KR101900692B1

KR101900692B1 - Manufacturing Apparatus of Fine Metal Mask

Info

Publication number: KR101900692B1
Application number: KR1020160181592A
Authority: KR
Inventors: 강민우; 노항석; 김해종; 이철영
Original assignee: 주식회사 필머티리얼즈; 주식회사 필옵틱스
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2016-12-28
Publication date: 2018-09-20
Also published as: KR20180076909A

Abstract

본 발명은 미세 금속 마스크 제조 장치에 관한 것으로, 양극 전극판과 음극 전극판 사이 공간에 중간 실드 모듈을 설치하고 중간 실드 모듈에 형성된 전류 통과홀을 자유롭게 형태 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건에 따라 최적 상태의 전류 통과홀 형태를 형성할 수 있고, 이에 따라 도금층의 두께를 더욱 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 도금 조건에서도 더욱 용이하게 도금층 두께의 균일화를 달성할 수 있고, 다수개의 조립 블록을 이용하여 중간 실드 모듈의 전류 통과홀의 형태를 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건 변화에 따라 새로운 전류 통과홀을 갖는 중간 실드 모듈을 새롭게 설치할 필요없이 단순히 조립 블록의 결합 위치를 변경하는 것만으로 전류 통과홀의 형태를 편리하게 변경할 수 있고, 이에 따라 더욱 편리하고 신속하게 중간 실드 모듈을 최적화할 수 있는 미세 금속 마스크 제조 장치를 제공한다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a fine metal mask, in which an intermediate shield module is provided in a space between an anode electrode plate and a cathode electrode plate, and a current passing hole formed in an intermediate shield module is freely changed in shape, The thickness of the plating layer can be more uniformly formed, and the thickness of the plating layer can be more easily achieved even under various plating conditions. By using a plurality of assembly blocks By changing the shape of the current passing hole of the intermediate shield module, it is possible to change the shape of the current passing hole simply by changing the joining position of the assembly block, without newly installing the intermediate shield module having a new current passing hole according to the plating condition change. Can be changed to a more convenient Quickly provides a fine metal mask manufacturing apparatus capable of optimizing the intermediate shield module.

Description

[0001] The present invention relates to a manufacturing apparatus for fine metal mask,

본 발명은 미세 금속 마스크 제조 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 양극 전극판과 음극 전극판 사이 공간에 중간 실드 모듈을 설치하고 중간 실드 모듈에 형성된 전류 통과홀을 자유롭게 형태 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건에 따라 최적 상태의 전류 통과홀 형태를 형성할 수 있고, 이에 따라 도금층의 두께를 더욱 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 도금 조건에서도 더욱 용이하게 도금층 두께의 균일화를 달성할 수 있고, 다수개의 조립 블록을 이용하여 중간 실드 모듈의 전류 통과홀의 형태를 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건 변화에 따라 새로운 전류 통과홀을 갖는 중간 실드 모듈을 새롭게 설치할 필요없이 단순히 조립 블록의 결합 위치를 변경하는 것만으로 전류 통과홀의 형태를 편리하게 변경할 수 있고, 이에 따라 더욱 편리하고 신속하게 중간 실드 모듈을 최적화할 수 있는 미세 금속 마스크 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a fine metal mask. More specifically, an intermediate shield module is installed in a space between an anode electrode plate and a cathode electrode plate, and current passing holes formed in the intermediate shield module can be freely changed in shape, thereby forming an optimal current passing hole shape according to plating conditions The thickness of the plating layer can be more uniformly formed and the uniformity of the plating layer can be more easily achieved even under various plating conditions and a plurality of assembly blocks can be used to form the current passing holes of the intermediate shield module It is possible to conveniently change the shape of the current passage hole simply by changing the engagement position of the assembly block without having to newly install the intermediate shield module having a new current passage hole according to the plating condition change, Optimize intermediate shield modules conveniently and quickly Which relates to a fine metal mask manufacturing apparatus.

일반적인 OLED(Organic Light Emitting Diode: 유기 발광 다이오드) 디스플레이 장치는 형광성 또는 인광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시 장치로서, N×M개의 유기 발광셀들을 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. A typical organic light emitting diode (OLED) display device is a display device for electrically exciting a fluorescent or phosphorescent organic compound to emit light, and is capable of displaying images by driving N × M organic light emitting cells.

이러한 유기 발광셀은 애노드(ITO), 유기박막, 캐소드(metal)의 구조로 되어 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송 층(electron transport layer, ETL) 및 정공수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함할 수 있다.Such an organic light emitting cell has a structure of an anode (ITO), an organic thin film, and a cathode (metal). The organic thin film has a multilayer structure including an emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) in order to improve the light emitting efficiency by improving the balance of electrons and holes. And may further include a separate electron injecting layer (EIL) and a hole injecting layer (HIL).

이러한 유기 전계 발광 소자에 있어 풀칼라화를 구현하기 위해서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 발광층을 각각 패터닝해야 하는데, 이러한 발광층을 패터닝하기 위해 미세 금속 마스크(FMM: Fine Metal Mask)가 이용된다. 미세 금속 마스크는 주로 열팽창 등을 고려하여 인바(Invar: 강철과 니켈의 합금)가 사용된다.In order to realize full colorization in such an organic electroluminescent device, red (R), green (G) and blue (B) light emitting layers must be patterned. In order to pattern the light emitting layer, a fine metal mask Mask) is used. Invar (an alloy of steel and nickel) is used in consideration of thermal expansion and the like.

미세 금속 마스크 제작을 위한 인바 합금(36%Ni-64%Fe) 또는 수퍼 인바 합금(32%Ni-63%Fe-5%Co)의 대표적인 생산 방식은 냉간압연 방식이 이용되고 있으나, 냉간압연 방식으로 두께 50μm 이하의 박판을 얻기 위해서는 다단의 압연 공정이 필요하므로, 공정이 길고 복잡하여 제조 단가가 높은 단점이 있다. 또한, 냉간 압연 방식으로 생산되는 50μm 이하의 압연 인바 박판은 그 폭이 500mm 이하로 제한되어 대면적 공정 재료로의 적용에 많은 어려움이 있다.Cold rolling is used as a typical production method of Invar alloy (36% Ni-64% Fe) or Super Invar alloy (32% Ni-63% Fe-5% Co) A multi-step rolling process is required in order to obtain a thin plate having a thickness of 50 탆 or less, which is disadvantageous in that the process is long and complicated, resulting in a high production cost. In addition, the rolled thin rolled sheet having a thickness of 50 탆 or less produced by the cold rolling method is limited to a width of 500 mm or less, which makes it difficult to apply it to a large area processing material.

이러한 문제들로 인해 20μm 이하의 두께를 요구하는 OLED 디스플레이 장치의 제조 단가 상승과 대면적 OLED 디스플레이 장치 제조의 공정 수율 저하로 단가 상승이 야기되어 디스플레이 기술 개발에 어려움이 발생되고 있다.Due to these problems, the manufacturing cost of an OLED display device requiring a thickness of 20 μm or less and the process yield of manufacturing a large-area OLED display device are lowered, leading to a rise in the unit price, resulting in a difficulty in development of display technology.

따라서, 최근에는 일면에 마스크 패턴이 형성된 음극 전극판을 이용하여 전주도금 방식으로 미세 금속 마스크용 인바 합금을 제작하는 제작 방법이 개발되고 있다.Therefore, recently, a manufacturing method for manufacturing an invar alloy for a fine metal mask by electroplating using a negative electrode plate having a mask pattern formed on one surface thereof has been developed.

이러한 전주도금 방식을 이용한 일반적인 미세 금속 마스크용 인바 합금 도금 제작 방법은 도금 탱크 내부 공간에 양극 전극판과 음극 전극판을 서로 평행한 상태로 대향되게 배치하고, 도금 탱크 내부 공간에 도금 용액(전해액)을 공급한 후 양극 전극판과 음극 전극판에 각각 양극 전원과 음극 전원을 연결하고, 여기에 전류를 인가하면 음극 전극판 일면에 도금층(인바 합금)이 형성되도록 하는 방식으로 구성된다. 이후 도금층을 음극 전극판으로부터 분리하여 후처리한 후 미세 금속 마스크를 최종적으로 제조 완료한다. 이때, 도금층에는 음극 전극판의 일면에 도금 공정 이전에 형성되어 있던 마스크 패턴이 전사되어 남아있게 된다.In general, a method for manufacturing an invar alloy plating for a fine metal mask using the electroplating method includes disposing a positive electrode plate and a negative electrode plate in a space in a plating tank so as to face each other in parallel to each other, A positive electrode power source and a negative electrode power source are connected to the positive electrode plate and the negative electrode plate, respectively, and a plating layer (invar alloy) is formed on one surface of the negative electrode plate when a current is applied thereto. Thereafter, the plating layer is separated from the cathode electrode plate, and after the post-treatment, the fine metal mask is finally manufactured. At this time, the mask pattern formed before the plating process is transferred and remains on one surface of the cathode electrode plate in the plating layer.

여기서, 음극 전극판의 일면에 형성된 도금층이 곧 인바 합금으로, 이는 목적하는 바에 따라 다르지만 보통 철-니켈 합금(36%Ni-64%Fe)으로 구성된다. 양극 전극판으로는 주로 니켈이 사용되며, 도금 용액은 철이온(Fe²⁺)이 용해된 상태로 존재하도록 형성된다.Here, the plating layer formed on one side of the negative electrode plate is an invar alloy, which is usually composed of an iron-nickel alloy (36% Ni-64% Fe), which varies depending on the purpose. Nickel is mainly used as the anode electrode plate, and the plating solution is formed so that iron ion (Fe ²⁺ ) is dissolved.

