KR101881956B1 - Vapor deposition apparatus and plasma source - Google Patents

Vapor deposition apparatus and plasma source Download PDF

Info

Publication number
KR101881956B1
KR101881956B1 KR1020120075473A KR20120075473A KR101881956B1 KR 101881956 B1 KR101881956 B1 KR 101881956B1 KR 1020120075473 A KR1020120075473 A KR 1020120075473A KR 20120075473 A KR20120075473 A KR 20120075473A KR 101881956 B1 KR101881956 B1 KR 101881956B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
flow path
hollow
insulator
exposed
Prior art date
Application number
KR1020120075473A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140008673A (en
Inventor
김병준
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 원익아이피에스 filed Critical 주식회사 원익아이피에스
Priority to KR1020120075473A priority Critical patent/KR101881956B1/en
Publication of KR20140008673A publication Critical patent/KR20140008673A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101881956B1 publication Critical patent/KR101881956B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles

Abstract

본 발명은 작동 중 전극이 손상되는 것이 억제된 기상 증착장치 및 플라즈마 소스를 위하여, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체와, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되 상기 중공의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마가 발생할 수 있는, 기상 증착장치 및 플라즈마 소스가 제공된다.The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a plasma source in which damage to an electrode during operation is suppressed, a first electrode having a hollow therein, an insulator disposed in the hollow so as to be spaced apart from the first electrode, And a second electrode disposed in the insulator such that at least a portion of the second electrode is exposed to the outside of the insulator, the second electrode being disposed to be exposed at a distance from a portion where the hollow electric field is concentrated, There is provided a vapor deposition apparatus and a plasma source in which a plasma can be generated between the electrodes.

Description

기상 증착장치 및 플라즈마 소스{Vapor deposition apparatus and plasma source}[0001] Vapor deposition apparatus and plasma source [0002]

본 발명은 기상 증착장치 및 플라즈마 소스에 관한 것으로서, 더 상세하게는 작동 중 전극이 손상되는 것이 억제된 기상 증착장치 및 플라즈마 소스에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor deposition apparatus and a plasma source, and more particularly, to a vapor deposition apparatus and a plasma source in which damage to an electrode during operation is suppressed.

전자 소자의 제조에서, 화학적 기상 증착이나 원자층 증착과 같은 공정을 수행하는 기상 증착장치는 증착물질이 증착될 기판 등을 위치시킨 후 소스가스와 반응가스 등을 제공하여 물질층을 기판 상에 형성시킨다. 특히 플라즈마 에너지를 이용하여 물질층을 형성하는 경우 증착 온도가 낮아지기에, 예컨대 디스플레이 소자, 태양광 소자, 유기발광 소자 등과 같은 전자 소자의 다른 구성요소들이 열적으로 손상되지 않도록 할 수 있는 유리한 효과를 기대할 수 있다.BACKGROUND ART In the production of electronic devices, a vapor deposition apparatus that performs processes such as chemical vapor deposition and atomic layer deposition is a technique in which a substrate on which a deposition material is to be deposited is placed, and then a source gas and a reactive gas are provided, . Particularly, when a material layer is formed by using plasma energy, the deposition temperature is low, and therefore, an advantageous effect that other components of the electronic device such as a display device, a photovoltaic device, an organic light emitting device, etc. can be prevented from being thermally damaged .

통상적으로 플라즈마는 두 개의 전극 사이에서 발생한다. 그러나 이 과정에서 전극들 사이에 전계가 형성되되 전극의 일 부분에 전계가 집중되어, 전극의 해당 부분이 손상된다는 문제점이 있었다.Typically, a plasma occurs between two electrodes. However, in this process, there is a problem that an electric field is formed between the electrodes, and an electric field is concentrated on a part of the electrode, thereby damaging the corresponding part of the electrode.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 작동 중 전극이 손상되는 것이 억제된 기상 증착장치 및 플라즈마 소스를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a vapor deposition apparatus and a plasma source in which electrodes are prevented from being damaged during operation to solve various problems including the above problems. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따르면, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체와, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마가 발생할 수 있는, 기상 증착장치가 제공된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first electrode having a hollow therein; an insulator disposed in the hollow so as to be spaced apart from the first electrode; And a second electrode disposed in the insulator so as to be exposed at a distance from a portion where an electric field is concentrated on the inner surface of the first electrode, and a plasma is generated between the first electrode and the second electrode , A vapor deposition apparatus is provided.

본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 상기 제2전극의 일부가 노출되도록 상기 제2전극을 덮되 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에 인접한 상기 제2전극의 부분을 덮는 절연체를 포함하고, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마가 발생할 수 있는, 기상 증착장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first electrode having a hollow therein; a second electrode disposed in the hollow so as to be spaced apart from the first electrode; And an insulator covering the portion of the second electrode that is adjacent to the portion where the electric field of the inner side surface of the first electrode is concentrated so as to partially expose the second electrode, There is provided a vapor deposition apparatus.

상기 제2전극은 상기 제1전극의 내측면의 뾰족한 부분에서 먼 곳에서 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 할 수 있다.And the second electrode may be exposed to the outside of the insulator at least partly away from the pointed portion of the inner surface of the first electrode.

가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로와, 상기 제1유로를 통해 공급된 상기 가스가 상기 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로를 더 포함할 수 있다.A first flow path connected to the hollow so as to supply a gas between the first electrode and the second electrode, and a second flow path formed between the first flow path and the second flow path, wherein the gas supplied through the first flow path reacts with the plasma, And a second flow path connected to the hollow for discharge.

이 경우, 상기 제2전극은 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단의 중앙부에서 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출될 수 있다. 상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차할 수 있다.In this case, at least a part of the second electrode may be exposed to the outside of the insulator at the center of the hollow end of the first flow path and the hollow end of the second flow path. Wherein the second electrode and the insulator have a shape extending in a first direction and the first direction intersects the direction in which the gas is supplied through the first flow path and the excitation body is discharged through the second flow path .

상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상기 제1방향과 교차하는 방향의 양단에서 상기 절연체를 관통하여 상기 절연체 외부에 노출될 수 있다.Wherein the second electrode and the insulator have a columnar shape extending in a first direction and the first direction is perpendicular to a direction in which the gas is supplied through the first flow path and the excitation body is discharged through the second flow path And the second electrode may be exposed to the outside of the insulator through the insulator at both ends in a direction crossing the first direction.

한편, 가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로와, 상기 제1유로를 통해 공급된 상기 가스가 상기 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로를 더 포함하고, 상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상호 평행하게 배치된 제1서브전극과 제2서브전극을 포함하며, 상기 제1서브전극의 적어도 일부와 상기 제2서브전극의 적어도 일부는 각각 상기 절연체 외부에 노출되되, 상기 제1서브전극의 노출된 부분과 상기 제2서브전극의 노출된 부분은 상기 절연체의 중심을 기준으로 상호 반대방향일 수 있다.A first flow path connected to the hollow so as to supply a gas between the first electrode and the second electrode; and an excitation body formed by reacting the gas supplied through the first flow path with the plasma, Wherein the second electrode and the insulator have a columnar shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the gas flows through the first flow path, And the second electrode intersects with a direction in which the excited body is discharged through the second flow path, wherein the second electrode includes a first sub-electrode and a second sub-electrode arranged in parallel to each other, and at least a part of the first sub- Wherein at least a portion of the second sub-electrode is exposed to the outside of the insulator, wherein the exposed portion of the first sub-electrode and the exposed portion of the second sub- It may be a direction.

본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 소스가스를 하방으로 주입할 수 있는 소스가스 주입유닛과, 반응가스를 하방으로 주입할 수 있는 반응가스 주입유닛과, 상기 소스가스 주입유닛과 상기 반응가스 주입유닛 사이에 위치하며 상기 소스가스 및 상기 반응가스를 외부로 펌핑할 수 있는 펌핑유닛을 포함하고, 상기 반응가스 주입유닛은, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체와, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된 제2전극과, 상기 반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로와, 상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로를 포함하는, 기상 증착장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a source gas injection unit capable of injecting a source gas downward; a reaction gas injection unit capable of injecting a reaction gas downward; And a pumping unit disposed between the unit and capable of pumping the source gas and the reaction gas to the outside, wherein the reaction gas injection unit includes: a first electrode having a hollow therein; The first electrode being disposed in a spaced-apart relation to the first electrode, and at least a part of the insulator being disposed in the insulator so as to be exposed to the outside of the insulator, A first flow path connected to the hollow to supply the reaction gas between the first electrode and the second electrode, And a second flow path connected to the hollow for discharging the excited body generated on the deposition structure by reacting with the plasma generated between the first electrode and the second electrode, Is provided.

