KR101902258B1 - 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템 - Google Patents

이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101902258B1
KR101902258B1 KR1020160121242A KR20160121242A KR101902258B1 KR 101902258 B1 KR101902258 B1 KR 101902258B1 KR 1020160121242 A KR1020160121242 A KR 1020160121242A KR 20160121242 A KR20160121242 A KR 20160121242A KR 101902258 B1 KR101902258 B1 KR 101902258B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
roll
raw material
unit
suction
impurities
Prior art date
Application number
KR1020160121242A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180032281A (ko
Inventor
신기현
Original Assignee
주식회사 토바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 토바 filed Critical 주식회사 토바
Priority to KR1020160121242A priority Critical patent/KR101902258B1/ko
Publication of KR20180032281A publication Critical patent/KR20180032281A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101902258B1 publication Critical patent/KR101902258B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • H01L21/205
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95115Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies using a roll-to-roll transfer technique

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Advancing Webs (AREA)

Abstract

이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템은 유동성을 확보하는 소재를 다수의 롤로 형성된 이송장치에 의하여 공급시키는 공급장치와, 상기 공급장치에서 공급되는 상기 소재를 이송시키는 이송롤과, 상기 이송롤에 의하여 이송되는 상기 소재의 상부에 원료가 증착되도록 상기 소재가 관통되는 증착모듈과, 상기 증착모듈의 내부 하단에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재를 이송시키며 불순물을 흡입하는 흡입롤과, 상기 증착모듈에서 원료가 증착된 상기 소재를 권취시키는 마감장치와, 상기 소재의 공정 속도 및 상기 소재의 위치를 제어하기 위한 제어부를 포함할 수 있다.

Description

이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템{The System for ALD Vacuum Evaporation using Dual Structure Roll to Roll}
본 발명은 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 케이스 내부에서 이중 구조로 형성된 롤을 활용하여 이송시키며 다양한 원료를 소재에 원자층 원료를 증착할 수 있는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템에 관한 것이다.
반도체 기술의 출현 이후, 반도체는 더욱더 작은 크기, 더욱더 빠른 속도, 낮은 전력 소모량, 소자 당 낮은 가격을 목표로 개발되어져 왔으며, 최근에는 여러 가지 기능을 하나의 반도체 소자에서 수행을 할 수 있도록 개발되어지고 있다.
그 결과, 반도체 소자에 사용되는 박막은 원자 단위로 제어되면서, 단차 피복성이 우수한 특성을 가져야 하며, 또한 계면에서 확산과 산화가 일어나지 않게 하기 위해서 증착 온도가 낮아야 한다. 기존의 기술로서는 이러한 요구 조건을 충족시킬 수 없게 되어져 한계에 도달하게 되었다. 그러나 원자층 단위로 박막을 증착하는 기술이 개발되어져, 기존의 반도체 기술의 한계를 극복할 수 있게 되었다. 이러한 새로운 기술을 “원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)”라 불리게 된다.
원자층 증착 기술은 1980년에 Tuomo Suntola에 의해서 “Atomic Layer Epitaxy(ALE)”이라는 기술로 개발되어졌다. ALE는 매우 정밀하게 조성을 제어하면서, 매우 얇은 막(100 Å)을 증착시킬 수 있다는 장점을 가지고 있었다. 그러나 그 당시에 반도체 산업에서 사용하는 가장 얇은 막은 1000 Å 두께로서, ALE 기술은 반도체 시장을 위한 기술로서 보여지지 않았다.
그러나 30년이 지난 현재의 상황은 변했다. 반도체의 칩사이즈의 감소는 수 나노시대를 열게 되었으며, 반도체에서 사용하는 가장 얇은 막은 원자 단위로 필요하게 되었다. 예를 들어, 게이트 유전막의 경우, 약 10 Å(약 4개의 원자층과 동일한 두께)의 두께가 필요하게 되었다. 그 결과, Suntola의 발명은 반도체의 디자인 룰이 감소함에 따라서 반도체에 적용되기 시작하였으며, 현재 “Atomic Layer Epitaxy(ALE)” 기술은 “원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)”라는 기술로 이름이 변경되어져, 상용화되기 시작하였다.
