JP2015143375A

JP2015143375A - Metal mask and production method thereof, and production method of display device

Info

Publication number: JP2015143375A
Application number: JP2014016504A
Authority: JP
Inventors: 耕一永澤; Koichi Nagasawa; 朋芳市川; Tomoyoshi Ichikawa
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2014-01-31
Filing date: 2014-01-31
Publication date: 2015-08-06

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a metal mask capable of producing a display device having high definition and high yield; a production method thereof; and a production method of the display device.SOLUTION: A production method of a metal mask includes steps for: forming a chemical amplification type negative resist film having an aperture reversely tapered toward the substrate side on a conductive substrate; and depositing a metal film in the aperture of the negative resist film on the substrate by electric casting.

Description

本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する表示装置を作成する際に用いるメタルマスクおよびその製造方法並びにこれを用いた表示装置の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a metal mask used when producing a display device that emits light using an organic electroluminescence (EL) phenomenon, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a display device using the metal mask.

有機ＥＬ表示装置は有機発光ダイオードに流れる電流によって輝度を制御する表示デバイスである。この発光ダイオード構造は、例えば低温ポリシリコン等によって形成された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を駆動素子とした回路基板の画素電極上に形成されている。このような構成の発光ダイオードは、例えば蒸着法によって形成されるが、そのパターニングにはメタルマスクが用いられている。有機ＥＬ表示装置には、一般的に発光素子として白色発光可能な発光デバイス構造を形成し、この発光デバイスから発せられる白色光をカラーフィルタによって三原色（例えば、赤色，緑色，青色）に分光する方式と、赤色，緑色および青色に独立して発光する発光素子（赤色発光素子，緑色発光素子および青色発光素子）を発光デバイスとして用いる方式がある。この三原色を独立して発光する発光素子は、それぞれ各発光ダイオードを形成する材料を塗り分け蒸着することによって形成されている。これら発光素子の製造には、画素領域全体が開口していたり、各サブピクセルに対応したスリットあるいはスロット状に開孔を有するメタルマスクが用いられている。 An organic EL display device is a display device that controls luminance by a current flowing through an organic light emitting diode. The light emitting diode structure is formed on a pixel electrode of a circuit board using a thin film transistor (TFT) formed of, for example, low-temperature polysilicon as a driving element. The light emitting diode having such a configuration is formed by, for example, vapor deposition, and a metal mask is used for patterning. In general, an organic EL display device has a light emitting device structure capable of emitting white light as a light emitting element, and white light emitted from the light emitting device is split into three primary colors (for example, red, green, and blue) by a color filter. In addition, there is a method in which light-emitting elements that emit light independently of red, green, and blue (red light-emitting elements, green light-emitting elements, and blue light-emitting elements) are used as light-emitting devices. The light emitting element that independently emits light of the three primary colors is formed by coating and vapor-depositing materials for forming the respective light emitting diodes. In the manufacture of these light emitting elements, a metal mask having an opening in the entire pixel region or a slit or slot corresponding to each subpixel is used.

メタルマスクの製造方法としては、例えば圧延された金属板をエッチングして開孔部を形成する方法や、電気鋳造で開孔パターンを形成する方法がある。 As a method for manufacturing a metal mask, for example, there are a method of forming a hole portion by etching a rolled metal plate and a method of forming a hole pattern by electroforming.

金属板をエッチングして開孔部を形成するメタルマスクの製造方法では、低線膨張率を有する金属を加工することができるものの、ウェットエッチングによって開孔を形成するため開孔間の金属板の幅（リブ幅）の縮小には限界があった。このため、高精細なディスプレイの製造工程に適用することは困難であった。この問題を解決する方法として、例えば特許文献１では、例えば各色の発光層を塗り分け蒸着する際に、サブピクセル毎に形成されるメタルマスクの開孔を１つ飛ばしに形成し、２回蒸着工程を繰り返す製造方法が開示されている。この方法では高精細な画素の塗り分け蒸着はできるものの、材料の使用量がほぼ２倍となり、製造コストが上昇するという問題があった。 In the method of manufacturing a metal mask in which a hole is formed by etching a metal plate, a metal having a low coefficient of linear expansion can be processed, but in order to form a hole by wet etching, a metal plate between the holes is formed. There was a limit to the reduction of the width (rib width). For this reason, it was difficult to apply to the manufacturing process of a high-definition display. As a method for solving this problem, for example, in Patent Document 1, for example, when light-emitting layers of each color are separately vapor-deposited, a metal mask opening formed for each sub-pixel is formed so as to be skipped twice and vapor-deposited twice. The manufacturing method which repeats a process is disclosed. In this method, although high-definition pixels can be separately deposited, there is a problem that the amount of material used is almost doubled and the manufacturing cost is increased.

一方、電気鋳造で開孔を形成する方法では、リブ幅の小さなメタルマスクを形成することができるものの、その開孔は上記エッチングによって形成されたテーパ形状を有する開孔とは異なりメタルマスクの平面方向に対して垂直な端面を有していた。このため、蒸着時には開孔の垂直な端面が影となって蒸着物が不均一に蒸着される領域（シャドー領域）が生じるという問題があった。これに対して、例えば特許文献２では、電極となる基板上にポジレジストを用いて順テーパ形状の電気鋳造レジストを形成して、開孔の端面がテーパ形状を有するメタルマスクを形成する方法が開示されている。 On the other hand, in the method of forming an opening by electroforming, a metal mask with a small rib width can be formed, but the opening is different from the opening having a tapered shape formed by the etching described above. It had an end face perpendicular to the direction. For this reason, at the time of vapor deposition, there is a problem that a region (shadow region) in which the vertical end face of the opening is shaded and the deposited material is deposited unevenly is generated. On the other hand, for example, in Patent Document 2, there is a method of forming a forward taper-shaped electroformed resist using a positive resist on a substrate to be an electrode, and forming a metal mask having a tapered end surface of the opening. It is disclosed.

特開２０１０−０４０５２９号公報JP 2010-040529 A 特開２００６−１５２３９６号公報JP 2006-152396 A

しかしながら、上記方法にて形成されたメタルマスクを用いてディスプレイを製造した場合には歩留まりが低下するという問題があった。 However, when a display is manufactured using the metal mask formed by the above method, there is a problem that the yield is lowered.

本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高精細且つ高い歩留まりを有する表示装置を製造することが可能なメタルマスクおよびメタルマスクの製造方法、ならびに表示装置の製造方法を提供することにある。 The present technology has been made in view of such problems, and an object of the present technology is to provide a metal mask, a metal mask manufacturing method, and a display device manufacturing method capable of manufacturing a display device having high definition and high yield. It is to provide.

本技術のメタルマスクの製造方法は、導電性を有する基板上に、基板側に向けて逆テーパ状の開孔を有する化学増幅型のネガレジスト膜を形成する工程と、電気鋳造により基板上の、ネガレジスト膜の開孔に金属膜を析出する工程とを含むものである。 The metal mask manufacturing method of the present technology includes a step of forming a chemically amplified negative resist film having a reverse tapered opening toward the substrate on a conductive substrate, and electroforming on the substrate. And a step of depositing a metal film in the openings of the negative resist film.

本技術のメタルマスクは、上記メタルマスクの製造方法を用いて作製されたものであり、蒸着源と被蒸着基板との間に配置され、被蒸着基板側に平滑面を有すると共に、被蒸着基板に向かって狭くなる開孔を有する金属膜からなる。 The metal mask of the present technology is manufactured using the above-described metal mask manufacturing method, and is disposed between the vapor deposition source and the vapor deposition substrate, has a smooth surface on the vapor deposition substrate side, and the vapor deposition substrate. It consists of a metal film having an opening that narrows toward.

本技術のメタルマスクおよびその製造方法では、化学増幅型のネガレジストを用いて基板側に向けて逆テーパ状の開孔を有するレジスト膜（ネガレジスト膜）を形成し、電気鋳造により基板上の、レジスト膜の開孔に金属膜を析出するようにした。これにより、シャドー領域が狭く、被蒸着基板に相対する面が平滑なメタルマスクが形成される。 In the metal mask and the manufacturing method thereof according to the present technology, a resist film having a reverse taper-shaped opening (negative resist film) is formed toward the substrate using a chemically amplified negative resist, and the resist film (negative resist film) is formed on the substrate by electroforming. Then, a metal film was deposited in the opening of the resist film. As a result, a metal mask having a narrow shadow region and a smooth surface facing the deposition substrate is formed.

