KR101856109B1 - Ceramic Board Manufacturing Method and Ceramic Board manufactured by thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세라믹 기판 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 세라믹 기판에 관한 것으로 시드층이 형성된 세라믹 기재와, 회로패턴 형상으로 가공한 금속박을 준비하고, 상기 세라믹 기재와 상기 금속박 사이에 브레이징 필러층을 개재한 상태에서 브레이징하여 상기 금속박을 상기 시드층 상에 접합시킴으로써 기존에 소성공정에 의한 계면 결합 대신에 브레이징을 통해 금속박과 세라믹 기재를 일체화시키는 구성으로 금속박과 세라믹 기재의 부착력을 크게 향상시키며 브레이징 접합 후 에칭과정을 단순화하여 생산성을 향상시킨 것이다. The present invention relates to a ceramic substrate manufacturing method and a ceramic substrate produced by the manufacturing method, and a ceramic substrate on which a seed layer is formed and a metal foil processed in a circuit pattern form are prepared, and a brazing filler layer is formed between the ceramic substrate and the metal foil The metal foil and the ceramic substrate are integrated by brazing instead of the interfacial bonding by the firing step by bonding the metal foil on the seed layer by brazing in the interposed state so that the adhesion force between the metal foil and the ceramic substrate is greatly improved, Thereby simplifying the post-etching process and improving the productivity.

Description

세라믹 기판 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 세라믹 기판{Ceramic Board Manufacturing Method and Ceramic Board manufactured by thereof}TECHNICAL FIELD The present invention relates to a ceramic substrate manufacturing method and a ceramic substrate manufactured by the manufacturing method,

본 발명은 세라믹 기판 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 세라믹 기판에 관한 것으로 보다 구체적으로는 브레이징 방법을 이용하여 회로패턴 형태로 미리 가공된 금속박을 세라믹 기재에 견고하게 접합하는 세라믹 기판 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 세라믹 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a ceramic substrate manufacturing method and a ceramic substrate manufactured by the manufacturing method. More specifically, the present invention relates to a ceramic substrate manufacturing method for firmly bonding a metal foil, which has been preliminarily processed in the form of a circuit pattern, To a ceramic substrate manufactured by a manufacturing method.

일반적으로 세라믹 기재의 일 예로, 세라믹 기재에 동박과 같은 금속박을 일체로 부착시킨 세라믹 DBC 기판이 많이 이용되고 있으며, 상기 세라믹 DBC 기판은 반도체 전력 모듈 등에서 사용되는 것으로서 리드를 기존의 방열소재 위에 배치하는 경우 보다 높은 방열 특성을 가질 뿐만 아니라, 방열판의 접착상태에 대한 검사 공정을 필요로 하지 않기 때문에 신뢰성이 향상되고 생산성과 일관성이 향상된 반도체 전력 모듈 등을 제공할 수 있다는 장점을 가진 기판이다.In general, a ceramic DBC substrate, in which a metal foil such as a copper foil is integrally attached to a ceramic base, is often used as a ceramic base material. The ceramic DBC substrate is used in a semiconductor power module and the like. It is possible to provide a semiconductor power module having improved reliability and improved productivity and consistency because it does not require an inspection process for adhesion state of the heat sink.

상기 세라믹 DBC 기판은 전기 자동차의 증가와 함께 자동차의 전력 반도체 모듈로 사용 범위가 점차 확산되고 있다.As the number of electric vehicles increases, the use range of the ceramic DBC substrate as a power semiconductor module of an automobile is gradually diffused.

상기 세라믹 DBC 기판은 세라믹 기재와 구리 동박을 고온의 소성 공정을 통한 계면 결합으로 제조되고 있다.The ceramic DBC substrate is manufactured by interfacial bonding of a ceramic base and a copper copper foil through a high-temperature firing process.

일 예로, 세라믹 DBC 기판은 알루미나(Al2O3) 세라믹 기재와 CuO 산화막이 형성된 구리동박을 1000℃ ~ 1100℃로 소성하여 알루미나(Al2O3) 세라믹 기재와 CuO 산화막을 계면 결합하여 제조되고 있다.For example, ceramic DBC substrate is alumina (Al 2 O 3) ceramic base and CuO oxide film by baking a copper foil formed of 1000 ℃ ~ 1100 ℃ alumina (Al 2 O 3) is prepared by interfacial bond the ceramic substrate and the CuO oxide have.

다른 예로, 세라믹 DBC 기판은 AlN 세라믹 기재의 표면에 Al2O3층을 고온 산화로 형성한 후 AlN 세라믹 기재의 표면에 구리동박을 적층한 후 1000℃ ~ 1100℃로 소성하여 알루미나(Al2O3) 세라믹 기판과 CuO 산화막을 계면 결합하여 제조되고 있다.As another example, a ceramic DBC substrate AlN on the surface of the ceramic base material Al 2 O 3 layer was formed by high-temperature oxidation AlN after laminating the copper foil on the surface of the ceramic substrate and firing at 1000 ℃ ~ 1100 ℃ alumina (Al 2 O 3 ) It is manufactured by interfacial bonding of ceramic substrate and CuO oxide film.

종래의 세라믹 DBC 기판은 제조 시 세라믹 기재와 구리동박을 계면 결합하기 위해 고온의 소성 공정이 요구되고, 고온의 소성 공정 시 Cu 산화 방지를 위해 환원 분위기를 유지해야 한다.In the conventional ceramic DBC substrate, a high-temperature firing process is required for interfacial bonding of the ceramic base and the copper foil during the production, and a reducing atmosphere should be maintained for preventing the oxidation of Cu during the high-temperature firing process.

즉, 종래 세라믹 DBC 기판을 제조하기 위해서는 소성 중 환원분위기 조성이 가능한 소성 장치를 준비해야 하므로 소성 장치를 준비하는 비용이 많이 소요되고 이로써 제조비용이 많이 소요되는 문제점이 있었다.That is, in order to manufacture a conventional ceramic DBC substrate, a firing apparatus capable of forming a reducing atmosphere during firing must be prepared. Therefore, it takes a lot of cost to prepare a firing apparatus and thus requires a large manufacturing cost.

또한, 종래 세라믹 DBC 기판은, 1000℃ ~ 1100℃로 소성하여 세라믹 기재와 구리동박을 계면 결합하므로 소성을 위한 고온 가열에 따른 제조비용이 많이 소요되며, 제조 시간이 오래 소요되어 생산성이 낮은 문제점이 있었다.In addition, since the conventional ceramic DBC substrate is fired at 1000 ° C to 1100 ° C to interfaced the ceramic base and the copper copper foil, the manufacturing cost is high due to the high temperature heating for firing, and the manufacturing time is long, there was.

또한, 종래 세라믹 DBC 기판은, 계면 결합을 위해 구리동박에 CuO 산화막을 형성하거나, AlN 세라믹 기재의 표면에 Al2O3층을 고온 산화로 형성한 후 소성 과정을 거치게 되므로 제조 과정이 복잡한 문제점이 있었다.In addition, since the conventional ceramic DBC substrate has a CuO oxide film formed on a copper copper foil for interfacial bonding or an Al 2 O 3 layer formed on a surface of an AlN ceramic substrate by a high-temperature oxidation process, a sintering process is performed, there was.

또한, 종래 세라믹 DBC 기판은, 구리동박과 세라믹 기재 간의 부착력 문제로 인해 사용 중 오작동이 발생되어 작동 신뢰성이 저하되는 문제점이 있고, 특히 전력 반도체 모듈로 사용 시 발열과 냉각 등에 의한 열충격 발생 시 구리동박과 세라믹 기재 간의 부착력 문제가 발생될 위험이 높은 것이다.In addition, the conventional ceramic DBC substrate has a problem that a malfunction occurs during use due to a problem of adhesion between a copper copper foil and a ceramic substrate, thereby lowering operational reliability. Particularly, when a thermal power module is used as a power semiconductor module, And a problem of adhesion between the ceramic substrate and the ceramic substrate is high.

또한, 종래 세라믹 DBC 기판은,구리동박을 세라믹 기재에 소성을 통해 계면 결합한 후 회로패턴을 형성하기 위해 별도의 에칭과정을 거쳐야 하는 번거로움이 있었다.In addition, the conventional ceramic DBC substrate has a problem in that a separate etching process is required to form a circuit pattern after the copper copper foil is interfaced with the ceramic base through firing.

국내특허공개 제2010-0068593호 '세라믹 소재 기판에 동박을 적층시키는 방법'(2010.06.24)Korean Patent Laid-Open No. 2010-0068593 'Method of depositing copper foil on a ceramic material substrate' (2010.06.24)

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 가공된 금속박을 브레이징 공정을 통해 세라믹 기재에 접합시킴으로써 별도의 에칭공정없이 회로패턴을 형성함으로써 제조공정을 단순화하고, 회로패턴의 접합강도를 크게 향상시키는 세라믹 기판 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 세라믹 기판을 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a metal foil by bonding a processed metal foil to a ceramic substrate through a brazing process, And to provide a ceramic substrate manufactured by the method.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 세라믹 기판 제조방법은, 시드층이 형성된 세라믹 기재와, 회로패턴 형상으로 가공한 금속박을 준비하는 단계 및 상기 세라믹 기재와 상기 금속박 사이에 브레이징 필러층을 개재한 상태에서 브레이징하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramic substrate, the method including: preparing a ceramic substrate having a seed layer formed thereon, a metal foil processed into a circuit pattern, And brazing in a state of interposing a layer therebetween.