그러나, 원자층 증착 기술은 기존의 증착법에 비하여 많은 장점을 지니고 있으나, 원료를 한 가지씩 주기적으로 공급하고 여분을 제거하는 과정을 계속 반복하여야 하기 때문에 증착속도가 느려 양산라인에 광범위하게 적용하기 힘든 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 다수의 원료가 혼합되지 않고 소재의 상부에 적층할 수 있는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 소재의 이송과 원료의 흡입을 동시에 실행하는 이중 구조로 형성된 롤투롤에 의하여 소재에 원자층의 원료를 증착하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템은 유동성을 확보하는 소재를 다수의 롤로 형성된 이송장치에 의하여 공급시키는 공급장치와, 상기 공급장치에서 공급되는 상기 소재를 이송시키는 이송롤과, 상기 이송롤에 의하여 이송되는 상기 소재의 상부에 원료가 증착되도록 상기 소재가 관통되는 증착모듈과, 상기 증착모듈의 내부 하단에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재를 이송시키며 불순물을 흡입하는 흡입롤과, 상기 증착모듈에서 원료가 증착된 상기 소재를 권취시키는 마감장치와, 상기 소재의 공정 속도 및 상기 소재의 위치를 제어하기 위한 제어부를 포함할 수 있다.
상기 공급장치는 상기 소재가 권취된 권취롤의 중심에 구비되어 상기 권취롤을 회전하며 상기 소재를 공급하는 풀림롤과, 상기 풀림롤에서 공급되는 상기 소재의 공정 속도를 조절하여 상기 소재에 발생하는 장력을 제어하는 구동롤과, 상기 구동롤에서 이송되는 상기 소재의 높이를 조절하여 상기 소재의 상부에 원료가 원활하게 증착되도록 조절하기 위한 제어롤을 구비할 수 있다.
상기 증착모듈은 상기 공급장치에서 이송되는 상기 소재를 내부에 수용하여 원료를 증착하기 위한 케이스와, 상기 케이스의 내측에 구비되어 상기 소재를 관통시키며 원료를 증착시키는 몸체와, 상기 몸체 내부에 구비되어 상기 소재가 상기 몸체 내부로 유입되는 유입부와, 상기 유입부를 관통하여 이송되는 상기 소재의 상부에 원료를 분사하는 분사장치에 의하여 다수의 원료를 증착시키는 다수의 적층부와, 다수의 상기 적층부 사이에 구비되어 원료를 흡입하는 흡입부와, 다수의 상기 적층부에 의하여 원료가 증착되는 상기 소재가 상기 몸체에서 배출되는 배출부와, 상기 몸체 하단에 적어도 하나 이상의 상기 흡입롤이 구비되어 상기 케이스 내부에서 상기 소재를 이송시키는 이송부를 구비할 수 있다.
상기 적층부는 상기 유입부에서 이송되는 상기 소재의 상부에 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치가 상기 소재의 상부에 구비되는 제 1적층부와, 상기 제 1적층부와 상기 흡입부를 관통하여 이송되는 상기 소재의 상부에 상기 제 1적층부와 다른 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치가 상기 소재의 상부에 구비되는 제 2적층부를 구비할 수 있다.
상기 분사장치는 상기 적층부에 구비되어 원료를 압력으로 분사하여 상기 소재에 원료를 증착시키는 분사부와, 상기 적층부에서 상기 분사부와 소정의 거리에 구비되어 상기 분사부를 통해 분사되어 상기 소재에 증착되지 않는 원료를 흡입하여 수거하는 수거부와, 상기 분사부 및 상기 수거부의 높이를 조절하여 상기 소재에 분사되는 원료의 종류에 따라 분사 압력을 조절하는 높이조절장치를 구비할 수 있다.
상기 증착모듈은 상기 몸체 내부에서 다수의 상기 적층부를 구획하기 위하여 상기 적층부 양측면에 각각 구비되는 측판과, 상기 소재와 상기 측판 사이에 상기 소재가 관통되는 관통홀과, 상기 관통홀의 상단에 구비된 상기 측판의 일 단부에 구비되어 원료가 관통홀을 관통하는 것을 방지하기 위하여 공기를 흡입 및 배기하는 흡입장치를 더 구비할 수 있다.
상기 흡입장치는 상기 측판 단부의 양 측면에 각각 결합되는 결합부와, 상기 결합부에서 소정의 각도로 회전하는 회전부와, 상기 회전부에서 하단으로 연장되어 상기 측판을 관통하는 상기 소재의 불순물을 흡입하는 흡기부와, 상기 흡기부의 양 측면에 각각 구비되어 상기 관통홀에 의하여 불순물이 관통되는 것을 방지하는 배기부를 구비할 수 있다.
