KR101895929B1 - Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same - Google Patents

Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same Download PDF

Info

Publication number
KR101895929B1
KR101895929B1 KR1020160184118A KR20160184118A KR101895929B1 KR 101895929 B1 KR101895929 B1 KR 101895929B1 KR 1020160184118 A KR1020160184118 A KR 1020160184118A KR 20160184118 A KR20160184118 A KR 20160184118A KR 101895929 B1 KR101895929 B1 KR 101895929B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
space
substrate
nozzle
measuring
unit
Prior art date
Application number
KR1020160184118A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180078875A (en
Inventor
김재용
오래택
이택엽
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160184118A priority Critical patent/KR101895929B1/en
Publication of KR20180078875A publication Critical patent/KR20180078875A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101895929B1 publication Critical patent/KR101895929B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 놓인 기판에 처리액을 공급하는 제 1 노즐과; 상기 지지 유닛 상에 탈착 가능하고, 상기 제 1 노즐이 토출하는 처리액의 토출량을 측정하는 유량 측정 유닛을 포함하되, 상기 유량 측정 유닛은, 내부에 상부가 개방되고, 상기 제 1 노즐로부터 토출되는 처리액이 수용되는 수용 공간을 가지는 바디와; 상기 수용 공간에 수용된 처리액의 양을 측정할 수 있는 측정 수단을 포함한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a housing for providing a space in which a substrate processing process is performed; A support unit for supporting the substrate in the housing and rotating the substrate; A first nozzle for supplying a treatment liquid to a substrate placed on the support unit; And a flow rate measurement unit detachably mountable on the support unit and configured to measure a discharge amount of the process liquid discharged by the first nozzle, wherein the flow rate measurement unit includes: A body having a receiving space in which the treatment liquid is received; And measurement means capable of measuring the amount of the treatment liquid accommodated in the accommodation space.

Figure R1020160184118
Figure R1020160184118

Description

기판 처리 장치, 이를 이용한 토출량 측정 방법 및 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE, MEASUREMENT METHOD OF DISCHARGING AMOUNT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus, a method of measuring a discharge amount using the substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metallic contaminants on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of semiconductor devices and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor. In general, cleaning of a substrate is performed by a chemical treatment process for removing metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate by using a chemical, a rinsing process for removing chemicals remaining on the substrate by using pure water, , A supercritical fluid, a nitrogen gas, or the like.

상술한 케미칼을 세정 공정과 같이 기판에 액을 공급하여 처리하는 공정의 경우, 기판의 정밀한 처리를 위해 액을 토출하는 노즐의 시간 당 토출량을 정확히 조절하는 것이 요구된다. 따라서, 기판에 액을 공급하여 처리하는 장치의 경우 노즐의 단위 시간당 토출량을 주기적으로 측정한다.In the case of the step of supplying the chemical to the substrate by supplying the liquid to the substrate as in the cleaning process, it is required to precisely adjust the discharge amount per hour of the nozzle for discharging the liquid for precise treatment of the substrate. Therefore, in the case of an apparatus for supplying a liquid to a substrate for processing, the discharge amount per unit time of the nozzle is periodically measured.

노즐의 단위 시간당 토출량 측정 시, 일반적으로, 작업자가 직접 지그 커버(Jig Cover) 및 메스 실린더를 이용하여 노즐이 토출하는 유량을 실측한다. 또한, 메스 실린더에 수용된 액을 배출(Drain)하는 것이 용이하지 않다. 따라서, 사용되는 액이 독성 물질로 분류되는 경우, 작업 절차가 복잡하며, 작업자가 위험에 노출되는 문제점이 있다. When measuring the discharge amount per unit time of the nozzle, an operator generally directly measures the flow rate of the nozzle discharge using a jig cover and a scalpel cylinder. Further, it is not easy to drain the liquid contained in the measuring cylinder. Therefore, when the liquid used is classified as a toxic substance, the operation procedure is complicated, and the operator is exposed to the risk.

본 발명은 노즐의 토출량 측정을 용이하게 수행할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method capable of easily measuring a discharge amount of a nozzle.

또한, 본 발명은 노즐의 토출량 측정에 사용된 액을 용이하게 배출할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus and a method for easily discharging a liquid used for measuring a discharge amount of a nozzle.

또한, 본 발명은 노즐의 토출량 측정 시 작업자가 위험에 노출되는 되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and a method for preventing an operator from being exposed to danger when measuring a discharge amount of a nozzle.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 놓인 기판에 처리액을 공급하는 제 1 노즐과; 상기 지지 유닛 상에 탈착 가능하고, 상기 제 1 노즐이 토출하는 처리액의 토출량을 측정하는 유량 측정 유닛을 포함하되, 상기 유량 측정 유닛은, 내부에 상부가 개방되고, 상기 제 1 노즐로부터 토출되는 처리액이 수용되는 수용 공간을 가지는 바디와; 상기 수용 공간에 수용된 처리액의 양을 측정할 수 있는 측정 수단을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus for processing a substrate. According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a housing for providing a space in which a substrate processing process is performed; A support unit for supporting the substrate in the housing and rotating the substrate; A first nozzle for supplying a treatment liquid to a substrate placed on the support unit; And a flow rate measurement unit detachably mountable on the support unit and configured to measure a discharge amount of the process liquid discharged by the first nozzle, wherein the flow rate measurement unit includes: A body having a receiving space in which the treatment liquid is received; And measurement means capable of measuring the amount of the treatment liquid accommodated in the accommodation space.

상기 수용 공간은 상기 바디의 내측 방향으로 갈수록 바닥면이 수평면에 대해 제 1 경사도로 아래 방향으로 경사지는 제 1 공간을 포함하되, 상기 측정 수단은 상기 제 1 공간에 수용된 처리액의 양을 측정하도록 형성된 측정 눈금으로 제공된다.Wherein the accommodating space includes a first space in which the bottom surface is inclined downward at a first inclination relative to the horizontal surface toward the inside of the body, and the measuring means measures the amount of the processing liquid accommodated in the first space Lt; / RTI >

상기 제 1 공간은 상부에서 바라볼 때, 상기 바디의 가장자리 영역에 위치되고, 상기 수용 공간은 상부에서 바라볼 때, 상기 바디의 중앙 영역에 위치되는 제 2 공간을 더 포함하고, 상기 제 1 공간 및 상기 제 2 공간은 서로 연통되고, 상기 제 2 공간의 깊이는 상기 제 1 공간의 깊이보다 깊게 제공된다.Wherein the first space is located at an edge region of the body when viewed from above and the accommodation space further comprises a second space located at a central region of the body when viewed from above, And the second space are communicated with each other, and the depth of the second space is provided deeper than the depth of the first space.

상기 제 1 공간은 상기 가장자리 영역의 일부 영역에 형성된 홈으로 제공되고, 상기 측정 눈금은 상기 가장자리 영역에 상기 제 1 공간에 인접하게 위치되고, 상기 제 1 공간의 바닥면의 경사 방향을 따라 형성된다.Wherein the first space is provided with a groove formed in a part of the edge region and the measurement scale is positioned adjacent to the first space in the edge region and along the inclination direction of the bottom surface of the first space .

상기 제 1 공간은 상기 바디의 외측 끝단까지 연장될 수 있다.The first space may extend to an outer end of the body.

상기 제 2 공간의 바닥면은 상부에서 바라볼 때, 상기 가장자리 영역의 내측단으로부터 상기 바디의 내측 방향으로 갈수록 수평면에 대해 제 2 경사도로 아래 방향으로 경사지게 제공되되, 상기 제 1 경사도는 상기 제 2 경사도보다 작게 제공된다.Wherein the bottom surface of the second space is inclined downward at a second inclination with respect to a horizontal plane from an inner end of the edge region toward an inner direction of the body when viewed from above, Is provided smaller than the inclination.

