KR101813746B1 - 전자기기용 커넥터, usb용 커넥터 및 이를 이용한 usb 메모리 장치 - Google Patents

전자기기용 커넥터, usb용 커넥터 및 이를 이용한 usb 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치에 관한 것으로서, (A) 회로기판을 포함하는 본체; (B) 상기 본체에서 돌출된 플러그; (C-1) 상기 본체를 둘러싸는 제 1하우징; 및 (C-2) 상기 플러그를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하며, 상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2)은 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 커넥터 및 USB메모리의 본체 하우징, 금속부, 지지부를 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 구성함으로써, 별도의 금속부 없이 한번의 사출성형 공정으로 일체로 제조할 수 있어, 제조공정을 줄이고, 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.

Description

전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치 {A CONNECTOR FOR ELECTRONIC DEVICE, A CONNECTOR FOR USB AND USB MEMORY DEVICE USING THEREOF}
본 발명은 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 본체 및 플러그 하우징에 일체로 적용함으로써, 우수한 강성을 나타내면서도 얇은 두께와 미려한 디자인을 구현할 수 있는 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치에 관한 것이다.
다양한 전자기기의 사용이 급증함에 따라, 그에 따른 커넥터나 USB 메모리에 대한 수요도 증가하고 있다.
이러한 커넥터나 USB 메모리 제조시에는, 접속단자를 보호하기 위하여 금속 캐스팅을 통해 제작한 별도의 플러그 하우징 등을 플라스틱 수지 본체의 사출성형 후나 사출성형 당시에 삽입하고 있다.
이러한 방식은 플라스틱 수지 본체와 플러그 하우징과 같은 금속부를 별도로 제조한 후에 결합하는 과정이 필요하여, 제품생산의 공정수가 증가하고 제조단가 또한 상승하는 원인이 되어 왔다. 하지만, 커넥터의 접속단자를 감싸는 금속부를 대체하는 소재와 제조방법이 없어, 종래 방식이 현재도 사용되고 있다.
따라서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 금속을 대체할 수 있는 수준의 강성과 두께를 구현할 수 있는 대체 소재 및 이를 이용한 커넥터 구조에 대한 개발이 요구된다.
한국공개특허 제2014-0043901호
본 발명은 커넥터 및 USB 메모리의 본체 하우징, 금속부, 지지부를 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 구성함으로써, 별도의 금속부 없이 한번의 사출성형 공정으로 일체로 제조할 수 있어, 제조공정을 줄이고 제조단가를 낮출 수 있는 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 금속부 없이도 최적화된 강성 및 내열도를 나타낼 수 있는 소재를 적용함으로써, 얇은 두께 및 미려한 디자인을 구현할 수 있는 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치를 제공하기 위한 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자기기용 커넥터는, (A) 회로기판을 포함하는 본체; (B) 상기 본체에서 돌출된 플러그; (C-1) 상기 본체를 둘러싸는 제 1하우징; 및 (C-2) 상기 플러그를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하며, 상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2)은 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 이루어진다.
상기 플러그(B)는, (B-1) 상대 단자와 접촉하는 접촉부와 상기 회로기판에 접속되는 접속부를 포함하는 단자부; 및 (B-2) 상기 단자부 하부에서 상기 단자부를 지지하는 지지부;를 포함하며, 상기 지지부(B-2)는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 이루어질 수 있다.
상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 유리섬유를 포함할 수 있으며, 상기 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 ASTM D648 규격에 따라 측정한 열변형 온도가 230℃ 이상이고, ISO 178 규격에 따라 측정한 굴곡탄성율이 8GPa 이상일 수 있다.