본 발명에서 상기 세라믹 기재를 준비하는 단계는, 시드층을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 시드층을 형성하는 과정은, 상기 세라믹 기재 상에 증착으로 제1시드층을 형성하는 과정; 및 상기 제1시드층 상에 증착으로 제2시드층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.In the present invention, the step of preparing the ceramic substrate includes a step of forming a seed layer, and the step of forming the seed layer includes: a step of forming a first seed layer by vapor deposition on the ceramic substrate; And forming a second seed layer by deposition on the first seed layer.

본 발명에서 상기 세라믹 기재를 준비하는 단계는, 상기 시드층을 형성하는 과정 전에 상기 세라믹 기재의 표면을 거칠게 하는 표면 개질 과정을 포함할 수 있다.In the present invention, the step of preparing the ceramic substrate may include a surface modification step of roughening the surface of the ceramic substrate before forming the seed layer.

본 발명에서 상기 브레이징 필러층은 제1Ag층, 상기 제1Ag층 상에 적층되는 Cu층, 상기 Cu층 상에 적층되는 제2Ag층을 포함하거나, 제1Cu층, 상기 제1Cu층 상에 적층되는 Ag층, 상기 Ag층 상에 적층되는 제2Cu층을 포함할 수 있다.In the present invention, the brazing filler layer may include a first A g layer, a Cu layer stacked on the first A g layer, and a second A g layer stacked on the Cu layer, or may include a first Cu layer, an Ag layer stacked on the first Cu layer, And a second Cu layer stacked on the Ag layer.

본 발명에서 상기 제1시드층은 Ti, Hf, Zr 중 어느 하나로 증착되고, 상기 제2시드층은 Cu, Ag Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나의 재료로 증착될 수 있다.In the present invention, the first seed layer may be deposited using one of Ti, Hf, and Zr, and the second seed layer may be deposited using any one of Cu, Ag Al, Ni, Sn, and In.

본 발명에서 상기 세라믹 기재를 준비하는 단계는, 증착으로 시드층을 형성하는 과정을 포함하고, 상기 시드층을 형성하는 과정은 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg 중 어느 하나의 합금으로 상기 세라믹 기재 상에 단층형 합금시드층을 형성할 수 있다.In the present invention, the step of preparing the ceramic substrate includes a step of forming a seed layer by vapor deposition, and the step of forming the seed layer is an alloy of any one of TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo and TiAg A single-layered alloy seed layer can be formed on a ceramic substrate.

본 발명에서 상기 세라믹 기재를 준비하는 단계는, 상기 시드층 상에 브레이징 필러층을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.In the present invention, the step of preparing the ceramic substrate may further include forming a brazing filler layer on the seed layer.

본 발명에서 상기 금속박은 지지시트에 점착되며, 상기 금속박을 준비하는 단계는, 상기 지지시트를 하프커팅하는 범위로 상기 금속박을 절단 또는 타발할 수 있다.In the present invention, the metal foil is adhered to the support sheet, and the step of preparing the metal foil may cut or peel the metal foil to a half cutting range of the support sheet.

본 발명에서 상기 금속박을 준비하는 단계는 금속박을 절단 또는 타발하기 전에 상기 금속박의 일면에 브레이징 필러층을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.The step of preparing the metal foil may further include forming a brazing filler layer on one surface of the metal foil before cutting or punching the metal foil.

본 발명에서 상기 브레이징 필러층을 형성하는 과정은, 브레이징 시트를 적층하거나 페이스트 형태의 브레이징 필러를 인쇄하여 브레이징 필러층을 형성할 수 있다.In the process of forming the brazing filler layer in the present invention, a brazing filler layer may be formed by laminating a brazing sheet or by printing a braze filler in the form of a paste.

본 발명에서 상기 브레이징 필러층을 형성하는 과정은, 도금으로 브레이징 필러 도금층을 형성할 수 있다.In the process of forming the brazing filler layer in the present invention, a brazing filler plating layer may be formed by plating.

본 발명에서 상기 브레이징 필러층을 형성하는 과정은, 도금으로 브레이징 필러 도금층을 0초과 10㎛ 이하의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.In the process of forming the brazing filler layer in the present invention, the brazing filler plating layer may be formed by plating so as to have a thickness of more than 0 and 10 탆 or less.

본 발명에서 상기 브레이징하는 단계는, 상기 브레이징 필러층을 용융시켜 형성되는 브레이징층을 통해 상기 금속박을 상기 시드층 상에 접합시키며, 상기 금속박의 측면으로 상기 브레이징 필러층이 일부 돌출되게 형성할 수 있다. In the present invention, the brazing may be performed by bonding the metal foil on the seed layer through a brazing layer formed by melting the brazing filler layer, and the brazing filler layer may protrude partially from a side surface of the metal foil .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 세라믹 기판은, 세라믹 기재, 및 상기 세라믹 기재 상에 형성된 회로패턴을 포함하며, 상기 회로패턴은, 상기 세라믹 기재 상에 형성된 시드층, 상기 시드층 상에 형성된 브레이징층 및 상기 브레이징층에 의해 상기 시드층에 접합되는 금속박을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a ceramic substrate comprising a ceramic substrate, and a circuit pattern formed on the ceramic substrate, the circuit pattern including a seed layer formed on the ceramic substrate, A brazing layer formed on the layer and a metal foil bonded to the seed layer by the brazing layer.

본 발명에서 상기 금속박은 금속박이 회로패턴의 형상으로 절단 또는 타발되어 형성될 수 있다.In the present invention, the metal foil may be formed by cutting or stamping a metal foil into a circuit pattern.

본 발명에서 상기 세라믹 기재의 표면에는 미세 돌기부가 형성될 수 있다.In the present invention, fine protrusions may be formed on the surface of the ceramic base.

본 발명에서 상기 시드층은, 상기 세라믹 기재와의 결합력을 가지며 증착으로 형성된 제1시드층; 및 상기 브레이징층과의 결합력을 가지는 증착으로 형성된 제2시드층을 포함할 수 있다.In the present invention, the seed layer may include: a first seed layer having a bonding force with the ceramic substrate and formed by vapor deposition; And a second seed layer formed by deposition having a bonding force with the brazing layer.

본 발명에서 상기 제1시드층은 Ti, Hf, Zr 중 어느 하나이고, 상기 제2시드층은 Cu, Ag Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나일 수 있다.In the present invention, the first seed layer may be any one of Ti, Hf, and Zr, and the second seed layer may be any one of Cu, Ag Al, Ni, Sn, and In.

본 발명에서 상기 시드층은 적어도 두개의 금속이 혼합된 합금으로 형성되는 단층형 합금시드층이고, 상기 단층형 합금시드층은 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg 중 어느 하나일 수 있다.In the present invention, the seed layer is a single-layered alloy seed layer formed of a mixture of at least two metals, and the single-layered alloy seed layer may be any one of TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo and TiAg.

본 발명에서 상기 브레이징 접합층은 Ag와 Al, Ni, Sn, In 중 적어도 어느 하나를 혼합한 합금층일 수 있다.In the present invention, the brazing bonding layer may be an alloy layer formed by mixing Ag with at least one of Al, Ni, Sn, and In.

본 발명에서 상기 브레이징층과 상기 시드층은 회로패턴의 형상과 대응되게 형성되되 상기 금속박의 측면으로 일부 돌출되게 형성될 수 있다.In the present invention, the brazing layer and the seed layer may be formed to correspond to the shape of the circuit pattern and partially protrude from the side surface of the metal foil.

본 발명은 기존에 소성공정에 의한 계면 결합 대신에 브레이징 접합을 통해 금속박과 세라믹 기재를 일체화시키는 구성으로 금속박과 세라믹 기재의 접합력을 크게 향상시키는 효과가 있다. The present invention has the effect of significantly increasing the bonding force between the metal foil and the ceramic base material by integrating the metal foil and the ceramic base material through the brazing joint instead of the interfacial bonding by the firing process.

본 발명은 고온 또는 진공 소성 장치가 필요 없고, 고온 또는 진공의 소성공정을 거치지 않고 제조가 가능하므로 제조비용을 크게 절감할 수 있는 효과가 있다.The present invention does not require a high-temperature or vacuum firing apparatus, and can be manufactured without being subjected to a high-temperature or vacuum firing process, thereby greatly reducing the manufacturing cost.

본 발명은 브레이징 접합 후 에칭과정을 단순화하여 전체 제조공정을 단순화하고, 생산성을 향상시키는 효과가 있다.The present invention simplifies the etching process after brazing, simplifies the entire manufacturing process, and improves productivity.