상기 유량 측정 유닛은, 상기 가장자리 영역의 상부를 덮되 상기 바디로부터 이격되게 제공되는 비산 방지 부재를 더 포함한다.The flow rate measuring unit further includes a scattering-preventing member which covers the upper portion of the edge region and is provided to be spaced apart from the body.

상기 비산 방지 부재는 전체가 투명한 재질로 제공되거나, 상기 비산 방지 부재의 상기 측정 눈금에 대향되는 영역은 투명한 재질로 제공될 수 있다.The scattering-preventing member may be provided with a transparent material as a whole, or an area opposed to the measurement scale of the scattering-preventing member may be provided with a transparent material.

상기 장치는 상기 유량 측정 유닛을 세정하는 세정액을 공급하는 제 2 노즐을 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a second nozzle for supplying a cleaning liquid for cleaning the flow measuring unit.

상기 지지 유닛은 기판의 저면을 지지하는 지지 핀과; 기판의 측부를 지지하는 척 핀을 포함하고, 상기 바디의 저면에는, 상기 척 핀이 삽입되는 척 핀 삽입 홈이 형성된다.The support unit includes: a support pin for supporting a bottom surface of the substrate; And a chuck pin for supporting a side portion of the substrate, and a chuck pin insertion groove into which the chuck pin is inserted is formed on the bottom surface of the body.

상기 바디의 저면에는 상기 지지 핀이 삽입되는 지지핀 삽입 홈이 형성될 수 있다.And a support pin insertion groove into which the support pin is inserted may be formed on a bottom surface of the body.

상기 제 1 경사도는 0°초과 30°이하로 제공된다.The first inclination is provided in a range of more than 0 DEG and less than 30 DEG.

또한, 본 발명은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 제 1 노즐의 처리액의 토출량을 측정하는 토출량 측정 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 토출량 측정 방법은, 상기 유량 측정 유닛이 상기 지지 유닛 상에 장착되는 장착 단계와 상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간에 처리액을 토출하는 토출 단계와; 상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간내의 처리액의 양을 측정하는 측정 단계를 포함한다.The present invention also provides a discharge amount measurement method for measuring a discharge amount of a treatment liquid of a first nozzle by using the substrate processing apparatus described above. A method of measuring a discharge amount according to an embodiment of the present invention includes: a mounting step in which the flow rate measurement unit is mounted on the support unit; a discharging step in which the first nozzle discharges the treatment liquid into the accommodation space; And the first nozzle measures the amount of the processing liquid in the containing space.

상기 토출 단계에서는 상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간에 상기 측정 눈금이 측정할 수 있는 최소량 이상 최대량 미만의 일정량까지 처리액을 토출한다.In the discharging step, the first nozzle discharges the processing liquid to the accommodation space up to a predetermined amount less than the minimum amount and the maximum amount that can be measured by the measuring graduation.

상기 측정 단계 이후, 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 수용 공간 내의 처리액을 외부로 배출시키는 배출 단계;를 더 포함한다.And a discharging step of, after the measuring step, rotating the supporting unit to discharge the treatment liquid in the accommodation space to the outside.

상기 배출 단계 이 후, 상기 제 2 노즐로부터 세정액을 공급하여 상기 유량 측정 유닛을 세정하는 세정 단계를 더 포함한다.And a cleaning step of cleaning the flow measurement unit by supplying a cleaning liquid from the second nozzle after the discharge step.

또한, 본 발명은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른, 기판 처리 방법은, 상기 제 1 노즐의 처리액의 토출량을 측정하는 토출량 측정 단계와; 상기 제 1 노즐의 처리액의 토출량을 조절하는 토출량 조절 단계와; 상기 제 1 노즐이 상기 지지 유닛 상에 놓인 기판에 처리액을 공급함으로써 기판을 처리하는 처리 단계를 포함한다.The present invention also provides a substrate processing method for processing a substrate using the substrate processing apparatus described above. According to an embodiment of the present invention, there is provided a substrate processing method including: a discharge amount measuring step of measuring a discharge amount of a process liquid of the first nozzle; A discharge amount adjusting step of adjusting a discharge amount of the processing liquid of the first nozzle; And processing the substrate by supplying the process liquid to the substrate on which the first nozzle is placed on the support unit.

상기 토출량 측정 단계는, 상기 유량 측정 유닛이 상기 지지 유닛 상에 장착되는 장착 단계와 상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간에 처리액을 토출하는 토출 단계와; 상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간내의 처리액의 양을 측정하는 측정 단계를 포함한다.The discharging amount measuring step may include a mounting step in which the flow measuring unit is mounted on the supporting unit and a discharging step in which the first nozzle discharges the treating liquid into the accommodating space; And the first nozzle measures the amount of the processing liquid in the containing space.

상기 토출량 측정 단계는, 상기 측정 단계 이후, 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 수용 공간 내의 처리액을 외부로 배출시키는 배출 단계;를 더 포함한다.The discharging amount measurement step may further include a discharging step of, after the measuring step, rotating the supporting unit to discharge the treating liquid in the receiving space to the outside.

상기 토출량 측정 단계는, 상기 배출 단계 이 후, 상기 제 2 노즐로부터 세정액을 공급하여 상기 유량 측정 유닛을 세정하는 세정 단계를 더 포함한다.The discharging amount measuring step further includes a cleaning step of cleaning the flow measuring unit by supplying a rinsing liquid from the second nozzle after the discharging step.

상기 처리 단계는, 상기 지지 유닛 상에 기판을 안착시키는 기판 로딩(Loading) 단계와; 상기 제 1 노즐이 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계를 포함한다.The processing step may include: a substrate loading step of placing the substrate on the supporting unit; And a process liquid supply step of supplying the process liquid onto the substrate by the first nozzle.

본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 노즐의 토출량 측정을 용이하게 수행할 수 있다.The apparatus and method according to an embodiment of the present invention can easily perform the discharge amount measurement of the nozzle.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 노즐의 토출량 측정에 사용된 액을 용이하게 배출할 수 있다.Further, the apparatus and method according to an embodiment of the present invention can easily discharge the liquid used for measuring the discharge amount of the nozzle.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 및 방법은 노즐의 토출량 측정 시 작업자가 위험에 노출되는 되는 것을 방지할 수 있다.Further, the apparatus and method according to an embodiment of the present invention can prevent the operator from being exposed to danger when measuring the discharge amount of the nozzle.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 일 예를 보여주는 정면도이다.
도 4는 도 2의 지지 유닛 및 유량 측정 유닛의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 바디를 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 2의 다른 실시 예에 따른 유량 측정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 2의 비산 방지 부재를 보여주는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다.
도 9는 토출 단계가 수행되는 동안 지지 유닛 및 유량 측정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 측정 단계가 수행되는 동안 지지 유닛 및 유량 측정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 배출 단계가 수행되는 동안 지지 유닛 및 유량 측정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 세정 단계가 수행되는 동안 지지 유닛 및 유량 측정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus.
Fig. 3 is a front view showing an example of the support unit of Fig. 2;
Fig. 4 is a cross-sectional view showing an example of the support unit and the flow rate measurement unit of Fig. 2;
FIG. 5 is a perspective view showing the body of FIG. 2. FIG.
FIG. 6 is a sectional view showing a flow measurement unit according to another embodiment of FIG. 2. FIG.
FIG. 7 is a perspective view showing the scatter preventing member of FIG. 2. FIG.
8 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
9 is a view showing a state of the support unit and the flow measurement unit while the discharge step is performed.
10 is a view showing a state of the support unit and the flow measurement unit while the measurement step is performed.
11 is a view showing the appearance of the support unit and the flow measurement unit during the discharge step.
Figure 12 is a view showing the appearance of the support unit and the flow measuring unit during the cleaning step.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시 예에서는 기판을 세정하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 대해서 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 상에 액을 도포하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In the embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus for performing a process of cleaning a substrate will be described. However, the present invention is not limited thereto, but can be applied to various kinds of apparatuses for applying a liquid on a substrate.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 장치 및 방법의 일 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an example of the apparatus and method of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 기판처리설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus 1 of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20, and the index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. In the load port 120, a carrier 18 in which a substrate W is housed is seated. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process module 20. A carrier (18) is provided with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate (W). The slots are provided in a plurality of third directions 16 and the substrates W are positioned in the carrier so as to be stacked on each other along the third direction 16. As the carrier 18, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The process module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 18 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 18 while the other part is used to transfer the substrate W from the carrier 18 to the processing module 20. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate W is transferred from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244b used when the substrate W is transferred from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(320), 지지 유닛(340), 승강유닛(360), 제 1 공급 유닛(380), 제 2 공급 유닛(390) 그리고 유량 측정 유닛(400)를 포함한다.An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W by using the process liquid will be described below. 2 is a cross-sectional view showing an example of the substrate processing apparatus 300. FIG. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 320, a supporting unit 340, an elevating unit 360, a first feeding unit 380, a second feeding unit 390, and a flow measuring unit 400).