본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 소스가스를 하방으로 주입할 수 있는 소스가스 주입유닛과, 반응가스를 하방으로 주입할 수 있는 반응가스 주입유닛과, 상기 소스가스 주입유닛과 상기 반응가스 주입유닛 사이에 위치하며 상기 소스가스 및 상기 반응가스를 외부로 펌핑할 수 있는 펌핑유닛을 포함하고, 상기 반응가스 주입유닛은, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 상기 제2전극의 일부가 노출되도록 상기 제2전극을 덮되 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에 인접한 상기 제2전극의 부분을 덮는 절연체와, 상기 반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로와, 상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로를 포함하는, 기상 증착장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a source gas injection unit capable of injecting a source gas downward; a reaction gas injection unit capable of injecting a reaction gas downward; And a pumping unit disposed between the unit and capable of pumping the source gas and the reaction gas to the outside, wherein the reaction gas injection unit includes: a first electrode having a hollow therein; A second electrode which is disposed apart from the first electrode and which is disposed apart from the first electrode so as to cover the second electrode so that a part of the second electrode is exposed and in which the electric field of the inner surface of the first electrode is concentrated, A first flow path connected to the hollow to supply the reaction gas between the first electrode and the second electrode, and a second flow path connected to the second flow path through the first flow path, And a second flow path connected to the hollow so as to discharge a reaction gas generated by the reaction between the first electrode and the second electrode and a generated excited body onto the deposition structure.

상기 펌핑유닛은 상기 소스가스 주입유닛에 인접한 제1펌핑존과, 상기 반응가스 주입유닛에 인접한 제2펌핑존을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 펌핑유닛은, 상기 제1펌핑존과 상기 제2펌핑존 사이에 배치되며 가스를 하방으로 주입할 수 있는 퍼징노즐을 더 포함할 수 있다.The pumping unit may include a first pumping zone adjacent to the source gas injection unit and a second pumping zone adjacent to the reaction gas injection unit. In this case, the pumping unit may further include a purge nozzle disposed between the first pumping zone and the second pumping zone and capable of injecting gas downward.

본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체와, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된 제2전극과, 상기 반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로와, 상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로를 포함하는, 플라즈마 소스가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a first electrode having a hollow therein; an insulator disposed in the hollow so as to be spaced apart from the first electrode; A second electrode disposed in the insulator so as to be exposed to the first electrode and exposed at a position farther from a portion where the electric field of the inner side surface of the first electrode is concentrated; and a second electrode disposed between the first electrode and the second electrode, And the reaction gas supplied through the first flow path reacts with the plasma generated between the first electrode and the second electrode to discharge the generated excited body onto the deposition structure And a second flow path connected to the hollow to provide a plasma.

본 발명의 또 다른 일 관점에 따르면, 내부에 중공이 형성된 제1전극과, 상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극과, 상기 제1전극과 이격되어 배치되며 상기 제2전극의 일부가 노출되도록 상기 제2전극을 덮되 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에 인접한 상기 제2전극의 부분을 덮는 절연체와, 상기 반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로와, 상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로를 포함하는, 플라즈마 소스가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma display panel comprising a first electrode having a hollow therein, a second electrode disposed in the hollow so as to be spaced apart from the first electrode, An insulator covering the second electrode so as to cover a portion of the second electrode that is adjacent to a portion where the electric field of the inner side surface of the first electrode is concentrated so as to expose a portion of the first electrode, And the reaction gas supplied through the first flow path reacts with a plasma generated between the first electrode and the second electrode to form an excited body, which is generated by the reaction of the plasma generated between the first electrode and the second electrode, And a second flow path connected to the hollow for discharge to the upper surface of the substrate.

상기 제2전극은 상기 제1전극의 내측면의 뾰족한 부분에서 먼 곳에서 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 할 수 있다.And the second electrode may be exposed to the outside of the insulator at least partly away from the pointed portion of the inner surface of the first electrode.

이 경우, 상기 제2전극은 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단의 중앙부에서 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출될 수 있다. 상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 반응가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차할 수 있다.In this case, at least a part of the second electrode may be exposed to the outside of the insulator at the center of the hollow end of the first flow path and the hollow end of the second flow path. Wherein the second electrode and the insulator have a shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the reactive gas is supplied through the first flow path and the direction in which the excited body is discharged through the second flow path can do.

상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 반응가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상기 제1방향과 교차하는 방향의 양단에서 상기 절연체를 관통하여 상기 절연체 외부에 노출될 수 있다.Wherein the second electrode and the insulator have a column shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the reaction gas is supplied through the first flow path and the excited body is discharged through the second flow path, And the second electrode may be exposed to the outside of the insulator through the insulator at both ends in a direction crossing the first direction.

한편, 상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 반응가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상호 평행하게 배치된 제1서브전극과 제2서브전극을 포함하며, 상기 제1서브전극의 적어도 일부와 상기 제2서브전극의 적어도 일부는 각각 상기 절연체 외부에 노출되되, 상기 제1서브전극의 노출된 부분과 상기 제2서브전극의 노출된 부분은 상기 절연체의 중심을 기준으로 상호 반대방향일 수 있다.Meanwhile, the second electrode and the insulator have a column shape extending in a first direction, and the first direction is a direction in which the reaction gas is supplied through the first flow path and the excitation body is discharged through the second flow path Wherein at least a portion of the first sub-electrode and at least a portion of the second sub-electrode intersect the insulator outer side, the second sub-electrode and the second sub- The exposed portion of the first sub-electrode and the exposed portion of the second sub-electrode may be opposite to each other with respect to the center of the insulator.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 작동 중 전극이 손상되는 것이 억제된 기상 증착장치 및 플라즈마 소스를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment of the present invention as described above, a vapor deposition apparatus and a plasma source in which damage to an electrode during operation is suppressed can be realized. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 3은 비교예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to a comparative example.
4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, Is provided to fully inform the user. Also, for convenience of explanation, the components may be exaggerated or reduced in size.

이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.In the following embodiments, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are not limited to three axes on the orthogonal coordinate system, and can be interpreted in a broad sense including the three axes. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

본 발명에서 언급하는 기상 증착장치는 기상 상태의 증착기체의 반응에 의해서 물질층이 형성되는 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정을 수행하는 장치를 포함할 수 있다. 나아가, 본 발명에서 언급하는 기상 증착장치는 기상 상태의 증착기체를 기판 상에 시분할 방식 또는 공간분할 방식으로 제공하는 단계를 반복하여, 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 수행하는 장치를 포함할 수도 있다.The vapor deposition apparatus referred to in the present invention may include an apparatus for performing a chemical vapor deposition (CVD) process in which a material layer is formed by the reaction of a vapor deposition gas in a gaseous state. Furthermore, the vapor deposition apparatus referred to in the present invention is an apparatus for performing an atomic layer deposition (ALD) process by repeating the step of providing a vapor-phase deposition gas on a substrate in a time division manner or a space division manner .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기상 증착장치(100)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기상 증착장치(100)의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다. 도 2의 기상 증착장치는 도 1의 기상 증착장치의 일부가 변형된 것이라고 이해할 수 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 schematically shows a part of a vapor deposition apparatus 100 according to another embodiment of the present invention. FIG. It can be understood that the vapor deposition apparatus of Fig. 2 is a modification of a part of the vapor deposition apparatus of Fig.

본 실시예에 따른 기상 증착장치(100)는 제1전극(110), 절연체(130), 제2전극(140)을 포함한다.The vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment includes a first electrode 110, an insulator 130, and a second electrode 140.

제1전극(110)은 내부에 중공(120)이 형성된 구조일 수 있다. 여기서 중공(120)은 제1전극(110)의 내측면(116)에 의해 정의되는 공간으로, 도 2에 도시된 것과 같이 제1방향(z축 방향)으로 연장된 형상일 수 있다.The first electrode 110 may have a hollow structure 120 formed therein. Here, the hollow 120 is a space defined by the inner surface 116 of the first electrode 110, and may have a shape extending in the first direction (z-axis direction) as shown in FIG.

도 1과 도 2는 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하고 있는바, 제1전극(110)은 도면에 도시된 것과 같이 해당 일부의 전체적인 외형을 이룰 수도 있다. 물론 이와 달리 해당 일부의 전체적인 일부를 이루는 별도의 프레임이 존재하고, 제1전극(110)은 그러한 프레임 내부에 위치하되 내부에 중공(120)이 형성된 구조일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. 후자의 경우, 내부에 중공이 형성된 프레임의 내측면 상에 제1전극이 형성된 것일 수도 있다. 이 경우 제1전극의 내측면(116)에 의해 정의된 공간이 중공(120)인 것이기에, 여전히 제1전극(110) 내부에 중공이 형성된 것으로 이해될 수 있다.1 and 2 schematically show a part of a vapor deposition apparatus, in which the first electrode 110 may have the overall appearance of a corresponding part as shown in the figure. Alternatively, the first electrode 110 may have a separate frame, which is a part of the entirety of the first electrode 110, and a hollow 120 may be formed in the frame. In the latter case, the first electrode may be formed on the inner surface of the frame in which the hollow is formed. In this case, since the space defined by the inner surface 116 of the first electrode is the hollow 120, it can be understood that the hollow is still formed inside the first electrode 110.

절연체(130)는 중공(120) 내에 배치되되, 제1전극(110)과 이격되어 배치된다. 이러한 절연체(130)는 제1방향(z축 방향)으로 연장된 형상을 가질 수 있는데, 예컨대 필요에 따라 원기둥, 타원기둥 또는 다각형 기둥을 가질 수 있다. 절연체(130)는 세라믹을 포함할 수 있는데, 예컨대 알루미나를 포함할 수 있다.The insulator 130 is disposed in the hollow 120 and spaced apart from the first electrode 110. The insulator 130 may have a shape extending in the first direction (z-axis direction), and may have a cylindrical shape, an elliptical shape, or a polygonal shape, for example, if necessary. The insulator 130 may include a ceramic, for example, alumina.

