KR101768564B1 - 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법 - Google Patents

레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101768564B1
KR101768564B1 KR1020160023231A KR20160023231A KR101768564B1 KR 101768564 B1 KR101768564 B1 KR 101768564B1 KR 1020160023231 A KR1020160023231 A KR 1020160023231A KR 20160023231 A KR20160023231 A KR 20160023231A KR 101768564 B1 KR101768564 B1 KR 101768564B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
guide portion
resist film
chuck
substrate mask
corner
Prior art date
Application number
KR1020160023231A
Other languages
English (en)
Inventor
전승용
Original Assignee
주식회사 루비오
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 루비오 filed Critical 주식회사 루비오
Priority to KR1020160023231A priority Critical patent/KR101768564B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101768564B1 publication Critical patent/KR101768564B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

기판 마스크에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 장치로서, 내부에 공간부가 형성된 하우징, 상기 하우징의 공간부에서 회전 가능하게 설치되며, 상기 기판 마스크가 안착하는 척, 상기 척의 상부에 배치되며, 상기 기판 마스크에 상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 용액을 분사하는 분사 노즐, 상기 척의 하부에 배치되며, 상기 척을 회전 구동하는 구동부, 및 상기 하우징의 공간부와 연통되며, 상기 공간부의 공기가 외부로 배출되는 배기구를 포함하고, 상기 척의 외주에는 기류 가이드부가 배치되는 레지스트막 형성 장치를 제공할 수 있다.

Description

레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법{APPARATUS FOR FORMING RESIST COATING AND METHOD FOR MANUFACTURING RESIST COATING USING THE SAME}
본 발명은 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법으로서, 구체적으로, 레지스트막의 도포되는 기판 마스크에 형성되는 에지 비드의 생성을 방지할 수 있는 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법에 관한 것이다.
반도체를 제조하기 위한 공정에서 사용되는 기판 마스크는 블랭크 마스크 표면에 금속층 등을 코팅하여 제조된다. 블랭크 마스크의 표면에 위상반전막, 금속막 등이 형성되고, 최종으로는 이들 막들의 패턴을 형성하기 위한 레지스트막이 균일하게 코팅된다.
일반적으로 사용되고 있는 블랭크 마스크는 기판 표면에 하나 이상의 금속층을 형성하고, 형성된 금속층 위에 레지스트 용액을 떨어뜨린 후, 기판을 회전시켜 떨어뜨린 레지스트 용액이 기판의 외주로 퍼지게 하여 금속층 위에 균일하게 도포하는 방법으로 제조되며, 일반적으로 스핀(spin) 코팅 장치를 사용한다.
그러나, 종래의 스핀 코팅 장치를 이용하여 금속층 위에 레지스트막을 형성하면, 레지스트 용액의 표면 장력과 기판 내외의 건조 속도의 차이 때문에, 기판의 가장자리 부분이 비정상적으로 두꺼운 에지 비드(edge bead)가 발생된다.
예를 들어, 도 5에 기재된 종래의 스핀 코팅 장치(100)는 모터(115)에 의해 척(130)이 회전 구동되고, 이러한 척(130) 위에 배치된 기판 마스크(140)에 레지스트 용액을 분사하여 레지스트막을 형성한다. 그러나, 도 6에 도시된 바와 같이, 금속층(142) 위에 최종적으로 형성된 레지스트막(143)의 단부에는 레지스트 용액이 응집되는 에지 비드(143a)가 발생된다.
최근 포토마스크에서는 주 패턴 영역이 점점 넓어지고 있어서, 정전기 방지용 테두리, 정렬키, 바코드 등이 형성되는 보조 패턴이 포토 마스크의 외곽까지 확대되어, 예를 들어, 전체 마스크 블랭크의 폭이 1200㎛보다 커지는 경우, 보조 패턴이 패터닝되지 않는 문제점이 발생한다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 보조 패턴에 대해 노광을 반복하는 방법을 사용하였으나, 노광 시간이 증감함에 따라 생산성이 악화되고, 노광 회수를 증가시키더라도 보조 패턴의 불량을 완전히 해결하지 못해 수율을 떨어뜨려, 포토 마스크 블랭크를 제조하는데 드는 비용을 증가시켜 왔다.