本技術の表示装置の製造方法は、基板に下部電極を画素ごとに形成する工程と、下部電極の上に正孔注入および正孔輸送の少なくとも一方の特性を有する正孔供給層を形成する工程と、正孔供給層の上に発光層を蒸着法により形成する工程と、発光層および正孔供給層の前面に、電子注入および電子輸送の少なくとも一方の特性を有する電子供給層を形成する工程と、電子供給層の全面に上部電極を形成する工程とを含み、少なくとも発光層は、上記製造方法によって作製されたメタルマスクを用いて形成される。 A method of manufacturing a display device according to the present technology includes a step of forming a lower electrode on a substrate for each pixel, and a step of forming a hole supply layer having at least one of hole injection and hole transport properties on the lower electrode. And a step of forming a light emitting layer on the hole supply layer by vapor deposition, and a step of forming an electron supply layer having at least one of electron injection and electron transport on the front surface of the light emitting layer and the hole supply layer. And a step of forming an upper electrode on the entire surface of the electron supply layer, and at least the light emitting layer is formed using a metal mask manufactured by the above manufacturing method.

本技術の表示装置の製造方法では、少なくとも発光層を、蒸着法を用いて形成する際に、上記メタルマスクを用いることにより、微細且つ先に形成した部材（例えば、正孔供給層）を損傷することなく形成することが可能となる。 In the method for manufacturing a display device according to the present technology, when the light emitting layer is formed by vapor deposition, the metal mask is used to damage a fine member (for example, a hole supply layer) formed earlier. It becomes possible to form without doing.

本技術のメタルマスクおよびその製造方法ならびに表示装置の製造方法では、基板側に向けて逆テーパ状の開孔を有する化学増幅型のネガレジスト膜が形成された基板上の、ネガレジスト膜の開孔に電気鋳造によって金属膜を析出させるようにした。これにより、蒸着物が不均一に蒸着される虞のある、所謂シャドー領域が狭く、被蒸着基板に相対する面が平滑なメタルマスク作製することが可能となる。よって、このメタルマスクを用いて発光層等の各画素毎に塗り分けが必要な膜を、微細且つ先に形成した部材を損傷することなく形成することができる。即ち、高精細且つ高い歩留まりを有する表示装置を製造することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。 In the metal mask, the manufacturing method thereof, and the manufacturing method of the display device according to the present technology, the negative resist film is opened on the substrate on which the chemically amplified negative resist film having a reverse tapered opening toward the substrate side is formed. A metal film was deposited in the holes by electroforming. As a result, it is possible to manufacture a metal mask in which a so-called shadow region in which a deposit is likely to be deposited unevenly is narrow and the surface facing the deposition substrate is smooth. Therefore, a film that needs to be separately applied to each pixel such as a light emitting layer can be formed finely and without damaging the previously formed member by using this metal mask. That is, a display device having high definition and a high yield can be manufactured. Note that the effects described here are not necessarily limited, and may be any effects described in the present disclosure.

本開示の一実施の形態に係るメタルマスクの製造方法の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the manufacturing method of the metal mask concerning one embodiment of this indication. 図１Ａに続くメタルマスクの製造方法を表す図である。It is a figure showing the manufacturing method of the metal mask following FIG. 1A. 図１Ｂに続くメタルマスクの製造方法を表す図である。It is a figure showing the manufacturing method of the metal mask following FIG. 1B. 図１に示した製造方法を用いて形成されたメタルマスクの平面図である。It is a top view of the metal mask formed using the manufacturing method shown in FIG. 図２に示したメタルマスクと蒸着源および被蒸着基板とを配置した際の断面図である。It is sectional drawing at the time of arrange | positioning the metal mask shown in FIG. 2, a vapor deposition source, and a to-be-deposited substrate. メタルマスクの膜厚とシャドー領域の角度依存性との関係を表す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the film thickness of a metal mask and the angle dependence of a shadow area. メタルマスクと被蒸着基板とのギャップによるシャドー領域の角度依存性を表す特性図である。It is a characteristic view showing the angle dependence of the shadow area by the gap of a metal mask and a to-be-deposited substrate. 上記実施の形態の比較例に係るメタルマスクの製造方法を表す図である。It is a figure showing the manufacturing method of the metal mask which concerns on the comparative example of the said embodiment. 図６Ａに続くメタルマスクの製造方法を表す図である。It is a figure showing the manufacturing method of the metal mask following FIG. 6A. 上記実施の形態の比較例に係るメタルマスクと蒸着源との関係の一例を表す断面図である。It is sectional drawing showing an example of the relationship between the metal mask and vapor deposition source which concern on the comparative example of the said embodiment. 上記実施の形態の比較例に係るメタルマスクと蒸着源との関係の他の例を表す断面図である。It is sectional drawing showing the other example of the relationship between the metal mask which concerns on the comparative example of the said embodiment, and a vapor deposition source. 図２に示したメタルマスクを用いて形成される表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus formed using the metal mask shown in FIG. 図９に示した表示装置の製造工程を表す流れ図である。10 is a flowchart showing a manufacturing process of the display device shown in FIG. 9. 上記実施の形態のメタルマスクを用いて製造された表示装置の適用例１の表側の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the front side of the application example 1 of the display apparatus manufactured using the metal mask of the said embodiment. 図１１Ａに示した適用例１の裏側の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the back side of the application example 1 shown to FIG. 11A. 適用例２の外観を表す斜視図である。12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 2. FIG. 適用例３の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。FIG. 11 is a front view, a left side view, a right side view, a top view, and a bottom view of Application Example 3 in a closed state. 図１３Ａに示した適用例３の開いた状態の正面図および側面図である。It is the front view and side view of the open state of the application example 3 shown to FIG. 13A.

以下、本開示の実施の形態および適用例について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
１−１．メタルマスクの製造方法
１−２．メタルマスクの形状
１−３．表示装置およびその製造方法
２．適用例（電子機器の例） Hereinafter, embodiments and application examples of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The description will be given in the following order.
1. Embodiment 1-1. Metal mask manufacturing method 1-2. Shape of metal mask 1-3. 1. Display device and manufacturing method thereof Application examples (examples of electronic devices)

＜１．実施の形態＞
図１Ａ〜図１Ｃは、本開示の一実施の形態にかかるメタルマスク（メタルマスク１００）の製造方法の一例を表したものである。このメタルマスク１００は、蒸着時に用いられるマスクであり、例えば、１種類の金属材料からなると共に、例えば、図９に示したような有機ＥＬ表示装置（表示装置１）において所定のパターンを有する構成要素（例えば、画素電極１２や各発光層１４Ｂ）を形成する際に用いられるものである。本実施の形態におけるメタルマスク１００は、蒸着源２０１と被蒸着基板２０２との間に配置した際に、被蒸着基板２０２側に平滑面を有すると共に、被蒸着基板２０２に向かって徐々に狭くなる開孔１００Ａを有するものである。 <1. Embodiment>
1A to 1C show an example of a method for manufacturing a metal mask (metal mask 100) according to an embodiment of the present disclosure. The metal mask 100 is a mask used at the time of vapor deposition, and is made of, for example, one kind of metal material and has a predetermined pattern in, for example, the organic EL display device (display device 1) as shown in FIG. It is used when forming an element (for example, the pixel electrode 12 or each light emitting layer 14B). When the metal mask 100 in the present embodiment is disposed between the vapor deposition source 201 and the vapor deposition substrate 202, the metal mask 100 has a smooth surface on the vapor deposition substrate 202 side and gradually narrows toward the vapor deposition substrate 202. It has an opening 100A.

（１−１．メタルマスクの製造方法）
メタルマスク１００は、例えば、以下の方法を用いて作製される。 (1-1. Metal Mask Manufacturing Method)
The metal mask 100 is produced using, for example, the following method.

まず、図１Ａに示したように、例えばガラス等の不導体物質からなる基板１０１の一面に、例えばスッパタリング法を用いて導電膜１０２を形成する。この導電膜１０２上に、基板１０１側に向けて逆テーパ状の開孔１０３Ａを有するレジスト膜１０３を形成する。レジスト膜１０３には、ネガ型のフォトレジストを用いることが好ましい。ネガ型のフォトレジストとしては、一般的なドライフィルムで用いられる１フォトン１反応のネガレジストや、化学増幅型のネガレジストが挙げられる。特に、液状の化学増幅型のネガレジストを用いることで急峻な逆テーパ形状の開孔１０３Ａを有するレジスト膜１０３を形成することができる。具体的には、例えば液状の化学増幅型ネガレジストを、例えば２０μｍ程度の厚みとなるように塗布したのち、これをパターニングすることによって形成される。 First, as shown in FIG. 1A, a conductive film 102 is formed on one surface of a substrate 101 made of a non-conductive substance such as glass by using, for example, a sputtering method. On the conductive film 102, a resist film 103 having an inversely tapered opening 103A is formed toward the substrate 101 side. A negative photoresist is preferably used for the resist film 103. Examples of the negative type photoresist include a one-photon one-reaction negative resist used in general dry films and a chemically amplified negative resist. In particular, by using a liquid chemical amplification type negative resist, it is possible to form the resist film 103 having the steep reverse taper-shaped opening 103A. Specifically, for example, a liquid chemically amplified negative resist is applied so as to have a thickness of about 20 μm, for example, and then patterned.

