KR101823879B1 - 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법 - Google Patents

고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 나노사이즈의 입도를 갖는 알루미나분말을 준비하는 단계; 상기 알루미나분말을 단분산화 후, 초순수를 첨가하여 종자를 제조하는 단계; 제조된 상기 종자를 이용하여 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계; 상기 비드의 밀도 향상을 위하여 상기 비드의 표면에 단분산화 된 상기 알루미나분말을 부착시키는 고밀도 비드 성형단계; 밀도가 향상된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 1차 분급단계; 입자크기별로 분리된 상기 비드의 표면을 구형으로 처리하는 단계; 구형으로 처리된 상기 비드를 열처리하는 단계; 및 열처리된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 2차 분급단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법{Method for manufacturing high density beads using high purity alumina nanopowder}
본 발명은 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 불순물의 오염이 없고 환경오염 물질의 발생 없이 순도 99.995% 이상, 구형율 95% 이상이며 밀도가 2.0g/㎤ 이상인 고밀도 비드를 제조할 수 있는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법에 관한 것이다.
고순도 알루미나는 최근 급격한 전기, 전자산업의 발달 특히 사파이어, LED, 이차전지의 수요증가로 이들의 원재료인 고순도알루미나의 수요가 급증하는 화학제품이다.
특히, 고순도알루미나 고밀도 비드는 사파이어 제조에서 사용하는 충진재로써의 수요가 급증하고 있다.
한편, 종래의 비드 제조방법은 비드 제조에 있어서, 에너지가 과다 소비되며, 폐수 또는 대기오염물질이 다량으로 배출되는 문제점이 있었다.
아울러, 종래 비드의 경우, 그 밀도가 낮아 사파이어 잉곳 제조시 사용되는 충진재로는 사용이 불가능한 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위해 창안된 것으로, 불순물의 오염이 없고 환경오염 물질의 발생 없이 순도 99.995% 이상, 구형율 95% 이상이며 밀도가 2.0g/㎤ 이상인 고밀도 비드를 경제적으로 제조할 수 있으며 특히, 비드의 밀도가 향상되어 사파이어 잉곳 제조시 충진재로도 사용할 수 있는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법 제공을 목적으로 한다.
한편, 본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 상기 목적 달성을 위하며 먼저, 나노사이즈의 입도를 갖는 알루미나분말을 준비하는 단계, 상기 알루미나분말을 단분산화 후, 초순수를 첨가하여 종자를 제조하는 단계, 제조된 상기 종자를 이용하여 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계, 상기 비드의 밀도 향상을 위하여 상기 비드의 표면에 단분산화 된 상기 알루미나분말을 부착시키는 고밀도 비드 성형단계, 밀도가 향상된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 1차 분급단계, 입자크기별로 분리된 상기 비드의 표면을 구형으로 처리하는 단계, 구형으로 처리된 상기 비드를 열처리하는 단계 및 열처리된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 2차 분급단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 초순수는 상기 알루미나분말의 전체 중량 대비 5~20중량% 첨가될 수 있다.
바람직하게는 상기 종자의 입자크기는 200 ~ 500㎛ 이며, 상기 제조된 상기 종자를 이용하여 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계는 60 ~ 240rpm으로 회전하는 구상성형기를 이용할 수 있다.
바람직하게는 상기 고밀도 비드 성형단계는, 상기 비드의 표면에 상기 초순수를 분무하고 초당 10 ~ 20g의 상기 알루미나분말을 투입하여 부착시킬 수 있다.
바람직하게는 투입되는 상기 알루미나분말은 상기 초순수의 전체중량 대비 1 ~ 5중량%가 상기 비드에 부착될 수 있다.
바람직하게는 상기 비드의 표면을 구형으로 처리하는 단계는, 상기 비드의 구형율이 95% 이상이 되도록 처리할 수 있으며, 상기 비드를 열처리하는 단계는, 1,300 ~ 1,450℃의 온도에서 열처리되며 열처리 된 상기 비드는 2.0g/㎤ 이상의 밀도를 가질 수 있다.