상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 폴리프탈아미드, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2) 각각의 두께는 0.2 내지 0.8mm일 수 있으며, 상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 단차없이 형성될 수 있다.
상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 단일 사출성형으로 일체로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)가 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)가 단일 사출성형으로 일체로 형성될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 USB용 커넥터는, 상기 본 발명의 전자기기용 커넥터를 장착하여 이루어진다.
다음으로, 본 발명에 따른 USB 메모리 장치는, (A) 회로기판 및 상기 회로기판 상에 장착된 플래시 메모리를 포함하는 본체; (B) 상기 본체에서 돌출된 플러그; (C-1) 상기 본체를 둘러싸는 제 1하우징; 및 (C-2) 상기 플러그를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하며, 상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2)은 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 이루어진다.
상기 플러그(B)는, (B-1) 상대 단자와 접촉하는 접촉부와 상기 회로기판에 접속되는 접속부를 포함하는 단자부; 및 (B-2) 상기 단자부 하부에서 상기 단자부를 지지하는 지지부;를 포함하며, 상기 지지부(B-2)는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 이루어질 수 있다.
상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 유리섬유를 포함할 수 있으며, 상기 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 ASTM D648 규격에 따라 측정한 열변형 온도가 230℃ 이상이고, ISO 178 규격에 따라 측정한 굴곡탄성율이 8GPa 이상일 수 있다.
상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 폴리프탈아미드, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2) 각각의 두께는 0.2 내지 0.8mm일 수 있으며, 상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 단차없이 형성될 수 있고, 상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 동일한 재질로 형성되며, 단일 사출성형으로 일체로 형성될 수 있다.
상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)가 동일한 재질로 형성되며, 단일 사출성형으로 일체로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 커넥터 및 USB 메모리의 본체 하우징, 금속부, 지지부를 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 구성함으로써, 별도의 금속부 없이 한번의 사출공정으로 일체로 제조할 수 있어, 제조공정을 줄이고, 제조단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
또한, 금속부 없이도 최적화된 강성 및 내열도를 나타낼 수 있는 소재를 적용함으로써, 얇은 두께 및 미려한 디자인을 구현할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 전자기기용 커넥터의 제 1실시예를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 전자기기용 커넥터의 제 1실시예를 나타낸 정면도이다.
도 3은 본 발명의 전자기기용 커넥터의 제 1실시예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 전자기기용 커넥터의 제 2실시예를 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 전자기기용 커넥터의 제 2실시예를 나타낸 정면도이다.
도 6은 본 발명의 전자기기용 커넥터의 제 2실시예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 USB 메모리 장치의 제 1실시예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 본 발명의 USB 메모리 장치의 제 1실시예를 나타낸 정면도이다.
도 9는 본 발명의 USB 메모리 장치의 제 1실시예를 나타낸 단면도이다.
도 10은 본 발명의 USB 메모리 장치의 제 2실시예를 나타낸 사시도이다.
도 11은 본 발명의 USB 메모리 장치의 제 2실시예를 나타낸 정면도이다.
도 12는 본 발명의 USB 메모리 장치의 제 2실시예를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 발명은 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치에 관한 것이다.
