KR101821654B1 - 산화바나듐을 이용한 온도센서 제조방법 및 그 구조 - Google Patents

산화바나듐을 이용한 온도센서 제조방법 및 그 구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 산화바나듐의 온도-저항계수(TCR) 특성을 더 선형적이면서 그 값이 최대가 되도록 하여, 정밀하고 소형화가 가능하며 고신뢰성을 갖는 온도센서에 관한 것으로, 절연 재질의 기판; 상기 기판에 위에 이격되어 배치된 2개 전극; 및 상기 2개 전극에 걸쳐서 위치된 온도 검지부를 포함하여 구성되고, 상기 온도 검지부는 산화바나듐에 금속이 첨가된 복합재질이며, 상기 금속은 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 금속 재질의 첨가물을 첨가한 산화바나듐을 검지물질로서 사용함으로써, 종래의 산화바나듐에 비하여 온도-저항계수의 선형성이 향상된 검지부를 구비하여, 정밀도가 향상된 소형 온도센서를 제공할 수 있는 효과가 있다.

Description

산화바나듐을 이용한 온도센서 제조방법 및 그 구조{FABRICATION METHOD AND ITS STRUCTURE OF TEMPERATURE SENSOR USING VANADIUM OXIDE}
본 발명은 온도센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 산화바나듐을 이용한 온도센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 산업 전반에 걸쳐 온도의 정확한 측정과 관리는 매우 중요하다. 온도를 검출하는 것은 온도센서로서, 이것은 공업, 의학, 우주, 자원탐사, 해양개발, 방재, 공해감시등 산업용에서부터 민생용까지 그 응용범위가 매우 넓고 갈수록 그 범위가 확대되고 있다. 이상적인 온도센서는 측정범위가 넓고 정확하며 소형으로 값이 싸야한다. 그러나 이러한 센서는 현실적으로 존재하지 않기 때문에 사용자는 용도에 맞는 것을 선택하여 사용할 수밖에 없다.
현재 사용 중인 온도센서는 열전대, 백금형, pn반도체형, 서미스터 등이 있으나, 응답속도, 정밀도, 측정온도대역, 내구성, 크기 제한, 가격 등의 면에서 서로 다른 장단점을 가지고 있다.
열전대(Thermocouple)를 이용한 온도센서는 두 종류 금속선의 접합점 양단에서 발생하는 기전력 변화를 이용한 것이다. 철강, 발전소, 중화학 등 공업용으로 많이 사용되고 있으나, 대체로 정확도가 떨어지기 때문에 온도보정이 필요하며, 전입출력이 작아서 정밀도가 낮고, 안정성과 확장성이 부족하다. 백금형은 느린 반응속도, 배선의 어려움, 진동저항 등이 큰 단점이 있고, 반도체형은 낮은 정밀도와 안정성, 느린 반응시간, 낮은 측정온도와 폭 등에 문제가 있다. 바이메탈을 이용한 온도센서가 있는데, 바이메탈도 역시 값이 저렴하여 널리 사용되고 있기는 하나 특정온도의 범위가 너무 넓다는 단점을 가진다.
서미스터는 금속산화물을 소결하여 만들며 온도에 따라 저항치가 변하는 특성을 이용한 것으로 부특성(NTC)서미스터, 정특성(PTC)서미스터로 나눈다. 부특성(NTC)서미스터는 일반적인 금속과 달리, 온도가 높아지면 저항값이 감소하는 부저항온도계수의 특성이 있다. 이러한 부특성(NTC)서미스터는 온도를 검지하고 릴레이 스위치를 구동하여 경보신호가 발생하도록 하는 장치에 주로 사용한다. 이러한 서미스터는 비선형 출력에 의해서 회로가 복잡하고, 자체발열과 검지체의 수분에 대한 내구성 부족 등의 문제점이 있다.
