KR20080063091A - Method for cleaning of solacell substrate - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000010730 cutting oil Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 10
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
Description
본 발명은 태양전지용 기판 세정 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 슬라이싱된 기판을 분리하여 이송하지 않고, 슬라이싱기에 안착된 상태로서 곧바로 세정공정을 진행함으로써 중간 취급 과정에서 기판이 깨지거나 다른 오염원에 의해 오염되는 것을 해결하여 기판 수율을 높일 수 있는 태양전지용 기판 세정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for cleaning a substrate for a solar cell, and more particularly, the substrate is broken or other contaminated sources during the intermediate handling process by proceeding the cleaning process as it is seated in the slicing machine without separating and transferring the sliced substrate. The present invention relates to a method for cleaning a substrate for a solar cell, which solves contamination and increases a substrate yield.
태양전지용 기판으로 활용하기 위해서는 잉곳상으로부터 박편을 제조하기 위한 슬라이싱 공정이 필수적으로 요구된다. 이러한 슬라이싱 공정에서는 절삭기(슬라이싱기)의 절삭날이 잉곳과 접촉할 때, 효과적으로 절삭될 수 있도록 절삭유를 사용하고 있다. 이러한 절삭유는 지용성과 수용성으로 구분되어 사용되고 있다. 그러나, 최근에는 환경 문제 등으로 인하여 지용성 절삭유보다는 수용성 절삭유가 선호되어 사용되고 있다.In order to utilize as a substrate for a solar cell, a slicing process for manufacturing flakes from an ingot is essential. In this slicing process, cutting oil is used so that the cutting edge of the cutting machine (slicing machine) can be effectively cut when it comes into contact with the ingot. These cutting oils are classified and used in fat-soluble and water-soluble. However, recently, water-soluble cutting oils are preferred and used rather than fat-soluble cutting oils due to environmental problems.
그런데, 이러한 절삭유는 슬라이싱된 기판 표면에 잔류하게 되며, 절삭과정에 사용된 슬러리가 기판 표면에 들러붙는 현상이 발생되기도 한다. 따라서, 이들 슬라이싱된 기판 표면에 잔류하는 여러 오염물질을 제거하는 세정 작업을 진행하여 야 태양전지용 기판으로 사용될 수 있다. 만일, 이러한 세정 작업이 불충분하게 이루어진 상태에서 태양전지용 기판에 사용되면 태양전지의 성능 저하를 일으키는 중대한 요인으로 작용하게 된다. 따라서, 슬라이싱 공정이 진행된 후, 슬라이싱된 기판에 대한 세정 작업은 필수적으로 요구되고 있다. 특히, 기판이 박형화됨에 따라, 슬라이싱된 기판과 인접된 기판 사이에 보다 많은 슬러리가 잔류하게 되고, 기판 표면에도 오염물질이 들러붙어 얼룩이 형성되기도 한다. 한편, 이러한 얼룩은 태양전지 제조 공정 중 반사방지막을 처리하는 경우 색상 변화를 일으키는 원인으로 작용하여, 궁극적으로 태양전지의 품질이 저하되어 바람직하지 못하다.However, the cutting oil remains on the surface of the sliced substrate, and the slurry used in the cutting process may stick to the surface of the substrate. Therefore, the cleaning operation to remove various contaminants remaining on the surface of these sliced substrates can be used as a substrate for night solar cells. If the cleaning operation is used in a solar cell substrate in an insufficient state, it may act as a significant factor causing the degradation of the solar cell. Therefore, after the slicing process is performed, the cleaning operation on the sliced substrate is indispensable. In particular, as the substrate becomes thinner, more slurry remains between the sliced substrate and the adjacent substrate, and contaminants may adhere to the substrate surface to form stains. On the other hand, such stains cause color changes when the anti-reflection film is treated in the solar cell manufacturing process, ultimately deteriorate the quality of the solar cell is undesirable.
한편, 슬라이싱된 기판에 대해 후속의 세정 공정 등을 진행하기 위한 중간 취급 과정에서 슬라이싱기로부터 기판 하나 하나를 분리하여 도 1에 나타나 있는 카세트 등에 기판을 탑재하여 운반 등의 중간 취급과정을 진행한다.On the other hand, in the middle of the handling process for the subsequent cleaning process, etc. for the sliced substrate to remove the substrate from the slicing machine to mount the substrate in a cassette or the like shown in Figure 1 to proceed with the intermediate handling process.