본 발명은 불순물의 오염이 없고 환경오염 물질의 발생 없이 순도 99.995% 이상, 구형율 95% 이상이며 밀도가 2.0g/㎤ 이상인 고밀도 비드를 경제적으로 제조할 수 있으며 특히, 비드의 밀도가 향상되어 사파이어 잉곳 제조시 충진재로도 사용할 수 있는 우수한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법 공정도다.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시 예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
이와 관련하여 먼저, 도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법 공정도다.
상기 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 나노사이즈의 입도를 갖는 알루미나분말을 준비하는 단계(S100) 및 상기 알루미나분말을 단분산화 후, 초순수를 첨가하여 종자를 제조하는 단계(S200)를 포함한다.
이때, 상기 알루미나분말을 단분산화하는 이유는 응집된 알루미나분말을 제거하기 위함이며, 본 발명의 일실시 예에 있어서는 제트 밀(Jet mill)을 이용하여 응집된 알루미나분말을 단분산화 한다.
이에 대해 보다 상세하게 설명하면, 100 ~ 150nm의 입도를 갖는 알루미나분말을 직경 280mm의 제트 밀에서 5 ~7kg/㎠의 압축공기 및 초당 10 ~ 30g의 알루미나분말을 투입하여 알루미나분말의 겉보기 밀도가 0.05 ~ 0.1g/㎤가 되도록 단분산화 한다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 상기 종자를 제조하는 단계(S200)는, 상기 알루미나분말의 전체 중량 대비 5 ~ 20중량%의 초순수를 첨가하여 균일하게 혼합한 후, PE(polyethylene) 또는 테프론(Teflon)으로 코팅한 250 ~ 500㎛의 표준체에 통과시켜 제조한다.
이때, 상기 초순수(ultrapure water)라함은 수중 오염 물질을 전부 제거한 순수한 물로, 반도체 제조공정에서 광범위하게 사용되며 특히, Wet 공정을 비롯하여 Wafer 세정 및 절단 시 용수로 사용된다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 제조된 상기 종자를 이용하여 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계(S300)를 포함한다.
이때, 본 발명의 일실시 예에 따른 상기 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계(S300)는 구상성형기를 이용하며, 이하에서는 상기 구상성형기에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 상기 구상성형기는 투입되는 상기 종자와 직접 접촉하는 부분에 PE, 테프론 또는 알루미나 용사 코팅되어 있으며, 직경 1,000mm, 높이 400mm의 원형으로 이루어진다.
이때, 상기 구상성형기의 바닥면은 별도로 구비되는 구동모터에 의해 회전하는 회전판으로, 본 발명의 일실시 예에 있어서 상기 회전판은 60 ~ 240rpm으로 회전한다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 상기 비드의 밀도 향상을 위하여 상기 비드의 표면에 단분산화 된 상기 알루미나분말을 부착시키는 고밀도 비드 성형단계(S400)를 포함한다.
이때, 상기 고밀도 비드 성형단계(S400)는, 10kg의 비드를 기준으로 상기 비드의 표면에 상기 초순수를 초당 10 ~ 30ml씩 분무하고 초당 10 ~ 20g의 상기 알루미나분말을 투입하여 부착시킨다.
이때, 투입되는 상기 알루미나분말은 상기 초순수의 전체중량 대비 1 ~ 5중량%가 상기 비드에 부착되어 상기 비드의 밀도를 증가시킨다.
한편, 고밀도 비드 성형단계에서 초순수의 분무량과 투입되는 알루미나분말의 양을 한정하는 이유는 다음과 같다.
먼저, 비드 표면의 젖음 상태가 부족하면 알루미나분말의 부착이 더디거나 새로운 비드가 형성되고, 젖음 상태가 초과하면 타원형 또는 불가사리 형의 부착이 발생하여 구형율 저하 및 밀도 저하의 원인이 된다.