최근 산화바나듐 박막이 온도-저항계수(TCR)가 우수하여 온도저항스위칭 소자(68℃)나 열선촬영소자 등에 이용 가능성이 높다. 하지만, 이산화바나듐으로 제조하는 과정이 복잡하고 내구성에 한계가 있어서 표면에 별도의 실리케이트 글래스 막을 형성(대한민국 공개특허 10-2011-0000967)하거나, 저온 특성 향상을 위해서 나노튜브로 제작(대한민국 등록특허 10-0961990)하는 등 특수한 처리가 필요한 단점이 있다.
대한민국 공개특허 10-2011-0000967 대한민국 등록특허 10-0961990
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 산화바나듐의 온도-저항계수(TCR) 특성을 더 선형적이면서 그 값이 최대가 되도록 하여, 정밀하고 소형화가 가능하며 고신뢰성을 갖는 온도센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 온도센서는, 절연 재질의 기판; 상기 기판에 위에 이격되어 배치된 2개 전극; 및 상기 2개 전극에 걸쳐서 위치된 온도 검지부를 포함하여 구성되고, 상기 온도 검지부는 산화바나듐에 금속이 첨가된 복합재질이며, 상기 금속은 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 바나듐 산화물에 금속을 첨가함으로써, 산화바나듐의 온도-저항계수(TCR) 특성을 더 선형적이면서 그 값이 최대가 되도록 하였으며, 그 결과 온도센서를 소형화 하면서 정밀도를 높일 수 있었다.
이때, 금속의 함량이 0.5~9.8wt% 범위인 것이 바람직하며, 이 범위를 벗어나는 경우에는 검지부의 온도-저항계수의 선형성이 나빠져서 온도센서의 정밀도가 낮아지는 문제가 있다.
그리고 검지부에 사용된 산화바나듐은 VO, VO2, V2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있다. 검지부가 두께 0.8mm 이하의 막 형태인 경우에 소형화에 적합하다.
본 발명의 온도센서는 검지부를 감싸는 보호부를 더 포함함으로써, 검지부를 외부의 충격으로부터 보호하고 외부 환경과 반응을 방지할 수 있다. 보호부는 내열성 고분자 재료 또는 무기질 유리막을 사용할 수 있다.
또한 전극이 이격된 간격이 50㎛보다 작으면, 온도센서의 정확성이 낮아지는 문제가 있다.
본 발명의 다른 형태는 상기한 구조의 온도센서를 제조하는 방법으로서, 절연 재질의 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 표면에 서로 이격된 2개의 전극을 배치하는 단계; 및 상기 2개 전극에 걸쳐서 위치하는 검지부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 검지부를 형성하는 단계가 산화바나듐에 금속이 첨가된 복합재질막을 형성하여 수행되며, 상기 금속은 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
이때, 검지부를 형성하는 단계가, 산화바나듐에 금속염 용액을 혼합하여, 소성한 뒤에 분쇄하여 기본 소재 분말을 제조하는 단계; 및 상기 기본 소재 분말과 바인더를 혼합한 페이스트를 스크린 프린팅한 뒤에 열처리하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
이때 산화바나듐은 종류에 제한되지 않고 VO, VO2, V2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있지만, 순도가 99.5% 이상인 것을 사용하여야 온도센서의 정밀성이 보장된다.
또한, 금속의 함량이 0.5~9.8wt% 범위가 되도록 금속염 용액의 혼합량을 조절하여야 하며, 이 범위를 벗어나는 경우에는 검지부의 온도-저항계수의 선형성이 나빠져서 온도센서의 정밀도가 낮아지는 문제가 있다.
그리고 검지부를 형성하는 단계 이후에, 검지부를 감싸는 보호부를 형성하는 단계를 더 포함하여 검지부를 보호할 수 있으며, 보호부는 고분자 재료 또는 무기질 유리막을 스크린 프린팅하여 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 형태는 온도에 따른 저항의 변화에 의해서 온도를 측정하는 온도센서의 온도 검지용으로 사용되는 물질로서, 산화바나듐에 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속이 첨가된 복합재질인 것을 특징으로 한다.
