곳의 성장이 완료된 후에는, 낱장의 웨이퍼로 제조하기 위해 잉곳을 낱장 단위로 절단하는 슬라이싱 공정(slicing process)이 진행된다.After the growth of the ingot is completed, a slicing process of cutting the ingot into sheets to produce a single wafer is performed.

이러한 슬라이싱 공정은 여러 가지 방식이 있는데, 그 중에서 대표적인 것은 피아노 와이어 또는 고장력 와이어를 빠른 속도로 왕복 주행시키면서 그 위에 슬러리(slurry) 용액을 분사시켜 와이어에 묻은 슬러리와 잉곳의 마찰에 의해 절단하는 와이어 쏘잉(Wire Saw) 방식이 있다.This slicing process has a number of ways, the most typical of which is the sawing of the wire or the high-strength wire reciprocating at high speed while spraying a slurry solution on the wire saw cutting by friction between the slurry and the ingot attached to the wire (Wire Saw).

와이어 쏘잉을 할 때는, 와이어 쏘잉 후에 절단된 웨이퍼가 추락하는 것을 방지하기 위해 잉곳을 접착제를 이용하여 부착대에 부착하게 된다. When wire sawing, the ingot is attached to the mounting table using an adhesive to prevent the wafer cut after the wire sawing from falling.

도 1은 종래의 와이어 쏘잉 전후에 잉곳이 부착대에 부착된 상태를 도시하는 도면으로, (a)는 와이어 쏘잉 전의 상태를 나타내고, (b)는 와이어 쏘잉 후의 상태를 나타낸다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the state in which the ingot was attached to the mounting base before and after the conventional wire sawing, (a) shows the state before wire sawing, and (b) shows the state after wire sawing.

도 1의 (a)를 참조하면, 부착대(1)에 잉곳(2)이 접착제(3)에 의해 접착되어 있다. 와이어 쏘잉 후에는 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 잉곳(2)은 낱장의 웨이퍼(W) 형태로 절단되어 접착제(3)에 의해 부착대(1)에 부착된 상태로 된다. Referring to FIG. 1A, the ingot 2 is adhered to the attachment table 1 by the adhesive 3. After the wire sawing, as shown in FIG. 1B, the ingot 2 is cut into a single wafer W and attached to the attachment table 1 by the adhesive 3.

도 2는 종래에 부착대에 부착된 잉곳을 낱장의 웨이퍼 형태로 분리하여 이송하는 과정을 나타내는 도면이다. 2 is a view showing a process of separating and transporting a conventional ingot attached to a mounting plate in the form of a single wafer.

먼저, 웨이퍼 형태로 절단되어 부착대(1)에 부착된 잉곳(2)은 세정조(10)에서 세정액에 의해 세정된다. First, the ingot 2 cut into the wafer form and attached to the mounting table 1 is cleaned by the cleaning liquid in the cleaning tank 10.

다음에, 부착대(1)에 부착된 잉곳(2)은 가열조(20)로 보내지고, 가열조(20)에서 낱장의 웨이퍼 형태로 절단된 잉곳(2)은 부착대(1)로부터 분리될 수 있도록 가열된다. 이때, 부착대(1)는 잉곳(2)의 하부에 위치하고, 잉곳(2)은 부착대(1) 위에 얹혀진 상태에서 가열된다. Next, the ingot 2 attached to the mounting table 1 is sent to the heating bath 20, and the ingot 2 cut into the wafer form in the heating bath 20 is separated from the mounting table 1; Heated to be. At this time, the mounting table 1 is located under the ingot 2, and the ingot 2 is heated in a state where it is placed on the mounting table 1.

다음에, 낱장의 웨이퍼 형태의 잉곳(2)은 분리장치(25)에 의해 부착대(1)로부터 웨이퍼 형태로 한 장씩 분리된 후, 컨베이어(30)에 의해 이송된다. Next, the ingots 2 in the form of wafers are separated from the attachment table 1 one by one in the form of wafers by the separator 25 and then transferred by the conveyor 30.

다음에, 웨이퍼(W)는 웨이퍼를 적재하기 위한 카세트(40)에 적재된다. Next, the wafer W is loaded in the cassette 40 for loading the wafer.