그러나, 그 취급과정에서 기판이 쉽게 깨지거나 추가적인 오염에 노출될 수 있으며, 기판 하나 하나를 카세트 등에 이송하는 작업 등을 행해야 하므로 잉곳 하나당의 기판 수가 수백 매인 경우에는 작업 효율성이 떨어지는 단점이 지적되고 있다. 또한, 기판이 박형화됨에 따라 중간 취급상의 손상율이 더욱 증대될 수 있으므로, 이러한 중간 취급과정에서의 여러 문제를 효과적으로 해결하여야 할 필요성이 제기되고 있다.However, in the handling process, the substrate may be easily broken or exposed to additional contamination, and the operation of transferring the substrate to a cassette, etc., must be performed. Therefore, when the number of substrates per ingot is several hundred sheets, the working efficiency is inferior. . In addition, as the substrate becomes thinner, the damage rate in the intermediate handling may be further increased, thereby raising the need to effectively solve various problems in the intermediate handling process.
현재까지, 슬라이싱된 기판의 취급과정에서 발생될 수 있는 기판의 깨짐이나 오염 문제를 최소화하면서도 작업효율을 높이고, 슬라이싱 과정에서 발생되는 슬러리나 얼룩 등을 기판으로부터 효과적으로 제거하기 위한 노력이 관련 업계에서 꾸 준히 진행되어 왔다. 이와 같이 본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 안출되었다.To date, efforts have been made in the industry to improve the work efficiency while minimizing the problem of cracking or contamination of substrates that may occur during the handling of sliced substrates and to effectively remove slurries and stains generated during slicing from substrates. It has been progressing. Thus, the present invention has been devised under the above technical background.
전술한 바와 같이, 슬라이싱된 기판에는 각종 오염물질이 잔류하거나 얼룩이 발생할 수 있으므로 이를 제거하기 위한 세정 공정이 필요하다. 그런데, 이러한 세정 공정을 진행하기 위해 카세트와 같은 기판 운반 수단을 통해 이송하여 별도의 세정 시스템에 탑재한 후 세정 공정을 진행하기 위한 중간 취급 과정에서 박편화된 기판이 쉽게 깨지거나 추가적인 오염이 발생할 수 있는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판의 중간 취급과정에서 발생될 수 있는 기판의 오염이나 파손 등의 발생을 최소화하고, 기판에 잔류하는 오염을 효과적으로 제거하는 데에 있다. 본 발명은 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 태양전지용 기판 세정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.As described above, since various contaminants may remain or stain on the sliced substrate, a cleaning process for removing the sliced substrate is required. However, in order to proceed with this cleaning process, the substrate may be transported through a substrate transporting means such as a cassette, mounted in a separate cleaning system, and then the flaky substrate may be easily broken or further contamination may occur during an intermediate handling process for the cleaning process. Problems can arise. Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to minimize the occurrence of contamination or damage of the substrate that can occur during the intermediate handling of the substrate, and to effectively remove the contamination remaining on the substrate. An object of the present invention is to provide a method for cleaning a substrate for a solar cell that can achieve such a technical problem.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제의 달성을 위해 제공되는 본 발명에 따른 태양전지용 기판 세정 방법은, (S11) 태양전지 기판 제조용 잉곳을 슬라이싱기에 매달린 상태로 장착시킨 후, 절삭유를 공급하면서 슬라이싱(Slicing) 공정을 진행하여 수직 하방으로 평행하게 매달린 상태의 복수 개의 박편화된 기판을 세정기 내에 거치시키는 단계; (S12) 상기 수직으로 거치된 박편화된 기판의 슬라이싱된 면 상에 잔존하는 절삭유를 제거하는 단계; (S13) 상기 박편화된 기판의 표면의 세정력 향상을 위해 그 표면에 활성을 부여하기 위한 처리를 단계; 및 (S14) 상기 표면 활성화된 기판에 대해 화학적 에칭을 진행하는 단계;를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 한다.The solar cell substrate cleaning method according to the present invention provided for achieving the technical problem to be achieved by the present invention, (S11) after mounting the ingot for manufacturing a solar cell substrate suspended in the slicing machine, slicing (Slicing) while supplying cutting oil Carrying out the process and placing the plurality of flaky substrates in a state suspended in parallel in a vertical downward direction in a scrubber; (S12) removing the cutting oil remaining on the sliced surface of the vertically mounted flaky substrate; (S13) processing to impart activity to the surface of the surface of the flaky substrate to improve cleaning power; And (S14) performing chemical etching on the surface activated substrate.
