JP2000233354A - Wafer notch polishing device - Google Patents

Wafer notch polishing device

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JP2000233354A
JP2000233354A JP11036956A JP3695699A JP2000233354A JP 2000233354 A JP2000233354 A JP 2000233354A JP 11036956 A JP11036956 A JP 11036956A JP 3695699 A JP3695699 A JP 3695699A JP 2000233354 A JP2000233354 A JP 2000233354A
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JP
Japan
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polisher
polishing
wafer
shaped
disk
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP11036956A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Kiyono
敏廣 清野
Tsukasa Taniwaki
吏 谷脇
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SpeedFam-IPEC Co Ltd
Original Assignee
SpeedFam-IPEC Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device suppressing the occurrence of linear scratch effectively in polishing of a notch formed in a peripheral edge of the outer periphery of a semiconductor wafer such as a silicon wafer. SOLUTION: In a device which is provided with a means 3 fixing a semiconductor wafer 1 such as a silicon wafer and a discoidal polisher 5 orthogonally crossing the semiconductor wafer fixed by the fixing means and polishing- machines a notch part while rotating and supplying component slurry for polishing by bringing the discoidal polisher into contact with the notch provided in the outer periphery of the wafer, either or both of a brushlike dresser 6 and a discoidal polisher purifying means consisting of a high pressure water injection device are attached to an outer periphery of the discoidal polisher.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の外周の周縁部に形成されたノッチ部のポリッシング加
工を行なう装置に係わり、特に詳しくは、ノッチ部のポ
リッシング加工を行なうディスク状ポリッシャーの浄化
装置を備えたウェーハノッチ部のポリッシング加工装置
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for polishing a notch formed on an outer peripheral portion of a semiconductor wafer or the like, and more particularly, to cleaning a disk-shaped polisher for polishing a notch. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer notch polishing apparatus provided with an apparatus.

【0002】[0002]

【従来技術】従来、IC、LSI、VLSI等、半導体
を用いた集積回路の原材料となるシリコンウェーハ等の
極めて高い平面度や平行度が特に要求される板状の材料
の製造工程の中において精緻な寸法精度と形状精度を得
るための平面加工は、回転可能な定盤、あるいは表面に
ポリッシングパッドを貼付した回転可能な定盤によるラ
ッピングあるいはポリッシング加工機によって行なわれ
るが、単結晶であるウェーハにはその結晶方向を示すた
めに必らずオリエンテーションフラット、あるいはノッ
チ部が形成されている。特に、近年は、製品の収率や歩
留まりを上げるためにウェーハ表面積のロスの少ないノ
ッチ部が形成されることが多い。
2. Description of the Related Art Heretofore, in the manufacturing process of a plate-like material, such as a silicon wafer, which is a raw material of an integrated circuit using a semiconductor such as an IC, an LSI, a VLSI, etc., which is required to have extremely high flatness and parallelism, a precision is required. Planar processing to obtain accurate dimensional accuracy and shape accuracy is performed by a lapping or polishing machine using a rotatable surface plate or a rotatable surface plate with a polishing pad attached to the surface. Is necessarily formed with an orientation flat or a notch to indicate the crystal direction. In particular, in recent years, a notch portion with a small loss of the wafer surface area is often formed in order to increase the product yield and the yield.

【0003】ノッチ部はウェーハの最外周周縁のエッジ
部分に形成された小さい切り込み状の部分であり、U字
形の形状のもの、およびV字形の形状のものの2通りの
ものがある。シリコンウェーハ等の加工においては、そ
の表面部分の加工とともにその周縁のエッジ部分も、チ
ッピング防止やダスト等の巻き込みを防止することを目
的として、鈍角を持つように、または円弧状のプロファ
イルを持つように面取りされた上、鏡面加工が施され
る。特に、IC、LSIあるいはVLSI等の小型化や
高集積化といった傾向やエピタキシャル技術の拡大か
ら、シリコンウェーハ自体の仕上がり面精度の向上のみ
ならず、シリコンウェーハの最外周部である周縁エッジ
部分及びそれに連続したノッチ部への仕上がり精度の向
上要求も顕著である。
The notch is a small cut-out portion formed at the edge of the outermost peripheral edge of the wafer, and there are two types, a U-shaped shape and a V-shaped shape. In the processing of silicon wafers and the like, along with the processing of the surface portion, the peripheral edge portion also has an obtuse angle, or has an arc-shaped profile, for the purpose of preventing chipping and preventing entrainment of dust and the like. And mirror-finished. In particular, due to the trend toward miniaturization and high integration of ICs, LSIs, VLSIs, and the like, and the expansion of epitaxial technology, not only the improvement of the finished surface accuracy of the silicon wafer itself, but also the peripheral edge portion, which is the outermost peripheral portion of the silicon wafer, and the There is also a remarkable demand for improved finishing accuracy for continuous notches.