도 1은 본 발명에 따른 세라믹 기판 제조 방법의 일 실시예를 도시한 공정도
도 2는 본 발명에 따른 세라믹 기판 제조 방법의 일 실시예를 도시한 개략도
도 3은 본 발명에 따른 세라믹 기판 제조 방법의 다른 실시 예를 도시한 개략도
도 4는 본 발명에 따른 세라믹 기판 제조 방법의 또 다른 실시 예를 도시한 개략도
도 5는 본 발명에 따른 세라믹 기판의 일 실시예를 도시한 단면도
도 6은 본 발명에 따른 세라믹 기판의 다른 실시예를 도시한 단면도BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of a method of manufacturing a ceramic substrate according to the present invention;
2 is a schematic view showing an embodiment of a method of manufacturing a ceramic substrate according to the present invention.
3 is a schematic view showing another embodiment of the ceramic substrate manufacturing method according to the present invention.
4 is a schematic view showing still another embodiment of the method for manufacturing a ceramic substrate according to the present invention.
5 is a cross-sectional view showing one embodiment of a ceramic substrate according to the present invention
6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the ceramic substrate according to the present invention

본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능, 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, a repeated description, a known function that may obscure the gist of the present invention, and a detailed description of the configuration will be omitted. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings and the like can be exaggerated for clarity.

도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 세라믹 기판 제조 방법은, 시드층(20)이 형성된 세라믹 기재(10)와, 회로패턴 형상으로 가공한 금속박(40)을 준비하는 단계(S100, S200) 및 상기 금속박(40)을 상기 세라믹 기재(10) 상에 브레이징하는 단계(S300)를 포함한다.1, a method of manufacturing a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a ceramic substrate 10 on which a seed layer 20 is formed and a metallic foil 40 processed in a circuit pattern shape (S100 , S200) and brazing the metal foil (40) on the ceramic base (10) (S300).

도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 세라믹 기재(10)를 준비하는 단계(S100)는, 시드층(20)을 형성하는 과정(S110)을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, the step of preparing the ceramic substrate 10 (S100) may include a step of forming a seed layer 20 (S110).

상기 시드층(20)을 형성하는 과정(S110)은, 상기 세라믹 기재(10) 상에 세라믹 기재(10)와의 결합력을 확보하는 제1시드층(21)을 형성하는 과정(S111); 및 The process of forming the seed layer 20 (S110) includes a process (S111) of forming a first seed layer 21 on the ceramic substrate 10 to secure a bonding force with the ceramic substrate 10; And

상기 제1시드층(21) 상에 브레이징 필러와의 결합력을 확보하는 제2시드층(22)을 형성하는 과정(S112)을 포함하는 것이 바람직하다.And a step (S112) of forming a second seed layer (22) on the first seed layer (21) to secure a bonding force with the brazing filler.

상기 시드층(20)을 형성하는 과정(S110)은 물리 증착법으로 상기 시드층(20)을 형성하고, 상기 물리 증착법은 진공증착, 열증착(Evaporation), 이빔(ebeam)증착, 레이저(laser) 증착, 스퍼터링(Sputtering), 아크이온플레이팅(Arc Ion Plating) 중 어느 하나인 것을 일 예로 한다.The seed layer 20 may be formed by a physical deposition method such as vacuum deposition, thermal evaporation, ebeam deposition, laser, Deposition, sputtering, or arc ion plating, as an example.

즉, 상기 제1시드층(21)을 형성하는 과정(S111)은, Ti, Hf, Zr 등과 같이 상기 세라믹 기재(10)와의 결합력이 우수한 재료를 타겟재료로 하여 상기 세라믹 기재(10) 상에 증착하여 제1시드층(21)을 형성하는 것이다.That is, the process (S111) of forming the first seed layer 21 is performed by using a material having excellent bonding force with the ceramic base 10 such as Ti, Hf, Zr, etc. as a target material, And then the first seed layer 21 is formed.

상기 제1시드층(21)은 Ti, Hf, Zr 중 어느 하나로 증착되는 것이 바람직하며 상기 Ti, Hf, Zr은 활성 금속(Active Metal)으로 산소, 질소와 반응성 높아 산화물, 질화물로 되는 성질이 있다.The first seed layer 21 is preferably deposited by any one of Ti, Hf, and Zr, and Ti, Hf, and Zr are active metals and have high reactivity with oxygen and nitrogen to be oxides and nitrides .

또한, 상기 제2시드층(22)을 형성하는 과정(S112)은, Cu 또는 Ag 등과 같이 Cu 계열 브레이징 필러 또는 Ag 계열 브레이징 필러 등의 브레이징 필러와 결합력이 우수한 재료를 타겟재료로 하여 상기 제1시드층(21) 상에 진공 증착하는 것이다.In addition, the process (S112) of forming the second seed layer 22 may be performed by using a material having excellent bonding force with a brazing filler such as a Cu-based brazing filler or an Ag-based brazing filler such as Cu or Ag as a target material, Vacuum deposition is performed on the seed layer 21.

또한, 상기 제2시드층(22)을 형성하는 과정(S112)은 브레이징 필러의 재료에 따라 Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나의 재료로 증착시켜 제2시드층(22)을 형성할 수도 있다.The second seed layer 22 may be formed by depositing the second seed layer 22 using any one of Al, Ni, Sn, and In according to the material of the brazing filler (S112) have.

상기 세라믹 기재(10)를 준비하는 단계(S100)는, 상기 시드층(20)을 형성하는 과정(S110) 전에 상기 세라믹 기재(10)의 표면을 거칠게 하는 표면 개질 과정을 포함하여 시드층(20)과 세라믹 기재(10)간의 접합력을 더 견고하게 하는 것이 바람직하다.The step S100 of preparing the ceramic substrate 10 may include a surface modification step of roughening the surface of the ceramic substrate 10 before forming the seed layer 20, ) And the ceramic base material 10 is made more rigid.

상기 표면 개질 과정은 약품을 이용한 화학적 처리 또는 연마, 샌드 블라스트 등을 이용한 물리적 처리로 상기 세라믹 기재(10)의 표면을 거칠게 하여 미세돌기부를 형성하는 것을 일 예로 하며, 이외에도 상기 세라믹 기재(10)의 표면을 거칠게 하는 어떠한 예로도 변형실시될 수 있음을 밝혀둔다.In the surface modification process, the surface of the ceramic substrate 10 is roughened by chemical treatment using chemicals, physical treatment using polishing, sand blasting, or the like to form fine protrusions. In addition, the surface of the ceramic substrate 10 It should be noted that any example of roughening the surface can be modified.

한편, 상기 금속박(40)은 레이저, 커터로 절단되거나 타발되어 회로패턴 형상으로 형성된다.On the other hand, the metal foil 40 is cut or punched out with a laser or a cutter to form a circuit pattern.

상기 금속박(40)은 지지시트(42)에 점착되며, 상기 금속박(40)을 준비하는 단계(S200)는, 상기 지지시트(42)를 하프커팅하는 범위로 상기 금속박(40)을 절단 또는 타발하여 상기 지지시트(42)는 완전히 절단되지 않고 형태를 유지하면서 상기 금속박(40)만 회로패턴 형상으로 절단 또는 타발된다.The metal foil 40 may be adhered to the support sheet 42 and the step of preparing the metal foil 40 may include cutting or rubbing the metal foil 40 in a range of half cutting the support sheet 42 So that only the metal foil 40 is cut or punched out into a circuit pattern shape while maintaining the shape without completely breaking the support sheet 42.

따라서, 상기 지지시트(42)에서 회로패턴인 금속박(40)을 제외한 나머지 부분은 용이하게 제거되며, 회로패턴인 금속박(40)만 상기 지지시트(42) 상에 남은 상태에서 상기 세라믹 기재(10) 상에 상기 금속박(40)을 정확한 위치로 용이하게 배치시킬 수 있는 것이다.Therefore, the remaining portion of the support sheet 42 except for the metal foil 40, which is a circuit pattern, is easily removed, and only the metal foil 40, which is a circuit pattern, remains on the support sheet 42, The metal foil 40 can be easily arranged at an accurate position on the surface of the metal foil 40.

도 2를 참고하면, 상기 세라믹 기재(10)를 준비하는 단계(S100)는, 상기 제2시드층(22) 상에 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120)을 더 포함할 수 있다.2, step (S100) of preparing the ceramic substrate 10 may further include a step (S120) of forming a brazing filler layer 31 on the second seed layer 22 .

도 3을 참고하면, 상기 금속박(40)을 준비하는 단계(S200)는 금속박(40)을 절단 또는 타발하기 전에 상기 금속박(40)의 일면에 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S210)을 더 포함할 수 있다. 3, step S200 of preparing the metal foil 40 includes forming a brazing filler layer 31 on one side of the metal foil 40 before cutting or punching the metal foil 40 (S210) As shown in FIG.

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은, 브레이징 시트를 적층하는 것을 일 예로 한다.The process of forming the brazing filler layer 31 (S120, S210) is an example of laminating the brazing sheet.

상기 브레이징 시트는, Ag와 Cu가 혼합된 합금 브레이징 시트일 수도 있고, Ag층과 Cu층이 적층된 적층 구조의 브레이징 시트일 수도 있다.The brazing sheet may be an alloy brazing sheet in which Ag and Cu are mixed, or may be a laminated brazing sheet in which an Ag layer and a Cu layer are laminated.