제2전극(140)은 제1전극(110)과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 절연체(130) 외부에 노출되도록 절연체(130) 내에 배치된다. 이때, 제2전극(140)은 절연체(130) 외부에 노출되는 부분이 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳이 되도록 노출된다. 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분은, 구체적으로 제1전극(110)의 내측면(116)의 상대적으로 뾰족한 부분으로 해석할 수 있다. 따라서 제2전극(140)은 제1전극(110)의 내측면(116)의 상대적으로 뾰족한 부분에서 먼 곳에서 적어도 일부가 절연체(130) 외부에 노출되도록 할 수 있다. 이러한 제2전극(140) 역시 절연체(130)와 유사하게 제1방향(z축 방향)으로 연장된 형상을 가질 수 있다.The second electrode 140 is disposed in the insulator 130 such that the second electrode 140 is spaced apart from the first electrode 110 and at least a portion of the second electrode 140 is exposed to the outside of the insulator 130. At this time, the second electrode 140 is exposed such that a portion exposed to the outside of the insulator 130 is far from a portion where the electric field of the inner surface 116 of the first electrode 110 is concentrated. The portion where the electric field of the inner surface 116 of the first electrode 110 is concentrated can be interpreted as a relatively sharp portion of the inner surface 116 of the first electrode 110. Accordingly, the second electrode 140 may be exposed to the outside of the insulator 130 at least partly away from the relatively tapered portion of the inner surface 116 of the first electrode 110. The second electrode 140 may have a shape extending in the first direction (z-axis direction), similar to the insulator 130.

제1전극(110) 및/또는 제2전극(140)은 도전성 물질로 형성되는데, 예컨대 알루미늄이나 스테인리스 등의 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 예컨대 제1전극(110)은 알루미늄 계열의 금속을 포함하여 형성될 수 있으며, 제2전극(140)은 SUS(Steel Use Stainless) 계열의 금속을 포함하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 제1전극(110)이나 제2전극(140)용 물질이 이에 한정되지 않음은 물론이다.The first electrode 110 and / or the second electrode 140 may be formed of a conductive material such as aluminum or stainless steel. For example, the first electrode 110 may include an aluminum-based metal, and the second electrode 140 may include a metal such as SUS (Steel Use Stainless). However, it is needless to say that the material for the first electrode 110 and the second electrode 140 of the present invention is not limited thereto.

제1전극(110)과 제2전극(140) 사이에는 플라즈마(P)가 발생될 수 있다. 제1전극(110)과 제2전극(140) 사이의 방전에 의한 플라즈마는 저온 플라즈마로서 대기압 하에서도 발생이 가능한 플라즈마이다. 이를 위하여 제1전극(110) 및/또는 제2전극(140)에는 전압을 인가할 수 있는 전원부(미도시)가 연결될 수 있다. 이러한 전원부는, 예컨대 교류형 또는 펄스형 전압을 제1전극(110) 및/또는 제2전극(140)에 인가할 수 있다. 플라즈마(P)는, 예컨대 용량 결합형(capacitively coupled) 플라즈마일 수 있다.Plasma (P) may be generated between the first electrode 110 and the second electrode 140. The plasma generated by the discharge between the first electrode 110 and the second electrode 140 is a low-temperature plasma that can be generated even under atmospheric pressure. For this purpose, a power supply unit (not shown) capable of applying a voltage may be connected to the first electrode 110 and / or the second electrode 140. Such a power supply unit may apply, for example, an alternating current or pulsed voltage to the first electrode 110 and / or the second electrode 140. The plasma P may be, for example, a capacitively coupled plasma.

기상 증착장치(100)는 가스를 제1전극(110)과 제2전극(140) 사이에 공급하도록 중공(120)에 연결된 제1유로(114)와, 제1유로(114)를 통해 공급된 가스가 플라즈마(P)와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 중공(120)에 연결된 제2유로(118)를 더 포함할 수 있다. 피증착 구조체는, 예컨대 증착공정이 수행되는 기판을 포함할 수 있다. 한편, 여기체는 소정의 가스가 플라즈마(P)와 반응하여 여기된(excited) 물질을 포함할 수 있는데, 예컨대 활성화된 이온, 전자, 라디칼 등을 포함할 수 있다. The vapor deposition apparatus 100 includes a first flow path 114 connected to the hollow 120 so as to supply gas between the first electrode 110 and the second electrode 140, And a second flow path 118 connected to the hollow 120 to discharge the excited body generated by the reaction of the gas with the plasma P onto the deposition structure. The deposited structure may be, for example, And a substrate on which a deposition process is performed. On the other hand, the excitation body may include a material in which a predetermined gas is excited in response to the plasma (P), and may include, for example, an activated ion, an electron, a radical and the like.

제1유로(114)와 제2유로(118)는 제2전극(140)을 중심으로 상이한 방향으로 배치될 수 있다. 제1유로(114)는 소정의 가스가 외부에서 공급되는 통로인 채널(112)에 연결될 수 있다. 도 2에서는 채널(112)이 기상 증착장치(100)의 측면에 형성되어 있는 것으로 도시되어 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 채널(112)이 제1유로(114)와 제2유로(118)를 연결한 선상에 위치하도록 기상 증착장치(100)의 상면에 형성될 수도 있다.The first flow path 114 and the second flow path 118 may be disposed in different directions about the second electrode 140. The first flow path 114 may be connected to the channel 112 through which a predetermined gas is supplied from the outside. 2, the channel 112 is formed on the side surface of the vapor deposition apparatus 100. However, the present invention is not limited thereto, and the channel 112 may be formed between the first flow path 114 and the second flow path 118 The vapor deposition apparatus 100 may be formed on the upper surface of the vapor deposition apparatus 100.

제1유로(114)를 통해 가스가 공급되고 제2유로(118)를 통해 여기체가 배출되는 방향(-y 방향)은 전술한 제1방향(z축 방향)과 교차하는 방향일 수 있다. 이 경우, 상술한 전계가 집중되는 부분, 즉 뾰족한 부분은, 도면에 도시된 것과 같이 제1유로(114)의 중공(120) 방향 끝단(114a)이나 제2유로(118)의 중공(120) 방향 끝단(118a)이 될 수 있다. 따라서 제2전극(140)은 제1유로(114)의 중공(120) 방향 끝단(114a)과 제2유로(118)의 중공(120) 방향 끝단(118a)의 중앙부에서 적어도 일부가 절연체(130) 외부에 노출되도록 할 수 있다.The direction in which the gas is supplied through the first flow path 114 and the excited body is discharged through the second flow path 118 (-y direction) may be a direction intersecting with the first direction (z axis direction). In this case, the portion where the electric field is concentrated, that is, the pointed portion, is located at the end 114a in the hollow 120 of the first flow path 114 or in the hollow 120 of the second flow path 118, Direction end 118a. At least a part of the second electrode 140 in the central portion of the hollow 120 direction end 114a of the first flow path 114 and the hollow 120 direction end 118a of the second flow path 118 is connected to the insulator 130 ) To the outside.

도 3은 비교예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 3에 도시된 것과 같이 비교예에 따른 기상 증착장치는 중공(120)이 형성된 제1전극(110)과, 제1전극(110)과 이격되도록 중공 내에 배치된 제2전극(140`)을 포함한다. 제2전극(140`)은 z축 방향으로 연장된 기둥 형상일 수 있다.3 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to a comparative example. 3, the vapor deposition apparatus according to the comparative example includes a first electrode 110 having a hollow 120 formed thereon and a second electrode 140 'disposed in the hollow to be spaced apart from the first electrode 110 . The second electrode 140 'may be in the form of a column extending in the z-axis direction.

이러한 비교예에 따른 기상 증착장치의 경우, 중공(120) 내의 전계가 집중되는 부분, 즉 중공(120) 내의 상대적으로 뾰족한 부분인 제1유로(114)의 중공(120) 방향 끝단(114a)과 제2유로(118)의 중공(120) 방향 끝단(118a)에 인접한 제2전극(140`)의 부분에 아킹 등이 발생하여, 마치 스퍼터링에 의한 것과 같은 에칭(sputtering induced etching)이 발생하는 등 해당 부분이 손상되기 쉽다는 문제점이 있다.In the case of the vapor deposition apparatus according to this comparative example, the portion in which the electric field in the hollow 120 is concentrated, that is, the tip 114a in the hollow 120 direction of the first flow path 114, which is a relatively sharp portion in the hollow 120, Arcing or the like is generated in the portion of the second electrode 140 'adjacent to the end 118a of the second flow path 118 in the direction of the hollow 120 to cause sputtering induced etching as if sputtering There is a problem that the corresponding portion is liable to be damaged.