【0004】シリコンあるいはその他の化合物半導体の
単結晶のインゴッドからスライスされたウェーハは、ラ
ッピング、エッチング更にはポリッシングという工程を
経て、少なくともその片面が鏡面仕上げされた鏡面ウェ
ーハに加工され、その後のデバイス工程にてその鏡面に
微細な電気回路が書き込まれて行く。複雑かつ緻密な電
気回路が書き込まれ、半導体素子チップに分割されるま
ではウェーハは最初の円板状の形状を保ったまま加工さ
れるのであり、各加工工程の間には洗浄、乾燥、搬送な
どの一連の操作が入る。その間、ウェーハの最外周側面
すなわち周縁部のエッジの形状が切り立ったままでかつ
未加工の粗な状態の面であると、そこが各工程中に装置
や他物体と接触し微小破壊(チッピング)が起こり微細
粒子が発生したり、また、その粗な状態の表面形状の中
に汚染粒子を巻き込み、その後の工程でそれが散逸して
精密加工を施した面を逆汚染し製品の歩留まりや品質に
大きな影響を与えたりすることが多い。これを防止する
ために、ウェーハ加工の初期の段階でこのエッジ部分の
面取りを行ない更にその部分を鏡面仕上げすることが一
般に行なわれている。この品質上の要求は、ノッチ部分
についても同様であり、この部分についてもエッジ部分
と同等のレベルで鏡面仕上げすることが今後必要とな
る。
A wafer sliced from a single crystal ingot of silicon or another compound semiconductor is processed into a mirror-finished wafer having at least one surface mirror-finished through lapping, etching, and polishing steps, followed by device processing. Then, a fine electric circuit is written on the mirror surface. Until a complicated and dense electric circuit is written and divided into semiconductor element chips, the wafer is processed while maintaining the initial disk shape, and cleaning, drying, and transporting between each processing step A series of operations such as enter. In the meantime, if the outermost peripheral surface of the wafer, that is, the surface of the edge of the peripheral portion is steep and unprocessed and is in a rough state, it comes into contact with equipment and other objects during each process, causing micro-destruction (chipping). Fine particles are generated, and contaminant particles are entangled in the rough surface shape, and in the subsequent process, they dissipate and reverse-contaminate the precision-processed surface, resulting in reduced product yield and quality. It often has a significant effect. In order to prevent this, it is a common practice to chamfer the edge portion at an early stage of wafer processing and further mirror-finish the edge portion. This quality requirement is the same for the notch portion, and it is necessary to mirror-finish this portion at the same level as the edge portion.

【0005】エッジ部分のポリッシング装置としては例
えば、特開昭64−71656号公報あるいは特開平1
−171656号公報に示すような、ポリッシングパッ
ドを貼付した回転ドラム上に研磨用組成物の液を供給し
つつウェーハエッジ部分を押圧回転して加工を行なう方
法を上げることができ、また、ノッチ部分の加工は例え
ば特開平8−168947号公報に示すような装置を用
いることにより行なうことができる。即ち、上述のノッ
チ部分のポリッシング装置は、エッジポリッシング装置
の中に組み込まれてなり、加工途中にウェーハの回転を
止め、その部分に回転するディスク状ポリッシャーを押
しあて研磨剤を供給しながらポリッシングを行なうこと
を特徴とするものである。
As a polishing apparatus for the edge portion, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No.
No. 171656, a method of pressing and rotating a wafer edge portion while supplying a polishing composition liquid onto a rotating drum to which a polishing pad is attached, and performing processing by notching, Can be performed, for example, by using an apparatus as disclosed in JP-A-8-168947. That is, the above-described notch portion polishing device is incorporated in an edge polishing device, stops the rotation of the wafer during processing, presses the rotating disk-shaped polisher to that portion, and performs polishing while supplying an abrasive. It is characterized by performing.

