KR101836748B1 - 다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부, 및 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류하고, 분류된 두 개의 그룹들에 대하여 다양한 여분 셀들을 로컬 스페어와 같은 단순 구조로 인식하고, 분류된 두 개의 그룹들에 대하여 독립적으로 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산함으로써, 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법과 관련된 것이다.
메모리 집적도가 높아짐에 따라 메모리에 발생하는 고장의 확률 또한 높아졌고, 이에 따라 수율을 높이기 위해 메모리에 여분의 셀을 삽입함으로써, 메모리에 존재하는 고장을 여분의 셀로 수리하여 수율을 높이는 방법이 많이 제안되고 있다.
특히, 메모리의 고장 수리 방법은 ATE(automated test equipment) 기반의 방법과 DFT(design for test) 기반의 방법이 소개되고 있다.
먼저, ATE 기반의 방법은 ATE가 메모리의 고장 정보를 받아 정해진 알고리즘으로 수리 솔루션을 탐색하여 솔루션에 따라 메모리에 여분의 셀을 배치함으로써 고장을 수리할 수 있다.
다음으로, DFT 기반의 방법은 내장된 모듈이 메모리의 고장 정보를 저장하고 분석하여 수리 솔루션을 탐색한 후 솔루션에 따라 메모에 여분의 셀을 배치하여 고장을 수리할 수 있다.
여기서, ATE 기반의 방법은 ATE에 대한 비용 지출이 필요하다는 문제점이 존재하고, DFT 기반의 방법은 추가적인 모듈이 삽입되기 때문에 하드웨어의 오버헤드 문제점이 존재한다. 따라서, ATE 기반의 방법과 DFT 기반의 방법을 효율적으로 병합하여 메모리 수리율을 증가시킬 필요성이 존재한다.
또한, 메모리에 대한 높은 수리율을 확보하기 위해서 다양한 여분 셀들을 활용하여 메모리 수리를 진행하는 기존의 메모리 수리 알고리즘들은 단순한 여분 셀 구조를 활용할 때보다 월등하게 많은 분석 시간이 걸려 높은 비용이 요구되는 단점이 존재한다.
여기서, 다양한 여분 셀들은 메모리 뱅크들에서 라인성으로 발생되는 고장들을 수리하기 위해 사용되는 글로벌 스페어(global spare), 하나의 메모리 뱅크만 수리 가능하지만 낮은 비용이 요구되는 로컬 스페어(local spare), 및 양쪽에 존재하는 메모리 뱅크들을 수리할 수 있지만 로컬 스페어에 비하여 상대적으로 큰 비용이 요구되는 공통 스페어(common spare)를 포함할 수 있다.
또한, 일반적으로 다양한 여분 셀들의 조합이 너무 많아 모든 조합을 고려하지 못함에 따라, 최적화된 수리 솔루션을 도출하지 못할 뿐만 아니라 기대만큼 메모리 수리율을 향상시키지 못하는 문제점이 존재한다.
또한, 현재 존재하는 다양한 구조의 여분 셀들을 이용하는 메모리 수리 알고리즘들은 특정 구조의 여분 셀을 이용한 메모리의 수리에 한정되어 일반적인 메모리 구조에 사용할 수 없는 문제점이 존재한다.
따라서, 일반적인 메모리 구조에서 다양한 여분 셀들을 고려하면서도 높은 메모리 수리율을 제공할 수 있는 메모리 수리 기법이 제안될 필요성이 있다.
Jooyoung Kim, Keewon Cho, Woosung Lee and Sungho Kang/ A new built-in redundancy analysis algorithm based on multiple memory blocks / International SOC Design Conference, pp. 43-44, Nov. 2015
본 발명은 다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류하고, 분류된 두 개의 그룹들에 대하여 독립적으로 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산하여 메모리 뱅크의 수리율을 향상시키는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 다양한 여분 셀들을 로컬 스페어와 같은 단순 구조로 인식하여 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산함으로써, 메모리 뱅크의 수리율을 향상시키는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 메모리 뱅크들 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 무시하고, 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하여 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류하는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 고장이 발생된 메모리 뱅크들을 포함하는 전체 메모리 뱅크들을 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하여 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류하고, 제1 그룹에 대한 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 제2 그룹에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하고, 제1 수리 솔루션과 제2 수리 솔루션을 조합하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부, 및 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 상기 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)한 후, 상기 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 상기 제1 메모리 뱅크들을 상기 제1 그룹으로 분류하고, 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 상기 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 상기 제2 메모리 뱅크들을 상기 제2 그룹으로 분류할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 제1 스페어들과 상기 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어(common spare)가 상기 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되는 경우, 상기 공통 스페어(common spare)를 상기 제2 스페어들에서 제외할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션을 저장하는 저장부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 다수의 메모리 뱅크들에 대한 고장 정보를 수집하는 고장 정보 수집부, 및 상기 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인하고, 상기 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 상기 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는 라인 수리부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 제1 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 제2 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 상기 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 상기 제1 수리 솔루션 계산부가 상기 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 상기 제2 스페어들에 대한 정보를 갱신할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 방법은 그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계, 제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계, 제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계, 및 제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 방법은 상기 그룹 분류부에서, 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 상기 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)한 후, 상기 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 방법은 상기 그룹 분류부는 상기 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 상기 제1 메모리 뱅크들을 상기 제1 그룹으로 분류하는 단계, 및 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 상기 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 상기 제2 메모리 뱅크들을 상기 제2 그룹으로 분류하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 방법은 상기 제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 스페어들과 상기 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어(common spare)가 상기 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되는 경우, 상기 공통 스페어(common spare)를 상기 제2 스페어들에서 제외하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 방법은 고장 정보 수집부에서, 상기 다수의 메모리 뱅크들에 대한 고장 정보를 수집하는 단계, 라인 수리부에서, 상기 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인하는 단계, 및 상기 라인 수리부에서, 상기 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 상기 