KR101847321B1 - 플라이백 스위칭 전원회로 및 그 회로를 응용하는 백라이트 구동장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라이백 스위칭 전원회로 및 그 회로를 응용하는 백라이트 구동장치를 제공한다. 상기 플라이백 스위칭 전원회로는 변압기(200), 출력정류기(D2), 스위칭 트랜지스터(Q1), 제어기(100), 클램핑 지연회로(300)을 포함하되, 변압기는 일차권선, 이차권선과 상기 일차권선의 일측에 위치한 보조권선을 포함하고; 출력정류기는 변압기의 이차권선에서 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단에 연결되며; 스위칭 트랜지스터는 일차권선상의 전압을 제어하는데 사용되고; 제어기는 펄스 폭 조절신호를 제공하여 스위칭 트랜지스터의 그리드를 구동하는 데 사용되며; 클램핑 지연회로는 스위칭 트랜지스터의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동(電位阻尼振動)의 파곡점(波谷處)에서 도통된다. 상기 스위칭 전원회로중에 클램핑 지연회로를 설치하고 변압기중에 보조권선을 증설하는 것을 통하여, 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되게 하여, 스위칭 트랜지스터의 스위칭 소모를 감소시킨다.
Description
본 발명은 전원기술영역에 관한 것이고, 특히 플라이백 스위칭 전원회로 및 그 회로를 응용하는 백라이트 구동장치에 관한 것이다.
근년래, 전원기술의 신속한 발전에 따라, 스위칭 안정전압이 소형화, 고주파화, 직접화의 방향으로 발전하고, 고효율의 스위칭 전원은 이미 더욱더 광범위하게 응용되고 있다. 플라이백 전원회로는 그 회로가 간단하고, 고효율의 직류출력 등 많은 장점을 제공할 수 있으며, 예를 들면 가전제품, 전지 충전기와 많은 기타 작은 공률의 스위칭 전원 설계에 특별히 적합하다.
플라이백 스위칭 전원은 플라이백 고주파수 변압기가 입력출력회로를 격리시키는 스위칭 전원을 가리킨다. '플라이백(FLY BACK)'이 구체적으로 가리키는 것은 하이 레벨(스위칭 다이오드 도통)을 입력할 때, 출력라인중의 직렬한 인덕턴스는 방전상태이고, 반대로 하이 레벨(스위칭 다이오드 턴 오프)을 입력할 때, 출력라인중의 인덕턴스는 충전상태이다. 도 1은 종래기술중에서 액정 디스플레이상에 응용하는 플라이백 스위칭 전원회로의 설명도를 나타내고, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 스위칭 전원회로는 주로 전압입력단, 제어IC, 공률 MOS 트랜지스터, 변압기, 정류 다이오드와 출력 커패시터를 포함한다.
구체적으로, MOS 트랜지스터는 제어IC로 제어하고, 제어IC가 생성한 펄스 폭 조절신호를 통하여 MOS 트랜지스터를 턴 오프 또는 도통한다. 공률 MOS 트랜지스터가 도통될 때, 변압기의 일차권선 인덕턴스 전류는 상승하기 시작하고, 이때, 이차권선의 관계로 정류 다이오드는 차단되어 변압기는 에너지를 저장한다. 공률 MOS 트랜지스터가 차단될 때, 변압기의 일차권선의 인덕턴스 감응전압은 반대방향이고, 이때, 정류 다이오드는 도통되고 변압기중의 에너지는 상기 정류 다이오드를 거쳐 부하에 전기를 공급한다.
상술한 플라이백 스위칭 전원 토폴로지 라인의 설계에서, 제어IC를 사용하여 MOS 트랜지스터의 도통과 턴 오프를 직접 제어한다. 변압기 내부의 기생 커패시턴스 효과에 의하여 MOS 트랜지스터가 턴 오프 된 후, 드레인(D극)의 전위는 바로 안정되지 않고 감쇠진동에 따라 안정된다(도 2의 도시와 같이). 이 과정 중에 감쇠진동효과를 고려하지 않았기에 비교적 높은 MOS 트랜지스터의 스위칭 소모가 발생한다.
따라서, 어떻게 상술 문제를 해결하여 플라이백 스위칭 전원중의 MOS 트랜지스터의 스위칭 소모를 감소하는 것이 업계에서 노력하는 과제중의 하나이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술문제는 플라이백 스위칭 전원회로를 제공하여, 이는 MOS 트랜지스터의 스위칭 소모를 효과적으로 감소하는 데 그 목적이 있다. 또한 본 발명은 상기 회로를 응용하는 백라이트 구동장치를 더 제공한다.