続いて、図１Ｂに示したように、電気鋳造により導電膜１０２上の、レジスト膜１０３の開孔１０３Ａ内に金属膜１００Ｐを析出させる。具体的には、レジスト膜１０３が形成された基板１０１をメッキ液中に浸漬し、このメッキ液中で導電膜１０２に電極を接続して所定の膜厚まで金属膜１００Ｐを析出させる。このとき、析出される金属膜１００Ｐとレジスト膜１０２との膜厚差は５μｍ以上であることが好ましい。これにより、所定のパターン（開孔１００Ａ）を有する金属膜１００Ｐが得られる。 Subsequently, as shown in FIG. 1B, a metal film 100P is deposited in the opening 103A of the resist film 103 on the conductive film 102 by electroforming. Specifically, the substrate 101 on which the resist film 103 is formed is immersed in a plating solution, and an electrode is connected to the conductive film 102 in this plating solution to deposit the metal film 100P to a predetermined thickness. At this time, the difference in film thickness between the deposited metal film 100P and the resist film 102 is preferably 5 μm or more. Thereby, the metal film 100P having a predetermined pattern (opening 100A) is obtained.

最後に、図１Ｃに示したように、例えば、剥離液によって金属膜１００Ｐを導電膜１０１上から剥離させる。これにより、図２に示したように、表面（面Ｓ１）から裏面（面Ｓ２）に向かって狭くなる複数の開孔１００Ａを有するメタルマスク１００が得られる。 Finally, as shown in FIG. 1C, for example, the metal film 100P is peeled off from the conductive film 101 with a stripping solution. Thereby, as shown in FIG. 2, the metal mask 100 having a plurality of apertures 100A narrowing from the front surface (surface S1) toward the back surface (surface S2) is obtained.

なお、導電膜１０２上には離型剤（図示せず）を塗布しておくことで、容易に金属膜１００Ｐを剥離することができる。 Note that the metal film 100P can be easily peeled off by applying a release agent (not shown) onto the conductive film 102.

（１−２．メタルマスクの形状）
メタルマスク１００は、上記のように蒸着時に用いられるマスクであり、側面に傾斜角を有する複数の開孔１００Ａが形成されたものである。本実施の形態では、メタルマスク１００は上記方法を用いて形成されたものであり、実際の蒸着工程で用いる際には、面Ｓ１が蒸着源２０１に、面Ｓ２が被蒸着基板２０２にそれぞれ相対するように配置される。このメタルマスク１００は、蒸着源２０１と相対する面Ｓ１から被蒸着基板２０２に相対する面Ｓ２に向かって狭くなる開孔１００Ａを有する。このメタルマスク１００は、電気鋳造によって金属膜の析出が開始される導電膜１０２側の平滑面（面Ｓ２）が被蒸着基板２０２側に配置される。 (1-2. Shape of metal mask)
The metal mask 100 is a mask used at the time of vapor deposition as described above, and has a plurality of apertures 100A having an inclination angle on the side surface. In the present embodiment, the metal mask 100 is formed using the above method, and when used in an actual vapor deposition process, the surface S1 is relative to the vapor deposition source 201 and the surface S2 is relative to the vapor deposition substrate 202. To be arranged. The metal mask 100 has an opening 100A that narrows from a surface S1 facing the vapor deposition source 201 toward a surface S2 facing the deposition target substrate 202. In the metal mask 100, a smooth surface (surface S 2) on the conductive film 102 side where deposition of a metal film is started by electroforming is disposed on the deposition substrate 202 side.

このメタルマスク１００を用いて蒸着する際には、開孔１００Ａを形成する傾斜面Ｓ３の角度、即ち面Ｓ２と傾斜面Ｓ３とが成す角（テーパ角θ１）が重要となる。以下に、テーパ角θ１について、メタルマスクの平面構成を表した図２と、面Ｓ１側に蒸着源２０１を、面Ｓ２側に被蒸着基板２０２を配置した際のＩ−Ｉ破線におけるメタルマスク１００の断面構成を表した図３とを用いて説明する。 When vapor deposition is performed using the metal mask 100, the angle of the inclined surface S3 that forms the opening 100A, that is, the angle formed by the surface S2 and the inclined surface S3 (taper angle θ1) is important. In the following, with respect to the taper angle θ1, FIG. 2 showing the planar configuration of the metal mask, and the metal mask 100 at the II broken line when the deposition source 201 is disposed on the surface S1 side and the deposition target substrate 202 is disposed on the surface S2 side. 3 will be described with reference to FIG.

メタルマスク１００を用いて蒸着を行う際に想定される蒸着源２０１，メタルマスク１００および被蒸着面Ｓ_０（ここでは、被蒸着面Ｓ_０はメタルマスク１００の面Ｓ２と同一平面）との関係は図３のようになる。即ち、メタルマスク１００の、蒸着源２０１側の端部をＡ，被蒸着面Ｓ_０側の端部をＢ，蒸着源の最外有効端部をＣとした場合、最外有効端部Ｃおよびメタルマスク１００の端部Ａを結んだ線Ｌ１と被蒸着面Ｓ_０との交点Ｘと、メタルマスク１００の端部Ｂとの間の領域は、被蒸着面Ｓ_０に、最外有効端部Ｃから蒸発した蒸着材料が不均一に蒸着される領域、即ちシャドー領域Ａとなる。これに対して、シャドー領域Ａの外側（即ち、開孔１００Ａ２の中寄り；均一領域Ｂ）には均一な蒸着膜が形成される。このシャドー領域Ａはテーパ角θ１が小さくなる、即ち傾斜面Ｓ３がなだらかになることによって狭くなる。このため、メタルマスク１００の傾斜角（テーパ角θ１）は、下記の式１を満たすことが好ましい。即ち、蒸着源２０１と被蒸着面Ｓ_０との距離をＨ１，メタルマスク１００の被蒸着面Ｓ_０側の端部Ｂと最外有効端部Ｃとの距離Ｌとした場合、テーパ角θ１は式（１）を満たすことにより、蒸着時にメタルマスク１００によるシャドー領域Ａが低減される。なお、θ２は最外有効端部Ｃとメタルマスク１００の端部Ｂとを結んだ直線Ｌ２の、蒸着源２０１の面とのなす角である。 Relationship between vapor deposition source 201, metal mask 100 and vapor deposition surface S ₀ (here, vapor deposition surface S ₀ is the same plane as surface S2 of metal mask 100) assumed when vapor deposition is performed using metal mask 100 Is as shown in FIG. That is, when the end on the vapor deposition source 201 side of the metal mask 100 is A, the end on the deposition surface S ₀ side is B, and the outermost effective end of the vapor deposition source is C, the outermost effective end C and a line L1 connecting the end a of the metal mask 100 and the intersection point X between the evaporation surface S _0, the region between the end B of the metal mask 100, to be evaporation surface S _0, the outermost effective end It becomes the area | region where the vapor deposition material evaporated from C vapor-deposits unevenly, ie, the shadow area | region A. FIG. On the other hand, a uniform deposited film is formed outside the shadow area A (that is, in the middle of the opening 100A2; the uniform area B). This shadow region A becomes narrower as the taper angle θ1 becomes smaller, that is, the inclined surface S3 becomes gentler. For this reason, the inclination angle (taper angle θ1) of the metal mask 100 preferably satisfies the following formula 1. That is, the distance between the deposition source 201 and the deposition target surface S ₀ H1, when the distance L between the end portion B and the outermost effective end C of the evaporation surface S ₀ side of the metal mask 100, the taper angle θ1 is By satisfy | filling Formula (1), the shadow area | region A by the metal mask 100 is reduced at the time of vapor deposition. Note that θ2 is an angle formed by a surface of the vapor deposition source 201 with a straight line L2 connecting the outermost effective end C and the end B of the metal mask 100.

