KR101805931B1 - 주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 기억 매체 - Google Patents

Abstract

원형 기판의 주연부에 도포액을 도포하여 링 형상의 도포막을 형성하는 데 있어서, 그 폭을 균일성 높게 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것.
기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행하면서, 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시키고, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형으로 도포액을 도포하며, 이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 이 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부를 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉시켜, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액을 도포한다.

Description

주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 기억 매체{EDGE PORTION COATING DEVICE, EDGE PORTION COATING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은, 원형 기판의 주연부에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 주연부 도포 장치, 주연부 도포 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

반도체 제조 공정의 하나인 포토리소그래피 공정에 있어서는, 도포 모듈을 이용하여 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트액 등의 각종 도포액을 도포하여 도포막을 형성하는 공정이 포함된다. 그런데, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 웨이퍼의 주연부에만 레지스트막을 형성하는 경우가 있다. 예컨대 특허문헌 1, 2에는 웨이퍼의 중앙부에 실리사이드층을 형성하는 처리 방법이 기재되어 있고, 이 처리에 있어서 웨이퍼의 주연부에 상기 실리사이드층이 형성되는 것을 막기 위해, 상기 주연부를 레지스트막으로 피복하는 공정을 행하고 있다.

이와 같이 웨이퍼의 주연부에만 레지스트막을 형성하기 위해, 네가티브 레지스트액을 웨이퍼의 표면 전체에 도포하여 레지스트막을 형성하고, 웨이퍼의 주연부를 노광한 후, 현상액을 공급하는 처리가 행해지고 있다. 상기 현상액에 의해 웨이퍼의 중앙부의 레지스트막이 용해되어, 웨이퍼의 주연부에만 레지스트막을 형성할 수 있다. 그러나, 이와 같이 복수의 처리 공정을 밟아 레지스트막을 형성하는 것은 작업 처리량을 높이기 어렵다고 하는 문제가 있다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-295637호(단락 0027) 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2009-295636호

상기 사정으로부터, 포지티브 레지스트액을 웨이퍼의 주연부에 도포하고, 처리 공정수를 삭감하는 것이 검토되어 있다. 이 처리에 대해서 도 33∼도 35를 이용하여 설명하면, 노즐로부터 포지티브 레지스트액(이하, 단순히 레지스트액이라고 기재함)(101)을 토출하면서 그 토출 위치를 웨이퍼(W)의 외측으로부터 내측으로 이동시켜, 도포 처리를 개시한다. 그리고, 도 33에 화살표로 나타내는 방향으로 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 레지스트액(101)의 도포 개시 위치(103)로부터 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 그 레지스트액(101)의 토출 위치(102)를 이동시켜, 웨이퍼(W)에 띠 형상으로 레지스트액(101)을 도포한다. 그리고, 레지스트액(101)의 토출을 개시하고 나서 웨이퍼(W)를 1회전시켜, 레지스트액(101)의 토출 위치(102)를 상기 도포 개시 위치(103)로 이동시킨다. 즉, 도 34에 나타내는 바와 같이 도포 개시 위치(103)에서 레지스트액(101)끼리가 합류하게 된다. 이와 같이 하여 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 레지스트액(101)을 도포한 후, 웨이퍼(W)의 회전을 계속하여 레지스트액(101)을 건조시켜 레지스트막이 형성된다.

그런데, 상기 도포 개시 위치(103)에 있어서 도포된 레지스트액(101)이 흐트러지고, 그에 의해 레지스트막의 폭의 균일성이 저하되는 것을 알 수 있었다. 이것은, 다음과 같은 이유에 의한 것이라고 발명자는 생각하고 있다. 도 35는 웨이퍼(W)의 주연부의 측면도이며, 이 도면에 나타내는 바와 같이 노즐(104)로부터 웨이퍼(W)에 토출된 레지스트액(101)은, 웨이퍼(W)로부터 받는 원심력에 의해 토출 위치(102)로부터 외측을 향하지만, 누설의 작용이나 노즐(104)로부터의 토출압에 의해 토출 위치(102)로부터 직경 방향 내측으로도 넓어진다. 도 35에서는 레지스트액(101)의 직경 방향 내측으로 넓어지는 폭을 L1로서 나타내고 있다. 그와 같이 직경 방향 내측으로 넓어지는 레지스트액(101)은 웨이퍼(W)로부터 받는 원심력에 대항하여 상기 내측을 향하기 때문에, 웨이퍼(W) 표면에서 불안정하게 넓어진다.

그리고, 웨이퍼(W)가 1회전하여, 레지스트액(101)끼리가 합류할 때, 신규로 그 도포 개시 위치(103)에 도포되어 웨이퍼(W)의 직경 방향 내측으로 넓어지려고 하는 레지스트액(101)은, 이미 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트액(101)의 표면 장력의 영향을 받게 된다. 도 34 중 화살표로 끌어낸 점선의 원 내에는, 그 레지스트액(101)의 모습을 나타내고 있다. 도포 개시 시에 웨이퍼(W)의 내측으로 노즐(104)을 이동시키면서 레지스트액(101)을 도포하고 있기 때문에, 도포 개시 위치(103)에는 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 레지스트액(101)이 도포되어 있다. 그 때문에, 도포 개시 위치(103)에 새롭게 도포되는 레지스트액(101)은, 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 먼저 도포된 레지스트액(101)에 접촉해 가, 도면 중에 쇄선의 화살표로 나타내는 바와 같이 표면 장력에 의해 이미 도포된 레지스트액(101)이 존재하는 방향, 즉 웨이퍼(W)의 외주측으로 인장된다. 그리고 이미 서술한 웨이퍼(W)의 내측으로 불안정하게 넓어지려고 하는 레지스트액(101)은, 그 표면 장력의 작용을 크게 받게 되어, 웨이퍼(W)의 내측으로의 확장이 억제된다.

그 결과로서, 도 34에 나타내는 바와 같이 레지스트액(101)은 도포 개시 위치(103)에 있어서 그 내측에 절입이 형성된 링 형상으로 도포되어 버려, 이 절입 영역(105)에 의해 레지스트액의 도포 폭의 균일성이 저하된다. 또한, 이러한 절입 영역(105)이 형성되면, 그 후 웨이퍼(W)의 회전 및 웨이퍼(W)에의 레지스트액(101)의 공급을 계속하여도, 레지스트액(101)은 이 절입 영역(105)을 매우도록 흐르지 않아, 레지스트액 건조 후에 절입 영역(105)이 남아 버리는 것을 발명자는 확인하고 있다.

본 발명은 이러한 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은, 원형 기판의 주연부에 도포액을 도포하여 링 형상의 도포막을 형성하는 데 있어서, 그 폭을 균일성 높게 형성할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 주연부 도포 장치는, 원형의 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,

상기 기판의 표면의 주연부에 도포막을 형성하기 위해 도포액을 공급하는 노즐과,

상기 도포액의 공급 위치를 기판의 주연부와 기판의 외측 위치 사이에서 이동시키기 위해, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와,

상기 회전 유지부에 의한 기판의 회전과, 상기 노즐로부터의 도포액의 토출과, 이동 기구에 의한 노즐의 이동을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부

를 구비하고,

상기 제어부는,

기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행하면서, 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시켜, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형으로 도포액을 도포하며,

이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 이 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부가 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉하여, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액이 도포되도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 한다.

상기 주연부 도포 장치의 구체적인 양태는, 예컨대 하기와 같다.

(1) 기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행할 때에, 도포액의 토출 속도는, 상기 기판의 주연부의 속도의 -10％∼+10％의 범위 내이다.

(2) 도포액의 기판에의 공급이 행해질 때에 기판의 회전 속도는 100 rpm 이상이다.

(3) 상기 기판의 외측 위치로부터 기판의 주연부로 이동하는 도포액의 공급 위치의 이동 속도는 30 ㎜/초 이하이다.

(4) 상기 노즐의 구경은 0.6 ㎜ 이하이다.

본 발명에 따르면, 원형의 기판을 평면에서 보았을 때에 그 각도가 10°이하인 쐐기형이 되도록 도포액을 기판의 주연부에 도포하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포한 도포액의 단부를 이 쐐기형으로 도포한 도포액에 접촉시키고 있다. 그에 의해, 도포액끼리가 접촉하는 것에 따른 그 도포액의 흐트러짐이 억제되어, 기판의 주연부에 균일성 높은 폭으로 도포막을 형성할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 주연부 도포 장치를 나타내는 종단 단면도이다.
도 2는 상기 주연부 도포 장치의 평면도이다.
도 3은 상기 주연부 도포 장치에 설치되는 노즐의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 5는 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 6은 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 7은 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 8은 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 9는 상기 주연부 도포 장치의 동작을 나타내는 공정도이다.
도 10은 상기 주연부 도포 장치에 의해 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 11은 상기 주연부 도포 장치에 의해 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 12는 상기 주연부 도포 장치에 의해 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 13은 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 14는 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 15는 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 16은 상기 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 17은 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 18은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 19는 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 20은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 21은 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 22는 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 23은 평가 시험에 있어서 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 24는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 25는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 26은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 27은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 28은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 29는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 30은 평가 시험에 있어서 형성된 레지스트막의 설명도이다.
도 31은 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 32는 평가 시험의 결과를 나타내는 그래프도이다.
도 33은 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 34는 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 평면도이다.
도 35는 레지스트액이 도포된 웨이퍼의 측면도이다.

본 발명의 실시형태에 따른 주연부 도포 장치(1)에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1, 도 2는 각각 주연부 도포 장치(1)의 종단 측면도, 평면도이다. 주연부 도포 장치(1)는 웨이퍼(W)의 주연부에 레지스트액을 도포하여 도포막을 형성하는 장치이며, 스핀척(11)을 구비하고 있다. 스핀척(11)은, 진공 흡착에 의해, 예컨대 그 직경이 300 ㎜의 원형 기판인 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하도록 구성되어 있다. 스핀척(11)은, 회전 모터 등을 포함하는 회전 구동부(12)에 접속되어 있다. 회전 구동부(12)는, 후술하는 제어부(3)로부터 출력되는 제어 신호에 따른 회전 속도로, 스핀척(11)을 연직 주위로 회전시킨다.

도면 중 도면 부호 13은, 웨이퍼(W)의 이면을 지지하는 3개의 지지핀(도시의 편의상 2개만 나타내고 있음)이며, 승강 기구(14)에 의해 승강 가능하게 구성되어 있다. 지지핀(13)에 의해 도시하지 않는 웨이퍼(W)의 반송 기구와 스핀척(11) 사이에서 웨이퍼(W)가 전달된다.

스핀척(11)의 하방측에는 단면 형상이 산 형태의 가이드링(15)이 설치되어 있고, 이 가이드링(15)의 외주연은 하방측으로 굴곡하여 연장되어 있다. 상기 스핀척(11) 및 가이드링(15)을 둘러싸도록, 도포액인 레지스트액의 비산을 억제하기 위한 컵(16)이 설치되어 있다.

이 컵(16)은 상측이 개구되고, 스핀척(11)에 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록 되어 있고, 컵(16)의 측주면(側周面)과 가이드링(15)의 외주연 사이에 배출로를 이루는 간극(17)이 형성되어 있다. 상기 컵(16)의 하방측에는 기립된 배기관(18)이 설치되고, 배기관(18) 내는 배기구(18a)로서 구성되어 있다. 또한 컵(16)의 바닥부에는 배액구(19)가 개구하고 있다.

주연부 도포 장치(1)는 노즐(21)을 구비하고 있고, 노즐(21)은 원형의 토출구(22)(도 3)를 구비하며, 토출구(22)로부터 연직 하방으로 레지스트액(포지티브 레지스트액)이 토출된다. 도 3은 노즐(21)의 종단 측면을 나타내고 있으며, 도면 중에 도면 부호 L2로 나타내는 토출구(22)의 구경은 이 예에서는 0.3 ㎜로 설정되어 있다. 이와 같이 구경을 설정하는 것은, 후술하는 레지스트액 공급원(24)으로부터 노즐(21)에 공급하는 레지스트액의 단위 시간당의 유량(mL/초)을 제어함으로써, 레지스트액의 토출 속도(㎜/초)와 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도(㎜/초)를 대략 같게 할 수 있도록 하기 위해서이다. 대략 같게 한다는 것은, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 레지스트액을 도포할 때에, 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도의 -10％∼+10％의 범위 내의 속도로 레지스트액을 토출하는 것을 말한다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 레지스트액의 토출 속도를 제어함으로써, 후술하는 작용 및 실험에서 나타내는 바와 같이, 레지스트액이 웨이퍼(W)로부터 튀기는 것을 막아, 균일성 높은 폭으로 링 형상의 레지스트막을 형성할 수 있다.

상기 노즐(21)은, 레지스트액 공급관(23)을 개재하여, 레지스트액이 저류된 레지스트액 공급원(24)에 접속되어 있다. 레지스트액 공급원(24)은 펌프를 구비하여, 레지스트액을 하류측으로 압송한다. 상기 레지스트액 공급관(23)에는 밸브나 유량 조정부 등을 포함하는 공급 기기군(25)이 개재되어, 제어부(3)로부터 출력되는 제어 신호에 기초하여 레지스트액의 공급/차단 및 노즐(21)에의 공급량을 제어한다.

상기 노즐(21)은, 도 2에 나타내는 바와 같이 수평 방향으로 신장한 아암(26)을 개재하여 이동 기구(27)에 접속되어 있다. 이동 기구(27)는, 가로 방향으로 신장한 가이드 레일(2)을 따라 이동하여, 아암(26)을 승강시킬 수 있다. 제어부(3)로부터의 제어 신호에 따라 이동 기구(27)가 이동하고, 이 이동 기구(27)의 이동에 의해, 노즐(21)은 컵(16)의 외부에 설치된 대기 영역(28)과 웨이퍼(W)의 주연부 상의 사이에서 이동할 수 있다.

계속해서 제어부(3)에 대해서 설명한다. 제어부(3)는 컴퓨터에 의해 구성되며, 프로그램 저장부를 구비하고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용에서 설명하는 주연부 도포 처리가 행해지도록 명령이 짜여진 프로그램이 저장된다. 상기 프로그램 저장부에 저장된 프로그램이 제어부(3)에 판독되어, 제어부(3)는 주연부 도포 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신한다. 그에 의해, 노즐(21)의 이동, 노즐(21)로부터의 레지스트액의 토출 유량 및 웨이퍼(W)의 회전 속도 등이 제어되며, 후술하는 작용이 실시된다. 이 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 컴팩트 디스크, 마그넷 광디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.

계속해서, 주연부 도포 장치(1)의 작용에 대해서 노즐(21)의 동작을 나타내는 도 4∼도 9를 참조하면서 설명한다. 또한, 웨이퍼(W)의 평면도이며, 웨이퍼(W)에 도포된 레지스트액의 모습에 대해서 나타낸 도 10∼도 16도 적절하게 참조하면서 설명한다. 도시하지 않는 반송 기구에 의해, 웨이퍼(W)가 주연부 도포 장치(1)에 반송되고, 지지핀(13)에 의해 스핀척(11)에 전달되어, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부가 흡착 유지된다. 대기 영역(28)으로부터 노즐(21)이 웨이퍼(W)의 외측 상방으로 이동한다(도 4).

웨이퍼(W)가 회전을 개시하여, 그 회전 속도(회전수)가, 예컨대 300 rpm(1초간에 5회전)이 되고, 노즐(21)로부터 하방으로 레지스트액(31)이 토출된다(도 5). 이 웨이퍼(W)의 직경의 크기는 300 ㎜이기 때문에, 이때 웨이퍼(W)의 주연부(외주단)의 속도는 300·π·5≒4711.5 ㎜/초로 되어 있다. 상기한 바와 같이 노즐(21)의 구경이 0.3 ㎜로 설정되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액(31)의 속도를 같게 하기 위해, 노즐(21)에 471.15(㎝/초)×(0.015 ㎝×0.015 ㎝×π)≒0.33 mL/초로 레지스트액(31)이 공급된다.

그와 같이 레지스트액(31)을 토출한 채로, 노즐(21)이, 예컨대 10 ㎜/초로 웨이퍼(W)의 주연부 상으로 이동한다(도 6). 토출되는 레지스트액(31)의 선속도와 웨이퍼(W)의 주연부의 속도가 같기 때문에, 웨이퍼(W)에 접촉한 레지스트액(31)은 웨이퍼(W)로부터 받는 충격이 억제되기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 튀기지 않고 웨이퍼(W) 표면에 도포된다. 이 레지스트액(31)의 도포 시에 웨이퍼(W)의 회전이 행해지고 있기 때문에, 도 10, 도 11에 나타내는 바와 같이 레지스트액(31)은 웨이퍼(W)의 둘레단으로부터 내측을 향하여 넓어지도록 도포되어, 도 11의 화살표로 끌어낸 점선의 원 내에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 주연부에 평면에서 보아 쐐기형으로 도포된다. 노즐(21)의 이동 속도 및 웨이퍼(W)의 회전 속도가 상기한 바와 같이 제어됨으로써, 도면에 나타내는 쐐기가 이루는 각(θ)은 10°이하가 된다. 이 θ는, 보다 자세하게는 상기 쐐기의 선단의 각도이다. 이 쐐기형으로 도포된 레지스트액을 쐐기형 영역으로서 도면 부호 41을 붙이고 있다. 또한, 각 도면의 도면 부호 33은 웨이퍼(W)에 있어서 레지스트액(31)의 토출이 개시된 개시 영역을 나타내고 있다.

웨이퍼(W)에 있어서 레지스트액(31)이 토출되는 토출 영역의 중심과 웨이퍼(W)의 단부가 이루는 거리(L3)가, 예컨대 3 ㎜가 되면, 노즐(21)의 이동이 정지한다(도 7, 도 12). 토출된 레지스트액(31)은 상기 토출 영역의 주위에 젖는 부분이 넓어지며 웨이퍼(W)의 원심력의 작용을 받아 외주측을 향함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포된다(도 13). 각 도면에서는 이 띠 형상으로 도포된 레지스트액을 띠 형상 영역으로서 도면 부호 42를 붙여 나타내고 있다.

그리고, 웨이퍼(W)에 레지스트액(31)의 도포를 개시하고 나서 웨이퍼(W)가 1회전하여, 띠 형상 영역(42)의 단부가 쐐기형 영역(41)에 접촉한다. 즉, 레지스트액(31)을 웨이퍼(W)에 공급하고 나서 그 웨이퍼(W)를 1회전시킨 후에 공급된 레지스트액이, 상기 평면에서 보아 쐐기형으로 도포된 레지스트액(31)의 상기 쐐기의 선단에 접촉하게 된다. 이때, 상기 쐐기형 영역(41)은 이미 서술한 바와 같이 θ가 작게 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 주연부를 따라 신장하는 띠 형상 영역(42)은 웨이퍼(W)의 외주측으로부터 점차 쐐기형 영역(41)에 접촉해 가게 된다(도 14, 도 15). 즉, 도포 개시 위치(33)에 레지스트액(31)이 도포될 때, 레지스트액(31)에 의한 띠 형상 영역(42)의 단부는, 도 34, 도 35에 나타낸 쐐기의 각도(θ)가 비교적 큰 경우에 비해서, 쐐기형 영역(41)에 대하여 적은 접촉 면적을 가지고 서서히 웨이퍼(W)에 도포되어 가기 때문에, 이 띠 형상 영역(42)의 단부가 쐐기형 영역(41)으로부터 받는 표면 장력이 약하고, 즉 외주 방향으로 받는 힘이 약하다.

또한, 이와 같이 레지스트액(31)을 도포하는 데 있어서, 웨이퍼(W)를 300 rpm으로 비교적 높은 속도로 회전시키고 있기 때문에, 레지스트액(31)에 작용하는 원심력이 크기 때문에, 레지스트액(31)이 웨이퍼(W)의 토출 영역으로부터 웨이퍼(W)의 직경 방향 내측을 향하는 것이 억제되어, 도 35에서 나타낸 폭(L1)이 작아진다. 즉, 띠 형상 영역(42)에 있어서 표면 장력의 영향을 받기 쉬운 영역이 작다.

따라서, 링 형상으로 도포되는 레지스트액(31)에 있어서 그 내측에, 도포가 행해지지 않는 절입 영역의 형성을 막거나, 그 크기를 억제할 수 있다. 그 결과, 도 16에 나타내는 바와 같이 레지스트액(31)은, 웨이퍼(W)에 그 폭의 균일성이 높아지도록 도포된다. 쐐기형 영역(41) 상에 띠 형상 영역(42)이 중첩되도록 도포된 후도 웨이퍼(W)의 회전 및 레지스트액(31)의 토출이 계속되어, 웨이퍼(W)의 주연부에 반복하여 레지스트액(31)이 도포된다. 그리고, 노즐(21)의 이동이 정지하고 나서 정해진 시간 경과 후에, 노즐(21)은 웨이퍼(W)의 외측의 상방으로 이동하며(도 8), 레지스트액(31)의 공급을 정지하여 대기 영역(28)으로 되돌아간다. 계속해서 웨이퍼(W)의 회전 속도가 상승하여, 레지스트액(31) 중의 용제가 증발하고, 레지스트액(31)으로부터 레지스트막(43)이 형성된다.

이 주연부 도포 장치(1)에 의하면, 웨이퍼(W)에의 레지스트액(31)의 도포 개시 시에 형성되는 쐐기형 영역(41)의 각도가 예리해지도록 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 노즐(21)의 이동 속도를 제어하여, 웨이퍼(W)를 회전시켜 띠 형상으로 도포되는 레지스트액(31)이 상기 쐐기형 영역(41)으로부터 받는 표면 장력의 영향을 작게 하고, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 크게 하여 레지스트액(31)의 토출 위치(32)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부측을 향하는 레지스트액의 도포 범위를 억제하고 있다. 따라서, 레지스트액의 도포 개시 위치(33)에서 레지스트액(31)끼리가 접촉할 때에, 레지스트액(31)의 웨이퍼(W)의 중심부 방향으로의 확장이 흐트러지는 것이 억제되어, 웨이퍼(W)에 균일성 높은 폭으로 링 형상의 레지스트막을 형성할 수 있다.

노즐(21)은 수평으로 이동시키는 것에 한정되지 않고, 경사지도록 이동시켜 레지스트액(31)의 토출 위치를 옮겨도 좋다. 또한, 레지스트막을 형성하는 경우 외에 SOG막, SOD막, 폴리이미드막 등의 막을 형성하는 경우에도 본 발명은 유효하다.

그런데, 상기 실시형태에서는 레지스트액(31) 도포 시의 웨이퍼(W)의 회전 속도를 300 rpm으로 설정하고 있지만, 후술하는 평가 시험에서 나타내는 바와 같이 100 rpm 이상이면 양호한 도포 처리를 행할 수 있다. 그리고, 상기 예에서는 노즐(21)의 구경(L2)을 0.3 ㎜로 설정하고 있지만, 이 L2는 0.6 ㎜ 이하이면 좋고, 구경(L2)을 그와 같이 설정하여 이미 서술한 주연부에의 도포 처리를 행할 수 있는 것은 실험을 행하여 확인되어 있다. 또한, 상기 회전 속도가 100 rpm이면 상기 웨이퍼(W)의 주연부의 속도는 300 ㎜×π×100 rpm/60초≒1570.5 ㎜/초이다. 이때 상기 구경(L2)이 0.6 ㎜인 경우, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액(31)의 속도를 같게 하기 위한 레지스트액(31)의 공급량은, 157.05(㎝/초)×0.03 ㎝×0.03 ㎝×π≒0.44 mL/초이며, 실용상 적절한 공급량이다. 또한, 노즐(21)은 토출구(22)가 웨이퍼(W)의 중심부측으로부터 외측을 향하도록 설치하여 도포액을 토출하여도 좋다. 즉, 노즐(21)은 평면에서 보아 경사져 설치하여도 좋다.

계속해서, 본 발명에 관련하여 행해진 실험에 대해서 설명한다.

(평가 시험 1)

상기 주연부 도포 장치(1)에 있어서, 레지스트액의 토출을 개시하는 타이밍 에 대해서 검증하기 위해 시험을 행하였다. 평가 시험 1-1에서는 레지스트액(31)의 토출 위치(32)를 미리 웨이퍼(W)의 주연부로 이동시킨 후, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 그 주연부에 레지스트액(31)을 토출하고, 이후에는 상기 실시형태와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 주연부 전체 둘레에 레지스트액(31)을 도포하였다. 평가 시험 1-2에서는, 상기 실시형태와 마찬가지로 레지스트액(31)을 토출하면서 토출 위치(32)를 웨이퍼(W)의 외측으로부터 주연부로 이동시켜 처리를 행하였다. 단, 쐐기형 영역(41)의 각도(θ)는 10°보다 커지도록 레지스트액(31) 도포 시의 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 노즐(21)의 이동 속도를 제어하였다. 평가 시험 1-1, 1-2 모두 5장의 웨이퍼(W)에 동일한 처리를 행하여, 각 웨이퍼(W)에 있어서 도포 개시 위치(33) 및 그 부근의 레지스트막(43)의 형상을 관찰하였다. 또한, 각 웨이퍼(W)에 있어서 레지스트막(43)의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하였다. 상기 폭의 차가 작을수록, 폭의 균일성이 높다고 말할 수 있다.

도 17은 평가 시험 1-1의 도포 개시 위치(33) 부근의 레지스트막(43)의 평면에서 본 형상을 나타내고 있으며, 도면의 상측이 웨이퍼(W)의 중심부측, 하측이 웨이퍼(W)의 외주측이다. 도면에 나타내는 바와 같이 도포 개시 위치(33)에 있어서, 레지스트막(43)의 폭이 커져 있다. 그리고, 도 18은 웨이퍼마다 상기 차의 크기(단위: ㎜)를 나타낸 그래프이다. 이 그래프에 나타내는 바와 같이 각 웨이퍼 모두 막의 폭의 차가 컸다.

도 19는 평가 시험 1-2의 도포 개시 위치(33) 부근의 레지스트막(43)의 형상을 도 17과 동일하게 나타내고 있다. 이 도 19에 나타내는 바와 같이 레지스트액(31)의 도포가 행해지지 않은 절입 영역(105)이 형성되어 있지만, 도 20에 나타내는 바와 같이 각 웨이퍼(W)의 레지스트막(43)의 폭의 차는 평가 시험 1-1보다 작았다. 이 평가 시험 1의 결과로부터, 노즐(21)을 이동시키면서 레지스트액(31)을 도포한 뒤에, 상기 절입 영역(105)이 형성되는 것을 막는 것이 검토되어, 실시형태에서 나타낸 방법이 고안되었다.

(평가 시험 2)

상기 실시형태에 있어서, 도포 개시 시에 쐐기형 영역(41)을 도포하는 데 있어서, 유효한 쐐기의 각도(θ)의 범위를 구하는 시험을 행하였다. 복수매의 웨이퍼(W)를 포함하는 그룹마다 각도(θ)를 바꾸어, 상기 실시형태와 마찬가지로 레지스트막(43)을 형성하고, 평가 시험 1과 마찬가지로 레지스트막(43)의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하였다. 도 21, 도 22, 도 23은 각 웨이퍼(W)에 형성한 쐐기형 영역(41)의 형상을 나타내고 있으며, 각 도면의 각도(θ)는 각각 30°, 60°, 10°이다.

도 24는 θ마다 각 웨이퍼(W)에 있어서 얻어진 상기 폭의 차를 플롯한 그래프이다. θ=10°로 설정한 웨이퍼(W)의 상기 폭의 차는 실용 가능한 범위에 수습되어 있다. 또한, 자유도를 0.05로 하여 student의 t 검정을 행한 바 θ=10°로 설정한 웨이퍼(W)로부터 얻어진 측정 결과는, θ=30°, 60°로 설정한 웨이퍼(W)로부터 얻어진 측정 결과에 대하여 유의차가 있었다. 이 결과로부터 θ=10°이하로 설정하는 것이 유효한 것이 나타났다.

(평가 시험 3)

상기 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)마다 레지스트액(31) 도포 시의 회전 속도를 변화시켜 처리를 행하고, 쐐기형 영역(41)의 각도(θ), 도 34에 나타낸 웨이퍼(W)의 중심측을 향하는 레지스트액(31)의 폭(L1)의 크기 및 레지스트막(43)의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하며, 그에 의해 상기 회전 속도와 이들 각도(θ), 폭(L1), 막의 폭의 차와의 관계를 조사하였다. 도 25, 도 26, 도 27은 이 평가 시험 3의 결과를 나타내는 그래프이며, 이들 각 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 회전 속도(rpm)를 나타내고 있다. 도 25, 도 26, 도 27의 종축은 각각 상기 각도(θ(°)), 상기 폭(L1(㎜)), 상기 막의 폭의 차(㎜)를 나타내고 있다.

도 25, 도 26에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전 속도(rpm)가 클수록 각도(θ) 및 폭(L1)이 작아진다. 그리고, 도 27에 나타내는 바와 같이 회전 속도가 200 rpm으로 상승할 때까지 막의 폭의 차가 감소하고, 회전 속도 300 rpm 및 회전 속도 200 rpm에 있어서의 상기 폭의 차는 대략 동일하였다. 이 평가 시험 3의 결과로부터 θ 및 폭(L1)은 회전 속도가 커질수록 작아지고, 이들 각도(θ) 및 폭(L1)을 작게 함으로써 레지스트막(43)의 폭의 균일성을 높게 할 수 있다고 생각된다. 또한, 실용 상, 레지스트막(43)의 폭의 차는 0.4 ㎜ 이하인 것이 바람직하다. 도 27의 그래프로부터, 회전 속도가 100 rpm일 때에 폭의 차가 0.4 ㎜로 되어 있고, 도 25로부터 회전 속도가 100 rpm일 때에 θ=6.0°이기 때문에, θ=6.0°이하의 범위는 유효한 것이 이 평가 시험 3으로부터도 담보되었다. 또한, 이 평가 시험 3으로부터 100 rpm 이상의 회전 속도가 유효하다고 말할 수 있다.

(평가 시험 4)

웨이퍼(W)에 레지스트액(31)의 도포를 개시하는 데 있어서, 노즐(21)의 적절한 이동 속도를 조사하기 위한 시험을 행하였다. 상기 실시형태에 있어서 노즐(21)의 이동 속도를 10 ㎜/초, 30 ㎜/초, 50 ㎜/초로 각각 설정하여 처리를 행하고, 다른 실시형태와 마찬가지로 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 폭의 최대값과 최소값의 차를 측정하였다. 도 28은 이 평가 시험 5의 결과를 나타내는 그래프이며, 그래프의 횡축은 노즐(21)의 이동 속도(㎜/초), 그래프의 종축은 상기 막의 폭의 차이다. 그래프에 나타내는 바와 같이 노즐(21)의 이동 속도가 클수록, 막의 폭의 차가 커지는 것이 나타났다. 이동 속도가 크면 상기 θ가 커지기 때문에, 이 결과로부터 상기 θ를 작게 하는 것이 막의 폭의 균일성을 높이는 데 유효한 것을 알 수 있다. 또한, 막의 폭의 차는 0.65 ㎜ 이하가 허용 범위이며, 노즐의 속도가 50 ㎜/초일 때에는 이 0.65 ㎜로 대략 같아져 버려 있기 때문에, 노즐의 이동 속도로서는 30 ㎜/초 이하로 설정하는 것이 바람직하다.

(평가 시험 5)

단위 시간당의 레지스트액의 토출량을 웨이퍼(W)마다 변경하여 실시형태와 동일한 처리를 행하고, 다른 실시형태와 마찬가지로 막의 폭의 차에 대해서 측정하였다. 이 평가 시험에서는 처리 조건을 바꾸어 처리를 행하였다. 구체적으로는 2종류의 레지스트액(31)을 이용하여 처리를 행하였다. 도 29는 이 평가 시험 5의 결과를 나타내는 그래프이며, 그래프의 횡축은 단위 시간당의 레지스트액의 토출량(mL/초), 그래프의 종축은 상기 막의 폭의 차이다. 그래프 중, 제1 레지스트액을 이용하여 행한 결과를 동그라미표로 플롯하고, 제2 레지스트액을 이용하여 행한 결과를 사각표로 플롯하고 있다.

이 그래프에 나타내는 바와 같이 어느 쪽의 레지스트액(31)을 이용한 경우도, 레지스트액(31)의 토출량이 변화함으로써 막의 폭의 차가 크게 변화하고 있다. 토출량이 변하면, 노즐(21)로부터의 레지스트액(31)의 토출 속도(㎜/초)가 변화하기 때문에, 이 평가 시험으로부터 토출 속도에 대해서 적절한 값을 설정함으로써 막의 폭의 균일성을 높일 수 있는 것이 생각된다.

(평가 시험 6)

상기 실시형태에 있어서, 레지스트액(31) 도포 시의 웨이퍼(W)의 회전 속도와 레지스트액(31)의 토출량을 각각 변화시켜 각 웨이퍼(W)에 처리를 행하고, 형성된 레지스트막(43)의 형상을 관찰하였다. 토출량은 0.25 mL/초, 0.33 mL/초, 0.50 mL/초, 0.63 mL/초로 각각 설정하고, 회전 속도는 50 rpm, 100 rpm, 150 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 각각 설정하였다. 도 30은 각 설정에 의해 형성된 각 레지스트막(43)을 모식적으로 나타내고 있으며, 도면 중 하측이 웨이퍼(W)의 중심부측이다.

이 도 30에 나타내는 결과로부터 다음 사실을 알 수 있다. 웨이퍼(W)의 회전 속도가 커지면, 레지스트막(43)을 형성할 수 없거나, 레지스트막(43)의 폭의 균일성이 저하한다. 그리고, 회전 속도를 크게 함에 따라, 레지스트액(31)의 토출량, 즉 레지스트액(31)의 토출 속도(㎜/초)를 증가시키면 레지스트막(43)의 폭의 균일성이 높아진다. 회전 속도에 대하여 레지스트액(31)의 토출량이 지나치게 크면, 레지스트막(43)의 폭의 크기의 균일성이 저하한다. 이와 같이 토출량이 커졌을 때에 균일성이 저하하는 것은, 웨이퍼(W)에 정해진 시간당 공급되는 레지스트액(31)의 양이 증가함으로써, 도 35에 나타낸 웨이퍼(W)의 중심부를 향하는 레지스트액(31(101))의 폭(L1)이 커지고, 그 레지스트액(31)이, 표면 장력의 영향을 받기 쉬워지기 때문이라고 생각된다. 이러한 실험 결과로부터, 웨이퍼(W)의 회전 속도와, 레지스트액의 유량(토출 속도)을 적절하게 제어함으로써, 레지스트막(43)의 균일성을 높게 할 수 있는 것이 추측된다.

(평가 시험 7)

노즐(21)의 토출구(22)의 직경(L2)이 0.8 ㎜인 것 이외에는 실시형태와 동일한 장치를 이용하여 웨이퍼(W)에 실시형태와 마찬가지로 레지스트막(43)의 형성을 행하고, 레지스트막(43)을 정상적으로 도포할 수 있었는지의 여부를 조사하였다. 웨이퍼(W)의 회전 속도(rpm) 및 레지스트액(31)의 토출 유량을 웨이퍼(W)마다 변경하고 있다. 토출량은 0.25 mL/초, 0.33 mL/초, 0.50 mL/초로 각각 설정하고, 회전 속도는 50 rpm, 100 rpm, 150 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 각각 설정하였다.

하기 표 1은 이 평가 시험 7의 결과를 나타낸 표이다. 표 중에 있어서, 웨이퍼(W)의 둘레 방향에 있어서 끊어지는 일없이 링 형상으로 레지스트막(43)이 형성되어 있으면 OK로 하고 있다. 그리고, 레지스트액(31)이 웨이퍼(W)에 튀김으로써 상기 둘레 방향에 틈새가 생긴 경우에 NG로 하고 있다.

	회전 속도(rpm)
유량(mL/초)	50	100	150	200	300
0.25	OK	OK	NG	NG	NG
0.33	OK	OK	NG	NG	NG
0.50	OK	OK	OK	NG	NG

회전 속도가 비교적 낮은 50 rpm, 100 rpm의 경우에는 각 유량 설정에 있어서 레지스트막(43)을 형성할 수 있었다. 그러나, 회전 속도가 150 rpm인 경우에는 유량이 0.25 mL/초, 0.33 mL/초일 때에 레지스트막(43)을 형성할 수 없고, 회전 속도가 200 rpm, 300 rpm인 경우에는 어느 쪽의 유량 설정에 있어서도 레지스트막(43)을 형성할 수 없었다. 또한, 레지스트액의 유량이 0.50 mL/초이며 토출 시 회전수가 150 rpm의 경우 레지스트막을 형성할 수 있었지만, 막의 폭의 균일성은 낮았다. 평가 시험 3에서 설명한 바와 같이, 쐐기형 영역(41)의 각도를 10°이하로 하기 위해서는 비교적 높은 속도로 웨이퍼(W)를 회전시키는 것이 유효하기 때문에, 이 실험 결과로부터 발명자는 도포 방법을 개량하는 것을 검토하였다.

도 31은 그 구경을 0.8 ㎜로 설정한 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 토출 속도(㎜/초)와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 유량(mL/초)의 관계를 플롯하여 나타낸 그래프이다. 그래프의 종축, 횡축은 상기 토출 속도, 유량을 각각 나타내고 있다. 또한, 이 평가 시험에서 이용한 웨이퍼(W)의 직경이 300 ㎜이기 때문에, 웨이퍼(W)를 100 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 회전시켰을 때의 웨이퍼(W)의 주연부의 속도는 각각, 1571 ㎜/초, 3141 ㎜/초, 4712 ㎜/초이며, 그래프의 종축이 대응하는 부분에 쇄선으로 이들의 속도를 나타내고 있다.

이 그래프에 나타내는 바와 같이, 이 평가 시험에서 설정한 레지스트액(31)의 유량에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 높아지면 레지스트액(31)의 토출 속도와, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도의 상대 속도차가 커져 버린다. 발명자는, 이 상대 속도차가 크기 때문에 레지스트액(31)이 웨이퍼(W)로부터 튀겨, 레지스트막(43)을 형성할 수 없었다고 생각하였다.

(평가 시험 8)

노즐(21)의 토출구(22)의 직경(L2)을 0.3 ㎜로 설정하고, 평가 시험 7과 동일한 시험을 행하였다. 도 32의 그래프는, 도 31의 그래프와 마찬가지로 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 토출 속도(㎜/초)와, 노즐(21)로부터 토출되는 레지스트액의 유량(mL/초)의 관계를 플롯하여 나타내고 있다. 이 그래프에 나타내는 바와 같이, 이 평가 시험 8에서 이용하는 노즐(21)의 구경은, 레지스트액(31)의 토출 유량으로서 설정한 0.25∼0.50 mL/초의 범위에 있어서, 각 웨이퍼(W)의 회전 속도 100 rpm, 200 rpm, 300 rpm으로 레지스트액의 속도를 맞출 수 있도록 설정되어 있다.

하기 표 2는, 평가 시험 7과 마찬가지로 웨이퍼(W)에 형성된 레지스트막의 형상에 대해서 판정한 결과를 나타내고 있다. 표 2에 나타내는 바와 같이 평가 시험 7에서는 NG로 되어 있던 회전 속도 200 rpm, 300 rpm의 경우에도 레지스트막(43)을 형성할 수 있었다. 이 결과로부터, 웨이퍼(W)에 레지스트막(43)을 형성하기 위해서는 레지스트액(31)의 토출 속도와, 웨이퍼(W)의 주연부의 속도의 상대 속도차를 작게 하는 것이 유효한 것을 알 수 있다. 그리고, 이 평가 시험에서는, 레지스트막이 형성되면 OK로서 판정을 하고 있지만, 막의 폭의 균일성을 실용 레벨로 높이기 위해서는, 실시형태에서 설명한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도와, 레지스트액의 유속을 대략 같게, 예컨대 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 회전 시의 주연부의 속도의 -10％∼+10％의 범위 내로 레지스트액의 토출 속도를 설정하는 것이 유효하다.

	회전 속도(rpm)
유량(mL/초)	50	100	150	200	300
0.25	OK	OK	OK	OK	OK
0.33	OK	OK	OK	OK	OK
0.50	OK	OK	OK	OK	OK

1 주연부 도포 장치 11 스핀척
21 노즐 3 제어부
31 레지스트액 32 토출 위치
33 도포 개시 위치 41 쐐기형 영역
42 띠 형상 영역 43 레지스트막

Claims (8)

1. 원형의 기판을 수평으로 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
   상기 기판의 표면의 주연부(周緣部)에 도포막을 형성하기 위해 도포액을 공급하는 노즐과,
   상기 도포액의 공급 위치를 기판의 주연부와 기판의 외측 위치 사이에서 이동시키기 위해, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
   상기 회전 유지부에 의한 기판의 회전과, 상기 노즐로부터의 도포액의 토출과, 이동 기구에 의한 노즐의 이동을 제어하기 위해 제어 신호를 출력하는 제어부
   를 구비하고,
   상기 제어부는,
   기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행하면서, 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시켜, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 쐐기형으로 도포액을 도포하고,
   이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 이 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부(端部)가 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉하여, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액이 도포되고,
   기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행할 때에, 도포액의 토출 속도가, 상기 기판의 주연부의 속도의 -10％∼+10％의 범위 내가 되도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 쐐기형의 각도는 10°이하인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 도포액의 기판에의 공급이 행해질 때에 기판의 회전 속도는 100 rpm 이상인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판의 외측 위치로부터 기판의 주연부로 이동하는 도포액의 공급 위치의 이동 속도는 30 ㎜/초 이하인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노즐의 구경은 0.6 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 장치.
6. 원형의 기판을 회전 유지부에 수평으로 유지하는 공정과,
   상기 회전 유지부에 의해 기판을 회전시키는 공정과,
   기판의 회전과, 노즐로부터 기판의 주연부에 도포막을 형성하기 위한 도포액의 공급을 행하면서, 상기 도포액의 공급 위치를 기판의 외측으로부터 기판의 주연부를 향하여 이동시켜, 그 기판을 평면에서 보았을 때에 쐐기형으로 도포액을 도포하는 공정과,
   이어서, 기판의 회전 및 도포액의 공급을 계속한 채로 노즐의 이동을 정지하고, 기판의 주연부를 따라 띠 형상으로 도포액을 도포하며, 띠 형상으로 도포된 도포액의 단부를 상기 쐐기형으로 도포된 도포액에 접촉시켜, 기판의 전체 둘레에 걸쳐 도포액을 도포하는 공정
   을 포함하고,
   기판에 도포액을 도포하는 각 공정은, 기판의 회전 및 노즐로부터의 도포액의 공급을 행할 때에, 도포액의 토출 속도가, 상기 기판의 주연부의 속도의 -10％∼+10％의 범위 내가 되도록 행해지는 것을 특징으로 하는 주연부 도포 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 쐐기형의 각도는 10°이하인 것을 특징으로 하는 주연부 도포 방법.
8. 기판의 주연부에 대한 도포 처리를 행하는 주연부 도포 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
   상기 컴퓨터 프로그램은, 제6항 또는 제7항에 기재된 주연부 도포 방법을 실시하기 위한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.

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