상기 흡입롤은 상기 이송부에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재를 이송시키기 위하여 회전하는 본체와, 상기 본체 내측에 구비되어 상기 소재의 하단 및 상기 이송부의 불순물을 흡입하여 제거하는 제거장치와, 상기 본체 외측에 다수 구비되어 상기 제거장치에서 흡입하는 불순물이 상기 본체가 회전할 때 상기 본체를 관통하도록 구비되는 수거홀을 구비할 수 있다.
상기 마감장치는 상기 증착모듈에서 원료가 증착되어 이송되는 상기 소재의 높이 및 장력을 조절하는 제어롤과, 상기 제어롤에서 이송되는 상기 소재의 공정 속도를 조절하며 권취하는 권취롤을 구비할 수 있다.
본 발명에 따른 롤투롤을 활용한 비접촉 이중 증착 시스템에 의하면, 흡입장치에 의하여 소재가 이송되면서 상부에 원료가 혼합되지 않고 증착되어 상온과 상압에서 원료를 증착시킬 수 있으며, 원료 및 소재를 절약할 수 있는 것이다.
그리고, 적층모듈 내부에 분사장치가 소재의 양면에 각각 구비되어 원료를 소재의 양면에 이중 증착할 수 있어 원료 증착 두께를 용이하게 제어할 수 있으며으며, 공정속도를 높일 수 있는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템을 나타낸 개념도.
도 2는 도 1에 도시된 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템을 나타낸 블록도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 공급장치를 나타낸 개념도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 증착모듈을 나타낸 개념도.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 흡입장치를 나타낸 개념도.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 흡입롤을 나타낸 사시도.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마감장치를 나타낸 개념도.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템을 나타낸 개념도이고, 도 2는 도 1에 도시된 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템은 유동성을 확보하는 소재(10)를 다수의 롤로 형성된 이송장치에 의하여 공급시키는 공급장치(100)와, 상기 공급장치(100)에서 공급되는 상기 소재(10)를 이송시키는 이송롤(20)과, 상기 이송롤(20)에 의하여 이송되는 상기 소재(10)의 상부에 원료가 증착되도록 상기 소재(10)가 관통되는 증착모듈(200)과, 상기 증착모듈(200)의 내부 하단에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재(10)를 이송시키며 불순물을 흡입하는 흡입롤(500)과, 상기 증착모듈(200)에서 원료가 증착된 상기 소재(10)를 권취시키는 마감장치(600)와, 상기 소재(10)의 공정 속도 및 상기 소재(10)의 위치를 제어하기 위한 제어부(700)를 구비할 수 있다.
상기 공급장치(100)는 소재(10)가 권취된 권취롤(30)을 다수의 롤로 형성된 이송롤(20)에 의하여 공급하여 소재(10)의 상부에 원료를 증착하여 인쇄할 수 있다.
또한, 상기 공급장치(100)는 도 3에 도시된 바와 같이 상기 소재(10)가 권취된 권취롤(30)의 중심에 구비되어 상기 권취롤(30)을 회전하며 상기 소재(10)를 공급하는 풀림롤(110)과, 상기 풀림롤(110)에서 공급되는 상기 소재(10)의 공정 속도를 조절하여 상기 소재(10)에 발생하는 장력을 제어하는 구동롤(120)과, 상기 구동롤(120)에서 이송되는 상기 소재(10)의 높이를 조절하여 상기 소재(10)의 상부에 원료가 원활하게 증착되도록 조절하기 위한 제어롤(130)을 구비할 수 있다.
이러한 상기 권취롤(30)은 상기 풀림롤(110)에 의하여 회전하며 풀릴 수 있으며 회로 등을 인쇄할 수 있는 롤투롤 장치에서 이송될 수 있도록 유동성이 확보되어 유연하며 얇은 재질로 형성될 수 있다. 그리고 상기 소재(10)는 소정의 길이로 형성되거나 길게 형성되어 상기 롤투롤 장치에서 끊기지 않고 이동하며 형성될 수 있다.
상기 구동롤(120)은 상기 풀림롤(110)에 의하여 권취된 권취롤(30)의 단부가 이송롤(20)에 의하여 이송되면 상기 소재(10)의 상부에 구비되어 상기 소재(10)가 이송되며 발생하는 장력을 제어하기 위하여 상기 소재(10)의 공정 속도를 조절할 수 있다.