이러한 전주도금 방식을 이용한 미세 금속 마스크 제조 방법은 대면적화에 유리하여 최근 이에 대한 연구가 활발히 진행중이지만, 실제 양산 과정에 적용하기까지는 아직 여러가지 해결할 문제들이 상당히 존재하고 있다. 이러한 문제들 중 도금 과정에서 발생하는 전류 밀도의 불균일화로 인해 도금층의 두께가 불균일해지는 문제는 인바 합금의 품질과 관련하여 매우 중요한 요소이다.Although the method of manufacturing a fine metal mask using the electroplating method is advantageous in large-scale, researches on it have been actively conducted recently, but there are still many problems to be solved until it is applied to the actual mass production process. Among these problems, the problem that the thickness of the plating layer becomes uneven due to the non-uniformity of the current density occurring in the plating process is a very important factor in relation to the quality of the invar alloy.

일반적으로 도금 공정에서는 도금 재료 금속이 이온 상태로 존재하는 전해액에 양극 전극과 음극 전극이 설치되고, 양극과 음극 전극에 전원이 공급되면, 양극에서는 전기적 부식 반응으로 인해 소재 금속이 이온 상태로 산화되어 전해질로 녹아 나오게 되고, 반대로 음극에서는 도선을 타고 표면에 응집된 전자로 인해 전해질 속의 금속 이온이 금속으로 환원하여 전착이 이루어지게 된다.Generally, in the plating process, when an anode electrode and a cathode electrode are provided in an electrolytic solution in which plating metal is present in an ion state and power is supplied to the anode and the cathode electrode, the material metal is oxidized to an ion state due to an electric corrosion reaction at the anode In the negative electrode, the metal ions in the electrolyte are reduced to metal and electrodeposited due to the electrons agglomerated on the surface by the lead wire.

이때, 양극 전극판과 음극 전극판은 서로 대향되게 설치되는데, 양극 전극판과 음극 전극판이 평면인 경우, 두 전극판 사이에서 발생하는 전류의 흐름은 이른바 1차 전류분포(primary current distribution)라고 알려진 전류 분포를 나타내는데(도 2 참조), 이러한 전류 분포를 참고할 때, 각 전극판의 에지 부분에 전류가 집중되어 결과적으로 두 전극판 사이에서 전류 밀도의 불균형을 초래한다.At this time, the anode electrode plate and the cathode electrode plate are opposed to each other. When the anode electrode plate and the cathode electrode plate are flat, the current flow generated between the two electrode plates is called a primary current distribution Referring to this current distribution, currents are concentrated at the edge portions of each electrode plate, resulting in an imbalance in current density between the two electrode plates (see FIG. 2).

이러한 전류 밀도의 불균형은 전해액에 존재하는 이온의 전착량에 영향을 미쳐 음극 전극판 표면에서 형성되는 도금층의 두께 차이를 발생시킨다. 일반적으로 음극 전극판의 에지 부분에서 도금층의 두께가 더 증가하는 형태로 나타난다. 이와 같이 도금층의 두께가 전체 면적에서 서로 다르게 형성되면, 인바 합금의 경우 그 품질 문제로 직결되므로, 도금층의 두께를 균일하게 하는 것은 매우 중요한 요소이다.This imbalance in the current density affects the amount of electrodeposition of ions existing in the electrolyte solution, thereby causing a difference in the thickness of the plating layer formed on the surface of the cathode electrode plate. Generally, the thickness of the plating layer is increased in the edge portion of the cathode electrode plate. If the thickness of the plating layer is formed differently in the entire area as described above, it is very important to make the thickness of the plating layer uniform since the quality of the invar alloy is directly related to the quality problem.

일반적인 도금 공정에서 도금층의 두께를 균일하게 하기 위해 양극이나 음극에 실드가 설치된 기술들이 있으나, 이러한 종래의 실드는 양극 또는 음극에 결합되는 형태로 형성되어 전기화학적 부반응이 일어나거나 이온 흐름을 방해하여 도금 성분의 불균일을 발생시키는 등의 문제가 있어 미세 금속 마스크의 제작을 위한 도금 공정에는 적용할 수 없는 문제가 있다.In order to uniformize the thickness of the plating layer in a general plating process, there are techniques in which a shield is provided on the anode or the cathode. However, such a conventional shield is formed in a form coupled to the anode or the cathode so that an electrochemical side reaction occurs, There arises a problem that it is not applicable to a plating process for manufacturing a fine metal mask.

국내등록특허 제10-1665617호Korean Patent No. 10-1665617

본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 발명한 것으로서, 본 발명의 목적은 양극 전극판과 음극 전극판 사이 공간에 중간 실드 모듈을 설치하고 중간 실드 모듈에 형성된 전류 통과홀을 자유롭게 형태 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건에 따라 최적 상태의 전류 통과홀 형태를 형성할 수 있고, 이에 따라 도금층의 두께를 더욱 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 도금 조건에서도 더욱 용이하게 도금층 두께의 균일화를 달성할 수 있는 미세 금속 마스크 제조 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide an intermediate shield module in a space between an anode electrode plate and a cathode electrode plate, It is possible to form the current passing hole shape in the optimum state according to the plating condition, thereby making it possible to more uniformly form the thickness of the plating layer and to achieve the uniformity of the thickness of the plating layer more easily under various plating conditions And to provide a fine metal mask manufacturing apparatus.

본 발명의 다른 목적은 다수개의 조립 블록을 이용하여 중간 실드 모듈의 전류 통과홀의 형태를 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건 변화에 따라 새로운 전류 통과홀을 갖는 중간 실드 모듈을 새롭게 설치할 필요없이 단순히 조립 블록의 결합 위치를 변경하는 것만으로 전류 통과홀의 형태를 편리하게 변경할 수 있고, 이에 따라 더욱 편리하고 신속하게 중간 실드 모듈을 최적화할 수 있는 미세 금속 마스크 제조 장치를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide an intermediate shield module which can change the shape of current passing holes of an intermediate shield module by using a plurality of assembly blocks, It is an object of the present invention to provide a fine metal mask manufacturing apparatus capable of easily changing the shape of the current passing hole by merely changing the coupling position, thereby optimizing the intermediate shield module more conveniently and quickly.

본 발명은, 전주도금 방식을 이용한 미세 금속 마스크 제조 장치에 있어서, 내부 공간에 전해액이 공급 충진되는 도금 챔버가 형성되는 도금 탱크; 상기 도금 탱크의 도금 챔버에 배치되어 양극 전원을 공급받는 양극 전극판; 일면에 도금층이 형성되도록 상기 도금 챔버의 내부에서 상기 양극 전극판과 대향되는 위치에 배치되어 음극 전원을 공급받고, 도금층이 형성되는 일면에는 마스크 패턴이 형성되는 음극 전극판; 및 상기 양극 전극판과 음극 전극판 사이에 배치되어 상기 양극 전극판으로부터 상기 음극 전극판으로 향하는 상기 전해액의 이온 흐름을 고르게 분산시키는 중간 실드 모듈을 포함하고, 상기 중간 실드 모듈에는 상기 전해액이 통과할 수 있도록 전류 통과홀이 형성되며, 사용자의 조작에 따라 상기 전류 통과홀의 형태가 변경될 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 금속 마스크 제조 장치를 제공한다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a fine metal mask using a electroplating method, comprising: a plating tank in which a plating chamber in which an electrolyte is supplied and filled is formed in an inner space; An anode electrode plate disposed in the plating chamber of the plating tank and supplied with anode power; A negative electrode plate disposed at a position opposite to the positive electrode plate in the plating chamber so as to form a plating layer on one surface thereof and receiving a negative electrode power supply and forming a mask pattern on a surface of the plating layer; And an intermediate shield module disposed between the positive electrode plate and the negative electrode plate to uniformly disperse the ion flux of the electrolyte from the positive electrode plate toward the negative electrode plate, And a shape of the current passage hole can be changed according to an operation of the user.

이때, 상기 중간 실드 모듈은, 상기 도금 챔버를 상기 양극 전극판이 위치한 공간과 상기 음극 전극판이 위치한 공간으로 분리하며, 중심 영역에는 상기 전류 통과홀이 형성되는 실드 플레이트; 및 상기 실드 플레이트에 장착되어 상기 전류 통과홀의 형태를 변경할 수 있도록 형성되는 블록 조립 모듈을 포함하여 구성될 수 있다.The intermediate shield module may include a shield plate having the plating chamber separated into a space in which the anode plate is located and a space in which the cathode plate is located, And a block assembly module mounted on the shield plate and configured to change the shape of the current passage hole.

또한, 상기 블록 조립 모듈은, 상기 전류 통과홀을 횡단하는 방향으로 상기 실드 플레이트에 장착되는 지지 프레임; 및 상기 지지 프레임에 분리 가능하게 결합되어 상기 전류 통과홀의 일부 영역을 각각 차단하는 다수개의 조립 블록을 포함하고, 다수개의 상기 조립 블록의 결합 위치 변경에 따라 상기 전류 통과홀의 형태가 변경될 수 있다.The block assembly module may further include: a support frame mounted on the shield plate in a direction transverse to the current passage hole; And a plurality of assembly blocks detachably coupled to the support frame to block a part of the current passing holes, respectively, and the shape of the current passing holes may be changed according to a change of a coupling position of the plurality of assembly blocks.