먼저, 도 1 내지 도 6에 나타난 바와 같이, 본 발명의 전자기기용 커넥터는 (A) 회로기판을 포함하는 본체; (B) 상기 본체에서 돌출된 플러그; (C-1) 상기 본체를 둘러싸는 제 1하우징; 및 (C-2) 상기 플러그를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하여 이루어진다. 이들 구성요소 각각은 하기에서 상세히 설명한다.
(A) 본체
본 발명에서 본체(10)는 회로기판(11)을 포함하여 이루어진다. 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 USB 메모리 장치로 작동하기 위해 필요한 회로기판 및 플래시 메모리 등 그 기판에 장착된 부품들을 포함할 수 있다.
(B) 플러그
본 발명에서 플러그(20)는 상대 단자와 연결될 수 있는 연결부 전반을 의미하며, 보다 구체적으로는 상기 본체(10)에서 돌출된 부분 또는 단자부(21)가 위치한 영역일 수 있다.
상기 플러그(20)는, (B-1) 상대 단자와 접촉하는 접촉부와 상기 회로기판에 접속되는 접속부를 포함하는 단자부; 및 (B-2) 상기 단자부 하부에서 상기 단자부를 지지하는 지지부;를 포함하여 이루어진다.
단자부(21)는 상대 단자와 접촉하는 영역인 접촉부(24)와 회로기판(11)에 접속되는 접속부(25)를 포함할 수 있다. 접촉부(24)는 상대 단자와의 전기적 연결을 위한 역할을 하며, 접속부(25)는 회로기판(11)과 단자와의 전기적 연결을 위한 역할을 한다.
또한, 지지부(23)는 단자부(21)와 접하여 위치함으로써, 단자부(21)를 지지할 수 있으며, 바람직하게는 단자부(21) 하부에 위치하여 단자부(21)를 지지할 수 있다.
(C) 하우징
본 발명에서 하우징(C)은, (C-1) 상기 본체(10)를 둘러싸는 제 1하우징; 및 (C-2) 상기 플러그(20)를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하여 이루어진다.
제 1하우징(12) 및 제 2하우징(22)은 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물로 이루어질 수 있다. 이는 본체(10)와 플러그(20)를 동일한 재질로 하우징하기 위함이며, 플러그(20)의 하우징을 종래 금속에서 대체하는 역할을 한다.
여기서, 슈퍼 엔지니어링 플라스틱은 당업계에서 일반적으로 슈퍼 엔지니어링 플라스틱으로 명명하는 모든 수지를 의미한다. 본 발명을 위해 최적화된 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물이며, 바람직하게는 상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 60 내지 80중량%, 상기 유리섬유 20 내지 40중량%를 포함하는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물일 수 있다.
또한, 상기 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 ASTM D648 규격에 따라 측정한 열변형 온도(18.56kgf/㎠ 기준)가 230℃ 이상인 것을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 230 내지 330℃, 가장 바람직하게는 230 내지 300℃인 것을 사용할 수 있다. 이는 장시간 사용이나 과전류시에 전자기기에서 발생하는 열로 인해 치수가 변하지 않아, 우수한 내구성을 구현하기 위해 최적화된 조건이다.
구체적으로, 본 발명에서 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 폴리프탈아미드, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 폴리프탈아미드를 포함할 수 있다.
또한, 상기 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 ISO 178 규격에 따라 측정한 굴곡탄성율이 8GPa 이상일 수 있다. 바람직하게는 굴곡탄성율이 8.5GPa 이상, 가장 바람직하게는 8.5 내지 9.5GPa일 수 있다. 이는 하우징 두께를 얇게 구성하더라도 부러지거나 휘어지지 않아, 불량이나 오작동 발생을 최소화할 수 있는 최적의 강도를 구현한 것이다.
상기 제 1하우징(12)의 두께는 0.2 내지 0.8mm일 수 있으며, 바람직하게는 0.3 내지 0.7mm, 더욱 바람직하게는 0.45 내지 0.55mm일 수 있다. 이는 본 발명의 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물만이 구현할 수 있는 얇은 두께로 금속을 충분히 대체하면서도 미려한 디자인을 구현할 수 있다.
상기 제 2하우징(22)의 두께는 상기 제 1하우징(12)과 단차가 형성되는 경우에는 제 1하우징(12)의 두께보다 두꺼울 수 있으나, 바람직하게는, 제 1하우징(12)과 같은 0.2 내지 0.8mm 두께일 수 있다. 바람직하게는 0.3 내지 0.7mm, 더욱 바람직하게는 0.45 내지 0.55mm일 수 있다. 이는 제 1하우징(12)과 일체로 결합되어 동일한 두께로 본체 하우징을 구성할 수 있으므로, 종래와 다른 얇고 미려한 디자인을 구현할 수 있다.