【0006】ここで用いられるディスク状ポリッシャー
とは、例えば合成繊維や天然繊維を原材料としそれをフ
ェルト状の不織布に仕立てたもの、あるいはそれを布帛
状にし積層したもの、更にはそれらの樹脂処理品、合成
樹脂の軟質成形品あるいはその複合品等が使用される。
このような方式のポリッシング方法によれば、ノッチ部
分はポリッシングされ鏡面になるが、加工方向に沿って
頻度高く線状の傷が発生することがある。上述の線状傷
の発生頻度は著しい場合は50%を越える場合もあり、
その傷部分に汚染粒子が巻き込まれ、その後の工程でそ
の汚染物質が散逸して鏡面加工を施した面を逆汚染し製
品の歩留まりや品質に大きな影響を与えることが多い。
このような好ましからざる現象を未然に防止するために
も、ノッチ部分の加工状態はエッジ部分の加工と同等の
レベルまでにすることが必要であり、異常傷の発生を避
けねばならない。
[0006] The disc-shaped polisher used herein is, for example, a synthetic fiber or a natural fiber as a raw material, which is made into a felt-like non-woven fabric, or a cloth-like laminate thereof, or a resin-treated product thereof. A soft molded product of a synthetic resin or a composite product thereof is used.
According to such a polishing method, the notch portion is polished to a mirror surface, but linear scratches may frequently occur along the processing direction. The frequency of occurrence of the above-mentioned linear scratches may be more than 50% in a remarkable case,
Contaminant particles are entangled in the scratched part, and the contaminants are dissipated in a subsequent step, and reversely contaminate the mirror-finished surface, which greatly affects the yield and quality of the product.
In order to prevent such undesired phenomena beforehand, it is necessary to process the notch portion to the same level as that for processing the edge portion, and it is necessary to avoid the occurrence of abnormal scratches.

【0007】本発明者等は、ノッチ部分のポリッシング
において頻度高く発生する線状傷の要因について、鋭意
解析を行なった結果、以下の点にその原因があることを
見出したものである。即ち、ノッチ部分に線状傷の発生
した際に使用したディスク状ポリッシャーを顕微鏡で仔
細に観察した所、その組織に微細な異物が付着してお
り、これがポリッシング時に線状傷を発生させる主要因
となっている。この微細な異物は微小なシリコンの破砕
片であり、これはノッチ部分のポリッシングを行なう際
に、ノッチ部分から発生しポリッシャー組織に付着した
もの、更にはノッチ部形成の際のダイヤモンド研削によ
り発生するクラック残痕がポリッシャー組織に付着した
ものであることが判明した。前述の如く、ディスク状ポ
リッシャーは不織布あるいは布帛等の積層体であるた
め、その構造は微細な繊維が交絡した複雑なものであ
り、付着した微小なシリコンの破砕片は、容易なことで
は離脱できず、上述のような線状傷の要因となるのであ
る。
The present inventors have conducted intensive analysis on the causes of linear flaws that frequently occur in polishing of the notch portion, and have found that the causes are as follows. That is, when the disk-shaped polisher used when a linear scratch was generated at the notch portion was observed finely with a microscope, fine foreign matter was attached to the tissue, and this was the main factor that caused a linear scratch during polishing. It has become. This fine foreign matter is fine silicon crushed pieces, which are generated from the notch portion and adhered to the polisher structure when polishing the notch portion, and further generated by diamond grinding when forming the notch portion. It was found that the crack residue was attached to the polisher tissue. As described above, since the disc-shaped polisher is a laminate of a nonwoven fabric or a cloth, the structure is a complicated structure in which fine fibers are entangled, and the crushed pieces of attached silicon can be easily separated. Instead, it causes linear scratches as described above.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述の問題点の解決の
ために、本発明者等は鋭意研究を行ない本発明になるポ
リッシング加工装置を開発するに至ったものであり、そ
の目的とする所は、異常な線状傷を発生させることのな
いウェーハノッチ部のポリッシング加工装置を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive research and have developed a polishing apparatus according to the present invention. An object of the present invention is to provide a polishing apparatus for a wafer notch portion which does not cause abnormal linear scratches.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述の目的は、半導体ウ
ェーハを固定する手段と、該固定手段により固定された
半導体ウェーハと直交するディスク状ポリッシャーを具
備してなり、該ディスク状ポリッシャーをウェーハ外周
縁部に設けられたノッチ部に当接し回転しながら研磨用
組成物スラリーを供給しつつ該ノッチ部をポリッシング
加工する装置において、ブラシ状ドレッサーおよび高圧
水噴射装置からなるディスク状ポリッシャー浄化手段の
うちのいずれか一つ、あるいはその双方が前記ディスク
状ポリッシャー外周部に取り付けられていることを特徴
とするウェーハノッチ部のポリッシング加工装置によっ
て達成される。
An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer fixing means, and a disk polisher orthogonal to the semiconductor wafer fixed by the fixing means. In a device for polishing a notch portion while supplying a polishing composition slurry while rotating while contacting a notch portion provided on a peripheral portion, the polishing device includes a brush-like dresser and a high-pressure water injection device. And / or both of them are attached to the outer periphery of the disk-shaped polisher.