도 3은 종래에 부착대로부터 웨이퍼를 분리할 때 발생되는 웨이퍼 불량을 설명하는 도면이다. 3 is a view for explaining a wafer defect generated when the wafer is detached from the mounting table in the related art.

도 2 및 도 3을 참조하면, 접착제(3)에 의해 부착대(1)에 부착된 웨이퍼(W)는 가열조(20)에서 가열되어 분리할 수 있는 상태가 되지만, 이러한 웨이퍼(W)의 분리작업은 분리장치(25)에 의해 자동으로 수행된다. 따라서, 웨이퍼(W)가 접착제(3)로부터 완전히 분리되었는지를 확인하지 못한 상태에서, 웨이퍼(W)는 분리장치(25)에 의해 분리된다. 접착제(3)가 완전히 제거되지 않은 상태에서 웨이퍼(W)가 부착대(1)로부터 분리될 경우, 남아있는 접착제(3)에 의해 웨이퍼(W)의 에지 부분이 손상되는 불량이 발생된다. 도 3에서 P지점은 웨이퍼(W) 불량이 발생된 부위를 나타낸다. Referring to FIGS. 2 and 3, the wafer W attached to the mounting table 1 by the adhesive 3 is heated in the heating bath 20 to be separated, but the wafer W The separating operation is automatically performed by the separating device 25. Therefore, in a state where it is not confirmed whether the wafer W is completely separated from the adhesive 3, the wafer W is separated by the separating device 25. When the wafer W is separated from the mounting table 1 in the state where the adhesive 3 is not completely removed, a defect occurs in which the edge portion of the wafer W is damaged by the remaining adhesive 3. In FIG. 3, the point P represents a portion where wafer W failure occurs.

이와 같이, 종래에는 잉곳(2)이 부착대(1) 위에 얹혀진 상태에서 분리작업이 수행되므로, 웨이퍼(W)가 접착제(3)로부터 완전히 분리되었는지를 확인하지 못한 상태에서 분리작업이 수행되어, 잉곳(2)의 분리과정에서 웨이퍼(W) 불량이 발생되는 문제점이 있었다. As described above, since the separation operation is performed in the state where the ingot 2 is mounted on the mounting table 1, the separation operation is performed in a state where it is not confirmed whether the wafer W is completely separated from the adhesive 3. In the separation process of the ingot 2, there was a problem that a wafer (W) defect occurs.

또한, 종래에 잉곳(2)의 세정은 세정조(10)에서, 분리작업은 가열조(20)에서 따로따로 이루어져 잉곳(2)의 분리를 위한 장치의 크기와 비용이 증가되는 문제점이 있었다. In addition, conventionally, the cleaning of the ingot 2 has a problem that the size and cost of the device for separating the ingot 2 is increased in the cleaning tank 10, the separation operation is made separately in the heating tank 20.

따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 잉곳으로부터 웨이퍼 분리 과정 중 웨이퍼 불량을 방지할 수 있는 웨이퍼 분리 장치 및 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법에 관한 것이다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and relates to a wafer separation apparatus capable of preventing wafer defects during a wafer separation process from an ingot and a method for producing a wafer from the ingot.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 의하면, 웨이퍼 분리 장치는, 액체가 수용되는 배스; 상기 액체를 가열하기 위한 히터; 상기 액체 내에 공기방울을 발생시키기 위한 공기발생기; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention for achieving the above object, a wafer separation apparatus, the bath containing the liquid; A heater for heating the liquid; An air generator for generating air bubbles in the liquid; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 배스의 하부에 배치되고 상기 배스를 횡단하는 가이드 바; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, a guide bar disposed below the bath and traverses the bath; And further comprising:

또한, 상기 가이드 바는 웨이퍼의 낙하시 충격흡수가 가능한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다. In addition, the guide bar is made of a material capable of absorbing shock when the wafer falls.