상기 적층 구조의 브레이징 시트(31a)의 일 예로 제1Ag층, 상기 제1Ag층 상에 적층되는 Cu층, 상기 Cu층 상에 적층되는 제2Ag층을 포함할 수 있고, 상기 적층 구조의 브레이징 시트(31a)의 다른 예로 제1Cu층, 상기 제1Cu층 상에 적층되는 Ag층, 상기 Ag층 상에 적층되는 제2Cu층을 포함할 수 있다.As an example of the brazing sheet 31a of the laminated structure, a first A g layer, a Cu layer laminated on the first A g layer, and a second A g layer laminated on the Cu layer may be included, 31a may include a first Cu layer, an Ag layer stacked on the first Cu layer, and a second Cu layer stacked on the Ag layer.

또한, 상기 브레이징 필러(31)에서 상기 Cu층 대신 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나를 사용할 수 있다.In addition, in the brazing filler 31, any one of an Al layer, an Ni layer, an Sn layer, and an In layer may be used instead of the Cu layer.

즉, 상기 브레이징 시트(31a)는 제1Ag층, 상기 제1Ag층 상에 적층되는 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 층, 상기 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 층 상에 적층되는 제2Ag층을 포함할 수 있다. 또한, Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 제1층, 상기 제1층 상에 적층되는 Ag층, 상기 Ag층 상에 적층되는 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 제2층을 포함할 수 있다. That is, the brazing sheet 31a may include any one of an Al layer, an Ni layer, an Sn layer, and an In layer, an Al layer, an Ni layer, a Sn layer, an In layer And a second < RTI ID = 0.0 > 2Ag < / RTI > In addition, it is preferable that a first layer of any one of an Al layer, an Ni layer, an Sn layer and an In layer, an Ag layer to be stacked on the first layer, an Al layer to be stacked on the Ag layer, Or a second layer of either of the first and second layers.

이 경우 상기 제2시드층(22)을 형성하는 과정(S220)은, Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나의 재료로 증착시켜 제2시드층(22)을 형성할 수도 있다.In this case, the second seed layer 22 may be formed by depositing the second seed layer 22 using any one of Al, Ni, Sn, and In (S220).

이는 상기 브레이징 필러(31)의 재료에 따라 결정될 수 있음을 밝혀둔다.It is noted that this can be determined depending on the material of the brazing filler 31.

상기 브레이징 시트(31a)에 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 층을 사용함으로써 공정온도를 조정하고, 해당 공정온도에 따라 브레이징 필러를 다양하게 설계하여 사용할 수 있음을 밝혀둔다.It has been found that the brazing filler can be designed and used according to the process temperature by adjusting the process temperature by using any one of the Al layer, the Ni layer, the Sn layer and the In layer in the brazing sheet 31a .

상기 브레이징 필러(31)는 브레이징 시트(31a)를 복수의 조각으로 구분한 것일 수도 있고, 복수의 구멍이 형성된 브레이징 시트(31a)로 상기 시드층(20) 상에서 구멍을 제외한 부분만 덮도록 즉, 구멍에 의한 복수의 빈공간이 이격되게 형성되는 형태를 가지도록 형성되는 것을 일 예로 한다.The brazing filler 31 may be formed by dividing the brazing sheet 31a into a plurality of pieces or by covering a part of the brazing sheet 31a with a plurality of holes on the seed layer 20, And a plurality of hollow spaces formed by the holes are formed so as to be spaced apart from each other.

상기 브레이징 시트(31a)의 구멍은 원형일 수도 있고, 사각 형상일 수도 있으며 상기 세라믹 기재(10)의 크기 및 형상, 상기 브레이징 시트(31a)의 종류, 설계된 브레이징 접합층(30)의 두께 등에 따라 다양하게 변형 실시될 수 있음을 밝혀둔다.The hole of the brazing sheet 31a may be circular or may have a rectangular shape depending on the size and shape of the ceramic base 10, the type of the brazing sheet 31a, the thickness of the designed braze joint layer 30, It will be understood that various modifications may be made.

또한, 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 상기 시드층(20) 상에 페이스트 형태의 브레이징용 페이스트를 인쇄하여 브레이징 필러층(31)을 형성할 수도 있다. In the process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210), a paste type brazing paste may be printed on the seed layer 20 to form the brazing filler layer 31.

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 Ag페이스트를 인쇄하여 제1Ag층을 형성하는 과정, 상기 제1Ag층 상에 Cu페이스트를 인쇄하여 Cu층을 형성하는 과정, 상기 Cu층 상에 Ag페이스트를 인쇄하여 제2Ag층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.The step of forming the brazing filler layer 31 (S120, S210) includes the steps of forming an Ag paste to form a first A g layer, printing a Cu paste on the first A g layer to form a Cu layer, And printing an Ag paste on the layer to form a second 2Ag layer.

또는 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 Cu페이스트를 인쇄하여 제1Cu층을 형성하는 과정, 상기 제1Cu층 상에 Ag페이스트를 인쇄하여 Ag층을 형성하는 과정, 상기 Cu층 상에 Cu페이스트를 인쇄하여 제2Cu층을 형성하는 과정을 포함할 수도 있다.Or forming the brazing filler layer 31 (S120, S210) includes the steps of forming a first Cu layer by printing a Cu paste, printing an Ag paste on the first Cu layer to form an Ag layer, And printing a Cu paste on the Cu layer to form a second Cu layer.

또한, 상기 브레이징용 페이스트에서 상기 Cu페이스트 대신 Al페이스트, Ni페이스트, Sn페이스트, In페이스트 중 어느 하나를 사용할 수 있다.In addition, in the brazing paste, any one of Al paste, Ni paste, Sn paste, and In paste may be used in place of the Cu paste.

즉, 브레이징용 페이스트를 인쇄하여 적층 형성되는 상기 브레이징 필러층(31)은 제1Ag층, 상기 제1Ag층 상에 적층되는Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나, 상기 Cu층 상에 적층되는 제2Ag층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 브레이징 필러층(31)은 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 제1층, 상기 제1층 상에 적층되는 Ag층, 상기 Ag층 상에 적층되는 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 제2층을 포함할 수 있다. 이 경우 상기 제2시드층(22)을 형성하는 과정(S220)은, Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나의 재료로 증착시켜 제2시드층(22)을 형성할 수도 있다.That is, the brazing filler layer 31 laminated by printing a brazing paste may be formed of any one of a first Ga layer, an Al layer, a Ni layer, an Sn layer, and an In layer stacked on the first Ga layer, And a second < RTI ID = 0.0 > 2Ag < / RTI > In addition, the brazing filler layer 31 may include a first layer selected from the group consisting of an Al layer, an Ni layer, a Sn layer, and an In layer, an Ag layer stacked on the first layer, an Al layer stacked on the Ag layer, A Ni layer, an Sn layer, and an In layer. In this case, the second seed layer 22 may be formed by depositing the second seed layer 22 using any one of Al, Ni, Sn, and In (S220).

이는 상기 브레이징용 페이스트의 재료에 따라 결정될 수 있음을 밝혀둔다.It is noted that this can be determined depending on the material of the brazing paste.

상기 상기 브레이징 필러층(31)에 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 층을 사용함으로써 공정온도를 조정하고, 해당 공정온도에 따라 브레이징 필러층(31)을 다양하게 설계하여 사용할 수 있음을 밝혀둔다.The brazing filler layer 31 may be formed by adjusting the process temperature by using any one of the Al layer, the Ni layer, the Sn layer, and the In layer as the brazing filler layer 31, It can be used.

상기 브레이징용 페이스트는 브레이징용 금속분말과 솔벤트를 포함한 페이스트 형태로 형성된 것이며, 바인더 등을 더 포함할 수 있고 450℃ 이상의 온도에서 용융되는 금속분말 중 다양하게 변형실시 가능함을 밝혀둔다. It is noted that the brazing paste is formed in the form of a paste containing a metal powder for brazing and a solvent, and may further include a binder and the like, and can be variously modified among metal powders melted at a temperature of 450 ° C or higher.

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 상기 브레이징용 페이스트를 스크린 인쇄하여 상기 시드층(20)을 노출시키는 복수의 구멍이 형성이 되도록 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 즉, 상기 브레이징 필러층(31)이 상기 시드층(20) 상에서 구멍을 제외한 부분만 덮도록 즉, 구멍에 의한 복수의 빈공간이 이격된 형태로 형성되는 것을 일 예로 한다. The brazing filler layer 31 is formed by screen printing the brazing paste to form the brazing filler layer 31 so as to form a plurality of holes exposing the seed layer 20 That is, the brazing filler layer 31 is formed on the seed layer 20 so as to cover only the portion except the hole, that is, a plurality of void spaces formed by the holes are spaced apart from each other.

이는 상기 브레이징하는 단계(S300)에서 상기 브레이징용 페이스트의 퍼짐성을 확보함과 동시에 상기 브레이징 필러층(31)이 용융되어 상기 시드층(20)과 상기 금속박(40) 사이에서 접합면의 전면에 균일하고 고르게 퍼질 수 있도록 한다.This is because the spreading property of the brazing paste is ensured in the brazing step S300 and the brazing filler layer 31 is melted and uniformly distributed on the entire surface of the bonding surface between the seed layer 20 and the metal foil 40 And to spread evenly.