但し、シャドー領域Ａはメタルマスク１００の厚みにも影響される。図４は、メタルマスク１００の板厚によるシャドー領域Ａの角度依存性を表したものである。図４から、メタルマスク１００の厚み（Ｔ）は薄いほどシャドー領域Ａが縮小され、これにより蒸着膜の膜厚のばらつきが抑えられる。なお、メタルマスク１００は、その製法上膜厚に１０％程度のばらつきが生じる。この１０％程度の膜厚のばらつきを加味した場合には、テーパ角θ１は下記の式（３）を満たすことが好ましい。即ち、最外有効端部Ｃとメタルマスク１００の被蒸着面Ｓ_０側の端部Ｂとの成す角θ２が下記式（２）で表わされる場合には、メタルマスク１００のテーパ角θ１は下記式（３）を満たすことが好ましい。 However, the shadow region A is also affected by the thickness of the metal mask 100. FIG. 4 shows the angle dependency of the shadow region A depending on the thickness of the metal mask 100. From FIG. 4, the shadow region A is reduced as the thickness (T) of the metal mask 100 is reduced, thereby suppressing variations in the thickness of the deposited film. The metal mask 100 has a variation of about 10% in film thickness due to its manufacturing method. In consideration of the variation in film thickness of about 10%, the taper angle θ1 preferably satisfies the following formula (3). That is, when the angle θ2 formed by the outermost effective end C and the end B on the deposition surface S ₀ side of the metal mask 100 is expressed by the following formula (2), the taper angle θ1 of the metal mask 100 is It is preferable to satisfy Formula (3).

更に、実際にメタルマスク１００を用いて被蒸着基板２０２に蒸着膜を成膜する場合には、シャドー領域Ａはメタルマスク１００と被蒸着基板２０２との距離（ギャップＨ３）にも影響される。図５は被蒸着基板２０２とメタルマスクとのギャップＨ３によるシャドー領域Ａの角度依存性を表したものである。図５から、被蒸着基板２０２とメタルマスクとのギャップＨ３はできるだけ小さいほうがよいことがわかる。 Furthermore, when a vapor deposition film is actually formed on the vapor deposition substrate 202 using the metal mask 100, the shadow region A is also affected by the distance (gap H3) between the metal mask 100 and the vapor deposition substrate 202. FIG. 5 shows the angle dependence of the shadow region A due to the gap H3 between the deposition target substrate 202 and the metal mask. FIG. 5 shows that the gap H3 between the deposition target substrate 202 and the metal mask should be as small as possible.

蒸着時に用いられる一般的なメタルマスクは、前述したように、例えば圧延された金属板をエッチングして開孔部を形成して作製される。図６Ａ，６Ｂは、このエッチングを用いたメタルマスク１１００の製造方法の一例を表したものである。先ず、図６Ａに示したように、メタルマスク１１００の母材となる金属板１１００Ａ上に所定のパターニングを有するポジ型のレジスト層を形成する。レジスト層はドライフィルムを張付けて形成してもよいし、液状のフォトレジストを塗布したのちプリベーキングによって表面を適当に硬化させて形成してもよい。続いて、レジスト層上に所定のパターンが形成された露光用のフォトマスクを配設し露光，現像することによって所定のパターンを有するレジスト膜１０３０が形成される。また、金属板１１００Ａの表面が露出される。 As described above, a general metal mask used at the time of vapor deposition is manufactured by, for example, etching a rolled metal plate to form an opening. 6A and 6B show an example of a method for manufacturing the metal mask 1100 using this etching. First, as shown in FIG. 6A, a positive resist layer having a predetermined pattern is formed on a metal plate 1100A which is a base material of the metal mask 1100. The resist layer may be formed by sticking a dry film, or may be formed by applying a liquid photoresist and then curing the surface appropriately by pre-baking. Subsequently, a photomask for exposure having a predetermined pattern formed on the resist layer is provided, exposed, and developed to form a resist film 1030 having the predetermined pattern. Further, the surface of the metal plate 1100A is exposed.

次に、図６Ｂに示したように、金属板１１００Ａに開孔１１００Ｂを形成する。具体的には、レジスト膜１０３０の開孔１０３０Ａ側から、例えば薬液をスプレーして金属板１１００Ａをエッチングする。このとき、レジスト膜１０３０が残存して形成される場合には、レジスト膜１０３０は金属板１１００Ａがエッチングされるときのマスクとなる。こののち、レジスト膜１０３０を除去することでメタルマスク１１００が完成する。 Next, as shown in FIG. 6B, an opening 1100B is formed in the metal plate 1100A. Specifically, for example, a chemical solution is sprayed from the side of the opening 1030A of the resist film 1030 to etch the metal plate 1100A. At this time, when the resist film 1030 is formed to remain, the resist film 1030 serves as a mask when the metal plate 1100A is etched. After that, the metal mask 1100 is completed by removing the resist film 1030.

上記エッチングによってメタルマスク１１００を形成する場合には、メタルマスク１１００の材料としてＦｅ−Ｎｉ合金等の低線膨張率を有する金属を用いることができる。しかしながら、このエッチングを用いた方法では、画素間のピッチが、例えば２００μｍ以下のような微細加工を必要とする表示装置を製造する際に使用するメタルマスクを作製することは難しかった。これは、一般的に流通している圧延母材の金属板の板厚は薄くても５０μｍ程度であるため、開孔を形成する際に用いられるエッチングには薬液を用いるウェットエッチング方式が採用されるためである。ウェットエッチングは等方的なエッチングであるため、作製されたメタルマスク１１００は、図７に示したようにテーパ領域１１００Ｃの幅Ｗ２を広く、リブ１１００Ｂの幅Ｗ１を狭くするには限界があった。 In the case where the metal mask 1100 is formed by the etching, a metal having a low coefficient of linear expansion, such as an Fe—Ni alloy, can be used as the material of the metal mask 1100. However, with this method using etching, it has been difficult to produce a metal mask used when manufacturing a display device that requires fine processing such as a pitch between pixels of 200 μm or less. This is because the metal plate of the rolled base metal that is generally distributed is about 50 μm even if it is thin, so a wet etching method using a chemical solution is used for the etching used to form the aperture. Because. Since wet etching is isotropic etching, the manufactured metal mask 1100 has a limit in increasing the width W2 of the taper region 1100C and reducing the width W1 of the rib 1100B as shown in FIG. .

この問題を解決する方法としては、例えば金属板を両面エッチングと片面ハーフエッチングを組み合わせて開孔を形成する方法等が考えられる。この方法では、リブ幅を縮小することはできるものの、開孔の形状、即ちリブ側面の形状に由来して蒸着材が不均一に成膜されるシャドー領域が大きくなる。このため、高精細な表示装置への適用は困難であった。 As a method for solving this problem, for example, a method of forming an opening by combining double-sided etching and single-sided half-etching of a metal plate can be considered. In this method, although the rib width can be reduced, the shadow region where the vapor deposition material is unevenly formed due to the shape of the opening, that is, the shape of the side surface of the rib, becomes large. For this reason, application to a high-definition display device has been difficult.

これに対して、前述したように、例えばサブピクセル毎に形成されるメタルマスクの開孔を１つ飛ばしに形成し、蒸着時にマスクをずらして２回蒸着工程を繰り返す方法が開示されている。この方法では、高精細な塗り分けを行うことはできるものの、同じ蒸着工程を２回繰り返すため材料の使用量が増加して製造コストが上昇するという問題があった。 On the other hand, as described above, for example, a method is disclosed in which one metal mask opening formed for each sub-pixel is skipped and the deposition process is repeated twice by shifting the mask during deposition. In this method, although it is possible to perform high-definition coating, there is a problem that the amount of material used increases and the manufacturing cost increases because the same vapor deposition process is repeated twice.

一方、メタルマスクは電気鋳造を用いて作製することも可能である。電気鋳造によって形成されたメタルマスクは、上記エッチングを用いて作製した場合に問題となったメタルマスクの膜厚を小さくすることができる。このためリブ幅の狭いメタルマスクを形成することができる。但し、開孔はエッチングによって形成されたテーパ形状を有する開孔とは異なりメタルマスクの平面方向に対して垂直な端面を有していた（図８参照）。このため、図８に示したように、蒸着時には開孔の垂直な端面Ｓ４が影となって蒸着物が不均一に蒸着されるシャドー領域が広がり、均一な膜厚を有する蒸着膜の形成が難しいという問題があった。 On the other hand, the metal mask can also be produced using electroforming. A metal mask formed by electroforming can reduce the film thickness of the metal mask, which is a problem when manufactured using the above etching. For this reason, a metal mask with a narrow rib width can be formed. However, the opening had an end surface perpendicular to the planar direction of the metal mask, unlike the opening having a tapered shape formed by etching (see FIG. 8). For this reason, as shown in FIG. 8, the vertical end face S4 of the opening is shaded during the deposition, and a shadow region where the deposited material is deposited unevenly spreads to form a deposited film having a uniform thickness. There was a problem that it was difficult.