1) 상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명은 플라이백 스위칭 전원회로를 제공하고, 이는 일차권선, 이차권선과 상기 일차권선의 일측에 위치한 보조권선을 포함하는 변압기; 상기 변압기의 이차권선에서 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단에 연결되는 출력정류기; 상기 일차권선상의 전압을 제어하는 데 사용되는 스위칭 트랜지스터; 펄스 폭 조절신호를 제공하여 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드를 구동하는 데 사용되는 제어기; 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동(電位阻尼振動)의 파곡점(波谷處)에서 도통되는 클램핑 지연회로; 를 포함하되, 상기 스위칭 트랜지스터의 드레인은 상기 일차권선의 일단에 연결하고, 상기 제어기는 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드를 연결하는 GATE단을 포함하며, 상기 클램핑 지연회로는 상기 보조권선에서 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드에 연결된다.
2) 본 발명의 제 1)항의 바람직한 실시예에서, 상기 클램핑 지연회로는,
상기 보조권선에서 발생한 전압에 근거하여 충전하는 안정전압 커패시터(穩壓電容);
상기 보조권선의 제 2단자에서 상기 안정전압 커패시터의 타단에 연결하는 다이오드;
상기 안정전압 커패시터 내부에 저장한 전압에 대하여 분압하는 분압회로;
도통기간에 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되는 삼극관; 을 더 포함하되, 상기 안정전압 커패시터와 상기 보조권선은 병렬 연결되고, 상기 안정전압 커패시터의 일단과 상기 보조권선의 제 1단자는 함께 접지참고(接地參考)에 연결되고, 상기 분압회로와 상기 안정전압 커패시터는 병렬 연결되며, 상기 삼극관의 베이스(基極)는 상기 분압회로에 연결되고, 상기 삼극관의 콜렉터(集電極)는 스위칭 트랜지스터의 그리드에 연결된다.
3) 본 발명의 제 1)항 또는 제 2)항의 바람직한 실시예에서, 상기 분압회로는 제 1분압저항과 제 2분압저항의 직렬 연결로 구성되고, 상기 삼극관의 베이스는 상기 제 1분압저항과 제 2분압저항 사이에 연결된다.
4) 본 발명의 제 1)항 내지 제 3)항 중 어느 한 항에 있어서의 바람직한 실시예에서, 상기 제어기에서 저전위를 출력할 때, 상기 스위칭 트랜지스터는 차단되어 상기 보조권선은 상기 안정전압 커패시터에 충전하고, 상기 제 1분압저항과 제 2분압저항의 분압을 통하여 상기 삼극관을 도통하며, 상기 삼극관은 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통된다.
5) 본 발명의 제 1)항 내지 제 4)항 중 어느 한 항에 있어서의 바람직한 실시예에서, 상기 제어기에서 고전위를 출력할 때, 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고 상기 클램핑 지연회로는 작업하지 않는다.
6) 본 발명의 제 1)항 내지 제 5)항 중 어느 한 항에 있어서의 바람직한 실시예에서, 상기 제어기의 GATE단에서 상기 스위칭 트랜지스터의 그리드에 연결하는 제 1저항을 더 포함한다.
7) 본 발명의 제 1)항 내지 제 6)항 중 어느 한 항에 있어서의 바람직한 실시예에서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스에서 접지참고에 연결하는 제 2저항을 더 포함한다.
8) 본 발명의 제 1)항 내지 제 7)항 중 어느 한 항에 있어서의 바람직한 실시예에서, 출력전압에 대하여 필터링하는 출력 커패시터; 를 더 포함하고, 상기 출력 커패시터의 일단과 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단은 연결되며, 타단은 접지참고에 연결한다.
9) 본 발명의 제 1)항 내지 제 8)항 중 어느 한 항에 있어서의 바람직한 실시예에서, 상기 출력 정류기는 정류 다이오드이다.
10) 본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 백라이트 구동장치를 더 제공하며, 이는 상술한 플라이백 스위칭 전원회로를 포함한다.
종래기술과 비교하면, 본 발명의 하나 또는 복수의 실시예는 아래와 같은 장점을 갖는다.