또한, 상기 배스의 벽면에서 상기 가이드 바가 횡단하는 방향으로 돌출되어 설치되는 웨이퍼 쏠림 방지대; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the wafer pull prevention member protruding from the wall surface of the bath protruding in the direction crossing the guide bar; And further comprising:

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 의하면, 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법은, 잉곳의 한 면을 접착제에 의해 부착대에 부착하는 단계; 상기 부착대에 부착된 잉곳을 낱장의 웨이퍼 형태로 절단하는 단계; 상기 부착대가 위로 향하도록 상기 절단된 잉곳을 액체가 수용된 배스 내에 침지시키는 단계; 상기 배스 내의 액체를 가열하여 상기 웨이퍼를 자중에 의한 자유낙하 방식으로 상기 부착대로부터 분리하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention for achieving the above object, a method for producing a wafer from an ingot, the method comprising the steps of: attaching one side of the ingot to the mounting plate by an adhesive; Cutting the ingot attached to the mounting plate into a single wafer form; Immersing the cut ingot in a bath containing liquid such that the mount faces up; Heating the liquid in the bath to separate the wafer from the mount in a free-fall manner by its own weight; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 배스 내의 액체를 가열하기 전에 상기 액체에 의해 상기 절단된 잉곳을 세정하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Further comprising: cleaning the cut ingot with the liquid before heating the liquid in the bath; And further comprising:

또한, 상기 세정하는 단계에서는 상기 배스 내에 공기방울을 일으켜서 상기 절단된 잉곳을 세정하는 것을 특징으로 한다. In addition, the cleaning step is characterized in that to clean the cut ingot by causing air bubbles in the bath.

또한, 탄성재질의 가이드 바에 의해 상기 자유낙하되는 상기 웨이퍼를 지지하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, supporting the free-falling wafer by the guide bar of the elastic material; And further comprising:

본 발명에 따르면, 잉곳으로부터 웨이퍼 분리 과정 중 웨이퍼 불량을 방지할 수 있는 웨이퍼 분리 장치 및 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, a wafer separation apparatus capable of preventing wafer defects during a wafer separation process from an ingot and a method for producing a wafer from the ingot can be provided.

도 1은 종래의 와이어 쏘잉 전후에 잉곳이 부착대에 부착된 상태를 도시하는 도면으로, 도 1의 (a)는 와이어 쏘잉 전의 상태를 나타내고, (b)는 와이어 쏘잉 후의 상태를 나타낸다.
도 2는 종래에 부착대에 부착된 잉곳을 낱장의 웨이퍼 형태로 분리하여 이송하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 3은 종래에 부착대로부터 웨이퍼를 분리할 때 발생되는 웨이퍼 불량을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 쏘잉 방법을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 분리 장치를 개략적으로 도시하는 정면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 분리 장치를 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 1 is a view showing a state in which the ingot is attached to the mounting table before and after the conventional wire sawing, Figure 1 (a) shows the state before the wire sawing, (b) shows the state after the wire sawing.
2 is a view showing a process of separating and transporting a conventional ingot attached to a mounting plate in the form of a single wafer.
3 is a view for explaining a wafer defect generated when the wafer is detached from the mounting table in the related art.
4 is a view for explaining a wire sawing method according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view schematically showing a wafer separation apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a side view schematically showing a wafer separation apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method of producing a wafer from an ingot according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements throughout. The same reference numerals in the drawings denote like elements throughout the drawings.

반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼는 단결정 실리콘 박판을 지칭한다. 이러한 웨이퍼는, 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하여 생산된다. A wafer widely used as a material for manufacturing a semiconductor device refers to a single crystalline silicon thin film. Such a wafer is produced by thinly cutting a single crystal silicon ingot in the form of a wafer.

단결정 실리콘 잉곳을 웨이퍼 형태로 얇게 절단하는 슬라이싱(slicing) 공정은 여러 가지 방식이 있는데, 그 중에서 대표적인 것으로는 와이어를 빠른 속도로 왕복 주행시키면서 그 위에 슬러리(slurry) 용액을 분사시켜 와이어에 묻은 슬러리와 잉곳의 마찰에 의해 절단하는 와이어 쏘잉(Wire Saw) 방식이 있다.The slicing process for thinly cutting a single crystal silicon ingot into wafer form has a variety of methods. Among them, the slicing process is carried out by reciprocating the wire at high speed and spraying a slurry solution thereon, There is a wire sawing method which cuts by friction of an ingot.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 쏘잉 방법을 설명하는 도면이다. 4 is a view for explaining a wire sawing method according to an embodiment of the present invention.