한국특허공보 제10-0617271호
따라서, 본 발명은 전술한 문제점을 해결하고, 보조 패턴을 사용하는 복잡한 공정을 단순히 하기 위해, 스핀 코팅 장치의 외곽부에 기류를 형성할 수 있는 기류 가이드부를 통해, 기류의 조절을 원활하게 하며 조절할 수 있는 레지스트막 형성 장치를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 스핀 코팅 장치의 외곽부에 열선부를 형성하여, 레지스트막 가장자리에 발생하는 에지 비드를 방지할 수 있는 레지스트막 형성 장치를 제공하고자 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판 마스크에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 장치로서, 내부에 공간부가 형성된 하우징, 상기 하우징의 공간부에서 회전 가능하게 설치되며, 상기 기판 마스크가 안착하는 척, 상기 척의 상부에 배치되며, 상기 기판 마스크에 상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 용액을 분사하는 분사 노즐, 상기 척의 하부에 배치되며, 상기 척을 회전 구동하는 구동부, 및 상기 하우징의 공간부와 연통되며, 상기 공간부의 공기가 외부로 배출되는 배기구를 포함하고; 상기 척의 외주에는 기류 가이드부가 배치되는 레지스트막 형성 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 기류 가이드부는, 상기 척의 각 측면에 배치되는 하부 가이드부와, 상기 하부 가이드부로부터 상방으로 이격되어 배치되는 상부 가이드부를 포함하고, 상기 하부 가이드부와 상기 상부 가이드부 사이에는 간극이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 상기 상부 가이드부의 상하 위치를 조절할 수 있는 제어부를 더 포함하는 레지스트막 형성 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 하부 가이드부의 상면은 상기 기판 마스크의 상면과 동일한 높이로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 기류 가이드부는 상기 척의 각 모서리에 배치되는 하부 가이드부와, 상기 하부 가이드부로부터 상방으로 이격되어 배치되는 상부 가이드부를 포함하고, 상기 하부 가이드부와 상기 상부 가이드부 사이에는 간극이 형성되는 레지스트막 형성 장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 하부 가이드부와 상기 상부 가이드부가 각각 열선을 포함하고, 이러한 열선의 온도를 제어할 수 있는 가열부를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 마스크에 레지스트막을 형성하는 방법으로서, 하나 이상의 금속을 포함하는 금속층이 형성된 기판 마스크에 레지스트 용액을 분사하는 단계; 상기 기판 마스크를 회전시켜 상기 기판 마스크의 표면에 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 기판 마스크의 둘레를 따라 기류 가이드부를 배치하는 단계; 상기 기판 마스크의 중심부로부터 상기 기류 가이드부 방향으로, 상기 기판 마스크의 표면을 따라 흐르는 제 1 기류를 발생시키는 단계; 상기 기판 마스크의 가장자리로부터 상기 기류 가이드부의 외측 방향으로 흐르는 제 2 기류를 발생시키는 단계를 포함하는 레지스트막 제조 방법을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 기류 가이드부는 하부 가이드부와 상부 가이드부를 포함하고, 상기 하부 가이드부와 상기 상부 가이드부 사이의 간극 사이에서 제 2 기류가 발생하여 흐르는 레지스트막 형성 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 레지스트막 형성 장치에 의해 금속층 위에 레지스트막을 형성하면, 레지스트막의 가장자리에 발생하는 에지 비드의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 에지 비드가 발생하지 않기 때문에, 포토 마스크 블랭크의 유효 면적이 증가하므로, 포토 마스크 블랭크의 신뢰성이 향상되고 생산 효율성이 증가된다.
또한, 에지 비드에서 발생될 수 있는 파티클을 저감시키므로, 고품질의 포토마스크 블랭크를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치로 형성중인 포토 마스크 블랭크를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치의 척의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치로 형성된 포토 마스크 블랭크의 개략적인 단면도이다.
도 5는 종래의 레지스트막 형성 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 종래의 레지스트막 형성 장치로 형성된 포토 마스크 블랭크를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 기준으로 본 발명의 바람직한 실시 형태를 통하여, 본 발명에 따른 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법에 대하여 설명하기로 한다.
설명에 앞서, 여러 실시 형태에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성 요소에 대해서는 동일 부호를 사용하여 대표적으로 일 실시 형태에서 설명하고, 그 외의 실시 형태에서는 다른 구성 요소에 대해서만 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)의 개략적인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)로 형성중인 포토 마스크 블랭크(40)를 개략적으로 도시한 단면도이다.