본 발명은 플라이백 스위칭 전원회로에 클램핑 지연회로를 설치하고, 변압기에 보조권선을 증설하여, 상기 회로를 통해 MOS 트랜지스터가 차단으로부터 재차 도통 시 MOS 트랜지스터의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여, MOS 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동(電位阻尼振動)의 파곡점(波谷處)에서 도통되는 것을 제어하여, 이는 MOS 트랜지스터가 도통시의 전압 누적을 감소시켜 전압 피크 값을 피하여, MOS 트랜지스터의 스위칭 소모를 감소시켰다.
본 발명의 기타 특징과 장점은 아래의 명세서에서 서술하고, 또한 부분적으로 명세서에서 명백히 알 수 있으며, 또한 본 발명의 실시를 통해 이해할 수 있다. 본 발명의 목적과 기타 장점은 명세서, 청구항 및 도면에서 특별히 지적한 구조로 실현과 획득할 수 있다.
도면은 본 발명에 대하여 진일보 이해를 제공하고 명세서의 일부분을 구성하며, 본 발명의 실시예와 공동으로 본 발명을 해석하며 본 발명에 대하여 제한하지 않는다. 도면에서,
도 1은 종래기술중의 플라이백 스위칭 전원회로의 설명도이다.
도 2는 플라이백 스위칭 전원회로 중의 MOS 트랜지스터 드레인(D극) 전위의 감쇠진동 설명도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라이백 스위칭 전원회로의 설명도이다.
도 1은 종래기술중의 플라이백 스위칭 전원회로의 설명도이다.
도 2는 플라이백 스위칭 전원회로 중의 MOS 트랜지스터 드레인(D극) 전위의 감쇠진동 설명도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라이백 스위칭 전원회로의 설명도이다.
본 발명의 목적, 기술방안과 장점을 더 명확하게 하기 위하여 아래에 도면을 결합하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3을 참고하면, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라이백 스위칭 전원회로를 도시하고, 상기 플라이백 전원회로는 그 내부의 클램프 지연회로를 통하여 스위칭 트랜지스터의 스위칭 소모를 감소할 수 있어 회로의 효율을 향상시킨다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 플라이백 전원 스위칭 회로는 주로 전압입력단(Vin), 변압기(200), 정류 다이오드(D2), 출력 커패시터(C2), 전압 출력단(Vo), N채널 필드 효과 트랜지스터(MOS 트랜지스터로 약칭)(Q1), 제어 IC(100) 및 클램핑 지연회로(300)를 포함한다.
쉽게 이해할 수 있게, 도 3은 N채널 필드 효과 트랜지스터가 구성한 스위칭 트랜지스터의 하나의 예시를 도시하였고, 명확하게 스위칭 트랜지스터는 상술한 설비에 한정되지 않는다.
그 중에서, 변압기(200)는 일차권선, 이차권선과 상기 일차권선의 일측에 위치한 보조권선을 포함한다. 쉽게 이해할 수 있는 것은, 상기 보조권선의 권회수는 실제 변압기의 수요로 설계할 수 있다. 동명단 상위(同名端相位)가 같은 원리에 근거하여 상기 보조권선과 이차권선은 일치하고 MOS 트랜지스터(Q1)에서 차단 시, 출력을 시작한다.
출력 다이오드(D2)는 변압기(200)의 이차권선에서 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 전압출력단(Vo)에 연결된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 출력 다이오드(D2)의 양극은 이차권선의 제 2단자(3호단)을 연결하고, 상기 출력 다이오드(D2)의 음극은 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 전압출력단(Vo)을 연결한다.
출력 커패시터(C2)는 출력전압에 대하여 필터링하고, 상기 출력 커패시터(C2)의 일단과 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단은 연결되고, 타단은 접지참고에 연결된다.
MOS 트랜지스터(Q1)는 상기 변압기(200)의 일차권선상의 전압을 제어하는데 사용되고, 그 중에서 상기 MOS 트랜지스터(Q1)의 드레인은 일차권선의 제 2단자(2호단)에 연결된다. 상기 MOS 트랜지스터(Q1)의 소스는 저항(R4)을 통하여 접지참고에 연결된다. 펄스 폭 조절신호가 턴 오프될 때, 플라이백 전압은 이차권선에서 일차권선과 보조권선으로 반사된다.
제어IC(100)의 VCC는 펄스 폭 조절신호를 제공하여 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드를 구동하는 데 사용되고, 그 중에서 제어IC(100)는 전압 수신에 사용되는 VCC입력단, MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드에 연결한 GATE단과 접지참고에 연결한 GND접지단을 포함한다. 제어IC(100)가 수신한 전압이 시동(啓動) 문턱전압을 초과할 때, 상기 제어IC(100)는 펄스 폭 조절신호를 생성하고, MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드와 연결한 GATE단에서 발사한다. 상기 펄스 폭 조절신호는 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드(G극)를 구동하여 펄스 폭 조절제어에 사용된다.