또한, 상기 조립 블록은 상기 지지 프레임을 사이에 두고 상호 결합되는 2개의 기초 블록으로 구성되고, 상기 조립 블록은 2개의 상기 기초 블록이 별도의 결합 수단에 의해 상호 밀착함으로써 상기 지지 프레임에 밀착 결합될 수 있다.The assembly block is composed of two base blocks which are coupled to each other with the support frame therebetween, and the assembly block is tightly coupled to the support frame by the two base blocks being in close contact with each other .

또한, 상기 지지 프레임은 상기 전류 통과홀을 횡단하는 방향으로 서로 평행하게 다수개 장착되고, 상기 조립 블록은 상기 지지 프레임과 직교하는 방향으로 상기 전류 통과홀을 횡단하도록 길게 배치되며, 다수개의 상기 조립 블록이 상기 지지 프레임의 길이 방향을 따라 서로 이격되거나 접촉하는 형태로 적층되도록 구성될 수 있다.A plurality of the support frames are mounted parallel to each other in a direction transverse to the current passing holes, and the assembly block is arranged long to traverse the current passing holes in a direction orthogonal to the support frame, And the blocks may be stacked in such a manner that they are spaced apart or in contact with each other along the longitudinal direction of the support frame.

또한, 상기 조립 블록은 적어도 어느 한 변이 상기 조립 블록과 인접한 다른 조립 블록의 한 변과 접촉할 수 있도록 다각형 플레이트 형태로 형성되고, 다수개의 상기 조립 블록은 서로 이격되거나 접촉되는 형태로 배치될 수 있다.Also, the assembly block may be formed in the form of a polygonal plate so that at least one side of the assembly block can contact one side of another assembly block adjacent to the assembly block, and the plurality of assembly blocks may be disposed apart from or in contact with each other .

또한, 상기 조립 블록은 어느 한 변에 결합 돌기가 형성되고 다른 한 변에는 상기 결합 돌기가 삽입 맞물림될 수 있는 결합 홈이 형성되며, 다수개의 상기 조립 블록은 상기 결합 돌기와 결합 홈을 통해 서로 인접한 조립 블록끼리 맞물림 결합될 수 있다.The assembly block may have a coupling protrusion formed on one side thereof and a coupling groove on the other side thereof into which the coupling protrusion can be inserted, and a plurality of the assembly blocks are assembled adjacent to each other through the coupling protrusion and the coupling groove, The blocks can be engaged with each other.

한편, 상기 중간 실드 모듈은, 다수개의 조립 블록을 적층 결합한 형태로 이루어지는 블록 조립 모듈을 포함하고, 상기 블록 조립 모듈은 일부 영역에 상기 조립 블록이 제거된 형태로 상기 전류 통과홀을 형성하고, 상기 조립 블록의 결합 위치를 변경하여 상기 전류 통과홀의 형태를 변경하도록 형성될 수 있다.The intermediate shield module may include a block assembly module having a plurality of assembly blocks laminated to each other, wherein the block assembly module forms the current passage holes in a region where the assembly block is removed, And the shape of the current passage hole may be changed by changing the joining position of the assembly block.

본 발명에 의하면, 양극 전극판과 음극 전극판 사이 공간에 중간 실드 모듈을 설치하고 중간 실드 모듈에 형성된 전류 통과홀을 자유롭게 형태 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건에 따라 최적 상태의 전류 통과홀 형태를 형성할 수 있고, 이에 따라 도금층의 두께를 더욱 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 도금 조건에서도 더욱 용이하게 도금층 두께의 균일화를 달성할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, an intermediate shield module is provided in a space between the anode and cathode electrode plates and the current passing holes formed in the intermediate shield module can be freely changed in shape, thereby forming an optimal current passing hole shape according to the plating condition Accordingly, the thickness of the plating layer can be more uniformly formed, and the thickness of the plating layer can be more easily achieved even under various plating conditions.

또한, 다수개의 조립 블록을 이용하여 중간 실드 모듈의 전류 통과홀의 형태를 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건 변화에 따라 새로운 전류 통과홀을 갖는 중간 실드 모듈을 새롭게 설치할 필요없이 단순히 조립 블록의 결합 위치를 변경하는 것만으로 전류 통과홀의 형태를 편리하게 변경할 수 있고, 이에 따라 더욱 편리하고 신속하게 중간 실드 모듈을 최적화할 수 있는 효과가 있다.Further, since the shape of the current passing hole of the intermediate shield module can be changed by using a plurality of assembly blocks, it is possible to simply change the joining position of the assembly block without newly installing the intermediate shield module having a new current passing hole according to the plating condition change It is possible to conveniently change the shape of the current passing hole, thereby making it possible to optimize the intermediate shield module more conveniently and quickly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 금속 마스크 제조 장치의 구성을 개념적으로 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 기능을 설명하기 위한 개념도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈과 양극 및 음극 전극판과의 크기 및 배치 관계를 개념적으로 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 이동 구조를 개념적으로 도시한 도면,
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 금속 마스크 제조 장치를 이용하여 제조한 미세 금속 마스크의 도금 두께를 실험적으로 평가하여 도식화한 도면이다.FIG. 1 conceptually shows a configuration of a fine metal mask manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG.
FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a function of an intermediate shield module according to an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a conceptual view illustrating the size and arrangement relationship between the intermediate shield module and the anode and cathode electrode plates according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic view illustrating a configuration of an intermediate shield module according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 5 is a schematic view illustrating a configuration of an intermediate shield module according to another embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 6 conceptually illustrates a moving structure of an intermediate shield module according to an embodiment of the present invention, FIG.
FIGS. 7 and 8 are graphs illustrating the plating thickness of a fine metal mask manufactured by using the apparatus for manufacturing a fine metal mask according to an embodiment of the present invention. FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to designate the same or similar components throughout the drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 금속 마스크 제조 장치의 구성을 개념적으로 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 기능을 설명하기 위한 개념도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈과 양극 및 음극 전극판과의 크기 및 배치 관계를 개념적으로 도시한 도면이다.2 is a conceptual view for explaining a function of an intermediate shield module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view for explaining a function of the intermediate shield module according to an embodiment of the present invention. 3 is a view conceptually showing the size and arrangement relationship between the intermediate shield module and the anode and cathode electrode plates according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 미세 금속 마스크 제조 장치는 일면에 마스크 패턴이 형성된 음극 전극판을 이용하여 전주 도금 방식으로 미세 금속 마스크(FMM: Fine Metal Mask)를 제조하는 장치로서, 전해액이 충진되는 도금 탱크(100)와, 도금 탱크(100) 내부에 배치되어 각각 양극 전원 및 음극 전원을 공급받는 양극 전극판(200) 및 음극 전극판(300)과, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 공간에 배치되는 중간 실드 모듈(400)을 포함하여 구성된다.An apparatus for manufacturing a fine metal mask according to an embodiment of the present invention is an apparatus for manufacturing a fine metal mask (FMM: Fine Metal Mask) by electroplating using a negative electrode plate having a mask pattern on one surface thereof, An anode electrode plate 200 and an anode electrode plate 300 which are disposed in the plating tank 100 and are supplied with a positive power source and a negative electrode power source respectively and an anode electrode plate 200 and a cathode electrode plate 300, And an intermediate shield module 400 disposed in a space between the first and second modules 300.

도금 탱크(100)는 내부 공간에 전해액이 공급 충진될 수 있도록 형성되는데, 내부 공간은 도금 챔버(110)와 오버플로우 챔버(120)로 분리 형성될 수 있다. 도금 챔버(110)는 전해액 공급 유닛(500)으로부터 공급되는 전해액이 충진되는 공간으로, 내부에 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)이 배치된다. 오버플로우 챔버(120)는 도금 챔버(110)에 충진 완료되어 도금 챔버(110)의 상부 공간에서 오버플로우되는 전해액이 저장되도록 도금 챔버(110)의 외부 공간을 감싸는 형태로 형성된다. 오버플로우 챔버(120)에는 내부에 저장된 전해액을 외부 배출할 수 있도록 배출 포트(121)가 형성된다.The plating tank 100 is formed in such a manner that an electrolytic solution can be supplied to the inner space, and the inner space can be divided into the plating chamber 110 and the overflow chamber 120. The plating chamber 110 is a space filled with the electrolyte supplied from the electrolyte solution supply unit 500. The anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 are disposed inside. The overflow chamber 120 is formed to surround the outer space of the plating chamber 110 so that the overflowed electrolyte is stored in the upper space of the plating chamber 110 after the plating chamber 110 is filled. The overflow chamber 120 is formed with a discharge port 121 for discharging the electrolytic solution stored therein.

또한, 도금 챔버(110)의 하부에는 별도의 전해액 공급 펌프(P)으로부터 공급되는 전해액이 임시 저장된 이후 도금 챔버(110)로 유입되도록 별도의 버퍼 챔버(130)가 도금 챔버(110)와 연통되게 형성된다. 버퍼 챔버(130)는 도금 챔버(110)에 비해 상대적으로 더 큰 내부 면적을 갖도록 형성되며, 전해액 공급 펌프(P)를 통해 공급된 전해액의 난류 또는 와류와 같은 불안정한 유동 상태가 모두 안정화된 상태에서 전해액이 도금 챔버(110)로 유입되도록 충분한 수용 용량을 갖도록 형성된다. 이러한 버퍼 챔버(130)에는 전해액이 유입되도록 유입 포트(131)가 형성되며, 전해액 공급 펌프(P)와 연결된다. 따라서, 전해액 공급 펌프(P)로부터 공급되는 전해액은 유입 포트(131)를 통해 버퍼 챔버(130)로 유입되어 일정 시간 동안 임시 저장되며 유동 안정화되고, 유동 안정화된 상태로 도금 챔버(110)로 유입된다.A separate buffer chamber 130 is connected to the plating chamber 110 so that the electrolytic solution supplied from the separate electrolytic solution supply pump P is temporarily stored in the plating chamber 110 and then introduced into the plating chamber 110 . The buffer chamber 130 is formed to have a relatively larger internal area as compared with the plating chamber 110, and the unstable flow state such as the turbulence or vortex of the electrolyte supplied through the electrolyte supply pump P is stabilized And is formed to have a sufficient capacity to allow the electrolytic solution to flow into the plating chamber 110. In the buffer chamber 130, an inlet port 131 is formed to allow the electrolyte to flow, and is connected to the electrolyte supply pump P. Therefore, the electrolytic solution supplied from the electrolytic solution supply pump P flows into the buffer chamber 130 through the inlet port 131, is temporarily stored for a predetermined time, is flow stabilized, flows into the plating chamber 110 in a fluid- do.