아울러, 젖음 상태가 과다하면 비드끼리의 부착이 순식간에 진행되어 성형을 진행할 수 없게 되므로, 본 발명의 일실시 예에 따른 고밀도 비드 성형단계(S400)에서는 상술한 바와 같이 초순수의 분무량과 투입되는 알루미나분말의 양을 한정한다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 밀도가 향상된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 1차 분급단계(S500) 및 입자크기별로 분리된 상기 비드의 표면을 구형으로 처리하는 단계(S600)를 포함한다.
이때, 상기 1차 분급단계(S500)는 PE 또는 테프론으로 표면 코팅한 적정 크기의 표준체를 이용하여 초과 입자를 제거하고 선택된 규격 비드 입자만을 선별하였으며, 제거한 초과입자는 종자 제조공정으로 회수된다.
이때, 밀도 증가에 따른 입자 크기의 증가는 한 번에 1㎜를 초과하지 않도록 하였으며 이처럼 수행하는 이유는 한 번에 1㎜를 초과할 경우, 성형성 및 밀도가 감소하여 비드 내부에 홀 발생으로 인한 불량이 발생하므로 이를 미연에 방지하기 위함이다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 상술한 고밀도 비드 성형단계(S400) 및 1차 분급단계(S500)가 반복 수행될 수 있다.
이때, 고밀도 비드 성형단계(S400) 및 1차 분급단계(S500)를 반복하면서 비드 입자 크기를 키워 최종 목표크기에 도달하면 초순수와 알루미나분말의 투입량을 최초 투입량의 10 ~ 30% 수준으로 감소하여 표면 코팅만 진행하도록 조절한다.
이때, 상기 회전판의 회전속도는 120 ~ 240rpm으로 조절하여 밀도 향상과 표면 코팅이 활발히 진행하도록 조절하고, 마지막에는 초순수 투입을 중단하고 알루미나분말만으로 표면 코팅을 완성한다.
이때, 완성한 성형 비드의 구형율은 95% 이상, 성형밀도는 1.4g/㎤ 이상이다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 구형으로 처리된 상기 비드를 열처리하는 단계(S700)를 포함한다.
이때, 상기 비드를 열처리하는 단계(S700)는 자체 제작한 내화갑에 넣어 소결하였으며, 소결과정에서의 불순물 유입을 방지하기 위하여 상기 내화갑을 고순도알루미나 분말을 이용하여 제작하였다.
이때, 상기 내화갑은 지름 250㎜, 두께 10㎜의 원판 위에 지름 250㎜, 두께 10㎜, 높이 100㎜인 링 내화갑을 5층으로 적층한다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 상기 비드를 열처리하는 단계(S700)는, 1,300 ~ 1,450℃의 온도에서 4시간 이상 열처리 된다.
한편, 종래 일반적인 분말로 소결하는 온도인 1,500 ~ 1,650℃에 비해 본 발명의 일실시 예처럼 나노사이즈의 분말로 성형한 경우에는 200℃ 낮은 1,300 ~ 1,450℃에서 소결이 완료되어 열처리 비용을 현저히 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
한편, 열처리 온도의 상한온도를 1,450℃로 한정하는 이유는 열처리 온도가 1,450℃보다 높으면 비드 표면의 용융이 발생하여 단위 입자로 분리가 불가능하기 때문이다.
한편, 열처리 된 상기 비드는 2.0g/㎤ 이상의 밀도를 갖는다.
한편, 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은 열처리 된 상기 비드를 PE 또는 테프론으로 표면 코팅한 표준체를 이용하여 규격 입자만을 체 가름하는 2차 분급단계(S800)를 포함한다.
이때, 최종 입자 크기는 소결에 의한 소결수축이 완료된 크기이므로 성형시 소결수축을 감안하여 성형크기를 결정한다.