이때, 금속의 함량이 0.5~9.8wt% 범위로 조절하여야 온도-저항계수의 선형성이 나빠져서 온도센서의 정밀도가 낮아지는 문제를 방지할 수 있다. 그리고 검지부에 사용된 산화바나듐은 VO, VO2, V2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
본 발명의 마지막 형태는 온도에 따른 저항의 변화에 의해서 온도를 측정하는 온도센서의 온도 검지를 위한 검지부 제조를 위한 물질을 제조하는 방법으로서, 산화바나듐을 준비하는 단계; 상기 산화바나듐에 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 금속염 용액을 혼합하는 단계; 상기 혼합된 물질을 소성한 뒤에 분쇄하여 기본 소재 분말을 제조하는 단계; 및 상기 기본 소재 분말에 바인더를 첨가하여 교반함으로써 페이스트를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서의 검지부 형성을 위한 페이스트의 제조이다.
산화바나듐은 종류에 제한되지 않고 VO, VO2, V2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있지만, 순도가 99.5% 이상인 것을 사용하여야 온도센서의 정밀성이 보장된다.
또한, 금속의 함량이 0.5~9.8wt% 범위가 되도록 금속염 용액의 혼합량을 조절하여야 하며, 이 범위를 벗어나는 경우에는 검지부의 온도-저항계수의 선형성이 나빠져서 온도센서의 정밀도가 낮아지는 문제가 있다.
이와 같이, 페이스트 상태로 검지부 물질을 제조하면, 온도센서 제조 과정에서 스크린 프린팅에 의해서 후막을 형성한 뒤에 열처리하는 방법으로 손쉽게 검지부를 형성할 수 있는 효과가 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은, 금속 재질의 첨가물을 첨가한 산화바나듐을 검지물질로서 사용함으로써, 종래의 산화바나듐에 비하여 온도-저항계수의 선형성이 향상된 검지부를 구비하여, 정밀도가 향상된 소형 온도센서를 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 온도센서의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 온도센서에 보호부를 추가로 형성한 경우를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 실시예의 온도센서에 배치된 전극의 형상을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 온도센서를 제조하는 과정을 나타내는 순서도이다.
도 5 내지 도 8은 비교예의 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 9 내지 도 12는 텅스텐을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 13과 도 14는 인듐을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 15 내지 도 17은 티타늄을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 18 내지 도 20은 망간을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 온도센서의 구조를 나타내는 도면이며, 도 2는 보호부를 형성한 경우를 나타내는 도면이다.
본 실시예의 온도센서는 기판(10)과 기판 표면에 서로 이격된 2개의 전극(22, 24) 및 2개의 전극에 걸쳐서 형성된 검지부(40)를 포함하여 구성되며, 추가적으로 검지부(40)를 보호하기 위한 보호부(50)를 구비한다.
기판(10)은 절연재질로 준비되며, 본 실시예에서는 알루미나 재질의 기판(10)을 사용하였다.
전극(22, 24)은 기판(10)의 표면에 서로 이격되어 배치되며 금이나 백금 재질을 사용한다. 도 3은 본 실시예의 온도센서에 배치된 전극(22, 24)의 형상이며, 2개 전극(22, 24) 사이의 이격 거리는 15mm 이며, 깍지형(interdigitated type)으로 배치한다. 이때, 전극(22, 24) 사이의 간격이 50㎛ 보다 좁은 경우에는 정밀한 온도 측정이 어려우므로 이보다 넓게 간격을 형성하여야한다.
검지부(40)는 온도에 따라서 저항이 변하여, 온도를 측정하는 부분이며, 서로 이격된 전극(22, 24)들 에 모두 접촉하도록 위치된다. 본 실시예에서는 검지부(40)의 주요물질로서 산화바나듐을 사용하되, 산화바나듐의 온도-저항계수(TCR) 특성을 선형적으로 변화시키면서 동시에 그 값이 최대가 되도록 하기 위하여, 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 첨가물로서 첨가하여 사용한다. 이때, 검지부(40)에 첨가되는 금속의 함량이 0.5~9.8wt% 범위인 경우에 온도-저항계수(TCR) 특성을 선형적으로 변화시키면서 동시에 그 값이 최대가 된다. 이러한 검지부(40)를 구성하는 물질의 온도에 따른 저항 특성 및 형성 방법은 이후에 자세하게 살펴보도록 한다.