또한, 상기 브레이징하는 단계(S300)에서 상기 브레이징 필러층(31)이 용융되면서 가압됨으로써 상기 세라믹 기재(10)와 상기 금속박(40)의 측면으로 유출되는 것을 방지한다. In addition, in the brazing step S300, the brazing filler layer 31 is melted and pressed, thereby preventing the brazing filler layer 31 from flowing out to the side surfaces of the ceramic base 10 and the metal foil 40. [

즉, 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 상기 시드층(20)을 노출시키는 복수의 구멍이 형성이 되는 브레이징 필러층을 브레이징용 페이스트를 인쇄하여 원하는 형태 즉, 최적의 퍼짐성과 균일성을 고려한 형태로 간단하게 형성할 수 있다. That is, in the process of forming the brazing filler layer 31 (S120, S210), the brazing filler layer, which is formed with a plurality of holes for exposing the seed layer 20, Can be simply formed in consideration of the spreading property and the uniformity.

또한, 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은, 상기 시드층(20) 상에 브레이징 필러층을 도금하여 형성할 수도 있다. The process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210) may be performed by plating a brazing filler layer on the seed layer 20.

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은, Ag를 도금하여 제1Ag층을 형성하는 과정, 상기 제1Ag층 상에 Cu도금하여 Cu층을 형성하는 과정, 상기 Cu층 상에 Ag를 도금하여 제2Ag층을 형성하는 과정을 포함할 수 있다.The process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210) includes a process of forming a first Ga layer by plating Ag, a process of forming a Cu layer by Cu plating on the first Ga layer, And Ag to form a second 2Ag layer.

또는 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 Cu 도금하여 제1Cu층을 형성하는 과정, 상기 제1Cu층 상에 Ag를 도금하여 Ag층을 형성하는 과정, 상기 Cu층 상에 Cu를 도금하여 제2Cu층을 형성하는 과정을 포함할 수도 있다.Or forming the brazing filler layer 31 (S120, S210) includes the steps of forming a first Cu layer by Cu plating, forming an Ag layer by plating Ag on the first Cu layer, And forming a second Cu layer by plating Cu on the first Cu layer.

또한, 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)에서 상기 Cu대신 Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나를 사용할 수 있다.In addition, in the process of forming the brazing filler layer 31 (S120, S210), any one of Al, Ni, Sn, and In may be used instead of Cu.

즉, 도금으로 형성되는 상기 브레이징 필러층(31)은 제1Ag층, 상기 제1Ag층 상에 적층되는Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나, 상기 Cu층 상에 적층되는 제2Ag층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 브레이징 필러층(31)은 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 제1층, 상기 제1층 상에 적층되는 Ag층, 상기 Ag층 상에 적층되는 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 제2층을 포함할 수 있다. 이 경우 상기 제2시드층(22)을 형성하는 과정(S220)은, Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나의 재료로 증착시켜 제2시드층(22)을 형성할 수도 있다.That is, the brazing filler layer 31 formed by plating may be formed of any one of a first Ga layer, an Al layer, a Ni layer, an Sn layer, and an In layer stacked on the first Ga layer, Layer. In addition, the brazing filler layer 31 may include a first layer selected from the group consisting of an Al layer, an Ni layer, a Sn layer, and an In layer, an Ag layer stacked on the first layer, an Al layer stacked on the Ag layer, A Ni layer, an Sn layer, and an In layer. In this case, the second seed layer 22 may be formed by depositing the second seed layer 22 using any one of Al, Ni, Sn, and In (S220).

이는 상기 브레이징용 페이스트의 재료에 따라 결정될 수 있음을 밝혀둔다.It is noted that this can be determined depending on the material of the brazing paste.

상기 브레이징 필러층(31)에 Al층, Ni층, Sn층, In층 중 어느 하나의 층을 사용함으로써 공정온도를 조정하고, 해당 공정온도에 따라 브레이징 필러층(31)을 다양하게 설계하여 사용할 수 있음을 밝혀둔다.The brazing filler layer 31 is formed by using any one of an Al layer, an Ni layer, an Sn layer, and an In layer to adjust the process temperature, and the brazing filler layer 31 may be variously designed and used depending on the process temperature .

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 도금을 통해 원하는 두께로 상기 브레이징 필러층(31)을 제조할 수 있다.In the process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210), the brazing filler layer 31 may be formed to a desired thickness through plating.

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은, 도금으로 0초과 10㎛ 이하의 두께로 브레이징 필러층(31)을 형성할 수 있다.In the process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210), the brazing filler layer 31 may be formed by plating to a thickness of more than 0 and 10 탆 or less.

즉, 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은, 도금을 통해 브레이징 필러층(31)을 10㎛ 이하의 얇은 두께로 형성할 수 있고, 이는 브레이징 시트 또는 페이스트 형태의 브레이징 필러를 인쇄하여 형성되는 브레이징층에서 구현할 수 없는 두께이다.That is, in the process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210), the brazing filler layer 31 can be formed to a thickness of 10 탆 or less through plating, It is a thickness that can not be realized in the brazing layer formed by printing the filler.

상기 브레이징 필러층(31)은, 도금 공정으로 0초과 10㎛ 이하의 두께로 형성되어 추후 브레이징 공정 후 상기 금속박과 상기 세라믹 기재 사이에 배치되는 브레이징층(30)의 두께를 최소화하여 세라믹 기판의 전체 두께를 슬림하게 하고, 상기 금속박으로 형성되는 회로패턴에서 발생되는 열을 상기 세라믹 기재로 원활하게 전달하여 방출될 수 있도록 한다. The brazing filler layer 31 is formed by a plating process so that the thickness of the brazing filler layer 30 is between 0 and 10 μm or less so as to minimize the thickness of the brazing layer 30 disposed between the metal foil and the ceramic substrate after the brazing process, So that the heat generated in the circuit pattern formed by the metal foil can be smoothly transferred to the ceramic substrate and discharged.

상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)은 절연마스킹을 통해 상기 시드층(20)을 노출시키는 복수의 구멍을 가지는 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 브레이징 필러층(31)은 상기 시드층(20) 상에서 구멍을 제외한 부분만 덮도록 즉, 구멍에 의한 복수의 빈공간이 이격되게 형성되는 형태로 형성되는 것을 일 예로 한다.In the process of forming the brazing filler layer 31 (S120 and S210), it is preferable to form the brazing filler layer 31 having a plurality of holes exposing the seed layer 20 through insulation masking. The brazing filler layer 31 may be formed in such a manner that the brazing filler layer 31 covers only the portion of the seed layer 20 other than the holes, that is, a plurality of void spaces formed by the holes are spaced apart from each other.

이는 상기 브레이징하는 단계(S300)에서 상기 브레이징용 페이스트의 퍼짐성을 확보함과 동시에 상기 브레이징 필러층(31)이 용융되어 상기 시드층(20)과 상기 금속박(40) 사이에서 접합면의 전면에 균일하고 고르게 퍼질 수 있도록 한다.This is because the spreading property of the brazing paste is ensured in the brazing step S300 and the brazing filler layer 31 is melted and uniformly distributed on the entire surface of the bonding surface between the seed layer 20 and the metal foil 40 And to spread evenly.

또한, 상기 브레이징하는 단계(S300)에서 상기 브레이징 필러층(31)이 용융되면서 가압됨으로써 상기 세라믹 기재(10)와 상기 금속박(40)의 측면으로 유출되는 것을 방지한다. In addition, in the brazing step S300, the brazing filler layer 31 is melted and pressed, thereby preventing the brazing filler layer 31 from flowing out to the side surfaces of the ceramic base 10 and the metal foil 40. [

상기 브레이징 필러층(31)의 구멍은 원형일 수도 있고, 사각 형상일 수도 있으며 상기 세라믹 기재(10)의 크기 및 형상, 상기 브레이징 필러층(31)의 종류, 설계된 브레이징 접합층(30)의 두께 등에 따라 다양하게 변형 실시될 수 있음을 밝혀둔다.The hole of the brazing filler layer 31 may be circular or may have a rectangular shape and the size and shape of the ceramic base 10, the type of the brazing filler layer 31, the thickness of the designed braze bonding layer 30 It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

한편, 상기 브레이징하는 단계(S300)는, 상기 세라믹 기재(10) 상에 상기 브레이징 필러층(31)과 상기 금속박(40)이 적층된 상태에서 브레이징을 통해 접합시킨다. 즉, 상기 브레이징하는 단계(S300)는, 상기 금속박(40)과 상기 제2시드층(22)의 사이에 상기 브레이징 필러층(31)이 개재된 상태에서 상기 브레이징 필러층(31)을 용융시켜 형성되는 브레이징층(30)을 통해 상기 금속박(40)을 상기 제2시드층(22) 상에 접합시킨다.Meanwhile, in the brazing step S300, the brazing filler layer 31 and the metal foil 40 are laminated on the ceramic substrate 10, and the brazing filler layer 31 and the metal foil 40 are bonded together through brazing. That is, in the brazing step S300, the brazing filler layer 31 is melted in a state where the brazing filler layer 31 is interposed between the metal foil 40 and the second seed layer 22 The metal foil 40 is bonded to the second seed layer 22 through the brazing layer 30 formed.