하우징(320)은 내부에 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322, 324, 326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322, 324, 326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b, 324b, 326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b, 324b, 326b)은 각각의 회수통(322, 324, 326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The housing 320 provides a space in which the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The housing 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery bottle 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340 and the intermediate recovery bottle 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery bottle 322 and the outer recovery bottle 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. The recovery lines 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery tanks 322, 324, and 326 are connected to the recovery tanks 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

도 3은 도 2의 지지 유닛(340)의 일 예를 보여주는 정면도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 지지 유닛(340)은 하우징(320) 내에 제공된다. 지지 유닛(340)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 지지된 기판(W)을 회전시키는 스핀헤드(340)로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 스핀헤드(340)는 하우징(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(334), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 3 is a front view showing an example of the support unit 340 of Fig. Referring to Figures 2 and 3, a support unit 340 is provided in the housing 320. The support unit 340 supports the substrate W. The support unit 340 may be provided with a spin head 340 that rotates the supported substrate W. According to one embodiment, the spin head 340 is disposed within the housing 320. The spin head 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The spin head 340 has a body 342, a support pin 334, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342.

지지 핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 저면 가장자리를 지지한다. 지지 핀(334)은 상하 방향으로 이동되도록 제공됨으로써, 몸체(342)의 내외부로 이동 가능하도록 제공될 수 있다.A plurality of support pins 334 are provided. The support pin 334 is spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 334 support the bottom edge of the substrate W so that the substrate W is spaced apart from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. The support pin 334 is provided to be movable in the up and down direction, thereby being movable to the inside and outside of the body 342.

척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 334. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the spin head 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded onto the spin head 340 and the chuck pin 346 is positioned in the supported position when the substrate W is being processed . At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 하우징(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 하우징(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 360 moves the housing 320 linearly in the vertical direction. The relative height of the housing 320 with respect to the spin head 340 is changed as the housing 320 is moved up and down. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the housing 320 and the bracket 362 is fixedly coupled to the moving shaft 364 which is moved up and down by the actuator 366. The housing 320 is lowered so that the spin head 340 protrudes to the upper portion of the housing 320 when the substrate W is placed on the spin head 340 or lifted from the spin head 340. When the process is performed, the height of the housing 320 is adjusted so that the treatment liquid can be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the treatment liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate W with the first processing solution, the substrate W is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate W with the second processing solution and the third processing solution, the substrate W is separated into the space 324a between the inner recovery tube 322 and the intermediate recovery tube 324, And may be located at a height corresponding to the space 326a between the cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326. [ The lift unit 360 can move the spin head 340 in the vertical direction instead of the housing 320. [

제 1 공급 유닛(380)은 스핀 헤드(340)에 놓인 기판(W) 상에 처리액을 공급하는 제 1 노즐(384)을 가진다. 예를 들면 제 1 공급 유닛(380)은 노즐 지지대(382), 제 1 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 제 1 노즐(384) 은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 제 1 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 제 1 노즐(384)이 하우징(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 제 1 노즐(384) 이 하우징(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 제 1 노즐(384)은 스핀 헤드(340)에 놓인 기판(W) 상의 중앙 영역을 포함하는 영역에 처리액을 공급한다. 제 1 노즐(384)에는 처리액을 저장하는 저장 용기(371)가 공급라인을 통해 연결된다. 공급 라인에는 밸브(372)가 설치된다. 제 1 공급 유닛(380)은 복수개로 제공될 수 있다. 이 경우, 각각의 제 1 공급 유닛(380)은 서로 상이한 처리액을 공급할 수 있다. 이와 달리, 제 1 공급 유닛(380)이 단수로 제공되는 경우, 제 1 노즐(384)은 복수개로 제공될 수 있다. 이 경우, 각각의 제 1 노즐(384)은 서로 상이한 처리액을 토출할 수 있다. 처리액은 이소프로필 알코올(IPA) 등의 유기 용제로 제공될 수 있다. The first supply unit 380 has a first nozzle 384 for supplying the processing liquid onto the substrate W placed on the spin head 340. For example, the first supply unit 380 has a nozzle support 382, a first nozzle 384, a support shaft 386, and a driver 388. The support shaft 386 is provided along its lengthwise direction along the third direction 16 and a driver 388 is coupled to the lower end of the support shaft 386. The driver 388 rotates and lifts the support shaft 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 386 coupled to the driver 388. The first nozzle 384 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The first nozzle 384 is moved by the driver 388 to the process position and the standby position. The process position is that the first nozzle 384 is located at the vertically upper portion of the housing 320 and the standby position is the position at which the first nozzle 384 is away from the vertical upper portion of the housing 320. [ The first nozzle 384 supplies the processing solution to a region including the central region on the substrate W placed on the spin head 340. In the first nozzle 384, a storage container 371 for storing the process liquid is connected via a supply line. The supply line is provided with a valve 372. The first supply unit 380 may be provided in plurality. In this case, each of the first supply units 380 can supply processing solutions different from each other. Alternatively, when the first supply unit 380 is provided in a single number, the first nozzle 384 may be provided in a plurality. In this case, each of the first nozzles 384 can discharge a different treatment liquid. The treatment liquid may be provided with an organic solvent such as isopropyl alcohol (IPA).

제 2 공급 유닛(390)은 지지 유닛(340) 상에 장착된 유량 측정 유닛(400)을 세정하는 세정액을 공급하는 제 2 노즐(394)을 가진다. 일 실시 예에 따르면, 세정액은 순수(DIW)로 제공될 수 있다. 제 2 노즐(394)은 지지 유닛(340) 상에 놓인 유량 측정 유닛(400)의 수용 공간에 세정액을 공급한다. 제 2 노즐(394)에는 세정액을 저장하는 저장 용기(371)가 공급라인을 통해 연결된다. 공급 라인에는 밸브(373)가 설치된다. 제 2 공급 유닛(390)은 제 2 노즐(394)을 이동시킬 수 있도록 구동기(398)를 가진다. 제 2 공급 유닛(390)의 그 외의 구성 및 구조는 제 1 공급 유닛(380)과 유사하다. The second supply unit 390 has a second nozzle 394 for supplying a cleaning liquid for cleaning the flow measurement unit 400 mounted on the support unit 340. According to one embodiment, the cleaning liquid may be provided in DIW. The second nozzle 394 supplies the cleaning liquid to the accommodating space of the flow rate measuring unit 400 placed on the supporting unit 340. The second nozzle 394 is connected to a storage container 371 for storing the cleaning liquid through a supply line. A valve 373 is provided in the supply line. The second supply unit 390 has a driver 398 for moving the second nozzle 394. The other configuration and structure of the second supply unit 390 is similar to that of the first supply unit 380. [

도 4는 도 2의 지지 유닛(340) 및 유량 측정 유닛(400)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 유량 측정 유닛(400)은 제 1 노즐(384)이 토출하는 처리액의 토출량을 측정한다. 유량 측정 유닛(400)은 지지 유닛(340) 상에 탈착 가능하도록 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 유량 측정 유닛(400)은 바디(410), 측정 수단(420) 및 비산 방지 부재(430)를 포함한다.4 is a cross-sectional view showing an example of the support unit 340 and the flow measurement unit 400 of Fig. Referring to FIGS. 3 and 4, the flow rate measurement unit 400 measures the discharge amount of the process liquid discharged from the first nozzle 384. The flow measurement unit 400 is detachably provided on the support unit 340. According to one embodiment, the flow measuring unit 400 includes a body 410, measuring means 420 and a scatter preventing member 430.