하지만 본 실시예에 따른 기상 증착장치(100)의 경우, 상술한 바와 같이 제2전극(140)이 절연체(130) 내에 위치하여 일부분이 외부에 노출되되, 노출되는 부분이 중공(120)의 전계가 집중되는 부분, 즉 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳이 되도록 노출된다. 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분은, 구체적으로 제1전극(110)의 내측면(116)의 상대적으로 뾰족한 부분으로 해석할 수 있다.However, in the case of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, the second electrode 140 is positioned in the insulator 130 and a part of the second electrode 140 is exposed to the outside, I.e., the portion where the electric field of the inner surface 116 of the first electrode 110 is concentrated. The portion where the electric field of the inner surface 116 of the first electrode 110 is concentrated can be interpreted as a relatively sharp portion of the inner surface 116 of the first electrode 110.

이와 같은 구성을 취함에 따라, 본 실시예에 따른 기상 증착장치(100)는 제2전극(140)이 사용 중 아킹 등에 의해 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 즉, 제2전극(140)의 노출된 부분이 제1전극(110)의 내측면(116)의 상대적으로 뾰족한 부분으로부터 먼 곳에 위치하게 함으로써, 제1전극(110)의 내측면(116)의 뾰족한 부분에 전계가 집중된다 하더라도 해당 부분에서 제2전극(140)의 노출된 부분까지의 거리가 멀어짐에 따라 아킹 등의 발생 확률을 낮춰, 제2전극(140)의 손상을 획기적으로 줄일 수 있다.With this configuration, the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment can effectively prevent the second electrode 140 from being damaged by arcing or the like during use. The exposed portion of the second electrode 140 is located farther from the relatively tapered portion of the inner surface 116 of the first electrode 110 so that the portion of the inner surface 116 of the first electrode 110, Even if an electric field is concentrated on the pointed portion, as the distance from the portion to the exposed portion of the second electrode 140 is increased, the occurrence probability of arcing or the like is lowered and the damage of the second electrode 140 can be drastically reduced .

제2전극(140)은 다양한 형태를 가질 수 있는바, 예컨대 도 1이나 도 2에 도시된 것과 같이 제2전극(140)은 제1서브전극(141)과 제2서브전극(142)을 포함할 수 있다. 즉, 제2전극(140)과 절연체(130)는 제1유로(114)를 통해 가스가 공급되고 제2유로(118)를 통해 여기체가 배출되는 방향(-y 방향)과 교차하는 제1방향(z축 방향)으로 연장된 기둥 형상이며, 제1서브전극(141)과 제2서브전극(142)은 상호 평행하게 배치될 수 있다.As shown in FIG. 1 or 2, the second electrode 140 includes a first sub-electrode 141 and a second sub-electrode 142, for example. can do. That is, the second electrode 140 and the insulator 130 are electrically connected to each other in the first direction crossing the direction (-y direction) in which the gas is supplied through the first flow path 114 and the excitation body is discharged through the second flow path 118 (z-axis direction), and the first sub-electrode 141 and the second sub-electrode 142 may be arranged in parallel to each other.

이때 제1서브전극(141)의 적어도 일부와 제2서브전극(142)의 적어도 일부는 각각 절연체(130) 외부에 노출되되, 제1서브전극(141)의 노출된 부분(141a)과 제2서브전극(142)의 노출된 부분(142a)은 절연체(130)의 중심을 기준으로 상호 반대방향(-x 방향과 +x 방향)이 되도록 할 수 있다. 이를 통해 제1전극(110)의 중공(120) 내에서 충분한 양의 플라즈마가 생성되도록 하면서도, 제1서브전극(141)과 제2서브전극(142) 각각의 노출된 부분(141a, 142a)이 제1전극(110)의 내측면(116)의 뾰족한 부분(114a, 118a)에서 상대적으로 가장 먼 곳에 위치하도록 함으로써, 제1서브전극(141)과 제2서브전극(142)이 아킹 등에 의해 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.At least a portion of the first sub-electrode 141 and at least a portion of the second sub-electrode 142 are exposed to the outside of the insulator 130. The exposed portion 141a of the first sub- The exposed portions 142a of the sub electrodes 142 may be opposite to each other with respect to the center of the insulator 130 (-x direction and + x direction). The exposed portions 141a and 142a of the first sub-electrode 141 and the second sub-electrode 142, respectively, are formed in the hollow 120 of the first electrode 110 to generate a sufficient amount of plasma, The first sub-electrode 141 and the second sub-electrode 142 are damaged by arcing or the like by locating the furthest portions 114a and 118a of the inner side surface 116 of the first electrode 110 at the farthest positions, Can be effectively prevented.

도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기상 증착장치(100)의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 기상 증착장치가 도 1을 참조하여 전술한 기상 증착장치와 상이한 것은, 절연체(130) 및 제2전극(140)의 구성이다.4 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus 100 according to another embodiment of the present invention. The vapor deposition apparatus according to this embodiment differs from the vapor deposition apparatus described above with reference to FIG. 1 in the configuration of the insulator 130 and the second electrode 140.

본 실시예에 따른 기상 증착장치(100)의 경우에도 제2전극(140)과 절연체(130)는 제1방향(z축 방향)으로 연장된 기둥 형상을 갖는다. 이때 제2전극(140)은, 제1방향(z축 방향)과 교차하는 방향(x축 방향)의 양단에서 절연체(130)를 관통하여 절연체(130) 외부에 노출된다. 여기서 제1방향(z축 방향)과 교차하는 방향(x축 방향)은 제1유로(114)를 통해 가스가 공급되고 제2유로(118)를 통해 여기체가 배출되는 방향(-y 방향)과도 교차하는 방향으로 이해될 수 있다.Also in the case of the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, the second electrode 140 and the insulator 130 have a column shape extending in the first direction (z-axis direction). At this time, the second electrode 140 is exposed to the outside of the insulator 130 through the insulator 130 at both ends in a direction (x-axis direction) intersecting with the first direction (z-axis direction). Here, the direction (x-axis direction) intersecting with the first direction (z-axis direction) is the direction in which the gas is supplied through the first flow path 114 and the excitation body is discharged through the second flow path 118 It can be understood as an intersecting direction.

이와 같은 본 실시예에 따른 기상 증착장치(100)는 제2전극(140)이 절연체(130) 내에 위치하여 일부분만 외부에 노출되되, 그 노출되는 부분(140a, 140b)이 제1전극(110)의 내측면(116)의 뾰족한 부분(114a, 118a)에서 상대적으로 가장 먼 곳에 위치하도록 함으로써, 제2전극(140)이 아킹 등에 의해 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.In the vapor deposition apparatus 100 according to this embodiment, the second electrode 140 is located in the insulator 130 and only a part thereof is exposed to the outside, and the exposed portions 140a and 140b are exposed to the first electrode 110 The second electrode 140 can be effectively prevented from being damaged by arcing or the like by making the second electrode 140 located farthest from the pointed portions 114a and 118a of the inner side surface 116 of the second electrode 140. [

한편, 지금까지는 제2전극(140)이 절연층(130) 내에 위치하는 것으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되지 않음은 물론이다. 예컨대 도 4에 도시된 것과 같은 기상 증착장치(100)의 경우, 제1전극(110) 내부에 중공(120)이 형성되고, 제2전극(140)이 중공(120) 내에 배치되되 제1전극(110)과 이격되어 배치되며, 절연체(130)가 제1전극(110)과 이격되어 배치되며 제2전극(140)의 일부가 노출되도록 제2전극(140)을 덮되, 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분에 인접한 제2전극(140)의 부분을 덮는 것으로 이해할 수도 있다.Meanwhile, although the second electrode 140 is described as being located in the insulating layer 130, it is needless to say that the present invention is not limited thereto. 4, the hollow 120 is formed in the first electrode 110, the second electrode 140 is disposed in the hollow 120, and the second electrode 140 is disposed in the hollow 120. In the vapor deposition apparatus 100, The insulator 130 is spaced apart from the first electrode 110 and covers the second electrode 140 such that a part of the second electrode 140 is exposed. The first electrode 110 The portion of the second electrode 140 adjacent to the portion where the electric field of the inner side surface 116 of the second electrode 140 is concentrated.

여기서 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분은 제1전극(110)의 내측면(116)의 상대적으로 뾰족한 부분으로, 전술한 바와 같이 제1유로(114)의 중공(120) 방향 끝단(114a)과 제2유로(118)의 중공(120) 방향 끝단(118a)일 수 있다. 따라서 제1유로(114)의 중공(120) 방향 끝단(114a)과 제2유로(118)의 중공(120) 방향 끝단(118a)에 인접한 제2전극(140)의 부분을 절연체(130)가 덮도록 하되, 제2전극(140)의 나머지 부분(140a, 140b)은 절연체(130)로 덮이지 않도록 함으로써, 제2전극(140)의 손상 발생률 획기적으로 낮추면서도 중공(120)에서의 플라즈마에 의한 여기체 생성이 원활하도록 할 수 있다.The portion of the inner surface 116 of the first electrode 110 where the electric field is concentrated is a relatively sharp portion of the inner surface 116 of the first electrode 110. As described above, And may be a hollow 120 direction end 114a and a hollow 120 direction end 118a of the second flow path 118. The portion of the second electrode 140 adjacent to the end portion 114a of the first flow path 114 in the direction of the hollow 120 and the end 118a of the second flow path 118 in the direction of the hollow 120 may be connected to the insulator 130 The remaining portions 140a and 140b of the second electrode 140 are not covered with the insulator 130 so that the occurrence rate of the damage of the second electrode 140 is drastically lowered, It is possible to smoothly generate an excited-state body.