電気鋳造を用いてテーパ角を有する開孔を備えたメタルマスクを作製する方法としては、例えば金属膜を析出させる電極となる基板上にポジ型のレジストを用いてテーパ形状の電気鋳造レジスト膜を形成する方法がある。これにより、リブ幅が狭く且つテーパ角を有する開孔を備えたメタルマスクを作製することができる。しかしながら、上記方法によって形成されたメタルマスクを用いて表示装置の発光層等の構成要素を成膜した場合には、歩留まりが低下するという問題があった。これは、電気鋳造によって析出される金属膜の成長面が被蒸着基板に相対する面となるためである。電気鋳造によって成膜された金属膜の成長面は金属元素の析出のばらつきや異物等によって凹凸を有する。この凹凸によって被蒸着基板に傷や異物付着等の損傷を与え、例えば画素電極１２と対向電極１５との短絡等の原因となる。即ち、点欠陥等が増加して製造歩留まりが低下する。 As a method of producing a metal mask having an opening having a taper angle by using electroforming, for example, a positive type resist is used on a substrate serving as an electrode for depositing a metal film to form a taper-shaped electroformed resist film. There is a method of forming. Thereby, the metal mask provided with the opening which has a narrow rib width and a taper angle can be manufactured. However, when a component such as a light emitting layer of a display device is formed using the metal mask formed by the above method, there is a problem in that the yield decreases. This is because the growth surface of the metal film deposited by electroforming is a surface facing the deposition target substrate. The growth surface of the metal film formed by electroforming has irregularities due to variations in precipitation of metal elements, foreign matters, and the like. This unevenness causes damage such as scratches and adhesion of foreign matter to the deposition substrate, and causes a short circuit between the pixel electrode 12 and the counter electrode 15, for example. That is, point defects and the like increase and the manufacturing yield decreases.

これに対して、本実施の形態におけるメタルマスクおよびその製造方法では、電気鋳造において電極面となる基板１０１側に向けて逆テーパ状の開孔１０３Ａを形成することが可能な化学増幅型のネガレジストを用いてレジスト膜１０３を形成するようにした。これにより、基板１０１側に向かって幅が狭くなる開孔１００Ａを有する金属膜１００Ｐを成膜することができ、この金属膜１００Ｐを導電膜１０２から剥離させることによって、蒸着時に、被蒸着基板２０２側に平滑面を有するメタルマスク１００が作製される。 On the other hand, in the metal mask and the manufacturing method thereof in the present embodiment, a chemically amplified negative capable of forming an inversely tapered opening 103A toward the substrate 101 side which is an electrode surface in electroforming. The resist film 103 is formed using a resist. Thus, the metal film 100P having the opening 100A whose width becomes narrower toward the substrate 101 can be formed. By peeling the metal film 100P from the conductive film 102, the deposition target substrate 202 is deposited. A metal mask 100 having a smooth surface on the side is produced.

（１−３．表示装置の製造方法）
図９は、本開示のメタルマスクを用いて製造された表示装置（表示装置１）の断面構成の一例を表したものである。この表示装置１は、高精細な表示性能を有する、例えば業務用や医療用のディスプレイとして用いられるものである。表示装置１は、表示領域にそれぞれがマトリクス状に配置された複数の画素２（例えば、赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇ，青色画素２Ｂ）を有する。各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂには、それぞれ対応する単色光（赤色光ＬＲ，緑色光ＬＧ，青色光ＬＢ）を発する発光素子１０（赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇ，青色発光素子１０Ｂ）が設けられている。表示装置１は、例えばこれら発光素子１０の発光光を上面（駆動基板１１とは反対側の面）側から取り出す上面発光型（所謂、トップエミッション型）の表示装置である。 (1-3. Manufacturing method of display device)
FIG. 9 illustrates an example of a cross-sectional configuration of a display device (display device 1) manufactured using the metal mask of the present disclosure. The display device 1 has high-definition display performance, and is used as, for example, a business or medical display. The display device 1 includes a plurality of pixels 2 (for example, a red pixel 2R, a green pixel 2G, and a blue pixel 2B) that are arranged in a matrix in the display area. Each pixel 2R, 2G, 2B has a corresponding light emitting element 10 (red light emitting element 10R, green light emitting element 10G, blue light emitting element 10B) that emits corresponding monochromatic light (red light LR, green light LG, blue light LB). Is provided. The display device 1 is, for example, a top emission type (so-called top emission type) display device that extracts light emitted from the light emitting elements 10 from the upper surface (surface opposite to the drive substrate 11) side.

表示装置１では、図１に示したように、各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂは駆動基板１１上に設けられた隔壁１３によって区画されている。駆動基板１１と対向配置された対向基板２０の対向面には、各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応する位置（発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ上）にカラーフィルタ（ＣＦ）２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂがそれぞれ設けられている。各ＣＦ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの間には隣接画素からの混色を抑制するブラックマトリクス（ＢＭ）２１がそれぞれ設けられている In the display device 1, as shown in FIG. 1, each pixel 2 R, 2 G, 2 B is partitioned by a partition wall 13 provided on the drive substrate 11. Color filters (CF) 22R, 22G, and 22B are provided on the opposing surface of the opposing substrate 20 that is disposed to face the driving substrate 11 at positions corresponding to the pixels 2R, 2G, and 2B (on the light emitting elements 10R, 10G, and 10B). Each is provided. A black matrix (BM) 21 that suppresses color mixture from adjacent pixels is provided between the CFs 22R, 22G, and 22B.

発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、画素駆動回路の駆動トランジスタＴｒ１等が設けられた駆動基板１１の側から、陽極としての画素電極１２、発光層１４Ｂを含む有機層１４、および陰極としての対向電極１５がこの順に積層されている。各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間には隔壁１３が設けられている。 The light emitting elements 10R, 10G, and 10B are respectively connected to the pixel electrode 12 as the anode, the organic layer 14 including the light emitting layer 14B, and the cathode as the cathode from the side of the driving substrate 11 provided with the driving transistor Tr1 of the pixel driving circuit. The counter electrode 15 is laminated in this order. A partition wall 13 is provided between the light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

このような発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護膜１６および平坦化膜１７により被覆され、更にこの平坦化膜１７上には接着層（図示せず）を介して、対向基板２０が全面にわたって貼り合わされている。なお、対向基板２０は駆動基板１１の対向面側にＢＭ２１およびＣＦ２２を有し、ＣＦ２２上にはオーバーコート（ＯＣ）２３が設けられている。 Such light-emitting elements 10R, 10G, and 10B are covered with a protective film 16 and a planarizing film 17, and the counter substrate 20 is entirely covered on the planarizing film 17 through an adhesive layer (not shown). It is pasted together. The counter substrate 20 has a BM 21 and a CF 22 on the opposite surface side of the drive substrate 11, and an overcoat (OC) 23 is provided on the CF 22.

画素電極１２は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有することが発光効率を高める上で望ましい。特に、画素電極１２が陽極として使われる場合には、画素電極１２は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような画素電極１２としては、例えば、積層方向（Ｘ軸方向）の厚み（以下、単に厚みと言う）が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体またはこれら金属元素のいずれかを含む合金が挙げられる。画素電極１２の表面には、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜が設けられていてもよい。なお、アルミニウム（Ａｌ）合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって画素電極１２として使用することが可能である。 The pixel electrode 12 also functions as a reflective layer, and it is desirable to have as high a reflectance as possible in order to increase the light emission efficiency. In particular, when the pixel electrode 12 is used as an anode, the pixel electrode 12 is preferably made of a material having a high hole injection property. As such a pixel electrode 12, for example, the thickness in the stacking direction (X-axis direction) (hereinafter simply referred to as thickness) is 100 nm or more and 1000 nm or less, and chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt). , Nickel (Ni), copper (Cu), tungsten (W), silver (Ag) and the like, or an alloy containing any of these metal elements. A transparent conductive film such as an oxide of indium and tin (ITO) may be provided on the surface of the pixel electrode 12. Appropriate hole injection is possible even in materials such as aluminum (Al) alloys that have a high reflectivity, but have a problem of the presence of an oxide film on the surface and a hole injection barrier due to a low work function. By providing a layer, it can be used as the pixel electrode 12.