【0010】本装置において、ディスク状ポリッシャー
浄化手段とは、その表面に付着した粒子や汚染物質を外
力を利用して除去し清浄な状態に戻すための手段をいう
ものである。ブラシ状のドレッサーは前記ディスク状ポ
リッシャーの外周部に当接するように設けられ、また、
高圧水噴射装置はその先端ノズルが研磨用組成物スラリ
ーの供給ノズルの位置とは別個の位置に設置され、回転
中のディスク状ポリッシャーの先端に高圧水を噴射する
ことができる。研磨用スラリー側の排液と高圧水側の排
水とは別系統とすることが好ましい。また、高圧水の噴
射はポリッシング加工と同時であってもよいし、別に行
なうようにしてもよく特に限定されるものではない。
In the present apparatus, the disk-shaped polisher purifying means is means for removing particles and contaminants adhering to the surface of the polisher by using an external force to return to a clean state. A brush-like dresser is provided so as to contact an outer peripheral portion of the disc-like polisher,
The high-pressure water jetting device has its tip nozzle installed at a position different from the position of the polishing composition slurry supply nozzle, and can jet high-pressure water to the tip of the rotating disk-shaped polisher. It is preferable that drainage on the polishing slurry side and drainage on the high-pressure water side be separate systems. Further, the injection of the high-pressure water may be performed at the same time as the polishing processing, or may be performed separately, and is not particularly limited.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】本発明の肝要は、前述のウェーハ
ノッチ部に発生する線状傷の主要因となっている微細な
シリコンの破砕片を効果的に取り除き、高精度の鏡面仕
上げの面を得ることにある。すなわち、ブラシ状のドレ
ッサーを回転するディスク状ポリッシャーの先端部分に
常時または必要に応じて押し当てることにより、ポリッ
シャー先端に付着した破砕片等の異物はその擦過力によ
り効果的に除去することができる。また、高圧水をディ
スク状ポリッシャーの先端部分に選択的に噴射すること
により、表面に付着した異物、ポリッシャー先端に付着
し凝固したスラリーあるいはポリッシャー組織内に捕捉
された異物も強制的に除去することができる。上述の2
つの手段は単独で設置してもその効力を十分に発揮でき
るものであるが、この双方を併設することによりその効
果はより一層すぐれたものとなる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The essential point of the present invention is to effectively remove fine silicon crushed pieces, which are the main cause of the linear scratches generated at the above-mentioned wafer notch, and to obtain a high-precision mirror-finished surface. Is to get That is, the brush-like dresser is constantly or optionally pressed against the tip of the rotating disk-shaped polisher, whereby foreign matter such as crushed pieces attached to the tip of the polisher can be effectively removed by the abrasion force. . In addition, by selectively injecting high-pressure water to the tip of the disc-shaped polisher, foreign matter adhering to the surface, slurry solidified at the tip of the polisher or foreign matter trapped in the polisher tissue can be forcibly removed. Can be. 2 above
Although the two means can exert their effects sufficiently even if they are installed independently, the effect can be further improved by installing both of them.