상기 브레이징하는 단계(S300)는, 브레이징 로(1) 내에서 상기 금속박(40)과 상기 세라믹 기재(10) 사이에서 상기 브레이징 필러층(31)을 800℃ ~ 900℃가열하는 중에 가압하는 것을 일 예로 한다.The brazing step S300 is a step of pressing the brazing filler layer 31 between the metal foil 40 and the ceramic substrate 10 while heating the brazing filler layer 31 at 800 ° C to 900 ° C in the brazing furnace 1 For example.

즉, 상기 브레이징 로(1) 내에는 상기 세라믹 기재(10)가 올려지는 하부 가압지그부(2), 상기 하부 가압지그부(2)의 상부에서 상기 금속박(40)과 이격되게 위치하는 상부 가압지그부(3)를 포함하고, 상기 하부 가압지그부(2)와 상기 상부 가압지그부(3) 중 적어도 어느 하나를 상, 하 이동시켜 상기 브레이징 필러층(31)을 가열 중에 상기 금속박(40)과 상기 세라믹 기재(10) 사이에서 가압하는 것을 일 예로 한다.That is, the brazing furnace 1 is provided with a lower pressing jig 2 on which the ceramic base 10 is mounted, an upper pressing jig 2 located above the lower pressing jig 2 and spaced apart from the metal foil 40, Wherein at least one of the lower pressing jig (2) and the upper pressing jig (3) is moved upward or downward to heat the brazing filler layer (31) ) And the ceramic base 10, as shown in Fig.

상기 브레이징 필러층(31)은 브레이징 로(1) 내에서 가열되어 용융되며 상기 하부 가압지그부(2)와 상기 상부 가압지그부(3)의 사이에서 가압되어 상기 제2시드층(22)과 상기 금속박(40) 사이에 고르고 균일하게 퍼져 상기 금속박(40)을 접합하는 브레이징층(30)으로 형성된다.The brazing filler layer 31 is heated and melted in the brazing furnace 1 and is pressed between the lower pressing jig 2 and the upper pressing jig 3 to form the second seed layer 22 And a brazing layer (30) for uniformly spreading the metal foil (40) and joining the metal foil (40).

또한, 상기 브레이징하는 단계(S300)는, 상기 세라믹 기재(10)를 브레이징 로(1)에서 인출하여 냉각시키는 과정을 포함하고, 상기 냉각하는 과정을 통해 최종적으로 상기 금속박(40)이 상기 세라믹 기재(10)에 접합되는 것이다.The brazing step S300 includes a step of drawing the ceramic base 10 out of the brazing furnace 1 and cooling the ceramic base 10, and the metal foil 40 is finally removed from the ceramic substrate 10 through the cooling process. (10).

상기 브레이징하는 단계(S300)는 상기 금속박(40)의 측면으로 상기 브레이징 필러층(31)이 일부 돌출되게 형성하는 것이 바람직하다. 이는 상기 브레이징 필러의 접촉면적을 넓혀 상기 금속박(40)의 접합력을 더 강화시킬 수 있다. In the brazing step S300, it is preferable that the brazing filler layer 31 is partially protruded from the side surface of the metal foil 40. This can enlarge the contact area of the brazing filler to further strengthen the bonding force of the metal foil 40. [

한편, 상기 브레이징하는 단계(S300) 후 상기 시드층(20)을 에칭하는 단계(S400)를 통해 최종 회로패턴을 형성할 수 있다. Meanwhile, after the brazing step S300, the final circuit pattern may be formed through etching the seed layer 20 (S400).

즉, 상기 금속박(40)이 상기 제2시드층(22) 상의 전면을 커버하는 경우 상기 금속박(40), 상기 제1시드층(21), 상기 제2시드층(22)은 별도의 에칭액을 사용하여 복수의 에칭과정을 거쳐야하는 데 본 발명은 상기 금속박(40)이 회로패턴의 형상으로 형성되므로 금속박을 에칭할 필요 없이 상기 제1시드층(21)과 상기 제2시드층(22)만 에칭하여 회로패턴을 형성할 수 있는 것이다.That is, when the metal foil 40 covers the entire surface of the second seed layer 22, the metal foil 40, the first seed layer 21, and the second seed layer 22 are etched using a separate etchant Since the metal foil 40 is formed in the shape of a circuit pattern, the first seed layer 21 and the second seed layer 22 need only be etched without etching the metal foil. It is possible to form a circuit pattern by etching.

상기 에칭하는 단계(S400)는 상기 금속박(40)을 장벽으로 하여 상기 브레이징층(30) 및 상기 시드층(20)을 에칭하여 상기 회로패턴에 대응되는 부분을 제외한 부분을 상기 세라믹 기재(10) 상에서 제거할 수 있다. The etching step S400 etches the brazing layer 30 and the seed layer 20 using the metal foil 40 as a barrier so that a portion of the ceramic substrate 10 excluding portions corresponding to the circuit pattern is etched. Lt; / RTI >

또한, 상기 에칭하는 단계(S400)는, 상기 금속박(40)의 측면으로 돌출되는 상기 브레이징층(30)을 장벽으로 하여 상기 시드층(20)을 에칭하여 제거하는 것이다. The etching step S400 includes etching the seed layer 20 with the brazing layer 30 protruding from the side surface of the metal foil 40 as a barrier.

상기 에칭하는 단계(S400)는, 상기 금속박(40)의 측면으로 돌출되는 상기 브레이징 접합층(30)을 장벽으로 하여 시드층(20)을 에칭하는 것으로 제2시드층(22)을 에칭하는 과정(S410), 제1시드층(21)을 에칭하는 과정(S420)으로 구분될 수 있고, 상기 브레이징층을 장벽으로 하여 상기 시드층(20)을 에칭하여 상기 금속박(40)의 측면으로 상기 브레이징층(30)과 상기 시드층(20)이 일부 노출되게 한다. The etching step S400 may include etching the second seed layer 22 by etching the seed layer 20 with the brazing bonding layer 30 projecting to the side surface of the metal foil 40 as a barrier (S410) and etching the first seed layer (S420). The seed layer (20) is etched using the brazing layer as a barrier to form the brazing material So that the layer 30 and the seed layer 20 are partially exposed.

한편, 도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 세라믹 기판 제조 방법의 다른 실시예를 도시한 개략도이다.4 and 5 are schematic views showing another embodiment of the ceramic substrate manufacturing method according to the present invention.

도 4 및 도 5를 참고하면 본 발명의 다른 실시예에 의한 세라믹 기판 제조방법은, 상기 시드층(20)을 형성하는 과정(S110)에서 상기 시드층(20)을 합금으로 단층 합금시드층(23)으로 형성하는 것을 일 예로 하는 것이다.4 and 5, a method of manufacturing a ceramic substrate according to another embodiment of the present invention includes the step of forming the seed layer 20 in the step of forming the seed layer 20 (S110) 23 as shown in Fig.

더 상세하게 상기 시드층(20)을 형성하는 과정(S110)은 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg 중 어느 하나의 합금으로 상기 세라믹 기재(10) 상에 단층 합금시드층(23)을 형성하는 것을 일 예로 한다.More specifically, the seed layer 20 is formed by a single alloyed seed layer 23 on the ceramic substrate 10 using any one of TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo and TiAg. As an example.

상기 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg는 활성화 금속의 역할이 가능하며 하나의 에칭액으로 한번의 에칭공정으로 에칭될 수 있는 합금비로 제조된다.The TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, and TiAg can be used as an activating metal and can be etched by one etching process with one etching solution.

또한, 상기 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg는 도금이 가능한 합금으로 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하는 과정(S120, S210)에서 상기 브레이징 필러층(31)을 도금으로 형성할 수 있는 것이다. The brazing filler layer 31 may be formed by plating in the steps of forming the brazing filler layer 31 with the alloying material of TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, and TiAg It is.

상기 시드층(20)을 형성하는 과정(S110)은 단층 합금시드층(23)을 형성하면서도 세라믹 기재(10)와의 접합력과 브레이징 접합층(30)과의 접합력을 동시에 만족시킬 수 있어 시드층을 형성하는 공정을 단순화한다.The process of forming the seed layer 20 S110 can simultaneously satisfy the bonding force with the ceramic base 10 and the bonding strength with the brazing bonding layer 30 while forming the single alloy seed layer 23, Thereby simplifying the forming process.

또한, 상기 에칭하는 단계(S400)는 한번의 에칭공정으로 단층 합금시드층(23)을 에칭시킬 수 있어 에칭 시 공정수를 크게 줄일 수 있는 것이다. In addition, the step of etching (S400) can etch the single-layered alloy seed layer 23 by one etching step, thereby greatly reducing the number of steps in etching.

한편, 도 4를 참고하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 세라믹 기판 제조방법은, 본 발명의 다른 실시예에 의한 세라믹 기판 제조방법은, 상기 세라믹 기재(10)의 양면에 각각 상기 금속박(40)을 적층하여 브레이징을 통해 각각 접합시킬 수 있다. 이 경우 상기 세라믹 기재(10)의 양면에 시드층(20)을 각각 형성하고, 상기 브레이징용 페이스트를 상기 세라믹 기재(10)의 양면에 형성된 시드층(20)에 각각 적층한다.4, a method of manufacturing a ceramic substrate according to another embodiment of the present invention includes the steps of forming a metal foil (not shown) on both surfaces of the ceramic substrate 10, 40 may be laminated and brazed to each other. In this case, a seed layer 20 is formed on both surfaces of the ceramic substrate 10, and the brazing paste is laminated on the seed layer 20 formed on both surfaces of the ceramic substrate 10.

