KR101887118B1 - 프로브 카드 테스트 시스템 및 방법 - Google Patents
프로브 카드 테스트 시스템 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101887118B1 KR101887118B1 KR1020170025565A KR20170025565A KR101887118B1 KR 101887118 B1 KR101887118 B1 KR 101887118B1 KR 1020170025565 A KR1020170025565 A KR 1020170025565A KR 20170025565 A KR20170025565 A KR 20170025565A KR 101887118 B1 KR101887118 B1 KR 101887118B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- probe card
- signal
- test
- output waveform
- contactor
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 138
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 101100117775 Arabidopsis thaliana DUT gene Proteins 0.000 description 2
- 101150091805 DUT1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G01R31/045—
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2832—Specific tests of electronic circuits not provided for elsewhere
- G01R31/2836—Fault-finding or characterising
- G01R31/2837—Characterising or performance testing, e.g. of frequency response
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
도 2는 일 실시예에 의한 테스트 바디의 구성도이다.
도 3은 일 실시예에 의한 컨택터의 구성도이다.
도 4 및 도 5는 일 실시예에 의한 쉐어드 구조 프로브 카드의 테스트 개념을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 및 도 7은 프로브 카드 테스트 시스템의 잡음 보상 개념을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 일 실시예에 의한 전류 제한 회로의 구성도이다.
도 9는 일 실시예에 의한 프로브 카드 테스트 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 10은 일 실시예에 의한 프로브 카드의 특성 측정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
110 : 테스트 바디
120 : 신호 입력부
130 : 제 1 인터페이스 보드
140 : 신호 전달부
150 : 프로브 카드
160 : 컨택터
170 : 제 2 인터페이스 보드
180 : 신호 출력부
Claims (15)
- 복수의 니들이 구비되고, 하나의 입력 단자가 복수의 출력 단자로 분기되어 대응하는 니들로 연장되고, 상기 복수의 출력 단자 각각과 대응하는 니들 간에는 스위치 제어 신호에 응답하여 온 또는 오프되는 스위치가 구비되는 쉐어드 구조를 갖는 프로브 카드;
상기 복수의 니들에 일대일로 접촉되는 패드를 구비하는 컨택터; 및
상기 스위치의 적어도 하나를 온 또는 오프시키기 위한 상기 스위치 제어 신호를 생성하고, 상기 프로브 카드로 테스트 신호를 제공하고, 상기 프로브 카드에 구비된 상기 복수의 니들로부터 각각 출력되는 측정 신호 각각을 상기 컨택터를 통해 수신하며, 기 추출된 보상값에 기초하여 상기 측정 신호를 보정하여 보정된 측정 신호로부터 상기 프로브 카드의 전기적 특성을 검사하는 테스트 바디;
를 포함하도록 구성되는 프로브 카드 테스트 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 테스트 바디는, 상기 프로브 카드의 순수 전기적 특성과, 상기 프로브 카드 테스트 시스템의 잡음 성분이 포함된 상기 프로브 카드의 전기적 특성에 기초하여 상기 보상값을 추출하도록 구성되는 잡음 보상부를 포함하는 프로브 카드 테스트 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 테스트 바디는, 상기 프로브 카드에 대해 기 추출한 S(Scattering)-파라미터를 시뮬레이션 장치에 적용하여 획득한 상기 프로브 카드의 입력 신호에 대한 시뮬레이션 출력 파형과 계측장비를 통해 획득한 상기 프로브 카드의 입력 신호에 대한 매뉴얼 출력 파형을 비교하여 상기 시뮬레이션 출력 파형에 대한 신뢰성이 검증되면, 상기 시뮬레이션 출력 파형을 기준값으로 결정하고, 상기 시뮬레이션 출력 파형과 상기 매뉴얼 출력 파형 간의 상관계수를 분석하여 상기 보상값을 추출하도록 구성되는 잡음 보상부를 포함하는 프로브 카드 테스트 시스템. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 테스트 바디는, 상기 테스트 신호에 기초한 기대값과 상기 보정된 측정 신호를 비교하여 패스 범위로 판정된 신호의 세기를 시간 영역에서 점 데이터 형식으로 표현하고, 기 설정된 시간동안 측정한 점 데이터를 선으로 연결한 그래픽 데이터를 특성 추출 결과로 출력하도록 구성되는 특성 추출부를 포함하는 프로브 카드 테스트 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 컨택터로부터 제공되는 상기 측정 신호를 상기 테스트 바디로 전달하는 인터페이스 보드를 더 포함하고,
상기 인터페이스 보드는 상기 프로브 카드로부터 상기 컨택터로의 전류 흐름을 유도하는 전류 제한 회로를 구비하도록 구성되는 프로브 카드 테스트 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 테스트 신호는 상기 프로브 카드의 신호 무결성 또는 전원 무결성을 테스트하도록 생성되는 프로브 카드 테스트 시스템. - 복수의 니들이 구비되며 하나의 입력 단자가 복수의 출력 단자로 분기되어 대응하는 니들로 연장되고, 상기 복수의 출력 단자 각각과 대응하는 니들 간에는 스위치 제어 신호에 응답하여 온 또는 오프되는 스위치가 구비되는 프로브 카드, 상기 복수의 니들에 일대일로 접촉되는 패드를 구비하는 컨택터 및 상기 프로브 카드로 테스트 신호를 제공하고, 상기 프로브 카드로부터 상기 니들을 경유하여 상기 컨택터를 통해 출력되는 측정 신호를 수신하는 테스트 바디를 포함하는 프로브 카드 테스트 시스템에서의 테스트 방법으로서,
상기 테스트 바디가 보상값을 추출하는 단계;
상기 테스트 바디가 상기 스위치의 적어도 하나를 온 또는 오프시키기 위한 상기 스위치 제어 신호를 생성하고, 상기 복수의 니들로부터 출력되는 측정 신호 각각을 상기 컨택터를 통해 수신하는 단계;