마지막으로 보호부(50)는 검지부(40)를 외부의 충격과 환경에 의한 반응으로부터 보호하기 위하여 형성된다. 이러한 보호부(50)는 내열성이 우수한 무기질 유리막 재질로 형성하는 것이 좋으며, 150℃ 이상의 내열성을 갖는 내열 고분자 재료를 사용할 수도 있다.
이와 같은 형태의 온도센서는 2개의 전극(22, 24)에 대하여 전류가 인가되며, 전류는 검지부(40)를 통과하여 흐른다. 이때, 외부 온도에 따라서 검지부(40)의 저항이 변화되며, 검지부(40)의 저항을 통해서 온도를 측정할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 온도센서를 제조하는 과정을 나타내는 순서도이다.
도 2와 도 4를 통해서 본 실시예의 온도센서를 제조하는 과정을 구체적으로 설명하면, 먼저 알루미나 재질의 기판(10)을 준비하고, 기판(10)의 표면에 15mm 로 이격된 2개의 전극(22, 24)을 부착한다.
다음으로 이격된 2개의 전극(22, 24) 모두에 접촉하도록 검지부(40)를 형성하며, 검지부(40)를 형성하는 과정을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
우선, 순도 99.5% 이상인 산화바나듐을 준비한다. 이때, 산화바나듐의 종류는 특별히 제한되지 않으며, VO, VO2, V2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나를 사용할 수 있다.
준비된 산화바나듐에 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 금속염 용액을 혼합한다. 이때, 금속염을 혼합하기 위하여 0.1~2.0 몰의 금속염 용액을 사용한다. 금속염 용액을 혼합하는 양은 50~200㎖ 범위이며, 소성과정이후에 잔류하는 금속의 양이 0.5~9.8wt% 범위가 되도록 조절한다.
산화바나듐과 금속염 용액의 혼합물을 100℃이하의 온도에서 교반하면서 가열하여 액체를 모두 증발시킨다. 이후에 질소 분위기에서 300~550℃의 온도범위로 1시간 내지 3시간동안 열처리하고, 분쇄기에서 분쇄하여 기본 소재 분말을 제조한다.
기본 소재 분말에 바인더를 첨가하여 페이스트를 제조한 뒤에, 스크린 프린팅에 의해서 전극(22, 24)이 배치된 기판(10)의 표면에 후막을 형성한다. 바인더 물질로는 EVA 용액과 에틸렌글리콜(Ethylene glycol) 용액, PPG(poly(propylene glycol)) 용액 및 플루오르(Fluoro) 수지용액 등을 사용할 수 있다. 기본 소재 분말과 바인더의 혼합비율은 중량비율로서 1:1~1:4의 범위로 혼합한다.
기판(10)에 후막을 스크린 프린팅하고 공기 중에서 100℃ 이하의 온도범위에서 1시간 이내로 건조한 뒤에, 질소 분위기에서 500~650℃의 온도범위로 1시간 내지 3시간동안 열처리하여 두께 0.8mm 이하의 검지부(40)를 형성한다.
그리고 검지부(40)의 표면에 물유리 페이스트를 스크린 프린팅하고 건조한 뒤에, 질소 분위기에서 400~550℃의 온도범위로 1시간 내지 3시간동안 열처리하여 보호부(50)를 형성한다.
마지막으로 2개의 전극(22, 24)에 금속리드 선(미도시)을 융착하여 온도센서를 제조하며, 금속리드 선을 융착하기 위하여 전극(22, 24) 표면에 패드(32, 34)를 부착할 수 있다.
온도센서 제조
순도 99.6%이상의 V2O5와 금속염 용액을 사용하여 제조된 기본 소재 분말을 스크린 프린팅하여 검지부를 형성하였다.