또한, 도금 탱크(100) 내부에는 버퍼 챔버(130)와 도금 챔버(110)를 구획할 수 있도록 별도의 중간 지지판(150)이 형성될 수 있으며, 중간 지지판(150)에는 도금 챔버(110)와 버퍼 챔버(130)가 연통되도록 다수개의 연통홀(151)이 형성될 수 있다.A separate intermediate support plate 150 may be formed in the plating tank 100 to partition the buffer chamber 130 and the plating chamber 110. The intermediate support plate 150 may be provided with a plating chamber 110, A plurality of communication holes 151 may be formed so that the buffer chamber 130 is communicated.

양극 전극판(200)은 도금 탱크(100)의 내부, 좀더 구체적으로는 도금 챔버(110) 내부에 배치되어 양극 전원을 공급받는다. 음극 전극판(300)은 양극 전극판(200)에 대응되는 것으로 도금 챔버(110)의 내부에 배치되어 음극 전원을 공급받는다. 이때, 음극 전극판(300)은 일면에 도금층이 형성되도록 도금 챔버(110) 내부에서 양극 전극판(200)과 대향되는 위치에 배치된다.The anode electrode plate 200 is disposed inside the plating tank 100, more specifically, inside the plating chamber 110, and receives anode power. The cathode electrode plate 300 corresponds to the anode electrode plate 200 and is disposed inside the plating chamber 110 to receive a negative electrode power supply. At this time, the cathode electrode plate 300 is disposed at a position facing the anode electrode plate 200 in the plating chamber 110 so that a plating layer is formed on one surface.

이와 같이 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)이 도금 챔버(110) 내부에 서로 대향되게 배치된 상태에서, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)에 각각 양극 전원 및 음극 전원이 공급됨과 동시에 전해액이 도금 챔버(110)에 충진되면, 음극 전극판(300)의 표면에 도금층이 형성된다. 이는 전해액에 함유된 이온 입자들이 음극 전극판(300) 표면에서 도금층을 이루는 일반적인 도금 원리에 따른 것으로, 이러한 도금 원리에 대한 상세한 설명은 생략한다. 이와 같이 형성된 도금층을 음극 전극판(300)으로부터 분리하여 별도 후처리 공정을 통해 미세 금속 마스크 제작을 완료하게 된다.The positive electrode plate 200 and the negative electrode plate 300 are disposed on the positive electrode plate 200 and the negative electrode plate 300 in a state where the positive electrode plate 200 and the negative electrode plate 300 are opposed to each other in the plating chamber 110, When the power is supplied and the electrolyte is filled in the plating chamber 110, a plating layer is formed on the surface of the cathode electrode plate 300. This is in accordance with a general plating principle in which the ion particles contained in the electrolytic solution form a plating layer on the surface of the cathode electrode plate 300, and a detailed description of this plating principle will be omitted. The plating layer thus formed is separated from the cathode electrode plate 300, and a fine metal mask is completed through another post-treatment process.

이때, 음극 전극판(300)은 양극 전극판(200)과 대향하는 일면에 도금층이 형성되고, 반대면은 외부 노출이 차단되도록 배치되므로, 도금층이 형성되지 않는다. 음극 전극판(300)의 일면에는 도금층에 전사시킬 수 있도록 마스크 패턴이 형성된다.At this time, the cathode electrode plate 300 is formed with a plating layer on one surface facing the anode electrode plate 200, and the opposite surface is arranged so as to block external exposure, so that no plating layer is formed. A mask pattern is formed on one surface of the cathode electrode plate 300 so as to be transferred to the plating layer.

여기서, 양극 전극판(200)은 니켈이 적용되고, 음극 전극판(300)은 스테인리스 스틸로 적용될 수 있다. 전해액은 상용화된 니켈 썰파메이트 도금용액[니켈이온농도(70~100g/L), 붕산농도(20~40g/L), 염화니켈농도(3~5g/L)로 구성됨]이나, 또는 니켈 와츠 용액[니켈이온농도(70~90g/L), 붕산농도(20~40g/L), 염화니켈농도(50~70g/L)로 구성됨]이 사용될 수 있지만 이에 한정되지 않고 사용자의 필요에 따라 다양한 종류가 사용될 수 있다.Here, the anode electrode plate 200 may be made of nickel, and the cathode electrode plate 300 may be made of stainless steel. The electrolytic solution is composed of a commercially available nickel sodium salt plating solution (composed of nickel ion concentration (70 to 100 g / L), boric acid concentration (20 to 40 g / L) and nickel chloride concentration (3 to 5 g / L) (Composed of a nickel ion concentration (70 to 90 g / L), a boric acid concentration (20 to 40 g / L) and a nickel chloride concentration (50 to 70 g / L)] may be used. However, Can be used.

중간 실드 모듈(400)은 도 1에 도시된 바와 같이 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)의 사이 공간에서 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)으로부터 각각 이격되게 배치되며, 양극 전극판(200)으로부터 음극 전극판(300)으로 향하는 전류 밀도의 집중을 방지하여 전해액의 이온 흐름을 고르게 분산시키도록 구성될 수 있다. 이때, 중간 실드 모듈(400)에는 전해액이 통과할 수 있는 구조를 가진 전류 통과홀(411)이 형성되며, 사용자의 조작에 따라 전류 통과홀(411)의 형태가 변경될 수 있도록 형성된다. 전류 통과홀(411)의 형태를 변경할 수 있도록 함으로써, 도금 조건에 따라 최적의 전류 통과홀(411) 형태를 형성할 수 있는데, 이에 대한 상세한 설명은 도 4 및 도 5를 중심으로 후술한다.The intermediate shield module 400 is spaced apart from the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 in the space between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 as shown in FIG. , The concentration of the current density from the anode electrode plate 200 toward the cathode electrode plate 300 can be prevented, and the ion flow of the electrolyte can be evenly dispersed. At this time, the intermediate shield module 400 is formed with a current passing hole 411 having a structure through which the electrolyte can pass, and the shape of the current passing hole 411 can be changed according to a user's operation. The shape of the current passing hole 411 can be changed to form an optimum current passing hole 411 in accordance with the plating condition. A detailed description thereof will be given later with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.

이러한 중간 실드 모듈(400)은 양극 전극판(200) 또는 음극 전극판(300)에 결합되는 형태로 장착되는 것이 아니라 양극 전극판(200)으로부터 이격되고 음극 전극판(300)으로부터도 이격되게 배치되며, 예를 들면, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)의 이격 거리의 중간 지점에 배치될 수 있다. The intermediate shield module 400 is not mounted on the anode electrode plate 200 or the cathode electrode plate 300 but is spaced apart from the anode electrode plate 200 and spaced apart from the cathode electrode plate 300. [ For example, at a midpoint between the distance between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300.

그러나, 이러한 중간 실드 모듈(400)은 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)으로부터 각각 이격되게 배치될 수도 있으나, 양극 전극판(200) 또는 음극 전극판(300)에 결합된 형태로 배치될 수도 있다.However, the intermediate shield module 400 may be spaced apart from the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300, but may be formed in a form coupled to the anode electrode plate 200 or the cathode electrode plate 300 .

또한, 중간 실드 모듈(400)은 플레이트 형태의 실드 플레이트(410)를 포함하여 구성되는데, 실드 플레이트(410)는 도금 챔버(110)를 양극 전극판(200)이 위치한 공간과 음극 전극판(300)이 위치한 공간으로 분리하도록 장착된다. 이때, 실드 플레이트(410)의 중심 영역에는 도금 챔버(110)에 충진된 전해액이 통과할 수 있도록 전류 통과홀(411)이 형성된다.The intermediate shield module 400 includes a plate-shaped shield plate 410. The shield plate 410 surrounds the plating chamber 110 in a space where the anode plate 200 is located and the cathode plate 300 To the space in which they are located. At this time, a current passing hole 411 is formed in the center region of the shield plate 410 so that the electrolyte filled in the plating chamber 110 can pass through.

좀 더 자세히 살펴보면, 서로 대향되는 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)에 전원을 인가하면, 그 사이 공간에서는 도 2에 도시된 바와 같이 1차 전류분포(primary current distribution)라고 알려진 전류 흐름이 발생하여 두 전극판의 에지 부분에서 전류 밀도가 높게 나타난다. More specifically, when power is applied to the anode plate 200 and the cathode plate 300, which are opposed to each other, a current (hereinafter referred to as a " primary current distribution " The current density is high at the edge portions of the two electrode plates.