이 때, 상기 구동롤(120)은 이송롤(20)과의 회전 속도를 조절할 수 있는데, 상기 이송롤(20)와 상기 구동롤(120)의 회전속도는 제어부(700)에 의하여 조절되어 상기 소재(10)의 상부에 증착되는 원료가 소재(10)에 원활히 증착되도록 공정 속도를 조절할 수 있다.
그리고 상기 이송롤(20)은 상기 공급장치(100)에서 상기 마감장치(600)로 진행되는 소재(10)를 이송시키기 위하여 상기 소재(10)의 하부에 다수가 구비될 수 있으며, 이송롤(20)은 레일로도 형성될 수 있다.
상기 제어롤(130)은 상기 소재(10)가 구동롤(120)에서 공정 속도가 조절되며 이송되면 소재(10)의 높이를 조절하여 증착모듈(200)에서 상기 소재(10)의 상부에 원료가 원활히 증착되도록 유도할 수 있다.
이러한 상기 제어롤(130)은 자기베어링(ACR:Active Control Roll)으로써 소재(10)와 원료가 분사되는 증착모듈(200)의 갭조절을 위하여 소재(10)의 높이를 능동적으로 제어하여 조절할 수 있다.
상기 제어롤(130)은 다수가 구비될 수 있으며, 상기 소재(10)가 권취되거나 풀리기 전에 소재(10)의 높이를 조절할 수 있다.
상기 제어롤(130)을 제어하기 위하여 제어부(700)에서는 소재(10)의 좌표를 측정하여 소재(10)의 위치를 판단하고 증착모듈(200)의 위치와 갭을 줄이기 위하여 소재(10)의 높이를 조절할 수 있다.
이러한 제어롤(130)에 의하여 레스터 에러를 조절하여 소재(10)의 상부에 증착되는 원료가 정확한 위치에 인쇄될 수 있으며 오차범위를 줄일 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 적층모듈은 상기 공급장치(100)에서 이송되는 상기 소재(10)를 내부에 수용하여 원료를 적층하기 위한 케이스(210)와, 상기 케이스(210)의 내측에 구비되어 상기 소재(10)를 관통시키며 원료를 증착시키는 몸체(220)와, 상기 몸체(220) 내부에 구비되어 상기 소재(10)가 상기 몸체(220) 내부로 유입되는 유입부(230)와, 상기 유입부(230)를 관통하여 이송되는 상기 소재(10)의 상부에 원료를 분사하는 분사장치(300)에 의하여 다수의 원료를 증착시키는 다수의 적층부(240)와, 다수의 상기 적층부(240) 사이에 구비되어 원료를 흡입하는 흡입부(250)와, 다수의 상기 적층부(240)에 의하여 원료가 증착되는 상기 소재(10)가 상기 몸체(220)에서 배출되는 배출부(260)와, 상기 몸체(220) 하단에 적어도 하나 이상의 상기 흡입롤(500)이 구비되어 상기 케이스(210) 내부에서 상기 소재(10)를 이송시키는 이송부(290)를 구비할 수 있다.
상기 케이스(210)는 장변과 단변을 구비하는 직사각형 형상으로 형성되며 상기 공급장치(100)에서 유입되는 상기 소재(10)의 상부에 원자층 원료를 증착시키기 위하여 상기 소재(10)를 관통시킬 수 있다.
상기 케이스(210) 내부에는 상기 몸체(220)가 구비되어 상기 케이스(210) 내부를 관통하는 상기 소재(10)의 상부에 원료를 증착시키는 분사장치(300) 및 흡입장치(400)가 구비될 수 있다. 이 때, 상기 케이스(210)는 상기 몸체(220)와 상기 케이스(210) 사이의 불순물을 흡입하는 별도의 흡기장치(251)가 구비될 수 있다.
상기 몸체(220)는 상기 케이스(210) 내측과 소정의 거리를 두고 구비될 수 있으며, 상기 내측에 상기 소재(10)의 상부에 원료를 증착시키는 분사장치(300) 및 흡입장치(400)가 구비될 수 있다.
상기 몸체(220) 내측에는 상기 적층부(240)를 구획하기 위하여 상기 적층부(240) 양측면에 각각 구비되는 측판(270)을 구비할 수 있다.
이 때, 상기 측판(270)에는 상기 소재(10) 사이에 상기 소재(10)가 관통되는 관통홀(280)이 구비되어 상기 소재(10)의 상단이 상기 측벽에 접촉되지 않고 원료가 증착되도록 할 수 있다.