【0012】本発明になるウェーハノッチ部のポリッシ
ング加工装置の具体的実施例を図面を用いて説明する
が、これにより特に限定を行なうものではない。図1は
本装置のディスク状ポリッシャーとシリコンウェーハの
部分を示す縦断面図であり、図2はその横断面図であ
る。また、図3は図1のA−A’断面図である.本実施
例においてはシリコンウェーハ1は真空チャック3より
なる固定手段にて固定され、その最外周縁部に形成され
たノッチ部2には、把持板4、4’によって把持された
ディスク状ポリッシャー5の先端が当接されている。デ
ィスク状ポリッシャー5の下端にはブラシ状ドレッサー
6が配置されており、また研磨用組成物スラリー供給ノ
ズル8と離れた位置に高圧水噴射ノズル7が設置されて
いる。また、シリコンウェーハ1はその固定手段に連動
して、上下に揺動が可能である。シリコンウェーハ以外
のポリッシング装置は、飛散防止を目的とした収納ケー
ス9中に納められている。
A specific embodiment of the apparatus for polishing a wafer notch according to the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not particularly limited thereby. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a disk-shaped polisher and a silicon wafer of the present apparatus, and FIG. 2 is a transverse sectional view thereof. FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. In this embodiment, the silicon wafer 1 is fixed by fixing means comprising a vacuum chuck 3, and a notch portion 2 formed at the outermost peripheral edge thereof has a disk-shaped polisher 5 held by holding plates 4, 4 '. The tip of is contacted. A brush-shaped dresser 6 is disposed at a lower end of the disk-shaped polisher 5, and a high-pressure water injection nozzle 7 is provided at a position apart from a polishing composition slurry supply nozzle 8. The silicon wafer 1 can swing up and down in conjunction with the fixing means. Polishing devices other than silicon wafers are housed in a storage case 9 for preventing scattering.

【0013】ディスク状ポリッシャー5の外周エッジ部
分はシリコンウェーハ1の最外周縁部に形成されたノッ
チ部分2の形状、例えばU字形あるいはV字形の形状に
嵌合するような形に成形されてなり、研磨用組成物スラ
リーを供給しつつ前記ディスク状ポリッシャー5を30
0〜2000RPM程度の速度で高速回転することによ
りウェーハノッチ部分のポリッシング加工が行なわれ
る。ディスク状ポリッシャー5の下端に配置されたブラ
シ状ドレッサー6は回転するディスク状ポリッシャーに
常時または必要な時に接触するようになっており、ノッ
チ部分との接触においてポリッシャー先端に付着したシ
リコンの微細破砕片等の異物を効果的に除去することが
できる。図面においてはブラシ状ドレッサー6はU字形
あるいはV字形に成形された固定型のブラシを示してい
るが、これは例えば強制駆動により回転するホィール状
のブラシであってもよい。
The outer peripheral edge portion of the disk-shaped polisher 5 is formed into a shape that fits into the shape of the notch portion 2 formed on the outermost peripheral edge portion of the silicon wafer 1, for example, a U-shaped or V-shaped shape. While supplying the polishing composition slurry, the disc-shaped polisher 5
The wafer notch is polished by rotating at a high speed of about 0 to 2000 RPM. The brush-like dresser 6 disposed at the lower end of the disk-like polisher 5 is designed to always or when necessary contact the rotating disk-like polisher. And the like can be effectively removed. In the drawings, the brush-shaped dresser 6 is a fixed type brush formed into a U-shape or a V-shape, but may be a wheel-shaped brush which is rotated by forcible driving, for example.