즉, 도금 과정에서 두 전극판에 전원이 인가되면, 두 전극판의 에지 부분에서 전하가 축적되고, 축적된 전하에 비해 국부적인 저항은 옴의 법칙(I=V/R)에 의해 상대적으로 낮아지게 된다. 이와 같이 전극의 에지 부분에서 전류량이 전극의 표면 중심부보다 높아지는 현상을 터미널 효과(terminal effect)라고도 한다.That is, when power is applied to the two electrode plates in the plating process, the charges are accumulated at the edge portions of the two electrode plates, and the local resistance is relatively low by the Ohm's law (I = V / R) . The phenomenon that the amount of current at the edge portion of the electrode becomes higher than the center portion of the surface of the electrode is referred to as a terminal effect.

이와 같이 전류의 국부적인 증가가 발생하면, 도금층이 형성되는 음극 전극판(300)의 표면에서 전류 밀도의 불균일화가 발생한다. 전류 밀도는 단위 면적당 흐르는 전류의 양을 의미하는데, 전류 밀도의 차이는 도금층의 두께 차이를 야기시킨다. 이는 패러데이 법칙(수식 1)으로 설명된다.If the local increase of the current occurs as described above, non-uniformity of the current density occurs on the surface of the cathode electrode plate 300 on which the plating layer is formed. The current density means the amount of current flowing per unit area, and the difference in the current density causes the thickness difference of the plating layer. This is explained by the Faraday rule (Equation 1).

<수식 1>&Lt; Formula 1 >

W = (I * t * e^q)/FW = (I * t * ^eq ) / F

여기서, W는 석출되는 금속의 질량(g), I는 전류(A), t는 도금 시간(sec), e^q는 석출되는 금속의 당량, F는 패러데이 상수(26.8Ah)를 나타낸다.Here, W is the mass (g), I is the current (A), t is the plating time (sec), ^q e of the metal to be precipitated is equivalent, F of the metal to be deposited represents the Faraday constant (26.8Ah).

이러한 수식에 따라 전류I가 증가하면, 비례적으로 석출량도 증가하게 되며, 이는 곧 도금 두께의 증가를 의미한다. 즉, 도금층의 에지 부분은 두껍게 도금이 되고, 내측 중심 영역은 상대적으로 얇게 도금이 되어 도금 두께의 불균일화가 발생하는데, 이러한 도금 두께의 불균일화는 도금 면적이 넓어질수록 심화되는 경향이 있다.As the current I increases according to this formula, the precipitation amount increases proportionally, which means an increase in the plating thickness. That is, the edge portion of the plating layer is plated thick, and the inner central region is relatively thinly plated, resulting in nonuniform plating thickness. Such nonuniform plating thickness tends to increase as the plating area becomes wider.

본 발명에 의해 제조되는 미세 금속 마스크는 균일한 두께를 요구하는 필름 형태의 제품으로, 이러한 두께 편차는 치명적인 제품 불량으로 이어진다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 이러한 도금층의 두께 편차를 줄이기 위해 도 2에 도시된 바와 같이 중간 실드 모듈(400)을 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이에 배치하였다. 중간 실드 모듈(400)은 플레이트 형상의 실드 플레이트(410)를 포함하고, 실드 플레이트(410)의 중심 영역에는 전해액이 통과할 수 있도록 전류 통과홀(411)이 형성된다.The micro-metal mask produced by the present invention is a film-like product requiring a uniform thickness, and this thickness variation leads to fatal product defects. Accordingly, in an embodiment of the present invention, an intermediate shield module 400 is disposed between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 as shown in FIG. 2 to reduce the thickness variation of the plating layer. The intermediate shield module 400 includes a plate-shaped shield plate 410, and a current passing hole 411 is formed in the central region of the shield plate 410 so that the electrolyte can pass through.

따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 전류 밀도가 집중되는 두 전극판(200,300)의 에지 부분은 실드 플레이트(410)에 의해 그 사이 공간이 차단되고, 중심 영역은 실드 플레이트(410)의 전류 통과홀(411)에 의해 개방된 상태로 유지되며, 이를 통해 전극판의 에지 부분으로 집중되는 전류 흐름을 전체 영역에 걸쳐 고르게 분산시킬 수 있다. 전류 흐름이 고르게 분산됨에 따라 전해 이온의 전착량이 마찬가지로 고르게 분산되어 음극 전극판(300)에서 형성되는 도금층의 두께가 전체 영역에서 상대적으로 균일하게 형성된다.2, the edge portions of the two electrode plates 200 and 300, in which the current density is concentrated, are shielded by the shield plate 410, and the central region is shielded by the current passing holes of the shield plate 410 (411), whereby the current flow concentrated to the edge portion of the electrode plate can be evenly distributed over the entire region. As the current flow is evenly dispersed, the electrodeposition amount of the electrolytic ions is equally dispersed, so that the thickness of the plating layer formed in the cathode electrode plate 300 is relatively uniform in the entire region.

이러한 중간 실드 모듈(400)이 양극 전극판(200) 또는 음극 전극판(300)에 결합되는 형태가 아니라 중간 위치에 별도로 설치되는 경우, 도금 과정에서 중간 실드 모듈(400)에 의해 발생할 수 있는 양극의 전기 화학적인 부반응을 방지함과 동시에 음극 전극판(300)에 대한 전해액의 흐름을 방해하지 않아 정상적인 품질의 도금층을 얻을 수 있다.In a case where the intermediate shield module 400 is separately installed at an intermediate position, rather than being coupled to the anode electrode plate 200 or the cathode electrode plate 300, It is possible to obtain a normal quality plating layer without interfering with the flow of the electrolytic solution to the cathode electrode plate 300.

이때, 중간 실드 모듈(400)은 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 영역을 완전하게 횡단하며 차단할 수 있도록 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 영역의 단면적보다 더 크게 형성된다.1 to 3, the intermediate shield module 400 includes a positive electrode plate 200 and a negative electrode plate 300 so as to completely cut off the area between the positive electrode plate 200 and the negative electrode plate 300, Is larger than the cross-sectional area of the region between the electrode plates (300).

즉, 중간 실드 모듈(400), 좀더 구체적으로는 실드 플레이트(410)는, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)의 가장자리 부분을 연결한 직선을 통해 형성되는 영역(M)을 직각 방향으로 횡단하며 그 외부 영역까지 일부 차단할 수 있도록 형성되는 것이 바람직하다.That is, the intermediate shield module 400, and more specifically, the shield plate 410, is formed so that the region M formed through the straight line connecting the edge portions of the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300, And may be formed so as to partially block the outer region thereof.

예를 들면, 실드 플레이트(410)는 그 상단부는 도금 탱크(100) 내부에 형성된 별도의 상단 지지부(140)에 의해 지지되고, 그 하단부는 도금 탱크(100) 내부에 형성된 중간 지지판(150)에 지지되도록 형성될 수 있다.The upper end of the shield plate 410 is supported by a separate upper support 140 formed in the plating tank 100 and the lower end of the shield plate 410 is connected to the intermediate support plate 150 formed inside the plating tank 100 As shown in Fig.

이와 같은 구조에 따라 실드 플레이트(410)의 면적은 양극 전극판(200) 및 음극 전극판(300)이 실드 플레이트(410)에 투영된 면적보다 더 크게 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우, 전류 통과홀(411)은 실드 플레이트(410)의 중심 영역에 형성되고, 양극 전극판(200) 및 음극 전극판(300)이 실드 플레이트(410)에 투영된 면적보다 더 작게 형성되는 것이 바람직하다. 그러나 이러한 실드 플레이트(410) 및 전류 통과홀(411)의 크기 및 형상은 사용자의 필요에 따라 다양하게 변경할 수 있다.According to this structure, it is preferable that the area of the shield plate 410 is formed larger than the area projected to the shield plate 410 by the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300. In this case, It is preferable that the holes 411 are formed in the center region of the shield plate 410 and the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 are formed to be smaller than the area projected to the shield plate 410. However, the size and shape of the shield plate 410 and the current passing hole 411 can be variously changed according to the needs of the user.

한편, 도금 탱크(100)는 전해액 공급 펌프(P)를 통해 하부 공간으로 공급되는 전해액이 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 공간으로 유입되도록 형성되고, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)은 도 1에 도시된 바와 같이 상부로 갈수록 서로 근접하는 방향으로 경사지게 배치될 수 있다.The plating tank 100 is formed such that the electrolyte supplied to the lower space through the electrolyte solution supply pump P flows into the space between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300, The cathode electrode plate 300 and the cathode electrode plate 300 may be inclined in a direction approaching each other as shown in FIG.

이러한 구조에 따라 도금 탱크(100)로 공급되는 전해액은 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 공간으로 유입되어 상부측으로 차오르게 되는데, 이 과정에서 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)의 사이 간격이 상부로 갈수록 작아지기 때문에, 상부측으로 갈수록 전해액의 속도를 향상시키는 효과를 발생시킨다. 따라서, 중력 등의 영향으로 인해 전해액의 상부측 운동 에너지가 하부측 운동 에너지보다 작아지는 현상을 방지할 수 있고, 이로 인해 음극 전극판(300) 일면에 형성되는 도금층의 성분 비율이 상하부 전체 영역에서 모두 균일하게 나타난다.According to this structure, the electrolytic solution supplied to the plating tank 100 flows into the space between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 so as to rise to the upper side. In this process, the anode electrode plate 200 and the cathode electrode Since the interval between the plates 300 becomes smaller toward the upper side, the effect of increasing the speed of the electrolytic solution toward the upper side is generated. Therefore, it is possible to prevent the upper side kinetic energy of the electrolytic solution from becoming smaller than the lower side kinetic energy due to the influence of gravity or the like, and as a result, the composition ratio of the plating layer formed on one surface of the cathode electrode plate 300, All appear uniformly.