상기 측판(270)에 의하여 구획된 상기 몸체(220) 내부에는 유입부(230)와 적층부(240)와 흡입부(250)와 배출부(260)가 구비될 수 있으며 상기 적층부(240)는 상기 유입부(230)에서 이송되는 상기 소재(10)의 상부에 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치(300)가 상기 소재(10)의 상부에 구비되는 제 1적층부(241)와, 상기 제 1적층부(241)와 상기 흡입부(250)를 관통하여 이송되는 상기 소재(10)의 상부에 상기 제 1적층부(241)와 다른 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치(300)가 상기 소재(10)의 상부에 구비되는 제 2적층부(242)를 구비할 수 있다.
또한, 상기 흡입부(250)는 상기 제 1적층부(241)와 상기 제 2적층부(242) 사이에 구비되어 상기 제 1적층부(241)와 상기 제 2적층부(242) 사이에 원료가 서로 혼합되는 것을 방지하도록 흡기장치(251)가 구비될 수 있다.
상기 적층부(240)는 원료의 종류에 따라 적층부(240)의 수량이 늘어날 수 있다.
예를 들어, 원료의 종류가 3가지 사용되면 상기 적층부(240)를 제 1적층부(241) 및 제 2적층부(242) 및 제 3적층부(240)로 구비하고, 각각의 적층부(240) 사이에 흡입부(250)를 구비하여 각각의 원료가 혼합되지 않도록 할 수 있다.
이러한 상기 적층부(240)의 양 측면에는 각각의 적층부(240)에서 분사되는 각각의 원료가 각각의 적층부(240)에서 이탈되거나 유입되지 않도록 상기 관통홀(280)의 상단에 구비된 상기 측판(270) 단부의 양 측면에 각각 흡입장치(400)를 결합시킬 수 있다.
상기 흡입장치(400)는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 측판(270) 단부의 양 측면에 각각 결합되는 결합부(410)와, 상기 결합부(410)에서 소정의 각도로 회전하는 회전부(420)와, 상기 회전부(420)에서 하단으로 연장되어 상기 측판(270)을 관통하는 상기 소재(10)의 불순물을 흡입하는 흡기부(430)와, 상기 흡기부(430)의 양 측면에 각각 구비되어 상기 관통홀(280)에 의하여 불순물이 관통되는 것을 방지하는 배기부(440)를 구비할 수 있다.
상기 결합부(410)는 상기 측판(270)의 단부 양 측면에 각각 결합되어 상기 적층부(240)로 유입되거나 배출되는 원료 및 불순물이 유입 및 배출되지 않도록 이중으로 차단할 수 있다.
상기 회전부(420)는 상기 결합부(410)에서 외측으로 연장되어 형성될 수 있으며, 상기 소재(10)의 속도 및 장력에 따라 방향을 조절하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 소재(10)의 속도가 빠르면 상기 흡입장치(400) 방향을 유입부(230) 방면으로 향하게 하여 소재(10)를 통해 전달되는 원료 및 불순물을 사전에 차단할 수 있다.
이와 같이 상기 흡입장치(400)는 비접촉으로 상기 증착모듈(200) 외부에서 장력을 조절하여 이송시키는 소재(10)에 원료를 증착할 때 다른 원료 및 불순물이 증착되는 것을 방지할 수 있다.
상기 흡기부(430)는 양측면에 상기 배기부(440)가 결합될 수 있으며, 상기 배기부(440)에서 불순물 및 다른 원료가 유입되지 않도록 공기를 공급하여 불순물 및 다른 원료를 불어내면 흡기부(430)에서 배기부(440)에서 차단하지 못한 불순물 및 다른 원료를 흡입하여 유입되는 것을 차단할 수 있다.
이와 같이 상기 흡기부(430) 및 상기 배기부(440)에서 공기를 공급하거나 흡입하여 불순물 및 원료가 유입되는 것을 차단하는 것은 원료가 나노 단위의 원자층으로 형성되기 때문에 공기에 의하여 유입되는 것을 차단할 수 있다.
또한, 상기 흡입장치(400)는 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 흡기부(430)와 배기부(440)의 단부를 상기 측판(270)과 타 측면으로 사선으로 절개하여 흡기 및 배기되는 공기의 방향을 적층부(240)와 외측으로 유도하여 유입 및 배출되는 불순물 및 다른 원료가 유입되는 것을 차단할 수 있다.
