KR101786084B1 - 발광소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판상에 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층을 형성하는 단계; 상기 산화물 완충층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및 상기 질화갈륨층 상에 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

발광소자의 제조방법{METHOD FOR FABRICATING LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드를 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 생성될 수 있다. LED는 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
발광소자는 전극의 위치에 따라 수평형 타입(Lateral Type)과 수직형 타입(Vertical type)으로 구분할 수 있다.
질화물 반도체 발광소자는 이종기판인 사파이어 기판 위에 유기 화학적으로 증착된 질화물 반도체층을 포함한다.
종래의 발광소자 제작 시 사파이어(sapphire) 기판과 질화갈륨(GaN) 사이의 격자 상수 차이를 줄여주기 위해 사용된 구조는 저온 질화갈륨(GaN) or 고온 질화갈륨(GaN)을 사용하였다.
이러한 방법은 일정 수준 이상의 스트레인(strain)을 질화갈륨(GaN)에서 가지게 되며, 이로 인한 전위 결함, 디펙트(defect) 등이 질화갈륨 벌크(GaN Bulk)에 생성되는 문제가 있다.
실시예는 결정성이 개선된 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판상에 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층을 형성하는 단계; 상기 산화물 완충층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및 상기 질화갈륨층 상에 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 의하면, 결정성의 개선에 의해 신뢰성의 개선이 이루어질 수 있다.
도 1 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정 단면도.
도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도.
도 6은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도.
도 7은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 사시도.
실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
(실시예)
도 1 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 제조방법의 공정 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자의 제조방법은 기판(105)상에 인듐(In)을 포함하는 완충층(110)을 형성하는 단계와, 상기 완충층(110) 상에 질화갈륨층(120)을 형성하는 단계와, 상기 질화갈륨층(120) 상에 발광구조물(130)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 발광구조물(130)은 제1 도전형 반도체층(132), 제2 도전형 반도체층(136) 및 상기 제1 도전형 반도체층(132)과 제2 도전형 반도체층(136) 사이에 형성된 활성층(134)을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 의하면, 결정성의 개선에 의해 신뢰성의 개선이 이루어질 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 설명한다. 한편, 실시예의 설명에 있어서 수평형 발광소자의 제조공정을 위주로 설명하나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 수직형 발광소자에도 적용이 가능하다.
우선, 도 1과 같이, 기판(105)상에 인듐(In)을 포함하는 완충층(110)을 형성한다.
상기 제1 기판(105)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하며, 예컨대 상기 제1 기판(105)은 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 기판(105) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 기판(105)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
또한, 상기 인듐(In)을 포함하는 완충층(110)은 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), IZON(IZO Nitride), IGZO(In-Ga ZnO) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
예를 들어, 실시예는 사파이어(Sapphire) 기판(105) 상에 ITO(indium tin oxide)인 완충층(110)을 형성할 수 있으나 기판(105) 및 완충층(110)이 이에 한정되는 것은 아니다.
이후, 도 2와 같이 상기 완충층(110)이 형성된 기판(105)을 챔버(미도시), 예를 들어 MOCVD 내에 위치하고, 상기 완충층(110) 상에 질화갈륨층(120)을 형성한다.
예를 들어, 상기 완충층(110) 상에 질화갈륨층(120)을 형성하는 단계는 상기 인듐(In)을 포함하는 완충층(110)이 형성된 기판(105)을 가열하는 단계 및 상기 인듐을 포함하는 완충층(110) 상에 질화갈륨(GaN) 소스를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에 의하면 상기 인듐(In)을 포함하는 완충층(110)이 형성된 기판(105)을 가열하는 단계에서, 상기 완충층(110)이 분해되어 발생되는 인듐(112)이 상기 질화갈륨층(120) 내의 공극(미도시)에 위치할 수 있다.
상기 완충층(110)이 형성된 기판(105)을 가열하는 온도는 약 1000℃~약 1100℃일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 질화갈륨층(120)은 언도프트(undoped) 질화갈륨층 또는 불순물이 도핑(dopping)된 질화갈륨층 중 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 질화갈륨층(120)이 N-type 질화갈륨인 경우 N형 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 N형 도펀트는 Si, Ge, Sn , Se, Te 등이 도핑될 수 있으며, 상기 N형 도펀트는 약 2×10-18cm-3 이하로 도핑될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 질화갈륨층(120)의 두께는 약 0.1㎛ ~ 약 2㎛ 정도일 수 있으며, 그 성장온도는 약 1000℃~1100℃일 수 있고, NH3/N2/H2 분위기 상태에서 TMGa 소스를 공급할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 실시예에 의하면 MOCVD 챔버(chamber)에서 질화갈륨층(GaN layer)의 성장을 위해 온도를 증가시키면서 질화갈륨(GaN) 소스, 예를 들어 TMGa를 공급해주면 질화갈륨층(120)이 완충층(110), 예를 들어 ITO 상에 성장되면서 ITO가 인듐(Indium), 주석(Tin)으로 분해되어 초기 질화갈륨층(120)의 성장에 참여하게 된다.
이러한 방법을 통하여 기판(105)의 격자상수와는 무관한 질화갈륨층(120) 결정이 성장되며, 이 질화갈륨층(120)이 다시 시드(seed) 역할을 하여 그 위에 스트레인(strain)이 없는 발광구조물(130)이 성장할 수 있게 된다.