도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 기상 증착장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 본 실시예에 따른 기상 증착장치는 공간분할 원자층 증착장치(ALD; atomic layer deposition)로 이해될 수 있으며, 전술한 실시예들 및 그 변형예들에 따른 기상 증착장치를 일 구성요소로 구비할 수 있다. 여기서 원자층 증착장치라 함은, 증착물질층이 반드시 원자단위의 층일 필요는 없으며, 분자층에 대해서도 적용 가능함은 물론이다.5 is a cross-sectional view schematically showing a part of a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention. The vapor deposition apparatus according to this embodiment can be understood as an atomic layer deposition (ALD), and it is possible to provide a vapor deposition apparatus according to the above-described embodiments and its modifications as one component . Here, the atomic layer deposition apparatus does not necessarily mean that the deposition material layer is an atomic unit layer, and it is applicable to a molecular layer.

본 실시예에 따른 기상 증착장치는 소스가스를 하방으로 주입할 수 있는 소스가스 주입유닛(30)과, 반응가스를 하방으로 주입할 수 있는 반응가스 주입유닛(100)과, 소스가스 주입유닛(30)과 반응가스 주입유닛(100) 사이에 위치하며 가스를 외부로 펌핑할 수 있는 펌핑유닛(60)을 포함하는바, 반응가스 주입유닛(100)은 전술한 실시예들이나 그 변형예들에 따른 구조를 취할 수 있다.The vapor deposition apparatus according to the present embodiment includes a source gas injection unit 30 capable of injecting a source gas downward, a reaction gas injection unit 100 capable of injecting a reaction gas downward, a source gas injection unit 30 and the reaction gas injection unit 100 and includes a pumping unit 60 capable of pumping the gas to the outside. The reaction gas injection unit 100 may be formed of the above-described embodiments or modifications thereof It is possible to take the structure according to FIG.

원자층 증착이 이루어질 피증착 구조체인 기판(210)은 이송부(미도시)에 의해 소스가스 주입유닛(30), 펌핑유닛(60) 및 반응가스 주입유닛(100)의 하방에서 수평방향(예를 들어, X 방향)으로 순차적으로 또는 선택적으로 이동할 수 있다. 한편, 기판(210)을 이송하는 이송부는 롤러와 컨베이어 벨트를 포함하여 구성될 수 있으나, 이는 예시적인 것일 뿐, 레일과 리니어 모터를 포함하는 구성일 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다.The substrate 210 which is the deposition target structure in which the atomic layer deposition is to be performed is formed in a horizontal direction (for example, a direction perpendicular to the substrate) by a transferring unit (not shown), below the source gas injection unit 30, the pumping unit 60 and the reaction gas injection unit 100 For example, in the X direction). The conveying unit for conveying the substrate 210 may include a roller and a conveyor belt. However, the conveying unit may be configured to include a rail and a linear motor.

소스가스 주입유닛(30)은 소스전구체를 포함하는 소스가스를 하방으로 주입할 수 있다. 소스가스 주입유닛(30)은 상부에서 하부를 향해 (-y 방향으로) 연장된 소스가스 노즐(31)을 통해 하방(-y 방향)으로 소스가스를 주입한다. 소스가스 노즐(31)은 다양한 형태를 가질 수 있으며, 예를 들어, 상부에서 하부로 순차로 위치한 제1위치(32), 제2위치(33) 및 제3위치(34)에 있어서, 제2위치(33)에서의 단면적이 제1위치(32)에서의 단면적 및 제3위치(34)에서의 단면적보다 크고, 제3위치(34)에서의 단면적이 제1위치(32)에서의 단면적보다 작을 수 있다. 이러한 소스가스 노즐(31)을 통해 하방으로 공급된 소스가스는 소스가스 노즐(31)을 통과한 후, 도 5에 도시된 것과 같이, xz 평면 상에서 대략 수평방향으로 이동하며 퍼질 수 있다.The source gas injection unit 30 can inject the source gas containing the source precursor downward. The source gas injection unit 30 injects the source gas downward (-y direction) through the source gas nozzle 31 extending from the top to the bottom (in the -y direction). The source gas nozzles 31 may have various forms and may be of a variety of shapes such as, for example, in a first position 32, a second position 33 and a third position 34 located sequentially from top to bottom, The cross-sectional area at the first position 32 is greater than the cross-sectional area at the third position 34 and the cross-sectional area at the third position 34 is greater than the cross- Can be small. The source gas supplied downward through the source gas nozzle 31 may pass through the source gas nozzle 31 and then spread and travel in a substantially horizontal direction on the xz plane, as shown in Fig.

이송부에 의하여 기판(210)이 +x 방향으로 이동함에 있어서, 소스가스 주입유닛(30) 하측을 지나갈 시, 소스가스 주입유닛(30)에서 하방으로 주입되는 소스가스는 소스가스 노즐(31) 하측에 위치한 기판(210)의 일부분에 소스물질층을 형성하게 된다. 기판(210)이 +x 방향으로 계속 이동함으로써 결과적으로 기판(210)의 전면(全面)에 소스물질층이 형성되게 된다. 소스물질층은 예컨대 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3)층일 수 있다.The source gas injected downward from the source gas injecting unit 30 when the substrate 210 moves under the source gas injecting unit 30 in the + x direction is moved to the lower side of the source gas nozzle 31 To form a layer of source material on a portion of the substrate 210 located in the substrate 210. The substrate 210 continues to move in the + x direction, resulting in the formation of a source material layer on the entire surface of the substrate 210. The source material layer may be, for example, a trimethyl aluminum (TMA: Al (CH 3 ) 3 ) layer.

반응가스 주입유닛(100)은 반응가스를 하방으로 주입할 수 있다. 반응가스 주입유닛(100)은 전술한 실시예들 및 그 변형예들에 따른 기상 증착장치를 포함한다. 이송부에 의하여 기판(210)이 +x 방향으로 이동함에 있어서 반응가스 주입유닛(100) 하측을 지나갈 시, 반응가스 주입유닛(100)에서 하방으로 제공되는 반응가스는 기판(210) 상에 이미 형성된 소스물질층과 반응하여 최종물질층을 형성하게 된다. 소스물질층이 전술한 것과 같은 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3)층일 경우, 반응가스는 수증기를 포함하거나 오존을 포함할 수 있다. 이 경우 트리메틸 알루미늄층은 수증기나 오존과 반응하여, 최종물질층, 즉 알루미늄 옥사이드(Al2O3)층이 될 수 있다. 한편, 반응가스의 종류는 최종물질층에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 예를 들어, N2O,NH3등이 제공될 수도 있다.The reaction gas injection unit 100 can inject the reaction gas downward. The reactive gas injection unit 100 includes a vapor deposition apparatus according to the above-described embodiments and its modifications. The reaction gas supplied downward from the reaction gas injection unit 100 when the substrate 210 passes under the reaction gas injection unit 100 when the substrate 210 moves in the + x direction is formed on the substrate 210 And react with the source material layer to form the final material layer. When the source material layer is a trimethyl aluminum (TMA: Al (CH 3 ) 3 ) layer as described above, the reaction gas may contain water vapor or may contain ozone. In this case, the trimethylaluminum layer reacts with water vapor or ozone to form a final material layer, that is, an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer. On the other hand, the kind of the reaction gas may be variously changed depending on the final material layer, for example, N 2 O, NH 3, etc. may be provided.

펌핑유닛(60)은 소스가스 주입유닛(30)과 반응가스 주입유닛(100) 사이에 위치하며, 비활성 가스를 기판(210) 상에 퍼지하는 퍼지부(64)와 잔류 가스를 외부로 배출하는 펌핑부(62, 66)를 갖는다. 펌핑부(62, 66)는, 예컨대 소스가스 주입유닛(30)에 인접하여 기판(210) 상에서 미반응하고 잔류하는 과잉의 전구체 또는 물리흡착 분자 형태인 소스가스를 외부로 배출하는 제1펌핑부(62)와, 반응가스 주입유닛(100)에 인접하여 기판(210) 상에서 미반응하고 잔류하는 과잉의 전구체 또는 물리흡착 분자 형태인 반응가스를 외부로 배출하는 제2펌핑부(66)를 포함할 수 있다. 물론 필요에 따라 펌핑유닛(60)은 두 개의 펌핑부(62, 66)가 아닌 더 많은 개수의 펌핑부들을 가질 수도 있다. The pumping unit 60 is disposed between the source gas injection unit 30 and the reaction gas injection unit 100 and includes a purge part 64 for purging the inert gas onto the substrate 210 and a purge part 64 for purifying the residual gas And pumping portions 62 and 66. The pumping units 62 and 66 are connected to the first pumping unit 62 and the second pumping unit 64. The pumping units 62 and 66 are connected to the first pumping unit 62, And a second pumping unit 66 for discharging an excess reactive precursor or a reactive gas in the form of physically adsorbed molecules to the outside, which is unreacted on the substrate 210 adjacent to the reactive gas injection unit 100 can do. Of course, if desired, the pumping unit 60 may have a larger number of pumping units than the two pumping units 62 and 66.