상기 적층부(240)는 상기 흡입장치(400)에 의하여 외부에서 유입되는 불순물 및 다른 원료가 혼합되는 것이 차단된 상태에서 분사장치(300)에 의하여 상기 소재(10)의 상부에 원료를 증착시킬 수 있다.
상기 분사장치(300)는 상기 유입부(230)에서 이송되는 상기 소재(10)의 상부에 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치(300)가 상기 소재(10)의 상부에 구비되는 제 1적층부(241)와, 상기 제 1적층부(241)와 상기 흡입부(250)를 관통하여 이송되는 상기 소재(10)의 상부에 상기 제 1적층부(241)와 다른 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치(300)가 상기 소재(10)의 상부에 구비되는 제 2적층부(242)를 구비하므로 상기 소재(10)의 상부에 원료를 증착시킬 수 있다.
상기 분사장치(300)는 상기 적층부(240)에 구비되어 원료를 압력으로 분사하여 상기 소재(10)에 원료를 증착시키는 분사부(310)와, 상기 적층부(240)에서 상기 분사부(310)와 소정의 거리에 구비되어 상기 분사부(310)를 통해 분사되어 상기 소재(10)에 증착되지 않는 원료를 흡입하여 수거하는 수거부(320)와, 상기 분사부(310) 및 상기 수거부(320)의 높이를 조절하여 상기 소재(10)에 분사되는 원료의 종류에 따라 분사 압력을 조절하는 높이조절장치(330)를 구비할 수 있다.
상기 분사부(310)는 상기 소재(10)의 상부에 근접하게 구비되어 원자층의 원료를 상기 소재(10)를 향하여 분사하여 원료를 상기 소재(10)의 상부에 원료를 증착시킬 수 있다.
이 때, 상기 분사부(310)에 의하여 상기 소재(10)에 증착되지 않은 원료는 상기 적층부(240) 내부 허공에 떠다닐 수 있으며, 이러한 원료를 상기 수거부(320)에서 흡입하여 수거할 수 있다.
이와 같이, 수거부(320)에서 상기 원료를 수거하는 것은 상기 소재(10)에 원활하게 증착되지 않고 겹치도록 증착되는 것을 방지하기 위하여 분사부(310)에 의하여 분사되고 허공에 떠다니는 원료를 분사부(310)와 소정의 거리에 위치한 수거부(320)에서 흡입할 수 있다.
상기 높이조절장치(330)는 상기 수거부(320)와 상기 분사부(310)의 높이를 조절하여 상기 소재(10)와 상기 분사부(310)의 거리를 조절하여 원료의 종류에 따라 분사 압력을 조절할 수 있다.
상기 이송부(290)는 상기 몸체(220) 및 상기 소재(10)의 하단에 구비되어 적어도 하나 이상의 흡입롤(500)이 구비되어 상기 소재(10)를 상기 증착모듈(200) 내부에서 이송되도록 할 수 있다.
이 때, 상기 이송부(290)는 다수의 흡입롤(500)에 의하여 불순물 및 상기 소재(10) 하단으로 유입되는 원료를 흡입하여 상부로 원료 및 불순물이 다시 올라가 증착되지 않도록 할 수 있다.
상기 흡입롤(500)은 도 6에 도시된 바와 같이 상기 이송부(290)에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재(10)를 이송시키기 위하여 회전하는 본체(510)와, 상기 본체(510) 내측에 구비되어 상기 소재(10)의 하단 및 상기 이송부(290)의 불순물을 흡입하여 제거하는 제거장치(520)와, 상기 본체(510) 외측에 다수 구비되어 상기 제거장치(520)에서 흡입하는 불순물이 상기 본체(510)가 회전할 때 상기 본체(510)를 관통하도록 구비되는 수거홀(530)을 구비할 수 있다.
상기 본체(510)는 원형의 롤로 형성되어 상기 소재(10)를 상기 증착모듈(200) 내부에서 원활히 이송시킬 수 있으며, 외측에는 다수의 수거홀(530)을 구비할 수 있다.
상기 제거장치(520)는 상기 본체(510) 내부에 구비되어 상기 본체(510)에 의하여 이송되는 상기 소재(10)의 하단에 부착되는 불순물 및 원료를 흡입할 수 있으며, 상기 이송부(290)에 유입되는 불순물 및 원료를 흡입할 수 있다.