또한, 실시예에 의하면 질화갈륨층(120)에 불순물로 포함되는 인듐(Indium), 주석(Tin) 중 인듐(Indium)은 질화갈륨층(120)에 충진제 역할을 하므로, 표면의 굴곡을 완화시키며, 결정성을 개선시킨다.
이러한 방법을 사용하여 LED 에피층(EPI layer)를 성장하면 결정성의 개선에 의해 신뢰성의 개선이 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 4와 같이 상기 질화갈륨층(120) 상에 발광구조물(130)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 발광구조물(130)은 제1 도전형 반도체층(132), 제2 도전형 반도체층(136) 및 상기 제1 도전형 반도체층(132)과 제2 도전형 반도체층(136) 사이에 형성된 활성층(134)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(132)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(132)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(132)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(132)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(132)은 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 N형 GaN층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(132)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 활성층(134)은 제1 도전형 반도체층(132)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(136)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
상기 활성층(134)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(134)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(134)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN , GaAs(InGaAs),/AlGaAs, GaP(InGaP) /AlGaP중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(134)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(134)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.
다음으로, 상기 제2 도전형 반도체층(136)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3-족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(136)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(136)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층(132)은 N형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(136)은 P형 반도체층으로 구현할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(136) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 N형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광구조물(130)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
도 5는 실시예들에 따른 발광소자가 설치된 발광소자 패키지를 설명하는 도면이다.
도 5를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체부(205)와, 상기 몸체부(205)에 설치된 제3 전극층(210) 및 제4 전극층(220)과, 상기 몸체부(205)에 설치되어 상기 제3 전극층(210) 및 제4 전극층(220)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(240)가 포함된다.
상기 몸체부(205)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제3 전극층(210) 및 제4 전극층(220)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공하는 역할을 한다. 또한, 상기 제3 전극층(210) 및 제4 전극층(220)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 도 4 에 예시된 수평형 타입의 발광 소자가 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 수평형 발광소자도 적용될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체부(205) 상에 설치되거나 상기 제3 전극층(210) 또는 제4 전극층(220) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 와이어(230)를 통해 상기 제3 전극층(210) 및/또는 제4 전극층(220)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 몰딩부재(240)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(240)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 조명시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명시스템은 도 6에 도시된 조명유닛, 도 7에 도시된 백라이드 유닛을 포함하고, 신호등, 차량 전조등, 간판 등이 포함될 수 있다.
도 6은 실시예에 따른 조명 유닛의 사시도(1100)이다.
도 6을 참조하면, 상기 조명 유닛(1100)은 케이스몸체(1110)와, 상기 케이스몸체(1110)에 설치된 발광모듈부(1130)과, 상기 케이스몸체(1110)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1120)를 포함할 수 있다.
상기 케이스몸체(1110)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)은 기판(1132)과, 상기 기판(1132)에 탑재되는 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(1132)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(1132)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(1132) 상에는 상기 적어도 하나의 발광소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광소자 패키지(200) 각각은 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)(100)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(100)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1130)는 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광소자 패키지(200)의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다.
상기 연결 단자(1120)는 상기 발광모듈부(1130)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 6에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1120)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1120)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
도 7은 실시예에 따른 백라이트 유닛의 분해 사시도(1200)이다.
실시예에 따른 백라이트 유닛(1200)은 도광판(1210)과, 상기 도광판(1210)에 빛을 제공하는 발광모듈부(1240)와, 상기 도광판(1210) 아래에 반사 부재(1220)와, 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220)를 수납하는 바텀 커버(1230)를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 도광판(1210)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1210)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 상기 백라이트 유닛이 설치되는 디스플레이 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 발광모듈부(1240)은 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는). 구체적으로는, 상기 발광모듈부(1240)은 기판(1242)과, 상기 기판(1242)에 탑재된 다수의 발광소자 패키지(200)를 포함하는데, 상기 기판(1242)이 상기 도광판(1210)과 접할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 기판(1242)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1242)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
그리고, 상기 다수의 발광소자 패키지(200)는 상기 기판(1242) 상에 빛이 방출되는 발광면이 상기 도광판(1210)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있다.
상기 도광판(1210) 아래에는 상기 반사 부재(1220)가 형성될 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 상기 도광판(1210)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 백라이트 유닛의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1220)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1230)는 상기 도광판(1210), 발광모듈부(1240) 및 반사 부재(1220) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1230)는 상면이 개구된 박스(box) 형상으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1230)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 기판상에 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층을 형성하는 단계;
    상기 산화물 완충층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계; 및
    상기 질화갈륨층 상에 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광구조물을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 산화물 완충층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계는,
    상기 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층이 형성된 기판을 가열하는 단계;
    상기 인듐을 포함하는 산화물 완충층 상에 질화갈륨(GaN) 소스를 공급하는 단계;를 포함하며,
    상기 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층이 형성된 기판을 가열하는 단계에서,
    상기 산화물 완충층이 분해되어 발생되는 인듐의 일부가 상기 질화갈륨층 내의 공극에 위치하는 발광소자의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판상에 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층을 형성하는 단계는,
    상기 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 기판 상에 인듐(In)을 포함하는 산화물 완충층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1 항 또는 제2항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 인듐을 포함하는 산화물 완충층은,
    ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), IZON(IZO Nitride), IGZO(In-Ga ZnO) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자의 제조방법.
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