또한, 상기 제 1하우징(12)과 상기 제 2하우징(22)은 단차없이 형성될 수 있다. 단차없이 형성됨으로써, 보다 얇고 미려한 디자인으로 커넥터 및 USB 메모리를 구현할 수 있다.
상기 제 1하우징(12)과 상기 제 2하우징(22)은 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 단일 사출성형으로 일체로 형성될 수 있다. 종래와 달리, 동일한 재질을 적용할 수 있어, 구조 및 디자인을 일체감이 있도록 구성할 수 있으며, 단일 사출성형으로 한번에 전체 하우징을 완성할 수 있어 경제적인 장점이 있다.
상기 제 1하우징(12), 상기 제 2하우징(22) 및 상기 지지부(23)는 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 단일 사출성형으로 일체로 형성될 수 있다. 종래와 달리, 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 하우징과 지지부(23)에 모두 적용함으로써, 회로기판(11)외의 대부분의 구성을 한번에 일체로 형성할 수 있어, 내구성이 우수할 뿐만 아니라, 경제적, 디자인적으로 우수한 장점이 있다.
다음으로, 본 발명의 USB용 커넥터는 상기 본 발명의 전자기기용 커넥터를 장착하여 형성된다.
다음으로, 본 발명의 USB 메모리 장치는 도 7 내지 도 12에 나타난 바와 같이, (A) 회로기판(31) 및 상기 회로기판(31) 상에 장착된 플래시 메모리(33)를 포함하는 본체(30); (B) 상기 본체(30)에서 돌출된 플러그(40); (C-1) 상기 본체(30)를 둘러싸는 제 1하우징(32); 및 (C-2) 상기 플러그(40)를 둘러싸는 제 2하우징(42);을 포함하여 이루어진다.
본체(30)의 회로기판(31)에 플래시 메모리(33)가 추가로 포함된다는 점을 제외하면, 그 구성 및 특징은 상기 본 발명의 전자기기용 커넥터에서 설명한 바와 같다.
이하는 본 발명의 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 포함한 전자기기용 커넥터, USB용 커넥터 및 이를 이용한 USB 메모리 장치의 우수성을 입증하기 위하여 실시한 실험결과이다.
본 발명의 실시예로 사용된 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물과 비교예로 사용된 엔지니어링 플라스틱 조성물의 사양은 다음과 같다.
(1) 폴리카보네이트(PC) 수지: 삼성 SDI社의 폴리카보네이트 수지인 Infino SC-1220R 제품을 사용하였다.
(2) 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 수지: Shinkong Synthetic Fibers社의 폴리부틸렌 테레프탈레이트 수지인 Shinite K006 제품을 사용하였다.
(3) 폴리아미드(PA) 수지: 코오롱플라스틱社의 KN-120 제품을 사용하였다.
(4) 폴리프탈아미드(PPA) 수지: Solvay Plastics社의 Amodel A-1130FW 제품을 사용하였다.
(5) 폴리프탈아미드(PPA) 수지: Evonik Industries社의 Trogamid T5000 제품을 사용하였다.
(6) 유리섬유(glass fiber, GF): Nittobo社의 유리섬유인 ECS 03T-187H 제품을 사용하였다.
하기 표 1에 따라 각 구성성분을 첨가하고 250 내지 350℃로 가열된 이축 용융압출기 내에서 용융혼련시켜 펠렛(pellet) 상태의 엔지니어링 플라스틱 조성물과 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 각각 제조하였다. 이와 같이 얻어진 펠렛을 80 내지 100℃의 온도에서 2시간 이상 건조시킨 다음, 6 oz 사출성형기를 사용하여 실린더 온도 250 내지 350℃, 금형온도 60 내지 100℃로 설정하여 물성평가용 시편을 제조하였다.
하기 표 1과 같은 성분의 조성으로 얻어진 시편에 대하여 다음과 같은 방법으로 물성을 평가하였으며, 그 결과는 하기 표 1과 같다.
물성 평가 방법
(1) 용융온도(Tm): 시차주사 열량측정법(Differential Scanning Calorimetry, DSC)을 이용하여 측정하였다. 측정은 PerkinElmer社의 DSC7을 이용하였고, 질소 분위기에서 먼저 330℃에서 5분간 유지하고, 이어서 10℃/min의 냉각속도로 23℃까지 온도를 내린 후, 10℃/min의 승온속도로 다시 온도를 올렸다. 이때, 시료가 융해될 때의 흡열 피크(peak)의 최대 지점을 용융온도로 결정하였다.
(2) 열변형 온도(HDT): ASTM D648 규격에 따라 6.4mm 두께의 시편에 대해 18.56kgf/㎠의 하중 하에서 열변형 온도(HDT)를 측정하였다.
(3) 굴곡탄성율(Flexural Modulus, FM): ISO 178 규격에 따라 4mm 두께의 시편에 대해 2mm/min의 속도 조건에서 굴곡탄성율을 측정하였다.
(4) 아이조드(Izod) 충격강도: ASTM D256의 규격에 따라 1/8 inch 노치(notched) 시편에 대하여 23℃의 온도에서 아이조드 충격강도를 측정하였다.