결과적으로 본 발명의 일실시 예에 따른 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법은, 상술한 기술적 구성들을 통해 성형과정에서 유기바인더 등의 접착제를 사용하지 않으므로 불순물의 오염이 없고 환경오염 물질의 발생 없이 순도 99.995% 이상, 구형율 95% 이상이며 밀도가 2.0g/㎤ 이상인 고밀도 비드를 경제적으로 제조할 수 있으며 특히, 비드의 밀도가 향상되어 사파이어 잉곳 제조시 충진재로도 사용할 수 있는 우수한 효과가 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다 할 것이다.

Claims (8)

  1. 나노사이즈의 입도를 갖는 알루미나분말을 준비하는 단계;
    상기 알루미나분말을 단분산화 후, 초순수를 첨가하여 종자를 제조하는 단계;
    제조된 상기 종자를 이용하여 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계;
    상기 비드의 밀도 향상을 위하여 상기 비드의 표면에 단분산화 된 상기 알루미나분말을 부착시키는 고밀도 비드 성형단계;
    밀도가 향상된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 1차 분급단계;
    입자크기별로 분리된 상기 비드의 표면을 구형으로 처리하는 단계;
    구형으로 처리된 상기 비드를 열처리하는 단계; 및
    열처리된 상기 비드를 일정 입자크기별로 분리하는 2차 분급단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 초순수는 상기 알루미나분말의 전체 중량 대비 5~20중량% 첨가되는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 종자의 입자크기는 200 ~ 500㎛인 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제조된 상기 종자를 이용하여 일정 구형율을 갖는 비드를 제조하는 단계는 60 ~ 240rpm으로 회전하는 구상성형기를 이용하는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 고밀도 비드 성형단계는, 상기 비드의 표면에 상기 초순수를 분무하고 초당 10 ~ 20g의 상기 알루미나분말을 투입하여 부착시키는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    투입되는 상기 알루미나분말은 상기 초순수의 전체중량 대비 1 ~ 5중량%가 상기 비드에 부착되는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 비드의 표면을 구형으로 처리하는 단계는, 상기 비드의 구형율이 95% 이상이 되도록 처리하는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 비드를 열처리하는 단계는, 1,300 ~ 1,450℃의 온도에서 열처리되며 열처리 된 상기 비드는 2.0g/㎤ 이상의 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 알루미나 나노분말을 이용한 고밀도 비드의 제조방법.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3960772A (en) * 1973-03-27 1976-06-01 Rhone-Progil Agglomerated alumina-based spherical grains
US4273735A (en) * 1977-08-03 1981-06-16 Rhone-Poulenc Industries Production of spheroidal alumina shaped articles
JP2001038212A (ja) * 1999-07-30 2001-02-13 Kyowa Chem Ind Co Ltd 粒状固体塩基性触媒およびその製法
JP2002012470A (ja) * 2000-06-23 2002-01-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 高純度アルミナ焼結体、高純度アルミナボール、半導体用治具、絶縁碍子、ボールベアリング、チェックバルブ及び高純度アルミナ焼結体の製造方法
KR20130022616A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 주식회사 에이치엠알(Hmr) 알루미나 성형체 제조방법
JP2016037421A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 住友化学株式会社 αアルミナ成形体およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3960772A (en) * 1973-03-27 1976-06-01 Rhone-Progil Agglomerated alumina-based spherical grains
US4273735A (en) * 1977-08-03 1981-06-16 Rhone-Poulenc Industries Production of spheroidal alumina shaped articles
JP2001038212A (ja) * 1999-07-30 2001-02-13 Kyowa Chem Ind Co Ltd 粒状固体塩基性触媒およびその製法
JP2002012470A (ja) * 2000-06-23 2002-01-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 高純度アルミナ焼結体、高純度アルミナボール、半導体用治具、絶縁碍子、ボールベアリング、チェックバルブ及び高純度アルミナ焼結体の製造方法
KR20130022616A (ko) * 2011-08-25 2013-03-07 주식회사 에이치엠알(Hmr) 알루미나 성형체 제조방법
JP2016037421A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 住友化学株式会社 αアルミナ成形体およびその製造方法

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