도 5는 도 2의 바디(410)를 보여주는 사시도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 바디(410)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 원형으로 제공된다. 바디(410)는 내부에 수용 공간(411)을 가진다. 수용 공간(411)은 상부가 개방된다. 수용 공간(411)에는 제 1 노즐(384)로부터 토출되는 처리액이 수용된다. 일 실시 예에 따르면, 수용 공간(411)은 제 1 공간(411a) 및 제 2 공간(411b)을 포함한다.5 is a perspective view showing the body 410 of FIG. 4 and 5, the body 410 is provided in a generally circular shape when viewed from above. The body 410 has a receiving space 411 therein. The accommodation space 411 is open at the top. The processing liquid discharged from the first nozzle 384 is accommodated in the accommodation space 411. According to one embodiment, the accommodation space 411 includes a first space 411a and a second space 411b.

제 1 공간(411a)은 바디(410)의 내측 방향으로 갈수록 바닥면이 수평면에 대해 제 1 경사도로 아래 방향으로 경사지도록 제공된다. 따라서, 수용 공간(411)에 수용된 처리액의 양이 증가하면 처리액의 수위는 제 1 공간(411a)의 바닥면을 따라 위 방향으로 상승한다. 제 1 경사도가 낮을수록 수용 공간(411)의 처리액의 변화량을 정밀하게 측정할 수 있다. 따라서, 제 1 경사도는 수용 공간(411)의 처리액의 양의 변화를 정밀하게 측정할 수 있도록 예각으로 제공한다. 예를 들면, 제 1 경사도는 0°초과 30°이하로 제공된다. 제 1 공간(411a)은 상부에서 바라볼 때, 바디(410)의 가장자리 영역에 위치된다. 제 1 공간(411a)의 경사 방향과 수직인 방향의 폭이 좁을수록 수용 공간(411)의 처리액의 변화량을 정밀하게 측정할 수 있다. 따라서, 제 1 공간(411a)은 바디(410)의 가장자리 영역의 일부 영역에 형성된 홈으로 제공함으로써, 제 1 공간(411a)을 바디(410)의 가장자리 영역의 전체 영역에 제공하는 경우에 비해 수용 공간(411)에서의 처리액의 변화량을 보다 정밀하게 측정할 수 있다. 제 1 공간(411a)은 바디(410)의 외측 끝단까지 연장되도록 제공될 수 있다. The first space 411a is provided so that the bottom surface of the body 410 is inclined downward at a first inclination with respect to the horizontal surface. Therefore, when the amount of the processing liquid contained in the accommodation space 411 increases, the level of the processing liquid rises upward along the bottom surface of the first space 411a. As the first inclination degree is lower, the change amount of the treatment liquid in the accommodation space 411 can be precisely measured. Thus, the first inclination provides an acute angle to accurately measure changes in the amount of the processing liquid in the receiving space 411. For example, the first inclination is provided in a range of 0 DEG to 30 DEG. The first space 411a is located at the edge region of the body 410 when viewed from above. The smaller the width of the first space 411a in the direction perpendicular to the oblique direction, the more accurately the amount of change in the processing liquid in the receiving space 411 can be measured. The first space 411a is provided as a groove formed in a partial area of the edge area of the body 410 so that the first space 411a is provided in the entire area of the edge area of the body 410, It is possible to more accurately measure the amount of change in the treatment liquid in the space 411. The first space 411a may be provided so as to extend to the outer end of the body 410.

제 2 공간(411b)은 상부에서 바라볼 때, 바디(410)의 중앙 영역에 위치된다. 제 1 공간(411a) 및 제 2 공간(411b)은 서로 연통된다. 제 2 공간(411b)의 깊이는 제 1 공간(411a)의 깊이보다 깊게 제공된다. 제 2 공간(411b)의 넓이는 제 1 공간(411a)의 넓이보다 넓게 제공된다. 따라서, 제 1 노즐(384)이 수용 공간(411)에 처리액의 토출을 시작한 후 일정 시간 동안 제 2 공간(411b)에 처리액이 토출된다. 따라서, 제 1 노즐(384)의 처리액이 토출되는 토출구에 인접한 영역에 존재할 수 있는 고형화된 처리액과 이물질이 혼합된 처리액이 제 2 공간(411b)에 우선적으로 토출되므로, 제 1 공간(411a)에서 보다 정밀하게 처리액의 변화량을 측정할 수 있다. 제 2 공간(411b)의 바닥면은 상부에서 바라볼 때, 바디(410)의 가장자리 영역의 내측단으로부터 바디(410)의 내측 방향으로 갈수록 수평면에 대해 제 2 경사도로 아래 방향으로 경사지게 제공된다. 따라서, 스핀 헤드(340)에 의해 유량 측정 유닛(400)이 회전되는 경우, 제 2 공간(411b)의 바닥면의 경사를 따라 원심력에 의해 보다 용이하게 처리액이 배출될 수 있다. 제 1 경사도는 제 2 경사도보다 작게 제공될 수 있다. The second space 411b is located in the central region of the body 410 when viewed from above. The first space 411a and the second space 411b communicate with each other. The depth of the second space 411b is provided deeper than the depth of the first space 411a. The width of the second space 411b is wider than the width of the first space 411a. Therefore, the processing liquid is discharged into the second space 411b for a certain period of time after the first nozzle 384 starts discharging the processing liquid into the receiving space 411. [ Therefore, the processing liquid, in which the solidified processing liquid and the foreign substance are mixed, which may exist in the region adjacent to the discharge port through which the processing liquid of the first nozzle 384 is discharged, is preferentially discharged into the second space 411b, 411a, the amount of change in the treatment liquid can be measured more accurately. The bottom surface of the second space 411b is provided to be inclined downward at a second inclination with respect to the horizontal surface from the inner end of the edge region of the body 410 toward the inner direction of the body 410 as viewed from above. Therefore, when the flow measuring unit 400 is rotated by the spin head 340, the processing liquid can be discharged more easily by the centrifugal force along the inclination of the bottom surface of the second space 411b. The first inclination can be provided smaller than the second inclination.

바디(410)의 저면에는 척 핀(346)이 삽입되는 척 핀 삽입 홈(412)이 형성된다. 유량 측정 유닛(400)이 지지 유닛(340) 상에 장착될 때, 척 핀(346)이 척핀 삽입 홈(412)에 삽입됨으로써, 스핀 헤드(340)에 의한 유량 측정 유닛(400)의 회전 시 지지 유닛(340)으로부터 유량 측정 유닛(400)이 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 지지 핀(도 3의 334)은 아래 방향으로 이동하여 지지 유닛(340) 내부에 위치될 수 있다. A chuck pin insertion groove 412 in which a chuck pin 346 is inserted is formed on the bottom surface of the body 410. The chuck pin 346 is inserted into the chuck pin insertion groove 412 when the flow measurement unit 400 is mounted on the support unit 340 so that the rotation of the flow measurement unit 400 by the spin head 340 It is possible to prevent the flow measuring unit 400 from being detached from the supporting unit 340. [ In this case, the support pin (334 in Fig. 3) may move downward and be located inside the support unit 340. [

도 6은 도 2의 다른 실시 예에 따른 유량 측정 유닛(400a)을 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 도 4의 유량 측정 유닛(400)과 달리, 바디(410a)의 저면에는 지지 핀(334)이 삽입되는 지지 핀 삽입 홈(413)이 형성될 수 있다. 이 경우, 지지 핀(334)이 지지 유닛(340) 내로 위치되지 않은 상태에서 유량 측정 유닛(400)을 지지 유닛(340) 상에 장착하는 경우, 지지 핀(334)의 파손을 방지할 수 있다. FIG. 6 is a sectional view showing a flow measurement unit 400a according to another embodiment of FIG. 6, a support pin insertion groove 413 in which a support pin 334 is inserted may be formed on the bottom surface of the body 410a, unlike the flow rate measurement unit 400 of FIG. In this case, when the flow measuring unit 400 is mounted on the support unit 340 while the support pin 334 is not positioned in the support unit 340, breakage of the support pin 334 can be prevented .

다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 측정 수단(420)은 수용 공간(411)에 수용된 처리액의 양을 측정할 수 있도록 제공된다. 일 실시 예에 의하면, 측정 수단(420)은 제 1 공간(411a)에 수용된 처리액의 양을 측정하도록 형성된 측정 눈금(420)으로 제공된다. 측정 눈금(420)은 바디(410)의 가장자리 영역에 제 1 공간(411a)에 인접하게 위치된다. 측정 눈금(420)은 제 1 공간(411a)의 바닥면의 경사 방향을 따라 형성된다. 각각의 눈금 간의 간격은 처리액의 변화량을 충분히 정밀하게 측정할 수 있는 간격으로 설정된다.4 and 5, the measuring means 420 is provided so as to be able to measure the amount of the processing liquid contained in the receiving space 411. [ According to one embodiment, the measuring means 420 is provided with a measuring scale 420 which is configured to measure the amount of process liquid contained in the first space 411a. The measurement graduation 420 is positioned adjacent to the first space 411a in the edge region of the body 410. [ The measurement scale 420 is formed along the oblique direction of the bottom surface of the first space 411a. The interval between the scales is set to an interval at which the amount of change of the treatment liquid can be measured sufficiently accurately.

도 7은 도 2의 비산 방지 부재(430)를 보여주는 사시도이다. 도 4 및 도 7을 참조하면, 비산 방지 부재(430)는 스핀 헤드(340)에 의해 유량 측정 유닛(400)의 회전 시 처리액이 하우징(310)의 외부로 비산되는 것을 방지한다. 일 실시 예에 따르면, 비산 방지 부재(430)는 바디(410)의 가장자리 영역의 상부를 덮는 링 형상으로 제공된다. 비산 방지 부재(430)는 바디(410)로부터 이격되게 제공된다. 따라서, 유량 측정 유닛(400)의 회전 시 처리액은 바디와 비산 방지 부재(430)의 사이 공간을 통해 배출된다. 상부에서 바라볼 때, 비산 방지 부재(430)의 측정 눈금(420)에 대향되는 영역(431)은 투명한 재질로 제공될 수 있다. 따라서, 상부에서 측정 눈금(420)을 이용하여 처리액의 변화량을 관찰 가능하다. 이와 달리, 비산 방지 부재(430)는 전체가 투명한 재질로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하며, 비산 방지 부재(430)가 바디(410)로부터 이격된 상태에서 안정적으로 바디(410)에 결합되도록, 바디(410)의 가장자리 영역의 상단 및 비산 방지 부재(430)의 저면 중 하나에는 돌기(432)가 제공되고, 다른 하나에는 돌기(432)와 맞물리는 홈(414)이 제공될 수 있다. 7 is a perspective view showing the scatter preventing member 430 of FIG. 4 and 7, the scatter preventing member 430 prevents the processing liquid from being scattered to the outside of the housing 310 when the flow measuring unit 400 is rotated by the spin head 340. [ According to one embodiment, the anti-scattering member 430 is provided in the form of a ring covering the upper portion of the edge region of the body 410. The scattering-preventing member 430 is provided so as to be spaced apart from the body 410. Therefore, the processing solution during the rotation of the flow measuring unit 400 is discharged through the space between the body and the scattering-preventing member 430. The region 431 opposed to the measurement scale 420 of the scatter preventing member 430 may be provided in a transparent material. Therefore, it is possible to observe the change amount of the treatment liquid by using the measurement scale 420 at the upper part. Alternatively, the scattering-preventing member 430 may be provided as a whole transparent material. The upper end of the edge region of the body 410 and the lower surface of the scattering prevention member 430 may be formed in such a manner that the scattering prevention member 430 is stably coupled to the body 410 in a state where the scattering prevention member 430 is spaced from the body 410. [ One of which is provided with a projection 432 and the other of which is provided with a groove 414 which engages with the projection 432. [

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described using the above-described substrate processing apparatus.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타낸 순서도이다. 도 8을 참조하면, 기판 처리 방법은 토출량 측정 단계(S10), 토출량 조절 단계(S20) 및 처리 단계(S30)를 포함한다.8 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 8, the substrate processing method includes a discharge amount measuring step (S10), a discharge amount adjusting step (S20), and a processing step (S30).

토출량 측정 단계(S10)에서는 제 1 노즐(384)의 처리액의 토출량을 측정한다. 일 실시 예에 따르면, 토출량 측정 단계(S10)는 장착 단계(S11), 토출 단계(S12), 측정 단계(S13), 배출 단계(S14) 및 세정 단계(S15)를 포함한다.In the discharge amount measuring step (S10), the discharge amount of the processing liquid of the first nozzle 384 is measured. According to one embodiment, the discharge amount measuring step S10 includes a mounting step S11, a discharging step S12, a measuring step S13, a discharging step S14, and a cleaning step S15.

장착 단계(S11)에서는 유량 측정 유닛(400)이 지지 유닛(340) 상에 장착된다. 일 실시 예에 따르면, 척 핀(346)은 척 핀 삽입 홈(412)에 삽입된다. 장착 단계(S11)에서 스핀 헤드(340)는 정지 상태를 유지한다. In the mounting step S11, the flow measuring unit 400 is mounted on the supporting unit 340. [ According to one embodiment, the chuck pin 346 is inserted into the chuck pin insertion groove 412. In the mounting step S11, the spin head 340 remains stationary.

도 9는 토출 단계(S12)가 수행되는 동안 지지 유닛(340) 및 유량 측정 유닛(400)의 모습을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 토출 단계(S12)는 장착 단계(S11)가 수행된 이후 수행된다. 토출 단계(S12)에서는 제 1 노즐(384)이 수용 공간(411)에 처리액을 토출한다. 토출 단계(S12)에서는 제 1 노즐(384)이 수용 공간(411)에 측정 눈금(420)이 측정할 수 있는 최소량 이상 최대량 미만의 일정량까지 처리액을 토출한다. 예를 들면, 토출 단계(S12)에서는 제 1 노즐(384)이 제 2 공간(411b)에 측정 눈금(420)이 측정할 수 있는 최소량, 즉, 제 1 공간(411a)에서 측정 눈금(420) 중 가장 낮은 위치에 위치한 눈금까지 처리액의 수위가 위치되도록 처리액을 토출한다. 9 is a view showing a state of the support unit 340 and the flow rate measurement unit 400 while the discharge step S12 is performed. Referring to Fig. 9, the discharging step S12 is performed after the mounting step S11 is performed. In the discharging step S12, the first nozzle 384 discharges the processing liquid into the containing space 411. [ In the discharging step S12, the first nozzle 384 discharges the processing liquid to a predetermined amount less than the minimum amount and the maximum amount that can be measured by the measuring graduation 420 in the receiving space 411. [ For example, in the discharging step S12, the first nozzle 384 is moved in the second space 411b by the minimum amount that the measuring graduation 420 can measure, that is, the measuring graduation 420 in the first space 411a, The processing liquid is discharged so that the level of the processing liquid is positioned to the scale located at the lowest position among the processing liquid.

도 10은 측정 단계(S13)가 수행되는 동안 지지 유닛(340) 및 유량 측정 유닛(400)의 모습을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 측정 단계(S13)는 토출 단계(S12)가 수행된 이후 수행된다. 측정 단계(S13)에서는 제 1 노즐(384)이 수용 공간(411)에 처리액을 토출하는 동안, 수용 공간(411)의 처리액 양의 변화량을 측정한다. 예를 들면, 측정 단계(S13)에서는 일정시간 동안 제 1 노즐(384)이 제 1 공간(411a)에 처리액을 토출하는 동안, 측정 눈금(420)을 이용하여, 제 1 공간(411a)의 처리액의 양의 변화량을 측정한다. 이 경우, 제 1 노즐(384)은 기 설정된 일정 시간 동안 처리액을 토출한다. 예를 들면, 상기 일정 시간은 30초일 수 있다. 처리액의 변화량을 정밀하게 측정하기 위해 측정 단계(S13)에서 스핀 헤드(340)는 정지 상태를 유지한다.10 is a view showing a state of the support unit 340 and the flow measurement unit 400 while the measurement step S13 is performed. Referring to FIG. 10, the measuring step S13 is performed after the discharging step S12 is performed. In the measuring step S13, while the first nozzle 384 discharges the processing liquid into the receiving space 411, the amount of change in the amount of the processing liquid in the receiving space 411 is measured. For example, in the measurement step S13, while the first nozzle 384 discharges the treatment liquid into the first space 411a for a predetermined time, the measurement scale 420 is used to measure the concentration of the treatment liquid in the first space 411a And the amount of change in the amount of the treatment liquid is measured. In this case, the first nozzle 384 discharges the processing liquid for a predetermined constant time. For example, the predetermined time may be 30 seconds. In order to precisely measure the amount of change in the treatment liquid, the spin head 340 remains in the stop state in the measurement step S13.

도 11은 배출 단계(S14)가 수행되는 동안 지지 유닛(340) 및 유량 측정 유닛(400)의 모습을 보여주는 도면이다. 도 11을 참조하면, 배출 단계(S14)는 측정 단계(S13) 후에 수행된다. 배출 단계(S14)에서는 스핀 헤드(340)를 회전시켜 유량 측정 유닛(400)을 회전시킴으로써, 원심력을 이용해 수용 공간(411) 내의 처리액을 외부로 배출시킨다. 11 is a view showing a state of the support unit 340 and the flow measurement unit 400 while the discharge step S14 is performed. Referring to Fig. 11, the discharging step S14 is performed after the measuring step S13. In the discharging step S14, the spin head 340 is rotated to rotate the flow rate measuring unit 400, thereby discharging the processing liquid in the receiving space 411 to the outside using the centrifugal force.

도 12는 세정 단계(S15)가 수행되는 동안 지지 유닛(340) 및 유량 측정 유닛(400)의 모습을 보여주는 도면이다. 도 12를 참조하면, 세정 단계(S15)는 배출 단계(S14) 후에 수행된다. 세정 단계(S15)에서는 제 2 노즐(394)이 수용 공간(411)에 세정액을 토출하여 유량 측정 유닛(400)을 세정한다. 세정 단계(S15)에서는 제 2 노즐(394)이 수용 공간에 세정액을 토출하는 동안 스핀 헤드(340)가 회전하면서 세정액을 배출할 수 있다. 이와 달리, 세정 단계(S15)에서는 제 2 노즐(394)이 수용 공간(411)에 세정액을 토출하는 것이 완료된 후, 스핀 헤드(340)가 회전하면서 세정액을 배출할 수 있다.12 is a view showing a state of the support unit 340 and the flow rate measurement unit 400 while the cleaning step S15 is performed. Referring to Fig. 12, the cleaning step S15 is performed after the discharging step S14. In the cleaning step S15, the second nozzle 394 discharges the cleaning liquid into the accommodation space 411 to clean the flow rate measurement unit 400. [ In the cleaning step S15, the spin head 340 can rotate while the second nozzle 394 discharges the cleaning liquid into the accommodation space, thereby discharging the cleaning liquid. Alternatively, in the cleaning step S15, after the second nozzle 394 completes discharging the cleaning liquid into the containing space 411, the spin head 340 may be rotated to discharge the cleaning liquid.

토출량 조절 단계(S20)는 토출량 측정 단계(S10)가 수행된 이후 수행된다. 토출량 조절 단계(S20)에서는 토출량 측정 단계(S10)에서 측정한 제 1 노즐(384)의 단위 시간당 토출량에 따라, 제 1 노즐(384)의 처리액의 토출량을 조절한다. 예를 들면, 토출량 측정 단계(S10)에서 측정한 제 1 노즐(384)의 단위 시간당 토출량이 스핀 헤드(340)에 놓인 기판(W)을 처리하기에 적절한 양보다 적은 경우, 제 1 노즐(384)의 단위 시간당 토출량이 증가 되도록 조절한다. 이와 반대로, 토출량 측정 단계(S10)에서 측정한 제 1 노즐(384)의 단위 시간당 토출량이 스핀 헤드(340)에 놓인 기판(W)을 처리하기에 적절한 양보다 많은 경우, 제 1 노즐(384)의 단위 시간당 토출량이 감소 되도록 조절한다. The discharge amount adjustment step (S20) is performed after the discharge amount measurement step (S10) is performed. In the discharge amount adjustment step (S20), the discharge amount of the treatment liquid of the first nozzle (384) is adjusted according to the discharge amount per unit time of the first nozzle (384) measured in the discharge amount measurement step (S10). For example, when the discharge amount per unit time of the first nozzle 384 measured in the discharge amount measurement step S10 is less than an amount suitable for processing the substrate W placed on the spin head 340, the first nozzle 384 ) Is increased so as to increase the discharge amount per unit time. On the contrary, when the discharge amount per unit time of the first nozzle 384 measured in the discharge amount measurement step S10 is more than the amount suitable for processing the substrate W placed on the spin head 340, So that the discharge amount per unit time is reduced.

처리 단계(S30)에서는 제 1 노즐(384)이 지지 유닛(340) 상에 놓인 기판(W)에 처리액을 공급함으로써 기판(W)을 처리한다. 처리 단계(S30)는 수회 반복될 수 있다. 처리 단계(S30)가 일정 회 수 반복된 경우, 다시, 토출량 측정 단계(S10) 및 토출량 조절 단계(S20)를 수행함으로써, 기판 처리 시 적절한 제 1 노즐(384)의 단위 시간 당 토출량의 범위를 유지할 수 있다. 처리 단계(S30)는 기판 로딩 단계(S31) 및 처리액 공급 단계(S32)를 포함한다. 기판 로딩 단계(S31)에서는 외부의 반송 유닛이 지지 유닛(340) 상에 기판(W)을 안착시킨다. 처리액 공급 단계(S32)에서는 처리액 노즐(380)이 지지 유닛(340) 상에 안착된 기판(W) 상에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리한다. 이후, 처리가 완료된 기판(W)은 반송 유닛에 의해 기판 처리 장치(300) 외부로 반출된다.In the processing step S30, the first nozzle 384 processes the substrate W by supplying the processing liquid to the substrate W placed on the supporting unit 340. [ The processing step S30 may be repeated several times. When the processing step S30 is repeated a predetermined number of times, the discharge amount measurement step S10 and the discharge amount adjustment step S20 are performed again to set the range of the discharge amount per unit time of the appropriate first nozzle 384 . The processing step S30 includes a substrate loading step S31 and a processing liquid supply step S32. In the substrate loading step S31, an external transfer unit places the substrate W on the support unit 340. [ In the treatment liquid supply step S32, the treatment liquid nozzle 380 supplies the treatment liquid onto the substrate W placed on the support unit 340 to treat the substrate W. Thereafter, the processed substrate W is carried out of the substrate processing apparatus 300 by the carrying unit.

상술한 바와 같이, 본 발명은 지지 유닛(340) 상에 탈착 가능하게 제공되는 유량 측정 유닛(400)을 제공함으로써, 제 1 노즐(384)의 토출량 측정을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 제 1 노즐(384)의 토출량 측정에 사용된 액을 용이하게 배출할 수 있다. 또한, 작업자가 직접 메스 실린더 등을 이용하여 측정하는 것이 요구되지 않으므로, 제 1 노즐(384)의 토출량 측정 시 작업자가 위험에 노출되는 되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the present invention can easily measure the discharge amount of the first nozzle 384 by providing the flow rate measurement unit 400 that is detachably provided on the support unit 340. Further, the liquid used for measuring the discharge amount of the first nozzle 384 can be easily discharged. Further, since it is not required for the operator to directly measure by using a scalpel cylinder or the like, it is possible to prevent the operator from being exposed to danger when measuring the discharge amount of the first nozzle 384.

300: 기판 처리 장치 320: 하우징
340: 지지 유닛 384: 제 1 노즐
394: 제 2 노즐 400, 400a: 유량 측정 유닛
410, 410a: 바디 411: 수용 공간
411a: 제 1 공간 411b: 제 2 공간
420: 측정 수단 430: 비산 방지 부재300: substrate processing apparatus 320: housing
340: support unit 384: first nozzle
394: second nozzle 400, 400a: flow measurement unit
410, 410a: Body 411: accommodation space
411a: first space 411b: second space
420: Measuring means 430: Shatterproof member

Claims (22)

기판을 처리하는 장치에 있어서,
내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하는 하우징과;
상기 하우징 내에서 기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 놓인 기판에 처리액을 공급하는 제 1 노즐과;
상기 지지 유닛 상에 탈착 가능하고, 상기 제 1 노즐이 토출하는 처리액의 토출량을 측정하는 유량 측정 유닛을 포함하되,
상기 유량 측정 유닛은,
내부에 상부가 개방되고, 상기 제 1 노즐로부터 토출되는 처리액이 수용되는 수용 공간을 가지는 바디와;
상기 수용 공간에 수용된 처리액의 양을 측정할 수 있는 측정 수단을 포함하되,
상기 수용 공간은 상기 바디의 내측 방향으로 갈수록 바닥면이 수평면에 대해 제 1 경사도로 아래 방향으로 경사지는 제 1 공간을 포함하고,
상기 측정 수단은 상기 제 1 공간에 수용된 처리액의 높이를 측정하도록 형성된 측정 눈금으로 제공되고,
상기 제 1 공간은 상부에서 바라볼 때, 상기 바디의 가장자리 영역에 위치되고,
상기 수용 공간은 상부에서 바라볼 때, 상기 바디의 중앙 영역에 위치되는 제 2 공간을 더 포함하고, 상기 제 1 공간 및 상기 제 2 공간은 서로 연통되는 기판 처리 장치.
An apparatus for processing a substrate,
A housing for providing a space in which a substrate processing process is performed;
A support unit for supporting the substrate in the housing and rotating the substrate;
A first nozzle for supplying a treatment liquid to a substrate placed on the support unit;
And a flow rate measurement unit detachably mounted on the support unit for measuring a discharge amount of the process liquid discharged from the first nozzle,
The flow rate measurement unit includes:
A body having an upper opening inside and having a receiving space in which the processing liquid discharged from the first nozzle is accommodated;
And measurement means capable of measuring the amount of the processing solution contained in the accommodation space,
Wherein the accommodating space includes a first space in which a bottom surface is inclined downward at a first inclination with respect to a horizontal plane toward an inner side of the body,
Wherein the measuring means is provided with a measuring graduation formed to measure the height of the processing liquid accommodated in the first space,
Wherein the first space is located at an edge region of the body when viewed from above,
Wherein the accommodating space further includes a second space located in a central region of the body when viewed from above, and the first space and the second space communicate with each other.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 공간의 깊이는 상기 제 1 공간의 깊이보다 깊게 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a depth of the second space is provided deeper than a depth of the first space. 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 공간은 상기 가장자리 영역의 일부 영역에 형성된 홈으로 제공되고,
상기 측정 눈금은 상기 가장자리 영역에 상기 제 1 공간에 인접하게 위치되고, 상기 제 1 공간의 바닥면의 경사 방향을 따라 형성되는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first space is provided with a groove formed in a part of the edge region,
Wherein the measurement graduation is located adjacent to the first space in the edge region and is formed along an oblique direction of a bottom surface of the first space. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 공간은 상기 바디의 외측 끝단까지 연장되는 기판 처리 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the first space extends to an outer end of the body. 제 5 항에 있어서,
상기 제 2 공간의 바닥면은 상부에서 바라볼 때, 상기 가장자리 영역의 내측단으로부터 상기 바디의 내측 방향으로 갈수록 수평면에 대해 제 2 경사도로 아래 방향으로 경사지게 제공되되,
상기 제 1 경사도는 상기 제 2 경사도보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the bottom surface of the second space is inclined downward at a second inclination with respect to a horizontal plane from an inner end of the edge region toward an inner direction of the body,
Wherein the first inclination is provided to be smaller than the second inclination. 제 3 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 유량 측정 유닛은, 상기 가장자리 영역의 상부를 덮되 상기 바디로부터 이격되게 제공되는 비산 방지 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 3 to 6,
Wherein the flow rate measuring unit further comprises a scatter preventing member which covers the upper portion of the edge region and is provided so as to be spaced apart from the body. 제 7 항에 있어서,
상기 비산 방지 부재는 투명한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the scattering prevention member is made of a transparent material. 제 7 항에 있어서,
상기 비산 방지 부재의 상기 측정 눈금에 대향되는 영역은 투명한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein an area of the scattering prevention member opposite to the measurement graduation is provided in a transparent material. 제 7 항에 있어서,
상기 장치는 상기 유량 측정 유닛을 세정하는 세정액을 공급하는 제 2 노즐을 더 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the apparatus further comprises a second nozzle for supplying a cleaning liquid for cleaning the flow measuring unit. 제 7 항에 있어서,
상기 지지 유닛은 기판의 저면을 지지하는 지지 핀과;
기판의 측부를 지지하는 척 핀을 포함하고,
상기 바디의 저면에는, 상기 척 핀이 삽입되는 척 핀 삽입 홈이 형성되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The support unit includes: a support pin for supporting a bottom surface of the substrate;
And a chuck pin for supporting a side portion of the substrate,
Wherein a chuck pin insertion groove into which the chuck pin is inserted is formed on a bottom surface of the body. 제 11 항에 있어서,
상기 바디의 저면에는 상기 지지 핀이 삽입되는 지지핀 삽입 홈이 형성되는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
And a support pin insertion groove into which the support pin is inserted is formed on a bottom surface of the body. 제1항 및 제3항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 경사도는 0°초과 30°이하로 제공되는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the first inclination is provided in a range of 0 DEG to 30 DEG. 제 10 항의 기판 처리 장치를 이용하여, 상기 제 1 노즐의 처리액의 토출량을 측정하는 방법에 있어서,
상기 유량 측정 유닛이 상기 지지 유닛 상에 장착되는 장착 단계와;
상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간에 처리액을 토출하는 토출 단계와;
상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간내의 처리액의 양을 측정하는 측정 단계를 포함하는 토출량 측정 방법.A method of measuring a discharge amount of a treatment liquid of the first nozzle using the substrate processing apparatus of claim 10,
A mounting step in which the flow measuring unit is mounted on the supporting unit;
A discharging step of discharging the processing liquid into the containing space by the first nozzle;
Wherein the first nozzle includes a measuring step of measuring an amount of the processing liquid in the accommodating space. 제 14 항에 있어서,
상기 토출 단계에서는 상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간에 상기 측정 눈금이 측정할 수 있는 최소량 이상 최대량 미만의 일정량까지 처리액을 토출하는 토출량 측정 방법.15. The method of claim 14,
Wherein in the discharging step, the first nozzle discharges the processing liquid to a predetermined amount less than a minimum amount and a maximum amount that can be measured by the measuring graduation into the accommodating space. 제 15 항에 있어서,
상기 측정 단계 이후, 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 수용 공간 내의 처리액을 외부로 배출시키는 배출 단계;를 더 포함하는 토출량 측정 방법.16. The method of claim 15,
And a discharging step of rotating the supporting unit after the measuring step to discharge the treatment liquid in the accommodation space to the outside. 제 16 항에 있어서,
상기 배출 단계 이 후, 상기 제 2 노즐로부터 세정액을 공급하여 상기 유량 측정 유닛을 세정하는 세정 단계를 더 포함하는 토출량 측정 방법.17. The method of claim 16,
And a cleaning step of cleaning the flow measurement unit by supplying a cleaning liquid from the second nozzle after the discharge step. 제 10 항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 제 1 노즐의 처리액의 토출량을 측정하는 토출량 측정 단계와;
상기 제 1 노즐의 처리액의 토출량을 조절하는 토출량 조절 단계와;
상기 제 1 노즐이 상기 지지 유닛 상에 놓인 기판에 처리액을 공급함으로써 기판을 처리하는 처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.11. A method of processing a substrate using the substrate processing apparatus of claim 10,
A discharge amount measuring step of measuring a discharge amount of the processing liquid of the first nozzle;
A discharge amount adjusting step of adjusting a discharge amount of the processing liquid of the first nozzle;
And a processing step of processing the substrate by supplying the processing liquid to the substrate on which the first nozzle is placed on the supporting unit. 제 18 항에 있어서,
상기 토출량 측정 단계는,
상기 유량 측정 유닛이 상기 지지 유닛 상에 장착되는 장착 단계와
상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간에 처리액을 토출하는 토출 단계와;
상기 제 1 노즐이 상기 수용 공간내의 처리액의 양을 측정하는 측정 단계를 포함하는 기판 처리 방법.19. The method of claim 18,
The step of measuring the amount of discharge,
A mounting step in which the flow measuring unit is mounted on the supporting unit;
A discharging step of discharging the processing liquid into the containing space by the first nozzle;
And the first nozzle includes a measuring step of measuring an amount of the processing liquid in the receiving space. 제 19 항에 있어서,
상기 토출량 측정 단계는,
상기 측정 단계 이후, 상기 지지 유닛을 회전시켜 상기 수용 공간 내의 처리액을 외부로 배출시키는 배출 단계;를 더 포함하는 기판 처리 방법.20. The method of claim 19,
The step of measuring the amount of discharge,
And a discharging step of rotating the supporting unit after the measuring step to discharge the treating liquid in the accommodating space to the outside. 제 20 항에 있어서,
상기 토출량 측정 단계는,
상기 배출 단계 이 후, 상기 제 2 노즐로부터 세정액을 공급하여 상기 유량 측정 유닛을 세정하는 세정 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.21. The method of claim 20,
The step of measuring the amount of discharge,
And a cleaning step of cleaning the flow measuring unit by supplying a rinse liquid from the second nozzle after the discharging step. 제 20 항에 있어서,
상기 처리 단계는,
상기 지지 유닛 상에 기판을 안착시키는 기판 로딩(Loading) 단계와;
상기 제 1 노즐이 상기 기판 상에 처리액을 공급하는 처리액 공급 단계를 포함하는 기판 처리 방법.21. The method of claim 20,
Wherein the processing step comprises:
A substrate loading step of placing the substrate on the supporting unit;
And a processing liquid supply step of supplying the processing liquid onto the substrate by the first nozzle.
KR1020160184118A 2016-12-30 2016-12-30 Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same KR101895929B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160184118A KR101895929B1 (en) 2016-12-30 2016-12-30 Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160184118A KR101895929B1 (en) 2016-12-30 2016-12-30 Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180078875A KR20180078875A (en) 2018-07-10
KR101895929B1 true KR101895929B1 (en) 2018-10-24