클램핑 지연회로(300)는 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여, MOS 트랜지스터(Q1)가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되도록 하고, 그 중에서, 클램핑 지연회로(300)는 보조권선에서 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드에 연결된다. 상기 클램핑 지연회로(300)는 삼극관(T1), 제 1분압저항(R1), 제 2분압저항(R2), 안정전압 커패시터(C1)와 다이오드(D1)를 포함한다.
안정전압 커패시터(C1)는 보조권선이 발생한 전압에 근거하여 충전하고, 상기 안정전압 커패시터(C1)와 변압기(200)의 보조권선은 병렬 연결되며, 상기 안정전압 커패시터(C1)의 일단과 보조권선의 제 1단자(6호단)는 함께 접지참고에 연결된다.
다이오드(D1)는 변압기(200)의 보조권선의 제 2단자(5호단)에서 안정전압 커패시터(C1)의 타단에 연결된다. 도에 도시된 바와 같이, 다이오드(D1)의 양극은 상기 변압기(200)의 보조권선의 제 2단자에 연결되고, 음극은 상기 안정전압 커패시터(C1)의 일단을 연결한다. 제 1분압저항(R1)과 제 2분압저항(R2)의 저항은 직렬 연결되어 분압회로를 구성하고, 상기 분압회로와 안정전압 커패시터(C1)는 병렬 연결된다. 상기 분압회로는 안정전압 커패시터(C1) 내부에 저장한 전압에 대하여 분압을 진행하는 데 사용되고, 즉 제 1분압저항(R1)과 제 2분압저항(R2)을 이용하여 그 내부에 저장한 전압을 분압한다. 당연히, 상기 분압회로는 단지 바람직한 예시이고, 본 영역 기술자는 실제상황에 근거하여 합리적으로 분압저항의 크기를 조절하여 가장 좋은 효과에 도달할 수 있다.
삼극관(T1)은 도통기간에 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드 전위를 저전위로 클램프하여, MOS 트랜지스터(Q1)가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되게 한다. 상기 삼극관(T1)의 베이스는 분압회로(제 1분압저항(R1)과 제 2분압저항(R2)의 사이)에 연결되고, 상기 삼극관(T1)의 콜렉터는 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드에 연결된다.
또한, 상기 플라이백 스위칭 전원회로는 제 1저항(R3)을 더 포함하고, 이는 제어IC(100)의 GATE단에서 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드에 연결되어 전류제한 작용을 하여 MOS 트랜지스터(Q1)의 도통과 차단의 속도를 제어한다. 제 2저항(R4)은 MOS 트랜지스터(Q1)의 소스에서 접지참고에 연결되고, 상기 제 2저항(R4)도 회로에서 전류제한 작용을 한다.
이어서, 상기 플라이백 전원 스위칭 회로의 상세한 조작을 설명한다. 도 3을 참조하면, 우선, 제어IC(100)는 VCC입력단의 전압이 시동(啓動) 문턱전압을 초과하는지 여부를 검측하고, 초과로 검측되면, 상기 제어IC(100)는 펄스 폭 조절신호를 생성하여 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드와 연결된 GATE단에서 발사한다.
제어IC(100)가 고전위를 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드에 출력할 때, MOS 트랜지스터(Q1)는 도통된다. 이때, 변압기(200)의 일차권선의 1호단은 고전위이고, 변압기(600)의 보조권선 6호단도 고전위단이며, 다이오드(D1)는 차단되고 클램핑 지연회로(300)는 작업하지 않는다.
제어IC(100)가 저전위를 MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드에 출력할 때, MOS 트랜지스터(Q1)는 차단된다. MOS 트랜지스터(Q1)가 차단될 때, 변압기(200)의 일차권선의 1호단은 저전위이고, 보조권선 5호단은 고전위단이며, 그 전압 파형은 도 2에 도시된 바와 같이 감쇠진동과 유사하다. 이때, 다이오드(D2)는 도통되고 클램핑 지연회로(300)는 작업을 시작한다.