또한, 상기 브레이징하는 단계(S300)는, 상기 세라믹 기재(10)의 양면에서 상기 브레이징용 페이스트 상에 각각 금속박(40)을 적층하고, 브레이징 로(1) 내의 상기 하부 가압지그부(2)와 상기 상부 가압지그부(3)의 사이에 상기 세라믹 기재(10)를 배치하고 가열 중에 상기 세라믹 기재(10)의 양면에서 상기 금속박(40)을 가압하는 것이다.The brazing step S300 may be performed by laminating a metal foil 40 on the brazing paste on both surfaces of the ceramic base 10 and by pressing the lower pressurizing jig 2 and / The ceramic base 10 is placed between the upper pressing jig 3 and the metal foil 40 is pressed on both sides of the ceramic base 10 during heating.

상기 세라믹 기재(10)의 양면에 상기 금속박(40)을 적층하여 접합시키기 위한 상기 시드층(20)을 형성하고, 상기 브레이징 필러층(31)을 형성하며, 브레이징하는 것은 상기 세라믹 기재(10)의 양면에 각각 시드층(20), 브레이징 필러층(31), 상기 금속박(40)을 배치하는 것 이외의 실시 예는 상기한 실시 예와 중복되어 기재를 생략함을 밝혀둔다.The brazing filler layer 31 is formed on both surfaces of the ceramic substrate 10 by brazing the ceramic substrate 10 to form the seed layer 20 for laminating and bonding the metal foil 40 to both surfaces of the ceramic substrate 10, The brazing filler layer 31, and the metal foil 40 are disposed on both sides of the metal foil 40, respectively, and the description thereof is omitted.

한편, 도 8을 참고하면 본 발명의 일 실시예에 의한 세라믹 기판은, 세라믹 기재(10)를 포함한다. Referring to FIG. 8, a ceramic substrate according to an embodiment of the present invention includes a ceramic substrate 10.

상기 세라믹 기재(10) 상에는 회로패턴(50)이 구비되며, 상기 회로패턴(50)은 상기 세라믹 기재(10) 상에 형성된 시드층(20), 상기 시드층(20) 상에 형성된 브레이징 접합층(30) 및 상기 브레이징 접합층(30)에 의해 상기 시드층(20)에 접합되고, 회로패턴(50)의 형상으로 형성된 금속박(40)을 포함한다. A circuit pattern 50 is formed on the ceramic substrate 10 and the circuit pattern 50 is formed on the ceramic substrate 10 by using a seed layer 20 formed on the ceramic substrate 10, And a metal foil 40 bonded to the seed layer 20 by the brazing filler metal layer 30 and the brazing bonding layer 30 and formed in the shape of a circuit pattern 50.

상기 금속박(40)은, 알루미늄박 또는 동박인 것을 일 예로 한다.The metal foil 40 is, for example, an aluminum foil or a copper foil.

상기 금속박(40)은 회로패턴의 형상으로 절단 또는 타발하여 형성되어 설계된 회로패턴의 형상을 가지는 것이다.The metal foil 40 has a shape of a designed circuit pattern formed by cutting or stamping in the form of a circuit pattern.

즉, 상기 세라믹 기재(10) 상에는 회로패턴(50)이 구비되며 상기 회로패턴(50)은 상기 세라믹 기재(10) 상에 형성된 시드층(20), 상기 시드층(20) 상에 형성된 브레이징 접합층(30) 및 상기 브레이징 접합층(30)에 의해 상기 시드층(20)에 접합되고, 회로패턴(50)의 형상으로 형성된 금속박을 포함한다.That is, a circuit pattern 50 is provided on the ceramic substrate 10, and the circuit pattern 50 includes a seed layer 20 formed on the ceramic substrate 10, a brazed joint 20 formed on the seed layer 20, And a metal foil formed in the shape of the circuit pattern (50) and bonded to the seed layer (20) by the layer (30) and the brazing bonding layer (30).

또한, 상기 브레이징 접합층(30)과 상기 시드층(20)은 상기 금속박의 측면으로 일부 돌출되게 형성되는 것이 바람직하다.The brazing bonding layer 30 and the seed layer 20 may be formed to protrude partially from the side surface of the metal foil.

상기 브레이징 접합층(30)과 상기 시드층(20)은 상기 금속박(40)의 측면으로 일부 돌출되어 상기 금속박(40)의 접합력을 더 증대시킨다. The brazing joint layer 30 and the seed layer 20 are partially protruded from the side surface of the metal foil 40 to further increase the bonding strength of the metal foil 40.

상기 세라믹 기재(10)는, 알루미나(Al2O3) 세라믹 기판, AlN 세라믹 기판, SiN 세라믹 기판, Si3N4 세라믹 기판 중 어느 하나인 것을 일 예로 하고, 이외에도 반도체 전력 모듈 등에 사용 가능한 세라믹 소재로 변형 실시 가능함을 밝혀둔다.The ceramic substrate 10 may be any one of an alumina (Al 2 O 3 ) ceramic substrate, an AlN ceramic substrate, a SiN ceramic substrate, and an Si 3 N 4 ceramic substrate. As shown in FIG.

상기 세라믹 기재(10)의 표면에는 화학약품 또는 물리적 연마로 미세 돌기부가 형성되는 것이 바람직하다. 상기 미세 돌기부는 브레이징 접합층(30)과의 접합력을 강화시킨다.It is preferable that fine protrusions are formed on the surface of the ceramic substrate 10 by chemical or physical polishing. The fine protrusions strengthen the bonding strength with the brazing bonding layer 30.

상기 세라믹 기재(10) 상에는 시드층(20)이 구비되고, 상기 시드층(20) 상에는 브레이징 접합층(30)을 통해 금속박(40)이 접합된다. 상기 브레이징 접합층(30)은 브레이징용 페이스트가 용융된 후 경화되어 형성되는 것으로 상기 금속박(40)을 상기 세라믹 기재(10)에 접합시키는 역할을 한다.A seed layer 20 is formed on the ceramic substrate 10 and a metal foil 40 is bonded to the seed layer 20 through a brazing bonding layer 30. [ The brazing adhesive layer 30 is formed by melting the brazing paste and curing the metal brazing layer 30, thereby bonding the metal foil 40 to the ceramic base 10.

또한, 상기 시드층(20)은 브레이징 접합층(30)을 통해 금속박(40)을 견고히 접합시키는 역할을 한다.In addition, the seed layer 20 serves to firmly bond the metal foil 40 through the brazing bonding layer 30.

상기 시드층(20)은, 상기 세라믹 기재(10)와의 결합력이 높은 재료로 형성된 제1시드층(21), 상기 브레이징 접합층(30)과의 결합력이 우수한 재료로 형성되는 제2시드층(22)을 포함한다.The seed layer 20 includes a first seed layer 21 formed of a material having a high coupling force with the ceramic base 10 and a second seed layer 21 formed of a material having excellent bonding strength with the brazing bonding layer 30 22).

즉, 상기 제1시드층(21)은 상기 세라믹 기재(10)와의 결합력이 우수한 Ti, Hf, Zr 중 어느 하나로 형성되어 상기 세라믹 기재(10)와의 결합력을 확보하는 증착층이고, 상기 제2시드층(22)은 상기 브레이징 접합층(30)과의 결합력이 우수한 Cu 또는 Ag로 형성된 증착층인 것을 일 예로 한다.That is, the first seed layer 21 is a vapor deposition layer formed of any one of Ti, Hf, and Zr excellent in bonding force with the ceramic base 10 to secure the bonding force with the ceramic base 10, The layer 22 is an evaporation layer formed of Cu or Ag, which has a good bonding force with the brazing bonding layer 30.

상기 브레이징 접합층(30)은, Ag와 Cu가 혼합된 것을 일 예로 하고, 중량%로 Ag 65 ~ 75%, Cu 35 ~ 25%를 포함한 것을 일 예로 한다. 이는 환원분위기 또는 진공의 브레이징 로(1) 내에서 브레이징 온도 제어가 용이한 브레이징용 페이스트 조성으로 브레이징 로(1) 내의 가열 온도를 860℃ 내외로 제어하여 효율적인 브레이징 공정이 이루어질 수 있도록 한다. The brazing joint layer 30 is, for example, a mixture of Ag and Cu, and contains 65 to 75% of Ag and 35 to 25% of Cu by weight, for example. This enables the effective brazing process to be performed by controlling the heating temperature in the brazing furnace 1 to about 860 ° C with the composition of the brazing paste in which the brazing temperature can be easily controlled in the reducing atmosphere or vacuum brazing (1).

또한, 상기 브레이징 접합층(30)은 Ag와 Al, Ni, Sn, In 중 적어도 어느 하나를 혼합한 합금층인 것을 일 예로 한다. The brazing bonding layer 30 is an alloy layer formed by mixing Ag with at least one of Al, Ni, Sn, and In.