또한, 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)의 척(30)의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)로 형성된 포토 마스크 블랭크(40)의 개략적인 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 레지스트막 형성 장치(1)는 기판 상에 레지스트막을 형성하기 위한 것으로, 구체적으로, 금속층(42) 등이 형성된 투명 기판(41) 상에 레지스트막(43)을 형성하여 포토 마스크 블랭크(40)로 제조하기 위한 것이다. 또한, 레지스트막(43) 뿐만 아니라, 스핀 코팅 방식으로 형성될 수 있는 다른 다양한 막을 형성하는데 이용될 수 있다.
본 발명의 레지스트막 형성 장치(1)는 분사 노즐(11), 하우징(12), 척(30), 배기구(14), 구동부(15), 압력계(16), 배기 밸브(17) 및 기류 가이드부(31)를 포함한다.
하우징(12)은 상단부가 개방되어 있으며, 내부에는 공간부가 형성되어 있다. 개방된 상단부는 하우징 커버(13)를 통해 폐쇄될 수 있고, 이러한 경우, 하우징 커버(13)를 관통하여 분사 노즐(11)이 배치된다.
척(30)은 구동부(15)에 연결되어, 공간부 내에서 회전가능하게 설치되며, 이러한 척(30)에 포토 마스크 블랭크(40)가 장착된다. 분사 노즐(11)은 척(30)의 상방에 설치되어, 포토 마스크 블랭크(40)에 레지스트 용액을 분사한다.
본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)는 투명 기판(41)의 표면에 레지스트 용액을 떨어뜨리고 포토 마스크 블랭크(40)을 회전시켜, 포토 마스크 블랭크(40)의 표면에 레지스트 용액이 펴져 레지스트막(43)을 형성하기 위한 것이다.
본 발명에서는 금속층(42)의 표면에 레지스트막(43)을 형성하도록 하였으며, 금속층(42)은 하나 이상의 금속을 포함하는 층으로서, 위상 반전층을 포함할 수 있고, 여러개의 층으로 형성될 수 있다.
본 발명의 레지스트막 형성 장치(1)는 포토 마스크 블랭크(40)의 표면에 레지스트 용액을 분사하고, 포토 마스크 블랭크(40)가 안착하는 척이 구동부(15)을 중심축을 따라 회전함에 따라, 포토 마스크 블랭크(40) 역시 일방향(30a)로 회전하게 된다.
이 때, 상기 포토 마스크 블랭크(40)의 중심부로부터 포토 마스크 블랭크(40)의 외주 방향으로 제1 기류(11a)가 발생하여, 이러한 제1 기류(11a)와 포토 마스크 블랭크(40)의 원심력에 의하여, 금속층(42) 상부에서 균일하게 퍼지게 된다.
한편, 척(30)의 상부에는 포토 마스크 블랭크(40)의 둘레를 따라 기류 가이드부(31)가 배치될 수 있다. 이러한 기류 가이드부(31)는 하부 가이드부(31a)와 상부 가이드부(31b)를 포함하며, 이들 사이에는 간극이 형성되어 있다. 또한, 이러한 간극 사이로 제2 기류(11b)가 발생된다.
배기 밸브(17)는 배기구(14)에서 빨아들이는 공기의 압력을 조절하는 기능을 갖고, 이 공기의 흐름을 이용하여 하우징(12) 상부로부터 배기구(14)를 통해 공기가 빠져나간다. 이러한 공기의 흐름을 통해 제2 기류(11b)가 발생하며, 제2 기류(11b)는 포토 마스크 블랭크(40) 외주로부터 기류 가이드부(31) 사이의 간극을 지나간다.
또한, 본 발명의 기류 가이드부(31)는 하부 가이드부(31a)와 상부 가이드부(31b)를 포함하는데, 하부 가이드부(31a)와 상부 가이드부(31b) 각각은 열선(21a, 21b)를 포함하고 있어, 하부 가이드부(31a)와 상부 가이드부(31b)가 위치하는 부분은 척(30)의 다른 부분에 비하여 그 온도가 높다.
