KR101771188B1 - 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법 - Google Patents

레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법에 관한 것이다.
이에 본 발명의 기술적 요지는 반도체 메모리 검사장비 등을 포함한 각종 전자장비 또는 자동차 및 산업용 제어장비의 기판 메인보드에 장착되는 커넥터 핀의 미세피치화를 위한 세퍼레이터의 초정밀 가공을 레이저 가공 방법으로 수행하도록 하는 것으로, 이는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성된 세퍼레이터의 가공성 저하 문제를 획기적으로 개선하도록 하는 바, 전자제품 등의 고기능화와 소형화에 적극 부응할 수 있도록 형성되고, 고집적 회로 구현이 가능하도록 하는 것을 특징으로 한다.

Description

레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법{A manufacture method of separator ultrafine-pich using laser}
본 발명은 반도체 메모리 검사장비 등을 포함한 각종 전자장비 또는 자동차 및 산업용 제어장비의 기판 메인보드에 장착되는 커넥터 핀의 미세피치화를 위한 세퍼레이터의 초정밀 가공을 레이저 가공 방법으로 수행하도록 하는 것으로, 이는 세퍼레이터의 가공성 저하 문제를 획기적으로 개선하도록 하는 바, 전자제품 등의 고기능화와 소형화에 적극 부응할 수 있도록 형성되고, 고집적 회로 구현이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법에 관한 것이다.
최근의 전기 전자 기기의 소형화 등에 수반하여 부품의 소형화, 고선명화가 진행되고 있어 테스트용 소켓 베이스인 세퍼레이터의 외형 가공도 또한 가공 정밀도에 의한 미세피치가 요구되고 있다.
이러한 테스트 소켓으로는 포고 핀 등 다양한 것이 사용될 수 있으며 최근에는 이방성을 가지는 탄성시트를 이용한 테스트 소켓도 많이 사용되고 있으며, 이러한 테스트 소켓은 '세퍼레이터' 라고도 일컬어진다. 이하에서는 테스트 소켓을 기준으로 일반적인 배경기술을 설명하도록 한다.
먼저, 도 6은 종래의 테스트 소켓의 일 예를 나타낸 단면 예시도이고, 도 7은 도 6의 테스트 소켓의 작동예를 나타낸 예시도이다.
먼저, 도 6에서 보는 바와 같이, 테스트 소켓(10)은 도전부(20)를 가지며, 상기 도전부(20)는 절연성 탄성 물질로 이루어진 기재(21) 중에 다수의 도전성 입자(22)가 함유되어 있는 형태로 이루어진다.
이러한 다수의 도전성 입자(22)는 두께방향으로 배향되고, 도전부(20)는 피검사 디바이스(50)의 전극(51)과 대응되도록 배열되어 있게 되며, 상기 도전부(20)는 절연 지지부(30)에 의하여 절연 지지되어 있게 된다.
이러한 테스트 소켓(10)은 테스트 장치(60)에 탑재된 상태에서 그 각각의 도전부(20)가 테스트 장치(60)의 패드(61)와 접촉되어 있게 된다.
그리고, 도 7에서 보는 바와 같이, 피검사 디바이스(50)가 하강하면 피검사 디바이스(50)의 전극(51)이 각각의 도전부(20)와 접촉하면서 도전부(20)를 가압하게 되며, 이에 따라 도전부(20) 내의 도전성 입자(22)들은 서로 밀착되면서 통전이 가능한 상태를 형성한다.
이때, 테스트 소켓(10)과 테스트 장치(60)의 위치 정렬을 위해서, 테스트 장치(60)에는 가이드 핀(70)이 마련된다.
이러한 가이드 핀(70)은 테스트 장치(60)로부터 상향 돌출되도록 마련될 수 있다.
그리고, 테스트 소켓(10)에는 금속 프레임(71)이 마련되는데, 상기 금속 프레임(71)은 테스트 소켓(10)의 주변부를 형성하며 가이드 핀(70)에 결합됨으로써, 테스트 소켓(10)의 도전부(20)가 테스트 장치(60)의 패드(61)와 정위치로 접촉될 수 있다.