상기 (S11)단계에서 사용된 절삭유는, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 또는 폴리프로필렌글리콜(PPG)이면 바람직하다. 상기 (S12)단계는, 2 내지 3 kgf/㎠의 압력을 갖는 순수(DI)를 상기 수직으로 거치된 박편화된 기판의 상부에서 하방으로 분사하여 진행하는 스프레이 방법, 수중에서 하부로부터 공기주입을 이용한 버블링(bubbling) 방법, 및 상기 세정기 내부에 거치된 상기 박편화된 기판을 교반하는 방법 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 방법을 이용하여 진행되면 바람직하다. 상기 (S13)단계는, 실리콘 성분을 포함하는 알카리성 계면활성제를 40 내지 80℃의 온도 조건하에서 상기 박편화된 기판 표면에 처리하는 방법으로 진행하면 바람직하다. 상기 (S14)단계의 화학적 에칭은, 5 내지 80 중량%의 수산화나트륨, 10 내지 13중량%의 과산화수소, 및 나머지 함량의 순수(DI water)를 포함하여 이루어진 에칭액을 이용하여 진행하면 바람직하다.The cutting oil used in the step (S11) is preferably polyethylene glycol (PEG) or polypropylene glycol (PPG). In the step (S12), the spray method proceeds by spraying pure water (DI) having a pressure of 2 to 3 kgf / ㎠ from the upper side of the vertically mounted flaky substrate, air injection from the bottom in water It is preferable to proceed using one or two or more methods selected from a bubbling method used and a method of stirring the flaky substrate placed inside the cleaner. The step (S13) is preferably carried out by a method of treating an alkaline surfactant containing a silicon component on the surface of the flaky substrate under a temperature condition of 40 to 80 ° C. The chemical etching of step (S14) is preferably performed using an etching solution containing 5 to 80% by weight of sodium hydroxide, 10 to 13% by weight of hydrogen peroxide, and the remaining amount of pure water (DI water).
본 발명에 따르면, 태양전지용 기판을 슬라이싱한 후, 곧바로 그 상태 그대로 세정 공정을 진행함으로써 기판의 중간 취급과정에서 발생될 수 있는 기판 깨짐이나 추가적인 오염의 문제를 최소화시킬 수 있으며, 기판 사이에 존재하는 슬러리와 기판 면 상의 각종 얼룩을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, after slicing the solar cell substrate, the cleaning process is performed as it is, thereby minimizing the problem of substrate cracking or additional contamination that may occur during intermediate handling of the substrate. There is an advantage that can effectively remove various stains on the surface of the slurry and the substrate.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, and detailed description will be made with reference to the accompanying drawings in order to help understanding of the present invention. However, embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.
도 2는 본 발명에 따르는 태양전지용 기판을 슬라이싱한 후 그 상태로서 세정공정을 진행하는 장치에 관한 사진이며, 도 3은 본 발명에 따르는 태양전지용 기판을 세정하는 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.FIG. 2 is a photograph of an apparatus for performing a cleaning process after slicing a solar cell substrate according to the present invention, and FIG. 3 is a process flowchart for explaining a method for cleaning the solar cell substrate according to the present invention.
도 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명은 태양전지 기판 제조용 잉곳을 슬라이싱 한 후, 이를 별도의 수단, 예컨대 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 기판 카세트 등에 수납하여 별도의 세정장치로 운반하여 세정하는 것이 아니라, 태양전지 기판 제조용 잉곳에 대한 슬라이싱이 이루어진 그 상태에서 곧바로 세정작업이 진행되도록 하는 데에 특징이 있다. 이러한 공정 단순화를 통해서, 실리콘 기판으로부터 슬라이싱시 사용된 절삭유를 제거하기 위한 별도의 세정 시스템 내로 운반하거나 취급하는 과정에서 발생되는 기판의 깨짐이나 기타의 오염 등의 문제를 해소될 수 있으므로, 기판 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 특히, 실리콘 기판이 박형화됨에 따라, 중간 취급 과정에서의 수율 저하의 여러 요인이 개입될 수 있는 바, 공정이나 취급의 단순화를 통해 원천적으로 이러한 문제를 해결할 수 있고, 작업 효율이 향상되는 장점을 갖고 있다.As can be seen through Figure 2, the present invention, after slicing the ingot for manufacturing a solar cell substrate, as described with reference to a separate means, for example, as shown in FIG. Rather than cleaning, it is characterized in that the cleaning operation proceeds immediately in the state where the slicing of the solar cell substrate manufacturing ingot is made. This process simplification eliminates problems such as cracking of the substrate and other contaminants generated during transport or handling into a separate cleaning system for removing the cutting oil used for slicing from the silicon substrate, thereby improving substrate yield. There is an advantage that can be improved. In particular, as the silicon substrate is thinned, various factors of yield reduction during the intermediate handling process may be involved, and this problem can be solved at the source by simplifying the process or handling, and the work efficiency is improved. have.