【0014】高圧水は高圧水噴射ノズル7を通してディ
スク状ポリッシャー5の外周エッジに局部的に噴射され
る。高圧水の持つ極めて高い外力により、ディスク状ポ
リッシャー5の複雑な組織に強固に付着していたシリコ
ンの微細破砕片等の異物も強制的に離脱され洗浄除去さ
れる。高圧水による洗浄はポリッシング加工の進行と同
時であってもよいし、また、加工が終了した後のわずか
な時間で行なってもよい。使用する水の量を極力少なく
し、廃水処理設備に対する負荷を少なくするためには後
者の方がよいが、より完全な効果を求めるためには前者
の方式を選定する方がよい。高圧水の圧力については洗
浄効果のみから考慮すると高い方がよいが、操作性およ
び経済性を考えた上での好ましい圧力は大略10kgf
/m2程度である。
The high-pressure water is locally injected through the high-pressure water injection nozzle 7 to the outer peripheral edge of the disk-shaped polisher 5. Due to the extremely high external force of the high-pressure water, foreign matters such as fine silicon fragments adhered firmly to the complex structure of the disk-shaped polisher 5 are forcibly removed and washed away. The cleaning with high-pressure water may be performed simultaneously with the progress of the polishing process, or may be performed in a short time after the completion of the polishing process. The latter is better for minimizing the amount of water used and the load on the wastewater treatment facility, but the former is better for the more complete effect. The pressure of the high-pressure water is preferably higher when considering only the washing effect, but the preferable pressure in consideration of operability and economy is approximately 10 kgf.
/ M 2 .

【0015】ポリッシング加工に使用する研磨用加工物
のスラリーは、通常回収され再利用されるものである。
本発明においても同様であるが、高圧水側の排水と合一
されるとその濃度は極端に低下し、その回収再利用は極
めて困難になる。従って、本発明においてはこの二つの
排水の系統を分離するために、排水受槽10の間に堰1
1を設け、別系統とし、高圧水側の排水はそのまま廃水
処理設備の方に導き、研磨用スラリーの方は回収再生
し、再利用するようにすることが好ましい。
[0015] The slurry of the workpiece for polishing used in the polishing process is usually collected and reused.
The same applies to the present invention, however, when coalesced with the wastewater on the high-pressure water side, the concentration is extremely reduced, and its recovery and reuse becomes extremely difficult. Therefore, in the present invention, in order to separate the two drainage systems, the weir 1
It is preferable to provide a separate system 1 and direct the wastewater on the high-pressure water side to the wastewater treatment equipment as it is, and recover and recycle the polishing slurry for reuse.

【0016】本発明に使用されるディスク状ポリッシャ
ーは、前述の如く繊維を原材料としそれをフェルト状の
不織布に仕立てたもの、あるいはそれを布帛状にし積層
したもの、更にはそれらの樹脂処理品、合成樹脂の軟質
成形品あるいはその複合品等であるが、それ自体の機械
的強度はあまり強くないので、把持板4、4’によって
把持されるものであり、把持材としては軽量で機械的強
度に優れ、化学的には安定なもの、例えばPEAK材あ
るいはテフロンコーティングステンレス鋼等の板を用い
ることが好ましい。
The disc-shaped polisher used in the present invention is prepared by using fibers as a raw material as described above and tailoring them into a felt-like non-woven fabric, or by laminating them into a fabric and laminating them. Although it is a soft molded product of a synthetic resin or a composite product thereof, the mechanical strength of the resin itself is not so strong, so that it is gripped by the gripping plates 4 and 4 '. It is preferable to use a material that is excellent in chemical stability and chemically stable, for example, a plate made of PEAK material or Teflon-coated stainless steel.

【0017】本発明になるウェーハノッチ部のポリッシ
ング加工装置によれば、Raで0.1〜0.3μmであ
ったノッチ部分の表面粗さは0.002〜0.003μ
mRa程度にまで向上し、しかも従来50%以上の発生
率で頻度高く見られた線状傷の発生も1%以下にまで改
善することができた。
According to the apparatus for polishing a wafer notch portion according to the present invention, the surface roughness of the notch portion having a Ra of 0.1 to 0.3 μm is 0.002 to 0.003 μm.
The mRa was improved to about mRa, and the occurrence of linear flaws, which were frequently seen in the past with a frequency of 50% or more, could be reduced to 1% or less.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明になるウェーハノッチ部のポリッ
シング加工装置によれば、ノッチ部分の面粗さは、従来
法と同等に向上し良好な鏡面を得ることができ、しかも
従来法では頻度高く発生していた線状傷もほとんど認め
られなかった。従って、線状傷の影響によるシリコンウ
ェーハ等半導体ウェーハのポリッシング工程における逆
汚染も防止でき、今後予測されるIC、LSIあるいは
VLSI等の小型化や高集積化といった傾向やエピタキ
シャル技術の拡大にも十分に対応することができる。
According to the apparatus for polishing a wafer notch portion according to the present invention, the surface roughness of the notch portion can be improved as well as the conventional method, and a good mirror surface can be obtained. Almost no linear scratches were found. Therefore, reverse contamination in the polishing process of a semiconductor wafer such as a silicon wafer due to the influence of linear scratches can be prevented, which is sufficient for the trend of miniaturization and high integration of ICs, LSIs or VLSIs expected in the future and expansion of epitaxial technology. Can be handled.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明になる装置の要部の縦断面である。FIG. 1 is a longitudinal section of a main part of an apparatus according to the present invention.