좀더 자세히 살펴보면, 본 발명의 일 실시예에서는 도금 챔버(110) 내부에 배치된 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)이 도 1에 도시된 바와 같이 상부로 갈수록 서로 근접하는 방향으로 경사지게 배치되며, 전해액 공급 펌프(P)을 통해 공급되는 전해액은 버퍼 챔버(130)를 거쳐 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 공간으로 유입되어 상승 유동 흐름을 나타낸다. 1, the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 disposed in the plating chamber 110 are inclined in the direction of approaching each other as shown in FIG. 1, And the electrolyte solution supplied through the electrolyte supply pump P flows into the space between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 through the buffer chamber 130 to show an upward flow.

이때, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)이 서로 평행하게 수직 방향으로 배치되어 있다면, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 공간으로 유입되어 상승 유동하는 전해액은 중력 등의 영향에 의해 상부측에서의 속도가 상대적으로 늦어지게 된다. 이와 같이 전해액의 상승 속도가 일정하지 않고 늦어지게 되면, 음극 전극판(300) 표면에 형성되는 도금층의 성분 비율이 달라지게 된다. In this case, if the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 are arranged in parallel to each other in a vertical direction, the electrolyte flowing into the space between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300, The speed at the upper side becomes relatively slow. If the rising speed of the electrolyte solution is not constant and slow, the composition ratio of the plating layer formed on the surface of the cathode electrode plate 300 is changed.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 금속 마스크 제조 장치는 이러한 전해액의 상승 유동 속도의 저하를 방지하도록 전해액의 유동 방향을 따라 유동 단면적을 감소시키는 형태로 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300) 사이 공간이 점점 작아지게 구성된다. 이를 위해 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)가 상부로 갈수록 서로 근접하는 방향으로 경사지게 배치된다.Therefore, the apparatus for fabricating a fine metal mask according to an embodiment of the present invention can reduce the cross-sectional area of flow of the electrolyte along the flow direction of the electrolyte to prevent a decrease in the ascending flow rate of the electrolyte, (300) is made smaller. For this purpose, the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 are arranged to be inclined in the direction of approaching each other as they go upward.

즉, 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)의 사이 간격이 감소함으로써, 그 사이를 유동하는 전해액의 유동 단면적이 감소하게 되고, 이에 따라 상부측으로 갈수록 전해액의 유동 속도를 상승시키는 효과가 발휘되며, 이는 중력 등에 의해 상부측으로 갈수록 전해액의 상승 속도가 늦어지는 것을 보완하게 되고, 이에 따라 양극 전극판(200)과 음극 전극판(300)의 경사 각도를 적절하게 조절함으로써, 전해액의 상승 속도를 상하 모든 구간에서 항상 일정하게 유지시킬 수 있다. 이와 같이 전해액의 상승 속도를 모든 구간에서 일정하게 유지시키면, 음극 전극판(300)의 일면에 형성되는 도금층의 성분 비율이 항상 일정하게 나타날 수 있고, 이에 따라 제품의 품질이 향상된다.That is, since the distance between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 is reduced, the flow cross-sectional area of the electrolyte flowing between the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 is reduced. Thus, the effect of increasing the flow rate of the electrolyte toward the upper side And the inclination angles of the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300 are appropriately adjusted by adjusting the inclination angles of the anode electrode plate 200 and the cathode electrode plate 300. As a result, Can always be kept constant in all the upper and lower sections. When the rising speed of the electrolyte is maintained constant in all the sections, the proportion of the component of the plating layer formed on one surface of the cathode electrode plate 300 can be always constant, thereby improving the quality of the product.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 4 is a view schematically showing a configuration of an intermediate shield module according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view schematically showing the configuration of an intermediate shield module according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시에에 따른 중간 실드 모듈(400)에는 전술한 바와 같이 전해액이 통과할 수 있는 구조를 가진 전류 통과홀(411)이 형성되며, 전류 통과홀(411)의 형태가 변경될 수 있도록 형성된다.In the intermediate shield module 400 according to an embodiment of the present invention, the current passing hole 411 having a structure through which the electrolyte passes can be formed as described above, and the shape of the current passing hole 411 can be changed .

전해액의 이온 흐름 및 전류 밀도의 분포는 도금 조건에 따라 다양하게 형성될 수 있는데, 이러한 다양한 환경에 대해 최적의 조건을 위해서는 전류 통과홀(411)의 형태를 다양하게 변경할 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.The distribution of the ion current and the current density of the electrolytic solution may be variously formed according to the plating conditions. In order to optimize the conditions of the various environments, it is preferable that the current passing holes 411 are configured to be variously changed .

이러한 중간 실드 모듈(400)은 전술한 바와 같이 도금 챔버(110)를 양극 전극판(200)이 위치한 공간과 음극 전극판(300)이 위치한 공간으로 분리하며 중심 영역에는 전류 통과홀(411)이 형성되는 실드 플레이트(410)를 포함하고, 이에 더하여 전류 통과홀(411)의 형태를 변경할 수 있도록 실드 플레이트(410)에 장착되는 블록 조립 모듈(420)을 더 포함하여 구성된다. 이때, 전류 통과홀(411)은 실드 플레이트(410)의 가장자리 부분을 제외하고 중심 영역에 상대적으로 크게 형성된다.The intermediate shield module 400 separates the plating chamber 110 into a space in which the anode electrode plate 200 is located and a space in which the cathode electrode plate 300 is located and a current passage hole 411 is formed in the center region And a block assembly module 420 mounted on the shield plate 410 so as to change the shape of the current passing hole 411. In addition, At this time, the current passing hole 411 is formed relatively large in the central region except the edge portion of the shield plate 410.

블록 조립 모듈(440)은 도 4에 도시된 바와 같이 전류 통과홀(411)을 횡단하는 방향으로 서로 평행하게 실드 플레이트(410)에 장착되는 다수개의 지지 프레임(441)과, 지지 프레임(441)에 결합되어 전류 통과홀(411)의 일부 영역을 각각 차단하는 다수개의 조립 블록(442)을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 조립 블록(442)은 지지 프레임(441)에 분리 가능하게 결합되며, 다수개의 조립 블록(442)의 결합 위치 변경에 따라 전류 통과홀(411)의 형상 및 크기가 변경되도록 구성될 수 있다.The block assembly module 440 includes a plurality of support frames 441 mounted on the shield plate 410 in parallel to each other in a direction transverse to the current passing holes 411, And a plurality of assembly blocks 442 coupled to the current passing holes 411 to block a part of the current passing holes 411, respectively. At this time, the assembly block 442 is detachably coupled to the support frame 441, and the shape and size of the current passing hole 411 may be changed according to the change of the engagement position of the plurality of assembly blocks 442 .

이러한 조립 블록(442)은, 지지 프레임(441)을 사이에 두고 상호 결합되는 2개의 기초 블록(442-1)으로 구성될 수 있으며, 기초 블록(442-1)이 별도의 결합 수단(S)에 의해 상호 밀착되게 결합됨으로써, 조립 블록(442)이 지지 프레임(441)에 밀착 결합될 수 있다. 이때, 결합 수단(S)은 도 4에 도시된 바와 같이 스크류가 적용될 수 있으며, 이 경우, 기초 블록(442-1)에는 스크류 결합을 위한 나사홀(T)이 형성될 수 있다. 물론, 결합 수단(S)은 스크류 이외에도 다양하게 적용될 수 있으며, 예를 들면, 기초 블록(442-1)의 내부에 자석(미도시)이 삽입되어 자석의 자기력에 의해 2개의 기초 블록(442-1)이 상호 밀착 결합하도록 구성될 수도 있다.The assembly block 442 may be composed of two base blocks 442-1 that are coupled to each other with the support frame 441 interposed therebetween and the base block 442-1 is provided with a separate engaging means S, So that the assembly block 442 can be tightly coupled to the support frame 441. In this case, a screw may be applied to the coupling means S as shown in FIG. 4. In this case, a screw hole T for screw coupling may be formed in the base block 442-1. For example, a magnet (not shown) may be inserted into the base block 442-1 so that the two base blocks 442- 1 may be configured to be in close contact with each other.

이러한 조립 블록(442)을 지지 프레임(441)에 결합함으로써, 조립 블록(442)이 결합된 영역은 전류 통과홀(411)이 차단되고, 조립 블록(442)이 결합되지 않은 영역을 통해 전류 통과홀(411)의 형상을 결정하게 된다. By joining the assembly block 442 to the support frame 441, the area where the assembly block 442 is coupled is blocked by the current passage hole 411 and the current passing through the area where the assembly block 442 is not coupled The shape of the hole 411 is determined.

따라서, 조립 블록(442)의 결합 위치를 자유롭게 변경하여 전류 통과홀(411)의 형상을 사용자의 필요에 따라 자유롭게 변경할 수 있다. Therefore, the coupling position of the assembly block 442 can be freely changed to freely change the shape of the current passing hole 411 according to the needs of the user.

이때, 조립 블록(442)은 모두 동일한 형태가 적용되는 것으로 도시되었으나, 사용자의 필요에 따라 다양한 형상을 갖는 조립 블록(442)을 적용할 수도 있을 것이다. 예를 들면, 도 5에 도시된 조립 블록(442)과 도 4에 도시된 조립 블록(442)을 서로 조합한 형태로 적용될 수도 있다.At this time, although all of the assembly blocks 442 are shown as being applied to the same shape, the assembly block 442 having various shapes may be applied according to the needs of the user. For example, the assembly block 442 shown in FIG. 5 and the assembly block 442 shown in FIG. 4 may be combined with each other.