따라서, 제2 기류(11b)의 속도는 제1 기류(11a)의 속도보다 빠르게 형성되고, 이를 통해, 레지스트막(43)의 가장자리에 형성되는 에지 비드(43b)를 바깥쪽으로 강하게 밀게되므로, 에지 비드(43a)를 제거할 수 있다.
또한, 제2 기류(11b)의 속도는 하부 가이드부(31a)와 상부 가이드부(31b)의 간극 크기의 제어를 통해서도 조절될 수 있는데, 이러한 간극 크기의 제어는 상부 가이드부(31b)를 상하로 위치 조절하여 이루어질 수 있고, 이는 도시되지 않는 제어부를 통해 상부 가이드부(31b)의 상하 위치가 조절될 수 있다.
또한, 열선(21a, 21b)을 포함하는 기류 가이드부(31) 포토 블랭크 마스크(40)의 외주에 배치되기 때문에, 포토 블랭크 마스크(40)의 가장자리부의 레지스트막(43)의 점성은 현저히 낮아져, 에지 비드(43a)의 형태로 레지스트 용액이 응집되는 현상이 줄어든다.
한편, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)의 열선(21a, 21b)은 척(30)의 하부에 배치되는 가열부(20)가 척(30)의 내부를 관통하는 열선(21)이 기류 가이드부(31)의 내부까지 연결되는 구성을 갖고 있으며, 반드시 이러한 연결 구성에 한정되는 것은 아니다.
또한, 하부 가이드부(31a)의 상면은, 레지스트막(43)이 분사되기 이전의 포토 마스크 블랭크(40)의 상면, 즉, 금속층(42)의 상면과 동일한 높이로 배치되는 것이 바람직하다. 따라서, 제1 기류(11a)와 제2 기류(11b)가 용이하게 진행될 수 있으므로, 에지 비드(43a)의 제거에 효과적이다.
또한, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)의 기류 가이드부(31)는 반드시 포토 마스크 블랭크(40)의 전체 둘레에 배치될 필요는 없고, 도 3에 도시된 바와 같이, 척(30)의 각 모서리부에 배치되는 것만으로도 충분하다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 레지스트막 형성 장치(1)를 통해 레지스트막(43)을 형성하였을 때, 에지 비드(43a)가 완전하게 제거되었음을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명의 레지스트막 형성 장치(1)에 의해 제조된 포토 마스크 블랭크(40)에는 에지 비드(43a)가 전혀 발생하지 않기 때문에, 차후 패턴 형성 공정에서, 패턴이 형성될 수 있는 유효 면적이 현저히 증가할 수 있다.
또한, 에지 비드(43a)가 투명 기판(41)으로부터 떨어져 나와 발생할 수 있는 파티클을 사전에 방지할 수 있기 때문에, 본 발명은 고품질의 포토 마스크 블랭크(40)를 제조할 수 있다.
전술한 설명들을 참고하여, 본 발명이 속하는 기술 분야의 종사자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로, 지금까지 전술한 실시 형태는 모든 면에서 예시적인 것으로서, 본 발명을 상기 실시 형태들에 한정하기 위한 것이 아님을 이해하여야만 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 균등한 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1 레지스트막 형성 장치
11 분사 노즐 11a 제 1 기류
11b 제 2 기류 12 하우징
13 하우징 커버 14 배기구
15 구동부 16 압력계
17 배기 밸브 20 가열부
21 열선 21a 하부 가이드부의 열선
21b 상부 가이드부의 열선 30 척
30a 척의 회전 방향 31 기류 가이드부
31a 하부 가이드부 31b 상부 가이드부
40 포토 마스크 블랭크 41 투명 기판
42 금속층 43 레지스트막
43a 에지 비드

Claims (10)

  1. 기판 마스크에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 장치로서,
    내부에 공간부가 형성된 하우징,
    상기 하우징의 공간부에서 회전 가능하게 설치되며, 상기 기판 마스크가 배치되는 척,
    상기 척의 상부에 위치하며, 상기 기판 마스크에 상기 레지스트막을 형성하는 레지스트 용액을 분사하는 분사 노즐,
    상기 척의 하부에 연결되며, 상기 척을 회전 구동시키는 구동부, 및
    상기 하우징의 공간부와 연통되며, 상기 공간부의 공기가 배출되는 배기구를 포함하고;
    상기 척의 외주에는 기류 가이드부가 배치되고,
    상기 기류 가이드부는, 상기 척의 각 모서리에 배치되는 모서리 하부 가이드부와, 상기 모서리 하부 가이드부로부터 상방으로 이격되어 배치되는 모서리 상부 가이드부를 포함하고,
    상기 모서리 하부 가이드부와 상기 모서리 상부 가이드부 사이에는 간극이 형성되며,
    상기 모서리 하부 가이드부와 상기 모서리 상부 가이드부는 각각 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기류 가이드부는, 상기 척의 각 측면에 배치되는 측면 하부 가이드부와,
    상기 측면 하부 가이드부로부터 상방으로 이격되어 배치되는 측면 상부 가이드부를 포함하고,
    상기 측면 하부 가이드부와 상기 측면 상부 가이드부 사이에는 간극이 형성되는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 측면 상부 가이드부의 상하 위치를 조절할 수 있는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 측면 하부 가이드부의 상면은 상기 기판 마스크의 상면과 동일한 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 열선의 온도를 제어할 수 있는 가열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 장치.