【図2】本発明になる装置の要部の横断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of the device according to the present invention.

【図3】図1のA−A’線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line A-A 'of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:シリコンウェーハ 2:ウェーハノッチ部分 3:真空チャック 4、4’:把持板 5:ディスク状ポリッシャー 6:ブラシ状ドレッ
サー 7:高圧水噴射ノズル 8:研磨用組成物スラリー
供給ノズル 9:収納ケース 10:排液受槽 11:堰
1: Silicon wafer 2: Wafer notch 3: Vacuum chuck 4, 4 ': Grip plate 5: Disc-shaped polisher 6: Brush-shaped dresser 7: High-pressure water injection nozzle 8: Polishing composition slurry supply nozzle 9: Storage case 10 : Drainage receiving tank 11 : Weir

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体ウェーハを固定する手段と、該固定
手段により固定された半導体ウェーハと直交するディス
ク状ポリッシャーを具備してなり、該ディスク状ポリッ
シャーをウェーハ外周縁部に設けられたノッチ部に当接
し回転しながら研磨用組成物スラリーを供給しつつ該ノ
ッチ部をポリッシング加工する装置において、ブラシ状
ドレッサーおよび高圧水噴射装置からなるディスク状ポ
リッシャー浄化手段のうちのいずれか一つ、あるいはそ
の双方が前記ディスク状ポリッシャー外周部に取り付け
られていることを特徴とするウェーハノッチ部のポリッ
シング加工装置。
1. A semiconductor device comprising: means for fixing a semiconductor wafer; and a disk-shaped polisher orthogonal to the semiconductor wafer fixed by the fixing means, wherein the disk-shaped polisher is attached to a notch provided on an outer peripheral portion of the wafer. In a device for polishing the notch portion while supplying the polishing composition slurry while rotating while contacting, one or both of a brush-shaped dresser and a disk-shaped polisher purifying means including a high-pressure water injection device are provided. Is mounted on an outer peripheral portion of the disk-shaped polisher.
【請求項2】ブラシ状のドレッサーが前記ディスク状ポ
リッシャーの外周部に当接するように設けられているこ
とを特徴とする請求項第1項に記載のウェーハノッチ部
のポリッシング加工装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein a brush-like dresser is provided so as to contact an outer peripheral portion of said disk-like polisher.
【請求項3】請求項第1項に記載のウェーハノッチ部の
ポリッシング加工装置において、高圧水噴射装置のノズ
ルが研磨用組成物スラリーの供給ノズルの位置とは別個
の位置に設置され、回転中のディスク状ポリッシャーの
先端に高圧水を噴射することができるようにしたことを
特徴とするウェーハノッチ部のポリッシング加工装置。
3. The polishing apparatus for a wafer notch according to claim 1, wherein the nozzle of the high-pressure water jetting device is installed at a position different from the position of the supply nozzle of the polishing composition slurry, and is rotated. A high-pressure water jet can be sprayed onto the tip of the disc-shaped polisher.
【請求項4】研磨用スラリー側の排液と高圧水側の排水
が別系統となっていることを特徴とする請求項第3項記
載のウェーハノッチ部のポリッシング加工装置。
4. The apparatus according to claim 3, wherein the drainage on the polishing slurry side and the drainage on the high-pressure water side are separate systems.
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