KR101884160B1

KR101884160B1 - A method for manufacturing a thick metal mask, a method for manufacturing a thick metal mask,

Info

Publication number: KR101884160B1
Application number: KR1020187006031A
Authority: KR
Inventors: 유이치로 아베; 야스유키 데마치; 겐타 다케다
Original assignee: 도판 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2016-05-23
Filing date: 2017-05-23
Publication date: 2018-07-31
Also published as: WO2017204223A1; KR20180027624A; CN107923031B; JP6264523B1; JPWO2017204223A1; CN107923031A

Abstract

전기 주조제의 증착용 메탈 마스크로서, 대개구 (322F) 를 바닥부로 한 뿔대상을 갖는 마스크 구멍 (321H) 을 구획하는 구멍 내주면 (321S) 을 구비한다. 표면과 직교하는 단면에 있어서 대개구 (322F) 와 소개구 (322B) 를 연결하는 가상 직선 (Li) 과, 이면이 이루는 경사 각도 (θ) 가 50°이상 85°이하이고, 표면과 이면의 거리가 두께 (H) 이고, 이면과 평행임과 함께 이면과의 거리가 (2/3) × H 인 기준면 (Pi) 에 있어서 구멍 내주면 (321S) 과 가상 직선의 거리가 패임량 (A) 이고, 0 ＜ [(3 × tanθ) × A]/H ≤ 0.3 을 만족한다.The metal mask for vapor deposition of the electric casting preparation has an inner peripheral surface 321S for partitioning a mask hole 321H having a horn object with the hole 322F as its bottom part. The inclination angle? Formed by the imaginary line Li connecting the sphere 322F and the introducing port 322B and the back surface is not less than 50 degrees and not more than 85 degrees on the cross section orthogonal to the surface, The distance between the hole inner circumferential surface 321S and the imaginary straight line in the reference plane Pi which is the thickness H and parallel to the back surface and the distance from the back surface is (2/3) x H is the inflection amount A, 0 < [(3 x tan?) X A] / H? 0.3.

Description

A method for manufacturing a thick metal mask, a method for manufacturing a thick metal mask,

본 발명은, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 증착용 메탈 마스크 형성 기재에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a thick metal mask, a method of manufacturing a thick metal mask, and a base material for forming a thick metal mask.

증착법에 사용되는 증착용 메탈 마스크는, 승화된 입자가 통과하는 통로로서 마스크 구멍을 구비한다. 마스크 구멍은, 증착 대상과 대향하는 소개구와, 증착원과 대향하는 대개구를 구비한다. 마스크 구멍의 형성 방법은, 예를 들어 레이저 조사법, 웨트 에칭법, 및 전기 주조법 중 어느 것을 사용한다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 3 을 참조).The vapor deposition metal mask used in the vapor deposition method has a mask hole as a passage through which the sublimated particles pass. The mask hole has an introduction opening facing the deposition target and a generally opposed opening facing the evaporation source. As a method for forming the mask hole, for example, any one of a laser irradiation method, a wet etching method, and an electroforming method is used (see, for example, Patent Documents 1 to 3).

레이저 조사법은, 메탈 마스크의 기재인 금속판의 표면에 레이저광을 조사하고, 레이저광이 가하는 열에 의해 금속판의 일부를 계속 녹이고, 그에 따라, 금속판에 마스크 구멍을 형성한다. 이 때, 마스크 구멍의 형상의 정밀도를 높이기 위해, 강도가 낮은 펄스광 등이 사용된다. 결과적으로, 현실적인 제조에 있어서, 레이저 조사법은, 생산성을 얻을 수 없다.In the laser irradiation method, a surface of a metal plate as a base of a metal mask is irradiated with laser light, and a part of the metal plate is continuously melted by the heat applied by the laser light, thereby forming a mask hole in the metal plate. At this time, in order to increase the precision of the shape of the mask hole, a pulse light with low intensity is used. As a result, in practical manufacturing, the laser irradiation method can not attain productivity.

웨트 에칭법은, 메탈 마스크의 기재인 금속판의 표면에 레지스트 패턴을 형성하고, 레지스트 패턴을 사용한 금속판의 에칭에 의해 마스크 구멍을 형성한다. 이 때, 에칭이 진행되는 방향은, 금속판에 수직인 방향뿐만 아니라, 레지스트 마스크의 개구로부터 금속판을 향한 거의 전방향이다. 그 때문에, 소개구의 크기에 대한 대개구의 크기의 비를 작게 하는 것이 곤란하여, 현실적인 제조에 있어서, 웨트 에칭법은, 마스크 구멍의 고밀도화에 대응할 수 없다.In the wet etching method, a resist pattern is formed on the surface of a metal plate as a base of a metal mask, and a mask hole is formed by etching a metal plate using a resist pattern. At this time, the direction in which the etching proceeds is not only the direction perpendicular to the metal plate, but also almost the entire direction from the opening of the resist mask toward the metal plate. Therefore, it is difficult to reduce the ratio of the size of the sphere to the size of the introduction port, and in practical production, the wet etching method can not cope with the increase in the density of the mask holes.

일본 공개특허공보 2014-148744호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-148744 일본 공개특허공보 2016-011434호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2016-011434 일본 공개특허공보 평10-129140호Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-129140

한편, 전기 주조법은, 전극으로서 기능하는 금속판의 표면에 레지스트 패턴을 형성하고, 금속판의 표면에 퇴적된 전착물을 금속판으로부터 떼어내고, 그에 따라, 레지스트 패턴의 형상에 추종한 형상을 갖는 마스크 구멍을 전착물에 형성한다. 레지스트 패턴의 형성에 필요로 하는 시간은 짧고, 또, 전착물의 퇴적에 필요로 하는 시간도 짧기 때문에, 현실적인 제조에 있어서, 전기 주조법은 높은 생산성이 얻어진다. 또, 마스크 구멍의 형상이 레지스트 패턴의 형상에 추종하기 때문에, 전기 주조법은, 새로운 형상을 구멍 내주면에 부여할 수 있는 기술로서 기대된다.On the other hand, in the electroforming method, a resist pattern is formed on the surface of a metal plate functioning as an electrode, and a preform deposited on the surface of the metal plate is removed from the metal plate, thereby forming a mask hole having a shape conforming to the shape of the resist pattern To form a precursor complex. Since the time required for forming the resist pattern is short and the time required for deposition of the electrodeposited material is also short, in the actual production, the electroforming method has high productivity. Further, since the shape of the mask hole follows the shape of the resist pattern, the electroforming method is expected as a technique capable of imparting a new shape to the inner peripheral surface of the hole.

최근, 마스크 구멍의 고밀도화는 진행되는 일로에 있고, 마스크 구멍을 구획하는 구멍 내주면의 미세화가 강하게 요망되고 있다. 한편, 증착용 메탈 마스크를 사용하여 증착이 실시될 때에는, 승화된 입자가 마스크 구멍의 구멍 내주면에 부착된다. 구멍 내주면에 부착된 입자는, 마스크 구멍을 통과하는 입자의 방해가 되고, 구멍 내주면의 미세화가 진행될수록, 이 방해가 현저해진다. 그래서, 상기 서술한 증착용 메탈 마스크에서는, 구멍 내주면의 고밀도화를 가능하게 하면서도, 입자의 퇴적물을 제거하기 위한 메인터넌스의 빈도를 억제하는 것이 강하게 요구된다.In recent years, the increase in the density of the mask holes has progressed, and it is strongly desired to miniaturize the inner circumferential surface of the holes for partitioning the mask holes. On the other hand, when deposition is performed using a vapor-deposition metal mask, sublimed particles adhere to the inner peripheral surface of the hole of the mask hole. Particles attached to the inner circumferential surface of the hole interfere with the particles passing through the mask hole, and the more the finer the inner circumferential surface of the hole is, the more remarkable the disturbance becomes. Thus, in the above-described metal mask for vapor deposition, it is strongly desired to suppress the frequency of maintenance for removing deposits of particles while enabling high density of the inner peripheral surface of the hole.

본 발명은, 메인터넌스의 빈도가 높아지는 것을 억제하면서 마스크 구멍의 고밀도화를 가능하게 하는 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 증착용 메탈 마스크 형성 기재를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a deposition metal mask, a method of manufacturing a deposition metal mask, and a substrate for forming a vapor deposition metal mask, which can increase the density of the mask hole while suppressing the frequency of maintenance.

상기 과제를 해결하기 위한 증착용 메탈 마스크는, 증착 장치에 있어서 증착원과 대향하는 대개구를 갖는 표면과, 상기 표면과는 반대측의 면으로서 소개구를 갖는 이면과, 상기 대개구와 상기 소개구에 통하는 뿔대상 (frustum shape) 의 구멍이 마스크 구멍이고, 상기 표면과 상기 이면에 접속되어 상기 마스크 구멍을 증착용 메탈 마스크에 구획하는 구멍 내주면을 구비한 전기 주조제의 증착용 메탈 마스크로서, 상기 표면과 직교하고, 또한 상기 대개구와 상기 소개구를 통과하는 단면 (斷面) 에 있어서, 상기 대개구의 가장자리와 상기 소개구의 가장자리를 연결하는 직선이 가상 직선이고, 상기 가상 직선과, 상기 이면이 형성하는 경사 각도 (θ) 가 50°이상 85°이하이고, 상기 표면과 상기 이면의 거리가 증착용 메탈 마스크의 두께 (H) 이고, 상기 이면과 평행임과 함께 상기 이면과의 거리가 (2/3) × H 인 상기 가상면이 기준면이고, 상기 기준면에 있어서, 상기 구멍 내주면과 상기 가상 직선의 거리가 패임량 (A) 이고, 0 ＜ [(3 × tanθ) × A]/H ≤ 0.3 을 만족한다.A metal mask for vapor deposition for solving the problems is a mask having a surface having a generally spherical surface opposed to an evaporation source in a vapor deposition apparatus and a back surface having an introduction port as a surface opposite to the surface, And a hole inner circumferential surface connected to the front surface and the rear surface to define the mask hole in the metal mask for vapor deposition, the metal mask having a surface of a frustum shape communicating with the surface of the metal body, The straight line connecting the edge of the sphere and the edge of the introduction sphere is a virtual straight line and the virtual straight line and the straight line connecting the imaginary straight line and the Wherein the inclination angle? Is not less than 50 degrees and not more than 85 degrees, and a distance between the front surface and the back surface is a thickness (H) of the thick metal mask, (2/3) x H is a reference plane, and the distance between the inner circumferential surface of the hole and the imaginary straight line is the inflection amount (A) and 0 < ( 3 × tan θ) × A] / H ≦ 0.3.

여기서, H/(3 × tanθ) 를 가상 패임량 (DA) 으로 하면, 상기 [(3 × tanθ) × A]/H 는, 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율을 나타낸다. 가상 패임량 (DA) 이란, 이면과의 거리가 (2/3) × H 인 기준면에 있어서, 증착용 메탈 마스크의 두께 방향을 따라 대개구를 투영한 위치와, 상기 가상 직선의 거리이다.Here, [(3 x tan θ) × A] / H represents the ratio of the amount of padding A to the virtual padding amount DA (where, H / (3 × tan θ) . The virtual padding amount DA is a distance between a position at which a sphere is projected along a thickness direction of a vapor-deposition metal mask and a virtual straight line on a reference plane whose distance from the back surface is (2/3) x H.

상기 구성에 의하면, 경사 각도 (θ) 가 50°이상 85°이하이고, 등방적인 에칭과 같이, 등방적인 가공에서는 얻어지지 않는 큰 경사 각도 (θ) 가 얻어진다. 그 때문에, 등방적인 가공에 의해 얻어지는 종래의 구성과 비교하여, 마스크 구멍의 고밀도화가 가능해진다.According to the above configuration, the inclination angle? Is not less than 50 degrees and not more than 85 degrees, and a large inclination angle? Is obtained which is not obtained in isotropic machining like isotropic etching. Therefore, as compared with the conventional structure obtained by isotropic processing, it is possible to make the mask holes denser.

한편, 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율이 0 보다 크고, 또한 0.3 이하이다. 그 때문에, 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율이 0 인 구성과 비교하여, 구멍 내주면에 입자가 부착된다고 해도, 패임량 (A) 에 상당하는 크기를 갖는 공간에서, 그 잔사를 퇴적시키는 것이 가능해진다.On the other hand, the ratio of the amount of punch A to the virtual punch amount DA is greater than 0 and is less than 0.3. Therefore, even when particles adhere to the inner circumferential surface of the hole, compared with the configuration in which the ratio of the amount of pockets A to the amount of virtual punches DA is zero, in a space having a size corresponding to the amount of pockets A, It becomes possible to deposit the residue.