도 3에 도시된 바를 참조하면, 먼저 태양전지 기판 제조용 잉곳을 슬라이싱기에 매달린 상태로 장착시킨 후, 절삭유를 공급하면서 슬라이싱(Slicing) 공정을 진행하여 수직 하방으로 평행하게 매달린 상태의 복수 개의 박편화된 기판을 세정기 내에 거치시키는 단계(S11), 상기 수직으로 거치된 박편화된 기판의 슬라이싱된 면 상에 잔존하는 절삭유를 제거하는 단계(S12), 상기 박편화된 기판의 표면의 세정력 향상을 위해 그 표면에 활성을 부여하기 위한 처리를 단계(S13), 및 상기 표면 활성화된 기판에 대해 화학적 에칭을 진행하는 단계(S14)를 포함하여 진행한다.Referring to FIG. 3, first, the ingot for manufacturing a solar cell substrate is mounted in a state of being suspended in a slicing machine, and then a plurality of flaky pieces are suspended in parallel in a vertically downward direction by proceeding a slicing process while supplying cutting oil. Mounting the substrate in the scrubber (S11), removing the cutting oil remaining on the sliced surface of the vertically mounted flaky substrate (S12), and improving the cleaning power of the surface of the flaky substrate. A process for imparting activity to the surface is performed including step S13, and step S14 of chemically etching the surface activated substrate.
상기 (S11)단계에서 사용된 절삭유는, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 또는 폴리프로필렌글리콜(PPG)이면 바람직하며, 본 발명에 따른 실시예에서는 폴리에틸렌글리콜(PEG)을 사용하였다.The cutting oil used in the step (S11) is preferably polyethylene glycol (PEG) or polypropylene glycol (PPG), and in the embodiment according to the present invention, polyethylene glycol (PEG) was used.
상기 (S12)단계는, 2 내지 3 kgf/㎠의 압력을 갖는 순수(DI)를 상기 수직으로 거치된 박편화된 기판의 상부에서 하방으로 분사하여 진행하는 스프레이 방법, 수중에서 하부로부터 공기 주입을 이용한 버블링(bubbling) 방법, 및 세정기 내부에 거치된 상기 박편화된 기판을 교반하는 방법 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 방법으로 진행하면, 상기 박편화된 기판의 슬라이싱된 면 상에 잔존하는 절삭유를 효과적으로 제거할 수 있어 바람직하다. 본 발명에 따른 실시예에서는 폴리에틸렌글리콜(PEG) 절삭유를 적용하여 기판을 슬라이싱 하였으며, 이후 상기 제정을 위한 순수(DI)의 분사압력은 2kgf/㎠인 상태에서 절삭유를 제거하는 공정을 진행하였다. 상기 세정을 위한 분사 압력에 대한 수치범위와 관련하여, 상기 하한에 미달하면 절삭유의 세정효과가 충분하게 이루어지 않아 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 박편화된 기판에 물리적인 충격이 가해져서 물리적 손상이 발생될 수 있으므로 바람직하지 못하다. 상기 (S11)단계 이후에 박편화된 기판을 슬라이싱기로부 터 분리하지 않은 상태에서 연속적으로 상기 (S12)단계를 진행함으로써 종래와 같이, 별도의 카세트 방식을 이용한 세정 방법에서 발생되는 제문제를 해결할 수 있는 장점을 갖는다.The step (S12) is a spray method of spraying pure water (DI) having a pressure of 2 to 3 kgf / cm 2 downward from the upper portion of the vertically mounted flaky substrate, air injection from the bottom in water Proceeding with one or two or more of the selected bubbling method and the method of stirring the flaky substrate placed inside the scrubber, the cutting oil remaining on the sliced surface of the flaky substrate can be effectively removed. It is preferable to be able to remove. In the embodiment according to the present invention, the polyethylene glycol (PEG) cutting oil was applied to slicing the substrate, and then the cutting pressure of the pure water (DI) for the preparation was performed to remove the cutting oil in a state of 2 kgf / cm 2. Regarding the numerical range for the injection pressure for the cleaning, if the lower limit is lower than the lower limit, the cleaning effect of the cutting oil is not sufficient, and if the upper limit is exceeded, the physical impact is exerted on the exfoliated substrate. It is undesirable because damage can occur. After the step (S11) to proceed with the step (S12) in a continuous state without separating the flaky substrate from the slicing machine to solve the problem caused in the cleaning method using a separate cassette method as in the prior art Has the advantage.