펌핑유닛(60)은 두 개의 펌핑부(62, 66) 사이에, 예컨대 질소와 같은 비활성 가스를 기판(210) 상에 주입하는 퍼지부(64)를 더 가질 수 있다. 퍼지부(64)에서 하방으로 공급되는 비활성 가스는 기판(210) 상에서 미반응하고 잔류하는 과잉의 전구체 또는 물리흡착 분자를 탈착시키는 역할을 하면서 동시에 소스가스 주입유닛(30)에서 제공되는 소스가스와 반응가스 주입유닛(100)에서 제공되는 반응가스가 서로 섞이지 않도록 차단하는 커튼 역할을 할 수 있다. 즉, 퍼지부(64)에 의하여 공급되는 가스에 의하여 소스가스가 반응가스 주입유닛(100)의 하측으로 이동하여 반응가스와 섞이는 것을 방지하고, 반응가스가 소스가스 주입유닛(30)의 하측으로 이동하여 소스가스와 섞이는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. The pumping unit 60 may further have a purge portion 64 between the two pumping portions 62 and 66 to inject an inert gas such as nitrogen onto the substrate 210. [ The inert gas supplied downward from the purge section 64 serves to desorb the excess precursor or the physically adsorbed molecules remaining unreacted on the substrate 210, while at the same time discharging the source gas supplied from the source gas injection unit 30 It can serve as a curtain for blocking reaction gases supplied from the reaction gas injection unit 100 from being mixed with each other. That is, it is possible to prevent the source gas from moving to the lower side of the reaction gas injection unit 100 by the gas supplied by the purge part 64 and mixing with the reaction gas, and to prevent the reaction gas from flowing into the lower side of the source gas injection unit 30 It is possible to effectively prevent the gas from moving and mixing with the source gas.

한편, 본 실시예에 따른 기상 증착장치의 경우에서, 소스가스가 기판(210) 표면을 따라 잘 퍼질 수 있도록 층류 유동(laminar flow)이 형성되도록 하기 위해, 소스가스 주입유닛(30)과 그 하부의 기판(210) 사이의 거리(d1)가 짧아지도록 하는 것이 바람직하다. 아울러 반응가스는 기판(210) 표면에 형성된 소스물질층과 반응만 하면 되기에, 반응가스 주입유닛(100)과 기판(210) 사이의 거리(d2)는 소스가스 주입유닛(30)과 기판(210) 사이의 거리(d1)보다 크도록 하여, 기판(210) 상부에서 반응가스가 충분히 존재할 수 있는 공간을 확보할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.On the other hand, in the case of the vapor deposition apparatus according to the present embodiment, in order to form a laminar flow so that the source gas can spread well along the surface of the substrate 210, the source gas injection unit 30 and its lower portion So that the distance d1 between the substrates 210 is shortened. The distance d2 between the reaction gas injection unit 100 and the substrate 210 is smaller than the distance d2 between the source gas injection unit 30 and the substrate 210. [ 210 so that a sufficient space for the reaction gas can be ensured at the upper portion of the substrate 210.

지금까지는 물질층을 증착하기 위한 기상 증착장치에 대하여 설명하였으나, 제1전극(110)의 중공(120) 내에 배치된 제2전극(140)이 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분에서 손상되지 않도록 하기 위해 제2전극(140)의 일부가 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 제2전극(140)이 절연체(130) 내에 배치되거나 절연체(130)가 제2전극(140)의 일부를 덮도록 하는 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 증착공정, 식각공정, 세정공정, 표면개질공정 등을 위한 플라즈마 소스로 확장하여 적용될 수 있다.The vapor deposition apparatus for depositing the material layer has been described so far that the second electrode 140 disposed in the hollow 120 of the first electrode 110 is formed on the inner side surface 116 of the first electrode 110 The second electrode 140 may be disposed in the insulator 130 such that a part of the second electrode 140 is exposed at a portion far from the portion where the electric field is concentrated, The technical idea of the present invention to cover a part of the second electrode 140 is not limited thereto and can be extended to a plasma source for a deposition process, an etching process, a cleaning process, a surface modification process, and the like.

즉, 도 1, 도 2 및 도 4에 도시된 제1전극(110)과 제2전극(140) 사이의 방전에 의한 플라즈마(P)는 저온 플라즈마로서 대기압 하에서도 발생이 가능한 플라즈마이며, 보통 1 내지 10 eV의 에너지를 가져 표면에서의 화학결합을 파괴하기에 적당하기 때문에, 식각공정, 세정공정이나 표면개질공정에도 사용될 수 있다. 예컨대 도 1, 도 2 및 도 4에 도시된, 제1유로(114)를 통하여 공급되는 제1가스가 물질을 식각할 수 있는 성질을 가진다면, 제1가스가 플라즈마(P)와 반응하여 생성된 여기체는 제2유로(118)를 통하여 제공됨으로써, 플라즈마 소스의 하방에 배치된 물질층을 식각할 수도 있다. That is, the plasma P generated by the discharge between the first electrode 110 and the second electrode 140 shown in FIGS. 1, 2, and 4 is a low-temperature plasma that can be generated even under atmospheric pressure, To 10 < / RTI > eV and is suitable for destroying chemical bonds on the surface, it can also be used in etching processes, cleaning processes and surface modification processes. For example, if the first gas supplied through the first flow path 114 shown in FIGS. 1, 2, and 4 has a property of etching the material, the first gas reacts with the plasma (P) The excited body may be provided through the second flow path 118 to etch the material layer disposed below the plasma source.

이러한 플라즈마 소스를 구성하는 요소들은 앞에서 설명한 기상 증착장치를 구성하는 요소들과 동일하다. 예컨대 플라즈마 소스에서도, 도 1, 도 2 및 도 4를 참조하여 설명한 것처럼, 제1전극(110)의 중공(120) 내에 배치된 제2전극(140)이 제1전극(110)의 내측면(116)의 전계가 집중되는 부분에서 손상되지 않도록 하기 위해 제2전극(140)의 일부가 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 제2전극(140)이 절연체(130) 내에 배치되거나 절연체(130)가 제2전극(140)의 일부를 덮도록 할 수 있다.The elements constituting such a plasma source are the same as those constituting the above-described vapor deposition apparatus. 2 and 4, the second electrode 140 disposed in the hollow 120 of the first electrode 110 is electrically connected to the inner surface of the first electrode 110 (see FIG. 1) The second electrode 140 may be disposed in the insulator 130 such that a portion of the second electrode 140 is exposed at a distance from the portion where the electric field is concentrated, 130 may cover a part of the second electrode 140.

나아가, 제2전극(140)이 제1전극(110)의 내측면(116)의 뾰족한 부분에서 먼 곳에서 적어도 일부가 절연체(130) 외부에 노출되도록 할 수 있다. 여기서 제1전극(110)의 내측면(116)의 뾰족한 부분은, 제1유로(114)의 중공(120) 방향 끝단과 제2유로(118)의 중공(120) 방향 끝단일 수 있으며, 따라서 제2전극(140)은 그 두 끝단의 중앙부에서 적어도 일부가 절연체(130) 외부에 노출될 수 있다. 제2전극(140)과 절연체(130)는 제1방향(z축)으로 연장된 형상을 가지며, 이 제1방향은, 제1유로(114)를 통해 가스가 공급되고 제2유로(118)를 통해 여기체가 배출되는 방향(-y 방향)과 교차할 수 있다.In addition, the second electrode 140 may be exposed to the outside of the insulator 130 at least partially away from the pointed portion of the inner surface 116 of the first electrode 110. The pointed portion of the inner surface 116 of the first electrode 110 may be a single end in the direction of the hollow 120 of the first flow path 114 and a direction of the hollow 120 of the second flow path 118, At least a part of the second electrode 140 may be exposed to the outside of the insulator 130 at the center of the two ends. The second electrode 140 and the insulator 130 have a shape extending in a first direction (z axis), and the first direction is a direction in which the gas is supplied through the first flow path 114, (-Y direction) in which the excitation body is discharged through the discharge space.