이 때, 상기 서술한 잔사란, 대개구에 가까운 부위일수록 퇴적되기 쉬운데, 대개구의 근처에 위치하는 잔사란, 증착 패턴에 대해 명확한 결손을 발생시키기 어렵다. 이에 대하여, 소개구에 가까운 부위일수록 잔사는 퇴적되기 어려운데, 소개구의 근처에 위치하는 잔사란, 그것이 발생시키는 섀도 효과에 의해, 증착 패턴에 대해 명확한 결손을 발생시키기 쉽다. 이 점, 상기 구성이면, 역뿔대면상을 갖는 구멍 내주면 중에서, 이면과의 거리가 (2/3) × H 인 기준면에 있어서, 상기 서술한 패임량 (A) 이 정해진다. 즉, 상기 서술한 잔사가 쌓이기 쉬운 것, 및 증착 패턴에 대해 명확한 결손을 발생시키기 쉬운 것, 이것들의 쌍방을 만족하는 범위에 대해, 상기 패임량 (A) 이 정해진다. 그러므로, 상기 서술한 구성이면, 증착 패턴에 대해 명확한 결함을 발생시키기 쉽고, 또한 퇴적되기 쉬운 불가피한 잔사를, 증착에 주는 영향을 억제하면서 적확하게 모으는 것이 가능하고, 결과적으로, 증착용 메탈 마스크에 대한 메인터넌스의 빈도가 높아지는 것도 억제된다.At this time, the above-mentioned residue is liable to be deposited more generally in a region close to a sphere, and a residue located near the sphere is hard to cause a definite defect in the deposition pattern. On the other hand, the residue located near the introduction hole is difficult to deposit, and the residue located near the introduction hole is liable to cause a definite defect in the deposition pattern due to the shadow effect generated thereby. On the contrary, in the case of the above configuration, the above-described amount of padding A is determined on the reference surface having the distance from the back surface of the inner peripheral surface of the hole having the inverse antrum surface to the back surface of (2/3) × H. That is, the amount of padding A is determined with respect to the range in which the above-described residue is liable to accumulate, the one that is liable to cause a definite defect in the deposition pattern, and the range satisfying both of them. Therefore, with the above-described structure, it is possible to collect definite defects with respect to the vapor deposition pattern and to accumulate the inevitable residue easily deposited, while suppressing the influence on the vapor deposition. As a result, The increase in the frequency of maintenance is also suppressed.

상기 증착용 메탈 마스크는, 상기 표면과 직교하고, 또한 상기 대개구와 상기 소개구를 통과하는 단면에 있어서 상기 구멍 내주면은 호상 (弧狀) 을 가져도 된다. 이 구성에 의하면, 구멍 내주면이 연속면이기 때문에, 전기 주조법에 의한 마스크의 제조가 용이해지기도 한다.The metal mask for vapor deposition may have an arc shape perpendicular to the surface, and in the cross section passing through the sphere and the introduction hole, the inner circumferential surface of the hole may have an arc shape. According to this configuration, since the inner circumferential surface of the hole is a continuous surface, it is easy to manufacture the mask by the electroforming method.

상기 증착용 메탈 마스크에 있어서, 상기 증착용 메탈 마스크의 구성 재료는, 철과 니켈의 합금을 주성분으로서 포함하고, 상기 합금에 있어서의 니켈의 함유량은, 30 질량％ 이상 45 질량％ 이하여도 된다. 이 구성에 의하면, 금속 재료 중에서 열팽창 계수가 작은, 철과 니켈의 합금을 주성분으로 하기 때문에, 증착시에 받는 열에 의한 구조적인 변화를, 증착용 메탈 마스크에 있어서 억제하는 것이 가능해지기도 한다.In the vapor-deposition metal mask, the constituent material of the vapor-deposition metal mask may include an alloy of iron and nickel as a main component, and the content of nickel in the alloy may be 30 mass% or more and 45 mass% or less. According to this structure, since the main component is the alloy of iron and nickel, which has a small coefficient of thermal expansion in the metallic material, it is possible to suppress the structural change due to the heat applied during vapor deposition in the vapor-deposited metal mask.

상기 증착용 메탈 마스크에 있어서, 상기 두께 (H) 는 1 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하여도 된다. 이 구성에 의하면, 증착용 메탈 마스크가 갖는 두께 (H) 가 10 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하이기 때문에, 대개구의 크기와 소개구의 크기의 차를 작게 하는 것이 가능하고, 마스크 구멍의 고밀도화를 가능하게 하는 효과를, 보다 현저한 것으로 하는 것이 가능해지기도 한다.In the vapor-deposited metal mask, the thickness (H) may be 1 占 퐉 or more and 40 占 퐉 or less. According to this configuration, since the thickness H of the vapor-deposition metal mask is 10 占 퐉 or more and 40 占 퐉 or less, it is possible to reduce the difference between the size of the sphere and the size of the introduction port, Can be made more remarkable.

상기 과제를 해결하기 위한 증착용 메탈 마스크의 제조 방법은, 전극면에 정상면을 갖는 역뿔대상의 돌기가 레지스트 패턴이고, 상기 전극면에 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것과, 전착물을 상기 전극면으로부터 퇴적시킴과 함께, 상기 전착물에 있어서 상기 레지스트 패턴의 외주면에 추종하는 면이 마스크 구멍의 구멍 내주면이고, 상기 마스크 구멍이 상기 레지스트 패턴으로 메워진 상태에서 상기 전착물을 형성하는 것과, 상기 전극면으로부터 상기 전착물을 떼어내고, 상기 전극면으로부터 떼어내어진 상기 전착물로서 증착용 메탈 마스크를 형성하는 것을 포함하고, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것에서는, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 상기 전착물의 두께 (T) 인 면이 가 (假) 표면이고, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 (2/3) × T 인 면이 기준면이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 가표면에 위치하는 부분이 대주연 (大周緣) 이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 정상면에 상당하는 부분이 소주연 (小周緣) 이고, 상기 가표면과 직교하고, 또한 상기 대주연과 상기 소주연을 통과하는 단면에 있어서, 상기 대주연과 상기 소주연을 연결하는 직선이 가상 직선이고, 상기 가상 직선과, 상기 전극면이 이루는 경사 각도 (θr) 가 95°이상 130°이하이고, 상기 기준면에 있어서 상기 외주면과 상기 가상 직선의 거리가 장출량 (W) 이고, 0 ＜ [(3 × tan(180°－ θr)) × W]/T ≤ 0.3 을 만족하도록, 상기 레지스트 패턴을 형성한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal mask for vapor deposition, the method comprising: forming a resist pattern on the electrode surface, Wherein the step of forming the complex is a step of forming the complex on the inner surface of the hole of the mask hole so that the surface following the outer circumferential surface of the resist pattern in the complex is filled with the resist pattern, And forming a deposition mask on the electrode surface, wherein the deposition mask is formed as a deposition material that is separated from the electrode surface and is formed as a deposition material. In forming the resist pattern, Wherein a surface having a distance (T) of the electrodeposit is a temporary surface and is parallel to the electrode surface (2/3) x T is a reference plane, a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the surface of the resist pattern is a large periphery, and a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern, Wherein a straight line connecting the main periphery and the minor periphery is a virtual straight line in a cross section that is a small periphery and orthogonal to the surface and passes through the major periphery and the minor periphery, , Wherein the virtual straight line and the electrode surface form an inclined angle? R of 95 to 130 degrees, and the distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference surface is a ground clearance (W), 0 < × tan (180 ° - θr) × W] / T ≦ 0.3.

상기 과제를 해결하기 위한 증착용 메탈 마스크의 제조 방법은, 전극면에 바닥면을 갖는 뿔대상의 돌기가 레지스트 패턴이고, 상기 전극면에 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것과, 전착물을 상기 전극면으로부터 퇴적시킴과 함께, 상기 전착물에 있어서 상기 레지스트 패턴의 외주면에 추종하는 면이 마스크 구멍의 구멍 내주면이고, 상기 마스크 구멍이 상기 레지스트 패턴으로 메워진 상태에서 상기 전착물을 형성하는 것과, 상기 전극면으로부터 상기 전착물을 떼어내고, 상기 전극면으로부터 떼어내어진 상기 전착물로서 증착용 메탈 마스크를 형성하는 것을 포함하고, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것에서는, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 상기 전착물의 두께 (T) 인 면이 가 (假) 이면이고, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 (1/3) × T 인 면이 기준면이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 가이면에 위치하는 부분이 대주연이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 바닥면에 상당하는 부분이 소주연이고, 상기 가이면과 직교하고, 또한 상기 대주연과 상기 소주연을 통과하는 단면에 있어서, 상기 대주연과 상기 소주연을 연결하는 직선이 가상 직선이고, 상기 가상 직선과, 상기 전극면이 이루는 경사 각도 (θr) 가 50°이상 85°이하이고, 상기 기준면에 있어서 상기 외주면과 상기 가상 직선의 거리가 장출량 (W) 이고, 0 ＜ [(3 × tanθr) × W]/T ≤ 0.3 을 만족하도록, 상기 레지스트 패턴을 형성한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a vapor-deposition metal mask, the method comprising the steps of: forming protrusions on a surface of a cone having a bottom surface on an electrode surface as a resist pattern; forming the resist pattern on the electrode surface; Depositing a resist material on the surface of the substrate to form a resist pattern; forming a plating material on the surface of the resist material in a state that the surface following the outer circumferential surface of the resist pattern is an inner circumferential surface of the mask hole; And forming a deposition metal mask as the plating material removed from the electrode surface. In the step of forming the resist pattern, it is preferable that the step of forming the resist pattern includes the steps of: (T) of the electrodeposited material is a distance, and the surface of the electrodeposit is parallel to the electrode surface, (1/3) × T is a reference plane, a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the back surface is a major edge, and a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern corresponding to the bottom surface Wherein a straight line connecting the major periphery and the minor periphery is a virtual straight line in a cross section perpendicular to the back side and passing through the major periphery and the minor periphery, Wherein the inclination angle? R formed by the electrode surface is 50 占 to 85 占 and the distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference plane is the insertion amount of W and 0 <[(3 占 tan? R) The resist pattern is formed so as to satisfy T &le; 0.3.

상기 각 방법에 의하면, 상기 서술한 바와 같이, 이면과의 이루는 경사 각도 (θ) 가 50°이상 85°이하이고, 또한 0 ＜ [(3 × tanθ) × A]/H ≤ 0.3 을 만족하는 마스크 구멍을 형성할 수 있다. 그 때문에, 메인터넌스의 빈도가 높아지는 것을 억제하면서 마스크 구멍의 고밀도화를 가능하게 하는 증착용 메탈 마스크를 제조할 수 있다.According to each of the above-described methods, as described above, the mask having a tilt angle? Formed between the back surface and the back surface is not less than 50 ° and not more than 85 ° and satisfies 0 <[(3 × tan θ) × A] / H ≦ 0.3 A hole can be formed. Therefore, it is possible to manufacture an evaporation-resistant metal mask that can increase the density of the mask hole while suppressing the increase in the frequency of maintenance.

상기 과제를 해결하기 위한 증착용 메탈 마스크 형성 기재는, 증착용 메탈 마스크를 전착물로서 퇴적시키기 위한 전기 주조용 전극면과, 상기 전극면에 정상면을 갖는 역뿔대상의 돌기가 레지스트 패턴이고, 상기 전착물에 있어서 상기 레지스트 패턴의 외주면에 추종하는 면이 마스크 구멍의 구멍 내주면이고, 상기 마스크 구멍이 상기 레지스트 패턴으로 메워진 상태에서 상기 전착물을 형성하기 위한 상기 레지스트 패턴을 구비하고, 상기 레지스트 패턴은, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 상기 전착물의 두께 (T) 인 면이 가표면이고, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 (2/3) × T 인 면이 기준면이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 가표면에 위치하는 부분이 대주연이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 정상면에 상당하는 부분이 소주연이고, 상기 가표면과 직교하고, 또한 상기 대주연과 상기 소주연을 통과하는 단면에 있어서, 상기 대주연과 상기 소주연을 연결하는 직선이 가상 직선이고, 상기 가상 직선과, 상기 전극면이 이루는 경사 각도 (θr) 가 95°이상 130°이하이고, 상기 기준면에 있어서 상기 외주면과 상기 가상 직선의 거리가 장출량 (W) 이고, 0 ＜ [(3 × tan(180°－ θr)) × W]/T ≤ 0.3 을 만족한다.The metal mask forming base material for deposition of metal for solving the above-mentioned problems is characterized in that an electrode for electroforming for depositing a metal deposition mask as a preform and a protrusion of an inverse object having a top face on the electrode face are resist patterns, The resist pattern for forming the complex material in a state where the surface following the outer circumferential surface of the resist pattern in the complex is the inner circumferential surface of the hole of the mask hole and the mask hole is filled with the resist pattern, Wherein the surface of the electrodeposit is parallel to the electrode surface and the distance between the electrode surface and the electrode surface is the thickness T of the electrodeposit is parallel to the electrode surface and is 2/3 T is a reference plane, a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the outer surface of the resist pattern is a major edge, Wherein a straight line connecting the large peripheral edge and the small peripheral edge is a virtual straight line in a cross section of the plane corresponding to the top plane and having a minor axis perpendicular to the minor axis and passing through the minor minor axis and the minor minor axis, , Wherein the virtual straight line and the electrode surface form an inclined angle? R of 95 to 130 degrees, and the distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference surface is a ground clearance (W), 0 < × tan (180 ° - θr) × W] / T ≦ 0.3.