금속염 물질로는 염화인듐(Indium chloride), 염화티타늄(Titanium(IV) Chloride), 염화텅스텐(Tungsten Chloride) 및 염화망간(Manganese (II) Chloride)을 각각 사용하였으며, 금속 첨가물의 첨가량이 각기 다른 샘플을 준비하였다.
페이스트 제조를 위한 바인더로는 플루오르 수지 바인더를 사용하였고, 기본 소재 분말:바인더=3:4의 중량비로 혼합한 뒤에, 55℃에서 100rpm으로 24시간동안 교반하였다.
검지부 형성 단계에서는 페이스트를 스크린 프린팅한 뒤에, 질소 분위기에서 650℃로 3시간 동안 열처리하였다.
비교예
상기 실시예와 달리 V2O5만으로 검지부를 형성하여 온도센서를 제조하였다. 이때, V2O5의 순도가 99.99%와 99.6% 및 98%로 다르게 준비하였다. 특히, 순도 99.99%의 V2O5는 전처리로서 건조 과정을 거친 것과 아닌 경우로 나누어 온도센서를 제조하였다.
상기한 조건으로 제조된 온도센서에 대하여, 검지부의 온도에 따른 저항을 측정하였다.
도 5 내지 도 8은 비교예의 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 5는 순도 99.99%의 V2O5를 건조한 경우이고, 도 6은 99.99%의 V2O5를 그냥 사용한 경우이다. 도 7과 도 8은 각각 99.6%와 98%의 V2O5를 사용한 경우이다.
V2O5만으로 제조된 비교예의 온도센서는 검지부의 온도-저항계수 특성의 선형성이 낮으며, V2O5의 순도가 낮을수록 선형성이 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 따라서 검지부를 제조하기 위해서는 V2O5의 순도가 99.5%이상인 것이 바람직함을 알 수 있다.
도 9 내지 도 12는 텅스텐을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 9 내지 도 12는 검지부에 첨가된 텅스텐의 함량이 각각 1wt%, 2wt%, 2.5wt% 및 5wt%인 경우에 대한 측정 결과이다.
도시된 것과 같이, 텅스텐을 첨가함으로써 검지부의 저항범위가 MΩ 범위에서 KΩ 범위로 변경되었으며, 온도-저항계수 특성이 좀 더 선형성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 텅스텐 함량이 2.5wt%가 될 때 까지는 저항이 증가하지만, 그 이상으로 첨가하는 경우에는 저항이 감소하고 있다. 또한 텅스텐의 함량이 증가할수록 선형성이 나빠지지만, 실험 범위에서는 충분한 선형성을 나타내고 있다.
도 13과 도 14는 인듐을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 13은 인듐 함량이 1wt%인 경우이고, 도 14는 인듐 함량이 2wt%인 검지부에 대한 측정 결과이다.
인듐을 첨가함으로써 검지부의 저항범위가 MΩ에서 KΩ 범위로 변경되었으며, 온도-저항계수 특성이 좀 더 선형성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 인듐을 첨가한 실험 범위에서는 충분한 선형성을 나타내고 있다.
도 15 내지 도 17은 티타늄을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 15 내지 도 17은 검지부에 첨가된 티타늄의 함량이 각각 2.5wt%, 5wt% 및 10wt%인 경우에 대한 측정 결과이다.
도시된 것과 같이, 티타늄의 첨가량이 2.5wt%와 5wt%인 경우에는 온도-저항계수 특성이 좀 더 선형성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 다만, 티타늄의 함량이 10wt%인 경우에는 선형성이 나빠져서 온도센서로의 사용에 부적합하다.
도 18 내지 도 20은 망간을 첨가한 검지부를 구비한 온도센서에 대하여 측정된 온도에 따른 저항을 나타낸 그래프이다.
도 18 내지 도 20은 검지부에 첨가된 망간의 함량이 각각 2.5wt%, 5wt% 및 10wt%인 경우에 대한 측정 결과이다.