이후, 테스트 장치(60)로부터 소정의 테스트 신호가 인가되면 그 테스트 신호가 테스트 소켓(10)을 거쳐 피검사 디바이스(50)로 전달되고, 반사신호는 반대로 테스트 소켓(10)을 거쳐 테스트 장치(60)로 들어오게 된다.
이러한 테스트 소켓은 두께방향으로 가압되었을 때 그 두께방향으로만 도전성을 나타내는 특성을 가지며, 납땜 또는 스프링과 같은 기계적 수단이 사용되지 않으므로 내구성이 우수하며 간단한 전기적 접속을 달성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 기계적인 충격이나 변형을 흡수할 수 있기 때문에, 부드러운 접속이 가능한 장점이 있어 각종 전기적 회로장치 등과 테스트 장치와의 전기적 접속을 위하여 널리 사용된다.
한편, 피검사 디바이스의 단자가 미세 피치를 가지는 경우, 테스트 소켓의 도전부가 피검사 디바이스의 단자에 정확하게 접촉되도록 하기 위한 위치 얼라인(Align)은 매우 중요하다.
그러나, 절연 지지부 및 도전부를 구성하는 실리콘 소재의 특성 때문에, 제품 제작 시 및 테스트 환경에서 수축 및 팽창이 발생하고, 이로 인해 테스트 소켓의 도전부의 위치가 변형되는 문제점이 있다.
그리고 이러한 도전부의 위치 변형은 도전부와 피검사 디바이스의 단자 간의 접촉 불량을 야기할 수 있기 때문에, 테스트의 신뢰성을 떨어뜨릴 수 있다.
실질적으로, 피검사 디바이스의 단자 간의 피치가 0.4mm 이상인 경우에는, 테스트 소켓의 도전부의 위치 허용 범위는 ±0.05mm 이하가 요구되고 있으며, 단자 간의 피치가 0.4mm 이하의 미세 피치인 경우에는 테스트 소켓의 도전부의 위치 허용 범위는 ±0.03mm 이하가 요구되고 있다.
따라서, 피검사 디바이스의 단자가 미세 피치를 가지는 경우에도 단자와 신뢰성 높은 접촉이 가능한 도전부를 가지는 미세 피치용 테스트 소켓이 요구된다.
그러나, 이와 같은 종래의 미세 피치용 테스트 소켓은 통상 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질로 된 것을 사출 성형 가공 방법으로 제작하게 되는데 LCP 소재는 글라스 성분을 포함하고 있어서 사출 성형 가공법으로 구현할 수 있는 미세피치의 한계가 존재하게 되고, 이는 결국 고집적 회로 구현을 곤란하게 함으로써, 전자제품 등의 고기능화와 소형화에 적지 않은 어려움이 따르고 있는 실정이다.
1. 대한민국 등록특허공보 제10-1462689호(2014.11.11. 등록) 2. 대한민국 공개특허공보 제10-2017-0016688호(2017.02.14. 공개)
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 기술적 요지는 반도체 메모리 검사장비 등을 포함한 각종 전자장비 또는 자동차 및 산업용 제어장비의 기판 메인보드에 장착되는 커넥터 핀의 미세피치화를 위한 세퍼레이터의 초정밀 가공을 레이저 가공 방법으로 수행하도록 하는 것으로, 이는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성된 세퍼레이터의 가공성 저하 문제를 획기적으로 개선하도록 하는 바, 전자제품 등의 고기능화와 소형화에 적극 부응할 수 있도록 형성되고, 특히 고집적 회로 구현이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 다른 실시예로서, LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성된 사각 프레임(내부가 빈 사각틀) 형태의 세퍼레이트 틀을 마련하도록 하되, 상기 세퍼레이트 틀의 개구부 상면에는 레이저 가공 방법으로 초미세피치가 미리 가공된 고강성 PC(폴리카보네이트 재질 또는 이와 동등한 물성을 갖는 재질) 재질의 박막 필름을 융착 방식으로 접합하도록 하는 바, 이는 순전히 LCP 재질 등으로 제조된 세퍼레이트 자체에 직접 가공(레이저를 이용하여 미세피치를 절삭)하는 것 대비 가공성이 크게 향상되어 작업성과 정밀성이 개선되도록 하는 것을 제공함에 또 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 또 다른 실시예로서, LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성된 