상기 과제를 해결하기 위한 증착용 메탈 마스크 형성 기재는, 증착용 메탈 마스크를 전착물로서 퇴적시키기 위한 전기 주조용 전극면과, 상기 전극면에 바닥면을 갖는 뿔대상의 돌기가 레지스트 패턴이고, 상기 전착물에 있어서 상기 레지스트 패턴의 외주면에 추종하는 면이 마스크 구멍의 구멍 내주면이고, 상기 마스크 구멍이 상기 레지스트 패턴으로 메워진 상태에서 상기 전착물을 형성하기 위한 상기 레지스트 패턴을 구비하고, 상기 레지스트 패턴은, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 상기 전착물의 두께 (T) 인 면이 가이면이고, 상기 전극면과 평행임과 함께 상기 전극면과의 거리가 (1/3) × T 인 면이 기준면이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 가이면에 위치하는 부분이 소주연이고, 상기 레지스트 패턴의 외주면 중에서 상기 바닥면에 상당하는 부분이 대주연이고, 상기 가이면과 직교하고, 또한 상기 레지스트 패턴을 통과하는 단면에 있어서, 상기 대주연과 상기 소주연을 연결하는 직선이 가상 직선이고, 상기 가상 직선과, 상기 전극면이 이루는 경사 각도 (θr) 가 50°이상 85°이하이고, 상기 기준면에 있어서 상기 외주면과 상기 가상 직선의 거리가 장출량 (W) 이고, 0 ＜ [(3 × tanθr) × W]/T ≤ 0.3 을 만족한다.The metal mask-forming substrate for deposition of the present invention for solving the above-mentioned problems is characterized in that the electrode for electroforming for depositing a deposition metal mask as a precursor and the protrusions for a horn object having a bottom face on the electrode face are resist patterns, And the resist pattern for forming the complex material in a state where the surface following the outer peripheral surface of the resist pattern in the preliminary complex is the inner peripheral surface of the hole of the mask hole and the mask hole is filled with the resist pattern, And the distance between the electrode surface and the electrode surface is equal to the distance between the electrode surface and the electrode surface, X T is a reference plane, a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the back surface of the resist pattern is a peripheral edge, Wherein a straight line connecting the large periphery and the small periphery is a virtual straight line, and the imaginary straight line connecting the small straight line and the small straight line, And a distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference plane is an insertion length (W), and 0 <[(3 x tan? R) x W] / T? 0.3.

상기 각 증착용 메탈 마스크 형성 기재를 사용한 전기 주조법에 의한 제조에 의하면, 상기 서술한 바와 같이, 이면과의 이루는 경사 각도 (θ) 가 50°이상 85°이하이고, 또한 0 ＜ [(3 × tanθ) × A]/H ≤ 0.3 을 만족하는 마스크 구멍을 형성할 수 있다. 그 때문에, 메인터넌스의 빈도가 높아지는 것을 억제하면서 마스크 구멍의 고밀도화를 가능하게 하는 증착용 메탈 마스크를 제조할 수 있다.According to the production by the electroforming method using each of the vapor-deposition metal mask-forming substrates, as described above, the inclination angle? Formed between the back surface and the back surface is not less than 50 degrees and not more than 85 degrees, and 0 <[(3 x tan? ) X A] / H < / = 0.3 can be formed. Therefore, it is possible to manufacture an evaporation-resistant metal mask that can increase the density of the mask hole while suppressing the increase in the frequency of maintenance.

도 1 은 증착용 메탈 마스크의 일 실시형태에 있어서의 평면 구조를 나타내는 평면도.
도 2 는 증착용 메탈 마스크의 일 실시형태에 있어서의 단면 구조를 나타내는 단면도.
도 3 은 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 일 실시형태에 있어서의 단면 구조를 나타내는 단면도.
도 4 는 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 다른 실시형태에 있어서의 단면 구조를 나타내는 단면도.
도 5(a) 내지 (e) 는, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서의 공정의 흐름을 나타내는 공정 플로도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view showing a planar structure in an embodiment of a vapor deposition metal mask. Fig.
2 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure in an embodiment of a vapor-deposition metal mask.
3 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure in an embodiment of the vapor-depositable metal mask-forming substrate.
4 is a cross-sectional view showing a cross-sectional structure in another embodiment of the vapor-depositable metal mask-forming substrate.
5 (a) to 5 (e) are process flow charts showing the flow of a process in an embodiment of the method for producing a deposition-inducing metal mask.

이하, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 일 실시형태를 설명한다. 먼저, 도 1 및 도 2 를 참조하여, 증착용 메탈 마스크의 구성을 설명한다. 이어서, 도 3 및 도 4 를 참조하여, 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 구성을 설명한다. 마지막으로, 도 5 를 참조하여, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, one embodiment of a vapor-deposited metal mask, a method for producing a vapor-deposited metal mask, and a substrate for forming a vapor-deposited metal mask will be described. First, with reference to Figs. 1 and 2, the configuration of the deposition metal mask will be described. Next, with reference to Figs. 3 and 4, the constitution of the vapor deposition metal mask forming base material will be described. Finally, with reference to FIG. 5, a method of manufacturing a vapor-deposition metal mask will be described.

[증착용 메탈 마스크][Metal wearing mask]

도 1 이 나타내는 바와 같이, 마스크 장치 (10) 는, 메인 프레임 (20) 과, 3 개의 증착용 메탈 마스크 (30) 를 구비한다. 메인 프레임 (20) 은, 3 개의 증착용 메탈 마스크 (30) 를 지지하는 프레임판상을 가지며, 증착을 실시하기 위한 증착 장치에 장착된다. 메인 프레임 (20) 은, 각 증착용 메탈 마스크 (30) 와 대향하는 영역의 거의 전체에, 메인 프레임 (20) 을 관통하는 메인 프레임 구멍 (20H) 을 갖는다.As shown in Fig. 1, the mask apparatus 10 includes a main frame 20 and three evaporation-wearing metal masks 30. As shown in Fig. The main frame 20 has a frame plate for supporting three vapor deposition metal masks 30 and is mounted on a vapor deposition apparatus for carrying out vapor deposition. The main frame 20 has a main frame hole 20H penetrating through the main frame 20 substantially over the entire region facing the respective metal mask 30.

증착용 메탈 마스크 (30) 는, 서브 프레임 (31) 과, 전기 주조제의 마스크 부재 (32) 를 구비한다. 서브 프레임 (31) 은, 복수의 마스크 부재 (32) 를 지지하는 프레임판상을 가지며, 메인 프레임 (20) 에 장착된다. 서브 프레임 (31) 은, 각 마스크 부재 (32) 와 대향하는 영역의 거의 전체에, 서브 프레임 (31) 을 관통하는 서브 프레임 구멍 (30H) 을 갖는다. 각 마스크 부재 (32) 는, 서브 프레임 구멍 (30H) 의 주위에, 용착이나 접착에 의해 고정된다. 마스크 부재 (32) 가 갖는 단면 구조의 일례를, 도 2 를 참조하여 설명한다.The vapor deposition metal mask 30 has a subframe 31 and a mask member 32 of an electric casting agent. The subframe 31 has a frame plate shape for supporting a plurality of mask members 32 and is mounted on the main frame 20. [ The subframe 31 has a subframe hole 30H passing through the subframe 31 almost over the entire region of the region facing the mask member 32. [ Each of the mask members 32 is fixed around the sub-frame hole 30H by welding or adhesion. An example of the sectional structure of the mask member 32 will be described with reference to Fig.

도 2 가 나타내는 바와 같이, 마스크 부재 (32) 는, 철과 니켈의 합금을 주성분으로 하는 격자상의 금속 시트 (321) 로 구성된다. 금속 시트 (321) 를 구성하는 재료는, 예를 들어 30 질량％ 이상 45 질량％ 이하의 니켈을 포함하는 철니켈 합금, 그 중에서도, 36 질량％ 니켈과 64 질량％ 철의 합금을 주성분으로 하는, 즉 인바인 것이 바람직하다. 마스크 부재 (32) 를 구성하는 재료가 인바인 경우, 금속 시트 (321) 의 열팽창 계수는, 예를 들어 1.2 × 10^-6/℃ 정도이다. 이와 같은 열팽창 계수를 갖는 금속 시트 (321) 이면, 마스크 부재 (32) 에 있어서의 열팽창의 정도와, 유리 기판에 있어서의 열팽창의 정도가 정합되기 때문에, 증착 대상의 일례로서 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 2, the mask member 32 is composed of a lattice-like metal sheet 321 mainly composed of an alloy of iron and nickel. The material constituting the metal sheet 321 is, for example, an iron nickel alloy containing 30% by mass or more and 45% by mass or less of nickel, and more particularly, an alloy containing 36% by mass nickel and 64% I. E. In the case where the material constituting the mask member 32 is Invar, the coefficient of thermal expansion of the metal sheet 321 is, for example, approximately 1.2 10 ^-6 / 캜. Since the degree of thermal expansion in the mask member 32 and the degree of thermal expansion in the glass substrate are matched with each other in the case of the metal sheet 321 having such a thermal expansion coefficient, desirable.

마스크 부재 (32) 는, 증착 장치에 있어서 증착원과 대향하는 면이 되는 표면 (32F) 과, 표면 (32F) 과는 반대측의 면인 이면 (32B) 을 구비한다. 마스크 부재 (32) 는, 금속 시트 (321) 를 관통하는 복수의 마스크 구멍 (321H) 을 갖는다. 표면 (32F) 은, 마스크 구멍 (321H) 의 대개구 (322F) 를 포함하고, 이면 (32B) 은, 마스크 구멍 (321H) 의 소개구 (322B) 를 포함한다. 마스크 구멍 (321H) 은 뿔대상을 갖는다. 마스크 구멍 (321H) 의 바닥부는 대개구 (322F) 이고, 마스크 구멍 (321H) 의 정상부는 소개구 (322B) 이다. 마스크 구멍 (321H) 은, 마스크 부재 (32) 에 있어서 구멍 내주면 (321S) 으로 구획되어 있다. 구멍 내주면 (321S) 은, 표면 (32F) 과 직교하고, 또한 구멍 내주면 (321S) 을 통과하는 단면에 있어서, 표면 (32F) 으로부터 이면 (32B) 을 향하여 완만하게 구부러지는 호상을 그린다. 대개구 (322F) 의 크기는, 표면 (32F) 과 대향하는 평면에서 보아, 소개구 (322B) 보다 크다. 대개구 (322F) 는, 증착원으로부터 승화된 증착 입자가 통과하는 통로의 입구로서 기능한다. 증착원으로부터 승화된 증착 입자는, 대개구 (322F) 로부터 소개구 (322B) 를 향하여 나아간다.The mask member 32 has a surface 32F serving as a surface facing the evaporation source and a back surface 32B serving as a surface opposite to the surface 32F in the vapor deposition apparatus. The mask member 32 has a plurality of mask holes 321H penetrating the metal sheet 321. [ The surface 32F includes the hole 322F of the mask hole 321H and the back surface 32B includes the introduction hole 322B of the mask hole 321H. The mask hole 321H has a horn object. The bottom of the mask hole 321H is generally a sphere 322F and the top of the mask hole 321H is an introduction hole 322B. The mask hole 321H is partitioned by the hole inner circumferential surface 321S in the mask member 32. [ The hole inner circumferential surface 321S draws an arc that is perpendicular to the surface 32F and gently bends from the surface 32F toward the back surface 32B in the cross section passing through the hole inner circumferential surface 321S. The size of the sphere 322F is generally larger than the introduction port 322B in a plane facing the surface 32F. Usually, the sphere 322F serves as an entrance of a passage through which the deposited particles sublimated from the evaporation source pass. The evaporated particles sublimated from the evaporation source generally travel from the spheres 322F toward the introduction ports 322B.

표면 (32F) 과 이면 (32B) 의 거리는, 금속 시트 (321) 의 두께인 두께 (H) 이다. 금속 시트 (321) 가 갖는 두께 (H) 는, 1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하이고, 바람직하게는 2 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하이다. 금속 시트 (321) 가 갖는 두께 (H) 가 40 ㎛ 이하이면, 금속 시트 (321) 에 형성되는 마스크 구멍 (321H) 의 깊이를 40 ㎛ 이하로 하는 것이 가능하다. 40 ㎛ 이하의 두께 (H) 를 갖는 금속 시트 (321) 이면, 마스크 부재 (32) 의 표면 (32F) 을 향하여 비행하는 증착 입자로부터 증착 대상을 보았을 때에, 마스크 부재 (32) 에 의해 불필요한 그림자가 되는 영역을 적게 하는 것이 가능해진다. 즉, 섀도 효과를 억제하는 것이 가능해진다.The distance between the surface 32F and the back surface 32B is the thickness H which is the thickness of the metal sheet 321. [ The thickness H of the metal sheet 321 is 1 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less, preferably 2 占 퐉 or more and 40 占 퐉 or less. When the thickness H of the metal sheet 321 is 40 占 퐉 or less, the depth of the mask hole 321H formed in the metal sheet 321 can be 40 占 퐉 or less. The metal sheet 321 having a thickness H of not more than 40 占 퐉 has an unnecessary shadow caused by the mask member 32 when the object to be deposited is viewed from the evaporated particles flying toward the surface 32F of the mask member 32 It becomes possible to reduce the number of areas to be formed. That is, it becomes possible to suppress the shadow effect.

표면 (32F) 과 직교하고, 또한 대개구 (322F) 와 소개구 (322B) 를 통과하는 단면에 있어서, 대개구 (322F) 의 가장자리와 소개구 (322B) 의 가장자리를 연결하는 직선이 가상 직선 (Li) 이다. 또, 표면 (32F) 과 직교하고, 또한 대개구 (322F) 와 소개구 (322B) 를 통과하는 단면에 있어서, 이 가상 직선 (Li) 과 이면 (32B) 이 이루는 각도가 경사 각도 (θ) 이다. 또한, 대개구 (322F) 의 가장자리와, 소개구 (322B) 의 가장자리가 원인 경우, 상기 서술한 단면은, 대개구 (322F) 의 중심, 및 소개구 (322B) 의 중심을 통과한다. 또, 대개구 (322F) 의 가장자리와, 소개구 (322B) 의 가장자리가 사각형인 경우, 상기 서술한 단면은, 여기서도, 대개구 (322F) 의 중심, 및 소개구 (322B) 의 중심을 통과한다.A straight line connecting the edge of the sphere 322F and the edge of the introducing port 322B is a straight line orthogonal to the surface 32F and usually passing through the sphere 322F and the introducing port 322B, Li). The angle formed by the imaginary straight line Li and the back surface 32B is orthogonal to the surface 32F and is generally inclined at an angle passing through the sphere 322F and the introducing port 322B . Further, in the case of the edge of the sphere 322F and the edge of the introduction port 322B, the above-mentioned cross section usually passes through the center of the sphere 322F and the center of the introduction port 322B. In the case where the edge of the sphere 322F and the edge of the introduction port 322B are square in shape, the above-mentioned cross section also passes through the center of the sphere 322F and the center of the introduction port 322B again .