구체적으로, 제 1분압저항(R1), 제 2분압저항(R2)와 안정전압 커패시터(C1)의 크기를 합리하게 설정하였기에 변압기(200)의 보조권선이 C1에 충전하고, 제 1분압저항(R1)과 제 2분압저항(R2)의 분압을 통하여 삼극관(T1)을 도통하여, MOS 트랜지스터(Q1)의 그리드가 저전위로 클램프 되게 하고, MOS 트랜지스터(Q1)가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서의 지연도통을 제어한다.
이는 주로 변압기(200) 내부의 기생 커패시터 효과에 인해 MOS 트랜지스터(Q1)가 턴 오프 된 후, 그 드레인의 전위는 바로 안정되지 않고 감쇠진동에 따라 안정으로 나아가며, 상술한 회로를 통해 MOS 트랜지스터가 차단에서 다시 도통 할 때까지 MOS 트랜지스터의 그리드 전위를 저전위로 클램프하며, MOS 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서의 도통을 제어하고, 이는 MOS 트랜지스터가 도통 시의 전압누적을 감소되게끔 하며, 전압 피크 값을 피하고 MOS 트랜지스터의 스위칭 소모를 감소하는 것을 고려하였다. 이는 스위칭 소모가 근사하게 ΔV*ΔI/4와 같고, 파곡점에서 ΔV가 가장 작아 스위칭 소모를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 백라이트 구동장치도 언급되는데, 이는 상술한 플라이백 스위칭 전원회로를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 플라이백 스위칭 전원회로에 클램핑 지연회로를 설치하고, 변압기에 보조권선을 증설하며, 상기 클램핑 지연회로를 이용하여 스위칭 트랜지스터의 스위칭 소모를 줄일 수 있는 것을 통하여 회로효율을 향상시켰다.
상기 설명은 단지 본 발명의 바람직한 실시예이지만 본 발명의 보호범위는 이에 한정되지 않으며, 상기 기술에 익숙한 임의의 사람은 본 발명이 제시한 기술범위 내에서 쉽게 변화 또는 치환을 생각할 수 있고, 이 모두가 본 발명의 보호범위 내에 포함된다. 따라서, 본 발명의 보호범위는 청구항의 보호범위를 기준으로 해야 한다.
Claims (18)
- 일차권선, 이차권선과 상기 일차권선의 일측에 위치한 보조권선을 포함하는 변압기;
상기 변압기의 이차권선에서 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단에 연결되는 출력정류기;
상기 일차권선상의 전압을 제어하는 데 사용되는 스위칭 트랜지스터;
펄스 폭 조절신호를 제공하여 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트를 구동하는 데 사용되는 제어기;
상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 전위를 임계값(Threshold) 미만의 전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동(電位阻尼振動)의 파곡점(波谷處)에서 도통되는 클램핑 지연회로; 를 포함하되,
상기 스위칭 트랜지스터의 드레인은 상기 일차권선의 일단에 연결하고,
상기 제어기는 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트를 연결하는 GATE단을 포함하며,
상기 클램핑 지연회로는 상기 보조권선에서 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결되고,
상기 클램핑 지연회로는,
상기 보조권선에서 발생한 전압에 근거하여 충전하는 안정전압 커패시터(穩壓電容);
상기 보조권선의 제 2단자에서 상기 안정전압 커패시터의 타단에 연결하는 다이오드;
상기 안정전압 커패시터 내부에 저장한 전압에 대하여 분압하는 분압회로;
도통기간에 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 전위를 임계값(Threshold) 미만의 전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되는 삼극관; 을 더 포함하되,
상기 안정전압 커패시터와 상기 보조권선은 병렬 연결되고, 상기 안정전압 커패시터의 일단과 상기 보조권선의 제 1단자는 함께 기준접지에 연결되고,
상기 분압회로와 상기 안정전압 커패시터는 병렬 연결되며,
상기 삼극관의 베이스(基極)는 상기 분압회로에 연결되고, 상기 삼극관의 콜렉터(集電極)는 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결되는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 분압회로는 제 1분압저항과 제 2분압저항의 직렬 연결로 구성되고, 상기 삼극관의 베이스는 상기 제 1분압저항과 제 2분압저항 사이에 연결되는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 제 3항에 있어서,
상기 제어기에서 임계값(Threshold) 미만의 전위를 출력할 때, 상기 스위칭 트랜지스터는 차단되어 상기 보조권선은 상기 안정전압 커패시터에 충전하고, 상기 제 1분압저항과 제 2분압저항의 분압을 통하여 상기 삼극관을 도통하며, 상기 삼극관은 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 전위를 임계값(Threshold) 미만의 전위로 클램프하여 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 제 4항에 있어서,
상기 제어기에서 임계값(Threshold) 이상의 전위를 출력할 때, 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고 상기 클램핑 지연회로는 작업하지 않는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 제 1항에 있어서,
상기 제어기의 GATE단에서 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결하는 제 1저항을 더 포함하는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 제 6항에 있어서,
상기 스위칭 트랜지스터의 소스에서 기준접지에 연결하는 제 2저항을 더 포함하는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 제 7항에 있어서,
출력전압에 대하여 필터링하는 출력 커패시터; 를 더 포함하고,
상기 출력 커패시터의 일단과 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단은 연결되며, 타단은 기준접지에 연결하는 플라이백 스위칭 전원회로.