상기 (S13)단계는, 실리콘(Si) 성분을 포함하는 알카리성 계면활성제를 상기 박편화된 기판 표면에 처리하는 방법으로 진행하면 상기 박편화된 기판 표면이 활성화되어 세정력이 향상될 수 있어 바람직하다. 이때, 상기 알카리성 계면활성제는 수산화나트륨(NaOH)계, 수산화칼륨(KOH)계 등이 이용될 수 있으며, 이들 알카리성 계면활성제의 농도가 10 내지 50 중량%인 물질이면 바람직하며, 본 발명에 따른 실시예에서는 그 농도가 20중량%인 수산화나트륨(NaOH)인 물질이 이용되었다.In the step (S13), when the alkaline surfactant including a silicon (Si) component is treated to the flaky substrate surface, the flaky substrate surface may be activated to improve cleaning power. At this time, the alkaline surfactant may be used sodium hydroxide (NaOH) -based, potassium hydroxide (KOH) -based, etc., the concentration of these alkaline surfactant is preferably 10 to 50% by weight of the material, according to the present invention In the example, a substance with sodium hydroxide (NaOH) having a concentration of 20% by weight was used.
상기 (S14)단계의 화학적 에칭은, 5 내지 80 중량%의 수산화나트륨, 10 내지 13중량%의 과산화수소, 및 나머지 함량의 순수(DI water)를 포함하여 이루어진 에칭액을 이용하여 진행하면 기판 표면에 발생한 얼룩을 효과적으로 제거할 수 있어 바람직하며, 본 발명에 따른 실시예에서는 45 중량%의 수산화나트륨, 10 중량%의 과산화수, 및 나머지 함량의 순수로 이루어진 에칭액이 이용되었다.The chemical etching of the step (S14) is generated on the surface of the substrate when proceeding with an etching solution containing 5 to 80% by weight of sodium hydroxide, 10 to 13% by weight of hydrogen peroxide, and the remaining amount of pure water (DI water) It is preferable that the stain can be effectively removed, and in the embodiment according to the present invention, an etching solution composed of 45 wt% sodium hydroxide, 10 wt% water peroxide, and the remaining amount of pure water was used.
상기 에칭액에 포함되는 수산화나트륨의 함량에 대한 수치범위와 관련하여, 상기 하한에 미달하면 실리콘 기판 표면을 효과적으로 에칭시키지 못하여 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 실리콘 기판 표면이 과에칭되어 얼룩이 발생할 수 있으므로 바람직하지 못하다. 상기 에칭액에 포함되는 과산화수소의 함량에 대한 수치범위와 관련하여 상기 하한에 미달하면 에칭액이 충분하게 섞이지 못하여 바람직하지 못하며, 상기 상한을 초과하면 기판 표면이 과도하게 활성화되어 바람 직하지 못하다.Regarding the numerical range of the amount of sodium hydroxide contained in the etching solution, if the lower limit is not reached, the surface of the silicon substrate may not be etched effectively, and if the upper limit is exceeded, the surface of the silicon substrate may be overetched to cause staining. Not desirable If the lower limit is reached in relation to the numerical range of the hydrogen peroxide content contained in the etching solution, the etching solution is not sufficiently mixed, and if the upper limit is exceeded, the surface of the substrate is excessively activated, which is not preferable.
도 4는 기판에 대한 세정 공정이 충분하게 이루어지지 않아 표면에 얼룩이 형성된 것을 나타낸 사진이며, 도 5는 도 4에 나타나 있는 기판 표면의 얼룩이 본 발명에 따른 화학적 에칭을 진행하여 효과적으로 진행된 결과를 나타내는 사진이다.Figure 4 is a photograph showing that the stain is formed on the surface is not a sufficient cleaning process for the substrate, Figure 5 is a photograph showing the result of the stain progression of the substrate surface shown in Figure 4 effectively proceeded by the chemical etching according to the present invention to be.
도 4에 제시된 사진에서 확인할 수 있는 바와 같이, 기판의 슬라이싱 및 세정공정을 일부 진행하더라도 얼룩이 형성될 수 있으나, 전술한 바에 따르는 상기 (S14)단계의 화학적 에칭을 진행하게 되면 도 5에 제시된 사진과 같이 기판 표면에 형성된 얼룩이 깔끔하게 제거할 수 있다.As can be seen in the photograph shown in Figure 4, even if the slicing and cleaning process of the substrate may be a part of the stain may be formed, if the chemical etching of the step (S14) according to the above-described as shown in Figure 5 and Likewise, stains formed on the surface of the substrate can be neatly removed.
이상에서 설명된 본 발명의 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 당업자에게 본 발명을 상세히 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위해 사용된 것이 아니다.Optimal embodiments of the present invention described above have been disclosed. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention in detail to those skilled in the art and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.The following drawings attached to this specification are illustrative of preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the invention to serve to further understand the technical spirit of the present invention, the present invention is a matter described in such drawings It should not be construed as limited to.
도 1은 종래의 방법에 따라 슬라이싱된 기판이 중간 취급하기 위한 카세트에 탑재된 것을 나타내는 사진이다.1 is a photograph showing that a sliced substrate is mounted in a cassette for intermediate handling according to a conventional method.
도 2는 본 발명에 따르는 태양전지용 기판을 슬라이싱한 후, 그 상태로서 곧바로 세정 공정을 진행하는 장치에 관한 사진이다.2 is a photograph of an apparatus for performing a cleaning process immediately after slicing a substrate for a solar cell according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따르는 태양전지용 기판을 세정하는 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.3 is a process flowchart for explaining a method for cleaning a substrate for a solar cell according to the present invention.
도 4는 기판에 대한 세정 공정이 충분하게 이루어지지 않아 표면에 얼룩이 형성된 것을 나타낸 사진이다.4 is a photograph showing that a stain is formed on the surface because the cleaning process for the substrate is not made sufficiently.
도 5는 도 4에 나타나 있는 기판 표면의 얼룩이 본 발명에 따른 화학적 에칭을 진행하여 효과적으로 진행된 결과를 나타내는 사진이다.FIG. 5 is a photograph showing a result of the staining of the surface of the substrate shown in FIG. 4 by the chemical etching according to the present invention.
Claims (5)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/005,664 US20080202551A1 (en) | 2006-12-29 | 2007-12-27 | Method for cleaning solar cell substrates |
| JP2007337076A JP2008166804A (en) | 2006-12-29 | 2007-12-27 | Method of cleaning substrate for solar cell |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20060138081 | 2006-12-29 | ||
| KR1020060138081 | 2006-12-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080063091A true KR20080063091A (en) | 2008-07-03 |
Family
ID=39611782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070133542A KR20080063091A (en) | 2006-12-29 | 2007-12-18 | Method for cleaning of solacell substrate |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20080063091A (en) |
| CN (1) | CN101211995A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101238923B1 (en) * | 2011-05-11 | 2013-03-06 | 주식회사 듀라소닉 | Solar wafer cleaning apparatus and method using two-fluid jet |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102154711A (en) * | 2010-12-31 | 2011-08-17 | 百力达太阳能股份有限公司 | Monocrystal silicon cleaning liquid and precleaning process |
| CN102719896A (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-10 | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 | Monocrystalline silicon wafer pre-cleaning method |
| TWI528877B (en) * | 2013-11-08 | 2016-04-01 | 長興材料工業股份有限公司 | Passivation composition and its application |
-
2007
- 2007-12-18 KR KR1020070133542A patent/KR20080063091A/en not_active Application Discontinuation
- 2007-12-28 CN CNA2007103060926A patent/CN101211995A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101238923B1 (en) * | 2011-05-11 | 2013-03-06 | 주식회사 듀라소닉 | Solar wafer cleaning apparatus and method using two-fluid jet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101211995A (en) | 2008-07-02 |
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