隔壁１３は、上記のように各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを区画すると共に、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを電気的に分離するものである。隔壁１３には各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける発光領域となる開孔部１３Ａが設けられている。この開孔部１３Ａには、詳細は後述するが、それぞれ対応する発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを構成する発光層１４Ｂ（赤色発光層１４ＢＲ，緑色発光層１４ＢＧ，青色発光層１４ＢＢ）を含む有機層１４が設けられている。隔壁１３の材料としては、例えばポリイミド、ノボラック樹脂あるいはアクリル樹脂等の有機材料が挙げられるがこれに限らず、例えば有機材料と無機材料とを組み合わせて用いてもよい。無機材料としては、例えばＳｉＯ_２，ＳｉＯ，ＳｉＣ，ＳｉＮが挙げられる。隔壁１３は、例えば上記有機材料による単層膜として形成してもよいが、有機材料と無機材料とを組み合わせ場合には、有機膜と無機膜との積層構造としてもよい。なお、有機層１４および対向電極１５は、隔壁１３の上にも設けられているが、発光が生じるのは発光領域だけである。 The partition wall 13 partitions the pixels 2R, 2G, and 2B as described above and electrically separates the light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The partition wall 13 is provided with an opening 13A that becomes a light emitting region in each of the pixels 2R, 2G, and 2B. Although the details will be described later, the opening portion 13A includes organic layers including the light emitting layers 14B (the red light emitting layer 14BR, the green light emitting layer 14BG, and the blue light emitting layer 14BB) constituting the corresponding light emitting elements 10R, 10G, and 10B. 14 is provided. Examples of the material of the partition wall 13 include organic materials such as polyimide, novolac resin, and acrylic resin. However, the material is not limited thereto, and for example, an organic material and an inorganic material may be used in combination. As the inorganic materials, for example _SiO 2, SiO, SiC, include SiN. The partition wall 13 may be formed as a single layer film made of the above organic material, for example. However, when the organic material and the inorganic material are combined, a stacked structure of the organic film and the inorganic film may be used. The organic layer 14 and the counter electrode 15 are also provided on the partition wall 13, but light emission occurs only in the light emitting region.

有機層１４は、例えば、画素電極１２の側から順に、正孔供給層１４Ａ，発光層１４Ｂおよび電子供給層１４Ｃを積層した構成を有する。これらのうち発光層１４Ｂ以外の層は必要に応じて設ければよい。有機層１４は、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔供給層１４Ａは、例えば、正孔注入性を有する層（正孔注入層）および正孔輸送性を有する層（正孔輸送層）が画素電極１２側から正孔注入層，正孔輸送層の順に積層された構成を有する。正孔注入層は、発光層１４Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層１４Ｂへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１４Ｂは、電界を印加することにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子供給層１４Ｃは、例えば電子注入性を有する層（電子注入層）および電子輸送性を有する層（電子輸送層）が、発光層１４Ｂ側から電子輸送層，電子注入層の順に積層された構成を有する。電子輸送層は、発光層１４Ｂへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。 For example, the organic layer 14 has a configuration in which a hole supply layer 14A, a light emitting layer 14B, and an electron supply layer 14C are stacked in this order from the pixel electrode 12 side. Of these, layers other than the light emitting layer 14B may be provided as necessary. The organic layer 14 may have a different configuration depending on the emission color of the light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The hole supply layer 14A includes, for example, a layer having a hole injection property (hole injection layer) and a layer having a hole transport property (hole transport layer) from the pixel electrode 12 side. It has the structure laminated | stacked in order of the layer. The hole injection layer is a buffer layer for increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layer 14B and for preventing leakage. The hole transport layer is for increasing the efficiency of transporting holes to the light emitting layer 14B. The light emitting layer 14B generates light by recombination of electrons and holes by applying an electric field. The electron supply layer 14C has a configuration in which, for example, a layer having an electron injection property (electron injection layer) and a layer having an electron transport property (electron transport layer) are stacked in this order from the light emitting layer 14B side to the electron transport layer and the electron injection layer. Have The electron transport layer is for increasing the efficiency of electron transport to the light emitting layer 14B. The electron injection layer is for increasing electron injection efficiency.

対向電極１５は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、Ａｌ，マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）またはＮａの合金により構成されている。中でも、ＭｇとＡｇとの合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるＭｇとＡｇとの比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、対向電極１５の材料は、Ａｌとリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）でもよい。 For example, the counter electrode 15 has a thickness of about 10 nm and is made of an alloy of Al, magnesium (Mg), calcium (Ca), or Na. Among them, an alloy of Mg and Ag (Mg—Ag alloy) is preferable because it has both conductivity in a thin film and small absorption. The ratio of Mg and Ag in the Mg—Ag alloy is not particularly limited, but it is desirable that the film thickness ratio is in the range of Mg: Ag = 20: 1 to 1: 1. The material of the counter electrode 15 may be an alloy of Al and lithium (Li) (Al—Li alloy).

対向電極１５は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねていてもよい。対向電極１５が半透過性反射層としての機能を備えている場合には、発光素子１０は共振器構造を有し、この共振器構造により発光層１４Ｂで発生した光を画素電極１２と対向電極１５との間で共振させるようになっている。 The counter electrode 15 may also function as a semi-transmissive reflective layer. In the case where the counter electrode 15 has a function as a semi-transmissive reflective layer, the light emitting element 10 has a resonator structure, and the light generated in the light emitting layer 14B by the resonator structure is used for the pixel electrode 12 and the counter electrode. 15 to resonate with each other.

保護膜１６は、対向電極１５上に形成されるものであり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ）、酸化チタン（ＴｉＯ_ｘ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_ｘＯ_ｙ）等の無機材料からにより構成されている。 The protective film 16 is formed on the counter electrode 15, for example, silicon oxide (SiO _x ), silicon nitride (SiN _x ), silicon oxynitride (SiN _x O _y ), titanium oxide (TiO _x ), or oxide. and it is made of an inorganic material such as aluminum _(Al x _{O y).}

平坦化膜１７は、保護膜１６上にほぼ一様に形成されるものである。平坦化膜１７は、上記接着層を兼ねていてもよく、例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂等からなる。 The planarizing film 17 is formed almost uniformly on the protective film 16. The planarization film 17 may also serve as the adhesive layer, and is made of, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.

対向基板２０は、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透過性を有するガラス等の材料によって構成されている。対向基板２０の駆動基板１１側の面（対向面）上には、例えば、ＢＭ２１およびＣＦ２２が設けられている。ＢＭ２１およびＣＦ２２は、赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂで発生した各光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを取り出すと共に、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂならびにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。 The counter substrate 20 seals the light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and is made of a material such as glass that is transmissive to light generated in the light emitting elements 10R, 10G, and 10B. For example, a BM 21 and a CF 22 are provided on the surface (opposing surface) of the counter substrate 20 on the drive substrate 11 side. BM21 and CF22 take out each light LR, LG, LB generated by the red light emitting element 10R, the green light emitting element 10G, and the blue light emitting element 10B, and are reflected by the light emitting elements 10R, 10G, 10B and the wiring between them. It absorbs light and improves contrast.

上記表示装置１は例えば図１０に示した流れ図に従って製造される。 The display device 1 is manufactured, for example, according to the flowchart shown in FIG.

まず、上述した材料よりなる駆動基板１１に画素電極１２および駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜（図示せず）を形成する。次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる画素電極１２を形成し、ウェットエッチングにより画素電極１２を選択的に除去して発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに分離する（ステップＳ１０１）。 First, after a pixel driving circuit including the pixel electrode 12 and the driving transistor Tr1 is formed on the driving substrate 11 made of the above-described material, a planarizing insulating film (not shown) is formed by applying a photosensitive resin to the entire surface. . Next, the pixel electrode 12 made of the above-described material is formed by, for example, sputtering, and the pixel electrode 12 is selectively removed by wet etching to separate the light emitting elements 10R, 10G, and 10B (step S101).

続いて、駆動基板１１の全面にわたり隔壁１３となる、例えば感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応する開孔部１３Ａを設け、焼成することにより、隔壁１３を形成する（ステップＳ１０２）。次に、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機層１４の正孔供給層１４Ａ，発光層１４Ｂおよび電子供給層１４Ｃを形成する（ステップＳ１０３〜Ｓ１０５）。このとき、各発光層１４ＢＲ，１５ＢＧ，１５ＢＢは本開示のメタルマスク１００を用いて形成される。次に、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる対向電極１５を成膜する（ステップＳ１０６）。これにより、図１０に示したような発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。 Subsequently, for example, a photosensitive resin that becomes the partition wall 13 is applied over the entire surface of the drive substrate 11, and an opening portion 13 A corresponding to the light emitting region is provided by, for example, photolithography, and then fired to form the partition wall 13 ( Step S102). Next, the hole supply layer 14A, the light emitting layer 14B, and the electron supply layer 14C of the organic layer 14 made of the above-described thickness and material are formed by, for example, vapor deposition (Steps S103 to S105). At this time, each light emitting layer 14BR, 15BG, and 15BB is formed using the metal mask 100 of this indication. Next, the counter electrode 15 made of the above-described thickness and material is formed by, for example, vapor deposition (step S106). Thereby, the light emitting elements 10R, 10G, and 10B as shown in FIG. 10 are formed.