이와 같은 상기 제거장치(520)는 상기 본체(510) 내부에 구비되므로 상기 제거장치(520)에서 흡입하는 불순물 및 원료는 상기 수거홀(530)에 의하여 상기 제거장치(520)로 흡입되어 제거될 수 있으며, 상기 제거장치(520)는 상기 소재(10) 및 상기 이송부(290) 방면 등 다양한 방면으로 불순물 및 원료를 흡입할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 마감장치(600)는 상기 증착모듈(200)에서 원료가 증착되어 이송되는 상기 소재(10)의 높이 및 장력을 조절하는 제어롤(130)과, 상기 제어롤(130)에서 이송되는 상기 소재(10)의 공정 속도를 조절하며 권취하는 권취롤(30)을 구비할 수 있다.
상기 제어롤(130)은 상기 공급장치(100)에서 사용된 것과 동일하게 상기 소재(10)의 상부에 원료가 견고히 증착될 수 있도록 제어롤(130)에 의하여 높이 및 장력을 조절하여 권취롤(30)로 이송될 수 있다.
또한, 상기 제어롤(130)은 상기 공급장치(100)에 구비된 제어롤(130)과의 장력제어에 의하여 상기 증착모듈(200) 내부에서 이송되는 상기 소재(10)의 이송 속도 및 장력을 제어할 수 있다.
그리고 상기 소재(10)는 권취롤(30)에 권취되기 전에 상기 소재(10)가 원활히 권취될 수 있도록 소재(10)의 공정 속도를 제어하며 권취될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템에 대해 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니한다. 그리고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.
100: 공급장치 200: 증착모듈
210: 케이스 220: 몸체
230: 유입부 240: 적층부
250: 흡입부 260: 배출부
270: 측판 280: 관통홀
290: 이송부 300: 분사장치
400: 흡입장치 500: 흡입롤
600: 마감장치 700: 제어부

Claims (9)

  1. 유동성을 확보하는 소재를 다수의 롤로 형성된 이송장치에 의하여 공급시키는 공급장치와,
    상기 공급장치에서 공급되는 상기 소재를 이송시키는 이송롤과,
    상기 이송롤에 의하여 이송되는 상기 소재의 상부에 원료가 증착되도록 상기 소재가 관통되는 증착모듈과,
    상기 증착모듈의 내부 하단에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재를 이송시키며 불순물을 흡입하는 흡입롤과,
    상기 증착모듈에서 원료가 증착된 상기 소재를 권취시키는 마감장치와,
    상기 소재의 공정 속도 및 상기 소재의 위치를 제어하기 위한 제어부를 구비하고,
    상기 증착모듈은 상기 공급장치에서 이송되는 상기 소재를 내부에 수용하여 원료를 증착하기 위한 케이스와,
    상기 케이스의 내측에 구비되어 상기 소재를 관통시키며 원료를 증착시키는 몸체와,
    상기 몸체 내부에 구비되어 상기 소재가 상기 몸체 내부로 유입되는 유입부와,
    상기 유입부를 관통하여 이송되는 상기 소재의 상부에 원료를 분사하는 분사장치에 의하여 다수의 원료를 증착시키는 다수의 적층부와,
    다수의 상기 적층부 사이에 구비되어 원료를 흡입하는 흡입부와,
    다수의 상기 적층부에 의하여 원료가 증착되는 상기 소재가 상기 몸체에서 배출되는 배출부와,
    상기 몸체 하단에 적어도 하나 이상의 상기 흡입롤이 구비되어 상기 케이스 내부에서 상기 소재를 이송시키는 이송부와,
    상기 몸체 내부에서 다수의 상기 적층부를 구획하기 위하여 상기 적층부 양측면에 각각 구비되는 측판과,
    상기 소재와 상기 측판 사이에 상기 소재가 관통되는 관통홀과,
    상기 관통홀의 상단에 구비된 상기 측판의 일 단부에 구비되어 원료가 관통홀을 관통하는 것을 방지하기 위하여 공기를 흡입 및 배기하는 흡입장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 적층부는 상기 유입부에서 이송되는 상기 소재의 상부에 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치가 상기 소재의 상부에 구비되는 제 1적층부와,
    상기 제 1적층부와 상기 흡입부를 관통하여 이송되는 상기 소재의 상부에 상기 제 1적층부와 다른 원료를 분사하기 위하여 상기 분사장치가 상기 소재의 상부에 구비되는 제 2적층부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 분사장치는 상기 적층부에 구비되어 원료를 압력으로 분사하여 상기 소재에 원료를 증착시키는 분사부와,
    상기 적층부에서 상기 분사부와 소정의 거리에 구비되어 상기 분사부를 통해 분사되어 상기 소재에 증착되지 않는 원료를 흡입하여 수거하는 수거부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 흡입장치는 상기 측판 단부의 양 측면에 각각 결합되는 결합부와,
    상기 결합부에서 소정의 각도로 회전하는 회전부와,
    상기 회전부에서 하단으로 연장되어 상기 측판을 관통하는 상기 소재의 불순물을 흡입하는 흡기부와,
    상기 흡기부의 양 측면에 각각 구비되어 상기 관통홀에 의하여 불순물이 관통되는 것을 방지하는 배기부를 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 흡입롤은 상기 이송부에 적어도 하나 이상 구비되어 상기 소재를 이송시키기 위하여 회전하는 본체와,
    상기 본체 내측에 구비되어 상기 소재의 하단 및 상기 이송부의 불순물을 흡입하여 제거하는 제거장치와,