상기 측정 신호가 제공됨에 따라, 상기 테스트 바디가 상기 보상값에 기초하여 상기 측정 신호를 보정하여 보정된 측정 신호를 생성하는 단계; 및
상기 테스트 바디가 상기 보정된 측정 신호에 기초하여 상기 프로브 카드의 전기적 특성을 검사하는 단계;
를 포함하도록 구성되는 프로브 카드 테스트 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 보상값을 추출하는 단계는, 상기 프로브 카드의 순수 전기적 특성과, 상기 프로브 카드 테스트 시스템의 잡음 성분이 포함된 상기 프로브 카드의 전기적 특성에 기초하여 상기 보상값을 추출하는 단계인 프로브 카드 테스트 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 보상값을 추출하는 단계는, 상기 프로브 카드에 대해 기 추출한 S(Scattering)-파라미터를 시뮬레이션 장치에 적용하여 상기 프로브 카드의 입력 신호에 대한 시뮬레이션 출력 파형을 획득하는 단계;
계측장비를 통해 상기 프로브 카드의 입력 신호에 대한 매뉴얼 출력 파형을 획득하는 단계;
상기 시뮬레이션 출력 파형과 상기 매뉴얼 출력 파형을 비교하여 상기 시뮬레이션 출력 파형에 대한 신뢰성을 검증하는 단계;
상기 검증된 상기 시뮬레이션 출력 파형을 기준값으로 결정하고, 상기 시뮬레이션 출력 파형과 상기 매뉴얼 출력 파형 간의 상관계수를 분석하여 상기 보상값을 추출하는 단계;
를 포함하도록 구성되는 프로브 카드 테스트 방법. - 삭제
- 삭제
- 제 9 항에 있어서,
상기 전기적 특성을 검사하는 단계는, 상기 테스트 신호에 기초한 기대값과 상기 보정된 측정 신호를 비교하여 패스 범위로 판정된 신호의 세기를 시간 영역에서 점 데이터 형식으로 표현하고, 기 설정된 시간동안 측정한 점 데이터를 선으로 연결한 그래픽 데이터를 출력하는 단계를 포함하는 프로브 카드 테스트 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 테스트 신호는 상기 프로브 카드의 신호 무결성 또는 전원 무결성을 테스트하도록 생성되는 프로브 카드 테스트 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170025565A KR101887118B1 (ko) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 프로브 카드 테스트 시스템 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170025565A KR101887118B1 (ko) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 프로브 카드 테스트 시스템 및 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101887118B1 true KR101887118B1 (ko) | 2018-08-09 |
Family
ID=63251248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170025565A KR101887118B1 (ko) | 2017-02-27 | 2017-02-27 | 프로브 카드 테스트 시스템 및 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101887118B1 (ko) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021062117A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electro-optic waveform analysis process |
KR20210047926A (ko) * | 2018-10-12 | 2021-04-30 | 주식회사 아도반테스토 | 해석 장치, 해석 방법 및 해석 프로그램 |
KR20210047927A (ko) * | 2018-10-12 | 2021-04-30 | 주식회사 아도반테스토 | 해석 장치, 해석 방법 및 해석 프로그램 |
KR20220043486A (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 주식회사 실리콘프리시젼 | 반도체 테스트용 프로브 카드 에뮬레이션 시스템 |
US11372024B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Probe card test apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138067A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の検査装置および検査方法 |
KR20090068903A (ko) * | 2007-12-24 | 2009-06-29 | 주식회사 에스디에이 | 프로브 카드 통합검사장치 및 그 제공방법 |
-
2017
- 2017-02-27 KR KR1020170025565A patent/KR101887118B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138067A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回路基板の検査装置および検査方法 |
KR20090068903A (ko) * | 2007-12-24 | 2009-06-29 | 주식회사 에스디에이 | 프로브 카드 통합검사장치 및 그 제공방법 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102532513B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2023-05-16 | 주식회사 아도반테스토 | 해석 장치, 해석 방법 및 해석 프로그램 |
KR20210047926A (ko) * | 2018-10-12 | 2021-04-30 | 주식회사 아도반테스토 | 해석 장치, 해석 방법 및 해석 프로그램 |
KR20210047927A (ko) * | 2018-10-12 | 2021-04-30 | 주식회사 아도반테스토 | 해석 장치, 해석 방법 및 해석 프로그램 |
US12146896B2 (en) | 2018-10-12 | 2024-11-19 | Advantest Corporation | Analysis apparatus, analysis method, and recording medium having recorded thereon analysis program |
KR102581229B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2023-09-21 | 주식회사 아도반테스토 | 해석 장치, 해석 방법 및 해석 프로그램 |
JP7230278B2 (ja) | 2019-09-27 | 2023-02-28 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 電気光学波形分析プロセス |