또, 이면 (32B) 을 따른 가상적, 즉, 이면 (32B) 과 평행한 가상적인 평면이 가상면이다. 또, 복수의 가상면 중에서 이면 (32B) 과의 거리가 (2/3) × H 인 가상면이 기준면 (Pi) 이다. 또, 기준면 (Pi) 에 있어서 구멍 내주면 (321S) 과 가상 직선 (Li) 의 거리가 패임량 (A) 이다. 그리고, 각 마스크 구멍 (321H) 은, 하기 [조건 1] 및 [조건 2] 를 만족한다.In addition, a hypothetical plane along the back surface 32B, that is, a hypothetical plane parallel to the back surface 32B is a hypothetical plane. In addition, a virtual plane having a distance of (2/3) x H from the back surface 32B among the plurality of virtual planes is the reference plane Pi. The distance between the hole inner peripheral surface 321S and the imaginary straight line Li in the reference plane Pi is the amount of padding A. Each of the mask holes 321H satisfies the following [Condition 1] and [Condition 2].

[조건 1] 50°≤ 경사 각도 (θ) ≤ 85°[Condition 1] 50 ° ≤ tilt angle (θ) ≤ 85 °

[조건 2] 0 ＜ [(3 × tanθ) × A]/H ≤ 0.3[Condition 2] 0 <[(3 x tan?) X A] / H? 0.3

[조건 1] 을 만족하는 마스크 구멍 (321H) 에서의 경사 각도 (θ) 는 50°이상 85°이하이고, 금속 시트 (321) 에 대한 등방적인 에칭과 같이, 등방적인 가공에서는 얻어지지 않는 큰 경사 각도 (θ) 를 마스크 구멍 (321H) 이 갖는다. 그 때문에, 등방적인 가공에 의해 얻어지는 종래의 구성과 비교하여, 마스크 구멍 (321H) 의 고밀도화를 마스크 부재 (32) 에 있어서 실현할 수 있다.The inclination angle? In the mask hole 321H satisfying the condition 1 is not less than 50 degrees and not more than 85 degrees and the inclination angle? The mask hole 321H has an angle?. Therefore, compared to the conventional structure obtained by isotropic machining, it is possible to realize high density of the mask holes 321H in the mask member 32. [

또한, 등방적인 가공에 의해 얻어지는 마스크 구멍 (321H) 에서는, [조건 1] 의 범위보다 경사 각도 (θ) 가 작아진다. 소개구 (322B) 의 위치나 크기는, 증착 입자가 도달해야 할 위치나 크기에 따라 미리 정해진다. 결과적으로, 경사 각도 (θ) 가 작을수록, 대개구 (322F) 의 크기는 커지고, 서로 이웃하는 대개구 (322F) 의 사이의 거리가 좁아진다. 나아가서는, 서로 이웃하는 대개구 (322F) 의 일부가 서로 결합하고, 마스크 부재 (32) 의 기계적인 강도도 얻어지기 어려워진다. 이 점, 상기 [조건 1] 을 만족하는 마스크 구멍 (321H) 이면, 기계적인 강도가 과잉으로 저하되는 것을 억제하면서, 고밀도화를 실현하는 것이 가능해지기도 한다.In addition, in the mask hole 321H obtained by isotropic machining, the inclination angle? Is smaller than the range of [Condition 1]. The position and size of the introducing port 322B are determined in advance according to the position and size to which the deposition particles should reach. As a result, the smaller the tilt angle?, The larger the size of the sphere 322F is, and the smaller the distance between the neighboring sphere 322F is. Further, a part of the sphere 322F, which is adjacent to each other, is coupled to each other, and the mechanical strength of the mask member 32 becomes difficult to obtain. In this regard, it is possible to realize high density while suppressing excessive decrease in mechanical strength in the case of the mask hole 321H satisfying the above-mentioned [Condition 1].

[조건 2] 를 만족하는 마스크 구멍 (321H) 이면, 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율이 0 보다 크고, 또한 0.3 이하이다. 그 때문에, 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율이 0 인 구성과 비교하여, 즉, 가상 직선 (Li) 을 구멍 내주면 (321S) 으로 하는 마스크 구멍 (321H) 과 비교하여, 구멍 내주면 (321S) 에 증착 입자가 부착된다고 해도, 패임량 (A) 에 상당하는 크기를 갖는 공간에서, 증착 입자의 퇴적물인 잔사를 모으는 것이 가능해진다.The ratio of the amount of padding A to the imaginary amount of padding DA is greater than 0 and less than 0.3 when the mask hole 321H satisfies [Condition 2]. Compared with the configuration in which the ratio of the amount of padding A to the imaginary amount of depression DA is zero, that is, as compared with the configuration in which the virtual straight line Li is the hole inner circumferential surface 321S, Even if the deposition particles adhere to the hole inner circumferential surface 321S, it is possible to collect the residue, which is a deposit of the deposition particles, in a space having a size corresponding to the amount of padding A.

이 때, 소개구 (322B) 보다 대개구 (322F) 에 가까운 잔사는 대개구측 잔사이고, 대개구 (322F) 보다 소개구 (322B) 에 가까운 잔사는 소개구측 잔사이다. 그리고, 대개구측 잔사의 성장은, 소개구측 잔사의 성장보다 진행되기 쉽다. 한편, 대개구측 잔사와 증착 대상의 거리는, 소개구측 잔사와 증착 대상의 거리보다 크다. 그러므로, 대개구측 잔사는, 증착 대상에 형성되는 증착 패턴에 소개구측 잔사보다 결손을 발생시키기 어렵다. 즉, 대개구측 잔사는, 소개구측 잔사보다 성장이 빠른 반면, 소개구측 잔사보다 증착 패턴에 결손을 발생시키기 어렵다. 소개구측 잔사는, 대개구측 잔사보다 성장이 느린 반면, 대개구측 잔사보다 증착 패턴에 결손을 발생시키기 쉽다.At this time, the residue nearer to the sphere 322F than the sphere 322B is generally a sphere residue, and the residue nearer to the sphere 322B than the sphere 322F is the residue of the introduction sphere. And, the growth of the bulb residue is more likely to proceed than the growth of the bulb residue. On the other hand, the distance between the bulb residue and the deposition target is usually larger than the distance between the introduction bulb residue and the deposition target. Therefore, it is generally difficult for the bulb residue to cause a defect in the evaporation pattern formed on the evaporation target, than the residue on the introduction bulb side. In other words, it is generally difficult to cause defects in the deposition pattern than the residue side of the introduction side, while the side side residues are faster than the growth residues of the introduction side. Introduction The bulb residue is usually slower than the bulb residue, but is more likely to cause defects in the evaporation pattern than the bulb residue.

이 점, [조건 2] 를 만족하는 마스크 구멍 (321H) 이면, 이면 (32B) 과의 거리가 (2/3) × H 인 기준면 (Pi) 에 있어서, 상기 서술한 패임량 (A) 이 정해진다. 즉, 마스크 구멍 (321H) 에 있어서의 두께 방향에 있어서, 기준면 (Pi) 은, 상기 서술한 잔사가 쌓이기 쉬운 부위에 위치한다. 또, 마스크 구멍 (321H) 에 있어서의 두께 방향에 있어서, 기준면 (Pi) 은, 구멍 내주면 (321S) 에 축적된 잔사로 증착 패턴에 명확한 결손을 발생시키기 쉬운 부위에 위치한다. 그리고, 상기 패임량 (A) 은, 이러한 기준면 (Pi) 에 있어서 정해진다. 그러므로, 패임량 (A) 을 갖지 않는 마스크 구멍에 있어서 증착 패턴에 대해 명확한 결함을 발생시키기 쉽고, 또한 퇴적하기 쉬운 잔사를, [조건 1] 및 [조건 2] 를 만족하는 패임량 (A) 을 갖는 마스크 구멍 (321H) 이면, 증착에 주는 영향을 억제한 잔사로서 적확하게 모으는 것이 가능하다. 결과적으로, 잔사에 의한 증착 문제를 해소하기 위한 메인터넌스, 즉, 증착용 메탈 마스크에 대한 메인터넌스의 빈도가 높아지는 것도 억제된다.On the reference surface Pi where the distance from the back surface 32B is (2/3) x H, the above-described amount of padding A is set to a predetermined value in the case of the mask hole 321H satisfying the condition (Condition 2) All. That is, in the thickness direction of the mask hole 321H, the reference surface Pi is located at a position where the above-described residue is liable to accumulate. In the thickness direction of the mask hole 321H, the reference surface Pi is located at a position where it is liable to cause a definite defect in the vapor deposition pattern due to the residues accumulated in the hole inner circumferential surface 321S. The amount of padding A is determined on the reference plane Pi. Therefore, in the mask hole having no padding amount A, it is easy to cause a definite defect in the vapor deposition pattern, and the residue which is liable to be deposited is referred to as a padding amount A satisfying [condition 1] and [condition 2] It is possible to accurately collect the residue as the residue suppressing the influence on the deposition. As a result, the maintenance for eliminating the deposition problem due to the residue, that is, the increase in the frequency of maintenance for the vapor-deposition metal mask is suppressed.

또한, 이면 (32B) 을 따른 방향에서의 가상 직선 (Li) 과 구멍 내주면 (321S) 의 거리는, 기준면 (Pi) 보다 이면 (32B) 측에서 최대값을 갖는다. 이러한 구멍 내주면 (321S) 의 형상은, 기준면 (Pi) 에서 상기 [조건 1] 및 [조건 2] 가 만족되는 것에 따라, 고밀도화가 가능한 것을 유지하면서도, 가상 직선 (Li) 과 구멍 내주면 (321S) 의 거리가 최대가 되는 영역에서 소개구측 잔사를 더욱 모으기 쉽다. 결과적으로, 메인터넌스의 빈도가 높아지는 것이, 보다 확실하게 억제된다.The distance between the hypothetical straight line Li and the hole inner circumferential surface 321S in the direction along the back surface 32B has a maximum value at the back surface 32B side than the reference surface Pi. The shape of the hole inner circumferential surface 321S is determined such that the virtual straight line Li and the inner circumferential surface 321S of the hole 321S It is easy to collect the residue of the introduction side in the area where the distance becomes maximum. As a result, it is more reliably suppressed that the frequency of maintenance increases.

[증착용 메탈 마스크 형성 기재][Metal forming mask-forming mask]

다음으로, 도 3 을 참조하여, 증착용 메탈 마스크를 제조하는 방법에 사용하는 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 일례를 설명한다. 또, 도 4 를 참조하여, 증착용 메탈 마스크를 제조하는 방법에 사용하는 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 다른 예를 설명한다. 또한, 도 4 가 나타내는 예는, 도 3 이 나타내는 예와는 레지스트 패턴의 형상이 상이하다. 상세하게는, 도 3 은, 전극면과 평행한 단면에서의 면적이 전극면에 가까운 부위일수록 작은 형상, 즉, 역테이퍼 형상을 갖는 레지스트 패턴을 갖는 예를 나타낸다. 도 4 는, 전극면과 평행한 단면에서의 면적이 전극면에 가까운 부위일수록 큰 형상, 즉, 순테이퍼 형상을 갖는 레지스트 패턴을 갖는 예를 나타낸다. 그리고, 도 4 를 참조한 설명에서는, 도 3 에 나타내는 예와의 차이를 주로 설명하고, 중복되는 설명은 생략한다.Next, with reference to Fig. 3, an example of a vapor deposition metal mask forming substrate used in a method of manufacturing a vapor deposition metal mask will be described. 4, another example of a vapor deposition metal mask forming substrate used in a method of manufacturing a vapor deposition metal mask will be described. In addition, the example shown in Fig. 4 differs from the example shown in Fig. 3 in the shape of the resist pattern. Specifically, Fig. 3 shows an example in which a resist pattern having a smaller shape, that is, an inverse taper shape, is formed in a region where the area in the cross section parallel to the electrode surface is closer to the electrode surface. Fig. 4 shows an example in which a resist pattern having a larger shape, that is, a net taper shape, is formed as the area in the cross section parallel to the electrode surface is closer to the electrode surface. In the description with reference to FIG. 4, differences from the example shown in FIG. 3 will be mainly described, and redundant description will be omitted.

도 3 이 나타내는 바와 같이, 증착용 메탈 마스크 형성 기재 (50) 는, 전극 부재 (51) 와 레지스트 패턴 (52) 을 구비한다. 전극 부재 (51) 는, 금속 시트 (321) 를 형성하기 위한 전해에 있어서 음극으로서 기능한다. 전극 부재 (51) 는, 예를 들어 SUS304 등의 스테인리스 부재여도 되고, 유리 기판이나 수지 시트 상에 전극 재료가 적층된 부재여도 된다. 전극 부재 (51) 는, 금속 시트 (321) 를 형성하기 위한 면으로서, 평활면인 전극면 (51S) 을 구비한다.As shown in Fig. 3, the deposition-resistant metal mask-forming base material 50 has the electrode member 51 and the resist pattern 52. The electrode member (51) functions as a cathode in electrolysis for forming the metal sheet (321). The electrode member 51 may be, for example, a stainless steel member such as SUS304, or may be an electrode member laminated on a glass substrate or a resin sheet. The electrode member 51 has an electrode surface 51S which is a smooth surface as a surface for forming the metal sheet 321. [

레지스트 패턴 (52) 은, 전극면 (51S) 에 있어서 도상 (島狀) 으로 점재하는 패턴이다. 레지스트 패턴 (52) 은, 역뿔대상의 돌기이다. 레지스트 패턴 (52) 은, 전극면 (51S) 에 위치하는 정상면 (52B) 과, 정상면 (52B) 과는 반대측의 면인 바닥면 (52F) 을 구비한다. 레지스트 패턴 (52) 은, 금속 시트 (321) 를 형성하는 전해에 있어서 마스크로서 기능한다. 또, 레지스트 패턴 (52) 은, 외주면인 레지스트 외주면 (52S) 을 구비한다. 레지스트 패턴 (52) 은, 금속 시트 (321) 를 형성하는 전해에 있어서, 레지스트 외주면 (52S) 에 추종한 면을 구비하는 전착물을, 전극면 (51S) 에 퇴적시킨다.The resist pattern 52 is a pattern dotted on the electrode surface 51S in an island shape. The resist pattern 52 is a projection of an inverse object. The resist pattern 52 has a top surface 52B positioned on the electrode surface 51S and a bottom surface 52F on the opposite side to the top surface 52B. The resist pattern 52 functions as a mask in the electrolysis for forming the metal sheet 321. The resist pattern 52 has a resist outer peripheral surface 52S which is an outer peripheral surface. The resist pattern 52 deposits a complex material having a surface following the resist outer circumferential surface 52S on the electrode surface 51S in the electrolysis for forming the metal sheet 321. [

증착용 메탈 마스크 형성 기재 (50) 에서는, 전극면 (51S) 을 따른 가상면, 즉, 전극면 (51S) 과 평행한 평면 중에서, 전극면 (51S) 과의 거리가 레지스트 두께 (T) 인 면이 가표면 (Pf) 이다. 또, 전극면 (51S) 을 따른 가상면 중에서 전극면 (51S) 과의 거리가 (2/3) × T 인 면이 기준면 (Pi) 이다.In the vapor-depositing metal mask forming base material 50, the distance from the electrode surface 51S to the imaginary surface along the electrode surface 51S, that is, the plane parallel to the electrode surface 51S, This is the surface Pf. A plane having a distance of (2/3) x T from the electrode surface 51S among the imaginary planes along the electrode surface 51S is the reference plane Pi.

한편, 레지스트 패턴 (52) 에서는, 레지스트 외주면 (52S) 중에서 가표면 (Pf) 에 위치하는 부분이 대주연 (521F) 이다. 또, 레지스트 외주면 (52S) 중에서 정상면 (52B) 의 주연이 소주연 (521B) 이다. 또, 레지스트 패턴 (52) 에서는, 가표면 (Pf) 과 직교하는 단면에 있어서, 대주연 (521F) 과 소주연 (521B) 을 연결하는 직선이 가상 직선 (Li) 이다. 또, 가표면 (Pf) 과 직교하는 단면에 있어서, 전극면 (51S) 과 가상 직선 (Li) 이 이루는 각도가 레지스트 경사 각도 (θr) 이다. 또한, 대주연 (521F) 과 소주연 (521B) 이 원인 경우, 상기 서술한 단면은, 대주연 (521F) 의 중심과 소주연 (521B) 의 중심을 통과한다. 또, 대주연 (521F) 과 소주연 (521B) 이 사각형인 경우, 상기 서술한 단면은, 여기서도, 대주연 (521F) 의 중심과 소주연 (521B) 의 중심을 통과한다.On the other hand, in the resist pattern 52, the portion of the resist outer circumferential surface 52S located on the surface Pf is the major periphery 521F. The peripheral edge of the top surface 52B of the resist outer peripheral surface 52S is the small peripheral edge 521B. In the resist pattern 52, a straight line connecting the large major axis 521F and the minor minor axis 521B is a virtual straight line Li on a cross section orthogonal to the minor axis Pf. The angle formed by the electrode plane 51S and the virtual straight line Li on the cross section orthogonal to the turning surface Pf is the resist tilting angle? R. Also, in the case where the major periphery 521F and the minor periphery 521B are caused, the above-mentioned cross section passes through the center of the major periphery 521F and the center of the minor periphery 521B. When the major periphery 521F and the minor periphery 521B are rectangular, the above-mentioned cross section also passes through the center of the major periphery 521F and the center of the minor periphery 521B.

또, 기준면 (Pi) 에 있어서 레지스트 외주면 (52S) 과 가상 직선 (Li) 의 거리가 장출량 (W) 이다. 그리고, 각 레지스트 패턴 (52) 은, 하기 [조건 3] 및 [조건 4] 를 만족한다.The distance between the resist outer circumferential surface 52S and the imaginary straight line Li on the reference plane Pi is the projecting amount W. Then, each resist pattern 52 satisfies the following [Condition 3] and [Condition 4].

[조건 3] 95°≤ 경사 각도 (θr) ≤ 130°[Condition 3] 95 占? Inclination angle? R? 130 占

[조건 4] 0 ＜ [(3 × tan(180°－ θr)) × W]/H ≤ 0.3[Condition 4] 0 < [(3 x tan (180 -? R) x W] / H? 0.3

상기 [조건 3] 및 [조건 4] 를 만족하는 레지스트 패턴 (52) 은, 소주연 (521B) 의 형상에 추종한 형상을 갖는 소개구 (322B) 를 구비하는 구멍 내주면 (321S) 을 형성 가능하게 한다. 또, 대주연 (521F) 의 형상에 추종한 형상을 갖는 대개구 (322F) 를 구비하는 구멍 내주면 (321S) 을 형성 가능하게 한다. 또, 레지스트 외주면 (52S) 의 형상에 추종한 구멍 내주면 (321S) 을 형성 가능하게 한다. 즉, 상기 [조건 3] 및 [조건 4] 를 만족하는 레지스트 패턴 (52) 은, 상기 [조건 1] 및 [조건 2] 를 만족하는 마스크 구멍 (321H) 을 형성 가능하게 한다.The resist pattern 52 satisfying the above-mentioned [Condition 3] and [Condition 4] is formed so as to be capable of forming the hole inner circumferential surface 321S having the introducing port 322B having the shape following the shape of the small- do. In addition, it is possible to form the hole inner circumferential surface 321S having the shape generally following the shape of the major axis 521F and having the sphere 322F. Also, it is possible to form the hole inner circumferential surface 321S which follows the shape of the resist outer circumferential surface 52S. That is, the resist pattern 52 satisfying the above-mentioned [Condition 3] and [Condition 4] enables the formation of the mask hole 321H satisfying the above [Condition 1] and [Condition 2].

레지스트 패턴 (52) 은, 광 가교에 의해 패턴 형성이 가능해지는 네거티브형 레지스트로 구성된다. 이 네거티브형 레지스트는, 표면 (도 3 에서는 바닥면 (52F)) 에서의 경화가 이면 (도 3 에서는 정상면 (52B)) 에서의 경화보다 빠르고, 전극면 (51S) 의 근방일수록 광의 도달량이 적은 재료인 것이 바람직하다. 이러한 네거티브형 레지스트에는, 예를 들어 광의 흡수율이 레지스트보다 높은 안료를 레지스트 중에 첨가한 네거티브형 레지스트를 사용할 수 있다. 레지스트 패턴 (52) 은, 광을 조사함으로써 알칼리 가용성을 발현하는 포지티브형 레지스트로 구성되어도 된다. 이 포지티브형 레지스트가 채용되는 경우에는, 포지티브형 레지스트의 표면에 대한 경사 방향으로부터, 포토마스크의 간섭에 의한 노광이 실시되고, 포지티브형 레지스트의 현상 후에 오버행이 형성된다.The resist pattern 52 is formed of a negative type resist which can be patterned by photo-crosslinking. The negative type resist has a curing property at the surface (the bottom surface 52F in Fig. 3) is faster than the curing at the back surface (the top surface 52B in Fig. 3), and the closer to the electrode surface 51S, . As such a negative type resist, for example, a negative type resist in which a pigment having a light absorption coefficient higher than that of the resist is added to the resist can be used. The resist pattern 52 may be composed of a positive type resist which develops alkali solubility by irradiating light. When this positive type resist is employed, exposure by interference of the photomask is performed from the oblique direction to the surface of the positive type resist, and an overhang is formed after development of the positive type resist.

도 4 가 나타내는 바와 같이, 다른 예에 있어서의 증착용 메탈 마스크 형성 기재 (50) 도 또한, 전극 부재 (51) 와 레지스트 패턴 (62) 을 구비한다. 레지스트 패턴 (62) 은, 전극면 (51S) 에 있어서 도상으로 점재하는 패턴이다. 레지스트 패턴 (52) 은, 뿔대상의 돌기이다. 레지스트 패턴 (52) 은, 전극면 (51S) 에 위치하는 바닥면 (62B) 과, 바닥면 (62B) 과는 반대측의 면인 정상면 (62F) 을 구비한다. 레지스트 패턴 (62) 도 또한, 금속 시트 (321) 를 형성하는 전해에 있어서, 마스크로서 기능한다. 또, 레지스트 패턴 (62) 은, 외주면인 레지스트 외주면 (62S) 을 구비한다. 레지스트 패턴 (52) 은, 금속 시트 (321) 를 형성하는 전해에 있어서, 레지스트 외주면 (62S) 에 추종한 면을 구비하는 전착물을, 전극면 (51S) 에 퇴적시킨다.As shown in FIG. 4, the vapor-depositing metal mask forming base material 50 in another example also includes the electrode member 51 and the resist pattern 62. The resist pattern 62 is a pattern dotted on the electrode surface 51S. The resist pattern 52 is a projection of a horn. The resist pattern 52 has a bottom surface 62B located on the electrode surface 51S and a top surface 62F which is the side opposite to the bottom surface 62B. The resist pattern 62 also functions as a mask in electrolysis in which the metal sheet 321 is formed. The resist pattern 62 has a resist outer circumferential surface 62S which is an outer circumferential surface. The resist pattern 52 deposits a complex on the electrode surface 51S having a surface following the resist outer circumferential surface 62S in the electrolysis for forming the metal sheet 321. [

증착용 메탈 마스크 형성 기재 (50) 에서는, 전극면 (51S) 을 따른 가상면, 즉, 전극면 (51S) 과 평행한 평면 중에서, 전극면 (51S) 과의 거리가 레지스트 두께 (T) 인 면이 가이면 (Pb) 이다. 또, 전극면 (51S) 을 따른 가상면 중에서 전극면 (51S) 과의 거리가 (1/3) × T 인 면이 기준면 (Pi) 이다.In the vapor-depositing metal mask forming base material 50, the distance from the electrode surface 51S to the imaginary surface along the electrode surface 51S, that is, the plane parallel to the electrode surface 51S, This is the back side (Pb). A plane having a distance (1/3) x T from the electrode surface 51S among the imaginary planes along the electrode surface 51S is the reference plane Pi.

한편, 레지스트 패턴 (62) 에서는, 레지스트 외주면 (62S) 중에서 가이면 (Pb) 에 위치하는 부분이 소주연 (621B) 이다. 또, 레지스트 외주면 (62S) 중에서 바닥면 (62B) 의 주연이 대주연 (621F) 이다. 또, 레지스트 패턴 (62) 에서는, 가이면 (Pb) 과 직교하는 단면에 있어서, 대주연 (621F) 과 소주연 (621B) 을 연결하는 직선이 가상 직선 (Li) 이다. 또, 가이면 (Pb) 과 직교하는 단면에 있어서, 전극면 (51S) 과 가상 직선 (Li) 이 이루는 각도가, 레지스트 경사 각도 (θr) 이다.On the other hand, in the resist pattern 62, the part of the resist outer circumferential surface 62S located on the back surface Pb is the peripheral edge 621B. The peripheral edge of the bottom surface 62B of the resist outer peripheral surface 62S is the large peripheral edge 621F. In the resist pattern 62, a straight line connecting the large peripheral edge 621F and the small peripheral edge 621B is a virtual straight line Li on a cross section orthogonal to the back side Pb. The angle formed by the electrode plane 51S and the imaginary straight line Li on the cross section perpendicular to the back surface Pb is the resist tilting angle? R.

또한, 대주연 (621F) 과 소주연 (621B) 이 원인 경우, 상기 서술한 단면은, 대주연 (621F) 의 중심과 소주연 (621B) 의 중심을 통과한다. 또, 대주연 (621F) 과 소주연 (621B) 이 사각형인 경우, 상기 서술한 단면은, 여기서도, 대주연 (621F) 의 중심과 소주연 (621B) 의 중심을 통과한다.In the case where the major and minor marginal portions 621F and 621B are caused, the above-mentioned cross section passes through the center of the major periphery 621F and the center of the minor marginal portion 621B. When the major axis 621F and the minor axis 621B are rectangular, the above-mentioned cross section also passes through the center of the major axis 621F and the center of the minor axis 621B.