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류하고, 분류된 두 개의 그룹들에 대하여 독립적으로 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산하여 메모리 뱅크의 수리율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 다양한 여분 셀들을 로컬 스페어와 같은 단순 구조로 인식하여 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산함으로써, 메모리 뱅크의 수리율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 메모리 뱅크들 중 어느 하나를 선택하고, 선택된 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 무시하고, 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하여 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류하여, 메모리 뱅크의 수리율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 고장이 발생된 메모리 뱅크들을 포함하는 전체 메모리 뱅크들을 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하여 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류하고, 제1 그룹에 대한 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 제2 그룹에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하고, 제1 수리 솔루션과 제2 수리 솔루션을 조합하여 제3 수리 솔루션을 계산함으로써, 다양한 여분 셀들의 조합에 대한 연산 복잡도를 감소 시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치는 최적화된 수리 솔루션을 도출함으로써 메모리 수율을 높이고, 불필요한 여분 셀 배치를 감소시켜 메모리 뱅크의 고장을 수리하기 위한 비용을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치는 고장 분석의 복잡성을 줄임에 따라 높은 수리율과 함께 최적화된 수리 솔루션을 도출하고, 다양한 구조의 여분 셀 이용에 따른 분석 시간의 증가폭을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치는 다수의 메모리 뱅크들을 이용하는 모든 메모리들에 적용될 수 있고, 다양한 종류의 여분 셀들로 최적화된 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치는 메모리 집적도에 따라 증가된 메모리 뱅크의 고장 발생 확률에 따라 감소되는 수율을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹 및 제2 그룹 간의 공통 스페어(common spare)의 공유를 제거함으로써 독립적인 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치의 블록도를 도시한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 여분 셀들의 고장 수리 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법과 관련된 흐름도를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 단순 여분 셀의 구조를 변경하는 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 여분 셀들의 고장 수리 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법과 관련된 흐름도를 도시한다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 단순 여분 셀의 구조를 변경하는 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
이하, 본 문서의 다양한 실시 예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다.
실시 예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
하기에서 다양한 실시 예들을 설명에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.
그리고 후술되는 용어들은 다양한 실시 예들에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.
본 문서에서, "A 또는 B" 또는 "A 및/또는 B 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다.
"제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째," 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다.
어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.
본 명세서에서, "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다.
어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다.
예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 해당 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다.
또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or' 이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or' 를 의미한다.
즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다' 라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치의 블록도를 도시한다.
구체적으로, 도 1은 메모리 뱅크 수리 장치의 구성 요소들을 예시한다. 이하 사용되는 '. 부', '. 기' 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미하며, 이는 하드웨어나 소프트웨어, 또는, 하드웨어 및 소프트웨어의 결합으로 구현될 수 있다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치(100)는 그룹 분류부(111), 제1 수리 솔루션 계산부(112), 제2 수리 솔루션 계산부(113), 및 제3 수리 솔루션 계산부(114)를 포함한다. 예를 들어, 제어부(110)는 그룹 분류부(111), 제1 수리 솔루션 계산부(112), 제2 수리 솔루션 계산부(113), 및 제3 수리 솔루션 계산부(114)를 포함할 수 있다.
그룹 분류부(111)는 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류할 수 있다. 그룹 분류부(111)는 다수의 메모리 뱅크들을 상호간에 공통 스페어를 공유하지 않는 그룹들을 결정하기 위하여 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 그룹 분류부(111)는 다수의 메모리 뱅크들 중 어느 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)할 수 있다. 즉, 그룹 분류부(111)는 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 비-선택할 수 있다.
또한, 그룹 분류부(111)는 무시된 메모리 뱅크에 인접한 또는 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택(jump selection) 과정을 반복적으로 수행하여 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류할 수 있다.
또한, 그룹 분류부(111)는 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 제1 메모리 뱅크들을 제1 그룹으로 분류할 수 있다.
또한, 그룹 분류부(111)는 다수의 메모리 뱅크들 중 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 제2 메모리 뱅크들을 제2 그룹으로 분류할 수 있다.
여기서, 제1 메모리 뱅크들은 점프 선택 과정에 따라 선택되는 메모리 뱅크들을 포함하고, 제2 메모리 뱅크들은 비-선택되는 메모리 뱅크들을 포함할 수 있다.
또한, 그룹 분류부(111)는 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류함으로써, 제1 그룹 및 제2 그룹 간의 공통 스페어(common spare)의 공유를 제거할 수 있다.
메모리 뱅크 수리 장치(100)는 제1 그룹 및 제2 그룹에 대하여 각각 독립적으로 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산할 수 있다. 즉, 메모리 뱅크 수리 장치(100)는 제1 수리 솔루션 계산부(112)를 통하여 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 제2 수리 솔루션 계산부를 통하여 제2 수리 솔루션(113)을 계산할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 제1 수리 솔루션 계산부(112)는 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 파악한다. 여기서, 제1 스페어들은 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들 각각에서 메모리 뱅크 수리에 사용할 수 있는 여분 셀들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 스페어들은 글로벌 스페어(global spare), 공통 스페어 및 로컬 스페어(local spare)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 스페어들은 다양한 여분 셀들을 포함할 수 있다.
또한, 제1 수리 솔루션 계산부(112)는 파악한 제1 스페어들을 단순 구조를 갖는 로컬 스페어로 인식할 수 있다. 여기서, 제1 수리 솔루션 계산부(112)는 제1 스페어들을 로컬 스페어로 인식함으로써, 다양한 여분 셀들의 조합에 대한 연산 복잡도를 감소 시킬 수 있다.