Family

ID=62916261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160184118A KR101895929B1 (en) 2016-12-30 2016-12-30 Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101895929B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102174062B1 (en) * 2019-04-19 2020-11-04 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR102606574B1 (en) * 2019-12-04 2023-11-29 세메스 주식회사 Ph measuring unit and apparatus including the same and method for treating a substrate using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3024689B2 (en) * 1991-09-25 2000-03-21 日本板硝子株式会社 Flake-like inorganic mixed paper
JP3198455B2 (en) * 1995-06-05 2001-08-13 株式会社小糸製作所 Distance measuring device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59135961U (en) * 1983-03-01 1984-09-11 株式会社小松製作所 Protective frame mounting device
KR100610046B1 (en) * 2000-06-16 2006-08-09 주식회사 에스에프에이 Cover keeping from dispersion cover of apparatus for spin coating and method of manufacturing the same
KR101460272B1 (en) * 2013-02-28 2014-11-13 세메스 주식회사 Nozzle assembly, substrate treating apparatus including the assembly, and substrate treating method using the assembly
JP3198455U (en) * 2015-04-22 2015-07-02 東京エレクトロン株式会社 Discharge amount measuring instrument, discharge amount measuring substrate, discharge amount measuring instrument attaching / detaching device, and substrate processing apparatus including the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3024689B2 (en) * 1991-09-25 2000-03-21 日本板硝子株式会社 Flake-like inorganic mixed paper
JP3198455B2 (en) * 1995-06-05 2001-08-13 株式会社小糸製作所 Distance measuring device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180078875A (en) 2018-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN108269750B (en) Substrate processing apparatus, method for measuring discharge amount using the same, and substrate processing method
KR102375625B1 (en) Apparatus for treating substrate and measurement method of discharging amount
KR101895929B1 (en) Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same
KR102193669B1 (en) pressure measurement unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR101928010B1 (en) Apparatus for treating substrate, measurement method of discharging amount and apparatus for treating substrate using the same
KR102096945B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20160147163A (en) Apparatus for Processing Substrate and method for Cleaning
KR101817211B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20160083285A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101522896B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102174062B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20180013327A (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102022953B1 (en) unit for supplying Chemical , Apparatus and Method for treating substrate with the unit
KR101979602B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101681181B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101909471B1 (en) Liquid mixing unit and Apparatus for treating a substrate with the unit
KR20200031196A (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102152908B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR101993732B1 (en) Apparatus for treating substrate and method for setting nozzle position
KR20130019543A (en) Apparatus for treating substrate
KR101910798B1 (en) Drain assembly and Apparatus for treating substrate with the unit
KR20170027511A (en) Standby port and Apparatus for treating substrate with the port
KR20170137242A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101979603B1 (en) Apparatus for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right