플라즈마 소스의 경우에도, 예컨대 제2전극(140)과 절연체(130)는 제1방향(z 방향)으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 제2전극(140)은 제1방향(z 방향)과 교차하는 방향의 양단에서 절연체(130)를 관통하여 절연체(130) 외부에 노출될 수 있다.The second electrode 140 and the insulator 130 have a column shape extending in a first direction (z direction), and the second electrode 140 has a column shape extending in a first direction (z direction) Through the insulator 130 and exposed to the outside of the insulator 130. [

또는, 제2전극(140)과 절연체(130)는 제1방향(z 방향)으로 연장된 기둥 형상을 갖고, 제2전극(140)은 상호 평행하게 배치된 제1서브전극(141)과 제2서브전극(142)을 포함하며, 제1서브전극(141)의 적어도 일부와 제2서브전극(142)의 적어도 일부는 각각 절연체(130) 외부에 노출되되, 제1서브전극(141)의 노출된 부분과 제2서브전극(142)의 노출된 부분은 절연체(130)의 중심을 기준으로 상호 반대방향일 수 있다.Alternatively, the second electrode 140 and the insulator 130 may have a column shape extending in a first direction (z direction), and the second electrode 140 may have a first sub-electrode 141 and a second sub- At least a part of the first sub-electrode 141 and at least a part of the second sub-electrode 142 are exposed to the outside of the insulator 130, The exposed portions and the exposed portions of the second sub-electrodes 142 may be opposite to each other with respect to the center of the insulator 130.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

30: 소스가스 주입유닛 60: 펌핑유닛
62: 제1펌핑부 64: 퍼지부
66: 제2펌핑부 100: 기상 증착장치
110: 제1전극 112: 채널
114: 제1유로 116: 내측면
118: 제2유로 120: 중공
130: 절연체 140: 제2전극30: Source gas injection unit 60: Pumping unit
62: first pumping section 64:
66: second pumping unit 100: vapor deposition apparatus
110: first electrode 112: channel
114: first flow path 116: inner side
118: second flow path 120: hollow
130: insulator 140: second electrode

Claims (19)

내부에 중공이 형성된 제1전극;
상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체; 및
상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된, 제2전극;을 포함하고,
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마가 발생할 수 있고,
가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로; 및
상기 제1유로를 통해 공급된 상기 가스가 상기 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로;를 더 포함하고,
상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분은 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단을 포함하고,
상기 제2전극의 상기 적어도 일부는 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단 사이의 중앙부에서 상기 제1유로 및 상기 제2유로를 가로지르는 방향으로 상기 절연체로부터 노출된,
기상 증착장치.A first electrode having a hollow therein;
An insulator disposed in the cavity so as to be spaced apart from the first electrode; And
A second electrode disposed in the insulator such that at least a portion thereof is exposed to the outside of the insulator and is exposed at a distance from a portion where an electric field is concentrated on the inner surface of the first electrode; / RTI >
A plasma may be generated between the first electrode and the second electrode,
A first flow path connected to the hollow to supply gas between the first electrode and the second electrode; And
And a second flow path connected to the hollow to discharge the excited body generated on the deposition structure by reacting the gas supplied through the first flow path with the plasma,
Wherein a portion of the inner surface of the first electrode where the electric field is concentrated includes the hollow end of the first flow path and the hollow end of the second flow path,
Wherein at least a portion of the second electrode is exposed from the insulator in a direction transverse to the first flow path and the second flow path at a central portion between the hollow direction end of the first flow path and the hollow direction end of the second flow path, And,
Vapor deposition apparatus. 내부에 중공이 형성된 제1전극;
상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극; 및
상기 제1전극과 이격되어 배치되며 상기 제2전극의 일부가 노출되도록 상기 제2전극을 덮되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에 인접한 상기 제2전극의 부분을 덮는, 절연체;를 포함하고,
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 플라즈마가 발생할 수 있고,
가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로; 및
상기 제1유로를 통해 공급된 상기 가스가 상기 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로;를 더 포함하고,
상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분은 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단을 포함하고,
상기 제2전극의 상기 적어도 일부는 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단 사이의 중앙부에서 상기 제1유로 및 상기 제2유로를 가로지르는 방향으로 상기 절연체로부터 노출된,
기상 증착장치.A first electrode having a hollow therein;
A second electrode spaced apart from the first electrode in the hollow; And
An insulating layer covering the portion of the second electrode adjacent to the portion where the electric field of the inner surface of the first electrode is concentrated, the second electrode being disposed apart from the first electrode and covering the second electrode such that a part of the second electrode is exposed, Lt; / RTI >
A plasma may be generated between the first electrode and the second electrode,
A first flow path connected to the hollow to supply gas between the first electrode and the second electrode; And
And a second flow path connected to the hollow to discharge the excited body generated on the deposition structure by reacting the gas supplied through the first flow path with the plasma,
Wherein a portion of the inner surface of the first electrode where the electric field is concentrated includes the hollow end of the first flow path and the hollow end of the second flow path,
Wherein at least a portion of the second electrode is exposed from the insulator in a direction transverse to the first flow path and the second flow path at a central portion between the hollow direction end of the first flow path and the hollow direction end of the second flow path, And,
Vapor deposition apparatus. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하는, 기상 증착장치. The method according to claim 1,
Wherein the second electrode and the insulator have a shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the gas is supplied through the first flow path and the direction in which the excitation element is discharged through the second flow path , Vapor deposition apparatus. 제1항에 있어서,
상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상기 제1방향과 교차하는 방향의 양단에서 상기 절연체를 관통하여 상기 절연체 외부에 노출된, 기상 증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the second electrode and the insulator have a columnar shape extending in a first direction and the first direction is perpendicular to a direction in which the gas is supplied through the first flow path and the excitation body is discharged through the second flow path And the second electrode is exposed to the outside of the insulator through the insulator at both ends in a direction crossing the first direction. 제1항에 있어서,
상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상호 평행하게 배치된 제1서브전극과 제2서브전극을 포함하며, 상기 제1서브전극의 적어도 일부와 상기 제2서브전극의 적어도 일부는 각각 상기 절연체 외부에 노출되되, 상기 제1서브전극의 노출된 부분과 상기 제2서브전극의 노출된 부분은 상기 절연체의 중심을 기준으로 상호 반대방향인, 기상 증착장치.The method according to claim 1,
Wherein the second electrode and the insulator have a columnar shape extending in a first direction and the first direction is perpendicular to a direction in which the gas is supplied through the first flow path and the excitation body is discharged through the second flow path And the second electrode includes a first sub-electrode and a second sub-electrode arranged in parallel to each other, wherein at least a part of the first sub-electrode and at least a part of the second sub-electrode are exposed to the outside of the insulator, And the exposed portion of the first sub-electrode and the exposed portion of the second sub-electrode are opposite to each other with respect to the center of the insulator. 소스가스를 하방으로 주입할 수 있는 소스가스 주입유닛;
반응가스를 하방으로 주입할 수 있는 반응가스 주입유닛; 및
상기 소스가스 주입유닛과 상기 반응가스 주입유닛 사이에 위치하며, 상기 소스가스 및 상기 반응가스를 외부로 펌핑할 수 있는 펌핑유닛;을 포함하고,
상기 반응가스 주입유닛은,
내부에 중공이 형성된 제1전극;
상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체;
상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된, 제2전극;
상기 반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로; 및
상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로;
를 포함하는, 기상 증착장치.A source gas injection unit capable of injecting a source gas downward;
A reaction gas injection unit capable of injecting the reaction gas downward; And
And a pumping unit located between the source gas injection unit and the reaction gas injection unit and capable of pumping the source gas and the reaction gas to the outside,
The reaction gas injection unit includes:
A first electrode having a hollow therein;
An insulator disposed in the cavity so as to be spaced apart from the first electrode;
A second electrode disposed in the insulator such that at least a portion thereof is exposed to the outside of the insulator and is exposed at a distance from a portion where an electric field is concentrated on the inner surface of the first electrode;
A first flow path connected to the hollow to supply the reaction gas between the first electrode and the second electrode; And
A second flow path connected to the hollow for discharging the excited body generated on the deposition structure by reacting the reaction gas supplied through the first flow path with the plasma generated between the first electrode and the second electrode;
And the vapor deposition apparatus. 소스가스를 하방으로 주입할 수 있는 소스가스 주입유닛;
반응가스를 하방으로 주입할 수 있는 반응가스 주입유닛; 및
상기 소스가스 주입유닛과 상기 반응가스 주입유닛 사이에 위치하며, 상기 소스가스 및 상기 반응가스를 외부로 펌핑할 수 있는 펌핑유닛;을 포함하고,
상기 반응가스 주입유닛은,
내부에 중공이 형성된 제1전극;
상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극;
상기 제1전극과 이격되어 배치되며 상기 제2전극의 일부가 노출되도록 상기 제2전극을 덮되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에 인접한 상기 제2전극의 부분을 덮는, 절연체;
상기 반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로; 및
상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로;
를 포함하는, 기상 증착장치.A source gas injection unit capable of injecting a source gas downward;
A reaction gas injection unit capable of injecting the reaction gas downward; And
And a pumping unit located between the source gas injection unit and the reaction gas injection unit and capable of pumping the source gas and the reaction gas to the outside,
The reaction gas injection unit includes:
A first electrode having a hollow therein;
A second electrode spaced apart from the first electrode in the hollow;
An insulating layer covering the portion of the second electrode adjacent to the portion where the electric field of the inner surface of the first electrode is concentrated, the second electrode being disposed apart from the first electrode and covering the second electrode such that a part of the second electrode is exposed, ;
A first flow path connected to the hollow to supply the reaction gas between the first electrode and the second electrode; And
A second flow path connected to the hollow for discharging the excited body generated on the deposition structure by reacting the reaction gas supplied through the first flow path with the plasma generated between the first electrode and the second electrode;
And the vapor deposition apparatus. 제9항 또는 제10항에 있어서,
상기 펌핑유닛은 상기 소스가스 주입유닛에 인접한 제1펌핑존과, 상기 반응가스 주입유닛에 인접한 제2펌핑존을 포함하는, 기상 증착장치.11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the pumping unit includes a first pumping zone adjacent to the source gas injection unit and a second pumping zone adjacent to the reactive gas injection unit. 제11항에 있어서,
상기 펌핑유닛은, 상기 제1펌핑존과 상기 제2펌핑존 사이에 배치되며 가스를 하방으로 주입할 수 있는 퍼징노즐을 더 포함하는, 기상 증착장치.12. The method of claim 11,
Wherein the pumping unit further comprises a purging nozzle disposed between the first pumping zone and the second pumping zone and capable of injecting gas downward. 내부에 중공이 형성된 제1전극;
상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 절연체;
상기 제1전극과 이격되어 배치되며 적어도 일부가 상기 절연체 외부에 노출되도록 상기 절연체 내에 배치되되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에서 먼 곳에서 노출되도록 배치된, 제2전극;
반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로; 및
상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로;
를 포함하고,
상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분은 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단을 포함하고,
상기 제2전극의 상기 적어도 일부는 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단 사이의 중앙부에서 상기 제1유로 및 상기 제2유로를 가로지르는 방향으로 상기 절연체로부터 노출되는,
플라즈마 소스.A first electrode having a hollow therein;
An insulator disposed in the cavity so as to be spaced apart from the first electrode;
A second electrode disposed in the insulator such that at least a portion thereof is exposed to the outside of the insulator and is exposed at a distance from a portion where an electric field is concentrated on the inner surface of the first electrode;
A first flow path connected to the hollow to supply a reaction gas between the first electrode and the second electrode; And
A second flow path connected to the hollow for discharging the excited body generated on the deposition structure by reacting the reaction gas supplied through the first flow path with the plasma generated between the first electrode and the second electrode;
Lt; / RTI >
Wherein a portion of the inner surface of the first electrode where the electric field is concentrated includes the hollow end of the first flow path and the hollow end of the second flow path,
Wherein at least a portion of the second electrode is exposed from the insulator in a direction transverse to the first flow path and the second flow path at a central portion between the hollow direction end of the first flow path and the hollow direction end of the second flow path, felled,
Plasma source. 내부에 중공이 형성된 제1전극;
상기 중공 내에 상기 제1전극과 이격되어 배치되는 제2전극;
상기 제1전극과 이격되어 배치되며 상기 제2전극의 일부가 노출되도록 상기 제2전극을 덮되, 상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분에 인접한 상기 제2전극의 부분을 덮는, 절연체;
반응가스를 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 공급하도록 상기 중공에 연결된 제1유로; 및
상기 제1유로를 통해 공급된 상기 반응가스가 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에서 발생되는 플라즈마와 반응하여 생성된 여기체를 피증착 구조체 상으로 배출하도록 상기 중공에 연결된 제2유로;
를 포함하고,
상기 제1전극의 내측면의 전계가 집중되는 부분은 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단을 포함하고,
상기 제2전극의 상기 적어도 일부는 상기 제1유로의 상기 중공 방향 끝단과 상기 제2유로의 상기 중공 방향 끝단 사이의 중앙부에서 상기 제1유로 및 상기 제2유로를 가로지르는 방향으로 상기 절연체로부터 노출되는,
플라즈마 소스.A first electrode having a hollow therein;
A second electrode spaced apart from the first electrode in the hollow;
An insulating layer covering the portion of the second electrode adjacent to the portion where the electric field of the inner surface of the first electrode is concentrated, the second electrode being disposed apart from the first electrode and covering the second electrode such that a part of the second electrode is exposed, ;
A first flow path connected to the hollow to supply a reaction gas between the first electrode and the second electrode; And
A second flow path connected to the hollow for discharging the excited body generated on the deposition structure by reacting the reaction gas supplied through the first flow path with the plasma generated between the first electrode and the second electrode;
Lt; / RTI >
Wherein a portion of the inner surface of the first electrode where the electric field is concentrated includes the hollow end of the first flow path and the hollow end of the second flow path,
Wherein at least a portion of the second electrode is exposed from the insulator in a direction transverse to the first flow path and the second flow path at a central portion between the hollow direction end of the first flow path and the hollow direction end of the second flow path, felled,
Plasma source. 삭제delete 삭제delete 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 반응가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하는, 플라즈마 소스.The method according to claim 13 or 14,
Wherein the second electrode and the insulator have a shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the reactive gas is supplied through the first flow path and the direction in which the excited body is discharged through the second flow path , A plasma source. 제13항 또는 제14항에 있어서,
상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 반응가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상기 제1방향과 교차하는 방향의 양단에서 상기 절연체를 관통하여 상기 절연체 외부에 노출된, 플라즈마 소스.The method according to claim 13 or 14,
Wherein the second electrode and the insulator have a column shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the reaction gas is supplied through the first flow path and the excited body is discharged through the second flow path, And the second electrode is exposed to the outside of the insulator through the insulator at both ends in a direction crossing the first direction. 제13항에 있어서,
상기 제2전극과 상기 절연체는 제1방향으로 연장된 기둥 형상을 가지며, 상기 제1방향은, 상기 제1유로를 통해 상기 반응가스가 공급되고 상기 제2유로를 통해 상기 여기체가 배출되는 방향과 교차하고, 상기 제2전극은 상호 평행하게 배치된 제1서브전극과 제2서브전극을 포함하며, 상기 제1서브전극의 적어도 일부와 상기 제2서브전극의 적어도 일부는 각각 상기 절연체 외부에 노출되되, 상기 제1서브전극의 노출된 부분과 상기 제2서브전극의 노출된 부분은 상기 절연체의 중심을 기준으로 상호 반대방향인, 플라즈마 소스.14. The method of claim 13,
Wherein the second electrode and the insulator have a column shape extending in a first direction and the first direction is a direction in which the reaction gas is supplied through the first flow path and the excited body is discharged through the second flow path, Wherein at least a portion of the first sub-electrode and at least a portion of the second sub-electrode are exposed to the outside of the insulator, wherein the first sub-electrode and the second sub- Wherein the exposed portion of the first sub-electrode and the exposed portion of the second sub-electrode are opposite to each other with respect to a center of the insulator.
KR1020120075473A 2012-07-11 2012-07-11 Vapor deposition apparatus and plasma source KR101881956B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120075473A KR101881956B1 (en) 2012-07-11 2012-07-11 Vapor deposition apparatus and plasma source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120075473A KR101881956B1 (en) 2012-07-11 2012-07-11 Vapor deposition apparatus and plasma source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140008673A KR20140008673A (en) 2014-01-22
KR101881956B1 true KR101881956B1 (en) 2018-07-26