구분


평가 규격


평가 조건


단위
엔지니어링 플라스틱
조성물
슈퍼 엔지니어링
플라스틱 조성물
비교예 1 비교예 2 비교예 3 실시예 1 실시예 2
PBT
GF30%
PA
GF30%
PC
GF30%
PPA
GF30%
PPA
GF30%
용융온도
(Tm)
- 10℃/min 220 220 - 300 310
열변형 온도
(HDT)
ASTM D648 18.56kgf/cm2 210 210 140 280 280
굴곡탄성율
(FM)
ISO 178 2mm/min GPa 8 8 7 8.5 9.5
아이조드
충격강도
(Izod)
ASTM D256 1/8”
(notched)
kgf·cm/cm 9 14 16 8 6
상기 표 1은 엔지니어링 플라스틱 또는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 70중량% 및 유리섬유 30중량%를 포함한 엔지니어링 플라스틱 조성물 또는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물에 대한 내열성, 강성, 내충격성을 측정한 결과이다.
상기 결과를 통하여, 비교예 1 내지 3의 엔지니어링 플라스틱 조성물 대비 실시예 1 내지 2의 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물의 내열성, 강성 및 내충격성이 우수하여 전자기기용 커넥터 및 USB 메모리에 종래 사용되던 금속부를 대체하여 사용하기에 적합함을 확인할 수 있었다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
10: 본체 11: 회로기판
12: 제 1하우징 20: 플러그
21: 단자부 22: 제 2하우징
23: 지지부 24: 접촉부
25: 접속부 26: 홀
30: 본체 31: 회로기판
32: 제 1하우징 33: 플래시 메모리
40: 플러그 41: 단자부
42: 제 2하우징 43: 지지부
44: 접촉부 45: 접속부
46: 홀

Claims (20)

  1. (A) 회로기판을 포함하는 본체;
    (B) 상기 본체에서 돌출된 플러그;
    (C-1) 상기 본체를 둘러싸는 제 1하우징; 및
    (C-2) 상기 플러그를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하며,
    상기 플러그(B)는,
    (B-1) 상대 단자와 접촉하는 접촉부와 상기 회로기판에 접속되는 접속부를 포함하는 단자부; 및
    (B-2) 상기 단자부 하부에서 상기 단자부를 지지하는 지지부;를 포함하며,
    상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)가 동일한 재질로 형성되며, 단일 사출성형으로 일체로 형성되고,
    상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 단차없이 형성된 전자기기용 커넥터.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 유리섬유를 포함하는 전자기기용 커넥터.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 ASTM D648 규격에 따라 측정한 열변형 온도가 230℃ 이상이고, ISO 178 규격에 따라 측정한 굴곡탄성율이 8GPa 이상인 전자기기용 커넥터.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 폴리프탈아미드, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 전자기기용 커넥터.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2) 각각의 두께는 0.2 내지 0.8mm인 전자기기용 커넥터.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1항, 제 3항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 전자기기용 커넥터가 장착된 USB용 커넥터.
  13. (A) 회로기판 및 상기 회로기판 상에 장착된 플래시 메모리를 포함하는 본체;
    (B) 상기 본체에서 돌출된 플러그;
    (C-1) 상기 본체를 둘러싸는 제 1하우징; 및
    (C-2) 상기 플러그를 둘러싸는 제 2하우징;을 포함하며,
    상기 플러그(B)는,
    (B-1) 상대 단자와 접촉하는 접촉부와 상기 회로기판에 접속되는 접속부를 포함하는 단자부; 및
    (B-2) 상기 단자부 하부에서 상기 단자부를 지지하는 지지부;를 포함하며,
    상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)는 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물을 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1하우징(C-1), 상기 제 2하우징(C-2) 및 상기 지지부(B-2)가 동일한 재질로 형성되며, 단일 사출성형으로 일체로 형성되고,
    상기 제 1하우징(C-1)과 상기 제 2하우징(C-2)이 단차없이 형성된 USB 메모리 장치.
  14. 삭제
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 유리섬유를 포함하는 USB 메모리 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 유리섬유를 포함한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 ASTM D648 규격에 따라 측정한 열변형 온도가 230℃ 이상이고, ISO 178 규격에 따라 측정한 굴곡탄성율이 8GPa 이상인 USB 메모리 장치.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 슈퍼 엔지니어링 플라스틱 조성물은 폴리프탈아미드, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드 또는 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 USB 메모리 장치.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 제 1하우징(C-1) 및 상기 제 2하우징(C-2) 각각의 두께는 0.2 내지 0.8mm인 USB 메모리 장치.
  19. 삭제
  20. 삭제
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