- 제 8항에 있어서,
상기 출력 정류기는 정류 다이오드인 플라이백 스위칭 전원회로.
- 플라이백 스위칭 전원회로를 포함하되,
상기 플라이백 스위칭 전원회로는,
일차권선, 이차권선과 상기 일차권선의 일측에 위치한 보조권선을 포함하는 변압기;
상기 변압기의 이차권선에서 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단에 연결되는 출력정류기;
상기 일차권선상의 전압을 제어하는 데 사용되는 스위칭 트랜지스터;
펄스 폭 조절신호를 제공하여 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트를 구동하는 데 사용되는 제어기;
상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 전위를 임계값(Threshold) 미만의 전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되는 클램핑 지연회로; 를 포함하고,
상기 스위칭 트랜지스터의 드레인은 상기 일차권선의 일단에 연결하고,
상기 제어기는 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트를 연결하는 GATE단을 포함하며,
상기 클램핑 지연회로는 상기 보조권선에서 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결되고,
상기 클램핑 지연회로는,
상기 보조권선에서 발생한 전압에 근거하여 충전하는 안정전압 커패시터;
상기 보조권선의 제 2단자에서 상기 안정전압 커패시터의 타단에 연결하는 다이오드;
상기 안정전압 커패시터 내부에 저장한 전압에 대하여 분압하는 분압회로;
도통기간에 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 전위를 임계값(Threshold) 미만의 전위로 클램프하여, 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되는 삼극관; 을 더 포함하되,
상기 안정전압 커패시터와 상기 보조권선은 병렬 연결되고, 상기 안정전압 커패시터의 일단과 상기 보조권선의 제 1단자는 함께 기준접지에 연결되고,
상기 분압회로와 상기 안정전압 커패시터는 병렬 연결되며,
상기 삼극관의 베이스는 상기 분압회로에 연결되고, 상기 삼극관의 콜렉터는 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결되는 백라이트 구동장치.
- 삭제
- 제 10항에 있어서,
상기 분압회로는 제 1분압저항과 제 2분압저항의 직렬 연결로 구성되고, 상기 삼극관의 베이스는 상기 제 1분압저항과 제 2분압저항 사이에 연결되는 백라이트 구동장치.
- 제 12항에 있어서,
상기 제어기에서 임계값(Threshold) 미만의 전위를 출력할 때, 상기 스위칭 트랜지스터는 차단되어 상기 보조권선은 상기 안정전압 커패시터에 충전하고, 상기 제 1분압저항과 제 2분압저항의 분압을 통하여 상기 삼극관을 도통하며, 상기 삼극관은 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트 전위를 임계값(Threshold) 미만의 전위로 클램프하여 상기 스위칭 트랜지스터가 그 드레인 전위 감쇠진동의 파곡점에서 도통되는 백라이트 구동장치.
- 제 13항에 있어서,
상기 제어기에서 임계값(Threshold) 이상의 전위를 출력할 때, 상기 스위칭 트랜지스터는 도통되고 상기 클램핑 지연회로는 작업하지 않는 백라이트 구동장치.
- 제 10항에 있어서,
상기 제어기의 GATE단에서 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 연결하는 제 1저항을 더 포함하는 백라이트 구동장치.
- 제 15항에 있어서,
상기 스위칭 트랜지스터의 소스에서 기준접지에 연결하는 제 2저항을 더 포함하는 백라이트 구동장치.
- 제 16항에 있어서,
출력전압에 대하여 필터링하는 출력 커패시터; 를 더 포함하고,
상기 출력 커패시터의 일단과 상기 플라이백 스위칭 전원회로의 출력단은 연결되며, 타단은 기준접지에 연결하는 백라이트 구동장치.
- 제 17항에 있어서,
상기 출력 정류기는 정류 다이오드인 백라이트 구동장치.
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