Family

ID=50142352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120075473A KR101881956B1 (en) 2012-07-11 2012-07-11 Vapor deposition apparatus and plasma source

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101881956B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101757578B1 (en) * 2015-03-10 2017-07-13 주식회사 엘지화학 Modified poly(arylene ether) resin composition and molded article produced thereof

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5187115A (en) * 1977-12-05 1993-02-16 Plasma Physics Corp. Method of forming semiconducting materials and barriers using a dual enclosure apparatus
US5939152A (en) * 1996-08-19 1999-08-17 Citizen Watch Co., Ltd. Method of forming hard carbon film over the inner surface of guide bush
KR100436297B1 (en) * 2000-03-14 2004-06-18 주성엔지니어링(주) Plasma spray apparatus for use in semiconductor device fabrication and method of fabricating semiconductor devices using the same
US6835425B2 (en) * 2000-12-12 2004-12-28 Konica Corporation Layer-forming method using plasma state reactive gas
KR100948951B1 (en) * 2007-07-16 2010-03-23 성균관대학교산학협력단 Atmospheric pressure plasma system provided with extended power electrode
KR100963848B1 (en) * 2007-12-14 2010-07-09 다이나믹솔라디자인 주식회사 Capacitively coupled plasma reactor with multi laser scanning line

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140008673A (en) 2014-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101529578B1 (en) Apparatus and method for treating substrate using plasma
US11101328B2 (en) Vapor deposition apparatus, deposition method, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
KR102336686B1 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method using the same
KR101881956B1 (en) Vapor deposition apparatus and plasma source
KR20150019436A (en) Method for atomic layer deposition and apparatus for atomic layer deposition
KR101388224B1 (en) Deposition apparatus providing direct palsma
KR102096955B1 (en) Apparatus and method fdr treating substrates
KR102173047B1 (en) Vapor deposition apparatus
KR101855306B1 (en) Vapor deposition apparatus and plasma source
US9363881B2 (en) Plasma device and operation method of plasma device
US10038169B2 (en) Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US9558963B2 (en) Plasma reactor with conductive member in reaction chamber for shielding substrate from undesirable irradiation
US20160348241A1 (en) Vapor deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
KR101407068B1 (en) FAST REMOTE PLASMA ATOmic layer deposition apparatus
KR20210009391A (en) Vapor deposition apparatus
KR102203098B1 (en) Vapor deposition apparatus
KR20140140467A (en) Thin Film Deposition Apparatus, and Linear Source therefor
US8828490B2 (en) Vapor deposition method
US20150194604A1 (en) Vapor deposition apparatus, vapor deposition method and method for manufacturing organic light-emitting display apparatus
KR101460012B1 (en) Large area substrate processing apparatus
KR101687904B1 (en) Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Apparatus with Intermediate Reaction Chamber
KR20230021484A (en) Deposition apparatus and cleaning method for deposition apparatus
KR102111019B1 (en) Vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus
KR101171564B1 (en) Process Chamber of Deposition Apparatus
KR20140017903A (en) Atomic layer deposition system and method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right