또한, 조립 블록(442)은 적어도 어느 한 변이 상기 조립 블록(442)과 인접한 다른 조립 블록(442)의 한 변과 접촉할 수 있도록 다각형 플레이트 형태로 형성되고, 다수개의 조립 블록(442)은 서로 이격되거나 접촉되는 형태로 배치될 수 있다. 다수개의 조립 블록(442)이 서로 이격되는 공간은 조립 블록(442)에 의해 차단되지 않으므로, 이 공간에 전류 통과홀(411)이 형성된다.The assembly block 442 is formed in the form of a polygonal plate so that at least one side of the assembly block 442 can contact one side of the other assembly block 442 adjacent to the assembly block 442, They can be arranged in a spaced or contacted manner. The space in which the plurality of assembly blocks 442 are spaced apart from each other is not blocked by the assembly block 442, so that the current passage hole 411 is formed in this space.

또한, 조립 블록(442)은 어느 한 변에 결합 돌기(442-2)가 형성되고 다른 한 변에는 결합 돌기(442-2)가 삽입 맞물림될 수 있는 결합 홈(442-3)이 형성되며, 다수개의 조립 블록(442)은 이러한 결합 돌기(442-2) 및 결합 홈(442-3)의 상호 맞물림에 의해 서로 인접한 조립 블록(442)끼리 맞물림 결합될 수 있다. 이러한 조립 블록(442)의 맞물림 결합 구조에 의해 조립 블록(442)의 위치를 더욱 안정적으로 유지시킬 수 있고, 조립 블록(442)의 접촉면에서의 의도하지 않은 이격 공간을 방지할 수 있어 더욱 정확한 전류 통과홀(411)의 형상을 형성할 수 있다.The assembly block 442 is formed with a coupling protrusion 442-2 on one side and an engagement groove 442-3 on the other side in which the coupling protrusion 442-2 can be inserted, The plurality of assembly blocks 442 can be engaged with each other by the mutual engagement of the engagement protrusions 442-2 and the engagement grooves 442-3. The engagement structure of the assembly block 442 can more stably maintain the position of the assembly block 442 and can prevent an unintentional space in the contact surface of the assembly block 442, The shape of the through hole 411 can be formed.

도 4에서는 이러한 조립 블록(442)이 정사각형 플레이트 형태로 형성되어 이들의 결합 위치 변경을 통해 전류 통과홀(411)의 형태를 변경하는 것으로 설명하였으나, 도 5에 도시된 바와 같이 조립 블록(442)은 지지 프레임(441)과 직교하는 방향으로 전류 통과홀(411)을 횡단하도록 길게 배치되며, 이와 같은 다수개의 조립 블록(442)이 지지 프레임(441)의 길이 방향을 따라 서로 이격되거나 접촉하는 형태로 적층되어 이격 공간을 통해 전류 통과홀(411)의 형태를 결정할 수 있다.4, the assembly block 442 is formed in the shape of a square plate, and the shape of the current passage hole 411 is changed by changing the coupling position of the assembly block 442. However, as shown in FIG. 5, The plurality of assembly blocks 442 are arranged to extend across the current passing holes 411 in a direction perpendicular to the support frame 441, And the shape of the current passing hole 411 can be determined through the spacing space.

이때, 조립 블록(442)의 이격 공간을 통해 형성되는 전류 통과홀(411)의 형태는 도 5에 도시된 바와 같이 상하 분리된 형태로 다수개 형성될 수도 있는 등 다양하게 형성될 수 있다.At this time, the shape of the current passing holes 411 formed through the spacing space of the assembly block 442 may be variously formed as shown in FIG.

한편, 이상에서는 중간 실드 모듈(400)에 대해 실드 플레이트(410)와, 실드 플레이트(410)에 장착되는 블록 조립 모듈(440)의 형태로 설명하였으나, 이와 달리 중간 실드 모듈(400)은 실드 플레이트(410) 없이 단순히 블록 조립 모듈(440)을 포함하는 형태로도 구성될 수 있다.Although the intermediate shield module 400 has been described in terms of the shield plate 410 and the block assembly module 440 mounted on the shield plate 410 in the above description, But may also be configured in a form that simply includes the block assembly module 440 without the block assembly module 410.

이때, 블록 조립 모듈(440)은 지지 프레임(441)이 기본 골격을 이루도록 형성되며, 다수개의 조립 블록(442)은 이러한 지지 프레임(441)에 적층 결합되는 형태로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 실드 플레이트(410) 없이 지지 프레임(441)과 이에 결합되는 다수개의 조립 블록(442)을 통해 중간 실드 모듈(400)을 구성할 수 있다. 이 경우에도 마찬가지로 조립 블록(442)을 일부 영역에서 제거하는 방식으로 전류 통과홀(411)이 형성되며, 조립 블록(442)의 결합 위치 변경을 통해 전류 통과홀(411)의 형태를 변경할 수 있다.At this time, the block assembly module 440 may be formed so that the support frame 441 forms a basic framework, and the plurality of assembly blocks 442 are laminated to the support frame 441. In this case, The intermediate shield module 400 can be constructed through the support frame 441 without the plate 410 and a plurality of assembly blocks 442 coupled thereto. In this case also, the current passing hole 411 is formed in a manner that the assembly block 442 is partially removed, and the shape of the current passing hole 411 can be changed by changing the joining position of the assembly block 442 .

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈의 이동 구조를 개념적으로 도시한 도면이다.6 is a conceptual view illustrating a moving structure of an intermediate shield module according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 중간 실드 모듈(400)은 도 6에 도시된 바와 같이 도금 챔버(110) 내부 공간에서 양극 전극판(200)에 근접하거나 또는 음극 전극판(300)에 근접하는 방향으로 이동 가능하게 장착될 수 있다.6, the intermediate shield module 400 according to an embodiment of the present invention may be disposed in the inner space of the plating chamber 110 in the vicinity of the anode electrode plate 200 or in a direction close to the cathode electrode plate 300 As shown in Fig.

좀더 구체적으로는, 중간 실드 모듈(400)의 실드 플레이트(410)는 그 상단부가 도금 탱크(100)의 내부에 형성된 상단 지지부(140)에 의해 지지되고, 그 하단부는 도금 챔버(110)의 바닥면, 즉, 중간 지지판(150)의 상면을 따라 슬라이드 이동 또는 바퀴 이동하도록 형성될 수 있다. 실드 플레이트(410)의 슬라이드 이동시에는 슬라이드 이동 경로를 가이드할 수 있도록 중간 지지판(150)의 상면에 별도의 가이드 레일(미도시)이 형성될 수 있으며, 도 6에 도시된 바와 같이 바퀴 이동시에는 실드 플레이트(410)의 하단부에 별도의 이동 바퀴(420)가 장착될 수 있다.More specifically, the shield plate 410 of the intermediate shield module 400 is supported by the upper support portion 140 formed at the upper end of the plating tank 100, and the lower end thereof is connected to the bottom of the plating chamber 110 That is, along the upper surface of the intermediate support plate 150. A separate guide rail (not shown) may be formed on the upper surface of the intermediate support plate 150 to guide the slide movement path when the shield plate 410 is slid. As shown in FIG. 6, A separate moving wheel 420 may be mounted on the lower end of the plate 410.

이때, 실드 플레이트(410)의 하단부를 이동시킬 수 있도록 작동하는 별도의 실드 구동 수단(430)이 구비될 수 있는데, 이러한 실드 구동 수단(430)은, 일단이 실드 플레이트(410)의 하단부에 결합되며 타단이 양극 전극판(200) 및 음극 전극판(300) 측으로 각각 연장되는 2개의 견인 와이어(431)와, 견인 와이어(431)의 타단에 결합되어 견인 와이어(431)를 양극 전극판(200) 또는 음극 전극판(300) 측으로 각각 견인하는 견인 구동부(432)를 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 견인 와이어(431)에는 외주면에 이동 거리를 표시할 수 있는 눈금(미도시)이 형성될 수 있으며, 견인 구동부(432)를 통한 견인 구동시 견인 와이어(431)의 눈금을 통해 견인 거리를 사용자가 인식하고, 이를 통해 견인 거리를 조절할 수 있도록 구성될 수 있다.The shield driving means 430 may be provided at one end of the shield plate 410 and may be coupled to the lower end of the shield plate 410. In this case, The other end of the pulling wire 431 is connected to the positive electrode plate 200 and the negative electrode plate 300. The other end of the pulling wire 431 is connected to the positive electrode plate 200 And a pulling driving unit 432 for pulling the cathode electrode plate 300 toward the anode electrode plate 300 or the anode electrode plate 300, respectively. At this time, a scale (not shown) for indicating the moving distance can be formed on the outer circumferential surface of the pulling wire 431, and a pulling distance (not shown) can be formed through the scale of the pulling wire 431 during pulling driving through the pulling driving part 432 And can be configured to allow the user to recognize and adjust the traction distance therewith.

이러한 구조를 통해 사용자는 도금 조건 등에 따라 다양하게 실드 플레이트(410)의 위치를 조절할 수 있으며, 다양한 위치에 대한 테스트를 통해 해당 도금 조건에서 최적의 실드 플레이트(410) 위치를 설정할 수 있고, 설정된 위치를 그대로 고정시킨 상태로 도금 공정을 진행하여 미세 금속 마스크를 제조할 수 있다.Through this structure, the user can adjust the position of the shield plate 410 in various ways according to plating conditions, and can set the optimal position of the shield plate 410 under the plating conditions through various tests, The plating process is performed in a state where the metal mask is fixed as it is.