또, 기준면 (Pi) 에 있어서 레지스트 외주면 (62S) 과 가상 직선 (Li) 의 거리가 장출량 (W) 이다. 그리고, 각 레지스트 패턴 (62) 은, 하기 [조건 5] 및 [조건 6] 을 만족한다.The distance between the resist outer circumferential surface 62S and the imaginary straight line Li on the reference plane Pi is the insertion amount W. [ Then, each resist pattern 62 satisfies the following [Condition 5] and [Condition 6].

[조건 5] 50°≤ 경사 각도 (θr) ≤ 85°[Condition 5] 50 占? Inclination angle? R? 85 占

[조건 6] 0 ＜ [(3 × tanθr) × W]/H ≤ 0.3[Condition 6] 0 <[(3 x tan? R) x W] / H? 0.3

상기 [조건 5] 및 [조건 6] 을 만족하는 레지스트 패턴 (62) 은, 소주연 (621B) 의 형상에 추종한 형상을 갖는 소개구 (322B) 를 구비하는 구멍 내주면 (321S) 을 형성 가능하게 한다. 또, 대주연 (621F) 의 형상에 추종한 형상을 갖는 대개구 (322F) 를 구비하는 구멍 내주면 (321S) 을 형성 가능하게 한다. 또, 레지스트 외주면 (62S) 의 형상에 추종한 구멍 내주면 (321S) 을 형성 가능하게 한다. 즉, 상기 [조건 5] 및 [조건 6] 을 만족하는 레지스트 패턴 (62) 은, 상기 [조건 1] 및 [조건 2] 를 만족하는 마스크 구멍 (321H) 을 형성 가능하게 한다.The resist pattern 62 satisfying the above-mentioned [Condition 5] and [Condition 6] is formed so as to be capable of forming the hole inner circumferential surface 321S having the introduction port 322B having the shape following the shape of the small- do. In addition, it is possible to form the hole inner circumferential surface 321S having the hole 322F having the shape following the major axis 621F. Also, it is possible to form the hole inner circumferential surface 321S following the shape of the resist outer circumferential surface 62S. That is, the resist pattern 62 that satisfies the above [Condition 5] and [Condition 6] makes it possible to form the mask hole 321H satisfying the above [Condition 1] and [Condition 2].

[증착용 메탈 마스크의 제조 방법][Manufacturing method of metal mask for vapor deposition]

다음으로, 도 5 를 참조하여, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법을 설명한다. 또한, 도 3 에 있어서 설명된 증착용 메탈 마스크 형성 부재를 사용하는 제조 방법과, 도 4 에 있어서 설명된 증착용 메탈 마스크 형성 부재를 사용하는 제조 방법은, 마스크 부재 (32) 의 표리가 반전되는 것이 서로 상이하다. 그 때문에, 서로 공통되는 점을 생략함과 함께, 마스크 부재 (32) 의 표리의 반전에 수반되는 차이를 상세하게 설명하고, 이하에서는, 도 3 에 있어서 설명된 증착용 메탈 마스크 형성 부재를 사용하는 제조 방법을 주로 설명한다.Next, with reference to Fig. 5, a method of manufacturing a deposition-resistant metal mask will be described. The manufacturing method using the deposition metal mask formation member described in FIG. 3 and the manufacturing method using the deposition metal mask formation member described with reference to FIG. 4 are the same as those of the first embodiment in which the front and back surfaces of the mask member 32 are reversed Are different from each other. Therefore, the differences common to those of the mask member 32 and the mask member 32 will be described in detail. In the following description, the same reference numerals The manufacturing method will be mainly described.

도 5(a) 가 나타내는 바와 같이, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법에서는, 전극 부재 (51) 의 전극면 (51S) 에, 레지스트 패턴 (52) 을 형성하기 위한 레지스트층 (52T) 이 적층된다. 이어서, 도 5(b) 가 나타내는 바와 같이, 레지스트층 (52T) 에 대한 노광 및 현상이 실시되어, 레지스트 패턴 (52, 62) 이 형성된다. 이 때, 예를 들어 상기 [조건 3] 및 [조건 4] 를 만족하도록, 레지스트 재료와 노광 조건이 선택되고, 그에 따라, 도 3 에 있어서 설명된 역뿔대상을 갖는 레지스트 패턴 (52) 이 형성된다. 또한, 도 4 에 있어서 설명된 증착용 메탈 마스크 형성 부재를 사용하는 제조 방법에서는, 상기 [조건 5] 및 [조건 6] 을 만족하도록, 레지스트 재료와 노광 조건이 선택되고, 그에 따라, 도 4 에 있어서 설명된 뿔대상을 갖는 레지스트 패턴 (62) 이 형성된다.5A, a resist layer 52T for forming a resist pattern 52 is laminated on the electrode surface 51S of the electrode member 51 in the process for producing a metal mask for vapor deposition. Subsequently, as shown in Fig. 5B, the resist layer 52T is exposed and developed, and resist patterns 52 and 62 are formed. At this time, for example, the resist material and the exposure conditions are selected so as to satisfy [Condition 3] and [Condition 4], and thereby, the resist pattern 52 having the inverse object described with reference to FIG. 3 is formed . 4, the resist material and the exposure conditions are selected so as to satisfy the above [Condition 5] and [Condition 6], and accordingly, The resist pattern 62 having the horn object described above is formed.

다음으로, 도 5(c) 가 나타내는 바와 같이, 증착용 메탈 마스크 형성 부재가 전해욕에 침지되고, 전극면 (51S) 에 전착물을 형성하기 위한 전해가 실시된다. 전해에 사용되는 전해욕은, 예를 들어 철 이온 공급제, 니켈 이온 공급제, 및 pH 완충제를 포함한다. 또, 전해에 사용되는 전해욕은, 응력 완화제, Fe^3＋이온 마스크제, 말산이나 시트르산 등의 착화제 등을 포함해도 되고, 전해에 적합한 pH 로 조정된 약산성의 용액이다. 철 이온 공급제는, 예를 들어 황산 제일철·7 수화물, 염화 제일철, 술파민산 철 등이다. 니켈 이온 공급제는, 예를 들어 황산 니켈 (II), 염화 니켈 (II), 술파민산 니켈, 브롬화 니켈이다. pH 완충제는, 예를 들어 붕산, 말론산이다. 말론산은, Fe^3＋ 이온 마스크제로도 기능한다. 응력 완화제는, 예를 들어 사카린나트륨이다. 전해에 사용되는 전해욕은, 예를 들어 상기 서술한 첨가제를 포함하는 수용액이고, 5 ％ 황산, 혹은 탄산 니켈 등의 pH 조정제에 따라, 예를 들어 pH 가 2 이상 3 이하가 되도록 조정된다.Next, as shown in Fig. 5 (c), the deposition metal mask formation member is immersed in the electrolytic bath, and electrolysis is performed to form a complex on the electrode surface 51S. The electrolytic bath used for electrolysis includes, for example, an iron ion supply agent, a nickel ion supply agent, and a pH buffer agent. The electrolytic bath used for electrolysis may be a stress relieving agent, a Fe ³⁺ ion mask agent, a complexing agent such as malic acid or citric acid, or the like, and is a weakly acidic solution adjusted to a pH suitable for electrolysis. The iron ion supplying agent is, for example, ferrous sulfate heptahydrate, ferrous chloride, or iron sulfamate. The nickel ion-supplying agent is, for example, nickel (II) sulfate, nickel (II) chloride, nickel sulfominate, and nickel bromide. The pH buffer is, for example, boric acid, malonic acid. Malonic acid also functions as an Fe ³⁺ ion masking agent. The stress relieving agent is, for example, sodium saccharin. The electrolytic bath used for electrolysis is, for example, an aqueous solution containing the above-described additive and is adjusted so as to have a pH of 2 to 3, for example, according to a pH adjuster such as 5% sulfuric acid or nickel carbonate.

전해에 사용되는 전해 조건은, 금속 시트 (321) 에 있어서의 니켈의 조성비 등이, 전해욕의 온도, 전류 밀도, 및 전해 시간에 따라 조정된 조건이다. 상기 서술한 전해욕을 사용한 전해 조건에 있어서의 양극은, 예를 들어 순철과 니켈이다. 전해욕의 온도는, 예를 들어 40 ℃ 이상 60 ℃ 이하이다. 전류 밀도는, 예를 들어 1 A/d㎡ 이상 4 A/d㎡ 이하이다.The electrolysis conditions used for electrolysis are conditions in which the composition ratio of nickel in the metal sheet 321 is adjusted according to the temperature of the electrolytic bath, the current density, and the electrolysis time. The positive electrode in the electrolytic condition using the above-described electrolytic bath is, for example, pure iron and nickel. The temperature of the electrolytic bath is, for example, from 40 캜 to 60 캜. The current density is, for example, 1 A / dm 2 or more and 4 A / dm 2 or less.

상기 서술한 전해가 실시됨으로써, 레지스트 패턴 (52, 62) 의 레지스트 외주면 (52S, 62S) 에 추종하는 면을 갖는 전착물을 전극면 (51S) 으로부터 퇴적시키는 것이 가능해진다. 즉, 전극면 (51S) 상에, 상기 서술한 조건 [조건 1] 및 [조건 2] 를 만족하는 마스크 구멍 (321H) 을 갖는 마스크 부재 (32) 를 형성하는 것이 가능해진다.By carrying out the above-described electrolysis, it becomes possible to deposit a complex having a surface following the resist outer peripheral surfaces 52S and 62S of the resist patterns 52 and 62 from the electrode surface 51S. That is, it becomes possible to form the mask member 32 having the mask hole 321H satisfying the above-described conditions [Condition 1] and [Condition 2] on the electrode surface 51S.

또한, 예를 들어 압연용 모재로부터 금속 시트 (321) 가 형성될 때, 통상, 압연용 모재를 형성하기 위한 재료 중에 혼입된 산소를 제거하기 위해서, 예를 들어 입상의 알루미늄이나 마그네슘 등의 탈산제가, 모재를 형성하기 위한 재료에 혼합된다. 결과적으로, 알루미늄이나 마그네슘은, 산화 알루미늄이나 산화 마그네슘 등의 금속 산화물로서 모재에 포함된다. 이러한 금속 산화물의 대부분은, 모재가 압연되기 전에, 모재로부터 제거되는 반면, 금속 산화물의 일부분은, 압연의 대상이 되는 모재에 남는다. 이 점, 전해를 사용하는 제조 방법에 의하면, 상기 금속 산화물이 금속 시트 (321) 에 혼합되는 것이 억제된다.Further, for example, when the metal sheet 321 is formed from the rolling base material, a deoxidizing agent such as granular aluminum or magnesium is usually used in order to remove the oxygen contained in the material for forming the rolling base material , And is mixed with the material for forming the base material. As a result, aluminum or magnesium is included in the base material as a metal oxide such as aluminum oxide or magnesium oxide. Most of these metal oxides are removed from the base metal before the base metal is rolled, while a portion of the metal oxide remains on the base metal to be rolled. In this respect, according to the production method using electrolysis, the metal oxide is inhibited from mixing with the metal sheet 321.

다음으로, 도 5(d) 가 나타내는 바와 같이, 전극면 (51S) 으로부터 레지스트 패턴 (52, 62) 이 제거된다. 레지스트 패턴 (52) 의 제거에는, 예를 들어 리프트 오프법이 사용되고, 레지스트 패턴 (62) 의 제거에는, 예를 들어 화학적인 용해가 사용된다. 또한, 레지스트 패턴 (52, 62) 이 포지티브형 레지스트인 경우, 레지스트층 (52T) 을 열경화 전에 노광함으로써, 레지스트 패턴 (52, 62) 의 현상액에 대한 가용성은 얻어진다. 또, 레지스트 패턴 (52, 62) 이 네거티브형 레지스트인 경우, 예를 들어 N-메틸피롤리디논계의 용액에 의해 레지스트 패턴 (52, 62) 을 팽윤시켜 전극면 (51S) 으로부터 박리시키는 것도 가능하다.Next, as shown in Fig. 5 (d), the resist patterns 52 and 62 are removed from the electrode surface 51S. For removing the resist pattern 52, for example, a lift-off method is used, and for removing the resist pattern 62, for example, chemical dissolution is used. When the resist patterns 52 and 62 are positive resists, the resist layer 52T is exposed before the thermosetting so that the resist patterns 52 and 62 are soluble in the developer. When the resist patterns 52 and 62 are negative-type resists, it is also possible to swell the resist patterns 52 and 62 with a solution of, for example, N-methylpyrrolidinone to peel them from the electrode surface 51S Do.

다음으로, 도 5(e) 가 나타내는 바와 같이, 전극면 (51S) 으로부터 금속 시트 (321) 가 떼어내어짐으로써, 마스크 부재 (32) 가 제조된다. 또한, 전극면 (51S) 으로부터 떼어내어진 마스크 부재 (32) 는, 그 후에 어닐 처리가 실시되어도 된다. 그리고, 복수의 마스크 부재 (32) 에 있어서의 표면 (32F) 이 서브 프레임 (31) 에 고정됨으로써, 상기 서술한 증착용 메탈 마스크가 제조된다.Next, as shown in Fig. 5 (e), the metal sheet 321 is removed from the electrode surface 51S, whereby the mask member 32 is manufactured. The mask member 32 removed from the electrode surface 51S may be subjected to an annealing process thereafter. Then, the surface 32F of the plurality of mask members 32 is fixed to the sub-frame 31, whereby the above-described metal mask for vapor deposition is manufactured.

다음으로, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 증착용 메탈 마스크 형성 기재의 실시예, 및 참고예에 대해 표 1 을 참조하여 이하에 설명한다.Next, examples of the vapor-deposited metal mask, the method of producing the vapor-deposited metal mask, the substrate of the vapor-deposited metal mask, and the reference example are described below with reference to Table 1.