와이어 쏘잉을 할 때는, 와이어 쏘잉 후에 절단된 웨이퍼가 추락하는 것을 방지하기 위해 잉곳(120)을 접착제를 이용하여 부착대(126)에 부착하게 된다. When wire sawing, the ingot 120 is attached to the mounting table 126 using an adhesive to prevent the wafer cut after the wire sawing from falling.

부착대(126)는 잉곳(120)과 대응되는 길이의 판형으로 형성된다. 부착대(126)에 부착된 잉곳(120)은 마운팅 블록(127)에 고정된다. 마운팅 블록(127)은 이송장치(도시안됨)와 연결되어, 잉곳(120)을 상하로 이동시킬 수 있다. The mounting table 126 is formed in a plate shape having a length corresponding to the ingot 120. The ingot 120 attached to the mounting table 126 is fixed to the mounting block 127. The mounting block 127 may be connected to a transfer device (not shown) to move the ingot 120 up and down.

잉곳(120)의 하부에는 롤러(131, 132)가 배치되고, 롤러(131, 132)에 형성된 원주 안내홈(도시안됨)에는 여러 가닥의 와이어(110)가 배열된다. 와이어(110)는 피아노선 또는 고장력 와이어로 구성될 수 있다. 와이어(110)가 감긴 롤러(131, 132)는 모터(133)에 의해 고속으로 회전한다. Rollers 131 and 132 are disposed below the ingot 120, and several strands of wires 110 are arranged in the circumferential guide grooves (not shown) formed in the rollers 131 and 132. The wire 110 may be composed of a piano wire or a high tension wire. The rollers 131 and 132 wound around the wire 110 are rotated at a high speed by the motor 133.

저장탱크(140)에는 연마제를 포함하는 슬러리가 저장된다. 이러한 슬러리는 펌프(145)에 의해 가압되어, 분사노즐(141, 142)을 통해 와이어(110) 위로 분사된다. 마운팅 블록(127)에 고정된 잉곳(120)이 와이어(110)를 향해 하강하면, 와이어(110)에 묻은 슬러리와 잉곳(120)간의 마찰에 의해 잉곳(120)은 순차적으로 얇은 웨이퍼 형상으로 절단된다.The storage tank 140 stores a slurry containing an abrasive. This slurry is pressurized by the pump 145 and sprayed onto the wire 110 through the spray nozzles 141 and 142. When the ingot 120 fixed to the mounting block 127 descends toward the wire 110, the ingot 120 is sequentially cut into a thin wafer shape by friction between the slurry and the ingot 120 buried in the wire 110. do.

와이어(110)에 분사된 슬러리는 슬러리 받이(143)에 모인 후, 저장탱크(140)로 보내진다. 저장탱크(140)에 저장된 슬러리는 펌프(145)에 의한 펌핑으로 분사노즐(141, 142)을 통해 다시 분사될 수 있다.The slurry sprayed on the wire 110 is collected in the slurry tray 143 and then sent to the storage tank 140. The slurry stored in the storage tank 140 may be injected again through the injection nozzles 141 and 142 by pumping by the pump 145.

웨이퍼 형상으로 절단된 잉곳(120)은 접착제에 의해 부착대(126)에 접착된 상태이기 때문에, 다음에는 웨이퍼를 부착대(126)로부터 낱장으로 분리하는 작업을 진행하게 된다. Since the ingot 120 cut into the wafer shape is adhered to the mounting table 126 by an adhesive, a work of separating the wafer from the mounting table 126 into sheets is performed next.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 분리 장치를 개략적으로 도시하는 정면도이다. 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 분리 장치를 개략적으로 도시하는 측면도이다. 5 is a front view schematically showing a wafer separation apparatus according to an embodiment of the present invention. 6 is a side view schematically showing a wafer separation apparatus according to an embodiment of the present invention.

웨이퍼 분리 장치(200)는 배스(bath; 210), 히터(220), 공기발생기(230), 가이드 바(240), 웨이퍼 쏠림 방지대(250)를 포함한다. The wafer separation apparatus 200 includes a bath 210, a heater 220, an air generator 230, a guide bar 240, and a wafer deflection guard 250.