사각 프레임(내부가 빈 사각틀) 형태의 세퍼레이트 틀에 대하여 레이저 가공 방법으로 초미세피치가 미리 가공된 박판형 피치패널이 결합되도록 하되, 상기 피치패널은 세퍼레이트 틀과 동일한 LCP 계열 재질로 제작한 뒤 암수 조립구로 하여금 세퍼레이트 틀과 결합되거나 융착 방식으로 접합하도록 하는 바, 이는 초미세피치 가공 불량시 야기되는 원가 상승 문제를 미연에 방지(틀과 패널을 따로 가공하여 최소한 틀 부분은 금형으로 제작하여 가공 불량이 방지되도록 하는 것)하여 생산성을 증대시킬 수 있는 것을 제공함에 또 다른 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 레이저 가공방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법 중 일 실시예로서, LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 바디(100)가 작업 테이블에 준비되도록 하는 단계(S100)와; 상기 준비된 세퍼레이터 바디(100)에 대하여 설정된 등간격(0.25mm)에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz로 형성되어 초미세피치를 성형하도록 하는 단계(S200)가; 구성되어 이루어진다.
이에, 본 발명은 상기한 제조방법 외 다른 제조방법으로서, 고강성 PC(폴리카보네이트 재질 또는 이와 동등한 물성을 갖는 재질) 재질로 형성되고, 6~10mm에 2~3mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 박막 필름(200)이 준비되도록 하는 단계(S100-1)와; 상기 준비된 박막 필름(200)에 대하여 설정된 등간격(0.25mm)에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz인 레이저 가공기로 하여금 초미세피치를 성형하도록 하는 단계(S200-1)와; LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 그리고 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 틀(100-1)이 준비되도록 하되, 상기 세퍼레이터 틀(100-1) 면상에는 상기 박막 필름(200)의 외주면과 대응되는 면적으로 관통된 개구부가 형성되도록 하는 단계(S300-1)와; 상기 세퍼레이터 틀(100-1)의 개구부에 대하여 초미세피치가 가공된 박막 필름(200)을 열융착하여 접합하도록 하는 단계(S400-1)가; 구성되어 이루어진다.
또한, 본 발명은 초미세피치 세퍼레이터 제조방법의 또 다른 실시예로서, LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 그리고 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료로 형성되고, 6~10mm에 2~3mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 피치패널(300)이 준비되도록 하는 단계(S100-2)와; 상기 준비된 피치패널(300)에 대하여 설정된 등간격(0.25mm)에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz인 레이저 가공기로 하여금 초미세피치를 성형하도록 하는 단계(S200-2)와; LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 그리고 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 틀(100-2)이 준비되도록 하되, 상기 세퍼레이터 틀(100-2) 면상에는 상기 피치패널(300)의 외주면과 대응되는 면적으로 관통된 개구부가 형성되도록 하는 단계(S300-2)와; 상기 세퍼레이터 틀(100-2)의 개구부에 대하여 초미세피치가 가공된 피치패널(300)을 결합하여 조립하도록 하는 단계(S400-2)가; 구성되어 이루어진다.
이때, 상기한 또 다른 제조방법은 상기 세퍼레이터 틀(100-2)과 피치패널(300)의 대응면 면상에 각각 암수 끼움식 결합홈(110)과 조립구(310)가 형성되어 결합성이 보강되도록 형성된다.