KR102443173B1 (ko) | 2019-09-27 | 2022-09-14 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 전자광학 파형 분석 프로세스 |
JP2022541673A (ja) * | 2019-09-27 | 2022-09-26 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 電気光学波形分析プロセス |
WO2021062117A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electro-optic waveform analysis process |
KR20220062130A (ko) * | 2019-09-27 | 2022-05-13 | 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 | 전자광학 파형 분석 프로세스 |
US11125815B2 (en) | 2019-09-27 | 2021-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Electro-optic waveform analysis process |
US11372024B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-06-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Probe card test apparatus |
KR102518759B1 (ko) * | 2020-09-29 | 2023-04-06 | 주식회사 실리콘프리시젼 | 반도체 테스트용 프로브 카드 에뮬레이션 시스템 |
KR20220043486A (ko) * | 2020-09-29 | 2022-04-05 | 주식회사 실리콘프리시젼 | 반도체 테스트용 프로브 카드 에뮬레이션 시스템 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101887118B1 (ko) | 프로브 카드 테스트 시스템 및 방법 | |
KR101489542B1 (ko) | 레거시 테스트 시스템의 동작 에뮬레이팅 | |
US6954076B2 (en) | Aircraft multi-function wire and insulation tester | |
KR100897009B1 (ko) | 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 신호를 생성하는시스템 및 방법 | |
US10451653B2 (en) | Controlling a per-pin measurement unit | |
KR100731344B1 (ko) | 자동화된 테스트 장비에서 테스트 및 교정하기 위한 회로및 그 방법 | |
US7508228B2 (en) | Method and system for monitoring test signals for semiconductor devices | |
CN1892246B (zh) | 用于校准自动电路测试系统的系统、方法和装置 | |
US9874600B2 (en) | Method and apparatus for automated surge stress testing of a device under test using voltage and current waveforms | |
US7535243B2 (en) | Method and program for controlling an apparatus for measurement of characteristics of a semiconductor device under test | |
CN113504454A (zh) | 一种分析仪的校准方法及芯片测试方法和系统 | |
KR100905507B1 (ko) | 고전압 기능부를 가진 핀 전자기기 | |
JP7565443B2 (ja) | 伝導性信号試験における高周波(rf)信号プローブ不整合に起因したパワー損失について補償するシステム及び方法 | |
CN207215868U (zh) | 一种电路板测试装置 | |
EP1041389B1 (en) | System and method for characterising a test fixture | |
CN116482512A (zh) | 一种电源信号自检查的接口电路板、自动测试方法和测试平台 | |
US11635457B2 (en) | Apparatus and method for performing time domain reflectormetry | |
Helmreich | Test path simulation and characterisation | |
RU2686517C1 (ru) | Способ проведения испытаний на стойкость сложнофункциональных микросхем к статическому дестабилизирующему воздействию | |
US11639960B2 (en) | Integrated circuit spike check apparatus and method | |
KR102714344B1 (ko) | 절연 검사 장치 및 절연 검사 방법 | |
CN117990962A (zh) | 探针卡以及芯片测试系统 | |
US6801863B1 (en) | Method for detecting the connectivity of electrical conductors during automated test using longitudinal balance measurements | |
CN117461271A (zh) | 用于测量导电射频(rf)测试信号路径的路径损耗的系统和方法 | |
Carbajo et al. | Improved Test Methodology for Production Testing of RF Switches Using a New Relative Measurement Technique |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20170227 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20180226 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20180730 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20180803 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20180806 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210726 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220726 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230802 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240724 Start annual number: 7 End annual number: 7 |