배스(210)는 웨이퍼 형상으로 절단된 잉곳(120)이 수용될 수 있도록 수용공간을 갖는다. 배스(210)는 원통, 사각통 또는 임의의 형상으로 될 수 있다. 배스(210) 내에 수용된 액체에는 웨이퍼 형상으로 절단된 잉곳(120)이 침지된다.The bath 210 has a receiving space to accommodate the ingot 120 cut into a wafer shape. Bath 210 may be cylindrical, square or any shape. The ingot 120 cut into the wafer shape is immersed in the liquid contained in the bath 210.

잉곳(120)은 접착제(125)에 의해 부착대(126)에 부착된 상태로 절단되고, 잉곳(120)이 배스(210) 내의 액체에 침지될 때는 부착대(126)가 위로 향하고, 절단된 잉곳(120)은 접착제(125)에 의해 부착대(126)에 매달린 상태가 된다. 잉곳(120)이 매달린 상태로, 부착대(126)는 배스(210) 위에 걸쳐질 수 있다. Ingot 120 is cut with adhesive 125 attached to attachment 126, and when ingot 120 is immersed in the liquid in bath 210, attachment 126 is facing up and cut. The ingot 120 is suspended from the mounting table 126 by the adhesive 125. With the ingot 120 suspended, the attachment 126 can span over the bath 210.

잉곳(120)은 배스(210) 내에 침지된 상태에서 세정 공정을 거칠 수 있다. 이 경우, 배스(210) 내에 수용되는 액체는 세정액으로서의 역할을 하고, 상기 액체는 초순수(deioned water; DIW), 계면활성제, 기능수(오존수, 수소수 등), SC-1(NH4OH, H2O2, DIW) 등일 수 있다. 또한, 액체에 KOH, NaOH 등을 첨가할 수도 있다. The ingot 120 may go through a cleaning process in a state of being immersed in the bath 210. In this case, the liquid contained in the bath 210 serves as a cleaning liquid, the liquid is deioned water (DIW), surfactant, functional water (ozone water, hydrogen water, etc.), SC-1 (NH 4 OH, H 2 O 2 , DIW) and the like. Moreover, KOH, NaOH, etc. can also be added to a liquid.

배스(210) 내에서 잉곳(120)의 세정은 복수 회 실시될 수 있다. 배스(210)의 하부에는 공기방울을 발생시킬 수 있는 공기발생기(230)가 위치된다. 잉곳(120)이 세정될 때는 공기발생기(230)에 의해 공기방울이 발생되고, 이러한 공기방울은 절단된 잉곳(120)의 사이사이로 침투하여 잉곳(120)의 세정효율을 극대화할 수 있다. 이러한 공기발생기(230)는 배스(210)의 측면에도 배치될 수 있고, 그 위치는 제한되지 않는다. The cleaning of the ingot 120 in the bath 210 may be performed a plurality of times. An air generator 230 capable of generating air bubbles is located under the bath 210. When the ingot 120 is cleaned, air bubbles are generated by the air generator 230, and the air bubbles penetrate between the cut ingots 120 to maximize the cleaning efficiency of the ingot 120. The air generator 230 may also be disposed on the side of the bath 210, the position is not limited.

잉곳(120)의 세정 공정이 예를 들어, 3회 실시되고 나면, 부착대(126)에 부착되어 절단된 잉곳(120)에서 웨이퍼(W)를 분리하기 위한 공정이 진행된다. 배스(210)의 하부에는 히터(220)가 위치되어, 배스(210) 내의 액체를 가열한다. 히터(220)에 의해 배스(210) 내의 액체를 예를 들어, 85℃까지 가열할 수 있다. 히터(220)에 의해 액체를 가열할 때는 공기발생기(230)는 작동시키지 않는다. 이는 웨이퍼(W)가 부착대(126)로부터 분리되어 떨어질 때 공기방울에 의해 웨이퍼(W) 사이의 충돌이 발생할 수 있기 때문이다.After the cleaning process of the ingot 120 is performed three times, for example, a process for separating the wafer W from the ingot 120 attached to the mounting table 126 is cut. A heater 220 is positioned below the bath 210 to heat the liquid in the bath 210. The heater 220 may heat the liquid in the bath 210 to 85 ° C., for example. When the liquid is heated by the heater 220, the air generator 230 is not operated. This is because a collision between the wafers W may occur due to air bubbles when the wafers W are separated from the attachment table 126.