한편, 이상에서는 실드 플레이트(410)의 상단부를 고정하고 하단부만 위치 이동시키는 것으로 설명하였으나, 필요에 따라서는 실드 플레이트(410)의 상단부 또한 이동 가능하게 장착할 수 있으며, 실드 플레이트(410)의 상단부 및 하단부를 각각 별도로 이동 가능하게 함으로써, 실드 플레이트(410)의 위치 및 경사 각도를 다양하게 조절할 수도 있다. 또한, 실드 플레이트(410)를 이동시킬 수 있는 실드 구동 수단(430)은 이상에서 설명한 견인 와이어(431) 및 견인 구동부(432)의 구조 이외에도 다양한 기계 요소를 통해 다양한 방식으로 설계 변경할 수 있다.Although the upper end of the shield plate 410 is fixed and the lower end only is moved, the upper end of the shield plate 410 may be movably mounted, if necessary. And the lower end of the shield plate 410 are separately movable, the position and inclination angle of the shield plate 410 can be variously adjusted. The shield driving means 430 capable of moving the shield plate 410 can be designed and modified in various ways through various mechanical elements in addition to the structure of the traction wire 431 and the traction drive portion 432 described above.

도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 금속 마스크 제조 장치를 이용하여 제조한 미세 금속 마스크의 도금 두께를 실험적으로 평가하여 도식화한 도면이다.FIGS. 7 and 8 are graphs illustrating the plating thickness of a fine metal mask manufactured by using the apparatus for manufacturing a fine metal mask according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 7 및 도 8은 전술한 중간 실드 모듈(400)을 적용하여 제조한 미세 금속 마스크의 도금층 두께에 대한 테스트 결과를 도식화하여 나타낸 도면으로, 도 7에는 소면적 미세 금속 마스크에 대한 도금층의 두께 편차를 정규화하여 나타냈고, 도 8에는 대면적 미세 금속 마스크에 대한 도금층의 두께 편차를 정규화하여 나타냈다. 표시 방식은 도금층 전체 영역을 각각 사각형 단위 셀 영역으로 분할하고, 각각의 사각 단위 셀 영역마다 도금층의 두께를 평균하여 각 단위 셀 영역들의 도금층 두께를 가장 얇은 범위의 t1 단계부터 점점 두꺼워지는 범위의 t2, t3, t4, t5 단계로 적용하여 표시하였다.7 and 8 are graphical representations of test results on the thickness of the plating layer of the fine metal mask manufactured by applying the intermediate shield module 400. In FIG. 7, the thickness variation of the plating layer with respect to the small- FIG. 8 shows normalization of the thickness deviation of the plating layer with respect to the large-area fine metal mask. In the display method, the entire area of the plated layer is divided into rectangular unit cell areas, and the thickness of the plating layer is averaged for each rectangular unit cell area, so that the thickness of the plating layer of each unit cell area is increased from t1 in the thinnest range to t2 , t3, t4 and t5.

도 7은 소면적 미세 금속 마스크를 제조한 결과로서, 도 7의 (a)는 중간 실드 모듈(400)을 적용하지 않은 상태로 도금 공정을 진행하여 음극 전극판(300)에 형성된 도금층의 두께를 측정한 결과이며, 이 경우, 전류 밀도의 불균일에 의해 도금층의 에지 부분을 따라 전체적으로 두께가 두껍게 나타남을 알 수 있다. 즉, 중간 영역에서는 가장 얇은 t1 두께로 도금층이 형성되고, 에지 부분으로 근접할수록 t2, t3, t4와 같이 점점 더 두꺼운 두께로 도금층이 형성됨을 알 수 있다. 7 (a) is a graph showing the results of manufacturing a small-area fine metal mask, and FIG. 7 (a) is a graph showing the thickness of the plating layer formed on the cathode electrode plate 300 by performing the plating process without applying the intermediate shield module 400 . In this case, it can be seen that the thickness of the entire plating layer is increased along the edge portion of the plating layer due to the non-uniformity of the current density. That is, the plating layer is formed at the thinnest t1 thickness in the intermediate region, and the plating layer is formed thicker at t2, t3, and t4 as the edge portion is closer to the edge portion.

도 7의 (b)는 도 7의 (a)와 동일한 도금 공정 조건에서 중간 실드 모듈(400)을 적용한 결과를 나타낸 것이며, 도금층의 전체 영역에서 t2 두께로 균일한 두께를 갖는 것을 확인할 수 있다.7 (b) shows the result of applying the intermediate shield module 400 under the same plating process condition as FIG. 7 (a), and it can be confirmed that the plating layer has a uniform thickness t2 in the entire region of the plating layer.

도 8은 대면적 미세 금속 마스크를 제조한 결과로서, 도 8의 (a)는 중간 실드 모듈(400)을 적용하지 않은 상태로 도금 공정을 진행하여 음극 전극판(300)에 형성된 도금층의 두께를 측정한 결과이며, 이 경우, 전류 밀도의 불균일에 의해 도금층의 에지 부분을 따라 전체적으로 두께가 두껍게 나타남을 알 수 있다. 즉, 중간 영역에서는 가장 얇은 t1 두께로 도금층이 형성되고, 에지 부분으로 근접할수록 t2, t3, t4와 같이 점점 더 두꺼운 두께로 도금층이 형성되며, 최외곽 가장자리 부분에는 가장 두꺼운 t5 두께가 형성됨을 알 수 있다. 이를 통해 도 7과 비교하여 도금층이 대면적화됨에 따라 도금층 두께의 불균일화가 더욱 크게 진행되는 것을 알 수 있다.8 (a) shows a result of manufacturing a large-area fine metal mask, and FIG. 8 (a) shows the thickness of the plating layer formed on the cathode electrode plate 300 by performing the plating process without applying the intermediate shield module 400 . In this case, it can be seen that the thickness of the entire plating layer is increased along the edge portion of the plating layer due to the non-uniformity of the current density. That is, the plating layer is formed at the thinnest thickness t1 in the middle region, and the plating layer is formed at an increasingly thicker thickness as the t2, t3, and t4 are closer to the edge portion, and the thickest t5 thickness is formed at the outermost edge portion . 7, it can be seen that the non-uniformity of the thickness of the plating layer progresses more greatly as the plating layer becomes larger in size.

도 8의 (b)는 도 8의 (a)와 동일한 도금 공정 조건에서 중간 실드 모듈(400)을 적용한 결과를 나타낸 것이며, 도금층의 전체 영역에서 t2 두께로 균일한 두께를 갖는 것을 확인할 수 있다.8 (b) shows the result of applying the intermediate shield module 400 under the same plating process condition as FIG. 8 (a), and it can be confirmed that the plating layer has a uniform thickness of t2 in the entire region of the plating layer.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 도금 탱크 110: 도금 챔버
120: 오버플로우 챔버 130: 버퍼 챔버
140: 상단 지지부 150: 중간 지지판
200: 양극 전극판 300: 음극 전극판
400: 중간 실드 모듈 410: 실드 플레이트
411: 전류 통과홀 420: 이동 바퀴
430: 실드 구동 수단 431: 견인 와이어
432: 견인 구동부 440: 블록 조립 모듈
441: 지지 프레임 442: 조립 블록100: plating tank 110: plating chamber
120: overflow chamber 130: buffer chamber
140: upper support part 150: intermediate support plate
200: anode electrode plate 300: cathode electrode plate
400: intermediate shield module 410: shield plate
411: current passing hole 420: moving wheel
430: shield driving means 431: pull wire
432: Traction drive part 440: Block assembly module
441: Support frame 442: Assembly block

Claims

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In an apparatus for manufacturing a fine metal mask using electroplating,
A plating tank in which a plating chamber in which an electrolyte is supplied and filled is formed in an inner space;
An anode electrode plate disposed in the plating chamber of the plating tank and supplied with anode power;
A negative electrode plate disposed at a position opposite to the positive electrode plate in the plating chamber so as to form a plating layer on one surface thereof and receiving a negative electrode power source and forming a mask pattern on a surface of the plating layer; And
An intermediate shield module disposed between the anode plate and the cathode plate for uniformly dispersing the ion flux of the electrolyte from the anode plate to the cathode plate,
Wherein the intermediate shield module includes a current passage hole for allowing the electrolyte to pass therethrough,
The intermediate shield module
A shield plate in which the plating chamber is divided into a space in which the anode plate is located and a space in which the cathode plate is located; And
And a block assembly module mounted on the shield plate to change a shape of the current passage hole,
The block assembly module
A support frame mounted on the shield plate in a direction transverse to the current passing holes; And
A plurality of assembly blocks detachably coupled to the support frame to block a part of the current passing holes,
Wherein a shape of the current passage hole is changed according to a change of a coupling position of the plurality of assembly blocks.

The method of claim 3,
Wherein the assembly block is composed of two base blocks coupled to each other with the support frame interposed therebetween,
Wherein the assembly block is tightly coupled to the support frame by making two of the foundation blocks come into close contact with each other by a separate engaging means.

5. The method of claim 4,
A plurality of the support frames are mounted parallel to each other in a direction transverse to the current passing holes,
Wherein the assembly block is disposed so as to traverse the current passage hole in a direction orthogonal to the support frame,
Wherein the plurality of assembly blocks are stacked in such a manner that they are spaced apart or in contact with each other along the longitudinal direction of the support frame.

The method of claim 3,
Wherein the assembly block is formed in the form of a polygonal plate so that at least one side of the assembly block can contact one side of another assembly block adjacent to the assembly block,
Wherein the plurality of assembly blocks are disposed in a spaced apart or contacted relationship with each other.

The method according to claim 6,
The assembly block may have a coupling protrusion formed on one side thereof and a coupling groove on the other side thereof to which the coupling protrusion can be inserted,
Wherein a plurality of the assembling blocks are engaged with each other through the engaging projections and the engaging grooves.

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