아울러, 상기한 또 다른 제조방법은 상기 세퍼레이터 틀(100-2)과 피치패널(300)의 대응면 면상에 단턱홈(120)과 결합면(320)이 형성되어 밀착 지지면이 확장되도록 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명은 반도체 메모리 검사장비 등을 포함한 각종 전자장비 또는 자동차 및 산업용 제어장비의 기판 메인보드에 장착되는 커넥터 핀의 미세피치화를 위한 세퍼레이터의 초정밀 가공을 레이저 가공 방법으로 수행하도록 하는 것으로, 이는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성된 세퍼레이터의 가공성 저하 문제를 획기적으로 개선하도록 하는 바, 전자제품 등의 고기능화와 소형화에 적극 부응할 수 있도록 형성되고, 특히 고집적 회로 구현이 가능하도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 다른 실시예로서, LCP 재질로 된 사각 프레임(내부가 빈 사각틀) 형태의 세퍼레이트 틀을 마련하도록 하되, 상기 세퍼레이트 틀의 개구부 상면에는 레이저 가공 방법으로 초미세피치가 미리 가공된 고강성 PC(폴리카보네이트 재질 또는 이와 동등한 물성을 갖는 재질) 재질의 박막 필름을 융착 방식으로 접합하도록 하는 바, 이는 순전히 LCP 재질로 된 세퍼레이트 자체에 직접 가공(레이저를 이용하여 미세피치를 절삭)하는 것 대비 가공성이 크게 향상되어 작업성과 정밀성이 개선되도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 또 다른 실시예로서, LCP 재질로 된 사각 프레임(내부가 빈 사각틀) 형태의 세퍼레이트 틀에 대하여 레이저 가공 방법으로 초미세피치가 미리 가공된 박판형 피치패널이 결합되도록 하되, 상기 피치패널은 세퍼레이트 틀과 동일한 LCP 재질로 제작한 뒤 암수 조립구로 하여금 세퍼레이트 틀과 결합되거나 융착 방식으로 접합하도록 하는 바, 이는 초미세피치 가공 불량시 야기되는 원가 상승 문제를 미연에 방지(틀과 패널을 따로 가공하여 최소한 틀 부분은 금형으로 제작하여 가공 불량이 방지되도록 하는 것)하여 생산성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 2는 본 발명에 따른 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터의 제작 예시도,
도 3은 본 발명에 따른 다른 실시예로서, 세퍼레이트 틀에 박막 필름이 접합되는 것을 나타낸 예시도,
도 4 내지 도 5는 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 세퍼레이트 틀에 피치패널이 결합되는 것을 나타낸 예시도,
도 6 내지 도 7은 종래의 테스트 소켓을 나타낸 예시도이다.
다음은 첨부된 도면을 참조하며 본 발명을 보다 상세히 설명하겠다.
먼저, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명은 레이저 가공방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법 중 일 실시예로서, 최초 S100단계는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 바디(100)가 작업 테이블에 준비되도록 형성된다.
이후, S200단계는 상기 준비된 세퍼레이터 바디(100)에 대하여 설정된 등간격(바람직하게는 0.25mm 또는 그 이상, 이하)에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz로 형성되어 초미세피치를 성형하도록 형성된다.
이때, 레이저 가공시 세부 사양은 17W UV 레이저 시스템을 사용하도록 하되, 평균 파워(Average power)는 17W이고, 에너지(Energy)는 500 마이크로줄(μJ)이며, Repeation rate: 30~150Khz, Pulse Width : <20, Beam Quality: <1.2, Pulse to Pulse stability : 2%, Average power stability(12 Hours): 3% 인 것이 바람직하다.
즉, 상술한 제조방법은 LCP재질 또는 그와 동등한 재질의 소재로 된 세퍼레이터 바디 자체에 초미세피치를 직접 가공하는 것으로 부가적인 접합 공정이나 조립 공정이 생략되어 생산성이 높은 특징이 있다.
다만, LCP 계열의 재질은 성분 중 글라스 성분이 포함되어 있는 것으로 내구성은 높으나 레이저 가공시 절삭성이 다소 저하되는 단점이 예상된다.
이를 해결하고자 레이저 가공시에는 레이저 가공기의 빔 헤드에 레이저 발진량을 조절할 수 있도록 하는 것이 중요한데, 이러한 레이저 발진기는 주요 부분으로서 전원 회로 부분을 포함하지 않은 레이저 광을 발생시키는 본체가 구비되고, 이러한 본체에는 기본적으로 2개의 패브리 페로 광공진기가 구비되는 것이 바람직하다.