히터(220)에 의한 가열을 실시하면, 웨이퍼(W)가 낱장씩 부착대(126)로부터 분리되어 떨어지게 된다. 즉, 본 실시예에서는 웨이퍼(W)가 접착제(125)에 의해 부착대(126)에 매달린 상태가 되므로, 배스(210) 내의 액체를 가열하면 웨이퍼(W)와 접착제(125) 사이의 접착력이 약해져서, 웨이퍼(W)는 자중에 의해 부착대(126)로부터 자유낙하 방식으로 낱장씩 떨어지게 된다. When the heating by the heater 220 is performed, the wafers W are separated from the mounting table 126 by sheets one by one. That is, in this embodiment, since the wafer W is suspended by the adhesive 125 on the mounting table 126, when the liquid in the bath 210 is heated, the adhesive force between the wafer W and the adhesive 125 is reduced. The wafer W is weakened so that the wafers W are separated from each other in the free fall manner by the self-weight.

웨이퍼(W)가 자유낙하되어 떨어질 때는 배스(210)의 바닥 또는 다른 구성요소와 부딪혀 웨이퍼(W)가 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 배스(210)의 하부에는 상기 배스(210)를 횡단하여 가이드 바(240)가 설치될 수 있다. 가이드 바(240)의 횡단 길이는 잉곳(120)의 길이 이상으로 된다. 바람직하게는, 가이드 바(240)는 잉곳(120)의 길이보다 조금 더 길게 설치된다. 가이드 바(240)는 웨이퍼의 낙하시 충격흡수가 가능한 재질, 예를 들어 테프론(teflon) 재질을 포함할 수 있다. When the wafer W falls freely and falls, the wafer W may be damaged by colliding with the bottom or other components of the bath 210. In order to prevent this, a guide bar 240 may be installed at the lower portion of the bath 210 to cross the bath 210. The transverse length of the guide bar 240 is greater than the length of the ingot 120. Preferably, the guide bar 240 is installed a little longer than the length of the ingot 120. The guide bar 240 may include a material capable of absorbing shock when the wafer falls, for example, a teflon material.

도 6을 참조하면, 가이드 바(240)는 대략 원형의 웨이퍼(W)를 충분히 지지할 수 있도록 웨이퍼(W)의 하단으로부터 약간 이격되어 하나가 설치되고, 이로부터 약간 높은 곳에 웨이퍼(W)의 양측으로 하나씩 더 설치될 수 있다. 가이드 바(240)가 설치되는 방법은 다양하게 실시될 수 있고, 이는 본 발명을 제한하지 않는다. Referring to FIG. 6, one guide bar 240 is slightly spaced from the lower end of the wafer W so as to sufficiently support the approximately circular wafer W, and the one of the guide bars 240 is slightly higher from the wafer W. It can be installed one by one on both sides. The guide bar 240 may be installed in various ways, which does not limit the present invention.

또한, 웨이퍼(W)가 접착제(125)로부터 분리되면서 다수의 웨이퍼(W)가 한쪽으로 기울어져 웨이퍼(W) 간의 충돌이 발생할 수 있다. 이러한 웨이퍼(W) 간의 충돌을 방지하기 위해, 배스(210)의 벽면(211)에는 웨이퍼 쏠림 방지대(250)가 설치될 수 있다. 웨이퍼 쏠림 방지대(250)는 가이드 바(240)가 횡단하는 방향으로 배스(210)의 벽면(211)으로부터 돌출되어 설치될 수 있다. 다수의 웨이퍼(W)는 양쪽 벽면(211)으로 모두 기울어질 수 있으므로, 웨이퍼 쏠림 방지대(250)는 배스(210)의 양쪽 벽면(211)에 서로 마주보도록 설치될 수 있다. In addition, as the wafer W is separated from the adhesive 125, the plurality of wafers W may be inclined to one side, and a collision between the wafers W may occur. In order to prevent such a collision between the wafers W, the wafer deflection prevention member 250 may be installed on the wall surface 211 of the bath 210. The wafer tip guard 250 may be installed to protrude from the wall surface 211 of the bath 210 in the direction in which the guide bar 240 traverses. Since the plurality of wafers W may be inclined to both wall surfaces 211, the wafer deflection guards 250 may be installed to face each other on both wall surfaces 211 of the bath 210.