또한, 제1 수리 솔루션 계산부(112)는 로컬 스페어로 인식되는 제1 스페어들을 이용하여 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
즉, 제1 수리 솔루션 계산부(112)는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
또한, 제1 수리 솔루션 계산부(112)는 제1 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 파악한다. 여기서, 제2 스페어들은 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들 각각에서 메모리 뱅크 수리에 사용할 수 있는 여분 셀들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제2 스페어들은 글로벌 스페어, 공통 스페어 및 로컬 스페어를 포함할 수 있다. 다만, 제2 스페어들은 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는데 이용되지 아니한 글로벌 스페어, 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되지 아니한 공통 스페어만 포함할 수 있다.
또한, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 제1 스페어들과 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어가 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 제1 수리 솔루션을 계산하는데 사용한 경우, 사용된 공통 스페어를 제2 스페어들에서 제외할 수 있다.
또한, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 제1 수리 솔루션 계산부가 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 제2 스페어들에 대한 정보를 갱신할 수 있다.
또한, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 파악한 제2 스페어들을 단순 구조를 갖는 로컬 스페어로 인식할 수 있다. 여기서, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 제2 스페어들을 로컬 스페어로 인식함으로써, 다양한 여분 셀들의 조합에 대한 연산 복잡도를 감소 시킬 수 있다.
또한, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 로컬 스페어로 인식되는 제2 스페어들을 이용하여 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
즉, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 로컬 스페어로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
또한, 제2 수리 솔루션 계산부(113)는 제2 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 제3 수리 솔루션 계산부(114)는 제1 수리 솔루션 계산부(112)에서 계산된 제1 수리 솔루션 및 제2 수리 솔루션 계산부(113)에서 계산된 제2 수리 솔루션을 조합하여 제3 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
즉, 제3 수리 솔루션 계산부(114)는 독립적으로 계산된 두 개의 수리 솔루션들을 종합하여 최종 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치(100)는 고장 정보 수집부(115), 라인 수리부(116), 및 저장부(120)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제어부(110)는 고장 정보 수집부(115) 및 라인 수리부(116)을 포함할 수 있다.
고장 정보 수집부(115)는 다수의 메모리 뱅크들 각각으로부터 고장 정보를 수집할 수 있다. 즉, 고장 정보 수집부(115)는 메모리 뱅크들 각각에 대하여 순차적으로 고장 정보 발생 여부를 확인하여 고장 정보를 수집할 수 있다.
예를 들어, 고장 정보는 메모리 뱅크를 넘어 고장 주소를 공유하는 행이나 영에 대한 존재 여부를 나타내는 정보를 포함할 수 있다.
라인 수리부(116)는 고장 정부 수집부(115)에서 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인할 수 있다.
또한, 라인 수리부(116)는 고장 주소를 공유하는 라인에서 라인성 고장이 발생한 것으로 판단하고, 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리할 수 있다.
즉, 라인 수리부(116)는 다수의 메모리 뱅크들이 행 또는 열로 규칙적으로 배열된 경우, 고장들이 발생된 행 또는 열에 대하여 글로벌 스페어를 배치하여, 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리할 수 있다.
또한, 라인 수리부(116)는 글로벌 스페어의 배치에 기초하여 가장 많은 수의 메모리 뱅크들의 고장이 수리될 수 있는 경우의 수를 계산하고, 계산된 경우의 수에 기초하여 글로벌 스페어를 배치함으로써, 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리할 수 있다.
저장부(120)는 제1 수리 솔루션 계산부(112)에서 계산된 제1 수리 솔루션 및 제2 수리 솔루션 계산부(113)에서 계산된 제2 수리 솔루션을 저장할 수 있다.
또한, 저장부(120)는 제3 수리 솔루션 계산부(114)에서 제3 수리 솔루션을 계산할 경우, 저장된 제1 수리 솔루션 및 저장된 제2 수리 솔루션을 제공할 수 있다.
또한, 저장부(120)는 메모리 뱅크 수리 장치(100)의 동작을 위한 기본 프로그램, 응용 프로그램, 설정 정보 등의 데이터를 저장한다.
특히, 저장부(120)는 다양한 실시 예들에 따라 파일을 관리하기 위한 적어도 하나의 명령어 집합(예: 어플리케이션)을 저장할 수 있다.
저장부(120)는 제어부(110)의 요청에 따라 저장된 데이터를 제공할 수 있다.
저장부(120)는 휘발성 및/또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
저장부(120)는 메모리 뱅크 수리 장치(100)의 적어도 하나의 다른 구성요소에 관련된 명령 또는 데이터를 저장할 수 있다.
저장부(120)는 메모리 뱅크 수리 장치(100)에 포함되는 것으로, ‘내부 저장소’또는 ‘내부 저장 장치’로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 제어부(110)는 운영 체제 또는 응용 프로그램을 구동하여 제어부(110)에 연결된 다수의 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소들을 제어할 수 있고, 각종 데이터 처리 및 연산을 수행할 수 있다.
예를 들어, 제어부(110)는 SOC(system on chip)로 구현될 수 있다. 제어부(110)는 다른 구성요소들(예: 비휘발성 메모리) 중 적어도 하나로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리에 로드하여 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리에 저장할 수 있다.
예를 들어, 제어부(110)는 메모리 뱅크 수리 장치(100)가 이하 도 4, 도 5, 도 6 등에 도시된 절차를 수행하도록 제어할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 여분 셀들의 고장 수리 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
구체적으로 도 2는 다양한 여분 셀들에 포함되는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어가 메모리 뱅크들에서 발생되는 고장을 수리하는 동작과 관련된 블록들을 예시한다.