[실시예 1][Example 1]

[레지스트층 조성물의 제조][Preparation of resist layer composition]

70 중량부의 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 123 중량부의 카르도 수지 (V259ME : 신닛테츠 스미킨 화학사 제조), 및 14 중량부의 광중합 개시제 (IRGACURE907 : BASF Japan 사 제조) (IRGACURE 는 등록 상표) 를, 레지스트층 조성물의 고형분이 50 중량％ 가 되도록, 시클로헥사논으로 희석하고, 레지스트층 조성물을 조제하였다., 70 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, 123 parts by weight of a carboxy resin (V259ME, manufactured by Shinnitetsu Sumikin Chemical Co., Ltd.) and 14 parts by weight of a photopolymerization initiator (IRGACURE 907: BASF Japan) The composition of the resist layer was prepared by diluting with cyclohexanone so that the solid content of the layer composition became 50% by weight.

[증착용 메탈 마스크의 제조][Manufacture of vapor-deposited metal mask]

전극 부재 (51) 의 전극면 (51S) 에, 건조 후의 막두께가 30 ㎛ 가 되도록, 네거티브형 레지스트층 조성물을 도포하였다. 그 후, 레지스트층 조성물을 핫 플레이트에서 90 ℃/3 분간 건조시키고, 고압 수은등 (광의 강도 : 365 ㎚ 휘선의 조도가 40 mW/㎠) 을 사용하고, 포토마스크를 통하여 노광량 200 mJ/㎠ 를 조사하였다. 이어서, 알칼리 현상액 (CD126 : ADEKA 사 제조) 을 사용하고, 스핀 현상으로 60 초간 현상을 실시함으로써, 레지스트 패턴을 얻었다. 레지스트 패턴의 치수는, 평면에서 보아 60 ㎛ × 60 ㎛ 였다. 또, 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭이 22.2 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 62.2 ㎛ 이고, 역뿔대상인 것이 관찰되었다.A negative resist layer composition was applied to the electrode surface 51S of the electrode member 51 such that the film thickness after drying was 30 占 퐉. Thereafter, the resist layer composition was dried on a hot plate at 90 占 폚 for 3 minutes and irradiated with an exposure amount of 200 mJ / cm2 through a photomask using a high-pressure mercury lamp (light intensity: 365 nm bright line illuminance of 40 mW / cm2) Respectively. Subsequently, an alkali developer (CD126, manufactured by ADEKA) was used and development was carried out for 60 seconds by spin development, thereby obtaining a resist pattern. The dimensions of the resist pattern were 60 탆 x 60 탆 in plan view. As a result of observing the cross-sectional shape of the resist pattern with a scanning electron microscope, it was observed that the width of the top surface 52B was 22.2 占 퐉 and the width of the bottom surface 52F was 62.2 占 퐉.

이어서, 전극 부재 (51) 를 전극으로 하는 전해를 실시하고, 전극면 (51S) 에 30 ㎛ 의 두께를 갖는 전착물을 퇴적시켰다. 또한, 전착물의 막두께가 10 ㎛ 이하인 수준에서는, 전착물에 핀홀이 많이 관찰되었다. 이어서, 레지스트 패턴을 N-메틸피롤리디논계의 박리액을 사용하여 제거하였다. 그리고, 전극면 (51S) 으로부터 전착물을 떼어냄으로써 마스크 부재 (32) 를 얻었다. 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 55°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.26 이었다.Subsequently, electrolysis was performed using the electrode member 51 as an electrode, and a preform having a thickness of 30 mu m was deposited on the electrode surface 51S. Further, at a level at which the electrodeposited film had a thickness of 10 m or less, many pinholes were observed in the complex. Subsequently, the resist pattern was removed using a peeling solution of N-methylpyrrolidone system. Then, the plating solution was removed from the electrode surface 51S, thereby obtaining the mask member 32. [ As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 55 占 and [(3 占 tan?) 占 A / H was 0.26.

[실시예 2][Example 2]

실시예 1 에 있어서의 현상 시간을 45 초로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 2 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 폭이 35.9 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 62.7 ㎛ 이고, 레지스트 패턴이 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 73.6°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.16 이었다.The developing time in Example 1 was changed to 45 seconds, and the other components were the same as those in Example 1 to obtain the mask member of Example 2. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B was 35.9 占 퐉, the width of the bottom surface 52F was 62.7 占 퐉, and the resist pattern was an inverted object. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 73.6 占 and [(3 占 tan?) 占 A / H was 0.16.

[실시예 3][Example 3]

실시예 1 에 있어서의 노광량을 150 mJ/㎠ 로 변경하고, 또 현상 시간을 45 초로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 3 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭이 20.5 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 61.8 ㎛ 이고, 레지스트 패턴이 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 67.9°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.29 였다.The mask member of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the exposure amount in Example 1 was changed to 150 mJ / cm 2 and the developing time was changed to 45 seconds. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B was 20.5 占 퐉, the width of the bottom surface 52F was 61.8 占 퐉, and the resist pattern was an inverted object. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 67.9 占 and [(3 占 tan?) 占 A / H was 0.29.

[실시예 4][Example 4]

실시예 1 에 있어서의 노광량을 100 mJ/㎠ 로 변경하고, 또 현상 시간을 30 초로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 실시예 2 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면의 폭이 54.2 ㎛ 이고, 바닥면의 폭이 62.5 ㎛ 이고, 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 82.4°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.08 이었다.The mask member of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the exposure amount in Example 1 was changed to 100 mJ / cm 2 and the developing time was changed to 30 seconds. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface was 54.2 占 퐉 and the width of the bottom surface was 62.5 占 퐉, which was an inverse object. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 82.4 占 and [(3 占 tan?) 占 A] / H was 0.08.

[참고예 1][Referential Example 1]

실시예 1 에 있어서의 노광량을 150 mJ/㎠ 로 변경하고, 또 현상 시간을 30 초로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 참고예의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭과 바닥면 (52F) 의 폭은 모두 62.9 ㎛ 이고, 거의 직방체 형상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 90.0°였다.A mask member of the reference example was obtained in the same manner as in Example 1 except that the exposure amount in Example 1 was changed to 150 mJ / cm 2 and the developing time was changed to 30 seconds. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed by a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B and the width of the bottom surface 52F were both 62.9 占 퐉 and almost rectangular parallelepiped. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 90.0 占.

[참고예 2][Reference Example 2]

실시예 1 에 있어서의 현상 시간을 30 초로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 참고예 2 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭이 60.4 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 63.6 ㎛ 이고, 레지스트 패턴이 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 89.6°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.00 이었다.The developing time in Example 1 was changed to 30 seconds, and a mask member of Reference Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except for this. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B was 60.4 占 퐉 and the width of the bottom surface 52F was 63.6 占 퐉. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 89.6 占 and [(3 占 tan?) 占 A / H was 0.00.

[참고예 3][Referential Example 3]

실시예 1 에 있어서의 노광량을 150 mJ/㎠ 로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 참고예 3 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭이 17.8 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 59.8 ㎛ 이고, 레지스트 패턴이 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 46.3°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.32 였다.A mask member of Reference Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the exposure amount in Example 1 was changed to 150 mJ / cm 2. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B was 17.8 占 퐉, the width of the bottom surface 52F was 59.8 占 퐉, and the resist pattern was an inverted object. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 46.3 占 and [(3 占 tan?) 占 A / H was 0.32.

[참고예 4][Reference Example 4]

실시예 1 에 있어서의 노광량을 100 mJ/㎠ 로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 참고예 4 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭이 12.7 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 58.4 ㎛ 이고, 레지스트 패턴이 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 36.7°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.38 이었다.A mask member of Reference Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the exposure amount in Example 1 was changed to 100 mJ / cm 2. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B was 12.7 占 퐉 and the width of the bottom surface 52F was 58.4 占 퐉. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 36.7 占 and [(3 占 tan?) 占 A] / H was 0.38.

[참고예 5][Reference Example 5]

실시예 1 에 있어서의 노광량을 100 mJ/㎠ 로 변경하고, 또 현상 시간을 45 초로 변경하고, 그것 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 참고예 5 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭이 18.4 ㎛ 이고, 바닥면 (52F) 의 폭이 60.3 ㎛ 이고, 레지스트 패턴이 역뿔대상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 53.8°이고, [(3 × tanθ) × A]/H 는 0.35 였다.A mask member of Reference Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the exposure amount in Example 1 was changed to 100 mJ / cm 2 and the developing time was changed to 45 seconds. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed with a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B was 18.4 占 퐉, the width of the bottom surface 52F was 60.3 占 퐉, and the resist pattern was an inverted object. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 53.8 占 and [(3 占 tan?) 占 A / H was 0.35.

[참고예 6][Referential Example 6]

[레지스트층 조성물의 제조][Preparation of resist layer composition]

70 중량부의 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 350 중량부의 아크릴 수지 (TLZ3000 : 오사카 유기 화학 공업사 제조), 및 14 중량부의 광중합 개시제 (IRGACURE369/IRGACURE901 = 9/1 : BASF Japan 사 제조) 를, 레지스트층 조성물 중의 고형분이 50 중량％ 가 되도록, 시클로헥사논으로 희석하고, 참고예 6 의 레지스트층 조성물을 조제하였다.70 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, 350 parts by weight of an acrylic resin (TLZ3000, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.) and 14 parts by weight of a photopolymerization initiator (IRGACURE 369 / IRGACURE901 = 9/1; BASF Japan) Was diluted with cyclohexanone so as to have a solid content of 50% by weight, to prepare a resist layer composition of Reference Example 6.

실시예 1 에 있어서의 노광량을 150 mJ/㎠ 로 변경하고, 또 현상 시간을 30 초로 변경하고, 참고예 6 의 레지스트층 조성물을 사용하고, 이것들 이외를 실시예 1 과 동일하게 하여, 참고예 6 의 마스크 부재를 얻었다. 레지스트 패턴의 단면 형상을 주사 전자 현미경으로 관찰한 결과, 정상면 (52B) 의 폭, 및 바닥면 (52F) 폭이 모두 65 ㎛ 이고, 거의 직방체 형상인 것이 확인되었다. 또, 마스크 부재 (32) 의 단면 형상을 관찰한 결과, 경사 각도 (θ) 는 90.0°였다.The resist layer composition of Reference Example 6 was used and the development time was changed to 30 seconds and the resist layer composition of Reference Example 6 was used. Was obtained. The cross-sectional shape of the resist pattern was observed by a scanning electron microscope. As a result, it was confirmed that the width of the top surface 52B and the width of the bottom surface 52F were all 65 mu m and almost rectangular parallelepiped. As a result of observing the cross-sectional shape of the mask member 32, the inclination angle? Was 90.0 占.

[증착용 메탈 마스크의 세정 빈도 평가][Evaluation of rinsing frequency of metal mask for vapor deposition]

각 실시예, 및 각 참고예의 증착용 메탈 마스크를 사용하고, 유기 EL 재료의 증착을 실시하고, 각각에서 얻어지는 증착 패턴을 관찰하고, 증착 패턴에 결함이 발생한 시점에서 증착용 메탈 마스크의 세정을 실시한다는 처리를 반복하였다. 이 때, 증착용 메탈 마스크의 세정이 실시되는 빈도는, 실시예 1 ∼ 4 에 있어서, 경사 각도 (θ) 가 90.0°인 참고예 1, 6 보다 충분히 낮은 값이 얻어졌다. 한편, 참고예 2 ∼ 5 에 있어서는, 참고예 1, 6 보다 높은 값이 관찰되었다.The evaporation-wearing metal mask of each example and each reference example was used to deposit the organic EL material, and the evaporation pattern obtained in each was observed. When the defect occurred in the evaporation pattern, the evaporation-use metal mask was cleaned . At this time, the frequency of cleaning of the vapor-deposition metal mask was sufficiently lower than that in Reference Examples 1 and 6 in which the inclination angle? Was 90.0 占 in Examples 1 to 4. On the other hand, in Reference Examples 2 to 5, values higher than those in Reference Examples 1 and 6 were observed.

결과적으로, [(3 × tanθ) × A]/H 의 값이 0.3 이하, 즉, 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율이 0.3 이하이면, 경사 각도 (θ) 가 90.0°인 구조보다, 세정 빈도가 억제되는 것이 관찰되었다.As a result, when the value of [(3 × tan θ) × A] / H is 0.3 or less, ie, the ratio of the amount of papermaking A to the virtual pumping amount DA is 0.3 or less, It was observed that the cleaning frequency was suppressed more than the phosphorous structure.

특히, 구멍 내주면 (321S) 에 성장한 잔사는, 경사 각도 (θ) 가 90.0°에 가까울수록, 대개구 (322F) 로부터 보아 소개구 (322B) 를 덮기 쉽고, 증착 패턴에 결함을 발생시키기 쉽다. 한편, [(3 × tanθ) × A]/H 의 값이 0.3 을 초과하는 수준은, 경사 각도 (θ) 가 90.0°미만임에도 불구하고, 경사 각도 (θ) 가 90.0°인 참고예 1, 6 과 동등한 세정 빈도, 혹은 참고예 1, 6 보다 높은 세정 빈도를 나타낸다. 이것은, 증착 패턴에 결함을 발생시키는 잔사가 퇴적하는 속도가, 경사 각도 (θ) 의 저하에 의해 늘어나기 때문이고, 단순히 경사 각도 (θ) 의 범위의 설정만으로는, 세정 빈도의 향상이 얻어지기 어려운 것을 나타내는 것이기도 하다.In particular, the residue grown on the hole inner circumferential surface 321S tends to cover the introduction port 322B, as viewed from the sphere 322F, and the defect is likely to occur in the evaporation pattern as the inclination angle? On the other hand, the level at which the value of [(3 × tan θ) × A] / H exceeds 0.3 is the same as that in Reference Examples 1 and 6 in which the inclination angle θ is 90.0 ° , Or a cleaning frequency higher than that in Reference Examples 1 and 6. This is because the rate at which the residue that causes defects in the evaporation pattern is deposited increases due to the decrease in the inclination angle [theta], and only the setting of the range of the inclination angle [theta] .