웨이퍼(W)가 부착대(126)에서 다 떨어지면, 부착대(126)를 제거하고 웨이퍼(W)를 한 장씩 배스(210)로부터 꺼낸다. 이러한 작업은 작업자에 의해 수동으로 진행될 수 있다. When the wafer W runs out of the mounting table 126, the mounting table 126 is removed and the wafers W are removed from the bath 210 one by one. This can be done manually by the operator.

종래에는 잉곳의 세정과 웨이퍼의 분리가 각각 다른 배스에서 진행되었지만, 본 발명의 웨이퍼 분리 장치(200)는 하나의 배스(210)에서 잉곳(120)의 세정과 웨이퍼(W)의 분리가 이루어짐으로써, 장비 비용을 절감하고 공정 시간을 줄일 수 있다. 이를 위해, 웨이퍼 분리 장치(200)는 배스(210) 내에 공기방울을 발생시키기 위한 공기발생기(230)와, 배스(210) 내의 액체를 가열하기 위한 히터(220)를 포함한다. In the past, the cleaning of the ingot and the separation of the wafer were performed in different baths, but the wafer separation apparatus 200 of the present invention is cleaned of the ingot 120 and the separation of the wafer W in one bath 210. This can reduce equipment costs and reduce process time. To this end, the wafer separation apparatus 200 includes an air generator 230 for generating air bubbles in the bath 210, and a heater 220 for heating the liquid in the bath 210.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법을 나타내는 흐름도이다.  7 is a flowchart illustrating a method of producing a wafer from an ingot according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7을 참조하면, 먼저, 잉곳(120)을 접착제(125)에 의해 부착대(126)에 부착한다(S10).4 to 7, first, the ingot 120 is attached to the mounting table 126 by the adhesive 125 (S10).

다음으로, 잉곳(120)은 부착대(126)에 부착된 상태로 낱장의 웨이퍼 형태로 절단된다(S20). Next, the ingot 120 is cut in the form of a single wafer while being attached to the mounting table 126 (S20).

다음으로, 절단된 잉곳(120)을 부착대(126)가 위로 향하도록 배스(210) 내에 침지시킨다(S30). Next, the cut ingot 120 is immersed in the bath 210 so that the mounting table 126 is upward (S30).

다음으로, 배스(210) 내의 액체를 이용하여 잉곳(120)을 세정한다(S30). 이러한 세정은 복수 회 실시될 수 있다. Next, the ingot 120 is cleaned using the liquid in the bath 210 (S30). Such cleaning may be performed multiple times.

다음으로, 히터(220) 등에 의해 배스(210) 내의 액체를 가열하여 잉곳(120)과 접착제(125) 사이의 접착력을 약화시켜, 접착제(125)로부터 웨이퍼(W)를 낱장씩 자유낙하 방식으로 분리한다(S50). 이러한 방식에 의해, 웨이퍼(W)가 접착제(125)로부터 분리되었는지를 확실하게 판단할 수 있다. 따라서, 종래와 같이 웨이퍼(W)가 접착제(125)로부터 완전히 분리되지 않은 상태에서 웨이퍼(W)를 분리할 때 발생되는 웨이퍼(W)의 손상을 방지할 수 있다. Next, the liquid in the bath 210 is heated by the heater 220 or the like to weaken the adhesive force between the ingot 120 and the adhesive 125 and freely drop the wafer W from the adhesive 125 sheet by sheet. Separate (S50). In this manner, it is possible to reliably determine whether the wafer W is separated from the adhesive 125. Therefore, it is possible to prevent damage to the wafer W generated when the wafer W is separated from the wafer W in a state in which the wafer W is not completely separated from the adhesive 125 as in the related art.