상기 브레이징 접합층(30)은 상기 제2시드층(22)과 견고히 접합되어 상기 세라믹 기재(10)에 상기 금속박(40)을 최종적으로 견고하게 접합시키는 것이다.The brazing bonding layer 30 is firmly bonded to the second seed layer 22 to firmly bond the metal foil 40 to the ceramic substrate 10.

도 9를 참고하면 상기 시드층(20)은 적어도 두개의 금속이 혼합된 합금으로 형성되는 단층 합금시드층(23)인 것이 바람직하다.Referring to FIG. 9, it is preferable that the seed layer 20 is a single-layer alloy seed layer 23 formed of an alloy in which at least two metals are mixed.

상기 단층 합금시드층(23)은 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg 중 어느 하나인 것이 바람직하다. The single-layer alloy seed layer 23 is preferably one of TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo and TiAg.

상기 TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, TiAg는 활성화 금속의 역할이 가능하며 하나의 에칭액으로 한번의 에칭공정으로 에칭될 수 있는 합금비로 제조된다.The TiCu, NiTi, TiCu, NiNb, CuMo, and TiAg can be used as an activating metal and can be etched by one etching process with one etching solution.

상기 시드층(20)은 단층 합금시드층(23)으로 형성됨으로써 제조공정을 단순화하고, 제조원가를 크게 절감하며 생산성을 향상시키는 효과가 있다.The seed layer 20 is formed of the single alloy seed layer 23, thereby simplifying the manufacturing process, greatly reducing the manufacturing cost, and improving the productivity.

도 10 및 도 11을 참고하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 세라믹 기판은, 상기 세라믹 기재(10)의 양면에 회로패턴(50) 형상의 금속박(40)이 상기 브레이징 접합층(30)을 통해 접합될 수 있다.10 and 11, in the ceramic substrate according to another embodiment of the present invention, a metal foil 40 having a circuit pattern 50 on both surfaces of the ceramic substrate 10 is bonded to the brazing bonding layer 30 Lt; / RTI >

이 경우 상기 세라믹 기재(10)의 양면에 상기 미세 돌기부가 형성되고, 상기 시드층(20)이 각각 형성되는 것이다.In this case, the fine protrusions are formed on both surfaces of the ceramic substrate 10, and the seed layer 20 is formed.

본 발명은 기존에 소성공정에 의한 계면 결합 대신에 브레이징 접합을 통해 금속박과 세라믹 기재를 일체화시키는 구성으로 금속박과 세라믹 기재의 접합력을 크게 향상시킨다. The present invention greatly improves the bonding strength between the metal foil and the ceramic substrate by integrating the metal foil and the ceramic substrate through brazing instead of the interfacial bonding by the firing process.

본 발명은 고온 또는 진공 소성 장치가 필요 없고, 고온 또는 진공의 소성공정을 거치지 않고 제조가 가능하므로 제조비용을 크게 절감할 수 있다.The present invention eliminates the need for a high-temperature or vacuum firing apparatus, and can be manufactured without being subjected to a high-temperature or vacuum firing process, thereby greatly reducing manufacturing costs.

본 발명은 브레이징 접합 후 에칭과정을 단순화하여 전체 제조공정을 단순화하고, 생산성을 향상시킨다.The present invention simplifies the etching process after brazing, simplifying the entire manufacturing process and improving productivity.

이와 같은 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이고, 본 발명의 권리범위는 첨부한 특허청구 범위에 기초하여 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications, and variations will be apparent to those skilled in the art in light of the above teachings. will be.

10 : 세라믹 기재 20 : 시드층
21 : 제1시드층 22 : 제2시드층
23 : 단층 합금시드층 30 : 브레이징층
40 : 금속박 50: 회로패턴10: ceramic substrate 20: seed layer
21: first seed layer 22: second seed layer
23: single layer alloy seed layer 30: brazing layer
40: metal foil 50: circuit pattern

Claims (21)

시드층이 형성된 세라믹 기재와, 금속박을 회로패턴 형상으로 가공한 금속박을 준비하는 단계; 및
상기 세라믹 기재와 상기 금속박 사이에 브레이징 필러층을 개재한 상태에서 브레이징하는 단계;를 포함하는 세라믹 기판 제조방법에 있어서,
상기 금속박을 준비하는 단계는 상기 금속박이 점착된 지지시트를 하프커팅하는 범위로 상기 금속박을 절단 또는 타발하고,
상기 브레이징 필러층은 복수의 빈공간이 이격되게 형성되는 형태 및 Ag층과 Cu층이 적층된 적층 구조로 상기 세라믹 기재를 준비하는 단계에서 상기 시드층 상에 형성되거나, 상기 금속박을 준비하는 단계에서 상기 금속박을 절단 또는 타발하기 전에 상기 금속박의 일면에 형성되며,
상기 세라믹 기재를 준비하는 단계는 상기 시드층을 형성하는 과정을 포함하고,
상기 시드층을 형성하는 과정은,
상기 세라믹 기재 상에 세라믹 기재와의 결합력을 확보하기 위해 Ti, Hf, Zr 중 어느 하나의 재료로 이루어지는 제1시드층을 형성하는 과정; 및
상기 제1시드층 상에 상기 브레이징 필러층과의 결합력을 확보하기 위해 Ag 또는 Cu로 이루어지는 제2시드층을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.Preparing a ceramic substrate on which a seed layer is formed and a metal foil obtained by processing a metal foil into a circuit pattern; And
And brazing in a state where a brazing filler layer is interposed between the ceramic base and the metal foil,
The step of preparing the metal foil may include cutting or punching the metal foil to a half cutting range of the support sheet to which the metal foil is adhered,
The brazing filler layer may be formed on the seed layer in the step of preparing the ceramic base material in a laminated structure in which a plurality of void spaces are spaced apart and an Ag layer and a Cu layer are laminated, Wherein the metal foil is formed on one surface of the metal foil before cutting or punching the metal foil,
The step of preparing the ceramic substrate may include forming the seed layer,
The process of forming the seed layer includes:
A step of forming a first seed layer made of any one of Ti, Hf and Zr on the ceramic base material to secure a bonding force with the ceramic base material; And
And forming a second seed layer made of Ag or Cu on the first seed layer to secure a bonding force with the brazing filler layer. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 세라믹 기재를 준비하는 단계는,
상기 시드층을 형성하는 과정 전에 상기 세라믹 기재의 표면을 거칠게 하는 표면 개질 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.The method according to claim 1,
The step of preparing the ceramic substrate includes:
And a surface modification step of roughening the surface of the ceramic base before forming the seed layer. 제1항에 있어서,
상기 브레이징 필러층은 제1Ag층, 상기 제1Ag층 상에 적층되는 Cu층, 상기 Cu층 상에 적층되는 제2Ag층을 포함하거나, 제1Cu층, 상기 제1Cu층 상에 적층되는 Ag층, 상기 Ag층 상에 적층되는 제2Cu층을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.The method according to claim 1,
The brazing filler layer may include a first A g layer, a Cu layer stacked on the first A g layer, and a second A g layer stacked on the Cu layer, or may include a first Cu layer, an Ag layer stacked on the first Cu layer, And a second Cu layer laminated on the Ag layer. 제4항에 있어서,
상기 브레이징 필러층과 제2시드층에서의 Cu는 Al, Ni, Sn, In 중 어느 하나로 대체될 수 있는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.5. The method of claim 4,
And Cu in the brazing filler layer and the second seed layer can be replaced by any one of Al, Ni, Sn, and In. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 브레이징 필러층은, 브레이징 시트를 적층하거나 페이스트 형태의 브레이징 필러를 인쇄하여 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the brazing filler layer is formed by laminating a brazing sheet or by printing a braze filler in a paste form. 제1항에 있어서,
상기 브레이징 필러층은, 도금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the brazing filler layer is formed by plating. 제11항에 있어서,
상기 브레이징 필러층은, 0초과 10㎛ 이하의 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the brazing filler layer is formed to have a thickness of more than 0 占 퐉 and 10 占 퐉 or less. 제1항에 있어서,
상기 브레이징하는 단계는, 상기 브레이징 필러층을 용융시켜 형성되는 브레이징층을 통해 상기 금속박을 상기 시드층 상에 접합시키며,
상기 금속박의 측면으로 상기 브레이징 필러층이 일부 돌출되게 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the brazing step comprises bonding the metal foil on the seed layer through a brazing layer formed by melting the brazing filler layer,
Wherein the brazing filler layer is partially protruded from a side surface of the metal foil. 제1항, 제3항 내지 제5항, 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항의 세라믹 기판 제조방법에 의해 제조된 세라믹 기판으로서,
세라믹 기재, 및
상기 세라믹 기재 상에 형성된 회로패턴을 포함하며,
상기 회로패턴은,
상기 세라믹 기재 상에 형성된 시드층;
상기 시드층 상에 형성된 브레이징층; 및
상기 브레이징층에 의해 상기 시드층에 접합되는 금속박을 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판.A ceramic substrate produced by the method for manufacturing a ceramic substrate according to any one of claims 1, 3 to 5, and 13 to 13,
Ceramic substrate, and
And a circuit pattern formed on the ceramic substrate,
In the circuit pattern,
A seed layer formed on the ceramic substrate;
A brazing layer formed on the seed layer; And
And a metal foil bonded to the seed layer by the brazing layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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