즉, 상기 서술한 각 조건은, 대개구 (322F) 로부터 보아 소개구 (322B) 를 덮는 잔사의 퇴적량, 및 퇴적하는 속도가, 대개구측 잔사와 소개구측 잔사에서 상이하다는 관점에서 비로소 도출되는 것이다. 그리고, 상기 서술한 각 조건은, 상기 서술한 각 실시예, 및 각 참고예에 기초하여, 마스크 구멍 (321H) 의 두께 방향 중에서, 패임량 (A) 이 없으면, 잔사가 쌓이기 쉬운 것, 및 증착 패턴에 대해 명확한 결손을 발생시키기 쉬운 것을 만족하는 범위에, 기준면 (Pi) 을 정하고, 그 기준면 (Pi) 에서의 패임량 (A) 을 정함으로써 얻어지는 것이다.That is, the above-described conditions are all derived from the viewpoint that the accumulation amount of the residue covering the introduction port 322B from the sphere 322F and the accumulation speed thereof are different from each other in terms of the sphere side residue and the introduction sphere side residue . It is to be noted that the above-mentioned respective conditions are determined based on the above-described respective embodiments and each reference example, in the case where there is no padding amount A in the thickness direction of the mask hole 321H, A reference plane Pi is defined in a range that satisfies an easy deficit with respect to the pattern and the amount of punching A at the reference plane Pi is determined.

이상, 상기 실시형태에 의하면, 이하의 효과가 얻어진다.As described above, according to the above embodiment, the following effects can be obtained.

(1) 경사 각도 (θ) 가 50°이상 85°이하이기 때문에, 레지스트 마스크의 개구로부터 거의 전방향으로 가공이 진행되는 등방적인 에칭과 같이, 등방적인 가공에서는 얻어지지 않는 큰 경사 각도 (θ) 가 얻어진다. 그 때문에, 등방적인 가공에 의해 얻어지는 종래의 구성과 비교하여, 마스크 구멍 (321H) 의 고밀도화가 가능해진다.(1) Since the inclination angle [theta] is 50 DEG or more and 85 DEG or less, a large inclination angle [theta] that can not be obtained in isotropic processing, such as isotropic etching, Is obtained. Therefore, compared to the conventional structure obtained by isotropic machining, the mask hole 321H can be made denser.

(2) 가상 패임량 (DA) 에 대한 패임량 (A) 의 비율이 0 보다 크고, 또한 0.3 이하이기 때문에, 패임량 (A) 에 상당하는 크기를 갖는 공간에서, 증착 입자의 잔사를 퇴적시키는 것이 가능해진다.(2) Since the ratio of the amount of pellet A to the amount of virtual pellet DA is larger than 0 and smaller than 0.3, the residue of the deposited particles is deposited in a space having a size corresponding to the pellet amount A Lt; / RTI >

(3) 구멍 내주면 (321S) 을 통과하는 단면에 있어서, 구멍 내주면 (321S) 이 표면 (32F) 으로부터 이면 (32B) 을 향하여 완만하게 구부러지는 호상을 그리는 연속면인 경우에는, 레지스트 패턴 (52, 62) 으로부터 퇴적물을 떼어내는 것이 용이하고, 전기 주조법에 의한 마스크의 제조에 적합하다. 또한, 상기 [조건 1] 및 [조건 2] 를 만족하는 구조이면, 구멍 내주면 (321S) 은, 예를 들어 표면 (32F) 과 평행한 방향으로 단차를 갖는 면이어도 된다.(3) In the cross section passing through the hole inner circumferential surface 321S, when the hole inner circumferential surface 321S is a continuous surface which draws an arc shape in which the inner circumferential surface 321S is gently bent from the surface 32F toward the back surface 32B, 62, and is suitable for the production of masks by the electroforming method. In addition, the hole inner circumferential surface 321S may be a surface having a step in a direction parallel to the surface 32F, for example, if it satisfies the above-described [Condition 1] and [Condition 2].

(4) 증착용 메탈 마스크가 갖는 두께 (H) 가 10 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 경우에는, 대개구 (322F) 의 크기와 소개구 (322B) 의 크기의 차를 작게 하는 것이 가능하고, 마스크 구멍의 고밀도화를 가능하게 하는 효과를, 보다 현저한 것으로 하는 것이 가능해지기도 한다.(4) When the thickness H of the vapor-deposition metal mask is 10 μm or more and 40 μm or less, it is possible to reduce the difference between the size of the sphere 322F and the size of the introduction port 322B, The effect of enabling high density can be made more remarkable.

(5) 증착용 메탈 마스크를 제조하는 방법에 전기 주조가 사용되므로, 레이저 조사법이나 웨트 에칭법에서는 얻어지지 않는, 상기 (1) (2) 와 같은 상기 각 조건을 만족하는 구조를, 마스크 구멍 (321H) 에 형성하는 것이 가능해지기도 한다.(5) Since electroforming is used in the method of manufacturing the vapor-deposition metal mask, the structure satisfying the above-mentioned conditions (1) and (2), which is not obtained by the laser irradiation method or the wet etching method, 321H, as shown in Fig.

θ : 경사 각도,
θr : 레지스트 경사 각도,
A : 패임량,
DA : 가상 패임량,
H : 마스크 두께,
Li : 가상 직선,
Pi : 기준면,
T : 레지스트 두께,
W : 장출량,
10 : 마스크 장치,
20 : 메인 프레임,
20H : 메인 프레임 구멍,
30 : 증착용 메탈 마스크,
30H : 서브 프레임 구멍,
31 : 서브 프레임,
32 : 마스크 부재,
32F : 표면,
32B : 이면,
321H : 마스크 구멍,
321S : 구멍 내주면,
322F : 대개구,
322B : 소개구,
50 : 증착용 메탈 마스크 형성 기재,
51 : 전극 부재,
51S : 전극면,
52, 62 : 레지스트 패턴,
52F, 62B : 바닥면,
52B, 62F : 정상면,
52S, 62S : 레지스트 외주면,
521F, 621F : 대주연,
521B, 621B : 소주연,
Pf : 가표면,
Pb : 가이면.[theta]: inclination angle,
? r: resist tilting angle,
A:
DA: virtual punch amount,
H: mask thickness,
Li: virtual straight line,
Pi: reference plane,
T: resist thickness,
W: Loading,
10: mask device,
20: main frame,
20H: Main frame hole,
30: Thick metal mask,
30H: Subframe hole,
31: sub-frame,
32: mask member,
32F: surface,
32B: If it is,
321H: mask hole,
321S: hole inner peripheral surface,
322F: Usually,
322B: Introduction,
50: metal mask forming substrate for vapor deposition,
51: electrode member,
51S: electrode surface,
52, 62: resist pattern,
52F, 62B: bottom surface,
52B, 62F: a normal face,
52S, 62S: resist outer circumferential surface,
521F, 621F: main role,
521B and 621B:
Pf: the surface,
If Pb: is negative.

Claims

A surface having a generally spherical surface opposed to an evaporation source provided in the deposition apparatus,
A back surface having an introduction port as a surface opposite to the surface,
The hole is generally a hole having a frustum shape that passes through the sphere and the introduction hole, and is connected to the surface and the back surface,
Wherein the metal mask is an evaporation-resistant metal mask of an electric casting agent,
A straight line connecting the edge of the sphere and the edge of the introducing sphere is a virtual straight line and a straight line connecting the virtual straight line and the inclined angle formed by the back surface (?) is not less than 50 ° and not more than 85 °,
Wherein a distance between the front surface and the back surface is a thickness (H) of the thick metal mask,
(2/3) x H is parallel to the back surface and a distance from the back surface is a reference plane,
Wherein, in the reference plane, a distance between the inner circumferential surface of the hole and the virtual straight line is the amount of punching (A)
0 < [(3 x tan?) X A] / H? 0.3,
Metal mask with vapor.

The method according to claim 1,
And the inner circumferential surface of the hole has an arc shape in a cross section orthogonal to the surface and generally passing through the sphere and the introduction hole.

The method according to claim 1,
The constituent material of the vapor-deposition metal mask includes an alloy of iron and nickel as a main component,
Wherein the content of nickel in the alloy is 30 mass% or more and 45 mass% or less.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the thickness (H) is 1 占 퐉 or more and 40 占 퐉 or less.

The protrusion of the inverse of the object having the top face on the electrode face is a resist pattern, the resist pattern is formed on the electrode face,
Depositing a precursor from the electrode surface and forming a step of forming the complex in a state in which the surface of the resist to be contacted with the outer circumferential surface of the resist pattern is the inner circumferential surface of the hole of the mask hole and the mask hole is filled with the resist pattern However,
Removing the plating material from the electrode surface and forming a vapor-deposition metal mask as the plating material removed from the electrode surface,
In the case of forming the resist pattern,
Wherein a surface of the electrodeposited product which is parallel to the electrode surface and has a distance (T) to the electrode surface is a surface,
A surface parallel to the electrode surface and having a distance (2/3) x T from the electrode surface is a reference surface,
A portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the surface of the resist pattern is a major periphery,
Wherein a part of the outer circumferential surface of the resist pattern corresponding to the top surface is a small-
Wherein a straight line connecting the large peripheral edge and the small peripheral edge is a virtual straight line and a straight line connecting the virtual straight line and the small diameter side of the small- (? r) is not less than 95 degrees and not more than 130 degrees,
Wherein a distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference plane is a putting amount (W)
Wherein the resist pattern is formed so as to satisfy 0 < [(3 x tan (180 -? R) x W] / T? 0.3.

A protrusion of a prong object having a bottom surface on an electrode surface is a resist pattern, the resist pattern is formed on the electrode surface,
Depositing a precursor from the electrode surface and forming a step of forming the complex in a state in which the surface of the resist to be contacted with the outer circumferential surface of the resist pattern is the inner circumferential surface of the hole of the mask hole and the mask hole is filled with the resist pattern However,
Removing the plating material from the electrode surface and forming a vapor-deposition metal mask as the plating material removed from the electrode surface,
In the case of forming the resist pattern,
Wherein a surface of the electrodeposited product, which is parallel to the electrode surface and has a distance (T) from the electrode surface,
A surface parallel to the electrode surface and having a distance (1/3) T from the electrode surface is a reference surface,
Wherein a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the back side of the resist pattern is a major periphery,
A portion of the outer circumferential surface of the resist pattern corresponding to the bottom surface is a peripheral edge,
Wherein a straight line connecting the large peripheral edge and the small peripheral edge is a virtual straight line and a straight line connecting the virtual straight line and the electrode surface (? r) is not less than 50 degrees and not more than 85 degrees,
Wherein a distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference plane is a putting amount (W)
Wherein the resist pattern is formed so as to satisfy 0 < [(3 x tan? R) x W] / T? 0.3.

An electrode surface for electroforming for depositing a deposition metal mask as a complex,
Wherein a protrusion of the inverse of the inversed object having a top face on the electrode face is a resist pattern and a face following the outer circumferential face of the resist pattern in the pressing object is an inner circumferential face of the hole of the mask hole, Said resist pattern for forming a precursor,
In the resist pattern,
Wherein a surface of the electrodeposited product which is parallel to the electrode surface and has a distance (T) to the electrode surface is a surface,
A surface parallel to the electrode surface and having a distance (2/3) x T from the electrode surface is a reference surface,
A portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the surface of the resist pattern is a major periphery,
Wherein a part of the outer circumferential surface of the resist pattern corresponding to the top surface is a small-
Wherein a straight line connecting the large peripheral edge and the small peripheral edge is a virtual straight line and a straight line connecting the virtual straight line and the small diameter side of the small- (? r) is not less than 95 degrees and not more than 130 degrees,
Wherein a distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference plane is a putting amount (W)
0 < [(3 x tan (180 -? R) x W] / T? 0.3.

An electrode surface for electroforming for depositing a deposition metal mask as a complex,
Wherein protrusions of a conical object having a bottom surface on the electrode surface are resist patterns and a surface following the outer circumferential surface of the resist pattern in the pressing object is an inner circumferential surface of the hole of the mask hole and the mask hole is filled with the resist pattern The resist pattern for forming the complex,
In the resist pattern,
Wherein a surface of the electrodeposited product, which is parallel to the electrode surface and has a distance (T) from the electrode surface,
A surface parallel to the electrode surface and having a distance (1/3) T from the electrode surface is a reference surface,
Wherein a portion of the outer circumferential surface of the resist pattern located on the back side of the resist pattern is a small-
A portion of the outer circumferential surface of the resist pattern corresponding to the bottom surface is a major periphery,
Wherein a straight line connecting the large peripheral edge and the small peripheral edge is a virtual straight line and a tilt angle? R formed by the virtual straight line and the electrode surface is in a range of 50 DEG or more and 85 DEG or less,
Wherein a distance between the outer circumferential surface and the imaginary straight line on the reference plane is a putting amount (W)
0 < [(3 x tan? R) x W] / T? 0.3,
A vapor-deposited metal mask forming substrate.