  8. 기판 마스크에 레지스트막을 제조하는 방법으로서,
    하나 이상의 금속을 포함하는 금속층이 형성된 기판 마스크에 레지스트 용액을 분사하는 단계;
    상기 기판 마스크를 회전시켜 상기 기판 마스크의 표면에 레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 기판 마스크의 둘레를 따라 기류 가이드부를 배치하는 단계;
    상기 기판 마스크의 중심부로부터 상기 기류 가이드부 방향으로, 상기 기판 마스크의 표면을 따라 흐르는 제 1 기류를 발생시키는 단계;
    상기 기판 마스크의 가장자리로부터 상기 기류 가이드부의 외측 방향으로 흐르는 제 2 기류를 발생시키는 단계를 포함하며,
    상기 기류 가이드부는 하부 가이드부와 상부 가이드부를 포함하고,
    상기 제 2 기류는 상기 하부 가이드부와 상기 상부 가이드부 사이의 간극 사이를 통해 흐르며,
    상기 하부 가이드부와 상기 상부 가이드부 내부에는 각각 열선을 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 레지스트막 제조 방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
KR1020160023231A 2016-02-26 2016-02-26 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법 KR101768564B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160023231A KR101768564B1 (ko) 2016-02-26 2016-02-26 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160023231A KR101768564B1 (ko) 2016-02-26 2016-02-26 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101768564B1 true KR101768564B1 (ko) 2017-08-17

Family

ID=59753156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160023231A KR101768564B1 (ko) 2016-02-26 2016-02-26 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101768564B1 (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6200135B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
JP4745358B2 (ja) 回転塗布方法、および回転塗布装置
US6777350B2 (en) Method and device of forming a film using a coating material and method of manufacturing a semiconductor device
KR20110113135A (ko) 도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
KR102022074B1 (ko) 임프린트용의 템플릿 제조 장치
JP6448064B2 (ja) スピンコーティングにおける欠陥制御のためのカバープレート
JP4079212B2 (ja) 塗布膜形成装置およびスピンチャック
WO2017169019A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US10262880B2 (en) Cover plate for wind mark control in spin coating process
KR101768564B1 (ko) 레지스트막 형성 장치 및 이를 이용한 레지스트막 형성 방법
US20120322273A1 (en) Coating film forming method and coating film forming apparatus
JP4357225B2 (ja) 基板処理装置
KR101719766B1 (ko) 레지스트막 형성 장치, 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법
US20030003760A1 (en) Photoresist coating method and apparatus
JP6961397B2 (ja) 基板コーティング方法及びコーティングシステム
JPH02134813A (ja) レジストの塗布方法
KR102715758B1 (ko) 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판 처리장치
WO2016159310A1 (ja) インプリント用のテンプレート製造装置
KR100587715B1 (ko) 블랭크 마스크의 레지스트 코팅방법
JPH11267573A (ja) 塗布膜形成方法および塗布装置
TWI819570B (zh) 塗佈處理方法及塗佈處理裝置
CN209231710U (zh) 光刻胶涂布装置
KR20220091774A (ko) 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판 처리장치
JPH02219213A (ja) レジスト塗布装置
JP2004039977A (ja) 回転塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
GRNT Written decision to grant