    상기 본체 외측에 다수 구비되어 상기 제거장치에서 흡입하는 불순물이 상기 본체가 회전할 때 상기 본체를 관통하도록 구비되는 수거홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 마감장치는 상기 증착모듈에서 원료가 증착되어 이송되는 상기 소재의 높이 및 장력을 조절하는 제어롤과,
    상기 제어롤에서 이송되는 상기 소재의 공정 속도를 조절하며 권취하는 권취롤을 구비하는 것을 특징으로 하는 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템.

KR1020160121242A 2016-09-22 2016-09-22 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템 KR101902258B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160121242A KR101902258B1 (ko) 2016-09-22 2016-09-22 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160121242A KR101902258B1 (ko) 2016-09-22 2016-09-22 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180032281A KR20180032281A (ko) 2018-03-30
KR101902258B1 true KR101902258B1 (ko) 2018-09-28

Family

ID=61900154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160121242A KR101902258B1 (ko) 2016-09-22 2016-09-22 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101902258B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102583277B1 (ko) * 2021-09-30 2023-09-27 해성디에스 주식회사 다층 회로 기판 제조장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100728889B1 (ko) * 2006-06-07 2007-06-20 (주)에스엠씨 가요성 필름 에칭장치
JP2009197286A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Fujifilm Corp 成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロール

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100728889B1 (ko) * 2006-06-07 2007-06-20 (주)에스엠씨 가요성 필름 에칭장치
JP2009197286A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Fujifilm Corp 成膜装置、成膜方法、機能性フィルムおよびフィルムロール

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180032281A (ko) 2018-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130307898A1 (en) Method and apparatus for load-locked printing
JP2015525302A (ja) 原子層蒸着装置及びその方法
EP2423353A1 (en) Film deposition device
KR101902258B1 (ko) 이중 구조 롤투롤을 활용한 원자층 증착 시스템
WO2017001398A3 (de) Auslagevorrichtung, verfahren zum fördern von bogen, verfahren zum betreiben einer auslagevorrichtung und verfahren zur steuerung einer ablage von bedruckstoffbogen
KR101902257B1 (ko) 롤투롤을 활용한 소재 이중 원자층 증착 장치
KR101902260B1 (ko) 공조장치를 활용한 롤투롤 원자층 증착 시스템
JP2008034436A (ja) エッチング装置
KR101879297B1 (ko) 롤투롤을 활용한 비접촉 이중 증착 시스템
JP5889710B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
JP2013505564A (ja) モジュール式基板処理システムおよびモジュール基板処理方法
KR101728805B1 (ko) 진공 롤투롤을 활용한 소재 이송 장치 및 방법
KR20190084031A (ko) 유리 기판의 제조 방법
JP3232070B2 (ja) エッチング装置
JP5821944B2 (ja) 搬送装置、製造システム
JP2020183564A (ja) 積層フィルムの製造装置、積層フィルムの製造方法
JP2007090205A (ja) 塗布方法
TW201536656A (zh) 上浮式搬運裝置
KR101879289B1 (ko) 진공 롤투롤을 활용한 원자 증착 장치
JPH09141170A (ja) 塗布装置
KR101744379B1 (ko) 증착장치
CN112243465B (zh) 原子层沉积设备
TWI735698B (zh) 玻璃基板之製造方法
KR20200089232A (ko) 원자층 증착 장치
CN111501358B (zh) 反应型pu皮革工艺设备及反应型pu皮革的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant