KR101800356B1 - 게이트 인 패널 구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 화상을 표시하는 표시영역과, 표시영역 외측으로 다수의 교대하는 신호입력부와 게이트 회로부를 갖는 제 1 비표시영역과 패드가 구비된 제 2 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 표시영역에 위치하는 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 회로부에 상기 각 게이트 배선이 위치하는 화소라인 단위로 분리 형성된 다수의 회로블럭과; 상기 각 신호입력부에 형성된 다수의 클럭배선을 포함하며, 상기 각 신호입력부에는 상기 다수의 클럭배선을 하나의 그룹으로 하여 하나 이상의 그룹이 구비되며, 상기 각 회로블럭은 그 내부에 하나 또는 2개의 부분회로블록이 구비되며, 상기 부분회로블럭은 상기 각 화소라인 별로 상기 게이트 배선의 길이방향으로 순차적으로 일렬로 배치되며, 상기 각 부분회로블럭은 이와 최인접한 신호입력부에 구비되며 최인접한 하나의 그룹에 형성된 클럭배선과 다수의 제 1 연결배선을 통해 연결된 것이 특징인 게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판을 제공한다.
Description
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 특히 신호입력부의 기생용량을 최소화할 수 있는 GIP 구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판에 관한 것이다.
평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.
따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다.
이하, 유기전계 발광 소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다.
도 1은 종래의 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
일반적인 유기전계 발광소자(1)는 크게 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 어레이 기판(10)과, 이와 대향하여 인캡슐레이션을 위한 대향기판(70)으로 이루지고 있다. 상기 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선(미도시)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)로 이루어지며, 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된 제 1 전극(47)과 유기 발광층(55) 및 제 2 전극(58)으로 이루어지고 있다.
이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자(1)를 완성하기 위해서는 상기 유기전계 발광 다이오드(E)를 구동시키기 위한 구동회로를 갖는 구동부를 필요로 하고 있다.
통상적으로 상기 구동부는 구동회로기판(printed circuit board : PCB)(미도시)에 구현된다. 이때, 이러한 구동회로기판(미도시)은 상기 어레이 기판(10)에 구성된 다수의 게이트 배선(미도시)과 연결되는 게이트 구동회로기판(미도시)과 데이터 배선(미도시)과 연결되는 데이터 구동회로기판(미도시)으로 나뉜다.
한편, 이들 각각의 구동회로기판(미도시)은, 상기 유기전계 발광소자용 어레이 기판(10)의 일측면에 형성되며 상기 게이트 배선(미도시)과 연결된 된 게이트 패드(미도시)가 구비된 게이트 패드부와, 통상적으로 상기 게이트 패드(미도시)가 형성된 일측면과 직교하는 상측면에 형성된 데이터 배선(미도시)과 연결된 데이터 패드를 구비한 데이터 패드부 각각에 테이프 캐리어 패키지 (tape carrier package : TCP) 형태 또는 FPC(Flexible Printed circuit)를 개재하여 실장되고 있다.
하지만, 종래와 같이 구동회로기판을 게이트 및 데이터용으로 각각 게이트 패드부와 데이터 패드부에 실장하게 되면, 그 부피가 커지고, 그 무게 또한 증가하게 된다.
따라서, 이를 개선하고자, 게이트 및 데이터 구동회로기판을 하나로 통합하여 상기 어레이 기판의 일측면에만 실장하는 것을 특징으로 GIP(gate in panel)구조 유기전계 발광소자가 제안되고 있다.
도 2는 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 평면도이며, 도 3은 도 2의 A영역을 확대 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(40)은 크게 화상을 표시하는 표시영역(AA)과, 상기 표시영역(AA)의 상측으로 패드부(PDA)와, 상기 표시영역(AA)의 일측의 비표시영역(NA)에 구비된 제 1 및 제 2 게이트 회로부(C1, C2)와, 상기 게이트 회로부(C1, C2)와 연결된 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)로 구성되고 있다.
이때, 각 영역에 대해 조금 더 상세히 설명하면, 상기 표시영역(AA)에는 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(73) 및 데이터 배선(76)과 이들 두 배선(73, 76)과 각각 연결된 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)와 상기 박막트랜지스터(Tr)와 연결된 제 1 전극(78)이 구비되고 있다.
또한, 상기 표시영역(AA) 상측에 위치한 패드부(PDA)에는 상기 표시영역(AA)에 형성된 데이터 배선(76)과 연결되며 외부의 구동회로기판(미도시)과 연결하기 위한 데이터 패드(DP) 및 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에 형성된 다수의 클럭신호배선(CLK1 내지 CLK13) 및 게이트 신호배선(VGH, VGL, VST)과 연결된 다수의 게이트 패드(GP)가 형성되어 있다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 게이트 회로부(C1, C2)에는 동일한 게이트 배선(73)과 연결된 다수의 화소영역(P)으로 구성된 화소라인(PL)별로 각각 분리되는 형태로 서로 연결되며 다수의 스위칭 및 구동 소자 및 커패시터 등의 조합으로 이루어진 다수의 회로블럭(CB1, CB2)이 구성되고 있으며, 이들 각 화소라인(PL)별로 구성된 각 회로블럭(CB1, CB2)은 그 내부에서 또 다시 1개 내지 2개의 부분회로블럭(PA1, PA2)으로 나뉘고 있다. 이때, 상기 동일한 화소라인(PL)에 구비된 상기 다수의 회로블럭(CB1, CB2)은 상기 화소라인(PL)에 구비된 상기 게이트 배선(73)과 보조배선(미도시)등을 통해 연결되고 있다.
조금 더 상세히 게이트 회로부(C1, C2) 및 신호입력부(S1, S2)에 대해 설명한다.
종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(40)에 있어 표시영역(AA) 일측의 비표시영역(NA)에는 제 1 신호입력부(S1)와 제 1 게이트 회로부(C1), 제 2 신호입력부(S2)와 제 2 게이트 회로부(C2)가 순차적으로 교대하며 구비되고 있다.
그리고, 상기 각 화소라인(PL)별로 구성되는 상기 각 제 1 게이트 회로부(C1) 내부에는 상기 화소라인(PL)의 폭방향으로 제 1 부분블럭(PB1)과 제 2 부분블럭(PB2)이 구비되고 있다.
이때, 상기 제 1 부분블럭(PB1)은 서로 다른 8개의 클럭신호를 필요로 하는 8위상 타입이 되고, 상기 제 2 부분블록(PB2)은 서로 다른 5개의 클럭신호를 필요로 하는 5위상 타입이 되고 있다.
그리고, 상기 제 1 신호입력부(S1)는 상기 제 1 부분회로블럭(PB1)에 신호입력을 위한 제 1 내지 제 8 클럭배선(CLK1 내지 CLK8)과, 상기 제 2 부분회로블럭(PB2)에 신호입력을 위한 제 9 내지 제 13 클럭배선(CLK9 내지 CLK13)과 게이트 하이 신호배선(VGH) 및 게이트 로우 신호 배선(VGL)과 스토리지 전압 인가를 위한 스토리지 신호 배선(VST)을 포함하여 구성되고 있다.
또한, 확대한 도면을 제시하지 않았지만, 상기 제 2 게이트 회로부(C2) 및 제 2 신호입력부(S2) 또한 상기 제 1 게이트 회로부(C1) 및 제 1 신호입력부(S1) 와 동일한 구성을 가지며 구성되고 있다.
하지만, 이러한 구성을 갖는 종래의 GIP 구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(40)의 경우, 각 화소라인(PL) 별로 구비되는 제 1 또는 제 2 회로블럭(CB1, CB2)의 내부에 각각 상기 각 화소라인(PL)의 폭방향으로 제 1 및 제 2 부분회로블럭(PB1, PB2)으로 나뉘어 배치되는 구성을 이루고 있음으로써 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에 구비된 클럭배선(CLK1 내지 CLK13)들과 연결을 위한 다수의 제 1 연결배선(CL)들과 상기 클럭배선(CLK1 내지 CLK13)이 교차되어 중첩되는 부분이 많아 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에 매우 큰 기생용량이 형성되고 있다.
즉, 일례로 상기 8위상 타입의 제 1 부분회로블럭(PB1)은 제 1 내지 제 8 클럭배선(CLK1 내지 CLK8)과 연결되고 상기 제 5위상 타입의 제 2 부분회로블럭(PB2)은 제 9 내지 제 13 클럭배선(CLK9 내지 CLK13)과 연결되어야 하는데, 도면에 있어서는 제 1 부분회로블럭(PB2) 내에 구비된 다수의 소자(미도시)와 연결되는 다수의 제 1 연결배선(CL)은 기본적으로 상기 제 2 부분회로블럭과 연결되는 제 9 내지 제 13 클럭배선(CLK9 내지 CLK13)과 모두 교차하는 구성이 되고 있으므로 상대적으로 큰 기생용량이 생성됨을 알 수 있다.
따라서, 이렇게 다수의 클럭배선(CLK1 내지 CLK13)과 다수의 제 1 연결배선(CL) 사이에 발생되는 기생용량에 의해 각 클럭배선(CLK1 내지 CLK13)을 통과하는 클럭신호는 제 1 번째 화소라인(PL1)에서 제 n번째 화소라인(PL2)으로 갈수록 기생용량이 누적 증가되므로 클럭 신호 전압 차이가 발생된다.
이로인해, 외부 구동회로기판(미도시)이 실장되는 패드부(PDA))와 상대적으로 가까운 쪽에 위치하는 제 1 및 제 2 게이트 회로부(C1, C2)에 대해서는 정상적으로 구동함으로서 이와 연결된 화소라인(PL)을 통해서는 표시영역(AA)에 정상적인 화상이 나오게 되지만, 상기 패드부(PDA)와 상대적으로 먼 곳에 위치하는 제 1 및 제 2 게이트 회로부(C1, C2)에 대해서는 누적된 기생용량에 의해 그 출력이 제대로 이루어지지 않아 이와 연결된 화소라인(PL)은 표시영역에 정상적인 화상을 출력시키지 못하므로 표시품질을 저하시키는 문제가 발생하고 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 상기 제 1 및 제 2 신호입력부에 구비되는 다수의 클럭배선과 상기 제 1 및 제 2 회로블럭 내의 다수의 소자와 연결되는 연결배선이 교차하는 부분을 최소화하여 이들 두 구성요소간에 발생되는 기생용량을 최소화함으로서 표시영역을 통해 표시되는 화상품질 저하를 억제할 수 있는 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 GIP 구조 유기전계 발광소자는, 화상을 표시하는 표시영역과, 표시영역 외측으로 다수의 교대하는 신호입력부와 게이트 회로부를 갖는 제 1 비표시영역과 패드가 구비된 제 2 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 표시영역에 위치하는 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 회로부에 상기 각 게이트 배선이 위치하는 화소라인 단위로 분리 형성된 다수의 회로블럭과; 상기 각 신호입력부에 형성된 다수의 클럭배선을 포함하며, 상기 각 신호입력부에는 상기 다수의 클럭배선을 하나의 그룹으로 하여 하나 이상의 그룹이 구비되며, 상기 각 회로블럭은 그 내부에 하나 또는 2개의 부분회로블록이 구비되며, 상기 부분회로블럭은 상기 각 화소라인 별로 상기 게이트 배선의 길이방향으로 순차적으로 일렬로 배치되며, 상기 각 부분회로블럭은 이와 최인접한 신호입력부에 구비되며 최인접한 하나의 그룹에 형성된 클럭배선과 다수의 제 1 연결배선을 통해 연결된 것이 특징이다.
이때, 상기 동일한 화소라인에 형성된 각 회로블럭은 각각 하나의 부분회로블럭으로 이루어지며, 상기 각 신호입력부는 하나의 그룹이 구비된 것이 특징이다.
또한, 상기 각 신호입력부는 제 1 및 제 2 그룹의 2개의 그룹이 구비되며, 상기 동일한 화소라인에 형성된 각 회로블럭 중 상기 신호입력부가 그 양측에 위치하는 회로블럭에는 서로 인접하여 2개의 부분회로블럭이 구비되며, 상기 신호입력부가 일측 또는 타측에만 위치하는 회로블럭에는 하나의 부분회로블럭이 구비된 것이 특징이며, 이때, 상기 게이트 회로부 중 2개의 부분회로블럭으로 이루어진 게이트 회로부에는 게이트 하이 신호배선과 게이트 로우 신호배선이 상기 부분회로블럭 사이에 형성된 것이 특징이다.
그리고, 상기 각 신호입력부에는 상기 다수의 클럭배선과 인접하여 게이트 하이 신호배선과 게이트 로우 신호배선과 스토리지 배선이 구비된 것이 특징이며, 이때, 상기 게이트 하이 신호배선과 게이트 로우 신호배선과 스토리지 배선은 상기 각 신호입력부 내에 2개의 그룹이 구비되는 경우, 상기 서로 인접한 그룹 사이에 형성되거나, 각 그룹별로 각각 인접하여 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 화소영역에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 스위칭 박막트랜지스터와; 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 인격하며 형성된 전원배선과; 상기 화소영역에 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원배선과 연결되며 형성된 다수의 구동 박막트랜지스터와; 상기 다수의 구동 박막트랜지스터 중 어느 하나의 구동 박막트랜지스터 및 상기 전원배선과 연결되며, 제 1 전극과 유기 발광층과 제 2 전극을 포함하는 유기전계 발광 다이오드를 포함한다.
그리고, 동일한 화소라인에 구비되는 회로블럭은 상기 화소라인에 구비된 상기 게이트 배선과 연결된 것이 특징이다.
본 발명에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자는 제 1 내지 제 3 게이트 회로부의 각 화소라인별로 분리 형성되는 각 회로블럭 내에 구비되는 제 1 내지 제 6 부분블럭을 상기 화소라인의 길이 방향으로 배치되도록 구성함으로써 상기 제 1 내지 제 3 게이트 회로부 내에 형성된 다수의 클럭배선과 상기 제 1 및 제 2 회로블럭과 연결된 다수의 연결배선과의 교차점을 최소화하여 이들 두 구성요소간의 기생용량을 최소화하는 효과가 있다.
또한, 클럭배선과 연결배선간의 기생용량 저감으로 게이트 신호가 원활하게 첫 번째 화소라인부터 n번째 화소라인까지 원활하게 공급됨으로써 신호지연 등이 저감되어 표시영역에 의해 표시되는 표시품질을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 클럭배선과 연결배선간에 발생되는 기생용량이 저감됨으로써 표시영역으로 제공되는 데이터 신호의 충전 및 방전 시간을 단축할 수 있으므로 하나의 화상을 표시하기 위한 프레임 시간이 단축될 수 있으며, 하나의 화상을 표시하는 프레임 시간을 종래와 동일한 수준이 되도록 하는 경우 구동 주파주를 향상시킬 수 있으므로 우수한 고해상도의 표시품질을 갖는 대면적의 표시장치를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 유기전계 발광소자를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 종래의 GIP 구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 표시영역 및 비표시 영역 일부에 대한 평면도.
도 3은 도 2의 A영역을 확대 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 표시영역과 비표시영역 일부에 대한 평면도.
도 5는 도4 에 도시된 A영역을 확대 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예의 제 1 변형예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예의 제 2 변형예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부에 대한 평면도.
도 2는 종래의 GIP 구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 표시영역 및 비표시 영역 일부에 대한 평면도.
도 3은 도 2의 A영역을 확대 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 표시영역과 비표시영역 일부에 대한 평면도.
도 5는 도4 에 도시된 A영역을 확대 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예의 제 1 변형예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예의 제 2 변형예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부에 대한 평면도.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 평면도이며, 도 5는 도4 에 도시된 A영역을 확대 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)은 크게 화상을 표시하는 표시영역(AA)과, 상기 표시영역(AA)의 상측으로 패드부(PDA)와, 상기 표시영역(AA)의 일측에 위치하며 서로 교대하는 형태로 다수의 게이트 회로부(C1, C2, C3)와 신호입력부(S1, S2)를 갖는 비표시영역(NA)으로 구성되고 있다.
이때, 각 영역에 대해 조금 더 상세히 설명하면, 상기 표시영역(AA)에는 서로 교차하여 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 게이트 배선(103) 및 데이터 배선(130)이 구비되고 있으며, 이들 게이트 배선(103) 또는 데이터 배선(130)과 이격하여 전원배선(129)이 구비되고 있다.
한편, 각 화소영역(P) 별로 상기 게이트 및 데이터 배선(103, 130)과 각각 연결된 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되고 있으며, 각 화소영역(P)에는 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 연결된 다수의 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되어 있고 있다. 이때 상기 다수의 구동 박막트랜지스터(DTr) 또한 상기 게이트 배선(103)과도 연결될 수 있다.
그리고, 각 화소영역(P)에는 상기 다수의 구동 박막트랜지스터(DTr) 중 어느 하나의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되며 제 1 전극(미도시)이 구비되고 있다. 이러한 제 1 전극(미도시) 상부에는 유기 발광층(미도시)이 구비되고 있으며, 상기 유기 발광층(미도시)을 덮으며 표시영역 전면에 제 2 전극(미도시)이 형성되고 있다. 이때, 상기 제 1 전극(미도시)과 유기 발광층(미도시)과 제 2 전극(미도시)은 유기전계 발광다이오드(E)를 이루며, 이러한 유기전계 발광다이오드(E)는 상기 다수의 구동 박막트랜지스터(D) 중 어느 하나의 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 전원배선(129)과 연결되고 있다.
따라서, 상기 게이트 배선(103)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(130)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. 이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(129)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며, 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
한편, 상기 표시영역(AA) 상측에 위치한 패드부(PDA)에는 상기 표시영역(AA)에 형성된 데이터 배선(130)과 연결되며 외부의 구동회로기판(미도시)과 연결하기 위한 데이터 패드(DP)가 구비되고 있으며, 상기 다수의 게이트 회로부(C1, C2, C3)에 구비된 다수의 클럭배선(CLK1 내지 CLK 13) 및 게이트 신호배선(VGH, VGL, VST)과 상기 회부의 구동회로기판(미도시)과의 연결을 위한 게이트 패드(GP)가 구비되고 있다.
그리고, 상기 표시영역(AA)의 일 측단에는 다수의 게이트 회로부(C1, C2, C3) 및 다수의 신호입력부(S1, S2)가 교대하며 구비되고 있다. 이때, 상기 다수의 신호입력부(S1, S2)는 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)로 이루어지고 있는 것을 일례로 보이고 있지만, 제 3 신호입력부(미도시)가 상기 제 2 신호입력부(S2)와 이격하여 상기 표시영역(AA)에 인접하여 더욱 구비될 수 있다.
이러한 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에는 다수의 신호배선 예를들면 제 1 내지 제 13 클럭배선(CLK1 내지 CLK13), 게이트 하이 및 로우 신호배선(VGH, VGL) 및 스토리지 신호 배선(VST)이 구비되고 있다. 이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 제 1 및 제 2 신호입력부에는 상기 게이트 하이 및 로우 신호배선(VGH, VGL) 및 스토리지 신호 배선(VST) 이외에 전원배선(미도시) 예를들면 VDD 배선(미도시) 및 VSS 배선(미도시)이 더욱 구비될 수도 있으며, 또는 이들 전원배선(미도시)은 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에 구비되지 않고 도면에 나타낸 바와같이 상기 데이터 배선(130)과 이격하여 형성됨으로써 데이터 패드를 통해 외부구동회로기판(미도시)으로부터 직접 각 화소영역(P)으로 인가될 수 있다. 이들 각 클럭배선(CLK1 내지 CLK13) 및 게이트 신호배선(VGH, VGL, VST)의 끝단은 상기 게이트 패드(GP)와 연결되고 있다. 이때, 상기 스토리지 배선(VST)은 하나만 형성될 수도 있으며, 또는 2개가 형성될 수도 있다.
한편, 상기 표시영역(AA) 일측의 비표시영역(NA)에는 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)와 교대하며 상기 제 1 신호입력부(S1)의 일측과, 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2) 사이 및 상기 제 2 신호입력부(S2) 타측에 각각 위치하며 제 1 내지 3 게이트 회로부(C1, C2, C3)가 구비되고 있다. 도면에는 나타내지 않았지만, 상기 표시영역(AA) 일측단에 위치한 비표시영역(NA)에 제 3 신호입력부(미도시)가 더욱 구비되는 경우, 상기 제 3 신호입력부(미도시)의 타측에는 제 4 게이트 회로부(미도시)가 더욱 구비될 수 있다.
이때, 상기 각 제 1 내지 제 3 게이트 회로부(C1, C2, C3)에는 각 하나씩의 회로블럭(CB1, CB2, CB3)이 구비되고 있으며, 이러한 각 회로블럭(CB1, CB2, CB3)은 하나 또는 2개의 부분회로블럭(PA1, PB2)으로 이루어지고 있는 것이 특징이다.
이때, 각 회로블럭(CB1, CB2, CB3)에 구비되는 부분회로블럭(PA1, PB2)은 상기 각 화소라인(PL)의 폭에 대응하여 상기 게이트 배선(103)의 길이 방향으로 일렬로 배치되고 있는 것이 본 발명의 가장 특징적인 구성중 하나이다.
도면에서는 일례로 상기 제 1 게이트 회로부(C1)에는 8위상 타입을 갖는 하나의 제 1 부분회로블럭(PB1)이 구비되고 있으며, 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2) 사이에 위치하는 상기 제 2 게이트 회로부(C2)에는 8위상 타입을 갖는 제 1 부분회로블럭(PB1)과 5위상 타입을 갖는 제 2 부분회로블럭(PB2)이 구비되고 있으며, 상기 제 2 신호입력부(S2)의 타측에 위치하는 상기 제 3 게이트 회로(C3)에는 5위상 타입을 갖는 제 1 부분회로블럭(PB1)이 구비되고 있다.
이때, 도면에 있어서 상기 부분회로블럭(PB1, PB2)은 8 또는 5 위상 타입이 구비됨을 일례로 보이고 있지만, 2개 내지 10개의 게이트 신호를 인가받는 2위상 내지 10위상을 타입을 이룰 수도 있으며, 각 회로블럭(CB1, CB2, CB3) 내에서 그 위치가 바뀔수도 있다. 또한, 상기 제 3 게이트 회로부(C3)는 상기 제 3 신호입력부(미도시)가 더욱 구비되는 경우 2개의 부분회로블럭(PB1, 미도시)으로 구성될 수도 있다.
이때, 상기 제 1 내지 제 3 게이트 회로부(C1, C2, C3)에 구비되는 각 회로블럭(CB1, CB2, CB3)은 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에 각각 구비된 다수의 신호배선 즉 클럭배선들(CLK1 내지 CLK 13)과 게이트 하이 및 로우 신호배선(VGH, VGL)과 스토리지 신호배선(VST)들과 다수의 제 1 연결배선(CL)을 통해 연결되고 있는 것이 특징이다.
이때, 표시영역(AA)에 가장 인접하여 형성되는 게이트 회로부(C3) 즉 도면에서는 일례로 제 3 게이트 회로부(C3)는 상기 표시영역(AA)에 형성된 게이트 배선(103)과 연결되고 있는 것이 특징이며, 동일한 화소라인(PL)에 위치하며 하나의 동일한 회로블럭(CB1, CB2, CB3) 내에 구비되는 이웃한 부분회로블럭(PB1, PB2)간에는 서로 전기적으로 연결되고 있는 것이 특징이다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)은 동일한 화소라인(PL)에 있어서 각 부분회로블럭(PB1, PB2)이 게이트 배선(103)의 길이방향으로 순차적으로 배열되며, 2개의 부분회로블럭(PB1, PB2)을 구비하는 게이트 회로부(C2)에 구비되는 제 1 및 제 2 부분회로블럭(PB1, PB2)은 각각 이들 부분회로블록(PB1, PB2)에 가장 인접하는 서로 다른 신호입력부(S1, S2)에 구비되는 신호배선들(CLK1 내지 CLK13, VGH, VGL, VST)과 연결되는 구성을 이룸으로써 각 부분회로블럭(PB1, PB2)과 연결되는 다수의 제 1 연결배선(CL)과 상기 신호입력부(S1, S2)에 구비되는 다수의 게이트 신호배선(CLK1 내지 CLK13, VGH, VGL, VST)과의 교차점을 최소화하고 있는 것이 특징이다.
따라서, 상기 다수의 제 1 연결배선(CL)과 신호배선(CLK1 내지 CLK13, VGH, VGL, VST)과 중첩되는 부분이 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 3의 40) 대비 상대적으로 저감되므로 이들 서로 교차하는 제 1 연결배선(CL1) 및 게이트 신호배선(CLK1 내지 CLK13, VGH, VGL, VST)의 중첩에 의해 발생되는 기생용량을 최소화하는 장점을 갖는다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)에 있어서, 상기 제 1 게이트 회로부(CB1)에 구비된 상기 8위상을 갖는 제 1 부분회로블록(PB1)은 이와 인접하는 제 1 신호입력부(S1)에 상기 제 1 부분회로블록(PB1)과 인접하여 순차적으로 배열되며 구비된 제 1 내지 제 8 클럭배선(CLK1 내지 CLK8)과 연결되고 있으며, 상기 제 1 내지 제 8 클럭배선(CLK1 내지 CLK8)과 이격하여 구비된 제 2 부분회로블럭(PB2)과 연결되는 제 9 내지 제 13 클럭배선(CLK9 내지 CLK13)과는 교차하지 않음을 알 수 있다.
또한, 상기 제 1 신호입력부(S1)를 사이에 두고 상기 제 1 부분회로블록(PB1)과 마주하며 배치된 상기 제 2 부분회로블럭(PB2)은 이와 인접하는 상기 제 9 내지 제 13 클럭배선(CLK9 내지 CLK13)과 연결되고 있으며 상기 제 1 내지 제 8 클럭배선(CLK1 내지 CLK8)과는 교차하지 않음을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)은 각 부분회로블럭(PB1, PB2)이 이와 각각 인접하여 이의 일측 또는 타측에 구비되는 신호입력부(S1, S2)에 구비되며, 상기 부분회로블록(PB1, PB2)의 위상 타입에 맞추어 8개 또는 5개로 그룹진 제 1 그룹(gr1) 또는 제 2 그룹(gr2)에 속한 클럭배선(CLK1 내지 CLK8 또는 CLK9 내지 CLK13)과 연결되는 구성을 이룸으로써 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 3의 40)대비 제 1 연결배선(CL)과 클럭배선(CLK1 내지 CLK13)이 교차되는 부분을 최소화할 수 있다.
또한, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 GIP 구조 유기전계 발광소자는 클럭배선(CLK1 내지 CLK8 또는 CLK9 내지 CLK13)과 연결배선(CL)간에 발생되는 기생용량이 저감됨으로써 표시영역으로 제공되는 데이터 신호의 충전 및 방전 시간을 단축할 수 있으므로 하나의 화상을 표시하기 위한 프레임 시간이 단축될 수 있으며, 나아가 하나의 화상을 표시하는 프레임 시간을 종래의 GIP 구조 유기전계 발광소자(도 2의 40)와 동일한 수준이 되도록 하는 경우 구동 주파주를 향상시킬 수 있으므로 우수한 고해상도의 표시품질을 갖는 대면적의 표시장치를 제공하는 효과가 있다.
이하 설명의 편의를 위해 상기 각 신호입력부(S1, S2)에 구비되는 2개의 클럭배선 그룹을 각각 제 1, 2 그룹(gr1, gr2)으로 정의한다.
이때, 각 신호입력부(S1, S2)에는 클럭배선(CLK1 내지 CLK13) 이외에 게이트 하이 또는 로우 신호배선(VGH, VGL)과 스토리지 신호배선(VST)이 구비되고 있으며, 이러한 게이트 하이 또는 로우 신호배선(VGH, VGL)과 스토리지 신호배선(VST)은 도 5에 도시한 바와같이 각 신호입력부(S1, S2) 내에 제 1 그룹(gr1)과 제 2 그룹(gr2) 사이에 위치하도록 할 수도 있으며, 또는 그 제 1 변형예로서 도 6도(본 발명의 제 1 실시예의 제 1 변형예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도)에 도시한 바와같이, 각 신호입력부(S1, S2)에 구비된 제 1 및 제 2 그룹(gr1, gr2) 각각에 구비될 수도 있다.
한편, 제 1 실시예의 제 2 변형예로도 도 7(본 발명의 제 1 실시예의 제 2 변형예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판의 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도)에 도시한 바와 같이, 상기 클럭배선(CLK1 내지 CLK13) 이외의 게이트 하이 또는 로우 신호배선(VGH, VGL)과 스토리지 신호배선(VST)은 상기 제 1, 2 신호입력부(S1, S2)에 위치하지 않고, 서로 인접하여 2개의 부분회로블럭(PB1, PB2)이 구비되는 게이트 회로부(C2)에 상기 2개의 부분회로블럭(PB1, PB2) 사이에 구비될 수도 있다. 이때, 상기 스토리지 신호배선(VST)은 제 1, 2 그룹(gr1, gr2)별로 상기 각 신호입력부(S1, S2)에 구비하고, 상기 게이트 하이 및 로우 신호배선(VGH, VGL)만을 동일한 회로블럭(CB2)내에 구비되는 서로 인접한 부분회로블럭(PB1, PB2) 사이에 위치하도록 구성될 수도 있다.
한편, 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)의 경우, 상기 다수의 클럭배선(CLK1 내지 CLK13)과 다수의 제 1 연결배선(CL)간의 교차부분을 줄어듦으로써 해서 상기 제 1, 2 신호입력부(S1, S2) 전체에 발생되는 기생용량이 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 2의 S1, S2) 대비 38.4% 정도 감소됨을 실험적으로 알 수 있었다.
즉, 각 화소라인(PL) 별로 각 게이트 회로부(C1, C2, C3)내의 회로블럭(CB1, CB2, CB3)에 구비되는 부분회로블럭(PB1, PB2)을 게이트 배선(103)의 길이방향에 수직한 방향 즉 데이터 배선(130)의 길이방향으로 배치하는 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 2의 40)(분리된 4개의 게이트 신호를 인가받을 수 있도록 4개의 부분회로블럭을 구비하며 1080개의 화소라인(PL)이 구비되는 구성)의 경우, 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(도 2의 S1, S2)에 발생되는 기생용량의 총 합은 535.6pF이 되었지만, 상기 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 2의 40)과 같이 분리된 4개의 게이트 신호를 인가받을 수 있도록 4개의 부분회로블럭(PB1, PB2)을 구비하며 1080개의 화소라인(PL)이 구비되는 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)의 경우, 상기 제 1 및 제 2 신호입력부(S1, S2)에 발생되는 기생용량의 총 합은 329.89pF이 되었다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(101)이 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 2의 40) 대비 38.4% 정도 기생용량이 감소되는 효과가 있음을 알 수 있었다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판에 있어서 게이트 회로부와 신호입력부가 구비되는 비표시영역 일부를 확대 도시한 평면도이다. 제 1 실시예와 차별점이 있는 구성을 위주로 설명한다.
도시한 바와같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(201)의 경우, 서로 교대하는 형태로 동일한 개수의 신호입력부(S1, 미도시)와 게이트 회로부(C1, C2, 미도시)가 구성되고 있으며, 각 게이트 회로부(C1, C2, 미도시)에는 동일한 화소라인(PL) 별로 하나의 회로블럭(CB1, CB2, 미도시)이 구비되고 있다. 이때, 상기 각 회로블럭(CB1, CB2, 미도시)은 5개 또는 8개 위상 타입으로 이루어진 오직 하나의 부분회로블럭(PB1)만으로 이루어지는 것이 특징이다.
따라서, 상기 각 신호입력부(S1, S2, 미도시)는 이의 일측에 위치하는 회로블럭(CB1, CB2, 미도시)과만 연결되는 구성을 가지며, 상기 회로블럭(CB1)내에 구비된 부분회로블럭(PB1)의 위상 타입에 따라 제 1 내지 5 클럭배선(CLK1 내지 CLK5) 또는 제 1 내지 제 8 클럭배선(CLK1 내지 CLK8)과 게이트 로우 및 하이 신호배선(VGH, VGL) 및 하나의 스토리지 신호배선(VST)이 구비되고 있는 것이 특징이다.
그 이외의 구성요소는 제 1 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판과 동일하므로 설명은 생략한다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(201)의 경우도 동일 화소라인(PL)별로 부분회로블럭(CB1, CB2, 미도시)이 게이트 배선(203)의 길이방향으로 일렬로 배열되며 각 부분회로블록(PB1)과 최인접한 신호입력부(S1, S2, 미도시)의 클럭배선(CLK1 내지 CLK5 또는 CLK1 내지 CLK8)과만 제 1 연결배선(CL)이 연결되는 구성을 이룸으로써 상기 다수의 제 1 연결배선(CL)과 클럭배선(CLK1 내지 CLK5 또는 CLK1 내지 CLK8)간의 교차점을 종래의 GIP구조 유기전계 발광소자용 어레이 기판(도 2의 40)대비 저감시킬 수 있으므로 이들 구성요소의 중첩에 의해 발생되는 기생용량을 최소화 할 수 있다.
101 : 어레이 기판
103 : 게이트 배선
129 : 전원배선
130 : 데이터 배선
AA : 표시영역
C1, C2, C3 : 제 1, 2, 3 게이트 회로부
CB1, CB2, CB3 : 제 1, 2, 3 회로블럭
CL : 제 1 연결배선
DP : 데이터 패드
E : 유기전계 발광 다이오드.
DTr : 구동 박막트랜지스터
GP : 게이트 패드
NA : 비표시영역
P : 화소영역
PA : 패드부
PB1, PB2 : 제 1, 2 부분회로블럭
PL : 화소라인
STr : 스위칭 박막트랜지스터
103 : 게이트 배선
129 : 전원배선
130 : 데이터 배선
AA : 표시영역
C1, C2, C3 : 제 1, 2, 3 게이트 회로부
CB1, CB2, CB3 : 제 1, 2, 3 회로블럭
CL : 제 1 연결배선
DP : 데이터 패드
E : 유기전계 발광 다이오드.
DTr : 구동 박막트랜지스터
GP : 게이트 패드
NA : 비표시영역
P : 화소영역
PA : 패드부
PB1, PB2 : 제 1, 2 부분회로블럭
PL : 화소라인
STr : 스위칭 박막트랜지스터
Claims (8)
- 화상을 표시하는 표시영역과, 표시영역 외측으로 다수의 교대하는 신호입력부와 게이트 회로부를 갖는 제 1 비표시영역과 패드가 구비된 제 2 비표시영역이 정의된 기판과;
상기 표시영역에 위치하는 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;
상기 게이트 회로부에 상기 각 게이트 배선이 위치하는 화소라인 단위로 분리 형성된 다수의 회로블럭과;
상기 각 신호입력부에 형성된 다수의 클럭배선
을 포함하며, 상기 각 신호입력부에는 상기 다수의 클럭배선을 하나의 그룹으로 하여 하나 이상의 그룹이 구비되며, 상기 각 회로블럭은 그 내부에 하나 또는 2개의 부분회로블럭이 구비되며, 상기 부분회로블럭은 상기 각 화소라인 별로 상기 게이트 배선의 길이방향으로 순차적으로 일렬로 배치되며, 상기 각 부분회로블럭은 이와 최인접한 신호입력부에 구비되며 최인접한 하나의 그룹에 형성된 클럭배선과 다수의 제 1 연결배선을 통해 연결되고,
상기 각 신호입력부는 제 1 및 제 2 그룹의 2개의 그룹이 구비되며, 상기 동일한 화소라인에 형성된 각 회로블럭 중 상기 신호입력부가 그 양측에 위치하는 회로블럭에는 서로 인접하여 2개의 부분회로블럭이 구비되며, 상기 신호입력부가 일측 또는 타측에만 위치하는 회로블럭에는 하나의 부분회로블럭이 구비된
게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
- 화상을 표시하는 표시영역과, 표시영역 외측으로 다수의 교대하는 신호입력부와 게이트 회로부를 갖는 제 1 비표시영역과 패드가 구비된 제 2 비표시영역이 정의된 기판과;
상기 표시영역에 위치하는 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과;
상기 게이트 회로부에 상기 각 게이트 배선이 위치하는 화소라인 단위로 분리 형성된 다수의 회로블럭과;
상기 각 신호입력부에 형성된 다수의 클럭배선
을 포함하며, 상기 각 신호입력부에는 상기 다수의 클럭배선을 하나의 그룹으로 하여 하나 이상의 그룹이 구비되며, 상기 각 회로블럭은 그 내부에 하나 또는 2개의 부분회로블럭이 구비되며, 상기 부분회로블럭은 상기 각 화소라인 별로 상기 게이트 배선의 길이방향으로 순차적으로 일렬로 배치되며, 상기 각 부분회로블럭은 이와 최인접한 신호입력부에 구비되며 최인접한 하나의 그룹에 형성된 클럭배선과 다수의 제 1 연결배선을 통해 연결되고,
상기 동일한 화소라인에 형성된 서로 이웃하는 상기 회로블럭 사이에 배치된 상기 신호입력부에는, 상기 이웃하는 회로블럭 각각에 연결되는 제 1 및 제 2 그룹의 2개의 그룹이 구비된
게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 게이트 회로부 중 2개의 부분회로블럭으로 이루어진 게이트 회로부에는 게이트 하이 신호배선과 게이트 로우 신호배선이 상기 부분회로블럭 사이에 형성된 것이 특징인 게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
- 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 각 신호입력부에는 상기 다수의 클럭배선과 인접하여 게이트 하이 신호배선과 게이트 로우 신호배선과 스토리지 배선이 구비된 것이 특징인 게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
- 제 5 항에 있어서,
상기 게이트 하이 신호배선과 게이트 로우 신호배선과 스토리지 배선은 상기 각 신호입력부 내에 2개의 그룹이 구비되는 경우, 상기 서로 인접한 그룹 사이에 형성되거나, 각 그룹별로 각각 인접하여 형성된 것이 특징인 게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
- 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 화소영역에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 스위칭 박막트랜지스터와;
상기 게이트 배선 또는 데이터 배선과 이격하며 형성된 전원배선과;
상기 화소영역에 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원배선과 연결되며 형성된 다수의 구동 박막트랜지스터와;
상기 다수의 구동 박막트랜지스터 중 어느 하나의 구동 박막트랜지스터 및 상기 전원배선과 연결되며, 제 1 전극과 유기 발광층과 제 2 전극을 포함하는 유기전계 발광 다이오드
를 포함하는 게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
- 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
동일한 화소라인에 구비되는 회로블럭은 상기 화소라인에 구비된 상기 게이트 배선과 연결된 것이 특징인 게이트 인 패널 타입 유기전계 발광소자용 어레이 기판.
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