続いて、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１６を形成する（ステップＳ１０７）。次に、保護膜１６の上に、平坦化膜１７を形成し、この平坦化膜１７（あるいは接着層）を間にしてＯＣ２３によって被覆されたＣＦ２２およびＢＭ２１を備えた対向基板２０を貼り合わせる。以上により、図９に示した表示装置１が完成する。 Subsequently, the protective film 16 made of the above-described material is formed on the light emitting elements 10R, 10G, and 10B by, eg, CVD or sputtering (step S107). Next, a planarizing film 17 is formed on the protective film 16, and the counter substrate 20 including the CF 22 and the BM 21 covered with the OC 23 is bonded to the planarizing film 17 (or adhesive layer). Thus, the display device 1 shown in FIG. 9 is completed.

この表示装置１では、各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。即ち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢは、例えば、画素電極１２と対向電極１５との間で多重反射し、または、画素電極１２における反射光と発光層１４Ｂで発生した光とが干渉により強め合い、対向電極１５，カラーフィルタ２３および対向基板２０を透過して取り出される。 In the display device 1, a scanning signal is supplied from the scanning line driving circuit 130 to the pixels 2R, 2G, and 2B via the gate electrode of the writing transistor Tr2, and an image signal is written from the signal line driving circuit 120 to the writing transistor. It is held in the holding capacitor Cs via Tr2. That is, the driving transistor Tr1 is controlled to be turned on / off according to the signal held in the holding capacitor Cs, whereby the driving current Id is injected into the light emitting elements 10R, 10G, and 10B, thereby regenerating the holes and electrons. Combined to emit light. The light LR, LG, LB is, for example, multiple-reflected between the pixel electrode 12 and the counter electrode 15, or the reflected light from the pixel electrode 12 and the light generated in the light emitting layer 14B are intensified by interference, and are opposed to each other. The light is extracted through the electrode 15, the color filter 23 and the counter substrate 20.

以上のように、本実施の形態では、電気鋳造において電極面となる基板１０１上に設けられた導電膜１０２側に向けて逆テーパ状の開孔１０３Ａを形成することが可能な化学増幅型のネガレジストを用いてレジスト膜１０３を形成するようにした。これにより、レジスト膜１０３の開孔１０３Ａに導電膜１０２側に向かって幅が狭くなる開孔を有する金属膜１００Ｐが形成される。よって、被蒸着基板２０２に相対する面が平滑、且つ、被蒸着基板２０２に向かって狭くなる開孔を有するメタルマスクが作製される。これにより、蒸着時にメタルマスク１００と被蒸着基板２０２との距離を近接させることが可能となり、シャドー領域が狭く、微細且つ先に形成した部材（例えば正孔供給層１４Ａや、発光素子
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂをそれぞれ電気的に分離する隔壁１３）を損傷することなく形成することが可能となる。即ち、高精細且つ高い歩留まりを有する表示装置を製造することが可能となる。 As described above, in this embodiment mode, a chemical amplification type that can form the reverse tapered opening 103A toward the conductive film 102 provided on the substrate 101 that serves as an electrode surface in electroforming. The resist film 103 is formed using a negative resist. As a result, the metal film 100P having an opening whose width becomes narrower toward the conductive film 102 side is formed in the opening 103A of the resist film 103. Therefore, a metal mask having an opening whose surface facing the deposition substrate 202 is smooth and narrows toward the deposition substrate 202 is manufactured. This makes it possible to make the distance between the metal mask 100 and the deposition target substrate 202 close to each other at the time of vapor deposition, and the shadow region is narrow and fine and formed in advance (for example, the hole supply layer 14A and the light emitting elements 10R and 10G). , 10B can be formed without damaging the partition walls 13) that electrically separate each other. That is, a display device having high definition and a high yield can be manufactured.

なお、隔壁１３に打痕等の損傷がある対向電極１５上の保護膜１６にクラック等が生じ、後発性のダークスポットが発生して信頼性が低下する。本実施の形態では、上記のように隔壁１３への損傷が防止されるため、後発性のダークスポットの発生を低減することができる。よって、上記効果に加えて、信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。 It should be noted that cracks or the like occur in the protective film 16 on the counter electrode 15 having damage such as dents on the partition wall 13 and a late dark spot is generated, resulting in a decrease in reliability. In the present embodiment, the damage to the partition wall 13 is prevented as described above, so that the occurrence of late dark spots can be reduced. Thus, in addition to the above effects, a highly reliable display device can be provided.

＜２．適用例＞
上記実施の形態において説明したメタルマスク１００を用いて製造された表示装置１の適用例について説明する。表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータおよび携帯電話等の携帯端末あるいはビデオカメラ等のあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。このように、上記実施の形態等の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。 <2. Application example>
An application example of the display device 1 manufactured using the metal mask 100 described in the above embodiment will be described. The display device 1 can be applied to electronic devices in various fields such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal such as a mobile phone, or a video camera. As described above, the display device according to the above-described embodiment or the like can be applied to electronic devices in various fields that display a video signal input from the outside or a video signal generated inside as an image or a video.

なお、本技術は以下に示したような、業務用あるいは医療用ディスプレイやスマートフォン、携帯電話等のハイピッチな表示パネルを有する電子機器でより高い効果を示すものである。 In addition, this technique shows a higher effect in the electronic device which has a high pitch display panel, such as a business or medical display, a smart phone, and a mobile phone, as shown below.

（適用例１）
図１１Ａは、適用例１に係るスマートフォンの外観を表側から、図１１Ｂは裏側から表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部１１０（表示装置１（あるいは表示装置３〜６））および非表示部（筐体）１２０と、操作部１３０とを備えている。操作部１３０は、図１１Ａに示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、図１１Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。 (Application example 1)
11A shows the appearance of the smartphone according to Application Example 1 from the front side, and FIG. 11B shows the back side. The smartphone includes a display unit 110 (display device 1 (or display devices 3 to 6)), a non-display unit (housing) 120, and an operation unit 130, for example. The operation unit 130 may be provided on the front surface of the non-display unit 120 as illustrated in FIG. 11A, or may be provided on the upper surface as illustrated in FIG. 11B.

（適用例２）
図１２は、適用例２に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体２１０，文字等の入力操作のためのキーボード２２０および上記表示装置としての表示部２３０を有している。 (Application example 2)
FIG. 12 illustrates the appearance of a notebook personal computer according to Application Example 2. The notebook personal computer includes, for example, a main body 210, a keyboard 220 for inputting characters and the like, and a display unit 230 as the display device.

（適用例３）
図１３Ａは、適用例３に係る適用例６に係る携帯電話機の閉じた状態における正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図を表したものである。図１３Ｂは、携帯電話機の開いた状態における正面図および側面図を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体３１０と下側筐体３２０とを連結部（ヒンジ部）３３０で連結したものであり、ディスプレイ３４０，サブディスプレイ３５０，ピクチャーライト３６０およびカメラ３７０を有している。ディスプレイ３４０またはサブディスプレイ３５０が、上記表示装置１に相当する。 (Application example 3)
13A illustrates a front view, a left side view, a right side view, a top view, and a bottom view of the cellular phone according to Application Example 6 according to Application Example 3 in a closed state. FIG. 13B shows a front view and a side view of the mobile phone in an opened state. This mobile phone is, for example, one in which an upper housing 310 and a lower housing 320 are connected by a connecting portion (hinge portion) 330, and includes a display 340, a sub display 350, a picture light 360, and a camera 370. Yes. The display 340 or the sub display 350 corresponds to the display device 1.

以上、実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。 While the present technology has been described with reference to the embodiment, the present technology is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made. For example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment, the film formation method, the film formation conditions, and the like are not limited, and other materials and thicknesses may be used. It is good also as conditions.