이러한 광공진기는 로드 냉각 기구와 세로 모드 선택용 에탈론, 가로 모드 선택용 핀홀, Q 스위칭 및 모드 로킹용 변조 소자 등이 포함되는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명은 상기한 제조방법 외 다른 제조방법으로서, LCP 계열의 재질로 된 세퍼레이터 틀(100-1)에 PC 재질로 된 박막 필름(200)이 접합되도록 형성된다.
즉, S100-1단계는 고강성 PC(폴리카보네이트 재질 또는 이와 동등한 물성을 갖는 재질) 재질로 형성되고, 6~10mm에 2~3mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 박막 필름(200)이 준비되도록 형성된다.
이후, S200-1단계는 상기 준비된 박막 필름(200)에 대하여 설정된 등간격(바람직하게는 0.25mm 또는 그 이상, 이하)에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz인 레이저 가공기로 하여금 초미세피치를 성형하도록 형성된다.
이에, 레이저 가공시의 세부 사양은 상술한 실시예 1과 대응되도록 형성된다.
이후, S300-1단계는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 틀(100-1)이 준비되도록 하되, 상기 세퍼레이터 틀(100-1) 면상에는 상기 박막 필름(200)의 외주면과 대응되는 면적으로 관통된 개구부가 성형되도록 형성된다.
이후, S400-1단계는 상기 세퍼레이터 틀(100-1)의 개구부에 대하여 초미세피치가 가공된 박막 필름(200)을 열융착하여 접합하도록 형성된다.
이러한 제2실시예는 가공성이 우수한 PC재질의 박막 필름에 미리 초미세피치를 레이저 가공 성형한 뒤 LCP재질의 세퍼레이터 틀(100-1)에 대하여 열융착 접합하도록 함으로써, 가공정밀성을 높이도록 하는 특징이 있다.
이때, 상기 박막필름은 세퍼레이터 틀의 개구부를 덮는 상태에서 개구부의 직경보다 소폭 넓은 형태로 면적이 형성되어 부착되도록 하되, 열융착시에는 박막필름의 겹쳐지는 부분이 세퍼레이터 틀의 면상에서 융착되도록 형성된다.
이에, 접착되는 면에는 다수개의 접착 요홈(접착되는 면을 향해 개방된 반구 형태의 요홈)이 형성되어 열융착 효율이 배가되도록 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 초미세피치 세퍼레이터 제조방법의 또 다른 실시예로서, LCP 계열로 된 동일 소재를 이용하되, 피치패널(300)과 세퍼레이터 틀(100-2)로 분할제작한 뒤 결합하도록 형성된다.
즉, S100-2단계는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 6~10mm에 2~3mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 피치패널(300)이 준비되도록 형성된다.
이후, S200-2단계는 상기 준비된 피치패널(300)에 대하여 설정된 등간격(바람직하게는 0.25mm 또는 그 이상, 이하)에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz인 레이저 가공기로 하여금 초미세피치를 성형하도록 형성된다.
이에, 레이저 가공시의 세부 사양은 상술한 실시예 1과 대응되도록 형성된다.
이후, S300-2단계는 LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 틀(100-2)이 준비되도록 하되, 상기 세퍼레이터 틀(100-2) 면상에는 상기 피치패널(300)의 외주면과 대응되는 면적으로 관통된 개구부가 성형되도록 형성된다.
이후, S400-2단계는 상기 세퍼레이터 틀(100-2)의 개구부에 대하여 초미세피치가 가공된 피치패널(300)을 결합하여 조립하도록 형성된다.
이때, 상기한 또 다른 제조방법은 상기 세퍼레이터 틀(100-2)과 피치패널(300)의 대응면 면상에 각각 암수 끼움식 결합홈(110)과 조립구(310)가 형성되어 결합성이 보강되도록 형성된다.