도 2를 참고하면, 다수의 메모리 뱅크들은 제1 메모리 뱅크(241) 내지 제8 메모리 뱅크(248)을 포함하고, 다수의 메모리 뱅크들의 고장은 로컬 스페어(210), 공통 스페어(220) 및 글로벌 스페어(330)에 의하여 수리될 수 있다.
먼저, 로컬 스페어(210)는 제1 메모리 뱅크(241) 내지 제8 메모리 뱅크(248) 각각은 로컬 스페어(210)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 메모리 뱅크(241) 내지 제8 메모리 뱅크(248)은 메모리 뱅크의 가로축을 수리하기 위한 로컬 스페어(210) 및 세로축을 수리하기 위한 로컬 스페어(210)를 각각 포함할 수 있다.
예를 들어, 메모리 뱅크 수리 장치는 제8 메모리 뱅크(248)에서 발생되는 고장들(270, 271)을 로컬 스페어(210)를 사용하여 수리할 수 있다. 예를 들어, 로컬 스페어(210)는 해당 메모리 뱅크를 수리하는데 이용될 수 있고, 다른 여분 셀 보다 상대적으로 적은 비용을 소모할 수 있다.
다음으로, 공통 스페어(220)는 제1 메모리 뱅크(241) 내지 제8 메모리 뱅크(248) 각각에 사이에 위치할 수 있다.
예를 들어, 제1 메모리 뱅크(241)와 제2 메모리 뱅크(242)는 공통 스페어(220)를 공유할 수 있고, 제1 메모리 뱅크(241)와 제5 메모리 뱅크(245)는 공통 스페어(220)를 공유할 수 있다.
예를 들어, 제1 메모리 뱅크(241)에서 고장(260)이 발생하고, 제5 메모리 뱅크(245)에서 고장(261)이 발생될 경우, 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 메모리 뱅크(241)와 제5 메모리 뱅크(245) 간에 위치하는 공통 스페어(220)를 이용하여 고장(260) 또는 고장(261)을 수리할 수 있다.
또한, 제2 메모리 뱅크(242)에서 고장(262)이 발생하고, 제3 메모리 뱅크(243)에서 고장(263)이 발생될 경우, 메모리 뱅크 수리 장치는 제2 메모리 뱅크(242) 및 제3 메모리 뱅크(243) 사이에 위치하는 공통 스페어(220)를 이용하여 고장(262) 또는 고장(263)을 수리할 수 있다.
마지막으로, 글로벌 스페어(230)는 제1 메모리 뱅크(241) 내지 제4 메모리 뱅크(244)에 가로 방향에 해당하는 라인성으로 발생하는 고장을 수리할 수 있다.
예를 들어, 제1 메모리 뱅크(241)에서 고장(250)이 발생되고, 제4 메모리 뱅크(244)에서 고장(251)이 발생될 경우, 글로벌 스페어(230)가 제1 메모리 뱅크(241) 내지 제4 메모리 뱅크(244)에 가로 방향에 따라 배치된 후, 메모리 뱅크 수리 장치가 글로벌 스페어(230)를 이용하여 고장(250) 및 고장(251)을 수리할 수 있다.
또한, 글로벌 스페어(230)는 제3 메모리 뱅크(243)와 제7 메모리 뱅크(247) 간의 세로 방향을 따라서 라인성으로 발생하는 고장을 수리할 수 있다.
예를 들어, 제7 메모리 뱅크(247)에서 고장(252)이 발생되고, 제3 메모리 뱅크(243)에서 고장(253)이 발생될 경우, 글로벌 스페어(230)가 제3 메모리 뱅크(243) 및 제7 메모리 뱅크(247) 간에 세로 방향에 따라 배치된 후, 메모리 뱅크 수리 장치가 글로벌 스페어(230)를 이용하여 고장(252) 및 고장(253)을 수리할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 다양한 여분 셀들의 고장 수리 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
구체적으로, 글로벌 스페어를 이용하여 라인성 고장을 수리한 후, 나머지 메모리 뱅크들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류한 후, 제1 그룹의 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산하고, 제2 그룹의 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산한 후, 최종 메모리 수리 솔루션을 계산하는 동작과 관련된 블록들을 예시한다.
본 발명의 일실시예에 따르면 메모리 뱅크 수리 장치는 제3 메모리 뱅크(343) 및 제7 메모리 뱅크(347)의 세로축 상에 글로벌 스페어(330)를 배치하고, 제5 메모리 뱅크(345) 내지 제8 메모리 뱅크(348)의 가로축 상에 글로벌 스페어(330)를 배치하여, 메모리 뱅크의 배치 상에서 가로축 또는 세로축을 따라 라인성으로 발생하는 고장을 수리할 수 있다.
예를 들어, 제5 메모리 뱅크(345)와 제7 메모리 뱅크(347)에서 고장이 발생된 경우, 메모리 뱅크 수리 장치는 제5 메모리 뱅크(345) 내지 제8 메모리 뱅크(348)의 가로축 상에 배치된 글로벌 스페어(330)을 이용하여 제5 메모리 뱅크(345)와 제7 메모리 뱅크(347)에서 발생된 고장을 수리할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 제3 메모리 뱅크(343) 및 제7 메모리 뱅크(347)에서 고장이 발생된 경우, 제3 메모리 뱅크(343) 및 제7 메모리 뱅크(347) 상에 배치된 글로벌 스페어(330)를 이용하여 제3 메모리 뱅크(343) 및 제7 메모리 뱅크(347)의 고장을 수리할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 제3 메모리 뱅크(343) 및 제7 메모리 뱅크(347) 중 어느 하나에서 고장이 발생되지 않은 경우, 3 메모리 뱅크(343) 및 제7 메모리 뱅크(347) 상에 배치된 글로벌 스페어(330)를 이용하지 않고, 미사용 상태로 인식할 수 있다.