更に、上記実施の形態において説明した各層は必ずしも全て設ける必要はなく、適宜省略してもよい。また、上記実施の形態等において説明した層以外の層を追加しても構わない。更にまた、上記実施の形態では、色画素として赤色画素２Ｒ，緑色画素２Ｇおよび青色画素２Ｂの３色画素を備えた表示装置を例に説明したが、これら３色画素に白色画素あるいは黄色画素を組み合わせてもよい。 Further, all the layers described in the above embodiment are not necessarily provided, and may be omitted as appropriate. In addition, layers other than those described in the above embodiments and the like may be added. Furthermore, in the above-described embodiment, the display device including the three color pixels of the red pixel 2R, the green pixel 2G, and the blue pixel 2B as the color pixel has been described as an example. However, a white pixel or a yellow pixel is added to these three color pixels. You may combine.

また、上記実施の形態では、発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光光を各画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応する単色光を発する構成としたが、白色光を発するような構成としてもよい。更に、上記実施の形態では、発光素子１０として有機ＥＬ素子を用いて説明したが、この他、無機ＥＬ素子，半導体レーザ，ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等を用いてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although it was set as the structure which emits the monochromatic light corresponding to each pixel 2R, 2G, 2B in the light-emitting light of 10R, 10G, 10B, it is good also as a structure which emits white light. Furthermore, in the above-described embodiment, the organic EL element is used as the light emitting element 10, but an inorganic EL element, a semiconductor laser, an LED (Light Emitting Diode), or the like may be used.

更にまた、上記実施の形態では、メタルマスクを形成する基板１０１として不導体物質からなる基板を用いたが、例えば導電性を有する基板（導電性基板）を用いてもかまわない。これにより、導電膜１０２を削除することができる。 Furthermore, in the above embodiment, a substrate made of a non-conductive material is used as the substrate 101 on which the metal mask is formed. However, for example, a conductive substrate (conductive substrate) may be used. Thereby, the conductive film 102 can be deleted.

なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。 In addition, the effect described in this specification is an illustration to the last, and is not limited, Moreover, there may exist another effect.

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）導電性を有する基板上に、前記基板側に向けて逆テーパ状の開孔を有する化学増幅型のネガレジスト膜を形成する工程と、電気鋳造により前記基板上の、前記ネガレジスト膜の前記開孔に金属膜を析出する工程とを含むメタルマスクの製造方法。
（２）前記ネガレジスト膜は液体レジストである、前記（１）に記載のメタルマスクの製造方法。
（３）前記ネガレジスト膜と前記金属膜との膜厚差は５μｍ以上である、前記（１）または（２）に記載のメタルマスクの製造方法。
（４）前記基板は、不導体基板と前記不導体基板上に設けられた導電膜とからなる、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載のメタルマスクの製造方法。
（５）前記基板は導電性基板である、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載のメタルマスクの製造方法。
（６）蒸着源と被蒸着基板との間に配置され、前記被蒸着基板側に平滑面を有すると共に、前記被蒸着基板に向かって狭くなる開孔を有する金属膜からなるメタルマスク。
（７）前記金属膜は１種類の金属材料からなる、前記（６）に記載のメタルマスク。
（８）前記金属膜の前記被蒸着基板側の開孔の傾斜角θ（テーパ角θ）は下記式（１）を満たす、前記（６）または（７）に記載のメタルマスク。

（Ｈ：蒸着源と被蒸着面との距離，Ｌ：メタルマスク被蒸着面側の端部と最外有効端部との距離）
（９）基板に下部電極を画素ごとに形成する工程と、前記下部電極の上に正孔注入および正孔輸送の少なくとも一方の特性を有する正孔供給層を形成する工程と、前記正孔供給層の上に発光層を蒸着法により形成する工程と、前記発光層および前記正孔供給層の前面に、電子注入および電子輸送の少なくとも一方の特性を有する電子供給層を形成する工程と、前記電子供給層の全面に上部電極を形成する工程とを含み、少なくとも前記発光層は、蒸着源と前記基板との間に配置され、前記基板側に平滑面を有すると共に、前記基板に向かって狭くなる開孔を有するメタルマスクを用いて形成される表示装置の製造方法。 In addition, this technique can also take the following structures.
(1) forming a chemically amplified negative resist film having a reverse tapered opening toward the substrate on a conductive substrate; and the negative resist film on the substrate by electroforming And a step of depositing a metal film in the opening.
(2) The method for manufacturing a metal mask according to (1), wherein the negative resist film is a liquid resist.
(3) The method for producing a metal mask according to (1) or (2), wherein a film thickness difference between the negative resist film and the metal film is 5 μm or more.
(4) The method for manufacturing a metal mask according to any one of (1) to (3), wherein the substrate includes a non-conductive substrate and a conductive film provided on the non-conductive substrate.
(5) The method for manufacturing a metal mask according to any one of (1) to (4), wherein the substrate is a conductive substrate.
(6) A metal mask made of a metal film that is disposed between a vapor deposition source and a vapor deposition substrate and has a smooth surface on the vapor deposition substrate side and an opening that narrows toward the vapor deposition substrate.
(7) The metal mask according to (6), wherein the metal film is made of one type of metal material.
(8) The metal mask according to (6) or (7), wherein an inclination angle θ (taper angle θ) of the opening on the deposition substrate side of the metal film satisfies the following formula (1).

(H: distance between the deposition source and the deposition surface, L: distance between the end on the metal mask deposition surface side and the outermost effective end)
(9) forming a lower electrode for each pixel on the substrate, forming a hole supply layer having at least one of hole injection and hole transport on the lower electrode, and supplying the holes A step of forming a light emitting layer on the layer by a vapor deposition method, a step of forming an electron supply layer having at least one of electron injection and electron transport on the front surface of the light emitting layer and the hole supply layer, Forming an upper electrode on the entire surface of the electron supply layer, wherein at least the light emitting layer is disposed between the vapor deposition source and the substrate, has a smooth surface on the substrate side, and narrows toward the substrate. A manufacturing method of a display device formed using a metal mask having an opening.

１…表示装置、２…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…発光素子、１１…駆動基板、１２…画素電極、１３…隔壁、１４…有機層、１４Ａ…正孔供給層、１４Ｂ…発光層、１４Ｂ…電子供給層、１５…対向電極、１６…保護膜、１７…平坦化膜、２０…対向基板、２１…ブラックマトリクス（ＢＭ）、２２…カラーフィルタ（ＣＦ）、２３…オーバーコート（ＯＣ）、１００…メタルマスク、２０１…蒸着源、２０２…被蒸着基板。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus, 2 ... Pixel, 10R, 10G, 10B ... Light emitting element, 11 ... Driving substrate, 12 ... Pixel electrode, 13 ... Partition, 14 ... Organic layer, 14A ... Hole supply layer, 14B ... Light emitting layer, 14B DESCRIPTION OF SYMBOLS ... Electron supply layer, 15 ... Counter electrode, 16 ... Protective film, 17 ... Planarization film, 20 ... Counter substrate, 21 ... Black matrix (BM), 22 ... Color filter (CF), 23 ... Overcoat (OC), DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Metal mask, 201 ... Deposition source, 202 ... Substrate to be deposited.

Claims

Forming a chemically amplified negative resist film having a reverse-tapered opening toward the substrate side on a conductive substrate;
Depositing a metal film on the openings of the negative resist film on the substrate by electroforming.

The metal mask manufacturing method according to claim 1, wherein the negative resist film is a liquid resist.

The method of manufacturing a metal mask according to claim 1, wherein a difference in film thickness between the negative resist film and the metal film is 5 μm or more.

The method for manufacturing a metal mask according to claim 1, wherein the substrate includes a non-conductive substrate and a conductive film provided on the non-conductive substrate.

The method for manufacturing a metal mask according to claim 1, wherein the substrate is a conductive substrate.

A metal mask comprising a metal film disposed between a vapor deposition source and a vapor deposition substrate, having a smooth surface on the vapor deposition substrate side, and an opening narrowing toward the vapor deposition substrate.

The metal mask according to claim 6, wherein the metal film is made of one type of metal material.

The metal mask according to claim 6, wherein an inclination angle θ (taper angle θ) of the opening on the vapor deposition substrate side of the metal film satisfies the following formula (1).

(H: distance between the deposition source and the deposition surface, L: distance between the end on the metal mask deposition surface side and the outermost effective end)

Forming a lower electrode for each pixel on the substrate;
Forming a hole supply layer having at least one of the characteristics of hole injection and hole transport on the lower electrode;
Forming a light emitting layer on the hole supply layer by vapor deposition;
Forming an electron supply layer having at least one of electron injection and electron transport on the front surface of the light emitting layer and the hole supply layer;
Forming an upper electrode on the entire surface of the electron supply layer,
At least the light emitting layer is disposed between a vapor deposition source and the substrate, and is formed using a metal mask having a smooth surface on the substrate side and an opening narrowing toward the substrate. Production method.