아울러, 상기한 또 다른 제조방법은 상기 세퍼레이터 틀(100-2)과 피치패널(300)의 대응면 면상에 단턱홈(120)과 결합면(320)이 형성되어 밀착 지지면이 확장되도록 하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 단턱홈과 결합면의 주변에는 가조립홈과 가조립돌기가 더 구비되어 완전 압착 전에 정밀 부착을 유도할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
100 ... 세퍼레이터 바디 200 ... 박막 필름
300 ... 피치패널

Claims (5)

  1. LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 바디(100)가 작업 테이블에 준비되도록 하는 단계(S100)와;
    상기 준비된 세퍼레이터 바디(100)에 대하여 설정된 등간격에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz로 형성되어 초미세피치를 성형하도록 하는 단계(S200)가;
    구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법.
  2. 고강성 PC(폴리카보네이트 재질 또는 이와 동등한 물성을 갖는 재질) 재질로 형성되고, 6~10mm에 2~3mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 박막 필름(200)이 준비되도록 하는 단계(S100-1)와;
    상기 준비된 박막 필름(200)에 대하여 설정된 등간격에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz인 레이저 가공기로 하여금 초미세피치를 성형하도록 하는 단계(S200-1)와;
    LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 틀(100-1)이 준비되도록 하되, 상기 세퍼레이터 틀(100-1) 면상에는 상기 박막 필름(200)의 외주면과 대응되는 면적으로 관통된 개구부가 형성되도록 하는 단계(S300-1)와;
    상기 세퍼레이터 틀(100-1)의 개구부에 대하여 초미세피치가 가공된 박막 필름(200)을 열융착하여 접합하도록 하는 단계(S400-1)가;
    구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법.
  3. LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 6~10mm에 2~3mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 피치패널(300)이 준비되도록 하는 단계(S100-2)와;
    상기 준비된 피치패널(300)에 대하여 설정된 등간격에 따라 초미세피치를 레이저 가공하도록 하되, 상기 레이저 가공시에는 레이저 파워(Laser power)가 5~40W이고, 레이저 파장(Laser wavelength)은 355nm이며, 그로스 파워(Gross power)는 1200W이고, 작업환경 사항(Environment request)은 온도(temperature)가 15-30℃에 습도(humility) 20-80%이며, 반복 주파수(Repeat frequency)는 Single pulse up to 300KHz이고, 최소 라인 두께(Minimum line width)는 0.01mm이며, 처리 속도(Processing speed)는 ≤7000mm/s이며, 공급 전압(Supply voltage)은 AC220V/50-60Hz인 레이저 가공기로 하여금 초미세피치를 성형하도록 하는 단계(S200-2)와;
    LCP(액정고분자: liquid crystal polymer) 재질 또는 GF(Glass) 재질이 포함된 모든 원재료 중 어느 하나로 형성되고, 가로 및 세로 크기가 8~15mm에 3~5mm이고, 두께가 0.2~1mm로 된 세퍼레이터 틀(100-2)이 준비되도록 하되, 상기 세퍼레이터 틀(100-2) 면상에는 상기 피치패널(300)의 외주면과 대응되는 면적으로 관통된 개구부가 형성되도록 하는 단계(S300-2)와;
    상기 세퍼레이터 틀(100-2)의 개구부에 대하여 초미세피치가 가공된 피치패널(300)을 결합하여 조립하도록 하는 단계(S400-2)가;
    구성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 세퍼레이터 틀(100-2)과 피치패널(300)의 대응면 면상에는 각각 암수 끼움식 결합홈(110)과 조립구(310)가 형성되어 결합성이 보강되도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 세퍼레이터 틀(100-2)과 피치패널(300)의 대응면 면상에는 단턱홈(120)과 결합면(320)이 형성되어 밀착 지지면이 확장되도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 이용한 초미세피치 세퍼레이터 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112809196A (zh) * 2020-12-22 2021-05-18 安捷利（番禺）电子实业有限公司 一种5g高频lcp材料外形切割方法

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JP2012234812A (ja) 2011-04-26 2012-11-29 Eaglepicher Technologies Llc カプセル封入された固体電気化学コンポーネントの形成方法

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