다음으로, 분리된 웨이퍼(W)를 한 장씩 배스(210)로부터 꺼낸다(S60). 이러한 작업은 수동으로 이루어질 수 있다. Next, the separated wafers W are taken out from the bath 210 one by one (S60). This can be done manually.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention will be.

110 : 와이어 120 : 잉곳
125 : 접착제 126 : 부착대
127 : 마운팅 블록 131, 132 : 롤러
133 : 모터 140 : 저장탱크
141, 142 : 분사노즐 143 : 슬러리 받이
200 : 웨이퍼 분리 장치 210 : 배스
211 : 벽면 220 : 히터
230 : 공기발생기 240 : 가이드 바
250 : 웨이퍼 쏠림 방지대110: wire 120: ingot
125: adhesive 126: mounting table
127: mounting block 131, 132: roller
133: motor 140: storage tank
141, 142: injection nozzle 143: slurry receiving
200: wafer separation apparatus 210: bath
211: wall 220: heater
230: air generator 240: guide bar
250: wafer tip guard

Claims (8)

웨이퍼 분리 장치에 있어서,
액체가 수용되는 배스;
상기 액체를 가열하기 위한 히터;
상기 액체 내에 공기방울을 발생시키기 위한 공기발생기;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 분리 장치.In the wafer separation apparatus,
Baths in which liquid is contained;
A heater for heating the liquid;
An air generator for generating air bubbles in the liquid;
Wafer separation apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 배스의 하부에 배치되고 상기 배스를 횡단하는 가이드 바;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 분리 장치.The method of claim 1,
A guide bar disposed below the bath and traversing the bath;
Wafer separation apparatus further comprising a. 제2항에 있어서,
상기 가이드 바는 웨이퍼의 낙하시 충격흡수가 가능한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 분리 장치.The method of claim 2,
The guide bar is a wafer separation apparatus, characterized in that made of a material capable of absorbing shock when the wafer falls. 제2항에 있어서,
상기 배스의 벽면에서 상기 가이드 바가 횡단하는 방향으로 돌출되어 설치되는 웨이퍼 쏠림 방지대;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 분리 장치.The method of claim 2,
A wafer pulling prevention member protruding from the wall surface of the bath in a direction transversing the guide bar;
Wafer separation apparatus further comprising a. 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법에 있어서,
잉곳의 한 면을 접착제에 의해 부착대에 부착하는 단계;
상기 부착대에 부착된 잉곳을 낱장의 웨이퍼 형태로 절단하는 단계;
상기 부착대가 위로 향하도록 상기 절단된 잉곳을 액체가 수용된 배스 내에 침지시키는 단계;
상기 배스 내의 액체를 가열하여 상기 웨이퍼를 자중에 의한 자유낙하 방식으로 상기 부착대로부터 분리하는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법.In the method of producing a wafer from an ingot,
Attaching one side of the ingot to the mount with an adhesive;
Cutting the ingot attached to the mounting plate into a single wafer form;
Immersing the cut ingot in a bath containing liquid such that the mount faces up;
Heating the liquid in the bath to separate the wafer from the mount in a free-fall manner by its own weight;
Method for producing a wafer from an ingot comprising a. 제5항에 있어서,
상기 배스 내의 액체를 가열하기 전에 상기 액체에 의해 상기 절단된 잉곳을 세정하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법.The method of claim 5,
Cleaning the cut ingot with the liquid before heating the liquid in the bath;
Method for producing a wafer from the ingot further comprising a. 제6항에 있어서,
상기 세정하는 단계에서는 상기 배스 내에 공기방울을 일으켜서 상기 절단된 잉곳을 세정하는 것을 특징으로 하는 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법.The method of claim 6,
And in the cleaning step, bubbles are generated in the bath to clean the cut ingot. 제5항에 있어서,
탄성재질의 가이드 바에 의해 상기 자유낙하되는 상기 웨이퍼를 지지하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 잉곳으로부터 웨이퍼를 생산하는 방법.The method of claim 5,
Supporting the free-falling wafer by an elastic guide bar;
Method for producing a wafer from the ingot further comprising a.
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