메모리 뱅크 수리 장치는 글로벌 스페어(330)을 이용하여 수리되지 않은 나머지 메모리 뱅크들에 대한 메모리 뱅크 수리 솔루션을 독립적으로 계산하기 위하여 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류할 수 있다.
메모리 뱅크 수리 장치는 다수의 메모리 뱅크들 중 어느 하나를 선택한 후, 선택된 메모리 뱅크와 인접한 메모리 뱅크들 무시하고, 다음 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하여, 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹들로 분류할 수 있다.
예를 들어, 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 메모리 뱅크(341)를 선택하고, 인접한 메모리 뱅크에 해당하는 제2 메모리 뱅크(342)를 무시하고, 제2 메모리 뱅크(342)의 다음에 위치하는 제3 메모리 뱅크(343)을 선택하고, 선택된 제3 메모리 뱅크(343)에 인접한 제4 메모리 뱅크(344)를 무시하고, 제8 메모리 뱅크(348)을 선택하고, 선택된 제8 메모리 뱅크(348)에 인접한 제7 메모리 뱅크(347)을 무시하고, 무시된 제7 메모리 뱅크에 인접한 제6 메모리 뱅크(346)을 선택하고, 제6 메모리 뱅크(346)에 인접한 제5 메모리 뱅크(345)를 무시할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 선택된 제1 메모리 뱅크(341), 선택된 제3 메모리 뱅크(343), 선택된 제8 메모리 뱅크(348), 및 선택된 제6 메모리 뱅크(346)을 제1 그룹(350)으로 지정할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 무시된 제2 메모리 뱅크(342), 무시된 제4 메모리 뱅크(344), 무시된 제7 메모리 뱅크(347), 및 무시된 제2 메모리 뱅크(345)를 제2 그룹(360)으로 지정할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹(350) 및 제2 그룹(360)으로 분류하여, 제1 그룹(350)과 제2 그룹(360) 간의 공통 스페어(320)의 공유를 제거함으로써 상호의존적인 메모리 뱅크의 연결을 끊을 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)과 제2 그룹(360)에 대하여 독립적으로 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)에 대하여 메모리 뱅크 수리 솔루션을 도출한 후, 제2 그룹(360)에 대하여 메모리 뱅크 수리 솔루션을 도출할 수 있다.
메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)과 제2 그룹(360) 간에 공통 스페어(320)을 공통으로 포함하지 않도록, 제1 내지 제8 메모리 뱅크(341, 342, 343, 344, 345, 346, 347, 348)을 그룹화할 수 있다.
예를 들어, 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)으로 분류된 제1 메모리 뱅크(341)에 대한 수리 솔루션을 도출할 경우, 제1 메모리 뱅크(341)가 사용할 수 있는 로컬 스페어(310) 및 공통 스페어(320)을 모두 로컬 스페어(310)로서 인식할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)으로 분류된 제3 메모리 뱅크(343)에 대한 수리 솔루션을 도출할 경우, 제3 메모리 뱅크(343)이 사용할 수 있는 로컬 스페어(310), 공통 스페어(320), 및 글로벌 스페어(330)을 모두 로컬 스페어(310)로서 인식할 수 있다.
메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)에 속한 메모리 뱅크들에 대하여 메모리 뱅크의 수리에 사용할 수 있는 로컬 스페어(310), 공통 스페어(320), 및 사용되지 않고 남아 있는 글로벌 스페어(330)을 전부 로컬 스페어(310)으로 인식한 후, 각 메모리 뱅크들에 대한 메모리 뱅크 수리 솔루션을 계산한 후, 계산된 메모리 뱅크 수리 솔루션을 저장부에 저장할 수 있다.
즉, 메모리 뱅크 수리 장치는 로컬 스페어(310), 공통 스페어(320), 및 글로벌 스페어(330)을 포함하는 다양한 여분 셀들을 간단한 구조에 해당하는 로컬 스페어(310)으로 인식할 수 있다.
예를 들어, 메모리 뱅크 수리 장치가 하나의 메모리 뱅크에 대하여 두 개의 로컬 스페어(310)들, 하나의 공통 스페어(320), 및 하나의 글로벌 스페어(330)을 인식한 경우, 모두 로컬 스페어(310)으로 인식함으로써, 총 4개의 로컬 스페어(310)들을 인식할 수 있다.
또한, 메모리 뱅크 수리 장치는 하나의 메모리 뱅크에 대하여 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 다음 메모리 뱅크에 대하여 제2 수리 솔루션을 계산할 경우, 제1 수리 솔루션의 계산에 사용된 공통 스페어(320)는 제외될 수 있다.
구체적으로, 메모리 뱅크 수리 장치는 제1 그룹(350)에 포함되는 제1 메모리 뱅크(341)에 대하여 제1 메모리 뱅크(341)가 사용할 수 있는 여분 셀들에 해당하는 로컬 스페어(310) 및 공통 스페어(320)를 이용하여 수리 솔루션을 계산한 후, 메모리 뱅크 수리 장치는 제2 그룹(360)에 포함되는 제2 메모리 뱅크(342)에 대하여 제2 메모리 뱅크(342)가 사용할 수 있는 여분 셀들에 해당하는 로컬 스페어(310) 및 공통 스페어(320)를 이용하여 수리 솔루션을 계산할 수 있다. 다만, 제1 메모리 뱅크(341)과 제2 메모리 뱅크(342) 간에 공통으로 포함되고, 제1 메모리 뱅크(341)에 대한 수리 솔루션 계산에 이용된 공통 스페어(320)는 제외될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법과 관련된 흐름도를 도시한다.
구체적으로 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법이 다수의 메모리 뱅크들을 두 개의 그룹으로 분류한 후, 각각 그룹에 대하여 수리 솔루션을 계산한 후, 계산된 수리 솔루션들에 기초하여 최종 수리 솔루션을 계산하는 동작을 예시한다.
도 4를 참고하면, 단계(401)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 메모리 뱅크들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류한다. 즉, 메모리 뱅크 수리 방법은 다수의 메모리 뱅크들 중 어느 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 선택된 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 무시한 후, 무신된 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 선택하는 과정을 반복적으로 수행하여 선택된 메모리 뱅크들을 제1 그룹으로 분류하고, 비-선택된 메모리 뱅크들을 제2 그룹으로 분류할 수 있다. 또한, 메모리 뱅크 수리 방법은 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류함으로써, 제1 그룹에 포함되는 메모리 뱅크들과 제2 그룹에 포함되는 메모리 뱅크들 간의 여분 셀 공유를 차단할 수 있다.
단계(403)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 제1 수리 솔루션을 계산한다. 메모리 뱅크 수리 방법은 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어로 인식하여 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다. 즉, 메모리 뱅크 수리 방법은 제1 그룹에 해당하는 메모리 뱅크들만 사용할 수 있는 여분 셀들을 특정 스페어에 해당하는 로컬 스페어로 인식하여 제1 그룹에 대한 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
단계(405)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 제2 수리 솔루션을 계산한다. 메모리 뱅크 수리 방법은 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 로컬 스페어로 인식하여 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다. 즉, 메모리 뱅크 수리 방법은 제2 그룹에 해당하는 메모리 뱅크들만 사용할 수 있는 여분 셀들을 특정 스페어에 해당하는 로컬 스페어로 인식하여 제1 그룹에 대한 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
단계(407)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 제3 수리 솔루션을 계산한다. 메모리 뱅크 수리 방법은 제1 수리 솔루션과 제2 수리 솔루션을 조합하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 제3 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법과 관련된 흐름도를 도시한다.
구체적으로, 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법이 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 동작을 예시한다.
도 5를 참고하면, 단계(501)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 메모리 뱅크들 중 어느 하나의 메모리 뱅크를 선택한다. 즉 메모리 뱅크 수리 방법은 메모리에 포함되는 다수의 메모리 뱅크들 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
다음으로, 단계(503)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 선택된 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 무시한다. 즉 메모리 뱅크 수리 방법은 선택된 메모리 뱅크의 가로축 또는 세로축 상으로 인접된 메모리 뱅크를 선택하지 않고, 지나갈 수 있다.
다음으로, 단계(505)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택한다. 즉 메모리 뱅크 수리 방법은 선택된 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 선택하지 않고, 선택되지 않은 메모리 뱅크에 인접한 메모리 뱅크를 선택할 수 있다.
다음으로, 단계(507)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 선택된 메모리 뱅크들을 제1 그룹으로 분류하고, 나머지를 제2 그룹으로 분류할 수 있다. 즉, 메모리 뱅크 수리 방법은 단계(501, 505)에서 선택된 메모리 뱅크들을 제1 그룹으로 분류하고, 단계(503)에서 무시된 메모리 뱅크를 제2 그룹으로 분류할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법과 관련된 흐름도를 도시한다.
구체적으로, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 방법의 전체 동작을 예시한다.
도 6을 참고하면, 단계(601)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 고장 정보를 수집한다. 즉 메모리 뱅크 수리 방법은 메모리 뱅크들 각각으로부터 고장 수리가 필요한 메모리 뱅크에 대한 정보를 수집한다.
단계(603)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 글로벌 스페어 배치와 관련된 경우의 수를 분석한다. 즉 메모리 뱅크 수리 방법은 수집된 고장 정보에 기초하여 글로벌 스페어의 배치에 따른 메모리 뱅크의 수리율을 계산할 수 있다. 또한, 메모리 뱅크 수리 방법은 고장들 중 메모리 뱅크를 넘어 고장 주소를 공유하는 행이나 열이 존재할 경우, 해당 라인들을 확인하고, 해당 라인들에 존재하는 글로벌 스페어들의 배치에 대한 경우의 수를 계산할 수 있다.
단계(605)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 글로벌 스페어를 배치한 후 글로벌 스페어를 이용하여 메모리 뱅크의 고장을 수리할 수 있다. 즉 메모리 뱅크 수리 방법은 단계(603)에서 계산된 수리율에 기초하여 배치된 글로벌 스페어를 이용하여 메모리 뱅크를 수리할 수 있다. 또한, 메모리 뱅크 수리 방법은 글로벌 스페어의 배치를 이용하여 직진성 메모리 고장을 보다 효율적으로 수리할 수 있다.
단계(607)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 다수의 메모리 뱅크들 중 글로벌 스페어를 이용하여 수리되지 않은 나머지 메모리 뱅크들의 존재 여부를 판단한다.
본 발명의 일실시예에 따라 메모리 뱅크 수리 방법은 수리되지 않은 나머지 메모리 뱅크들이 존재할 경우, 단계(609)로 진행할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따라 메모리 뱅크 수리 방법은 수리되지 않은 나머지 메모리 뱅크들이 존재하지 않을 경우, 해당 절차를 종료할 수 있다.
단계(609)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 점프 선택 과정을 반복 수행하여 수리되지 않은 나머지 메모리 뱅크들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류할 수 있다. 여기서, 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 과정은 도 6에 대한 설명에 보다 상세히 기재하고 있다.
단계(611)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 제1 수리 솔루션을 계산한다. 메모리 뱅크 수리 방법은 제1 그룹에서 메모리 뱅크 수리에 사용될 수 있는 여분 셀들을 로컬 스페어로 인식하여 제1 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
단계(613)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 제2 수리 솔루션을 계산한다. 메모리 뱅크 수리 방법은 제2 그룹에서 메모리 뱅크 수리에 사용될 수 있는 여분 셀들을 로컬 스페어로 인식하여 제2 수리 솔루션을 계산할 수 있다.
단계(615)에서 메모리 뱅크 수리 방법은 제3 수리 솔루션을 계산한다. 즉, 메모리 뱅크 수리 방법은 계산된 제1 수리 솔루션 및 제2 수리 솔루션을 조합하여 제3 수리 솔루션을 계산할 수 있다. 제3 수리 솔루션은 제1 수리 솔루션과 제2 수리 솔루션에서 공통 스페어가 이중으로 고려됨에 따라 수리 솔루션을 도출하기 위한 연산 복잡도가 증가하는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 단순 여분 셀의 구조를 변경하는 동작과 관련된 블록들을 도시한다.
구체적으로, 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 메모리 뱅크 수리 장치가 메모리 뱅크에 대한 수리율을 높이기 위하여 기존의 단순한 여분의 셀 구조를 다양한 여분의 셀 구조를 변경하는 동작과 관련된 블록들을 예시한다.
도 7의 (a)를 참고하면, 제1 메모리 뱅크(741), 제2 메모리 뱅크(742), 제3 메모리 뱅크(743), 및 제4 메모리 뱅크(744) 각각은 가로축에 대하여 3 개의 로컬 스페어(710)를 포함하고, 세로축에 대하여 3개의 로컬 스페어(710)들을 포함할 수 있다.
예를 들어, 하나의 로컬 스페어(710)는 하나의 공통 스페어(720)로 변경될 수 있고, 두 개의 로컬 스페어(710)는 하나의 글로벌 스페어(730)으로 변경될 수 있다.
도 7의 (b)를 참고하면, 제1 메모리 뱅크(741)는 가로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들과 하나의 공통 스페어(720)를 포함하고, 세로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들과 하나의 공통 스페어(720)를 포함할 수 있다.
제2 메모리 뱅크(742)는 가로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들과 하나의 공통 스페어(720)를 포함하고, 세로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들과 하나의 글로벌 스페어(730)를 포함할 수 있다. 여기서, 글로벌 스페어(730)는 제4 메모리 뱅크(744)와 걸쳐서 위치할 수 있다.
제3 메모리 뱅크(743)는 가로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들 및 하나의 글로벌 스페어(730)를 포함하고, 세로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들 및 하나의 공통 스페어(720)를 포함할 수 있다. 여기서, 글로벌 스페어(730)는 제4 메모리 뱅크(744)와 걸쳐서 위치할 수 있다.
제4 메모리 뱅크(744)는 가로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들 및 하나의 글로벌 스페어(730)를 포함하고, 세로축으로 두 개의 로컬 스페어(710)들 및 하나의 글로벌 스페어(730)를 포함할 수 있다.
도 7의 (c)를 참고하면, 제1 메모리 뱅크(741)는 가로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 공통 스페어(720)들을 포함하고, 세로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 공통 스페어(720)들을 포함할 수 있다.
제2 메모리 뱅크(742)는 가로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 공통 스페어(720)들을 포함하고, 세로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 글로벌 스페어(730)들을 포함할 수 있다. 여기서, 글로벌 스페어(730)는 제4 메모리 뱅크(744)와 걸쳐서 위치할 수 있다.
제3 메모리 뱅크(743)는 가로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 글로벌 스페어(730)들을 포함하고, 세로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 공통 스페어(720)들을 포함할 수 있다. 여기서, 글로벌 스페어(730)는 제4 메모리 뱅크(744)와 걸쳐서 위치할 수 있다.
제4 메모리 뱅크(744)는 가로축으로 하나의 로컬 스페어(710)와 두 개의 글로벌 스페어(730)들을 포함하고, 세로축으로 하나의 로컬 스페어(710) 및 두 개의 글로벌 스페어(730)들을 포함할 수 있다.
상술한 구체적인 실시 예들에서, 발명에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다.
그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 상술한 실시 예들이 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.
한편 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 다양한 실시 예들이 내포하는 기술적 사상의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며 후술하는 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 메모리 뱅크 수리 장치 110: 제어부
111: 그룹 분류부 112: 제1 수리 솔루션 계산부
113: 제2 수리 솔루션 계산부 114: 제3 수리 솔루션 계산부
115: 고장 정보 수집부 116: 라인 수리부
120: 저장부 210: 로컬 스페어
220: 공통 스페어 230: 글로벌 스페어
241: 제1 메모리 뱅크 242: 제2 메모리 뱅크
243: 제3 메모리 뱅크 244: 제4 메모리 뱅크
245: 제5 메모리 뱅크 246: 제6 메모리 뱅크
247: 제7 메모리 뱅크 248: 제8 메모리 뱅크
350: 제1 그룹 360: 제2 그룹
111: 그룹 분류부 112: 제1 수리 솔루션 계산부
113: 제2 수리 솔루션 계산부 114: 제3 수리 솔루션 계산부
115: 고장 정보 수집부 116: 라인 수리부
120: 저장부 210: 로컬 스페어
220: 공통 스페어 230: 글로벌 스페어
241: 제1 메모리 뱅크 242: 제2 메모리 뱅크
243: 제3 메모리 뱅크 244: 제4 메모리 뱅크
245: 제5 메모리 뱅크 246: 제6 메모리 뱅크
247: 제7 메모리 뱅크 248: 제8 메모리 뱅크
350: 제1 그룹 360: 제2 그룹
Claims (14)
- 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;
상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;
상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및
상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,
상기 그룹 분류부는 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 상기 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)한 후, 상기 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 그룹 분류부는 상기 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 상기 제1 메모리 뱅크들을 상기 제1 그룹으로 분류하고, 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 상기 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 상기 제2 메모리 뱅크들을 상기 제2 그룹으로 분류하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;
상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;
상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및
상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,
상기 제2 수리 솔루션 계산부는 상기 제1 스페어들과 상기 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어(common spare)가 상기 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되는 경우, 상기 공통 스페어(common spare)를 상기 제2 스페어들에서 제외하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션을 저장하는 저장부를 더 포함하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;
상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;
상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및
상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,
상기 다수의 메모리 뱅크들에 대한 고장 정보를 수집하는 고장 정보 수집부; 및
상기 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인하고, 상기 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 상기 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는 라인 수리부를 더 포함하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 수리 솔루션 계산부는 상기 제1 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제2 수리 솔루션 계산부는 상기 제2 메모리 뱅크들 중 어느 하나에서 사용될 수 있는 로컬 스페어, 공통 스페어, 및 글로벌 스페어 중 적어도 하나를 사용하여 상기 제2 수리 솔루션을 계산하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 그룹 분류부;
상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 제1 수리 솔루션 계산부;
상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 제2 수리 솔루션 계산부; 및
상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 제3 수리 솔루션 계산부를 포함하고,
상기 제2 수리 솔루션 계산부는 상기 제1 수리 솔루션 계산부가 상기 제1 수리 솔루션을 계산한 후, 상기 제2 스페어들에 대한 정보를 갱신하는
메모리 뱅크 수리 장치.
- 그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계;
제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계;
제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계; 및
제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함하고,
상기 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계는,
상기 그룹 분류부에서, 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나의 메모리 뱅크를 선택하고, 상기 선택된 메모리 뱅크와 인접된 메모리 뱅크를 무시(skip)한 후, 상기 무시된 메모리 뱅크 다음에 위치하는 메모리 뱅크를 선택하는 점프 선택 과정을 반복적으로 수행하는 단계를 포함하는
메모리 뱅크 수리 방법.
- 삭제
- 제10항에 있어서,
상기 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계는,
상기 그룹 분류부는 상기 점프 선택 과정에 기초하여 선택된 메모리 뱅크들에 해당하는 상기 제1 메모리 뱅크들을 상기 제1 그룹으로 분류하는 단계; 및
상기 다수의 메모리 뱅크들 중 상기 제1 메모리 뱅크들을 제외한 나머지에 해당하는 상기 제2 메모리 뱅크들을 상기 제2 그룹으로 분류하는 단계를 더 포함하는
메모리 뱅크 수리 방법.
- 그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계;
제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계;
제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계; 및
제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함하고,
상기 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계는,
상기 제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 스페어들과 상기 제2 스페어들에 공통으로 포함되는 공통 스페어(common spare)가 상기 제1 수리 솔루션 계산부에 의하여 상기 제1 수리 솔루션을 계산하는데 이용되는 경우, 상기 공통 스페어(common spare)를 상기 제2 스페어들에서 제외하는 단계를 더 포함하는
메모리 뱅크 수리 방법.
- 그룹 분류부에서, 다수의 메모리 뱅크들을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분류하는 단계;
제1 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제1 그룹에 포함되는 제1 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제1 스페어들을 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제1 메모리 뱅크들 각각에 대한 제1 수리 솔루션을 계산하는 단계;
제2 수리 솔루션 계산부에서, 상기 제2 그룹에 포함되는 제2 메모리 뱅크들이 수리에 사용할 수 있는 제2 스페어들을 상기 로컬 스페어(local spare)로 인식하여 상기 제2 메모리 뱅크들 각각에 대한 제2 수리 솔루션을 계산하는 단계; 및
제3 수리 솔루션 계산부에서, 상기 계산된 제1 수리 솔루션 및 상기 계산된 제2 수리 솔루션에 기초하여 제3 수리 솔루션을 계산하는 단계를 포함하고,
고장 정보 수집부에서, 상기 다수의 메모리 뱅크들에 대한 고장 정보를 수집하는 단계;
라인 수리부에서, 상기 수집된 고장 정보에 기초하여 고장 주소를 공유하는 라인을 확인하는 단계; 및
상기 라인 수리부에서, 상기 확인된 라인에 글로벌 스페어를 배치하여, 상기 다수의 메모리 뱅크들의 라인성 고장을 수리하는 단계를 더 포함하는
메모리 뱅크 수리 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020160183267A KR101836748B1 (ko) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | 다양한 여분 셀들을 이용하여 메모리 뱅크들을 수리하기 위한 장치 및 방법 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102400631B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2022-05-19 | 연세대학교 산학협력단 | 리던던시 분석 방법 및 리던던시 분석 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008217984A (ja) * | 1998-06-09 | 2008-09-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
| KR101566639B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2015-11-09 | 성균관대학교산학협력단 | 3차원 메모리의 오류검사정정 성능 향상방법 |
-
2016
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| JP2008217984A (ja) * | 1998-06-09 | 2008-09-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
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| KR102400631B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2022-05-19 | 연세대학교 산학협력단 | 리던던시 분석 방법 및 리던던시 분석 장치 |
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