도시된 것과 같이, 망간의 첨가량이 2.5wt%와 5wt%인 경우에는 온도-저항계수 특성이 좀 더 선형성을 나타내는 것을 확인할 수 있다. 다만, 망간의 함량이 10wt%인 경우에는 선형성이 나빠져서 온도센서로의 사용에 부적합하다.
이상의 실험 결과에서 확인할 수 있듯이, 본 발명은 검지부로 사용되는 산화바나듐에 금속 첨가물을 첨가하여 온도-저항계수 특성의 선형성을 높임으로써, 정밀도가 향상되고 소형화된 온도센서를 제공할 수 있다. 이때, 금속의 첨가량이 너무 많은 경우에는 온도-저항계수 특성의 선형성에 나쁜 영향을 주며, 금속의 첨가량은 0.5~9.8wt% 범위가 바람직한 것을 확인할 수 있었다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 22, 24: 전극
32, 34: 패드 40: 검지부
50: 보호부

Claims (10)

  1. 절연 재질의 기판;
    상기 기판에 위에 이격되어 배치된 2개 전극; 및
    상기 2개 전극에 걸쳐서 위치된 온도 검지부를 포함하여 구성되고,
    상기 온도 검지부는 산화바나듐에 금속이 0.5~9.8wt% 범위로 첨가된 복합재질이며,
    상기 금속은 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상이며, 상기 금속과 복합재질을 구성하여 상기 온도 검지부의 온도-저항계수(TCR) 특성의 선형성을 향상시킨 것을 특징으로 하는 온도센서.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도 검지부를 감싸는 보호부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서.
  4. 청구항 1의 온도센서를 제조하는 방법으로서,
    절연 재질의 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판의 표면에 서로 이격된 2개의 전극을 배치하는 단계; 및
    상기 2개 전극에 걸쳐서 위치하는 온도 검지부를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 온도 검지부를 형성하는 단계가 산화바나듐에 금속이 첨가된 복합재질막을 형성하여 수행되며,
    상기 금속은 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 온도센서의 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 온도 검지부를 형성하는 단계가,
    산화바나듐에 금속염 용액을 혼합하여, 소성한 뒤에 분쇄하여 기본 소재 분말을 제조하는 단계; 및
    상기 기본 소재 분말과 바인더를 혼합한 페이스트를 스크린 프린팅한 뒤에 열처리하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 온도센서의 제조방법.
  6. [청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.]
    청구항 4에 있어서, 상기 온도 검지부를 형성하는 단계 이후에,
    상기 온도 검지부를 감싸는 보호부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도센서의 제조방법.

  7. 온도에 따른 저항의 변화에 의해서 온도를 측정하는 온도센서의 온도 검지용으로 사용되는 물질로서,
    산화바나듐에 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속이 0.5~9.8wt% 범위로 첨가된 복합재질로 구성되어 온도-저항계수(TCR) 특성의 선형성이 향상된 것을 특징으로 하는 온도센서용 검지물질.
  8. 삭제
  9. 온도에 따른 저항의 변화에 의해서 온도를 측정하는 온도센서의 온도 검지를 위한 검지부 제조를 위한 물질을 제조하는 방법으로서,
    산화바나듐을 준비하는 단계;
    상기 산화바나듐에 망간, 티타늄, 텅스텐 및 인듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 금속염 용액을 혼합하는 단계;
    상기 혼합된 물질을 소성한 뒤에 분쇄하여 기본 소재 분말을 제조하는 단계; 및
    상기 기본 소재 분말에 바인더를 첨가하여 교반함으로써 페이스트를 제조하는 단계를 포함하며,
    산화바나듐에 금속이 0.5~9.8wt% 범위로 첨가된 복합재질로 구성되어 온도-저항계수(TCR) 특성의 선형성이 향상된 온도센서용 검지물질을 제조하는 것을 특징으로 하는 온도센서의 검지부 형성을 위한 페이스트의 제조방법.
  10. 삭제
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